CN202022972U - 基片镀膜处理设备 - Google Patents
基片镀膜处理设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202022972U CN202022972U CN2010206903112U CN201020690311U CN202022972U CN 202022972 U CN202022972 U CN 202022972U CN 2010206903112 U CN2010206903112 U CN 2010206903112U CN 201020690311 U CN201020690311 U CN 201020690311U CN 202022972 U CN202022972 U CN 202022972U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chamber
- substrate
- evaporation source
- organic film
- inorganic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 239000007888 film coating Substances 0.000 title abstract 13
- 238000009501 film coating Methods 0.000 title abstract 13
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 80
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 76
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 54
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 48
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 48
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 37
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 30
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 8
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000011897 real-time detection Methods 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本实用新型提供了一种基片镀膜处理设备，包括腔体、加热装置、闸阀组件、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检测仪、蒸发源及控制器。腔体依次包括连通并形成基片输送通道的进料腔、初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔、降温腔及出料腔；加热装置分别设于初始加热腔、有机镀膜腔及无机镀膜腔上；闸阀组件包括密封初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔的若干闸阀；基片传动装置分别设于基片输送通道上；抽真空装置连通初始加热腔和降温腔；膜厚检测仪和蒸发源均设于有机镀膜腔和无机镀膜腔上；控制器控制加热装置、闸阀、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检测仪和蒸发源。本实用新型能集有机和无机蒸镀于一体，且能确保基片镀膜均匀性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种镀膜处理设备，尤其涉及一种对有机发光显示器件中基片进行镀膜处理的基片镀膜处理设备。
背景技术
OLED(英文全称为：Organic Light-Emitting Diode，中文名称为：有机发光二极管)由于具备轻薄、省电等特性，因此在数码产品的显示屏上得到了广泛应用，并且具有较大的市场潜力，目前世界上对OLED的应用都聚焦在平板显示器上，因为OLED是唯一在应用上能和TFT-LCD相提并论的技术，且是目前所有显示技术中，唯一可制作大尺寸、高亮度、高分辨率软屏的显示技术，可以做成和纸张一样的厚度。因此，OLED的显示技术是将来的显示技术的发展方向。
其中，在OLED器件的生产过程中，对基片进行镀膜是制造OLED器件必不可少的工序之一，这道工序的好与坏关系到基片镀膜的镀膜质量和基片寿命，从而影响到OLED器件的质量和寿命，因此，选择好的基片镀膜工序是提高OLED器件质量和寿命的重要因素之一。
目前，现有的对OLED器件的基片进行镀膜操作的基片镀膜设备要么只能对基片进行有机蒸镀，要么只能进行无机蒸镀，不能有效地将有机蒸镀和无机蒸镀结合起来以实现OLED器件的基片的有机蒸镀和无机蒸镀过程；同时，现有的基片镀膜设备不能对镀膜中的基片的厚度进行实时的检测，故不能实时监控基片的镀膜厚度，从而影响到基片镀膜厚度的均匀性。
因此，急需一种既能集有机蒸镀和无机蒸镀于一体以提高基片镀膜的连贯性，又能实时监控基片镀膜厚度以保证基片镀膜厚度均匀性的基片镀膜处理设备。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种基片镀膜处理设备，该基片镀膜处理设备一方面能集有机蒸镀和无机蒸镀于一体以提高基片镀膜的连贯性；另一方面能实时监控基片镀膜厚度以保证基片镀膜厚度的均匀性。
为实现上述目的，本实用新型的技术方案为：提供一种基片镀膜处理设备，包括腔体、加热装置、闸阀组件、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检测仪、蒸发源及控制器。所述腔体依次包括相互连通的且呈中空结构的初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔，所述初始加热腔连接有进料腔，所述降温腔连接有出料腔，所述进料腔、初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔、降温腔及出料腔形成基片输送通道；所述加热装置分别设置于所述初始加热腔、有机镀膜腔及无机镀膜腔上；所述闸阀组件包括若干闸阀，所述闸阀密封所述初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔；所述基片传动装置设置于所述基片输送通道上；所述抽真空装置连通所述初始加热腔和降温腔；所述膜厚检测仪分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔上；所述蒸发源分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔内并位于所述基片输送通道下方；所述控制器控制所述加热装置、闸阀、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检测仪和蒸发源。
较佳地，所述基片镀膜处理设备还包括挡板装置，所述挡板装置包括挡板及驱动所述挡板运动的挡板驱动器，所述挡板分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔内并位于所述蒸发源的上方。通过上述的挡板，在基片需要镀膜时打开，使得蒸发源能对基片进行蒸镀，在基片不需要镀膜时进行关闭，从而使得基片的镀膜厚度更加均匀。
较佳地，所述蒸发源为温度可控式蒸发源，所述温度可控式蒸发源包括线性蒸发源和点蒸发源，所述线性蒸发源设置于所述有机镀膜腔内，所述点蒸发源设置于所述无机镀膜腔内。通过上述的线性蒸发源对基片进行有机的蒸镀、点蒸发源对基片进行无机的蒸镀，使得基片的镀膜的质量更高。
较佳地，所述抽真空装置还连通所述有机镀膜腔和无机镀膜腔，使得有机镀膜腔和无机镀膜腔的真空环境的形成更易。
较佳地，所述抽真空装置为冷泵，能为初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔和降温腔提供极高的真空环境，从而为提高基片的镀膜质量提供极其优越的条件。
较佳地，所述基片传动装置为速度可调式基片传动装置，所述速度可调式基片传动装置包括设置于所述基片输送通道上的传动轮组及驱动所述传动轮组旋转的基片驱动器。通过上述的基片传动装置为速度可调式基片传动装置，对基片的传输速度进行调节，并配合膜厚检测仪，从而更好的监控基片的蒸镀厚度。通过由传动轮组及基片驱动器组成的基片传动装置，使得基片传动装置的结构更简单。
较佳地，所述加热装置位于所述基片输送通道的上方，能为初始加热腔、有机镀膜腔及无机镀膜腔提供恒温的工作环境，从而为提高基片镀膜质量提供极其优异的条件。
与现有技术相比，由于本实用新型的腔体是由连通且呈中空的初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔组成的，故使得本实用新型的基片镀膜处理设备能集基片的有机蒸镀和无机蒸镀于一体以提高基片镀膜的连贯性；同时，由于本实用新型的膜厚检测仪设置于有机镀膜腔和无机镀膜腔内，故使得本实用新型的基片镀膜处理设备能对基片的有机蒸镀和无机蒸镀进行实时监控，从而确保基片镀膜厚度的均匀性。
附图说明
图1是本实用新型基片镀膜处理设备的结构示意图。
具体实施方式
为了详细说明本实用新型的技术内容、构造特征，以下结合实施方式并配合附图作进一步说明。
请参阅图1，本实用新型基片镀膜处理设备1包括腔体、加热装置12、闸阀组件、基片传动装置、抽真空装置14、膜厚检测仪15、蒸发源及控制器。所述腔体依次包括相互连通的且呈中空结构的初始加热腔111、有机镀膜腔112、无机镀膜腔113及降温腔114，所述初始加热腔111连接有进料腔115，所述降温腔114连接有出料腔116，所述进料腔115、初始加热腔111、有机镀膜腔112、无机镀膜腔113、降温腔114及出料腔116形成基片输送通道(图中未标注)；所述加热装置12分别设置于所述初始加热腔111、有机镀膜腔112及无机镀膜腔113上，具体地，该加热装置12位于基片输送通道的上方，从而为初始加热腔111、有机镀膜腔112及无机镀膜腔113提供恒温的工作环境；所述闸阀组件包括若干闸阀131，所述闸阀131密封所述初始加热腔111、有机镀膜腔112、无机镀膜腔113及降温腔114；所述基片传动装置设置于所述基片输送通道上；所述抽真空装置14连通所述初始加热腔111和降温腔114；所述膜厚检测仪15分别设置于所述有机镀膜腔112和无机镀膜腔113上；所述蒸发源分别设置于所述有机镀膜腔112和无机镀膜腔113内并位于所述基片输送通道下方，具体地，该蒸发源为温度可控式蒸发源以控制蒸发的温度，该温度可控式蒸发源包括线性蒸发源16a和点蒸发源16b，该线性蒸发源16a设置于有机镀膜腔112内，而点蒸发源16b设置于无机镀膜腔113内以满足基片2的有机和无机镀膜要求。同时，上述的控制器控制加热装置12、闸阀、基片传动装置、抽真空装置14、膜厚检测仪15、线性蒸发源16a和点蒸发源16b。其中，为了使基片2的镀膜厚度更加均匀，故本实用新型的基片镀膜处理设备1还包括挡板装置，该挡板装置包括挡板171及驱动所述挡板171运动的挡板驱动器(图中未示)，所述挡板171分别设置于所述有机镀膜腔112和无机镀膜腔113内并位于所述蒸发源的上方，具体地，设置于有机镀膜腔112内的挡板171是滑动工作的，挡板驱动器通过驱动挡板171沿图1中双箭头所示的方向往复移动以达到开启有机镀膜腔112内的线性蒸发源16a以实现线性蒸发源16a对基片传动装置输送的基片2的有机蒸镀，或者挡阻有机镀膜腔112内的线性蒸发源16a以停止线性蒸发源16a对基片传动装置输送的基片2的有机蒸镀；而设置于无机镀膜腔113内的挡板171是旋转工作的，挡板驱动器通过驱动挡板171沿图1中旋转箭头所指的方向旋转去开启无机镀膜腔113内的点蒸发源16b以实现点蒸发源16b对基片传动装置输送的基片2的无机蒸镀，或者挡阻无机镀膜腔113内的点蒸发源16b对基片传动装置输送的基片2的无机蒸镀，当然，挡板171在有机镀膜腔112和无机镀膜腔113内的工作方式也可以是相同的(即滑动的工作方式或者旋转的工作方式，在此不对其进行限制)，而对于挡板驱动器如何驱动挡板171滑动或者旋转工作是本领域普通技术人员所熟知，故在此不再详述。其中，通过上述的线性蒸发源16a对基片2进行有机蒸镀、点蒸发源16b对基片2进行无机蒸镀，使得基片2的镀膜质量更高。更具体地，如下：
较优者，所述抽真空装置14还连通上述提到的有机镀膜腔112和无机镀膜腔113，使得有机镀膜腔112和无机镀膜腔113的真空环境的形成更易；而上述提到的抽真空装置具体地选择为冷泵，这样选择的目的在于其能为初始加热腔111、有机镀膜腔112、无机镀膜腔113和降温腔114提供极其优越的真空环境。
同时，上述提到的基片传动装置为速度可调式基片传动装置，该速度可调式基片传动装置包括设置于上述提到的基片输送通道上的传动轮组181及驱动所述传动轮组181旋转的基片驱动器(图中未示)，而该基片驱动器如何驱动传动轮组181旋转的是本领域普通技术人员所熟知，故在此不再对其进行详细的说明。其中，通过上述的基片传动装置为速度可调式基片传动装置，对基片2的传输速度进行调节，并配合膜厚检测仪15，从而更好的监控基片2的蒸镀厚度的均匀性。通过由传动轮组181及基片驱动器组成的基片传动装置，使得基片传动装置的结构更简单。
结合图1，对本实用新型的基片镀膜处理设备1的工作原理作详细的说明：工作时，基片2置于进料腔115内并承载于基片传动装置的传动轮组181上时，控制器控制基片传动装置的基片驱动器作动，作动的基片驱动器驱使传动轮组181旋转，旋转的传动轮组181把基片2往初始加热腔111处输送，当到达初始加热腔111与进料腔115之间的闸阀131时，控制器控制该闸阀131开启，此时通过初始加热腔111处的进气阀19使初始加热腔111处于大气状态，当基片2完全进入初始加热腔111后，控制器控制初始加热腔111与进料腔115之间的闸阀131关闭，同时还控制冷泵开启，使初始加热腔111达到高真空状态，并且控制器还控制加热装置12开始加热，在较短的时间内达到要求的加热温度。当基片2温度达到要求，并使初始加热腔111的真空度与有机镀膜腔112的真空度一致后，控制器控制初始加热腔111的真空度与有机镀膜腔112之间的闸阀131打开，基片2便被基片传动装置输送至有机镀膜腔112内，当基片2完全地进入有机镀膜腔112后，控制器控制初始加热腔111的真空度与有机镀膜腔112之间的闸阀2关闭。此时，控制器还控制有机镀膜腔112内的线性蒸发发源16a以一定的速率蒸发有机材料，由于有机镀膜腔112一直处于高真空状态，故在控制器控制挡板装置的挡板驱动器滑动的打开挡板171后，当基片2以一定的速率通过线性蒸发源16a的上方时就会均匀的附着一层有机材料，且该线性蒸发源16a的温度可调，速率由膜厚检测仪15读出并可调，且基片2运动的速率也可调，这样就可以控制基片2镀膜的厚度。在蒸镀的整个过程中，加热装置12一直保持恒定的温度，从而为整个蒸发提供前提条件，保证基片2在恒定的温度下进行蒸镀，以保证工艺要求与蒸镀质量。当基片2被输送出有机镀膜腔112的镀膜区域后，挡板171被挡板驱动器驱动去阻挡线性蒸发源16a与基片2连通，同时，控制器控制有机镀膜腔112和无机镀膜腔113之间的闸阀131打开，当基片2完全进入无机镀膜腔113之前，控制器通过控制冷泵去保证无机镀膜腔113内和有机镀膜腔112内具有相同的真空度。当基片2进入无机镀膜腔113后，控制器控制有机镀膜腔112和无机镀膜腔113之间的闸阀131关闭，并控制挡板装置的挡板驱动器以旋转的方式打开挡板171，且控制器再控制点蒸发源16b的电子枪开始工作，工作的点蒸发源16b开始蒸镀。重复与有机镀膜腔112同样的动作，从而达到基片2无机蒸镀目的。当基片2在无机镀膜腔113内蒸镀完成后，控制器控制无机镀膜腔113和降温腔114之间的闸阀131打开之前，控制器控制冷泵去确保无机镀膜腔113与降温腔114具有相同的真空度。无机镀膜腔113和降温腔114之间的闸阀131打开后，控制器通过基片传动装置把基片2由无机镀膜腔113传输到降温腔114内，然后再由控制器控制无机镀膜腔113和降温腔114之间的闸阀131关闭。当基片2进入降温腔114后，由于控制器通过控制冷泵使降温腔114处于高真空状态，为了保证降温效果，并形成稳定的降温曲线，控制器必须控制进入降温腔114的气体量与进气时间，在一定的压力状态下保持一定的时间后，再通过降温腔114处的进气阀19充入大量气体，直到达到大气状态。当降温腔114与大气压力一致时，控制器控制降温腔114与出料腔116之间的闸阀131开启，并通过控制基片传动装置把降温腔114内的镀完膜的基片2输送至出料腔116，从而完成一个工作循环过程。
本实用新型的腔体是由连通且呈中空的初始加热腔111、有机镀膜腔112、无机镀膜腔113及降温腔114组成的，故使得本实用新型基片镀膜处理设备1能集基片2的有机蒸镀和无要蒸镀于一体以提高基片2镀膜的连贯性；同时，由于本实用新型的膜厚检测仪15设置于有机镀膜腔112和无机镀膜腔113内，故使得本实用新型基片镀膜处理设备1能对基片2的有机蒸镀和无机蒸镀进行实时监控，从而确保基片2镀膜厚度的均匀性。
以上所揭露的仅为本实用新型的较佳实例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属于本实用新型所涵盖的范围。
Claims (7)
1.一种基片镀膜处理设备，其特征在于，包括：
腔体，所述腔体依次包括相互连通的且呈中空结构的初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔，所述初始加热腔连接有进料腔，所述降温腔连接有出料腔，所述进料腔、初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔、降温腔及出料腔形成基片输送通道；
加热装置，所述加热装置分别设置于所述初始加热腔、有机镀膜腔及无机镀膜腔上；
闸阀组件，所述闸阀组件包括若干闸阀，所述闸阀密封所述初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔；
基片传动装置，所述基片传动装置设置于所述基片输送通道上；
抽真空装置，所述抽真空装置连通所述初始加热腔和降温腔；
膜厚检测仪，所述膜厚检测仪分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔上；
蒸发源，所述蒸发源分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔内并位于所述基片输送通道下方；以及
控制器，所述控制器控制所述加热装置、闸阀、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检测仪和蒸发源。
2.根据权利要求1所述的基片镀膜处理设备，其特征在于，所述基片镀膜处理设备还包括挡板装置，所述挡板装置包括挡板及驱动所述挡板运动的挡板驱动器，所述挡板分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔内并位于所述蒸发源的上方。
3.根据权利要求1或2所述的基片镀膜处理设备，其特征在于，所述蒸发源为温度可控式蒸发源，所述温度可控式蒸发源包括线性蒸发源和点蒸发源，所述线性蒸发源设置于所述有机镀膜腔内，所述点蒸发源设置于所述无机镀膜腔内。
4.根据权利要求1所述的基片镀膜处理设备，其特征在于，所述抽真空装置还连通所述有机镀膜腔和无机镀膜腔。
5.根据权利要求1或4所述的基片镀膜处理设备，其特征在于，所述抽真空装置为冷泵。
6.根据权利要求1所述的基片镀膜处理设备，其特征在于，所述基片传动装置为速度可调式基片传动装置，所述速度可调式基片传动装置包括设置于所述基片输送通道上的传动轮组及驱动所述传动轮组旋转的基片驱动器。
7.根据权利要求1所述的基片镀膜处理设备，其特征在于，所述加热装置位于所述基片输送通道的上方。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010206903112U CN202022972U (zh) | 2010-12-30 | 2010-12-30 | 基片镀膜处理设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010206903112U CN202022972U (zh) | 2010-12-30 | 2010-12-30 | 基片镀膜处理设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202022972U true CN202022972U (zh) | 2011-11-02 |
Family
ID=44847932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010206903112U Expired - Fee Related CN202022972U (zh) | 2010-12-30 | 2010-12-30 | 基片镀膜处理设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202022972U (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102051581A (zh) * | 2010-12-30 | 2011-05-11 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 基片镀膜处理系统 |
| CN102703867A (zh) * | 2012-01-13 | 2012-10-03 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 电子轰击镀膜机 |
| CN102925864A (zh) * | 2012-11-19 | 2013-02-13 | 深圳先进技术研究院 | 蒸发镀膜装置及获得其源炉的工作温度的方法 |
| CN104668138A (zh) * | 2015-01-22 | 2015-06-03 | 浙江万佳热电器科技有限公司 | 一种流水作业石英管镀膜加热炉 |
| CN111719132A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-29 | 东部超导科技（苏州）有限公司 | 一种超导带材镀膜与热处理一体的多道卷绕装置 |
-
2010
- 2010-12-30 CN CN2010206903112U patent/CN202022972U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102051581A (zh) * | 2010-12-30 | 2011-05-11 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 基片镀膜处理系统 |
| CN102051581B (zh) * | 2010-12-30 | 2013-04-03 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 基片镀膜处理系统 |
| CN102703867A (zh) * | 2012-01-13 | 2012-10-03 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 电子轰击镀膜机 |
| CN102925864A (zh) * | 2012-11-19 | 2013-02-13 | 深圳先进技术研究院 | 蒸发镀膜装置及获得其源炉的工作温度的方法 |
| CN102925864B (zh) * | 2012-11-19 | 2014-07-16 | 深圳先进技术研究院 | 蒸发镀膜装置及获得其源炉的工作温度的方法 |
| CN104668138A (zh) * | 2015-01-22 | 2015-06-03 | 浙江万佳热电器科技有限公司 | 一种流水作业石英管镀膜加热炉 |
| CN111719132A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-29 | 东部超导科技（苏州）有限公司 | 一种超导带材镀膜与热处理一体的多道卷绕装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102051581B (zh) | 基片镀膜处理系统 | |
| CN202022972U (zh) | 基片镀膜处理设备 | |
| CN102061445B (zh) | 真空蒸镀装置、真空蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法 | |
| CN207331047U (zh) | 刀具表面连续镀膜装置 | |
| CN104328377B (zh) | 蒸发源、成膜设备及其成膜方法 | |
| CN104078626B (zh) | 用于oled材料蒸镀的加热装置 | |
| CN101956176B (zh) | 连续蒸镀设备 | |
| CN109487216A (zh) | 线源装置和oled蒸镀机 | |
| CN101803460B (zh) | 有机材料蒸气产生装置、成膜源、成膜装置 | |
| US20170159171A1 (en) | Evaporation method | |
| JP2018501405A (ja) | 材料堆積装置、真空堆積システム、及び材料堆積方法 | |
| CN105449123B (zh) | 水氧阻隔层的制备方法 | |
| CN102751438A (zh) | 有机el器件制造方法 | |
| EP2190263B1 (en) | Process for producing thin organic film | |
| CN104213074A (zh) | 一种原位掩模转换装置及其使用方法 | |
| CN103243302B (zh) | 挡板机构、薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 | |
| TWI564427B (zh) | 聚對二甲苯薄膜的形成方法 | |
| CN102628163A (zh) | 碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法及立式镀膜装置 | |
| WO2011116563A1 (zh) | 真空蒸镀装置 | |
| CN101052738A (zh) | 控制气化有机材料的涂覆 | |
| CN104213086A (zh) | 一种双臂自动装片式溅射镀膜方法及其装置 | |
| CN104593731A (zh) | 蒸镀换料一体化设备及其使用方法 | |
| CN104498889B (zh) | 自动化连续式防污膜镀膜装置 | |
| CN204661820U (zh) | 一种pvd真空离子镀膜机 | |
| CN108165947A (zh) | 用于修补平面沉积膜层的自吸式磁控溅射系统及溅射方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20131205 Granted publication date: 20111102 |
|
| RINS | Preservation of patent right or utility model and its discharge | ||
| PD01 | Discharge of preservation of patent |
Date of cancellation: 20140905 Granted publication date: 20111102 |
|
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20140905 Granted publication date: 20111102 |
|
| RINS | Preservation of patent right or utility model and its discharge | ||
| PD01 | Discharge of preservation of patent |
Date of cancellation: 20150905 Granted publication date: 20111102 |
|
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20150905 Granted publication date: 20111102 |
|
| RINS | Preservation of patent right or utility model and its discharge | ||
| PD01 | Discharge of preservation of patent |
Date of cancellation: 20201230 Granted publication date: 20111102 |
|
| PD01 | Discharge of preservation of patent | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20111102 Termination date: 20131230 |