CN104532192B - 蒸镀装置 - Google Patents

蒸镀装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104532192B
CN104532192B CN201410802486.0A CN201410802486A CN104532192B CN 104532192 B CN104532192 B CN 104532192B CN 201410802486 A CN201410802486 A CN 201410802486A CN 104532192 B CN104532192 B CN 104532192B
Authority
CN
China
Prior art keywords
vacuum chamber
coating device
vacuum
evaporation
evaporation coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410802486.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104532192A (zh
Inventor
李金川
吴聪原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201410802486.0A priority Critical patent/CN104532192B/zh
Priority to US14/433,632 priority patent/US20160177435A1/en
Priority to PCT/CN2014/095554 priority patent/WO2016095275A1/zh
Publication of CN104532192A publication Critical patent/CN104532192A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104532192B publication Critical patent/CN104532192B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641Nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks

Abstract

本发明公开了一种蒸镀设备包括:真空室,提供真空环境;蒸发源,位于真空室中,提供用于蒸镀的Li3N,并对Li3N进行加热分解,产生Li;对位系统,与蒸发源相对设置,对需镀膜的基片进行定位,使Li沉积在基片上;冷凝泵,与真空室连通,用于对真空室进行抽真空处理;分子泵,与真空室连通,用于维持真空室的低真空度。通过上述方式,本发明能够提高腔内真空度,减少对器件寿命的影响。

Description

蒸镀装置
技术领域
本发明涉及半导体制程领域,尤其是涉及一种蒸镀装置。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode,OLED)因具备主动发光、响应速度快、可弯曲、超轻薄等优点,被称之为第三代梦幻现实技术。目前,全球各大厂商纷纷持续投入资金与技术进行研发,并已达成量产,市场需求高涨。
随着白光OLED(White Organic Light-Emitting Diode,WOLED)在大尺寸电视的开始逐渐应用,越来越多公司开始进行WOLED开发工作,目前大家都采用R/G/B三原色叠层制作的方式制作WOLED元件,然后利用彩色滤光片来分别得到R/G/B不同光色来实现彩色发光,由于运用叠层结构,使得在器件中需要使用CGL(charge generate layer电子产生层)层来分别为蓝光层提供电子和红绿光提供空穴,在CGL层中普遍做法是需要使用Li这种物质,而Li较活泼,具有一定危险性,大家纷纷寻找能产生Li的其他材料来代替使用纯Li,较常用的为使用Li3N,这种物质所需温度只需要500°左右,便于蒸镀,但由于Li3N蒸镀后会产生大量气体N2,且由于Li3N具有包覆H2的能力,加热后会大量释放H2。传统的蒸镀腔体是用冷凝泵来维持腔内的高真空,对于分子量较小的H2较难清除,需要很长时间,这使得腔内真空度变差,会对WOLED器件的寿命等造成一定的影响。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种蒸镀装置,能够提高腔内真空度,减少对器件寿命的影响。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种蒸镀装置,包括:真空室,提供真空环境;蒸发源,位于真空室中,提供用于蒸镀的Li3N,并对Li3N进行加热分解,产生Li;对位系统,与蒸发源相对设置,对需镀膜的基片进行定位,使Li沉积在基片上;冷凝泵,与真空室连通,用于对真空室进行抽真空处理;分子泵,与真空室连通,用于维持真空室的低真空度。
其中,分子泵与冷凝泵相对设置。
其中,分子泵快速抽取分子量小的气体,使真空度维持在E-5以下。
其中,分子泵转速为27500rpm以上。
其中,分子泵转速采用高转速分子泵,转速超过35000rpm。
其中,分子泵转速为42300rpm。
其中,分子泵转速为51000rpm。
其中,蒸镀装置用于在有机电致发光器件中蒸镀锂。
其中,分子泵快速抽取Li3N加热升温时产生的H2
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明通过真空室提供真空环境;蒸发源位于真空室中,提供用于蒸镀的Li3N,并对Li3N进行加热分解,产生Li;对位系统与蒸发源相对设置,对需镀膜的基片进行定位,使Li沉积在基片上;冷凝泵与真空室连通,对真空室进行抽真空处理;分子泵与真空室连通,维持真空室的低真空度,能够提高腔内真空度,减少对器件寿命的影响。
附图说明
图1是本发明实施例的蒸镀装置。
具体实施方式
请参阅图1,图1是本发明实施例的蒸镀装置。如图1所示,蒸镀装置包括:真空室、蒸发源、对位系统、冷凝泵以及分子泵。真空室提供真空环境。蒸发源位于真空室中,提供用于蒸镀的Li3N,并对Li3N进行加热分解,产生Li。对位系统与蒸发源相对设置,对需镀膜的基片进行定位,使Li沉积在基片上。冷凝泵与真空室连通,用于对真空室进行抽真空处理。分子泵与真空室连通,用于维持真空室的低真空度。
在本发明实施例中,分子泵与冷凝泵相对设置,相互独立。通常情况下蒸镀装置仅开启冷凝泵进行抽真空,使得蒸镀装置的真空室内真空度维持在E-5帕以下。当在蒸镀WOLED时,蒸发源对提供的Li3N进行加热升温,导致真空室内真空度上升,如为E-4帕时,开启分子泵,抽气能力增强,迅速抽出分子量较小的气体,如快速抽取Li3N加热升温时产生的H2,使真空室内真空度维持在E-5帕以下,即使得真空室内真空度一直维持在较高的真空状态,确保器件寿命不会因为制作时真空环境不好而造成寿命减少的问题出现。
在本发明实施例中,分子泵转速可以为27500rpm以上。分子泵转速也可以采用高转速分子泵,转速超过35000rpm。具体地,分子泵转速为42300rpm,或者分子泵转速为51000rpm。本发明实施例中的蒸镀装置主要用于在有机电致发光器件中蒸镀锂。
综上所述,本发明通过的蒸镀设备包括:真空室,提供真空环境;蒸发源,位于真空室中,提供用于蒸镀的Li3N,并对Li3N进行加热分解,产生Li;对位系统,与蒸发源相对设置,对需镀膜的基片进行定位,使Li沉积在基片上;冷凝泵,与真空室连通,用于对真空室进行抽真空处理;分子泵,与真空室连通,用于维持真空室的低真空度,能够提高腔内真空度,减少对器件寿命的影响。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (7)

1.一种蒸镀装置,其特征在于,所述蒸镀装置包括:
真空室,提供真空环境;
蒸发源,位于所述真空室中,提供用于蒸镀的Li3N,并对所述Li3N进行加热分解,产生Li;
对位系统,与所述蒸发源相对设置,对需镀膜的基片进行定位,使所述Li沉积在所述基片上;
冷凝泵,与所述真空室连通,对所述真空室进行抽真空处理;
分子泵,与所述真空室连通,维持所述真空室的低真空度;
其中,所述分子泵与冷凝泵相对设置,相互独立,通常情况下所述蒸镀装置仅开启时,冷凝泵进行抽真空,蒸镀时,所述分子泵快速抽取分子量小的气体,使真空度维持在E-5以下,当在蒸镀WOLED时,所述蒸发源对提供的Li3N进行加热升温,导致真空室内真空度上升,开启所述分子泵,使真空室内真空度维持在E-5帕以下。
2.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,所述分子泵转速为27500rpm以上。
3.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,所述分子泵转速采用高转速分子泵,转速超过35000rpm。
4.根据权利要求3所述的蒸镀装置,其特征在于,所述分子泵转速为42300rpm。
5.根据权利要求3所述的蒸镀装置,其特征在于,所述分子泵转速为51000rpm。
6.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,所述蒸镀装置用于在有机电致发光器件中蒸镀锂。
7.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,所述分子泵快速抽取Li3N加热升温时产生的H2
CN201410802486.0A 2014-12-19 2014-12-19 蒸镀装置 Active CN104532192B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410802486.0A CN104532192B (zh) 2014-12-19 2014-12-19 蒸镀装置
US14/433,632 US20160177435A1 (en) 2014-12-19 2014-12-30 Evaporation device
PCT/CN2014/095554 WO2016095275A1 (zh) 2014-12-19 2014-12-30 蒸镀装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410802486.0A CN104532192B (zh) 2014-12-19 2014-12-19 蒸镀装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104532192A CN104532192A (zh) 2015-04-22
CN104532192B true CN104532192B (zh) 2018-01-30

Family

ID=52847806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410802486.0A Active CN104532192B (zh) 2014-12-19 2014-12-19 蒸镀装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20160177435A1 (zh)
CN (1) CN104532192B (zh)
WO (1) WO2016095275A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110894588A (zh) * 2019-12-17 2020-03-20 合肥师范学院 一种金属锂蒸镀方法
CN111139447B (zh) * 2020-02-25 2023-11-03 费勉仪器科技(上海)有限公司 一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2030322U (zh) * 1988-07-25 1989-01-04 中国科学院北京真空物理实验室 热脱附及常温出气实验测量装置
DE3914709C1 (zh) * 1989-05-04 1990-10-25 Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft- Und Raumfahrt Ev, 5300 Bonn, De
US5778682A (en) * 1996-06-20 1998-07-14 Mitel Corporation Reactive PVD with NEG pump
WO2001058222A1 (en) * 2000-02-02 2001-08-09 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent element and method of manufacture thereof
US6689190B2 (en) * 2001-12-20 2004-02-10 Cima Nanotech, Inc. Process for the manufacture of reacted nanoparticles
CN1723741B (zh) * 2002-12-12 2012-09-05 株式会社半导体能源研究所 发光装置、制造装置、成膜方法及清洁方法
CN1191654C (zh) * 2003-03-06 2005-03-02 复旦大学 一种能够大面积制备锂离子固体电解质薄膜的方法
US7021888B2 (en) * 2003-12-16 2006-04-04 Universities Research Association, Inc. Ultra-high speed vacuum pump system with first stage turbofan and second stage turbomolecular pump
CN100428334C (zh) * 2004-07-27 2008-10-22 松下电器产业株式会社 磁记录介质及其制造方法、和磁记录介质的记录再生方法
CN100366786C (zh) * 2005-08-23 2008-02-06 浙江大学 液相基底表面金属薄膜的制备技术
CN100477325C (zh) * 2007-05-16 2009-04-08 太原理工大学 一种发蓝绿光的发光二极管及制备方法
CN101066845A (zh) * 2007-06-06 2007-11-07 深圳市南玻伟光镀膜玻璃有限公司 一种可后续加工的低辐射玻璃及其制造方法
JP5325471B2 (ja) * 2007-07-06 2013-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
CN101368264B (zh) * 2007-08-16 2012-01-04 清华大学 有机电致发光器件
JP5331407B2 (ja) * 2007-08-17 2013-10-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5058909B2 (ja) * 2007-08-17 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマcvd装置及び薄膜トランジスタの作製方法
US7611930B2 (en) * 2007-08-17 2009-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing display device
FR2942774B1 (fr) * 2009-03-06 2011-05-06 Thales Sa Dispositif de controle thermique pour un engin spatial
CN101560645B (zh) * 2009-05-08 2011-01-19 深圳大学 大型真空镀膜设备
CN103320752B (zh) * 2013-06-19 2016-02-03 储琦 蒸发镀膜设备及其抽气工艺
CN103776602B (zh) * 2013-12-27 2016-08-17 合肥京东方光电科技有限公司 一种真空对盒系统的检测装置
CN104120397B (zh) * 2014-07-31 2018-03-16 深圳市豪威薄膜技术有限公司 氧化铟锡低温沉积方法及系统
CN104236991A (zh) * 2014-08-19 2014-12-24 宁波英飞迈材料科技有限公司 一种可拆卸原位热处理装置及其使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160177435A1 (en) 2016-06-23
CN104532192A (zh) 2015-04-22
WO2016095275A1 (zh) 2016-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107403870B (zh) Woled器件
US10079367B2 (en) Waterproof and anti-reflective flexible OLED apparatus and method for manufacturing the same
CN103872089B (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN105206753B (zh) 有机发光元件
CN106784365A (zh) Oled显示装置及其制作方法
CN108630732A (zh) Oled显示面板及其制作方法
CN106783935B (zh) 有机电致发光器件的封装结构及封装方法、显示装置
CN103682155A (zh) 有机电致发光显示器件、其光学薄膜层叠体及制备方法
CN104701465A (zh) 顶发射型有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN104532192B (zh) 蒸镀装置
TW201138179A (en) Organic light emitting diode device
WO2020173203A1 (zh) 电子传输层及其制备方法、发光器件和显示装置
CN103682156A (zh) 一种有机电致发光显示器件及显示装置
CN102569678A (zh) 一种顶发射oled的复合薄膜封装方法
WO2017096696A1 (zh) 有机发光二极管封装结构、封装方法及有机发光二极管
WO2018210018A1 (zh) Oled显示基板及其制造方法、显示装置及其封装方法
CN104022144A (zh) Oled显示结构及其制作方法
CN201243391Y (zh) 一种有机电致发光显示器
CN107123754A (zh) 一种有机电致发光器件及制备方法、蒸镀设备
CN101740727A (zh) 一种oled显示器件的制备方法
JP6302786B2 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、及び有機el素子の製造方法
US11394012B2 (en) Organic light-emitting device including light outputting layer having wavy shape, and manufacturing method therefor
CN108288678B (zh) 一种双蓝光层杂化白光有机电致发光器件
CN105870351A (zh) Oled显示面板及其制备方法
CN105206648A (zh) 一种oled器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant