KR20030043775A - 열물리 증착 소스 - Google Patents

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이스트맨 코닥 캄파니
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Abstract

본 발명은 구조체(structure) 위에 OLED를 형성하는 데에 있어 고체 유기물을 기화시키는 열물리 증착 소스(thermal physical vapor deposition source)에 관한 것으로, 이를 위해 열물리 증착 소스는 바이어스 히터(bias heater), 바이어스 히터 내에 배치되는 전기적으로 절연된 컨테이너(container) 및 컨테이너 위에 배치되는 기화 히터(vaporation heater)를 구비하고 있다. 구조체 위에 실질적으로 균일한 유기층을 제공하도록 소스와 구조체 사이에 상대적인 운동이 제공된다.

Description

열물리 증착 소스{THERMAL PHYSICAL VAPOR DEPOSITION SOURCE FOR MAKING AN ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은 일반적으로 유기 발광 장치(OLED:Organic Light-Emitting Device)의 일부를 구성할 기판 상에 유기물층(organic layers)을 형성시키는 열물리 증착 소스(thermal physical vapor deposition source)에 관한 것이다.
유기 전계 발광 장치(Organic Electroluminescent Device)로도 지칭되는 OLED는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 둘 이상의 유기물층을 개재(sandwiching)함으로써 구성될 수 있다.
종래의 구조를 갖는 패시브 매트릭스 유기 발광 장치(passive matrix OLED)에서, 횡방향으로 이격되어 있는 다수의 투광성 애노드(light-transmission anodes), 예를 들어 ITO(Indium-Tin-Oxide) 애노드는 예컨데, 유리 기판과 같은 투광성 기판 상에서 제 1 전극으로서 역할을 한다. 이어서, 전형적으로 10-3Torr 미만의 감압 상태로 유지되어 있는 챔버 내에서 각 소스(sources)로부터 각각의 유기물을 증착시킴으로써 둘 이상의 유기물층을 연속적으로 형성시킨다. 횡방향으로 이격되어 있는 다수의 캐소드(cathodes)는 유기물층 중 최상부층에 제 2 전극으로서 배치된다. 캐소드는 애노드에 대하여 소정 각도로, 전형적으로는 직각 방향으로 위치해 있다.
이와 같은 종래의 패시브 매트릭스 OLED는 적절한 열(애노드)과 연속적으로 각 행(캐소드) 사이에 전위(구동 전압(drive voltage)으로도 지칭됨)를 인가함으로써 작동된다. 캐소드가 애노드에 대하여 음으로 바이어스(bias)될 때 캐소드와 애노드의 중첩 영역에 의해 정의되는 화소로부터 빛이 방출되며, 방출된 빛은 애노드와 기판을 통해 관찰자에 도달된다.
액티브 매트릭스 유기 발광 장치(active matrix OLED)에서, 애노드 어레이(anode array)는 제각기의 투광성 부분에 연결되어 있는 박막 트랜지스터(TFTs)에 의해 제 1 전극으로서 제공된다. 전술한 패시브 매트릭스 장치의 구조와 실질적으로 동일한 방식으로 증착에 의하여 둘 이상의 유기물층이 연속적으로 형성된다. 공통 캐소드는 유기물층 중 최상부층에 제 2 전극으로서 배치된다. 액티브 매트릭스 OLED의 구조 및 기능은 본 명세서에서 참조 인용되는 미국 특허 5,550,066에 개시되어 있다.
OLED를 형성하는 데에 유용한 유기물, 증착된 유기물층의 두께 및 층의 배치에 대해서는 예를 들어, 본 명세서에서 참조 인용되는 미국 특허 4,356,429, 4,539,507, 4,720,432 및 4,769,292에 개시되어 있다.
OLED 제조를 위해 유기물층을 구조체 위로 열물리적으로 증착시키기 위한 소스가 2001년 5월 29일 등록된 Robert G. Spahn의 미국 특허 6,237,529에 의해 개시되었다. Spahn에 의해 개시된 소스는 기화될 수 있는 고체 유기물을 수용하는 엔클로져(enclosure)를 정의하는 하우징(housing)을 구비하고 있다. 위 하우징은 기화된 유기물이 슬릿을 통해 구조체의 표면으로 빠져나가도록 하게 하는 증기 유출 슬릿 틈(vapor efflux slit aperture)을 정의하는 플레이트 상부(top plate)에 의해 더 정의된다. 엔클로져를 정의하는 하우징은 플레이트 상부에 연결되어 있다. Spahn에 의해 개시된 소스는 플레이트 상부에 부착되는 도전성 배플 부재(conductive baffle member)를 구비하고 있다. 전위가 하우징에 인가되어 열이 고체 유기물이 기화되도록 엔클로져 내 고체 유기물에 인가되게 할 때, 기화된유기물이 배플 부재 주위를 지나 슬릿을 통해 기판이나 구조체로 통과할 수 있는 반면 유기물 입자들은 배플 부재에 의해 슬릿을 통해 통과되지 못하도록, 배플 부재는 플레이트 상부 내 슬릿을 덮고 있는 조준선(line-of-sight)을 제공한다.
Spahn에 의해 개시된 것으로서, 선택된 유기물을 다수의 기판이나 구조체 위에 유기물층을 형성시키는 열물리 증착 소스를 사용하는 경우에는, 엔클로져에 남아 있는 유기물이나 그 유기물의 찌꺼기를 제거하기가 어려운데, 특히 하우징에 의해 정의되는 엔클로져 안쪽 코너의 찌꺼기의 경우가 그러하다는 것을 알게 되었다. 새로운 유기물로 엔클로져를 로드하기 전에 그와 같이 전에 사용된 유기물의 흔적을 효과적으로 제거하는 데에 반복적인 기계적 세정이 필요한데, 특히 새로 로드시킬 유기물이 이전에 사용되었던 유기물과 상이할 경우가 더욱 그러하다.
예를 들어, 만일 이전에 엔클로져 내에 수용된 고체 유기물이 유기 홀 이송 물질(organic hole-transporting material)이었다면 그와 같은 유기 홀 이송 물질의 찌꺼기는, 예컨데 이전에 사용된 홀 이송 물질이 남긴 흔적(trace quantity)에 의해 발광 물질이 오염되는 것을 막기 위하여 유기 발광 물질은 엔클로져를 정의하는 하우징으로 로드하기 전에 완벽히 제거되어야 한다.
예를 들어, 컨테이너의 엔클로져를 산성 세정제에 담가두는 경우와 같이 표면에 있는 유기물 찌꺼기를 세정한다거나, 컨테이너의 엔클로져나 내부 표면을 강한 산성제에 드러내놓을 수 있는 효과적인 것으로서 이미 알려져 있는 방법은, 엔클로져를 형성하는 데에 사용되는 금속이 그와 같은 세정 과정에 의해 나쁜 영향을 받게 되어 Spahn에 의해 개시된 소스를 세정하는 데에는 사용될 수가 없다.
본 발명의 목적은 유기 발광 장치(OLED)의 일부를 형성할 구조체 위에 유기물층을 형성하는 열물리 증착 소스를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 OLED의 일부를 형성할 구조체 위에 유기물층을 형성하는 열물리 증착 소스를 제공하는 것인데, 위 소스는 바이어스 히터, 기화될 수 있는 고체 유기물을 수용하는 바이어스 히터 내에 배치되는 컨테이너 및 컨테이너 위에 배치되는 기화 히터를 구비하고 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 OLED의 일부를 형성할 구조체 위에 유기물층을 형성하되 구조체의 표면에 대하여 소스를 움직이게 하여 구조체 위에 실질적으로 균일한 층을 제공하는 수단을 구비하는 열물리 증착 소스를 제공하는 것이다.
이러한 목적들은 유기 발광 장치(OLED)를 형성하는 데 있어 고체 유기물을 기화시키고 기화된 유기물을 감압 상태에 있는 챔버 내 구조체의 표면에 하나의 층으로 도포시키는 열물리 증착 소스에 의해 달성되는데, 본 열물리 증착 소스는 (a)측벽(side walls)-측벽은 높이가 HB임- 및 저벽(bottom wall)에 의해 정의되는 바이어스 히터(bias heater)와, (b)바이어스 히터 내에 배치되는 전기적으로 절연된 컨테이너(container)-컨테이너는 기화될 수 있는 고체 유기물을 수용하고, 측벽 및 저벽에 의해 정의되며, 컨테이너 측벽은 높이가 바이어스 히터 측벽의 높이(HB)보다 높은 HC임-와, (c)컨테이너의 측벽 표면 상부에 배치되는 기화 히터(vaporation heater)-기화 히터는 기화된 유기물이 슬릿 틈을 지나 구조체의 표면으로 통과하게하는 컨테이너로 연장되어 있는 증기 유출 슬릿 틈(vapor effux slit aperture)을 정의함-와, (d)전위를 바이어스 히터에 인가하여 바이어스 열(bias heat)-바이어스열(bias heat)은 고체 유기물이 기화되도록 하기에 부족한 바이어스 온도를 제공함-이 컨테이너 내부의 고체 유기물에 인가되도록 하는 수단과, (e)전위를 기화 히터에 인가하여 기화된 유기물이 유출 슬릿 틈을 통해 구조체로 튀어 나와 구조체 위로 유기물층을 제공하도록 고체 유기물의 최상부가 기화되게 하는 컨테이너 내부의 고체 유기물의 최상부에 기화열(vaporation heat)이 인가되도록 하는 수단 및 (f)증착 소스 및 구조체 간 상대적인 운동을 공급하여 구조체 위에 실질적으로 균일한 유기물층을 제공하는 수단을 구비하고 있다.
이 점
본 발명의 일 측면은 유기물을 기화시키기에 부족한 바이어스 온도에서 유기물에서 반출되는 기체 또는 휘발성 성분이 방출될 수 있도록, 전기적으로 절연된 컨테이너가 컨테이너에 수용된 고체 유기물에 바이어스 열을 제공하는 바이어스 히터 내에 배치된다는 것이다.
본 발명의 또 다른 측면은 기화 히터를 컨테이너 내 고체 유기물을 기화시키기에 충분한 감소 및 제어 기화 히터 온도(vaporation heater temperature)에 있게 하여 컨테이너 내 유기물의 일부가 잠재적으로 분해되는 것을 최소화할 수 있도록, 컨테이너에 수용된 고체 유기물이 바이어스 히터에 의해 제어 바이어스 온도까지 가열되는 것이다.
본 발명의 또 다른 측면은 유기물에서 반출된 기체가 유기물을 기화시키기에 부족한 바이어스 온도에서 방출될 수 있도록, 전기적으로 절연된 컨테이너가 컨테이너에 수용된 고체 유기물에 바이어스열을 제공하는 바이어스 히터 내에 배치되는 것이다.
본 발명의 또 다른 측면은 실질적으로 균일한 유기물층이 구조체의 표면에 제공될 수 있도록, 증착 소스와 구조체 간 상대적인 운동이 이뤄질 수 있다는 것이다.
본 발명의 일 측면은 기화될 고체 유기물을 수용하는 전기적으로 절연된 컨테이너가 공지의 효과적인 세정 공정에 의해 유기물의 찌꺼기가 즉시 세정될 수 있다는 것이다.
도 1은 여러 층을 드러내 보이기 위해 요소들을 부분적으로 벗겨낸 패시브 매트릭스 유기 발광 장치의 개략적인 사시도,
도 2는 비교적 다수의 유기 발광 장치(OLEDs)를 제조하기에 적합한 것으로 허브로부터 연장된 다수의 스테이션을 구비한 장치의 개략적인 사시도,
도 3은 비교적 다수의 기판 또는 구조체를 포함하고 있고, 도 2의 3-3 선으로 표시한 도 2의 장치의 로드 스테이션에 배치되는 캐리어의 개략적인 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 열물리 증착 소스의 개략적인 분해 사시도,
도 5는 유기물의 파우더가 바이어스 히터 내에 배치-부착된 배플 부재를 가진 기화 히터가 컨테이너 위로 배치됨-되는 컨테이너에 수용되는 본 발명의 일 실시예에 따른 열물리 증착 소스의 개략적인 단면도,
도 6은 유기물의 고체 펠릿이 컨테이너에 수용-컨테이너는 바이어스 히터 내에 배치되고 기화 히터는 컨테이너 위로 배치됨-되는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열물리 증착 소스의 개략적인 단면도,
도 7은 도 2의 7-7 선으로 표시된 도 2의 장치에 있어서 구조체 위에 증착된유기 전자 이송층(ETL)을 형성하는 증착 스테이션의 개략적인 단면도로서, 본 발명의 일 실시예에 따라 구조체 위에 균일하게 증착된 유기 전자 이송층을 제공하도록 리드 스크류에 의해 이동되고 있는 증착 소스의 단부도를 도시한 도면,
도 8은 도 2의 ETL 증착 스테이션의 일부분의 개략적인 정면도로서, 본 발명의 일 실시예에 따라 증착 및 바이어스 히터 온도가 각 센서에 의해 모니터링되는 대기 위치의 전후로의 증착 소스의 전진 운동 및 후진 운동을 도시하는 도면이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 유기 발광 장치11 : 투광성 기판
12 : 제 1 전극13 : 유기 HTL
14 : 유기 LEL15 : 유기 ETL
16 : 제 2 전극18 : 커버(또는 인켑슐레이션)
100 : OLED 장치102 : 버퍼 허브
103 : 하역 스테이션104 : 운송 허브
105 : 연결 포트106 : 진공 펌프
유기 발광 장치(OLEDs)의 층 두께의 치수는 종종 서브 마이크로미터(sub-micrometer) 범위에 있는 한편, 장치의 횡방향 치수를 나타내는 특징은 50 내지 500㎜의 범위에 있을 수 있어, 도면은 반드시 개략적인 특성을 갖는다. 따라서, 각 도면은 치수의 정확성보다는 시각화의 용이성을 위해 스케일되어 있다.
"기판"이란 용어는 상부에 예비 성형되고 횡방향으로 이격되어 있는 다수의 제 1 전극(애노드)을 구비하고 있는 투광성 지지체를 나타내며, 그러한 기판은 패시브 매트릭스 OLED의 전조이다. "구조체"라는 용어는, 일단 증착된 유기물층의 일부를 수용하면, 기판을 묘사하며 또한 수동 매트릭스 전조를 능가하는 식별로서액티브 매트릭스 어레이를 나타내는 데에 사용된다.
도 1을 참조하면, 여러 층을 드러내보이기 위해 요소들이 부분적으로 벗겨진 패시브 매트릭스 OLED(10)의 개략적인 사시도가 도시되어 있다.
투광성 기판(11)은 그 위로 횡방향으로 이격되어 있는 다수의 제 1 전극(애노드로도 지칭됨)(12)이 형성되어 있다. 이하에서 보다 상세히 설명되는 바와 같이, 유기 홀 이송층(HTL:Hole-Transporting Layer)(13), 유기 발광층(LEL:Light-Emitting Layer)(14) 및 유기 전자 이송층(ETL:Electron-Transporting Layer)(15)이 물리적 증착에 의해 순차적으로 형성된다. 횡방향으로 이격되어 있는 다수의 제 2 전극(캐소드라고도 지칭함)(16)은 유기 전자 이송층(15) 위로 형성되어 제 1 전극(12)과 실질적으로 수직인 방향으로 향해 있다. 인켑슐레이션 또는 커버(18)가 구조체의 민감한 부분들을 주위 환경으로부터 밀봉하여 완성된 OLED(10)를 제공한다.
도 2를 참조하면, 버퍼 허브(102) 및 운송 허브(104)에서 연장된 다수의 스테이션 사이에서 기판이나 구조체를 이송 또는 운송하는 자동화된 수단 또는 로봇 수단(도시 안함)을 이용하여 비교적 다수의 OLED를 제조하는 데에 적합한 OLED 장치(100)의 개략적인 사시도가 도시되어 있다. 진공 펌프(106)는 진공 포트(pumping port)(107)를 거쳐 허브(102, 104) 내부에 그리고 이들 허브로부터 연장된 각각의 스테이션 내부에 감소된 압력을 제공한다. 압력 게이지(108)는 시스템(100) 내부의 감압을 표시한다. 전형적으로 압력 범위는 10-3Torr미만이다.
스테이션에는 기판 또는 구조체의 로드(a load of substrates or structures)를 제공하는 로드 스테이션(110), 유기 홀 이송층(HTL)을 형성하기 위한 증착 스테이션(130)과, 유기 발광층(LEL)을 형성하기 위한 증착 스테이션(140)과, 유기 전자 이송층(ETL)을 형성하기 위한 증착 스테이션(150)과, 다수의 제 2 전극(캐소드)을 형성하기 위한 증착 스테이션(160)과, 버퍼 허브(102)에서 저장 스테이션(170)을 제공하는 운송 허브(104)로 구조체를 이송시키는 언로드(unload) 스테이션(103)과, 연결 포트(105)를 거쳐 허브(104)에 연결되어 있는 인켑슐레이션 스테이션(180)이 구비되어 있다. 이들 각 스테이션은 허브(102, 104)로 연장된 개방 포트를 각각 구비하며, 각 스테이션은 재료를 세정하고 보급하기 위해 또한 부품의 교체 또는 수리를 위해 스테이션에 액세스할 수 있도록 하는 진공 밀봉된 액세스 포트(도시 안함)를 구비하고 있다. 각 스테이션은 챔버를 정의하는 하우징을 구비하고 있다.
도 5 내지 도 8에 대한 상세한 설명에서는, 도 2의 스테이션(150)(ETL) 내 유기 전자 이송층(15)(도 1 참조)을 형성하는 유기물의 예시적인 예로서 유기 전자 이송 물질이 묘사되어 있다. 열물리 증착 소스가 본 발명의 실시예에 따라 효과적으로 사용되어 도 2의 스테이션(140)(LEL) 내 유기 발광층(14)(도 1 참조)을 형성하거나 도 2의 스테이션(130)(HTL) 내 유기 홀 이송층(13)(도 1 참조)을 형성할 수 있다는 것이 이해될 것이다.
도 3은 도 2의 3-3 선을 따라 절단한 로드 스테이션(110)의 개략적인 단면도이다. 로드 스테이션(110)은 챔버(110C)를 정의하는 하우징(110H)을 구비한다.챔버의 내부에는 예비 성형된(preformed) 제 1 전극(12)(도 1 참조)을 갖는 다수의 기판(11)을 지탱하도록 설계된 캐리어(111)가 배치된다. 다수의 액티브 매트릭스 구조체를 지지하기 위해 이와 다른 캐리어(111)가 제공될 수 있다. 캐리어(111)는 언로드 스테이션(103)과 저장 스테이션(170)에도 제공될 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따라 형성된 열물리 증착 소스를 분해한 개략적인 사시도가 도시되어 있다. 위 소스는 측벽(side wall)(22, 24), 말단벽(end wall)(26, 28) 및 저벽(bottom wall)(25)을 갖는 바이어스 히터(bias heater)(20)를 구비하고 있다. 전기 연결 플랜지(electrical connecting flanges)(21, 23)가 각각 말단벽(28, 26)에서 연장된다. 바이어스 히터(20)는 낮은 데에서부터 적당한 범위까지의 전기 전도율(low to moderate electrical conductivity), 상승된 "바이어스" 온도 하에서 반복되는 이용 주기 동안 우수한 기계적 내구성과 안정성, 그리고 요구되는 모양으로 즉시 형성되어지는 능력을 갖는 금속으로 이루어져 있다. 탄탈룸(Tantalum)이 이러한 요구들을 충족시키는 바람직한 금속이다. 바이어스 히터는 높이가 HB이다.
소스는 측벽(32, 34), 말단벽(36, 38) 및 저벽(35)을 가진 전기적으로 절연된 컨테이너(30)를 더 구비하고 있다. 측벽(32, 34)과 말단벽(36, 38)은 공통의 상부 표면(39)을 공유한다. 전기적으로 절연된 컨테이너(30)는 바람직하게는 석영이나 세라믹 물질로 이루어져 있다. 도 5 및 도 6에서 보다 상세히 설명되는 바와 같이, 그와 같은 재료는 유기물이나 그러한 유기물을 수용한 컨테이너에 남아 있던유기물 찌꺼기를 제거하는 데에 보편적으로 사용되는 산이나 강한 산화제에 대해서 실질적인 내구력을 가지고 있다. 위 컨테이너의 높이는 바이어스 히터(20)의 높이(HB)보다 더 큰 HC이다. 점선을 따라 표시된 화살표는 컨테이너(30)가 바이어스 히터(20)쪽으로 내려가서 그 안에 배치된다는 것을 나타내고자 한 것이다(도 5 및 도 6 참조).
소스의 상부는 바람직하게는 탄탈룸(Tantalum) 금속으로 이루어져 있는 기화 히터(vaporation heater)(40)이다. 기화 히터(40)는 전기적으로 연결되어 있는 플랜지(41, 43), 증기 유출 슬릿 틈(42) 및 점선을 따라 화살표로 표시된 바와 같이 기화 히터(40)를 컨테이너쪽으로 내릴 때 기화 히터(40)를 컨테이너의 공통 상부 표면의 중앙에 위치시키고 이를 유지시키기 위하여 제공되는 중앙 또는 유지 플랜지(46)를 구비하는 실질적으로 편평한 구조이다. 그리고 나면, 증기 유출 슬릿 틈이 컨테이너(30)의 내(도 4에서는 식별되지 않음) 중앙에 배치될 것이다.
도 5 및 도 6을 함께 살펴보면, 컨테이너(30)에 수용되는 유기물의 물리적 특성과 관련한 구별되는 특징을 가진 본 발명의 실시예에 따라 구성된 열물리 증착 소스의 개략적인 단면도가 도시되어 있다. 도 5 및 도 6에서, 도시의 명확성을 위해 도 4의 도면 부호가 그대로 유지되며, 부가된 부호들은 도 5 및 도 6에 도시된 열물리 증착 소스들 간 부품이나 기능과 같은 것을 나타낸다. 예컨데, 연결 클램프(21c, 23c, 41c, 43c)는 각각 대응 전기 연결 플랜지(21, 23, 41, 43)를 대응 전기 리드(electrical leads)(21w, 23w, 41w, 43w)와 연결시키는 동일한 기능을 수행하는 동일한 구성 요소들이다.
도 5에서, 전기적으로 절연된 컨테이너(30)는 처음 레벨(15b)로 채워진 채, 파우더(powder), 플레이크(flakes)나 분진(particulates)의 형태로 유기 전자 이송 물질(15a)을 수용하였다. 이 경우에, 기판에 증착하는 동안 유기물의 증기가 배플 부재(50) 주위를 지나다 슬릿 틈(42)을 통해 유기물층을 수용하게 될 구조체쪽으로 향할 수 있는 반면 파우더 입자나 플레이크 입자는 배플 부재에 의해 슬릿 틈에 도달되지 못하도록, 기화 히터(40)는 증기 유출 슬릿 틈(42)을 실질적으로 에워싸는 배플 표면(52)을 갖는 배플 부재(50)를 구비하고 있다. 배플 부재(50)는 배플 부재(50)에 기계적인 지탱도 제공하는 배플 종단(56, 58)에 의하여 배플 기화 히터(40)에 연결되어 있다. 따라서, 컨테이너(30)가 파우더, 플레이크나 분진의 형태로 유기물의 전하를 수용할 때, 기화 히터(40)와 부착된 배플 부재(50)는 구성상 전술한 Spahn의 미국 특허 6,237,529에 의해 개시된 플레이트 상부와 관련되어 있다.
특히 도 7 및 도 8을 참조하면, 시각적인 구별을 위하여 기화 히터(40)와 연관되어 있는 전기 리드(41w, 43w)가 물결 모양의 아우트라인으로 도시되어 있는 반면, 바이어스 히터(20)와 연관되어 있는 전기 리드(21w, 23w)는 코일 모양의 아우트라인으로 도시되어 있다.
도 6에서, 컨테이너(30)는 고체 펠릿(pellets)의 형태로 유기 전자 이송 물질(15p-1, 15p-2, 15p-3, 15p-4)을 수용하였다. 그러한 연속 유기 펠릿의 표본에 대해서는 본 명세서에서 참조 인용되는 Steven A. Van Slyke 등이 2001년 7월 3일특허 출원한 출원 번호 09/898,369인 미국 특허 출원에 개시되어 있다.
고체 펠릿은 비교적 고밀도로 덩어리져 있거나 조밀하기 때문에 실질적으로 유리된(loose) 입자가 없다. 따라서, 기화 히터(40)는 도 5를 참조하여 설명된 배플 부재(50) 없이도 형성될 수가 있다.
도 7을 참조하면, 본 발명인 증착 소스를 이용하여 증착된 유기 전자 이송층을 구조체 위에 형성시키기 위한 증착 스테이션(150)의 개략적인 단면도가 도시되어 있다. 스테이션(150)은 챔버(150C)를 정의하는 하우징(150H)을 구비하고 있다. 증착된 유기 홀 이송층(13)과 증착된 유기 발광층(14)을 갖는 구조체(11)는 전형적으로 10-3미만으로 감압되어 있는 챔버(150C) 내 홀더 및/또는 마스크 프레임(151) 내부에서 지지된다(도 2 참조).
바이어스 히터(20), 컨테이너(30) 및 기화 히터(40)를 구비하는 열물리 증착 소스가 대기 위치("P")에 있을 때가 연속적인 단면도로 도시되어 있으며(도 8 참조), 각 화살표로 표시한 바와 같이 소스가 전진 운동("F") 또는 후진 운동("R")하는 동안 소스의 중간 위치("I")와 종단 위치("II")에 있을 때가 단속선으로 도시되어 있다.
소스는 열적으로나 전기적으로도 절연된 운송체(carriage)에 위치해 있는데, 이 운송체는 운송체 레일(carriage rail)(287)에 형성되어 있는 휠 그루브(wheel groove)(286)나 휠 리세스(wheel recess)로 안내되는 운송체 휠(285)을 구비하고 있다. 리드 스크류(lead screw)(282)는 운송체(284)에 관통된 구멍(도시 안함)을통해 연장되어 있다. 리드 스크류(lead screw)(282)는 리드 스크류 축 종단 브라켓(283)에 의해 한 쪽 끝에서 지지되며 리드 스크류 축(281)으로 하우징(150)을 거쳐 모터(280)로 연장되어 있다. 이 리드 스크류 축(281) 부분은 진공 실(vacuum seal)(도시 안함)을 통해 하우징을 관통한다. 그와 같은 실은 보편적으로 진공 시스템으로 연장되거나 또는 진공 시스템에서 연장되는 구성 요소를 회전시키는 데에 이용된다.
모터(280)는 입력 단자(289)에서 모터로 제어 신호를 제공하는 스위치(288)에 의해 운송체(284)의 전진 운동("F") 또는 후진 운동("R")을 제공한다. 운송체가 실선으로 도시된 운송체 및 소스의 "대기" 위치에 머물러 있을 때 스위치(288)는 "중립" 위치(도시 안함)를 가질 수 있다.
소스가 "대기" 위치에 있을 때, 바이어스 히터(20)의 온도를 측정하는 온도 측정 장치에 의해 제 1 제어 신호가 발생된다. 이 장치는 하우징(150H) 내 창(508)을 통해 바이어스 히터 온도 방사(506) 중 일부를 수집해서 대응 바이어스 히터 신호를 출력 단자(512)에 제공하는 광학 고온계(optical pyrometer)로서 도 7에 도시되어 있다. 바이어스 히터(20)에 부착되어 있는 열전쌍(thermocouple)에 의해서도 발생될 수 있는 이러한 제어 신호는 리드(514)를 통해 바이어스 히터 전원 장치(520)의 입력 단자(516)에 제공된다. 위 바이어스 히터 전원 장치(520)는 각 리드(525, 528)를 통해 하우징(150H) 내에 봉인 배치되어 있는 각 급전 스루(power feed throughs)(526, 529)에 연결되는 출력 단자(524, 527)를 구비하고 있다. 코일로 된 전기 리드(21w, 23w)는 급전 스루(526, 529)에 각각 연결된다.도 5 및 도 6의 전기 연결 플랜지(21, 23) 및 연결 클램프(21c, 23c)는 시각적 명확성을 위해 도 7에서는 생략되어 있다.
(도 7의 컨테이너에 수용된 두 개의 고체 펠릿(15p) 형태로 묘사된) 유기물이 컨테이너 내에서 기화되게 하기에 부족한 온도에서 바이어스 히터가 유지되도록, 바이어스 히터의 온도 제어 신호에 의한 제어 하에서 바이어스 전원 장치(520)에 의해 바이어스 히터(20)로 제공되는 전위가 선택된다. 그러나, 바이어스 히터의 온도는 컨테이너에 수용된 유기물로부터 반출되는 기체 및/또는 반출되는 수증기나 휘발성 요소를 방출하기에는 충분하다.
제 2 제어 신호는 기화 히터(40)가 작동되어 유기물의 최상부(도 7의 상부 펠릿의 최상부)를 기화시킬 때 소스의 "대기"위치("P")에서 발생된다. 기화된 유기물은 기화 히터(40)에서 콘테이너(30)로 연장되어 있는 증기 유출 슬릿 틈(42)을 통해 소스를 떠난다. 디포지션 지역(15v)은 챔버(150C) 내 유기 전자 이송 물질의 증기에 의해 정의된다.
적어도 두 개의 크리스탈 매스 센서(crystal mass-sensors)(301, 303)를 지지하는 매스 센서 어셈블리(300)는 소스가 "대기"위치("P")(도 8 참조)에 있을 때의 디포지션 지역(15v)에서 도시되어 있다. 크리스탈 매스 센서(301)는 감지 위치에 있으며 유기물을 수용한다. 위 센서(301)는 센서 신호 공급 스루(sensor signal feed through)(401) 및 센서 신호 리드(410)를 통해 디포지션률 모니터(deposition rate monitor)(420)의 입력 단자(416)에 연결되어 있다. 모니터(420)는 센서 상의 요구되는 증기의 디포지션률, 즉 요구되는 매스의 형성속도(a desired rate of mass build-up)의 선택을 제공하며, 증착 프로세스를 모니터링하는 당업계에서 잘 알려진 바와 같이, 모니터는 크리스탈 매스 센서(301)를 가진 발진기 회로(도시 안함)를 구비하고 있다.
디포지션률 모니터(420)는 출력 신호를 출력 단자(422)에 제공하며, 이러한 모니터 출력 신호가 입력 단자(426)의 리드(424)를 거쳐 제어 장치 또는 증폭기(430)로의 입력 신호가 된다. 제어 장치나 증폭기(430)의 출력 단자(432)에서의 출력 신호는 리드(434)를 거쳐 기화 히터 전원 장치(440)의 입력 단자(436)로 연결된다. 기화 히터 전원 장치(440)는 각각의 리드(445, 448)를 통해 하우징(150H) 내에 배치되는 대응 급전 스루(446, 449)에 연결되는 두 개의 출력 단자(444, 447)를 구비하고 있다. 소스가 중간 위치에 있을 때 물결 모양의 점선으로 개략적으로 도시된 바와 같이, 기화 히터(40)는 전기 리드(41w, 43w)로 급전 스루(446, 449)에 연결된다.
따라서, 소스가 "대기"위치("P")(도 8 참조)에 있을 때, 바이어스 히터 온도 제어 신호는 바이어스 히터 전원 장치(520)를 제어하여 바이어스 히터의 제어된 바이어스 히터 온도를 제공하며, 증착률 제어 신호는 기화 히터 전원 장치(440)를 제어하여 기화 히터(40)의 제어된 온도에 이와 대응되는 컨테이너(30)에 수용된 유기물의 제어된 기화를 제공한다. 제어된 바이어스 히터 온도는 바이어스 히터를 가열시키지 않을 때 요구되는 기화 히터 온도와 비교해서 감소될 수 있는 제어된 기화 히터 온도를 선택하는 것을 가능하게 한다. 너무 높은 기화 히터 온도에서 부분적으로 분해되기 쉬운 컨테이너에 유기물이 수용될 때 이러한 제어된 바이어스히터 온도의 "온도 부가제" 효과가 유익하다는 것이 입증되었다.
전술한 제어 조건을 설정할 때, 도 8에서 상세히 볼 수 있는 바와 같이, 운송체(284)는 "대기"위치("P")에서 중간 위치("I")를 거쳐 종단 위치("II")로 전진 방향("F")으로 이동되는데, 소스는 역방향("R")으로 다시 종단 위치에서 중간 위치("I")를 거쳐 대기 위치("P")로 돌아온다.
소스가 전진 운동("F")하는 동안 유기 전자 이송 물질의 부분적인 층(15f)이 구조체(11) 위에 형성되고 있고, 후진 운동("R")하는 동안 완성된 유기 전자 이송층(ETL)(15)이 구조체(11)를 지나 제공되어 전술한 제어 신호가 다시 제공되는 소스의 "대기" 위치("P")로 복귀하도록, 증기 유출 슬릿 틈(42)과 기화 히터(40)는 디포지션 지역(15v)에서 바람직한 증기 유출을 제공하도록 선택된 거리 D만큼 구조체와 이격되어 있다.
열물리 증착 소스가 대기 위치에 있는 동안 구조체(11)는 로봇 수단(도시 안함)을 통해 챔버(150)에서 제거되며 버퍼 허브(102)를 통해 예를 들어 도 2의 OLED의 스테이션(160)으로 전진된다. 전술한 방법으로 유기 전자 이송층(15)의 증착을 위해 새로운 구조체가 챔버(150C)의 홀더나 마스크 프레임으로 전진된다.
매스 센서 어셈블리(300)는 로테이터 축(323)과 로테이터(325)에 의해 회전할 수 있는 센서 지지부(sensor support)(320)를 구비하고 있다. 로테이터(325)는 본 명세서에서 수동 로테이터(manual rotator)로 도시되어 있다. 로테이터(325)는 센서 지지부(320)를 선택적으로 회전시키는 모터일 수 있다는 것이 이해될 것이다. 센서 지지부(320) 위에 그리고 쉴드(shield)(329)에 의해 차폐되는 세정 위치 내에제 2 크리스탈 매스 센서(303)가 개략적으로 도시되어 있다. 세정 방사(cleaning radiation)는 세정 방사부(390R)에 의해 제동되며, 광학 파이버 번들(optical fiber bundle)일 수 있는 라이트 가이드(light guide)(392)를 통해 센서(303)에 안내된다.
감지 위치 내 재사용을 위한 센서의 세정에 대한 여러 가지 접근법은 물론, 여러 가지 다른 디포지션률 감지 요소 및 구성에 대해서는 본 명세서에서 참조 인용되는 Michael A. Marcus 등이 2001년 4월 20일 특허 출원한 출원 번호 09/839,886인 미국 특허 출원과, Steven A. Van Slyke 등이 2001년 4월 20일 특허 출원한 출원 번호 09/839,885인 미국 특허 출원에 개시되어 있다.
도 8을 참조하면, 도 2의 ETL 증착 스테이션(150)의 일부에 대한 정면도가 개략적으로 도시되어 있다. 도면의 시각적인 명확성 유지를 위해 광학 고온계(510), 바이어스 히터 전원 장치(520), 디포지션률 모니터(420), 제어 장치 또는 증폭기(430), 기화 히터 전원 장치(440) 및 세정 방사부(390R)는 도 8에서 생략되어 있다.
"대기" 위치("P"), 소스가 운동하는 동안의 중간 위치("I") 및 소스의 전진 운동("F")의 종단 위치이자 소스의 후진 운동("F")의 시작 위치("II")가 도시되어 있다. 바이어스 히터(20)와 연관되어 있는 연결 클램프(21c, 23c) 및 기화 히터(40)와 부착되어 있는 연결 클램프(41c, 43c)가 도시되어 있다(도 5 및 도 6 참조). (코일 모양의 아우트라인으로) 전기 리드(21w, 23w) 및 (물결 모양의 아우트라인으로) 전기 리드(41w, 43w)가 챔버(150C) 내 각 급전 스루(526, 529, 446,449)에서 종단된 상태로 도시되어 있다. 홀더 또는 마스크 프레임(151)은 도면에서 빠져 있다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 열물리 증착 소스 및 구조체(11) 간 상대적 운동은 홀더 또는 마스크 프레임(151) 내에 유지되는 단단히 고정 배치된 구조체에 대하여 소스를 이동시킴으로써 제공된다.
또한, 열물리 증착 소스 및 구조체(11) 간 상대적 운동은 적합하게 적용된 홀더 또한 마스크 프레임(151)(도시 안함)을 사용하는 리드 스크류를 통해 단단히 고정 배치된 소스에 대하여 구조체를 이동시킴으로써도 제공될 수도 있다. 위 후자의 경우 그 구성에 있어, 예컨데 크리스탈 매스 센서(301)와 같은 크리스탈 매스 센서에 의하여 디포지션 지역(15v)의 일부 내 증기 유출의 계속적인 감지를 위해 제공하기 위하여 매스 센서 어셈블리(300)가 소스에 대하여 단단히 고정 배치될 수 있다.
전술한 바와 같이, 도 2, 5, 6, 7 및 8은 단지 예시적인 목적을 위하여, 유기 전자 이송 물질 및 도 2의 OLED 장치(100)에 있어서의 목적을 위한 스테이션 내 구조체 상에 유기 전자 이송층을 형성시키는 것을 도시하고 있다. 본 발명에 따라 구성된 하나 이상의 소스를 이용하여 도핑된 또는 도핑되지 않은 유기 전자 이송층(15)이 마련될 수 있음을 이해할 것이다. 이와 마찬가지로, 도핑된 또는 도핑되지 않은 유기 발광층(14)이 형성될 수 있으며, 도핑된 또는 도핑되지 않은 유기 홀 이송층(13)이 도 2의 OLED 장치(100)의 각 전용 스테이션 내 구조체 위에 증착될 수 있다. 또한, 도핑된 또는 도핑되지 않은 유기 홀 주입층(도시 안함)이 구조체 위에 첫 번째 층으로 형성될 수 있다.
구조체 상에 도핑된 층을 제공하는 도판트(dopants)의 사용에 대해서는 예를 들어, 하나 이상의 도판트가 유기 발광층에 통합(incorporation)되어 발광 색의 시프트를 제공하는 위에서 참조한 미국 특허 4,769,292에 설명되어 있다. 그러한 선택된 색깔 변화는 다색(multi color) 또는 총 천연색(full color) 유기 발광 장치를 구성할 때 특히 바람직하다.
유기 홀 이송층과 관련하여 그리고/또는 유기 전자 이송층과 관련하여 이른바 색 중립 도판트(color-neutral dopants)가 작동 안정성이 강화되거나 작동 수명이 연장되거나 또는 전계 발광 효율이 강화된 유기 발광 장치를 제공하는 데에 효과적으로 이용될 수 있다. 그러한 색 중립 도판트와 유기 발광 장치에서 그러한 도판트의 이용에 대해서는 본 명세서에서 참조 인용되는 Tukaram K. Hatwar와 Ralph H. Young가 2001년 6월 6일 특허 출원한 출원 번호 09/875,646인 미국 특허 출원에 개시되어 있다.
적어도 두 개의 호스트 요소(host components)를 구비하는 균일하게 혼합된 유기 호스트 층(organic host layer)의 이용에 대해서는 본 명세서에서 참조 인용되는 Ralph H. Young 등이 2001년 1월 2일 특허 출원한 출원 번호 09/753,091인 미국 특허 출원에 개시되어 있다.
본 발명은 바람직한 실시예를 참조로 하여 상세히 설명되었지만, 본 발명의 범위 내에서 변형과 수정이 가능할 것이라고 이해될 것이다.
예컨데, 본 발명의 수정은 하나 이상의 유기 도판트를 도판트가 전기적으로절연된 컨테이너(30)에 파우더, 플레이크나 입자 형태로 또는 덩어리진 펠릿 형태로 수용되어 있는 구조체 위로 하나 이상의 유기 도판트를 증착하기 위한 열물리 증착 소스의 이용을 포함한다.
본 발명의 또 다른 수정은 균일하게 혼합된 유기 호스트 층을 유기 호스트 물질이 전기적으로 절연된 컨테이너(30)에 파우더, 플레이크나 입자 형태로 또는 덩어리진 펠릿 형태로 수용되어 있는 구조체 위로 균일하게 혼합된 유기 호스트 층을 증착하기 위한 열물리 증착 소스의 이용을 포함한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 유기물을 기화시키기에 부족한 바이어스 온도에서 유기물에서 반출되는 기체 또는 휘발성 성분이 방출될 수 있는 효과가 있다.
또한, 기화 히터를 컨테이너 내 고체 유기물을 기화시키기에 충분한 감소 및 제어 기화 히터 온도에 있게 하여 컨테이너 내 유기물의 일부가 잠재적으로 분해되는 것을 최소화할 수가 있다.
또한, 유기물에서 반출된 기체가 유기물을 기화시키기에 부족한 바이어스 온도에서 방출될 수 있다.
또한, 소스와 구조체 간 상대적인 운동에 의해 실질적으로 균일한 유기물층이 구조체의 표면에 제공될 수 있다.
아울러,기화될 고체 유기물을 수용하는 전기적으로 절연된 컨테이너가 공지의 효과적인 세정 공정에 의해 유기물의 찌꺼기를 즉시 세정될 수 있는 효과를 가지고 있다.

Claims (5)

  1. 유기 발광 장치(Organic Light-Emitting Device)를 형성하는 데 있어 고체 유기물을 기화시키고 기화된 유기물을 감압 상태에 있는 챔버 내 구조체의 표면에 하나의 층으로 도포시키는 열물리 증착 소스로서,
    (a)측벽(side walls)-상기 측벽은 높이가 HB임- 및 저벽(bottom wall)에 의해 정의되는 바이어스 히터(bias heater)와,
    (b)상기 바이어스 히터 내에 배치되는 전기적으로 절연된 컨테이너(container)-상기 컨테이너는 기화될 수 있는 고체 유기물을 수용하고, 측벽 및 저벽에 의해 정의되며, 상기 컨테이너 측벽은 높이가 상기 바이어스 히터 측벽의 높이(HB)보다 높은 HC임-와,
    (c)상기 컨테이너의 측벽 표면 상부에 배치되는 기화 히터(vaporation heater)-상기 기화 히터는 기화된 유기물이 슬릿 틈을 지나 상기 구조체의 표면으로 통과하게 하는 상기 컨테이너로 연장되어 있는 증기 유출 슬릿 틈(vapor effux slit aperture)을 정의함-와,
    (d)전위를 상기 바이어스 히터에 인가하여 바이어스 열(bias heat)-상기 바이어스열(bias heat)은 상기 고체 유기물이 기화되도록 하기에 부족한 바이어스 온도를 제공함-이 상기 컨테이너 내부의 상기 고체 유기물에 인가되도록 하는 수단과,
    (e)전위를 상기 기화 히터에 인가하여 기화된 유기물이 유출 슬릿 틈을 통해 상기 구조체로 튀어 나와 상기 구조체 위로 유기물층을 제공하도록 상기 고체 유기물의 최상부가 기화되게 하는 상기 컨테이너 내부의 상기 고체 유기물의 최상부에 기화열(vaporation heat)이 인가되도록 하는 수단 및
    (f)상기 증착 소스 및 상기 구조체 간 상대적인 운동을 공급하여 상기 구조체 위에 실질적으로 균일한 유기물층을 제공하는 수단
    을 포함하는 열물리 증착 소스.
  2. 유기 발광 장치(Organic Light-Emitting Device)를 형성하는 데 있어 고체 유기물을 기화시키고 기화된 유기물을 감압 상태에 있는 챔버 내의 구조체 표면에 하나의 층으로 도포시키는 열물리 증착 소스로서,
    (a)측벽(side walls)-상기 측벽은 높이가 HB임- 및 저벽(bottom wall)에 의해 정의되는 바이어스 히터(bias heater)와,
    (b)상기 바이어스 히터 내에 배치되는 전기적으로 절연된 컨테이너(container)-상기 컨테이너는 기화될 수 있는 고체 유기물을 수용하고, 측벽 및 저벽에 의해 정의되며, 상기 컨테이너 측벽은 높이가 상기 바이어스 히터 측벽의 높이(HB)보다 높은 HC임-와,
    (c)상기 컨테이너의 측벽 표면 상부에 배치되는 기화 히터(vaporationheater)-상기 기화 히터는 기화된 유기물이 슬릿 틈을 지나 상기 구조체의 표면으로 통과하게 하는 상기 컨테이너로 연장되어 있는 증기 유출 슬릿 틈(vapor effux slit aperture)을 정의함-와,
    (d)바이어스 히터 온도 측정 장치(temperature-measuring device)에 의해 제공되는 제어 신호에 대한 응답으로 전위를 상기 바이어스 히터에 제어 가능하게 인가하여 제어된 바이어스열-상기 제어된 바이어스열은 상기 고체 유기물이 기화되도록 하기에 부족한 바이어스 온도를 제공함-이 상기 컨테이너 내부의 상기 고체 유기물에 인가되도록 하는 수단과,
    (e)디포지션률 측정 장치(deposition rate-measuring device)에 의해 제공되는 제어 신호에 대한 응답으로 전위를 상기 기화 히터에 제어 가능하게 인가하여 기화된 유기물이 유출 슬릿 틈을 통해 상기 구조체로 튀어 나와 상기 구조체 위로 유기물층을 제공하도록 상기 고체 유기물의 최상부가 제어 가능하게 기화되게 하는 상기 컨테이너 내부의 상기 고체 유기물의 최상부에 제어된 기화열이 인가되도록 하는 수단 및
    (f)상기 증착 소스 및 상기 구조체 간 상대적인 운동을 공급하여 상기 구조체 위에 실질적으로 균일한 유기물층을 제공하는 수단
    을 포함하는 열물리 증착 소스.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 컨테이너에 수용되는 상기 고체 유기물은 도핑된 또는 도핑되지 않은 홀 주입 물질(hole-injecting material), 도핑된 또는 도핑되지 않은 홀 이송 물질(hole-transporting material), 도핑된 또는 도핑되지 않은 유기 발광 물질 또는 도핑된 또는 도핑되지 않은 전자 이송 물질(electron-transporting material)을 포함하는 열물리 증착 소스.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전기적으로 절연된 절연 컨테이너는 석영 또는 세라믹 물질로 구성되어 있는 열물리 증착 소스.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 컨테이너에 수용되는 상기 고체 유기물은 파우더(powder), 플레이크(flake) 또는 분진(particulates)을 포함하고, 상기 기화 히터는 상기 기화 히터에 연결되고 그로부터 상기 컨테이너 방향으로 이격되어 있는 배플 부재(baffle member)-상기 배플 부재는 상기 기화 유출 슬릿 틈을 통해 파우더, 플레이크 또는 분진의 주입을 실질적으로 제공하고 기화된 유기물이 상기 슬릿 틈을 통과하도록 하게 함-를 더 구비하는 열물리 증착 소스.
KR1020020074870A 2001-11-28 2002-11-28 열물리 증착 소스 KR20030043775A (ko)

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CN (1) CN1422976A (ko)
TW (1) TW574391B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9960041B2 (en) 2015-04-10 2018-05-01 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus

Families Citing this family (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW490714B (en) 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US20020011205A1 (en) 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
SG113448A1 (en) * 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
WO2003079420A1 (en) * 2002-03-19 2003-09-25 Innovex. Inc. Evaporation source for deposition process and insulation fixing plate, and heating wire winding plate and method for fixing heating wire
US7309269B2 (en) * 2002-04-15 2007-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
TWI336905B (en) * 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
US20030221620A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
US20040007183A1 (en) * 2002-07-11 2004-01-15 Ulvac, Inc. Apparatus and method for the formation of thin films
EP1382713B1 (en) * 2002-07-19 2006-05-17 Lg Electronics Inc. Source for thermal physical vapour deposition of organic electroluminescent layers
KR100490537B1 (ko) * 2002-07-23 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 가열용기와 이를 이용한 증착장치
US20040040504A1 (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US20040123804A1 (en) 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
JP2004353082A (ja) * 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置
JP2004353084A (ja) * 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置の固定部材
JP4447256B2 (ja) * 2003-06-27 2010-04-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6837939B1 (en) * 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
US20050022743A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation container and vapor deposition apparatus
US6893939B1 (en) * 2004-02-25 2005-05-17 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source with minimized internal condensation effects
US7364772B2 (en) * 2004-03-22 2008-04-29 Eastman Kodak Company Method for coating an organic layer onto a substrate in a vacuum chamber
US20050241585A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Eastman Kodak Company System for vaporizing materials onto a substrate surface
DE102005010930A1 (de) * 2004-11-10 2006-05-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zum Aufdampfen eines Beschichtungsmaterials
KR20060060994A (ko) * 2004-12-01 2006-06-07 삼성에스디아이 주식회사 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치
US7166169B2 (en) 2005-01-11 2007-01-23 Eastman Kodak Company Vaporization source with baffle
JP2006225757A (ja) * 2005-01-21 2006-08-31 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸着装置
JP4440837B2 (ja) * 2005-01-31 2010-03-24 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸発源及びこれを採用した蒸着装置
JP4317174B2 (ja) * 2005-09-21 2009-08-19 東京エレクトロン株式会社 原料供給装置および成膜装置
US20070178225A1 (en) * 2005-12-14 2007-08-02 Keiji Takanosu Vapor deposition crucible, thin-film forming apparatus comprising the same, and method of producing display device
EP1862788A1 (en) * 2006-06-03 2007-12-05 Applied Materials GmbH & Co. KG Evaporator for organic material, coating installation, and method for use thereof
US20090317547A1 (en) * 2008-06-18 2009-12-24 Honeywell International Inc. Chemical vapor deposition systems and methods for coating a substrate
CN102414339A (zh) * 2009-04-24 2012-04-11 东京毅力科创株式会社 蒸镀处理装置和蒸镀处理方法
JP5620146B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-05 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
TWI475124B (zh) * 2009-05-22 2015-03-01 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
US8882920B2 (en) * 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) * 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9174250B2 (en) 2009-06-09 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
US8802200B2 (en) 2009-06-09 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
KR101074792B1 (ko) * 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101097311B1 (ko) * 2009-06-24 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) * 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117720B1 (ko) * 2009-06-25 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법
JP4782219B2 (ja) * 2009-07-02 2011-09-28 三菱重工業株式会社 真空蒸着装置
KR20110014442A (ko) * 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101127575B1 (ko) * 2009-08-10 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
US20110033621A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including deposition blade
KR101127578B1 (ko) * 2009-08-24 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP5676175B2 (ja) 2009-08-24 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8486737B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) * 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
JP5611718B2 (ja) * 2009-08-27 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101146982B1 (ko) 2009-11-20 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법
KR101084184B1 (ko) * 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) * 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) * 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US20110195187A1 (en) * 2010-02-10 2011-08-11 Apple Inc. Direct liquid vaporization for oleophobic coatings
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101673017B1 (ko) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR20120029166A (ko) 2010-09-16 2012-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101678056B1 (ko) 2010-09-16 2016-11-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101923174B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101857992B1 (ko) 2011-05-25 2018-05-16 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
US8715779B2 (en) 2011-06-24 2014-05-06 Apple Inc. Enhanced glass impact durability through application of thin films
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR20130010730A (ko) 2011-07-19 2013-01-29 삼성디스플레이 주식회사 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치
KR20130015144A (ko) 2011-08-02 2013-02-13 삼성디스플레이 주식회사 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
KR20130069037A (ko) 2011-12-16 2013-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
US20130269613A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for generating and delivering a process gas for processing a substrate
KR102015872B1 (ko) 2012-06-22 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
US9496524B2 (en) 2012-07-10 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
KR102013315B1 (ko) 2012-07-10 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101959974B1 (ko) 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101632298B1 (ko) 2012-07-16 2016-06-22 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조방법
KR20140013471A (ko) * 2012-07-24 2014-02-05 주식회사 쎄코 진공증착용 발열조립체 및 이를 구비하는 진공증착장치
KR102013318B1 (ko) 2012-09-20 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101994838B1 (ko) 2012-09-24 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140050994A (ko) 2012-10-22 2014-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102052069B1 (ko) 2012-11-09 2019-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR102075525B1 (ko) 2013-03-20 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140118551A (ko) 2013-03-29 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102037376B1 (ko) 2013-04-18 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트, 이를 구비하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102081284B1 (ko) 2013-04-18 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102107104B1 (ko) 2013-06-17 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102108361B1 (ko) 2013-06-24 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102162797B1 (ko) 2013-12-23 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9960041B2 (en) 2015-04-10 2018-05-01 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus
US10431461B2 (en) 2015-04-10 2019-10-01 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN1422976A (zh) 2003-06-11
TW574391B (en) 2004-02-01
EP1316625A1 (en) 2003-06-04
US20030101937A1 (en) 2003-06-05
JP2003229257A (ja) 2003-08-15

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