CN108754444A - 一种pvd镀膜装置 - Google Patents
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Abstract
本发明属于真空镀膜技术领域,具体涉及一种物理气相沉积PVD装置,包括真空室,设置在真空室内的工件架、离子源系统、溅射电源,以及若干双组孪生磁控靶,所述工件架为立式旋转式结构,所述离子源系统采用立式条形大面积离子源。该镀膜装置的真空室容量大,工件架装载量大,镀膜效率大大提高,其还能较好地进行镀膜前处理,以提高镀膜效果,此外,能配合不同靶材进行镀膜,实现真空磁控溅射镀膜膜层种类的多样性,单一镀膜周期就能完成不同膜系的制备,提高生产效率。
Description
技术领域
本发明属于真空镀膜技术领域,具体涉及一种物理气相沉积PVD装置。
背景技术
现有技术中,针对目前传统光学薄膜真空镀膜工艺中,电子枪镀膜中产品装载量的局限性,光学薄膜膜系设计的复杂性和膜层数的增加,对应所需蒸发材料的种类和填料量也对应增加,无法满足大容量和长时间的镀膜需求。
此外,电子枪蒸发膜料的种类不同,所需的蒸发温度和电子枪的功率也有所不同,单一电子枪的使用就有所限制。
镀膜前基片的放电预处理,也同样需要大面积,稳定的离子源进行基片表面油质和表面活化处理,才能更好的提高镀膜材料与基片之间的附着力,从而提高镀膜效果。
因此,研发一种待镀工件装载量大、能更好的进行镀膜前预处理提高镀膜效果的PVD镀膜装置迫在眉睫。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,特别公开一种PVD镀膜装置,该镀膜装置的真空室容量大,工件架装载量大,镀膜效率大大提高,其还能较好地进行镀膜前处理,以提高镀膜效果,此外,能配合不同靶材进行镀膜,实现真空磁控溅射镀膜膜层种类的多样性,单一镀膜周期就能完成不同膜系的制备,提高生产效率。
为了达到上述技术目的,本发明是按以下技术方案实现的:
本发明所述的PVD镀膜装置,包括真空室,设置在真空室内的工件架、离子源系统、溅射电源,以及若干双组孪生磁控靶,所述工件架为立式旋转式结构,所述离子源系统采用立式条形大面积离子源。
作为上述技术的进一步改进,所述真空室为大容积真空室,所述工件架上设有22至28个用于安装工件的安装轴。
作为上述技术的更进一步改进,所述双组孪生磁控靶上靶材的数量为20-22个。
在本发明中,所述双组孪生磁控靶上靶材为金属靶材或非金属靶材。
在本发明中,所述溅射电源为高功率、高压溅射电源。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
(1)本发明所述的PVD镀膜机,其通过加大真空镀膜腔室,样品工件架最多可达28轴,采用立式旋转结构设计,能够在单位体积内放置更多镀膜样品,与现有市场上的镀膜设备装载量多出20%-30%,进一步提高镀膜效率,满足工业化生产镀膜的需求;
(2)本发明所述的PVD镀膜机,由于设置有立式条形大面积离子源,大面积多弧离子源和柱弧的使用,利用了离子源离化率高的特点,镀膜前通过条形离子源放电处理基材表面,放电预处理能够通过高能粒子的表面轰击,取出表面油质,更能活化基材表面,又降低了离化时基材的表面温度,使得沉积薄膜的颗粒细腻,提高镀层薄膜的表面致密性,同时也提高了膜层在基材表面的附着力;
(3)本发明所述的PVD镀膜机,双组孪生磁控靶结合高功率溅射电源的使用,高压溅射电源的使用能够提高薄膜沉积速率,可以同时装载不同种类的金属和非金属靶材,实现真空磁控溅射镀膜膜层种类的多样性;
(4)本发明所述的PVD镀膜机,可根据不同的镀膜工艺要求装载不同类型的靶材材料,金属薄膜的制备可采用直流电源进行溅射镀膜,非金属靶材可采用中频高压溅射电源或射频高压电源进行溅射镀膜,更加具有选择性,从而实现单一镀膜周期就能完成不同膜系的制备,提高生产效率。
附图说明
下面结合附图和具体实施例对本发明做详细的说明:
图1是本发明所述的PVD镀膜机结构示意图。
具体实施方式
本发明所述的PVD镀膜装置,包括真空室1,设置在真空室1内的工件架2、离子源系统3、溅射电源,以及若干双组孪生磁控靶4,所述工件架2为立式旋转式结构,所述离子源系统3采用立式条形大面积离子源,其包括大面积多弧离子源和柱弧离子源,大面积多弧离子源和柱弧的使用,利用了离子源离化率高的特点,镀膜前通过条形离子源放电处理基材表面,放电预处理能够通过高能粒子的表面轰击,取出表面油质,更能活化基材表面,又降低了离化时基材的表面温度,使得沉积薄膜的颗粒细腻,提高镀层薄膜的表面致密性,同时也提高了膜层在基材表面的附着力;
在本发明中,所述真空室1为大容积真空室,所述工件架2上设有22至28个用于安装工件的安装轴,能够在单位体积内放置更多镀膜样品,镀膜效率大大提高,满足工业化生产镀膜的需求。
此外,所述双组孪生磁控靶4上安装靶材的数量为20-22个,且所述双组孪生磁控靶上靶材为金属靶材或非金属靶材,所述溅射电源为高功率、高压溅射电源,双组孪生磁控靶结合高功率溅射电源的使用,高压溅射电源的使用能够提高薄膜沉积速率,可以同时装载不同种类的金属和非金属靶材,根据不同的镀膜工艺要求装载不同类型的靶材材料,金属薄膜的制备可采用直流电源进行溅射镀膜,非金属靶材可采用中频高压溅射电源或射频高压电源进行溅射镀膜,更加具有选择性,从而实现单一镀膜周期就能完成不同膜系的制备,实现真空磁控溅射镀膜膜层种类的多样性,提高生产效率。
本发明并不局限于上述实施方式,凡是对本发明的各种改动或变型不脱离本发明的精神和范围,倘若这些改动和变型属于本发明的权利要求和等同技术范围之内,则本发明也意味着包含这些改动和变型。
Claims (5)
1.一种PVD镀膜装置,其特征在于:包括真空室,设置在真空室内的工件架、离子源系统、溅射电源,以及若干双组孪生磁控靶,所述工件架为立式旋转式结构,所述离子源系统采用立式条形大面积离子源。
2.根据权利要求1所述的PVD镀膜装置,其特征在于:所述真空室为大容积真空室,所述工件架上设有22至28个用于安装工件的安装轴。
3.根据权利要求1所述的PVD镀膜装置,其特征在于:所述双组孪生磁控靶上靶材的数量为20-22个。
4.根据权利要求1至3任一项所述的PVD镀膜装置,其特征在于:所述双组孪生磁控靶上靶材为金属靶材或非金属靶材。
5.根据权利要求1至3任一项所述的PVD镀膜装置,其特征在于:所述溅射电源为高功率、高压溅射电源。
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