BR112016000035B1 - Alvo para a deposição por pulverização reativa de camadas eletricamente isolantes e método para o revestimento de substratos - Google Patents

Alvo para a deposição por pulverização reativa de camadas eletricamente isolantes e método para o revestimento de substratos Download PDF

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Abstract

alvo para a deposição por pulverização reativa de camadas eletricamente isolantes e método para o revestimento de substratos, por tratar a invenção de um alvo cuja superfície do alvo é incorporada de tal maneira que a utilização do alvo para a deposição por pulverização reativa de camadas eletricamente isolantes em uma câmara de revestimento evita a produção de uma descarga de centelha da superfície do alvo para um anodo que se encontra localizado na câmara de revestimento.

Description

Campo Técnico
[001] A presente invenção se refere a um alvo tendo uma superfície de alvo projetada de tal maneira que a utilização do alvo para a deposição por pulverização reativa de camadas eletricamente isolantes em uma câmara de revestimento evite a produção de uma descarga de centelha da superfície do alvo para um anodo que também se encontra presente na câmara de revestimento.
Arte Anterior
[002] Os processos de revestimento que utilizam técnicas de pulverização (termos tais como "processos de pulverização", "processos HiPIMS", e "deposição por pulverização" são utilizados abaixo; todos estes processos devem ser entendidos como processos de revestimento que utilizam técnicas de pulverização) são realizados em câmaras de vácuo através da utilização de pelo menos um assim denominado alvo, que é conectado como um catodo através da aplicação de uma voltagem negativa por meio de uma fonte de alimentação ou de um fornecimento de energia. No processo de pulverização, pelo menos um eletrodo adicional que também se encontra presente na câmara de revestimento é conectado como um anodo. Um assim denominado gás de trabalho, que via de regra consiste de um gás inerte, é introduzido no compartimento de revestimento e íons carregados positivamente são gerados a partir do mencionado gás de trabalho. Os íons do gás de trabalho carregados positivamente são acelerados na superfície do alvo, de tal maneira que os impactos com os íons acelerados provoquem a liberação de partículas da superfície do alvo. Dependendo dos parâmetros do processo, as partículas liberadas do alvo são ionizadas a um determinado grau e depositadas sobre as superfícies do substrato a ser revestido. Se forem utilizados alvos metálicos, os íons gerados a partir do alvo durante o processo de pulverização são frequentemente referenciados como íons metálicos. O argônio é geralmente, porém não absolutamente exclusivamente, utilizado como gás de trabalho.
[003] Se camadas não metálicas forem depositadas a partir de alvos metálicos por meio de processos de pulverização, então um assim denominado gás reativo pode ser introduzido na câmara de revestimento, que pode reagir com os íons metálicos produzidos a partir do alvo metálico. Desta maneira, o material resultante da reação entre o gás reativo e os íons gerados a partir do alvo é depositado como uma fina camada sobre as superfícies dos substratos a serem revestidos.
[004] Com a utilização de alvos metálicos e a introdução de gases reativos tais como O2, N2, C2H2, e CH4, para nominar alguns, resulta então uma reação sobre a superfície do substrato e a formação de materiais compostos correspondentes, tais como óxidos, nitretos, carbonetos, ou uma mistura dos mesmos, cuja mistura compreende oxinitretos, carbonitretos e carboxinitretos.
[005] Em função de processos de espalhamento no gás ambiente presente no interior da câmara de revestimento e também em função de forças de atração elétricas ou eletromagnéticas, as partículas já pulverizadas a partir do alvo e átomos ionizados são transportados de volta ao alvo. No contexto da presente invenção, este fenômeno é referenciado como "redeposição". O mencionado fenômeno acontece particularmente nas bordas do alvo porque a taxa de pulverização é muito baixa nesta região em comparação com outras regiões da superfície do alvo. A redeposição, no entanto, é geralmente esperada em grandes quantidades em todas as regiões da superfície do alvo que apresentam uma baixa taxa de pulverização, por exemplo, fora da pista.
[006] As partículas, particularmente os átomos ionizados, que retornam para a superfície do alvo em função da mencionada "redeposição"podem reagir com o gás reativo e desta maneira formar uma película composta de um material composto resultante da reação, que cobre particularmente as regiões da superfície do alvo com uma "redeposição"acelerada.
[007] Se o material composto resultante da reação for um material de baixa condutividade elétrica, então uma película eletricamente isolante acaba sendo formada sobre a superfície do alvo, por exemplo, uma película de óxido que mais cedo ou mais tarde pode ocasionar problemas na descarga da centelha.
[008] A formação do revestimento isolante, por exemplo, na borda do alvo, conduz a uma acumulação de uma carga entre a superfície do revestimento e o alvo de pulverização e, como um resultado adicional, a uma descarga elétrica disruptiva e consequentemente à produção de uma descarga de centelha da superfície do alvo para o anodo. A produção de descargas de centelhas pode desestabilizar todo o processo de pulverização catódica e, consequentemente, também pode produzir defeitos indesejados na estrutura da camada.
[009] Na especificação de patente EP0692138B1, um processo de pulverização reativa é estabilizado pelo fato de que a polaridade da voltagem negativa aplicada ao alvo é invertida durante 1 a 10 microssegundos. Neste caso, a voltagem de polaridade invertida deve ser de 5 a 20 porcento da voltagem negativa. Este processo deve ser capaz de alcançar uma boa estabilização da descarga em um processo de pulverização reativa. Porém, esta solução não é satisfatória na deposição por pulverização reativa de alguns materiais compostos tais como óxido de alumínio, porque os materiais deste tipo apresentam uma alta ação eletricamente isolante quando uma película deste tipo, por exemplo, uma película de óxido de alumínio, é formada sobre a superfície do alvo tornando o processo instável, de tal maneira que esta medida não é suficiente para estabilizar o processo.
[010] No pedido de patente WO99/63128 um desenho de alvo é revelado, que apresenta bordas anguladas que têm o propósito de reduzir a tendência das bordas do alvo de se tornarem cobertas com o material de revestimento. Esta solução tem o propósito de impedir ou pelo menos retardar uma "redeposição"de partículas sobre a zona de borda do alvo. Embora a cobertura das bordas do alvo com o material de revestimento possa ser retardada por meio desta medida, qualquer formação de películas de materiais compostos eletricamente muito isolantes envolve sempre o risco de descargas de centelhas, particularmente a partir das bordas do alvo para o anodo, o que ocorre frequentemente, por exemplo, no caso da deposição por pulverização reativa de camadas de óxido de alumínio.
[011] O problema acima descrito da descarga de centelhas é particularmente pronunciado durante a deposição de camadas de óxido de alumínio por meio de um processo de pulverização reativa de pulsos de alta potência (HiPIMS), no qual alvos metálicos produzidos de alumínio e de um gás reativo na forma de oxigênio são utilizados.
[012] No contexto da presente invenção, o termo "processo HiPIMS"é utilizado para se referir a processos de pulverização que utilizam uma densidade de corrente na descarga da pulverização de pelo menos 0,2 A/cm2 ou superior a 0,2 A/cm2, ou uma densidade de potência de pelo menos 100 W/cm2 ou maior do que 100 W/cm2.
Objetivo da Presente Invenção
[013] O objetivo da presente invenção é o de revelar uma modalidade de execução que evita as instabilidades de processo que podem surgir em função da produção de descargas de centelhas entre o alvo e o anodo durante a deposição de camadas eletricamente isolantes por meio de processos de pulverização reativa. A modalidade de execução de acordo com a presente invenção também deve permitir a deposição de camadas eletricamente isolantes de óxido de alumínio a serem depositadas em um processo estável por meio de processos reativos HiPIMS, com a utilização de alvos metálicos de alumínio e oxigênio como gás reativo.
Descrição da Presente Invenção
[014] O objetivo da presente invenção é atingido pelo fato de que um alvo é revelado, com um desenho como descrito na reivindicação 1, sendo o mesmo utilizado na execução de processos de pulverização reativa, particularmente de processos reativos HiPIMS.
[015] A presente invenção se refere a um alvo, sendo a superfície do alvo incorporada de tal maneira que a utilização do alvo para a deposição por pulverização reativa de camadas eletricamente isolantes em uma câmara de revestimento evita a produção de uma descarga de centelha da superfície do alvo a um anodo também localizado na câmara de revestimento.
[016] Um alvo de acordo com a presente invenção encontra-se representado esquematicamente na Figura 1, e pelo menos na região da superfície 10, compreende pelo menos uma primeira região BM1 e uma segunda região BM2, sendo que - a primeira região BMI é fabricada de um primeiro material M1, que é composto de um ou mais elementos que podem reagir com um gás reativo de tal maneira que o material composto contendo-M1 resultante da reação corresponda à composição do desejado material da camada para o revestimento dos substratos a serem revestidos, e - a segunda região BM2 é fabricada de um segundo material M2, que é composto de um ou mais elementos que são inertes em relação ao gás reativo anteriormente mencionado ou que podem reagir com o gás reativo anteriormente mencionado de tal maneira que o material composto contendo-M2 resultante da reação apresente uma condutividade elétrica mais elevada em comparação com o material composto contendo-M1, e
Figure img0001
[017] Preferencialmente, a primeira região BM1 consiste de uma região do alvo que circunda as regiões da superfície do alvo que se encontram sujeitas a uma elevada taxa de erosão em função da pulverização das partículas a partir do alvo. Isto se refere particularmente a regiões da superfície do alvo nas quais se espera uma pista de corrida. Uma vez que a posição de uma pista de corrida sobre a superfície do alvo depende de vários parâmetros do processo, primariamente das propriedades do campo magnético no alvo, mas também, por exemplo, da geometria do alvo, a primeira região BM1 tal como definida pela presente invenção pode ser selecionada como sendo uma função dos parâmetros correspondentes do processo e das condições do processo.
[018] Preferencialmente, a segunda região BM2 consiste uma região do alvo que compreende regiões de superfície do alvo que se encontram sujeitas a uma baixa taxa de erosão em função da pulverização das partículas a partir do alvo. Isto se refere particularmente a regiões da superfície do alvo onde não se espera nenhuma pista de corrida. De maneira semelhante à seleção da primeira região BM1, a segunda região BM2, tal como definida pela presente invenção, pode ser selecionada como sendo uma função dos parâmetros correspondentes do processo e das condições do processo
[019] Preferencialmente, a mencionada primeira região BM1 compreende a região do núcleo do alvo, como ilustrado a título de exemplo na Figura 1.
[020] Preferencialmente, a mencionada segunda região BM2 compreende a região da borda do alvo, como ilustrado a título de exemplo na Figura 1.
[021] Preferencialmente, o segundo material M2 é selecionado de tal maneira que ambos o material M2 e o material composto contendo-M2 resultante da reação tenham uma condutividade elétrica que é suficientemente elevada para evitar ou preferencialmente para evitar completamente a produção de descargas de centelhas entre a região da borda da superfície do alvo e um anodo presente na câmara de revestimento.
[022] De acordo com uma modalidade preferida de execução da presente invenção, o segundo material M2 contém pelo menos um elemento que também está contido no primeiro material M1.
[023] De acordo com outra modalidade preferida de execução da presente invenção, o primeiro material M1 contém um metal ou uma combinação de metais. Para alguns processos de revestimento, é vantajoso que o primeiro material M1 seja composto de um metal ou de uma combinação de metais.
[024] De acordo com uma modalidade preferida de execução diferente da presente invenção, o segundo material M2 contém um metal ou uma combinação de metais. Para alguns processos de revestimento, é vantajoso que o segundo material M2 seja composto de um metal ou de uma combinação de metais.
[025] A presente invenção encontra-se descrita com mais detalhes abaixo em conjunto com exemplos e figuras.
Descrição Detalhada da Presente Invenção
[026] Utilizando oxigênio como gás reativo e alvos contendo alumínio, os inventores realizaram uma série de ensaios de revestimento em um sistema de revestimento de pulverização por pulsos de alta potência de magnetron do tipo Ingenia S3p™ da empresa Oerlikon Balzers.
[027] Para estudar a estabilidade do processo HiPIMS de deposição de camadas de óxido em uma atmosfera de oxigênio, alvos com diferentes conteúdos de cromo foram testados. O estudo revelou uma menor propensão para a descarga de centelhas com o aumento do conteúdo de cromo. Na opinião dos inventores, uma explicação para esta condição reside na redução do caráter eletricamente isolante das camadas de óxido de cromo alumínio depositadas com um conteúdo aumentado de cromo.
[028] A Figura 2 ilustra a sequência cronológica das descargas de centelhas de dois diferentes processos reativos HiPIMS.
[029] A sequência ilustrada na Figura 2a pertence a um processo HiPIMS no qual foram utilizados alvos de alumínio com uma concentração de alumínio em % atômica de 99,9 at%. A densidade de potência de pulverização utilizada no alvo foi de 300 W/cm2. Gás argônio foi introduzido primeiramente no interior da câmara de revestimento e utilizado como gás de trabalho. O processo foi realizado com pressão controlada, com uma pressão geral de processo de 0,6 Pa. Para o condicionamento do alvo, o processo de pulverização do alvo foi iniciado a um momento t0 atrás de um obturador na atmosfera de argônio. Após o intervalo de condicionamento do alvo, em um intervalo de tempo t1, o oxigênio foi introduzido na câmara de revestimento e a pressão parcial do oxigênio foi mantida em 100 mPa. A um tempo t2, o obturador foi removido do alvo para que a partir deste momento em diante, a deposição da camada de óxido sobre as superfícies dos substratos a serem revestidos pudesse ser iniciada. Como ilustrado na Figura 2a, foram observadas descargas de centelhas intensas e frequentes durante a deposição da camada de óxido. Após a execução do processo HiPIMS, os inventores examinaram os alvos utilizados e confirmaram vestígios claros de descargas de centelhas na zona da borda da superfície do alvo.
[030] A sequência ilustrada na Figura 2b pertence a um processo HiPIMS no qual foram utilizados alvos de cromo alumínio com uma concentração de cromo alumínio em % atômica de 50:50 at%. Por outro lado, foram utilizados os mesmos parâmetros de processo e a mesma sequência de processo como no processo HiPIMS anteriormente descrito. Como ilustrado na Figura 2b, desta vez não foram confirmados vestígios claros de descargas de centelhas durante a deposição da camada de óxido. Os inventores também examinaram os alvos utilizados após a realização do processo HiPIMS, porém desta vez não conseguiram determinar vestígios de descargas de centelhas na zona da borda da superfície do alvo.
[031] Após estes testes, os inventores repentinamente tiveram a ideia de projetar um alvo o qual, adicionalmente ao material M1 utilizado para a deposição da camada desejada, possui um segundo material M2 pelo menos na zona da borda da superfície do alvo, o que tende a não produzir descargas de centelhas durante uma pulverização reativa ou uma deposição de camada por meio do processo HiPIMS.
[032] Na descrição a seguir, uma pluralidade de modalidades preferidas de execução de alvos com modalidades de execução de acordo com a presente invenção são reveladas, que atingem uma propensão reduzida para a descarga elétrica disruptiva ou uma propensão reduzida para a produção de descargas de centelhas e, consequentemente, uma deposição de camadas eletricamente isolantes em um processo estável por meio de processos de pulverização reativa ou do processo HiPIMS.
[033] A Figura 3 ilustra uma representação esquemática de uma seção transversal através de um alvo de acordo com uma modalidade preferida de execução da presente invenção. O primeiro material M1, que é utilizado com o propósito de produzir a camada desejada, encontra-se localizado na região do núcleo do alvo. O segundo material M2, que apresenta uma menor propensão do que o material M1 para a produção de descargas de centelhas durante os processos de pulverização reativa encontra-se localizado na composição com o primeiro material M1, na zona de borda do alvo na qual uma maior erosão acontece. Como mencionado anteriormente, uma maior propensão para a produção de descargas de centelhas é esperada particularmente nas regiões da superfície do alvo nas quais uma leve erosão acontece durante o processo de pulverização e nas quais nenhuma pista de corrida é encontrada. Esta é a razão pela qual o segundo material M2 deve ser posicionado precisamente neste local. Uma vez que as regiões do alvo nas quais o segundo material M2 deve estar presente de acordo com a presente invenção se caracterizam por uma baixa taxa de pulverização, a porcentagem deste material M2 deve ser muito baixa na composição das camadas depositadas sobre os substratos a serem revestidos. As dimensões da área da região do alvo que é aqui referenciada como sendo a região do núcleo do alvo podem variar, como mostrado na Figura 3, ao longo da espessura do alvo. A Figura 3 também mostra uma região de plasma 3 que é formada pelos campos magnéticos da magnetron, e que se sobrepõe aos materiais M1 e M2, pelo menos na região da borda do alvo.
[034] Em alguns testes foi verificado que pode ser vantajoso se as dimensões da região do núcleo do alvo composta do material M1 na região frontal ou na superfície 10 do alvo forem menores do que na região traseira 20 do alvo, como representado esquematicamente, por exemplo, nas Figuras 3 e 5.
[035] A Figura 4 ilustra uma representação esquemática de uma seção transversal através de um alvo de acordo com outra modalidade preferida de execução da presente invenção. Com o propósito de evitar que a concentração do segundo material M2 se torne tão elevada ao ponto de afetar negativamente as propriedades de camada das camadas depositadas com a utilização deste método, o alvo é incorporado de tal maneira que o mesmo apresente um ângulo definido W na "zona de mistura" do alvo, na qual tanto o primeiro como o segundo material se encontram presentes. O ângulo definido W é utilizado para mascarar seletivamente o segundo material M2, que é indesejável para a estrutura da camada. As setas EM1 e EM2 na Figura 4 indicam as direções preferidas de emissão do primeiro material M1 e do segundo material M2, que são aguardadas em função da utilização de um alvo de acordo com esta modalidade de execução da presente invenção. A Figura 4 também ilustra um exemplo de um substrato 6 a ser revestido.
[036] A Figura 5 ilustra três representações esquemáticas de cortes transversais através de três alvos, que foram projetados de acordo com três outras modalidades preferidas de execução da presente invenção.
[037] A Figura 5a ilustra uma variante da modalidade de execução da presente invenção já mostrada na Figura 4. De acordo com esta variante, o alvo contém pelo menos um recesso na região da borda lateral 15 que tem o propósito de facilitar a montagem do alvo no sistema de revestimento. De acordo com esta modalidade de execução, a interface entre os materiais M1 e M2 encontra-se preferencialmente contida no chanfro.
[038] A Figura 5b ilustra uma modalidade de execução da presente invenção na qual o alvo é incorporado de tal maneira a apresentar dois chanfros. Neste caso, um grau ainda menor de redeposição ou um crescimento menos pronunciado de uma película sobre a superfície do alvo - resultante da reação do material do alvo com o gás reativo - é obtida na região BMI. Também é preferível, como mostrado na Figura 5b, que as regiões de arestas que podem estar presentes no início e/ou na extremidade de cada chanfro, sejam arredondadas após a respectiva produção com o propósito de evitar possíveis descargas de centelhas induzidas geometricamente ou curtos-circuitos.
[039] A modalidade de execução ilustrada na Figura 5c apresenta um alvo de acordo com a presente invenção, no qual uma montagem de baioneta 7, por exemplo, um anel de baioneta, é utilizado para suportar o alvo durante o processo de pulverização; o suporte de baioneta 7 é composto por um terceiro material M3, que apresenta preferencialmente uma boa estabilidade mecânica mesmo quando exposto a altas temperaturas.
[040] Uma vez que a produção de camadas de óxido de alumínio (Al2O3) apresenta uma necessidade especialmente elevada quanto à estabilidade do processo, os inventores depositaram as camadas de óxido de alumínio utilizando processos HiPIMS e utilizando alvos incorporados de acordo com a presente invenção, com o propósito de determinar a melhoria na estabilidade do processo.
[041] Os resultados de um dos testes realizados de acordo com a presente invenção são relatados abaixo como um exemplo:
[042] As camadas de óxido de alumínio foram produzidas por meio de um processo reativo HiPIMS, que foi realizado com os seguintes parâmetros de processo: - gás de trabalho: argônio - gás reativo: oxigênio - pressão do processo: 0,6 Pa - pressão parcial do oxigênio: 100 mPa - densidade de potência: 300 W/cm2 - alvo tendo a modalidade de execução da presente invenção representada na Figura 5a, com M1 = alumínio em uma concentração de 99,9 at% (Al 99,9 em at%) e M2 = alumínio e cromo, cada um dos mesmos em uma concentração de 50 at% (AlCr 50:50 em at%).
[043] A sequência cronológica das descargas de centelhas interferentes neste processo encontra-se ilustrada na Figura 6. Nenhuma descarga relevante de centelhas foi detectada durante a deposição reativa por HiPIMS das camadas de óxido de alumínio eletricamente isolantes de acordo com a presente invenção. A região de cobertura (isto é, as regiões do alvo que experimentam uma maior cobertura com a película resultante da reação do material do alvo com o gás reativo) não mostrou quaisquer vestígios de descargas de centelhas. A "região de mistura" (também referenciada anteriormente como a "região de mixagem"), na qual o primeiro material de Al e o segundo material de AlCr encontram-se localizados um ao lado do outro, possibilitou que uma pulverização uniforme pudesse ser obtida. Isto se tornou evidente pelo fato de que apenas uma quantidade muito pequena de óxido de alumínio cobrindo a superfície do alvo foi detectada na "região de mistura." A região aqui referenciada como a "região de mistura" compreende as regiões de superfície próximas da região de interface entre os materiais M1 e M2, e particularmente neste caso, toda a região de superfície do chanfro presente na superfície do alvo. O termo "cobertura de óxido de alumínio" aqui utilizado se refere à película eletricamente isolante de óxido de alumínio que resulta da reação entre o gás reativo (neste caso, oxigênio) e o primeiro material M1 (neste caso, alumínio). O revestimento de óxido de alumínio cromo na superfície do alvo pode ser detectado na zona da borda da superfície do alvo, porém em função da condutividade elétrica mais elevada em comparação com o óxido de alumínio, esta cobertura não resultou em quaisquer instabilidades de processo em função de descargas de centelhas interferentes.
[044] A concentração de cromo nas camadas depositadas de óxido de alumínio foi inferior a 1,5 at%, como ilustrado na Figura 7. Consequentemente, as propriedades de camada das camadas de óxido de alumínio não foram afetadas negativamente. A Figura 7 ilustra a concentração medida de cromo nas camadas de óxido de alumínio que foram depositadas sobre os substratos, e que foram distribuídas em várias posições ao longo da altura da câmara de revestimento. O ponto 0 no eixo horizontal neste exemplo deve ser entendido como sendo o plano na direção vertical do sistema de revestimento (em outras palavras: a altura no sistema de revestimento) no qual o centro do alvo se encontra localizado.

Claims (12)

1. ALVO PARA A DEPOSIÇÃO POR PULVERIZAÇÃO REATIVA DE CAMADAS ELETRICAMENTE ISOLANTES EM UMA CÂMARA DE REVESTIMENTO, caracterizado pelo fato de que pelo menos na região da superfície (10), o alvo compreende pelo menos uma primeira região (BM1) e uma segunda região (BM2), sendo que - a primeira região (BMI) é fabricada de um primeiro material (M1), que é composto de um ou mais elementos que podem reagir com um gás reativo de tal maneira que o material composto contendo-M1 resultante da reação corresponda à composição do material desejado da camada para o revestimento dos substratos a serem revestidos, e - a segunda região (BM2) é fabricada de um segundo material (M2), que é composto de um ou mais elementos que são inertes em relação ao gás reativo anteriormente mencionado ou que podem reagir com o gás reativo anteriormente mencionado de tal maneira que o material composto contendo-M2 resultante da reação apresente uma condutividade elétrica mais elevada em comparação com o material composto contendo-M1, e - em que, o segundo material (M2) difere do primeiro material (M1) em pelo menos um elemento, em que a superfície (10) do alvo apresenta pelo menos um chanfro que é determinado por um ângulo definido (W), e na região chanfrada da superfície do alvo existe uma "região de mistura" na qual o primeiro material (M1) e o segundo material (M2) encontram-se localizados próximos um do outro.
2. ALVO, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que a primeira região (BM1) compreende a região do núcleo do alvo.
3. ALVO, de acordo com qualquer uma das reivindicações precedentes, caracterizado pelo fato de que a segunda região (BM2) compreende a região da borda do alvo.
4. MÉTODO PARA O REVESTIMENTO DE SUBSTRATOS com pelo menos uma camada que é depositada com a utilização de pelo menos um alvo conforme definido em qualquer uma das reivindicações de 1 a 3, caracterizado pelo fato de que a camada é depositada pelo menos parcialmente por meio de um processo de pulverização reativa e/ou pelo menos parcialmente por meio de um processo reativo HiPIMS, e um gás reativo é utilizado no processo com o propósito de produzir a camada por meio da reação entre o material pulverizado do alvo e o gás reativo.
5. MÉTODO, de acordo com a reivindicação 4, caracterizado pelo fato de que a taxa de erosão na região da superfície (10) do alvo durante o processo de pulverização e/ou o processo de HiPIMS é maior na primeira região do alvo (BM1) do que na segunda região do alvo (BM2).
6. MÉTODO, de acordo com a reivindicação 5, caracterizado pelo fato de que a camada é eletricamente isolante.
7. MÉTODO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 5 ou 6, caracterizado pelo fato de que pelo menos a maior parte da camada apresenta uma composição que corresponde à composição de um material composto resultante da reação entre o material do primeiro alvo (M1) e o gás reativo.
8. MÉTODO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 5, 6 ou 7, caracterizado pelo fato de que o gás reativo compreende oxigênio ou nitrogênio ou de uma mistura dos mesmos.
9. MÉTODO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 5, 6, 7 ou 8, caracterizado pelo fato de que o primeiro material do alvo (M1) utilizado compreende pelo menos predominantemente alumínio.
10. MÉTODO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 5, 6, 7, 8 ou 9, caracterizado pelo fato de que o segundo material do alvo (M2) compreende alumínio e cromo.
11. MÉTODO, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado pelo fato de que o primeiro material (M1) contém alumínio em uma concentração de pelo menos 99,9 at% em % atômica, e a camada compreende pelo menos predominantemente óxido de alumínio.
12. MÉTODO, de acordo com a reivindicação 11, caracterizado pelo fato de que o segundo material (M2) compreende alumínio e cromo em uma concentração de 50:50 at% em % atômica.
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