JP5362112B2 - スパッタ成膜装置及び防着部材 - Google Patents
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Description
スパッタ成膜装置110は真空槽111と複数のスパッタ部1201〜1204とを有している。各スパッタ部1201〜1204の構造は同じであり、符号1201のスパッタ部で代表して説明すると、スパッタ部1201はターゲット1211と、バッキングプレート1221と、磁石装置1261とを有している。
このとき、ターゲット1211〜1214から弾き飛ばされたSiO2の一部は防着部材1251〜1254の表面に付着する。防着部材1251〜1254の表面に付着した付着物の薄膜は、スパッタ中に防着部材1251〜1254の表面から剥離して真空槽111内に飛散し、異常放電(アーキング)を誘発したり、基板131表面に形成される薄膜を汚染するという問題があった。
本発明はスパッタ成膜装置であって、前記防着部材は前記基板の前記成膜面の周囲を取り囲むように前記基板に設置されたターゲット側防着部材を有するスパッタ成膜装置である。
本発明は、前記ターゲットを複数有し、各前記ターゲットは前記真空槽内に互いに離間して一列に並んで配置され、各前記ターゲットの前記スパッタ面は同一の平面上に位置するように揃えられ、前記電源装置は隣り合う二つのターゲットの間に交流電圧を印加するように構成されたスパッタ成膜装置であって、隣り合う二つの前記ターゲットのうち一方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周と、他方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周との間の隙間は、前記ターゲット側防着部材で覆われたスパッタ成膜装置である。
本発明は、前記ターゲットを複数有し、各前記ターゲットは前記真空槽内に互いに離間して一列に並んで配置され、各前記ターゲットの前記スパッタ面は同一の平面上に位置するように揃えられ、前記電源装置は、各前記ターゲットと、各前記ターゲットの前記スパッタ面と対面する位置に配置された基板との間に直流電圧又は交流電圧のいずれか一方を印加するように構成されたスパッタ成膜装置であって、隣り合う二つの前記ターゲットのうち一方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周と、他方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周との間の隙間は、前記ターゲット側防着部材で覆われたスパッタ成膜装置である。
本発明はスパッタ成膜装置であって、前記ターゲットはSiO2であるスパッタ成膜装置である。
本発明はスパッタ成膜装置であって、前記ターゲットはSiであり、前記ガス導入系はO2ガスを放出するO2ガス源を有するスパッタ成膜装置である。
本発明は、真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、前記真空槽内にガスを導入するガス導入系と、前記真空槽内に露出するスパッタ面を有するターゲットと、前記ターゲットに電圧を印加する電源装置と、を有し、前記ターゲットの前記スパッタ面と対面する位置に配置された基板の成膜面に薄膜を成膜するスパッタ成膜装置の成膜粒子が付着するターゲット側防着部材であって、前記ターゲット側防着部材はAl2O3であり、前記ターゲット側防着部材の表面のうち前記成膜粒子が付着する付着面の算術平均粗さは4μm以上10μm以下にされ、前記ターゲット側防着部材は、前記ターゲットの前記スパッタ面の周囲を取り囲むように前記ターゲットに設置されるターゲット側防着部材である。
付着物が絶縁性であっても、防着部材も絶縁性であるため付着物の薄膜で絶縁破壊は起こらずアーキングは発生しない。そのためアーキングによる防着部材の損傷を防止できる。またアーキング由来の不純物による基板に形成する薄膜の汚染を防止できる。
図1はスパッタ成膜装置10の内部構成図を示し、図2は同A−A線切断断面図、図3は同B−B線切断断面図を示している。
各スパッタ部201〜204の構造は同じであり、符号201のスパッタ部で代表してスパッタ部の構造を説明する。
すなわち、外周磁石27a1はリング状にされ、中心磁石27b1は外周磁石27a1のリングの内側に配置されている。ここでいう「リング状」とは、中心磁石27b1の周囲を取り囲む形状を示すのであって、必ずしも一つの継ぎ目のない円環であることを意味しない。すなわち、中心磁石27b1の周囲を取り囲む形状であればよく、複数の部品からなってもよいし、ある部分に直線的な形状を有していてもよい。また、閉じた円環又は円環を閉じたまま変形させた形状でもよい。
すなわち、磁石装置261は、スパッタ面231に磁場を発生させる向きで設置された中心磁石27b1と、中心磁石27b1の周囲に連続的な形状で設置された外周磁石27a1とを有している。中心磁石27b1と外周磁石27a1はスパッタ面231に対して互いに異なる極性の磁極を向けるように配置されている。すなわち、外周磁石27a1がターゲット211の裏面に対向している部分の磁極の極性と、中心磁石27b1がターゲット211の裏面に対向している部分の磁極の極性は互いに異なっている。
移動装置29によって磁石装置261を移動させると、磁石装置261がターゲット211の表面上に形成する磁場は、磁石装置261の移動に従ってターゲット211の表面上を移動するようになっている。
各スパッタ部201〜204のバッキングプレート221〜224は柱状の絶縁物14を介して真空槽11の壁面に取り付けられ、各スパッタ部201〜204のバッキングプレート221〜224と真空槽11とは電気的に絶縁されている。
防着部材は、ターゲット211〜214のスパッタ面231〜234の周囲を取り囲むようにターゲット211〜214に設置されたターゲット側防着部材251〜254を有している。
すなわち、各ターゲット211〜214の外周より外側には、リング状にされたターゲット側防着部材251〜254が配置されている。ここでいう「リング状」とは、ターゲット211〜214のスパッタ面231〜234の周囲を取り囲む形状を示すのであって、必ずしも一つの継ぎ目のない円環であることを意味しない。すなわち、ターゲット211〜214のスパッタ面231〜234の周囲を取り囲む形状であればよく、複数の部品からなってもよいし、ある部分に直線的な形状を有していてもよい。
ターゲット側防着部材251〜254はAl2O3であり、ターゲット側防着部材251〜254の表面のうちターゲット211〜214のスパッタ面231〜234の外周より外側に露出する面(以下付着面と呼ぶ)の算術平均粗さは4μm以上10μm以下にされている。後述する実施例で示すように、ターゲット側防着部材251〜254の付着面の算術平均粗さは6μm以上10μm以下にされているものが特に好ましい。
ターゲット側防着部材251のリングの内側にはターゲット211の表面全体が露出して、ターゲット211の表面全体がスパッタされるスパッタ面を成している。符号231はスパッタ面を示している。
すなわち、ターゲット側防着部材251は、ターゲット211の表面のうちスパッタ面231を含む面が不連続となるターゲット211端部に、スパッタ面231の周囲を取り囲むように設置されている。
バッキングプレート221〜224の外周の外側には柱状の支持部24が立設され、ターゲット側防着部材251〜254は支持部24の先端に取り付けられている。
基板31は基板保持板32に保持されて、各ターゲット211〜214の表面(スパッタ面231〜234)と対面する位置に配置されるようになっている。
基板保持板32の表面の大きさは基板31の表面の大きさよりも大きくされ、基板31は、基板31の外周全体が基板保持板32の外周より内側に位置し、基板保持板32の周縁部の全周が基板31の外周から露出するような相対位置で基板保持板32の表面に保持される。
基板31の成膜すべき成膜面は真空槽11内に露出されている。
すなわち、基板31の外周より外側には、リング状にされた基板側防着部材35が配置されている。ここでいう「リング状」とは、基板31の成膜面の周囲を取り囲む形状を示すのであって、必ずしも一つの継ぎ目のない円環であることを意味しない。すなわち、基板31の成膜面の周囲を取り囲む形状であればよく、複数の部品からなってもよいし、ある部分に直線的な形状を有していてもよい。
基板側防着部材35はAl2O3であり、基板側防着部材35の表面のうち基板31の成膜面の外周より外側に露出する面(以下付着面と呼ぶ)の算術平均粗さは4μm以上10μm以下にされている。後述する実施例で示すように、基板側防着部材35の付着面の算術平均粗さは6μm以上10μm以下にされているものが特に好ましい。
以後、基板31と、基板31を保持する基板保持板32と、基板31の成膜面の外周を取り囲む基板側防着部材35とをまとめて成膜対象物30と呼ぶ。
先ず、各スパッタ部201〜204の磁石装置261〜264の外周磁石の外周の一部を当該スパッタ部201〜204のターゲット211〜214のスパッタ面231〜234の外周からはみ出させる距離の最小値であるはみ出し最小値と、最大値であるはみ出し最大値とを求める測定工程を説明する。
成膜対象物30を真空槽11内に搬入せずに、ガス導入系13から真空槽11内にスパッタガスと反応ガスとの混合ガスを導入する。ここではスパッタガスにArガスを使用し、反応ガスにO2ガスを使用して、反応ガス源(O2ガス源)13bから真空槽11内に導入されたO2ガスが各スパッタ部201〜204のターゲット211〜214表面と反応し、各ターゲット211〜214の表面に絶縁性の酸化物SiO2を形成する、いわゆる酸化モード(Oxide Mode)を成すような流量で真空槽11内に混合ガスを導入する。ここではArガスを50sccm、O2ガスを150sccmの流量で導入する。
スパッタ中の各スパッタ部201〜204の状態は同じであり、符号201のスパッタ部で代表して説明する。
各スパッタ部201〜204のターゲット側防着部材251〜254を支持部24から取り外し、各スパッタ部201〜204のターゲット部を真空槽11の外側に搬出する。
ターゲット側防着部材251〜254を支持部24に固定して、各ターゲット側防着部材251〜254のリングの内側に各スパッタ部201〜204のターゲット211〜214のスパッタ面231〜234を露出させる。
真空槽11内に成膜対象物30を搬入し、成膜対象物30の基板31の成膜面が各スパッタ部201〜204のターゲット211〜214のスパッタ面231〜234と対面する位置に静止させる。
制御装置36はここでは、磁石装置261を、外周磁石27a1の外周全体がターゲット211のスパッタ面231の外周より内側に入る位置と、外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周からはみ出る位置との間を移動させるように構成されている。
すなわち、磁石装置261は、外周磁石27a1の外周全体がスパッタ面231の周囲を取り囲む防着部材251の内周よりも内側に入る位置と、外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の周囲を取り囲む防着部材251の内周よりも外周側にはみ出る位置との間で移動するよう構成されている。
ターゲット211上でアーキングが生じないため、アーキングによるターゲット211の損傷を防止できる。また基板31に形成する薄膜の不純物による汚染を防止できる。
すなわち、一のスパッタ部201のターゲット211のスパッタ面231の外周と、当該スパッタ部201に隣接する他のスパッタ部202のターゲット212のスパッタ面232の外周との間を外側領域と呼ぶと、制御装置36は、当該スパッタ部201の磁石装置261を、当該磁石装置261の外周磁石27a1の外周全体が当該スパッタ部201のターゲット211のスパッタ面231の外周よりも内側に入る位置と、外側領域にはみ出る位置との間でも移動させるように構成されている。
言い換えると、少なくとも一つのターゲット211のスパッタ面231の裏側に設置された磁石装置261は、外周磁石27a1の外周全体が当該ターゲット211のスパッタ面231の周囲を取り囲む防着部材251の内周よりも内側に入る位置と、外周磁石27a1の外周の一部がターゲット211の防着部材251の内周よりも外側と、当該ターゲット211に隣接する他のターゲット212のスパッタ面232の周囲を取り囲む防着部材252の内周との間にはみ出る位置との間で移動するように構成されている。
なお、図1では磁石装置261〜264の平面形状は細長形状で示されているが、本発明の磁石装置261〜264の平面形状は細長形状に限定されない。
さらに本発明は、Al等の金属材料のターゲットをスパッタして、金属の薄膜を形成する場合にも用いることができる。
成膜にO2ガスを用いない場合には、スパッタ成膜装置10のガス導入系13からO2ガス源13bを省略してもよい。
図8は第二の試験用防着部材の試験工程後の付着面を撮影した写真である。部分的にSiO2膜の付着面からの剥離を確認できる。
図9は第三の試験用防着部材の試験工程後の付着面を撮影した写真である。SiO2膜の表面に起伏は確認できるが、SiO2膜の付着面からの剥離は確認できない。
図10は第四の試験用防着部材の試験工程後の付着面を撮影した写真である。SiO2膜の表面に起伏は確認できず、SiO2膜の付着面からの剥離も確認できない。
また、付着面の前記算術平均粗さを6μm以上10μm以下にした場合は、よりその付着物剥離防止の効果が高いことがわかる。
10a、10b、10c……成膜装置
11……真空槽
12……真空排気装置
13……ガス導入系
13b……反応ガス源(O2ガス源)
21……成膜材料
211〜214……ターゲット(成膜材料)
251〜254……ターゲット側防着部材
31……基板
35……基板側防着部材
37……電源装置
39……真空槽の内壁面に配置された防着部材
52……ガス導入系
Claims (7)
- 真空槽と、
前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、
前記真空槽内にガスを導入するガス導入系と、
前記真空槽内に露出するスパッタ面を有するターゲットと、
前記ターゲットに電圧を印加する電源装置と、
前記ターゲットの前記スパッタ面からスパッタされたスパッタ粒子が付着する位置に配置された防着部材とを有し、
前記ターゲットの前記スパッタ面と対面する位置に配置された基板の成膜面に薄膜を成膜するスパッタ成膜装置であって、
前記防着部材はAl2O3であり、前記防着部材の表面のうち前記スパッタ粒子が付着する付着面の算術平均粗さは4μm以上10μm以下にされ、
前記防着部材は、前記ターゲットの前記スパッタ面の周囲を取り囲むように前記ターゲットに設置されたターゲット側防着部材を有するスパッタ成膜装置。 - 前記防着部材は前記基板の前記成膜面の周囲を取り囲むように前記基板に設置されたターゲット側防着部材を有する請求項1記載のスパッタ成膜装置。
- 前記ターゲットを複数有し、
各前記ターゲットは前記真空槽内に互いに離間して一列に並んで配置され、各前記ターゲットの前記スパッタ面は同一の平面上に位置するように揃えられ、
前記電源装置は隣り合う二つのターゲットの間に交流電圧を印加するように構成された請求項2記載のスパッタ成膜装置であって、
隣り合う二つの前記ターゲットのうち一方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周と、他方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周との間の隙間は、前記ターゲット側防着部材で覆われたスパッタ成膜装置。 - 前記ターゲットを複数有し、
各前記ターゲットは前記真空槽内に互いに離間して一列に並んで配置され、各前記ターゲットの前記スパッタ面は同一の平面上に位置するように揃えられ、
前記電源装置は、各前記ターゲットと、各前記ターゲットの前記スパッタ面と対面する位置に配置された基板との間に直流電圧又は交流電圧のいずれか一方を印加するように構成された請求項2記載のスパッタ成膜装置であって、
隣り合う二つの前記ターゲットのうち一方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周と、他方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周との間の隙間は、前記ターゲット側防着部材で覆われたスパッタ成膜装置。 - 前記ターゲットはSiO2である請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のスパッタ成膜装置。
- 前記ターゲットはSiであり、前記ガス導入系はO2ガスを放出するO2ガス源を有する請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のスパッタ成膜装置。
- 真空槽と、
前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、
前記真空槽内にガスを導入するガス導入系と、
前記真空槽内に露出するスパッタ面を有するターゲットと、
前記ターゲットに電圧を印加する電源装置と、
を有し、前記ターゲットの前記スパッタ面と対面する位置に配置された基板の成膜面に薄膜を成膜するスパッタ成膜装置の成膜粒子が付着するターゲット側防着部材であって、
前記ターゲット側防着部材はAl2O3であり、前記ターゲット側防着部材の表面のうち前記成膜粒子が付着する付着面の算術平均粗さは4μm以上10μm以下にされ、
前記ターゲット側防着部材は、前記ターゲットの前記スパッタ面の周囲を取り囲むように前記ターゲットに設置されるターゲット側防着部材。
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CN106029938B (zh) * | 2014-02-19 | 2018-12-21 | 堺显示器制品株式会社 | 成膜装置 |
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CN108342683A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-07-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种预溅射基板及其制作方法 |
JP2019157144A (ja) * | 2018-03-07 | 2019-09-19 | シャープ株式会社 | 成膜装置 |
WO2019244730A1 (ja) * | 2018-06-20 | 2019-12-26 | 株式会社アルバック | 防着部材及び真空処理装置 |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1025569A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スパッタ装置 |
JP2001140054A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-22 | Nec Kagoshima Ltd | 真空成膜装置のクリーニング方法及び真空成膜装置 |
JP2005036300A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Ntt Afty Corp | プラズマ成膜装置及びその防着シールド並びに防着シールドの構造設計方法 |
JP2009161819A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | スパッタリング装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4042287C2 (de) * | 1990-12-31 | 1999-10-28 | Leybold Ag | Vorrichtung zum reaktiven Aufstäuben von elektrisch isolierendem Werkstoff |
DE4106770C2 (de) * | 1991-03-04 | 1996-10-17 | Leybold Ag | Verrichtung zum reaktiven Beschichten eines Substrats |
US7306707B2 (en) * | 2003-06-04 | 2007-12-11 | Tokyo Electron Limited | Adaptable processing element for a processing system and a method of making the same |
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CN1965101B (zh) * | 2004-06-07 | 2014-06-25 | 株式会社爱发科 | 磁控管溅射方法以及磁控管溅射装置 |
US8647484B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
KR101083443B1 (ko) * | 2007-03-01 | 2011-11-14 | 가부시키가이샤 알박 | 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치 |
JP5283880B2 (ja) * | 2007-10-01 | 2013-09-04 | 株式会社東芝 | 真空成膜装置 |
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JP5295994B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2013-09-18 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置及び基板処理装置におけるアーキング発生監視方法 |
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Patent Citations (4)
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---|---|---|---|---|
JPH1025569A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スパッタ装置 |
JP2001140054A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-22 | Nec Kagoshima Ltd | 真空成膜装置のクリーニング方法及び真空成膜装置 |
JP2005036300A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Ntt Afty Corp | プラズマ成膜装置及びその防着シールド並びに防着シールドの構造設計方法 |
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