JP5036264B2 - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5036264B2 JP5036264B2 JP2006251981A JP2006251981A JP5036264B2 JP 5036264 B2 JP5036264 B2 JP 5036264B2 JP 2006251981 A JP2006251981 A JP 2006251981A JP 2006251981 A JP2006251981 A JP 2006251981A JP 5036264 B2 JP5036264 B2 JP 5036264B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dispersion
- container
- discharge
- temperature
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 191
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 143
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 61
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 56
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 56
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 45
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 44
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 38
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
請求項4記載の発明によれば、開閉用開口部を有するシャッター板をスライドさせることにより、放出口を選択的に開閉して、選択された材料を放出することができる。
[実施の形態1]
この真空蒸着装置は、図1に示すように、材料を下部から上方に放出し、上部に配置されたたとえばガラス製の基板(被蒸着部材)Bに蒸着するアップデポジションタイプのもので、1つの成膜室4で、たとえば図2に示すように有機EL素子Aの複数の有機EL層を順次形成するものである。有機EL素子Aは、基板Bに形成された透明電極Cと背面電極Eとの間に、複数の有機EL層D1〜D4を形成したもので、有機EL層D1〜D4は、たとえば透明電極C側からホール注入層D1とホール輸送層D2と発光層D3と電子輸送層D4が積層形成されている。なお、電子輸送層D4と背面電極Eの間に電子注入層が形成されることもある。
1.(蒸着準備工程)蒸着面に透明電極Cが形成された基板Bを、搬送ロボット6により成膜室4に搬入して、基板ホルダー7に固定する。さらに基板Bの蒸着面にマスク8を取り付け、成膜室4を閉じる。
次に搬送ロボット6により、基板Bを成膜室4から真空輸送室1を介して電極形成室5に移送し、電極形成室5で電子輸送層D4上に背面電極Eを形成する(背面電極形成工程)。そして、洗浄や検査(仕上げ工程)を行った後、有機EL素子Aの製造が完了する。
実施の形態2を図8(b)および図10を参照して説明する。この実施の形態2は、実施の形態1において、第3分散容器12Cに供給していた材料eのCuPcを2TNATAに変更し、第2−4蒸発セル32Bdから第4枝管35dおよび第2−4開閉弁34Bdならびに第2材料導入管33Bを介して第2分散容器12Bに供給するように構成し、さらに第3分散容器12Cを削除したものである。また、前記材料eである2TNATAの適正な加熱温度範囲は300℃〜360℃である。ここで、実施の形態1と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。
実施の形態3を図11および図12を参照して説明する。
上記実施の形態1,2では、第1〜第3分散容器12A〜12Cを重ねて配置したが、この実施の形態3では、ダクト状の第1〜第3分散容器52A〜52Cを複数組(図では4組)並設したものである。なお、実施の形態1と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。
なお、上記各実施の形態では、基板ホルダー7に基板Bを固定した状態で保持したが、基板Bを垂直軸心周りに回転させたり、あるいは基板Bを直線方向に移動させる基板ホルダーを設けてもよい。
B 基板
C 透明電極
D1 ホール注入層
D2 ホール輸送層
D3 発光層
D4 電子輸送層
E 背面電極
1 真空輸送室
2 搬入室
3 搬出室
4 成膜室
5 電極形成室
6 搬送ロボット
7 基板ホルダー
8 マスク
11,51 材料放出部
12A〜12C,52A〜52C 第1〜第3分散容器
12a〜12c 第1〜第3検出管
13A〜13C,53A〜53C 第1〜第3放出ノズル
13a〜13c 第1〜第3放出口
14A,14B 貫通部
15 放出口群
16 断熱部材
17A〜17C 容器加熱装置
18 断熱板
20 シャッター装置
21 シャッター板
21a 開閉用開口部
22 シャッター作動装置
31 材料供給部
32A 第1蒸発セル
32Ba 第2−1蒸発セル
32Bb 第2−2蒸発セル
32Bc 第2−3蒸発セル
32Bd 第2−4蒸発セル
32C 第3蒸発セル
33A〜33C 第1〜第3材料導入管
34A 第1開閉弁(開閉手段)
34Ba〜34Bd 第2−1〜第2−4開閉弁(開閉手段)
34C 第3開閉弁(開閉手段)
35a〜35d 第1〜第4枝管
41A 水晶振動子
41B〜41D 第1〜第3水晶振動子
42 膜厚センサ
43 蒸着制御装置
Claims (4)
- 1つの成膜室内で、複数の材料を被蒸着部材に蒸着して複数層の膜を形成する真空蒸着装置であって、
成膜室に、被蒸着部材の蒸着面に対向して配置されて材料を放出する材料放出部を設け、
前記材料放出部に、材料を放出する放出口を有する複数の分散容器を設け、
材料を蒸発させる蒸発セルと前記分散容器とを開閉手段を介して接続するとともに、少なくとも前記分散容器のうちの1つに、材料の蒸発温度と熱分解温度の間の温度範囲が共通する材料を蒸発する複数の蒸発セルをそれぞれ開閉手段を介して接続し、
各分散容器に、放出する材料の蒸発温度と熱分解温度の間の所定温度に加熱する容器加熱装置をそれぞれ設け、
前記容器加熱装置の加熱温度が低い分散容器ほど、被蒸着部材の蒸着面に接近する側に配置された
真空蒸着装置。 - 被蒸着部材をホルダーに固定して配置し、
複数の分散容器を、被蒸着部材の蒸着面に対して接近離間する方向に重ねて配置し、
被蒸着部材に最も接近する最前段の分散容器で被蒸着部材の蒸着面に対向する表面側に、当該最前段の分散容器の材料を放出する複数の放出口を所定間隔をあけて開口するとともに、前記最前段の分散容器よりも離間する側の分散容器に、前段側の分散容器を貫通して前記最前段の分散容器の表面側に放出口を開口する複数の放出ノズルを設けた
請求項1記載の真空蒸着装置。 - ホスト材料を放出する分散容器と、ドーパント材料を放出する分散容器とを設け、
2つの前記分散容器からホスト材料とドーパント材料とを同時に放出するように構成した
請求項1または2記載の真空蒸着装置。 - 各分散容器の放出口を選択的に開閉自在なシャッター装置を設け、
前記シャッター装置に、最前段の分散容器の表面で放出口の蒸着面側に、分散容器の表面に沿ってスライド自在で、かつ放出口を選択的に開放可能な開閉用開口部が形成されたシャッター板を設けた
請求項1乃至3のいずれかに記載の真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006251981A JP5036264B2 (ja) | 2006-09-19 | 2006-09-19 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006251981A JP5036264B2 (ja) | 2006-09-19 | 2006-09-19 | 真空蒸着装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008075095A JP2008075095A (ja) | 2008-04-03 |
JP5036264B2 true JP5036264B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=39347452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006251981A Active JP5036264B2 (ja) | 2006-09-19 | 2006-09-19 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5036264B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5183285B2 (ja) * | 2008-04-15 | 2013-04-17 | 日立造船株式会社 | 真空蒸着装置 |
JP2010242202A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-28 | Hitachi Zosen Corp | 蒸着装置 |
KR101084234B1 (ko) | 2009-11-30 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착원, 이를 구비하는 증착 장치 및 박막 형성 방법 |
FR2956412B1 (fr) * | 2010-02-16 | 2012-04-06 | Astron Fiamm Safety | Vanne d'obturation a volume constant d'une source de depot en phase vapeur |
JP5473675B2 (ja) * | 2010-03-01 | 2014-04-16 | 株式会社アルバック | 薄膜形成装置 |
JP5520678B2 (ja) * | 2010-04-20 | 2014-06-11 | 株式会社アルバック | 蒸着装置及び蒸着方法 |
CN102373434B (zh) * | 2010-08-20 | 2015-09-23 | 日立造船株式会社 | 蒸镀装置 |
JP5570939B2 (ja) * | 2010-10-21 | 2014-08-13 | 株式会社アルバック | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
JP2012169128A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造装置 |
JP2014132101A (ja) * | 2011-04-11 | 2014-07-17 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
WO2013125598A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | 旭硝子株式会社 | フッ素含有有機ケイ素化合物薄膜の製造装置、及び、製造方法 |
JP6021377B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-11-09 | 日立造船株式会社 | 真空蒸着装置および真空蒸着装置におけるるつぼ交換方法 |
KR101938365B1 (ko) | 2012-07-31 | 2019-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 이를 이용한 증착량 측정 방법 |
JP6013077B2 (ja) * | 2012-08-13 | 2016-10-25 | 株式会社カネカ | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 |
JP5985302B2 (ja) * | 2012-08-13 | 2016-09-06 | 株式会社カネカ | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 |
US9496527B2 (en) | 2012-08-13 | 2016-11-15 | Kaneka Corporation | Vacuum deposition device and method of manufacturing organic EL device |
CN102877031A (zh) * | 2012-10-26 | 2013-01-16 | 四川大学 | 一种大面积共蒸发源的阵列设计 |
CN112877646B (zh) * | 2021-01-13 | 2023-01-31 | 嘉讯科技(深圳)有限公司 | 一种具有混镀的高效真空电镀装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4570403B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2010-10-27 | 日立造船株式会社 | 蒸発装置、蒸着装置および蒸着装置における蒸発装置の切替方法 |
JP2006057173A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Tohoku Pioneer Corp | 成膜源、真空成膜装置、有機elパネルの製造方法 |
JP2006111926A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Hitachi Zosen Corp | 蒸着装置 |
JP4545010B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2010-09-15 | 日立造船株式会社 | 蒸着装置 |
-
2006
- 2006-09-19 JP JP2006251981A patent/JP5036264B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008075095A (ja) | 2008-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5036264B2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
KR100990060B1 (ko) | 성막 장치, 성막 장치계, 성막 방법, 및 전자 장치 또는유기 일렉트로루미네선스 소자의 제조 방법 | |
JP5008527B2 (ja) | 蒸着装置、成膜方法 | |
JP4402016B2 (ja) | 蒸着装置及び蒸着方法 | |
JP5373221B2 (ja) | 蒸着粒子射出装置および蒸着装置並びに蒸着方法 | |
JP4312289B2 (ja) | 有機薄膜形成装置 | |
JPWO2009034915A1 (ja) | 蒸着装置 | |
JP5506147B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
TW200837206A (en) | Vapor deposition apparatus, device for controlling vapor deposition apparatus, method for controlling vapor deposition apparatus, and method for operating vapor deposition apparatus | |
JP2003077662A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および製造装置 | |
EP2109899A1 (en) | Vapor deposition sources and methods | |
JP4458932B2 (ja) | 蒸着装置 | |
JP3754380B2 (ja) | 薄膜堆積用分子線源セルと薄膜堆積方法 | |
JP5265583B2 (ja) | 蒸着装置 | |
WO2005107392A2 (en) | System for vaporizing materials onto substrate surface | |
JP4445497B2 (ja) | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した薄膜蒸着方法 | |
JP2013189701A (ja) | 成膜装置 | |
JP2009228090A (ja) | 蒸着装置及び蒸着源 | |
WO2012081625A1 (ja) | 有機el装置の製造方法、有機el装置の製造装置、光電変換装置の製造方法及び光電変換装置の製造装置 | |
JP5460773B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP2012052187A (ja) | 蒸着装置、成膜方法及び有機el装置の製造方法 | |
JP5658520B2 (ja) | 蒸着装置 | |
WO2013005781A1 (ja) | 成膜装置 | |
KR20230120774A (ko) | 셔터를 포함하는 진공 증발원 모듈 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 | |
JP3671022B2 (ja) | 薄膜堆積用真空蒸着装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080430 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090409 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120605 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120703 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5036264 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |