CN112144037B - 半导体设备 - Google Patents
半导体设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112144037B CN112144037B CN202010976897.7A CN202010976897A CN112144037B CN 112144037 B CN112144037 B CN 112144037B CN 202010976897 A CN202010976897 A CN 202010976897A CN 112144037 B CN112144037 B CN 112144037B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hole
- cover plate
- reaction chamber
- driving mechanism
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明公开一种半导体设备,包括反应腔室、冷泵和盖板组件;冷泵设置于反应腔室的腔室壁外侧,反应腔室的腔室壁上开设有第一通孔,冷泵通过第一通孔与反应腔室相连通;盖板组件包括驱动机构和与驱动机构相连的盖板,驱动机构的部分固定设置于腔室壁外侧,且驱动机构与反应腔室密封相连,盖板位于反应腔室内,驱动机构驱动盖板沿第一通孔的轴线方向移动,以调节盖板与第一通孔之间的距离;在第一通孔的轴线方向上,盖板朝向第一通孔所在的腔室壁的投影与第一通孔至少部分重合。上述方案能够解决调节反应腔室工艺压力所花费的时间较长,造成半导体设备的加工效率较差的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体芯片制造技术领域,尤其涉及一种半导体设备。
背景技术
目前,冷泵广泛应用于制造薄膜的物理气相沉积设备中,其利用冷凝的原理来吸收半导体制造设备的反应腔室内的特定气体来提升反应腔室内的真空度。冷泵通过安装在反应腔室内,且位于冷泵上端的盖板调节抽气能力。
当调节盖板与冷泵的泵口之间的距离时,需要将反应腔室打开,然后手动更换盖板与泵口之间的支撑柱。然而,反应腔室为真空环境,因此需要先对反应腔室进行处理后才能开腔,从而导致调节盖板的步骤复杂,致使调节反应腔室工艺压力所花费的时间较长,进而影响半导体设备的加工效率。
发明内容
本发明公开一种半导体设备,以解决调节反应腔室工艺压力所花费的时间较长,从而造成半导体设备的加工效率较差的问题。
为了解决上述问题,本发明采用下述技术方案:
一种半导体设备,包括:
反应腔室;
冷泵,所述冷泵设置于所述反应腔室的腔室壁外侧,所述反应腔室的腔室壁上开设有第一通孔,所述冷泵通过所述第一通孔与所述反应腔室相连通;
盖板组件,所述盖板组件包括驱动机构和与所述驱动机构相连的盖板,所述驱动机构的部分固定设置于所述腔室壁外侧,且所述驱动机构与所述反应腔室密封相连,所述盖板位于所述反应腔室内,所述驱动机构驱动所述盖板沿所述第一通孔的轴线方向移动,以调节所述盖板与所述第一通孔之间的距离;
在所述第一通孔的轴线方向上,所述盖板朝向所述第一通孔所在的所述腔室壁的投影与所述第一通孔至少部分重合。
本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果:
本发明公开的半导体设备中,驱动机构的部分固定设置于反应腔室的腔室壁外侧,盖板位于反应腔室内,驱动机构与盖板相连接,驱动机构驱动盖板沿第一通孔的轴线方向靠近或远离第一通孔,从而可以调节盖板与第一通孔之间的距离,进而能够调节冷泵的抽气能力,进而可以实现反应腔室工艺压力的调节。此方案中,通过驱动机构驱动盖板移动,从而无需手动调整盖板与第一通孔之间的距离,进而使得反应腔室无需开腔即可实现对腔室工艺压力的调整,反应腔室的工艺压力调整方便,所花费的时间较短,进而提高半导体设备的加工效率。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明实施例公开的半导体设备的剖视图;
图2为本发明实施例公开的半导体设备的局部结构示意图;
图3为图2的剖视图。
附图标记说明:
100-反应腔室、101-第一通孔、102-第二通孔、
200-冷泵、
300-盖板组件、310-驱动机构、311-安装部、312-驱动源、313-丝杠、314-导杆、315-滑块、316-限位部、3161-第一限位件、3162-第二限位件、317-直线轴承、318-伸缩密封管、319-导向部、320-盖板、321-支撑板、3211-第三通孔、3212-环形凸起部、322-挡片、323-螺栓、324-垫片。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
以下结合附图,详细说明本发明各个实施例公开的技术方案。
如图1~图3所示,本发明实施例公开一种半导体设备,所公开的半导体设备包括反应腔室100、冷泵200和盖板组件300。
反应腔室100为半导体设备的反应场所,晶圆在反应腔室100内进行加工处理。冷泵200设置于反应腔室100的腔室壁外侧,冷泵200利用其冷凝的原理来吸收反应腔室100内的特定气体,进而提升反应腔室100内的真空度。
反应腔室100的腔室壁上开设有第一通孔101,冷泵200通过第一通孔101与反应腔室100相连通。冷泵200的具体结构和工作原理为公知技术,本文不再赘述。
盖板组件300包括驱动机构310和与驱动机构310相连接的盖板320,驱动机构310的部分固定设置于反应腔室100的腔室壁外侧,且驱动机构310与反应腔室100密封相连。盖板320位于反应腔室100内,此时,驱动机构310的部分部件需要穿过反应腔室100的腔室壁进入到反应腔室100内,从而使得驱动机构310与盖板320相连接。因此,反应腔室100的腔室壁上可以开设有第二通孔102,驱动机构310的部分部件从第二通孔102伸入反应腔室100内。
在第一通孔101的轴线方向上,盖板320朝向第一通孔101所在的腔室壁的投影与第一通孔101至少部分重合,也就是说,盖板320能够遮盖至少部分第一通孔101,当然,盖板320还可以全部遮盖第一通孔101,此时,盖板320的外径可以大于第一通孔101的直径。对于盖板320与第一通孔101的具体尺寸本文不作限制。
具体的操作过程中,驱动机构310驱动盖板320沿第一通孔101的轴线方向移动,以调节盖板320与第一通孔101之间的距离。当驱动机构310驱动盖板320沿靠近第一通孔101的方向移动时,第一通孔101与盖板320之间的距离减小,冷泵200的抽气量减小,从而使得冷泵200的抽气能力降低;当驱动机构310驱动盖板320沿远离第一通孔101的方向移动时,第一通孔101与盖板320之间的距离增大,冷泵200的抽气量增大,从而使得冷泵200的抽气能力提高。
第一通孔101与盖板320之间的距离改变,从而实现冷泵200抽气能力的调节,以使冷泵200的抽气能力达到工艺所需的特定值,以实现抽气能力与工艺压力相匹配。例如,AL薄膜工艺可以将盖板320与第一通孔101之间的距离调节至10mm或23mm,TaN薄膜工艺可以将盖板320与第一通孔101之间的距离调节至7.3mm,TiN薄膜工艺可以将盖板320与第一通孔101的距离调节至6.3mm或9mm等。
可选地,驱动机构310驱动盖板320移动的方式有多种,例如,驱动机构310可以是伺服电机,将伺服电机与盖板320相连,伺服电机驱动盖板320移动。当然,电机的种类还可以包括步进电机、直流无刷电机等,本发明实施例对此不做限制。
本发明公开的实施例中,驱动机构310驱动盖板320沿第一通孔101的轴线方向靠近或远离第一通孔101,从而可以调节盖板320与第一通孔101之间的距离,进而能够调节冷泵200的抽气能力,进而可以实现反应腔室100工艺压力的调节。通过驱动机构310驱动盖板320移动,从而无需手动调整盖板320与第一通孔101之间的距离,进而使得反应腔室100无需开腔即可实现对腔室工艺压力的调整,此时,反应腔室100的工艺压力调整方便,所花费的时间较短,进而提高半导体设备的加工效率。
另外,相比于手动调节盖板320的调节方式来说,采用驱动机构310调节盖板320的调节方式调节精度更高,同时操作人员无需进行开腔等操作步骤,从而能够减少操作人员的劳动强度。背景技术中操作人员需要在反应腔室100内手动调节盖板与泵口的距离,由于反应腔室100内的可操作空间较小,进而使得操作人员调节盖板与泵口之间的距离时难度较大,而本发明公开的实施例中,驱动机构310驱动盖板320调节,进而使得盖板320的调节操作简单,难度较小。
上述实施例无需专门加工针对不同工艺的各种尺寸的支撑柱,从而使得冷泵组件的配件较少,制造成本较低。
具体地,盖板组件300还可以设置有控制器,控制器与驱动机构310控制相连,从而控制驱动机构310的移动距离,此时,控制器能够控制驱动机构310的移动距离,从而能够精准灵活的实现盖板320的连续升降。
上述实施例能够实现盖板320的无极调节,因此能够实现反应腔室100的工艺压力的无级调节,进而使得工艺压力的精度更高,半导体设备的加工工艺能够达到更优的效果。
本文公开一种驱动机构310的具体结构,当然还可以采用其他结构,本文对此不作限制。具体地,驱动机构310可以包括安装部311、驱动源312和传动件,安装部311为驱动机构310的其他组成部件提供安装基础,同时安装部311与反应腔室100相连接,从而实现驱动机构310在反应腔室100上的安装。具体地,安装部311安装于反应腔室100的腔室壁外侧,驱动源312设置于安装部311上,也就是说,驱动源312位于反应腔室100外,由于反应腔室100工作的情况下处于真空环境,驱动源312位于真空环境内容易破坏内部电子器件,因此可以将驱动源312位于反应腔室100外,从而能够防止驱动源312被损坏。传动件的第一端与驱动源312相连接,传动件的第二端可以从第二通孔102伸入反应腔室100,且与盖板320相连接。驱动源312可以通过传动件驱动盖板320移动。
具体的操作过程中,驱动源312驱动传动件运动,传动件将驱动力传递至盖板320,从而使得盖板320移动。此方案中,驱动源312可以位于反应腔室100外,驱动源312的驱动力通过传动件传递至盖板320,由于驱动源312位于反应腔室100之外,因此驱动源312不容易被损坏,从而提高了驱动机构310的安全性和可靠性。
另外,驱动源312位于反应腔室100之外,也使得驱动源312不容易与反应腔室100内的其他部件发生干涉,进而能够提高半导体设备的安全性和可靠性。
可选地,传动件可以包括丝杠313、导杆314和滑块315,驱动源312与丝杠313相连,且驱动丝杠313转动,丝杠313与滑块315螺纹连接,导杆314的一端与滑块315相连接,导杆314与滑块315相连接的一端指的是传动件的第一端。导杆314的另一端自第二通孔102伸入反应腔室100并与盖板320相连接,导杆314与盖板320相连接的一端指的是传动件的第二端。驱动源312通过丝杠313、滑块315和导杆314驱动盖板320移动。
具体的操作过程中,驱动源312可以驱动丝杠313转动,丝杠313可以驱动滑块315移动,滑块315驱动导杆314移动,导杆314可以带动盖板320沿第一通孔101的轴线方向远离或靠近第一通孔101移动。此种驱动机构310相比于直线电机、气缸来说,所提供的驱动力更加稳定,使得盖板320在移动的过程中更加不易发生倾斜。
可选地,驱动源312可以是驱动电机,当然也可以是其他提供动力的结构,本文不作限制。
在另一种可选的实施例中,驱动机构310还可以包括直线轴承317,直线轴承317可以与反应腔室100的腔室壁相连接,导杆314可以穿过直线轴承317,并与直线轴承317滑动连接。此方案中,直线轴承317具有摩擦力小、精度较高、运动灵活等优点,因此能够提高盖板320的移动精度。
在另一种可选的实施例中,驱动机构310还可以包括导向部319,导向部319可以设置于安装部311。导向部319的延伸方向与丝杠313的延伸方向相同,滑块315与导向部319滑动连接。此方案中,导向部319对滑块315的移动方向具有导向作用,进而提高了滑块315的移动精度。可选地,导向部319可以是导轨,滑块315与导轨滑动连接。或者,导向部319可以为杆状件,杆状件可以穿过滑块315,从而使得滑块315可沿杆状件滑动。
上述实施例中,当盖板320的移动距离超过其最大行程时,盖板320容易与反应腔室100内的其他部件发生干涉,为此,一种可选的实施例中,驱动机构310还可以包括限位部316,限位部316可以设置于安装部311,限位部316在沿盖板320的移动方向上可以与传动件限位配合,以限制盖板320的移动行程。此方案中,当传动件在移动的过程中,限位部316能够限制传动件的移动行程,从而防止传动件由于行程过大,而导致盖板320与反应腔室100内的其他部件发生干涉,进而能够提高半导体设备的安全性。
可选地,当盖板320与第一通孔101之间的距离最大时,传动件具有第一极限位置;当盖板320与第一通孔101之间的距离最小时,传动件具有第二极限位置,第一极限位置和第二极限位置之间的距离为传动件的移动行程,同时也是盖板320的移动行程。限位部316可以包括第一限位件3161和第二限位件3162,第一限位件3161将传动件限位在第一极限位置处,第二限位件3162将传动件限位在第二极限位置处。
具体地,当传动件包括上文中的滑块315、丝杠313和导杆314时,第一限位件3161和第二限位件3162可以与滑块315限位配合,当然,第一限位件3161和第二限位件3162还可以与丝杠313和/或导杆314限位配合。
上述实施例中,传动件与限位部316可以采用机械限位的方式,例如,限位部316可以为限位凸起,限位凸起可以与传动件沿传动件的运动的方向限位配合,然而,此种方式容易使得限位部316与传动件发生碰撞,进而可能损坏传动件。为此,在另一种可选的实施例中,限位部316可以为距离传感器,距离传感器与驱动源312控制相连。距离传感器可以安装在第一极限位置和第二极限位置处,通过测量传动件与第一极限位置或第二极限位置的距离,从而实现传动件的限位。当传动件移动到第一极限位置或第二极限位置的情况下,距离传感器可以控制驱动源312停止转动,进而使得传动件停止移动,从而实现限位。此方案中,传动件与限位部316非接触,因此传动件与限位部316不容易发生碰撞,进而使得限位部316与传动件不容易损坏,进而提高了半导体设备的可靠性和安全性。
上述实施例中,反应腔室100内的环境为真空环境,当第二通孔102处发生泄漏时,容易破坏反应腔室100内的真空环境。为此,在另一种实施例中,驱动机构310还可以包括密封件,密封件设置于传动件与第二通孔102之间,密封件用于密封反应腔室100。具体地,密封件可以设置于第二通孔102内,或者设置于第二通孔102的外边缘处。此方案中,密封件能够封堵第二通孔102的内侧壁与传动件的侧壁之间的间隙,从而能够提高反应腔室100的密封性能,防止反应腔室100内的真空环境被破坏。可选地,密封件可以为环形密封圈,环形密封圈环绕上文中的导杆314设置。
为了进一步提高腔室本体100的密封性能,在另一种可选的实施例中,密封件可以为伸缩密封管318,伸缩密封管318可以套装于传动件上,伸缩密封管318的第一端与传动件的第二端密封连接,伸缩密封管318的第二端与第一通孔101的内侧壁密封连接。
具体的操作过程中,当传动件驱动盖板320远离第一通孔101时,伸缩密封管318被拉伸;当传动件驱动盖板320靠近第一通孔101时,伸缩密封管318被压缩。
此方案中,伸缩密封管318能够对第二通孔102与传动件之间实现动密封。伸缩密封管318能够随着传动件的移动实现压缩或者拉伸,从而使得密封件能够适应传动件的移动而发生形变,从而使得密封件不容易损坏,进而使得密封件的寿命较长,进一步提高了半导体设备的安全性和可靠性。可选地,可伸缩密封管318可以为波纹管,当然,可伸缩密封管318还可以为其他密封部件,本文不作限制。
具体地,上述实施例中伸缩密封管318可以套装于上文中的导杆314上。进一步地,导杆314与盖板320连接的一端可以设置有连接法兰,盖板320与连接法兰相连接,伸缩密封管318与连接法兰背离盖板320的一侧密封连接。此方案中,连接法兰的部分凸出于导杆314的端部,进而使得连接法兰具有较大的面与伸缩密封管318连接,从而使得伸缩密封管318连接更加方便。
可选地,连接法兰可以通过螺纹连接件与盖板320螺纹连接,当然,还可以通过其他连接方式连接,本文不作限制。
本文公开一种盖板320的具体结构,当然还可以采用其他结构,本文对此不作限制。盖板320可以包括支撑板321和挡片322,支撑板321可以与驱动机构310相连接,挡片322可以设置于支撑板321上,支撑板321可以开设有第三通孔3211,挡片322与第三通孔3211和第一通孔101均相对设置。此时,挡片322可以位于支撑板321背离第一通孔101的一侧,当然,挡片322还可以位于支撑板321朝向第一通孔101的一侧,对于挡片322的具体位置,本文不作限制。
此方案中,支撑板321为空心结构,从而使得挡片322外漏的部分较多,进而能够提高挡片322的散热性能,进而能够提高盖板320的散热性能。同时,支撑板321为空心结构,进而使得盖板320的整体重量较小,使得盖板320移动时所需的驱动力较小,进而能够降低驱动机构310的功率,进而能够降低驱动机构310的能耗。
另外,盖板320分为两部分可以方便调节盖板320自身的高度,从而进一步提高了冷泵200抽气能力的调整幅度。
具体地,盖板320还可以包括螺栓323和垫片324,垫片324可以设置于支撑板321与挡片322之间,挡片322通过螺栓323固定在支撑板321上。此方案中,盖板320的高度可以通过更换垫片324的厚度进行调整,从而使得盖板320的结构简单,制造成本较低。
当然,盖板320可以为其他结构,本文对盖板320的具体结构和形状不作限制。
在另一种可选的实施例中,挡片322的数量可以为多个,多个挡片322沿第一通孔101的轴线方向间隔叠置。此方案中,通过调整挡片322的数量,进而能够实现盖板320的高度调整,从而能够进一步提高冷泵200的抽气幅度,进而使得反应腔室100具有更大范围的工艺压力值,从而能够进一步优化反应腔室100的加工工艺。当然,挡片322的数量可以根据具体的加工工艺进行选型,本文不作限制。
可选地,相邻的挡片322之间可以设置垫片324,相邻的挡片322之间也可以通过螺栓323连接,当然还可以通过铆钉铆接,本文不作限制。盖板320可以采用不锈钢材料制作,以保证盖板320的结构强度、延展性及耐腐蚀性。
在另一种可选的实施例中,挡片322可以位于支撑板321背离第一通孔101的一侧,支撑板321背离挡片322的一侧可以设置有环形凸起部3212,环形凸起部3212可以环绕第三通孔3211设置,在第一通孔101的轴线方向上,环形凸起部3212朝向第一通孔101所在的腔室壁的投影覆盖第一通孔101。此时,环形凸起部3212朝向第一通孔101所在的腔室壁的投影具有两种覆盖方式,第一种:环形凸起部3212的投影能够全部覆盖第一通孔101,也就是说,环形凸起部3212的外径大于第一通孔101的直径,盖板320位于上文中的第二极限位置时,环形凸起部3212能够与腔室壁接触。第二种:环形凸起部3212的投影位于第一通孔101内,也就是说,环形凸起部3212的外径小于第一通孔101的直径,当盖板320位于第二极限位置时,环形凸起部3212能够位于第一通孔101内。需要注意的是,环形凸起部3212的外径略小于第一通孔101的直径,从而使得环形凸起部3212能够正好进入第一通孔101,环形凸起部3212的外径与第一通孔101直径不宜相差过大。
此方案中,环形凸起部3212相当于增大了支撑板321的厚度,从而提高了支撑板321的刚度,进而使得盖板320不易损坏。另外,当盖板320位于第二极限位置的情况下,环形凸起部3212可以对第一通孔101进行封堵,进一步能够提高冷泵200的抽气能力的幅度。环形凸起部3212将第一通孔101封堵,能够减少进入第一通孔101的杂质,从而提高了冷泵200的安全性。需要注意的是,环形凸起部3212对第一通孔101的封堵具有两种形式,第一种是环形凸起部3212封堵于第一通孔101的外侧,第二种是环形凸起部3212位于第一通孔101内,正好封堵第一通孔101。
本发明上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同,各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾,均可以组合形成更优的实施例,考虑到行文简洁,在此则不再赘述。
以上所述仅为本发明的实施例而已,并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的权利要求范围之内。
Claims (9)
1.一种半导体设备,其特征在于,包括:
反应腔室(100);
冷泵(200),所述冷泵(200)设置于所述反应腔室(100)的腔室壁外侧,所述反应腔室(100)的腔室壁上开设有第一通孔(101),所述冷泵(200)通过所述第一通孔(101)与所述反应腔室(100)相连通;
盖板组件(300),所述盖板组件(300)包括驱动机构(310)和与所述驱动机构(310)相连的盖板(320),所述驱动机构(310)的部分固定设置于所述腔室壁外侧,且所述驱动机构(310)与所述反应腔室(100)密封相连,所述盖板(320)位于所述反应腔室(100)内,所述驱动机构(310)驱动所述盖板(320)沿所述第一通孔(101)的轴线方向移动,以调节所述盖板(320)与所述第一通孔(101)之间的距离;
在所述第一通孔(101)的轴线方向上,所述盖板(320)朝向所述第一通孔(101)所在的所述腔室壁的投影与所述第一通孔(101)至少部分重合;
所述驱动机构(310)包括安装部(311)、驱动源(312)、传动件,所述安装部(311)安装于所述腔室壁外侧,所述驱动源(312)设置于所述安装部(311)上,所述传动件的第一端与所述驱动源(312)相连接;
所述腔室壁上开设有第二通孔(102),所述传动件的第二端从所述第二通孔(102)伸入所述反应腔室(100),且与所述盖板(320)相连接,所述驱动源(312)通过所述传动件驱动所述盖板(320)移动。
2.根据权利要求1所述的半导体设备,其特征在于,所述驱动机构(310)还包括限位部(316),所述限位部(316)设置于所述安装部(311),所述限位部(316)在沿所述盖板(320)的移动方向上与所述传动件限位配合,以限制所述盖板(320)的移动行程。
3.根据权利要求1所述的半导体设备,其特征在于,所述驱动机构(310)还包括密封件,所述密封件设置于所述传动件与所述第二通孔(102)之间,用于密封所述反应腔室(100)。
4.根据权利要求3所述的半导体设备,其特征在于,所述密封件为伸缩密封管(318),所述伸缩密封管(318)套装于所述传动件上,所述伸缩密封管(318)的第一端与所述传动件的第二端密封连接,所述伸缩密封管(318)的第二端与所述第一通孔(101)的内侧壁密封连接。
5.根据权利要求1所述的半导体设备,其特征在于,所述传动件包括丝杠(313)、滑块(315)和导杆(314),所述驱动源(312)与所述丝杠(313)相连,且驱动所述丝杠(313)转动,所述丝杠(313)与所述滑块(315)螺纹连接,所述导杆(314)的一端与所述滑块(315)相连接,所述导杆(314)的另一端自所述第二通孔(102)伸入所述反应腔室(100)并与所述盖板(320)相连接,所述驱动源(312)通过所述丝杠(313)、所述滑块(315)和所述导杆(314)驱动所述盖板(320)移动。
6.根据权利要求1所述的半导体设备,其特征在于,所述盖板(320)包括支撑板(321)和挡片(322),所述支撑板(321)与所述驱动机构(310)相连接,所述挡片(322)设置于所述支撑板(321)上,所述支撑板(321)开设有第三通孔(3211),所述挡片(322)与所述第三通孔(3211)和所述第一通孔(101)均相对设置。
7.根据权利要求6所述的半导体设备,其特征在于,所述盖板(320)还包括螺栓(323)和垫片(324),所述垫片(324)设置于所述支撑板(321)与所述挡片(322)之间,所述挡片(322)通过所述螺栓(323)固定在所述支撑板(321)上。
8.根据权利要求6所述的半导体设备,其特征在于,所述挡片(322)位于所述支撑板(321)背离所述第一通孔(101)的一侧,所述支撑板(321)背离所述挡片(322)的一侧设置有环形凸起部(3212),所述环形凸起部(3212)环绕所述第三通孔(3211)设置,在所述第一通孔(101)的轴线方向上,所述环形凸起部(3212)朝向所述第一通孔(101)所在的所述腔室壁的投影覆盖所述第一通孔(101)。
9.根据权利要求6所述的半导体设备,其特征在于,所述挡片(322)的数量为多个,多个所述挡片(322)沿所述第一通孔(101)的轴线方向间隔叠置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010976897.7A CN112144037B (zh) | 2020-09-17 | 2020-09-17 | 半导体设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010976897.7A CN112144037B (zh) | 2020-09-17 | 2020-09-17 | 半导体设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112144037A CN112144037A (zh) | 2020-12-29 |
CN112144037B true CN112144037B (zh) | 2022-10-21 |
Family
ID=73892789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010976897.7A Active CN112144037B (zh) | 2020-09-17 | 2020-09-17 | 半导体设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112144037B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114160540B (zh) * | 2021-11-19 | 2023-07-14 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 清洗腔室 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960005772A (ko) * | 1994-07-20 | 1996-02-23 | 제임스 조셉 드롱 | 고온에서 초 고진공 처리를 위한 진공챔버 |
CN101373703B (zh) * | 2007-08-24 | 2011-07-27 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 开盖机构及半导体加工设备及其开盖控制方法 |
JP6015715B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2016-10-26 | 日本精工株式会社 | シール機構、シール機構の駆動装置、搬送装置及び製造装置 |
CN206467296U (zh) * | 2017-03-01 | 2017-09-05 | 重庆市永川区渝林机械厂 | 铁板除锈装置 |
CN108728795B (zh) * | 2017-04-13 | 2021-06-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种工艺设备 |
CN110173411A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-08-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 冷泵盖板及反应腔室 |
-
2020
- 2020-09-17 CN CN202010976897.7A patent/CN112144037B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112144037A (zh) | 2020-12-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112144037B (zh) | 半导体设备 | |
KR101650816B1 (ko) | 진공 펌핑 장치, 진공유리 제작 시스템, 및 관련 방법 | |
EP3670978B1 (en) | Double-disc gate valve and use | |
CN111681981B (zh) | 半导体工艺设备及其密封门机构 | |
CN204663878U (zh) | 涡旋压缩机和空调系统 | |
CN111911412A (zh) | 一种车用涡旋压缩机的泵体结构 | |
CN208417577U (zh) | 一种刀闸阀 | |
CN210372018U (zh) | 一种密封装置及医疗设备 | |
CN110486279B (zh) | 一种环形真空泵 | |
CN112713070B (zh) | 一种真空机械扫描装置 | |
CN109578282A (zh) | 一种罗茨泵 | |
CN110405049B (zh) | 一种薄板产品孔位加工装置及其加工工艺 | |
CN102182566A (zh) | 排气制动蝶阀 | |
CN217481862U (zh) | 一种飞轮的密封抽气结构 | |
CN218285360U (zh) | 吸料压料装置及装配设备 | |
CN113776749B (zh) | 一种相变式冷却换热器测压设备 | |
JP3400745B2 (ja) | 二重切り出し弁 | |
CN110509203B (zh) | 一种用于工件定位的带气密检测的集成式插销装置 | |
CN116837339B (zh) | 一种承盘装置和磁控溅射设备 | |
CN220415900U (zh) | 气缸保护结构 | |
CN213646313U (zh) | 高压燃油泵阻尼器焊接设备 | |
CN214838781U (zh) | 一种活塞式气动执行器 | |
CN216680673U (zh) | 一种真空仓电子束焊接机构 | |
CN217641237U (zh) | 一种用于大功率晶圆检测的真空处理器运动操纵系统 | |
CN113789500B (zh) | 自动调整离子束溅射角和入射角的离子镀装置及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |