CN103430625B - 蒸镀装置、蒸镀方法和有机el显示装置的制造方法 - Google Patents

蒸镀装置、蒸镀方法和有机el显示装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

蒸镀装置(1)通过蒸镀处理在被成膜基板(40)上形成规定图案的发光层(47)，蒸镀装置(1)包括：喷嘴(13)，其形成有在进行蒸镀处理时向被成膜基板(40)射出形成发光层(47)的蒸镀颗粒(17)的多个射出口(16)；和多个限制板(20)，该多个限制板(20)配置于喷嘴(13)与被成膜基板(40)之间，对从多个射出口(16)射出的蒸镀颗粒(17)相对于被成膜基板(40)的入射角进行限制，喷嘴(13)包括：在配置被成膜基板(40)的一侧的面具有开口部(14c)的容器形状的喷嘴主体(14b)；和多个块体(15)，该多个块体(15)覆盖开口部(14c)，相互分离，且分别形成有多个射出口(16)。由此，形成高精细的蒸镀膜图案。

Description

蒸镀装置、蒸镀方法和有机EL显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及蒸镀装置、蒸镀方法和有机EL显示装置的制造方法。
背景技术
近年，开发出了多种多样的平板显示器(以下称为FPD)。
特别是，有机EL(Electro luminescence，电致发光)显示装置能够通过使配置于各像素的发光层自发光而进行图像显示，因此由于具有低耗电、高速响应性等特点而作为优秀的FPD受到高度关注。
有机EL显示装置的各像素，一般包括：形成有发出红(R)色光的发光层的红色用子像素、形成有发出绿(G)色光的发光层的绿色用子像素、形成有发出蓝(B)色光的发光层的蓝色用子像素。形成于各子像素的发光层具有有机膜的层叠构造，按各子像素形成图案。
如专利文献1、2所公开的那样，作为按每个子像素不发生混色地分涂发光层的方法，可以举出使用掩模(有时被称为荫罩)的蒸镀法。
在专利文献1、2中，通过使掩模和基板依次相对移动，按每个子像素对发光层进行图案形成。
一般而言，蒸镀源与掩模分离配置。因此，除了从掩模的开口部的法线方向入射的蒸镀颗粒，从上述开口部的斜方向入射的蒸镀颗粒也在基板上成膜。
像这样，从开口部的斜方向入射的蒸镀颗粒在基板上成膜，由此在发光层的边缘部分，从膜厚中心到端部逐渐变薄而形成模糊(毛边)。该模糊(毛边)部分的产生成为混色等图像显示特性劣化的原因。
于是，提出了一种能够解决上述这种问题的新的蒸镀法(称为新蒸镀法)。用图17对此进行说明。
图17是表示新蒸镀法的蒸镀装置的结构的立体图。
如图17所示，在密闭的真空腔室内，在Z轴方向上依次相互分离地配置有蒸镀源160、多个限制板181、掩模170和基板110。
在与平行于基板110配置的掩模170隔开固定间隔的状态下，基板110以固定速度沿着图17的箭头110a所示的方向移动(扫描)。像这样，一边使基板110移动一边进行蒸镀，由此能够使掩模170小型化，能够防止掩模170的翘曲。基板110移动的方向为Y方向。
在掩模170上形成有Y方向为长边方向的开口部171。在掩模170上沿着X方向依次排列形成有多个开口部171。掩模170的Y方向的宽度比基板110的Y方向的宽度短。
限制板181的与YZ平面平行的面为主面(面积最大的面)。即，多个限制板181中的各个限制板以与基板110垂直的方式配置。而且，多个限制板181中的各个限制板彼此平行，沿着X方向依次排列配置。
蒸镀源160以X方向为长边方向的方式配置，配置有在X方向上成列的多个喷嘴161。
从各喷嘴161喷出的蒸镀颗粒191，通过限制板181之间，透过形成于掩模170的开口部171后，在正在扫描的基板110上成膜。像这样，通过设置限制板181，能够限制从各喷嘴161喷出的蒸镀颗粒向斜方向移动。即，通过设置限制板181，能够对入射至掩模170的开口部171的蒸镀颗粒的入射角进行限制，因此能够抑制在基板110上成膜的发光层的模糊(毛边)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本公开专利公报“特开平8-227276号公报(1996年9月3日公开)”
专利文献2：日本公开专利公报“特开2000-188179号公报(2000年7月4日公开)”
发明内容
发明要解决的技术问题
但是，本发明的发明人等发现在图17所示的技术中会产生以下的技术问题。
图17所示的蒸镀装置中，从喷嘴161射出的蒸镀颗粒191的X方向的移动受到限制板181的限制。
因此，如图18的(a)、(b)所示，当喷嘴161和限制板181的X方向上的相对位置发生变化时，蒸镀到基板110上的蒸镀范围也发生变化。即，喷嘴161和限制板181的相对位置的变化少这一点是重要的。
图18的(a)为表示蒸镀源160的加热前的蒸镀范围的图，(b)为表示蒸镀源160加热后的蒸镀范围的图。
但是，在进行蒸镀时，蒸镀装置的腔室内被加热至高温，因此蒸镀源160会因热而伸长。
图19表示加热前后的蒸镀源160的情况。如图19所示，蒸镀源160伸长，导致喷嘴161的位置发生变化。加热导致的喷嘴161的位置偏移，越靠近蒸镀源160的端部越大。
如图19所示，令蒸镀源160的加热前的长度为L。令加热引起的蒸镀源160的伸长量为ΔL、蒸镀源160的线膨胀系数为α、上升温度为ΔT时，ΔL能够由下述式子表示。
ΔL=α×L×ΔT
由此可知，L越大，喷嘴161的偏移越大。
另一方面，限制板181与蒸镀源160分离配置，另外，形状也与蒸镀源160大为不同，因此在加热前后，限制板181与喷嘴161的相对位置根据情况的不同而大幅不同。
另外，根据使用的蒸镀材料的不同，加热温度各不相同，而且，加热导致的喷嘴161与限制板181的位置的偏移量很微小，因此预先对加热时的偏移量进行修正是很困难的。
但是，即使该加热时的喷嘴161与限制板181的位置偏移是微小的，如果在该状态下进行蒸镀，蒸镀在基板110上的蒸镀范围根据部位的不同而变化。因此，成膜的图案的位置、形状不同，成为混色等图像显示特性劣化的原因。
本发明为了解决上述问题而完成，其目的在于形成高精细的蒸镀膜图案。
解决技术问题的技术手段
为了解决上述技术问题，本发明的蒸镀装置，通过蒸镀处理在被成膜基板上形成规定图案的蒸镀膜，所述蒸镀装置的特征在于，包括：射出部，其形成有在进行蒸镀处理时向上述被成膜基板射出形成上述蒸镀膜的蒸镀颗粒的多个射出口；和多个限制板，该多个限制板配置于上述射出部与上述被成膜基板之间，对从上述多个射出口射出的蒸镀颗粒相对于上述被成膜基板的入射角进行限制，上述射出部包括：在配置上述被成膜基板的一侧的面具有开口部的容器形状的射出部主体；和多个块体，该多个块体覆盖上述开口部，相互分离，且分别形成有上述多个射出口。
根据上述结构，通过配置于上述射出部与上述被成膜基板之间的上述多个限制板，能够将从上述射出口射出的蒸镀颗粒相对于上述被成膜基板的入射角限制于一定范围内。由此，能够防止相对于上述被成膜基板从斜方向飞来蒸镀颗粒。因此，能够防止向在上述被成膜基板上成膜的规定的蒸镀图案的侧部附着无用的蒸镀膜，能够形成高精细的蒸镀膜图案。
进而，根据上述结构，上述多个射出口分别形成于覆盖上述射出部主体的开口部的、作为与该射出部主体不为同体的多个块体中的各个块体，该多个块体中的各个块体彼此分离。
由此，在蒸镀处理时被加热的情况下，多个块体中的各个块体独立地伸长，因此与一个长尺寸的块体与射出部主体一体化地形成的情况相比，能够使加热前后的上述多个射出口的位置偏移变少。
因此，能够抑制产生被加热时的上述多个限制板中的各个限制板与上述多个射出口中的各个射出口的相对的位置偏移，能够在被成膜基板上形成更加高精细的蒸镀膜图案。
为了解决上述技术问题，本发明的蒸镀方法，通过蒸镀处理在被成膜基板上形成规定的蒸镀膜图案，上述蒸镀方法的特征在于：具有以下工序：在蒸镀处理时，射出形成上述蒸镀膜图案的蒸镀颗粒，使得上述蒸镀颗粒通过对上述蒸镀颗粒相对于上述被成膜基板的入射角进行限制的多个限制板间之后到达上述被成膜基板，在射出上述蒸镀颗粒的工序中，从在相互分离的多个块体中的各个块体形成的多个射出口射出上述蒸镀颗粒。
根据上述结构，到达上述被成膜基板的蒸镀颗粒相对于上述被成膜基板的入射角，被上述限制板限制于一定范围内。由此，能够防止相对于上述被成膜基板从斜方向飞来蒸镀颗粒。因此，能够防止向在上述被成膜基板上成膜的规定的蒸镀图案的侧部附着无用的蒸镀膜，能够形成高精细的蒸镀膜图案。
进而，在射出上述蒸镀颗粒的工序中，从在相互分离的多个块体中的各个块体形成的多个射出口射出上述蒸镀颗粒。
由此，在蒸镀处理时被加热的情况下，多个块体中的各个块体独立地伸长，因此与一个长尺寸的块体一体化地形成的情况相比，能够使加热前后的上述多个射出口的位置偏移变少。
因此，能够抑制产生被加热时的上述多个限制板中的各个限制板与上述多个射出口中的各个射出口的相对的位置偏移，能够在被成膜基板上形成更加高精细的蒸镀膜图案。
发明的效果
本发明的蒸镀装置，通过蒸镀处理在被成膜基板上形成规定图案的蒸镀膜，上述蒸镀装置包括：射出部，其形成有在进行蒸镀处理时向上述被成膜基板射出形成上述蒸镀膜的蒸镀颗粒的多个射出口；和多个限制板，该多个限制板配置于上述射出部与上述被成膜基板之间，对从上述多个射出口射出的蒸镀颗粒相对于上述被成膜基板的入射角进行限制，上述射出部包括：在配置上述被成膜基板的一侧的面具有开口部的容器形状的射出部主体；和多个块体，该多个块体覆盖上述开口部，相互分离，且分别形成有上述多个射出口。
本发明的蒸镀方法通过蒸镀处理在被成膜基板上形成规定的蒸镀膜图案，上述蒸镀方法具有以下工序：在蒸镀处理时，射出形成上述蒸镀膜图案的蒸镀颗粒，使得上述蒸镀颗粒通过对上述蒸镀颗粒相对于上述被成膜基板的入射角进行限制的多个限制板间之后到达上述被成膜基板，在射出上述蒸镀颗粒的工序中，从在相互分离的多个块体中的各个块体形成的多个射出口射出上述蒸镀颗粒。
由此，实现能够形成高精细的蒸镀膜图案的效果。
附图说明
图1是表示第一实施方式的蒸镀装置的结构的立体图。
图2是表示第一实施方式的蒸镀装置的结构的剖视图。
图3是表示有机EL显示装置的结构的剖视图。
图4是按顺序表示有机EL显示装置的制造工序的流程图。
图5中(a)是表示现有技术的喷嘴的结构的俯视图，(b)是表示第一实施方式的喷嘴的结构的俯视图。
图6中(a)是表示第一实施方式的喷嘴的结构的立体图，(b)是(a)所示的喷嘴的剖视图。
图7中(a)是表示加热前的现有技术的喷嘴的结构的俯视图，(b)是表示加热后的现有技术的喷嘴的结构的俯视图。
图8中(a)是表示加热前的实施方式1的喷嘴的结构的俯视图，(b)是表示加热后的实施方式1的喷嘴的结构的俯视图。
图9中(a)是说明射出口的位置无偏移时的蒸镀范围的图，(b)是发生射出口的位置偏移时的蒸镀范围的图。
图10是表示射出口的位置偏移导致的蒸镀到被成膜基板上的蒸镀膜图案位置的变化的图。
图11是表示具有俯视时为平行四边形形状的多个块体的喷嘴的结构的俯视图。
图12是表示俯视时具有多个块体的喷嘴的结构的俯视图，(a)为块体具有三角形形状时的俯视图，(b)为块体具有梯形形状时的俯视图。
图13是表示由不具有突出部的喷嘴主体和多个块体构成的喷嘴的立体图。
图14是表示第二实施方式的蒸镀源的结构的立体图。
图15中(a)、(b)表示第二实施方式的喷嘴的各块体，(a)为表示加热前的各块体的俯视图，(b)为表示加热后的各块体的俯视图。
图16中(a)、(b)表示第二实施方式的蒸镀源的变形例，(a)为表示将一个蒸镀材料供给源和被分割为多个的喷嘴连接而得到的蒸镀源的结构的图，(b)为表示将多个蒸镀材料供给源中的各个蒸镀材料供给源和被分割为多个的喷嘴中的各个喷嘴连接而得到的蒸镀源的结构的图。
图17是表示新蒸镀法的蒸镀装置的结构的立体图。
图18中(a)为表示图17的蒸镀源的加热前的蒸镀范围的图，(b)为表示图17的蒸镀源的加热后的蒸镀范围的图。
图19为表示图17的加热前后的蒸镀源的情况的图。
图20中(a)是表示限制板的支承体的立体图，(b)是(a)的G-G’线剖视图。
具体实施方式
以下，针对本发明的实施方式详细进行说明。
〔实施方式1〕
用图1～图12的(a)、(b)对本发明的第一实施方式进行说明。
首先，对使用第一实施方式的蒸镀装置1制造的有机EL显示装置的结构及其制造方法进行说明，然后对蒸镀装置1的结构进行说明。
(有机EL显示装置的结构)
使用图3，对使用蒸镀装置1制造的有机EL显示装置3的结构进行说明。图3是表示有机EL显示装置3的结构的剖视图。
有机EL显示装置3具备有机EL基板5、粘接层6、密封基板7。进而，有机EL显示装置3具备用于对显示的图像进行控制的图像控制部(未图示)。有机EL基板5与密封基板7通过粘接层6粘合。
有机EL基板5具备被成膜基板40、发光层47、第二电极48。在有机EL显示装置3中，一个像素2具备发出红色光的子像素2R、发出绿色光的子像素2G、发出蓝色光的子像素2B。而且，在有机EL显示装置3的图像的显示区域，呈矩阵状配置有多个像素2。
发光层47包括配置于子像素2R的发出红色光的发光层47R、配置于子像素2G的发出绿色光的发光层47G、配置于子像素2B的发出蓝色光的发光层47B。
如后所述，本实施方式的蒸镀装置1能够适用于分别将各发光层47R、47G、47B依次分涂蒸镀形成至各子像素2R、2G、2B中的蒸镀装置。
被成膜基板40包括支承基板41、TFT42、层间绝缘膜43、第一电极44、边缘覆盖物45、空穴注入层兼空穴输送层46。
作为支承基板41的一个例子，可以由玻璃形成。在支承基板41上配置有相互平行配置的多个栅极线(未图示)和与相互平行配置的栅极线正交地交叉的多个信号线(未图示)。俯视显示装置3时，由信号线、栅极线划分而得的区域分别为子像素2R、2G、2B。
TFT42分别配置于支承基板41的各子像素2R、2G、2B。TFT42为用于控制各子像素2R、2G、2B的驱动的开关元件。
层间绝缘膜43作为平坦化膜起作用，覆盖TFT42、配置在支承基板41的显示区域整个面上。
第一电极44在本实施方式中作为阳极起作用。第一电极44配置于层间绝缘膜43上。第一电极44配置于子像素2R、2G、2B内，通过设置于层间绝缘膜43的接触孔与TFT42连接。
边缘覆盖物45是用于防止第一电极44的端部与后述的第二电极48发生短路的绝缘层。边缘覆盖物45在层间绝缘膜43之上以覆盖第一电极44的端部的方式形成。
空穴注入层兼空穴输送层46兼备作为空穴注入层的功能和作为空穴输送层的功能。空穴注入层是具有提高从第一电极44向发光层47R、47G、47B注入空穴的效率的功能的层。空穴输送层是具有提高向发光层47R、47G、47B输送空穴的效率的功能的层。
空穴注入层兼空穴输送层46以覆盖第一电极44和边缘覆盖物45的方式在显示区域的整个面上均匀地形成。
此外，空穴注入层兼空穴输送层46也可以不是上述这样的同一个层，而是空穴注入层和空穴输送层分开形成的层。
像这样构成被成膜基板40。而且，有机EL基板5具备被成膜基板40、由蒸镀装置1形成的发光层47、第二电极48。
发光层47是具有使从第一电极44侧注入的孔穴(空穴)、从第二电极48侧注入的电子再结合而发光的功能的层。发光层47是由蒸镀装置1图案化的蒸镀膜图案。发光层47在空穴注入层兼空穴输送层46上，形成于边缘覆盖物45间的各子像素2R、2G、2B的开口部。
发光层47如上所述，包括发出3色的光的发光层47R、47G、47B。发光层47R在各子像素2R中形成为条状。发光层47G在各子像素2G中形成为条状。发光层47B在各子像素2B中形成为条状。
发光层47R、47G、47B分别优选为低分子荧光色素或金属络合物等发光效率高的材料。
另外，在发光层47R、47G、47B和空穴注入层兼空穴输送层46上，未图示的电子输送层和电子注入层依次叠层。电子输送层和电子注入层在显示区域的整个面上均匀地形成。
电子输送层是具有提高从第二电极48向发光层47R、47G、47B输送电子的效率的功能的层。另外，电子注入层是具有提高从第二电极48向电子输送层注入电子的效率的功能的层。此外，电子输送层和电子注入层也可以不是各自独立的层，而是形成为一体化的单一层。
第二电极48是具有向发光层47注入电子的功能的层。第二电极48在电子输送层上、在显示区域的整个面均匀地形成。第二电极48在本实施方式中作为阴极起作用。
在后面的说明中，有时将上述的第一电极44、空穴注入层兼空穴输送层46、发光层47、电子输送层、电子注入层和第二电极48称为有机EL元件。
此外，也可以构成为：第一电极44作为阴极起作用，第二电极48作为阳极起作用。此时，从第一电极44到第二电极48的各层的层叠顺序，与上述的顺序相反。
像这样构成有机EL基板5。
该有机EL基板5通过粘接层6与密封基板7贴合，由此形成有机EL显示面板。即，有机EL元件由支承基板41、粘接层6和密封基板7密封。
而且，通过有机EL显示面板与未图示的上述图像控制部连接而形成有机EL显示装置3。
此外，有机EL元件中的第一电极44、第二电极48和发光层47以外的结构只要适当插入即可。另外，在有机EL基板5中，也可以追加用于阻止某种电荷载流子(空穴或电子)的阻挡层。
(有机EL显示装置3的制造方法)
接着，使用图3、图4，对有机EL显示装置3的制造方法进行说明。
图4是按顺序表示有机EL显示装置3的制造工序的流程图。
首先，制造被成膜基板40。
在支承基板41上，形成TFT42、层间绝缘膜43和第一电极44(工序S1)。在支承基板41中，作为一例，可以使用厚度约为1mm、纵横尺寸为500×400mm的矩形形状的玻璃板。此外，支承基板41也可以使用塑料基板。
TFT42能够通过在支承基板41上以溅射法等公知的方法图案形成。在支承基板41上形成TFT42时，栅极线、信号线也随之一起形成。
接着，以覆盖TFT42、栅极线和信号线的方式在支承基板41上涂敷感光性树脂，利用光刻进行图案化，从而形成层间绝缘膜43。
作为层间绝缘膜43的材料，作为一例可以使用丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂等绝缘性材料。层间绝缘膜43，作为一例，以厚度2μm的程度形成。此外，层间绝缘膜43只要能够使TFT42造成的台阶(高度差)平坦化即可，厚度方面没有特别限定。
接着，在层间绝缘膜43上形成用于使第一电极44与TFT42电连接的贯通孔。
而且，作为一例通过溅射法在层间绝缘膜43上形成成为第一电极44的导电膜。而且，在成膜后的导电膜上涂敷光致抗蚀剂，通过光刻进行光致抗蚀剂的图案化后，通过蚀刻和清洗，除去第一电极44的形成区域以外的导电膜和上述光致抗蚀剂。由此，图案形成第一电极44，并且第一电极44和TFT42通过贯通孔连接。
作为第一电极44所使用的导电膜材料，可以使用ITO(Indium TinOxide：铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物)、添加镓的氧化锌(GZO)等透明导电材料、金(Au)、镍(Ni)、铂(Pt)等金属材料。
作为导电膜的叠层方法，可以采用溅射法、真空蒸镀法、CVD(chemical vapor deposition：化学蒸镀)法、等离子CVD法、印刷法等。另外，作为导电膜的蚀刻液，可以使用氯化铁等。
作为一例，通过溅射法，使用ITO以厚度约100nm形成第一电极44。
接着，形成规定图案的边缘覆盖物45。边缘覆盖物45能够使用与层间绝缘膜43同样的绝缘材料，采用同样的方法进行图案化。作为一例，边缘覆盖物45通过对丙烯酸树脂进行光刻而以约1μm的厚度形成。
由此，能够制造在支承基板41上形成有TFT42的TFT基板和第一电极44(工序S1)。
接着，在通过工序S1制造的基板上，通过蒸镀形成空穴注入层兼空穴输送层46(工序S2、S3)。
首先，对于通过工序S1制造的基板进行用于脱水的减压烘焙处理，进而进行用于第一电极44的表面清洗的氧等离子体处理。
接着，在上述基板上，通过蒸镀法在上述基板的显示区域的整个面形成空穴注入层兼空穴输送层46(S2、S3)。
具体而言，一边将显示区域的整个面开口的开放掩模紧贴固定于上述基板，使上述基板与开放掩模一起回转，一边使形成空穴注入层兼空穴输送层46的蒸镀材料通过开放掩模的开口后蒸镀在上述基板的显示区域的整个面上。
此外，在本实施方式中，说明了空穴注入层兼空穴输送层46为一体化的层的情况，但空穴注入层和空穴输送层也可以为独立形成的层。
此时，在实施过上述氧等离子体处理的上述基板上，通过与上述同样的蒸镀法，首先通过蒸镀形成空穴注入层(工序S2)，接着，通过同样的蒸镀法在空穴注入层上形成空穴输送层(工序S3)。作为一例，空穴注入层和空穴输送层各自的厚度为10nm以上100nm以下的程度。
作为空穴注入层和空穴输送层的材料，例如可以列举苯炔、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三唑、咪唑、噁二唑、多芳基链烷、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、芪、苯并菲、氮杂苯并菲以及它们的衍生物、聚硅烷类化合物、乙烯基咔唑类化合物、噻吩类化合物、苯胺类化合物等的环式或链状式共轭类的单体、低聚物或聚合物等。
作为一例，使用4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]联苯(α-NPD)，形成厚度为30nm的空穴注入层兼空穴输送层46。
像这样形成被成膜基板40。
接着，在被成膜基板40上形成发光层47(工序S4)。该发光层47，通过后述的蒸镀装置1图案形成。
发光层47在空穴注入层兼空穴输送层46上形成于边缘覆盖物45间的开口部分。发光层47R以条状形成于子像素2R，发光层47G以条状形成于子像素2G，发光层47B以条状形成于子像素2B。
通过蒸镀装置1，以按每种颜色对规定区域进行分涂的方式蒸镀各个发光层47R、47G、47B(分涂蒸镀)。
用于蒸镀发光层47R、47G、47B的蒸镀掩模，使用形成有与各子像素2R、2G、2B对应的宽度的开口部的精细掩模。
作为发光层47R、47G、47B的材料，使用低分子荧光色素、金属络合物等发光效率高的材料。
作为一例，可以列举蒽、萘、茚、菲、芘、并四苯、苯并菲、蒽、苝、苉、荧蒽、醋菲烯、戊芬、并五苯、晕苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪和它们的衍生物、三(8-羟基喹啉)铝络合物、双(苯并羟基喹啉)铍络合物、三(二苯甲酰甲基)菲咯啉铕络合物、二甲苯甲酰基乙烯基联苯等。
作为一例，发光层47R、47G、47B各自的厚度形成为10nm以上100nm以下。
此外，对于工序S4的详细说明在后面叙述。
接着，以覆盖空穴注入层兼空穴输送层46和发光层47的方式在被成膜基板40的显示区域的整个面上，通过蒸镀法形成电子输送层(工序S5)。电子输送层能够通过与上述空穴注入层兼空穴输送层46的形成工序S2、S3同样的方法形成。
接着，以覆盖电子输送层的方式，在被成膜基板40的显示区域的整个面上，通过蒸镀法形成电子注入层(S6)。电子注入层能够通过与上述空穴注入层兼空穴输送层46的形成工序S2、S3同样的方法形成。
即，电子输送层和电子注入层，分别以下述方式形成：将显示区域整个面开口的开放掩模密合固定于被成膜基板40，一边使被成膜基板40与开放掩模一起回转，一边使成为电子输送层和电子注入层的蒸镀材料通过开放掩模的开口后蒸镀在被成膜基板40的显示区域的整个面上。
作为电子输送层和电子注入层的材料，例如可以使用喹啉、苝、菲咯啉、联苯乙烯、吡嗪、三唑、噁唑、噁二唑、芴酮以及它们的衍生物或金属络合物、LiF(氟化锂)等。
如上所述，电子输送层和电子注入层可以形成为一体化的单一层，也可以形成为独立的层。各层的厚度，作为一例，为1nm以上100nm以下的程度。另外，作为一例，电子输送层与电子注入层的总厚度为20nm为以上200nm以下的程度。
在一个例子中，使用Alq(三(8-羟基喹啉)铝)，形成厚度为30nm的电子输送层；使用LiF(氟化锂)形成厚度为1nm的电子注入层。
接着，以覆盖电子注入层的方式，在被成膜基板40的显示区域的整个面上，通过蒸镀法形成第二电极48(工序S7)。第二电极48能够通过与上述空穴注入层兼空穴输送层46的形成工序S2、S3同样的方法形成。
即，第二电极48以下述方式形成：将显示区域整个面开口的开放掩模密合固定于被成膜基板40，一边使被成膜基板40与开放掩模一起回转，一边使形成第二电极48的蒸镀材料通过开放掩模的开口后蒸镀在被成膜基板40的显示区域的整个面上。
作为第二电极48的材料(电极材料)，适用功函小的金属等。作为这样的电极材料，作为一例，可以举出镁合金(MgAg等)、铝合金(A1Li、A1Ca、A1Mg等)、金属钙等。第二电极48的厚度，作为一例，为50nm以上100nm以下。在一个例子中，可以使用铝形成厚度50nm的第二电极48。
在第二电极48上可以以覆盖第二电极48的方式进一步设置保护膜，该保护膜用于阻止氧和水分从外部侵入有机EL元件内。作为保护膜的材料，可以使用具有绝缘性或导电性的材料，例如可以列举氮化硅、氧化硅。保护膜的厚度，作为一例，为100nm以上1000nm以下。
通过以上处理，能够在被成膜基板40上形成有机EL基板5，该有机EL基板5上形成有发光层47和第二电极48。
接着，将有机EL基板5和密封基板7通过粘接层6粘合，密封有机EL元件。该密封处理，在不活泼气体的气氛下进行。
作为密封基板7，作为一例，可以使用厚度为0.4mm以上1.1mm以下的玻璃基板或塑料基板等绝缘基板。
通过将像这样形成的有机EL显示面板与图像控制部等连接，能够形成有机EL显示装置3。
有机EL显示装置3中，通过从上述图像控制部经栅极线和信号线输送的信号使TFT42导通(ON)时，从第一电极44向发光层47注入空穴。另一方面，从第二电极48向发光层47注入电子。空穴和电子在发光层47内再结合使能量失活时射出规定颜色的光。
通过控制各子像素2R、2G、2B的发光亮度，能够在有机EL显示装置3的显示区域显示规定的图像。
<蒸镀装置的结构>
接着，使用图1、图2，对蒸镀装置1的结构进行说明，该蒸镀装置1适宜作为对发光层47R、47G、47B进行分涂蒸镀的蒸镀装置。
图1是表示第一实施方式的蒸镀装置1的结构的立体图。图2是表示蒸镀装置的结构的剖视图。
蒸镀装置1为在基板上图案形成蒸镀膜的蒸镀装置。在本实施方式中，尤其将蒸镀装置1作为用于按照构成有机EL显示装置3的被成膜基板40的每个子像素2R、2G、2B来图案形成发光层47R、47G、47B的蒸镀装置进行说明。
此外，装置装置1并不是一定仅用于在制造有机EL显示装置时形成蒸镀膜，还能够用于需要使限制板20和射出口16的相对位置在多个限制板20和射出口16之间一致地形成蒸镀膜的其它装置的制造。
蒸镀装置1包括蒸镀源10、多个限制板20、蒸镀掩模30、基板驱动机构(基板驱动部)9。另外，虽然未图示，但蒸镀装置1还包括：进行蒸镀处理的真空腔室(成膜腔室)、用于将真空腔室内减压至规定的气压的真空泵、对蒸镀源10进行加热的加热器、进行蒸镀装置1整体的驱动控制的控制部等。
蒸镀源10、多个限制板20、蒸镀掩模30、基板驱动机构9配置在真空腔室内。而且，在进行蒸镀处理时，在真空腔室内配置被成膜基板40。然后，在真空腔室内配置被成膜基板40后，真空腔室密闭，减压至规定的气压。
蒸镀源10、多个限制板20、蒸镀掩模30、基板驱动机构9相互分离且从下方到上方地配置在真空腔室内。
蒸镀源10、多个限制板20、蒸镀掩模30，在真空腔室内固定配置。即，进行蒸镀处理时，蒸镀源10、限制板20、蒸镀掩模30的相对位置不发生变化。另外，对蒸镀源10和喷嘴13进行加热时，多个限制板20间的相对位置的偏移，比多个喷嘴16的相对位置的偏移小。
基板驱动机构9，在进行蒸镀处理时，通过吸附等保持被成膜基板40，使所保持的被成膜基板40沿一个方向扫描(移动)。在图1中，以箭头A表示基板驱动机构9使被成膜基板40扫描的方向(基板扫描方向)。令被成膜基板40的扫描方向为Y方向(第一方向)。
蒸镀源10包括蒸镀材料供给源(蒸镀源坩埚)11、导入管12、喷嘴(射出部)13。
喷嘴13包括喷嘴主体(射出部主体)14和多个块体15。
在块体15上形成有在蒸镀处理时向被成膜基板40射出形成蒸镀膜的蒸镀颗粒17的多个射出口16。块体15的多个射出口16，沿着与被成膜基板40的扫描方向正交的方向，排成配置成一列。该多个射出口16排成一列的方向为X方向(第二方向)。
即，多个块体15的长边方向相互平行，在X方向上排成一列配置。因此，多个射出口16能够长距离连续地配置在X方向上。由此能够增大被成膜基板40的一次扫描所能够形成蒸镀膜的面积，能够缩短制造时间。
在本实施方式中，将包含全部蒸镀材料供给源11和形成有射出口16的喷嘴13的整体称为蒸镀源10。
在进行蒸镀处理时，通过基板驱动机构9使被成膜基板40在Y方向上扫描(移动)。即，在进行蒸镀处理时，被成膜基板40与喷嘴13、限制板20和蒸镀掩模30相对地沿着一个方向移动。
在蒸镀材料供给源11的内部，配置有用于在被成膜基板40上成膜的蒸镀材料。蒸镀材料为形成发光层47R、47G、47B中的任一个层的材料。
导入管12为将蒸镀材料供给源11和喷嘴主体14连接的管。导入管12的一个端部与喷嘴主体14连接，另一个端部与蒸镀材料供给源11连接。
蒸镀材料供给源11在蒸镀处理时被加热器(未图示)加热。由此，蒸镀材料供给源11内的蒸镀材料蒸发，蒸发后的蒸镀材料通过导入管12后被引向喷嘴主体14。于是，被引向喷嘴主体14的蒸镀材料，从形成于块体15的射出口16作为蒸镀颗粒17被射出，通过蒸镀掩模30的开口部31后向被成膜基板40蒸镀。
蒸镀材料供给源11也可以在真空腔室外。例如也可以为如下结构：将蒸镀材料供给源11引出至与真空腔室不同的另外准备的加载互锁腔室，该加载互锁腔室上连接有向真空腔室导入蒸发后的蒸镀材料的导入管。
加载互锁腔室能够与真空腔室(成膜腔室)分开地进行排气、通风减压，因此不将真空腔室向大气开放就能够进行材料补给。另外，如果加载互锁腔室与真空腔室相比小，则能够缩短达到所期望的减压状态所用的时间。
喷嘴13具有被分割为多个的块体15，从蒸镀材料供给源11对全部的各块体15供给蒸镀材料。
在本实施方式中，将喷嘴13作为具备多个块体15的喷嘴进行了说明，其中，该块体15上沿着X方向一维地排列有射出口16，即呈直线状排列配置有射出口16。但是并不局限于此，喷嘴13也可以具备多个块体15，其中该块体15上沿着X方向和Y方向二维地排列有射出口16、即呈面状排列配置有射出口16。
将具备这样的面状地配置有射出口16的喷嘴13的蒸镀源10称为面型蒸镀源。
在是这样的面型蒸镀源的情况下，也可以使被成膜基板40在Y方向上扫描，但并不是必须使被成膜基板40扫描。只要一次能够在被成膜基板40整个面进行蒸镀，也可以不使被成膜基板40扫描而将其固定。
而且，即使使用例如将二维地配列有射出口16的块体15以3×3的方式配置(例如魔方的一个面状)而成的喷嘴13，也能够得到与后述的蒸镀装置1同样的效果。
此外，喷嘴13的具体说明如后所述。
限制板20在喷嘴13和蒸镀掩模30之间配置有多个。
限制板20对蒸镀流的扩散范围进行限制。通过限制板20，对从多个射出口16射出的蒸镀颗粒17入射蒸镀掩模30的开口部31的入射角进行限制，由此能够限制相对于被成膜基板40的入射角。
作为限制板20的材料，可以以高加工精度进行制作，并且只要使用耐热性高的原材料即可。另外，希望采用由热引起的尺寸变化少的材料。例如可以采用铝、SUS304的金属等。
图20中(a)是表示限制板20的支承体的立体图，(b)是(a)的G-G’线剖视图。
作为一例，可以为多个限制板20分别通过支承体21固定在真空腔室内的构造。
支承体21具有用于使多个限制板20插入的开口部21a。支承体21固定于真空腔室内。
而且，多个限制板20中的各个限制板，以彼此的主面平行的方式插入至支承体21的开口部21a，由此多个限制板20的位置被固定。此外，还可以另外设置用于对支承体21的位置进行微调整的机构。通过利用该机构对支承体21的位置进行微调整，还能够对限制板20和喷嘴13的相对位置进行微调整。
限制板20的温度比加热后的蒸镀源10和喷嘴13低，使得附着于限制板20的蒸镀颗粒不会发生再次蒸镀。即，限制板20与蒸镀源10和喷嘴13隔开一定程度的距离配置，因此即使蒸镀源10和喷嘴13被加热，限制板20的温度也比该蒸镀源10和喷嘴13的温度低。进而，也可以在限制板20或支承体21上例如配置水冷等的冷却机构，由此使限制板20的温度比被加热的蒸镀源10和喷嘴13低。
另一方面，喷嘴13被加热到蒸镀颗粒不能够附着的温度。
因此，限制板20的温度比喷嘴13低，加热导致的限制板20间的位置偏移，比喷嘴13的射出口16间的位置偏移小，因此与射出口16间的位置偏移相比不成为问题。
蒸镀颗粒17入射蒸镀掩模30的开口部31的入射角，由射出口16和限制板20的相对位置决定。
即，射出口16和限制板20的相对位置发生变化时，从射出口16射出的蒸镀颗粒17蒸镀于被成膜基板40的蒸镀膜的蒸镀范围也发生变化。
因此，为了将发光层47高精细地图案形成于被成膜基板40，抑制射出口16和限制板20的相对位置的变化是重要的。
多个限制板20中的各个限制板20，与被成膜基板40垂直地配置。即，以限制板20的面积最大的面为主面时，主面与YZ平面平行。多个限制板20中的各个限制板20，以彼此平行的方式，在X方向上依次排列配置。
俯视蒸镀装置1时，多个限制板20中的各个限制板20，与被成膜基板40的扫描方向平行，配置于多个射出口16之间。
由此，通过限制板20，能够将从射出口16射出的蒸镀颗粒17入射被成膜基板40的入射角限制在一定范围内。
由此，能够防止相对于被成膜基板40从斜方向射来蒸镀颗粒17。因此，能够防止向在被成膜基板40上成膜的规定的蒸镀图案的侧部附着无用的蒸镀膜，能够形成高精细的蒸镀膜图案。
此外，俯视时的(或图2所示与XZ平面平行的剖面中的)限制板20间的射出口16的位置，在各射出口16中没有不均匀即可。即，俯视时(或图2所示与XZ平面平行的剖面中)，各射出口16也可以不处在限制板20间的中央。
例如，射出口16的中心位置可以与限制板20的中心位置一致。即，限制板20可以存在于射出口16的正上方(Z方向)。
在蒸镀掩模30中形成有作为在所期望的位置以所期望的形状贯通的孔的开口部31，仅通过该开口部后的蒸镀颗粒17到达被成膜基板40，在被成膜基板40上形成蒸镀膜(发光层47)。在蒸镀掩模30上，以条状形成有作为贯通的孔的开口部31。
开口部31的长边方向为与被成膜基板40的扫描方向平行的方向。多个开口部31以在与被成膜基板40的扫描方向垂直的方向、即X方向上彼此平行的方式，依次横向排列。
作为蒸镀掩模30，使用比被成膜基板40的扫描方向的长度短的小型掩模(精细掩模)。蒸镀掩模30与蒸镀源10一体化地形成。
通过一边使被成膜基板40在作为这样的小型掩模的蒸镀掩模30的上方与蒸镀掩模30相对地扫描，一边形成蒸镀膜，能够在被成膜基板40上图案形成条状的蒸镀膜。
像这样，通过使用小型掩模作为蒸镀掩模30，使被成膜基板40与蒸镀掩模30相对地扫描而进行蒸镀处理，即使在蒸镀大型的被成膜基板40时，也能够使用比被成膜基板40尺寸小的蒸镀掩模30。因此，能够防止蒸镀掩模30的翘曲等，能够将被成膜基板40和蒸镀掩模30的距离保持固定，因此能够进行高精细的图案形成。
此外，在被成膜基板40上形成发光层47的情况以外，例如在被成膜基板40的显示区域整个面形成蒸镀膜时，使用与显示区域对应的区域整个面开口的蒸镀掩模(开放式掩模)，而不使用如开口部31那样呈条状形成有开口部的蒸镀掩模30。
此外，在被成膜基板40的显示区域整个面进行蒸镀时，无需使用限制板20，可以在使被成膜基板40和蒸镀掩模30密合的状态下进行成膜。
此时，使用与被成膜基板40同等的大小(Y方向的长度同等)的蒸镀掩模30，使被成膜基板40和蒸镀掩模30一体化而相对扫描，或者一并对被成膜基板40的整个面进行蒸镀。作为按每个像素进行图案形成的蒸镀膜的例子，例如有发光层，作为在显示区域整个面进行图案形成的蒸镀膜的例子，例如有空穴输送层等。
(喷嘴13的结构的说明)
接着，使用图1、图2、图5的(a)、(b)、图6，对喷嘴13的结构具体地进行说明。
图5中(a)是表示现有技术的喷嘴113的结构的俯视图，(b)是表示本实施方式的喷嘴13的结构的俯视图。
如图5的(a)所示，现有的喷嘴113是在沿长边方向连续且一体地形成的喷嘴113中形成有射出口116的喷嘴。另一方面，本实施方式的喷嘴13具备多个块体15。多个块体15具有将喷嘴113分割为3部分的结构。多个喷嘴15沿长边方向依次横向排列配置。块体15在俯视时为长方形状。
图6的(a)为表示喷嘴13的结构的立体图，图6的(b)为喷嘴13的剖视图。
如图1、图2、图6的(a)、(b)所示，从蒸镀材料供给源11经导入管12将蒸镀材料供给至喷嘴13。
喷嘴13具备相互分离的、沿长边方向排成一列配置的3个块体15。喷嘴13包括喷嘴主体14和块体15，其中喷嘴主体14是内部为空洞的容器。
喷嘴主体14和块体15的材料期望为线膨胀系数尽可能小的材料。作为一个例子，喷嘴主体14和块体15由因瓦合金(Invar)材料(Fe中含有Ni的合金。还可以混有微量的Co)等形成。该因瓦合金材料的线膨胀系数在室温下为0.1～2×10-6／℃的程度。因此，能够抑制加热前后的射出口16的位置偏移。
另外，喷嘴主体14也可以由与块体15不同的材料构成。作为一个例子，喷嘴主体14可以由SUS304等构成，块体15可以由因瓦合金材料等构成。由此，能够降低喷嘴主体14的制作费用，并且能够使块体15的线膨胀系数减小。此外，SUS304的线膨胀系数为约17×10-6／℃。
喷嘴主体14为在一个面具有一个或多个开口部的容器形状(即凹形状)。
喷嘴主体14在接近配置被成膜基板40的一侧的面形成有3个开口部14c。而且，喷嘴主体14包括：3个突出部14a，该突出部14a的形状为使各个开口部14c向配置被成膜基板40的一侧突出的凸形状；和将3个突出部14a连接的连结部14b。3个突出部14a和连结部14b是一体形成的部件。
即，各个突出部14a的上表面(与XZ平面平行的平面)的一面为开口部14c。如图6(b)所示，突出部14a和连结部14b的与YZ平面平行的剖面为上表面开口的凹形状。
多个块体15覆盖多个开口部14c中的各个开口部14c，并且覆盖多个突出部14a中的各个突出部14a。通过由块体15覆盖开口部14c，能够使蒸镀颗粒17从射出口16向被成膜基板40射出。多个块体15中的各个块体15，仅是覆盖多个突出部14a中的各个突出部14a，多个块体15中的各个块体15与多个突出部14a中的突出部14a没有被固定。
多个突出部14a配置于连结部14b上。即，多个突出部14a中的各个突出部14a从连结部14b沿着Z方向(配置有被成膜基板40的方向)突出。
多个突出部14a在喷嘴13的长边方向(X方向)上排列配置有3个。多个突出部14a中的各个突出部14a相互分离配置。此外，突出部14a之间不开口。
连结部14b连通多个突出部14a的下侧。在连结部14b的一个侧面连接有导入管12的一个端部。
多个块体15相互分离，彼此间形成有间隙19。即，多个块体15设有间隙19地相互分离配置。
射出口16为贯穿块体15的孔，在块体15的上表面(与XZ平面平行的面)上等间隔地形成为一列。
间隙19为多个块体15间的间隙。间隙19以射出口16的间距在多个块体15间为固定的方式配置于块体15之间。
在非加热时，以多个射出口16的间距在多个块体15中在X方向上为等间距的方式，在多个块体15间配置有间隙19。由此，能够防止块体15间的蒸镀膜图案的位置偏移。
根据喷嘴13，在蒸镀装置1进行蒸镀处理时，从蒸镀材料供给源11蒸发出来的蒸镀材料，通过导入管12和连结部14b内，向各突出部14a供给，从各射出口16向喷嘴13的外部作为蒸镀颗粒17射出。
在此，进行蒸镀处理时，块体15和喷嘴主体14一起被加热。
但是，多个射出口16形成于覆盖喷嘴主体14的开口部14c的、与喷嘴主体14不为同体的多个块体15中的各个块体15，多个块体15中的各个块体15相互分离。
由此，如果在蒸镀处理时被加热，多个块体15中的各个块体15相互分离，因此分别独立地伸长。因而，与如例如图5的(a)所示的喷嘴113那样，一个长尺寸的块体与喷嘴主体一体地形成的情况相比，能够使加热前后的多个射出口16的位置偏移减少。
因此，能够抑制产生被加热时的多个限制板20中的各个限制板20与多个射出口16中的各个射出口16的相对的位置偏移，能够在被成膜基板40上形成高精细的蒸镀膜图案。
进而，块体15与喷嘴主体14没有被固定。因此，即使因蒸镀处理时的加热而使突出部14a发生热膨胀，也能够抑制突出部14a的热膨胀对各块体15的影响，能够抑制加热前后的多个射出口16的位置偏移。
另外，多个块体15间设有间隙19，因此多个块体15中的各个块体15单独地受热伸长。
于是，块体15的长边方向的长度，比喷嘴主体14的长边方向的长度短，因此同块体15的长边方向的长度与喷嘴主体14的长边方向的长度相等的情况相比，一个块体15受热伸长的长度小。因此，能够抑制加热前后的射出口16的位置偏移。
在此，如图6的(b)所示，在块体15的内侧侧面和与该侧面相对的喷嘴主体14的外侧侧面之间，为了防止受热导致伸长的喷嘴主体14对块体15的干涉，也设置有间隙。
因此，在以蒸镀装置1进行蒸镀处理时，从射出口16射出蒸镀颗粒17，并且蒸镀颗粒17a也从块体15的内侧侧面和与该侧面相对的喷嘴主体14的外侧侧面之间的间隙向喷嘴13的外部泄漏。
但是，块体15的射出口16以外的开口部，即块体15的内侧侧面和与该侧面相对的喷嘴主体14的外侧侧面之间的间隙是向下方(与配置有蒸镀掩模30和被成膜基板40的方向相反的方向，即Z的负方向)开口。
因此，从块体15的内侧侧面和与该侧面相对的喷嘴主体14的外侧侧面之间的间隙，向喷嘴13的外部泄漏的蒸镀颗粒17a，不会达到蒸镀掩模30和被成膜基板40。
像这样，利用各个块体15覆盖多个突出部14a中的各个突出部14a，因此即使蒸镀颗粒17a从射出口16以外的开口部14c泄漏出来，也能够防止该泄漏出的蒸镀颗粒17a到达被成膜基板40。
虽然以在喷嘴13中具备被分割为3个的块体15的情况进行了说明，但分割数并不限定为3个，块体15的个数可以是2个，也可以是4个以上。
像这样，本实施方式的蒸镀方法具有如下工序：在蒸镀处理时，射出蒸镀颗粒17，使得蒸镀颗粒17通过用于对形成蒸镀膜图案的蒸镀颗粒17相对于被成膜基板40的入射角进行限制的多个限制板20间之后到达被成膜基板40。
于是，在射出蒸镀颗粒17的工序中，从在相互分离的多个块体15中的各个块体15形成的多个射出口16射出蒸镀颗粒17。
因此，到达被成膜基板40的蒸镀颗粒17相对于被成膜基板40的入射角，被限制板20限制于一定范围内。
由此，能够防止相对于被成膜基板40从斜方向射来蒸镀颗粒17。因此，能够防止向在被成膜基板40上成膜的规定的蒸镀图案的侧部附着无用的蒸镀膜，能够形成高精细的蒸镀膜图案。
进而，在射出蒸镀颗粒17的工序中，从在相互分离的多个块体15中的各个块体15中形成的多个射出口16射出蒸镀颗粒17。
由此，在蒸镀处理时被加热的情况下，多个块体15中的各个块体15独立地伸长，因此与一个长尺寸的块体一体化地形成的情况相比，能够使加热前后的多个射出口16的位置偏移变少。
因此，能够抑制产生被加热时的多个限制板20中的各个限制板20与多个射出口16中的各个射出口16的相对的位置偏移，能够在被成膜基板上形成高精细的蒸镀膜图案。
(加热前后的射出口的位置偏移)
接着，用图7的(a)、(b)、图8的(a)、(b)，对喷嘴13的加热前后的射出口的位置偏移进行说明。
图7中(a)、(b)是表示未分割为多个块体的现有的喷嘴113的结构，(a)为表示加热前的喷嘴113的结构的俯视图，(b)为表示加热后的喷嘴113的结构的俯视图。
图8中(a)、(b)是表示本实施方式的喷嘴13的结构，(a)为表示加热前的喷嘴13的结构的俯视图，(b)为表示加热后的喷嘴13的结构的俯视图。
如上所述，现有的喷嘴113以一个块体构成，而喷嘴13被分割为3个块体15。
令加热前的喷嘴113和喷嘴13的长轴方向的长度(喷嘴长度)为L。而且，令分割后的一个块体15的长轴方向的长度(喷嘴长度)为Ls(L＞Ls)。
另外，如图7的(a)、图8的(a)所示，加热前的各个射出口16、116的位置是一致的。令喷嘴113、喷嘴13的线膨胀系数为α。
另外，令即使对喷嘴113、喷嘴13进行加热，中央的射出口113、16的位置也不变化。即，喷嘴113、13分别以位于中央的射出口116、16为中心，在纸面上下方向伸长相同的量。
通过加热，喷嘴113、13的温度上升ΔT时，喷嘴113的伸长量ΔL、喷嘴13的块体15的伸长量ΔLs，分别以下述式1、式2表达。
ΔL＝α×L×ΔT  (式1)
ΔLs＝α×Ls×ΔT  (式2)
作为一个例子，令喷嘴113、13的材料为SUS304(线膨胀系数约17×10-6／℃)，令长度L为1m、Ls为332mm(多个块体15间的间隙19的宽度为2mm)。
令ΔT为300℃时，ΔL和ΔLs分别如下。
ΔL＝5.1mm
ΔLs＝1.7mm
实际上，在喷嘴端形成的射出口116、16的加热后的位置偏移，约为上述值的一半。
即，如图7的(a)、(b)所示，加热前后的喷嘴113的端部的射出口116的位置偏移为约2.6mm左右(ΔL／2)，另一方面，如图8的(a)、(b)所示，加热前后的喷嘴13的端部的射出口16的位置偏移为约0.9mm的程度(ΔLs／2)。由此可知，与喷嘴113相比，喷嘴13在加热前后的端部的射出口16的位置偏移较少。
(关于加热前后的蒸镀范围的变化)
接着，用图9的(a)、(b)、图10，对伴随加热前后的射出口的变化，蒸镀在被成膜基板40上的蒸镀范围的变化进行说明。
图9中(a)是说明射出口16的位置无偏移时的蒸镀范围的图，(b)是发生射出口16的位置偏移时的蒸镀范围的图。
图10是说明射出口16的位置偏移导致的在被成膜基板40上蒸镀的蒸镀膜图案位置的变化的图。
如图9的(a)所示，令射出口16和限制板20的上部端的距离为Hsa，令射出口16与蒸镀掩模30的距离为Hsm，令限制板20的开口宽度(相邻的限制板20间的宽度)为2W。此时，从射出口16喷出的蒸镀颗粒17，通过限制板20间，蒸镀到蒸镀掩模30上的蒸镀范围中的一侧的蒸镀范围P如下述表示。
P＝Hsm／Hsa×W  (式3)
另一方面，如图9(b)所示，射出口16的中心位置，相对于相互相邻的限制板20间的中心位置向纸面左方向偏移Δx的位置。
此时，以PR和PL表示从该射出口16喷出的蒸镀颗粒17，通过限制板20间，蒸镀到蒸镀掩模30上的蒸镀范围。令蒸镀掩模30的从自射出口16引向蒸镀掩模30的垂线到蒸镀范围的纸面右侧端部的距离为PR，该垂线到蒸镀范围的纸面左侧端部的范围为PL。PR、PL分别如下述所示。
PR＝Hsm/Hsa×(W－Δx)  (式4)
PL＝Hsm/Hsa×(W+Δx)  (式5)
另外，令Hsm＝180mm、Hsa＝80mm、W＝10mm、Δx＝3mm时，P、PR、PL分别如下述所示。
P＝22.5mm
PR＝15.75mm
PL＝29.25mm
由此，蒸镀范围在左右产生±7mm的差。
即使发生该左右的蒸镀范围的偏移，为了使蒸镀掩模30的开口部31收纳于蒸镀范围中，必须使开口部31形成于至少2×PR＝31.5mm的范围内。除此之外，被限制板20阻挡，不会被蒸镀(不会在被成膜基板40上成膜)。
即，需要预先考虑射出口的位置偏移的设计裕度，与此相应地蒸镀材料的利用率降低。
如图8的(a)、(b)所示，将喷嘴13如块体15那样分割为3部分时，如上述(式1)和上述(式2)所示，喷嘴13的加热后的射出口16的位置偏移的最大量为约1/3。
因此，上述(式4)和上述(式5)的Δx也为1/3。因此，通过本实施方式的喷嘴13，减小了加热前后的蒸镀范围的变化量，因此能够使设计裕度变小，能够提高蒸镀材料的利用效率。
接着，如图10所示，被成膜基板40和蒸镀掩模30分离配置，令其距离为Dg。被成膜基板40上成膜的蒸镀膜图案的位置，由蒸镀颗粒17入射到被成膜基板40的入射角决定。令入射角为θ时，蒸镀图案相对于蒸镀掩模30的开口部31的端部的位置位移S如下述所示。
S＝Dg×tanθ  (式6)
同样，入射角为θR时的位置位移SR，如下所示。
SR＝Dg×tanθR  (式7)
由上述(式6)和上述(式7)可知，通过使入射角变化，使图案的位置位移量变化。如上所述，射出口16的位置偏移导致蒸镀颗粒17的入射角发生变化，因此越降低射出口16的位置偏移，被成膜基板40上成膜的蒸镀膜图案的位置位移的变动量也越减少。
在设计有机EL显示装置3的像素2时，即使发生上述这样的蒸镀膜的位置位移量的变动，为了使发光层47等形成于像素2的发光区域，需要在考虑上述(式6)和上述(式7)所示的变动量的基础上具有设计裕度。
在此，使非发光区域的宽度增加时，能够使设计裕度变宽。但是，增加非发光区域的宽度，就要减小发光区域的面积，将不能够实现高的显示精细度。
特别是，发光区域的面积缩小，将促进发光寿命的劣化，或产生显示图像的颗粒感，因此有机EL显示装置3的显示品质下降。
作为一个例子，令Dg＝3mm，如上所述Hsa＝80mm，W＝10mm时，蒸镀到被成膜基板40上的蒸镀范围的右端附近的蒸镀膜的位置位移约为如下所示。
S＝Dg×tanθ＝Dg×W/Hsa＝375μm
SR＝Dg×tanθR＝Dg×(W+Δx)/Hsa＝488μm
像这样，产生100μm以上的位置位移。
通常的有机EL显示装置3中，相邻的子像素2R、2G、2B间的距离(非发光区域)为几十μm，因此100μm以上的发光层47R、47G、47B的位置偏移时，发光层47R、47G、47B从所期望的子像素2R、2G、2B完全偏离。
另一方面，通过使用本实施方式的喷嘴13，能够使Δx减小。因此，能够使有机EL显示装置3的设计裕度减小，使发光区域的面积增大，能够提高显示精细度。
另外，根据蒸镀颗粒17入射被成膜基板40的入射角的不同，蒸镀掩模30的厚度也需要考虑到计算中(例如图10的蒸镀颗粒17的左端等)。此时，上述(式6)和上述(式7)的Dg替换为(Dg+蒸镀掩模30的板厚)。但是，如果蒸镀掩模30的厚度比Dg足够小，则可以忽视。
(喷嘴13的设计例)
接着，对喷嘴13的具体的设计例进行说明。此外，以下的数值为用于构成喷嘴13的一例。
喷嘴13、113的材料为SUS304(线膨胀系数为约17×10-6/℃)。
如图7的(a)、(b)所示，现有的喷嘴113中，长尺寸的喷嘴长度(L)为654mm，射出口116以间隔20mm的间距配置。射出口116的数量为33个，喷嘴113的两端的射出口116，与喷嘴113的各个端部的距离为7mm。从中央的射出口116到两端的射出口116的距离为320mm。
接着，本实施方式的喷嘴13的构造中，使各块体15的长度(块体15的长度、Ls)为214mm，在每个块体15形成有11个射出口16。
在各块体15上，两端的射出口16与块体15的各个端部的距离为7mm。块体15彼此之间隔开6mm，块体15为3个，因此总的喷嘴13的长度L与现有的喷嘴113相同，为654mm。
在各块体15上，从中央射出口16到两端的射出口16的距离为100mm。
根据以上的结构，在常温时(25℃)，喷嘴113和喷嘴13的射出口116、16的位置是一致的。在该状态下，喷嘴113、13被加热达到280℃。
在喷嘴113的构造中，将上述(式1)的L置换为射出口1116间距离时，两端的射出口116间的距离的伸长量ΔL'＝1.39mm。
另一方面，根据本实施方式的喷嘴13的构造，将上述(式2)的Ls置换为射出口16间距离时，各块体15的两端的射出口16间的距离的伸长量ΔLs’＝0.43mm。像这样，可知通过喷嘴13的构造，与喷嘴113相比，能够改善加热后的射出口16的位置偏移。
(喷嘴13的变形例)
接着，用图11～图13，对喷嘴13的变形例进行说明。喷嘴13可以是图11～图13的结构。
图11是表示具有俯视时为平行四边形形状的多个块体的喷嘴的结构的俯视图。
图11所示的喷嘴13，具备多个俯视时为平行四边形的块体15b代替俯视时为长方形状的块体15。图11的喷嘴13的其它形状，与用图1等说明的喷嘴13相同。此外，在图11中，记载有2个块体15b，但块体15b的数量也可以为3个以上。
虽然在图11中未图示，但各块体15b覆盖俯视时为平行四边形的突出部14a。在多个块体15b之间，设有间隙19。
如图11的喷嘴13那样，各块体15b被分割为俯视时的平行四边形时，即使各块体15b因热而伸长、相互碰撞，在碰撞的各个端部间，施加有相互反向的Y方向上(图11的箭头B、箭头C)的力。因此，碰撞的各个块体15b的端部间，推挤力转换到旋转方向(图11的箭头D方向)。
由此，能够将射出口16在喷嘴13的长边方向(X方向)上的位置偏移，分散到作为与该长边方向垂直的方向的短边方向(Y方向)，能够抑制射出口16在长边方向上的位置偏移。
另外，喷嘴13的短边方向，为与被成膜基板40的扫描方向(图11的箭头A的方向)平行的方向。蒸镀处理中，被成膜基板40沿着箭头A方向扫描，因此即使在该方向发生射出口16的位置偏移，蒸镀膜图案的位置偏移的影响也较少，不会产生大的问题。
进而，如图11所示，各块体15b的射出口16排列的方向，从X方向向被成膜基板40的扫描方向偏移地配置。即，各块体15b的射出口16配置成：将各块体15b的射出口16沿着排列方向连接而成的直线，以从与块体15b的长边方向平行的方向，向沿着(平行于)将平行四边形的锐角连接而成的对角线的方向接近的方式倾斜。
因此，即使在具有平行四边形的块体15b间，也能够在多个块体15b间以等间距在X方向上配置射出口16。
另外，喷嘴13的各块体的形状，可以俯视时为三角形状，也可以俯视时为梯形。
图12的(a)为表示具备俯视时为三角形状的多个块体15c的喷嘴13的结构的俯视图，图12的(b)为表示具备俯视时为梯形状的多个块体15c的喷嘴13的结构的俯视图。
图12的(a)所示的喷嘴13，具备多个俯视时为三角形状的块体15c代替俯视时为长方形状的块体15。图12的(a)的喷嘴13的其它形状，与用图1等说明的喷嘴13相同。此外，在图12的(a)中，记载有12个块体15c，但块体15c的数量不限于图12的(a)记载的个数，可以为11个以下，也可以为13个以上。
虽然图12的(a)中未图示，但各块体15c分别覆盖俯视时为三角形状的多个突出部14a中的各个突出部14a。在多个块体15c之间，设有间隙19。
多个块体15c，与相邻的块体15c方向相反地配置。即，多个块体15c以成为交错状的方式改变方向，在x方向上排列配置。
如块体15c那样，俯视时为三角形状时，也与俯视时为平行四边形的情况相同，射出口16在喷嘴13的长边方向(X方向)上的位置偏移，被分散至与被成膜基板40的扫描方向(图12的(a)的箭头A的方向)平行的方向。
但是，各块体15c的位置偏移，并非如俯视时为平行四边形的情况那样向旋转方向偏移，而是为向与被成膜基板40的扫描方向平行的方向(图12的(a)的箭头E、F所示的方向)位移的偏移方式。
因此，即使发生射出口16的位置偏移，对蒸镀膜图案的位置偏移的影响也小。
另外，在图12的(a)的喷嘴13中，在各块体15c上形成有一个射出口16。由此，在多个块体15c间，射出口16在X方向上的间距固定。
此外，图12的(a)中，记载为在一个块体15c形成有一个射出口16，但并不限定于此，也可以在各块体15c形成有多个射出口16。块体15c的分割数越多，射出口16的位置偏移越能够得到改善，块体15c的加工变多，因此只要适当调整分割数即可。
像这样，如图11、图12的(a)所示的多个块体15b、15c中的各个块体15b、15c形成相互推挤的形状，使得在被加热时在Y方向上偏移。因此，即使由于加热导致的膨胀，多个块体15b、15c间相互推挤，由于是在作为被成膜基板40的扫描方向的Y方向上偏移，因此能够抑制次品的产生。
另外，也可以去掉图12的(a)的三角形的块体15c(箭头A方向)的角，成为图12(b)那样的梯形。
如图12(b)所示，在相邻的块体15c间设有间隙19，相互方向相反地，呈直线状配置梯形的块体15c。由此，与三角形的情况相同，即使多个块体15c间由于加热导致的膨胀而相互推挤，由于是在作为被成膜基板40的扫描方向的Y方向上偏移，因此能够抑制次品的产生。
图13是表示包括不具有突出部的喷嘴主体和多个块体的喷嘴的立体图。
图13所示的喷嘴13包括喷嘴主体14d、多个块体15、多个阻挡板18。
喷嘴主体14d，不像上述喷嘴主体14那样具有突出部14a，喷嘴主体14d的上表面为一个平面，是整个面开口的凹形状。而且，在喷嘴主体14d的上表面(整个面开口的面)，以射出口16具有固定间隔的方式覆盖多个块体15。块体15与喷嘴主体14d没有被固定。
如图13所示的喷嘴13中，在相邻的块体15间，配置有板状的阻挡板18。这样，在多个块体15间的间隙，配置有覆盖喷嘴主体14d的上表面的开口部的阻挡板18，因此能够防止从多个盖15间的间隙19泄漏出来的蒸镀颗粒，向配置于上方的被成膜基板40喷出。此外，也可以将图13的喷嘴13平行地配置多个。
〔实施方式2〕
接着，用图14～图16的(a)、(b)对本发明的第二实施方式进行说明。此外，为了便于说明，对具有与在实施方式1中说明的附图相同的功能的部件，标注相同的附图标记，省略其说明。
(喷嘴53的结构的说明)
图14是表示第二实施方式的蒸镀源50的结构的立体图。图15中(a)、(b)表示第二实施方式的喷嘴53的各块体55，(a)为表示加热前的各块体55的俯视图，(b)为表示加热后的各块体55的俯视图。
第二实施方式的蒸镀装置，具有蒸镀源50代替蒸镀源10。蒸镀源50在具备喷嘴53来代替喷嘴13这一点与蒸镀源10不同。蒸镀源50的其它结构，与蒸镀源10同样。
喷嘴53包括喷嘴主体54、块体55。在块体55中形成有在X方向上排列的多个射出口16。
喷嘴主体54包括：形状为向配置被成膜基板40的一侧突出的形状、在一面具有开口部54c的多个突出部54a；和将多个突出部14a连接的连结部54b。喷嘴主体54具有多个突出部14a的上表面开口的容器形状(凹形状)。
多个突出部54a和连结部54b是一体形成的部件。多个块体55覆盖多个突出部14a中的各个突出部14a。
块体55没有与突出部54a固定在一起，突出部54a的因热而导致的伸长，与盖55的因热而导致的伸长是独立的。
在喷嘴主体54的侧面上连接有导入管12的一个端部。而且，从与导入管12的另一个端部连接的蒸镀材料供给源11供给的蒸镀材料，通过导入管12流入连结部54b，供给至各突出部54a(即各块体55)。
喷嘴53与喷嘴13同样地具有被分割为3个的块体55。
喷嘴53中3个块体55配置成相互不干涉。
即，如图15的(a)所示，3个块体55的长边方向相互平行，3个块体55中，配置在中间的块体在Y方向上偏移配置。
另外，各块体55在被成膜基板40的扫描方向(Y方向)上隔开足够空隙地配置。
在加热喷嘴53之前，多个射出口16配置为X方向的间距在多个喷嘴53a中保持固定。
如图15的(b)所示，喷嘴53被加热时，各块体55特别是在长边方向(±X方向)上伸长。但是，喷嘴53中，相互平行地配置的3个块体55中，配置在中间的块体55与其它块体55相比，在被成膜基板40的扫描方向上错开配置。进而，在各块体55间的被成膜基板的扫描方向上设有足够的空间。
因此，即使各块体55因热而在长边方向上伸长，相互的端部也不会干涉，所以能够防止干涉导致的射出口16的位置偏移。
上述的喷嘴13中，在各块体15间设有间隙19，由此防止在因热而在长边方向上伸长时的各块体15间的干涉。
但是，在喷嘴13中，为了在排列为一列的多个块体15间，使射出口16的间距保持固定，间隙19的距离需要为射出口16间的距离以下。因此，需要设计成：块体15的长边方向上的由热量引起的伸长量为射出口16间的间隔以下。
另一方面，在喷嘴53中，各块体55相互平行地配置，但中间的块体55在被成膜基板40的扫描方向上错开配置，因此无需使块体55的长边方向的因热而伸长的量为射出口16间的间隔以下，能够提高设计自由度。
另外，在多个块体55间使射出口16的间距保持固定，进而，一个块体55内，能够拉开端部与位于距端部最近的位置的射出口16的距离。
在此，一个块体55之中，块体55的形状在长边方向的两个端部和中央部处不同，因此多个射出口16中，在两端附近形成的射出口16和在中央部附近配置的射出口16之间容易发生温度分布。产生温度分布时，喷出的蒸镀材料的量改变，成膜的蒸镀膜的膜厚不均匀。
但是，如上所述，在喷嘴53中，中间的块体55在被成膜基板40的扫描方向上错开配置。
因此，在多个块体55中，射出口16的间距为固定值，并且，在一个块体55内，能够使形成于距端部最近的位置的射出口16，与该一个块体55的两端部分离地形成。因此，通过使一个块体55内的射出口16的温度偏差保持固定，能够抑制蒸镀颗粒17的射出量的偏差，并且能够提高加工性。
另外，在喷嘴53中，3个块体55中的仅一个块体在被成膜基板40的扫描方向上错开配置。但并不局限于此，多个块体55中，至少一个在被成膜基板40的扫描方向上错开即可，也可以是多个块体55在被成膜基板40的扫描方向上错开。
(蒸镀源50的变形例)
图16中(a)、(b)表示蒸镀源50的变形例，(a)为表示将一个蒸镀材料供给源11和被分割为多个的喷嘴53a连接而成的蒸镀源50的结构的图，(b)为表示将各个多个蒸镀材料供给源11和被分割为多个的喷嘴53a中的各个喷嘴53a连接而成的蒸镀源50的结构的图。
图16的(a)的蒸镀源50的喷嘴53，是将图14的喷嘴53分割为3个的结构。图16的(a)的喷嘴53包括3个喷嘴53a。即，各喷嘴53a的喷嘴主体构成为：突出部54a按每个喷嘴53的开口部54c分离。
各喷嘴53a包括喷嘴主体53b和覆盖在该喷嘴主体53b的上表面形成的开口部的块体53c。各喷嘴主体53b分别为上表面具有开口部的容器形状(凹形状)。各块体53c为覆盖各喷嘴主体53b的上表面的开口部的盖，没有与各喷嘴主体53b固定。而且，各块体53c相互分离。
导入管12的一个端部被分为3个部分，各自与各喷嘴53a的喷嘴主体53b的侧面连接。而且，导入管12的另一个端部，与一个蒸镀材料供给源11连接。
像这样，图16的(a)的喷嘴53a，以喷嘴53分离的方式构成。
图16的(b)的蒸镀源50为从图16的(a)的蒸镀源50进一步将导入管12和蒸镀材料供给源11分离为3个的结构。
图16的(b)的蒸镀源50，具备由3个喷嘴53a形成的喷嘴53，并且导入管12和蒸镀材料供给源11也各自分离为3个。而且，各喷嘴53a和各蒸镀材料供给源11，分别由导入管12一对一地独立连接。
像这样，图16(b)的蒸镀源50由分离的3个蒸镀材料供给源11构成。
如图16的(a)、(b)所示，通过形成将各喷嘴53a完全分离、单独与蒸镀材料供给源11连接的结构，无需制作长尺寸的一体化的喷嘴，无需进行长距离的高精度开口加工。因此，能够抑制次品的产生，防止制造成本增大。
图16的(a)所示的蒸镀源50构成为：蒸镀材料供给源11有1个，与各喷嘴53a连接的导入管12分支。因此，根据蒸镀源50，各喷嘴53a放出的蒸镀颗粒的量和分布，有可能受到各导入管12的长度和形状的影响。
另一方面，图16的(b)的蒸镀源50中，蒸镀材料供给源也分离为3个，分离后的蒸镀供给源11，分别独立地通过导入管12与各喷嘴53a接触。因此，各个导入管12的形状容易一致，能够防止各喷嘴53a放出的蒸镀颗粒的量和分布，受到各导入管12的长度和形状的影响。
但是，图16的(b)的蒸镀源50是独立分离的，因此在从蒸镀源50供给的蒸镀颗粒的流量方面产生偏差时，从各喷嘴53a放出的蒸镀颗粒的量和分布可能受到该偏差的影响。
另一方面，图16的(a)所示的蒸镀源50中，蒸镀材料供给源11为1个，因此能够防止蒸镀材料供给源11供给的蒸镀颗粒的偏差。
像这样，图16的(a)、(b)各自的蒸镀源50中，将蒸镀颗粒供给至喷嘴53a的构造不同，因此从喷嘴53a放出的蒸镀颗粒的量和分布受到影响的因素产生差异。所以，需要适当区分使用。
本发明不限定于上述各实施方式，能够在权利要求所示的范围内进行各种各样的变更，将不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合而成的实施方式，也包含在本发明的技术范围内。
为了解决上述技术问题，本发明的蒸镀装置，通过蒸镀处理在被成膜基板上形成规定图案的蒸镀膜，所述蒸镀装置的特征在于，包括：射出部，其形成有在进行蒸镀处理时向上述被成膜基板射出形成上述蒸镀膜的蒸镀颗粒的多个射出口；和多个限制板，该多个限制板配置于上述射出部与上述被成膜基板之间，对从上述多个射出口射出的蒸镀颗粒相对于上述被成膜基板的入射角进行限制，上述射出部包括：在配置上述被成膜基板的一侧的面具有开口部的容器形状的射出部主体；和多个块体，该多个块体覆盖上述开口部，相互分离，且分别形成有上述多个射出口。
根据上述结构，通过配置于上述射出部与上述被成膜基板之间的上述多个限制板，能够将从上述射出口射出的蒸镀颗粒相对于上述被成膜基板的入射角限制于一定范围内。由此，能够防止相对于上述被成膜基板从斜方向飞来蒸镀颗粒。因此，能够防止向在上述被成膜基板成膜的规定的蒸镀图案的侧部附着无用的蒸镀膜，能够形成高精细的蒸镀膜图案。
进而，根据上述结构，上述多个射出口分别形成于覆盖上述射出部主体的开口部、作为与该射出部主体不为同体的多个块体中的各个块体，该多个块体中的各个块体彼此分离。
由此，在蒸镀处理时被加热的情况下，多个块体的各个独立地伸长，与一个长尺寸的块体与射出部主体一体化地形成的情况相比，能够使加热前后的上述多个射出口的位置偏移变少。
因此，能够抑制产生被加热时的上述多个限制板中的各个限制板与上述多个射出口中的各个射出口的相对的位置偏移，能够在被成膜基板上形成更加高精细的蒸镀膜图案。
另外，优选上述射出部主体和上述块体没有被固定。根据上述结构，即使因蒸镀处理时的加热而使上述射出部主体发生热膨胀，也能够抑制该射出部主体的热膨胀对上述多个各块体的影响，能够进一步抑制加热前后的多个射出口的位置偏移。
另外，优选上述射出部主体具有上述开口部，上述多个块体中的各个块体分别覆盖上述多个开口部的各个开口部地配置。根据上述结构，能够将上述射出部主体内的蒸镀颗粒，从上述多个射出口向上述被成膜基板射出。
另外，优选上述射出部主体具有多个突出部，该突出部使上述多个开口部中的各个开口部向配置上述被成膜基板的一侧突出，上述多个块体中的各个块体，分别覆盖上述多个突出部的各个突出部地配置。
根据上述结构，通过上述各个块体覆盖上述突出部，因此即使从上述射出口以外的上述开口部泄漏出蒸镀颗粒，也能够防止该泄漏出的蒸镀颗粒到达上述被成膜基板。
另外，上述射出部主体也可以构成为按每多个上述开口部相互分离。由此，无需制作长尺寸一体化的射出部，无需进行长距离的高精度开口加工。因此，能够抑制次品的产生，防止制造成本增大。
另外，优选具备用于使上述被成膜基板在一个方向上扫描的基板驱动部，设上述基板驱动部使上述被成膜基板扫描的方向为第一方向时，在上述多个块体中的各个块体中配置的多个射出口的间距，在俯视时，在与上述第一方向正交的第二方向上，在非加热时为等间距。
根据该结构，能够一边使上述被成膜基板在第一方向上扫描，一边进行蒸镀图案的成膜，能够使蒸镀掩模比上述被成膜基板小。
由此，能够防止蒸镀掩模的翘曲，能够进行高精细的蒸镀图案成膜。
另外，上述多个块体的各个块体可以为相互推挤的形状，使得上述多个块体的各个块体在被加热时在上述第一方向上偏移。根据上述结构，即使因通过加热引起的膨胀使上述多个块体间相互推挤，由于是在被成膜基板的扫描方向的第一方向上偏移，因此能够抑制次品的产生。
另外，上述多个块体的各个块体可以在俯视时为平行四边形。另外，上述多个块体的各个块体也可以在俯视时为三角形或梯形，上述多个块体的各个块体与相邻的块体方向相反地配置。
根据上述结构，上述多个块体中的各个块体，即使加热时因热膨胀而相互推挤，也是在作为被成膜基板的扫描方向的第一方向上偏移。由此，能够制抑次品的产生。
另外，在上述多个块体中的各个块体在俯视时为平行四边形的情况下，优选上述多个块体中的各个块体按照如下方式配置：将上述多个块体中的各个块体的射出口沿着排列方向连接而成的直线，以从与上述块体的长边方向平行的方向，向沿着将平行四边形的锐角间连接而成的对角线的方向接近的方式倾斜。
因此，即使是具有平行四边形的块体，也能够在多个块体间以等间距在第二方向上配置射出口。
另外，优选上述多个块体的长边方向相互平行，上述多个块体在上述第二方向上排成配置成一列。
根据上述结构，能够在上述第二方向上长距离地连续配置多个射出口。由此能够增大上述被成膜基板的一次扫描中能够形成蒸镀膜的面积，能缩短制造时间。
另外，优选上述多个块体的长边方向相互平行，该多个块体中的至少一个块体在上述第一方向上错开配置。
根据上述结构，即使加热导致上述块体在长边方向上伸长，也能够防止相互的干涉。由此，能够抑制加热前后的射出口的位置偏移。
另外，优选在非加热时，上述多个射出口的间距在上述多个块体间在上述第二方向上为等间距。根据上述结构，能够防止块体间的蒸镀膜图案的位置偏移。
另外，优选上述块体由因瓦合金材料形成。由此，能够抑制加热前后的射出口的位置偏移。
为了解决上述技术问题，本发明的蒸镀方法为通过蒸镀处理在被成膜基板上形成规定的蒸镀膜图案的蒸镀方法，上述蒸镀方法的特征在于：具有以下工序：在蒸镀处理时，射出形成上述蒸镀膜图案的蒸镀颗粒，使得上述蒸镀颗粒通过对上述蒸镀颗粒相对于上述被成膜基板的入射角进行限制的多个限制板间之后到达上述被成膜基板，在射出上述蒸镀颗粒的工序中，从在相互分离的多个块体中的各个块体形成的多个射出口射出上述蒸镀颗粒。
根据上述结构，到达上述被成膜基板的蒸镀颗粒相对于上述被成膜基板的入射角，被上述限制板限制于一定范围内。由此，能够防止相对于上述被成膜基板从斜方向飞来蒸镀颗粒。因此，能够防止向在上述被成膜基板成膜的规定的蒸镀图案的侧部附着无用的蒸镀膜，能够形成高精细的蒸镀膜图案。
进而，在射出上述蒸镀颗粒的工序中，从在相互分离的多个块体中的各个块体形成的多个射出口射出上述蒸镀颗粒。
由此，在蒸镀处理时被加热的情况下，多个块体中的各个独立地伸长，因此与一个长尺寸的块体一体化地形成的情况相比，能够使加热前后的上述多个射出口的位置偏移变少。
因此，能够抑制产生被加热时的上述多个限制板中的各个限制板与上述多个射出口中的各个射出口的相对的位置偏移，能够在被成膜基板上形成更加高精细的蒸镀膜图案。
另外，优选使用上述蒸镀方法，制造形成各子像素的发光层的有机EL显示装置。由此，能够得到高精细地图案形成有发光层作为上述蒸镀图案的有机EL显示装置。
产业上的可利用性
本发明能够作为用于向要求高精细的蒸镀图案成膜的设备进行蒸镀膜的成膜的蒸镀装置、蒸镀方法加以利用，特别是能够适宜用作用于蒸镀有机EL显示装置的发光层的蒸镀装置、蒸镀方法。
符号说明
1            蒸镀装置
2            像素
3            有机EL显示装置
9            基板驱动机构(基板驱动部)
10、50       蒸镀源
11           蒸镀材料供给源
12           导入管
13、53       喷嘴(射出部)
14、14d、54  喷嘴主体(射出部主体)
14a、54a      突出部
14b、54b      连结部
14c、54c      开口部
15、55        块体
15b、15c      块体
16            射出口
17            蒸镀颗粒
19            间隙
20            限制板
30            蒸镀掩模
31            开口部
40            被成膜基板
47            发光层

Claims (15)

1.一种蒸镀装置，其通过蒸镀处理，在被成膜基板上形成规定的蒸镀膜图案，所述蒸镀装置的特征在于，包括：
射出部，其形成有在进行蒸镀处理时向所述被成膜基板射出形成所述蒸镀膜图案的蒸镀颗粒的多个射出口；
多个限制板，该多个限制板配置于所述射出部与所述被成膜基板之间，对从所述多个射出口射出的蒸镀颗粒相对于所述被成膜基板的入射角进行限制；和
用于使所述被成膜基板在一个方向上扫描的基板驱动部，
所述射出部包括：
在配置所述被成膜基板的一侧的面具有开口部的容器形状的射出部主体；和
多个块体，该多个块体覆盖所述开口部，相互分离，且分别形成有所述多个射出口，
设所述基板驱动部使所述被成膜基板扫描的方向为第一方向时，
配置在所述多个块体中的各个块体的多个射出口的间距，在俯视时，在与所述第一方向正交的第二方向上，在非加热时为等间距。
2.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述射出部主体和所述块体没有被固定。
3.如权利要求1或2所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述射出部主体具有多个所述开口部，
所述多个块体中的各个块体，分别覆盖所述多个开口部中的各个开口部地配置。
4.如权利要求3所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述射出部主体具有多个突出部，该突出部使所述多个开口部中的各个开口部向配置所述被成膜基板的一侧突出，
所述多个块体中的各个块体，分别覆盖所述多个突出部中的各个突出部地配置。
5.如权利要求3所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述射出部主体的多个所述开口部中的各所述开口部相互分离。
6.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述多个块体中的各个块体为相互推挤的形状，使得所述多个块体中的各个块体在被加热时在所述第一方向上偏移。
7.如权利要求6所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述多个块体中的各个块体在俯视时为平行四边形。
8.如权利要求7所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述多个块体中的各个块体的射出口按照如下方式配置：将所述多个块体中的各个块体的射出口沿着排列方向连接而成的直线，以从与所述块体的长边方向平行的方向，向沿着将平行四边形的锐角间连接而成的对角线的方向接近的方式倾斜。
9.如权利要求6所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述多个块体中的各个块体在俯视时为三角形或梯形，所述多个块体中的各个块体与相邻的块体方向相反地配置。
10.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述多个块体的长边方向相互平行，所述多个块体在所述第二方向上排列配置成一列。
11.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述多个块体的长边方向相互平行，该多个块体中的至少一个块体在所述第一方向上错开配置。
12.如权利要求6所述的蒸镀装置，其特征在于：
非加热时，所述多个射出口的间距在所述多个块体间在所述第二方向上为等间距。
13.如权利要求1或2所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述块体由因瓦合金材料制成。
14.一种蒸镀方法，其为通过蒸镀处理，在被成膜基板上形成规定的蒸镀膜图案的蒸镀方法，所述蒸镀方法的特征在于：
具有如下工序：在蒸镀处理时，使所述被成膜基板在一个方向上扫描，并且射出形成所述蒸镀膜图案的蒸镀颗粒，使得所述蒸镀颗粒通过对所述蒸镀颗粒相对于所述被成膜基板的入射角进行限制的多个限制板间之后到达所述被成膜基板，
在射出所述蒸镀颗粒的工序中，从在相互分离的多个块体中的各个块体形成的多个射出口射出所述蒸镀颗粒，
设所述被成膜基板扫描的方向为第一方向时，
配置在所述多个块体中的各个块体的多个射出口的间距，在俯视时，在与所述第一方向正交的第二方向上，在非加热时为等间距。
15.一种有机EL显示装置的制造方法，其特征在于：
通过权利要求14所述的蒸镀方法，形成各子像素的发光层。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2981667B1 (fr) * 2011-10-21 2014-07-04 Riber Systeme d'injection pour dispositif de depot de couches minces par evaporation sous vide
CN104099571A (zh) * 2013-04-01 2014-10-15 上海和辉光电有限公司 蒸发源组件和薄膜沉积装置和薄膜沉积方法
US9349922B2 (en) * 2014-08-25 2016-05-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Mask, mask group, manufacturing method of pixels and pixel structure
US9804310B2 (en) * 2015-02-17 2017-10-31 Materion Corporation Method of fabricating anisotropic optical interference filter
US10100397B2 (en) * 2015-02-25 2018-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition unit, vapor deposition device, and vapor deposition method
JP6121639B1 (ja) * 2015-06-09 2017-04-26 株式会社アルバック 巻取式成膜装置及び巻取式成膜方法
US20180175296A1 (en) * 2015-07-03 2018-06-21 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition device and vapor deposition method
CN107849686A (zh) * 2015-08-10 2018-03-27 夏普株式会社 蒸镀源和蒸镀装置以及蒸镀膜制造方法
TWI575092B (zh) * 2015-08-13 2017-03-21 A vapor deposition device with temperature control collimating unit
CN108026630B (zh) * 2015-09-24 2020-07-07 夏普株式会社 蒸镀源和蒸镀装置以及蒸镀膜制造方法
WO2017170059A1 (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
US11485904B2 (en) * 2017-02-20 2022-11-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Layered structures, production methods thereof, and liquid crystal display including the same
KR102369676B1 (ko) * 2017-04-10 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
US10998531B2 (en) * 2017-12-12 2021-05-04 Universal Display Corporation Segmented OVJP print bar
KR20200040537A (ko) * 2018-10-10 2020-04-20 엘지디스플레이 주식회사 측향식 진공증착용 소스, 소스 어셈블리 및 이를 이용한 측향식 진공증착 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200837206A (en) * 2006-09-27 2008-09-16 Tokyo Electron Ltd Vapor deposition apparatus, device for controlling vapor deposition apparatus, method for controlling vapor deposition apparatus, and method for operating vapor deposition apparatus

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3345059A (en) * 1965-03-12 1967-10-03 United States Steel Corp Crucible for holding molten metal
US4897290A (en) * 1986-09-26 1990-01-30 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Method for manufacturing the substrate for liquid crystal display
JP3401356B2 (ja) 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JP3019095B1 (ja) 1998-12-22 2000-03-13 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌデバイスの製造方法
US6911671B2 (en) * 2002-09-23 2005-06-28 Eastman Kodak Company Device for depositing patterned layers in OLED displays
JP2004158337A (ja) * 2002-11-07 2004-06-03 Sony Corp 蒸着装置
JP4476019B2 (ja) * 2004-05-20 2010-06-09 東北パイオニア株式会社 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌ素子の製造方法
KR20080046267A (ko) * 2005-09-20 2008-05-26 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 성막 장치, 증발 지그, 및, 측정 방법
JP2008208443A (ja) * 2007-02-28 2008-09-11 Sony Corp 蒸着成膜装置、蒸着成膜方法、および表示装置の製造方法
JP5081516B2 (ja) * 2007-07-12 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 蒸着方法および蒸着装置
JP5127372B2 (ja) * 2007-09-03 2013-01-23 キヤノン株式会社 蒸着装置
EP2168644B1 (en) * 2008-09-29 2014-11-05 Applied Materials, Inc. Evaporator for organic materials and method for evaporating organic materials
EP2168643A1 (en) * 2008-09-29 2010-03-31 Applied Materials, Inc. Evaporator for organic materials
JP2010242116A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Fujifilm Corp 成膜方法と成膜装置、マスク、パターン膜、光電変換素子、及び太陽電池

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200837206A (en) * 2006-09-27 2008-09-16 Tokyo Electron Ltd Vapor deposition apparatus, device for controlling vapor deposition apparatus, method for controlling vapor deposition apparatus, and method for operating vapor deposition apparatus

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JP5529329B2 (ja) 2014-06-25
WO2012124629A1 (ja) 2012-09-20
JP2014025150A (ja) 2014-02-06

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