CN204224460U - 大面积高透镀膜玻璃 - Google Patents

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杨宏斌
李忠祥
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Abstract

一种大面积高透镀膜玻璃，包括玻璃基片，所述玻璃基片为浮法玻璃基片；在所述浮法玻璃基片上依次沉积第一氮化硅SiNx层、第一陶瓷AZO层、第一金属镍铬NiCr层、金属银Ag层、第二金属镍铬NiCr层、第二陶瓷AZO层和第二氮化硅SiNx层；所述第一氮化硅SiNx层厚度为50-100nm，所述第一陶瓷AZO层10-30nm，所述第一金属镍铬NiCr层厚度为3-10nm，所述金属银Ag层厚度为3-9nm，所述第二金属镍铬NiCr层厚度为3-10nm，第二陶瓷AZO层10-30nm，所述第二氮化硅SiNx层厚度为80-160nm。本实用新型的积极效果：解决因使用新型单靶直流溅射沉基陶瓷AZO靶制作高透产品时出现电纹状质量问题，适用于镀多层镀膜结构，能有效降低电源、靶材和其它附带费用。

Description

大面积高透镀膜玻璃
技术领域
本实用新型涉及镀膜玻璃应用领域，特别是一种大面积高透镀膜玻璃。
背景技术
在真空环境下制造玻璃，普遍使用单旋转AZO靶。采用“单靶直流溅射方式”用于溅射陶瓷AZO靶材，对直流溅射来说优点在于稳定性好、溅射率沉基率高、设备投资成本低廉可省下一根AZO靶材和一台中频电源一对端头费用。缺点是无法阴阳极转换，缺少阳极或者因阳极失效带来诸多问题。而且玻璃在镀膜过程中可能会因为电源脉冲不匹配造成尾部出现电纹。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是解决玻璃在镀膜过程中可能会因为电源脉冲不匹配造成尾部出现电纹，提供一种大面积高透镀膜玻璃。
为解决上述技术问题，本实用新型是按如下方式实现的：一种大面积高透镀膜玻璃，包括玻璃基片，所述玻璃基片为浮法玻璃基片；在所述浮法玻璃基片上依次沉积第一氮化硅SiNx层、第一陶瓷AZO层、第一金属镍铬NiCr层、金属银Ag层、第二金属镍铬NiCr层、第二陶瓷AZO层和第二氮化硅SiNx层；所述第一氮化硅SiNx层厚度为50-100nm,所述第一陶瓷AZO层10-30nm,所述第一金属镍铬NiCr层厚度为3-10nm,所述金属银Ag层厚度为3-9nm,所述第二金属镍铬NiCr层厚度为3-10nm,第二陶瓷AZO层第一陶瓷AZO层10-30nm，所述第二氮化硅SiNx层厚度为80-160nm。
本实用新型的积极效果：解决因使用新型单靶直流溅射沉基陶瓷AZO靶制作高透产品时出现电纹状质量问题，适用于镀多层镀膜结构，能有效降低电源、靶材和其它附带费用。
附图说明
图1是真空工艺溅射具备必须设备。
图中：1cathode(整个阴极) 2magnet(阴极体) 3target(靶材)4substrate(传输辊道) 5anode(阳极)6working gas(工艺气体) 7power supply(电源供应)
图2是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
如图2所示，本实用新型所述大面积高透镀膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片为浮法玻璃基片。在浮法玻璃基片上依次沉积第一氮化硅SiNx层、第一陶瓷AZO层、第一金属镍铬NiCr层、金属银Ag层、第二金属镍铬NiCr层、第二陶瓷AZO层和第二氮化硅SiNx层。
第一氮化硅SiNx层厚度为50-100nm,第一陶瓷AZO层厚度为10-30nm,第一金属镍铬NiCr层厚度为3-10nm,金属银Ag层厚度为3-9nm,第二金属镍铬NiCr层厚度为3-10nm,第二陶瓷AZO层厚度为10-30nm，第二氮化硅SiNx层厚度为80-160nm。
生产操作过程：
1)采用腔体能提供本底真气压达到5.0*10-6mbar以上,溅射气压达到2.0*10-3-5.0*10-3mbar左右环境。
2)单靶陶瓷AZO及银靶溅射腔室内壁传动辊子上O型圈必须保持清洁。
3)具备溅射用到的阴极包括阴极盖板、端头、靶村、电源、工艺气体环境和冷却水等。
4)采用单极性正脉冲磁控溅射直流电源用于控制单靶动力电源。
本实用新型的积极效果：解决因使用新型单靶直流溅射沉基陶瓷AZO靶制作高透产品时出现电纹状质量问题，适用于镀多层镀膜结构，能有效降低电源、靶材和其它附带费用。

Claims (1)

1.一种大面积高透镀膜玻璃，其特征在于，包括玻璃基片，所述玻璃基片为浮法玻璃基片；在所述浮法玻璃基片上依次沉积第一氮化硅SiNx层、第一陶瓷AZO层、第一金属镍铬NiCr层、金属银Ag层、第二金属镍铬NiCr层、第二陶瓷AZO层和第二氮化硅SiNx层；所述第一氮化硅SiNx层厚度为50-100nm,所述第一陶瓷AZO层厚度为10-30nm,所述第一金属镍铬NiCr层厚度为3-10nm,所述金属银Ag层厚度为3-9nm,所述第二金属镍铬NiCr层厚度为3-10nm,第二陶瓷AZO层厚度为10-30nm，所述第二氮化硅SiNx层厚度为80-160nm。
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