CN204369978U - 射频磁控溅射仪 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种射频磁控溅射仪，包括机架，机架上设有真空室及溅射电源，真空室内设有载物台及靶头，基片承载在载物台上；所述载物台旋转设置在真空室内，靶头设置在载物台上方，载物台与靶头之间设有预溅射挡板，预溅射挡板上镀设有镀膜靶材，溅射电源为射频电源，与镀膜靶材电连接。本实用新型在真空的环境下利用真空室内载物台的旋转，配合利用射频电源、预溅射挡板的溅射方式，能够有效提高镀膜的均匀度。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种镀膜装置，具体涉及一种射频磁控溅射仪。
背景技术
磁控溅射是70年代迅速发展起来的一种“高速低温溅射技术”。现代的磁控镀膜设备，可分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。磁控溅射的特点是成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好，可实现大面积镀膜。磁控溅射仪作为一种样品镀膜及非导体材料实验电极制作设备，已经广泛应用在研究院校和实验室当中。
现有技术中的磁控溅射仪的不足之处主要在于：镀膜层与基材的结合力弱、镀膜层不致密、不均匀。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种结构简单、镀膜均匀的射频磁控溅射仪。
一种射频磁控溅射仪，包括机架，机架上设有真空室及溅射电源，真空室内设有载物台及靶头，基片承载在载物台上；所述载物台旋转设置在真空室内，靶头设置在载物台上方，载物台与靶头之间设有预溅射挡板，预溅射挡板上镀设有镀膜靶材，溅射电源为射频电源，与镀膜靶材电连接。
作为对上述技术方案的进一步描述：
所述载物台中设有加热元件，加热元件通过CF法兰刀口和紫铜密封圈真空密封在载物台中。
作为对上述技术方案的进一步描述：
所述真空室的材质为石英玻璃，真空室上开设有真空抽气口，真空泵通过管路与真空抽气口相连通。
作为对上述技术方案的进一步描述：
所述载物台底部设有旋转轴，旋转轴的另一端穿透真空室底壁，连接在齿轮机构上，旋转轴与真空室底壁的缝隙中密封填充有硅胶密封圈。
作为对上述技术方案的进一步描述：
所述载物台为伸缩结构。
本实用新型在真空的环境下利用真空室内载物台的旋转，配合利用射频电源、预溅射挡板的溅射方式，能够有效提高镀膜的均匀度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的结构示意图(单靶)。
图2为本实用新型的结构示意图(三靶)。
图例说明：
1、机架；2、真空室；21、真空抽气口；3、载物台；4、靶头；5、预溅射挡板；6、射频电源；7、旋转轴；8、齿轮机构。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。
参见图1，本实用新型提供的一种射频磁控溅射仪，包括机架1，机架1上设有真空室2及溅射电源，真空室2内设有载物台3及靶头4，基片承载在载物台3上，为了解决背景技术中所述的技术问题，本实用新型的技术方案是，载物台3旋转设置在真空室2内，靶头4设置在载物台3上方，载物台3与靶头4之间设有预溅射挡板5，预溅射挡板5上镀设有镀膜靶材，溅射电源为射频电源6，与镀膜靶材电连接。
使用时，将真空室2调节到合适的真空度时后，旋转载物台3，选择合适的靶头4与靶材，通过调节射频电源6，匹配调节出合适的高压进行镀膜，开始镀膜前手动旋转预溅射挡板5，把镀膜靶材氧化面镀在挡板上，避免污染基片。待稳定后，手动旋转预溅射挡板5，使靶材直接对着载物台3上的基片进行镀膜。由于载物台3可以旋转，配合利用射频电源6、预溅射挡板5的溅射方式，能够有效提高镀膜的均匀度。
本实施例中，载物台3中设有加热元件，加热元件通过CF法兰刀口和紫铜密封圈真空密封在载物台3中。目的在于可以在对基片镀膜的同时进行加热，提高镀膜效率及质量。
本实施例中，真空室2的材质为石英玻璃，真空室2上开设有真空抽气口21，真空泵(图未示)通过管路与真空抽气口21相连通。目的在于，石英玻璃具有较好的强度及耐热性，利用真空抽气口21、真空泵进行抽真空，便于操作及对设备的检修维护。
本实施例中，载物台3底部设有旋转轴7，旋转轴7的另一端穿透真空室2底壁，连接在齿轮机构8上，通过齿轮机构8带动旋转，旋转轴7与真空室2底壁的缝隙中密封填充有硅胶密封圈。目的在于，通过齿轮机构8能够稳定的带动载物台3进行转动，并且制造成本较低，配合硅胶密封圈(可采用挤压方式)，能够确保真空室2在载物台3旋转时的真空度。
本实施例中，靶头4的尺寸及数量可根据使用需要进行选择，例如图1所示的一英寸单靶或如图2所示的一英寸三靶。
本实施例中，载物台3为伸缩结构(例如波纹结构等)。可方便对高度进行对应调节。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种射频磁控溅射仪，包括机架，机架上设有真空室及溅射电源，真空室内设有载物台及靶头，基片承载在载物台上，其特征在于：所述载物台旋转设置在真空室内，靶头设置在载物台上方，载物台与靶头之间设有预溅射挡板，预溅射挡板上镀设有镀膜靶材，溅射电源为射频电源，与镀膜靶材电连接。
2.根据权利要求1所述的射频磁控溅射仪，其特征在于：所述载物台中设有加热元件，加热元件通过CF法兰刀口和紫铜密封圈真空密封在载物台中。
3.根据权利要求1所述的射频磁控溅射仪，其特征在于：所述真空室的材质为石英玻璃，真空室上开设有真空抽气口，真空泵通过管路与真空抽气口相连通。
4.根据权利要求1所述的射频磁控溅射仪，其特征在于：所述载物台底部设有旋转轴，旋转轴的另一端穿透真空室底壁，连接在齿轮机构上，旋转轴与真空室底壁的缝隙中密封填充有硅胶密封圈。
5.根据权利要求1所述的射频磁控溅射仪，其特征在于：所述载物台为伸缩结构。
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|---|---|---|---|---|
| CN106034371A (zh) * | 2016-06-17 | 2016-10-19 | 西安交通大学 | 等离子体射流阵列协同机械旋转运动的材料处理装置 |
| CN109207951A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-01-15 | 宁波工程学院 | 一种非均匀多层薄膜的镀膜设备 |
| CN112746254A (zh) * | 2019-10-29 | 2021-05-04 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种磁控溅射靶挡板机构 |
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