KR102234456B1 - 전기적 절연층의 반응성 스퍼터 침착을 위한 타깃 - Google Patents

전기적 절연층의 반응성 스퍼터 침착을 위한 타깃 Download PDF

Info

Publication number
KR102234456B1
KR102234456B1 KR1020167003139A KR20167003139A KR102234456B1 KR 102234456 B1 KR102234456 B1 KR 102234456B1 KR 1020167003139 A KR1020167003139 A KR 1020167003139A KR 20167003139 A KR20167003139 A KR 20167003139A KR 102234456 B1 KR102234456 B1 KR 102234456B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
area
reactive
region
electrically insulating
Prior art date
Application number
KR1020167003139A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160029113A (ko
Inventor
위르그 하그만
지그프리트 크라스니쩌
Original Assignee
외를리콘 서피스 솔루션즈 아게, 페피콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 외를리콘 서피스 솔루션즈 아게, 페피콘 filed Critical 외를리콘 서피스 솔루션즈 아게, 페피콘
Publication of KR20160029113A publication Critical patent/KR20160029113A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102234456B1 publication Critical patent/KR102234456B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3426—Material
    • H01J37/3429—Plural materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3485—Sputtering using pulsed power to the target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3417—Arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3423—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3464—Operating strategies
    • H01J37/3467—Pulsed operation, e.g. HIPIMS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3322—Problems associated with coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Abstract

본 발명은 타깃에 관한 것으로, 타깃의 타깃 표면은 코팅 챔버 내의 전기적 절연층의 반응성 스퍼터 침착을 위한 타깃의 사용으로 인해 코팅 챔버 내에서도 방지되는 타깃 표면으로부터 어노드로의 스파크 방전이 형성되는 방식으로 설계된다.

Description

전기적 절연층의 반응성 스퍼터 침착을 위한 타깃{TARGET FOR THE REACTIVE SPUTTER DEPOSITION OF ELECTRICALLY INSULATING LAYERS}
본 발명은 타깃 표면이 코팅 챔버 내의 전기적 절연층의 반응성 스퍼터-침착을 위한 타깃의 사용이 타깃 표면으로부터 코팅 챔버 내에도 존재하는 어노드로의 스파크 방전의 생성을 방지하도록 설계된 타깃에 관한 것이다.
스퍼터링 기술들("스퍼터링 프로세스", "HiPIMS 프로세스" 및 "스퍼터 침착"과 같은 용어들이 아래에서 사용되며; 이들 프로세스들 모두가 스퍼터링 기술을 이용하는 코팅 프로세스로서 이해되어야만 한다)을 이용하는 코팅 프로세스는 전압 공급장치 또는 전력 공급장치에 의한 음의 전압 인가를 통해 진공 챔버 내에서 수행된다. 스퍼터링 프로세스에서, 코팅 챔버 내에도 존재하는 적어도 하나의 추가 전극이 어노드에 접속된다. 비활성 기체로서의 역할을 하는 소위 작업 기체(working gas)가 코팅 챔버 내로 도입되고 양전하 이온들이 그로부터 생성된다. 양전하 작업 기체 이온들은 타깃 표면에서 가속화되어 가속화된 이온들과의 충돌이 입자들이 타깃의 표면으로부터 방출되게 한다. 프로세스 파라미터들에 의존하여, 타깃으로부터 방출된 입자들은 소정의 정도로 이온화되며 코팅될 기판 표면 상으로 침착된다. 만약 금속성 타깃들이 사용된다면, 스퍼터링 프로세스 동안 타깃으로부터 생성되는 이온들이 종종 금속성 이온으로 지칭된다. 아르곤이 일반적으로 작업 기체로서 사용되지만, 절대로 다른 것을 배제하는 것은 아니다.
만약 비금속성 층들이 스퍼터링 프로세스에 의해 금속성 타깃으로부터 침착된다면, 소위 반응성 기체가 코팅 챔버 내에 도입될 수 있으며, 이것은 금속성 타깃으로부터 생성된 금속성 이온들과 반응할 수 있다. 이러한 방식으로, 반응성 기체와 타깃으로부터 생성된 이온들 사이의 반응으로부터 발생하는 재료가 코팅될 기판 표면 상에 박막으로서 침착된다.
금속성 타깃들의 사용 및 몇몇 예를 들자면 O2, N2, C2H2 및 CH4와 같은 반응성 기체들의 도입을 통해, 이것은 기판 표면 상의 반응 및 산화물, 질화물, 탄화물, 또는 이들의 혼합물과 같은 상응하는 혼합 재료들의 형성을 발생시키며, 이러한 혼합물은 옥시나이트라이드, 카보나이트라이드 및 카복시나이트라이드를 포함한다.
코팅 챔버 내의 주변 기체 내에서의 산란 프로세스로 인해 그리고 또한 전기적 또는 전자기적 인력으로 인해, 이미 타깃 및 이온화된 원자들로부터 스퍼터링된 입자들이 다시 타깃으로 전달된다. 본 발명의 맥락에서, 이러한 현상은 "재침착(redeposition)"으로 지칭된다. 이것은 특히 타깃의 에지에서 발생하는데, 이는 타깃의 에지에서의 스퍼터 속도가 다른 타깃 표면 영역들에 비교하여 매우 낮기 때문이다. 그러나 재침착은 일반적으로 낮은 스퍼터 속도를 갖는 타깃 표면, 예를 들어 레이스트랙 밖의 전체 영역 내에서 다량으로 예상된다.
소위 "재침착"으로 인해 타깃 표면으로 복귀하는 입자들, 특히 이온화된 원소들은 반응성 기체와 반응할 수 있고, 따라서 반응으로부터 발생하는 화합물로 구성된 필름을 형성하며, 이것은 특히 가속화된 "재침착"으로 타깃 표면 영역을 커버한다.
만약 반응으로부터 발생한 화합물 재료가 낮은 전기 전도성을 갖는 재료라면, 예를 들어 언제건 스파크 방전 문제를 발생시킬 수 있는 산화물 필름과 같은 전기적 절연성 필름이 타깃 표면 상에 형성된다.
예를 들어 타깃 에지에서의 절연 코팅의 형성은 코팅 표면과 스퍼터링 타깃 사이의 전하의 구축으로 이어지며, 추가의 결과로서, 방해가 되는 전기 방전으로 이어지고 따라서 타깃 표면으로부터 어노드로의 스파크 방전의 생성으로 이어진다. 스파크 방전의 생성은 전체 스퍼터링 프로세스를 불안정하게 만들 수 있고 그 과정에서 층 구조물 내에 원치 않는 결함을 발생시킬 수도 있다.
특허 명세서 EP0692138B1에서, 타깃에 인가된 음의 전압의 극성이 1㎲ 내지 10㎲ 동안 반전된다는 점에서 반응성 스퍼터링 프로세스가 안정화된다. 이러한 경우에, 반전-극성 전압은 음의 전압의 5% 내지 20%이어야만 한다. 이것은 반응성 스퍼터링 프로세스의 방전의 우수한 안정화를 획득할 수 있어야만 한다. 그러나 이러한 솔루션은 알루미늄 산화물과 같은 일부 화합물 재료들의 반응성 스퍼터 침착에서 만족스럽지 않으며, 이는 이러한 재료들이 너무나 높은 전기적 절연성 양상을 가짐에 따라 예를 들어 알루미늄 산화물 필름과 같은 필름이 타깃 표면 상에 형성될 때 이러한 측정이 프로세스를 안정화하기에 더 이상 충분하지 않도록 프로세스가 불안정해지기 때문이다.
특허 출원 WO99/63128에서, 코팅 재료로 커버되고자 하는 타깃 에지들의 경향성을 감소시키고자 의도된 가진 에지들을 갖는 타깃 설계가 개시되었다. 이러한 솔루션은 타깃의 에지 구역 상의 입자들의 "재침착"을 방지하거나 적어도 지연시키도록 의도된다. 코팅 재료를 이용한 타깃 에지들의 커버가 이러한 수단에 의해 지연될 수 있지만, 전기적으로 매우 절연성인 화합물 재료들의 필름의 형성은 항상 스파크 방전, 특히 타깃 에지로부터 어노드로의 스파크 방전의 위험을 포함하며, 이것은 예를 들어 알루미늄 산화물 층들의 반응성 스퍼터 침착의 경우에서 종종 발생한다.
전술된 스파크 방전 문제는 특히 알루미늄으로 제조된 금속성 타깃 및 산소의 형태인 반응성 기체가 사용되는 반응성 고전력 임펄스 스퍼터링(HiPIMS) 프로세스에 의한 알루미늄 산화물 층의 침착에서 드러난다.
본 발명의 측면에서, "HiPIMS 프로세스"라는 용어는 적어도 0.2A/cm2 또는 0.2A/cm2 초과의 스퍼터링 방전의 전류 밀도, 또는 적어도 100W/cm2 또는 100W/cm2 초과의 전력 밀도를 사용하는 스퍼터링 프로세스를 지칭할 때 사용된다.
본 발명의 목적은 반응성 스퍼터링 프로세스에 의한 전기적 절연층의 침착 동안 타깃과 어노드 사이의 스파크 방전의 생성으로 인해 발생할 수 있는 프로세스 불안정성을 방지하는 것을 가능하게 하는 실시예를 만드는 것이다. 본 발명에 따른 실시예는 또한 금속성 알루미늄 타깃과 반응성 기체로서 산소를 이용하는 반응성 HiPIMS 프로세스에 의한 안정적인 프로세스에서 전기적으로 절연성인 알루미늄 산화물 층이 침착되는 것을 가능하게 해야만 한다.
본 발명의 목적은 타깃이 청구항 제 1 항에 기술된 바와 같은 설계를 이용하여 생성된다는 점에서 획득되며, 반응성 스퍼터링 프로세스, 특히 반응성 HiPIMS 프로세스를 수행하도록 사용된다.
본 발명은 코팅 챔버 내의 전기적 절연층의 반응성 스퍼터 침착을 위한 타깃의 사용이 타깃 표면으로부터 코팅 챔버 내에도 위치된 어노드로의 스파크 방전의 생성을 방지하도록 구현된 타깃 표면을 갖는 타깃에 관한 것이다.
본 발명에 따른 타깃이 도 1에 도시되었으며 적어도 표면 영역(10) 내에 적어도 하나의 제1 영역 BM1 및 하나의 제2 영역 BM2를 포함하되, 이때
* 제1 영역 BM1은 반응으로부터 발생하는 M1-함유 화합물 재료가 코팅될 기판을 코팅하기 위한 원하는 층 재료의 조성에 대응하도록 하는 방식으로 반응성 기체와 반응할 수 있는 하나 이상의 원소로 구성된 제1 재료 M1으로 제조되고,
* 제2 영역 BM2는 반응으로부터 발생하는 M2-함유 화합물 재료가 M1-함유 화합물 재료에 비교하여 더 높은 전기 전도성을 갖도록 하는 방식으로 전술된 반응성 기체와 반응할 수 있거나 또는 전술된 반응성 기체에 대해 비활성인 하나 이상의 원소로 구성된 제2 재료 M2로 제조되며,
* M1≠M2이다.
바람직하게는, 제1 영역 BM1이 타깃으로부터의 입자들의 스터퍼링으로 인해 높은 부식 속도를 겪는 타깃 표면의 영역들을 둘러싸는 타깃의 영역이다. 이것은 특히 레이스트랙이 예상되는 타깃 표면의 영역들을 지칭한다. 타깃 표면 상의 레이스트랙의 위치가 다양한 프로세스 파라미터에, 주로 타깃 내의 자기장 속성이지만 예를 들어 타깃의 기하학적 구조에도 의존하기 때문에, 본 발명에 정의된 바와 같은 제1 영역 BM1은 상응하는 프로세스 파라미터 및 프로세스 조건의 함수로서 선택될 수 있다.
바람직하게는, 제2 영역 BM2는 타깃으로부터의 입자들의 스퍼터링에 의해 낮은 부식 속도를 겪는 타깃 표면의 영역들을 포함하는 타깃의 영역이다. 이것은 특히 레이스트랙이 예상되지 않는 타깃 표면의 영역들을 지칭한다. 제1 영역 BM1의 선택과 유사한 방식으로, 본 발명에 의해 정의된 바와 같은 제2 영역 BM2가 상응하는 프로세스 파라미터 및 프로세스 조건의 함수로서 선택될 수 있다.
바람직하게는, 제1 영역 BM1이 도 1 내에 예시로서 도시된 바와 같이 타깃의 코어 영역을 포함한다.
바람직하게는, 제2 영역 BM2가 도 1 내에 예시로서 도시된 바와 같이 타깃의 에지 영역을 포함한다.
바람직하게는, 제2 재료 M2는 M2 및 반응으로부터 발생하는 M2-함유 화합물 재료 모두가 코팅 챔버 내의 어노드와 타깃 표면의 에지 영역 사이의 스파크 방전의 생성을 막거나 바람직하게는 완전히 방지하기에 충분히 높은 전기 전도성을 갖도록 선택된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 제2 재료 M2는 제1 재료 M1 내에도 포함된 적어도 하나의 원소를 포함한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제1 재료 M1은 하나의 금속 또는 금속들의 조합을 포함한다. 일부 코팅 프로세스들에 있어서, 제1 재료 M1이 하나의 금속 또는 금속들의 조합으로 구성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제2 재료 M2는 하나의 금속 또는 금속들의 조합을 포함한다. 일부 코팅 프로세스들에 있어서, 제2 재료 M2가 하나의 금속 또는 금속들의 조합으로 구성되는 것이 바람직하다.
본 발명은 예시들 및 도면들과 관련하여 아래에서 더욱 자세하게 기술되었다.
반응성 기체로서 산소 및 알루미늄을 함유하는 타깃을 이용하여, 보노 출원인은 Oerlikon Balzers사로부터 타입 Ingenia S3p™의 고전력 임펄스 마그네트론 스퍼터 코팅 시스템에 대한 다수의 코팅 시험을 수행해왔다.
산소 대기 내의 산화물 층의 HiPIMS 침착의 프로세스 안정성을 연구하기 위해, 서로 다른 크로뮴 함유량을 갖는 타깃들이 테스트되었다. 이것은 더 많은 크로뮴 함유량을 가질 때 스파크 방전에 대한 더 낮은 경향을 가짐을 나타내었다. 본 출원인의 의견으로는, 이에 대한 해석이 증가된 크로뮴 함유량을 가지고 침착된 알루미늄 크로뮴 산화물 층의 전기적으로 절연성인 특성의 감소에 있다.
도 2는 두 개의 서로 다른 반응성 HiPIMS 프로세스들의 스파크 방전들의 발생순서 시퀀스를 도시한다.
도 2a에 도시된 시퀀스는 99.9at%의 알루미늄 원자 농도를 갖는 알루미늄 타깃이 사용되는 HiPIMS 프로세스에 속한다. 이러한 타깃 상에서 사용되는 스퍼터링 전력 밀도는 300W/cm2이다. 아르곤이 가장 먼저 코팅 챔버 내에 도입되어 작업 기체로서 사용되었다. 이 프로세스는 전체 프로세스 압력 0.6Pa를 가지고 압력-제어되는 방식으로 수행되었다. 타깃을 컨디셔닝하기 위해서, 타깃에 대한 스퍼터링 프로세스가 아르곤 대기 내의 셔터 뒤의 시간 t0에서 시작되었다. 타깃 컨디셔닝 간격 후에, 시간 t1에서, 산소가 코팅 챔버 내로 도입되고 산소 부분압이 100mPa로 유지되었다. 시간 t2에서, 셔터가 타깃으로부터 제거되고 그에 따라 이 시간으로부터 앞으로, 코팅될 기판 표면 상에 산화물 층의 침착이 시작될 수 있다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 집중적이고 빈번한 스파크 방전이 산화물 층의 침착 동안에 관찰되었다. HiPIMS 프로세스를 수행한 후에, 본 출원인은 사용된 타깃을 검사하였으며 타깃 표면의 에지 영역 상의 스파크 방전의 명료한 트레이스를 확인하였다.
도 2b에 도시된 시퀀스는 50:50at% 알루미늄 크로뮴 원자 농도를 갖는 알루미늄 크로뮴 타깃이 사용된 HiPIMS에 속한다. 그렇지 않으면, 전술된 HiPIMS 프로세스와 동일한 프로세스 파라미터 및 동일한 프로세스 시퀀스가 사용되었다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 이때에는 산화물 층의 침착 동안 명확한 스파크 방전이 확인될 수 없다. 본 출원인은 유사하게 HiPIMS 프로세스를 수행한 후에 사용된 타깃들을 테스트하였지만, 이번에는 타깃 표면의 에지 영역 내에 스파크 방전의 트레이스가 확인되지 않았다.
이러한 테스트 후에, 본 출원인은 원하는 층의 침착을 위한 재료 M1에 더하여, 타깃이 적어도 반응성 스퍼터링 또는 HiPIMS 층 침착 동안 스파크 방전을 생성하도록 의도되지 않은 타깃 표면의 에지 영역 내에 제2 재료 M2를 구비하도록 설계하는 아이디어를 가졌다.
아래에서는, 본 발명에 따른 실시예들을 이용한 타깃들의 복수의 바람직한 실시예들이 개시되며, 방해되는 전기 방전에 대한 감소된 경향 또는 스파크 방전을 생성하는 감소된 경향을 획득하고, 결과적으로 반응성 스퍼터링 또는 HiPIMS 프로세스에 의한 안정적인 프로세스에서 전기적으로 절연층의 침착을 획득한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 타깃을 통한 단면의 개략도이다. 원하는 층을 생성하기 위해 사용되는 제1 재료 M1이 타깃의 중심 영역 내에 위치된다. M1보다 반응성 스퍼터링 프로세스 동안 스파크 방전을 생성하려는 더 낮은 경향을 갖는 제2 재료 M2가 더 큰 부식이 발생하는 타깃의 에지 구역 내에 제1 재료 M1과 함께 위치된다. 전술된 바와 같이, 스파크 방전을 생성하려는 더욱 큰 경향이 특히 스퍼터링 프로세스 동안 미세한 부식이 발생하고 레이스트랙이 발견되지 않는 타깃 표면의 영역들 내에서 예상된다. 이것이 정확히 이 위치 내에 제2 재료 M2가 위치되어야만 하는 이유이다. 본 발명에 따라 제2 재료 M2가 존재해야만 하는 타깃의 영역이 낮은 스퍼터 속도에 의해 특징지어지기 때문에, 이러한 재료 M2의 백분율은 코팅될 기판 상에 침착되는 층들의 조성에서 매우 낮아야만 한다. 타깃의 중심 영역으로서 본 명세서에서 지칭되는 타깃 영역의 면적의 치수는, 도 3에 도시된 바와 같이 타깃의 두께에 대해 달라질 수 있다. 도 3은 또한 마그네트론의 자기장에 의해 형성되고 적어도 타깃의 에지 영역에서 재료 M1 및 M2와 겹쳐지는 플라스마 영역(3)을 도시한다.
일부 테스트들에서, 예를 들어 도 3 및 5에 개략적으로 도시된 바와 같이, 타깃의 전방 영역 또는 표면 영역(10) 내의 재료 M1로 구성된 타깃 코어 영역의 치수가 타깃의 후방 영역(20)보다 더 작은 것이 바람직할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 타깃을 통한 단면의 개략도이다. 제2 재료 M2의 농도가 너무 높아져서 이것이 이러한 방법을 이용하여 침착된 층들의 층 속성에 부정적인 영향을 미치는 것을 방지하기 위해서, 타깃은 제1 재료 및 제2 재료 모두가 존재하는 타깃의 "혼합 영역" 내에 설정 각도 W를 갖도록 구현된다. 설정 각도 W는 층 구조물에 대해 바람직하지 않은 제2 재료 M2를 선택적으로 마스킹하도록 사용된다. 도 4의 화살표 EM1 및 EM2가, 본 발명의 이러한 실시예에 따른 타깃의 이용으로 인해 예상되는 제1 재료 M1 및 제2 재료 M2의 바람직한 방출 방향을 표시한다. 도 4는 또한 코팅될 기판(6)의 예를 도시한다.
도 5는 본 발명의 세 가지 다른 바람직한 실시예들에 따라 설계된 세 개의 타깃들을 통한 단면의 세 가지 개략도를 도시한다.
도 5a는 도 4에 이미 도시된 실시예의 하나의 변형을 도시한다. 이러한 변형에 따르면, 타깃은 타깃을 코팅 시스템 내에 장착하기 더 쉽도록 만들기 위해 수평 에지 영역(15) 내에 적어도 하나의 리세스를 포함한다. 이러한 실시예에 따르면, 재료 M1과 M2 사이의 인터페이스가 바람직하게는 베벨(bevel) 내에 포함된다.
도 5b는 타깃이 두 개의 베벨을 갖도록 구현된 일 실시예를 도시한다. 이러한 경우에서, 반응성 기체와의 타깃 재료의 반응으로부터 발생한, 타깃 표면 상의 필름의 덜 확연한 성장 또는 더 적은 적도의 재침착이 영역 BM1 내에서 획득된다. 또한 도 5b에 도시된 바와 같이, 각 베벨의 시작 및/또는 끝에 존재할 수 있는 에지 영역들에 있어서, 가능한 기하학적으로 유도되는 스파크 방전 또는 합선을 방지하기 위해 상응하는 생성 후에 둥글려지는 것이 바람직할 수 있다.
도 5c에 도시된 실시예는 본 발명에 따른 타깃을 구비하며, 여기에서 예컨대 베이어닛 링과 같은 베이어닛 마운트(bayonet mount)(7)가 스퍼터링 프로세스 동안에 타깃을 고정하도록 사용되며; 베이어닛 홀더(7)가 바람직하게는 더 높은 온도에서조차 우수한 기계적 안정성을 갖는 제3 재료 M3로 구성된다.
알루미늄 산화물 층(Al2O3)의 생산이 프로세스 안정성에 대한 특히 높은 필요성을 갖기 때문에, 본 출원인은 프로세스 안정성에서의 향상을 확인하고자 HiPIMS 프로세스 및 본 발명에 따라 구현된 타깃을 이용하여 알루미늄 산화물 층을 침착하였다.
본 발명에 따라 수행된 시도들 중 하나의 결과가 예로서 아래와 같이 기록되었다:
알루미늄 산화물 층이 아래의 프로세스 파라미터들을 가지고 수행된 반응성 HiPIMS 프로세스에 의해 생산되었다:
- 작업 기체: 아르곤
- 반응성 기체: 산소
- 프로세스 압력: 0.6Pa
- 산소 부분압: 100mPa
- 전력 밀도: 300W/cm2
- 도 5a에 도시된 본 발명의 실시예를 갖는 타깃, 이때 M1=99.9% 농도의 알루미늄(at% 단위로 Al 99.9)이고 M2=각각 50at%의 농도의 알루미늄 및 크로뮴(at% 단위로 AlCr 50:50).
이러한 프로세스에서 스파크 방전에 개입하는 발생순서 시퀀스가 도 6에 도시되었다. 본 발명에 따른 전기적으로 절연성 알루미늄 산화물 층들의 반응성 HiPIMS 침착 동안 관련 스파크 방전이 검출되지 않았다. 커버 영역(즉, 타깃 재료와 반응성 기차의 반응으로부터 발생하는 필름으로 증가된 커버리지를 경험하는 타깃의 영역들)이 스파크 방전의 어떠한 트레이스도 나타내지 않았다. 제1 재료 Al 및 제2 재료 AlCr가 서로 나란히 위치된 "혼합물 영역"(위에서 "혼합 영역"으로도 지칭됨)은 균일한 스퍼터링이 획득되는 것을 가능하게 하였다. 이것은 "혼합물 영역" 내에서 타깃 표면의 알루미늄 산화물 커버링의 매우 작은 양만이 검출되었다는 사실로부터 명백하다. "혼합물 영역"으로 본 명세서에서 지칭되는 영역은 M1과 M2 사이의 인터페이스 영역 옆의 표면 영역, 특히 이러한 경우에 타깃 표면 상에 존재하는 베벨의 전체 표면 영역을 포함한다. "알루미늄 산화물 커버링"이라는 용어는 본 명세서에서 반응성 기체(이 경우에서는 산소)와 제1 재료 M1(이 경우에서는 알루미늄) 사이의 반응으로부터 발생하는 전기적으로 절연성인 알루미늄 산화물 필름을 지칭한다. 타깃 표면을 커버하는 알루미늄 크로뮴 산화물이 타깃 표면의 에지 영역 내에서 검출될 수 있지만, 알루미늄 산화물과 비교하여 더 높은 전기 전도성으로 인해, 이러한 커버링은 스파크 방전 개입으로 인한 임의의 프로세스 불안정성을 발생시키지 않았다.
침착된 알루미늄 산화물 층 내의 크로뮴 농도는 도 7에 도시된 바와 같이 1.5at%보다 더 작았다. 결과적으로, 알루미늄 산화물 층의 층 속성이 부정적으로 영향을 받지 않았다. 도 7은 코팅 챔버의 높이 전체에 걸쳐 다양한 위치들에 분포되는, 기판 상에 침착된 알루미늄 산화물 층의 측정된 크로뮴 농도를 나타낸다. 이러한 예에서 수평축 상의 포인트 0은 타깃의 중심이 위치되는 코팅 시스템의 수직 방향에서의 평면(다시 말하면, 코팅 시스템 내의 높이)인 것으로 이해된다.

Claims (15)

  1. 코팅 챔버 내의 전기적 절연층의 반응성 스퍼터 침착(reactive sputter deposition)을 위한 타깃으로서, 코팅 챔버 내의 어노드와 타깃 표면의 에지 영역 간의 스파크 방전의 생성을 방지하도록 설계된 타깃에 있어서,
    상기 타깃이 적어도 표면 영역(10) 내에 제1 재료(M1)로 제조되는 제1 영역(BM1) 및 제2 재료(M2)로 제조되는 제2 영역(BM2)을 포함하되,
    * 상기 제1 재료(M1)는 반응으로부터 발생하는 M1-함유 화합물 재료가 코팅될 기판을 코팅하기 위한 원하는 층 재료의 조성에 대응하도록 하는 방식으로 반응성 기체와 반응할 수 있는 하나 이상의 원소로 구성되고,
    * 상기 제2 재료(M2)는 반응으로부터 발생하는 M2-함유 화합물 재료가 상기 M1-함유 화합물 재료에 비교하여 더 높은 전기 전도성을 갖도록 하는 방식으로 전술된 반응성 기체와 반응할 수 있는 하나 이상의 원소로 구성되며,
    * 상기 타깃이 원형이고, 상기 제2 재료(M2)는 상기 제1 재료(M1)의 외주에 위치되고,
    * 상기 제2 재료(M2)는 적어도 하나의 원소에서 상기 제1 재료(M1)와 상이하고,
    * 상기 제1 영역(BM1)은 상기 타깃의 코어 영역을 포함하는, 레이스트랙이 예상되는 타깃 표면의 영역들을 포함하는 상기 타깃의 영역이고, 제2 영역(BM2)은 상기 타깃의 에지 영역을 포함하는, 레이스트랙이 예상되지 않는 타깃 표면의 영역들을 포함하는 상기 타깃의 영역이고,
    상기 타깃은 제1 재료(M1)와 제2 재료(M2) 사이의 인터페이스 영역을 포함하고, 상기 타깃 표면은 상기 타깃의 중심을 통과하는 수직 축선에 대한 설정 각도에 의해 정의되는 적어도 하나의 베벨을 가지며, 베벨 타깃 표면 영역 내에 “혼합 영역”이 존재하되, 상기 “혼합 영역” 내에 상기 제1 재료(M1) 및 상기 제2 재료(M2)가 서로 나란히 그리고 서로 직접 접촉하게 위치되고, 상기 “혼합 영역”은 상기 인터페이스 영역이 상기 베벨 내에 포함되도록 상기 제1 재료(M1)와 상기 제2 재료(M2) 사이의 상기 인터페이스 영역에 이웃한 표면 영역들을 포함하고, 상기 설정 각도는 상기 인터페이스 영역에서 상기 제1 재료(M1)의 방출 방향과 상기 제2 재료(M2)의 방출 방향이 상기 타깃의 중심을 통과하는 상기 수직 축선으로부터 멀어지는 방향으로 선택되는, 타깃.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 타깃이 상기 에지 영역에 적어도 하나의 리세스를 포함하는, 타깃.
  3. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 에지 영역은 적어도 하나의 베벨의 시작 및/또는 끝에서 둥근, 타깃.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 재료(M2)의 외주에 위치되는 제3 재료(M3)를 더 포함하는, 타깃.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 재료(M2)는 반응성 스터퍼링 프로세스 동안 스파크 방전을 생성하는 경향이 제1 재료(M1)보다 더 낮고, 상기 제2 재료(M2)는 더 큰 부식이 발생하는 상기 타깃의 상기 에지 구역 내에 상기 제1 재료(M1)와 함께 위치되는, 타깃.
  6. 제 1 항에 따른 적어도 하나의 타깃의 반응성 스퍼터링에 의해 적어도 하나의 전기적 절연층을 침착하는 것을 포함하는, 적어도 하나의 전기적 절연층으로 기판을 코팅하는 방법으로서, 상기 타깃이 코팅 챔버 내의 어노드와 상기 타깃 표면의 상기 에지 영역 간의 스파크 방전의 생성을 방지하는, 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    반응성 스퍼터링 프로세스가 반응성 HiPIMS 프로세스인, 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    타깃 상에서 전력 밀도를 이용한 타깃의 상기 스퍼터링 동안 상기 타깃의 상기 표면 영역의 부식 속도가 상기 타깃의 상기 제2 영역(BM2) 내에서보다 상기 타깃의 상기 제1 영역(BM1) 내에서 더욱 큰, 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 층이 상기 제1 재료(M1)와 상기 반응성 기체 사이의 반응으로부터 발생한 화합물 재료의 조성에 대응하는 조성을 갖는, 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 반응성 기체가 산소 또는 질소 또는 이들의 혼합물인, 방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 재료(M1)가 알루미늄을 포함하는, 방법.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2 재료(M2)가 알루미늄 및 크로뮴을 포함하는, 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 재료(M1)가 원자 백분율 단위로 적어도 99.9% 농도의 알루미늄을 포함하며 상기 층은 알루미늄 산화물을 포함하는, 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제2 재료(M2)가 원자 백분율 단위로 50:50% 농도의 알루미늄 및 크로뮴을 포함하는, 방법.
  15. 삭제
KR1020167003139A 2013-07-09 2014-07-09 전기적 절연층의 반응성 스퍼터 침착을 위한 타깃 KR102234456B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361843998P 2013-07-09 2013-07-09
US61/843,998 2013-07-09
PCT/EP2014/001884 WO2015003806A1 (de) 2013-07-09 2014-07-09 Target zur reaktiven sputter-abscheidung elektrisch-isolierender schichten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160029113A KR20160029113A (ko) 2016-03-14
KR102234456B1 true KR102234456B1 (ko) 2021-04-01

Family

ID=51210406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167003139A KR102234456B1 (ko) 2013-07-09 2014-07-09 전기적 절연층의 반응성 스퍼터 침착을 위한 타깃

Country Status (15)

Country Link
US (1) US20160141157A1 (ko)
EP (1) EP3019640B1 (ko)
JP (1) JP6539649B2 (ko)
KR (1) KR102234456B1 (ko)
CN (1) CN105378138B (ko)
BR (1) BR112016000035B1 (ko)
CA (1) CA2932841C (ko)
HK (1) HK1217976A1 (ko)
IL (1) IL243464B (ko)
MX (2) MX2016000056A (ko)
MY (1) MY185599A (ko)
PH (1) PH12015502842A1 (ko)
RU (1) RU2016103909A (ko)
SG (1) SG11201510706UA (ko)
WO (1) WO2015003806A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI754542B (zh) 2016-07-11 2022-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 濺射靶材及金屬氧化物
KR102626873B1 (ko) * 2021-11-17 2024-01-17 이계영 HiPIMS를 이용한 전극 증착 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070056843A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Method of processing a substrate using a large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
US20090269600A1 (en) * 2008-04-24 2009-10-29 Oerlikon Trading Ag, Truebbach Method for producing metal oxide layers through arc vaporization

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4465575A (en) * 1981-09-21 1984-08-14 Atlantic Richfield Company Method for forming photovoltaic cells employing multinary semiconductor films
US4448659A (en) * 1983-09-12 1984-05-15 Vac-Tec Systems, Inc. Method and apparatus for evaporation arc stabilization including initial target cleaning
JPS60131965A (ja) * 1983-12-19 1985-07-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパツタ用タ−ゲツト装置
US5126318A (en) * 1991-03-13 1992-06-30 Westinghouse Electric Corp. Sputtering method for forming superconductive films using water vapor addition
US5466355A (en) * 1993-07-15 1995-11-14 Japan Energy Corporation Mosaic target
JPH09143706A (ja) * 1995-11-14 1997-06-03 Mitsubishi Chem Corp スパッタリングターゲット
US5674367A (en) * 1995-12-22 1997-10-07 Sony Corporation Sputtering target having a shrink fit mounting ring
US5738770A (en) * 1996-06-21 1998-04-14 Sony Corporation Mechanically joined sputtering target and adapter therefor
US6086735A (en) * 1998-06-01 2000-07-11 Praxair S.T. Technology, Inc. Contoured sputtering target
US6716321B2 (en) * 2001-10-04 2004-04-06 Northrop Grumman Corporation Modified electrical properties of sputtered thermal coatings
JP2004269939A (ja) * 2003-03-06 2004-09-30 Seiko Epson Corp スパッタ装置及びスパッタリング方法及び半導体装置
WO2005019493A2 (en) * 2003-08-11 2005-03-03 Honeywell International Inc. Target/backing plate constructions, and methods of forming them
US20060137969A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 Feldewerth Gerald B Method of manufacturing alloy sputtering targets
EP2024530A1 (en) * 2006-06-02 2009-02-18 Bekaert Advanced Coatings A rotatable sputter target
US20100025229A1 (en) * 2008-07-30 2010-02-04 Guardian Industries Corp. Apparatus and method for sputtering target debris reduction
WO2011158828A1 (ja) * 2010-06-17 2011-12-22 株式会社アルバック スパッタ成膜装置及び防着部材
JP5968740B2 (ja) * 2012-09-20 2016-08-10 株式会社アルバック ターゲット装置、スパッタ装置、及び、ターゲット装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070056843A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Method of processing a substrate using a large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
US20090269600A1 (en) * 2008-04-24 2009-10-29 Oerlikon Trading Ag, Truebbach Method for producing metal oxide layers through arc vaporization

Also Published As

Publication number Publication date
IL243464B (en) 2019-11-28
JP2016524049A (ja) 2016-08-12
CA2932841C (en) 2021-11-23
CN105378138B (zh) 2017-11-17
EP3019640B1 (de) 2020-01-08
HK1217976A1 (zh) 2017-01-27
IL243464A0 (en) 2016-02-29
JP6539649B2 (ja) 2019-07-03
SG11201510706UA (en) 2016-01-28
CA2932841A1 (en) 2015-01-15
PH12015502842A1 (en) 2016-03-21
EP3019640A1 (de) 2016-05-18
MX2021002242A (es) 2021-05-27
BR112016000035A2 (ko) 2017-07-25
RU2016103909A (ru) 2017-08-14
CN105378138A (zh) 2016-03-02
MY185599A (en) 2021-05-24
BR112016000035A8 (pt) 2018-01-02
KR20160029113A (ko) 2016-03-14
MX2016000056A (es) 2016-08-17
BR112016000035B1 (pt) 2022-01-25
US20160141157A1 (en) 2016-05-19
WO2015003806A1 (de) 2015-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2640505C2 (ru) Способы, использующие удаленную плазму дугового разряда
US8790791B2 (en) Oxidation resistant nanocrystalline MCrAl(Y) coatings and methods of forming such coatings
Welzel et al. The influence of the target age on laterally resolved ion distributions in reactive planar magnetron sputtering
US9017534B2 (en) Vacuum deposition apparatus
Lazar et al. Ion flux characteristics and efficiency of the deposition processes in high power impulse magnetron sputtering of zirconium
CN101035925B (zh) 在剃须刀片刀口和剃须刀片上沉积涂层的方法
KR102234456B1 (ko) 전기적 절연층의 반응성 스퍼터 침착을 위한 타깃
JP2018188741A (ja) マクロ粒子を含む皮膜及びその皮膜を形成する陰極アークプロセス
KR102616067B1 (ko) Pvd 스퍼터링 증착 챔버의 경사형 마그네트론
JP2014162992A (ja) 円筒形の蒸着源
KR20130029092A (ko) 성막 속도가 빠른 아크식 증발원, 이 아크식 증발원을 사용한 피막의 제조 방법 및 성막 장치
JP2009114497A (ja) 成膜装置
US20090205950A1 (en) Film deposition apparatus and film deposition method
CN114540779B (zh) 复合阴极、磁控溅射镀膜设备及镀膜方法
WO2014142737A1 (en) Arrangement and method for high power pulsed magnetron sputtering
KR102335906B1 (ko) HiPIMS에 의해 성장 결함이 감소된 TiCN
JP2010024532A (ja) マグネトロンスパッタ装置、成膜方法、及び光学部品の製造方法
JP4999602B2 (ja) 成膜装置
Komiya et al. Variation of local chemical compositions of (Ti, Al) N films on inner wall of small hole deposited by high-power impulse magnetron sputtering
JP2008038161A (ja) 真空成膜装置および真空成膜方法
Nakano et al. Growth of target race track profile during magnetron sputtering
JP3734656B2 (ja) 金属含有硬質炭素膜の形成方法
US20140110248A1 (en) Chamber pasting method in a pvd chamber for reactive re-sputtering dielectric material
JP2009249677A (ja) マグネトロンスパッタ装置、成膜方法、及び光学部品の製造方法
JP6942937B2 (ja) スパッタリング装置及び薄膜製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant