JP7220562B2 - 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
また、本発明の一側面としての成膜装置は、成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、を有し、前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、前記チャンバ内の圧力を調整する圧力調整手段と、前記チャンバ内の圧力を取得する圧力取得手段と、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記スパッタリング領域の近傍の局所圧力値を所定の圧力値にしたときに前記圧力取得手段によって取得される圧力値と、が対応付けられたテーブルまたは数式を記憶する記憶部と、を有し、前記圧力調整手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記記憶部に記憶された前記テーブルまたは前記数式と、に基づいて、前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする。
また、本発明の一側面としての成膜装置は、成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、を有し、前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、前記チャンバ内の圧力を調整する圧力調整手段と、前記チャンバ内の圧力を取得する圧力取得手段と、前記圧力取得手段によって予め取得された前記チャンバ内の圧力分布に基づいて、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記圧力調整手段による制御量と、が対応付けられたテーブルまたは数式を記憶する記憶部と、を有し、前記圧力調整手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記記憶部に記憶された前記テーブルまたは前記数式と、に基づいて、前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする。
また、本発明の一側面としての成膜装置は、成膜対象物およびターゲットが内部に配置
されるチャンバと、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、を有し、前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、前記チャンバ内の圧力を調整する圧力調整手段と、前記ターゲットに電力を供給する電力供給手段と、を有し、前記圧力調整手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記電力供給手段は、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記ターゲットに供給する電力を変化させることを特徴とする。
また、本発明の一側面としての成膜装置は、成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、を有し、前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、前記チャンバ内の圧力を調整する圧力調整手段を有し、前記圧力調整手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記移動手段は、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記スパッタリング領域の移動速度を変化させることを特徴とする。
また、本発明の一側面としての成膜装置は、成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、を有し、前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、前記チャンバ内の圧力を調整する圧力調整手段と、前記成膜対象物と前記スパッタリング領域との間の距離を変化させる距離変化手段と、を有し、前記圧力調整手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記距離変化手段は、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記成膜対象物と前記スパッタリング領域との間の距離を変化させることを特徴とする。
また、本発明の一側面としての成膜方法は、成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記スパッタリング領域の近傍の局所圧力値を所定の圧力値にしたときに圧力取得手段によって取得される圧力値と、が対応付けられて記憶部に記憶されたテーブルまたは数式と、に基づいて、前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする。
また、本発明の一側面としての成膜方法は、成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積
させて成膜する成膜工程を含み、前記成膜工程では、圧力取得手段によって予め取得された前記チャンバ内の圧力分布に基づいて、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記圧力調整手段による制御量と、が対応付けられて記憶部に記憶されたテーブルまたは数式と、に基づいて、前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする。
また、本発明の一側面としての成膜方法は、成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記ターゲットに供給する電力を変化させることを特徴とする。
また、本発明の一側面としての成膜方法は、成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記スパッタリング領域の移動速度を変化させることを特徴とする。
また、本発明の一側面としての成膜方法は、成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記成膜対象物と前記スパッタリング領域との間の距離を変化させることを特徴とする。
また、本発明の一側面としての電子デバイスの製造方法は、電子デバイスの製造方法であって、成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記スパッタリング領域の近傍の局所圧力値を所定の圧力値にしたときに圧力取得手段によって取得される圧力値と、が対応付けられて記憶部に記憶されたテーブルまたは数式と、に基づいて、前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする。
また、本発明の一側面としての電子デバイスの製造方法は、電子デバイスの製造方法であって、成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜
工程を含み、前記成膜工程では、圧力取得手段によって予め取得された前記チャンバ内の圧力分布に基づいて、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記圧力調整手段による制御量と、が対応付けられて記憶部に記憶されたテーブルまたは数式と、に基づいて、前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする。
また、本発明の一側面としての電子デバイスの製造方法は、電子デバイスの製造方法であって、成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記ターゲットに供給する電力を変化させることを特徴とする。
また、本発明の一側面としての電子デバイスの製造方法は、電子デバイスの製造方法であって、成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記スパッタリング領域の移動速度を変化させることを特徴とする。
また、本発明の一側面としての電子デバイスの製造方法は、電子デバイスの製造方法であって、成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記成膜対象物と前記スパッタリング領域との間の距離を変化させることを特徴とする。
図面を参照して、実施形態1の成膜装置1の基本的な構成について説明する。成膜装置1は、半導体デバイス、磁気デバイス、電子部品などの各種電子デバイスや、光学部品な
どの製造において基板(基板上に積層体が形成されているものも含む)上に薄膜を堆積形成するために用いられる。より具体的には、成膜装置1は、発光素子や光電変換素子、タッチパネルなどの電子デバイスの製造において好ましく用いられる。中でも、本実施形態に係る成膜装置1は、有機EL(ErectroLuminescence)素子などの有機発光素子や、有機薄膜太陽電池などの有機光電変換素子の製造において特に好ましく用いられる。本発明における電子デバイスは、発光素子を備えた表示装置(例えば有機EL表示装置)や照明装置(例えば有機EL照明装置)、光電変換素子を備えたセンサ(例えば有機CMOSイメージセンサ)も含むものである。
図7は、有機EL素子の一般的な層構成を模式的に示している。図7に示す一般的な有機EL素子は、基板(成膜対象物6)に陽極601、正孔注入層602、正孔輸送層603、有機発光層604、電子輸送層605、電子注入層606、陰極607がこの順番に成膜された構成である。本実施形態に係る成膜装置1は、有機膜上に、スパッタリングによって、電子注入層や電極(陰極)に用いられる金属や金属酸化物等の積層被膜を成膜する際に好適に用いられる。また、有機膜上への成膜に限定されず、金属材料や酸化物材料等のスパッタで成膜可能な材料の組み合わせであれば、多様な面に積層成膜が可能である。さらに、本発明は金属材料や酸化物材料による成膜に限定されず、有機材料による成膜にも適用可能である。成膜の際に所望のマスクパターンを有するマスクを用いることにより、成膜される各層を任意に構成できる。
図1(a)は、本実施形態の成膜装置1の構成を示す模式図である。成膜装置1は、基板である成膜対象物6を内部に収容可能である。成膜装置1は、ターゲット2が内部に配置されるチャンバ10と、チャンバ10内の、ターゲット2を介して成膜対象物6と対向する位置に配置される磁石ユニット3と、を有している。この実施形態では、ターゲット2は円筒形状であり、内部に配置される磁石ユニット3と共に、成膜源として機能する回転カソードユニット8(以下、単に「カソードユニット8」と称することがある)を構成している。なお、ここで言う「円筒形」とは、数学的に厳密な円筒形のみを意味するのではなく、母線が直線ではなく曲線であるものや、中心軸に垂直な断面が数学的に厳密な「円」ではないものも含む。すなわち、本発明におけるターゲット2は、中心軸を軸に回転可能な略円筒形状であればよい。
トバルブ18から搬出される。図では、成膜対象物6の成膜面が重力方向下方を向いた状態で成膜が行われるデポアップの構成となっている。しかし、成膜対象物6がチャンバ10の底面側に配置されてその上方にカソードユニット8が配置され、成膜対象物6の成膜面が重力方向上方を向いた状態で成膜が行われる、デポダウンの構成であってもよい。あるいは、成膜対象物6が垂直に立てられた状態、すなわち、成膜対象物6の成膜面が重力方向と平行な状態で成膜が行われる構成であってもよい。また、成膜対象物6は、ゲートバルブ17および18のいずれか一方からチャンバ10に搬入されて成膜され、成膜後、搬入の際に通過したゲートバルブから搬出されてもよい。
。
側壁10bと、終端側の側壁10aに設けられ、排気口5は移動台の移動領域の中央位置の底壁10c側に設けられている。成膜工程(スパッタ工程)においては、スパッタガスを導入口4から導入しつつ、かつ、排気口5から排気しながら、成膜を行う。
次に、成膜装置1を用いた成膜方法について説明する。本実施形態に係る成膜方法は、成膜工程(スパッタ工程)を含む。成膜工程では、制御部14にて、ターゲット駆動装置11を駆動させてターゲット2を回転させ、電源13からターゲット2にバイアス電圧を印加する。ターゲット2を回転させながらターゲット2にバイアス電圧を印加するとともに、移動台駆動装置12を駆動し、カソードユニット8を移動領域の始端から所定速度で、所定の方向に移動させる。ターゲット2にバイアス電圧が印加されると、成膜対象物6に対向するターゲット2の表面近傍にプラズマが集中して生成され、プラズマ中の陽イオン状態のガスイオンがターゲット2をスパッタし、飛散したスパッタ粒子が成膜対象物6に堆積する。カソードユニット8の移動に伴って、カソードユニット8の移動方向上流側から下流側に向けて順次、スパッタ粒子は堆積される。これにより成膜対象物上に成膜がなされる。本実施形態では、成膜工程においてスパッタリング領域A1を移動させつつ、カソードユニット8の位置に応じてチャンバ10内の圧力を調整する。
次に、本実施形態に係る成膜装置1による成膜工程中の圧力調整について図面を参照して説明する。図3は、圧力調整の流れを示すフローチャートである。
圧力値が制御圧力値Pcとなるように排気手段15およびガス導入手段16の少なくとも一方を制御することで、スパッタリング領域A1の近傍の圧力を目標圧力値Ptとすることができる。
とするための排気手段15およびガス導入手段16の少なくとも一方の制御量と、を記憶しておいてもよい。上記制御量としては、例えば、排気手段15と排気口5の間に配置される流量制御弁の開度や、ガス導入手段16の供給源と導入口41,42との間に配置される流量制御弁の開度などが挙げられる。この場合、制御部14は、ステップS103で制御圧力値Pcを決定する代わりに、排気手段15およびガス導入手段16の少なくとも一方の制御量を決定する。そして、ステップS104において、制御部14がステップS103で決定された制御量で排気手段15およびガス導入手段16の少なくとも一方を制御する。
次に、本発明の実施形態2について説明する。以下、実施形態1との相違点を中心として説明を行い、同一の構成要素については同一の符号を付して説明を簡略化する。
ため、チャンバ内部のガスの圧力分布が不均一であっても、成膜レートを略一定に保つことができる。その結果、成膜対象物6に生成される膜の膜厚や膜質のむらを低減し、スパッタリングの品質低下を抑制することができる。
次に、本発明の実施形態3について説明する。以下、上記各実施形態との相違点を中心として説明を行い、同一の構成要素については同一の符号を付して説明を簡略化する。
次に、本発明の実施形態4について説明する。以下、上記各実施形態との相違点を中心として説明を行い、同一の構成要素については同一の符号を付して説明を簡略化する。
次に、本発明の実施形態5について説明する。以下、上記各実施形態との相違点を中心として説明を行い、同一の構成要素については同一の符号を付して説明を簡略化する。
体的には、移動手段は図1の構成において、スパッタリング領域A1の移動速度を、スパッタリング領域A1の近傍の圧力が相対的に高いカソードユニット8の移動経路の始端側および終端側で小さくなるように変化させる。また、スパッタリング領域A1の移動速度を、スパッタリング領域A1の近傍の圧力が相対的に低いカソードユニット8の移動経路の中央部で大きくなるように変化させる。すなわち、スパッタリング領域A1の近傍の圧力が第1の圧力であるときにスパッタリング領域A1を第1の移動速度で移動させる。そして、スパッタリング領域A1の近傍の圧力が第1の圧力よりも高い第2の圧力であるときにはスパッタリング領域A1を第1の移動速度よりも小さい第2の移動速度で移動させる。
次に、本発明の実施形態6について説明する。以下、上記各実施形態との相違点を中心として説明を行い、同一の構成要素については同一の符号を付して説明を簡略化する。
上記各実施形態では、カソードユニット8や、プレーナカソードユニット308が1つの場合を示したが、これらのユニットがチャンバ内部に複数配置されていてもよい。あるいは、これらのユニットが1つであっても、ユニット内に複数のターゲットが配置されていてもよい。また、上記各実施形態で示した各構成要素は、上記各実施形態の例に限定されず、矛盾を生じない限りにおいて互いに任意に組み合わせて構わない。
2 ターゲット
6 成膜対象物
10 チャンバ
12 移動台駆動装置(移動手段)
14 制御部
15 排気手段
16 ガス導入手段
A1 スパッタリング領域
Claims (34)
- 成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記チャンバ内の圧力を調整する圧力調整手段と、
前記チャンバ内の圧力を取得する圧力取得手段と、
前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記圧力取得手段によって取得される圧力値と、前記スパッタリング領域の近傍の局所圧力値と、が対応付けられたテーブルまたは数式を記憶する記憶部と、を有し、
前記圧力調整手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記記憶部に記憶された前記テーブルまたは前記数式と、に基づいて、前記チャンバ内の圧力を調整する
ことを特徴とする成膜装置。 - 成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記チャンバ内の圧力を調整する圧力調整手段と、
前記チャンバ内の圧力を取得する圧力取得手段と、
前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記スパッタリング領域の近傍の局所圧力値を所定の圧力値にしたときに前記圧力取得手段によって取得される圧力値と、が対応付けられたテーブルまたは数式を記憶する記憶部と、を有し、
前記圧力調整手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記記憶部に記憶された前記テーブルまたは前記数式と、に基づいて、前記チャンバ内の圧力を調整する
ことを特徴とする成膜装置。 - 前記テーブルまたは前記数式は、予め取得された前記チャンバ内の圧力分布に基づくものである
ことを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。 - 成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記チャンバ内の圧力を調整する圧力調整手段と、
前記チャンバ内の圧力を取得する圧力取得手段と、
前記圧力取得手段によって予め取得された前記チャンバ内の圧力分布に基づいて、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記圧力調整手段による制御量と、が対応付けられたテーブルまたは数式を記憶する記憶部と、を有し、
前記圧力調整手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記記憶部に記憶された前記テーブルまたは前記数式と、に基づいて、前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする成膜装置。 - 前記圧力取得手段は、前記チャンバに対して固定して配置された圧力センサを含む
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記圧力調整手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記テーブルまたは前記数式と、に基づいて、前記局所圧力値が所定の圧力値となるときに前記圧力取得手段によって取得される圧力値である第1の圧力値を取得し、前記圧力取得手段によって取得される圧力値が前記第1の圧力値となるように前記チャンバ内の圧力を調整する
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記記憶部は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記圧力調整手段による制御量と、が対応付けられたテーブルまたは数式を記憶し、
前記圧力調整手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記記憶部に記憶された前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と前記制御量とが対応付けられた前記テーブルまたは前記数式と、に基づいて、前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記ターゲットを前記チャンバ内で移動させることにより、前記スパッタリング領域を移動させる
ことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記ターゲットの長手方向と交差する方向に前記ターゲットを移動させることにより、前記スパッタリング領域を移動させる
ことを特徴とする請求項8に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記ターゲットを介して前記成膜対象物と対向するように配置された
磁場発生手段を移動させることにより、前記スパッタリング領域を移動させる
ことを特徴とする請求項8または9に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットは、前記成膜対象物と対向するように前記チャンバに固定されており、
前記移動手段は、前記ターゲットを介して前記成膜対象物と対向するように配置された磁場発生手段を移動させることにより、前記スパッタリング領域を移動させる
ことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットは円筒形状であり、
前記ターゲットを回転させる回転手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットは平板形状である
ことを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットに電力を供給する電力供給手段をさらに有し、
前記電力供給手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記ターゲットに供給する電力を変化させる
ことを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記電力供給手段は、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記ターゲットに供給する電力を変化させる
ことを特徴とする請求項14に記載の成膜装置。 - 成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記チャンバ内の圧力を調整する圧力調整手段と、
前記ターゲットに電力を供給する電力供給手段と、を有し、
前記圧力調整手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、
前記電力供給手段は、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記ターゲットに供給する電力を変化させる
ことを特徴とする成膜装置。 - 前記移動手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記スパッタリング領域の移動速度を変化させる
ことを特徴とする請求項1から16のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記スパッタリング領域の移動速度を変化させる
ことを特徴とする請求項17に記載の成膜装置。 - 成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記チャンバ内の圧力を調整する圧力調整手段を有し、
前記圧力調整手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、
前記移動手段は、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記スパッタリング領域の移動速度を変化させる
ことを特徴とする成膜装置。 - 前記成膜対象物と前記スパッタリング領域との間の距離を変化させる距離変化手段をさらに有し、
前記距離変化手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記成膜対象物と前記スパッタリング領域との間の距離を変化させる
ことを特徴とする請求項1から19のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記距離変化手段は、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記成膜対象物と前記スパッタリング領域との間の距離を変化させる
ことを特徴とする請求項20に記載の成膜装置。 - 成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記チャンバ内の圧力を調整する圧力調整手段と、
前記成膜対象物と前記スパッタリング領域との間の距離を変化させる距離変化手段と、を有し、
前記圧力調整手段は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、
前記距離変化手段は、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記成膜対象物と前記スパッタリング領域との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜装置。 - 成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、圧力取得手段によって取得される圧力値と、前記スパッタリング領域の近傍の局所圧力値と、が対応付けられて記憶部に記憶されたテーブルまたは数式と、に基づいて、前記チャンバ内の圧力を調整する
ことを特徴とする成膜方法。 - 成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記スパッタリング領域の近傍の局所圧力値を所定の圧力値にしたときに圧力取得手段によって
取得される圧力値と、が対応付けられて記憶部に記憶されたテーブルまたは数式と、に基づいて、前記チャンバ内の圧力を調整する
ことを特徴とする成膜方法。 - 成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、圧力取得手段によって予め取得された前記チャンバ内の圧力分布に基づいて、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、圧力調整手段による制御量と、が対応付けられて記憶部に記憶されたテーブルまたは数式と、に基づいて、前記チャンバ内の圧力を調整する
ことを特徴とする成膜方法。 - 成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記ターゲットに供給する電力を変化させる
ことを特徴とする成膜方法。 - 成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記スパッタリング領域の移動速度を変化させる
ことを特徴とする成膜方法。 - 成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記成膜対象物と前記スパッタリング領域との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、圧力取得手段によって取得される圧力値と、前記スパッタリング領域の近傍の局所圧力値と、が対応付けられて記憶部に記憶されたテーブルまたは数式と、に基づいて、前記チャンバ内
の圧力を調整する
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、前記スパッタリング領域の近傍の局所圧力値を所定の圧力値にしたときに圧力取得手段によって取得される圧力値と、が対応付けられて記憶部に記憶されたテーブルまたは数式と、に基づいて、前記チャンバ内の圧力を調整する
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、圧力取得手段によって予め取得された前記チャンバ内の圧力分布に基づいて、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置と、圧力調整手段による制御量と、が対応付けられて記憶部に記憶されたテーブルまたは数式と、に基づいて、前記チャンバ内の圧力を調整する
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記ターゲットに供給する電力を変化させる
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記スパッタリング領域の移動速度を変化させる
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置に応じて前記チャンバ内の圧力を調整し、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて前記成膜対象物と前記スパッタリング領域との間の距離を変化させる
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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