JP4864586B2 - 真空成膜装置および真空成膜方法 - Google Patents

真空成膜装置および真空成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4864586B2
JP4864586B2 JP2006210129A JP2006210129A JP4864586B2 JP 4864586 B2 JP4864586 B2 JP 4864586B2 JP 2006210129 A JP2006210129 A JP 2006210129A JP 2006210129 A JP2006210129 A JP 2006210129A JP 4864586 B2 JP4864586 B2 JP 4864586B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reflective film
substrate
film
bias voltage
reflectance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006210129A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008038161A (ja
Inventor
淳平 丸山
康浩 小泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinmaywa Industries Ltd
Original Assignee
Shinmaywa Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinmaywa Industries Ltd filed Critical Shinmaywa Industries Ltd
Priority to JP2006210129A priority Critical patent/JP4864586B2/ja
Priority to CN2007800279624A priority patent/CN101495665B/zh
Priority to KR1020097000288A priority patent/KR101359826B1/ko
Priority to PCT/JP2007/064188 priority patent/WO2008015913A1/ja
Priority to TW096126730A priority patent/TWI431133B/zh
Publication of JP2008038161A publication Critical patent/JP2008038161A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4864586B2 publication Critical patent/JP4864586B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/06—Alloys based on silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Description

本発明は、真空成膜装置および真空成膜方法に係り、更に詳しくは、真空成膜装置により基板に堆積される反射膜の特性を改善する技術に関する。
光磁気ディスク等の記録媒体やランプリフレクタ等の光学部品の高性能化にともない、これらの基幹機能膜である反射膜への要求が厳しくなっている。このため、反射率が高く耐環境性に優れ、かつ経済的に見合う製品の開発が望まれている。
ところで、反射膜材料としての銀（Ａｇ）は、可視波長域において反射率が最も高い素材である反面、高温および高湿度環境下における黄変や白濁に起因した耐環境性劣化による反射率低下を招くという欠点がある。この欠点の対策としてＡｇにビスマス（Ｂｉ）、銅（Ｃｕ）およびネオジウム（Ｎｄ）等を添加すれば耐環境性は改善できると考えられているが、Ａｇにこのような添加物を添加して基板に堆積した反射膜の初期反射率は、純粋な銀（以下、「純Ａｇ」と略す）からなる反射膜の初期反射率より大幅に劣る。
そこで、添加物の添加量（濃度）を適切に調整したＡｇと添加物の合金材料を、スパッタリング装置を用いて基板に堆積させることにより、基板上のスパッタリング膜（反射膜）の初期反射率および耐環境性の両方を改善する試みがある（例えば、従来例としての特許文献１および非特許文献１参照）。
特開２００５−１５８９３号公報（表３） 神戸製鋼技報、Ｖｏｌ．５５、Ｎｏ．１（Ａｐｒ．２００５）Ｐ１７〜Ｐ２０
非特許文献１では、Ａｇに添加するＢｉ等の添加物の量により、ＡｇおよびＢｉの合金（以下、「Ａｇ／Ｂｉ合金」と略す）からなる反射膜の初期反射率が調整できることが記載されている。しかし、現実には、同技報に記載の何れのデータも可視波長域全域に亘って、純Ａｇからなる反射膜と略同等レベルの初期反射率に到達するＡｇ／Ｂｉ合金反射膜は得られていない（例えば、非特許文献１の図３参照）。
特許文献１には、Ａｇに添加するＢｉ添加量を少なくすることにより、Ａｇ／Ｂｉ合金反射膜の初期反射率を、純Ａｇからなる反射膜の反射率に漸近させたデータが示されている。例えば、同公報の表３には、Ｂｉの添加量を０．０１原子％に調整することにより、純Ａｇからなる反射膜の反射率（波長４０５ｎｍにおいて９０．８％）と略同等レベルのＡｇ／Ｂｉ合金反射膜の反射率（波長４０５ｎｍにおいて９０．１％）が、示されている。
この特許文献１記載の反射率が相対反射率および絶対反射率の何れを指すか、および、反射率測定時の入射光角度を何度に設定したか、特許文献１の記載内容から直接的に知ることはできない。但しこの反射率（波長４０５ｎｍにおいて９０．１％）の数値を４５°絶対反射率と見做す限りは、純Ａｇからなる反射膜の波長４００ｎｍのおける初期の４５°絶対反射率が、後記の本件発明者等の実験結果によれば略９５％程度であることから、特許文献１記載のＡｇ／Ｂｉ合金反射膜では、充分なレベルの反射率に達していない。また、Ｂｉの添加量を０．０１原子％と低くした場合には、反射膜の適切な耐環境性を得られるか疑問が残る。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、純Ａｇからなる反射膜と略同等レベルの初期反射率に到達でき、かつ銀にビスマスを添加した材料からなる耐環境性に優れた反射膜を基板に堆積可能な、真空成膜装置および真空成膜方法を提供することを目的とする。
従来例に記載のＡｇ／Ｂｉ合金反射膜の反射率改善技術には、Ａｇ／Ｂｉ合金反射膜の反射率良否を左右する、真空堆積過程における重要なプロセスパラメータの見落としがあると考えられる。見落とされたパラメータには、例えば真空成膜装置としてイオンプレーティング装置を想定すれば、基板上の反射膜の素になるイオン化された材料が基板に堆積する際に、その運動エネルギーを増すように機能する基板ホルダ印加用のバイアス電圧がある。
よって、本発明はこのような知見に基づき案出されたものであり、本発明の真空成膜装置は、内部を減圧可能な真空槽と、前記真空槽内において、基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダに所定のバイアス電圧を印加するバイアス電源と、前記真空槽内において、銀にビスマスを添加した反射膜用の材料を配置する材料ホルダと、前記材料ホルダから基板に向けて、前記材料を放出させるとともに、前記材料の放出に際して前記材料をイオン化する材料放出手段と、を備え、前記イオン化された材料の運動エネルギーを前記バイアス電圧に基づき増加させるようにして前記基板に前記材料からなる反射膜が堆積され、前記反射膜の反射率は、前記バイアス電圧および前記ビスマスの添加量に基づいて調整される装置である。
このように、バイアス電圧を適切に調整すること、および、銀にビスマスを添加した反射膜用の材料のビスマスの添加量を適切に調整することにより、純粋な銀からなる反射膜と略同等レベルの初期反射率に到達でき、かつ当該材料からなる耐環境性に優れた反射膜を基板に堆積できる。
なおここで、前記材料ホルダは、前記材料を格納するハースであり、前記材料放出手段は、前記ハース内の前記材料を加熱および蒸発される電子ビームを放出するとともに、前記電子ビームにより生成されたプラズマにより、蒸発された前記材料をイオン化するプラズマガンを有しても良い。
これにより、純粋な銀からなる反射膜と略同等レベルの初期反射率に到達でき、かつ当該材料からなる耐環境性に優れた反射膜を基板に形成可能な、プラズマガンを用いたイオンプレーティング装置が得られる。
また、前記真空槽を接地させた際の前記バイアス電圧の絶対値は５０Ｖ以上、７０Ｖ以下に調整されても良い。
これにより、可視波長域の全域において、高温および高湿度環境による反射率変化量が所定レベル以下になった、反射膜が得られる。
また、前記ビスマスの添加量が略０．５重量パーセントに調整されても良い。
これにより、バイアス電圧を０Ｖに設定した場合には、可視波長域の全域において、高温および高湿度環境による反射率変化量が１．０％以下に達する反射膜が得られる。
本発明の真空成膜方法は、真空槽内の基板ホルダに基板を配置し、前記真空槽内の材料ホルダに、銀にビスマスを添加した反射膜用の材料を配置し、前記真空槽内を減圧し、前記基板ホルダにバイアス電圧を印加し、前記基板に向けて前記材料を放出させる際に前記材料をイオン化することにより、前記バイアス電圧に基づき前記材料の運動エネルギーを増加させるようにして、前記基板に前記材料からなる反射膜を堆積し、前記反射膜の反射率を、前記バイアス電圧および前記ビスマスの濃度に基づき調整する方法である。
このようにバイアス電圧を適切に調整すること、および、銀にビスマスを添加した反射膜用の材料のビスマスの添加量を適切に調整することにより、純粋な銀からなる反射膜と略同等レベルの初期反射率に到達でき、かつ当該材料からなる耐環境性に優れた反射膜を基板に堆積できる。
また、前記真空槽を接地させた際の前記バイアス電圧の絶対値は５０Ｖ以上、７０Ｖ以下に調整されても良い。
これにより、可視波長域の全域において、高温および高湿度環境による反射率変化量が所定レベル以下になった、反射膜が得られる。
また、前記ビスマスの添加量が略０．５重量パーセントに調整されても良い。
これにより、バイアス電圧を０Ｖに設定した場合には、可視波長域の全域において、高温および高湿度環境による反射率変化量が１．０％以下に達する反射膜が得られる。
本発明によれば、純Ａｇからなる反射膜と略同等レベルの初期反射率に到達でき、かつ銀にビスマスを添加した材料からなる耐環境性に優れた反射膜を基板に堆積可能な、真空成膜装置および真空成膜方法が得られる。
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明の実施の形態の真空成膜装置の内部の一構成例を示した図である。
図１では、シリコン基板１１の搬入出用の扉（不図示）を開き、基板１１を基板ホルダ１２にセットし、シリコン基板１１に蒸着する光学反射膜（金属薄膜）用の材料１３をハース１５（材料ホルダ）にセットした状態の真空成膜装置１００の内部の様子が図示されている。
ここでの真空成膜プロセス用の材料１３としては、上述の如く、可視波長域における高初期反射率の確保とともに耐環境性の基本的性能の確保の観点、および材料１３の入手容易性や経済性の観点から、銀（Ａｇ）にビスマス（Ｂｉ）を、その濃度が適量になるように添加したＡｇ／Ｂｉ材料１３（例えばＡｇとＢｉの合金化材料）が、選定されている。
真空成膜装置１００（ここではイオンプレーティング装置）は、図１に示す如く、接地状態の真空槽２０を有する。この真空槽２０の内部２０ｅは、真空槽２０の下方かつ右側壁に設けられた排気孔２０ａに連通する真空排気装置（不図示）により減圧可能になっている。なお、真空槽内部２０ｅの到達真空度は略１×１０-3Ｐａであり、真空成膜プロセス中の真空槽内部２０ｅの真空度は略２×１０-2Ｐａであった（Ａｒガス導入により圧力が上昇する）。
真空槽の内部２０ｅの上方には、シリコン基板１１をその裏面から保持する導電性の基板ホルダ１２が配設されている。このシリコン基板１１を搭載した基板ホルダ１２は、少なくともゼロボルト〜数百ボルトの範囲で直流（ＤＣ）電圧を設定可能なバイアスＤＣ電源Ｖ１のマイナス電圧側端子に接続されている。なお、バイアスＤＣ電源Ｖ１のプラス電圧端子側は接地されている。これにより、後記のとおり、ハース１５から蒸発され、プラスに帯電（イオン化）された蒸着用の粒子は、マイナスＤＣ電圧（後記の基板バイアス電圧Ｂｉａｓに相当）に基づきシリコン基板１１に向けて加速される。なお本実施の形態では、シリコン基板１１の温度コントロールはなされていない。
真空槽１０の内部２０ｅの下方には、Ａｇ／Ｂｉ材料１３を格納するハース１５および材料放出手段が配設されている。材料放出手段は、シリコン基板１１の蒸着用のＡｇ／Ｂｉ材料１３の粒子を、その上方に位置するシリコン基板１１に向けて放出させ、この粒子の放出に際して当該粒子をイオン化させる各種の機器からなる。例えば、この材料放出手段は、真空槽２０の左側壁の設けられた電子ビーム通過用孔２０ｂに配設され、大電流の電子ビームＥを真空槽２０内に放出するプラズマガン１７と、プラズマガン１７に所定の電力を給電するガンＤＣ電源Ｖ２と、ハース１５の裏面に配置され、電子ビームＥの向きを略９０°曲げることにより、この電子ビームＥをハース１５内に導く永久磁石１８とを備える。
プラズマガン１７は、放電ガス（Ａｒガス）を導く減圧可能な放電空間（不図示）を有する。この放電空間内の適所には、電子およびＡｒプラスイオンからなる高密度のＡｒガス放電プラズマを形成し維持するための、カソード（不図示）および中間電極（不図示）が配設されている。また、放電空間外の適所には、大電流の電子を真空槽２０内に引き出すための電磁空心コイル（不図示）が配置されている。
ガンＤＣ電源Ｖ２の一方の端子（マイナス電圧側）は、プラズマガン１７のカソードに接続され、ガンＤＣ電源Ｖ２の他方の端子（プラス電圧側）は、適宜の導電性のカバー部材１９を介してアノードとしてのハース１５に接続される。これにより、プラズマガン１７は、ガンＤＣ電源Ｖ２の電圧に基づく放電により、カソードからハース１５に電子ビームＥを誘導可能に構成されている。そしてこの電子ビームＥのエネルギーにより、ハース１５中のＡｇ／Ｂｉ材料１３が加熱されて蒸発される。蒸発されたＡｇ／Ｂｉ材料１３の粒子は、シリコン基板１１に向けて飛散する途中の、電子ビームＥによりハース１５の近傍に生成されたプラズマ領域において、電子を剥ぎ取られプラスにイオン化される。これにより、当該粒子は、その運動エネルギーを増すように、上記バイアスＤＣ電源Ｖ１に基づき、マイナスＤＣ電圧を印加された基板ホルダ１２に向かって加速され、その結果として、シリコン基板１１に緻密な蒸着膜を堆積できる。また、この基板ホルダ１２へのマイナスＤＣ電圧印加は、後程詳しく述べるように、Ａｇ／Ｂｉ材料１３を光学反射膜の材料として使用する場合には、反射膜の反射率特性を決定する重要な役割を果たす。
このようにして、ハース１５に入れたＡｇ／Ｂｉ材料１３を電子ビームＥにより加熱されて蒸発させると同時に、蒸発された粒子を電子ビームＥによるプラズマを用いて効率的にイオン化できる。
＜反射膜の初期反射率の特性評価について＞
次に、Ａｇ／Ｂｉ材料１３を蒸着した反射膜の初期反射率の特性を、基板ホルダ１２への印加用のマイナスＤＣ電圧である基板バイアス電圧Ｂｉａｓとの関係において検証した結果を説明する。
図２および図３は、可視波長域において、Ａｇ／Ｂｉ材料からなる反射膜の初期反射率を純Ａｇからなる反射膜の反射率と比較したプロファイルを示す図である。
図２では、基板バイアス電圧Ｂｉａｓをゼロボルト（０Ｖ）に設定した状態において、横軸に反射光の「波長」をとり、縦軸に「４５°絶対反射率」をとって、各種の反射膜についての両者間の関係が示されている。図２の反射膜として、真空成膜装置１００（図１参照）により純Ａｇを用いて蒸着した反射膜（以下、「純Ａｇ反射膜」と略す）、略１．８２重量パーセント（以下、「重量パーセント」を「ｗｔ％」と略す）の濃度のＢｉを添加した市販のＡｇおよびＢｉを合金化させた材料を用いて真空成膜装置１００により蒸着した反射膜（以下、「Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜」と略す）、および、ハース１５（図１参照）に入れたＡｇ粒子とＢｉ粒子とを物理的に混合することにより、重量比としてのＢｉが略１ｗｔ％の濃度になるように調整した混合材料を用いて真空成膜装置１００により蒸着した反射膜（以下、「Ａｇ／Ｂｉ（１ｗｔ％）反射膜」と略す）が、選定されている。
図３では、上記Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜について、横軸に反射光の「波長」をとり、縦軸に「４５°絶対反射率」をとって、基板バイアス電圧Ｂｉａｓをパラメータとした両者間の関係が、純Ａｇ反射膜との比較で示されている。図３の基板バイアス電圧Ｂｉａｓ（絶対値）として、|Ｂｉａｓ|＝０Ｖ、３０Ｖ、７０Ｖ、１００Ｖの電圧が選定されている。
最初に、図２および図３の縦軸の「４５°絶対反射率」の測定原理について図７を参照して説明する。
図７は、反射膜の４５°絶対反射率を評価した分光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ社製；型番「日立分光光度計Ｕ−４１００」）の測定原理を示した図である。なおここでは、測定器のオプションとしての４５°正反射付属装置および偏光子が装備されているが、この分光光度計の詳細な説明は省く。
反射膜の反射率としては、試料の反射光強度と基準ミラーの反射光強度の比をとる相対反射率を指すこともあるが、この分光光度計を用いて反射膜の絶対反射率の測定が可能である。これにより、反射膜の反射率測定が高精度に行える。
図７において、先ずは、試料をセットしない状態において、光源Ｌから放射され、光学フィルタＦにより所定の波長（例えば４００ｎｍ）に分光させた光をミラーＭ１およびミラーＭ２の光路（図７の実線参照）に通過させた後、この光の強度が測定される。そうすれば、ミラーＭ１、Ｍ２のベースライン測定が行える。
次に、試料をセットした状態において、ミラーＭ１の位置をミラーＭ１’の位置に移動させ、ミラーＭ２をミラーＭ２'の位置に回転させる。そして、上記分光させた光を、ミラーＭ１’およびミラーＭ２’の光路（図７の点線参照）に通過させた後、この光の強度が測定される。
これらの両方の光路とも、ミラーＭ１、Ｍ１’、Ｍ２、Ｍ２’への入射光角度および光路長を等しくすれば、試料の絶対反射率が測定できる。なお絶対反射率測定は、分光させた光の入射光角度θを適宜変えて行えるが、本実施の形態では、入射光角度θとして４５°を採用した「４５°絶対反射率」を評価した。
図２によれば、可視波長域の全域に亘って、Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の初期反射率（図２の二点鎖線参照）およびＡｇ／Ｂｉ（１ｗｔ％）反射膜の初期反射率（図２の点線参照）の両方とも、純Ａｇ反射膜の初期反射率（図２の実線参照）よりも劣ることが確認された。例えば、波長４００ｎｍの純Ａｇ反射膜の初期反射率は略９４．８％であるのに対し、波長４００ｎｍのＡｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の初期反射率は略９０．７％であり、波長４００ｎｍのＡｇ／Ｂｉ（１ｗｔ％）反射膜の初期反射率は略９１．６％であった。
図３によれば、可視波長域の全域に亘って、基板バイアス電圧Ｂｉａｓ（絶対値）を、０Ｖ（図３の実線参照）、３０Ｖ（図３の長い点線参照）、７０Ｖ（図３の一点鎖線参照）および１００Ｖ（図３の二点鎖線参照）のように変化させた場合のＡｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の初期反射率が、基板バイアス電圧Ｂｉａｓ（絶対値）の増加に連れて、純Ａｇ反射膜の初期反射率（図３の短い点線）に漸近することが分かった。例えば、波長４００ｎｍについて言えば、純Ａｇ反射膜の初期反射率は略９４．８％であるのに対し、基板バイアス電圧Ｂｉａｓを０ＶにしたＡｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の初期反射率は略９０．７％であり、同電圧Ｂｉａｓを３０Ｖにした同初期反射率は略９４．３％であり、同電圧Ｂｉａｓを７０Ｖにした同初期反射率は略９４．３％であり、同電圧Ｂｉａｓを１００Ｖにした同初期反射率は略９４．８％であった。
このような基板バイアス電圧Ｂｉａｓの印加により、Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の初期反射率を改善可能であるという知見が得られた。そして、反射膜の初期反射率を改善するという観点では、基板バイアス電圧Ｂｉａｓの好適な範囲（絶対値）は、３０Ｖ以上であると考えられる。これにより、可視波長域（例えば、４００ｎｍ〜８５０ｎｍ）の全域において、反射膜の初期反射率（４５°絶対反射率）が純Ａｇ反射膜の反射率と略同等レベルの９４％以上に達するＡｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜が得られる。
なお、基板バイアス電圧Ｂｉａｓの印加による反射膜の初期反射率の改善効果を裏付ける観点から、このような基板バイアス電圧Ｂｉａｓと、当該反射膜の表面性および厚み方向の膜構造との関係を検証した。この検証結果は後程述べる。
＜反射膜の耐環境性評価について＞
次に、高温および高湿度環境による反射膜の反射率への影響を、基板バイアス電圧Ｂｉａｓおよび反射膜のＢｉ濃度との関係において検証した結果を説明する。
図４は、可視波長域（例えば、青色：４００ｎｍ付近の波長帯から、赤色：略８００ｎｍ付近の波長帯）において、Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の、高温および高湿度環境による反射率変化量（縦軸）と、基板ホルダに印加させる基板バイアス電圧（横軸）との間の相関関係を示した棒グラフ図である。図４の横軸の基板バイアス電圧Ｂｉａｓ（絶対値）として、|Ｂｉａｓ|＝０Ｖ、|Ｂｉａｓ|＝１０Ｖ、３０Ｖ、５０Ｖ、７０Ｖの電圧が選定されている。
図５は、同可視波長域において、基板バイアス電圧を０Ｖに設定した場合のＡｇ／Ｂｉ材料からなる反射膜の、高温および高湿度環境による反射率変化量（縦軸）と、Ｂｉ濃度（添加量；横軸）との間の相関関係を示した棒グラフ図である。なお、ハース１５（図１参照）に入れたＡｇ粒子とＢｉ粒子とを物理的に混合することによりＢｉの重量比が調整されている。ここでは、Ｂｉが全く含まれない純Ａｇ反射膜、Ｂｉが０．１ｗｔ％濃度に調整された反射膜、Ｂｉが０．５ｗｔ％濃度に調整された反射膜、Ｂｉが１．０ｗｔ％濃度に調整された反射膜、および、Ｂｉが２．０ｗｔ％濃度に調整された反射膜が、選定されている。
また、測定対象の反射膜は、温度８５℃および相対湿度９０％の高温および高湿度雰囲気中に２４時間曝された後に、当該反射膜の４５°絶対反射率が測定されている。このため、図４および図５の縦軸に示した反射率変化量とは、反射膜の初期反射率から、上記高温および高湿度環境に曝した後の反射膜の反射率を差し引いた値を、この反射膜の初期反射率で除した値（パーセント）を指す。よってこの反射率変化量が小さい程（ゼロに近い程）、高温および高湿度環境に曝された反射膜の反射率劣化の程度が低いことを意味し、反射膜の耐環境性が優れている。
図４によれば、高温および高湿度環境によるＡｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の反射率変化量は、基板バイアス電圧Ｂｉａｓ（絶対値）に依存して変化することが分かった。例えば、波長４００ｎｍの反射膜の反射率変化量は、|Ｂｉａｓ|＝０Ｖにおいて略２．９％、|Ｂｉａｓ|＝１０Ｖにおいて略４．４％、|Ｂｉａｓ|＝３０Ｖにおいて略２．３％、|Ｂｉａｓ|＝５０Ｖにおいて略２．５％、および、|Ｂｉａｓ|＝７０Ｖにおいて略０．３％、であった。また、波長６００ｎｍの反射膜の反射率変化量は、|Ｂｉａｓ|＝０Ｖにおいて略２．７％、|Ｂｉａｓ|＝１０Ｖにおいて略２．０％、|Ｂｉａｓ|＝３０Ｖにおいて略１．４％、|Ｂｉａｓ|＝５０Ｖにおいて略０．４％、および、|Ｂｉａｓ|＝７０Ｖにおいて略０．６％、であった。また、波長８００ｎｍの反射膜の反射率変化量は、|Ｂｉａｓ|＝０Ｖにおいて略１．４％、|Ｂｉａｓ|＝１０Ｖにおいて略１．８％、|Ｂｉａｓ|＝３０Ｖにおいて略１．３％、|Ｂｉａｓ|＝５０Ｖにおいて略０．１％、および、|Ｂｉａｓ|＝７０Ｖにおいて略０．６％、であった。
上記結果から、高温および高湿度環境による反射膜の反射率変化量を低減させるという観点では、基板バイアス電圧Ｂｉａｓの好適な範囲（絶対値）は、５０Ｖ以上、７０Ｖ以下の範囲内に存在すると考えられる。これにより、可視波長域の全域において、高温および高湿度環境による反射率変化量が１．０％以下（|Ｂｉａｓ|＝７０Ｖの場合）に達するＡｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜が得られる。
図５によれば、高温および高湿度環境によるＡｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の反射率変化量は、Ｂｉ濃度に依存して変化することが分かった。例えば、波長４００ｎｍの反射膜の反射率変化量は、０ｗｔ％Ｂｉ濃度において略２．２％、０．１ｗｔ％Ｂｉ濃度において略１．０％、０．５ｗｔ％Ｂｉ濃度において略０．１％、１．０ｗｔ％Ｂｉ濃度において略１．１％、および、２．０ｗｔ％Ｂｉ濃度において略３．１％、であった。また、波長６００ｎｍの反射膜の反射率変化量は、０ｗｔ％Ｂｉ濃度において略１．０％、０．１ｗｔ％Ｂｉ濃度において略１．４％、０．５ｗｔ％Ｂｉ濃度において略０．０５％、１．０ｗｔ％Ｂｉ濃度において略０．４％、および、２．０ｗｔ％Ｂｉ濃度において略１．６％、であった。また、波長８００ｎｍの反射膜の反射率変化量は、０ｗｔ％Ｂｉ濃度において略０．９％、０．１ｗｔ％Ｂｉ濃度において略０．７％、０．５ｗｔ％Ｂｉ濃度において略０．０５％、１．０ｗｔ％Ｂｉ濃度において略０．６％、および、２．０ｗｔ％Ｂｉ濃度において略１．２％、であった。
上記結果から、高温および高湿度環境による反射膜の反射率変化量を低減するという観点では、Ｂｉ濃度の好適な数値は、０．５ｗｔ％付近の値であると考えられる。これにより、基板バイアス電圧Ｂｉａｓを０Ｖに設定した場合には、可視波長域の全域において、高温および高湿度環境による反射率変化量が１．０％以下に達するＡｇ／Ｂｉ（０．５ｗｔ％）反射膜が得られる。
以上に述べたとおり、基板バイアス電圧Ｂｉａｓを５０Ｖ以上、７０Ｖ以下に設定するとともに、Ｂｉ濃度を０．５ｗｔ％に設定することにより、高温および高湿度環境による反射膜の反射率変化量を低減させるという観点に基づく最適な反射膜が形成されると考えられる。
＜基板バイアス電圧ＢｉａｓおよびＢｉ濃度と、反射膜の表面性との間の関係＞
次に、反射膜の表面性が反射率に影響を及ぼすことから、基板バイアス電圧Ｂｉａｓおよび反射膜中のＢｉ濃度と、反射膜の表面性との間の関係を検証した結果を説明する。
図６は、走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）による反射膜の表面の観察結果を示した図である。図６では、基板バイアス電圧Ｂｉａｓ（絶対値）を０Ｖ、３０Ｖおよび７０Ｖに設定した場合の、純Ａｇ反射膜、Ａｇ／Ｂｉ（１ｗｔ％）反射膜、および、Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の表面写真が示されている。
図６によれば、Ａｇ／Ｂｉ（１ｗｔ％）反射膜およびＡｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の表面の粒状径は、純Ａｇ反射膜の粒状径に比較して小さくなることが分かった。そしてこのことが、図２に示した、Ａｇ／Ｂｉ（１ｗｔ％）反射膜およびＡｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の初期反射率を、純Ａｇ反射膜の初期反射率より劣化させた要因のひとつであると推定される。
また、図６から理解されるとおり、Ａｇ／Ｂｉ（１ｗｔ％）反射膜およびＡｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の粒状径は、基板バイアス電圧（絶対値）が増すに連れて、純Ａｇ反射膜の粒状径に比較して大きくなる。そしてこのことが、図３に示した、Ａｇ／Ｂｉ（１ｗｔ％）反射膜およびＡｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の初期反射率を、基板バイアス電圧Ｂｉａｓの印加により純Ａｇ反射膜の初期反射率に漸近させる効果を裏付けるデータになると考えられる。
＜基板バイアス電圧ＢｉａｓおよびＢｉ濃度と、反射膜の膜構造との間の関係＞
次に、基板バイアス電圧Ｂｉａｓおよび反射膜中のＢｉ濃度と、反射膜の膜構造の間の関係を検証した結果を説明する。
反射膜の膜構造として、反射膜中の厚み方向のＢｉ濃度分布が、下記の表１に示した測定条件によりＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて分析されている。また、反射膜中のビスマス含有膜の厚み測定が、下記の表２に示した測定条件によりラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ）を用いて分析されている。なお、純Ａｇ反射膜、Ａｇ／Ｂｉ（１ｗｔ％）反射膜およびＡｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜が、ＸＰＳ分析およびＲＢＳ分析の測定対象として選定されている。また、これらの反射膜の各々をシリコン基板１１に蒸着させる際の、基板バイアス電圧Ｂｉａｓ（絶対値）として、|Ｂｉａｓ|＝０Ｖ、３０Ｖ、１００Ｖの電圧が選定されている。
以下、ＸＰＳおよびＲＢＳによる反射膜の分析結果を述べる。
まず、ＸＰＳ分析およびＲＢＳ分析の何れでも純Ａｇ反射膜中のＢｉは検出されないことが確認された。
次に、|Ｂｉａｓ|＝０Ｖの電圧において、Ａｇ／Ｂｉ（１ｗｔ％）反射膜の最上表面には、略３．１原子％濃度のＢｉが、厚み略０．２ｎｍの酸化ビスマス層（Ｂｉ2Ｏ3層）として検出され、Ａｇ／Ｂｉ（１ｗｔ％）反射膜のシリコン基板１１との界面には、略０．３原子％濃度のＢｉが、厚み略０．２５ｎｍの金属Ｂｉ濃化層として検出された。なおＢｉ2Ｏ3層および金属Ｂｉ濃化層の厚みは、ＲＢＳにより検出されるＢｉの面密度（体積密度×厚み）を基にして、文献に載っている体積密度を用いてシミュレーションにより導かれた推定値である。
また、|Ｂｉａｓ|＝０Ｖの電圧において、Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の最上表面には、略５．３原子％濃度のＢｉが、厚み略０．３２ｎｍのＢｉ2Ｏ3層として検出され、Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜のシリコン基板１１との界面には、略０．９原子％濃度のＢｉが、厚み略０．２６ｎｍの金属Ｂｉ濃化層として検出された。
また、|Ｂｉａｓ|＝３０Ｖの電圧において、Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の最上表面には、略３．６原子％濃度のＢｉが、厚み略０．２ｎｍのＢｉ2Ｏ3層として検出され、Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜のシリコン基板１１との界面には、略３．１原子％濃度のＢｉが、厚み略１．４５ｎｍの金属Ｂｉ濃化層として検出された。
更に、|Ｂｉａｓ|＝１００Ｖの電圧において、Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の最上表面には、略０．８原子％濃度のＢｉが、厚み略０．０４ｎｍのＢｉ2Ｏ3層として検出され、Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜のシリコン基板１１との界面には、略０．８原子％濃度のＢｉが、金属Ｂｉ濃化層（但し厚み測定不能）として検出された。
以上に述べた分析結果を総括すれば、Ａｇ／Ｂｉ（１ｗｔ％）反射膜およびＡｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の、最上表面およびシリコン基板１１との界面に、Ｂｉを濃化させた層が確認され、これらの層のＢｉ濃度および厚みが基板バイアス電圧Ｂｉａｓに依存して変化することが分かった。例えば、上記分析結果から理解されるとおり、基板バイアス電圧Ｂｉａｓが|Ｂｉａｓ|＝０Ｖ、３０Ｖ、１００Ｖの順に増加すると、Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の最上表面に存在するＢｉ2Ｏ3層中のＢｉ濃度は、略５．３原子％濃度、略３．６原子％濃度、略０．８原子％濃度の順に減少し、その厚みは、略０．３２ｎｍ、略０．２ｎｍ、略０．０４ｎｍの順に減少している。このＢｉ2Ｏ3層は、バリア層として反射膜の耐環境性の改善に寄与する反面、Ｂｉ2Ｏ3層の膜厚が厚くなり過ぎると反射膜の初期反射率を低下させる悪影響をもたらすと推定される。このため、基板バイアス電圧Ｂｉａｓの適度のコントロールにより、Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の初期反射率の改善効果が発揮されると考えられる。同様に、基板バイアス電圧Ｂｉａｓの適度のコントロールにより、Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の反射率変化量の制御効果が発揮されると考えられる。
以上に説明したように、本実施の形態の真空成膜装置１００および真空成膜方法によれば、基板バイアス電圧ＢｉａｓおよびＡｇ／Ｂｉ材料のＢｉ濃度を適切に調整することにより、純Ａｇからなる反射膜と略同等レベルの初期反射率に到達でき、かつＡｇ／Ｂｉ材料からなる耐環境性に優れた反射膜をシリコン基板１１上に堆積できる。
特に、基板バイアス電圧Ｂｉａｓを５０Ｖ以上、７０Ｖ以下の範囲、および、Ａｇ／Ｂｉ材料のＢｉ濃度を０．５ｗｔ％付近に設定することにより、可視波長域の全域において、反射膜の初期反射率（４５°絶対反射率）が純Ａｇ反射膜の反射率と略同等レベルの９４％以上に達する反射膜や高温および高湿度環境による反射率変化量が１．０％以下に達する反射膜が得られ好適である。
なおここまで、真空成膜装置１００として、シリコン基板１１にＡｇ／Ｂｉ材料１３の粒子を加速して蒸着させるイオンプレーティング装置を例示したが、本技術は、このようなイオンプレーティング装置の他、例えば、スパッタリング装置にも適用できる。
本発明の真空成膜装置は、純Ａｇからなる反射膜と略同等レベルの初期反射率に到達でき、かつ銀にビスマスを添加した材料からなる耐環境性に優れた反射膜を基板に堆積できる真空機器として有用である。
本発明の実施の形態の真空成膜装置の内部の一構成例を示した図である。 可視波長域において、Ａｇ／Ｂｉ材料からなる反射膜の初期反射率を純Ａｇからなる反射膜の反射率と比較したプロファイルを示す図である。 可視波長域において、Ａｇ／Ｂｉ材料からなる反射膜の初期反射率を純Ａｇからなる反射膜の反射率と比較したプロファイルを示す図である。 可視波長域において、Ａｇ／Ｂｉ（１．８２ｗｔ％）反射膜の、高温および高湿度環境による反射率変化量と、基板ホルダに印加させる基板バイアス電圧との間の相関関係を示した棒グラフ図である。 可視波長域において、基板バイアス電圧を０Ｖに設定した場合のＡｇ／Ｂｉ材料からなる反射膜の、高温および高湿度環境による反射率変化量と、Ｂｉ濃度との間の相関関係を示した棒グラフ図である。 走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）による反射膜の表面の観察結果を示した図である。 反射膜の４５°絶対反射率を評価した分光光度計の測定原理を示した図である。
符号の説明
１１ シリコン基板
１２ 基板ホルダ
１３ Ａｇ／Ｂｉ材料
１５ ハース
１７ プラズマガン
１８ 永久磁石
１９ カバー部材
２０ 真空槽
２０ａ 排気孔
２０ｂ 電子ビーム通過孔
２０ｅ 内部
１００ 真空成膜装置
Ｖ１ バイアスＤＣ電源
Ｖ２ ガンＤＣ電源

Claims (7)

  1. 内部を減圧可能な真空槽と、
    前記真空槽内において、基板を保持する基板ホルダと、
    前記基板ホルダに所定のバイアス電圧を印加するバイアス電源と、
    前記真空槽内において、銀にビスマスを添加した反射膜用の材料を配置する材料ホルダと、
    前記材料ホルダから前記基板に向けて、前記材料を放出させるとともに、前記材料の放出に際して前記材料をイオン化する材料放出手段と、を備え、
    前記イオン化された材料の運動エネルギーを前記バイアス電圧に基づき増加させるようにして前記基板に前記材料からなる反射膜が堆積され、前記反射膜の反射率は、前記バイアス電圧および前記ビスマスの添加量に基づいて調整される、真空成膜装置。
  2. 前記材料ホルダは、前記材料を格納するハースであり、前記材料放出手段は、前記ハース内の前記材料を加熱および蒸発させる電子ビームを放出するとともに、前記電子ビームにより生成されたプラズマにより、蒸発された前記材料をイオン化するプラズマガンを有する、請求項１記載の真空成膜装置。
  3. 前記真空槽を接地させた際の前記バイアス電圧の絶対値は５０Ｖ以上、７０Ｖ以下に調整される請求項１記載の真空成膜装置。
  4. 前記ビスマスの添加量が略０．５重量パーセントに調整される請求項１記載の真空成膜装置。
  5. 真空槽内の基板ホルダに基板を配置し、
    前記真空槽内の材料ホルダに、銀にビスマスを添加した反射膜用の材料を配置し、
    前記真空槽内を減圧し、
    前記基板ホルダにバイアス電圧を印加し、
    前記基板に向けて前記材料を放出させる際に前記材料をイオン化することにより、前記バイアス電圧に基づき前記材料の運動エネルギーを増加させるようにして、前記基板に前記材料からなる反射膜を堆積し、
    前記反射膜の反射率を、前記バイアス電圧および前記ビスマスの濃度に基づき調整する、真空成膜方法。
  6. 前記真空槽を接地させた際の前記バイアス電圧の絶対値は５０Ｖ以上、７０Ｖ以下に調整される請求項５記載の真空成膜方法。
  7. 前記ビスマスの添加量が略０．５重量パーセントに調整される請求項５記載の真空成膜方法。
JP2006210129A 2006-08-01 2006-08-01 真空成膜装置および真空成膜方法 Expired - Fee Related JP4864586B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006210129A JP4864586B2 (ja) 2006-08-01 2006-08-01 真空成膜装置および真空成膜方法
CN2007800279624A CN101495665B (zh) 2006-08-01 2007-07-18 真空成膜装置以及真空成膜方法
KR1020097000288A KR101359826B1 (ko) 2006-08-01 2007-07-18 진공성막장치 및 진공성막방법
PCT/JP2007/064188 WO2008015913A1 (fr) 2006-08-01 2007-07-18 Appareil de formage de film sous vide et procédé de formage de film sous vide
TW096126730A TWI431133B (zh) 2006-08-01 2007-07-23 Vacuum film forming apparatus and vacuum film forming method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006210129A JP4864586B2 (ja) 2006-08-01 2006-08-01 真空成膜装置および真空成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008038161A JP2008038161A (ja) 2008-02-21
JP4864586B2 true JP4864586B2 (ja) 2012-02-01

Family

ID=38997093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006210129A Expired - Fee Related JP4864586B2 (ja) 2006-08-01 2006-08-01 真空成膜装置および真空成膜方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP4864586B2 (ja)
KR (1) KR101359826B1 (ja)
CN (1) CN101495665B (ja)
TW (1) TWI431133B (ja)
WO (1) WO2008015913A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104372296B (zh) * 2013-08-14 2016-09-21 北大方正集团有限公司 一种利用电子束蒸发制备金属薄膜的方法
TWI503433B (zh) * 2013-10-08 2015-10-11 不二越股份有限公司 成膜裝置及成膜方法
JP6379318B1 (ja) * 2017-06-14 2018-08-22 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法
CN111979517B (zh) * 2020-08-24 2022-12-20 京东方科技集团股份有限公司 温度调节方法及装置、蒸镀设备

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930006119B1 (ko) * 1988-04-25 1993-07-07 가와사끼 세이데쓰 가부시끼가이샤 밀착성, 평활성 및 내식성에 뛰어난 치밀한 세라믹 피막을 갖춘 강판 및 그 제조방법
JP3882483B2 (ja) * 2000-02-01 2007-02-14 三菱化学メディア株式会社 光記録媒体の製造方法
TW584905B (en) 2000-02-25 2004-04-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for depositing films
JP2002339084A (ja) * 2001-03-13 2002-11-27 Kiyousera Opt Kk 金属膜および金属膜被覆部材
JP3655907B2 (ja) * 2002-08-20 2005-06-02 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用反射膜と半透過反射膜、および光情報記録媒体
JP4009564B2 (ja) * 2003-06-27 2007-11-14 株式会社神戸製鋼所 リフレクター用Ａｇ合金反射膜、及び、このＡｇ合金反射膜を用いたリフレクター、並びに、このＡｇ合金反射膜のＡｇ合金薄膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット
JP4527624B2 (ja) * 2005-07-22 2010-08-18 株式会社神戸製鋼所 Ａｇ合金反射膜を有する光情報媒体

Also Published As

Publication number Publication date
KR101359826B1 (ko) 2014-02-07
CN101495665B (zh) 2011-07-13
CN101495665A (zh) 2009-07-29
JP2008038161A (ja) 2008-02-21
KR20090038866A (ko) 2009-04-21
TW200817527A (en) 2008-04-16
WO2008015913A1 (fr) 2008-02-07
TWI431133B (zh) 2014-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Mattox Physical vapor deposition (PVD) processes
CN105492653B (zh) 透明导电性膜及其制造方法
US8845866B2 (en) Optoelectronic devices having electrode films and methods and system for manufacturing the same
JP4864586B2 (ja) 真空成膜装置および真空成膜方法
JP2009542918A (ja) コーティング装置および方法
Lorenz et al. Angular distribution of molecules sputtered by gas cluster ion beams and implications for secondary neutral mass spectrometry
Andersson et al. Determining the stopping power of low energy helium in alkanethiolates with Neutral Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy (NICISS)
JP6884993B2 (ja) 光反射鏡の製造方法及び蒸着装置
Beladiya et al. Plasma-enhanced atomic layer deposition of HfO2 with substrate biasing: thin films for high-reflective mirrors
US20190235141A1 (en) Multilayer Mirror for Reflecting EUV Radiation and Method for Producing the Same
Aleksanyan Magnetron Sputtering Techniques and Their Applications at Gas Sensors Manufacturing.
JP2018083971A (ja) マグネトロンスパッタリング装置及び透明導電性酸化物膜の形成方法
Lee et al. Spectroscopic and morphological investigation of ZnSn thin films obtained by radio frequency cosputtering
Lautenschläger Systematic investigation of the ion beam sputter deposition of TiO2
Meassick et al. Thin film deposition techniques utilizing the anodic vacuum arc
Aurand et al. Preparation and characterization of nanometer‐thin freestanding polymer foils for laser‐ion acceleration
Wei et al. Surface characterization and properties of functionalized nonwoven
JP2016524049A (ja) 電気絶縁層の反応スパッタ堆積用のターゲット
Gauch et al. Mixing of PTFE and oxides by sputtering techniques: a comparison of different approaches
Odetola et al. Thin coating deposition by magnetron sputtering
Nair et al. Stoichiometry control during deposition by ion beam sputtering
Ruske et al. Flux of Positive Ions and Film Growth in Reactive Sputtering of Al‐Doped ZnO Thin Films
Kulczyk-Malecka Diffusion studies in toughenable low-E coatings
Fan et al. The characteristic criterion of the growth of metallic films from discontinuous to continuous
Agah et al. Increase of diagnostic mirror lifetime using TiN coated stainless steel by using a plasma focus device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110125

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111108

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111109

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141118

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141118

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees