RU2727235C2 - Устройство нанесения покрытия с движущейся мишенью и способ нанесения покрытия - Google Patents

Устройство нанесения покрытия с движущейся мишенью и способ нанесения покрытия Download PDF

Info

Publication number
RU2727235C2
RU2727235C2 RU2017133532A RU2017133532A RU2727235C2 RU 2727235 C2 RU2727235 C2 RU 2727235C2 RU 2017133532 A RU2017133532 A RU 2017133532A RU 2017133532 A RU2017133532 A RU 2017133532A RU 2727235 C2 RU2727235 C2 RU 2727235C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
target
source
section
temperature
infrared heating
Prior art date
Application number
RU2017133532A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2017133532A3 (ru
RU2017133532A (ru
Inventor
Гопин ЦЯНЬ
Янкунь ЦЗИН
Чэньгие У
Бэй ВАН
Юй ЦЗИ
Original Assignee
Боэ Текнолоджи Груп Ко., Лтд.
Хэфэй Синьшэн Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Боэ Текнолоджи Груп Ко., Лтд., Хэфэй Синьшэн Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд. filed Critical Боэ Текнолоджи Груп Ко., Лтд.
Publication of RU2017133532A3 publication Critical patent/RU2017133532A3/ru
Publication of RU2017133532A publication Critical patent/RU2017133532A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2727235C2 publication Critical patent/RU2727235C2/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
    • C23C4/134—Plasma spraying
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C21/00—Alloys based on aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3421—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target using heated targets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
    • C23C2/04—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor characterised by the coating material
    • C23C2/06—Zinc or cadmium or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
    • C23C2/34—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor characterised by the shape of the material to be treated
    • C23C2/36—Elongated material
    • C23C2/40—Plates; Strips
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/021—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material including at least one metal alloy layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/10—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
    • H01L2221/1068—Formation and after-treatment of conductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к устройству и способу нанесения покрытия с подвижной мишенью. Устройство содержит мишень-источник; несущую мишень-источник секцию, выполненную с возможностью переноса и приведения в движение мишени-источника; секцию инфракрасного измерения температуры, выполненную с возможностью измерения температуры поверхности мишени-источника; секцию инфракрасного нагрева, выполненную с возможностью нагрева мишени-источника; секцию управления, выполненную с возможностью приема сигнала измерения от секции инфракрасного измерения температуры и определения того, является ли температура поверхности мишени-источника равномерной или нет. Секция управления дополнительно выполнена с возможностью управления секцией инфракрасного нагрева для нагрева участка, имеющего более низкую температуру поверхности мишени-источника, и остановки нагрева после того, как температура поверхности мишени-источника становится равномерной. Поверхность мишени-источника состоит из множества дискретных субмишеней-источников, и упомянутое множество дискретных субмишеней-источников размещено в кольцевой схеме расположения. 2.н. и 10 з.п. ф-лы, 5 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0001] Настоящее изобретение относится к устройству нанесения покрытия с подвижной мишенью (или устройству нанесения покрытия с движущейся мишенью) и способу нанесения покрытия и, в частности, относится к устройству нанесения покрытия с подвижной мишенью, содержащему секцию инфракрасного измерения температуры и секцию инфракрасного нагрева, а также к способу нанесения покрытия.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
[0002] Устройства отображения на органических светодиодах (ОСИД) имеют такие преимущества, как самоподсветка, высокая контрастность, малая толщина, широкий угол обзора, быстрый отклик, возможность изготовления гибких панелей, широкий диапазон рабочих температур, простота изготовления и т.д., и стали одним из ведущих направлений развития современной технологии плоских дисплеев. В процессе изготовления органических светоизлучающих устройств использование подвижных мишеней для покрытия позволяет повысить частоту использования мишени.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0003] Вариант осуществления настоящего раскрытия обеспечивает устройство нанесения покрытия с подвижной мишенью, содержащее: мишень-источник; несущую мишень-источник секцию, выполненную с возможностью переноса и приведения в движение мишени-источника; секцию инфракрасного измерения температуры, выполненную с возможностью измерения температуры поверхности мишени-источника; секцию инфракрасного нагрева, выполненную с возможностью нагрева мишени-источника; секцию управления, выполненную с возможностью приема сигнала измерения из секции инфракрасного измерения температуры и определения того, является ли температура поверхности мишени-источника равномерной или нет; причем секция управления дополнительно выполнена с возможностью управления секцией инфракрасного нагрева для нагрева участка, имеющего более низкую температуру поверхности мишени-источника, и остановки нагрева после того, как температура поверхности мишени-источника становится равномерной.
[0004] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, секция инфракрасного измерения температуры и секция инфракрасного нагрева подсоединены к несущей мишени-источнику секции, и секция инфракрасного измерения температуры и секция инфракрасного нагрева могут перемещаться синхронно с несущей мишень-источник секцией.
[0005] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, поверхность мишени-источника практически параллельна поверхности секции инфракрасного нагрева; нормальные проекции мишени-источника и секции инфракрасного нагрева на одну и ту же плоскость по меньшей мере частично перекрываются друг с другом.
[0006] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, площадь мишени-источника меньше или равна площади секции инфракрасного нагрева.
[0007] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например секция инфракрасного измерения температуры расположена между поверхностью мишени-источника и поверхностью секции инфракрасного нагрева.
[0008] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, поверхность мишени-источника составляет единое целое.
[0009] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, поверхность мишени-источника состоит из множества дискретных субмишеней-источников.
[0010] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, упомянутое множество дискретных субмишеней-источников размещено в кольцевой схеме расположения.
[0011] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, секция инфракрасного нагрева содержит множество излучающих листов для инфракрасного нагрева, секция управления дополнительно выполнена с возможностью в случае, когда секция управления определяет, что температура участка поверхности мишени-источника ниже температуры других участков, а значение разности температур превышает заранее заданное значение, активировать излучающий лист для инфракрасного нагрева или излучающие листы для инфракрасного нагрева напротив поверхности мишени-источника, на участке, имеющем более низкую температуру, и нагревать поверхность мишени-источника на участке, имеющем более низкую температуру, пока температура поверхности мишени-источника не станет равномерной, и остановить нагрев.
[0012] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, каждый из излучающих листов для инфракрасного нагрева содержит структуру сведения излучения.
[0013] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, секция инфракрасного нагрева содержит один излучающий лист для инфракрасного нагрева в случае, когда секция управления определяет, что температура участка поверхности мишени-источника ниже температуры других участков, а значение разности температур превышает заранее заданное значение, секция управления управляет излучающим листом для инфракрасного нагрева для включения и нагрева поверхности мишени-источника на участке, имеющем более низкую температуру, пока температура поверхности мишени-источника не станет равномерной, и остановки нагрева.
[0014] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, несущая мишень-источник секция содержит направляющую и опорную деталь мишени-источника, и опорная деталь мишени-источника выполнена с возможностью перемещения по направляющей, когда необходимо перемещать мишень-источник.
[0015] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, направляющая является дорожкой на магнитной подвеске, и дорожка на магнитной подвеске и опорная деталь мишени-источника выполнены с возможностью генерации электромагнитной силы отталкивания между ними для удержания опорной детали мишени-источника в подвешенном состоянии.
[0016] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, направляющая содержит дорожку на воздушной подушке, на которой предусмотрено множество отверстий для прохода воздуха, обращенных к опорной детали мишени-источника, причем упомянутое множество отверстий для прохода воздуха на дорожке на воздушной подушке выполнено с возможностью выпуска высокоскоростных газовых потоков для удержания опорной детали мишени-источника в подвешенном состоянии.
[0017] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, мишень-источник расположена практически параллельно земле.
[0018] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, секция инфракрасного нагрева расположена над мишенью-источником.
[0019] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, секция инфракрасного нагрева расположена практически параллельно земле.
[0020] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например мишень-источник расположена над секцией инфракрасного нагрева.
[0021] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например, мишень-источник и секция инфракрасного нагрева расположены практически перпендикулярно к земле.
[0022] Что касается устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту раскрытия изобретения, например секция инфракрасного измерения температуры содержит инфракрасную камеру.
[0023] Вариант осуществления настоящего изобретения предусматривает способ покрытия с использованием устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью, содержащего мишень-источник, несущую мишень-источник секцию, секцию инфракрасного измерения температуры для измерения температуры поверхности мишени-источника, секцию инфракрасного нагрева для нагрева мишени-источника и секцию управления, причем несущая мишень-источник секция несет мишень-источник и может приводить в движение мишень-источник свободно в трех пространственных измерениях, и секция инфракрасного измерения температуры и секция инфракрасного нагрева осуществляют связь посредством передачи сигналов с секцией управления, причем способ содержит этапы, на которых: секция управления принимает сигнал измерения от секции инфракрасного измерения температуры и определяет, является ли температура поверхности мишени-источника равномерной или нет, в случае, когда секция управления определяет, что температура участка поверхности мишени-источника ниже температуры других участков, а значение разности температур превышает заранее заданное значение, секция управления управляет секцией инфракрасного нагрева для нагрева поверхности мишени-источника на участке, имеющем более низкую температуру, пока температура поверхности мишени-источника не станет равномерной, и остановки нагрева.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
[0024] Для наглядной иллюстрации технического решения вариантов осуществления раскрытия ниже будут кратко описаны чертежи вариантов осуществления; очевидно, что описанные чертежи относятся лишь к некоторым вариантам осуществления изобретения и, таким образом, не ограничивают раскрытие.
[0025] фиг.1 - структурная схема устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту осуществления настоящего раскрытия;
[0026] фиг.2 - структурная схема устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно другому варианту осуществления настоящего раскрытия;
[0027] фиг.3 - вид сверху мишени-источника и секции инфракрасного нагрева устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту осуществления настоящего раскрытия;
[0028] фиг.4 - вид сверху мишени-источника и секции инфракрасного нагрева устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно другому варианту осуществления настоящего раскрытия; и
[0029] фиг.5 - структурная схема излучающего листа для инфракрасного нагрева и вращающего двигателя устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту осуществления настоящего раскрытия.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ
[0030] Для пояснения задач, технических деталей и преимуществ вариантов осуществления раскрытия технические решения вариантов осуществления будут описаны наглядно и доходчиво со ссылкой на чертежи, относящиеся к вариантам осуществления раскрытия. Очевидно, описанные варианты осуществления составляют лишь часть вариантов осуществления раскрытия. На основе описанных здесь вариантов осуществления специалисты в области техники могут получить другие варианты осуществления без применения изобретательского уровня, которые подлежат включению в объем изобретения.
[0031] Если не указано обратное, все используемые здесь технические и научные термины имеют тот же смысл, в котором их обычно употребляют специалисты в области техники, к которой относится настоящее изобретение. Термины ʺпервыйʺ, ʺвторойʺ и т.д., используемые в описании и формуле изобретения настоящей заявки, не предназначены для указания какой-либо последовательности, степени важности, но для различения различных компонентов. Кроме того, употребление наименования элемента в единственном числе не призвано ограничивать его количество, но указывает на наличие по меньшей мере одного из них. Термины ʺсодержатьʺ, ʺсодержащийʺ, ʺвключать в себяʺ, ʺвключающий в себяʺ и т.д. призваны указывать, что элементы или объекты, стоящие до этих терминов, охватывают элементы или объекты и их эквиваленты, перечисленные после этих терминов, но не исключают возможности существования других элементов или объектов. Выражения ʺсоединятьʺ, ʺсоединенныйʺ и т.д. не призваны указывать физическое соединение или механическое соединение, но могут подразумевать прямое или косвенное электрическое соединение.
[0032] Органические оптоэлектронные устройства, например, тонкопленочные транзисторы (TFT), светодиоды (СИД) и фотогальванические (PV) батареи, привлекали пристальное внимание исследователей в прошлом десятилетии. Органические полупроводники можно наносить на самые разнообразные подложки, что, по сравнению с неорганическими полупроводниками, позволяет упростить производство и снизить затраты. Несмотря на вышеупомянутые преимущества органические полупроводники предъявляют уникальные требования к обработке, которые могут ограничивать их применение. Например, светоизлучающее устройство и батарею фотогальванических элементов (PV) обычно получают из пленки сопряженных полимеров или мономеров, заключенный между проводящими электродами. Для полноцветных дисплеев и многотранзисторных схем сам активный органический слой также должен быть горизонтально шаблонирован. Однако типичный органический слой слишком хрупок, что не позволяет применять к нему традиционные способы обработки полупроводников, например, фотолитографию, плазменную обработку, реактивное ионное травление и т.п. Поэтому исследователи разработали ряд методов производства и шаблонирования, адаптированных к уникальным свойствам органических материалов, эти технологии в основном нацелены на упрощение обработки и снижение затрат.
[0033] При изготовлении органических светоизлучающих устройств использование подвижных мишеней для нанесения покрытия позволяет повысить частоту использования мишени. Однако согласно существующим способам изменение температуры кристаллизации тонкой пленки приводит к ухудшению равномерности формирования пленки. Вариант осуществления настоящего раскрытия, предусматривающий совместное использование секции инфракрасного нагрева и секции инфракрасного измерения температуры, позволяет гарантировать стабильность температуры поверхности движущейся мишени-источника и отсутствие температурных аномалий в течение всего процесса нанесения покрытия, что обеспечивает равномерность нанесенной пленки.
[0034] Вариант осуществления настоящего изобретения предусматривает устройство нанесения покрытия с подвижной мишенью, которое содержит мишень-источник, несущую мишень-источник секцию, секцию инфракрасного измерения температуры для измерения температуры поверхности мишени-источника, секцию инфракрасного нагрева для нагрева мишени-источника и секцию управления. Несущая мишень-источник секция несет мишень-источник и может приводить в движение мишень-источник, и для приведения в движение мишени-источника для перемещения, например, несущая мишень-источник секция несет мишень-источник, и обе совершают синхронизированное движение; секция инфракрасного измерения температуры и секция инфракрасного нагрева осуществляют связь посредством передачи сигналов с секцией управления, секция управления принимает сигналы измерения от секции инфракрасного измерения температуры и определяет, является ли температура поверхности мишени-источника равномерной, когда секция управления определяет, что температура участка поверхности мишени-источника ниже температуры других участков, а значение разности температур превышает заранее заданное значение, секция управления управляет секцией инфракрасного нагрева для нагрева поверхности мишени-источника на участке, имеющем более низкую температуру, и для остановки нагрева, когда температура поверхности мишени-источника равномерна.
[0035] На фиг.1 показана схема устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно варианту осуществления настоящего раскрытия. Как показано на чертеже, устройство нанесения покрытия с подвижной мишенью содержит мишень-источник 1, несущую мишень-источник секцию 2, секцию 3 инфракрасного измерения температуры для измерения температуры поверхности мишени-источника, секцию 4 нагрева для нагрева мишени-источника и секцию 10 управления. Секция 10 управления может содержать участок 5 подвода сигнала и секцию 6 обработки сигнала; в одном примере, секция 10 управления может дополнительно содержать секцию 7 активации.
[0036] Несущая мишень-источник секция 2 может нести мишень-источник 1 на своей несущей поверхности и может приводить в движение мишень-источник 1 для перемещения свободно в трех пространственных измерениях, например, во внутреннем пространстве устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью. Согласно варианту осуществления, как показано на чертеже, между мишенью-источником 1 и секцией 4 инфракрасного нагрева обеспечена подложка 8, подлежащая покрытию, которая расположена параллельно мишени-источнику 1. Размер подложки 8 в общем случае больше или равен размеру мишени-источника 1. В других примерах, например, как показано на фиг.2, между подложкой 8, подлежащей покрытию, и мишенью-источником 1 обеспечена секция 4 инфракрасного нагрева при условии, что секция инфракрасного нагрева не блокирует осаждение вещества, распыляемого от мишени 1, на подложку 8, подлежащую покрытию.
[0037] Это устройство нанесения покрытия с подвижной мишенью может использовать два способа проведения операция нанесения покрытия. Согласно первому способу, мишень-источник 1 закрепляется в положении для нанесения покрытия на подложку 8, находящуюся в соответствующем положении, после того, как толщина пленки подложки 8 в соответствующем положении достигает заранее заданной величины, несущая мишень-источник секция 2 приводит в движение мишень-источник 1 для перемещения в другое положение и продолжает повторять вышеописанный процесс. Согласно второму способу несущая мишень-источник секция 2 приводит в движение мишень-источник 1 для непрерывного перемещения для осуществления операции нанесения покрытия в сканирующем режиме в разные положения подложки 8. Мощность для приведения в движение несущей мишень-источник секции 2 может быть, например, от шагового двигателя, и приводной механизм может дополнительно содержать направляющие, резьбовые стержни, шестерни и т.д.
[0038] Несущая мишень-источник секция 2 может использовать дорожку низкого сопротивления. Например, как показано на фиг.1, несущая мишень-источник секция 2 содержит дорожку 22 на магнитной подвеске и опорную деталь 21 мишени-источника. Когда необходимо перемещать мишень-источник 1, электромагнитная сила отталкивания будет генерироваться между дорожкой 22 на магнитной подвеске и опорной деталью 21 мишени-источника для удержания опорной детали 21 мишени-источника в подвешенном состоянии. В этом состоянии, опорная деталь 21 мишени-источника может приводиться в движение для перемещения в направлении оси x и/или оси y. Опорная деталь 21 мишени-источника выполнена с возможностью перемещения вверх и вниз, например, посредством резьбовых стержней или реечной передачи и т.д.
[0039] На фиг.2 показана схема устройства нанесения покрытия с подвижной мишенью согласно другому варианту осуществления настоящего раскрытия. По сравнению с вариантом осуществления, представленным на фиг.1, несущая мишень-источник секция 2 по этого варианту осуществления, как показано на фиг.2, содержит дорожку 24 на воздушной подушке и опорную деталь 23 мишени-источника, и дорожка 24 на воздушной подушке снабжена множеством отверстий 25 для прохода воздуха, обращенных к опорной детали 23 мишени-источника; когда нужно перемещать мишень-источник 1, упомянутое множество отверстий 25 для прохода воздуха на дорожке 24 на воздушной подушке выпускает высокоскоростные газовые потоки для удержания опорной детали 23 мишени-источника в подвешенном состоянии. В этом состоянии опорная деталь 23 мишени-источника может приводиться в движение для перемещения в направлении оси x и/или оси y. Опорная деталь 23 мишени-источника выполнена с возможностью перемещения вверх и вниз, например, посредством резьбовых стержней или реечной передачи и т.д.
[0040] Скорость движения и ускорение несущей мишень-источник секции 2 являются параметрами, которые влияют на эффективность работы несущей мишень-источник секции 2; увеличение скорости движения и ускорения позволяет эффективно сокращать время единичного перемещения. Поскольку опорная деталь 21 мишени-источника 21/23 отстоит от дорожки 22 на магнитной подвеске или дорожки 24 на воздушной подушке, скорость движения эффективно повышается. Также, согласно вариантам осуществления, показанным на фиг. 1 и 2, несущая мишень-источник секция 2 подвергается меньшей силе трения во время перемещения, и поэтому облегчается увеличение скорости несущей мишень-источник секции 2. Напротив, существующая обычная несущая мишень-источник система страдает большим сопротивлением дорожки, и в случае усложнения задач транспортировки мишени-источника сама несущая мишень-источник система сталкивается с частыми остановами, и в этот момент слишком большая скорость и чрезмерное ускорение ускоряет износ ее деталей. Однако система дорожки на магнитной подвеске или система дорожки на воздушной подушке, используемая согласно вариантам осуществления настоящего раскрытия, может преодолевать этот недостаток. Благодаря отделению дорожки от опорной детали мишени-источника в системе дорожки на магнитной подвеске или системе дорожки на воздушной подушке, можно устранить механическое трение, снизить шум и уменьшить механический износ деталей.
[0041] Например, секция 3 инфракрасного измерения температуры и секция 4 инфракрасного нагрева могут быть подсоединены к несущей мишень-источник секции 2, и в этом случае, когда несущая мишень-источник секция 2 перемещается, секция 3 инфракрасного измерения температуры и секция 4 инфракрасного нагрева движутся синхронно с несущей мишень-источник секцией 2. Эта схема расположения позволяет гарантировать, что секция 3 инфракрасного измерения температуры может точно измерять температуру поверхности мишени-источника 1, и гарантировать, что секция 4 инфракрасного нагрева нагревает поверхность мишени-источника 1 в нужном положении. Несомненно, секция 3 инфракрасного измерения температуры и секция 4 инфракрасного нагрева также могут быть обеспечены отдельно от несущей мишень-источник секции 2, и в этом случае, когда несущая мишень-источник секция 2 перемещается, секция 3 инфракрасного измерения температуры и секция 4 инфракрасного нагрева движутся синхронно с несущей мишень-источник секцией или, альтернативно, угол измерения, угол нагрева и т.п. соответственно регулируются.
[0042] Участок 5 подвода сигнала подсоединен (связан) к секции 3 инфракрасного измерения температуры и секции 6 обработки сигнала. Участок 5 подвода сигнала также подсоединен (связан) к секции 6 обработки сигнала и секцией 7 активации. Участок 5 подвода сигнала может передавать, например, электрические сигналы или оптические сигналы, например, может быть реализован в виде проводов или оптических волокон и т.д. Участок 5 подвода сигнала переносит информацию о температуре поверхности мишени-источника 1, измеренной секцией 3 инфракрасного измерения температуры, на секцию 6 обработки сигнала, секция 6 обработки сигнала обрабатывает эту информацию о температуре, а затем участок 5 подвода сигнала отправляет информацию об инструкциях с секции 6 обработки сигнала на секцию 7 активации, благодаря чему, секция 7 активации может управлять/приводить в движение секцию 4 инфракрасного нагрева.
[0043] Секция 6 обработки сигнала определяет, является ли температура поверхности мишени-источника 1 равномерной или нет, согласно результату измерения, принятому от секции 3 инфракрасного измерения температуры. Когда секция 6 обработки сигнала определяет, что температура на определенном участке поверхности мишени-источника 1 ниже температур других участков, а значение разности температур превышает заранее заданное значение, секция 6 обработки сигнала выдает инструкцию на секцию 7 активации, секция 7 активации управляет секцией 4 инфракрасного нагрева для нагрева поверхности мишени-источника на участке, имеющем более низкую температуру, пока температура поверхности мишени-источника 1 не станет равномерной, и остановки нагрева. Вышеупомянутое заранее заданное значение разности температур можно выбирать согласно фактически необходимой точности, например, 5°C, 1°C, 0,5°C, 0,1°C. Критерии принятия решения в отношении равномерности температуры поверхности мишени-источника также можно устанавливать согласно практическому требованию. Например, можно установить, что при разности температур между отдельными участками поверхности мишени-источника меньше 5°C, 1°C, 0,5°C или 0,1°C, температура поверхности мишени-источника считается равномерной.
[0044] Например, мишень-источник 1 имеет практически плоскую поверхность мишени-источника, секция 4 инфракрасного нагрева также может иметь практически плоскую поверхность секции инфракрасного нагрева, и в этом случае поверхность мишени-источника и поверхность секции инфракрасного нагрева могут быть расположены параллельно друг другу; нормальные проекции мишени-источника и секции инфракрасного нагрева на одну и ту же плоскость (например, плоскость, где расположена мишень-источник, или плоскость, где расположена секция инфракрасного нагрева, или плоскость, где расположена подложка) по меньшей мере частично перекрываются друг с другом, или альтернативно, нормальная проекция секции инфракрасного нагрева и мишени-источника на одну и ту же плоскость по меньшей мере частично перекрываются; секция 3 инфракрасного измерения температуры расположена между поверхностью мишени-источника 1 и поверхностью секции 4 инфракрасного нагрева.
[0045] Например, площадь мишени-источника 1 меньше или равна площади секции 4 инфракрасного нагрева. Фиг. 3 и 4 иллюстрируют вид сверху мишени-источника 1 и секции 4 инфракрасного нагрева. Как показано на фиг.3, площадь мишени-источника 1 и площадь секции 4 инфракрасного нагрева одинаковы, и они расположены напротив друг друга. Поэтому в виде сверху мишень-источник 1 и секция 4 инфракрасного нагрева перекрываются. Как показано на фиг.4, площадь мишени-источника 1 меньше площади секции 4 инфракрасного нагрева, и они расположены напротив друг друга. Поэтому на виде сверху мишень-источник 1 изображена внутри секции 4 инфракрасного нагрева.
[0046] Например, секция 4 инфракрасного нагрева содержит множество излучающих листов для инфракрасного нагрева. Согласно фиг. 3 и 4 секция 4 инфракрасного нагрева содержит всего 25 излучающих листов A1-E5 для инфракрасного нагрева, но настоящее раскрытие не ограничивается показанными формой и схемой расположения излучающих листов для инфракрасного нагрева. Когда секция 6 обработки сигнала определяет, что температура на определенном участке поверхности мишени-источника 1 ниже температуры других участков, а значение разности температур превышает заранее заданное значение, секция 6 обработки сигнала выдает инструкцию на секцию 7 активации, секция 7 активации активирует излучающий(е) лист(ы) для инфракрасного нагрева, находящиеся напротив поверхности мишени-источника на участке, имеющем более низкую температуру для нагрева поверхности участка мишени-источника 1, имеющего более низкую температуру, пока температура поверхности мишени-источника 1 не станет равномерной, и затем останавливает нагрев. Например, секция 6 обработки сигнала, обнаружив, что температура мишени-источника 1 в ее верхнем левом углу ниже температуры других участков, а значение разности температур превышает заранее заданное значение, как показано на фиг.3, выдает инструкцию на секцию 7 активации, секция 7 активации активирует излучающий(е) лист(ы) для инфракрасного нагрева, находящиеся напротив верхнего левого угла мишени-источника 1, т.е. излучающий лист для A1 инфракрасного нагрева, так чтобы нагревать верхний левый угол мишени-источника, пока температура поверхности мишени-источника не станет равномерной, и затем останавливает нагрев. В одном примере поверхность каждого из излучающих листов для инфракрасного нагрева секции 4 инфракрасного нагрева может быть дополнительно снабжена структурой сведения излучения (например, линзой или отражающей деталью), чтобы можно было осуществлять локальный нагрев мишени-источника 1.
[0047] Например, как показано на фиг.5, секция 4 инфракрасного нагрева также может содержать излучающий лист 41 для инфракрасного нагрева, секция 7 активации содержит вращающий двигатель 71, излучающий лист 41 для инфракрасного нагрева соединен с вращающим двигателем 71, и секция 6 обработки сигнала выполнена с возможностью определения того является ли температура поверхности мишени-источника равномерной или нет; когда секция 6 обработки сигнала определяет, что конкретный участок P поверхности мишени-источника имеет более низкую температуру, чем другие участки, а значение разности температур превышает заранее заданное значение, секция 6 обработки сигнала выдает инструкцию на секцию 7 активации, вращающий двигатель 71 управляет соединенным с ним излучающим листом 41 для инфракрасного нагрева для включения нагрева участка поверхности мишени-источника P, имеющего более низкую температуру, пока температура поверхности мишени-источника не станет равномерной, и остановки нагрева.
[0048] Согласно вышеописанному варианту осуществления, также может быть предусмотрен, например, вентилятор и т.п., который взаимодействует с секцией 4 инфракрасного нагрева для повышения равномерности температуры.
[0049] Например, поверхность мишени-источника 1 может составлять единое целое. Альтернативно, поверхность мишени-источника 1 также может состоять из множества дискретных субмишеней-источников; в порядке еще одного примера, эти субмишени-источники размещены на замкнутом приводном ремне, что позволяет использовать эти субмишени-источники по очереди, тем самым, дополнительно гарантируя равномерность нанесения.
[0050] Например, согласно фиг.1 и 2, мишень-источник 1 может быть обеспечена параллельно земле, и секция 4 инфракрасного нагрева может быть расположена над мишенью-источником 1. Альтернативно, секция 4 инфракрасного нагрева может быть обеспечена параллельно земле, и мишень-источник 1 может быть расположена над секцией 4 инфракрасного нагрева. В порядке еще одной альтернативы, мишень-источник 1 и секция 4 инфракрасного нагрева обеспечены перпендикулярно к земле.
[0051] Например, секция 3 инфракрасного измерения температуры содержит инфракрасную камеру и т.п.
[0052] Например, секция 6 обработки сигнала содержит центральный процессор (CPU), графический процессор (GPU), цифровой сигнальный процессор (DSP), программируемый логический контроллер и т.п., а при необходимости может дополнительно содержать память, блок ввода/вывода (например, дисплей, сенсорный экран, сенсорную панель, клавиатуру, мышь и пр.) и т.п.
[0053] Например, секция 7 активации содержит реле, возбуждающие электроды и пр.
[0054] Устройство нанесения покрытия с подвижной мишенью по вариантам осуществления настоящего раскрытия может быть применено согласно различным способам нанесения покрытия, в том числе, но без ограничения, согласно способу магнетронного напыления, способу вакуумного осаждения из паровой фазы и пр. Такое устройство нанесения покрытия с подвижной мишенью также пригодно для изготовления пленок из различных материалов, например, анодных пленок, в том числе, но без ограничения, пленки оксида индия-олова (ITO), пленки оксида цинка-олова (IZO) и пр. В устройстве нанесения покрытия с подвижной мишенью, предусмотренном вариантами осуществления настоящего раскрытия, секция инфракрасного измерения температуры измеряет температуру поверхности мишени-источника 1 в режиме реального времени, и секция 4 инфракрасного нагрева нагревает надлежащим образом участок поверхности мишени-источника 1, имеющий более низкую температуру, согласно полученной информации о распределении температуры, тем самым гарантируя равномерную температуру поверхности мишени-источника 1 в процессе нанесения покрытия и позволяя получить анодную пленку с равномерным распределением сопротивления по всей пластине. В одном варианте осуществления настоящего изобретения удельное сопротивление анодной пленки достигает 2×10-4 Ом/см, и ее коэффициент пропускания достигает 90% или более; эффективность производства и качество продукции анодной пленки значительно возрастают; себестоимость снижается, и срок службы увеличивается в или более 2 раза, что приводит к энергоснабжению и сохранению окружающей среды.
[0055] Вышеприведенное описание относится к лишь иллюстративным вариантам осуществления раскрытия и не ограничивает объем раскрытия; объем раскрытия определяется нижеследующей формулой изобретения.
[0056] По данной заявке испрашивается приоритет китайской патентной заявки № 201610053369.8, поданной 26 января 2016 г., раскрытие которой в полном объеме включено в данное описание по ссылке как часть настоящей заявки.

Claims (24)

1. Устройство для нанесения покрытия на подложку посредством подвижной мишени, содержащее:
мишень-источник;
несущую мишень-источник секцию, выполненную с возможностью переноса и приведения в движение мишени-источника;
секцию инфракрасного измерения температуры, выполненную с возможностью измерения температуры поверхности мишени-источника;
секцию инфракрасного нагрева, выполненную с возможностью нагрева мишени-источника; и
секцию управления, выполненную с возможностью приема сигнала измерения из секции инфракрасного измерения температуры и определения того, является ли температура поверхности мишени-источника равномерной или нет;
причем секция управления дополнительно выполнена с возможностью управления секцией инфракрасного нагрева для нагрева участка, имеющего более низкую температуру поверхности мишени-источника, и остановки нагрева после того, как температура поверхности мишени-источника становится равномерной,
причем поверхность мишени-источника состоит из множества дискретных субмишеней-источников, и упомянутое множество дискретных субмишеней-источников размещено в кольцевой схеме расположения.
2. Устройство по п. 1, причем секция инфракрасного измерения температуры и секция инфракрасного нагрева подсоединены к несущей мишень-источник секции, и секция инфракрасного измерения температуры и секция инфракрасного нагрева могут перемещаться синхронно с несущей мишень-источник секцией.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что поверхность мишени-источника практически параллельна поверхности секции инфракрасного нагрева;
нормальные проекции мишени-источника и секции инфракрасного нагрева на одну и ту же плоскость по меньшей мере частично перекрываются друг с другом.
4. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что площадь мишени-источника меньше или равна площади секции инфракрасного нагрева.
5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что секция инфракрасного измерения температуры расположена между поверхностью мишени-источника и поверхностью секции инфракрасного нагрева.
6. Устройство по любому из пп. 1-5, отличающееся тем, что секция инфракрасного нагрева содержит множество излучающих листов для инфракрасного нагрева, секция управления дополнительно выполнена с возможностью в случае, когда секция управления определяет, что температура участка поверхности мишени-источника ниже температуры других участков, а значение разности температур превышает заранее заданное значение, активировать излучающий лист для инфракрасного нагрева или излучающие листы для инфракрасного нагрева напротив поверхности мишени-источника на участке, имеющем более низкую температуру, и нагревать поверхность мишени-источника на участке, имеющем более низкую температуру, пока температура поверхности мишени-источника не станет равномерной, и останавливать нагрев.
7. Устройство по п. 6, отличающееся тем, что каждый из излучающих листов для инфракрасного нагрева содержит структуру сведения излучения.
8. Устройство по любому из пп. 1-5, отличающееся тем, что секция инфракрасного нагрева содержит один излучающий лист для инфракрасного нагрева в случае, когда секция управления определяет, что температура участка поверхности мишени-источника ниже температуры других участков, а значение разности температур превышает заранее заданное значение, секция управления управляет излучающим листом для инфракрасного нагрева для включения и нагрева поверхности мишени-источника на участке, имеющем более низкую температуру, пока температура поверхности мишени-источника не станет равномерной, и остановки нагрева.
9. Устройство по любому из пп. 1-5, отличающееся тем, что несущая мишень-источник секция содержит направляющую и опорную деталь мишени-источника, и опорная деталь мишени-источника выполнена с возможностью перемещения по направляющей, когда необходимо перемещать мишень-источник.
10. Устройство по п. 9, отличающееся тем, что направляющая является дорожкой на магнитной подвеске, и дорожка на магнитной подвеске и опорная деталь мишени-источника выполнены с возможностью генерации электромагнитной силы отталкивания между ними для удержания опорной детали мишени-источника в подвешенном состоянии.
11. Устройство по п. 9, отличающееся тем, что направляющая содержит дорожку на воздушной подушке, на которой предусмотрено множество отверстий для прохода воздуха, обращенных к опорной детали мишени-источника, причем упомянутое множество отверстий для прохода воздуха на дорожке на воздушной подушке выполнено с возможностью выпуска высокоскоростных газовых потоков для удержания опорной детали мишени-источника в подвешенном состоянии.
12. Способ нанесения покрытия на подложку, включающий использование устройства для нанесения покрытия, содержащего несущую мишень-источник секцию, секцию инфракрасного измерения температуры для измерения температуры поверхности мишени-источника, секцию инфракрасного нагрева для нагрева мишени-источника и секцию управления, причем несущая мишень-источник секция выполнена с возможностью приводить в движение мишень-источник свободно в трех пространственных измерениях, а секция инфракрасного измерения температуры и секция инфракрасного нагрева связаны посредством передачи сигналов с секцией управления, причем поверхность мишени-источника состоит из множества дискретных субмишеней-источников, и упомянутое множество дискретных субмишеней-источников размещено в кольцевой схеме расположения,
при этом осуществляют этапы, на которых:
измеряют температуру поверхности мишени-источника посредством секции инфракрасного измерения температуры, и
определяют посредством секции управления по принятому сигналу измерения от секции инфракрасного измерения температуры, является ли температура поверхности мишени-источника равномерной или нет; причем
в случае, когда секция управления определяет, что температура участка поверхности мишени-источника ниже температуры других участков, а значение разности температур превышает заранее заданное значение, посредством секции инфракрасного нагрева осуществляют нагрев поверхности мишени-источника на участке, имеющем более низкую температуру, пока температура поверхности мишени-источника не станет равномерной, и останавливают нагрев.
RU2017133532A 2016-01-26 2017-01-03 Устройство нанесения покрытия с движущейся мишенью и способ нанесения покрытия RU2727235C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610053369.8 2016-01-26
CN201610053369.8A CN105483619B (zh) 2016-01-26 2016-01-26 移动靶镀膜装置及镀膜方法
PCT/CN2017/000038 WO2017128928A1 (zh) 2016-01-26 2017-01-03 移动靶镀膜装置及镀膜方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2017133532A3 RU2017133532A3 (ru) 2020-02-27
RU2017133532A RU2017133532A (ru) 2020-02-27
RU2727235C2 true RU2727235C2 (ru) 2020-07-21

Family

ID=55670882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017133532A RU2727235C2 (ru) 2016-01-26 2017-01-03 Устройство нанесения покрытия с движущейся мишенью и способ нанесения покрытия

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20180044785A1 (ru)
EP (1) EP3412794B1 (ru)
JP (1) JP2019502813A (ru)
KR (1) KR20170117184A (ru)
CN (1) CN105483619B (ru)
BR (1) BR112017020578A2 (ru)
RU (1) RU2727235C2 (ru)
WO (1) WO2017128928A1 (ru)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015112540A1 (de) * 2015-07-30 2017-02-16 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten einer Oberfläche
CN105483619B (zh) * 2016-01-26 2018-01-02 京东方科技集团股份有限公司 移动靶镀膜装置及镀膜方法
US20190033138A1 (en) * 2017-07-28 2019-01-31 United Technologies Corporation Processes and tooling for temperature controlled plasma spray coating
CN109913832A (zh) * 2017-12-12 2019-06-21 湘潭宏大真空技术股份有限公司 用于大面积玻璃磁控溅射镀膜生产线的溅镀装置
CN109957762B (zh) * 2017-12-14 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀方法以及蒸镀装置
CN112015307B (zh) * 2020-09-16 2023-04-14 付小丰 一种多阶红外触摸屏边框
CN113526877B (zh) * 2021-07-27 2023-04-14 中国航发北京航空材料研究院 一种镀膜玻璃的制备方法及装置
CN116685708A (zh) * 2021-12-27 2023-09-01 华为技术有限公司 一种磁控溅射设备及其控制方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1567271A1 (ru) * 1988-06-07 1990-05-30 Ворошиловградский машиностроительный институт Устройство дл извлечени и крутонаклонного транспортировани ферромагнитных предметов
RU2049152C1 (ru) * 1992-03-26 1995-11-27 Научно-производственное объединение "Оптика" Устройство для распыления материалов в вакууме
RU2063859C1 (ru) * 1990-10-02 1996-07-20 Иркутское авиационное производственное объединение Транспортирующий спутник
JPH09263939A (ja) * 1996-03-26 1997-10-07 Sharp Corp 加熱装置
RU2350686C2 (ru) * 2007-04-06 2009-03-27 Общество с ограниченной ответственностью "УФ-техника" Способ получения тонких пленок карбида кремния методом вакуумной лазерной абляции
CN202643828U (zh) * 2012-06-14 2013-01-02 沈阳新瑞真空设备有限公司 一种磁控溅射阴极移动靶
CN103484826A (zh) * 2012-06-14 2014-01-01 沈阳新瑞真空设备有限公司 一种磁控溅射阴极移动靶

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4324631A (en) * 1979-07-23 1982-04-13 Spin Physics, Inc. Magnetron sputtering of magnetic materials
JP3430277B2 (ja) * 1995-08-04 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 枚葉式の熱処理装置
WO2000044822A2 (en) * 1999-01-27 2000-08-03 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Fabrication of conductive/non-conductive nanocomposites by laser evaporation
US6333493B1 (en) * 1999-09-21 2001-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Heat treating method and heat treating apparatus
US20020011205A1 (en) * 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
JP2002220661A (ja) * 2001-01-29 2002-08-09 Sharp Corp スパッタリング装置に用いられるバッキングプレートおよびスパッタリング方法
JP2002289601A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び方法
CN1996553A (zh) * 2001-08-31 2007-07-11 阿赛斯特技术公司 用于半导体材料处理系统的一体化机架
JP2005327846A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 基板加熱装置
US7431807B2 (en) * 2005-01-07 2008-10-07 Universal Display Corporation Evaporation method using infrared guiding heater
JP2006225757A (ja) * 2005-01-21 2006-08-31 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸着装置
US7608308B2 (en) * 2006-04-17 2009-10-27 Imra America, Inc. P-type semiconductor zinc oxide films process for preparation thereof, and pulsed laser deposition method using transparent substrates
KR20090041316A (ko) * 2007-10-23 2009-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막 방법 및 발광 장치의 제작 방법
US8150242B2 (en) * 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Use of infrared camera for real-time temperature monitoring and control
JP2010168649A (ja) * 2008-12-26 2010-08-05 Canon Anelva Corp 基板処理装置、成膜方法、電子デバイスの生産方法
US9664974B2 (en) * 2009-03-31 2017-05-30 View, Inc. Fabrication of low defectivity electrochromic devices
KR101073557B1 (ko) * 2009-11-24 2011-10-14 삼성모바일디스플레이주식회사 스퍼터링 장치
CN102409301A (zh) * 2010-09-21 2012-04-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 磁控溅射靶结构
CN102560441B (zh) * 2010-12-23 2015-01-14 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 加热控制方法、装置和系统,加热腔及等离子体设备
CN104617008A (zh) * 2013-11-01 2015-05-13 沈阳芯源微电子设备有限公司 晶圆加热装置
CN203826348U (zh) * 2014-05-09 2014-09-10 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种晶圆温度监控装置
CN105483619B (zh) * 2016-01-26 2018-01-02 京东方科技集团股份有限公司 移动靶镀膜装置及镀膜方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1567271A1 (ru) * 1988-06-07 1990-05-30 Ворошиловградский машиностроительный институт Устройство дл извлечени и крутонаклонного транспортировани ферромагнитных предметов
RU2063859C1 (ru) * 1990-10-02 1996-07-20 Иркутское авиационное производственное объединение Транспортирующий спутник
RU2049152C1 (ru) * 1992-03-26 1995-11-27 Научно-производственное объединение "Оптика" Устройство для распыления материалов в вакууме
JPH09263939A (ja) * 1996-03-26 1997-10-07 Sharp Corp 加熱装置
RU2350686C2 (ru) * 2007-04-06 2009-03-27 Общество с ограниченной ответственностью "УФ-техника" Способ получения тонких пленок карбида кремния методом вакуумной лазерной абляции
CN202643828U (zh) * 2012-06-14 2013-01-02 沈阳新瑞真空设备有限公司 一种磁控溅射阴极移动靶
CN103484826A (zh) * 2012-06-14 2014-01-01 沈阳新瑞真空设备有限公司 一种磁控溅射阴极移动靶

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019502813A (ja) 2019-01-31
EP3412794B1 (en) 2023-04-05
BR112017020578A2 (pt) 2018-07-03
EP3412794A1 (en) 2018-12-12
CN105483619B (zh) 2018-01-02
EP3412794A4 (en) 2019-11-06
WO2017128928A1 (zh) 2017-08-03
CN105483619A (zh) 2016-04-13
RU2017133532A3 (ru) 2020-02-27
US20180044785A1 (en) 2018-02-15
RU2017133532A (ru) 2020-02-27
KR20170117184A (ko) 2017-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2727235C2 (ru) Устройство нанесения покрытия с движущейся мишенью и способ нанесения покрытия
US20180212150A1 (en) Aligner structure and alignment method
CN104756243A (zh) 半导体衬底的位置检测装置和位置检测方法
WO2016015515A1 (zh) 激光封装系统和方法
KR102253563B1 (ko) 비접촉식 정렬을 위한 방법 및 장치
TW201923943A (zh) 用以決定一載體懸浮系統之對準的方法及設備
TW201323634A (zh) 用於材料沈積之可調整的邊緣排除遮罩及其沈積設備與方法
US20170088941A1 (en) Apparatus for processing of a material on a substrate and method for measuring optical properties of a material processed on a substrate
JP2019116679A (ja) 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
KR101686057B1 (ko) 마스크 척킹 구조
KR101462159B1 (ko) 기판 얼라이너 구조
CN109161855B (zh) 一种蒸镀装置及蒸镀方法
WO2011116563A1 (zh) 真空蒸镀装置
JP7136699B2 (ja) 蒸着装置
KR101628864B1 (ko) 기판 이송 장치
TW202003885A (zh) 用於一基板之真空處理的方法、製造一裝置之方法、用於一基板之真空處理的設備、及在一真空處理設備中處理一基板中的一脈衝雷射沉積源之使用
US20210328147A1 (en) Carrier for supporting a substrate or a mask
TW202006869A (zh) 用以處理基板之設備、用以處理基板之系統、測量載體間距離之方法及載體間對齊之方法
TW201932393A (zh) 用於在一沈積系統中非接觸傳送之載體、用於一載體之非接觸傳送之設備、及用於在一沈積系統中之一載體的非接觸傳送之方法
JP2019533760A (ja) マスキングデバイスを非接触浮上させる方法
KR102217879B1 (ko) 기판을 프로세싱하기 위한 방법, 진공 프로세싱을 위한 장치, 및 진공 프로세싱 시스템
WO2018153151A1 (zh) 移载台、贴附装置及其贴附方法
JP7202814B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法
KR102379184B1 (ko) 유기발광소자의 상향식 증착장치
KR20170058610A (ko) 유도 가열을 이용한 증착 장치 및 증착 시스템