KR960005772A - 고온에서 초 고진공 처리를 위한 진공챔버 - Google Patents

고온에서 초 고진공 처리를 위한 진공챔버 Download PDF

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라마스와미 세쉬아드리
다벤포트 로버트
눌먼 자임
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제임스 조셉 드롱
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    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Abstract

본 발명은 스퍼터 증착 펌프와 같은 진공 처리 챔버가 상기 챔버내에서 진공을 제공하도록 최소한 저온 펌프 및 게터 펌프를 포함하고, 상기 저온 펌프는 러핑 펌프에 의해 얻어질 수 있는 압력으로부터 제1진공 압력으로 펌핑하고 그리고 상기 게터 펌프는 상기 챔버 벽으로부터 배출된 반응 가스를 게터링 함에 의해 상기 챔버를 더 낮은 제2진공 압력으로 펌핑하고, 상기 챔버는 접촉부에서 환류를 위해 필요로 되는 것과 같은 상승된 온도에서 조작될 수도 있고 그리고 상기 게터 및 저온 펌프의 조립체는 상승된 온도가 상기 챔버 벽으로부터 배출되는 속도를 증가시키는 경우 고도하거나 또는 초 고 진공으로 제공하도록 한다.

Description

고온에서 초 고진공 처리를 위한 진공챔버
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 대표적 고진공 챔버의 부분 사시도이다.
제2도는 게터(getter) 펌프를 부분적으로 도시한 본 발명의 대표적 진공펌프를 도시한 단면도이다.
제3도는 본 발명의 다른 게터 펌프의 평판 배치를 나타낸 사시도이다.

Claims (22)

  1. a) 밀폐물과, b) 상기 밀폐물에 대한 포트가 설치되어 있고 그리고 상기 밀폐물의 압력을 제1진공 압력으로 낮출 수 있는 저온 펌프와, c) 상기 밀폐물내에 설치되어 있고 그리고 챔버내에서 반응성 가스종을 화학 흡착해서 상기 밀폐물내에서 상기 제1압력 보다 낮은 제2압력으로 압력을 감소시킬 수 있도록 하는 게터 펌프를 포함하는 진공 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 챔버가 환류 챔버인 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 장치가 스퍼터링 챔버인 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2압력의 범위가 5 내지 7×10-9토르인 장치.
  5. 제4항에 있어서, a) 상기 밀폐물내에 반도체 기판을 고정시키는 지지체 부재와, 그리고 b) 상기 기판의 온도를 상기 기판상에서 재료 층을 환류시키기에 충분히 높은 온도로 상승시키는 가열기를 더 포함하는 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 재료의 층은 알루미늄을 포함하고 그리고 상기 환류 온도가 510℃를 초과하는 장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 게터 펌프는 게터 재료로 형성된 다수의 평판을 포함하는 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 스퍼터링 챔버는 스퍼터링 타겟 및 기판 지지체 부재를 추가로 포함하는데, 상기 기판 지지체 부재는 기판을 수용하도록 상기 타겟에 인접하게 배치된 기판 지지체 표면을 포함하고, 그리고 상기 기판 지지체 부재는 상기 게터 펌프와 상기 기판 지지체 표면의 중간에 배치되는 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 게터 재료는 비 증발성인 장치.
  10. 제1항에 있어서, 챔버내에서 제1압력보다 높은 압력을 생성하도록 하는 러핑 펌프를 더 포함하는 장치.
  11. 반도체 기판을 처리하기 위해 처리 챔버내에서 진공 압력을 유지하기 위한 장치로서, a) 진공 압력으로 조정이 가능한 밀폐물과, b)상기 밀폐물내에 수용된 기판을 상기 기판상에서 필름 층을 환류 시키기에 충분히 높은 온도로 가열시키기 위한 가열 부재와, c)상기 밀폐물과 소통되도록 배치되고 그리고 기판 환류 온도에서 적어도 1.5×10-8토르의 챔버 압력으로 상기 밀폐물의 압력을 낮출 수 있는 저온 펌프와, 그리고 d)상기 밀폐물과 소통되도록 배치된 게터 펌프를 포함하는 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 챔버가 7×10-9토르 이하의 압력에서 유지되고 그리고 510℃이상의 온도에서 유지되는 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 밀폐물의 표면으로 부터 연장되고 그리고 기판 수용 부분을 갖춘 기판 지지체 부재를 더 포함하고, 상기 기판 지지체 부재가 상기 기판과 상기 게터 펌프 중간에 배치되는 장치.
  14. 제13항에 있어서, 스퍼터링 타겟이 상기 밀폐물내에 배치되는 장치.
  15. 처리 챔버내에서 진공 제공하는 방법으로서, a)밀봉 가능한 밀폐물을 제공하는 단계와, b)상기 챔버를 저온 펌프를 사용하여 제1진공 압력으로 펌핑하는 단계와 그리고 c)상기 챔버를 게터 펌프를 사용하여 제2의 낮은 압력으로 펌핑하는 단계를 포함하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 밀폐물내에서 기판지지체 부재를 제공하는 단계와 지지체부재의 온도를 주변온도로 상승시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 기판과 게터 펌프의 중간에 상기 지지체 부재를 위치시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 밀폐물내의 압력이 7×10-9이하의 압력에서 유지되고, 상기 기판 지지체 부재는 주변 온도로부터 접촉 환류 온도로 변경시키는 방법.
  19. 제15항에 있어서, 상기 챔버를 러핑 펌프를 사용하여 제1압력 보다 더 높은 압력으로 제1펌핑시키는 추가 단계를 포함하는 방법.
  20. 제15항에 있어서, 상기 제2압력이 그 범위가 5 내지 7×10-9토르인 방법.
  21. 제15항에 있어서, 상기 기판의 환류 온도가 510℃를 초과하는 방법.
  22. 제11항에 있어서, 상기 가열 부재가 510℃를 초과한 온도로 상기 기판을 가열하고 그리고 상기 필름 층이 알루미늄인 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050104526A (ko) * 2004-04-29 2005-11-03 (주)씨에스씨 전기오븐용 회전 꼬치장치
KR100864643B1 (ko) * 2007-08-24 2008-10-23 세메스 주식회사 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5911560A (en) * 1994-10-31 1999-06-15 Saes Pure Gas, Inc. Getter pump module and system
US5972183A (en) * 1994-10-31 1999-10-26 Saes Getter S.P.A Getter pump module and system
US6109880A (en) * 1994-10-31 2000-08-29 Saes Pure Gas, Inc. Getter pump module and system including focus shields
US6142742A (en) * 1994-10-31 2000-11-07 Saes Pure Gas, Inc. Getter pump module and system
US5685963A (en) * 1994-10-31 1997-11-11 Saes Pure Gas, Inc. In situ getter pump system and method
US5935395A (en) * 1995-11-08 1999-08-10 Mitel Corporation Substrate processing apparatus with non-evaporable getter pump
US5778682A (en) * 1996-06-20 1998-07-14 Mitel Corporation Reactive PVD with NEG pump
KR20010006278A (ko) * 1997-04-18 2001-01-26 사이스 푸어 가스 인코포레이티드 인시튜 게터펌프시스템 및 방법
IT1297013B1 (it) 1997-12-23 1999-08-03 Getters Spa Sistema getter per la purificazione dell'atmosfera di lavoro nei processi di deposizione fisica da vapore
US6077404A (en) 1998-02-17 2000-06-20 Applied Material, Inc. Reflow chamber and process
DE10317837A1 (de) * 2003-04-16 2004-11-04 Leybold Vakuum Gmbh Vakuumkammer
JP2010106290A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Showa Denko Kk 成膜装置および成膜方法、磁気記録媒体、磁気記録再生装置
CN112144037B (zh) * 2020-09-17 2022-10-21 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备
JP2023006149A (ja) * 2021-06-30 2023-01-18 キヤノントッキ株式会社 スパッタ装置及び電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3625019A (en) * 1969-10-27 1971-12-07 Sargent Welch Scientific Co Vacuum pump with demountable cold trap and getter pump
FR2511709A1 (fr) * 1981-08-21 1983-02-25 Thomson Csf Procede pour obtenir un vide pousse dans l'enceinte d'un reacteur d'epitaxie par jets moleculaires et reacteur mettant en oeuvre ce procede
JPS58117372A (ja) * 1981-12-30 1983-07-12 Ulvac Corp クライオポンプとバルグゲッタポンプを組合わせた超高真空ポンプ
JPS60222572A (ja) * 1984-04-18 1985-11-07 Anelva Corp クライオポンプ
US4910965A (en) * 1984-06-29 1990-03-27 Helix Technology Corporation Means for periodic desorption of a cryopump
JPS62113876A (ja) * 1985-11-13 1987-05-25 Hitachi Ltd クライオポンプ
US5228501A (en) 1986-12-19 1993-07-20 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition clamping mechanism and heater/cooler
US4873833A (en) 1988-11-23 1989-10-17 American Telephone Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Apparatus comprising a high-vacuum chamber
US5242566A (en) 1990-04-23 1993-09-07 Applied Materials, Inc. Planar magnetron sputtering source enabling a controlled sputtering profile out to the target perimeter
US5357760A (en) * 1993-07-22 1994-10-25 Ebara Technologies Inc. Hybrid cryogenic vacuum pump apparatus and method of operation

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050104526A (ko) * 2004-04-29 2005-11-03 (주)씨에스씨 전기오븐용 회전 꼬치장치
KR100864643B1 (ko) * 2007-08-24 2008-10-23 세메스 주식회사 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08203830A (ja) 1996-08-09
ATE181141T1 (de) 1999-06-15
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EP0693626B1 (en) 1999-06-09
DE69510132T2 (de) 2000-01-05
EP0693626A1 (en) 1996-01-24

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