TW202003885A - 用於一基板之真空處理的方法、製造一裝置之方法、用於一基板之真空處理的設備、及在一真空處理設備中處理一基板中的一脈衝雷射沉積源之使用 - Google Patents

Abstract

一種用於一基板之真空處理的方法係進行說明。此方法包括利用提供於一處理區域中的一脈衝雷射沈積源以一材料塗佈基板或基板上之一第一材料層；以及沿著一傳送路徑移動基板通過處理區域。

Description

用於一基板之真空處理的方法、製造一裝置之方法、用於一基板之真空處理的設備、及在一真空處理設備中處理一基板中的一脈衝雷射沈積源之使用

本揭露之數個實施例是有關於一種用於一基板之真空處理的方法，及一種用於一基板之真空處理的設備。本揭露之數個實施例特別是有關於數種用於物理氣相沈積(physical vapor deposition)之方法及設備，物理氣相沈積舉例為使用在利用已塗佈之基板製造裝置中的脈衝雷射沈積。

用於在基板上之層沈積的技術舉例為包括物理氣相沈積(physical vapor deposition，PVD)及化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)。物理氣相沈積製程可使用，以沈積材料層於基板上。此材料層例如是導電材料層。設置於基板載體上之基板可傳送通過處理系統。為了對基板執行數個處理測量，處理模組之串連配置可使用，或處理系統可配置成群集配置。數個材料可使用於沈積於基板上，此些材料例如是有機材料、導電層、金屬，金屬亦包括其之氧化物、氮化物或碳化物。已塗佈之材料可使用於數種應用中及數種技術領域中。舉例來說，用於顯示器之基板時常係藉由PVD製程進行塗佈。

隨著新的顯示器技術之發展及朝向較大之顯示器尺寸的趨勢，存有對於使用在顯示器中之層或層系統的持續需求。使用在顯示器中之層或層系統係提供用於舉例為將製造之顯示器的特徵。特別是，有機發光二極體(OLED)顯示器之OLED層可能對接續沈積之層敏感。因此，沈積可舉例為不降低基板上之有機材料之品質的層可為高度有利。

有鑑於上述，克服本領域之至少一些問題的數種用於一基板之真空處理的新方法，及數種用於一基板之真空處理的設備係有利的。

有鑑於上述，提出一種用於一基板之真空處理的方法，一種用於一基板之真空處理的設備，及一種處理一基板中的一雷射沈積源之一使用。本揭露之其他方面、優點、及特徵係藉由申請專利範圍、說明、及所附之圖式更為清楚。

根據一實施例，提出一種用於一基板之真空處理的方法。此方法包括利用提供於一處理區域中的一脈衝雷射沈積源以一材料塗佈基板或基板上之一第一材料層；以及沿著一傳送路徑移動基板通過處理區域。

根據一實施例，提出一種用於一基板之真空處理的方法。此方法包括相對於基板移動一脈衝雷射沈積源之至少一部份，脈衝雷射沈積源提供於一處理區域中；以及利用脈衝雷射沈積源所提供之一材料塗佈基板或基板上之一第一材料層。

根據一實施例，提出一種用於一基板之真空處理之方法。此方法包括導引一脈衝雷射於一圓柱靶材上；旋轉圓柱靶材，以暴露圓柱靶材之數個不同部份於脈衝雷射； 利用來自圓柱靶材之一材料塗佈基板或基板上之一第一材料層；以及相對於彼此移動基板及圓柱靶材。

根據一實施例，提出一種製造一裝置之方法。此方法包括根據此處所述之數個實施例之用於一基板之真空處理的一方法，其中一有機發光二極體(OLED)裝置之一陽極或一陰極或一電晶體之一背板係製造。

根據一實施例，提出一種用於一基板之真空處理的設備。此設備包括至少一脈衝雷射沈積源，提供材料於基板上；以及一基板位置，位於藉由此至少一脈衝雷射沈積源提供的一處理區域中，其中設備係裝配以移動基板通過處理區域及/或移動此至少一脈衝雷射沈積源之至少一部份通過基板位置。

根據一實施例，提出一種在一真空處理設備中處理一基板中之一脈衝雷射沈積源的一使用，其中脈衝雷射沈積源包括 一雷射，選擇地包括一準分子雷射及/或紫外線(UV)雷射；以及一靶材，靶材可選擇地為可旋轉的，一雷射束係在沈積期間導引至靶材上，其中靶材係為一圓柱靶材及在處理期間旋轉，而雷射束提供成一雷射線；及其中由雷射束熔蝕之來自靶材的數個粒子係沈積於基板之一表面上，或沈積於先前沈積於基板上之一材料層上。

一般來說，在此處所述之數個實施例中，沈積源可包括至少一脈衝雷射沈積(pulsed laser deposition，PLD)源，此至少一脈衝雷射沈積源可替代地或額外地使用，亦即結合有關於此處所述之數個實施例之其他形式之源及沈積源。因此，除非另有陳述或於特定實施例中技術上不可行，特別是針對有機材料之舉例為蒸發源來說，脈衝雷射沈積源可額外地使用，或如果可行時替代地使用。

數個實施例係亦有關於用以執行所揭露之方法之設備，且包括用以執行各所述之方法方面的設備部件。此些方法方面可藉由硬體元件、由合適軟體程式化之電腦、兩者之任何結合或任何其他方式執行。再者，根據本揭露之數個實施例係亦有關於用以操作所述之設備的方法。用以操作所述之設備的此些方法包括數個方法方面，用以執行設備之各功能。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：

詳細的參照將以本揭露之數種實施例來達成，本揭露之數種實施例的一或多個例子係繪示於圖式中。在下方圖式之說明中，相同的參考編號係意指相同的元件。一般來說，僅有有關於個別實施例之相異處係進行說明。各例子係藉由說明本揭露的方式提供，且不意味為本揭露之一限制。再者，所說明或敘述而做為一實施例之部份之特徵可用於其他實施例或與其他實施例結合，以取得再其他實施例。此意指本說明包括此些調整及變化。

隨著新的顯示器技術之發展及朝向較大之顯示器尺寸的趨勢，存有對於使用在顯示器中之層或層系統的持續需求。使用在顯示器中之層或層系統係提供改善的特徵。作為一例子來說，可設置改善之PVD源。本揭露之數個實施例係允許利用低能量撞擊基板或基板上之層堆疊來層沈積及/或薄膜塗佈有數個材料。數個實施例可特別是有關於舉例為透明導電層之脈衝雷射沈積。特別是，透明導電層可沈積於敏感之基板及/或敏感之層上，舉例為上發光OLED顯示器裝置之有機層上。

此處所述之名稱「脈衝雷射沈積(pulsed laser deposition或PLD)」係欲意指物理氣相沈積(physical vapor deposition，PVD)技術，其中脈衝雷射束係集中於真空腔室之內側，以撞擊(impinge)或擊中(strike)將沈積之材料的靶材。此材料從靶材蒸發，而在基板上沈積材料為薄膜。此製程可在高真空中執行，選擇地在超高真空(ultra-high vacuum)中執行，或在存有背景氣體中執行。在例如是在非限定之例子中，背景氣體舉例為氧，氧可使用以沈積氧化物，以舉例為完全地氧化已沈積之數個膜。

第1圖繪示根據此處所述實施例之基板之真空處理的方法之流程圖。根據本揭露之一方面，此方法包括於方塊1100中之利用提供於處理區域中之脈衝雷射沈積源以一材料塗佈基板或基板上之第一材料層，及沿著傳送路徑移動(見方塊1200)基板通過處理區域。基板可在基板或第一材料層係塗佈有材料時移動。當利用粒子照射基板或第一材料層時，PLD源可為移動或靜止的。藉由塗佈基板或第一材料層，薄膜沈積製程係執行。根據本揭露之數個實施例，PLD源可提供成如此處所述之線源。

根據一些實施例，靶材材料可為透明導電材料，靶材材料也就是將沈積於基板上之材料。舉例來說，材料可為透明導電氧化物。材料可選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、及其組合。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，層可達150 nm或甚至是更大的厚度。舉例來說，層厚度可為50 nm或以上。層厚度可選擇地或替代地為250 nm或以下。

根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此方法可更包括沈積第一材料於基板之上方，第一材料例如是有機層。PLD塗佈可提供於第一材料層上或第一材料層上方。於一些應用中，此方法更包括沿著傳送路徑移動基板進入沈積區域，及沈積此至少一第二材料層於基板表面之上方或第一材料層之上方。第二材料層係為沈積於第一材料層之上方的材料。當基板舉例為在傳送路徑上為靜止時，第一材料層及第二材料層之至少一者可進行沈積。或者，當基板係沿著傳送路徑移動時，第一材料層及第二材料層之至少一者可進行沈積。

根據一些實施例，PLD源可設置成線源。舉例來說，線源可具有本質上沿著基板尺寸延伸之較長的尺寸。線源可比基板尺寸長舉例為至少10%。線源可藉由靶材及雷射源提供，此靶材例如是圓柱靶材。雷射束可塑形，以聚集成沿著靶材之長度或線方向之線。雷射撞擊於靶材上，以從靶材釋放出將沈積於基板上之原子及/或分子。

當線源長度覆蓋基板之一尺寸時，基板之另一尺寸可藉由移動基板通過線源來覆蓋，也就是基板可沿著此另一尺寸進行塗佈。動態沈積製程可提供。根據額外或替代之調整，靶材可移動通過基板。於此一含義中，雷射可為靜止，靶材可移動及雷射束可導引及/或聚集於移動的靶材中。

根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，靶材可為圓柱靶材，及可在層沈積期間旋轉。靶材材料可相對於雷射束移動，也就是可在雷射束之下方旋轉。因此，可提供靶材之均勻利用。

根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，靶材可為平面靶材。靶材材料可相對於雷射束移動，也就是在雷射束之下方前後平移。舉例來說，靶材材料可提供成平面靶材。特別是針對平面靶材之使用來說，雷射束可在靶材之上方額外地或替代地掃描。擊中平面靶材之雷射束可塑形成線之形式，類似於上方有關於圓柱靶材所說明之雷射束。

處理區域可為在真空處理系統之真空腔室中之一區域。處理區域可舉例為利用鎖固件、閥及分離裝置的至少一者與其他真空腔室分離，此分離裝置例如是氣體分離屏蔽(gas separation shielding)。因此，可提供用於PLD製程之壓力規範及處理氣體條件，及可與相鄰之真空條件分離。根據一些實施例，此方法可提供動態製程及靜止或靜態沈積製程之結合。本揭露通篇所使用之名稱「靜止(stationary)」及「靜態(static)」可理解為基板實質上不相對於真空腔室及/或設置於處理區域中之沈積源移動之含義。

特別是，有機沈積製程可為靜態沈積製程，舉例為用於顯示器處理。靜態沈積製程可理解為具有靜態位置之沈積製程，具有本質上靜態位置之沈積製程，或具有基板之部份靜態位置之沈積製程。有鑑於此，基板位置可在一些情況中之沈積期間不全然沒有任何移動之靜態沈積製程係可仍與動態沈積製程有所區別。OLED沈積製程可亦為動態沈積製程。PLD製程可為動態沈積製程，也就是其中基板係移動通過處理區域，舉例為通過一或多個線源。

如上所述，根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，舉例為在基板及/或第一材料層係利用粒子照射時，PLD源或PLD源之至少一部份可移動或靜止，PLD源之此至少一部份例如是靶材。於一些應用中，當基板係沿著傳送路徑傳送時，PLD源可相對於傳送路徑移動。特別是，當基板或第一材料層係塗佈時，基板及源可皆移動。於其他應用中，當基板通過PLD源時，PLD源可為靜止的。作為一例子來說，當基板或第一材料層係塗佈有來自PLD源之材料時，PLD源可為靜止的，及特別是圓柱可旋轉靶材可為靜止的。靜止的PLD源係提供簡單配置的設備。

PLD源可為垂直配置及/或於基板之上方水平掃描。名稱「垂直方向」係理解為與「水平方向」有所區別。也就是說，「垂直方向」係與源之線的實質上垂直方向相關，其中從準確垂直方向或垂直移動之一些角度的偏移係仍視為「實質上垂直方向」，此些角度舉例為達10°或甚至是達30°。垂直方向可實質上平行於重力。類似地，「水平方向」係與實質上水平方向相關，舉例為PLD源之移動，其中從準確水平方向或水平移動之一些角度的偏移係仍視為「實質上水平方向」或「實質上水平移動」，此些角度舉例為達10°或甚至是達30°。

當參照名稱「上方(over)」時，也就是一層在另一層之上方時，可理解的是，從基板開始，第一材料層係沈積於基板之上方，及在第一材料層之後沈積的第二材料層係因而在第一材料層之上方及在基板之上方。也就是說，名稱「上方」係使用，以定義數個層、數個層堆疊、及/或數個膜之順序，其中起始點係基板。此與層堆疊是否視為顛倒無關。名稱「上方」應包含一或多個其他材料層係提供於基板及第一材料層之間及/或第一材料層及第二材料層之間的數個實施例。也就是說，第一材料層係不直接設置於基板上，及/或第二材料層係不直接設置於第一材料層上。然而，本揭露係不以此為限制，及名稱「上方」應包含沒有其他層提供於基板及第一材料層之間及/或第一材料層及第二材料層之間的數個實施例。也就是說，第一材料層可直接設置於基板上及可直接接觸基板。第二材料層可直接沈積於第一材料層上及可直接接觸第一材料層。

根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，至少第二材料層可為導電層。作為一例子來說，第二材料層可為第二導電層。作為一例子來說，第二材料層之材料係選自由IGZO、金屬、金屬合金、鈦、鋁、ITO、IZO、及其之任何組合所組成的群組。

根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，基板係在實質上垂直定向中沿著傳送路徑傳送。作為一例子來說，當基板係在實質上垂直定向中時，基板或第一材料層係利用粒子照射。如本揭露通篇所使用，「實質上垂直」特別是在意指基板定向時理解為允許從垂直方向或定向±20°或以下之偏差，舉例為從垂直方向或定向±10°或以下之偏差。此偏差可提供，舉例為因為具有從垂直定向之一些偏差的基板支撐件可致使更穩定之基板位置。然而，舉例為在製程及/或沈積製程期間，基板定向係視為實質上垂直，而不同於水平基板定向。

如此處所使用之名稱「基板」應包含一般用於顯示器製造之基板。基板係為大面積基板。舉例來說，此處所使用之基板應包含一般使用於液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、OLED面板、及類似者之基板。 舉例來說，大面積基板可為第4.5代、第5代、第6代、第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代。第4.5代對應於約0.67 m² 之基板(0.73 m x 0.92 m)、第5代對應於約1.4 m² 之基板(1.1 m x 1.3 m)、第6代對應於約2.8 m² 之基板、第7.5代對應於約4.29 m² 之基板(1.95 m x 2.2 m)、第8.5代對應於約5.7m² 之基板(2.2 m x 2.5 m)、第10代對應於約8.7 m² 之基板(2.85 m × 3.05 m)。甚至例如是第11代及第12代之更高代及對應之表面積可以類似之方式應用。

如此處所使用之名稱「基板」應特別是包含實質上非撓性基板，舉例為晶圓、例如是藍寶石或類似者之透明水晶片、或玻璃板材。特別是，基板可為玻璃基板及/或透明基板。然而，本揭露係不以此為限，且名稱「基板」可亦包含撓性基板，例如是網格(web)或箔。名稱「實質上非撓性」係理解為與「撓性」有所區別。特別是，實質上非撓性基板可具有某種程度之撓性，舉例為具有0.5 mm或以下之厚度的玻璃板材，其中實質上非撓性基板之撓性小於撓性基板之撓性。

根據此處所述之數個實施例，用於基板之真空處理的方法可利用電腦程式、軟體、電腦軟體產品及相關之控制器執行，相關之控制器可具有中央處理器(CPU)、記憶體、使用者介面、及輸入及輸出裝置，與設備之對應元件通訊。

第2圖繪示根據此處所述實施例之用於基板10之真空處理的設備100之示意圖。根據本揭露之一方面，設備100包括至少一處理區域110及傳送路徑20。此至少一處理區域110具有至少一PLD源130。傳送路徑20係延伸通過此至少一處理區域110。設備100可裝配，以執行根據此處所述實施例之用於基板之真空處理的方法。在下文中，此至少一PLD源130係範例地說明。然而，將理解的是，本揭露係不以此為限，及可提供其他幾何形狀之沈積系統，舉例為群集形式系統。

設備100可包括基板載體30，基板載體30係裝配以支撐基板10。具有基板10位於其上之基板載體30可沿著傳送路徑20傳送。基板載體30可包括板材或框架，裝配以用於舉例為利用板材或框架所提供之支撐表面來支撐基板10。基板載體30可選擇地包括一或多個支承裝置(未繪示)，裝配以用於支承基板10於板材或框架。此一或多個支承裝置可包括機械及/或磁性夾件之至少一者。

於一些應用中，基板載體30包括或為靜電吸座(electrostatic chuck，E-chuck)。靜電吸座可具有支撐表面，用以支撐基板於其上。於一實施例中，靜電吸座包括介電主體，具有嵌入於其中之數個電極。介電主體可由介電材料製造，較佳地為高熱傳導性介電材料，例如是熱解氮化硼(pyrolytic boron nitride)、氮化鋁、氮化矽、礬土(alumina)或等效材料；或介電主體可以例如是聚醯亞胺(polyimide)之非常薄但較少熱傳導材料製造。電極可耦接於電源，電源係提供電力至電極來控制夾持力。夾持力係為作用於基板上之靜電力，以固定基板於支撐表面上。

於一些應用中，PLD源係為線性PLD源，例如是垂直線性PLD源。名稱「線性」可理解為線性之PLD源130具有定義材料之材料羽流區域(material plume area)之主尺寸和次尺寸的含義，其中次尺寸係少於主尺寸。舉例來說，次尺寸可少於10%，特別是少於5%及更特別是少於1%之主尺寸。主尺寸可實質上垂直延伸。也就是說，此至少一線性的PLD源130可為垂直之線性PLD源。

於一些應用中，設備100係裝配，以在基板10或第一材料層塗佈時，沿著傳送路徑20移動基板10通過此至少一處理區域110。名稱「處理區域」可理解為基板10可提供或定位之空間或區域，使得基板10可利用PLD源塗佈。

如本揭露通篇所使用之名稱「真空」可理解為實質上沒有物質之空間，舉例為除了使用於例如是濺射沈積製程之沈積製程中的處理氣體之外，全部或大部份之空氣或氣體已經移除之空間。作為一例子來說，名稱「真空」可理解為具有少於舉例為10 mbar之真空壓力的技術真空之含義。一或多個真空幫浦例如是渦輪幫浦及/或冷凍幫浦可連接於此一或多個真空腔室來產生真空。此一或多個真空腔室提供此至少一處理區域110及此至少一沈積區域。

如本揭露通篇所使用之名稱「傳送路徑」可理解為一路徑，基板10或具有基板10位於其上之基板載體30可沿著此路徑移動或傳輸，而舉例為通過此至少一處理區域110及此至少一沈積區域。作為一例子來說，傳送路徑可為線性傳送路徑。傳送路徑20可定義為用於基板10或基板載體30通過此至少一處理區域110及此至少一沈積區域之傳送方向1。傳送路徑20可為單向傳送路徑，或可為雙向傳送路徑。再者，傳送路徑可亦為在像是基板真空處理系統之群集中之基板的路徑。

設備100可具有至少兩個傳送路徑，例如是傳送路徑20及另ㄧ傳送路徑(未繪示)。此至少兩個傳送路徑可提供，使得具有第一基板位於其上之第一基板載體可在舉例為第二基板進行塗佈時超過第二基板載體上之第二基板。此至少兩個傳送路徑可實質上平行於彼此延伸，舉例為在基板10或基板載體30之傳送方向1中。於一些應用中，此至少兩個傳送路徑可在垂直於基板載體之傳送方向1中相對於彼此位移。名稱「實質上平行」係與舉例為方向及/或路徑之實質上平行定向有關，其中從準確平行定向之舉例為達10°或甚至是達15°之一些角度的偏差係仍視為「實質上平行」。

傳送路徑可藉由個別之軌道提供。作為一例子來說，傳送路徑20可藉由軌道提供，及其他傳送路徑可藉由另一軌道提供。如本揭露通篇使用，名稱「軌道」可定義為容納或支撐基板載體之空間或裝置，基板載體可為靜電吸座。作為一例子來說，軌道可機械地(利用舉例為滾輪)、非接觸地(利用舉例為磁場及個別之磁力)或使用其之組合容納或支撐基板載體。

第3圖繪示根據此處所述其他實施例之用於基板10之真空處理的設備200之示意圖。設備200可配置，以執行根據此處所述一些實施例之用於基板之真空處理的方法。

根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，設備200係裝配，以在基板10或第一材料層塗佈有來自PLD源之材料時，相對於傳送路徑移動此至少一PLD源或PLD源之至少一部份。PLD源之此至少一部份例如是靶材230。作為一例子來說，設備200包括驅動器，裝配以相對於傳送路徑20移動此至少一PLD源之靶材。於一些應用中，驅動器可裝配，以實質上平行於傳送路徑20移動此至少一PLD源。作為一例子來說，驅動器可裝配，以在平行於傳送路徑20之至少一第一方向(以參考編號2表示)中移動此至少一PLD源。設備200可包括軌道132，位於此至少一處理區域110中。軌道132可裝配，以可移動地支撐此至少一PLD源之靶材230。作為一例子來說，驅動器可裝配，以沿著軌道132來回移動此至少一PLD源。作為一例子來說，雷射231可裝配，以利用雷射束233照射靶材230。舉例來說，可設置一或多個光學元件，選自由鏡子、透鏡232、光導件、及光纖所組成之群組。此一或多個光學元件可塑形雷射束，以具有線形。再者，至少一透鏡及/或至少一鏡子可聚集雷射束於靶材230上，雷射束舉例為線。

第4圖繪示根據此處所述實施例之用於基板10之真空處理的設備500之示意圖。設備500可包括數個區域，例如是第一沈積區域及至少一處理區域510。此些區域可提供於一個真空系統中，例如是相鄰之真空腔室或甚至在一個真空腔室中。

真空腔室或區域可藉由閥與相鄰的區域分隔，此閥具有閥殼體504及閥單元505。在具有基板10於其上之基板載體30如箭頭1所示的插入例如是此至少一處理區域510之一區域中之後，閥單元505可關閉。在區域中之大氣可藉由產生技術真空獨立地控制。例如是線性傳送路徑之傳送路徑20可提供，以傳送具有基板10於其上之基板載體30進入、通過及離開區域。傳送路徑20可至少部份地延伸通過處理區域。設備500包括此至少一PLD源，具有靶材230及雷射231。鏡子432可導引雷射束至靶材230上。

在第5圖中，根據數個實施例之沈積源係繪示出來，此沈積源係為脈衝雷射沈積源60(PLD源)。根據數個實施例，利用PLD源60，基板10(未繪示於第5圖中，見舉例為第6圖)或基板10上之第一材料層係藉由利用脈衝雷射束65以粒子照射，脈衝雷射束65係導引至靶材上。當基板10或於其上之第一材料層係以粒子照射時，基板可沿著傳送路徑移動通過處理區域。脈衝雷射沈積源包括雷射61。於數個實施例中，雷射可為紫外線(UV)雷射，舉例為準分子雷射。脈衝雷射束65係導引至靶材63上。靶材可為靜止的，或可選擇地包括旋轉圓柱，旋轉圓柱包括靶材材料。雷射係導引於具有表面積之靜止之靶材63或可旋轉靶材上，或於具有表面積之靜止之靶材63或可旋轉靶材上掃描。雷射可亦動態地或連續地偏轉，以逐步地掃描靜止之靶材63的表面積的至少一部份。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，線雷射可提供，以撞擊於靶材上。舉例來說，至少一光學元件可利用，以塑形雷射束成線形。此至少一光學元件例如是圓柱透鏡。此線可沿著圓柱之軸的長度方向(舉例為垂直)照射靶材。

於第6圖中，根據數個實施例，脈衝雷射沈積源60係繪示成具有旋轉的靶材63。脈衝雷射沈積源可相對於設置於傳送路徑上之基板設置於處理區域中，如有關於數個實施例之說明。當脈衝雷射沈積源係移動時，舉例為當具有大面積之基板利用PLD源處理時，粒子可亦藉由脈衝雷射沈積源60提供。PLD源具有遠小於基板的粒子束。

一般來說，當基板或第一材料層係利用來自PLD源之粒子照射時，基板可沿著傳送路徑移動或可在傳送路徑上為靜止的。

藉由PLD源處理，一或多個材料性質可為可選擇地決定來進行調整。此些性質可舉例為來自由物理性質、電性質、化學性質、及光學性質所組成之群組。

如第5圖及第6圖中所示之PLD源可使用或應用，以沈積(第一或其他)材料於基板10之上方。根據一些實施例，在基板或第一材料層已經利用來自PLD源之粒子照射之後，至少一第二材料層可沈積於基板之上方或第一材料層之上方。第一及第二材料層可亦藉由有關於此處所述之數個實施例的其他形式之源提供，或藉由利用該些其他形式及PLD源60提供。

在根據此處所述數個實施例之用於基板之真空處理之設備中，具有至少一脈衝雷射沈積源之至少一處理區域可提供。再者，具有數種形式之一或多個沈積源的至少一其他沈積區域可提供。傳送路徑一般延伸通過此至少一處理區域及此至少一沈積區域。設備可裝配，以利用此至少一脈衝雷射沈積源60所提供之粒子照射基板10或基板上之第一材料層。

藉此，根據數個實施例，當基板或第一材料層利用粒子照射時，脈衝雷射沈積源60可相對於傳送路徑為可移動的。

一般來說，脈衝雷射沈積源包括脈衝雷射。此可舉例為UV雷射，舉例為準分子雷射。靶材可為通常為伸長之可旋轉靶材，或靶材63可為靜止的。在兩個情況之任一者中，雷射一般係於伸長之靶材的上方，或靜止之靶材的上方反覆地偏轉。

一般來說，根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，脈衝雷射沈積源60係使用於真空處理設備中之基板10處理中。來自靶材63之由脈衝雷射束65所熔蝕的粒子或粒子羽流66(見第6圖)係沈積於基板10之表面上，或先前沈積於基板10上之材料上。

雷射之脈衝長一般係在奈秒至微秒等級中。具有通常知識者係充分知悉，雷射之脈衝長及能量密度，以及靶材之材料性質係一同對沈積製程之特性有強烈的影響。

根據一實施例，提出用於基板之真空處理的方法。此方法包括利用脈衝雷射沈積源以粒子照射基板或基板上之第一材料層，脈衝雷射沈積源提供於處理區域中；及當基板或第一材料層利用粒子照射時，沿著傳送路徑移動基板通過處理區域。

根據可額外地或替代地提供之一些調整，脈衝雷射沈積源包括雷射，選擇地包括UV雷射，及其中雷射束係導引至旋轉靶材上，選擇地導引至包括靶材材料之旋轉圓柱上或具有表面積之靜止的靶材上，其中雷射係動態地偏轉，以逐步地掃描表面積之至少一部份。

根據再其他實施例，提出用於基板之真空處理的方法。此方法包括相對於基板移動脈衝雷射沈積源，基板設置於傳送路徑上，脈衝雷射沈積源提供於處理區域中；及當靶材或基板移動時，藉由脈衝雷射沈積源提供之粒子照射基板或基板上之第一材料層。

根據可額外地或替代地提供之一些調整，當基板或第一材料層利用粒子照射時，基板係沿著傳送路徑移動或在傳送路徑上靜止。此方法可包括下述之至少一者：沈積第一材料層於基板之上方；及當基板或第一材料層已經利用粒子照射之後，沈積至少一第二材料層於基板之上方或第一材料層之上方。特別是，當基板係靜止的或當基板係沿著傳送路徑移動時，第一材料層及第二材料層之至少一者係進行沈積。

根據可額外地或替代地提供之再其他調整，OLED裝置之陽極或陰極、或電晶體之背板係利用其製造。

根據另一實施例，提出用於基板之真空處理的設備。此設備包括至少一處理區域，具有至少一脈衝雷射沈積源；至少一沈積區域，具有一或多個沈積源；以及傳送路徑，延伸通過此至少一處理區域及此至少一沈積區域，其中此設備係裝配，以利用來自靶材所提供之粒子照射基板或基板上之第一材料層，及其中此設備係裝配，以：在基板或第一材料層利用粒子照射時，沿著傳送路徑移動基板通過處理區域；或在基板或第一材料層利用粒子照射時，相對於傳送路徑移動此至少一脈衝雷射沈積源。

根據可額外地或替代地提供之再其他調整，脈衝雷射沈積源可包括脈衝雷射及靶材，選擇地包括UV雷射，選擇地包括準分子雷射，雷射導引至靶材上，其中靶材可為選擇地伸長之可旋轉靶材，或其中靶材係為靜止的。特別是，雷射可在伸長之靶材的長度反覆地偏轉。

根據另一實施例，提出在真空處理設備中於處理基板中之脈衝雷射沈積源的使用。脈衝雷射沈積源包括雷射，選擇地包括準分子雷射及/或UV雷射；及可選擇地為可旋轉之靶材，雷射束係在沈積期間導引於靶材上，其中：靶材係為圓柱靶材及在處理期間旋轉，而雷射係掃描靶材之長度，或其中靶材係為靜止的及具有表面積，雷射係在處理期間掃描表面積。由雷射束熔蝕之來自靶材的粒子係沈積於基板之表面上，或沈積於先前沈積在基板上之材料層上。

綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1‧‧‧傳送方向 2‧‧‧第一方向 10‧‧‧基板 20‧‧‧傳送路徑 30‧‧‧基板載體 60‧‧‧脈衝雷射沈積源 61、231‧‧‧雷射 63、230‧‧‧靶材 65‧‧‧脈衝雷射束 66‧‧‧粒子羽流 100、200、500‧‧‧設備 110、510‧‧‧處理區域 130‧‧‧PLD源 132‧‧‧軌道 232‧‧‧透鏡 233‧‧‧雷射束 432‧‧‧鏡子 504‧‧‧閥殼體 505‧‧‧閥單元 1100、1200‧‧‧方塊

為了使本揭露的上述特徵可詳細地瞭解，簡要摘錄於上之本揭露之更特有之說明可參照數個實施例。所附之圖式係有關於本揭露之數個實施例且係說明於下方： 第1圖繪示根據此處所述實施例之用於基板之真空處理的方法之流程圖； 第2圖繪示根據此處所述實施例之用於基板之真空處理之設備的示意圖； 第3圖繪示根據此處所述其他實施例之用於基板之真空處理的設備之示意圖； 第4圖繪示根據此處所述實施例之用於基板之真空處理之設備的示意圖； 第5圖繪示根據此處所述實施例之脈衝雷射沈積源之剖面圖；以及 第6圖繪示根據此處所述其他實施例之脈衝雷射沈積源之剖面圖。

60‧‧‧脈衝雷射沈積源

61‧‧‧雷射

63‧‧‧靶材

65‧‧‧脈衝雷射束

Claims (20)

1. 一種用於一基板之真空處理的方法，包括： 利用提供於一處理區域中的一脈衝雷射沈積源以一材料塗佈該基板或該基板上之一第一材料層；以及 沿著一傳送路徑移動該基板通過該處理區域。
2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該脈衝雷射沈積源包括： 利用一雷射產生一雷射束，特別是一紫外線(UV)雷射；以及 導引該雷射束至一旋轉靶材上，或具有一表面積的一平面靶材上。
3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該脈衝雷射沈積源包括： 利用一雷射產生一雷射束，特別是一紫外線(UV)雷射；以及 導引該雷射束至一旋轉圓柱上，該旋轉圓柱包括該靶材材料。
4. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中一脈衝雷射係動態地偏轉，以逐步地掃描該平面靶材的該表面積的至少一部份。
5. 如申請專利範圍第2或3項所述之方法，其中該表面積係相對於該雷射束移動。
6. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之方法，其中該脈衝雷射沈積源係為一線源。
7. 一種用於一基板之真空處理的方法，包括： 相對於該基板移動一脈衝雷射沈積源之至少一部份，該脈衝雷射沈積源提供於一處理區域中；以及 利用該脈衝雷射沈積源所提供之一材料塗佈該基板或該基板上之一第一材料層。
8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，更包括： 當該基板或該第一材料層係塗佈有該材料時，沿著一傳送路徑移動該基板。
9. 如申請專利範圍第1至4項及7至8項之任一項所述之方法，其中該材料係選自由一金屬、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、透明導電氧化物、及其組合所組成之群組。
10. 申請專利範圍第1至4項及7至8項之任一項所述之方法，更包括下述之至少一者： 沈積該第一材料層於該基板之上方，該第一材料層包括一有機材料；以及 沈積該材料於該第一材料層之上方。
11. 一種用於一基板之真空處理之方法，包括： 導引一脈衝雷射於一圓柱靶材上； 旋轉該圓柱靶材，以暴露該圓柱靶材之複數個不同部份於該脈衝雷射； 利用來自該圓柱靶材之一材料塗佈該基板或該基板上之一第一材料層；以及 相對於彼此移動該基板及該圓柱靶材。
12. 一種製造一裝置之方法，包括： 如申請專利範圍第1至4、7至8及11項之任一項所述之用於該基板之真空處理之該方法，其中用以製造一有機發光二極體(OLED)裝置之一陽極或一陰極或是一電晶體之一背板。
13. 一種用於一基板之真空處理之設備，包括： 至少一脈衝雷射沈積源，提供材料於該基板上；以及 一基板位置，位於藉由該至少一脈衝雷射沈積源提供的一沈積區域中，其中該設備係裝配以執行從來自群組之至少一者，該群組係由移動該基板通過該處理區域及移動該至少一脈衝雷射沈積源之至少一部份通過該基板位置所組成。
14. 如申請專利範圍第13項所述之設備，其中該脈衝雷射沈積源係為一線源。
15. 如申請專利範圍第13至14項之任一項所述之設備其中該脈衝雷射沈積源包括一脈衝雷射及一靶材。
16. 如申請專利範圍第15項所述之設備，其中該脈衝雷射沈積源包括一紫外線(UV)雷射及該靶材。
17. 如申請專利範圍第16項所述之設備，其中該脈衝雷射沈積源包括一準分子雷射及該靶材。
18. 如申請專利範圍第15項所述之設備，其中該脈衝雷射係導引至該靶材上。
19. 如申請專利範圍第18項所述之設備，其中該靶材可為一可旋轉靶材。
20. 在一真空處理設備中處理一基板中之一脈衝雷射沈積源的使用，其中該脈衝雷射沈積源包括： 一雷射；以及 一靶材，一雷射束係在沈積期間導引至該靶材上； 其中該靶材係為一圓柱靶材及在處理期間旋轉，而該雷射束提供成一雷射線； 及其中由該雷射束熔蝕之來自該靶材的複數個粒子係沈積於該基板之一表面上，或沈積於先前沈積於該基板上之一材料層上。

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