CN110714186A - 一种阴极体组件、磁控溅射阴极及磁控溅射装置 - Google Patents

一种阴极体组件、磁控溅射阴极及磁控溅射装置 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供了一种阴极体组件、磁控溅射阴极及磁控溅射装置，涉及磁控溅射领域，可提高靶材表面的水平磁场强度。该阴极体组件包括：阴极板，还包括：设置在阴极板一侧板面上的磁路组件，磁路组件包括：中间磁体组件和环绕中间磁体组件的外圈磁体组件；其中，中间磁体组件和外圈磁体组件背离阴极板一侧的磁极极性相反；中间磁体组件包括至少1组中间磁体组；外圈磁体组件包含至少1组外圈磁体组；且中间磁体组的组数与外圈磁体组的组数之和大于2。用于阴极体组件及包括该阴极体组件的磁控溅射阴极、磁控溅射装置的制备。

Description

一种阴极体组件、磁控溅射阴极及磁控溅射装置
技术领域
本申请涉及磁控溅射领域，尤其涉及一种阴极体组件、磁控溅射阴极及磁控溅射装置。
背景技术
磁控溅射技术是目前最重要的几种真空镀膜物理气相沉积(Physical VaporDeposition，简称PVD)技术之一。
现有技术中，平面磁控溅射阴极通常包括有阴极体组件和靶材等结构。其中，阴极体组件进一步包括有电引入结构和磁路组件等结构，平面磁控溅射阴极的电场由电引入结构引入，电场与磁路组件形成的磁场产生电磁场。磁场中平行于靶材表面的水平磁场能够将用于溅射的带电离子(例如为氩离子)的运动轨迹限制到靶材表面，通过电磁场的交互作用使带电离子撞击靶材，以使靶材表面原子被溅射出来射向衬底从而实现薄膜的沉积。
然而，现有的磁路组件产生的磁路存在水平磁场强度偏低的问题，难以达到需要较高的水平磁场强度才能实现溅射的靶材的溅射要求。
发明内容
为克服上述现有技术中的缺陷，本申请的实施例提供了一种阴极体组件、磁控溅射阴极及磁控溅射装置，可增强靶材表面的水平磁场强度。
为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
一方面、本申请实施例提供了一种阴极体组件，包括：阴极板，所述阴极体组件还包括：设置在所述阴极板一侧板面上的磁路组件，所述磁路组件包括：中间磁体组件和环绕所述中间磁体组件的外圈磁体组件；其中，所述中间磁体组件和所述外圈磁体组件背离所述阴极板一侧的磁极极性相反；所述中间磁体组件包括至少1组中间磁体组；所述外圈磁体组件包含至少1组外圈磁体组；且所述中间磁体组的组数与所述外圈磁体组的组数之和大于2。
可选的，所述中间磁体组件包括至少2组所述中间磁体组；其中排布于最内侧的1组所述中间磁体组为第一中间磁体组；除所述第一中间磁体组之外，其余所述中间磁体组均呈环状，且由内向外依次环绕所述第一中间磁体组。
可选的，所述第一中间磁体组为一个整块磁体；或者，所述第一中间磁体组包括多个间隔设置的磁体块。
可选的，除所述第一中间磁体组之外，所述中间磁体组件中其余的每组所述中间磁体组均为一个整块磁体；或者，除所述第一中间磁体组之外，所述中间磁体组件中其余的每组所述中间磁体组均包括间隔设置的多个磁体块。
可选的，每组所述外圈磁体组均为一个整块磁体；或者，每组所述外圈磁体组均包括间隔设置的多个磁体块。
可选的，所述中间磁体组为磁铁或电磁线圈，和/或，所述外圈磁体组为磁铁或电磁线圈。构成所述磁铁的材料为钕铁硼。
另一方面、本申请实施例还提供了一种磁控溅射阴极，包括上述所述的阴极体组件。所述磁控溅射阴极还包括：设置于所述磁路组件远离所述阴极板的一侧的靶材；设置在所述阴极体组件外部的外框组件；设置于所述阴极板远离所述磁路组件的一侧的、且与所述阴极板相接触的电引入结构；支撑所述阴极体组件、所述外框组件的盖板组件；其中，所述电引入结构穿过所述盖板组件与所述阴极板相接触。
可选的，所述中间磁体组件包括至少2组所述中间磁体组，其中排布于最内侧的1组所述中间磁体组为第一中间磁体组；所述第一中间磁体组对应于所述靶材的中心。
可选的，所述外圈磁体组件中的最外侧的一组所述外圈磁体组对应于与所述靶材的边缘。
再一方面、本申请实施例还提供了一种磁控溅射装置，包括上述所述磁控溅射阴极。
基于此，在本申请实施例提供的上述阴极体组件中，由于中间磁体组件和外圈磁体组件背离阴极板一侧的磁极相反，中间磁体组件包括至少1组中间磁体组，外圈磁体组件包括至少1组外圈磁体组，且中间磁体组的组数与外圈磁体组的组数之和大于2，即中间磁体组件和外圈磁体组件这两者中至少有一者是包括有多组磁体组。这就使得每组中间磁体组和每组外圈磁体组之间均会产生方向相同的磁力线，且形成磁力线的组数大于2组，多组磁力线之间能够产生相互叠加。这样一来，相比于前述的现有技术中的存在磁力线相互抵消的设置方式，采用本申请实施例提供的上述设置方式，可利用多组方向相同的磁力线之间产生的相互叠加来有效增强靶材表面的水平磁场强度，从而可满足需要较高的水平磁场强度才能实现溅射的靶材的溅射要求。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的阴极体组件的结构示意图；
图2为图1中的磁路组件在靶材表面形成磁场的磁力线示意图；
图3为本申请实施例提供的一种阴极体组件结构示意图；
图4为图3中的磁路组件的排布俯视结构示意图；
图5为图3中的磁路组件在靶材表面形成磁场的磁力线示意图；
图6为本申请实施例提供的一种阴极体组件与现有技术中的阴极体组件在靶材表面形成的水平磁场强度对比示意图；
图7为本申请实施例提供的一种阴极体组件中磁路组件的排布俯视示意图一；
图8为本申请实施例提供的一种阴极体组件中磁路组件的排布俯视示意图二；
图9为本申请实施例提供的一种阴极体组件中磁路组件的排布俯视示意图三；
图10为本申请实施例提供的一种磁控溅射阴极结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本申请保护的范围。
为更好地理解本申请实施例，下面先对现有技术做具体说明。
如图1所示，现有技术中的阴极体组件01'包括磁路组件10'和阴极板20'。磁路组件10'上方设置有用于溅射的靶材04'。其中，磁路组件10'设置于阴极板20'一侧板面上。
磁路组件10'示例的可以由4组磁体组组成，由外向内依次为环状的第一磁体组101、环状的第二磁体组102、环状的第三磁体组103以及中心的第四磁体组104。在上述的磁路组件10'中，相邻两磁体组的设置方式为背离阴极板20'一侧的磁极方向相反。即参考图1所示的，第一磁体组101、第二磁体组102、第三磁体组103以及第四磁体组104背离阴极板20'一侧的磁极方向分别为S极、N极、S极以及N极。
这样一来，由于磁力线是由N极发出再回到S极，现有技术中具有上述排列方式的各磁体组之间会产生如图2中虚线箭头所示的不同方向的磁力线。即，第二磁体组102和第三磁体组103之间形成的磁力线b3'的方向与第一磁体组101和第四磁体组104之间、第三磁体组103和第四磁体组104之间以及第一磁体组101和第二磁体组102之间这三组形成的磁力线b1'、b2'、b4'的方向相反。方向相反的磁力线之间会产生相互抵消，从而削弱了靶材04表面的水平方向的磁场强度。
如图3所示，本申请实施例提供了一种阴极体组件01，该阴极体组件01包括：阴极板20，阴极体组件01还包括：设置在阴极板20一侧板面上的磁路组件10，磁路组件10包括：中间磁体组件11和环绕中间磁体组件11的外圈磁体组件12；其中，中间磁体组件11和外圈磁体组件12背离阴极板20一侧的磁极极性相反；中间磁体组件11包括至少1组中间磁体组；外圈磁体组件12包括至少1组外圈磁体组；且中间磁体组的组数与外圈磁体组的组数之和大于2。
例如，中间磁体组件11可包括：中间磁体组111和中间磁体组112；外圈磁体组件12可包括：外圈磁体组121和外圈磁体组122。
需要说明的是，第一、上述阴极板20可以对磁路组件10起到导磁和支撑的作用。即通过与磁路组件10中的各组磁体组相接触，将磁路组件10中的上述各磁体组朝向阴极板20一侧发出的磁力线导走，以避免朝向阴极板20一侧发出的磁力线对上述各磁体组远离阴极板20一侧发出的用于溅射靶材的磁力线产生干扰。
第二、上述图3中的阴极体组件01的磁路组件10的示意图是沿图4中所示的排布方式的A-A方向的侧剖视图。
如图4所示：中间磁体组件11包括2组中间磁体组111和中间磁体组112，中间磁体组111为第一中间磁体组，中间磁体组111示例的可以为一个整块圆形磁体，中间磁体组112示例的可以为一个整块圆环状磁体，且环绕中间磁体组111。外圈磁体组件12包括2组外圈磁体组121和外圈磁体组122，外圈磁体组121和外圈磁体组122示例的可以均为一个整块圆环状磁体，且由内向外依次环绕中间磁体组件11。
这里，上述图3中仅以中间磁体组件11具体包括2组中间磁体组：中间磁体组111和中间磁体组112、且外圈磁体组件12具体包括2组外圈磁体组：外圈磁体组121和外圈磁体组122为例进行示例，中间磁体组件11与外圈磁体组件12示例的还可以采用如下排布方式：
例如，中间磁体组件11仅包括1组中间磁体组(例如为中间磁体组111)、外圈磁体组件12包括2组外圈磁体组：外圈磁体组121和外圈磁体组122；或者，中间磁体组件11包括2组中间磁体组：中间磁体组111和中间磁体组112、外圈磁体组件12仅包括1组外圈磁体组(例如为外圈磁体组121)。本申请实施例对上述各磁体组的具体组数不作限定，只要使得中间磁体组11的组数与外圈磁体组12的组数之和大于2即可。
可以理解的是，当外圈磁体组件12包括多组时，为了使得外圈磁体组件12具有环绕中间磁体组件11的设置方式，外圈磁体组件12包括的多组外圈磁体组(例如图3中所示的外圈磁体组121和外圈磁体组122)相应的是由内向外依次环绕的，即外圈磁体组121环绕中间磁体组件11、相对的位于更外侧的外圈磁体组122环绕外圈磁体组121。
第三、上述图3中仅以中间磁体组件11背离阴极板20一侧的磁极为N极、外圈磁体组件12背离阴极板20一侧的磁极为S极的设置方式为例进行示意，本申请实施例不限于此，也可以是中间磁体组件11背离阴极板20一侧的磁极为S极、外圈磁体组件12背离阴极板20一侧的磁极为N极。只要满足中间磁体组件11和外圈磁体组件12背离阴极板20一侧的磁极极性相反的设置要求即可。
第四、当采用上述阴极体组件01进行磁控溅射时，靶材04通常是设置在磁路组件10远离阴极板20一侧，即设置在磁路组件10上方。磁路组件10中的各组磁体组之间会产生如图5中虚线b1、b2、b3、b4箭头所指的各磁力线，磁力线由N极发出回到S极，因此在磁路组件10朝向靶材04一侧，会产生4组磁力，磁力线的方向由中间磁体组111和中间磁体组121的N极指向外圈磁体组121和外圈磁体组122的S极。
由于各磁力线的方向均相同、且多组磁力线之间相互叠加，从而可有效增强靶材表面的水平磁场强度。这样一来，下方的磁路组件10产生的磁力线能够穿过靶材04，在靶材04表面形成较强的水平磁场，以便对靶材04进行溅射。
基于此，在本申请实施例提供的上述阴极体组件01中，由于中间磁体组件11和外圈磁体组件12背离阴极板20一侧的磁极相反，中间磁体组件11包括至少1组中间磁体组，外圈磁体组件12包括至少1组外圈磁体组，且中间磁体组的组数与外圈磁体组的组数之和大于2，即中间磁体组件11和外圈磁体组件12这两者中至少有一者是包括有多组磁体组。这就使得每组中间磁体组和每组外圈磁体组之间均会产生方向相同的磁力线，且形成磁力线的组数大于2组，多组磁力线之间能够产生相互叠加。
这样一来，相比于前述的现有技术中的存在磁力线相互抵消的设置方式，采用本申请实施例提供的上述设置方式，可利用多组方向相同的磁力线之间产生的相互叠加来有效增强靶材表面的水平磁场强度，从而可满足需要较高的水平磁场强度才能实现溅射的靶材的溅射要求。
并且，通过本申请实施例提供的上述阴极体组件01对靶材进行溅射时，由于靶材表面水平磁场强度增强，电子在磁场中的运动轨迹偏移中心线的距离增加，电子垂直撞击在靶材基板上的力度减小，因此能够减小磁控溅射电压，降低能耗。
进一步的，以图4所示的磁路组件的排布方式为例，申请人对本申请实施例提供的上述阴极体组件与现有技术中的阴极体组件进行了对比实验，对比结果如图6所示(图中纵坐标的单位mT和单位Gs之间的换算单位为：1mT＝10Gs)，以进一步验证本申请实施例提高靶材表面水平磁场强度的效果。
采用现有的磁路组件的排布方式对靶材进行磁控溅射时，通过高斯计测得从靶材中心到边缘的15-55mm的宽度范围内的磁场强度为：Bmax(最大磁场强度)＝290-340Gs。
本申请实施例提供的阴极体组件对靶材进行磁控溅射时，用高斯计测得从靶材中心到边缘的25-50mm的宽度范围内的磁场强度为：Bmax＝610-770Gs。
对比结果如图6所示(图中纵坐标的单位mT和单位Gs之间的换算单位为：1mT＝10Gs)，经过对比可得出，相比于现有技术的阴极体组件，采用本申请实施例提供的阴极体组件对靶材进行溅射时，靶材表面的水平磁场在靶材宽度为25-50mm的区域内明显增加，能够满足溅射致密ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)膜层的要求。
并且，当溅射腔室内压强为0.95Pa，溅射电源功率为5kW时，由于靶材表面水平磁场强度增强，相比与现有平面磁控阴极溅射电压为421V，本申请实施例提供的上述阴极体组件对靶材进行溅射时的改变后的平面磁控阴极溅射电压为溅射电压为371V，降低了50V。
在本申请的一个实施例中，上述阴极体组件01中的磁路组件10的具体排布方式可以为，磁路组件10包括：中间磁体组件和环绕中间磁体组件的外圈磁体组件；中间磁体组件包括至少2组中间磁体组；其中排布于最内侧的1组中间磁体组为第一中间磁体组；除第一中间磁体组之外，其余中间磁体组均呈环状，且由内向外依次环绕第一中间磁体组。
其中，第一中间磁体组之外，其余中间磁体组均呈环状，这里的环状可以是圆环、矩形环、多边形环等。
各磁体组可以有多种设置方式，具体如下所述：
示例的，第一中间磁体组为一个整块磁体，或者包括多个间隔设置的磁体块。
具体的，当第一中间磁体组包括多个间隔设置的磁体块时，多个间隔设置的磁体块可以呈环状排列或者条状排列。
示例的，除所述第一中间磁体组之外，中间磁体组件中其余的每组中间磁体组均为一个整块磁体，或者均包括间隔设置的多个磁体块。
示例的，每组外圈磁体组均为一个整块磁体，或者均包括间隔设置的多个磁体块。
示例的，上述中间磁体组为磁铁或电磁线圈，和/或，上述外圈磁体组为磁铁或电磁线圈。
需要说明的，对于一组中间磁体组或一组外圈磁体组为一个整块磁体的情况，该整块磁体即为磁铁或电磁线圈；对于一组中间磁体组或一组外圈磁体组包括间隔设置的多个磁体块的情况，每个磁体块即为磁铁或电磁线圈。
具体的，构成上述磁铁的材料为钕铁硼。
在上述基础上进一步的，下面提供4种磁路组件的具体排布方式，以详细描述本申请实施例提供的上述阴极体组件01。
以下4种磁路组件的排布方式仅仅以中间磁体组件具体包括2组中间磁体组的情况为例进行说明：
如图4、图7-9所示，上述的磁路组件10包括：中间磁体组件11和环绕中间磁体组件11的外圈磁体组件12；中间磁体组件11包括2组中间磁体组：中间磁体组111和中间磁体组112；中间磁体组112，呈环状，且环绕排布于最内侧的中间磁体组111。
排布方式一
该排布方式为：参考图7所示，中间磁体组111、中间磁体组112、外圈磁体组121和外圈磁体组122均包括多个间隔设置的磁体块。
其中，组成中间磁体组111的多个间隔设置的磁体块111a呈条状排列的；组成中间磁体组112的多个间隔设置的磁体块112a呈矩形环状排列；组成外圈磁体组121和外圈磁体组122的多个间隔设置的磁体块121a和122a也均呈矩形环状排列，且由内向外依次环绕中间磁体组件11。
进一步的，从中间磁体组111到外圈磁体组122，构成每组磁体组的相应磁体块的个数依次增加，即，磁体块的数量呈111a的数量、112a的数量、121a的数量以及122a的数量逐渐递增的设置方式，以使得靶材04表面形成的磁场更加充分。
排布方式二
该排布方式为：参考图8所示，中间磁体组111、中间磁体组112、外圈磁体组121和外圈磁体组122均为一个整块磁体。
其中，中间磁体组111的磁体块呈条状，中间磁体组112的磁体块呈矩形环状，外圈磁体组121和外圈磁体组122也均呈矩形环状，且由内向外依次环绕中间磁体组件11。
采用上述排布方式一和排布方式二的磁路组件形成的磁场呈矩形，适用于矩形靶材。
排布方式三
该排布方式为：参考图9所示，中间磁体组111、中间磁体组112、外圈磁体组121和外圈磁体组122均包括多个间隔设置的磁体块。
其中，组成中间磁体组111的磁体块111a呈圆环状排列的；组成中间磁体组112的磁体块112a呈圆环状排列；组成外圈磁体组121和外圈磁体组122的磁体块121a和122a也均呈圆环状排列，且由内向外依次环绕中间磁体组件11。
进一步，从中间磁体组111到外圈磁体组122，构成每组磁体组的相应磁体块的个数依次增加，即，磁体块的数量呈111a的数量、112a的数量、121a的数量以及122a的数量逐渐递增的设置方式，以使得靶材04表面形成的磁场更加充分。
排布方式四
该排布方式为：参考图4所示，中间磁体组111、112、中间磁体组外圈磁体组121和外圈磁体组122均为一个整块磁体。
其中，中间磁体组111的磁体块呈圆状，中间磁体组112的磁体块呈圆环状，外圈磁体组121和外圈磁体组122也均呈圆环状，且由内向外依次环绕中间磁体组件11。
采用上述排布方式三和排布方式四的磁路组件形成的磁场呈圆形，适用于圆形靶材。
这里，相比于前述的排布方式一和排布方式三，在磁路组件的安装过程中，由于多个间隔设置的磁体块相比一个整块磁体安装更为方便，因此采用排布方式二和排布方式四的磁路组件更有利于安装。
在上述排布方式一至排布方式四中，对于一组中间磁体组或一组外圈磁体组为一个整块磁体的情况，该整块磁体具体可以为磁铁或电磁线圈；同样的，对于一组中间磁体组或一组外圈磁体组包括间隔设置的多个磁体块的情况，每个磁体块具体可以为磁铁或电磁线圈。采用整块磁体或间隔设置的多个磁体块的具体排布方式请参见上述排布方式一至排布方式四的详细说明，此处不再赘述。
进一步的，构成上述磁铁的材料优选地为钕铁硼，钕铁硼磁性能优异，进一步增加靶材表面磁场强度。
在上述基础上进一步的，如图10所示，本申请实施例还提供了一种磁控溅射阴极，包括有上述的阴极体组件01。
进一步的，上述的磁控溅射阴极还包括有如下结构：
设置于磁路组件10远离阴极板20的一侧的靶材04；
设置在阴极体组件01外部的外框组件03；
设置于阴极板20远离磁路组件10的一侧的、且与阴极板20相接触的电引入结构05；
支撑阴极体组件01、外框组件03的盖板组件02；
其中，电引入结构05穿过盖板组件02与阴极板20相接触。
需要说明的是，第一、上述的外框组件03具体可以为阳极框组件。
在对靶材进行溅射的过程中，阳极框组件能够截获由非靶材零件发射的电子，使之不产生辉光放电，阻止非靶材材料的溅射，从而保证沉积薄膜的纯度。
第二、上述的电引入结构05具体可以为铜棒，通过与阴极板20相接触为磁控溅射阴极引入电场。
第三、本实施例中所提到的靶材04优选的可为ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)靶材，靶材04的成分可以根据实际镀膜工艺的需求决定，例如可以是金属靶材、合金靶材、或陶瓷靶材等。
进一步的，为了提高靶材的利用率，中间磁体组件包括至少2组中间磁体组，其中排布于最内侧的1组中间磁体组为第一中间磁体组；第一中间磁体组对应于靶材的中心。
示例的，参考图3所示，当中间磁体组件11包括2组中间磁体组111和中间磁体组112时，排布于最内侧的中间磁体组111对应靶材的中心，即位于靶材中心的下方。进一步的，为了提高靶材的利用率，外圈磁体组件中的最外侧的一组外圈磁体组对应于与靶材的边缘。
示例的，参考图3所示，外圈磁体组件12中的最外侧的一组外圈磁体组122对应于磁控溅射阴极靶材04的边缘，即位于靶材04边缘的下方。
需要说明的是，当外圈磁体组件仅包括一组外圈磁体组时，最外侧的一组外圈磁体组即为该组外圈磁体组；当外圈磁体组件包括至少2组外圈磁体组时，最外侧的一组外圈磁体组则是相对于中间磁体组件而言的最外侧的那一组。
这样一来，通过上述的设置方式可以使得靶材表面的区域尽可能多地位于各磁体组之间形成的磁力线范围内，从而提高靶材的利用率。
在上述基础上更进一步的，本申请实施例还提供了一种磁控溅射装置，包括有上述的磁控溅射阴极。
磁控溅射装置中的其他结构，如阳极、待沉积薄膜的衬底基板等结构及其设置方式可沿用相关技术，本申请实施例对此不再赘述。
以上所述仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内，因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种阴极体组件，包括：阴极板，其特征在于，所述阴极体组件还包括：
设置在所述阴极板一侧板面上的磁路组件，所述磁路组件包括：中间磁体组件和环绕所述中间磁体组件的外圈磁体组件；
其中，所述中间磁体组件和所述外圈磁体组件背离所述阴极板一侧的磁极极性相反；
所述中间磁体组件包括至少1组中间磁体组；
所述外圈磁体组件包括至少1组外圈磁体组；
且所述中间磁体组的组数与所述外圈磁体组的组数之和大于2。
2.根据权利要求1所述的阴极体组件，其特征在于，所述中间磁体组件包括至少2组所述中间磁体组；
其中排布于最内侧的1组所述中间磁体组为第一中间磁体组；除所述第一中间磁体组之外，其余所述中间磁体组均呈环状，且由内向外依次环绕所述第一中间磁体组。
3.根据权利要求2所述的阴极体组件，其特征在于，
所述第一中间磁体组为一个整块磁体；
或者，
所述第一中间磁体组包括多个间隔设置的磁体块。
4.根据权利要求2所述的阴极体组件，其特征在于，除所述第一中间磁体组之外，所述中间磁体组件中其余的每组所述中间磁体组均为一个整块磁体；
或者，
除所述第一中间磁体组之外，所述中间磁体组件中其余的每组所述中间磁体组均包括间隔设置的多个磁体块。
5.根据权利要求1所述的阴极体组件，其特征在于，
每组所述外圈磁体组均为一个整块磁体；
或者，
每组所述外圈磁体组均包括间隔设置的多个磁体块。
6.根据权利要求1所述的阴极体组件，其特征在于，
所述中间磁体组为磁铁或电磁线圈，
和/或，
所述外圈磁体组为磁铁或电磁线圈。
7.根据权利要求6所述的阴极体组件，其特征在于，构成所述磁铁的材料为钕铁硼。
8.一种磁控溅射阴极，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阴极体组件。
9.根据权利要求8所述的磁控溅射阴极，其特征在于，所述磁控溅射阴极还包括：
设置于所述磁路组件远离所述阴极板的一侧的靶材；
设置在所述阴极体组件外部的外框组件；
设置于所述阴极板远离所述磁路组件的一侧的、且与所述阴极板相接触的电引入结构；
支撑所述阴极体组件、所述外框组件的盖板组件；其中，所述电引入结构穿过所述盖板组件与所述阴极板相接触。
10.根据权利要求9所述的磁控溅射阴极，其特征在于，
所述中间磁体组件包括至少2组所述中间磁体组，其中排布于最内侧的1组所述中间磁体组为第一中间磁体组；
所述第一中间磁体组对应于所述靶材的中心。
11.根据权利要求9所述的磁控溅射阴极，其特征在于，
所述外圈磁体组件中的最外侧的一组所述外圈磁体组对应于与所述靶材的边缘。
12.一种磁控溅射装置，其特征在于，包括如权利要求8-11任一项所述的磁控溅射阴极。
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