JP2023006149A - スパッタ装置及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】スパッタリングを行う成膜装置において、ゲッタ材料を用いてチャンバ内部、特にターゲット近傍からガス分子をより効率的に取り除き、成膜の品質を向上させることが求められている。【解決手段】基板が収容されるチャンバと、前記チャンバの内部において前記基板の成膜対象面と対向するように配置されるターゲットと、前記チャンバの内部に設けられる非蒸発型ゲッタポンプと、を備えるスパッタ装置において、前記非蒸発型ゲッタポンプは、前記ターゲットに対し、スパッタリング時に前記ターゲットから前記ターゲットを構成する材料が放出される方向以外の方向に配置されることを特徴とするスパッタ装置。【選択図】図１

Description

本発明は、基板にスパッタリングによって成膜を行うスパッタ装置及び電子デバイスの製造方法に関する。
基板や基板上に形成された積層体等の成膜対象物に、金属や金属酸化物等の薄膜を形成する方法として、スパッタリングがある。スパッタリングにより成膜を行うスパッタ装置では、真空チャンバにスパッタリングガスを導入し、ターゲットにマイナス電圧を印加してグロー放電を発生させ、スパッタリングガスをイオン化し、高速でターゲットの表面に衝突させる。これにより、ターゲットの表面からターゲットを構成する材料がスパッタ粒子として叩き出され、これが成膜対象物に付着及び堆積して薄膜が形成される。スパッタリングガスとしてＡｒ等の不活性ガスや、不活性ガスに加えてＯ２やＮ２等の反応性ガスを導入することにより、金属薄膜や酸化物や窒化物等の化合物薄膜を形成することができる。
真空チャンバの高真空を実現するための真空ポンプとして、非蒸発型ゲッタ（ＮＥＧ（Ｎｏｎ－Ｅｖａｐｏｒａｂｌｅ Ｇｅｔｔｅｒ））材料を使用したポンプがある。ＮＥＧは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａやそれらの合金であり、真空中で加熱して活性化させると、蒸発を伴わずに反応性の高い清浄表面が生成し、Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２等のガス分子を吸着することで排気作用を示す。
特許文献１には、真空チャンバ内において、成膜対象物である基板の近傍に、遮蔽板によって基板及びターゲットから隔てられた状態で、ＮＥＧポンプを配置したスパッタ装置が開示されている。特許文献２には、真空チャンバ内において、成膜対象物である基板の近傍に、基板に対してターゲットとは反対側に、ＮＥＧポンプを配置したスパッタ装置が開示されている。
特開平１０－８１９５２号公報 特開平８－２０３８３０号公報
スパッタリングを行う成膜装置において、ゲッタ材料を用いてチャンバ内部、特にターゲット近傍からガス分子をより効率的に取り除き、成膜の品質を向上させることが求められている。
さらには、スパッタリングにより金属電極の成膜を行って有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ））等の素子を作製した場合、特に基板のサイズが大きい場合に良好な素子特性が得られない場合があった。これは、サイズの大きな基板に対しスパッタリングを行う大型のスパッタ装置において、ターゲット近傍からガス分子をより効率的に取り除くことが従来技術では難しかったからである。本発明は、ターゲット近傍からガス分子をより効率的に取り除くことができ、良好な特性の素子を得ることができるスパッタ装置を提供することを目的とする。
本発明は、基板が収容されるチャンバと、
前記チャンバの内部において前記基板の成膜対象面と対向するように配置されるターゲットと、
前記チャンバの内部に設けられる非蒸発型ゲッタポンプと、
を備えるスパッタ装置において、
前記非蒸発型ゲッタポンプは、前記ターゲットに対し、スパッタリング時に前記ターゲットから前記ターゲットを構成する材料が放出される方向以外の方向に配置されることを特徴とするスパッタ装置である。
また、本発明は、基板が収容されるチャンバと、
前記チャンバの内部において前記基板の成膜対象面と対向するように配置される円筒形のターゲットと、
前記チャンバの内部に設けられる非蒸発型ゲッタポンプと、
前記ターゲットを回転させる回転手段と、を備えるスパッタ装置において、
前記ターゲットの回転軸に垂直の仮想面内で、前記ターゲットの回転中心と前記非蒸発型ゲッタポンプの位置とを結ぶ仮想線分は、前記ターゲットの回転中心を原点とする極座標で、前記ターゲットの回転軸を含み前記基板の成膜対象面に平行な仮想平面の位置を基準として前記成膜対象面に向かう方向を正として定義した角度で、４５度から１３５度の範囲に含まれないことを特徴とするスパッタ装置である。
本発明によれば、スパッタリングを行う成膜装置において、ゲッタ材料を用いてチャンバ内部のターゲット近傍からガス分子をより効率的に取り除くことができる。また、本発明のスパッタ装置を用いて電極膜を形成することで、良好な特性の有機発光ダイオードを得ることができる。
実施例１のスパッタ装置の構成を示す模式図。 ＯＬＥＤの一般的な構成を示す図。 ＮＥＧポンプの設置位置を説明する図。 実施例１の効果を説明する図。 実施例２のスパッタ装置の構成を示す模式図。 実施例３のスパッタ装置の構成を示す模式図。
以下に、本発明の実施例について詳細に説明する。ただし、以下の実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲をそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状等は、特に記載がない限りは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。実施例には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一又は同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
＜実施例１＞
図１を参照して、実施例１のスパッタ装置１の基本的な構成について説明する。図１（Ａ）はスパッタ装置１に備わる円筒形状のターゲット２の回転軸に平行な方向（Ｙ方向とする）から見たスパッタ装置１の内部構成を模式的に示す図である。図１（Ｂ）はスパッタ装置１内を搬送される基板６の搬送方向Ｓに平行な方向（Ｘ方向とする）から見たスパッタ装置１の内部構成を模式的に示す図である。なお、鉛直方向をＺ方向とする。図１（
Ｃ）はターゲット２の内部に設けられる磁石ユニット３の構成を模式的に示す図である。
本実施例に係るスパッタ装置１は、半導体デバイス、磁気デバイス、電子部品等の各種電子デバイスや、光学部品等の製造において基板（基板上に積層体が形成されているものも含む）上に薄膜を堆積形成するために用いられる。より具体的には、スパッタ装置１は、発光素子や光電変換素子、タッチパネル等の電子デバイスの製造において好ましく用いられる。中でも、本実施例に係るスパッタ装置１は、ＯＬＥＤ等の有機発光素子や、有機薄膜太陽電池等の有機光電変換素子の製造において特に好ましく適用可能である。なお、本発明における電子デバイスは、発光素子を備えた表示装置（例えば有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置）や照明装置（例えば有機ＥＬ照明装置）、光電変換素子を備えたセンサ（例えば有機ＣＭＯＳイメージセンサ）も含むものである。また、本実施例によるスパッタ装置１又は本発明の範囲内で本実施例のスパッタ装置１を変形したスパッタ装置を用いて基板に薄膜を形成する工程を有する電子デバイスの製造方法も本発明に含まれる。
図２は、ＯＬＥＤの一般的な層構成を模式的に示している。ＯＬＥＤは、基板に陽極、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極（上部電極）が積層された構成が一般的である。本実施例に係るスパッタ装置１は、有機膜上に、スパッタリングによって、電子注入層や上部電極に用いられる金属や金属酸化物等を成膜する際に好適に用いられる。また、有機膜上への成膜に限定されず、金属材料や酸化物材料等のスパッタで成膜可能な材料の組み合わせであれば、多様な面に成膜が可能である。
図１（Ａ）に示すように、スパッタ装置１は、成膜対象物である基板６及びターゲット２が内部に配置されるチャンバ１０と、を有している。スパッタ装置１では、ターゲット２は基板６に対し鉛直方向下方に配置され、基板６の成膜面が鉛直方向下方を向いた状態でデポアップによる成膜が行われる。なお、本発明はこれに限定されず、ターゲット２が基板６に対し鉛直方向上方に配置され、基板６の成膜面が鉛直方向上方を向いた状態でデポダウンによる成膜が行われる構成であってもよい。また、基板６が垂直に立てられ、基板６の成膜面が鉛直方向と平行な状態で成膜が行われる構成であってもよい。
回転カソードユニット８は、円筒形のターゲット２と、ターゲット２の内側の中空部に配置されターゲット２の外周に磁場を発生させる磁場発生部としての磁石ユニット３とを有する。ターゲット２の内側にはバッキングチューブ２ａが設けられる。
ターゲット２は、スパッタリングによって基板６に成膜を行うための成膜材料により構成され、成膜材料の供給源として機能する。ここでは、ＯＬＥＤの陽極及び有機発光層が既に形成されている基板にＡｇ又はＡｇ合金（例えばＡｇ－Ｍｇ合金）の陰極（上部電極）をスパッタリングにより成膜する場合を例に説明する。したがってターゲット２を構成する成膜材料はＡｇ又はＡｇ合金を含んで構成される。なお、本発明のスパッタ装置はＡｇ又はＡｇ合金による上部電極の成膜に限定されず適用可能であり、ターゲット２の成膜材料としては、目的に応じて、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ等の金属単体、あるいは、それらの金属元素を含む合金又は化合物を採用し得る。また、ターゲット２の成膜材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＷＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＩＧＺＯ等の透明導電酸化物も採用し得る。
ターゲット２における成膜材料が形成された層の内側に、別の材料からなるバッキングチューブ２ａの層が形成されている。バッキングチューブ２ａには、電源１３が接続され、電源１３からマイナスの電圧が印加されるカソードとして機能する。なお、電圧はターゲット２に直接印加してもよく、その場合バッキングチューブ２ａを有しない構成としてもよい。電源１３はターゲット２の材料に応じてＤＣ電源、ＡＣ電源又は高周波電源が用
いられる。チャンバ１０は接地されている。また、ターゲット２は円筒形のターゲットであるが、ここで言う「円筒形」は数学的に厳密な円筒形のみを意味するのではなく、母線が直線ではなく曲線であるものや、中心軸に垂直な断面が数学的に厳密な「円」ではないものも含む。すなわち、本発明におけるターゲット２は、中心軸を軸に回転可能な円筒状のものであればよい。
磁石ユニット３によって、ターゲット２の基板６と対向する表面側には磁場が形成される。磁石ユニット３は、図１（Ｃ）に示すように、ターゲット２の回転軸と平行方向に延びる中心磁石３１と、中心磁石３１とは異極の、中心磁石３１を取り囲む周辺磁石３２と、ヨーク板３３とを備えている。周辺磁石３２は、中心磁石３１と平行に延びる一対の直線部３２ａ及び３２ｂと、当該直線部３２ａ及び３２ｂの両端を連結する転回部３２ｃ及び３２ｄとによって構成されている。磁石ユニット３によって形成される磁場は、中心磁石３１の磁極から、周辺磁石３２の直線部３２ａ及び３２ｂへ向けてループ状に戻る磁力線を有している。これにより、ターゲット２の表面近傍には、ターゲット２の回転軸方向に延びたトロイダル型の磁場のトンネルが形成される。この磁場によって、電子が捕捉され、ターゲット２の表面近傍にプラズマを集中させ、スパッタリングの効率が高められている。この磁石ユニット３の磁場により、高密度のプラズマが形成され、スパッタ粒子が集中的に生じる領域をスパッタリング領域Ａとする。
回転カソードユニット８は、チャンバ１０に対して固定されている。ターゲット２は円筒の中心軸を中心に回転自在に支持される。具体的には、ターゲット２は、Ｙ方向の端部をサポートブロック２１０及びエンドブロック２２０によって回転自在に支持されている。サポートブロック２１０及びエンドブロック２２０には、回転駆動装置であるターゲット駆動装置１１からの駆動力をターゲット２に伝達する動力伝達機構が設けられる。ターゲット駆動装置１１は、モータ等の駆動源を有し、動力伝達機構を介してターゲット２を回転駆動する。内部の磁石ユニット３は回転移動しない状態で支持される。すなわち、スパッタ装置１のターゲット駆動装置１１は、磁石ユニット３を静止させたままターゲット２を回転させる駆動機構を有する。
基板６は、チャンバ１０の側壁に設けられた一方のゲートバルブ１７から搬入される。基板６は、搬送部材１２０によってチャンバ１０内で水平方向（矢印Ｓで示す方向）に搬送されつつ、スパッタリングにより成膜が行われる。基板６の成膜対象面の全体に成膜が行われた後、基板６はチャンバ１０の他方の側壁に設けられたゲートバルブ１８から搬出される。
チャンバ１０には、ガス導入手段１６及び排気手段１５が接続され、内部を所定の圧力に調節することができる構成となっている。チャンバ１０の内部には、スパッタリングガス（アルゴン等の不活性ガスや酸素や窒素等の反応性ガス）が、ガス導入手段１６により、チャンバ１０に設けられた導入口４１を通じて導入される。また、チャンバ１０の内部からは、排気口５を通じて真空ポンプ等の排気手段１５によって排気が行われる。これにより、チャンバ１０の内部の圧力は所定の圧力に調節される。
ガス導入手段１６は導入口４１を有し、不図示のガスボンベ等の供給源と、供給源と導入口４１を接続する配管系と、配管系に設けられる各種真空バルブ、マスフローコントローラ等から構成され、マスフローコントローラの流量制御弁によって、供給量を調節可能である。流量制御弁は、電磁弁等の電気的に制御可能な構成を有する。導入口４１は、チャンバ１０の垂直の側壁に配置される。なお、導入口４１の設置位置は側壁に限定されず、底壁に設けられていてもよいし、天井壁に設けられていてもよい。また、配管がチャンバ１０内に延びて、導入口がチャンバ１０内に開口していてもよい。また、導入口４１は複数設けられ、ターゲット２の回転軸方向に沿って配置される構成とすることもできる。
排気手段１５は、真空ポンプと、真空ポンプと排気口５４を接続する配管系と、を有し、配管系にはコンダクタンスバルブ等の電気的に制御可能な流量制御弁が設けられ、制御弁によって排気量を調節可能である。排気口５は、チャンバ１０の底壁に設けられる。なお、排気口５の設置位置は、底壁に限定されず、垂直の側壁に設けられていてもよいし、天井壁に設けられていてもよい。また、配管がチャンバ１０内に延びて、排気口５がチャンバ１０内に開口していてもよい。
回転カソードユニット８の近傍には、非蒸発型ゲッタポンプ７（以下、ＮＥＧポンプという）が設けられる。ＮＥＧポンプ７は、Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２、Ｎ２、ＣＯ、ＣＯ２等の化学的な活性種を吸着可能なＮＥＧ材料の焼結体を設置したステンレススチール製の構造体から構成され、ＮＥＧ材料を活性化させるための電気抵抗ヒータを内蔵している。ＮＥＧポンプ７は、ターゲット２の回転軸方向（Ｙ方向）に沿って配置される。ＮＥＧポンプ７のＹ方向の長さは、図１（Ｂ）に示すようにターゲット２のＹ方向の長さと略同じである。ＮＥＧ材料（非蒸発型ゲッタ材料）は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｆｅ又はこれらを主成分とする合金であり、ヒータによって約５００℃に加熱することで活性化し、チャンバ１０内のガス分子を化学吸着により除去する。ＮＥＧポンプ７はスパッタリングガスとして使用されるＡｒやＸｅ等の化学的な不活性種に対しては実質的に影響しない。上記を踏まえて、本明細書において「ガス分子」とは、特に言及しない限りにおいて、Ａｒなどの不活性種を除いた、Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２、Ｎ２、ＣＯ、ＣＯ２等の化学的に活性な分子のことを指すこととする。制御部１４は、ＮＥＧポンプ７のヒータに対する通電を制御することで、ＮＥＧポンプ７の活性状態を制御し、ＮＥＧポンプ７による排気を制御する。なお、ＮＥＧポンプ７の構成や加熱方法及び加熱温度は一例であり、上記の例に限られない。例えば、ＮＥＧ材料の形態は粉体又は圧縮してピル状としてもよいし、ＮＥＧポンプ７のＹ方向の長さはターゲット２のＹ方向の長さより短くてもよいし長くてもよい。また、複数の位置にＮＥＧポンプを分割して配置してもよい。
図３はＮＥＧポンプ７とターゲット２との位置関係を説明する概念図である。図３（Ａ）は、円筒形のターゲット２を用いてターゲット２の上方に配置された基板６の鉛直方向下方の面にデポアップでスパッタリング成膜する場合のＮＥＧポンプ７とターゲット２との位置関係を示す。ＮＥＧポンプ７は、ターゲット２の近傍において、ターゲット２に対し、スパッタリング時にターゲット２から放出物（スパッタ粒子）が放出される方向以外の方向に配置される。図３（Ａ）に示すように、ターゲット２にマイナスの電圧を印加することにより生成したスパッタリングガスイオン（例えばＡｒ＋）がターゲット２の表面に衝突すると、ターゲット２を構成する成膜材料の原子や分子がスパッタ粒子としてターゲット２から放出される。
スパッタリング時にターゲット２の表面からこれらの放出物（スパッタ粒子）が放出される場所および放出される方向は、磁石ユニット３によりターゲット２の表面近傍に形成される磁場により設定できる。図３（Ｃ）においては、斜視図として円筒ターゲットと、高密度なプラズマが生成されることでスパッタ粒子が放出される場所を記した。図３（Ｃ）に示すように、円筒表面のα及びβの角度方向にトラック状の形状を有して高密度なプラズマ領域が形成される。なお、角度α及びβは、ターゲット２の回転中心を原点とする極座標で、ターゲット２の回転軸を含み基板６の成膜対象面に平行な仮想平面の位置を基準として基板６の成膜対象面に向かう方向を正として定義した角度である。図３（Ａ）において、角度α及びβは、おおよそ、ターゲット２の回転中心Ｏと中心磁石３１及び周辺磁石３２の間の位置とを通る線分Ｄ２、Ｄ３の位置により規定される。角度α及びβ方向のターゲット２の外周位置において多くのスパッタ粒子が放出される。また、角度α及びβの方向に多くのスパッタ粒子が放出される。本明細書では、角度α及びβで規定される範囲をスパッタリング領域と呼ぶ。
ＮＥＧポンプ７を配置する位置は、ターゲット２の回転軸に垂直の仮想面内で、ターゲット２の回転中心ＯとＮＥＧポンプ７の位置とを結ぶ仮想線分（例えば、図３（Ａ）の線分Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３）が、角度αからβまでの範囲に対応する円弧Ｃと交わらないような位置とする。例えば、本実施例のように円弧Ｃが基板６と対向する方向である場合には、ＮＥＧポンプ７を円弧Ｃとは反対側の方向（ターゲット２の裏側）に配置することが挙げられる。このようなＮＥＧポンプ７の配置は、ターゲット２の形状が円筒状であり、端部で支持された構造であるというロータリーカソードの特徴を生かした配置であり、近接した位置に設置できるという観点から好適な配置である。
円弧Ｃは、ターゲット２の回転軸に垂直の仮想面内で、基板６の成膜対象面に対向するターゲット２の表面における所定の領域に対応する。円弧Ｃに対応する所定の領域は、例えば、磁石ユニット３により形成される磁場の磁束分布に基づいて決まる角度α及びβまでの範囲として設定できる。他にも、磁場強度が一定以上の値を有したターゲット２の表面上の領域とすることができる。他にも、磁石ユニット３の磁石の配置や構造、スパッタ粒子が集中的に発生する位置、スパッタリング時にターゲット２表面からの放出物が放出される方向として一般的、統計的、経験的、実験的に観察される事象等に基づいて決めてもよい。
例えば、磁石ユニットの設計により、αは４５度から８０度までの範囲（βは１００度から１３５度）とすることができる。本実施例１では、αは６０度、βは１２０度である。また、αは４５度、βは１３５度としてもよい。この場合、ターゲット２の回転軸に垂直の仮想面内で、ターゲット２の回転中心とＮＥＧポンプ７の位置とを結ぶ仮想線分は、上記のように定義した極座標で角度４５度から１３５度の範囲に含まれない。また、ＮＥＧポンプ７の位置は、例えば、ＮＥＧポンプ７の重心の位置とするが、これに限らない。
ここでは鉛直方向に対して、α方向とβ方向が対称となる構成としたが、必ずしも対称でなくともよい。すなわちスパッタリング領域Ａ及び円弧Ｃを、鉛直上方方向から傾いた方向に配置としてもよい。例えば、スパッタリング領域が水平方向を向いた例として、αは３３０度、βは３０度とする例が挙げられる。スパッタリング領域が斜め方向を向いた例として、αは１５度、βは７５度とする例が挙げられる。
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）では、ＮＥＧポンプ７はチャンバ１０の底面に配置されているように記載しているが、上記の位置関係を満たす任意の位置に配置され得る。必要に応じて、チャンバ１０の底面にＮＥＧポンプ７を支持する支持体を設け、支持体上にＮＥＧポンプ７を配置してもよい。ＮＥＧポンプ７とターゲット２との距離は、上記の位置関係を満たす範囲内で適宜決定されるが、ターゲット２表面から３０ｃｍ以内の距離にＮＥＧポンプ７を配置することが好ましい。ＮＥＧポンプをターゲットに近接して配置することで、ターゲットから放出されたガス分子を短時間で効率的に吸着することが可能となるため、ターゲット表面への吸着分子量を低減することができる。また、ＮＥＧポンプ７をターゲット２の表面から２０ｃｍ以内の距離に配置することにより、装置を小型にすることができ、好ましい。
図３（Ｂ）は、円筒形のターゲット２を用いてターゲット２の下方に配置された基板６の鉛直方向上方の面にデポダウンでスパッタリング成膜する場合のＮＥＧポンプ７とターゲット２との位置関係を示す。デポダウンの場合も、上述したデポアップの場合と同様の考え方で、角度α及びβを決めることができる。デポダウンの場合、極座標の角度の正の方向は、図３（Ｂ）に示すように、図３（Ａ）に示すデポアップの場合とは逆向きになる。角度α及びβの範囲は、デポアップの場合と同様、αは４５度から８０度までの範囲、βは１００度から１３５度までの範囲とすることができ、例えば、αは６０度、βは１２
０度とすることができる。
実施例１は円筒形のターゲット２を用いてスパッタリングを行うスパッタ装置に本発明を適用した例だが、本発明は平板状のターゲットを用いてスパッタリングを行うスパッタ装置に適用することも可能である。図３（Ｄ）は、平板状のターゲット２Ｘを用いてターゲット２Ｘの上方に配置された基板６の鉛直方向下方の面にデポアップでスパッタリング成膜する場合のＮＥＧポンプ７とターゲット２Ｘとの位置関係を示す。この場合も、ＮＥＧポンプ７は、ターゲット２Ｘに対し、スパッタリング時にターゲット２Ｘからの放出物が放出される方向以外の方向に配置される。例えば、ＮＥＧポンプ７は、ＮＥＧポンプ７の最も基板６に近い面が、ターゲット２Ｘの基板６に対向する面を含む仮想平面Ｐに対して基板６とは反対側に位置するように配置される。
実施例１のスパッタ装置１においてスパッタリングによる成膜を行う際には、制御部１４は、ターゲット駆動装置１１を制御してターゲット２を矢印Ｒ方向に駆動回転させるとともに、電源１３を制御してターゲット２にマイナスの電圧を印加する。磁石ユニット３は回転せず、常に、ターゲット２の基板６と対向する表面側に漏洩磁場を生成する。ターゲット２に電圧が印加されると、磁石ユニット３の生成する磁場が存在する領域が、プラズマが集中して生成されスパッタ粒子が発生するスパッタリング領域Ａとなる。プラズマ中の陽イオン状態の不活性ガスイオンがターゲット２の表面に衝突し、叩き出されたターゲット２を構成する材料の原子や分子がターゲット２から放出される。ターゲット２から放出された成膜材料の粒子は、基板６の成膜対象面に付着し、堆積する。
このとき、ターゲット２の表面からはさらに、ターゲット中に含まれる酸素や水素などの不純物や、ターゲット表面に吸着したガス分子も放出される。すなわち、ターゲットを構成する材料がスパッタ粒子として放出されることに加えて、相当量のガス分子が放出される。本実施例においては、ターゲットの近傍に配置されたＮＥＧポンプによって、これらのガス分子が効率的に排気（吸着）される。
本実施例において、回転カソードユニット８はチャンバ１０に対して固定されているため、スパッタリング領域Ａはチャンバ１０に対して移動しない。また、磁石ユニット３はターゲット２とともに回転せずチャンバ１０に対して相対移動しないため、スパッタリング領域Ａと基板６の成膜対象面との対向角度は、成膜処理中、一定である。ここで、スパッタリング領域Ａと基板６の成膜対象面との対向角度とは、例えば、ターゲット２の回転軸に垂直な仮想平面内で、ターゲット２の円筒表面のうちスパッタリング領域Ａに対応する円弧の中心角を２等分する線分と基板６の成膜対象面を含む仮想面とのなす角度として定義する。
基板６が搬送部材１２０によって水平方向に移動することにより、スパッタリング領域Ａと対向する基板６の成膜対象面の領域が水平方向に移動する。これにより、基板６の成膜対象面には、搬送方向Ｓの下流側端部から上流側端部に向かって順次、成膜が行われる。これにより、基板の表面全体にわたって均一にスパッタリング成膜が行われる。
ターゲット２の表面においてスパッタ粒子が放出される領域は、ターゲット２の回転に伴って周方向に移動する。したがって、ターゲット２の表面のある局所的な領域に着目すると、ターゲット２の回転速度によって決まる周期で、間欠的にスパッタリングされることになる。このようにターゲット２の表面が間欠的にスパッタリングされるスパッタ装置において、ＮＥＧポンプ７をターゲット２の近傍に配置することが、ターゲット２の近傍のガス分子低減に向けて有効である。スパッタリングされない時間帯（図４のＮＮ期間）において、スパッタリング時（図４のＳＰ期間）に放出されたガス分子をＮＥＧポンプ７で吸着（排気）することができるため、ターゲット２の表面近傍のガス分子を低減するこ
とができるからである。この方式について、ロータリーカソードを用いた場合を例として、図４を用いて説明する。
図４（Ａ）は、実施例１のスパッタ装置１においてスパッタリングによる成膜を行った場合のターゲット２表面の局所領域においてスパッタ粒子が放出される量の時間変化を示す概念図である。ターゲット２表面の局所領域は、円筒状のターゲット２の外周面上における特定の角度方向に対応した一部領域である。ターゲット２は、スパッタリング時には矢印Ｒ方向に回転する。一方で、スパッタリング領域Ａの位置は変化しないため、ターゲット２表面の局所領域は、図４（Ａ）に示すように、回転周期によって決まる時間間隔で間欠的にスパッタリングされる。スパッタリングされる期間をＳＰ、スパッタリングされない期間をＮＮで示している。ターゲット２の表面がスパッタリングされると、スパッタ粒子のみならず、ターゲット２に含まれる酸素や水素などの不純物や、ターゲット２の表面に吸着したガス分子も放出される。すなわち、ターゲット２を構成する材料がスパッタ粒子として放出されることに加えて、相当量のガス分子が放出される。これらのガス分子やそのラジカルやイオンが、スパッタリングされたターゲット２の表面近傍に滞留する。
図４（Ｂ）は、ターゲット２表面の局所領域近傍における酸素や水などのガス分圧の時間変化を示す概念図である。グラフＧ１は実施例１のスパッタ装置１におけるガス分圧の変化を示し、グラフＧ２は、ＮＥＧポンプを用いなかった場合のガス分圧の変化を示す。グラフＧ２では、スパッタリングにより生じた局所領域近傍のガス分子を短時間で排気できないため、時間帯ＮＮにおいてターゲット表面近傍において相当量のガス分圧が維持されてしまい、酸素や水分子がターゲット表面に吸着する。次に当該局所領域がスパッタリングされる時点（時間帯ＳＰ）で、これらの吸着分子が放出されることで、ガス分圧が上昇してしまう。これに伴い、ガス分子が不純物として形成中の膜に取り込まれてしまう。他にも、時間帯ＮＮにおいて、ガス分子によりターゲットの表面が酸化されることでターゲット表面の清浄度が低下してしまう。これにより、ターゲットの表面の酸素が負イオンとして放出されて基板を照射し、基板の下地層である有機膜等にダメージを与える。このような現象に伴い、有機ＥＬ素子の上部電極形成に適用した場合においては、良好な素子特性が得られない場合がある。
一方で実施例１のスパッタ装置１においてスパッタリングによる成膜を行った場合、ターゲット２の近傍に配置されたＮＥＧポンプ７によってターゲット２の近傍のガス分子が吸着されるため、グラフＧ１に示すように局所領域近傍のガス分圧を低減することができる。特に、時間帯ＳＰにおいて放出されたターゲット２の近傍のガス分子がＮＥＧポンプ７によって短時間で吸着されるため、スパッタリングされない時間帯ＮＮにおいてターゲット２の表面に吸着する分子の量が抑制される。次に当該局所領域がスパッタリングされる時点（時間帯ＳＰ）において、ターゲット２の表面から放出されるガス分子の量が大幅に低減される。結果として、スパッタリング時のターゲット２の近傍のガス分圧を低く維持することができる。ターゲット２の近傍のガス分子が低減されることで、形成中の膜に混入する不純物量を低減することができる。さらには、ターゲット２の表面の酸化を抑制し、清浄度を保つことができる。ターゲット２の表面の酸化が抑制されるため、酸素負イオン生成に伴って生じる有機膜などの基板下地層へのダメージを抑制することができる。これらにより、有機ＥＬ素子の上部電極形成に適用した場合においては、良好な特性を有した素子を実現できる。
ＮＥＧポンプ７はスパッタリング時にターゲット２からの放出物が放出される方向以外の方向に配置される。スパッタリングによりターゲット２表面から叩き出された成膜材料によりＮＥＧポンプ７が被覆されないため、長期にわたってＮＥＧポンプ７を利用することができる。また、ＮＥＧポンプ７はターゲット２のスパッタリング領域以外の方向で、且つ、ターゲット２の近傍に配置されるため、ターゲット２の表面近傍のガス分子を確実
に吸着することができる。特に、ロータリーカソードにおいて、基板６と対向するスパッタリング領域とは反対側（円筒の裏側）にＮＥＧポンプ７を配置することで、放出物（スパッタ粒子）の付着がないことに加えて、カソードの近傍への配置という要件を両立することができる。更には、ロータリーカソードの回転に伴ってターゲット２の表面が間欠的にスパッタリングされるという特徴を踏まえて、適切な位置にＮＥＧポンプ７を配置することで、ＮＮ期間にガス分子がターゲット２に吸着する量を低減することができる。これにより、ＳＰ期間におけるガス分子の放出を低減し、スパッタリング時のターゲット２の表面およびその近傍における酸素や水などのガス分圧の低減を実現できる。また、スパッタ装置１には、ターゲット２とＮＥＧポンプ７との間に、ターゲット２に対しＮＥＧポンプ７を遮蔽する部材が設けられないため、より確実にガス分子を吸着することができる。また、ＮＥＧポンプ７はＡｒなどの不活性ガス分子を吸着しないため、ＮＥＧポンプ７の設置がスパッタリングに影響することはない。
これにより、実施例１のスパッタ装置１によってＯＬＥＤ素子の電極膜を形成した場合には、良好な素子特性を有したデバイスを実現できる。大型基板用の成膜装置においてはチャンバ内での脱ガスによる影響が生じやすいが、本実施例の手法は、Ｇ４（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ）以上の大型基板の成膜を行う場合にも適用可能である。ＯＬＥＤの上部電極（陰極）としてＡｇやＭｇＡｇ等のＡｇ合金からなる成膜を行う場合には、チャンバ内の微小な圧力変動の影響を受ける場合があるが、本実施例の手法を用いることで安定した成膜を行うことができる。なお、本発明によるスパッタ装置を用いて作成される素子は、ＯＬＥＤに限らない。また、ＯＬＥＤを作成する場合の成膜層は上部電極に限らない。
＜実施例２＞
本発明の第２の実施例のスパッタ装置１Ｘについて図５を参照して説明する。実施例１と共通の構成については共通の符号を付し、詳細な説明を省略する。図５（Ａ）はスパッタ装置１Ｘに備わる円筒形状のターゲット２の回転軸に平行な方向（Ｙ方向とする）から見たスパッタ装置１Ｘの内部構成を模式的に示す図である。図５（Ｂ）はスパッタ装置１Ｘ内を移動する回転カソードユニット８Ｘの移動方向Ｔに平行な方向（Ｘ方向とする）から見たスパッタ装置１Ｘの内部構成を模式的に示す図である。
実施例１のスパッタ装置１は、チャンバ１０に対して回転カソードユニット８が移動せず、基板６がチャンバ１０に対して移動することによって、基板６の搬送方向下流側の端部から順次、基板６の成膜対象面に成膜が行われた。実施例２のスパッタ装置１Ｘは、チャンバ１０に対して回転カソードユニット８Ｘが移動し、基板６はチャンバ１０に対して移動せず、回転カソードユニット８Ｘの移動方向上流側の端部から順次、基板６の成膜対象面に成膜が行われる。また、実施例１のスパッタ装置１の回転カソードユニット８は、１組の円筒形状のターゲット２及び磁石ユニット３から構成されていたが、実施例２のスパッタ装置１Ｘの回転カソードユニット８Ｘは、２組の円筒形状のターゲット２Ｌ、２Ｒ及び磁石ユニット３Ｌ、３Ｒから構成されている。各組のターゲット及び磁石ユニットの構成は実施例１と同様であるが、ターゲット駆動装置１１による回転方向は互いに逆方向である。ターゲット２Ｌは矢印Ｌ方向に回転し、ターゲット２Ｒは矢印Ｌ方向と逆向きの矢印Ｒ方向に回転する。
回転カソードユニット８Ｘは、移動台２３０と、ターゲット２Ｌ、２Ｒを回転自在に支持するサポートブロック２１０とエンドブロック２２０と、を有する。移動台２３０上で、ターゲット２Ｌ、２Ｒは回転カソードユニット８Ｘの移動方向Ｔ（Ｘ方向に平行）に並べて配置される。ＮＥＧポンプ７は移動台２３０上のターゲット２Ｌ、２Ｒの間に配置される。したがってＮＥＧポンプ７はターゲット２Ｌ、２Ｒとともに移動する。移動台２３０には、ターゲット２Ｌ、２Ｒを取り囲むように配置された仕切部材２６０が設けられる。なお、図５（Ｂ）では、煩雑さを避けるため仕切部材２６０の記載は省略した。仕切部
材２６０は、基板６が配置される方向（鉛直上方向）に開口しており、ターゲット２Ｌ、２Ｒのスパッタリング領域ＡＲ、ＡＬが基板６の成膜対象面に対向するのを妨げないようになっている。
移動台２３０は、リニアベアリング等の搬送ガイド２４０を介して一対の案内レール２５０に沿って水平方向に移動自在に支持されている。案内レール２５０はＸ方向に平行に設けられる。移動台２３０は、直線駆動装置１２によって、Ｘ方向に直線駆動される。直線駆動装置１２は、回転モータの回転運動を直線運動に変換するボールねじ等を用いたねじ送り機構、リニアモータ等、公知の種々の直線運動機構を用いることができる。したがって回転カソードユニット８ＸはＸＹ平面内をＸ方向に移動し、ターゲット２Ｌ、２ＲはＹ方向に平行な回転軸周りに回転しながらＸＹ平面内をＸ方向に移動する。
基板６は、チャンバ１０内に搬入されると、回転カソードユニット８Ｘに対し鉛直方向上方でホルダ６ａによって保持される。成膜処理中、基板６はチャンバ１０に対して移動せず、回転カソードユニット８Ｘが水平方向（矢印Ｔで示す方向）に移動しつつ、スパッタリングにより成膜が行われる。基板６の成膜対象面の全体に成膜が行われた後、基板６はチャンバ１０の他方の側壁に設けられたゲートバルブ１８から搬出される。
実施例２のスパッタ装置１Ｘにおいてスパッタリングによる成膜を行う際には、制御部１４は、ターゲット駆動装置１１を制御してターゲット２Ｌ、２Ｒを矢印Ｌ、Ｒ方向に回転駆動するとともに、電源１３を制御してターゲット２Ｌ、２Ｒにマイナスの電圧を印加する。磁石ユニット３は回転せず、常に、ターゲット２Ｌ、２Ｒの基板６と対向する表面側に漏洩磁場を生成する。スパッタリングによる成膜の態様は実施例１と同様である。
回転カソードユニット８Ｘは直線駆動装置１２によってチャンバ１０に対して矢印Ｔ方向に移動するため、スパッタリング領域ＡＲ、ＡＬはチャンバ１０に対して矢印Ｔ方向に移動する。また、磁石ユニット３Ｒ、３Ｌはターゲット２Ｒ、２Ｌとともに回転しないため、スパッタリング領域Ａと基板６の成膜対象面との対向角度は、成膜処理中、一定である。成膜処理中、基板６はホルダ６ａによって保持されてチャンバ１０に対して移動しない。
回転カソードユニット８Ｘが直線駆動装置によって水平方向に移動することにより、ターゲット２Ｌ、２Ｒのスパッタリング領域ＡＬ、ＡＲが、回転カソードユニット８Ｘの移動とともに、基板６の成膜対象面に沿ってチャンバ１０に対して移動する。これにより、基板６の成膜対象面には、回転カソードユニット８Ｘの移動に伴って、回転カソードユニット８Ｘの移動方向Ｔの上流側端部から下流側端部に向かって順次、成膜が行われる。
実施例２のスパッタ装置１Ｘにおいてスパッタリングによる成膜を行った場合、ターゲット２Ｌ、２Ｒの間の、ターゲット２Ｌ、２Ｒの近傍の位置に配置されたＮＥＧポンプ７によって、ターゲット２Ｌ、２Ｒ近傍のガス分子が吸着される。そのため、実施例１と同様に、ターゲット２Ｌ、２Ｒ表面近傍のガス分子は、大幅に低減される。したがって、基板６の成膜対象面における下地の有機材料に大きなダメージを与えることなく高純度の膜を成膜することができ、良好な素子特性のＯＬＥＤを作製することができる。
本実施例の装置においては、２つのターゲット２Ｌ、２Ｒの両方から放出されるガス分子に対して、ＮＥＧポンプが吸着作用を示しうるように、２つのターゲット２Ｌ、２Ｒの間にＮＥＧポンプ７を配置している。少ない量のＮＥＧポンプにもかかわらず、複数のターゲットに対して有効に排気作用を示す装置構成である。
円筒状のターゲット２Ｌ、２Ｒの外径は１４０ｍｍであり、ターゲット２Ｌ、２Ｒの中
心間の距離は３００ｍｍである。ターゲット２Ｌ、２Ｒの中心とＮＥＧポンプ７の間の距離は２５０ｍｍである。このような配置とすることで、２つのターゲット２Ｌ、２Ｒに対して近接してＮＥＧポンプ７を配置することが可能である。また、近接した配置により、装置の小型化、軽量化が可能である。
本実施例の装置においては、ターゲット２Ｌ、２ＲとＮＥＧポンプ７が一緒に、チャンバ内を移動する。このような構成とすることで、ターゲットが移動するにもかかわらず、常にＮＥＧポンプの排気作用がターゲット近傍のガス分子に対して機能しうる。これにより、ターゲットがチャンバ内を移動しても、ターゲット表面近傍の酸素などのガス分圧を低く維持することができる。
＜実施例３＞
本発明の第３の実施例のスパッタ装置１Ｙについて図６を参照して説明する。実施例１、２と共通の構成については共通の符号を付し、詳細な説明を省略する。図６はスパッタ装置１Ｙに備わる円筒形状のターゲット２Ｌ、２Ｒの回転軸に平行な方向（Ｙ方向とする）から見たスパッタ装置１Ｙの内部構成を模式的に示す図である。
実施例３のスパッタ装置１Ｙでは、回転カソードユニット８Ｙはチャンバ１０に対して移動せず、また、基板６はホルダ６ａによって保持され、成膜処理中、チャンバ１０に対して移動しない。回転カソードユニット８Ｙは、実施例２のスパッタ装置１Ｘの回転カソードユニット８Ｘと同様、２組の円筒形状のターゲット２Ｌ、２Ｒ及び磁石ユニット３Ｌ、３Ｒから構成され、ともにターゲット駆動装置１１によって回転駆動される。
実施例１及び実施例２では磁石ユニット３、３Ｌ、３Ｒは回転せず、したがってチャンバ１０に対して相対移動しない状態で支持されていたが、実施例３では磁石ユニット３Ｌ、３Ｒは揺動し、したがってチャンバ１０に対して相対移動するように支持される。そのため、磁石ユニット３Ｌ、３Ｒの生成する磁場によってプラズマが集中して生成されスパッタ粒子が発生するスパッタリング領域は、磁石ユニット３Ｌ、３Ｒの揺動に合わせてスパッタリング領域Ａとスパッタリング領域Ｂの間で揺動する。すなわち、スパッタリング領域と基板６の成膜対象面との対向角度は、成膜処理中、磁石ユニット３Ｌ、３Ｒの揺動に合わせて変化する。磁石ユニット３Ｌ、３Ｒの揺動する角度範囲は、静止状態で保持される基板６の成膜対象面の＋Ｘ方向側の端部から－Ｘ方向側の端部までの範囲にわたって均一な膜が形成されるように、スパッタリング領域Ａとスパッタリング領域Ｂの間に定められる。ターゲット２Ｌ、２ＲはＸ方向に並べて配置され、ターゲット２Ｌ、２Ｒそれぞれの近傍に別個にＮＥＧポンプ７Ｌ、７Ｒが設けられる。ＮＥＧポンプは、スパッタリング領域Ａとスパッタリング領域Ｂの間において放出されたスパッタ粒子がＮＥＧポンプに付着しないように、ターゲット直下の位置に配されている。
基板６は、チャンバ１０内に搬入されると、回転カソードユニット８Ｙに対し鉛直方向上方でホルダ６ａによって保持される。成膜処理中、基板６はチャンバ１０に対して移動せず、回転カソードユニット８Ｙの磁石ユニット３Ｌ、３Ｒが矢印Ｗで示すように揺動し、かつターゲット２が矢印Ｒ、Ｌで示すように回転しつつ、スパッタリングにより成膜が行われる。基板６の成膜対象面の全体に成膜が行われた後、基板６はチャンバ１０の他方の側壁に設けられたゲートバルブ１８から搬出される。
実施例３のスパッタ装置１Ｙにおいてスパッタリングによる成膜を行う際には、制御部１４は、ターゲット駆動装置１１を制御してターゲット２Ｌ、２Ｒを回転駆動し、磁石ユニット３Ｌ、３Ｒを揺動駆動するとともに、電源１３を制御してターゲット２Ｌ、２Ｒにマイナスの電圧を印加する。磁石ユニット３は揺動し、ターゲット２Ｌ、２Ｒの基板６と対向する表面側に漏洩磁場を生成する。スパッタリングによる成膜の態様は実施例１と同
様である。
回転カソードユニット８Ｙ及び基板６は、成膜処理中、チャンバ１０に対して移動しない。磁石ユニット３Ｒ、３Ｌは揺動するため、スパッタリング領域と基板６の成膜対象面との対向角度は、成膜処理中、変化する。これにより、基板６の成膜対象面には、磁石ユニット３Ｒ、３Ｌの揺動に伴って、Ｘ方向の上流側端部と下流側端部との間で順次、成膜が行われる。
実施例３のスパッタ装置１Ｙにおいてスパッタリングによる成膜を行った場合、ターゲット２Ｌ、２Ｒのそれぞれの近傍の位置に配置されたＮＥＧポンプ７Ｌ、７Ｒによって、ターゲット２Ｌ、２Ｒの近傍のガス分子が吸着される。そのため、実施例１及び実施例２と同様に、ターゲット２Ｌ、２Ｒ表面近傍のガス分子は、大幅に低減される。したがって、基板６の成膜対象面における下地の有機材料に大きなダメージを与えることなく高純度な膜を成膜することができ、良好な素子特性のＯＬＥＤを作製することができる。
本実施例では、ロータリーカソードの磁石ユニットを揺動させ、スパッタ粒子の放出方向を揺動させている。しかしながら、ロータリーカソードの基板と非対向側（裏側）にＮＥＧポンプを配置することで、カソードの近傍であるにもかかわらずスパッタ粒子が付着しない位置にＮＥＧポンプを配置することができている。これにより、成膜時に基板やターゲットを搬送する必要がなく、コンパクトな装置構成でありながら、ターゲット近傍のガス分子を低減することができる。
上記の実施例は本発明の一例を示したものであるが、本発明は上記の実施例の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適切に変形してもよい。例えば、実施例１はチャンバ内に固定された回転カソードユニットに対して基板が移動する構成、実施例２はチャンバ内に固定された基板に対して回転カソードユニットが移動する構成、実施例３はチャンバ内に基板及び回転カソードユニットが固定され、スパッタリング領域を揺動させることで成膜対象領域全体をカバーする構成を例示したが、スパッタ装置の構成はこれに限らない。例えば、チャンバ内に基板及び回転カソードユニットが固定され、回転カソードユニットを構成するターゲットの数を増やすことで全体としてスパッタリング領域が成膜対象領域全体をカバーする構成や、チャンバ内に固定された回転カソードユニットに対して基板が水平面内で揺動する構成や、チャンバ内に固定された基板に対して回転カソードユニットが水平面内で揺動する構成としてもよい。実施例２及び３では２つのターゲットを有する回転カソードユニットを備えるスパッタ装置を例示したが、ターゲットの数は１つでもよいし、３つ以上でもよい。
１：スパッタ装置、２：ターゲット、６：基板、７：非蒸発型ゲッタポンプ、１０：チャンバ

Claims (15)

  1. 基板が収容されるチャンバと、
    前記チャンバの内部において前記基板の成膜対象面と対向するように配置されるターゲットと、
    前記チャンバの内部に設けられる非蒸発型ゲッタポンプと、
    を備えるスパッタ装置において、
    前記非蒸発型ゲッタポンプは、前記ターゲットに対し、スパッタリング時に前記ターゲットから前記ターゲットを構成する材料が放出される方向以外の方向に配置されることを特徴とするスパッタ装置。
  2. 前記ターゲットは円筒形であり、
    前記ターゲットを回転させる回転手段をさらに備える請求項１に記載のスパッタ装置。
  3. 前記ターゲットの回転軸に垂直の仮想面内で、前記ターゲットの回転中心と前記非蒸発型ゲッタポンプの位置とを結ぶ仮想線分は、前記基板の成膜対象面に対向する前記ターゲットの表面におけるスパッタリング時にスパッタ粒子が集中的に生じる領域に対応する円弧と交わらない請求項２に記載のスパッタ装置。
  4. 前記ターゲットの回転軸に垂直の仮想面内で、前記ターゲットの回転中心と前記非蒸発型ゲッタポンプの位置とを結ぶ仮想線分は、前記ターゲットの回転中心を原点とする極座標で、前記ターゲットの回転軸を含み前記基板の成膜対象面に平行な仮想平面の位置を基準として前記成膜対象面に向かう方向を正として定義した角度で、４５度から１３５度の範囲に含まれない請求項２に記載のスパッタ装置。
  5. 前記ターゲットの内側の中空部に配置され前記ターゲットの外周に磁場を発生させる磁場発生部をさらに備え、
    前記円弧は、前記ターゲットの表面近傍において、前記磁場発生部が形成する磁場によりスパッタリング時にプラズマが生成される位置に基づき決定される請求項３に記載のスパッタ装置。
  6. 前記ターゲットを複数、備え、
    前記非蒸発型ゲッタポンプは、複数の前記ターゲットの間に配置される請求項１～５のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
  7. 前記ターゲットを前記チャンバに対して移動させる移動手段をさらに備え、
    前記非蒸発型ゲッタポンプは前記ターゲットとともに移動する請求項１に記載のスパッタ装置。
  8. 前記非蒸発型ゲッタポンプは、前記ターゲットから３０ｃｍ以内の距離に配置される請求項１～７のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
  9. 前記非蒸発型ゲッタポンプは、前記ターゲットから２０ｃｍ以内の距離に配置される請求項１～７のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
  10. 前記ターゲットは、Ａｇ又はＡｇ合金を含んで構成されることを特徴とする請求項１～９のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
  11. 前記スパッタ装置は、有機発光ダイオードの上部電極を成膜する請求項１～１０のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
  12. 前記スパッタ装置は、前記ターゲットに対し前記非蒸発型ゲッタポンプを遮蔽する部材を有しない請求項１～１１のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
  13. 前記非蒸発型ゲッタポンプを構成する非蒸発型ゲッタ材料は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｆｅ又はこれらを主成分とする合金である請求項１～１２のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
  14. 基板が収容されるチャンバと、
    前記チャンバの内部において前記基板の成膜対象面と対向するように配置される円筒形のターゲットと、
    前記チャンバの内部に設けられる非蒸発型ゲッタポンプと、
    前記ターゲットを回転させる回転手段と、を備えるスパッタ装置において、
    前記ターゲットの回転軸に垂直の仮想面内で、前記ターゲットの回転中心と前記非蒸発型ゲッタポンプの位置とを結ぶ仮想線分は、前記ターゲットの回転中心を原点とする極座標で、前記ターゲットの回転軸を含み前記基板の成膜対象面に平行な仮想平面の位置を基準として前記成膜対象面に向かう方向を正として定義した角度で、４５度から１３５度の範囲に含まれないことを特徴とするスパッタ装置。
  15. 請求項１～１４のいずれか１項に記載のスパッタ装置を用いて基板に薄膜を形成する工程を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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