TWI503433B - 成膜裝置及成膜方法 - Google Patents

Description

成膜裝置及成膜方法

本發明，係有關於連續性地形成薄膜之成膜裝置及成膜方法。

在被利用於半導體零件或太陽電池等之製造中的薄膜之形成方法中，係存在有離子噴鍍法或濺鍍法等。其中，又以使用從電子槍所發出之電漿束(以下，稱作電漿)來進行成膜的離子噴鍍法，係多所被利用在氧化膜等之薄膜形成中。

若是蒸鍍材料被電漿所照射，則電漿電流係從蒸鍍材料而通過支持桿(將蒸鍍材料從底部而上推至真空腔內之構件)來流動至成膜裝置之外部。例如，在專利文獻1中，係揭示有一種藉由於蒸鍍材料和爐床之間配置絕緣材料，來使電漿電流從蒸鍍材料來通過支持桿而積極地流動至外部電源處之成膜裝置(參考該文獻之圖3等)。

然而，當使用該成膜裝置而進行連續成膜的 情況時，在能夠製造蒸鍍材料之長度上由於係存在有極限，因此係成為將短的蒸鍍材料作複數個的層積而進行成膜。於此情況，由於蒸鍍材料彼此之接觸面係並非為完全之平滑面，而係存在有微小之凹凸，因此會產生蒸鍍材料間並未相互接觸之部分，亦即是產生微小的間隙部分。因此，於成膜中，若是於該間隙部分處起因於電漿照射而使電子集中，並產生電位差，則最終係會發生異常放電。其結果，蒸鍍材料之一部分係會熔融或是變質，並導致薄膜之特性產生變化。故而，若是將複數個的短的蒸鍍材料作層積並進行成膜，則係有著會成為難以進行長時間之連續成膜的問題。

又，若是將具備有某種程度之長度之1個的蒸鍍材料用盡，則在每次用盡時，係需要將成膜裝置之電源遮斷，之後與新的蒸鍍材料作交換，其結果，係無法進行如同輥至輥法(在對於從卷狀態而送出之薄膜狀基材進行了成膜之後，將該薄膜狀基材再度捲取為卷狀態之成膜方法)一般之連續成膜，並且亦有著使成膜工程之作業效率大幅度降低的問題。

因此，在專利文獻2中，係揭示有一種在爐床內將短的蒸鍍材料作複數個的層積，而能夠進行連續成膜之成膜裝置。該成膜裝置，係採用若是在蒸鍍材料處被照射有電漿，則電漿電流係從蒸鍍材料而通過爐床來流動至外部電源處之方式(參考該文獻之圖1等)。

然而，若是藉由將爐床與外部電源作電性連 接，來使電漿照射至蒸鍍材料以及爐床處，則電漿電流由於亦會流動至相較於蒸鍍材料而更為電性安定之爐床處，因此蒸鍍材料之昇華效率係降低。因此，為了使電漿電流積極性地集中於蒸鍍材料，係在爐床之周圍處配置大型的電磁石，並藉由利用從該電磁石所產生之磁場，來使電漿中之電子強制性地朝向蒸鍍材料集中。其結果，係有著會使爐床周邊之構造變得複雜並且亦使製作成本上升的問題。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2010-116597號公報

[專利文獻2]日本特開2005-272965號公報

因此，在本發明中，係以提供一種能夠抑制成膜裝置之尺寸以及薄膜(皮膜)之製造成本並且能夠進行長時間之連續成膜的成膜裝置以及成膜方法一事，作為課題。

本案申請人，係在用以解決前述課題之本發 明中，構成一種成膜裝置，其係具備有真空腔、和從真空腔之底部而供給蒸鍍材料之具有支持桿之爐床、和使蒸鍍材料昇華並產生電漿之槍、以及對於槍供給電力之電源，該成膜裝置，其特徵為：在爐床之內部，係設置有磁石，爐床和支持桿係被作電性連接，爐床以及支持桿係一同被與電源作連接。

藉由此種構成，本發明之成膜裝置，係藉由設置在爐床內之磁石而在爐床上部使磁場產生，藉由此，電漿電流係朝向蒸鍍材料而集中。又，若是從槍所產生之電漿照射至蒸鍍材料處，則電漿電流係從蒸鍍材料而朝向支持桿和爐床流動，之後經由導線而流動至外部電源，同時亦從支持桿而通過爐床來流動至外部電源。以下，針對爐床和被設置於其之內部的磁石間之位置關係作詳細敘述。

本發明之成膜裝置內的爐床(坩堝)和被配置於該爐床內部之磁石間的位置關係，係成為將磁石配置在較對於在爐床中而昇華之蒸鍍材料的電漿之照射面而更下方處。例如，當使用具有中空部之電磁石或者是環形之永久磁石的情況時，係以使磁石之中空部成為蒸鍍材料之鉛直下方或者是以使蒸鍍材料在該中空部內而從下方起朝向上方地作貫通的方式，來作配置。又，關於蒸鍍材料和磁石間之配置間隔，係依存於磁石所具有之磁力的大小而有所不同，但是，係設為會使從磁石所產生之磁場對於蒸鍍材料造成影響的範圍內。藉由如此這般地配置，來對於 在蒸鍍材料近旁處所產生之磁場作控制，並成為能夠進行對於蒸鍍材料之電漿的照射位置之調節。

於此，所謂爐床，係為在中央具備有能夠經由金屬製之支持桿(支持棒、上突棒)而從外部來將蒸鍍材料供給至真空腔內的孔部之構件。並且，其係為在成膜中發揮作為陽極(anode)之功用，而為藉由使從槍所產生之電漿照射至蒸鍍材料處而使蒸鍍材料昇華的部位。爐床之材質，係可藉由不鏽鋼等之具有導電性的材料來製作。支持桿和爐床係一同藉由銅線等之導線而與外部之電源作連接，被作電漿照射之蒸鍍材料係可將電漿電流送至外部電源處。

又，所謂磁石，係指藉由對於將銅等之可通電的材質之線材作了數圈的捲繞之線圈而進行通電來產生磁場的電磁石，或者是由在JIS C2502所規定之永久磁石材料所成的永久磁石。例如，在永久磁石的情況時，係可使用釤鈷磁石或釹鐵硼磁石等之稀土類系磁石、以氧化鐵作為主成分之鐵氧體磁石、以鋁、鎳、鈷等作為主成分之鋁鎳鈷磁石等。關於永久磁石之全體形狀，係可使用在圓柱型磁石之中央部處設置有盤狀孔的圓柱型附盤狀孔磁石或者是在角型磁石之中央部處設置有盤狀孔的角型附盤狀孔磁石等，中空部之形狀，係可適用圓形、橢圓形以及多角形狀等。

接著，針對爐床和能夠在爐床內部而於上下方向作滑動之支持桿之間的位置關係作詳細敘述。在爐床 處，係設置有能夠從成膜裝置之外部來對於真空腔內供給蒸鍍材料之於上下方向作了貫通的孔部，而成為能夠藉由使層積有複數個的蒸鍍材料之支持桿於該孔部處而朝向上下方向移動來連續性地供給蒸鍍材料之構造。此時，爐床和支持桿係相互被作電性連接。

作為進行電性連接之形態，例如係存在有藉由使爐床之孔部和支持桿之外周部作物理性接觸來使電漿電流在爐床和支持桿之間通電的形態。針對接觸場所，例如係可適用與滑動部全面作接觸的情況和僅在滑動部之一部分而作部分性接觸的情況之任一者。又，當在爐床之孔部和支持桿之外周部之間存在有間隙，且該間隙為數mm程度以上的情況時，係成為藉由銅線等之導線來另外使爐床和支持桿短路(連接)，並藉由此來成為能夠使電漿電流通電。

又，申請專利範圍2之發明，係構成為下述一般之成膜裝置：亦即是，在前述之成膜裝置的真空腔和槍之間，配置第1線圈，並在真空腔外之底部處，配置第2線圈。藉由對第1線圈通電而使磁場產生，從槍所發生之電漿的前進方向係藉由該磁場而朝向真空腔底部彎曲。又，藉由對於第2線圈通電所產生的磁場，前述之被彎曲了的電漿係收斂於爐床周邊。

本發明之成膜裝置的真空腔和第2線圈間的位置關係，係為在真空腔之外部的底部處配置第2線圈。又，在第2線圈之內側，係以與第2線圈成為同心狀或者 是偏心狀的方式來配置爐床。又，所謂第2線圈，係為並不使用以JIS C5602所規定之磁芯的線圈，並為將導線密集地作大長度之捲繞的圓筒形之線圈(空芯線圈)。藉由對於導線之大小(粗細)、材質以及卷數等之各條件自由作調節，係能夠得到所期望之磁場大小。

進而，申請專利範圍3之發明，係為使用有前述之成膜裝置之成膜方法，並構成為下述一般之成膜方法：亦即是，在將蒸鍍材料裝填於爐床內之後，在使爐床以及支持桿與蒸鍍材料作了接觸的狀態下，將從槍所產生之電漿照射至蒸鍍材料並進行成膜。亦即是，被裝填在前述之成膜裝置的爐床內之蒸鍍材料，係成為於其之周圍處而與爐床內部相接觸同時於下方(當具備層積有複數個的蒸鍍材料之狀態的情況時，係為位在最下層之蒸鍍材料)處與支持桿相接觸之狀態。若是在此狀態下而使從槍所產生之電漿照射至蒸鍍材料之表面(電漿照射面)上，則藉由本發明之成膜方法，蒸鍍材料之電漿照射面係均一地昇華。

另外，所謂在本發明之成膜裝置以及成膜方法中所使用的蒸鍍材料，係指成為在JIS H0211中所規定之蒸鍍的對象之材料。具體而言，當Ti、Ta、Nb等之由單一元素所成的情況時，係可使用從高純度之鑄錠所加工者，當ZnO、ITO(氧化銦錫)、AlTi合金等之由2以上之元素所成的情況時，係可使用被作了燒結等之物。

如同以上所述一般，本發明之成膜裝置，係藉由設置在爐床內之磁石而在爐床上部使磁場產生，並使電漿中之電子朝向蒸鍍材料而集中。又，若是從槍所產生之電漿照射至蒸鍍材料處，則電漿電流係從蒸鍍材料而朝向支持桿和爐床流動，之後經由導線而流動至外部電源。同時，亦從支持桿而通過爐床來朝向外部電源移動。

其結果，係並不需要與爐床相獨立地而另外設置用以使電漿電流朝向蒸鍍材料集中之電磁石，而能夠抑制裝置尺寸以及製造成本。同時，由於係有效率地使電漿中之電子朝向蒸鍍材料集中並使其昇華，並且能夠不使電子部分性地集中於爐床或支持桿處，而使電子朝向外部之電源移動，因此，係成為能夠使蒸鍍材料均一地消耗並能夠涵蓋長時間地來進行成膜。

1‧‧‧成膜裝置

2‧‧‧真空腔

3‧‧‧HCD(空心陰極)槍

4‧‧‧線圈(第1線圈)

5‧‧‧空芯線圈(第2線圈)

6‧‧‧外部電源

7‧‧‧爐床

8‧‧‧支持桿

9‧‧‧永久磁石

13‧‧‧蒸鍍材料

[圖1]對於本發明之成膜裝置1的第1實施形態作展示之模式圖(縱剖面圖)。

[圖2]本發明之成膜裝置1的爐床7之縱剖面擴大圖(第1形態)。

[圖3]係為在圖2中所示之爐床7的孔部中而裝填了蒸鍍材料13時之縱剖面擴大圖(第1形態)。

[圖4]本發明之成膜裝置1的爐床7之縱剖面擴大圖 (第2形態)。

[圖5]圖4中所示之爐床7的其他形態之縱剖面擴大圖(第3形態)。

參考圖面，對本發明之實施形態的其中一例作說明。圖1，係為對於本發明之成膜裝置1的實施形態作展示之模式圖(縱剖面圖)。如圖1中所示一般，本發明之成膜裝置1，係具備有：對於基板10進行成膜之真空腔2、和被設置在真空腔2之側方並使電漿產生之HCD(空心陰極)槍3、和被設置在真空腔2之底部並將成為薄膜(皮膜)之成分的蒸鍍材料13作設置以及保持之爐床7、以及對於HCD槍3供給電力的外部電源6。又，除此之外，係具備有進行真空腔2內之減壓的真空幫浦12、和被設置在真空腔2和HCD槍3之間並且對於藉由HCD槍3所產生之電漿的方向作控制之線圈(第1線圈)4、和在真空腔2外之底部處而包圍爐床7之外側地來作配置之空芯線圈(第2線圈)5、以及被設置在真空腔2之內部並支持進行成膜之基板10的基板保持台11(基板保持手段)。

圖2係為本發明之成膜裝置1的爐床7之縱剖面擴大圖(第1形態，圖3係為在圖2中所示之爐床7的孔部中而裝填了蒸鍍材料13時之縱剖面擴大圖(第1形態)。根據圖2，爐床7係被設置在真空腔2之底部， 並具備有將其之中央部作了貫通的孔部。又，根據圖3，在該孔部處，係具備有藉由構成為能夠朝向上下方向移動(滑動)而能夠從真空腔2之下方來將蒸鍍材料13連續性地作供給之支持桿8。在爐床7內之中空部處，係於上方(真空腔2側)處而固定有環形之永久磁石9，並藉由使用未圖示之循環幫浦等來從爐床7外部導入冷卻水，而防止爐床7之過熱。爐床7以及支持桿8係相互接觸，爐床7以及支持桿8係均經由導線20而與外部之電源6作連接。

圖4，係為本發明之成膜裝置1的其他形態之爐床7之縱剖面擴大圖(第2形態)。根據圖4，關於爐床7、支持桿8以及永久磁石9之間的相互之位置關係，係與圖2中所示之形態共通。例如，就算是當在爐床7之孔部的周圍和支持桿8之間的一部分存在有間隙而存在有並未物理性地相互接觸之部分的情況時，藉由透過導線20來使爐床7和支持桿8作連接(短路)，電漿電流係成為能夠在爐床7和支持桿8之間通電。又，圖5，係為圖4中所示之爐床7的其他形態之縱剖面擴大圖(第3形態)。根據圖5，當爐床7和支持桿8為透過導線20而相連接(短路)的情況時，就算是當支持桿8並未與外部之電源6直接性地連接的情況時，電漿電流亦能夠經由爐床7而朝向外部之電源6放出。

接下來，針對使用有本發明之成膜裝置的成膜方法作說明。在圖3所示之將複數個的蒸鍍材料13層 積於支持桿8之上部處的狀態下，從真空腔2之下方而上推，來以使蒸鍍材料13與爐床7以及支持桿8作了接觸的狀態下而作裝填。若是在爐床7內而結束了蒸鍍材料13之裝填，則係操作外部電源6而使HCD槍3產生電漿，並在確認了電漿之發生後，將電漿朝向真空腔2內部而投入。

之後，從HCD槍3所產生的電漿，係藉由從被配置在爐床7內之環形的永久磁石9所產生之磁場，而被均等地照射至設置於爐床7中之蒸鍍材料13處。其結果，構成蒸鍍材料13之元素係均一地昇華，而能夠對於基板10表面施加均質之成膜。

[實施例1]

針對由成膜裝置1之爐床7以及支持桿8的通電之可否所導致的成膜狀態以及皮膜特性之差異，而進行了成膜試驗。針對其結果，使用圖1以及表1來作說明。在本試驗中所使用之本發明之成膜裝置(以下，稱作本發明裝置)，係如同圖1中所示一般，蒸鍍材料13係被裝填於爐床7內，爐床7與從下方而支撐蒸鍍材料13之支持桿8，係一同透過導線20而與外部電源6作電性連接。相對於此，在本試驗中所使用之本發明外之成膜裝置(以下，稱作比較裝置)，係為在爐床7內裝填有蒸鍍材料13，且爐床7係被與外部電源6作連接，但是支持桿8和外部電源6係並未作連接之成膜裝置。

另外，本發明裝置以及比較裝置，係均為在蒸鍍材料13中使用HAKUSUI TECH股份有限公司製之透明導電膜材料氧化鋅(ZnO)平板(3Ga₂ O₃ wt%含有：20mm×20mmH)，而在爐床7之孔部內以將8個的蒸鍍材料13作了層積的狀態來作了裝填。又，作為成膜條件，係設為成膜時間為90~180秒、身為減壓操作結束時之壓力的基礎壓力為5.0×10^-3 Pa以下、對於真空腔內之氧氣導入量為5~30sccm。

表1，係為對於使用本發明裝置以及比較裝置之各裝置，而在藉由前述之成膜條件來進行了總計11次之成膜試驗之後於蒸鍍材料處發生有異常放電的次數作展示者。於此，所謂異常放電，係指在電漿強度中產生有非均一之分布的現象，特別是在本實施例中，係指在構成成膜裝置之爐床或蒸鍍材料等的一部分處發生局部性之電弧的現象。針對在蒸鍍材料處之異常放電的有無，由於在各成膜試驗後，當將各裝置之電源作了遮斷之後，在蒸鍍材料之上下面(與其他蒸鍍材料之間的接觸面)或者是側面處存在有燒焦之黑色痕跡的情況時，係能夠判斷為在成膜中於該場所處係發生有異常放電，因此係根據此種痕跡之有無而判斷了異常放電之發生的有無。亦即是，當在各成膜試驗後之蒸鍍材料處存在有前述之痕跡的情況時，係計算1次的異常放電次數，於此情況，係將存在有痕跡的蒸鍍材料與新的蒸鍍材料作交換，並進行下一次的成膜試驗。

如表1中所示一般，在使用有使成膜裝置之爐床以及支持桿均能夠與外部之電源通電的本發明裝置所進行之全部11次的成膜試驗中，在蒸鍍材料之側面或上下面係並未發現到燒焦的黑色痕跡。根據此結果，可以判斷，係並未發生任何之在成膜試驗中的異常放電，被照射有電漿之蒸鍍材料係在成膜中而進行了正常之昇華。相對於此，在僅使成膜裝置之爐床與外部之電源作連接(支持桿係並未和外部之電源作連接)的比較裝置中，於蒸鍍材料之側面係發生有2次的燒焦之黑色痕跡，並且在身為與其他蒸鍍材料間之接觸面的上下面處係發生有3次的燒焦之黑色痕跡，最終而言，係在全部11次的成膜試驗中確認到總計5次的異常放電。根據此結果，可以判斷，在使用有比較裝置的本試驗中，係以約一半的比例而於蒸鍍材料處發生有異常放電。

發生異常放電的原因，係在於：由於在比較裝置處，支持桿和外部之電源係並未經由導線等而作連接，因此被照射電漿之蒸鍍材料係使電漿電流通過爐床來 流動至外部(電源)。又，在將蒸鍍材料作了複數個的層積的狀態下，雖然電漿電流也會朝向蒸鍍材料之上下方向(層積方向)而流動，但是，由於支持蒸鍍材料之支持桿係並未被與外部作連接，因此係會有該電子之一部分積蓄在蒸鍍材料內的情況。於此情況，會在蒸鍍材料間產生電位差，最終係會發生異常放電。

根據以上結果，可以得知，藉由在成膜裝置之爐床內部設置磁石，並將爐床和支持桿作電性連接，且將爐床以及支持桿一同與外部之電源作連接，係能夠對於蒸鍍材料而抑制異常放電之發生，並使電漿照射面均一地昇華。

[實施例2]

接著，由於係對於藉由前述之成膜試驗所成膜了的基板之皮膜特性作了調查，因此於此針對該調查結果作說明。作了調查的皮膜特性，係為使用本發明裝置以及比較裝置而成膜了的皮膜之成膜速度(單位：nm/min)以及比電阻(單位：Ω．cm)之各項目。於此，所謂成膜速度(nm/min)，係指在每單位時間中而形成於基板上之薄膜的膜厚。若是此值越大，則由於係能夠以越短的時間而形成一定膜厚之薄膜，因此作為成膜裝置係代表薄膜之生產性為高。又，所謂比電阻(Ω．cm)，係為比電性阻抗的略稱，而為代表電之流動的難度之值。若是比電阻之值越小，則代表該物質係越容易流動電流。針對成膜速度 以及比電阻之調查結果，於以下作說明。

關於成膜速度(成膜速率)，在使用本發明裝置而成膜了的皮膜的情況時，係為80.0~90.0nm/min。相對於此，在使用比較裝置而成膜了的皮膜的情況時，係為68.5~76.0nm/min。根據此些結果，可以得知，相較於比較裝置，本發明裝置係能夠以約1.2倍的速度來進行成膜。

關於比電阻，在使用本發明裝置而成膜了的皮膜的情況時，4.35×10^-4 (Ω．cm)係成為最小值。相對於此，在使用比較裝置而成膜了的皮膜的情況時，4.56×10^-4 (Ω．cm)係成為最小值。根據此些結果，可以得知，相較於比較裝置，本發明裝置係亦能夠成膜電性特性為優良之皮膜。可以推測到，其原因係在於：在比較裝置中，由於在成膜中係於蒸鍍材料處而發生有異常放電，因此身為皮膜之原料的蒸鍍材料之昇華係並未從電漿照射面而均一地進行之故。

[實施例3]

接著，使用在實施例1之成膜試驗中所使用了的本發明裝置以及比較裝置之各裝置，而將成膜時間(180秒)以及對於真空腔內之氧氣導入量(15sccm)統一，並進行了成膜試驗。由於係對於其皮膜特性作了調查，因此係針對其結果，使用表2來作說明。表2，係為對於使用本發明裝置以及比較裝置之各裝置而進行了成膜 試驗後之皮膜的成膜速度以及比電阻的測定結果作展示者。本成膜試驗，係構成為在本發明裝置以及比較裝置之各個處，進行合計3次的試驗(本發明裝置：試料No.A1~A3，比較裝置：試料No.B1~B3)，並在各試驗結束後，將蒸鍍材料作交換而重新進行接下來的試驗。

如同表2中所示一般，使用本發明裝置而成膜了的皮膜之成膜速度，係為85.5~88.3nm/min，涵蓋合計3次之成膜試驗，均能夠得到85.0nm/min以上之成膜速度，其之參差幅度(成膜速度之最大值和最小值之差)，係為2.8nm/min。相對於此，使用比較裝置而成膜了的皮膜之成膜速度，係為51.0~77.7nm/min，涵蓋合計3次之成膜試驗，均為80nm/min以下之成膜速度，其之參差幅度係為26.7nm/min，相較於本發明裝置之參差幅度，係為約10倍之參差幅度。

關於比電阻，使用本發明裝置所成膜了的皮膜，係為4.85~4.86×10^-4 (Ω．cm)之範圍，相對於此， 使用比較裝置所成膜了的皮膜，係為4.79×10^-4 ~1.34×10^-3 (Ω．cm)之範圍。若是以參差寬幅來對於此些之結果作比較，則在使用本發明裝置所成膜之皮膜的情況時，係為0.01×10^-4 (Ω．cm)，相對於此，在使用比較裝置所成膜之皮膜的情況時，係為4.66×10^-4 (Ω．cm)之參差幅度，相較於本發明之參差幅度，係為100倍以上之參差幅度。

根據以上之結果，藉由本發明裝置或本發明之成膜方法所成膜之皮膜，在成膜中由於係於蒸鍍材料處而進行安定之放電，因此係實現蒸鍍材料之均一的昇華，其結果，係能夠進行有效率之成膜並得到在比電阻等之諸特性上為優良之皮膜。

另外，在本實施例中，雖係使用前述之第1形態、亦即是使用令爐床之孔部和支持桿之外周部作物理性接觸的形態之成膜裝置，而進行了成膜試驗，但是，當然的，就算是針對在爐床之孔部和支持桿之外周部之間的一部分處存在有間隙，並藉由導線來使爐床和支持桿短路而使電漿電流流動的形態(前述之第2以及第3形態)之成膜裝置，也能夠得到相同之效果。

又，作為構成本發明之成膜裝置的基板保持構件之方式，係除了圖1中所示之方式以外，亦可使用從真空腔內之上方來將基板作吊下保持之方式、或者是在基板之支持構件處設置滾輪等之搬送手段並在真空腔內而使基板能夠朝向垂直方向或平行方向而移動的方式等。當藉由在真空腔內而使基板能夠朝向垂直方向或平行方向而移 動的方式來將基板作保持的情況時，例如在能夠藉由輥至輥法而於薄片狀之基板面上進行連續成膜之觀點上，係為有效。

1‧‧‧成膜裝置

2‧‧‧真空腔

3‧‧‧HCD(空心陰極)槍

4‧‧‧線圈(第1線圈)

5‧‧‧空芯線圈(第2線圈)

6‧‧‧外部電源

7‧‧‧爐床

8‧‧‧支持桿

9‧‧‧永久磁石

10‧‧‧基板

11‧‧‧基板保持台

12‧‧‧真空幫浦

13‧‧‧蒸鍍材料

20‧‧‧導線

Claims (3)

1. 一種成膜裝置，係具備有真空腔、和具有從前述真空腔之底部而供給蒸鍍材料之支持桿之爐床、和產生電漿使前述蒸鍍材料昇華之槍、以及對於前述槍供給電力之電源，該成膜裝置，其特徵為：在前述爐床之內部，係設置有磁石，前述爐床和前述支持桿係被作電性連接，前述爐床以及前述支持桿係一同被與前述電源作連接。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之成膜裝置，其中，在前述真空腔和前述槍之間，係被配置有第1線圈，在前述真空腔外之底部處，係被配置有第2線圈。
3. 一種成膜方法，係為使用如申請專利範圍第1項或第2項所記載之成膜裝置之成膜方法，其特徵為，係具備有：將前述蒸鍍材料裝填於前述爐床內之步驟；和在使前述爐床以及前述支持桿與前述蒸鍍材料作了接觸的狀態下，將從前述槍所產生之電漿照射至前述蒸鍍材料並進行成膜之步驟。