TWI453800B - 用於製造顯示裝置之設備 - Google Patents

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TWI453800B
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Description

用於製造顯示裝置之設備
本發明係關於用於顯示裝置之設備,且更特定言之係關於具有一氣體注入器之設備。
在當今資訊時代,具有易攜帶性及低功率消耗性之平板顯示(FPD)裝置已成為漸增之研究之一目標。在不同類型FPD裝置中,由於其高的解析度、顯示彩色影像之能力且高品質影像顯示,液晶顯示(LCD)裝置一般用於筆記型及桌上型電腦。然而,LCD裝置不是一發射類型而是一非發射類型的。因此,LCD裝置在亮度、對比度、視角及尺寸放大方面具有限制。
為克服LCD裝置之限制,已研究出有機電致發光顯示(OELD)裝置。由於OELD裝置為發射類型,對比於LCD裝置視角及對比度係經改良。此外,由於不需要背光單元,OELD裝置具有易攜帶性及低功率消耗性。特定言之,OELD可以以低成本及簡單方法製造;尤其由於對比於LCD裝置或電漿顯示平板(PDP)裝置,OELD裝置之製造方法非常簡單,因此對於製造OELD裝置僅需要沉積及封裝設備。
圖1係一示意的橫截面圖,其展示根據相關技術之一有機電致發光顯示裝置。在圖1中,一有機電致發光顯示裝置10包括一陽極11、一陰極15、及一位於該陽極11與該陰極15之間之發射層13。一電洞傳輸層12形成於該陽極11與該發射層13之間,且一電子傳輸層14形成於該陰極15與該發射層13之間。該電洞傳輸層12、該發射層13及該電子傳輸層14可由一有機材料形成。此外,該陽極11可由氧化銦錫(ITO)形成且該陰極15可由鋁(Al)形成。
當電壓施加於陽極11及陰極15,電洞經由電洞傳輸層12自陽極11注入發射層13且電子經由電子傳輸層14自陰極15注入發射層13。電洞及電子在發射層13重組以產生激子。激子自激發狀態躍遷至基態因此光可自發射層13照射出來以顯示影像。發射層可包括在各自像素區發出紅色、綠色及藍色光之有機材料。例如,該等有機材料可選自Alq3、CuPc、TDP及NPB其中之一。此外,加入摻雜物至該等有機材料中以顯示不同顏色。例如,對於紅色可加入DCJTB。同樣地,對於綠色可加入香豆素衍生物或喹吖定酮衍生物,且對於藍色可加入DPA。
包含有機材料之層可使用蒸鍍來形成。因此,在固體狀態之源有機材料經蒸發且該經蒸發之源有機材料沉積在一基板上。一具有一圖案之遮蔽罩可安置在該基板之上且透過該遮蔽罩該基板可部分地曝露。
圖2A至圖2C係示意的橫截面圖,其展示根據相關技術之用於形成一有機材料薄膜之蒸鍍設備。在圖2A中,一基座22及一點蒸鍍源24a分別在一蒸鍍設備20之一室21之一上部及一下部安置。一基板"S"附著在該基座22之一底面上且一具有開口圖案之遮蔽罩23安置在該基板與該點蒸鍍源24a之間。該遮蔽罩23可鄰近該基板"S"安置。源有機材料在該點蒸鍍源24a中蒸發且該蒸發之源有機材料透過該遮蔽罩23之開口圖案沉積在該基板"S"上。例如,一藉由一熱金屬絲加熱的瓷坩堝可用作點蒸鍍源24a。為改良一形成於該基板"S"上之薄膜的均一性,該基板"S"遠離該點蒸鍍源24a安置因此該蒸鍍之有機材料可充分散佈。此外,具有基板"S"之基座22可圍繞一旋轉軸25而旋轉。
在圖2B中,一基座22及一線路蒸鍍源24b分別安置在一蒸鍍設備20之室21之上部及下部。線路蒸鍍源24b沿一轉移線路26水平地移動且其具有一垂直於該轉移線路26之棒形狀。一基板"S"附著在該基座22之一底面上且一具有開口圖案之遮蔽罩23安置在該基板與該線路蒸鍍源24b之間。由於該線路蒸鍍源24b移動,該基板"S"可不旋轉。該遮蔽罩23可鄰近該基板"S"安置。源有機材料在該線路蒸鍍源24b中蒸發且該蒸發之源有機材料透過該遮蔽罩23之開口圖案沉積在該基板"S"上。
在圖2C中,一基座22及一線路注入器27分別安置在一蒸鍍設備20之室21之下部及上部。有機材料在室21以外之外部蒸鍍源30中蒸發且供應至該線路注入器27。載氣經由一載氣入口33供應至該外部蒸鍍源30以運載蒸發之有機材料。因此,在該外部蒸鍍源30中混合之蒸發之有機材料與載氣經由一源氣體入口32供應至該線路注入器27,一基板"S"安置在一基座22上,且一具有開口圖案之遮蔽罩23安置在該線路注入器27及該基板"S"之間。此外,該線路注入器27沿一轉移線路28水平地移動且其具有一垂直於該轉移線路28之棒形狀。
因此,在室21中之線路注入器27將在室21外部蒸發之有機材料透過該遮蔽罩23之開口圖案噴塗在該基板"S"上。當線路注入器27沿轉移線路28移動時,藉由源氣體入口32連接至線路注入器27之外部蒸鍍源30沿外部轉移線路31移動。一波紋管形成於室21與源氣體入口32之間之邊界區域以便密封。
然而,在根據相關技術之蒸鍍設備中存在幾個缺點。為獲得圖2A之蒸鍍設備中薄膜之較高的均一性,室21應當保持在一高真空狀態以提高有機材料之蒸發壓力。此外,基板"S"與點蒸鍍源24a之間之距離應當最大。因此,有機材料之效率很低,且基板尺寸增加時薄膜之均一性降低。而且,由於遮蔽罩23安置在基板"S"下方,該遮蔽罩23可變彎曲。此外,當基板"S"尺寸增加時,圖2B之蒸鍍設備中之線路蒸鍍源24b伸長。因此,有機材料之數量亦增加。此外,由於基板"S"與線路蒸鍍源24b之間之距離為了較高的均一性而應當最大,有機材料之效率降低。另外,由於遮蔽罩23安置在基板"S"下方,該遮蔽罩23可如圖2A中一樣變彎曲。在圖2C之蒸鍍設備中,因為該遮蔽罩23安置在基板"S"上,所以避免了遮蔽罩23之彎曲。然而,當該基板尺寸增加時,蒸發之有機材料藉以供應至線路注入器27之源氣體入口32延長。此外,由於外部蒸鍍源30對應於線路注入器27而移動,該蒸鍍設備之佔地面積增加。另外,因為欲避免蒸發之有機材料在轉移過程中之重新凝結,源氣體入口應當保持在高溫狀態,例如100℃至500℃,所以蒸鍍設備變得複雜。該等上述缺點不限於一使用有機材料之蒸鍍設備而可發生於一蒸鍍用於顯示裝置之源材料之設備。
因此,本發明係針對一用於製造一顯示裝置之設備,該設備大體上消除歸因於相關技術之限制及缺點的一個或多個問題。
本發明之一目的為提供一以最小佔地面積而具有較高均一性之薄膜的設備。
本發明之另外特徵及優點將在以下描述中闡述,且部分地將在描述中顯而易見,或可藉由本發明之實踐而理解。本發明之目的及其它優點將藉由書面描述及關於此之申請專利範圍以及附圖中所特別指出之結構而實現與達成。
為達到此等及其它優點且根據本發明之用途,如所實施及廣泛地描述者,一用於形成一薄膜之設備包括:一室;一在該室中之基座;一在該基座上方之氣體注入器,該氣體注入器具有複數個注入孔;一連接至該氣體注入器之軸,該軸具有一連接至該等複數個注入孔之流道;及一蒸發源材料及為該氣體注入器供應蒸發之源材料的蒸鍍源。
在另一態樣中,一用於形成一薄膜之設備包括:一室;一在該室中之基座;一在該基座上方之氣體注入器,該氣體注入器具有複數個注入孔;一連接至該氣體注入器之軸,該軸具有一連接至該等複數個注入孔之流道;蒸發源材料及為該氣體注入器供應蒸發之源材料的複數個蒸鍍源;及一為該流道供應源材料之源材料供應器。
應瞭解,上述之一般描述及下述之詳細描述兩者係例示性及說明性的,且係用以提供所主張之本發明之進一步解釋。
現詳細參考較佳實施例,其實例在附圖中說明。
因為本發明係關於一電漿設備,例如一電漿增強之化學氣相沉積(PECVD)設備及一蝕刻器,在該電漿設備中,處理氣體在一室中激發至電漿狀態且接觸一基板,所以該電漿設備可為一用於一液晶顯示(LCD)裝置或一半導體裝置之製造設備。此外,該基板可為一用於一LCD裝置之玻璃基板或一用於一半導體裝置之晶圓。
圖3係一示意的橫截面圖,展示根據本發明之一實施例之用於形成一有機材料薄膜之蒸鍍設備。
在圖3中,一基座111及一氣體注入器113分別安置在一蒸鍍設備100之一室110之下部及上部。該氣體注入器113連接至一安置在該室110之中央頂部之旋轉軸121上,且一蒸鍍源140安置在該旋轉軸121中。此外,有機材料在該蒸鍍源140中蒸發且該蒸發之有機材料供應至該氣體注入器113。一載氣入口127連接至該旋轉軸121之上部且該氣體注入器113連接至該旋轉軸121之下部。一流道124及一延伸槽128形成於該旋轉軸121中,且來自一載氣供應器150之載氣經過該流道124。該延伸腔128連接至該流道124且其直徑大於該流道124之直徑以便容納蒸鍍源140。另外,該延伸槽128連接至該氣體注入器113之內部空間。
旋轉軸121藉由一旋轉單元(未圖示)而旋轉。因為氣體注入器113隨著旋轉軸121而旋轉且將蒸發之有機材料噴塗在基板"S"上,所以一薄膜得以均勻地形成。而且,由於該旋轉軸121係連接至室110中之氣體注入器113上,因此為了自外部環境密閉,形成一外殼120以包圍該旋轉軸121。為達成真空密封,一磁性密封物123形成於該固定外殼120與該移動之旋轉軸121之間。該磁性密封物係一使用磁性流體以密封一旋轉軸之構件。當該磁性密封物123經熱劣化或藉由有機材料氧化時,該磁性密封物123之密封能力陡然降低。因此,一淨化氣體入口125連接至該外殼120,且藉由經由該淨化氣體入口125注入之淨化氣體而防止有機材料向該磁性密封物123之散佈。該等淨化氣體包括氮(N2 )、氬(Ar)及其它惰性氣體。另外,由於在溫度超過150℃時該磁性密封物123之密封能力陡然降低,故一冷卻構件(未圖示)連接至該外殼120以冷卻該磁性密封物123。雖然圖3中未展示,但是由於移動之旋轉軸121連接至固定之載氣入口127,一額外磁性密封物形成於該旋轉軸121與該載氣入口127之間以達成真空密封。
氣體注入器113具有一在其底面含有複數個注入孔114之管形狀。圖4係一沿圖3之"IV-IV"線而截取的橫截面圖。雖然該氣體注入器113具有如圖4中之矩形橫截面形狀,但是在另一實施例中該氣體注入器113可具有一圓形或一多角形之橫截面形狀。此外,在另一實施例中該氣體注入器113可具有一在其底面含有複數個注入孔114之盤形狀。
再次參看圖3,為補償注入壓力,注入孔114之密集度隨自該氣體注入器113中心之距離而變化。由於隨著遠離該氣體注入器113之中心,注入壓力降低,所以注入孔114之密集度在該氣體注入器113之中心具有一最小值,且隨著遠離該氣體注入器113之中心而逐漸地增加。
圖5A及圖5B係透視圖,展示根據本發明之一實施例之一用於形成一有機材料薄膜之蒸鍍設備的氣體注入器。在圖5A中,氣體注入器113具有一棒型之管形狀且在圖5B中具有一包括第一及第二棒型注入器113a及113b之十字交叉型之管形狀。此外,在另一實施例中該氣體注入器可包括三個以上棒型注入器,或可具有一含有一內槽之盤形狀。在所有實施例中,該氣體注入器包括複數個注入孔,且注入孔之密集度在該氣體注入器之中心具有一最小值且隨著遠離該氣體注入器之中心而逐漸地增加。另外,當可獲得一均勻薄膜時盤形狀之氣體注入器可不旋轉。
再次參看圖3,為防止蒸發之有機材料重新凝結且最小化歸因於載氣之有機材料之溫度變化,一加熱器130可形成於該氣體注入器113中。該加熱器130可將蒸發之有機材料加熱至與蒸鍍源140相同之溫度。藉由加熱器130之加熱溫度可藉由有機材料之性質而定。例如,該加熱器可在約100℃至約600℃之範圍內加熱。經由在旋轉軸121中之一第一電力線122a對加熱器130供應電力。一具有例如一熱金屬絲之內部加熱器(未圖示)之瓷坩堝可用作蒸鍍源140。根據有機材料之性質該蒸鍍源140加熱至一預定溫度。例如,該蒸鍍源140可加熱至一約500℃至約600℃之範圍。經由在旋轉軸121中之該第一電力線122a對該內部加熱器供應電力。該第一電力線122a可為連接至該加熱器130及該蒸鍍源140之每一者的單一線路或多重線路。雖然圖3中未展示,但是可藉由一例如熱電偶之溫度感測單元量測該加熱器130及該蒸鍍源140之溫度。該溫度感測單元可如同第一電力線122a一樣形成於旋轉軸121中且連接至一外部電源。
由於該第一電力線122a隨著旋轉軸121旋轉,一例如一滑環160之連接構件用於連接該旋轉之第一電力線122a及一固定之第二電力線122b。該第二電力線122b連接至該外部電源。該滑環160可用作一在一旋轉軸與一固定軸之間或旋轉軸之間之電連接。圖6係一示意的放大圖,展示圖3中之"A"部分。在圖6中,該滑環160包括一旋轉軸連接構件162、一固定軸連接構件161及一軸承163。該第一電力線122a組合至連接至一旋轉軸之旋轉軸連接構件162,且該第二電力線122b組合至連接至一固定軸之固定軸連接構件161。經由其中間之該軸承163,該旋轉軸連接構件162與該固定軸連接構件161彼此聯繫。該旋轉軸連接構件162包括一接觸第一電力線122a之第一接觸面164,且該固定軸連接構件161包括一接觸第二電力線122b之第二接觸面165。該第一及第二接觸面164及165可具有一環形狀。一具有彈性之接觸端子167安置在該第一及第二接觸面164及165之間。例如,一彈簧可用作該接觸端子167。因此,即使當該旋轉軸連接構件162旋轉時該第一及第二接觸面164及165仍然彼此電連接。結果為,當旋轉軸121旋轉時該第一及第二電力線122a及122b持續連接。
再次參看圖3,一擋板116安置在氣體注入器113及基座111之間以在一薄膜形成過程之後遮擋注入之有機材料。因此,當一薄膜形成於基板"S"上時該擋板116係開放的,且接著在該基板"S"裝載/卸載時該擋板116係關閉的。雖然圖3中之旋轉軸121包括一單個蒸鍍源140及一單個加熱器130,在另一實施例中至少兩個蒸鍍源及至少兩個加熱器可形成於該旋轉軸中。該等至少兩個蒸鍍源可彼此分開安置且可分別連接至至少兩個氣體注入器。
在下文中將說明使用圖3之蒸鍍設備形成一薄膜之方法。當基板"S"裝載在基座111上以後,具有開口圖案之遮蔽罩112排列在該基板"S"上方,對加熱器130及蒸鍍源140供應電力以獲得一預定溫度。位於氣體注入器113及基座111之間之一擋板116在裝載該基板"S"且供應電力時關閉以遮擋有機材料。藉由一真空泵(未圖示)抽空室110而獲得高真空狀態之後,該擋板116開放,且旋轉軸121及氣體注入器113旋轉。藉由加熱器130對經由載氣入口127供應之載氣加熱,且該載氣運載在蒸鍍源140中蒸發之有機材料至氣體注入器113中。該載氣及蒸發之有機材料在該氣體注入器113之氣體散佈區115中散佈且經由複數個注入孔114噴塗。該噴塗之有機材料透過遮蔽罩112之開口圖案沉積在基板"S"上,形成一有機材料之薄膜圖案。
當獲得具有一預定厚度之薄膜圖案時,擋板116關閉以遮擋噴塗之有機材料且旋轉軸121停止旋轉。載氣量增加以降低室110之壓力。因此,有機材料之蒸發壓力降低以減少有機材料之蒸發量。為提供大量載氣,可形成額外載氣儲集器。在遮蔽罩112自基板"S"移除之後,該基板"S"卸載且自室110移出。
圖7係一示意的橫截面圖,展示根據本發明之另一實施例之用於形成一有機材料薄膜的蒸鍍設備。由於圖7之蒸鍍設備類似於圖3之蒸鍍設備,將省略有關相同部分之說明。
在圖7中,為了將對一磁性密封物123之熱傳遞減到最小,一加熱器130及一蒸鍍源140形成於一氣體注入器113中。該連接至一旋轉軸121之氣體注入器113包括一容納區129,且該加熱器130及該蒸鍍源140安置在該容納區129中。該容納區129自該氣體注入器113之中央頂部表面突出,且連接至該旋轉軸121。因此,該旋轉軸121包括一流道124,且與圖3之蒸鍍設備相反,在該旋轉軸121中無一延伸槽形成。在圖3中一冷卻構件形成以保護該磁性密封物免於該加熱器及該蒸鍍源之熱。然而在圖7中,由於該加熱器130及該蒸鍍源140形成於遠離該磁性密封物123之該氣體注入器121中,一用於該磁性密封物123之額外冷卻構件可省掉。
在圖3及圖7之蒸鍍設備中,藉由加熱器130對載氣預熱,且該載氣運載在蒸鍍源140中蒸發之有機材料至氣體注入器113中。該氣體注入器噴塗蒸發之有機材料。在另一實施例中,可自外部將粉末狀有機材料供應於室且接著該粉末狀有機材料可在該氣體注入器中蒸發。
圖8係一示意的橫截面圖,展示根據本發明之另一實施例之用於形成一有機薄膜的蒸鍍設備;在圖8中,一氣體注入器113連接至一旋轉軸121。一流道124形成於該旋轉軸121中。第一及第二蒸鍍源180及190形成於該氣體注入器113中,將該氣體注入器113之內部空間水平地分隔。來自一載氣供應器之載氣及來自一有機材料粉末供應器之粉末狀有機材料經由該旋轉軸121之流道124共同供應至該氣體注入器113。該第一及第二蒸鍍源180及190具有一內部加熱器(未圖示)且一電力經由該旋轉軸121中之一第一電力線122a供應至該內部加熱器。藉由該氣體注入器113中之該第一及該第二蒸鍍源180及190散佈及蒸發該粉末狀有機材料。
圖9A及9B係示意的平面圖,分別展示根據本發明之另一實施例之用於形成一有機材料薄膜之蒸鍍設備的第一及第二蒸鍍源;在圖9A及9B中,第一及第二蒸鍍源180及190之每一個接觸該氣體注入器113之內側壁以防止有機材料經由蒸鍍源與該側壁之間之間隙通過。因此,該第一及第二蒸鍍源180及190之每一個緊密地、無間隙地接觸該氣體注入器113之側壁。此外,該第一蒸鍍源180在一邊界區含有複數個第一通孔181,且該第二蒸鍍源190在一中心區含有複數個第二通孔191以延長一粉末狀有機材料之流道。由於旋轉軸121連接至該氣體注入器113之中央頂面,粉末狀有機材料在該第一蒸鍍源180上方供應至一中心區,然後,在該中心區之粉末狀有機材料向在邊界區之該等複數個第一通孔181散佈,且接著向在中心區之該等複數個第二通孔191散佈。藉由該第一及第二蒸鍍源180及190蒸發該粉末狀有機材料。因此,由於粉末狀有機材料具有一更長之流道,粉末狀有機材料可更完全地蒸發。該粉末狀有機材料之流道延長,且藉由交替地安置旋轉軸121、第一通孔181及第二通孔191而獲得粉末狀有機材料之充分的蒸發。雖然在圖9A及9B中展示兩個圓形第一通孔及一個圓形第二通孔,但是在另一實施例中可形成複數個第一通孔及複數個第二通孔。此外,在另一實施例中該等通孔可具有一多角形之形狀。
有機材料供應器170(見圖10)可包括一均勻地供應粉末狀有機材料之螺絲。圖10係一示意的橫截面圖,展示根據本發明之另一實施例之用於形成一有機薄膜之蒸鍍設備的有機材料供應器。在圖10中,該有機材料供應器170包括一儲集罐171、一有機粉末入口174及一螺絲173。該螺絲173形成於該儲集罐171中且藉由一在該儲集罐171外的螺絲旋轉構件172驅動。該有機粉末入口174連接至載氣入口127(見圖3)。藉由該螺絲173之一旋轉精確地調整粉末狀有 機材料之數量。因此,粉末狀有機材料係藉由以一恆定速度旋轉該螺絲173而均勻地供應。此外,一補充罐175可連接至該儲集罐171以持續供應粉末狀有機材料。可藉由一感應器自動補充該儲集罐171。
下文將說明使用圖8之蒸鍍設備形成一有機薄膜之方法。當基板"S"裝載在基座111上以後,具有開口圖案之遮蔽罩112排列在該基板"S"上方。對第一及第二蒸鍍源180及190供應電力以獲得一預定溫度。位於氣體注入器113及基座111之間之一擋板(未圖示)在裝載該基板"S"且供應電力時關閉以遮擋有機材料。藉由一真空泵(未圖示)抽空室110而獲得高真空狀態之後,該擋板116開放,且旋轉軸121及氣體注入器113旋轉。有機材料粉末供應器170之螺絲旋轉構件172驅動螺絲173,且藉由該螺絲173之旋轉經由有機粉末入口174供應粉末狀有機材料。通過該有機粉末入口174之該粉末狀有機材料與載氣組合。藉由載氣該粉末狀有機材料經由在旋轉軸121中之流道124轉移至氣體注入器113。粉末狀有機材料係藉由第一及第二蒸鍍源180及190蒸發,且蒸發之有機材料經由該等複數個第一及第二通孔181及191噴塗。該噴塗之有機材料透過遮蔽罩112之開口圖案沉積在基板"S"上,形成一有機材料之薄膜圖案。
當獲得具有一預定厚度之薄膜圖案時,擋板關閉以遮擋噴塗之有機材料且旋轉軸121停止旋轉。載氣量增加以降低室110之壓力。因此,有機材料之蒸發壓力降低以減少有機材料之蒸發量。為提供大量載氣,可形成額外載氣儲集器。在遮蔽罩112自基板"S"移除之後,該基板"S"卸載且自室110移出。由於粉末狀有機材料之數量係精確調整的,可省略大量載氣之注入及擋板之關閉。
在本發明中,因為基座安置在室之下部,所以防止遮蔽罩之彎曲。此外,由於在室中蒸發之有機材料係使用旋轉之氣體注入器而噴塗,故該蒸鍍設備之佔地面積減少且有機薄膜之均一性得以改良。
在不偏離本發明之精神或範疇的情況下,可在具有一氣體注入器之設備中進行不同修改或變化,此對於熟悉此項技術者將係顯而易見的。因而,希望本發明涵蓋此發明之各種修改及變化,其限制條件為該等修改及變化在所附申請專利範圍及其均等物之範疇內。
10...有機電致發光顯示裝置
11...陽極
12...電洞傳輸層
13...發射層
14...電子傳輸層
15...陰極
20...蒸鍍設備
21...室
22...基座
23...遮蔽罩
24a...點蒸鍍源
24b...線路蒸鍍源
25...旋轉軸
26...轉移線路
27‧‧‧線路注入器
28‧‧‧轉移線路
30‧‧‧外部蒸鍍源
31‧‧‧外部轉移線路
32‧‧‧源氣體入口
33‧‧‧載氣入口
100‧‧‧蒸鍍設備
110‧‧‧室
111‧‧‧基座
112‧‧‧遮蔽罩
113‧‧‧氣體注入器
113a‧‧‧第一棒型氣體注入器
113b‧‧‧第二棒型氣體注入器
114‧‧‧注入孔
115‧‧‧氣體散佈區
116‧‧‧擋板
120‧‧‧固定外殼
121‧‧‧旋轉軸
122a‧‧‧第一電力線
122b‧‧‧第二電力線
123‧‧‧磁性密封物
124‧‧‧流道
125‧‧‧淨化氣體入口
127‧‧‧載氣入口
128‧‧‧延伸槽
129‧‧‧容納區
130‧‧‧加熱器
140‧‧‧蒸鍍源
150‧‧‧載氣供應器
160‧‧‧滑環
161‧‧‧固定軸連接構件
162‧‧‧旋轉軸連接構件
163‧‧‧軸承
164‧‧‧第一接觸面
165‧‧‧第二接觸面
167‧‧‧接觸端子
170‧‧‧有機材料供應器
171‧‧‧儲集罐
172‧‧‧螺絲旋轉構件
173‧‧‧螺絲
174‧‧‧有機粉末入口
175‧‧‧補充罐
180‧‧‧第一蒸鍍源
181‧‧‧第一通孔
190‧‧‧第二蒸鍍源
191‧‧‧第二通孔
"S"‧‧‧基板
圖1係一示意的橫截面圖,展示一根據相關技術之有機電致發光顯示裝置;圖2A至圖2C係示意的橫截面圖,展示根據相關技術之用於形成一有機材料薄膜之蒸鍍設備;圖3係一示意的橫截面圖,展示根據本發明之一實施例之用於形成一有機材料薄膜之蒸鍍設備;圖4係一沿圖3之"IV-IV"線而截取的橫截面圖;圖5A及圖5B係透視圖,展示根據本發明之一實施例之用於形成一有機材料薄膜之蒸鍍設備的氣體注入器;圖6係一示意的放大圖,展示圖3中之"A"部分;圖7係一示意的橫截面圖,展示根據本發明之另一實施例之用於形成一有機材料薄膜的蒸鍍設備;圖8係一示意的橫截面圖,展示根據本發明之另一實施例之用於形成一有機薄膜的蒸鍍設備;圖9A及9B係示意的平面圖,分別展示根據本發明之另一實施例之用於形成一有機材料薄膜之蒸鍍設備的第一及第二蒸鍍源;圖10係一示意的橫截面圖,展示根據本發明之另一實施例之用於形成一有機薄膜之蒸鍍設備的有機材料供應器。
100...蒸鍍設備
110...室
111...基座
112...遮蔽罩
113...氣體注入器
114...注入孔
115...氣體散佈區
116...擋板
120...固定外殼
121...旋轉軸
122a...第一電力線
122b...第二電力線
123...磁性密封物
124...流道
125...淨化氣體入口
127...載氣入口
128...延伸槽
130...加熱器
140...蒸鍍源
150...載氣供應器
160...滑環
S...基板

Claims (19)

  1. 一種形成一薄膜之設備,包括:一室;一在該室中之基座;一在該基座上方之氣體注入器,該氣體注入器具有複數個注入孔;一連接至該氣體注入器之軸,該軸具有一連接至該等複數個注入孔之流道;一包圍該軸之外殼;一位於該外殼與該軸之間之磁性密封物;及一蒸鍍源,該蒸鍍源蒸發源材料及向該氣體注入器供應經蒸發之源材料,其中該蒸鍍源係配置於該磁性密封物與該等複數個注入孔之間。
  2. 如請求項1之設備,其中該軸與該氣體注入器一起旋轉。
  3. 如請求項2之設備,進一步包括一在該軸中之第一電力線,其中該第一電力線之一末端連接至該蒸鍍源。
  4. 如請求項3之設備,進一步包括一連接至該第一電力線之另一末端的滑環及一連接至該滑環的第二電力線。
  5. 如請求項1之設備,進一步包括一連接至該流道及供應載氣之載氣供應器,其中該等載氣及該等經蒸發之源材料自該氣體注入器噴出。
  6. 如請求項5之設備,進一步包括一在該蒸鍍源上方之加 熱器,其中該加熱器預熱該等載氣。
  7. 如請求項1之設備,其中該軸包含一延伸腔,該延伸腔具有一大於該流道之直徑的直徑,且該蒸鍍源形成於該延伸腔中。
  8. 如請求項1之設備,其中該氣體注入器含有自該氣體注入器突出之容納區,且該蒸鍍源形成於該容納區中。
  9. 如請求項1之設備,其中該流道連接至該氣體注入器之一中心區。
  10. 如請求項9之設備,其中注入孔之密集度在該氣體注入器之中心區具有一最小值且隨著遠離該氣體注入器之中心區而逐漸地增加。
  11. 如請求項1之設備,其中該源材料包含一有機材料。
  12. 如請求項1之設備,進一步包括一連接至該外殼之淨化氣體入口。
  13. 如請求項1之設備,進一步包括一連接至該外殼之用於該磁性密封物的冷卻裝置。
  14. 如請求項1之設備,其中該氣體注入器包含一內部加熱器。
  15. 一種形成一薄膜之裝置,包括:一室;一在該室中之基座;一在該基座上方之氣體注入器,該氣體注入器具有複數個注入孔;一連接至該氣體注入器之軸,該軸具有一連接至該等 複數個注入孔之流道;一包圍該軸之外殼;一位於該外殼與該軸之間之磁性密封物;複數個蒸鍍源,該等蒸鍍源蒸發源材料及向該氣體注入器供應經蒸發之源材料;及一向該流道供應該等源材料之源材料供應器,其中該等複數個蒸鍍源係配置於該磁性密封物與該等複數個注入孔之間。
  16. 如請求項15之裝置,其中該源材料供應器包括:一儲存一粉末狀之該等源材料的儲集罐;一連接該儲集罐及該流道之源材料入口;一在該儲集罐中之螺絲;及一驅動該螺絲之螺絲旋轉構件。
  17. 如請求項15之裝置,其中該複數個蒸鍍源形成於該氣體注入器中。
  18. 如請求項17之裝置,其中該複數個蒸鍍源包含將該氣體注入器之內部空間水平地分隔之第一及第二蒸鍍源。
  19. 如請求項18之裝置,其中該第一蒸鍍源在一邊界區包含複數個第一穿孔,且該第二蒸鍍源在一中心區包含複數個第二通孔。
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI341872B (en) * 2006-08-07 2011-05-11 Ind Tech Res Inst Plasma deposition apparatus and depositing method thereof
KR101301642B1 (ko) * 2007-03-07 2013-08-29 주성엔지니어링(주) 가열수단을 가지는 가스분사장치와 이를 포함하는기판처리장치
KR101394481B1 (ko) * 2007-10-30 2014-05-13 주성엔지니어링(주) 가스 분사 장치 및 이를 이용한 유기 박막 증착 장치
KR101363395B1 (ko) * 2007-10-31 2014-02-21 주성엔지니어링(주) 가스 분사 장치 및 이를 이용한 유기 박막 증착 장치와유기 박막 증착 방법
KR101173645B1 (ko) * 2007-12-31 2012-08-20 (주)에이디에스 가스 분사 유닛 및 이를 구비하는 박막 증착 장치
US20120090546A1 (en) * 2009-03-26 2012-04-19 Snu Precision Co., Ltd Source supplying unit, method for supplying source, and thin film depositing apparatus
JP5623786B2 (ja) * 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置
TWI472639B (zh) * 2009-05-22 2015-02-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
US8882920B2 (en) * 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) * 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101074792B1 (ko) * 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) * 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101127575B1 (ko) * 2009-08-10 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) * 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101673017B1 (ko) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
WO2012081476A1 (ja) * 2010-12-14 2012-06-21 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
US20130269613A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for generating and delivering a process gas for processing a substrate
US9279185B2 (en) * 2012-06-14 2016-03-08 Asm Technology Singapore Pte Ltd Feed-through apparatus for a chemical vapour deposition device
US9388494B2 (en) 2012-06-25 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region
KR102017744B1 (ko) * 2012-12-12 2019-10-15 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101448046B1 (ko) * 2012-12-28 2014-10-15 엘아이지에이디피 주식회사 유기발광소자 제조장치
US9399228B2 (en) 2013-02-06 2016-07-26 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for purging and plasma suppression in a process chamber
JP5837962B1 (ja) * 2014-07-08 2015-12-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびガス整流部
US10954597B2 (en) * 2015-03-17 2021-03-23 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition apparatus
US9758868B1 (en) 2016-03-10 2017-09-12 Lam Research Corporation Plasma suppression behind a showerhead through the use of increased pressure
JPWO2021054135A1 (zh) * 2019-09-19 2021-03-25
CN116555733A (zh) * 2023-05-17 2023-08-08 拓荆科技(上海)有限公司 一种高温喷淋装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW576873B (en) * 2000-04-14 2004-02-21 Asm Int Method of growing a thin film onto a substrate
TWI222127B (en) * 2001-09-13 2004-10-11 Micell Technologies Inc Pressure chamber assembly including drive means

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3914515A (en) * 1973-07-16 1975-10-21 Rca Corp Process for forming transition metal oxide films on a substrate and photomasks therefrom
GB8328858D0 (en) * 1983-10-28 1983-11-30 Atomic Energy Authority Uk Metal vapour deposition
JPH0758036A (ja) * 1993-08-16 1995-03-03 Ebara Corp 薄膜形成装置
JP3452617B2 (ja) * 1993-12-10 2003-09-29 真空冶金株式会社 ガスデポジション装置
KR100197649B1 (ko) * 1995-09-29 1999-06-15 김영환 박막 증착장치
KR100492258B1 (ko) * 1996-10-11 2005-09-02 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 반응가스분출헤드
JP3579278B2 (ja) * 1999-01-26 2004-10-20 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及びシール装置
DE10007059A1 (de) * 2000-02-16 2001-08-23 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung
US6572706B1 (en) * 2000-06-19 2003-06-03 Simplus Systems Corporation Integrated precursor delivery system
CN1302152C (zh) * 2001-03-19 2007-02-28 株式会社Ips 化学气相沉积设备
US6513451B2 (en) 2001-04-20 2003-02-04 Eastman Kodak Company Controlling the thickness of an organic layer in an organic light-emiting device
DE10128091C1 (de) * 2001-06-11 2002-10-02 Applied Films Gmbh & Co Kg Vorrichtung für die Beschichtung eines flächigen Substrats
KR100358727B1 (ko) * 2002-04-01 2002-10-31 에이엔 에스 주식회사 기상유기물 증착방법과 이를 이용한 기상유기물 증착장치
US6749906B2 (en) 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
US6863736B2 (en) * 2002-05-29 2005-03-08 Ibis Technology Corporation Shaft cooling mechanisms
JP2004143521A (ja) * 2002-10-24 2004-05-20 Sony Corp 薄膜形成装置
KR100483834B1 (ko) * 2003-01-06 2005-04-20 삼성전자주식회사 회전식 가열부를 구비한 급속 열처리 장치
JP2005082880A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Shoka Kagi Kofun Yugenkoshi 有機el発光装置の成膜設備

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW576873B (en) * 2000-04-14 2004-02-21 Asm Int Method of growing a thin film onto a substrate
TWI222127B (en) * 2001-09-13 2004-10-11 Micell Technologies Inc Pressure chamber assembly including drive means

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
本案先前技術 *

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