CN105206648A - 一种oled器件及其制备方法 - Google Patents

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余磊
李艳虎
林信志
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Abstract

本发明涉及显示器技术领域,尤其涉及一种OLED器件及其制备方法,该OLED器件包括TFT阵列基板、位于TFT阵列基板之上的阳极层、位于阳极层之上的发光层、位于发光层之上的阴极层以及位于阴极层之上的光取出层;其中,该光取出层的材质包括球形分子材料,由于球形分子的特殊结构,使得光取出层中形成有若干微纳结构以减少OLED器件出光的全反射,提升光取出率,增强OLED器件发光性能。

Description

一种OLED器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示器技术领域,尤其涉及一种OLED器件及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)的外量子效率(ηext)是指出射到器件外部的光子总数与注入的电子空穴对数之比,是衡量OLED发光性能的重要参数之一,可以用公式ηext=γ.γst.q.χ表示。其中,光输出耦合因子χ是影响ηext的一个重要参量,如何最大程度地提高光取出,增加透射光是OLED的研究重点。
目前,能够比较有效地增加光取出的方法有,图案化基底,增加微透镜,微腔共振技术等,其中图案化基底和增加微透镜的方法工艺复杂,制作成本高,量产的可能比较小。微腔共振技术是一种比较有效的方法,一般是在采用顶发射微腔共振技术的基础上,通过热蒸发的方式蒸镀一层有机光取出层,现有技术所采用的这种有机材料的分子结构都是平面型的,受制于这种有机材料折射率(约1.7)和厚度的限制,单独采用平面型分子结构的有机材料作为光取出层对于提升OLED光取出效率是有限的。
发明内容
针对上述存在的问题,本发明公开一种OLED器件,包括:
TFT阵列基板;
阳极层,位于所述TFT阵列基板之上;
发光层,位于所述阳极层之上;
阴极层,位于所述发光层之上;以及
光取出层,位于所述阴极层之上;
其中,所述光取出层的材质包括球形分子材料。
上述的OLED器件,其中,所述光取出层的材质为C70或C60。
上述的OLED器件,其中,所述光取出层形成有若干微纳结构。
上述的OLED器件,其中,所述阴极层为半透明金属电极层。
上述的OLED器件,其中,所述OLED器件还包括:
空穴传输层,位于所述阳极层与所述发光层之间;
电子传输层,位于所述发光层与所述阴极层之间。
上述的OLED器件,其中,所述OLED器件还包括:
空穴注入层,位于所述阳极层与所述空穴传输层之间;
电子注入层,位于所述电子传输层与所述阴极层之间。
上述任意一项的OLED器件,其中,所述光取出层的厚度为
本发明还公开了一种OLED器件的制备方法,所述方法包括:
提供一TFT阵列基板;
于所述TFT阵列基板上按照从下至上的顺序依次形成阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层;
于所述阴极层之上形成光取出层以将所述阴极层的上表面予以覆盖;
其中,所述光取出层的材质包括球形分子材料。
上述的OLED器件的制备方法,其中,所述光取出层的材质为C70或C60。
上述的OLED器件的制备方法,其中,所述光取出层形成有若干微纳结构。
上述的OLED器件的制备方法,其中,通过热蒸发的方式于所述阴极层之上形成所述光取出层。
上述的OLED器件的制备方法,其中,所述光取出层的厚度为
上述发明具有如下优点或者有益效果:
本发明公开了一种OLED器件及其制备方法,通过在阴极层上面蒸镀一层球形分子材料形成的光取出层,由于球形分子的特殊结构,使得其在阴极层上沉积时会形成一种精细的微纳结构,这种精细的微纳结构类似于微透镜或者是具有诸多微球的散射层,因此该光取出层能够减少OLED器件出光的全反射,提升光取出率,增强OLED器件发光性能。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未按照比例绘制附图,重点在于示出本发明的主旨。
图1是本发明实施例中OLED器件的结构示意图;
图2是C70分子结构示意图;
图3是本发明实施例中光取出层增加光取出率的原理示意图;
图4是本发明实施例中OLED器件的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明,但是不作为本发明的限定。
实施例一:
本发明公开了一种OLED器件,包括:TFT阵列基板、位于TFT阵列基板之上的阳极层、位于阳极层之上的发光层、位于发光层之上的阴极层以及位于阴极层之上的光取出层;其中,该光取出层的材质包括球形分子材料。
在本发明一个优选的实施例中,上述光取出层的材质为C70或C60。
在本发明一个优选的实施例中,上述光取出层形成有若干微纳结构。
在本发明一个优选的实施例中,上述阴极层为半透明金属电极层。
在本发明一个优选的实施例中,上述OLED器件还包括位于阳极层与发光层之间的空穴传输层以及位于发光层与阴极层之间的电子传输层。
在此基础上,进一步的,上述OLED器件还包括位于阳极层与空穴传输层之间的空穴注入层以及位于电子传输层与阴极层之间的电子注入层。
在本发明一个优选的实施例中,上述光取出层的厚度为 (例如或者等)。
下面结合附图对本发明OLED器件的结构作进一步的阐述:
如图1所示,本实施例涉及一种OLED器件,具体的该OLED器件包括按照从下至上的顺序依次设置的TFT阵列基板1、阳极层2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7、阴极层8以及光取出层9,其中,光取出层9的材料为球形分子C70,以利用其自身的分子堆积方式,使光取出层9具有微纳结构,其可以减少OLED器件出光的全反射,提升光取出率。
如图2所示,C70是一种封闭的球形结构,C70分子在短轴方向的直径为长轴方向直径为是用于作为光取出层较佳的材料;同时由于C70是一个具有特殊结构的球形分子,其在阴极层上沉积时会形成一种精细的微纳结构,这种精细的微纳结构类似于微透镜或者是具有诸多微球的散射层,薄膜的表面粗糙度也会进一步增大,如图3所示,为了更明确的示意出光线的走向,该图仅示出了阳极层2、发光层5、阴极层8以及光取出层9,设置在阴极层8之上有C70材料形成的光取出层9可以将原本入射角大于临界角的射线角度缩小,减少出射光的全反射,提升光取出率。且该光取出层9在整个可见光范围内透过率比较高,可以保证产生的光子不会被其过多的吸收;利用C70自身的堆积方式,光取出层9形成一种精细的微纳结构,减少全反射,增加光取出,同时,C70薄膜的折射率比较高(约1.9)。
优选的,上述阴极层8为半透明金属电极层,且该半透明金属电极层为镁银合金材料,该半透明金属电极层中镁:银的质量比约为1:9。
优选的,上述阳极层2为高反射阳极层:Ag(银)/ITO(Indiumtinoxide,氧化铟锡)材料。
优选的,上述光取出层9的厚度为(例如 或者均可)。
实施例二:
如图2所示,本发明还提供了一种OLED器件的制备方法,该方法包括如下步骤:
首先,提供一TFT阵列基板。
其次,于TFT阵列基板上按照从下至上的顺序依次形成阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层。
接下来,于阴极层之上形成光取出层以将阴极层的上表面予以覆盖;
其中,上述光取出层的材质包括球形分子材料。
在本发明一个优选的实施例中,上述光取出层的材质为C70或C60。
在本发明一个优选的实施例中,上述光取出层形成有若干微纳结构,以提升光取出层的光取出效率。。
在本发明一个优选的实施例中,通过热蒸发的方式于上述阴极层之上形成光取出层。
在本发明一个优选的实施例中,上述光取出层的厚度为
在本发明一个优选的实施例中,上述阴极层为半透明金属电极层。
在此基础上,进一步的,上述半透明金属电极层的材料为镁银合金。
下面结合具体的实施例对本发明作进一步的阐述:
如图1所示,本实施例涉及一种OLED器件的制备方法,具体包括如下步骤:
提供一TFT阵列基板。
在该TFT阵列基板上形成高反射阳极层:Ag/ITO材料层。
在高反射阳极层上面蒸镀一层的空穴注入材料NPB:F4-TCNQ,其中F4-TCNQ所占的质量分数为3%,NPB和F4-TCNQ的蒸镀速率分别控制在
在空穴注入层上面蒸镀一层的空穴传输层CBP,蒸镀速率控制在
接着蒸镀一层的发光层CBP:Ir(ppy)3(10%),其中Ir(ppy)3所占的质量分数为10%。CBP和Ir(ppy)3的蒸镀速率分别控制在
在发光层上面蒸镀一层的电子传输层TPBI:Liq(5:5),其中Liq(八羟基喹啉锂)所占的质量分数为50%。TPBI和Liq的蒸镀速率均控制在
接着蒸镀一层厚度为的半透明金属电极层Mg::Ag(1:9)作为阴极,其中Mg所占的质量分数为10%。Mg和Ag的蒸镀速率分别控制在
在半透明金属电极的上面蒸镀一层(例如 或者均可)的C70作为光取出层(即在用顶发射微腔共振技术的基础上,通过热蒸发的方式蒸镀形成该光取出层),其中C70蒸镀速率控制在
在本实施例中,该OLED器件为顶发射OLED器件,且该OLED器件的功能层均在在10-5Pa的高真空下蒸镀形成。
不难发现,本实施例为与上述OLED器件的实施例相对应的方法实施例,本实施例可与上述OLED器件的实施例互相配合实施。上述OLED器件的实施例中提到的相关技术细节在本实施例中依然有效,为了减少重复,这里不再赘述。相应地,本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在上述OLED器件的实施例中。
此外,上述实施例一和实施例二中的C70材料还可以替换成具有类似结构的C60,C60的分子也为球形结构,因此由C60形成的光取出层也形成有若干微纳结构,可以减少OLED器件出光的全反射,提升光取出率。除此之外,其它具有球形分子的材料也可以用作光取出层以提升光取出率。
综上,本发明公开了一种OLED器件及其制备方法,通过在半透明的金属电极层上面蒸镀一光取出层,且该光取出层由球形分子材料形成,由于球形分子的特殊结构,使得光取出层中形成有若干微纳结构以减少OLED器件出光的全反射,提升光取出率,增强OLED器件发光性能,同时降低了生产成本。
本领域技术人员应该理解,本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现变化例,在此不做赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容,在此不予赘述。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施;任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例,这并不影响本发明的实质内容。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (12)

1.一种OLED器件,其特征在于,包括:
TFT阵列基板;
阳极层,位于所述TFT阵列基板之上;
发光层,位于所述阳极层之上;
阴极层,位于所述发光层之上;以及
光取出层,位于所述阴极层之上;
其中,所述光取出层的材质包括球形分子材料。
2.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述光取出层的材质为C70或C60。
3.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述光取出层形成有若干微纳结构。
4.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述阴极层为半透明金属电极层。
5.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述OLED器件还包括:
空穴传输层,位于所述阳极层与所述发光层之间;
电子传输层,位于所述发光层与所述阴极层之间。
6.如权利要求5所述的OLED器件,其特征在于,所述OLED器件还包括:
空穴注入层,位于所述阳极层与所述空穴传输层之间;
电子注入层,位于所述电子传输层与所述阴极层之间。
7.如权利要求1~6中任意一项所述的OLED器件,其特征在于,所述光取出层的厚度为
8.一种OLED器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一TFT阵列基板;
于所述TFT阵列基板上按照从下至上的顺序依次形成阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层;
于所述阴极层之上形成光取出层以将所述阴极层的上表面予以覆盖;
其中,所述光取出层的材质包括球形分子材料。
9.如权利要求8所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,所述光取出层的材质为C70或C60。
10.如权利要求8所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,所述光取出层形成有若干微纳结构。
11.如权利要求8所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,通过热蒸发的方式于所述阴极层之上形成所述光取出层。
12.如权利要求8-11任一项所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,所述光取出层的厚度为
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