JP5367195B2 - 蒸着装置、蒸着方法、及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、蒸着装置、蒸着方法、及び有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。

近年、さまざまなフラットパネルディスプレイ（以下、ＦＰＤと称する）が開発されている。

特に、有機ＥＬ（Electro luminescence）表示装置は、各画素に配された発光層を自発光させることにより画像表示が可能であるため、低消費電力、高速応答性等の点から、優れたＦＰＤとして高い注目を浴びている。

有機ＥＬ表示装置の各画素は、一般的に、赤（Ｒ）色光を発光する発光層が形成された赤色用副画素と、緑（Ｇ）色光を発光する発光層が形成された緑色用副画素と、青（Ｂ）色光を発光する発光層が形成された青色用副画素とから構成されている。各副画素に形成された発光層は、有機膜の積層構造を有しており、各副画素毎にパターンが形成される。

特許文献１、２に開示されているように、発光層を、各副画素毎に、混色させず塗り分ける方法としては、マスク（シャドウマスクと称される場合がある）を用いた蒸着法を挙げることができる。

特許文献１、２では、マスクと、基板とを順次相対移動させることで、各副画素毎に発光層をパターン形成している。

一般的に、蒸着源と、マスクとは離間して配されている。このため、基板には、マスクの開口部の法線方向から入射してきた蒸着粒子に加えて、上記開口部の斜め方向から入射してきた蒸着粒子も成膜される。

このように、開口部の斜め方向から入射してきた蒸着粒子が基板に成膜されることで、発光層の縁部分に、中心から端にかけて徐々に膜厚が薄くなるボヤケが形成される。このボヤケ部分の発生は、混色等の画像表示特性の劣化の原因となる。

そこで、上記のような問題を解決し得る新たな蒸着法（新規蒸着法と称する）が提案されている。これについて図１７を用いて説明する。

図１７は、新規蒸着法の蒸着装置の構成を表す斜視図である。

図１７に示すように、密閉された真空チャンバー内に、Ｚ軸方向に順に、蒸着源１６０、複数の制限板１８１、マスク１７０、及び基板１１０が、互いに離間して配されている。

基板１１０は、平行に配されたマスク１７０と一定間隔だけ離間した状態で、一定速度で、図１７の矢印１１０ａに示す方向に移動（走査）される。このように、基板１１０を移動させながら蒸着することで、マスク１７０を小型化することができ、マスク１７０の撓みを防止することができる。基板１１０が移動する方向はＹ方向である。

マスク１７０には、Ｙ方向が長手方向となる開口部１７１が形成されている。マスク１７０には、複数の開口部１７１がＸ方向に順に並んで形成されている。マスク１７０のＹ方向の幅は、基板１１０のＹ方向の幅より短い。

制限板１８１は、ＹＺ平面に平行な面が主面（最も面積が大きい面）となっている。すなわち、複数の制限板１８１のそれぞれは、基板１１０に対して垂直となるように配されている。そして、複数の制限板１８１のそれぞれは、互いに平行であり、Ｘ方向に順に並んで配されている。

蒸着源１６０は、Ｘ方向が長手方向となるように配されており、Ｘ方向に列を成す複数のノズル１６１が配されている。

各ノズル１６１から噴出された蒸着粒子１９１は、制限板１８１間を通り、マスク１７０に形成された開口部１７１を透過して、走査されている基板１１０に成膜される。このように、制限板１８１を設けることで、各ノズル１６１から噴出した蒸着粒子は、斜め方向への移動を制限することができる。すなわち、制限板１８１を設けることで、マスク１７０の開口部１７１に入射する蒸着粒子の入射角を制限することができるので、基板１１０に成膜される発光層のボヤケを抑制することができる。

日本国公開特許公報「特開平８‐２２７２７６号公報（１９９６年９月３日公開）」 日本国公開特許公報「特開２０００‐１８８１７９号公報（２０００年７月４日公開）」

しかし、図１７に示す技術では、以下の課題が生じることを、本願の発明者等は見出した。

図１７で示した蒸着装置は、ノズル１６１から射出された蒸着粒子１９１のＸ方向の移動は制限板１８１によって制限されている。

このため、図１８の（ａ）（ｂ）に示すように、ノズル１６１と制限板１８１とのＸ方向の相対位置が変わると、基板１１０に対する蒸着範囲も変わってくる。すなわち、ノズル１６１と、制限板１８１との相対位置の変化が少ないことが重要である。

図１８の（ａ）は蒸着源１６０の加熱前の蒸着範囲を表す図であり、（ｂ）は蒸着源１６０加熱後の蒸着範囲を表す図である。

しかし、蒸着している際には、蒸着装置のチャンバー内は高温に加熱されているため、熱により蒸着源１６０が伸びる。

図１９は、加熱前後の蒸着源１６０の様子を表す図である。図１９に示すように、蒸着源１６０が伸びることで、ノズル１６１の位置が変わってくる。加熱によるノズル１６１の位置のズレは、蒸着源１６０の端へ行くほど大きくなる。

図１９に示すように、蒸着源１６０の加熱前の長さ：Ｌとする。そして、加熱による蒸着源１６０の伸び：ΔＬ、蒸着源１６０の線膨張係数：α、上昇温度ΔＴとすると、ΔＬは以下の式で表すことができる。

ΔＬ＝α×Ｌ×ΔＴ
このように、Ｌが大きいほど、ノズル１６１のずれが大きくなることが分かる。

一方、制限板１８１は、蒸着源１６０とは離間して配されており、また、形状も蒸着源１６０とは大きく異なるので、加熱前後で、ノズル１６１との相対位置が、場所によって大きく異なってくる。

また、使用される蒸着材料により、加熱温度がまちまちであり、さらに、加熱によるノズル１６１と、制限板１８１との位置のズレ量が微小なので、予め、加熱時のズレ量を補正しておくことは困難である。

しかし、この加熱時のノズル１６１と、制限板１８１との位置ズレは微少であっても、このまま蒸着を行うと、基板１１０に対する蒸着範囲が場所によって変わってくることとなる。このため、成膜されるパターンの位置や形状が異なり、混色等の画像表示特性の劣化の原因となる。

本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、高精細な蒸着膜パターンを形成することである。

上記の課題を解決するために、本発明の蒸着装置は、蒸着処理により、被成膜基板に所定パターンの蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、蒸着処理の際、上記被成膜基板に向けて上記蒸着膜となる蒸着粒子を射出する複数の射出口が形成された射出部と、上記射出部と、上記被成膜基板との間に配され、上記複数の射出口から射出された蒸着粒子の、上記被成膜基板に対する入射角を制限するための複数の制限板とを備え、上記射出部は、上記被成膜基板が配される側の面に開口部を有する容器形状の射出部本体と、上記開口部を覆い、互いに離間し、上記複数の射出口がそれぞれに形成されている複数のブロックとを備えていることを特徴としている。

上記構成によると、上記射出部と、上記被成膜基板との間に配されている上記複数の制限板により、上記射出口から射出された蒸着粒子の、上記被成膜基板に対する入射角を、一定範囲内に制限することができる。これにより、上記被成膜基板に対する斜め方向からの蒸着粒子の飛来を防止することができる。このため、上記被成膜基板に成膜された所定の蒸着パターンの側部への不要な蒸着膜の付着を防止することができ、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。

さらに、上記構成によると、上記複数の射出口は、上記射出部本体の開口部を覆う、当該射出部本体とは別の構成である複数のブロックのそれぞれに形成されており、当該複数のそれぞれのブロックは互いに離間している。

これにより、蒸着処理の際に加熱されると、複数のブロックのそれぞれは独立して伸びるので、一つの長尺ブロックが射出部本体と一体形成されている場合と比べて、加熱前後での上記複数の射出口の位置ずれを少なくすることができる。

このため、加熱されたときの上記複数の制限板のそれぞれと、上記複数の射出口のそれぞれとの相対な位置ずれの発生を抑制することができ、さらに高精細な蒸着膜パターンを被成膜基板に成膜することができる。

上記の課題を解決するために、本発明の蒸着方法は、蒸着処理により、被成膜基板に所定の蒸着膜パターンを成膜する蒸着方法であって、蒸着処理の際、上記蒸着膜パターンとなる蒸着粒子の、上記被成膜基板に対する入射角を制限するための複数の制限板間を通過させてから、上記被成膜基板に、上記蒸着粒子が到達するように、上記蒸着粒子を射出する工程を有し、上記蒸着粒子を射出する工程では、互いに離間する複数のブロックのそれぞれに形成されている複数の射出口から、上記蒸着粒子を射出することを特徴としている。

上記構成によると、上記被成膜基板に到達した蒸着粒子の、上記被成膜基板に対する入射角は、上記制限板により一定範囲に制限される。これにより、上記被成膜基板に対する斜め方向からの蒸着粒子の飛来を防止することができる。このため、上記被成膜基板に成膜された所定の蒸着パターンの側部への不要な蒸着膜の付着を防止することができ、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。

さらに、上記蒸着粒子を射出する工程では、互いに離間する複数のブロックのそれぞれに形成されている複数の射出口から、上記蒸着粒子を射出する。

これにより、蒸着処理の際に加熱されると、複数のブロックのそれぞれは独立して伸びるので、一つの長尺ブロックが一体形成されている場合と比べて、加熱前後での上記複数の射出口の位置ずれを少なくすることができる。

このため、加熱されたときの上記複数の制限板のそれぞれと、上記複数の射出口のそれぞれとの相対な位置ずれの発生を抑制することができ、さらに高精細な蒸着膜パターンを被成膜基板に成膜することができる。

本発明の蒸着装置は、蒸着処理により、被成膜基板に所定パターンの蒸着膜を成膜する蒸着装置であり、蒸着処理の際、上記被成膜基板に向けて上記蒸着膜となる蒸着粒子を射出する複数の射出口が形成された射出部と、上記射出部と、上記被成膜基板との間に配され、上記複数の射出口から射出された蒸着粒子の、上記被成膜基板に対する入射角を制限するための複数の制限板とを備え、上記射出部は、上記被成膜基板が配される側の面に開口部を有する容器形状の射出部本体と、上記開口部を覆い、互いに離間し、上記複数の射出口がそれぞれに形成されている複数のブロックとを備えている。

本発明の蒸着方法は、蒸着処理により、被成膜基板に所定の蒸着膜パターンを成膜する蒸着方法であり、蒸着処理の際、上記蒸着膜パターンとなる蒸着粒子の、上記被成膜基板に対する入射角を制限するための複数の制限板間を通過させてから、上記被成膜基板に、上記蒸着粒子が到達するように、上記蒸着粒子を射出する工程を有し、上記蒸着粒子を射出する工程では、互いに離間する複数のブロックのそれぞれに形成されている複数の射出口から、上記蒸着粒子を射出する。

これにより、高精細な蒸着膜パターンを成膜することができるという効果を奏する。

第１の実施形態の蒸着装置の構成を表す斜視図である。 第１の実施形態の蒸着装置の構成を表す断面図である。 有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 有機ＥＬ表示装置の製造工程を順に表すフローチャートである。 （ａ）従来のノズルの構成を表す平面図であり、（ｂ）は第１の実施の形態に係るノズルの構成を表す平面図である。 （ａ）は第１の実施の形態のノズルの構成を表す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）に示すノズルの断面図である。 （ａ）は加熱前の従来のノズルの構成を表す平面図であり、（ｂ）は加熱後の従来のノズルの構成を表す平面図である。 （ａ）は加熱前の実施の形態１のノズルの構成を表す平面図であり、（ｂ）は加熱後の実施の形態１のノズルの構成を表す平面図である。 （ａ）は射出口の位置ずれがない場合の蒸着範囲を説明する図であり、（ｂ）は射出口の位置ずれが生じている場合の蒸着範囲を説明する図である。 射出口の位置ずれによる被成膜基板に対する蒸着膜パターン位置の変化を表す図である。 平面視で、平行四辺形状を有する複数のブロックを備えているノズルの構成を表す平面図である。 平面視で、複数のブロックを備えているノズルの構成を表す平面図であり、（ａ）はブロックが三角形状を有している平面図であり、（ｂ）はブロックが台形状を有している平面図である。 突出部を有さないノズル本体と、複数のブロックとからなるノズルを表す斜視図である。 第２の実施の形態に係る蒸着源の構成を表す斜視図である。 （ａ）（ｂ）は第２の実施形態に係るノズルの各ブロックを表し、（ａ）は加熱前の各ブロックを表す平面図であり、（ｂ）は加熱後の各ブロックを表す平面図である。 （ａ）（ｂ）は、第２の実施形態の蒸着源の変形例を表し、（ａ）は一つの蒸着材料供給源と複数に分割されたノズルとが接続された蒸着源の構成を表す図であり、（ｂ）は複数の蒸着材料供給源のそれぞれと複数に分割されたノズルのそれぞれとが接続された蒸着源の構成を表す図である。 新規蒸着法における蒸着装置の構成を表す斜視図である。 （ａ）は図１７の蒸着源の加熱前の蒸着範囲を表す図であり、（ｂ）は図１７の蒸着源の加熱後の蒸着範囲を表す図である。 図１７の加熱前後の蒸着源の様子を表す図である。 （ａ）は制限板の支持体を表す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＧ‐Ｇ’線断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。

〔実施の形態１〕
図１〜図１２の（ａ）（ｂ）を用いて、本発明の第１の実施の形態について説明する。

まず、第１の実施形態に係る蒸着装置１を用いて製造された有機ＥＬ表示装置の構成及びその製造方法について説明してから、蒸着装置１の構成について説明する。

（有機ＥＬ表示装置の構成）
図３を用いて、蒸着装置１を用いて製造された有機ＥＬ表示装置３の構成について説明する。図３は、有機ＥＬ表示装置３の構成を表す断面図である。

有機ＥＬ表示装置３は、有機ＥＬ基板５と、接着層６と、封止基板７とを備えている。さらに、有機ＥＬ表示装置３は、表示する画像の制御用の画像制御部（不図示）を備えている。有機ＥＬ基板５と、封止基板７とは、接着層６を介して貼り合わされている。

有機ＥＬ基板５は、被成膜基板４０と、発光層４７と、第二電極４８とを備えている。有機ＥＬ表示装置３では、一画素２は、赤色光を発光する副画素２Ｒと、緑色光を発光する副画素２Ｇと、青色光を発光する副画素２Ｂとからなる。そして、有機ＥＬ表示装置３の画像の表示領域には、画素２がマトリクス状に複数配されている。

発光層４７は、副画素２Ｒに配され赤色光を発光する発光層４７Ｒと、副画素２Ｇに配され緑色光を発光する発光層４７Ｇと、副画素２Ｂに配され青色光を発光する発光層４７Ｂとからなる。

後述するように、本実施の形態に係る蒸着装置１は、各発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂそれぞれを、各副画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂのそれぞれに、順に塗り分け蒸着を行い形成するための蒸着装置として好適に用いることができるものである。

被成膜基板４０は、支持基板４１と、ＴＦＴ４２と、層間絶縁膜４３と、第一電極４４と、エッジカバー４５と、正孔注入層兼正孔輸送層４６とを備えている。

支持基板４１は、一例としてガラスからなる。支持基板４１には、互いに平行に配された複数のゲート線（不図示）と、互いに平行に配されゲート線と直交して交差する複数の信号線（不図示）とが配されている。表示装置３を平面視したとき、信号線と、ゲート線とにより区画されている領域が副画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂそれぞれである。

ＴＦＴ４２は、支持基板４１の各副画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにそれぞれ配されている。ＴＦＴ４２は、各副画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの駆動を制御するためのスイッチング素子である。

層間絶縁膜４３は、平坦化膜としても機能するものであり、ＴＦＴ４２を覆って、支持基板４１の表示領域全面に配されている。

第一電極４４は、本実施の形態では、陽極として機能するものである。第一電極４４は、層間絶縁膜４３上に配されている。第一電極４４は、副画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ内に配されており、層間絶縁膜４３に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴ４２と接続されている。

エッジカバー４５は、第一電極４４の端部と、後述する第二電極４８とが短絡することを防止するための絶縁層である。エッジカバー４５は、層間絶縁膜４３上であり、第一電極４４の端部を覆うように形成されている。

正孔注入層兼正孔輸送層４６は、正孔注入層としての機能と、正孔輸送層としての機能とを併せ持つものである。正孔注入層は、第一電極４４から発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂへの正孔注入効率を高める機能を有する層である。正孔輸送層は、発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。

正孔注入層兼正孔輸送層４６は、第一電極４４及びエッジカバー４５を覆うように、表示領域の全面に均一に形成されている。

なお、正孔注入層兼正孔輸送層４６は、上記のように同一の層ではなく、正孔注入層と、正孔輸送層とが別々の層として形成されてもよい。

このようにして、被成膜基板４０は構成されている。そして、有機ＥＬ基板５は、被成膜基板４０と、蒸着装置１により形成された発光層４７と、第二電極４８とを備えている。

発光層４７は、第一電極４４側から注入されたホール（正孔）と、第二電極４８側から注入された電子とを再結合させて発光する機能を有する層である。発光層４７は、蒸着装置１によってパターニングされる蒸着膜パターンである。発光層４７は、正孔注入層兼正孔輸送層４６上であり、エッジカバー４５間の各副画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの開口部に形成されている。

発光層４７は、上述したように、３色の色の光を発光する発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂからなる。発光層４７Ｒは各副画素２Ｒにストライプ状に形成されている。発光層４７Ｇは各副画素２Ｇにストライプ状に形成されている。発光層４７Ｂは各副画素２Ｂにストライプ状に形成されている。

発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂは、それぞれ、低分子蛍光色素や金属錯体など発光効率が高い材料が好ましい。

また、発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂ及び正孔注入層兼正孔輸送層４６上に、図示しない電子輸送層及び電子注入層が、この順に積層される。電子輸送層及び電子注入層は、表示領域の全面に均一に形成される。

電子輸送層は、第二電極４８から発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層は第二電極４８から電子輸送層への電子注入効率を高める機能を有する層である。なお、電子輸送層及び電子注入層は、別の層ではなく一体化された単一の層として形成されてもよい。

第二電極４８は、発光層４７に電子を注入する機能を有する層である。第二電極４８は、電子輸送層上であり、表示領域の全面に均一に形成されている。第二電極４８は、本実施の形態では陰極として機能する。

以降の説明では、上述した、第一電極４４、正孔注入層兼正孔輸送層４６、発光層４７、電子輸送層、電子注入層、及び第二電極４８を有機ＥＬ素子と称する場合がある。

なお、第一電極４４を陰極とし、第二電極４８を陽極として機能させてもよい。この場合、第一電極４４から第二電極４８までの各層の積層順は、上述した順番と逆となる。

このようにして有機ＥＬ基板５は構成されている。

この有機ＥＬ基板５は、接着層６を介して封止基板７と貼り合わされることで、有機ＥＬ表示パネルが形成されている。すなわち、有機ＥＬ素子は、支持基板４１、接着層６及び封止基板７によって封止されている。

そして、有機ＥＬ表示パネルが、図示しない上記画像制御部と接続されることで有機ＥＬ表示装置３が形成されている。

なお、有機ＥＬ素子のうち、第一電極４４、第二電極４８、及び発光層４７以外の構成は適宜挿入すればよい。また、有機ＥＬ基板５には、一方の荷電キャリア（正孔あるいは電子）をせき止めるためのブロッキング層を追加してもよい。

（有機ＥＬ表示装置３の製造方法）
次に、図３、図４を用いて、有機ＥＬ表示装置３の製造方法について説明する。

図４は、有機ＥＬ表示装置３の製造工程を順に表すフローチャートである。

まず、被成膜基板４０を製造する。

支持基板４１上に、ＴＦＴ４２、層間絶縁膜４３、及び第一電極４４を形成する（工程Ｓ１）。支持基板４１は、一例として、厚さが約１ｍｍ、縦横寸法が５００×４００ｍｍの矩形形状のガラス板を用いることができる。なお、支持基板４１はプラスチック基板を用いてもよい。

ＴＦＴ４２は、支持基板４１上に、スパッタリング法等公知の方法によりパターン形成することができる。ＴＦＴ４２を支持基板４１に形成する際、ゲート線や信号線も併せて形成する。

そして、ＴＦＴ４２、ゲート線、及び信号線を覆うように、支持基板４１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィによりパターニングを行うことで、層間絶縁膜４３を形成する。

層間絶縁膜４３の材料としては、一例としてアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁性材料を用いることができる。層間絶縁膜４３は一例として厚さ２μｍ程度で形成する。なお、層間絶縁膜４３はＴＦＴ４２による段差を平坦化することができればよく、特に厚さは限定されない。

次に、層間絶縁膜４３に、第一電極４４をＴＦＴ４２と電気的に接続するためのコンタクトホールを形成する。

そして、層間絶縁膜４３上に、第一電極４４となる導電膜を、一例としてスパッタリング法により成膜する。そして、成膜した導電膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりフォトレジストのパターニングを行った後、エッチング及び洗浄により、第一電極４４の形成領域以外の導電膜及び上記フォトレジストを除去する。これにより、第一電極４４がパターン形成されると共に、第一電極４４と、ＴＦＴ４２とがコンタクトホールを介して接続される。

第一電極４４に用いられる導電膜材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料を用いることができる。

導電膜の積層方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。また、導電膜のエッチング液としては、塩化第二鉄等を用いることができる。

一例として、第一電極４４は、スパッタ法により、ＩＴＯを用いて、厚さ約１００ｎｍで形成する。

次に、所定パターンのエッジカバー４５を形成する。エッジカバー４５は、層間絶縁膜４３と同様の絶縁材料を用いて、同様の方法でパターニングすることができる。一例として、エッジカバー４５は、アクリル樹脂をフォトリソグラフィにより、厚さ約１μｍで形成する。

以上により、支持基板４１にＴＦＴ４２を形成したＴＦＴ基板及び第一電極４４を製造することができる（工程Ｓ１）。

次に、ステップＳ１で製造された基板に、正孔注入層兼正孔輸送層４６を蒸着により形成する（工程Ｓ２、Ｓ３）。

まず、工程Ｓ１により製造された基板を、脱水のために減圧ベーク処理し、さらに第一電極４４の表面洗浄のために酸素プラズマ処理を施す。

次に、上記基板上に、正孔注入層兼正孔輸送層４６を、上記基板の表示領域の全面に蒸着法により形成する（Ｓ２、Ｓ３）。

具体的には、表示領域の全面が開口したオープンマスクを、上記基板に密着固定し、上記基板とオープンマスクとを共に回転させながら、オープンマスクの開口を通じて正孔注入層兼正孔輸送層４６となる蒸着材料を上記基板の表示領域の全面に蒸着する。

なお、本実施の形態では、正孔注入層兼正孔輸送層４６は一体化された層であるとして説明しているが、正孔注入層と、正孔輸送層とは別々の層として形成してもよい。

この場合、上記酸素プラズマ処理を施した上記基板に、上記と同様の蒸着法により、まず、正孔注入層を蒸着により成膜し（工程Ｓ２）、次に、正孔輸送層を同様の蒸着法により正孔注入層上に成膜する（工程Ｓ３）。一例として、正孔注入層と、正孔輸送層とのそれぞれの厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度である。

正孔注入層および正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、およびこれらの誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、環式または鎖状式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等を挙げることができる。

一例として、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を使用して、厚さ３０ｎｍの正孔注入層兼正孔輸送層４６を形成する。

このようにして被成膜基板４０が形成される。

次に、被成膜基板４０に、発光層４７を形成する（工程Ｓ４）。この発光層４７は、後述する蒸着装置１によりパターン形成がなされる。

発光層４７は、正孔注入層兼正孔輸送層４６上であり、エッジカバー４５間の開口部分に形成される。発光層４７Ｒは副画素２Ｒにストライプ状に形成され、発光層４７Ｇは副画素２Ｇにストライプ状に形成され、発光層４７Ｂは副画素２Ｂにストライプ状に形成される。

蒸着装置１により、発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂのそれぞれを各色別に、所定領域を塗り分けるように蒸着する（塗り分け蒸着）。

発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂを蒸着するための蒸着マスクは、各副画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応した幅の開口部が形成されたファインマスクを用いる。

発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂの材料としては、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。

一例として、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル等を挙げることができる。

一例として、発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂのそれぞれの厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下で形成する。

なお、工程Ｓ４の詳細な説明は後述する。

次に、正孔注入層兼正孔輸送層４６および発光層４７を覆うように、被成膜基板４０の表示領域の全面に電子輸送層を蒸着法により形成する（工程Ｓ５）。電子輸送層は、上述した正孔注入層兼正孔輸送層４６の形成工程Ｓ２、Ｓ３と同様の方法により形成することができる。

次に、電子輸送層を覆うように、被成膜基板４０の表示領域の全面に電子注入層を蒸着法により形成する（Ｓ６）。電子注入層は、上記した正孔注入層兼正孔輸送層４６の形成工程Ｓ２、Ｓ３と同様の方法により形成することができる。

すなわち、電子輸送層及び電子注入層は、それぞれ、表示領域の全面が開口したオープンマスクを、被成膜基板４０に密着固定し、被成膜基板４０とオープンマスクとを共に回転させながら、オープンマスクの開口を通じて電子輸送層及び電子注入層となる蒸着材料を被成膜基板４０の表示領域の全面に蒸着することで成膜される。

電子輸送層および電子注入層の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、およびこれらの誘導体や金属錯体、ＬｉＦ（フッ化リチウム）等を用いることができる。

上述したように電子輸送層と電子注入層とは、一体化された単一層として形成してもよく、または独立した層として形成してもよい。各層の厚さは、一例として１ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度である。また、電子輸送層及び電子注入層の合計厚さは、一例として２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下程度である。

一例として、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム）を使用して厚さ３０ｎｍの電子輸送層を形成し、ＬｉＦ（フッ化リチウム）を使用して厚さ１ｎｍの電子注入層を形成する。

次に、電子注入層を覆うように、被成膜基板４０の表示領域の全面に第二電極４８を蒸着法により形成する（工程Ｓ７）。第二電極４８は、上記した正孔注入層兼正孔輸送層４６の形成工程Ｓ２、Ｓ３と同様の方法により形成することができる。

すなわち、第二電極４８は、表示領域の全面が開口したオープンマスクを、被成膜基板４０に密着固定し、被成膜基板４０とオープンマスクとを共に回転させながら、オープンマスクの開口を通じて第二電極４８となる蒸着材料を被成膜基板４０の表示領域の全面に蒸着することで成膜される。

第二電極４８の材料（電極材料）としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、一例として、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウム等を挙げることがでいる。第二電極４８の厚さは、一例として５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。一例として、アルミニウムを用いて厚さ５０ｎｍの第二電極４８を形成することができる。

第二電極４８上には、第二電極４８を覆うように、外部から酸素や水分が有機ＥＬ素子内に浸入することを阻止するための保護膜を更に設けてもよい。保護膜の材料としては、絶縁性や導電性を有する材料を用いることができ、例えば窒化シリコンや酸化シリコンを挙げることができる。保護膜の厚さは、一例として１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。

以上により、被成膜基板４０上に、発光層４７、及び第二電極４８が形成された有機ＥＬ基板５を形成することができる。

次いで、有機ＥＬ基板５と、封止基板７とを、接着層６を介して貼り合せることで、有機ＥＬ素子を封止する。この封止処理は、不活性ガス雰囲気下で行われる。

封止基板７としては、一例として厚さが０．４ｍｍ以上１．１ｍｍ以下のガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板を用いることができる。

このようにして形成された有機ＥＬ表示パネルを、画像制御部等と接続することで有機ＥＬ表示装置３を形成することができる。

有機ＥＬ表示装置３では、上記画像制御部からゲート線及び信号線を介して送られてくる信号によりＴＦＴ４２をＯＮ（オン）させると、第一電極４４から発光層４７へ正孔が注入される。一方、第二電極４８から発光層４７へ電子が注入される。正孔と電子とは発光層４７内で再結合し、エネルギーを失活する際に所定の色の光を出射する。

各副画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光輝度を制御することで、有機ＥＬ表示装置３の表示領域に所定の画像を表示することができる。

（蒸着装置の構成）
次に、図１、２を用いて、発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂを塗り分け蒸着する蒸着装置として好適な蒸着装置１の構成について説明する。

図１は、第１の実施の形態に係る蒸着装置１の構成を表す斜視図である。図２は、蒸着装置の構成を表す断面図である。

蒸着装置１は、基板に蒸着膜をパターン形成するための蒸着装置である。蒸着装置１は、本実施の形態では、特に、有機ＥＬ表示装置３を構成する被成膜基板４０の各副画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ毎に、発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂをパターン形成するために用いる蒸着装置であるものとして説明する。

なお、蒸着装置１は、必ずしも、有機ＥＬ表示装置の製造のための蒸着膜の形成だけではなく、制限板２０と射出口１６との相対位置を、複数の制限板２０及び射出口１６間で一致させて蒸着膜の形成を行う必要がある他の装置の製造にも用いることができる。

蒸着装置１は、蒸着源１０と、複数の制限板２０と、蒸着マスク３０と、基板駆動機構（基板駆動部）９とを備えている。また、図示しないが、蒸着装置１は、蒸着処理を行う真空チャンバー（成膜チャンバー）と、真空チャンバー内を所定の気圧に減圧するための真空ポンプと、蒸着源１０を加熱するヒータと、蒸着装置１の全体の駆動制御を行う制御部等を備えている。

蒸着源１０と、複数の制限板２０と、蒸着マスク３０と、基板駆動機構９と、は真空チャンバー内に配されている。そして、蒸着処理を行う際、真空チャンバー内に被成膜基板４０を配する。そして、被成膜基板４０が真空チャンバー内に配された後、真空チャンバーは密閉され、所定の気圧に減圧される。

蒸着源１０と、制限板２０と、蒸着マスク３０と、基板駆動機構９とは、真空チャンバー内の下方から上方にかけて、互いに離間して配されている。

蒸着源１０と、制限板２０と、蒸着マスク３０とは、真空チャンバー内に固定して配されている。すなわち、蒸着処理の際、蒸着源１０と、制限板２０と、蒸着マスク３０との相対位置は変化しない。また、蒸着源１０及びノズル１３を加熱した際、複数の制限板２０間の相対位置のズレは、複数のノズル１６の相対位置のズレより小さい。

基板駆動機構９は、蒸着処理の際、吸着するなどして被成膜基板４０を保持し、保持した被成膜基板４０を一方向に走査（移動）させるものである。図１では、基板駆動機構９が被成膜基板４０を走査する方向（基板走査方向）を矢印Ａであらわしている。被成膜基板４０の走査方向をＹ方向（第１の方向）とする。

蒸着源１０は、蒸着材料供給源（蒸着源るつぼ）１１と、導入管１２と、ノズル（射出部）１３とを備えている。

ノズル１３は、ノズル本体（射出部本体）１４と、複数のブロック１５とを備えている。

ブロック１５には、蒸着処理の際、被成膜基板４０に向けて蒸着膜となる蒸着粒子１７を射出する複数の射出口１６が形成されている。ブロック１５の複数の射出口１６は、被成膜基板４０の走査方向と直交する方向に、一列に並んで配されている。この複数の射出口１６が一列に並ぶ方向がＸ方向（第２の方向）である。

すなわち、複数のブロック１５は、長手方向が互いに平行であり、Ｘ方向に一列に並んで配されている。このため、複数の射出口１６を長い距離連続して、Ｘ方向に配することができる。これにより一度の被成膜基板４０の走査で蒸着膜パターンを形成できる面積を増大させることができ、製造時間を短縮することができる。

本実施の形態では、蒸着材料供給源１１と射出口１６が形成されたノズル１３とを全て含めた全体を蒸着源１０と称する。

被成膜基板４０は、蒸着処理がなされる際、基板駆動機構９によって、Ｙ方向に走査（移動）される。すなわち、蒸着処理の際、被成膜基板４０は、ノズル１３、制限板２０、及び蒸着マスク３０と相対的に一方向に移動する。

蒸着材料供給源１１の内部には、被成膜基板４０に成膜するための蒸着材料が配されている。蒸着材料は、発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂの何れかとなる材料である。

導入管１２は、蒸着材料供給源１１と、ノズル本体１４とを接続する管である。導入管１２の一方の端部はノズル本体１４と接続されており、他方の端部は蒸着材料供給源１１に接続されている。

蒸着材料供給源１１は、蒸着処理時にヒータ（不図示）で加熱される。これにより、蒸着材料供給源１１内の蒸着材料が蒸発し、導入管１２を通って、蒸発した蒸着材料がノズル本体１４へ誘導される。そして、ノズル本体１４へ誘導された蒸着材料は、ブロック１５に形成された射出口１６から蒸着粒子１７として射出され、蒸着マスク３０の開口部３１を通過して被成膜基板４０へ蒸着される。

蒸着材料供給源１１は、真空チャンバー外にあってもよい。例えば、真空チャンバーとは別に用意されたロードロックチャンバーに、蒸着材料供給源１１が引き出されており、真空チャンバーへは蒸発した蒸着材料を導入する導入管が接続されている構成であってもよい。

ロードロックチャンバーは、真空チャンバー（成膜チャンバー）とは別に排気やベントが行えるため、真空チャンバーを大気開放することなく、材料補給が可能となる。また、真空チャンバーよりもロードロックチャンバーが小さければ、所望の減圧状態に達するまでの時間も短縮することができる。

ノズル１３は複数に分割されたブロック１５を有しており、それぞれのブロック１５全てに、蒸着材料供給源１１から蒸着材料が供給されるようになっている。

本実施の形態では、ノズル１３は、Ｘ方向に一次元配列された、すなわち、直線状に射出口１６が並んで配されているブロック１５を複数備えているものとして説明する。しかしこれに限らず、ノズル１３は、Ｘ方向に加えＹ方向に二次元配列された、すなわち面状に射出口１６が並んで配されているブロック１５を複数備えていてもよい。

このような面状に射出口１６が配されているノズル１３を備えている蒸着源１０を面型蒸着源と称する。

このような面型蒸着源の場合、被成膜基板４０をＹ方向に走査してもよいが、必ずしも被成膜基板４０を走査する必要はない。一度に被成膜基板４０全面に蒸着できるのであれば、被成膜基板４０を走査せずに固定していてもよい。

そして、例えば射出口１６が二次元配列されたブロック１５を３×３に配置（例えば、ルービックキューブの一面状）されたノズル１３を用いても、後述する蒸着装置１と同様の効果を得ることができる。

なお、ノズル１３の具体的な説明は後述する。

制限板２０は、ノズル１３と、蒸着マスク３０との間に複数配されている。

制限板２０は、蒸着流の広がる範囲を制限するものである。制限板２０により、複数の射出口１６から射出された蒸着粒子１７の、蒸着マスク３０の開口部３１への入射角を制限することで、被成膜基板４０に対する入射角を制限することができる。

制限板２０の材料としては、高い加工精度で製作でき、かつ耐熱性が高い素材を用いればよい。また、熱による寸法変化の少ないものが望ましい。例えば、アルミニウムやＳＵＳ３０４の金属等である。

図２０の（ａ）は制限板２０の支持体を表す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＧ‐Ｇ’線断面図である。

一例として、複数の制限板２０のそれぞれは、支持体２１によって真空チャンバー内に固定される構造であってもよい。

支持体２１は複数の制限板２０を挿入させる開口部２１ａを有している。支持体２１は、真空チャンバー内に固定されている。

そして、複数の制限板２０のそれぞれは、支持体２１の開口部２１ａに、互いの主面が平行になるように、挿入されることで、複数の制限板２０の位置が固定される。なお、別途、支持体２１の位置を微調整するための機構を設けてもよい。この機構により支持体２１の位置を微調整することで、制限板２０と、ノズル１３との相対位置の微調整を行うことも可能である。

制限板２０は、制限板２０に付着した蒸着粒子が再蒸着しないように、加熱された蒸着源１０およびノズル１３よりも温度が低くなるような構成となっている。すなわち、制限板２０は、蒸着源１０およびノズル１３からある程度の距離を有し離間して配されているため、蒸着源１０およびノズル１３が加熱されても、当該蒸着源１０およびノズル１３よりも温度が低くなる。さらに、制限板２０又は支持体２１に、例えば、水冷等の冷却機構を配することで、制限板２０の温度が、加熱された蒸着源１０およびノズル１３よりも低くなるような構成としてもよい。

一方、ノズル１３は、蒸着粒子が付着し得ない温度まで加熱される。

このため、制限板２０の温度はノズル１３よりも低く、加熱による制限板２０間の位置ズレは、ノズル１３の射出口１６間の位置ズレより小さいため、射出口１６間の位置ズレと比べて問題とならない。

蒸着粒子１７の蒸着マスク３０の開口部３１への入射角は、射出口１６と、制限板２０との相対位置によって決定される。

すなわち、射出口１６と、制限板２０との相対位置が変化すると、射出口１６から射出された蒸着粒子１７により、被成膜基板４０に蒸着される蒸着膜の蒸着範囲も変化する。

このため、発光層４７を高精細に被成膜基板４０にパターニングするには、射出口１６と、制限板２０との相対位置の変化を抑制することが重要である。

複数の制限板２０のそれぞれは、被成膜基板４０と垂直に配されている。すなわち、制限板２０の一番面積が大きい面を主面とした場合、主面はＹＺ平面に平行となっている。複数の制限板２０のそれぞれは、互いに平行となるように、Ｘ方向に、順に、並んで配されている。

蒸着装置１を平面視したとき、複数の制限板２０のそれぞれは、被成膜基板４０の走査方向に平行であり、複数の射出口１６間に配されている。

このように制限板２０により、射出口１６から射出された蒸着粒子１７の、被成膜基板４０に対する入射角を、一定範囲内に制限することができる。

これにより、被成膜基板４０に対する斜め方向からの蒸着粒子１７の飛来を防止することができる。このため、被成膜基板４０に成膜された所定の蒸着パターンの側部への不要な蒸着膜の付着を防止することができ、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。

なお、平面視したときの（又は図２に示すようにＸＺ平面に平行な断面における）制限板２０間の射出口１６の位置は、各射出口１６でバラつきがなければよい。すなわち、平面視で（又は図２に示すようにＸＺ平面に平行な断面で）、各射出口１６は、必ずしも制限板２０間の中央になくてもよい。

例えば、射出口１６の中心位置が制限板２０の中心位置と一致していてもよい。すなわち、射出口１６の真上（Ｚ方向）に制限板２０が存在していてもよい。

蒸着マスク３０は、所望の位置・形状に貫通した穴である開口部３１が形成されており、それを通過した蒸着粒子１７のみが被成膜基板４０に到達し、被成膜基板４０に蒸着膜（発光層４７）が形成される。蒸着マスク３０には、貫通した孔である開口部３１がストライプ状に形成されている。

開口部３１は、被成膜基板４０の走査方向と平行な方向が長手方向となっている。複数の開口部３１は、被成膜基板４０の走査方向との垂直方向、すなわち、Ｘ方向に、互いに平行となるように、順に、横並びに形成されている。

蒸着マスク３０として、被成膜基板４０の走査方向の長さより短い小型マスク（ファインマスク）を用いる。蒸着マスク３０は、蒸着源１０と一体化して形成されている。

このような小型マスクである蒸着マスク３０の上方を、被成膜基板４０を相対的に走査させながら蒸着膜を成膜することで、ストライプ状の蒸着膜を被成膜基板４０にパターン形成することができる。

このように、蒸着マスク３０に小型マスクを用い、被成膜基板４０を、蒸着マスク３０と相対的に走査して蒸着処理を行うことで、大型の被成膜基板４０を蒸着する際でも、被成膜基板４０よりサイズが小さい蒸着マスク３０を用いることができる。このた、蒸着マスク３０の撓み等を防止し、被成膜基板４０と蒸着マスク３０との距離を一定に保つことができるので、高精細なパターン形成を行うことができる。

なお、被成膜基板４０に発光層４７を形成する場合以外で、例えば、被成膜基板４０の表示領域全面に蒸着膜を形成する場合は、開口部３１のようにストライブ状に開口部が形成された蒸着マスク３０ではなく、表示領域に対応する領域全面が開口した蒸着マスク（オープンマスク）を用いる。

なお、被成膜基板４０の表示領域全面に蒸着する場合には、制限板２０は必要ではなく、また被成膜基板４０と蒸着マスク３０とを密着させた状態で成膜してもよい。

その場合、被成膜基板４０と同等の大きさ（Ｙ方向の長さが同等）の蒸着マスク３０を用い、被成膜基板４０と蒸着マスク３０とを一体化して相対走査するか、または被成膜基板４０全面に一括して蒸着を行う。画素ごとにパターン形成する蒸着膜の例としては、例えば発光層があり、表示領域全面にパターン形成する蒸着膜の例としては、正孔輸送層などがある。

（ノズル１３の構成の説明）
次に、図１、図２、図５の（ａ）（ｂ）、図６を用いて、ノズル１３の構成を具体的に説明する。

図５の（ａ）は、従来のノズル１１３の構成を表す平面図であり、（ｂ）は本実施の形態に係るノズル１３の構成を表す平面図である。

図５の（ａ）に示すように、従来のノズル１１３は、長手方向に連続し一体として形成されたノズル１１３に射出口１１６が形成されていた。一方、本実施の形態に係るノズル１３は、複数のブロック１５を備えている。複数のブロック１５は、ノズル１１３を３つに分割した構成をしている。複数のブロック１５は、長手方向に順に横並びに配されている。ブロック１５は、平面視したとき、長方形状となっている。

図６の（ａ）はノズル１３の構成を表す斜視図であり、図６の（ｂ）はノズル１３の断面図である。

図１、図２、図６の（ａ）（ｂ）に示すように、ノズル１３には、蒸着材料供給源１１から導入管１２を経て蒸着材料が供給される。

ノズル１３は、互いに離間して、長手方向に一列に並んで配された３個のブロック１５を備えている。ノズル１３は、内部が空洞の容器であるノズル本体１４と、ブロック１５とを備えている。

ノズル本体１４及びブロック１５の材料はできるだけ線膨脹係数の小さいものが望ましい。一例として、ノズル本体１４及びブロック１５は、インバー材（ＦｅにＮｉを含有した合金。さらに微量のＣｏを混ぜてもよい）などからなる。当該インバー材の線膨脹係数は室温で０．１〜２×１０^−６／℃程度である。このため、加熱前後での射出口１６の位置ずれを抑えることができる。

また、ノズル本体１４とブロック１５とは別の材料で構成してもよい。一例として、ノズル本体１４をＳＵＳ３０４などから構成し、ブロック１５をインバー材等から構成することができる。これにより、ノズル本体１４の作製費用を安価にすると共に、ブロック１５の線膨張係数を小さくすることができる。なお、ＳＵＳ３０４の熱膨張係数は約１７×１０^−６／℃である。

ノズル本体１４は、一方の面に一又は複数の開口部を有する容器形状（すなわち凹形状）となっている。

ノズル本体１４は、被成膜基板４０が配される側に近い面に、３つの開口部１４ｃが形成されている。そして、ノズル本体１４は、開口部１４ｃのそれぞれを、被成膜基板４０が配される側に突出させている凸形状である３つの突出部１４ａと、３つの突出部１４ａを接続する接続部１４ｂとから構成されている。３つの突出部１４ａと、接続部１４ｂとは一体形成されているものである。

すなわち、突出部１４ａのそれぞれの上面（ＸＺ平面に平行な平面）は一面が開口部１４ｃとなっている。図６の（ｂ）に示すように、突出部１４ａ及び接続部１４ｂのＹＺ平面に平行な断面は、上面が開口した凹形状となっている。

複数のブロック１５は、複数の開口部１４ｃのそれぞれを覆うと共に、複数の突出部１４ａそれぞれを覆う蓋である。開口部１４ｃを、ブロック１５で覆うことで、被成膜基板４０に向けて、射出口１６から蒸着粒子１７を射出することができる。複数のブロック１５それぞれは、複数の突出部１４ａそれぞれに被せられているだけで、複数のブロック１５それぞれと、複数の突出部１４ａそれぞれとは固定されていない。

複数の突出部１４ａは、接続部１４ｂ上に配されている。すなわち、複数の突出部１４ａのそれぞれは、接続部１４ｂから、Ｚ方向（被成膜基板４０が配される方向）に突出している。

複数の突出部１４ａは、ノズル１３の長手方向（Ｘ方向）に３つ並んで配されている。複数の突出部１４ａのそれぞれは互いに離間して配されている。なお、突出部１４ａ間は開口されていない。

接続部１４ｂは、複数の突出部１４ａの下側を連通している。接続部１４ｂの一方の側面には導入管１２の一方の端部が接続されている。

複数のブロック１５はそれぞれ離間しており、互いの間には隙間１９が形成されている。すなわち、複数のブロック１５は、隙間１９を設けて互いに離間して配されている。

射出口１６は、ブロック１５を貫通する孔であり、ブロック１５の上面（ＸＺ平面に平行な平面）に等間隔に、一列に形成されている。

隙間１９は、複数のブロック１５間の隙間である。隙間１９は、複数のブロック１５間に跨って射出口１６が一定ピッチとなるように、ブロック１５間に配されている。

非加熱の際、複数のブロック１５間に跨って複数の射出口１６のピッチがＸ方向に等ピッチとなるように、複数のブロック１５間に隙間１９が配されている。これにより、ブロック１５間での蒸着膜パターンの位置ずれを防止することができる。

ノズル１３によると、蒸着装置１で蒸着処理を行う際、蒸着材料供給源１１から蒸発した蒸着材料は、導入管１２及び接続部１４ｂ内を通り、各突出部１４ａへと供給され、各射出口１６からノズル１３の外部へ、蒸着粒子１７として射出される。

ここで、蒸着処理を行う際、ブロック１５とノズル本体１４とは共に加熱される。

しかし、複数の射出口１６は、ノズル本体１４の開口部１４ｃを覆う、ノズル本体１４とは別の構成である複数のブロック１５のそれぞれに形成されており、複数のそれぞれのブロック１５は互いに離間している。

これにより、蒸着処理の際に加熱されると、複数のブロック１５のそれぞれは互いに離間しているため、それぞれ独立して伸びる。このため、例えば図５の（ａ）で示したノズル１１３のように、一つの長尺ブロックがノズル本体と一体形成されている場合と比べて、加熱前後での複数の射出口１６の位置ずれを少なくすることができる。

このため、加熱されたときの複数の制限板２０のそれぞれと、複数の射出口１６のそれぞれとの相対な位置ずれの発生を抑制することができ、高精細な蒸着膜パターンを被成膜基板４０に成膜することができる。

さらに、ブロック１５と、ノズル本体１４とは固定されていない。このため、蒸着処理の際の加熱により突出部１４ａが熱膨張しても、突出部１４ａの熱膨張による各ブロック１５への影響を抑えることができ、加熱前後での複数の射出口１６の位置ずれを抑えることができる。

また、複数のブロック１５間には隙間１９が設けられているので、複数のブロック１５の各々が個別に熱で伸びることになる。

そして、ブロック１５の長手方向の長さは、ノズル本体１４の長手方向の長さより短いので、一つのブロック１５が熱により延びる長さは、ブロック１５の長手方向の長さを、ノズル本体１４の長手方向の長さと同等とした場合と比べて小さい。このため、加熱前後での、射出口１６の位置ずれを抑制することができる。

ここで、図６の（ｂ）に示すように、ブロック１５の内側側面と、当該側面と対向するノズル本体１４の外側側面との間にも、熱により伸びたノズル本体１４のブロック１５への干渉を防止するために、隙間が設けられている。

このため、蒸着装置１で蒸着処理を行う際、射出口１６から蒸着粒子１７が射出されると共に、ブロック１５の内側側面と、当該側面と対向するノズル本体１４の外側側面との間の隙間からも、蒸着粒子１７ａがノズル１３の外部へ漏れる。

しかし、ブロック１５の射出口１６以外の開口部、すなわち、ブロック１５の内側側面と、当該側面と対向するノズル本体１４の外側側面との間の隙間は下方（蒸着マスク３０及び被成膜基板４０が配されている方向とは逆方向、すなわちＺマイナス方向）に開口している。

このため、ブロック１５の内側側面と、当該側面と対向するノズル本体１４の外側側面との間の隙間から、ノズル１３の外部へ漏れた蒸着粒子１７ａは、蒸着マスク３０及び被成膜基板４０に到達することはない。

このように、ブロック１５のそれぞれにより、複数の突出部１４ａのそれぞれが覆われているので、射出口１６以外であって、開口部１４ｃから蒸着粒子１７ａが漏れたとしても、その漏れた蒸着粒子１７ａが被成膜基板４０に到達することを防止することができる。

ノズル１３では、３個に分割されたブロック１５備えているものとして説明したが、分割数は３個に限定されず、ブロック１５の個数は、２個であってもよく、さらに、４個以上であってもよい。

このように、本実施の形態に係る蒸着方法は、蒸着処理の際、蒸着膜パターンとなる蒸着粒子１７の、被成膜基板４０に対する入射角を制限するための複数の制限板２０間を通過させてから、被成膜基板４０に、蒸着粒子１７が到達するように、蒸着粒子１７を射出する工程を有している。

そして、蒸着粒子１７を射出する工程では、互いに離間する複数のブロック１５のそれぞれに形成されている複数の射出口１６から、蒸着粒子１７を射出する。

このため、被成膜基板４０に到達した蒸着粒子１７の、被成膜基板４０に対する入射角は、制限板２０により一定範囲に制限される。

これにより、被成膜基板４０に対する斜め方向からの蒸着粒子１７の飛来を防止することができる。このため、被成膜基板４０に成膜された所定の蒸着パターンの側部への不要な蒸着膜の付着を防止することができ、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。

さらに、蒸着粒子１７を射出する工程では、互いに離間する複数のブロック１５のそれぞれに形成されている複数の射出口１６から、蒸着粒子１７を射出する。

これにより、蒸着処理の際に加熱されると、複数のブロック１５のそれぞれは独立して伸びるので、一つの長尺ブロックが一体形成されている場合と比べて、加熱前後での複数の射出口１６の位置ずれを少なくすることができる。

このため、加熱されたときの複数の制限板２０のそれぞれと、複数の射出口１６のそれぞれとの相対な位置ずれの発生を抑制することができ、高精細な蒸着膜パターンを被成膜基板に成膜することができる。

（加熱前後での射出口の位置ずれについて）
次に、図７の（ａ）（ｂ）、図８の（ａ）（ｂ）を用いて、ノズル１３の加熱前後での射出口の位置ずれについて説明する。

図７の（ａ）（ｂ）は、複数のブロックに分割されていない従来のノズル１１３の構成を表し、（ａ）は加熱前のノズル１１３の構成を表す平面図であり、（ｂ）は加熱後のノズル１１３の構成を表す平面図である。

図８の（ａ）（ｂ）は、本実施の形態に係るノズル１３の構成を表し、（ａ）は加熱前のノズル１３の構成を表す平面図であり、（ｂ）は加熱後のノズル１３の構成を表す平面図である。

上述したように、従来は一つのブロックで構成されていたノズル１１３を、ノズル１３は３つのブロック１５に分割している。

加熱前のノズル１１３、及びノズル１３のそれぞれの長軸方向の長さ（ノズル長）をＬとする。そして、分割された一ブロック１５の長軸方向の長さ（ノズル長）をＬｓとする（Ｌ＞Ｌｓ）。

また、図７の（ａ）、図８の（ａ）に示すように、加熱前の射出口１６、１１６のそれぞれの位置は一致しているものとする。ノズル１１３・１３のそれぞれの線膨張係数をαとする。

また、ノズル１１３・１３のそれぞれを加熱しても中央の射出口１１３・１６の位置は変化しないものとする。すなわち、ノズル１１３・１３は、それぞれ、中央に位置する射出口１１６・１６を中心に、紙面上下方向に同量伸びるものとする。

加熱により、ノズル１１３・１３の温度がΔＴだけ上昇した場合、ノズル１１３の伸び量ΔＬ、ノズル１３のブロック１５の伸び量ΔＬｓは、それぞれ以下の式１、式２となる。

ΔＬ＝α×Ｌ×ΔＴ （式１）
ΔＬｓ＝α×Ｌｓ×ΔＴ （式２）
一例として、ノズル１１３・１３の材料をＳＵＳ３０４（線膨脹係数 約１７×１０^−６／℃）、長さＬを１ｍ、Ｌｓを３３２ｍｍとする（複数のブロック１５間の隙間１９の幅は２ｍｍ）。

ΔＴが３００℃とすると、ΔＬおよびΔＬｓはそれぞれ、以下の通りとなる。

ΔＬ＝５．１ｍｍ
ΔＬｓ＝１．７ｍｍ
実際、ノズル端に形成された射出口１１６・１６の加熱後の位置ずれは、およそ上記の値の半分となる。

すなわち、図７の（ａ）（ｂ）に示すように加熱前後でのノズル１１３の端部の射出口１１６の位置ずれは約２．６ｍｍ程度（ΔＬ／２）となる一方、図８の（ａ）（ｂ）に示すように加熱前後でのノズル１３の端部の射出口１６の位置ずれは約０．９ｍｍ程度（ΔＬｓ／２）となる。このように、ノズル１１３と比べて、ノズル１３の方が、加熱前後での、端部の射出口１６の位置ずれが少ないことが分かる。

（加熱前後での蒸着範囲の変化について）
次に、図９の（ａ）（ｂ）、図１０を用いて、加熱前後での射出口の変化に伴なう被成膜基板４０に対する蒸着範囲の変化について説明する。

図９の（ａ）は射出口１６の位置ずれがない場合の蒸着範囲を説明する図であり、（ｂ）は射出口１６の位置ずれが生じている場合の蒸着範囲を説明する図である。

図１０は射出口１６の位置ずれによる被成膜基板４０に対する蒸着膜パターン位置の変化を説明する図である。

図９の（ａ）のように、射出口１６と制限板２０の上部端との距離をＨ_ｓａ、射出口１６と蒸着マスク３０との距離をＨ_ｓｍとし、制限板２０の開口幅（隣接する制限板２０間の幅）を２Ｗとする。この場合、射出口１６から噴出された蒸着粒子１７が、制限板２０間を通過し、蒸着マスク３０に蒸着される蒸着範囲のうち片側の蒸着範囲Ｐは、以下となる。

Ｐ＝Ｈ_ｓｍ／Ｈ_ｓａ×Ｗ （式３）
一方、図９の（ｂ）に示すように、射出口１６の中心位置が、互いに隣接する制限板２０間の中心位置に対してΔｘだけ紙面左方向に位置ずれしたとする。

この場合、当該射出口１６から噴出された蒸着粒子１７が制限板２０間を通過し、蒸着マスク３０に蒸着される蒸着範囲をＰ_ＲおよびＰ_Ｌで表す。蒸着マスク３０における、射出口１６から蒸着マスク３０に対する垂線から、蒸着範囲の紙面右側端部までの距離をＰ_Ｒとし、蒸着範囲の紙面左側端部までの距離をＰ_Ｌとする。Ｐ_Ｒ、Ｐ_Ｌ、はそれぞれ以下の通りとなる。

Ｐ_Ｒ＝Ｈ_ｓｍ／Ｈ_ｓａ×（Ｗ−Δｘ） （式４）
Ｐ_Ｌ＝Ｈ_ｓｍ／Ｈ_ｓａ×（Ｗ＋Δｘ） （式５）
また、Ｈ_ｓｍ＝１８０ｍｍ、Ｈ_ｓａ＝８０ｍｍ、Ｗ＝１０ｍｍ、Δｘ＝３ｍｍとすると、Ｐ、Ｐ_Ｒ、Ｐ_Ｌ、はそれぞれ以下の通りとなる。

Ｐ＝２２．５ｍｍ
Ｐ_Ｒ＝１５．７５ｍｍ
Ｐ_Ｌ＝２９．２５ｍｍ
このように、蒸着範囲は左右で±７ｍｍの差を生じる。

この左右の蒸着範囲のずれが生じても、蒸着マスク３０の開口部３１を蒸着範囲に収めるためには、少なくとも２×Ｐ_Ｒ＝３１．５ｍｍの範囲内にしか、開口部３１を形成できないことになる。それ以外は、制限板２０によって遮蔽され、蒸着（被成膜基板４０への成膜）に寄与しない。

すなわち、射出口の位置ずれを見込んだ設計マージンが必要であり、その分蒸着材料の利用率が低下する。

図８の（ａ）（ｂ）等に示したように、ノズル１３をブロック１５のように３分割すれば上記（式１）および上記（式２）で示した通り、ノズル１３における加熱後の射出口１６の位置ずれの最大量はおよそ１／３となる。

このため、上記（式４）および上記（式５）のΔｘも１／３となる。従って、本実施の形態に係るノズル１３によると、加熱前後での蒸着範囲の変化量が小さくなるので、設計マージンを小さくでき、蒸着材料の利用効率を向上させることができる。

次に、図１０に示すように、被成膜基板４０と蒸着マスク３０とが離間されて配置されており、その距離をＤ_ｇとする。被成膜基板４０上に成膜される蒸着膜パターンの位置は、蒸着粒子１７の被成膜基板４０に対する入射角によって決定する。入射角をθとすると、蒸着マスク３０の開口部３１の端部からの蒸着パターンの位置シフトＳは、以下のように表すことができる。

Ｓ＝Ｄ_ｇ×ｔａｎθ （式６）
同様に、入射角がθ_Ｒとなった場合の位置シフトＳ_Ｒは、以下のように表すことができる。

Ｓ_Ｒ＝Ｄ_ｇ×ｔａｎθ_Ｒ （式７）
上記（式６）及び上記（式７）から明らかなように、入射角が変化することでパターンの位置シフト量が変化する。上述したように、射出口１６の位置ずれにより蒸着粒子１７の入射角が変わるため、射出口１６の位置ずれを低減するほど、被成膜基板４０の成膜される蒸着膜パターンの位置シフトの変動量も低減する。

有機ＥＬ表示装置３の画素２を設計する場合、上記のような蒸着膜の位置シフト量の変動が生じても、発光層４７等を画素２の発光領域に成膜されるようにするためには、上記（式６）及び上記（式７）で示した変動量を見越した上で設計マージンをもたせる必要がある。

ここで、非発光領域の幅を増やせば、設計マージンを広く取ることができる。しかし、非発光領域の幅を増やすことで、発光領域の面積を縮小する必要が生じ、高い表示精細度が実現できなくなる。

特に発光領域の面積の縮小は、発光寿命劣化の促進や表示画像の粒度感を生むため、有機ＥＬ表示装置３の表示品位が低下する。

一例として、Ｄ_ｇ＝３ｍｍとし、上述したようにＨ_ｓａ＝８０ｍｍ、Ｗ＝１０ｍｍとすると、被成膜基板４０への蒸着範囲の右端近傍での蒸着膜の位置シフトは、およそ以下の通りとなる。

Ｓ＝Ｄ_ｇ×ｔａｎθ＝Ｄ_ｇ×Ｗ／Ｈ_ｓａ＝３７５μｍ
Ｓ_Ｒ＝Ｄ_ｇ×ｔａｎθ_Ｒ＝Ｄ_ｇ×（Ｗ＋Δｘ）／Ｈ_ｓａ＝４８８μｍ
このように、１００μｍ以上の位置シフトが生じる。

通常の有機ＥＬ表示装置３において、隣接する副画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ間の距離（非発光領域）は数十μｍであるため、１００μｍ以上発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂが位置ずれすると、所望の副画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂから発光層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂが完全にずれることになる。

一方、本実施の形態に係るノズル１３を用いることでΔｘを小さくすることができる。このため、有機ＥＬ表示装置３の設計マージンを小さくすることができ、発光領域の面積を大きくとれ、また表示精細度を高くすることができる。

また、蒸着粒子１７の被成膜基板４０に対する入射角によっては、蒸着マスク３０の板厚も計算に考慮する必要がある（例えば、図１０の蒸着粒子１７の左端など）。その場合、上記（式６）および上記（式７）のＤ_ｇは（Ｄ_ｇ＋蒸着マスク３０の板厚）と差し替えられる。しかし、蒸着マスク３０の板厚がＤ_ｇよりも十分に小さければ無視し得る。

（ノズル１３の設計例）
次に、ノズル１３の具体的な設計例について説明する。なお、以下の数値は、ノズル１３を構成するための一例である。

ノズル１３・１１３の材料はＳＵＳ３０４（線膨脹係数 約１７×１０^−６／℃）とする。

図７の（ａ）（ｂ）に示した、従来のノズル１１３は、長尺のノズル長（Ｌ）が６５４ｍｍであり、射出口１１６が間隔２０ｍｍピッチで配置されている。射出口１１６の数は３３個であり、ノズル１１３の両端の射出口１１６は、ノズル１１３のそれぞれの端からは７ｍｍずつ離れている。中央の射出口１１６から両端の射出口１１６までは３２０ｍｍ離れている。

次に、本実施の形態に係るノズル１３の構造では、各ブロック１５の長さ（ブロック１５の長さ、Ｌｓ）を２１４ｍｍとし、各ブロック１５に射出口１６が１１個ずつ形成されている。

各ブロック１５において、両端の射出口１６はブロック１５のそれぞれの端から７ｍｍ離れている。ブロック１５同士は６ｍｍずつ離されており、ブロック１５は３個のため、総合的なノズル１３の長さＬは従来のノズル１１３と同じ６５４ｍｍである。

各ブロック１５において、中央の射出口１６から両端の射出口１６までは１００ｍｍ離れている。

以上の構成により、常温時（２５℃）では、ノズル１１３と、ノズル１３とで射出口１１６・１６の位置は一致しているとする。この状態において、ノズル１１３・１３が加熱されて２８０℃となったとする。

ノズル１１３の構造では両端の射出口１１６間の距離の伸び量ΔＬ’は、上記（式１）のＬを射出口１１６間距離に置き換えれば、ΔＬ’＝１．３９ｍｍとなる。

一方、本実施の形態に係るノズル１３の構造によれば、各ブロック１５の両端の射出口１６間の距離の伸び量は、上記（式２）のＬｓを射出口１６間距離に置き換えれば、ΔＬｓ’＝０．４３ｍｍとなる。このように、ノズル１３の構造によると、ノズル１１３よりも、加熱後における射出口１６の位置ずれは改善することが分かる。

（ノズル１３の変形例）
次に、図１１〜１３を用いて、ノズル１３の変形例について説明する。ノズル１３は、図１１〜１３のような構成であってもよい。

図１１は、平面視で、平行四辺形状を有する複数のブロックを備えているノズルの構成を表す平面図である。

図１１に示すノズル１３は、平面視で、長方形状であるブロック１５に換えて、平行四辺形であるブロック１５ｂを複数備えている。図１１のノズル１３の他の形状は、図１等を用いて説明したノズル１３と同様である。なお、図１１では、２個のブロック１５ｂを記載しているが、ブロック１５ｂの個数は、３個以上であってもよい。

図１１には図示しないが、各ブロック１５ｂは、平面視で平行四辺形である突出部１４ａを覆っている。複数のブロック１５ｂ間には、隙間１９が設けられている。

図１１のノズル１３のように、各ブロック１５ｂが、平面視で、平行四辺形に分割されている場合、各ブロック１５ｂが熱により伸びて、互いに衝突したとしても、衝突したそれぞれの端部間には、互いに逆向きのＹ方向（図１１の矢印Ｂ、矢印Ｃ）に力が加わる。このため、衝突したブロック１５ｂのそれぞれの端部間は、その押し合う力が回転方向（図１１の矢印Ｄ方向）に変換される。

従って、ノズル１３の長手方向（Ｘ方向）への射出口１６の位置ずれを、当該長手方向に対する垂直方向である短手方向（Ｙ方向）へも分散させることができ、長手方向への射出口１６の位置ずれを抑えることができる。

また、ノズル１３の短手方向は、被成膜基板４０の走査方向（図１１の矢印Ａの方向）と平行な方向である。蒸着処理中は、被成膜基板４０が矢印Ａの方向に走査されているので、当該方向に射出口１６の位置ずれが生じても、蒸着膜パターンの位置ずれの影響が少なく、大きな問題は生じない。

さらに、図１１に示すように、各ブロック１５ｂの射出口１６が並ぶ方向は、Ｘ方向から、被成膜基板４０の走査方向にずらして配されている。すなわち、各ブロック１５ｂの射出口１６は、並ぶ方向を結ぶ直線が、ブロック１５ｂの長手方向に平行な向きから、平行四辺形の鋭角間を結ぶ対角線に沿う（平行となる）向きに近付くように傾斜して配されている。

このため、平行四辺形を有するブロック１５ｂ間でも、複数のブロック１５ｂ間で、射出口１６をＸ方向に等ピッチで配することができる。

また、ノズル１３の各ブロックの形状は、平面視で、三角形状であってもよいし、台形状であってもよい。

図１２の（ａ）は、平面視で、三角形状を有する複数のブロック１５ｃを備えているノズル１３の構成を表す平面図であり、図１２の（ｂ）は、平面視で、台形状を有する複数のブロック１５ｃを備えているノズル１３の構成を表す平面図である。

図１２の（ａ）に示すノズル１３は、平面視で、長方形状であるブロック１５に換えて、三角形状であるブロック１５ｃを複数備えている。図１２の（ａ）のノズル１３の他の形状は、図１等を用いて説明したノズル１３と同様である。なお、図１２の（ａ）では、１２個のブロック１５ｃを記載しているが、ブロック１５ｃの個数は、図１２の（ａ）に記載の個数に限定されず、１１個以下であってもよく、１３個以上であってもよい。

図１２の（ａ）には図示しないが、各ブロック１５ｃは、平面視で三角形状である複数の突出部１４ａのそれぞれを覆っている。複数のブロック１５ｃ間には、隙間１９が設けられている。

複数のブロック１５ｃは、隣接するブロック１５ｃとは方向が反転して配されている。すなわち、複数のブロック１５ｃは、互い違いとなるように向きを換えて、Ｘ方向に並んで配されている。

ブロック１５ｃのように、平面視で三角形状とした場合も、平行四辺形の場合と同様に、ノズル１３の長尺方向（Ｘ方向）への射出口１６の位置ずれが、被成膜基板４０の走査方向（図１２の（ａ）の矢印Ａの方向）と平行な方向に分散される。

しかし、各ブロック１５ｃの位置ずれは、平行四辺形の場合のように回転方向へずれるのではなく、被成膜基板４０の走査方向と平行な方向（図１２の（ａ）の矢印Ｅ・Ｆで示す方向）へシフトするようなずれ方となる。

このため、射出口１６の位置ずれが生じても、蒸着膜パターンの位置ずれの影響が少ない。

また、図１２の（ａ）のノズル１３では、各ブロック１５ｃに一つの射出口１６が形成されている。これにより、複数のブロック１５ｃ間に跨って、射出口１６のＸ方向のピッチが一定となっている。

なお、図１２の（ａ）では、一ブロック１５ｃに射出口１６が一つ形成されているものとして記載しているが、これに限定されず、各ブロック１５ｃには、複数の射出口１６が形成されていてもよい。ブロック１５ｃの分割数が多いほど、射出口１６の位置ずれは改善できるが、ブロック１５ｃの加工が多くなるので適宜分割数は調整すればよい。

このように、図１１、図１２の（ａ）で示した複数のブロック１５ｂ・１５ｃのそれぞれは、加熱されると、Ｙ方向にずれるように、互いに押し合う形状となっている。このため、加熱による膨張により、複数のブロック１５ｂ・１５ｃ間が互いに押し合ったとしても、被成膜基板４０の走査方向であるＹ方向にずれるので、不良品発生を抑制することができる。

また、図１２の（ａ）の三角形のブロック１５ｃは走査方向（矢印Ａの方向）の角が落とされた、図１２の（ｂ）のような台形状でもよい。

図１２（ｂ）のように、台形状であるブロック１５ｃを、隣接するブロック１５ｃ間で隙間１９を設けつつ、互いに方向を反転させ、直線状に配する。これにより、三角形状の場合と同様に、加熱による膨張により、複数のブロック１５ｃ間が互いに押し合ったとしても、被成膜基板４０の走査方向であるＹ方向にずれるので、不良品発生を抑制することができる。

図１３は、突出部を有さないノズル本体と、複数のブロックとからなるノズルを表す斜視図である。

図１３に示すノズル１３は、ノズル本体１４ｄと、複数のブロック１５と、複数の遮蔽板１８とを備えている。

ノズル本体１４ｄは、上述したノズル本体１４のように突出部１４ａを有さず、ノズル本体１４ｄの上面は一平面からなり、全面が開口する凹形状となっている。そして、ノズル本体１４ｄの上面（全面が開口する面）を覆って、射出口１６が一定間隔となるように、複数のブロック１５が被されている。ブロック１５と、ノズル本体１４ｄとは固定されていない。

図１３に示すノズル１３では、隣接するブロック１５間に跨って、板状の遮蔽板１８が配されている。このように、複数のブロック１５間の隙間１９であって、ノズル本体１４ｄの上面の開口部を覆って遮蔽板１８が配されているので、複数の蓋１５間の隙間１９から漏れる蒸着粒子が、上方に配されている被成膜基板４０に向けて噴出されることを防止することができる。なお、図１３のノズル１３を平行に複数配してもよい。

〔実施の形態２〕
次に、図１４〜図１６の（ａ）（ｂ）を用いて、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、説明の便宜上、実施の形態１にて説明した図面と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。

（ノズル５３の構成の説明）
図１４は、第２の実施の形態に係る蒸着源５０の構成を表す斜視図である。図１５の（ａ）（ｂ）は第２の実施形態に係るノズル５３の各ブロック５５を表し、（ａ）は加熱前の各ブロック５５を表す平面図であり、（ｂ）は加熱後の各ブロック５５を表す平面図である。

第２の実施の形態に係る蒸着装置は、蒸着源１０に換えて蒸着源５０を備えている。蒸着源５０は、ノズル１３に換えてノズル５３を備えている点で蒸着源１０と相違する。蒸着源５０の他の構成は、蒸着源１０と同様である。

ノズル５３は、ノズル本体５４と、ブロック５５とを備えている。ブロック５５には、Ｘ方向に並ぶ複数の射出口１６が形成されている。

ノズル本体５４は、被成膜基板４０が配される側へ凸形状であり一面に開口部５４ｃを有する複数の突出部５４ａと、複数の突出部１４ａを接続する接続部５４ｂとから構成されている。ノズル本体５４は複数の突出部１４ａの上面が開口した容器形状（凹形状）を有している。

複数の突出部５４ａと、接続部５４ｂとは一体形成されているものである。複数のブロック５５は、複数の突出部１４ａのそれぞれを覆っている。

ブロック５５は、突出部５４ａと固定されておらず、突出部５４ａの熱による伸びと、蓋５５の熱による伸びとは独立している。

ノズル本体５４の側面には、導入管１２の一方の端部が接続されている。そして、導入管１２の他方の端部に接続された蒸着材料供給源１１から供給される蒸着材料は、導入管１２を通って接続部５４ｂに流入し、各突出部５４ａ（すなわち各ブロック５５）に供給される。

ノズル５３は、ノズル１３と同様に３つに分割されたブロック５５を有している。

ノズル５３では、３個のブロック５５が互いに干渉しないように配されている。

すなわち、図１５の（ａ）に示すように、３つのブロック５５は、長手方向が互いに平行であり、３つのブロック５５のうち、真ん中に配されているブロックが、Ｙ方向にずれて配されている。

また、各ブロック５５は、被成膜基板４０の走査方向（Ｙ方向）には十分な空隙を開けて配置されている。

ノズル５３の加熱前には、複数の射出口１６は、Ｘ方向のピッチが、複数のノズル５３ａに跨って一定となるように配されている。

図１５の（ｂ）に示すように、ノズル５３が加熱されると、各ブロック５５は、特に長手方向（±Ｘ方向）に伸びる。しかし、ノズル５３では、互いに平行に配されている３個のブロック５５のうち、真ん中に配されているブロック５５は、他のブロック５５より、被成膜基板４０の走査方向にずらして配されている。さらに、各ブロック５５間の被成膜基板の走査方向には十分な空間が設けられている。

このため、各ブロック５５が熱により、長手方向に伸びたとしても、互いの端部が干渉することが無いので、干渉による射出口１６の位置ずれを防止することができる。

上述したノズル１３では、各ブロック１５間に隙間１９を設けることで、熱で長手方向に伸びた場合の各ブロック１５間の干渉を防止していた。

しかし、ノズル１３では、一列に並ぶ複数のブロック１５間に跨って、射出口１６のピッチを一定とするために、隙間１９の距離は、射出口１６間の距離以下とする必要がある。このため、ブロック１５の長手方向の熱による伸び量を、射出口１６間の間隔以下となるように設計する必要がある。

一方、ノズル５３では、各ブロック５５は、互いに平行に配されているが、真ん中のブロック５５が、被成膜基板４０の走査方向にずれて配されているので、ブロック５５の長手方向の熱による伸び量を射出口１６間の間隔以下とする必要はなく、設計自由度を向上させることができる。

また、複数のブロック５５間で射出口１６のピッチを一定にしつつ、さらに、一ブロック５５内で、端部と、一番端に位置する射出口１６との距離を離すことができる。

ここで、一ブロック５５のうち、長手方向の両端部と、中央部とでは、ブロック５５の形状が異なるので、複数の射出口１６のうち、両端近傍に形成された射出口１６と、中央部近傍に配されている射出口１６との間に温度分布が生じやすい。温度分布が生じると、噴出する蒸着材料の量が変わり、成膜される蒸着膜の膜厚が不均一となる。

しかし、上述したように、ノズル５３では、真ん中のブロック５５が被成膜基板４０の走査方向にずれて配されている。

このため、複数のブロック５５に跨って射出口１６のピッチを一定としながら、一ブロック５５内で、一番端に形成されている射出口１６を、当該一ブロック５５の両端部から離して形成することができる。このため、一ブロック５５内での射出口１６の温度バラツキを一定にすることで、蒸着粒子１７の射出量バラツキを抑えることができると共に、加工性を向上させることができる。

また、ノズル５３では、３個のブロック５５のうち、一つだけが、被成膜基板４０の走査方向にずれて配されていた。しかし、これに限らず、複数のブロック５５のうち、少なくとも一つが被成膜基板４０の走査方向にずれていればよく、複数のブロック５５が被成膜基板４０の走査方向にずれていてもよい。

（蒸着源５０の変形例）
図１６の（ａ）（ｂ）は、蒸着源５０の変形例を表し、（ａ）は一つの蒸着材料供給源１１と複数に分割されたノズル５３ａとが接続された蒸着源５０の構成を表す図であり、（ｂ）は複数の蒸着材料供給源１１のそれぞれと複数に分割されたノズル５３ａのそれぞれとが接続された蒸着源５０の構成を表す図である。

図１６の（ａ）の蒸着源５０のノズル５３は、図１４のノズル５３を３つに分離した構成である。図１６の（ａ）のノズル５３は、３個のノズル５３ａからなる。すなわち、各ノズル５３ａのノズル本体は、ノズル５３の開口部５４ｃ毎に突出部５４ａが分離された構成である。

各ノズル５３ａそれぞれは、ノズル本体５３ｂと、当該ノズル本体５３ｂの上面に形成された開口部を覆うブロック５３ｃとからなる。各ノズル本体５３ｂそれぞれは上面に開口部を有する容器形状（凹形状）となっている。各ブロック５３ｃそれぞれは各ノズル本体５３ｂそれぞれの上面の開口部を覆う蓋であり、各ノズル本体５３ｂそれぞれと固定されていない。そして、各ブロック５３ｃそれぞれは離間している。

導入管１２の一方の端部は３つに分岐しており、それぞれ、各ノズル５３ａのノズル本体５３ｂの側面と接続されている。そして、導入管１２の他方の端部は、一つの蒸着材料供給源１１と接続されている。

このように、図１６の（ａ）のノズル５３ａは、ノズル５３が分離したような構成となっている。

図１６の（ｂ）の蒸着源５０は、図１６の（ａ）の蒸着源５０から、さらに、導入管１２及び蒸着材料供給源１１が３つに分離している構成である。

図１６の（ｂ）の蒸着源５０は、３個のノズル５３ａからなるノズル５３を備えていると共に、導入管１２及び蒸着材料供給源１１もそれぞれ３個に分離されている。そして、各ノズル５３ａと、各蒸着材料供給源１１とは、それぞれ、導入管１２により、一対一で、別々に接続されている。

このように、図１６の（ｂ）の蒸着源５０は、分離した３個の蒸着材料供給源１１からなる構成である。

図１６の（ａ）（ｂ）のように、各ノズル５３ａを完全に分離して、個別に蒸着材料供給源１１と接続する構成とすることにより、長尺の一体化されたノズルを作製する必要がなく、長距離にわたって高精度な開口加工を行う必要がない。このため、不良品の発生を抑え、製造コスト増大を防止することができる。

図１６の（ａ）に示す蒸着源５０は、蒸着材料供給源１１は一つであり、各ノズル５３ａに繋がる導入管１２が分岐された構成である。このため、蒸着源５０によると、各ノズル５３ａから放出される蒸着粒子の量や分布が、各導入管１２の長さや形状に影響を受ける可能性がある。

一方、図１６の（ｂ）の蒸着源５０は、蒸着材料供給源１１も３個に分離されており、分離された蒸着供給源１１は、それぞれ個別に、導入管１２により各ノズル５３ａと接続されている。このため、それぞれの導入管１２の形状を揃え易く、各ノズル５３ａから放出される蒸着粒子の量や分布が、各導入管１２の長さや形状に影響を受けることを防止することができる。

しかし、図１６の（ｂ）の蒸着源５０は個別に分離されているため、それぞれの蒸着源５０から供給する蒸着粒子の流量にバラツキがあった場合、各ノズル５３ａから放出される蒸着粒子の量や分布はそのバラツキに影響を受ける可能性がる。

一方、図１６の（ａ）に示す蒸着源５０は、蒸着材料供給源１１が一つであるため、蒸着材料供給源１１が供給する蒸着粒子のバラツキの発生を防止することができる。

このように、図１６の（ａ）（ｂ）それぞれの蒸着源５０は、蒸着粒子をノズル５３ａに供給する構造が相違するため、ノズル５３ａから放出される蒸着粒子の量や分布が影響を受ける因子に差異が生じる。このため、適宜、使い分ける必要がある。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

上記の課題を解決するために、本発明の蒸着装置は、蒸着処理により、被成膜基板に所定パターンの蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、蒸着処理の際、上記被成膜基板に向けて上記蒸着膜となる蒸着粒子を射出する複数の射出口が形成された射出部と、上記射出部と、上記被成膜基板との間に配され、上記複数の射出口から射出された蒸着粒子の、上記被成膜基板に対する入射角を制限するための複数の制限板とを備え、上記射出部は、上記被成膜基板が配される側の面に開口部を有する容器形状の射出部本体と、上記開口部を覆い、互いに離間し、上記複数の射出口がそれぞれに形成されている複数のブロックとを備えていることを特徴としている。

上記構成によると、上記射出部と、上記被成膜基板との間に配されている上記複数の制限板により、上記射出口から射出された蒸着粒子の、上記被成膜基板に対する入射角を、一定範囲内に制限することができる。これにより、上記被成膜基板に対する斜め方向からの蒸着粒子の飛来を防止することができる。このため、上記被成膜基板に成膜された所定の蒸着パターンの側部への不要な蒸着膜の付着を防止することができ、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。

さらに、上記構成によると、上記複数の射出口は、上記射出部本体の開口部を覆う、当該射出部本体とは別の構成である複数のブロックのそれぞれに形成されており、当該複数のそれぞれのブロックは互いに離間している。

これにより、蒸着処理の際に加熱されると、複数のブロックのそれぞれは独立して伸びるので、一つの長尺ブロックが射出部本体と一体形成されている場合と比べて、加熱前後での上記複数の射出口の位置ずれを少なくすることができる。

このため、加熱されたときの上記複数の制限板のそれぞれと、上記複数の射出口のそれぞれとの相対な位置ずれの発生を抑制することができ、さらに高精細な蒸着膜パターンを被成膜基板に成膜することができる。

また、上記射出部本体と、上記ブロックとは固定されていないことが好ましい。上記構成によると、蒸着処理の際の加熱により上記射出部本体が熱膨張しても、当該射出部本体の熱膨張による上記複数の各ブロックへの影響を抑えることができ、加熱前後での複数の射出口の位置ずれを、さらに抑えることができる。

また、上記射出部本体は、上記開口部を複数有しており、上記複数のブロックのそれぞれは、上記複数の開口部のそれぞれを覆って配されていることが好ましい。上記構成により、上記射出部本体内の蒸着粒子を、上記複数の射出口から、上記被成膜基板に向けて射出することができる。

また、上記射出部本体は、上記複数の開口部のそれぞれを、上記被成膜基板が配される側に突出させる突出部を複数有しており、上記複数のブロックのそれぞれは、上記複数の突出部のそれぞれを覆って配されていることが好ましい。

上記構成によると、上記ブロックのそれぞれにより、上記突出部が覆われているので、上記射出口以外であって、上記開口部から蒸着粒子が漏れたとしても、その漏れた蒸着粒子が上記被成膜基板に到達することを防止することができる。

また、上記射出部本体は、上記複数の開口部毎に、互いに分離されている構成であってもよい。これにより、長尺の一体化された射出部を作製する必要がなく、長距離にわたって高精度な開口加工を行う必要がない。このため、不良品の発生を抑え、製造コスト増大を防止することができる。

また、上記被成膜基板を、一方向に走査するための基板駆動部を備え、上記基板駆動部が上記被成膜基板を走査する方向を第１の方向とすると、上記複数のブロックのそれぞれに配されている複数の射出口のピッチは、平面視で、上記第１の方向と直交する第２の方向に、非加熱の際、等ピッチであることが好ましい。

上記構成によると、上記被成膜基板を、第１の方向に走査させながら、蒸着パターンを成膜することができるので、蒸着マスクを、上記被成膜基板より小さくすることができる。

これにより、蒸着マスクの撓みを防止し、高精細な蒸着パターンを成膜することができる。

また、上記複数のブロックのそれぞれは、加熱されると、上記第１の方向にずれるように、互いに押し合う形状とすることもできる。上記構成によると、加熱による膨張により、上記複数のブロック間が互いに押し合ったとしても、被成膜基板の走査方向である第１の方向にずれるので、不良品発生を抑制することができる。

また、上記複数のブロックのそれぞれは、平面視で平行四辺形であってもよい。また、上記複数のブロックのそれぞれは、平面視で三角形または台形であり、隣接するブロックとは方向が反転して配されていてもよい。

上記構成により、上記複数のブロックのそれぞれは、加熱による熱膨張で互いに押し合ったとしても、被成膜基板の走査方向である第１の方向にずれる。これにより、不良品発生を抑制することができる。

また、上記複数のブロックのそれぞれが、平面視で平行四辺形である場合、上記複数のブロックのそれぞれの射出口は、並ぶ方向を結ぶ直線が、上記ブロックの長手方向に平行な向きから、平行四辺形の鋭角間を結ぶ対角線に沿う向きに近付くように傾斜して配されていることが好ましい。

このため、平行四辺形を有するブロックでも、複数のブロック間で、射出口を第２の向きに等ピッチで配することができる。

また、上記複数のブロックは、長手方向が互いに平行であり、上記第２の方向に一列に並んで配されていることが好ましい。

上記構成によると、複数の射出口を長い距離連続して、上記第２の方向に配することができる。これにより一度の上記被成膜基板の走査で蒸着膜パターンを形成できる面積を増大させることができ、製造時間を短縮することができる。

また、上記複数のブロックは、長手方向が互いに平行であり、当該複数のブロックのうち、少なくとも一つのブロックが、上記第１の方向にずれて配されていることが好ましい。

上記構成によると、加熱により、上記ブロックが長手方向に伸びたとしても、互いに干渉することを防止することができる。これにより、加熱前後での射出口の位置ずれ抑制することができる。

また、非加熱の際、上記複数の射出口のピッチは、上記複数のブロック間に跨って、上記第２の方向に等ピッチであることが好ましい。上記構成によると、ブロック間での蒸着膜パターンの位置ずれを防止することができる。

また、上記ブロックはインバー材からなることが好ましい。これにより、加熱前後での射出口の位置ずれを抑制することができる。

上記の課題を解決するために、本発明の蒸着方法は、蒸着処理により、被成膜基板に所定の蒸着膜パターンを成膜する蒸着方法であって、蒸着処理の際、上記蒸着膜パターンとなる蒸着粒子の、上記被成膜基板に対する入射角を制限するための複数の制限板間を通過させてから、上記被成膜基板に、上記蒸着粒子が到達するように、上記蒸着粒子を射出する工程を有し、上記蒸着粒子を射出する工程では、互いに離間する複数のブロックのそれぞれに形成されている複数の射出口から、上記蒸着粒子を射出することを特徴としている。

上記構成によると、上記被成膜基板に到達した蒸着粒子の、上記被成膜基板に対する入射角は、上記制限板により一定範囲に制限される。これにより、上記被成膜基板に対する斜め方向からの蒸着粒子の飛来を防止することができる。このため、上記被成膜基板に成膜された所定の蒸着パターンの側部への不要な蒸着膜の付着を防止することができ、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。

さらに、上記蒸着粒子を射出する工程では、互いに離間する複数のブロックのそれぞれに形成されている複数の射出口から、上記蒸着粒子を射出する。

これにより、蒸着処理の際に加熱されると、複数のブロックのそれぞれは独立して伸びるので、一つの長尺ブロックが一体形成されている場合と比べて、加熱前後での上記複数の射出口の位置ずれを少なくすることができる。

このため、加熱されたときの上記複数の制限板のそれぞれと、上記複数の射出口のそれぞれとの相対な位置ずれの発生を抑制することができ、さらに高精細な蒸着膜パターンを被成膜基板に成膜することができる。

また、上記蒸着方法を用いて、各副画素の発光層を成膜する有機ＥＬ表示装置を製造することが好ましい。これにより、上記蒸着パターンとして、発光層が高精細にパターン形成された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。

本発明は、高精細な蒸着パターンの成膜が要求されるデバイスへの蒸着膜の成膜を行うための蒸着装置、蒸着方法に利用することができ、特に、有機ＥＬ表示装置の発光層を蒸着するための蒸着装置、蒸着方法に好適に利用することができる。

１ 蒸着装置
２ 画素
３ 有機ＥＬ表示装置
９ 基板駆動機構（基板駆動部）
１０・５０ 蒸着源
１１ 蒸着材料供給源
１２ 導入管
１３・５３ ノズル（射出部）
１４・１４ｄ・５４ ノズル本体（射出部本体）
１４ａ・５４ａ 突出部
１４ｂ・５４ｂ 接続部
１４ｃ・５４ｃ 開口部
１５・５５ ブロック
１５ｂ・１５ｃ ブロック
１６ 射出口
１７ 蒸着粒子
１９ 隙間
２０ 制限板
３０ 蒸着マスク
３１ 開口部
４０ 被成膜基板
４７ 発光層

Claims (15)

1. 蒸着処理により、被成膜基板に所定の蒸着膜パターンを成膜する蒸着装置であって、
   蒸着処理の際、上記被成膜基板に向けて、上記蒸着膜パターンとなる蒸着粒子を射出する複数の射出口が形成された射出部と、
   上記射出部と、上記被成膜基板との間に配され、上記複数の射出口から射出された蒸着粒子の、上記被成膜基板に対する入射角を制限するための複数の制限板と、
   上記被成膜基板を、一方向に走査するための基板駆動部とを備え、
   上記射出部は、上記被成膜基板が配される側の面に開口部を有する容器形状の射出部本体と、
   上記開口部を覆い、互いに離間し、上記複数の射出口がそれぞれに形成されている複数のブロックとを備え、
   上記基板駆動部が上記被成膜基板を走査する方向を第１の方向とすると、
   上記複数のブロックのそれぞれに配されている複数の射出口のピッチは、平面視で、上記第１の方向と直交する第２の方向に、非加熱の際、等ピッチであり、
   非加熱の際、上記複数の射出口のピッチは、上記複数のブロック間に跨って、上記第２の方向に等ピッチであることを特徴とする蒸着装置。
2. 上記複数のブロックは、長手方向が互いに平行であり、上記第２の方向に一列に並んで配されていることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
3. 上記複数のブロックは、長手方向が互いに平行であり、当該複数のブロックのうち、少なくとも一つのブロックが、上記第１の方向にずれて配されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の蒸着装置。
4. 上記複数のブロックのそれぞれは、加熱されると、上記第１の方向にずれるように、互いに押し合う形状であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の蒸着装置。
5. 上記ブロックはインバー材からなることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の蒸着装置。
6. 上記射出部本体と、上記ブロックとは固定されていないことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の蒸着装置。
7. 上記射出部本体は、上記開口部を複数有しており、
   上記複数のブロックのそれぞれは、上記複数の開口部のそれぞれを覆って配されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の蒸着装置。
8. 上記射出部本体は、上記複数の開口部のそれぞれを、上記被成膜基板が配される側に突出させる突出部を複数有しており、
   上記複数のブロックのそれぞれは、上記複数の突出部のそれぞれを覆って配されていることを特徴とする請求項７に記載の蒸着装置。
9. 上記射出部本体は、上記複数の開口部毎に、互いに分離されていることを特徴とする請求項７に記載の蒸着装置。
10. 上記被成膜基板を、一方向に走査するための基板駆動部を備え、
    上記基板駆動部が上記被成膜基板を走査する方向を第１の方向とすると、
    上記複数のブロックのそれぞれに配されている複数の射出口のピッチは、平面視で、上記第１の方向と直交する第２の方向に、非加熱の際、等ピッチであることを特徴とする請求項５記載の蒸着装置。
11. 上記複数のブロックのそれぞれは、平面視で平行四辺形であることを特徴とする請求項４に記載の蒸着装置。
12. 上記複数のブロックのそれぞれの射出口は、並ぶ方向を結ぶ直線が、上記ブロックの長手方向に平行な向きから、平行四辺形の鋭角間を結ぶ対角線に沿う向きに近付くように傾斜して配されていることを特徴とする請求項１１に記載の蒸着装置。
13. 上記複数のブロックのそれぞれは、平面視で三角形または台形であり、隣接するブロックとは方向が反転して配されていることを特徴とする請求項４に記載の蒸着装置。
14. 蒸着処理により、被成膜基板に所定の蒸着膜パターンを成膜する蒸着方法であって、
    蒸着処理の際、上記被成膜基板を、一方向に走査すると共に、上記蒸着膜パターンとなる蒸着粒子の、上記被成膜基板に対する入射角を制限するための複数の制限板間を通過させてから、上記被成膜基板に、上記蒸着粒子が到達するように、上記蒸着粒子を射出する工程を有し、
    上記蒸着粒子を射出する工程では、
    互いに離間する複数のブロックのそれぞれに形成されている複数の射出口から、上記蒸着粒子を射出し、
    上記被成膜基板が走査される上記一方向を第１の方向とすると、
    上記複数のブロックのそれぞれに配されている複数の射出口のピッチは、平面視で、上記第１の方向と直交する第２の方向に、非加熱の際、等ピッチであり、
    非加熱の際、上記複数の射出口のピッチは、上記複数のブロック間に跨って、上記第２の方向に等ピッチであることを特徴とする蒸着方法。
15. 請求項１４に記載の蒸着方法により、各副画素の発光層を成膜することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。

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