CN102747335B - 一种调节真空磁控辉光均匀性的装置和方法 - Google Patents

一种调节真空磁控辉光均匀性的装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102747335B
CN102747335B CN201210270524.3A CN201210270524A CN102747335B CN 102747335 B CN102747335 B CN 102747335B CN 201210270524 A CN201210270524 A CN 201210270524A CN 102747335 B CN102747335 B CN 102747335B
Authority
CN
China
Prior art keywords
baffle plate
governor lever
baffle
adjusting
aura
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210270524.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102747335A (zh
Inventor
王勇
王旭升
王烁
童帅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CSG Holding Co Ltd
Tianjin CSG Energy Conservation Glass Co Ltd
Original Assignee
CSG Holding Co Ltd
Tianjin CSG Architectural Glass Co Ltd
Tianjin CSG Energy Conservation Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CSG Holding Co Ltd, Tianjin CSG Architectural Glass Co Ltd, Tianjin CSG Energy Conservation Glass Co Ltd filed Critical CSG Holding Co Ltd
Priority to CN201210270524.3A priority Critical patent/CN102747335B/zh
Publication of CN102747335A publication Critical patent/CN102747335A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102747335B publication Critical patent/CN102747335B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及一种调节真空磁控辉光均匀性装置和方法,该装置包括长度调节机构、辉光均匀控制机构、辉光均匀机构,所述长度调节机构与所述辉光均匀控制机构配合以控制所述辉光均匀机构调节所述辉光的均匀性。该方法首先测量溅射产品均匀性,判断各个位置的溅射强弱;然后调节杆根据溅射强弱的位置调节长度以定位需要调节的挡板,并旋转带动挡板钉移动,控制该位置挡板开口大小,然后继续生产溅射产品并测量其均匀性,再重复上述步骤,直至均匀性达到生产要求。本发明的有益效果包括可以在真空环境下操作,不用回气操作,降低了成本,并节约人力物力;可以精确调节辉光均匀性。

Description

一种调节真空磁控辉光均匀性的装置和方法
技术领域
本发明涉及玻璃深加工技术领域,尤其涉及一种调节真空磁控辉光均匀性装置和方法。
背景技术
上世纪90年代至今,磁控溅射技术的应用日趋广泛,在工业化生产和科学研究领域发挥巨大作用。磁控溅射技术作为一种十分有效的薄膜沉积方法,被普遍和成功的应用在许多方面,特别是光学薄膜、微电子、材料表面处理领域中,用于薄膜沉积和表面覆盖层制备。
磁控溅射生成的薄膜厚度的均匀性是成膜性质的一项重要指标,在溅射镀膜中,由于靶内磁场分布,溅射气体分部以及溅射源特有的性质等原因,使得所镀膜层厚度不能理想的均匀分布。
专利号CN201120282981.5的中国专利公开了一种可改善磁控溅射镀膜均匀性的镀膜装置,其方法是镀膜腔体内安装一组可调节长度的挡板,通过在大气下控制开口大小来控制均匀程度。该方法的局限性有以下几点。
一、调节目的性差,靠多次操作经验来完成。
二、调节针对性不强,不能针对某个腔体时时调节。
三、调节精度差,没有定量调节装置,所以其实用性不良。
四、操作性能不好,该技术只能在大气环境下操作,严重影响正常工业化生产。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足,本发明的目的是提供一种调节真空磁控辉光均匀性装置和方法,能够在真空中精确定位调节,实现有效地辉光均匀性调节。
为了实现上述目的,本发明采用如下装置:一种调节真空磁控辉光均匀性装置,包括长度可调的调节杆、辉光均匀控制机构和辉光均匀机构;所述调节杆通过密封法兰部分密封于真空腔体,所述辉光均匀控制机构和辉光均匀机构内置于真空腔体内;
所述辉光均匀控制机构包括圆环形调节套和固定于套外的倒V型调节板,所述调节套包括调节内套和调节外套,所述调节内套套接固定于所述调节杆顶端,所述调节内套可随着调节杆的转动而转动,所述调节外套随着所述调节内套的旋转而转动;
所述辉光均匀机构包括长形挡板外罩和若干设置于所述挡板外罩内的挡板和固定于挡板上的挡板钉,挡板钉位于调节板的V型空间内,所述调节板可带动所述挡板钉往复移动从而调节所述挡板开口大小。
进一步,所述调节杆在长度调节状态下可对应不同位置的所述挡板。
进一步,所述调节内套设有若干调节内套磁铁,所述调节外套相应位置设有相同数量的调节外套磁铁,所述调节内套可随着调节杆的转动而转动,同时,由于所述调节内套磁铁和所述调节外套磁铁的磁力作用,所述调节外套随着所述调节内套的旋转而转动。
进一步,所述调节杆上设置有刻度。
本发明还提供一种调节真空磁控辉光均匀性的方法,包括以下步骤:
步骤1:测量溅射产品均匀性,判断各个位置的溅射强弱;
步骤2:调节杆根据溅射强弱的位置调节长度以定位需要调整的位置,旋转调节杆带动调节套上的调节板旋转,所述调节板带动挡板上的挡板钉移动,控制该位置挡板开口大小,溅射较强位置,移动使挡板开口变小,在溅射较弱部分,移动使挡板开口变大;
步骤3:继续生产溅射产品并测量其均匀性;
步骤4:重复步骤1至3,直至均匀性达到生产要求。
本发明的有益效果是:可以在真空环境下操作,不用回气操作,大大降低了成本节约人力物力;可以精确调节溅射到玻璃表面的溅射物厚度;气密性好、不会出现漏气现象;可操作性强,该操作为可视化操作,通过观察窗能看到每块挡板的位置;可减少镀膜玻璃掉渣缺陷的发生,挡板有一定的挡渣作用;连续性强、可根据实际生产需要随时调整。
附图说明
图1为本发明的工作结构示意图。
图2为本发明的正面结构示意图。
图3为本发明的调节套与挡板配合示意图
图4为本发明的调节内套和调节外套的放大图
图5为本发明的调节杆的初始状态图
图6为本发明的调节杆的调节状态图
图中,1、调节杆2、密封法兰3、挡板钉4、调节外套5、调节外套磁铁6、调节内套磁铁7、调节内套8、调节板9、挡板10、挡板外罩11、真空腔体12、底板
具体实施方式
下面结合附图对本发明的一种具体实施方式做出说明。
参见图1-3,本发明的调节真空磁控辉光均匀性装置,包括在真空腔体11内设置有至少一排挡板9,可以有多排,其内置于挡板外罩10内,调节内套7和调节外套4形成调节套,并且调节内套7套接于调节杆1的位于真空腔体11内的远端部分,调节杆1通过密封法兰2与真空腔体11密封连接,调节套可以根据调节杆的长度调节来定位于不同挡板9的挡板钉3处,从而调整挡板9的开口大小,调整底板12的溅射均匀性。
参见图3,调节外套4外周固定有呈倒V型的调节板8,挡板9的挡板钉3位于调节板8的V型空间内。
参见图4,在调节内套7的周围有多个调节内套磁铁6,例如4个,相应地,在调节外套4的周围有相应数量的调节外套磁铁5,例如4个,该两组磁铁可相互作用,实现力传递。
参见图5-6,调节杆1长度可调节,其结构形式为可抽插移动、可多次折叠方式,并且上面带有刻度,可精确定位调节杆在真空腔体11内的位置,也可以精确定位所要调整挡板9的位置。
其工作方式是:在真空(不限于真空)环境下通过带有刻度调节杆1的旋转来带动在调节杆远端的调节内套7,调节内套7通过设置于其上的多个例如4个调节内套磁铁6来带动旋转调节外套磁铁5,使调节外套4也跟着旋转,当调节外套4旋转时其下端的调节板8会带动固定在挡板上的挡板钉3移动,挡板9也随之被调节。由于调节杆1长度是可以调节的,不同长度的调节杆1可以调节成对应不同位置挡板9,因此在生产过程中,根据不同真空内环境调节相应位置挡板开口大小,可以精确的完成单靶均匀性。
实际产品的溅射过程如下:1、测量溅射产品均匀性,判断各个位置的溅射强弱;2、调节杆1根据溅射强弱的位置调节长度以定位需要调整挡板9的位置,旋转调节杆1带动调节套上的调节板8旋转,调节板8带动挡板9上的挡板钉3移动,控制该位置挡板9的开口大小,如果是溅射较强位置,移动使挡板9开口变小,在溅射较弱部分,移动使挡板9开口变大;3、继续生产溅射产品并测量其均匀性;4、重复步骤1至3,直至均匀性达到生产要求。
以上对本发明的一个实例进行了详细说明,但所述内容仅为本发明的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。

Claims (5)

1.一种调节真空磁控辉光均匀性装置,其特征在于:包括长度可调的调节杆、辉光均匀控制机构和辉光均匀机构;
所述调节杆通过密封法兰部分密封于真空腔体,所述辉光均匀控制机构和辉光均匀机构内置于真空腔体内;
所述辉光均匀控制机构包括圆环形调节套和固定于套外的倒V型调节板,所述调节套包括调节内套和调节外套,所述调节内套套接固定于所述调节杆顶端,所述调节内套可随着调节杆的转动而转动,所述调节外套随着所述调节内套的旋转而转动;
所述辉光均匀机构包括长形挡板外罩和若干设置于所述挡板外罩内的挡板和固定于挡板上的挡板钉,挡板钉位于调节板的V型空间内,所述调节板可带动所述挡板钉往复移动从而调节所述挡板开口大小。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述调节杆在长度调节状态下可对应不同位置的所述挡板。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述调节内套设有若干调节内套磁铁,所述调节外套相应位置设有相同数量的调节外套磁铁,所述调节内套可随着调节杆的转动而转动,同时,由于所述调节内套磁铁和所述调节外套磁铁的磁力作用,所述调节外套随着所述调节内套的旋转而转动。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述调节杆上设置有刻度。
5.一种使用如权利要求1所述装置进行调节真空磁控辉光均匀性的方法,包括以下步骤:
步骤1:测量溅射产品均匀性,判断各个位置的溅射强弱;
步骤2:调节杆根据溅射强弱的位置调节长度以定位需要调整的位置,旋转调节杆带动调节套上的调节板旋转,所述调节板带动挡板上的挡板钉移动,控制该位置挡板开口大小,溅射较强位置,移动使挡板开口变小,在溅射较弱部分,移动使挡板开口变大;
步骤3:继续生产溅射产品并测量其均匀性;
步骤4:重复步骤1至3,直至均匀性达到生产要求。
CN201210270524.3A 2012-08-01 2012-08-01 一种调节真空磁控辉光均匀性的装置和方法 Active CN102747335B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210270524.3A CN102747335B (zh) 2012-08-01 2012-08-01 一种调节真空磁控辉光均匀性的装置和方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210270524.3A CN102747335B (zh) 2012-08-01 2012-08-01 一种调节真空磁控辉光均匀性的装置和方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102747335A CN102747335A (zh) 2012-10-24
CN102747335B true CN102747335B (zh) 2014-05-07

Family

ID=47027814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210270524.3A Active CN102747335B (zh) 2012-08-01 2012-08-01 一种调节真空磁控辉光均匀性的装置和方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102747335B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103233209B (zh) * 2013-04-19 2015-08-05 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种样品架
CN107365965B (zh) * 2017-07-27 2019-11-05 珠海承鸥卫浴用品有限公司 Pvd辉光氧化装饰性镀膜方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100582292C (zh) * 2005-04-15 2010-01-20 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 溅镀装置
US20070012557A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc Low voltage sputtering for large area substrates
CN202193839U (zh) * 2011-08-05 2012-04-18 平湖中天合波通信科技有限公司 一种可改善磁控溅射镀膜均匀性的镀膜装置
CN202755050U (zh) * 2012-08-01 2013-02-27 天津南玻节能玻璃有限公司 一种调节真空磁控辉光均匀性的装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102747335A (zh) 2012-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6385487B2 (ja) 基板をコーティングするための方法およびコータ
JP6805124B2 (ja) 移動ターゲットを有するスパッタ装置
JP4246547B2 (ja) スパッタリング装置、及びスパッタリング方法
US20210008586A1 (en) Curved surface coating device and glue coating apparatus
WO2015165167A1 (zh) 基板蒸镀装置和蒸镀方法
CN102051581B (zh) 基片镀膜处理系统
RU2727235C2 (ru) Устройство нанесения покрытия с движущейся мишенью и способ нанесения покрытия
JP5004931B2 (ja) スパッタ源、スパッタリング装置、及びスパッタリング方法
CN102747335B (zh) 一种调节真空磁控辉光均匀性的装置和方法
CN107245701A (zh) 一种多靶材磁控溅射卷绕镀膜机及镀膜方法
CN105714256A (zh) 一种磁控溅射低温制备dlc薄膜的方法
CN101634012B (zh) 一种用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积方法
CN104294232A (zh) 离子溅射镀膜机
CN108315704B (zh) 一种磁控溅射光学镀膜设备及镀膜方法
CN202755050U (zh) 一种调节真空磁控辉光均匀性的装置
CN100443627C (zh) 一种提高膜厚均匀性的离轴溅射控制方法
CN202022972U (zh) 基片镀膜处理设备
CN203807549U (zh) 单枪多靶材的溅镀装置
CN214271027U (zh) 一种在线式镀膜均匀性调整机构
CN201890924U (zh) 一种等离子真空陶瓷镀膜装置
CN110760812B (zh) 半球形玻璃外表面镀膜装置及镀膜方法
JP7220562B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法
US20220028673A1 (en) Method and system for adjustable coating using magnetron sputtering systems
CN204138757U (zh) 离子溅射镀膜机
CN207727140U (zh) 一种对置靶座磁控溅射装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: TIANJIN NANBO ENGINEERING GLASS CO., LTD. CSG HOLD

Effective date: 20140307

CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Wang Yong

Inventor after: Wang Xusheng

Inventor after: Wang Shuo

Inventor after: Tong Shuai

Inventor before: Wang Xusheng

Inventor before: Wang Shuo

Inventor before: Tong Shuai

CB03 Change of inventor or designer information
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: WANG XUSHENG WANG SHUO TONG SHUAI TO: WANG YONG WANG XUSHENG WANG SHUO TONG SHUAI

TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20140307

Address after: 301799 Tianjin Fuyuan Wuqing Development Zone Wuqing District Road No. 68

Applicant after: Tianjin Nanbo Energy-saving Glass Co., Ltd.

Applicant after: Tianjin Nanbo Engineering Glass Co., Ltd.

Applicant after: CSG Holding Co., Ltd.

Address before: 301799 Tianjin Fuyuan Wuqing Development Zone Wuqing District Road No. 68

Applicant before: Tianjin Nanbo Energy-saving Glass Co., Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160129

Address after: 301799 Tianjin Fuyuan Wuqing Development Zone Wuqing District Road No. 68

Patentee after: Tianjin Nanbo Energy-saving Glass Co., Ltd.

Patentee after: CSG Holding Co., Ltd.

Address before: 301799 Tianjin Fuyuan Wuqing Development Zone Wuqing District Road No. 68

Patentee before: Tianjin Nanbo Energy-saving Glass Co., Ltd.

Patentee before: Tianjin Nanbo Engineering Glass Co., Ltd.

Patentee before: CSG Holding Co., Ltd.