JP5268249B2 - 有機発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
前記電子注入層を形成する工程は、前記ドーパントの原料であるドーパント材料を収容容器内でガス状態にする工程と、前記ガス状態のドーパント材料を前記収容容器から前記基板までの間で加熱された媒体を通過させる工程と、前記有機化合物を加熱する工程と、を有することを特徴とする。
図1に示す素子を製造した。本例では、陽極11に、反射電極として機能するクロム(Cr)、陰極16に、透明な発光取り出し電極として機能するインジウム錫酸化物(ITO)を用い、トップエミッション型素子を製造した。
タングステンフィラメントを用いずに炭酸セシウムの蒸着を行った以外は実施例1と同様の方法で素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。
電子注入層15中のセシウム濃度が約4重量%となるように蒸着した以外は比較例1と同様の方法で素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。
炭酸セシウムの蒸着源として、図3に示すものを用いた。すなわち、アルミナ坩堝3上部に、媒体1としてのタングステンフィラメントを設置し、タングステンフィラメントに通電加熱しながら蒸着を行った。
炭酸セシウムの蒸着源として、図4に示すものを用いた。すなわち、アルミナ坩堝3内部に、媒体1としての球状タングステンを設置し、熱源2からの熱により間接的に球状タングステンを加熱しながら蒸着を行った。坩堝3の底面に熱電対を付け温度を測定したところ約700℃であった。
タングステンフィラメントの通電電流を下げて炭酸セシウムの蒸着を行う以外は実施例1と同様の方法で素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。
タングステンフィラメントの通電電流を下げて炭酸セシウムの蒸着を行う以外は実施例2と同様の方法で素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。
タングステンフィラメントに通電せずに炭酸セシウムの蒸着を行う以外は実施例2と同様の方法で素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。
図1に示す素子を製造した。本例では、陽極11に、反射電極として機能するクロム(Cr)、陰極16に、透明な発光取り出し電極として機能するインジウム錫酸化物(ITO)を用い、トップエミッション型素子を製造した。
実施例6の蒸着源構成で中蓋、上蓋がない構成のものを用い(図9)、それ以外は実施例6と同様の条件でデバイスの作製・特性評価を行った。結果を表2に示す。中蓋、上蓋が無いことでタングステンフィラメントと炭酸セシウムとの接触が十分に行われていないため、膜中のセシウム量は同じであっても、デバイス特性に有効なセシウム量が少なく、実施例6よりも特性が劣ると考えられる。
炭酸セシウムの蒸着源として、図10に示すものを用いた。
炭酸セシウムの蒸着源として、図11に示すものを用いた。すなわち、アルミナ坩堝23内部の中蓋26と上蓋24の間に、媒体21としての球状タングステンを設置し、熱源22からの熱により間接的に球状タングステンを加熱しながら蒸着を行った。その他は実施例6と同様の方法で素子を作製し、評価した。結果を表2に示す。
電子注入層15中のセシウム濃度が約1重量%となるように蒸着した以外は実施例6と同様の方法で素子を作製し、評価した。結果を表2に示す。
2、22 熱源
3、23 収容容器(坩堝)
4、24 遮蔽部材
5、25 ドーパント材料
10 基板
11 陽極
12 正孔輸送層
13 発光層
14 電子輸送層
15 電子注入層
16 陰極
26 別の遮蔽部材
27 リフレクタ
Claims (11)
- 基板と、
前記基板上に配置されている陽極および陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に設けられている発光層と、
前記発光層よりも前記陰極側に配置されており、有機化合物とドーパントとから少なくとも構成される電子注入層と、
を有する有機発光素子の製造方法において、
前記電子注入層を形成する工程は、
前記ドーパントの原料であるドーパント材料を収容容器内でガス状態にする工程と、
前記ガス状態のドーパント材料を前記収容容器から前記基板までの間で加熱された媒体を通過させる工程と、
前記有機化合物を加熱する工程と、
を有することを特徴とする有機発光素子の製造方法。 - 前記媒体は、通電によって加熱されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記媒体は、誘導加熱によって加熱されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記媒体は、ガス状態になる前の前記ドーパント材料と離間していることを特徴とする請求項1または3に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記媒体の温度が、真空下での前記ドーパント材料の蒸発温度以上であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記媒体の温度が、200℃以上2000℃以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記媒体が、金属からなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記金属が、タングステンであることを特徴とする請求項7に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記ドーパント材料が、アルカリ金属化合物、あるいはアルカリ土類金属化合物であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記ドーパント材料が炭酸セシウムであることを特徴とする請求項9に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記加熱された媒体を通過させる工程は、前記ドーパント材料の分解を促進する工程であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の有機発光素子の製造方法。
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