CN203807549U - 单枪多靶材的溅镀装置 - Google Patents

单枪多靶材的溅镀装置 Download PDF

Info

Publication number
CN203807549U
CN203807549U CN201320856742.5U CN201320856742U CN203807549U CN 203807549 U CN203807549 U CN 203807549U CN 201320856742 U CN201320856742 U CN 201320856742U CN 203807549 U CN203807549 U CN 203807549U
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
sputtering chamber
sputtering
sputter
rotating disk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201320856742.5U
Other languages
English (en)
Inventor
吴金龙
徐永桓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LJ-UHV TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
LJ-UHV TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LJ-UHV TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical LJ-UHV TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201320856742.5U priority Critical patent/CN203807549U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203807549U publication Critical patent/CN203807549U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Aiming, Guidance, Guns With A Light Source, Armor, Camouflage, And Targets (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种单枪多靶材的溅镀装置,包含:一溅射腔,为腔体结构,该溅射腔为一可达到高真空的腔体;一标靶转盘,包含一盘体位在该溅射腔之内,该盘体上包含至少两穿孔,用于安置溅射所需要的靶材;一被镀物,安装在该溅射腔的一侧,而且对齐该标靶转盘中的一靶材;当该标靶转盘转动时,该被镀物也跟着对齐该标靶转盘中不同的靶材;当该标靶转盘上的靶材受驱动后,急速溅射向该被镀物,而在该被镀物上形成一层膜,即所谓的溅镀膜;一溅镀枪,其投射端对齐该被镀物,在安装态时该标靶转盘位于该被镀物及溅镀枪之间;该溅镀枪将会产生高电压、雷射、射频电波等不同的热源驱动靶材,以使得靶材的分子游离溅射到被镀物上。

Description

单枪多靶材的溅镀装置
技术领域
本实用新型是有关于一种溅镀装置,尤其是一种单枪多靶材的溅镀装置。 
背景技术
请参考图1,现有技术中的溅射腔1’,如欲同时在一被镀物上溅镀数种靶材,则必须有数个溅镀枪4’,各溅镀枪的前端安装有靶材,该溅镀枪将会产生高电压、雷射、射频电波等不同的热源驱动靶材,以使得靶材的分子游离溅射到被镀物3’上。该溅镀枪的投射端是在该溅射腔内,而另一端则延伸到该溅射腔1’外,以使得操作人员可以进行所需要的操作。另外设有一转盘2’,为一盘体2’位于该溅射腔1’之内,该盘体可乘载一被镀物3’,该转盘2’尚包含驱动结构,该驱动结构包含:一转动轴,该转动轴的一端固定在该标靶转盘的中心部位,另一端延伸出该溅射腔之外,并连接一驱动器(也位于该溅射腔外),该驱动器可以进行径向转动而使得该转盘旋转。 
在溅镀时转动转盘,使得溅镀枪的靶材对齐转盘上的被镀物,然后溅镀枪应用高电压、雷射、射频电波等不同的热源驱动靶材,以使得靶材的分子游离溅射到被镀物上。当完成一种靶材的溅镀后,再旋转该转盘使得该被镀物对齐到另一溅镀枪,进行同一动作。使一操作反复进行直到得到所需要的溅镀结果。 
在上述的现有技术中,一溅镀枪只对齐一靶材,因此若要溅镀两种靶材则需要两只溅镀枪,以此类推,若需要多种靶材,就需要多把溅镀枪,且溅射腔需要较大的空间,所以成本较高。另外操作时,必须反复 打开该溅射腔,破坏其真空度,再建立真空,整体操作时间拉长,而且此一过程又会造成对被镀物镀膜的损害,而影响整个溅镀品质。因此若能提出一种能够简省成本及空间的溅射程序,必能带来更高的经济效益,且增进溅镀的品质。 
因此本实用新型的发明人鉴于对现有技术的了解,所以希望能提出一崭新的结构,因此构思具新颖性的本实用新型以解决上述现有技术中的缺点。 
实用新型内容
所以本实用新型的目的是为解决上述现有技术上的问题,本实用新型中提出一种单枪多靶材的溅镀装置,其优点为仅需使用一溅镀枪,一方面节省成本,再者,溅射腔的体积可以缩小,一般体积可以减少到原来的一半,不只可以节省成本,而且抽真空的作业可以快速达成。可以同时配置多个靶材,所以更换靶材的操作数也较少,因此可以使得该溅射腔维持良好的真空度。 
为达到上述目的本实用新型中提出的主要技术方案是: 
一种单枪多靶材的溅镀装置,其包含下列元件:一个溅射腔,为腔体结构,该溅射腔为一个可达到高真空的腔体;一个标靶转盘,包含一个盘体位于该溅射腔之内,该盘体上包含用于安置溅射所需要的靶材的至少两个穿孔;一个被镀物,安装在该溅射腔的一侧,而且对齐该标靶转盘中的一个靶材;当该标靶转盘转动时,该被镀物也跟着对齐该标靶转盘中不同的靶材;;一把能产生高电压、雷射、射频电波等不同的热源驱动靶材以使得靶材的分子游离溅射到被镀物上的溅镀枪,其投射端对齐该被镀物,在安装态时该标靶转盘位于该被镀物及溅镀枪之间。 
其中,当该标靶转盘上的靶材受驱动后,急速溅射向该被镀物,而 在该被镀物上形成一层膜,即所谓的溅镀膜。 
本实用新型的一个实施例中,该标靶转盘尚包含驱动结构,该驱动结构包含:一根转动轴,该转动轴的一端固定在该标靶转盘的中心部位,另一端延伸出该溅射腔之外,并连接一个也位于该溅射腔外且能使该转动轴沿着轴向移动而推动该标靶转盘或进行径向转动而使得该标靶转盘旋转的驱动器。 
本实用新型的一个实施例中,该溅镀枪的投射端在该溅射腔内,而另一端则延伸到该溅射腔外以使得操作人员进行所需要的操作。 
本实用新型的一个实施例中,该标靶转盘具有最多能容纳四种不同的靶材的四个穿孔。 
本实用新型的有益效果是:本实用新型的单枪多靶材的溅镀装置,其仅需使用一溅镀枪,一方面节省成本,再者,溅射腔的体积可以缩小,一般体积可以减少到原来的一半,不只可以节省成本,而且抽真空的作业可以快速达成。可以同时配置多个靶材,所以更换靶材的操作数也较少,因此可以使得该溅射腔维持良好的真空度。 
由下文的说明可更进一步了解本实用新型的特征及其优点,阅读时并请参考附图。 
附图说明
图1显示现有技术的示意图。 
图2显示本实用新型的立体图。 
图3显示本实用新型的应用示意图。 
图4显示本实用新型的应用示意图。 
【主要元件符号说明】 
1 溅射腔 
2 标靶转盘 
3 被镀物 
4 溅镀枪 
20  穿孔 
21  转动轴 
22  驱动器 
201 靶材。 
具体实施方式
兹谨就本实用新型的结构组成,及所能产生的功效与优点,配合附图,举本实用新型的一较佳实施例详细说明如下。 
请参考图2至图4所示,显示本实用新型的单枪多靶材的溅镀装置,包含下列元件: 
一溅射腔1,为一腔体结构,用于容纳本实用新型的其他元件;该溅射腔为一高真空的腔体。主要是溅射程序必须在高度真空下进行。 
一标靶转盘2,包含一盘体位于该溅射腔之内,该盘体上包含至少两穿孔20,是用于安置溅射所需要的靶材;图中显示该标靶转盘具有四个穿孔,所以最多可容纳四种不同的靶材201;该标靶转盘尚包含驱动结构,该驱动结构包含:一转动轴21,该转动轴的一端固定在该标靶转盘的中心部位,另一端延伸出该溅射腔之外,并连接一驱动器22(也位于该溅射腔外),该驱动器可以使该转动轴沿着轴向移动而推动该标靶转盘;或进行径向转动而使得该标靶转盘旋转。 
其中该靶材201可为各种不同的金属、玻璃等材料,而可应用高电压、雷射、射频电波等不同的热源驱动后,而使该靶材的粒子脱离靶材而射出。 
一被镀物3,安装在该溅射腔的一侧,而且对齐该标靶转盘中的一靶材。当该标靶转盘转动时,该被镀物也跟着对齐该标靶转盘中不同的靶材。当该标靶转盘上的靶材受驱动后,急速溅射向该被镀物,而在该被镀物上形成一层膜,即所谓的溅镀膜。 
一溅镀枪4,其投射端对齐该被镀物,在安装态时该标靶转盘位于该被镀物及溅镀枪之间;该溅镀枪将会产生高电压、雷射、射频电波等不同的热源驱动靶材,以使得靶材的分子游离溅射到被镀物上。该溅镀枪的投射端是在该溅射腔内,而另一端则延伸到该溅射腔外,以使得操作人员可以进行所需要的操作。 
本实用新型的操作方式说明如下: 
首先依据溅射靶材的种类数,在该标靶转盘盘体的穿孔,安装所需要的溅射靶材。并且将被镀物安装到溅射腔的既定位置,然后对该溅射腔抽取空气,达到所需要的真空度,然后将该转盘调整到所需要的位置点,即将需要的靶材调整到介于该被镀物及溅射腔之间的位置,而使得该溅射腔的投射端、该靶材、及该被镀物位于一直线上,然后再驱动该转盘进行轴向移动,而使得需溅射的靶材紧贴在该溅射腔的投射端。然后该溅镀枪投射热源以使得该靶材上的分子溅射向被镀物。当被镀物上的薄膜达到所需要的厚度及浓度时,则旋转该转盘使得下一个溅射靶材对齐该溅射腔的投射端,进行溅射的动作。上述操作可以反复进行,而在该被镀物上溅射出所需要的薄膜。 
本实用新型的优点为仅需使用一溅镀枪,一方面节省成本,再者, 溅射腔的体积可以缩小,一般体积可以减少到原来的一半,不只可以节省成本,而且抽真空的作业可以快速达成。可以同时配置多个靶材,所以更换靶材的操作数也较少,因此可以使得该溅射腔维持良好的真空度。 
综上所述,本实用新型人性化的体贴设计,相当符合实际需求。其具体改进现有缺失,相较于现有技术明显具有突破性的进步优点,确实具有功效的增进,且非易于达成。本实用新型未曾公开或揭露于国内与国外的文献与市场上,已符合专利法规定。 
上列详细说明是针对本实用新型的一可行实施例的具体说明,惟该实施例并非用以限制本实用新型的专利范围,凡未脱离本实用新型技艺精神所作的等效实施或变更,均应包含于本实用新型的专利范围中。 

Claims (5)

1.一种单枪多靶材的溅镀装置,其特征在于,包含下列元件:
一个溅射腔,为腔体结构,该溅射腔为一个可达到高真空的腔体;
一个标靶转盘,包含一个盘体位于该溅射腔之内,该盘体上包含用于安置溅射所需要的靶材的至少两个穿孔; 
一个被镀物,安装在该溅射腔的一侧,而且对齐该标靶转盘中的一个靶材;当该标靶转盘转动时,该被镀物也跟着对齐该标靶转盘中不同的靶材;
一把能产生高电压、雷射、射频电波等不同的热源来驱动靶材以使得靶材的分子游离溅射到被镀物上的溅镀枪,其投射端对齐该被镀物,在安装态时该标靶转盘位于该被镀物及溅镀枪之间。
2.如权利要求1所述的单枪多靶材的溅镀装置,其特征在于:还设有对该溅射腔抽取空气达到所需要的真空度的抽真空装置,当将该转盘调整到溅射所需要的位置点时,需要溅射的靶材被调整到介于该被镀物及溅射腔之间的位置,且该溅射腔的投射端、该靶材、及该被镀物位于一条直线上,且是通过驱动该转盘进行轴向移动使得需溅射的靶材紧贴在该溅射腔的投射端的。
3.如权利要求1所述的单枪多靶材的溅镀装置,其特征在于:该标靶转盘尚包含驱动结构,该驱动结构包含:一根转动轴,该转动轴的一端固定在该标靶转盘的中心部位,另一端延伸出该溅射腔之外,并连接一个也位于该溅射腔外且能使该转动轴沿着轴向移动而推动该标靶转盘或进行径向转动而使得该标靶转盘旋转的驱动器。
4.如权利要求1所述的单枪多靶材的溅镀装置,其特征在于:该溅镀枪的投射端在该溅射腔内,而另一端则延伸到该溅射腔外以使得操作人员进行所需要的操作。
5.如权利要求1所述的单枪多靶材的溅镀装置,其特征在于:该标靶转盘具有最多能容纳四种不同的靶材的四个穿孔。
CN201320856742.5U 2013-12-24 2013-12-24 单枪多靶材的溅镀装置 Expired - Fee Related CN203807549U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320856742.5U CN203807549U (zh) 2013-12-24 2013-12-24 单枪多靶材的溅镀装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320856742.5U CN203807549U (zh) 2013-12-24 2013-12-24 单枪多靶材的溅镀装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203807549U true CN203807549U (zh) 2014-09-03

Family

ID=51446332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201320856742.5U Expired - Fee Related CN203807549U (zh) 2013-12-24 2013-12-24 单枪多靶材的溅镀装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN203807549U (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109912229A (zh) * 2017-12-13 2019-06-21 湘潭宏大真空技术股份有限公司 大面积azo玻璃镀膜生产线
CN109913844A (zh) * 2017-12-12 2019-06-21 湘潭宏大真空技术股份有限公司 用于大面积azo透明导电玻璃的磁控溅射镀膜生产线
CN109913832A (zh) * 2017-12-12 2019-06-21 湘潭宏大真空技术股份有限公司 用于大面积玻璃磁控溅射镀膜生产线的溅镀装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109913844A (zh) * 2017-12-12 2019-06-21 湘潭宏大真空技术股份有限公司 用于大面积azo透明导电玻璃的磁控溅射镀膜生产线
CN109913832A (zh) * 2017-12-12 2019-06-21 湘潭宏大真空技术股份有限公司 用于大面积玻璃磁控溅射镀膜生产线的溅镀装置
CN109912229A (zh) * 2017-12-13 2019-06-21 湘潭宏大真空技术股份有限公司 大面积azo玻璃镀膜生产线

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11286555B2 (en) Magnetically enhanced high density plasma-chemical vapor deposition plasma source for depositing diamond and diamond-like films
KR101097329B1 (ko) 스퍼터링 장치
CN203807549U (zh) 单枪多靶材的溅镀装置
US10957519B2 (en) Magnetically enhanced high density plasma-chemical vapor deposition plasma source for depositing diamond and diamond-like films
JP5004931B2 (ja) スパッタ源、スパッタリング装置、及びスパッタリング方法
JP5265811B2 (ja) スパッタ成膜装置
TWI426144B (zh) Sputtering apparatus and sputtering film forming method
CN104109841A (zh) 磁控溅射倾斜沉积镀膜装置
JP2011202217A (ja) マグネトロンスパッタリング装置、及び、スパッタリング方法
CN106011765A (zh) 一种磁控溅射真空镀膜设备
US9175382B2 (en) High metal ionization sputter gun
CN204369978U (zh) 射频磁控溅射仪
CN109154076A (zh) 成膜方法和溅射装置
JP2020200525A (ja) マグネトロンスパッタリング装置用のカソードユニット
JP5002532B2 (ja) スパッタリング方法及びスパッタリング装置
CN109841468B (zh) 磁控管组件、磁控溅射腔室及半导体加工设备
CN104835549B (zh) 载能离子减能辐照装置
CN213447281U (zh) 一种新型磁控溅射靶材组件
CN208378981U (zh) 一种旋转式磁控溅射装置
CN210176945U (zh) 一种真空磁控旋转双面镀膜夹具
CN209307479U (zh) 一种集成离子蚀刻、多弧离子以及磁控溅射为一体的真空镀膜机
CN103177917B (zh) 一种磁控管以及应用该磁控管的磁控溅射设备
CN104651793A (zh) 一种多晶硅表面金属薄膜的制备装置及其制备方法
CN110144558B (zh) 一种磁控溅射镀膜设备
US9449800B2 (en) Sputtering apparatus and sputtering method

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20140903

Termination date: 20181224