CN102265375A

CN102265375A - 射频溅射配置

Info

Publication number: CN102265375A
Application number: CN2009801525108A
Authority: CN
Inventors: 乔更·威查特; 亨氏·费尔
Original assignee: OC Oerlikon Balzers AG
Current assignee: Aifa Advanced Technology Co ltd; Evatec AG
Priority date: 2008-12-23
Filing date: 2009-12-21
Publication date: 2011-11-30
Anticipated expiration: 2029-12-21
Also published as: JP2012513537A; JP5648190B2; KR20110106857A; US8268142B2; EP2382648A1; WO2010073207A1; CN102265375B; EP2382648B1; TWI414620B; TW201030166A; KR101641398B1; US20100155238A1

Abstract

本发明提供一种射频溅射装置，此装置包括真空腔室、第一电极、对应电极及射频产生器。第一电极具有第一表面，其配置于真空腔室内，对应电极具有表面，其配置于真空腔室内，射频产生器是用以施加RF电场，其穿过第一电极与对应电极，以开始产生等离子于第一电极与对应电极之间。其中，对应电极包括至少二凹部，其互通于真空腔室，每一凹部的尺寸是允许等离子形成于凹部中。本发明可减少对应电极的溅射可能性。

Description

射频溅射配置

技术领域

本发明涉及一种溅射配置，特别是涉及一种利用高频(High Frequency，HF)来进行溅射，例如射频(Radio Frequency，RF)。

背景技术

溅射设备可包括有排空腔室(evacuatable chamber)，通常为真空腔室或等离子腔室，其包括至少二电极，等离子可形成于此些电极之间。此些电极中至少一者是提供溅射的材料，而另一电极是提供为对应电极(counterelectrode)。在RF溅射中，高频电压是施加于二电极之间，而持续地交替极性。

可注意的是，具有较小电极面积的电极会显示择优溅射效应(preferentialsputtering effect)。因此，一般较小的电极是作为包括有溅射材料的电极，而较大的电极是作为此对应电极，此对应电极通常是接地。

但此择优溅射效应并不完全限定于此较小电极面积，较大电极被溅射影响的程度是决定于电极电位与较大电极电位之间的差异，若此差异超过溅射门坎，此较大电极亦会被溅射。若此较大电极包括有一或更多不欲被溅射沈积至基材的成份，则不希望此较大电极亦会被溅射。

为了避免来自较大电极的溅射影响，RF溅射配置的外围(例如真空腔室)可作为较大的对应电极。较小电极面积与较大对应电极面积之间的比例可为1∶10或更高，以减少来自较大电极的溅射。

然而，此设计规则1∶10具有限制，在特定应用中，例如，直径30cm的芯片(wafer)通常需40cm的靶材。若根据此1∶10的规则，对应电极的面积会大于1m2，而难以配置于真空溅射腔室。

德国专利第GB2191787号揭露一配置，其磁场是施加于对应电极，以确保对应电极的效果，并减少对应电极的溅射情形。利用施加磁场于对应电极，对应电极面积与靶材电极之间的比例可被减少。因此，对应电极可使用较小面积，同时仍可避免来自对应电极的不预期溅射情形。

然而，此方法需额外的磁铁，因而复杂化设计与溅射设备的制造，因此，需提供另一种RF溅射配置，其亦可减少对应电极的溅射可能性。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种溅射装置，特别是射频(RF)溅射配置，其包括真空腔室、至少一第一电极、对应电极及射频产生器。真空腔室是由至少一侧壁、底部和遮盖单元所定义，第一电极具有第一表面，其配置于真空腔室内，对应电极具有一表面，其配置于真空腔室内，射频产生器是用以施加RF电场，其穿过第一电极与对应电极，以开始产生等离子于第一电极与对应电极之间。其中，对应电极包括至少二凹部，其互通于真空腔室，每一凹部的尺寸是允许等离子形成于凹部中。

相较于未具有凹部的对应电极，对应电极的凹部可增加电极的表面面积。因此，可有效地增加对应电极的表面面积，其接触于等离子，凹部是具有预设尺寸，因而等离子可形成于每一凹部中。因此，可减少来自对应电极的材料被溅射于基材上的可能性，此基材是用以溅射沈积来自靶材的材料。

在一实施例中，此对应电极包括真空腔室的侧壁及/或底部及/或遮盖单元的至少一部分，以及一或更多的突出导电部。

换言之，此对应电极包括一或更多的突出导电部、以及定义真空腔室的底部、遮盖单元及侧壁的至少一部分。此突出导电部以及定义真空腔室的底部、遮盖单元及侧壁的至少一部分可被形成来定义一或更多个凹部，其互通于真空腔室，每一凹部的尺寸是可允许等离子形成于凹部中。

在另一实施例中，此对应电极是一分离单元，其配置于真空腔室中。此对应电极包括一侧壁框及至少三个突出导电部，以定义二或更多的凹部，以定义二或更多的凹部。相较于对应电极的侧面尺寸，侧壁框和突出导电部所定义的二或更多的凹部可提供对应电极一皱折形状，以具有较大的表面面积。

在一实施例中，对应电极是配置于真空腔室的外围区域。若突出导电部是配置于靶材和基材之间，如此可避免阻碍到由靶材沈积材料到基材的路径。在另一实施例中，对应电极是配置于第一电极与基材之间的视角线之外。

在一实施例中，突出导电部是由侧壁框来突出，且实质垂直于侧壁框。突出导电部可一体成型于侧壁框，或者分离地结合或固定于侧壁框上。

在一实施例中，凹部的数量为突出导电部的数量减一，例如，若提供三个突出导电部，且彼此间隔地堆栈配置，则可形成二个凹部。在此例中，第一凹部是形成于下导电部和中导电部之间，第二凹部是形成于中导电部和上导电部之间。

在另一实施例中，突出导电部是实质地平行于侧壁框，而非垂直于侧壁框。

在一些实施例中，溅射装置所包括的对应电极包括有一或多个实质地平行于侧壁框的突出导电部，以及一或多个实质地垂直于侧壁框的突出导电部。

在一些实施例中，突出导电部是实质地平行于侧壁框，其中突出导电部可由底框来伸出，突出导电部可一体成型于底框，或者分离地结合或固定于底框上。

每一突出导电部包括一环，若突出导电部的环是上下堆栈配置，则彼此相互之间具有一距离，环形凹部是形成于相邻二环之间。

每一对应电极的突出导电部可由侧壁框来伸出，则侧壁框是封闭此形成于相邻二突出导电部之间的环形凹部的一侧。每一凹部具有一开放侧，其互通于等离子腔体，藉以使等离子腔体内的等离子可进入并形成于每一凹部。

在上述实施例中，对应电极具有堆栈配置的凹部或切线方向上的凹部。在另一实施例中，对应电极具有配置于单一层的凹部。

在一实施例中，若干个突出导电部是由对应电极的侧壁框来径向地伸出，凹部是定义于每二相邻的径向延伸导电部之间。

若侧壁框在上视的平面中是呈圆形，则凹部的前端会变得狭窄。径向延伸的导电部亦可称为肋，且亦可朝真空腔室的中央延伸，导电部并不会超出在靶材边缘与基材或基材固定器边缘之间的视角线。

对应电极的突出导电部是由对应电极的遮盖框来延伸至底框，在此实施例中，底框和遮盖框是位于导电部的相对两侧，并封闭凹部的相对两侧，凹部的侧向长度是邻近的导电部所定义。对应电极的凹部具有实质的梯形形状。

对应电极可具有特定的形状，藉以具有表面面积Ac，若第一电极具有表面面积At，则表面面积Ac大于等于表面面积At。在另一实施例中，Ac∶At的比例至少为10∶1，以避免来自对应电极的溅射。

第一电极包括靶材，其具有欲被溅射的材料。此RF溅射配置可包括二或更多的靶材，每一靶材可包括不同的成份，并可个别地被溅射。通过施加RF电场来穿过预设靶材与对应电极，RF溅射装置可形成等离子于预设靶材与对应电极之间，并由预设靶材来溅射材料至基材上。

此RF溅射装置亦可包括至少一通道，用以抽出气体于真空腔室之外及/或供应气体于真空腔室内。通道可形成于各种位置，在一实施例中，一或多个通道是配置于第一电极与遮盖单元之间及/或于基材与底部之间及/或于侧壁上。

除了RF溅射，此溅射装置亦可用于磁控溅射，且亦可用于RF磁控溅射。

为了进行磁控溅射，此装置具有至少一磁铁，其邻于第一电极的第二表面，第二表面是相对于第一电极的第一表面，第一电极可形成于真空腔室的一部分。此磁铁一般是配置于靶材的后方，并邻近于靶材的一侧，而避开靶材的溅射表面。

此一或多个磁铁可为固定不动，或者可为可转动的。

磁铁的强度和位置可被预先设计，藉以使对应电极所受到的磁场是相对较低的，而不会由对应电极或部分的对应电极来形成溅射。

根据上述实施例中之一的对应电极亦可描述为具有皱折状，其包括若干个凸部或肋来插入于凹部或凹陷处之间。凹部或凹陷亦可通过侧壁框和肋的配置来形成，在另一实施例中，亦可通过底框-侧壁框-肋以及遮盖框-侧壁框-肋的配置来形成。

对应电极的皱折状可增加对应电极的表面面积，由于等离子可形成和存在于凹部的凹陷处，因而防止来自对应电极的材料的溅射。因此，可增加等离子和对应电极之间的电荷交换。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1显示具有对应电极的RF溅射配置的示意图，对应电极包括切向的凹部；

图2显示图1中的对应电极的详细示意图；

图3显示根据本发明的第二实施例的在RF溅射配置中的磁铁配置的示意图；

图4显示根据本发明的第三实施例的对应电极的剖面示意图；

图5显示图4的对应电极的剖面示意图；

图6显示显示根据本发明的第四实施例的RF溅射配置的示意图，RF溅射配置包括隔间，其位于基材平面之下；以及

图7其显示根据本发明的第五实施例的RF溅射配置的示意图。

具体实施方式

请参照图1，其显示根据本发明的第一实施例的RF溅射配置1的概略示意图。此RF溅射配置1包括真空腔室2，真空腔室2具有基材固定器5和具有被溅射的材料的靶材7。在本实施例中，此真空腔室2的平面视图是呈实质圆形，然而此RF溅射装置并不限于圆形。

靶材7与基材固定器5是实质地相互平行配置，并相隔有一距离，等离子是形成于靶材7与基材固定器5之间的区域。

靶材7包括一第一电极8，其可为阴极。对应电极9包括侧壁框3、底框4、遮盖框6及突出导电部10，导电部10是位于底框4与遮盖框6之间。侧壁框3、底框4、遮盖框6及突出的导电部10是相互机械性地连接，并电性接地，因而可整体形成此对应电极9。若靶材7为阴极，则对应电极9为阳极，反之亦然。RF电场是施加穿过第一电极8和对应电极9。

此RF溅射配置1更包括RF产生器11，以产生RF等离子于第一电极8和对应电极9之间，且选择性地，RF溅射配置1更包括磁场产生单元，用以产生磁场，其邻接于靶材7，而面对于基材固定器5。设有用于靶材7的磁场产生单元的一实施例是显示于图3中。

一未绘示的外罩可用于固定基材12，其例如为半导体晶圆，在操作RF溅射配置1的期间中，靶材7的材料可沈积于基材固定器5上的基材12上。此外罩可具有相同于基材12的电位或一浮动电位。

此突出的导电部10是用以增加对应电极9的主动面积。在此实施例中，此突出导电部10包括金属制的类孔径组件，例如为金属环，其一体成型且电性连接于此侧壁框3。

此对应电极9可描述为具有皱折形状，而形成二或更多的凹部13，其是由皱折形状的突出部分(亦可称为肋)所定义。

此对应电极9的详细图式是显示于图2，对应电极9包括外围框部14，其是由侧壁框3所提供，此三个肋15、16、17是实质地相互间隔地平行配置，且平坦地垂直于侧壁框3。每一肋15、16、17包括圆环的形状，并具有一共同中心轴。此圆环的宽度是可变的，上肋15可提供对应电极9的遮盖框6，而下肋16可提供对应电极9的底框4。

在图1和图2所示的实施例中，此上环15和中环16可分别作为上肋15和中肋16，且具有约略相同的宽度。此下环17具有较大的宽度，且相较于上肋15和中肋16，下环17更朝真空腔室2的中央来延伸，此下环17可延伸至基材的最外侧表面。

此些肋15、16、17和框14的对应部分可提供空间边界，来定义二个圆环形凹部18、19。上肋15的下表面、中肋16的上表面，以及延伸于上肋15的下表面与中肋16的上表面之间的框14是定义成对应电极9的第一环形凹部18。中肋16的下表面、下肋17的上表面、以及延伸于中肋16的下表面与下肋17的上表面之间的框14是定义成对应电极9的第二环形凹部19。

凹部19的“宽度”是由中肋16的下表面与下肋17的上表面之间的距离所决定，凹部19的“深度”是由相对较小的圆环(在此例中为中肋16)的宽度所决定。凹部19的“底部”是由部分间框14所形成，并由侧壁框3所提供。此凹部19的一侧为开口端，其相对于侧壁框3，并互通于真空腔室2。

此些凹部18、19是具有特定尺寸，藉以使等离子可形成于凹部18、19中。实现此目的的尺寸是决定于由靶材7沈积材料至基材时的所使用的溅射条件范围。

在一实施例中，此靶材7可具有300mm的直径，而基材具有200mm的直径，靶材-基材之间的距离可约为50mm，以实现良好均匀性和适当的靶材利用性，此距离会限制了加入于整体对应电极9所配置的高度中的肋数量。若此对应电极9是设计为工作于0.1Pa的低压中，则凹部的宽度应约为15mm，以产生等离子。

在图1所示的实施例中，此基材的直径为200mm，而对应的靶材7的直径为300mm。靶材7与基材12之间的距离是选择约为50mm，藉以设置此三个肋15、16、17于对应电极9的配置中。对应电极9配置的外、全直径为370mm，此些凹部的宽度是在20-35mm及50-85mm。凹部18、19的高度是由两相邻的肋表面之间的距离来定义，并为15-20mm之间。定义凹部18、19的深度的肋宽度亦可被选择，因而对应电极9不会阻碍到靶材7边缘与基材12边缘之间的视角线20

由此RF溅射配置1所提供的沈积环境包括一体成型的皱折形对应电极9，其亦具有保护真空腔室免于镀上溅射材料的功用。一体成型的电极具有良好定义电位(通常是接地)的优点，且由于可以单一组件的方式来被拆卸、移除及清净，因而亦容易进行维护。

供应气体可由适当的气体歧管来提供，气体交换可经由靠近于靶材的缝隙36及/或经由靠近于基材的缝隙37及/或额外制造于导电体38的孔洞来进行。

在一些实施例中，此RF溅射配置是一RF磁控溅射配置，并具有额外的磁场产生单元，此磁场产生单元是配置邻近于靶材7，并位于产生等离子的真空腔室2之外。磁场产生单元是邻近于靶材7的第二表面，其相对于第一表面，第一表面可用以定义真空腔室，并面对于基材固定器5。

请参照图3，其显示根据本发明的第二实施例的RF溅射配置1’的概略示意图。RF溅射配置1’包括转动磁铁21，其设置于靶材7的后方，并位于邻近靶材7的一侧。此RF溅射配置1’通常相同于图1和图2所示的实施例中的RF溅射配置，但其肋和凹部的数量是不相同。在此实施例中，对应电极包括四个肋，以定义三个凹部。

具有磁铁配置的此RF溅射配置1’的沈积率，通常是十倍高于未设有磁铁配置且对应电极面积亦可被减少的溅射情形，其描述于德国专利第GB2191787号(在此是作为参考)中。

此磁铁系统21可被进行选择，以避免来自对应电极9的溅射情形。具有较宽的双极以及高强度的磁铁可能容易造成来自对应电极9的溅射情形，特别是容易形成于对应电极9靠近磁铁21的部分。

请再参照图3，其亦显示此影响的概略示意图。图3的右侧显示一对照的具有强性磁铁的宽距离磁铁组22，以线23所显示的磁场是穿过对应电极9的肋24的前端，因而其可能被溅射。

图3的左侧显示一转动磁铁21，其相较于对照磁铁22具有较小的双极和较小的强度，因而以线23’所显示的磁场并不会穿过对应电极9的肋24的前端。因此，可避免来肋24的材料的溅射。如图3所示，通过放置较少的永久块状磁铁于配置中，可调整磁铁的强度。

选择适合的磁铁构成，藉以利用皱折状的电极9来实现成功的溅射，此电极9具有一或更多的肋于遮盖单元6与底部4之间。在一实施例中，具有磁场强度约150 Oe于靶材7上的窄偶极磁铁(dipole magnet)21可被使用，以提供良好的效果，藉以使皱折状电极9，特别是肋的边缘，不会被进行溅射，亦不会被沈积层所溅射。反之，具有磁场强度约300 Oe的对照磁铁22会造成肋边缘24的溅射。

在此实施例中，如图3所示，此对应电极9具有四个肋15、16、17、24，其分别大致垂直地突出于侧壁框3，且具有通常的环形，而相互间隔地平行配置。此些肋15、16、17、24是实质地平行于靶材7和基材固定器5。

此对应电极9可具有其它凹部形状，而非第一实施例中的环形凹部。此外，此对应电极9亦可具有放射状凹部，以取代图1、2及3中所示的具有切线方向(tangential)凹部的对应电极9。

请参照图4，其显示根据本发明的第三实施例的RF溅射配置(未绘示)的具有实质环形对应电极9’的中心平面的剖面示意图。此对应电极9’包括放射状凹部25，其通过多个肋26来定义。肋26是由圆形侧壁框3的内侧面来径向垂直地朝真空腔室2的中央伸出。图5显示图4中的对应电极9’的一详细的侧剂面图。

依照图4，基材固定器5和靶材7是配置平行于图4中的突出平面，亦即分别位于图4中的对应电极9’的上下平面。肋26是沿着一方向来伸出，此方向是平行于基材固定器5和靶材7的主要表面。

此些肋26是由外围圆形框部27来放射状地朝内伸出，每二相邻的肋26前端之间的距离是具有相同于上述的尺寸条件，藉以使等离子可形成于腔25中，以允许在对应电极9’的由凹部25所提供的延伸表面区域中进行电荷交换。此等离子形成条件亦决定于其它条件，如等离子功率、一个或多个磁场、等离子腔室内的压力(若有提供)。

此外围框部27亦构成一框，并形成凹部25的底部28。底框4和遮盖框6是形成凹部25的底部和遮盖单元，肋26的高度可提供凹部25的侧壁。

相邻的肋26具有不同的长度，而下一肋则具有相同的长度。因此，此配置可视为具有二种型式的肋，其中一种型式的肋可较长于另一种型式的肋。此二种型式的肋是相互交错地配置，亦即为长肋、短肋、长肋、短肋的配置。

如图5的剖面图所示，在基材固定器5和靶材7的平面中，放射状凹部25是由部分的底框4和遮盖框6来包围。在图4所示的实施例中，图5是显示穿过肋26的剖面图。图4和5所示的RF溅射配置的其它特征是相同于图1、2及3所示的实施例的特征，在此实施例中，不同的是对应电极的形状。

图5所示的对应电极9’包括外围框部27、遮盖框6及底框4，放射状肋26的其中一者是表示为区域I。在图4所示的配置中，底框4与遮盖框6包围所有的肋26，以形成凹部25，其一侧为开放状态，特别是在相对于框27的一侧，而互通于真空腔室2，底框4与遮盖框6是垂直于肋26。如图6所示，在另一实施例中，此放射状肋26的形状可具有区域I和II。换言之，肋的倾斜边缘线会在靶材7边缘与基材12或基材固定器5边缘之间的视角线20之内，且不会超出视角线20。

请参照图6，其显示根据本发明的第四实施例的RF溅射配置1”的概略示意图。根据第四实施例的RF溅射配置1”包括对应电极9”，对应电极9”包括第一种型式的肋28，其分别具有实质环形，且实质地相互间隔地平行配置。肋28是实质地平行于基材固定器5和靶材7，且垂直地由侧壁框3伸出。此些肋28具有图1至3所示的实施例的配置。

此RF溅射配置1”亦包括第二种型式的肋29，其平行于侧壁框3，而定义出隔间30、31，其邻近于基材固定器5，且位于比基材固定器5更下方的位置。

在此实施例中，侧壁框3和第二种型式的肋29是呈圆形，每一肋29具有环形状，并实质地垂直于肋28。隔间30、31是用于扩展等离子，此第二种型式肋29的配置可用于进一步增加对应电极9”的表面面积，由于第二种型式的肋29是邻近于基材固定器5和基材12的下方，因而可不增加基材12和靶材7之间的距离来增加平行基材的肋28的数量。

侧壁框3的一部分可形成为第二种型式的肋29，在平面中此些隔间30、31是实质地呈圆形，且隔间30、31是垂直于由第一种型式肋28所形成的环形凹部13。此些隔间30、31可提供二个环形凹部于侧壁框3和基材固定器5之间，隔间31可定义基材固定器5的大小。基材固定器5是呈圆形并由单一平面所定义，而无凹陷处。第一种型式肋28和第二种型式肋29是一体成型且电性连接于侧壁框3，藉以提供单一的对应电极9”。

隔间30、31和凹部13具有特定的尺寸，以形成等离子于隔间30、31和凹部13中。

图4至6所示的实施例亦可具磁铁配置，其强度不同于图3所示。此些磁铁可为转动的并邻近于靶材7的第二表面。

总之，此RF溅射配置包括一皱折状对应电极，其是由肋及/或盲孔所实现，盲孔为一侧封闭的孔，而另一侧是开放于等离子腔体。皱折状的尺寸是预先选择，藉以使等离子形成于凹部中，因而允许在对应电极的由肋和凹部的皱折状所提供的延伸表面区域中进行电荷交换。此等离子形成于凹部的条件决定于其几何尺寸、入口缝隙及预期等离子过程中的压力。

一体成型的皱折状电极可方便于维持和清理。用于RF磁控溅射需具有适当的设计，其关于遮蔽以及较佳一较小的磁场强度，一般为150 Oe或更小，以避免对应电极的溅射。

图1至5所示的实施例的对应电极9和对应电极9”的结合可被使用，并可提供对应电极9’”，其具有切向和径向凹部的结合。包括有对应电极9’”的RF溅射装置1’”是显示于图7中。

此对应电极9’”具有三明治型结构，其中径向延伸肋34的二个层32、33是插入于环形肋34，以形成二层的凹部35。

因此，可形成矩形盲孔凹部35，其由等离子环境向外伸出。此些盲孔凹部35可最有效率地形成进行等离子的电荷交换的面积。在此例中，对应电极9’”可由二个或更多单元来组成，藉以制造复杂的凹部。

根据上述实施例中之一的对应电极9的侧壁框3、遮盖框6及底框4具有预设尺寸，以形成定义真空腔室的侧壁、底部及遮盖单元，等离子可形成于真空腔室中，以进行溅射。若对应电极接地，此对应电极9亦可电性连接于定义真空腔室的侧壁、底部及/或遮盖单元。

此对应电极可包金属或合金板，其可利用压模(stamping)、裁切或弯折等方式来形成预设形状。多个金属或合金板可利用例如焊接来结合成一体，以形成对应电极的预设形状。

Claims

1.一种溅射装置，其特征在于：所述装置包括：

真空腔室，是由侧壁、底部和遮盖单元所定义；

第一电极，具有第一表面，其配置于所述真空腔室内；

对应电极，具有一表面，其配置于所述真空腔室内；以及

射频产生器，用以施加射频电场，其穿过所述第一电极与所述对应电极，以开始产生等离子于所述第一电极与所述对应电极之间；

其中，所述对应电极包括至少二凹部，其互通于所述真空腔室，每一所述凹部的尺寸是允许等离子形成于所述凹部中。

2.如权利要求1所述的溅射装置，其特征在于：所述对应电极包括所述真空腔室的所述侧壁及/或所述底部及/或所述遮盖单元的至少一部分，以及一或更多突出导电部。

3.如权利要求1所述的溅射装置，其特征在于：所述对应电极包括侧壁框及至少三个突出导电部，以定义二或更多的凹部。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述对应电极是配置于所述真空腔室的周围区域。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述对应电极是配置于所述第一电极一与一基材之间的视角线之外。

6.如权利要求3至5中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述突出导电部是由所述侧壁框来突出。

7.如权利要求1至6中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述凹部的数量为若干个突出导电部的数量减一。

8.如权利要求1至7中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述突出导电部是相互间隔一距离地平行配置。

9.如权利要求1至7中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：至少一所述突出导电部是平行于所述侧壁框。

10.如权利要求9所述的溅射装置，其特征在于：所述突出导电部是由所述对应电极的底框来突出。

11.如权利要求2至10中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：每一所述突出导电部包括一环。

12.如权利要求11所述的溅射装置，其特征在于：所述凹部是呈环状。

13.如权利要求1至6中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述对应电极包括若干个突出导电部，其由侧壁框来径向地伸出。

14.如权利要求13所述的溅射装置，其特征在于：所述突出导电部是由所述对应电极的遮盖框来延伸至底框。

15.如权利要求13或14所述的溅射装置，其特征在于：所述凹部具有实质的梯形形状。

16.如权利要求1至15中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述对应电极具有表面面积(Ac)，所述第一电极具有表面面积(At)，其中所述表面面积(Ac)大于等于所述表面面积(At)。

17.如权利要求1至16中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述第一电极包括靶材，其具有欲被溅射的材料。

18.如权利要求1至17中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：通道是用以抽出气体于所述真空腔室之外及/或供应气体于所述真空腔室内，所述通道是配置于所述第一电极与所述遮盖单元之间及/或于所述基材与所述底部之间及/或于所述侧壁上。

19.如权利要求1至18中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述溅射装置还包括磁铁，其邻近于所述第一电极的第二表面，所述第二表面是相对于所述第一电极的所述第一表面。

20.如权利要求19所述的溅射装置，其特征在于：所述磁铁是可转动的。