WO2013088624A1 - 処理装置およびシールド - Google Patents

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保志 安松
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キヤノンアネルバ株式会社
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    • H01J37/09Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
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    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447Collimators, shutters, apertures

Definitions

  • the present invention relates to a processing apparatus for processing a substrate in a reduced processing space in a chamber and a shield that can be incorporated in the processing apparatus.
  • Patent Document 1 in a sputtering apparatus, a magnet piece is embedded in a cylindrical protection plate (shield), and a contact plate on which the cylindrical protection plate is to be fixed is made of a magnetic material. Is fixed to a plate by magnetic force.
  • the present invention has been made with the above problem recognition as an opportunity, and it is an object of the present invention to provide a technique that is advantageous for improving the efficiency of shield removal work.
  • a first aspect of the present invention relates to a processing apparatus for processing a substrate in a reduced processing space in a chamber, and the processing apparatus holds a shield disposed in the chamber and the shield by magnetic force.
  • the holding part has a holding surface on which the first magnet is disposed, the shield has a second magnet that generates an attractive force with the first magnet, and the holding part.
  • a receiving part for receiving a tool for moving the shield with respect to a part, the shield against the holding part against a magnetic force acting between the first magnet and the second magnet When the shield is moved with respect to the holding portion using the tool, the magnetic force acting between the first magnet and the second magnet is weakened, and the shield is Remove from holding part It becomes possible.
  • a second aspect of the present invention relates to a shield configured to be disposed in a chamber of a processing apparatus for processing a substrate, the shield including a magnet for fixing the shield in the chamber. And a receiving portion for receiving a tool for moving the shield in the chamber.
  • the accompanying drawings are included in the specification, constitute a part thereof, show an embodiment of the present invention, and are used to explain the principle of the present invention together with the description.
  • FIG. 1 shows a schematic configuration of a processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.
  • the processing apparatus 100 may be configured to process the substrate S in the reduced processing space 12 in the chamber 10.
  • the processing apparatus 100 can be configured as, for example, a sputtering apparatus, a CVD apparatus, a plasma processing apparatus, or the like.
  • a sputtering apparatus a sputtering apparatus
  • CVD apparatus a plasma processing apparatus
  • the processing apparatus 100 includes shields 20 and 60 disposed in the chamber 10 and holding units 30 and 70 that hold the shields 20 and 60 by magnetic force, respectively.
  • the shield 20 can be arranged so as to surround the target T.
  • the shield 60 can be disposed so as to surround the substrate S.
  • the present invention can be applied to at least one of the shield 20 and the shield 60, but the shape and arrangement of the shield are not limited to the form illustrated in FIG.
  • the present invention can be applied to various configurations in which a shield is disposed in a chamber.
  • the present invention can be applied to a configuration in which a shield is disposed so as to surround a space between a target T and a substrate S. .
  • the holding unit 30 has a holding surface on which the first magnet 34 is arranged.
  • the first magnet 34 may be exposed on the holding surface of the holding unit 30 or may not be exposed.
  • the shield 20 includes a second magnet 24 that generates an attractive force with the first magnet 34.
  • the second magnet 24 may or may not be exposed at the end surface of the shield 20 (the surface that contacts or faces the holding portion 30).
  • the target T can be fixed to the backing plate 40.
  • the backing plate 40 is cooled by a cooling unit (not shown), whereby the target T can be cooled.
  • the backing plate 40 can also function as an electrode to which a voltage is applied from the power supply 90.
  • the shield 20 may be disposed so as to surround the whole of or a part of the backing plate 40 in addition to the target T.
  • the substrate S is held by the substrate holding unit 50.
  • the substrate holder 50 can be rotationally driven by the drive unit 80.
  • the processing apparatus 100 is configured as a sputtering apparatus, and forms a film on the substrate S by sputtering. Specifically, ions generated by a discharge caused by a voltage applied between the substrate holding unit 50 that holds the substrate S and the backing plate 40 collide with the target T, and thereby particles are released from the target T. . The particles are deposited on the substrate S, whereby a film is formed on the substrate S. Particles from the target 5 can be deposited on the shields 20 and 60 in addition to the substrate S to form deposits.
  • the processing space 12 can be exhausted and depressurized by an exhaust device such as a turbo molecular pump (not shown).
  • Sputtering gas for example, argon
  • a gas supply unit not shown
  • the processing apparatus 100 can include a magnet that provides a magnetic field around the target T, and can be configured as a magnetron sputtering apparatus.
  • the magnet can be arranged such that the backing plate 40 is sandwiched between the magnet and the target T.
  • the magnet 24 provided in the shield 20 has a magnetic pole having a first polarity (for example, an N pole) disposed so that the magnetic pole (for example, the N pole) faces outward (that is, the holding unit 30 side).
  • it may include a plurality of magnets 24N and one or a plurality of magnets 24S in which a magnetic pole having a second polarity (for example, an S pole) is disposed toward the outside (that is, the holding unit 30 side).
  • the magnet 34 provided in the holding unit 30 includes one or a plurality of magnetic poles having a first polarity (for example, an N pole) arranged toward the outside (that is, the shield 20 side).
  • the magnet 34N may include one or a plurality of magnets 34S in which a magnetic pole having a second polarity (for example, an N pole) is arranged toward the outside (that is, the shield 20 side).
  • FIG. 4 illustrates a state in which the shield 20 is attached to the holding unit 30.
  • one or more magnets 24 ⁇ / b> N of the shield 20 are disposed on one side of a straight line 29 passing through the center of the shield 20, and one or more magnets 24 ⁇ / b> S of the shield 20 are aligned with the straight line 29. It is preferable to arrange on the other side.
  • one or more magnets 34N of the holding part 30 are arranged on one side of a straight line passing through the center of the holding part 30, and one or more magnets 34S of the holding part 30 are arranged on the other side of the straight line. It is preferable to arrange on the side. According to such an arrangement, since the mounting direction of the shield 20 with respect to the holding unit 30 is uniquely determined, an error in the mounting direction of the shield 20 can be prevented.
  • the magnet 62 of the shield 60 on the substrate S side and the magnet 72 of the holding unit 70 can also be arranged in the same manner as the magnet 24 of the shield 20 on the target T side and the magnet 34 of the holding unit 30.
  • work which removes the shield 20 from the holding
  • the shield 20 may have a receiving portion 26 that receives a tool 200 for moving the shield 20 relative to the holding portion 30.
  • the shield 20 moves the shield 20 relative to the holding portion 30 against the magnetic force acting between the first magnet 24 (24N, 24S) of the shield 20 and the second magnet 34 (34N, 34S) of the holding portion 30. It can be configured to be possible.
  • the first magnet 24 (24N, 24S) of the shield 20 and the second magnet 34 (34N, 34S) of the holding unit 30 are used at that time.
  • the magnetic force acting during the period becomes weak, and the shield 20 can be easily detached from the holding unit 30.
  • the receiving portion 26 provided in the shield 20 includes a hole as the first engaging portion, and the tool 200 is engaged with the hole as the first engaging portion of the receiving portion 26.
  • a pin 210 as an engaging portion is included.
  • the tool 200 includes, for example, a support member 230 and handle portions 220 provided at both ends of the support member 230, and pins 210 may be provided on the support member 230.
  • the receiving portion 26 of the shield 20 includes two holes, and correspondingly, the tool 200 includes two pins 210.
  • the shield 20 is rotatable with respect to the holding unit 30.
  • the magnetic force acting between the first magnet 24 (24N, 24S) of the shield 20 and the second magnet 34 (34N, 34S) of the holding unit 30 is weakened. Thereby, as illustrated in FIG. 8, the shield 20 can be easily detached from the holding unit 30.
  • the shield 20 may have a receiving portion 28 that receives a tool 300 for moving the shield 20 relative to the holding portion 30.
  • the tool 300 includes a rod-shaped portion
  • the receiving portion 28 provided on the shield 20 has a through-hole penetrating the shield 20 so as to receive the rod-shaped portion of the tool 300.
  • the holding part 30 includes an abutting surface 35 for applying a force to the shield 20 so that the shield 20 moves relative to the holding part 30 when the bar-like part of the tool 300 is pressed.
  • the tip 310 of the rod-shaped portion of the tool 300 can be configured to smoothly contact the abutting surface 35.
  • the shield 20 also moves relative to the holding unit 30.
  • the through hole as the receiving portion 28 and the holding portion 30 abutment surface 35 move the shield 20 in the direction in which the movement of the shield 20 relative to the holding portion 30 is parallel to the contact surface CS between the holding portion 30 and the shield 20 MH. It is comprised so that it may contain.
  • the movement of the shield 20 relative to the holding unit 30 may include the movement of the shield 20 in a direction other than the direction parallel to the contact surface CS.
  • a screw is formed in the whole or a part of the through hole of the receiving portion 28, a screw that engages with the screw of the through hole is formed in the rod-shaped portion of the tool 300, and the rod-shaped portion of the tool 300 is rotated.
  • the tool 300 may be configured to move in the axial direction of the through hole.
  • the tip 310 of the tool 300 is pressed against the abutting surface 35 by the movement of the tool 300 in the axial direction of the through hole. Thereby, the shield 20 can be easily removed from the holding portion 30 with a small force.
  • the shield 20 may have a receiving portion 28 that receives a tool 400 for moving the shield 20 relative to the holding portion 30.
  • the tool 400 includes a rod-shaped portion
  • the receiving portion 28 provided on the shield 20 has a through-hole penetrating the shield 20 so as to receive the rod-shaped portion of the tool 400.
  • the holding part 30 includes an abutting surface 36 for applying a force to the shield 20 so that the shield 20 moves relative to the holding part 30 when the bar-like part of the tool 400 is pressed.
  • a screw is formed in the whole or a part of the through hole of the receiving portion 28, and a screw that engages with the screw of the through hole is also formed in the rod-like portion of the tool 400, which is shown as RF in FIG.
  • the tip of the tool 400 is pressed against the abutting surface 36 by rotating the rod-shaped portion of the tool 400.
  • force acts in a direction in which the shield 20 is pulled away from the holding portion 30.
  • the through hole as the receiving portion 28 and the holding portion 30 abutment surface 36 move the shield 20 in the direction in which the movement of the shield 20 relative to the holding portion 30 is orthogonal to the contact surface CS between the holding portion 30 and the shield 20 MV. It is comprised so that it may contain.
  • the movement of the shield 20 relative to the holding unit 30 may include the movement of the shield 20 in a direction other than the direction orthogonal to the contact surface CS.

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Abstract

 シールドの取り外し作業の効率化に有利な技術を提供する。チャンバの中の減圧された処理空間において基板を処理する処理装置は、前記チャンバの中に配置されるシールドと、前記シールドを磁力によって保持する保持部と、を備え、前記保持部は、第1磁石が配置された保持面を有し、前記シールドは、前記第1磁石との間で吸引力を発生する第2磁石と、前記保持部に対して前記シールドを移動させるための工具を受け入れる受け入れ部とを有し、前記シールドは、前記第1磁石と前記第2磁石との間に作用する磁力に逆らって前記保持部に対して移動可能に構成され、前記工具を使って前記シールドが前記保持部に対して移動させられた際に、前記第1磁石と前記第2磁石との間に作用する磁力が弱まり、前記シールドを前記保持部から取り外すことが可能になる。

Description

処理装置およびシールド
 本発明は、チャンバの中の減圧された処理空間において基板を処理する処理装置および該処理装置に組み込まれうるシールドに関する。
 特許文献1には、スパッタリング装置において、筒状防着板(シールド)に磁石片を埋め込み、該筒状防着板を固定すべき当て板を磁性体で構成することによって該筒状防着板を磁力によって該当て板に固定することが開示されている。
特開平3-6365号公報
 磁力によってシールドを固定する場合、シールドの落下あるいは意図しない移動を防止するためには相応の磁力が求められる。しかしながら、磁力を強力にすると、シールドを取り外すことが難しくなり、メンテナンスにおける作業性が低下する。
 本発明は、上記のような課題認識を契機としてなされたものであり、シールドの取り外し作業の効率化に有利な技術を提供することを目的とする。
 本発明の第1の側面は、チャンバの中の減圧された処理空間において基板を処理する処理装置に係り、前記処理装置は、前記チャンバの中に配置されるシールドと、前記シールドを磁力によって保持する保持部と、を備え、前記保持部は、第1磁石が配置された保持面を有し、前記シールドは、前記第1磁石との間で吸引力を発生する第2磁石と、前記保持部に対して前記シールドを移動させるための工具を受け入れる受け入れ部とを有し、前記シールドは、前記第1磁石と前記第2磁石との間に作用する磁力に逆らって前記保持部に対して移動可能に構成され、前記工具を使って前記シールドが前記保持部に対して移動させられた際に、前記第1磁石と前記第2磁石との間に作用する磁力が弱まり、前記シールドを前記保持部から取り外すことが可能になる。
 本発明の第2の側面は、基板を処理する処理装置のチャンバの中に配置されるように構成されたシールドに係り、前記シールドは、前記チャンバの中に前記シールドを固定するための磁石と、前記チャンバの中で前記シールドを移動させるための工具を受け入れる受け入れ部と、を備える。
 本発明によれば、シールドの取り外し作業の効率化に有利な技術が提供される。
 本発明のその他の特徴及び利点は、添付図面を参照とした以下の説明により明らかになるであろう。なお、添付図面においては、同じ若しくは同様の構成には、同じ参照番号を付す。
 添付図面は明細書に含まれ、その一部を構成し、本発明の実施の形態を示し、その記述と共に本発明の原理を説明するために用いられる。
本発明の実施形態の処理装置の概略構成を示す図。 シールドを例示する図。 保持部へのシールドの取り付けを説明する図。 保持部にシールドを取り付けた状態を例示する図。 第1実施形態を説明する図。 第1実施形態を説明する図。 第1実施形態を説明する図。 第1実施形態を説明する図。 第2実施形態を説明する図。 第2実施形態を説明する図。 第3実施形態を説明する図。 第3実施形態を説明する図。
 以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
 図1に本発明の実施形態の処理装置100の概略構成が示されている。処理装置100は、チャンバ10の中の減圧された処理空間12において基板Sを処理するように構成されうる。処理装置100は、例えば、スパッタリング装置、CVD装置、プラズマ処理装置等として構成されうる。以下では、より具体的な例を提供するために、スパッタリング装置として構成された処理装置100について説明するが、これは本発明の適用範囲を制限することを目的とするものではない。
 処理装置100は、チャンバ10の中に配置されるシールド20、60と、シールド20、60をそれぞれ磁力によって保持する保持部30、70とを備えている。シールド20は、ターゲットTを取り囲むように配置されうる。シールド60は、基板Sを取り囲むように配置されうる。本発明は、シールド20およびシールド60の少なくとも一方に適用することができるが、シールドの形状および配置は、図1に例示される形態に限定されるものではない。本発明は、チャンバ内にシールドが配置された種々の構成に適用することができ、例えば、ターゲットTと基板Sとの間の空間を取り囲むようにシールドが配置された構成に適用することができる。
 保持部30は、第1磁石34が配置された保持面を有する。第1磁石34は、保持部30の保持面に露出していてもよいし、露出していなくてもよい。シールド20は、第1磁石34との間で吸引力を発生する第2磁石24を有する。第2磁石24は、シールド20の端面(保持部30に接触または対向する面)に露出していてもよいし、露出していなくてもよい。
 ターゲットTは、バッキングプレート40に固定されうる。バッキングプレート40は、不図示の冷却ユニットによって冷却され、これによってターゲットTが冷却されうる。バッキングプレート40はまた、電源90から電圧が印加される電極としても機能しうる。シールド20は、典型的には、ターゲットTのほか、バッキングプレート40の全体または一部を取り囲むように配置されうる。
 基板Sは、基板保持部50によって保持される。基板保持部50は、駆動ユニット80によって回転駆動されうる。この例では、処理装置100は、スパッタリング装置として構成され、スパッタリングによって基板Sの上に膜を形成する。具体的には、基板Sを保持する基板保持部50とバッキングプレート40との間に与えられる電圧によって引き起こされる放電によって発生したイオンがターゲットTに衝突し、これによってターゲットTから粒子が放出される。この粒子が基板Sの上に堆積することによって基板Sの上に膜が形成される。ターゲット5からの粒子は、基板Sのほか、シールド20、60にも堆積し堆積物を形成しうる。この堆積物が許容量を超える前に保持部30、70からシールド20、60が取り外され、新しいシールド20、60または洗浄されたシールド20、60が保持部30、70に取り付けられる。処理空間12は、不図示のターボ分子ポンプなどの排気装置によって排気され減圧されうる。処理空間12には、不図示のガス供給部を通してスパッタガス(例えば、アルゴン)が導入されうる。
 処理装置100は、ターゲットTの周囲に磁場を提供するマグネットを備えることができ、マグネトロンスパッタリング装置として構成されうる。マグネットは、マグネットとターゲットTとによってバッキングプレート40が挟まれるように配置されうる。
 図2および図3に例示されるように、シールド20に設けられた磁石24は、第1極性を有する磁極(例えばN極)が外側(即ち、保持部30側)に向けて配置された1又は複数の磁石24Nと、第2極性を有する磁極(例えばS極)が外側(即ち、保持部30側)に向けて配置された1又は複数の磁石24Sとを含みうる。図3に例示されるように、保持部30に設けられた磁石34は、第1極性を有する磁極(例えばN極)が外側(即ち、シールド20側)に向けて配置された1又は複数の磁石34Nと、第2極性を有する磁極(例えばN極)が外側(即ち、シールド20側)に向けて配置された1又は複数の磁石34Sとを含みうる。
 図3に例示されるように、シールド20は、シールド20の磁石24Nと保持部30の磁石34Sとが対向し、シールド20の磁石24Sと保持部30の磁石34Nとが対向するように、保持部30に取り付けられる。図4には、保持部30に対してシールド20が取り付けられた状態が例示されている。ここで、図2に例示されるように、シールド20の1又は複数の磁石24Nがシールド20の中心を通る直線29の一方の側に配置され、シールド20の1又は複数の磁石24Sが直線29の他方の側に配置されることが好ましい。これに対応するように、保持部30の1又は複数の磁石34Nが保持部30の中心を通る直線の一方の側に配置され、保持部30の1又は複数の磁石34Sが当該直線の他方の側に配置されることが好ましい。このような配置によれば、保持部30に対するシールド20の取り付け方向が一意に定まるので、シールド20の取り付け方向の誤りを防ぐことができる。
 基板S側のシールド60の磁石62および保持部70の磁石72についても、ターゲットT側のシールド20の磁石24および保持部30の磁石34と同様に配置されうる。以下では、保持部30からシールド20を取り外す作業およびそのためのシールド20および保持部30の構成を説明するが、これは、シールド60および保持部70にも適用可能である。
 図6~図8を参照しながら第1実施形態における保持部30からシールド20を取り外す作業について説明する。図6に例示されるように、シールド20は、保持部30に対してシールド20を移動させるための工具200を受け入れる受け入れ部26を有しうる。シールド20は、シールド20の第1磁石24(24N、24S)と保持部30の第2磁石34(34N、34S)との間に作用する磁力に逆らって保持部30に対してシールド20を移動可能に構成されうる。工具200を使ってシールド20が保持部30に対して移動させられると、その際に、シールド20の第1磁石24(24N、24S)と保持部30の第2磁石34(34N、34S)との間に作用する磁力が弱まり、シールド20を保持部30から容易に取り外すことが可能になる。
 第1実施形態では、シールド20に設けられた受け入れ部26は、第1係合部としての孔を含み、工具200は、受け入れ部26の第1係合部としての孔に係合する第2係合部としてのピン210を含む。工具200は、例えば、支持部材230と、支持部材230の両端に設けられたハンドル部220とを備え、支持部材230にピン210が設けられうる。第1実施形態では、シールド20の受け入れ部26は、2つの孔を含み、それに対応するように、工具200は、2つのピン210を含む。
 シールド20は、保持部30に対して回転可能である。図5、図6に例示されるようにシールド20の受け入れ部26としての孔に工具200のピン210を係合させ、図7に例示されるように工具200を回転方向Rに回転させることによって、シールド20の第1磁石24(24N、24S)と保持部30の第2磁石34(34N、34S)との間に作用する磁力が弱まる。これにより、図8に例示されるように、シールド20を保持部30から容易に取り外すことが可能になる。
 図9、図10を参照しながら第2実施形態における保持部30からシールド20を取り外す作業について説明する。図9、図10に例示されるように、シールド20は、保持部30に対してシールド20を移動させるための工具300を受け入れる受け入れ部28を有しうる。第2実施形態では、工具300は、棒状部を含み、シールド20に設けられた受け入れ部28は、工具300の棒状部を受け入れるようにシールド20を貫通した貫通孔を有する。保持部30は、工具300の棒状部が押し付けられることによって保持部30に対してシールド20が移動するようにシールド20に力を作用させるための突き当て面35を含む。工具300の棒状部の先端310は、突き当て面35に対して滑らかに接するように構成されうる。
 図9に例示されるように、工具300の先端310が保持部30の突き当て面35に対して押しつけられるように工具300に力Fを加えると、工具300は、突き当て面35に沿って移動し、これによって、保持部30に対してシールド20も移動する。つまり、受け入れ部28としての貫通孔および保持部30突き当て面35は、保持部30に対するシールド20の移動が保持部30とシールド20との接触面CSに平行な方向へのシールド20の移動MHを含むように構成されている。保持部30に対するシールド20の移動は、接触面CSに平行な方向以外の方向へのシールド20の移動を含んでいてもよい。
 ここで、受け入れ部28の貫通孔の全体または一部に螺子を形成し、工具300の棒状部にも該貫通孔の螺子と係合する螺子を形成し、工具300の棒状部を回転させることによって工具300が貫通孔の軸方向に移動するように構成されてもよい。貫通孔の軸方向への工具300の移動により、工具300の先端310が突き当て面35に押し付けられる。これにより、小さな力で、シールド20を保持部30から容易に取り外し可能な状態にすることができる。
 図11、図12を参照しながら第3実施形態における保持部30からシールド20を取り外す作業について説明する。図11、図12に例示されるように、シールド20は、保持部30に対してシールド20を移動させるための工具400を受け入れる受け入れ部28を有しうる。第3実施形態では、工具400は、棒状部を含み、シールド20に設けられた受け入れ部28は、工具400の棒状部を受け入れるようにシールド20を貫通した貫通孔を有する。保持部30は、工具400の棒状部が押し付けられることによって保持部30に対してシールド20が移動するようにシールド20に力を作用させるための突き当て面36を含む。
 ここで、受け入れ部28の貫通孔の全体または一部に螺子が形成され、工具400の棒状部にも該貫通孔の螺子と係合する螺子が形成され、図11のRFとして示されているように、工具400の棒状部を回転させることによって、工具400の先端が突き当て面36に押し付けられる。これにより、シールド20を保持部30から引き離す方向に力が作用する。つまり、受け入れ部28としての貫通孔および保持部30突き当て面36は、保持部30に対するシールド20の移動が保持部30とシールド20との接触面CSに直交する方向へのシールド20の移動MVを含むように構成されている。なお、保持部30に対するシールド20の移動は、接触面CSに直交する方向以外の方向へのシールド20の移動を含んでいてもよい。
 本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために、以下の請求項を添付する。
 本願は、2011年12月15日提出の日本国特許出願特願2011-275072を基礎として優先権を主張するものであり、その記載内容の全てを、ここに援用する。

Claims (16)

  1.  チャンバの中の減圧された処理空間において基板を処理する処理装置であって、
     前記チャンバの中に配置されるシールドと、
     前記シールドを磁力によって保持する保持部と、を備え、
     前記保持部は、第1磁石が配置された保持面を有し、
     前記シールドは、前記第1磁石との間で吸引力を発生する第2磁石と、前記保持部に対して前記シールドを移動させるための工具を受け入れる受け入れ部とを有し、
     前記シールドは、前記第1磁石と前記第2磁石との間に作用する磁力に逆らって前記保持部に対して移動可能に構成され、
     前記工具を使って前記シールドが前記保持部に対して移動させられた際に、前記第1磁石と前記第2磁石との間に作用する磁力が弱まり、前記シールドを前記保持部から取り外すことが可能になる、
     ことを特徴とする処理装置。
  2.  前記シールドは、前記保持部と前記シールドとの接触面に直交する軸の周りで回転可能であり、前記保持部に対する前記シールドの移動が前記シールドの回転を含むことを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
  3.  前記受け入れ部は、前記シールドを回転させるために前記工具が係合される係合部を有することを特徴とする請求項2に記載の処理装置。
  4.  前記受け入れ部は、棒状部を含む前記工具の前記棒状部を受け入れるように前記シールドを貫通した貫通孔を有し、
     前記保持部は、前記棒状部が押し付けられることによって前記保持部に対して前記シールドが移動するように前記シールドに力を作用させるための突き当て面を含むことを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
  5.  前記受け入れ部は螺子を有し、前記棒状部は前記螺子と係合する螺子を有し、前記棒状部を回転させることによって前記棒状部が前記突き当て面に押し付けられる、
     ことを特徴とする請求項4に記載の処理装置。
  6.  前記貫通孔および前記突き当て面は、前記保持部に対する前記シールドの移動が前記保持部と前記シールドとの接触面に平行な方向への前記シールドの移動を含むように構成されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の処理装置。
  7.  前記貫通孔および前記突き当て面は、前記保持部に対する前記シールドの移動が前記保持部と前記シールドとの接触面に直交する方向への前記シールドの移動を含むように構成されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の処理装置。
  8.  前記処理装置はスパッタリング装置として構成され、前記シールドは、ターゲットを取り囲むように構成される、
     ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の処理装置。
  9.  基板を処理する処理装置のチャンバの中に配置されるように構成されたシールドであって、
     前記チャンバの中に前記シールドを固定するための磁石と、
     前記チャンバの中で前記シールドを移動させるための工具を受け入れる受け入れ部と、を備える、
     ことを特徴とするシールド。
  10.  前記シールドは、前記チャンバの中で前記シールドを保持するように前記処理装置に設けられた保持部に対して接触する接触面を有し、前記チャンバの中での前記シールドの移動が、前記接触面に直交する軸の周りでの前記シールドの回転を含むことを特徴とする請求項9に記載のシールド。
  11.  前記受け入れ部は、前記シールドを回転させるために前記工具が係合される係合部を有することを特徴とする請求項10に記載のシールド。
  12.  前記受け入れ部は、棒状部を含む前記工具の前記棒状部を受け入れるように前記シールドを貫通した貫通孔を有する
    ことを特徴とする請求項9に記載のシールド。
  13.  前記受け入れ部は、前記棒状部が回転させられた際に前記棒状部を前記貫通孔の軸方向に移動させるように、前記棒状部に設けられた螺子に係合する螺子を有する、
     ことを特徴とする請求項12に記載のシールド。
  14.  前記シールドは、前記チャンバの中で前記シールドを保持するように前記処理装置に設けられた保持部に対して接触する接触面を有し、前記貫通孔は、前記チャンバの中での前記シールドの移動が前記接触面に平行な方向への前記シールドの移動を含むように構成されていることを特徴とする請求項12又は13に記載のシールド。
  15.  前記シールドは、前記チャンバの中で前記シールドを保持するために前記処理装置に設けられた保持部に対して接触する接触面を有し、前記貫通孔は、前記チャンバの中での前記シールドの移動が前記接触面に直交する方向への前記シールドの移動を含むように構成されていることを特徴とする請求項12又は13に記載のシールド。
  16.  前記処理装置はスパッタリング装置として構成され、前記シールドは、ターゲットを取り囲むように構成される、
     ことを特徴とする請求項9乃至15のいずれか1項に記載のシールド。
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