JPH1081952A - 反応性物理蒸着装置および反応性物理蒸着方法 - Google Patents
反応性物理蒸着装置および反応性物理蒸着方法Info
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- JPH1081952A JPH1081952A JP9164797A JP16479797A JPH1081952A JP H1081952 A JPH1081952 A JP H1081952A JP 9164797 A JP9164797 A JP 9164797A JP 16479797 A JP16479797 A JP 16479797A JP H1081952 A JPH1081952 A JP H1081952A
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- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 窒素の存在下で反応性ＰＶＤ処理を実施する
ことができる方法および装置を提供することである。 【解決手段】 真空チャンバ３４と、該真空チャンバ３
４内に配置された基板支持部２０と、耐火金属および貴
金属からなる群から選択される金属製で前記基板支持部
２０の上方に配置されたターゲット２２と、前記真空チ
ャンバ３４に窒素ガスを導入するためのガス吸入口と、
基板上における前記金属の窒化物の反応性物理蒸着中に
前記真空チャンバ３４の第一ポンプ手段として供される
非蒸発型ゲッターポンプ２５とを備える。ゲッターポン
プ２５は、実質的にジルコニウムおよび鉄の合金からな
る合金製であり、好ましくは１５〜３０重量％の鉄、お
よび７０〜８５重量％のジルコニウムからなる。
ことができる方法および装置を提供することである。 【解決手段】 真空チャンバ３４と、該真空チャンバ３
４内に配置された基板支持部２０と、耐火金属および貴
金属からなる群から選択される金属製で前記基板支持部
２０の上方に配置されたターゲット２２と、前記真空チ
ャンバ３４に窒素ガスを導入するためのガス吸入口と、
基板上における前記金属の窒化物の反応性物理蒸着中に
前記真空チャンバ３４の第一ポンプ手段として供される
非蒸発型ゲッターポンプ２５とを備える。ゲッターポン
プ２５は、実質的にジルコニウムおよび鉄の合金からな
る合金製であり、好ましくは１５〜３０重量％の鉄、お
よび７０〜８５重量％のジルコニウムからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、物理蒸着（ physi
cal vapor deposition；ＰＶＤ）をより特別には反応性
ガス（反応性ＰＶＤ）すなわち窒素の存在下で実施する
ための方法および装置に関する。
cal vapor deposition；ＰＶＤ）をより特別には反応性
ガス（反応性ＰＶＤ）すなわち窒素の存在下で実施する
ための方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＶＤは、半導体生産工場で多数の異な
る種類の層（レイヤ）を生産するために実行される。二
つの一般的なこのような層は、バリヤー層ないしは反射
防止膜として用いられるＴｉＮ（窒化２チタン）および
集積回路内で抵抗体として用いられる窒化タンタル（Ｔ
ａ2 Ｎ）である。しかしながら、タングステンなどの他
の貴金属の無反応性がバリヤー層を形成するために用い
られることもある。
る種類の層（レイヤ）を生産するために実行される。二
つの一般的なこのような層は、バリヤー層ないしは反射
防止膜として用いられるＴｉＮ（窒化２チタン）および
集積回路内で抵抗体として用いられる窒化タンタル（Ｔ
ａ2 Ｎ）である。しかしながら、タングステンなどの他
の貴金属の無反応性がバリヤー層を形成するために用い
られることもある。
【０００３】窒化物層を形成するため、ウエーハは、低
圧の反応性窒素ガスおよびアルゴンの存在のもと、アル
ゴンの場合、典型的に３ｍTorrの分圧のオーダー、およ
び窒素の場合、一般的に０．５から５ｍTorrの分圧の範
囲のもと、真空蒸着ツール内で、上例中のチタンまたは
タンタルといった金属製ターゲットの下方に配置され
る。水蒸気のような不純物の分圧は１０-9Torrである。
圧の反応性窒素ガスおよびアルゴンの存在のもと、アル
ゴンの場合、典型的に３ｍTorrの分圧のオーダー、およ
び窒素の場合、一般的に０．５から５ｍTorrの分圧の範
囲のもと、真空蒸着ツール内で、上例中のチタンまたは
タンタルといった金属製ターゲットの下方に配置され
る。水蒸気のような不純物の分圧は１０-9Torrである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】先の出願において、本
出願人は、ＰＶＤ処理をとりわけ実行するクラスタツー
ルを記述してきた。このクラスタツールは、イタリア
ミラノに所在するＳＡＥＳゲッター ソシエタ ペル
アチオニが製造可能な真空チャンバから不純物を除去す
る第一ポンプとしてＮＥＧ（Non-Evaporable Getter;非
蒸発型ゲッター）物質を用いる。これと関連する共通の
係属出願中に記述されたこのツールは、反応性ＰＶＤの
ために用いられることはない。その理由は、ポンプとし
て用いられるＮＥＧ物質がアルゴンを吸収せず、窒素を
吸収するからである。
出願人は、ＰＶＤ処理をとりわけ実行するクラスタツー
ルを記述してきた。このクラスタツールは、イタリア
ミラノに所在するＳＡＥＳゲッター ソシエタ ペル
アチオニが製造可能な真空チャンバから不純物を除去す
る第一ポンプとしてＮＥＧ（Non-Evaporable Getter;非
蒸発型ゲッター）物質を用いる。これと関連する共通の
係属出願中に記述されたこのツールは、反応性ＰＶＤの
ために用いられることはない。その理由は、ポンプとし
て用いられるＮＥＧ物質がアルゴンを吸収せず、窒素を
吸収するからである。
【０００５】本発明の目的は、窒素の存在下で反応性Ｐ
ＶＤ処理を実施することができる方法および装置を提供
することである。
ＶＤ処理を実施することができる方法および装置を提供
することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、真空
（蒸着）チャンバと、該真空チャンバ内に配置された基
板支持部と、耐火金属および貴金属からなる群から選択
される金属製で前記基板支持部の上方に配置されたター
ゲットと、前記真空チャンバに窒素ガスを導入するため
のガス吸入口と、前記基板上における前記耐火金属また
は貴金属の窒化物の反応性物理蒸着中に前記真空チャン
バ内で第一ポンプ手段として供される非蒸発型ゲッター
ポンプと、窒素と非反応性で実質的にジルコニウムおよ
び鉄からなる合金のような物質からなる前記非蒸発型ゲ
ッターポンプとを備え、基板上に窒化物層を形成する反
応性物理蒸着を施すための装置が提供される。
（蒸着）チャンバと、該真空チャンバ内に配置された基
板支持部と、耐火金属および貴金属からなる群から選択
される金属製で前記基板支持部の上方に配置されたター
ゲットと、前記真空チャンバに窒素ガスを導入するため
のガス吸入口と、前記基板上における前記耐火金属また
は貴金属の窒化物の反応性物理蒸着中に前記真空チャン
バ内で第一ポンプ手段として供される非蒸発型ゲッター
ポンプと、窒素と非反応性で実質的にジルコニウムおよ
び鉄からなる合金のような物質からなる前記非蒸発型ゲ
ッターポンプとを備え、基板上に窒化物層を形成する反
応性物理蒸着を施すための装置が提供される。
【０００７】耐熱金属すなわち高温に耐えることができ
る金属または貴金属は、タングステンのようなバリヤー
層を形成するため、例えば、チタン若しくはタンタルま
たは他の適当な金属とできる。
る金属または貴金属は、タングステンのようなバリヤー
層を形成するため、例えば、チタン若しくはタンタルま
たは他の適当な金属とできる。
【０００８】その理由は、非蒸発型ゲッター（ＮＥＧ）
が、窒素と反応せず、高効率なターボ分子ポンプおよび
低温ポンプなしで真空チャンバ内で反応性ＰＶＤを実行
することができて好適だからである。これらのポンプ
は、他の点では、１０-9Torrおよびそれ以下のオーダー
で不純物に要求される低圧を達成するために必要とされ
る。
が、窒素と反応せず、高効率なターボ分子ポンプおよび
低温ポンプなしで真空チャンバ内で反応性ＰＶＤを実行
することができて好適だからである。これらのポンプ
は、他の点では、１０-9Torrおよびそれ以下のオーダー
で不純物に要求される低圧を達成するために必要とされ
る。
【０００９】好ましい実施形態では、ＮＥＧポンプが１
５〜３０重量％の鉄および７０〜８５重量％のジルコニ
ウムからなる合金を含む。このようなＮＥＧ物質は、例
えばアメリカ特許第５，２３８，４６９号に記述されて
いる。
５〜３０重量％の鉄および７０〜８５重量％のジルコニ
ウムからなる合金を含む。このようなＮＥＧ物質は、例
えばアメリカ特許第５，２３８，４６９号に記述されて
いる。
【００１０】本発明はまた、ＮＥＧポンプの存在下で真
空チャンバ内に基板を載置し、ＮＥＧポンプを十分活性
化させる圧力に減圧し、真空チャンバ内に内に窒素ガス
を導入し、前記基板上に耐火金属または貴金属の窒素物
層を蒸着するステップを含み、および非蒸発型ゲッター
ポンプを備えた真空チャンバから不純物を継続的に除去
し、前記非蒸発型ゲッターポンプが窒素と非反応性で実
質的にジルコニウムおよび鉄からなる合金のような物質
からなり、基板上に反応性物理蒸着を施すための方法を
提供する。
空チャンバ内に基板を載置し、ＮＥＧポンプを十分活性
化させる圧力に減圧し、真空チャンバ内に内に窒素ガス
を導入し、前記基板上に耐火金属または貴金属の窒素物
層を蒸着するステップを含み、および非蒸発型ゲッター
ポンプを備えた真空チャンバから不純物を継続的に除去
し、前記非蒸発型ゲッターポンプが窒素と非反応性で実
質的にジルコニウムおよび鉄からなる合金のような物質
からなり、基板上に反応性物理蒸着を施すための方法を
提供する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態につき、添付図面を参照して詳細に説明する。
態につき、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】真空装置は、蒸着チャンバ３４内におい
て、背部ヒータとして供される支持部２０の上に配置さ
れたウエーハ２１を含む。ターゲット（極板）２２は、
チタンまたはタンタルで形成され、蒸着チャンバ内でウ
エーハ２１の上方に設置される。ターゲットは反応性Ｐ
ＶＤ処理中にカソードとして供され、ウエーハはアノー
ドとして供される。
て、背部ヒータとして供される支持部２０の上に配置さ
れたウエーハ２１を含む。ターゲット（極板）２２は、
チタンまたはタンタルで形成され、蒸着チャンバ内でウ
エーハ２１の上方に設置される。ターゲットは反応性Ｐ
ＶＤ処理中にカソードとして供され、ウエーハはアノー
ドとして供される。
【００１３】着脱可能な蓋体３０は、ターゲット２２の
上方に配置され、チャンバ３４がアクセス、例えばター
ゲット２２が除去されることを可能にするために開放さ
れるのを許容する。
上方に配置され、チャンバ３４がアクセス、例えばター
ゲット２２が除去されることを可能にするために開放さ
れるのを許容する。
【００１４】弁２８を介して乾式ポンプに連結されたタ
ーボ分子ポンプ５０，５１の直列連結は、ＮＥＧポンプ
２５への導入前に約１０-5Torrの初期減圧をするために
供される。ポンプ５０はＶ５５０ターボポンプであり、
ポンプ５１はＶ７０ＬＰターボポンプである。
ーボ分子ポンプ５０，５１の直列連結は、ＮＥＧポンプ
２５への導入前に約１０-5Torrの初期減圧をするために
供される。ポンプ５０はＶ５５０ターボポンプであり、
ポンプ５１はＶ７０ＬＰターボポンプである。
【００１５】ドーナツないしはリング状のＮＥＧポンプ
２５は、ほぼ、ウエーハ２１とウエーハヒータを具備す
る支持部２０とを囲繞している。ポンプ２５は、主蒸着
チャンバ３４の下方に位置する液密な円筒状副チャンバ
３２内に延びるラチェット機構３１の上に配置されてい
る。ラチェット機構は爪３５を含み、ＮＥＧポンプが図
示された作動位置内に上昇しおよび副チャンバ３２内の
後退位置内に待避することを可能にする。爪３５は、人
手によりまたは小型電気モータにより回転されるものと
できる。好ましくは、いくつかの好適な上昇および下降
手段を用いることもできる。
２５は、ほぼ、ウエーハ２１とウエーハヒータを具備す
る支持部２０とを囲繞している。ポンプ２５は、主蒸着
チャンバ３４の下方に位置する液密な円筒状副チャンバ
３２内に延びるラチェット機構３１の上に配置されてい
る。ラチェット機構は爪３５を含み、ＮＥＧポンプが図
示された作動位置内に上昇しおよび副チャンバ３２内の
後退位置内に待避することを可能にする。爪３５は、人
手によりまたは小型電気モータにより回転されるものと
できる。好ましくは、いくつかの好適な上昇および下降
手段を用いることもできる。
【００１６】蒸着チャンバ３４の底壁３６は、リング状
のゲッターポンプ２５と適応する環状の開口３７を備え
ている。リング状ポンプ３５は、上部リップ２５ｃおよ
び下部リップ２５ｄを形づくる僅かに凹んだ本体部分２
５ａを有している。
のゲッターポンプ２５と適応する環状の開口３７を備え
ている。リング状ポンプ３５は、上部リップ２５ｃおよ
び下部リップ２５ｄを形づくる僅かに凹んだ本体部分２
５ａを有している。
【００１７】一対のＯリング３８ａ，３８ｂおよび３９
ａ，３９ｂが、ＮＥＧポンプ２５の各内外表面で下部リ
ップ２５ｄの上方および上部リップ２５ｃの下方のそれ
ぞれに設けられている。
ａ，３９ｂが、ＮＥＧポンプ２５の各内外表面で下部リ
ップ２５ｄの上方および上部リップ２５ｃの下方のそれ
ぞれに設けられている。
【００１８】上昇位置において、Ｏリング３８ａ，３８
ｂはチャンバ３４の底壁の下面をシールする。後退位置
（図示しない）において、Ｏリング３９ａ，３９ｂはチ
ャンバ３４の底壁の上面をシールする。
ｂはチャンバ３４の底壁の下面をシールする。後退位置
（図示しない）において、Ｏリング３９ａ，３９ｂはチ
ャンバ３４の底壁の上面をシールする。
【００１９】保護シールド２９は、ウエーハ２１および
支持部２０を完全に遮蔽するため底壁３６に向けてわた
る多数の遮蔽板２９ａを含んでいる。ウエーハがそこを
通して分離弁２３に向けていくようにパスする（逆もま
た同様）ことを許容するため、スリット４０が遮蔽板２
９ａに形成され、スリット４１はＮＥＧポンプ２５に形
成されている。
支持部２０を完全に遮蔽するため底壁３６に向けてわた
る多数の遮蔽板２９ａを含んでいる。ウエーハがそこを
通して分離弁２３に向けていくようにパスする（逆もま
た同様）ことを許容するため、スリット４０が遮蔽板２
９ａに形成され、スリット４１はＮＥＧポンプ２５に形
成されている。
【００２０】底壁３６はまた、反応性物理蒸着の間にお
けるアルゴンおよび窒素の蒸着チャンバ３４への継続的
な給気のためのガス導入弁４２を備えている。窒素の総
合的な圧力は、弁４２を通過する流れ量およびポンプ５
０，５７の排気速度を制御することによって容易に制御
することができる。一般的に、窒素の分圧は０．５〜１
０ｍTorrの範囲内、典型的には３ｍTorrであり、アルゴ
ンの分圧は０．５〜５ｍTorr、典型的には３ｍTorrであ
る。
けるアルゴンおよび窒素の蒸着チャンバ３４への継続的
な給気のためのガス導入弁４２を備えている。窒素の総
合的な圧力は、弁４２を通過する流れ量およびポンプ５
０，５７の排気速度を制御することによって容易に制御
することができる。一般的に、窒素の分圧は０．５〜１
０ｍTorrの範囲内、典型的には３ｍTorrであり、アルゴ
ンの分圧は０．５〜５ｍTorr、典型的には３ｍTorrであ
る。
【００２１】リング状ゲッターポンプ２５は、活性化ま
たは再生の目的でゲッター物質２５を加熱するため赤外
ランプ４３の積み重ねによって囲繞されている。赤外ラ
ンプは先の実施形態を参照して述べられた堅固な支持で
あることが好ましい。
たは再生の目的でゲッター物質２５を加熱するため赤外
ランプ４３の積み重ねによって囲繞されている。赤外ラ
ンプは先の実施形態を参照して述べられた堅固な支持で
あることが好ましい。
【００２２】通常動作では、ＮＥＧポンプ２５は図示さ
れたように上昇位置にある。赤外ランプ４３がＮＥＧ物
質２５の活性化または再生の目的で動作される。それら
はまた、ポンプ速度が温度を伴って顕著に増加するた
め、ウエーハ処理の過程でＮＥＧ物質を加熱するために
用いられる。約２８０℃の温度でＮＥＧポンプ２５が動
作されることが望ましい。
れたように上昇位置にある。赤外ランプ４３がＮＥＧ物
質２５の活性化または再生の目的で動作される。それら
はまた、ポンプ速度が温度を伴って顕著に増加するた
め、ウエーハ処理の過程でＮＥＧ物質を加熱するために
用いられる。約２８０℃の温度でＮＥＧポンプ２５が動
作されることが望ましい。
【００２３】例えばターゲット２２を交換するために蒸
着チャンバ３４を開放したい場合には、ＮＥＧポンプは
副チャンバ３２内に待避され、シール３８ａ，３８ｂの
作用によりシール性が保持される。減圧は副チャンバ３
２内で継続され、副チャンバはＮＥＧポンプ２５の過渡
位置において主蒸着チャンバ３４と一時的に連通され
る。したがって、ＮＥＧ物質は蒸着チャンバ３４が開放
されている間、大気に曝されない。
着チャンバ３４を開放したい場合には、ＮＥＧポンプは
副チャンバ３２内に待避され、シール３８ａ，３８ｂの
作用によりシール性が保持される。減圧は副チャンバ３
２内で継続され、副チャンバはＮＥＧポンプ２５の過渡
位置において主蒸着チャンバ３４と一時的に連通され
る。したがって、ＮＥＧ物質は蒸着チャンバ３４が開放
されている間、大気に曝されない。
【００２４】赤外ランプ４３はまた、再生の目的で吸収
されたガスを除去するため蒸着チャンバの壁を焼き付け
る二つの目的をも供する。
されたガスを除去するため蒸着チャンバの壁を焼き付け
る二つの目的をも供する。
【００２５】ＮＥＧポンプ２５は、ＮＥＧ物質の焼結体
からなり、２５cmの高さと４５cmの外径を有し合計表面
積が６００００cm2 である円筒の外面に２４０（２５cm
×５cm）のフィンが分散配置されて形づくられている。
からなり、２５cmの高さと４５cmの外径を有し合計表面
積が６００００cm2 である円筒の外面に２４０（２５cm
×５cm）のフィンが分散配置されて形づくられている。
【００２６】赤外ランプは、ＮＥＧポンプを活性化させ
るために４５０℃で４５分間にわたり１０-5Torrで用い
られ、通常動作のためにはＮＥＧポンプを２００℃に保
持する。
るために４５０℃で４５分間にわたり１０-5Torrで用い
られ、通常動作のためにはＮＥＧポンプを２００℃に保
持する。
【００２７】Ｖ５５０／Ｖ７０ＬＰ直列ターボポンプ構
造が、乾式ポンプからガスが還流することを阻止するた
め、およびＨ2 ，Ｈ2 Ｏ ，Ｏ2 のような不純物の分圧
を１０-10 Torrより低く維持するために用いられる方が
よい。
造が、乾式ポンプからガスが還流することを阻止するた
め、およびＨ2 ，Ｈ2 Ｏ ，Ｏ2 のような不純物の分圧
を１０-10 Torrより低く維持するために用いられる方が
よい。
【００２８】本発明にしたがって、ＮＥＧポンプは実質
的にジルコニウムおよび鉄の合金からなる合金製であ
り、好ましくは１５〜３０重量％の鉄、および７０〜８
５重量％のジルコニウムからなるのがよい。好適な合金
は、イタリアのミラノに所在するＳＡＥＳゲッター ソ
シエタ ペル アチオニにより商品名Ｓｔ１０１ゲッタ
ーアロイとして売買される。このような合金は上述した
アメリカ特許第５，２３８，４６９号に記述されてい
る。
的にジルコニウムおよび鉄の合金からなる合金製であ
り、好ましくは１５〜３０重量％の鉄、および７０〜８
５重量％のジルコニウムからなるのがよい。好適な合金
は、イタリアのミラノに所在するＳＡＥＳゲッター ソ
シエタ ペル アチオニにより商品名Ｓｔ１０１ゲッタ
ーアロイとして売買される。このような合金は上述した
アメリカ特許第５，２３８，４６９号に記述されてい
る。
【００２９】
【発明の効果】本発明はＰＶＤ処理の分野において画期
的な進歩をもたらす。これと関連する前述の係属中の出
願は、かねてからクラスタ装置に付随してきた嵩ばって
高価なターボ分子ポンプおよびクライオポンプを必要と
しない非常に重要な進歩である。しかしながら、前述の
この発明は、ＮＥＧゲッターが窒素のような反応に寄与
することを可能にするガスを一般に吸収するため、反応
性ＰＶＤに好適でないことが理解されよう。ＮＥＧゲッ
ターが窒素と反応しないで適用される現実は、反応性Ｐ
ＶＤが前述の方法すなわち大きなクライオポンプなしで
実行することが可能になるため、非常に重要である。チ
タンおよびタンタル窒化物層の組成は、半導体ウエーハ
製造の局面で非常に重要であり、かつこのような処理に
この発明を拡張する技術としてとても重要である。
的な進歩をもたらす。これと関連する前述の係属中の出
願は、かねてからクラスタ装置に付随してきた嵩ばって
高価なターボ分子ポンプおよびクライオポンプを必要と
しない非常に重要な進歩である。しかしながら、前述の
この発明は、ＮＥＧゲッターが窒素のような反応に寄与
することを可能にするガスを一般に吸収するため、反応
性ＰＶＤに好適でないことが理解されよう。ＮＥＧゲッ
ターが窒素と反応しないで適用される現実は、反応性Ｐ
ＶＤが前述の方法すなわち大きなクライオポンプなしで
実行することが可能になるため、非常に重要である。チ
タンおよびタンタル窒化物層の組成は、半導体ウエーハ
製造の局面で非常に重要であり、かつこのような処理に
この発明を拡張する技術としてとても重要である。
【００３０】本発明は、上述した実施形態に限定される
ものではなく、本発明の精神および範囲から離れること
なく当該技術分野の当業者が容易に想到し得る変更並び
に変形も本発明の範囲に含まれるものであることは勿論
である。
ものではなく、本発明の精神および範囲から離れること
なく当該技術分野の当業者が容易に想到し得る変更並び
に変形も本発明の範囲に含まれるものであることは勿論
である。
【図１】本発明の反応性物理蒸着を施すための真空装置
を示す概略的な断面図である。
を示す概略的な断面図である。
２０ 支持部 ２１ ウエーハ ２２ ターゲット ２３ 分離弁 ２５ ＮＥＧポンプ ２５ａ 本体部分 ２５ｃ 上部リップ ２５ｄ 下部リップ ２８ 弁 ２９ 保護シールド ２９ａ 遮蔽板 ３０ 蓋体 ３１ ラチェット機構 ３２ 副チャンバ ３４ 蒸着チャンバ ３５ 爪 ３６ 底壁 ３７ 開口 ３８ａ，３８ｂ、３９ａ，３９ｂ Ｏリング ４０，４１ スリット ４２ ガス導入弁 ４３ 赤外ランプ ５０，５７ ポンプ ５０，５１ ターボ分子ポンプ
Claims (8)
- 【請求項１】 真空チャンバと、該真空チャンバ内に配
置された基板支持部と、耐火金属および貴金属からなる
群から選択される金属製で前記基板支持部の上方に配置
されたターゲットと、前記真空チャンバに窒素ガスを導
入するためのガス吸入口と、前記基板上における前記金
属の窒化物の反応性物理蒸着中に前記真空チャンバの第
一ポンプ手段として供される非蒸発型ゲッターポンプ
と、窒素に対して非反応性で合金などの物質によって構
成される前記非蒸発型ゲッターポンプとを備えたことを
特徴とする基板上に窒化物層を形成する反応性物理蒸着
装置。 - 【請求項２】 前記物質はジルコニウムおよび鉄の合金
であることを特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記合金は、１５〜３０重量％の鉄、お
よび７０〜８５重量％のジルコニウムからなることを特
徴とする請求項２に記載の装置。 - 【請求項４】 前記金属が、チタニウム、タンタルおよ
びタングステンの群から選択されることを特徴とする請
求項１に記載の装置。 - 【請求項５】 ＮＥＧポンプの存在下で真空チャンバ内
に基板を載置し、ＮＥＧポンプを稼働させるのに十分な
圧力に減圧し、真空チャンバ内に窒素ガスを導入し、前
記基板上に金属窒化物層を蒸着するステップを含み、前
記金属は耐火金属および貴金属からなる群から選択され
るものであり、および非蒸発型ゲッターポンプを備えた
真空チャンバから不純物を継続的に除去し、前記非蒸発
型ゲッターポンプが窒素と反応しない物質からなること
を特徴とする反応性物理蒸着方法。 - 【請求項６】 前記物質が、実質的にジルコニウムおよ
び鉄の合金からなることを特徴とする請求項５に記載の
方法。 - 【請求項７】 前記合金は、鉄が重量で１５から３０
％、およびジルコニウムが重量で７０〜８５％からなる
ことを特徴とする請求項６に記載の方法。 - 【請求項８】 前記金属が、チタニウム、タンタルおよ
びタングステンの群から選択されることを特徴とする請
求項５に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| US08/666,257 US5778682A (en) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | Reactive PVD with NEG pump |
| US08/666,257 | 1996-06-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1081952A true JPH1081952A (ja) | 1998-03-31 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9164797A Pending JPH1081952A (ja) | 1996-06-20 | 1997-06-20 | 反応性物理蒸着装置および反応性物理蒸着方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5778682A (ja) |
| JP (1) | JPH1081952A (ja) |
| CA (1) | CA2208162C (ja) |
| GB (1) | GB2314347B (ja) |
| TW (1) | TW367543B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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-
1997
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- 1997-06-20 TW TW086108643A patent/TW367543B/zh active
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| GB2314347A (en) | 1997-12-24 |
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