CN103270189B - 蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光显示装置的制造方法 - Google Patents

蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光显示装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的蒸镀装置（50）是对被成膜基板（60）进行成膜的蒸镀装置，其具备：具有射出蒸镀颗粒的射出口（81）的蒸镀源（80）；向蒸镀源（80）供给蒸镀颗粒的蒸镀源坩埚（82）；通过使蒸镀源（80）旋转来使蒸镀颗粒的射出量的分布发生变化的旋转电动机（86）。

Description

蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及使用真空蒸镀法的蒸镀装置、蒸镀方法以及使用该蒸镀装置及蒸镀方法的有机电致发光显示装置的制造方法。
背景技术
近年来，平板显示器在各种商品及领域中得到有效运用，且要求平板显示器进一步的大型化、高画质化、低消耗电力化。
在这种状况下，利用有机材料的场致发光（Electroluminescence：下面，称为“EL”）的具备有机EL元件的有机EL显示装置，作为整体固体型且在低电压驱动、高速响应性、自发光性等方面优异的平板显示器受到高度关注。
有机EL显示装置例如具有以下结构：在由设有TFT（薄膜晶体管）的玻璃基板等构成的基板上，设置有与TFT连接的有机EL元件。
有机EL元件是可以通过低电压直流驱动进行高亮度发光的发光元件，其具有依次层叠有第一电极、有机EL层及第二电极的构造。其中，第一电极与TFT连接。另外，在第一电极与第二电极之间，作为上述有机EL层，设有层叠有空穴注入层、空穴输送层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子输送层、电子注入层等的有机层。
在全彩色有机EL显示装置中，通常，具备红（R）、绿（G）、蓝（B）的各种颜色的发光层的有机EL元件作为子像素排列形成于基板上。使用TFT，使这些有机EL元件有选择地以希望亮度发光，由此进行彩色图像显示。
为了制造有机EL显示装置，需要在每个有机EL元件中以规定图案形成由发出各色光的有机发光材料构成的发光层。另外，对于不需要按每个有机EL元件进行图案形成的层，对由有机EL元件构成的像素区域整个面一并进行薄膜形成。
作为以规定图案形成发光层的方法，例如已知有真空蒸镀法、喷墨法、激光转印法。例如，在低分子型有机EL显示装置（OLED）中，大多使用真空蒸镀法（例如，专利文献1及2）。
在真空蒸镀法中，使用形成有规定图案开口的掩模（也称为蒸镀掩模或荫罩）。使密接固定有掩模的基板的被蒸镀面与蒸镀源相对。而且，使来自蒸镀源的蒸镀颗粒（成膜材料）通过掩模的开口蒸镀在被蒸镀面，由此，形成规定图案的薄膜。蒸镀按照发光层的各颜色进行（将其称为“分涂蒸镀”）。
在此，基于图15及图16对使用了真空蒸镀法的现有的蒸镀装置的结构进行说明。
图15是表示现有的蒸镀装置250的概略结构的侧面图，图16是表示蒸镀装置250的蒸镀源280、蒸镀源坩埚282和配管283的概略结构的立体图。
如图15所示，蒸镀装置250是对被成膜基板260进行成膜的装置，其具备荫罩270、蒸镀源280、蒸镀源坩埚282和配管283。荫罩270和蒸镀源280配置于真空腔室290内，蒸镀源坩埚282固定于未图示的支承台上。
蒸镀源280具有射出蒸镀颗粒的多个射出口（喷嘴）281，如图15所示，射出口281配置成1列。
在蒸镀源坩埚282中积存有固体或液体的蒸镀材料。蒸镀材料在蒸镀源坩埚282内部被加热而形成气体蒸镀颗粒，通过配管283供给（导入）到蒸镀源280中。配管283与蒸镀源280的射出口281列的一个端侧的端部（供给侧端部）连接，供给到蒸镀源280的蒸镀颗粒从射出口281射出。另外，配管283被加热到不使蒸镀颗粒附着那样的温度。
被成膜基板260的蒸镀面与蒸镀源280相对配置。为了使蒸镀颗粒不附着在作为目的的蒸镀区域以外的区域，具有与蒸镀区域的图案对应的开口部的荫罩270密接固定于被成膜基板260的蒸镀面上。
在上述结构中，一边从射出口281射出蒸镀颗粒，一边使被成膜基板260及荫罩270相对于蒸镀源280进行相对移动（扫描）。由此，在被成膜基板260上形成规定图案。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国公开专利公报“（日本）特开平8-227276号公报（1996年9月3日公开）”
专利文献2：日本国公开专利公报“（日本）特开2000-188179号公报（2000年7月4日公开）”
发明内容
发明要解决的技术问题
但是，上述那样的现有技术具有蒸镀膜的膜厚分布不均匀的问题。
图17是表示沿射出口281的排列方向的在被成膜基板260上的位置与蒸镀颗粒分布（厚度）的关系的图表。在该图表中，将与蒸镀源280的供给侧端部相对的位置设为A，将与蒸镀源280的供给侧端部的相反侧的端部相对的位置设为B。
由于在蒸镀源280的内部受到供给路径内及射出口内的压力差、内部形状、传导性等影响，因此，从各射出口281射出的蒸镀颗粒的量不同。具体而言，从与供给侧端部相近的射出口281依次射出蒸镀颗粒，因此，越远离供给侧端部，蒸镀颗粒的密度越低，在蒸镀源280的内部产生压力差。因此，具有距蒸镀源280的供给侧端部的距离越大，来自射出口281的蒸镀颗粒的射出量越少的趋势。另外，由于蒸镀颗粒的种类、射出口的开口偏差、供给路径的形状偏差、蒸镀源的温度分布等，蒸镀颗粒的密度分布复杂地变化。
与此相伴，即使对于通过从各种射出口281射出的蒸镀颗粒合成而构成的被成膜基板260上的蒸镀膜，如图17所示，蒸镀颗粒量也因基板面内的位置而不同。因此，在基板面内产生膜厚分布的不均匀。
特别是有机EL元件的发光特性对蒸镀的有机膜的膜厚极其敏感，在有机EL显示装置的画面内的有机膜的膜厚差直接关系到显示不均及寿命特性的不均匀。因此，优选有机EL元件的发光层尽可能均匀地蒸镀。
另外，通过使射出口的开口量（直径）变化，也可以控制来自各射出口的射出量。但是，对射出口的加工要求较高的精度，因此，引起蒸镀源的制造成本的上升。另外，蒸镀颗粒的分布动态地变化，因此，只通过射出口的开口量难以使来自各射出口的射出量均匀。
本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，提供一种可以在被成膜基板上以均匀的膜厚将蒸镀颗粒蒸镀的蒸镀装置及蒸镀方法。
用于解决技术问题的手段
为了解决所述课题，本发明提供一种蒸镀装置，其特征在于：其是对被成膜基板进行成膜的蒸镀装置，上述蒸镀装置包括：具有射出蒸镀颗粒的射出口的蒸镀源；向上述蒸镀源供给上述蒸镀颗粒的蒸镀颗粒供给单元；和使上述蒸镀颗粒的射出量的分布发生变化的射出量控制单元。
为了解决上述课题，本发明提供一种蒸镀方法，其特征在于：其是对被成膜基板进行成膜的蒸镀方法，上述蒸镀方法具有：射出量控制工序，对具有射出蒸镀颗粒的射出口的蒸镀源的、上述蒸镀颗粒的射出量的分布进行控制；射出工序，一边向上述蒸镀源供给蒸镀颗粒，一边从上述射出口对上述被成膜基板射出上述蒸镀颗粒；和反复工序，将上述射出量控制工序和上述射出工序反复进行多次。
根据所述蒸镀装置和蒸镀方法，蒸镀颗粒从蒸镀颗粒供给单元供给到蒸镀源，并从射出口射出到被成膜基板上。在此，一次蒸镀中的蒸镀颗粒的膜厚分布通常为不均匀，但通过一边使蒸镀颗粒的射出量分布发生变化，一边向被成膜基板反复进行多次蒸镀，能够将膜厚分布平均化。因此，能够提供可以在被成膜基板上以均匀的膜厚将蒸镀颗粒蒸镀的蒸镀装置及蒸镀方法。
本发明提供一种有机电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，具有：在TFT基板上制作第一电极的TFT基板和第一电极制作工序；在上述TFT基板上蒸镀至少包含发光层的有机层的有机层蒸镀工序；蒸镀第二电极的第二电极蒸镀工序；和通过密封部件对包含上述有机层和第二电极的有机电致发光元件进行密封的密封工序，上述有机层蒸镀工序、上述第二电极蒸镀工序和上述密封工序中的至少一个工序具有上述蒸镀方法中的上述射出工序、上述射出量控制工序和上述反复工序。
根据所述结构，通过本发明的蒸镀方法，能够以均匀的膜厚成膜有机层等，因此，能够提供显示不均少的有机电致发光显示装置。
发明效果
如上，本发明的蒸镀装置是对被成膜基板进行成膜的蒸镀装置，其构成为具备：具有射出蒸镀颗粒的射出口的蒸镀源；向上述蒸镀源供给上述蒸镀颗粒的蒸镀颗粒供给单元；和使上述蒸镀颗粒的射出量的分布发生变化的射出量控制单元。另外，本发明的蒸镀方法是对被成膜基板进行成膜的蒸镀方法，其具有：射出量控制工序，对具有射出蒸镀颗粒的射出口的蒸镀源的、上述蒸镀颗粒的射出量的分布进行控制；射出工序，一边向上述蒸镀源供给蒸镀颗粒，一边从上述射出口对上述被成膜基板射出上述蒸镀颗粒；和反复工序，将上述射出量控制工序和上述射出工序反复进行多次。因此，实现能够提供可在被成膜基板上以均匀的膜厚将蒸镀颗粒蒸镀的蒸镀装置和蒸镀方法的效果。
附图说明
图1是表示本发明实施的一方式的蒸镀装置的结构的侧面图。
图2是表示图1所示的蒸镀装置结构的一部分的剖面图。
图3是表示形成于蒸镀源侧面的射出口的排列例子的平面图。
图4是表示对被成膜基板的蒸镀顺序的流程图。
图5是表示沿射出口的排列方向的在被成膜基板上的位置与蒸镀颗粒的分布（厚度）的关系的图表。
图6是表示RGB全彩色显示的有机EL显示装置的概略结构的剖面图。
图7是表示构成图6所示的有机EL显示装置的像素结构的平面图。
图8是图7所示的有机EL显示装置的TFT基板的A-A线向视剖面图。
图9是按照工序顺序表示本发明实施的一方式的有机EL显示装置的制造工序的流程图。
图10是表示射出口的排列的变形例的平面图。
图11是表示蒸镀装置的变形例的图。
图12是表示本发明实施的其它方式的蒸镀装置结构的一部分的剖面图。
图13是表示本发明实施的又一其它方式的蒸镀装置结构的一部分的剖面图。
图14是表示从被成膜基板侧观察到的防镀板的开口与蒸镀源的射出口的相对位置的图。
图15是表示现有的蒸镀装置的概略结构的侧面图。
图16是表示图15所示的蒸镀装置的蒸镀源单元的概略结构的立体图。
图17是表示沿蒸镀源的射出口的排列方向的在被成膜基板上的位置与蒸镀颗粒的分布（厚度）的关系的图表。
具体实施方式
下面，对本发明的实施方式进行详细地说明。
〔实施方式1〕
对于本发明实施的一方式，基于图1～图11进行如下说明。
在本实施方式中，作为使用本实施方式的蒸镀装置的蒸镀方法的一个例子，以从TFT基板侧取出光的底部发光型的RGB全彩色显示的有机EL显示装置的制造方法为例进行举例说明。
首先，下面对上述有机EL显示装置的整体结构进行说明。
图6是表示RGB全彩色显示的有机EL显示装置的概略结构的剖面图。另外，图7是表示构成图6所示的有机EL显示装置的像素结构的平面图，图8是图7所示的有机EL显示装置的TFT基板的A-A线向视剖面图。
如图6所示，本实施方式中制造的有机EL显示装置1具有在设有TFT12（参照图8）的TFT基板10上依次设有与TFT12连接的有机EL元件20、粘接层30、密封基板40的结构。
如图6所示，使用粘接层30将层叠有该有机EL元件20的TFT基板10与密封基板40贴合，由此，有机EL元件20被封入于这一对基板（TFT基板10、密封基板40）之间。
这样，上述有机EL显示装置1通过将有机EL元件20封入于TFT基板10与密封基板40之间，来防止氧或水分从外部浸入有机EL元件20。
如图8所示，作为支承基板，TFT基板10具备例如玻璃基板等透明的绝缘基板11。如图7所示，在绝缘基板11上设有由沿水平方向铺设的多个栅极线和沿垂直方向铺设并与栅极线交叉的多个信号线构成的多个配线14。栅极线上连接有驱动栅极线的未图示的栅极线驱动电路，信号线上连接有驱动信号线的未图示的信号线驱动电路。
有机EL显示装置1是全彩色有源矩阵型的有机EL显示装置，在绝缘基板11上，在由这些配线14围成的区域中，呈矩阵状地分别排列有由红（R）、绿（G）、蓝（B）各种颜色的有机EL元件20构成的各种颜色的子像素2R、2G、2B。
即，由这些配线14围成的区域为1个子像素（点），按每个子像素区划有R、G、B的发光区域。
像素2（即，1像素）由透射红色光的红色子像素2R、透射绿色光的绿色子像素2G、透射蓝色光的蓝色子像素2B的3个子像素2R、2G、2B构成。
在各子像素2R、2G、2B中，作为各子像素2R、2G、2B的承担发光的各种颜色的发光区域，分别设有被条纹状的各种颜色的发光层23R、23G、23B覆盖的开口部15R、15G、15B。
这些发光层23R、23G、23B按照各种颜色通过蒸镀进行图案形成。另外，对于开口部15R、15G、15B以后叙述。
在这些子像素2R、2G、2B中分别设有与有机EL元件20的第一电极21连接的TFT12。各子像素2R、2G、2B的发光强度由配线14和TFT12的扫描和选择确定。这样，有机EL显示装置1使用TFT12，使有机EL元件20有选择地以希望的亮度发光，从而实现图像显示。
接着，对上述有机EL显示装置1的TFT基板10及有机EL元件20的结构进行详细叙述。
首先，对TFT基板10进行说明。
如图8所示，TFT基板10具有在玻璃基板等透明的绝缘基板11上依次形成TFT12（开关元件）、层间膜13（层间绝缘膜、平坦化膜）、配线14、边缘覆盖物15的结构。
在上述绝缘基板11上设有配线14，并且对应各子像素2R、2G、2B分别设有TFT12。另外，TFT的结构是众所周知的。因此，省略TFT12的各层的图示以及说明。
层间膜13以覆盖各TFT12的方式遍布上述绝缘基板11的整个区域地层叠在上述绝缘基板11上。
在层间膜13上形成有有机EL元件20的第一电极21。
另外，在层间膜13上设有用于将有机EL元件20的第一电极21与TFT12电连接的接触孔13a。由此，TFT12经由上述接触孔13a与有机EL元件20电连接。
边缘覆盖物15是用于防止由于在第一电极21的图案端部有机EL层变薄或发生电场集中而使有机EL元件20的第一电极21与第二电极26短路的绝缘层。
边缘覆盖物15以覆盖第一电极21的图案端部的方式形成在层间膜13上。
在边缘覆盖物15，按每个子像素2R、2G、2B设置有开口15R、15G、15B。该边缘覆盖物15的开口15R、15G、15B成为各子像素2R、2G、2B的发光区域。
换言之，各子像素2R、2G、2B通过具有绝缘性的边缘覆盖物15被划分。边缘覆盖物15作为元件分离膜发挥作用。
接着，对有机EL元件20进行说明。
有机EL元件20是能够通过低电压直流驱动来高亮度发光的发光元件，依次层叠有第一电极21、有机EL层、第二电极26。
第一电极21是具有向上述有机EL层注入（供给）空穴的功能的层。如上所述，第一电极21经由接触孔13a与TFT12连接。
如图8所示，第一电极21与第二电极26之间具有如下结构，即，作为有机EL层，从第一电极21一侧起依次形成有空穴注入层兼空穴输送层22、发光层23R、23G、23B、电子输送层24、电子注入层25。
另外，在上述层叠顺序中，将第一电极21设为阳极，将第二电极26设为阴极，在将第一电极21设为阴极，将第二电极26设为阳极的情况下，颠倒有机EL层的层叠顺序。
空穴注入层是具有提高对发光层23R、23G、23B的空穴注入效率的功能的层。另外，空穴输送层是具有提高对发光层23R、23G、23B的空穴传输效率的功能的层。空穴注入层兼空穴输送层22以覆盖第一电极21和边缘覆盖物15的方式，均匀地形成于上述TFT基板10的显示区域整个面上。
另外，在本实施方式中，如上述，作为空穴注入层和空穴输送层，以设有将空穴注入层和空穴输送层一体化的空穴注入层兼空穴输送层22的情况为例进行说明。但是，本实施方式不限定于此。空穴注入层和空穴输送层也可以作为相互独立的层形成。
在空穴注入层兼空穴输送层22上以覆盖边缘覆盖物15的开口部15R、15G、15B的方式分别与子像素2R、2G、2B对应地形成有发光层23R、23G、23B。
发光层23R、23G、23B是具有使从第一电极21侧注入的空穴（hole）和从第二电极26侧注入的电子再结合而射出光的功能的层。发光层23R、23G、23B分别由低分子荧光色素、金属络合物等发光效率高的材料形成。
电子输送层24是具有提高从第二电极26到发光层23R、23G、23B的电子传输效率的功能的层。另外，电子注入层25是具有提高从第二电极26到发光层23R、23G、23B的电子注入效率的功能的层。
电子输送层24以覆盖发光层23R、23G、23B和空穴注入层兼空穴输送层22的方式，遍布上述TFT基板10的显示区域整个面地均匀形成在这些发光层23R、23G、23B和空穴注入层兼空穴输送层22上。另外，电子注入层25以覆盖电子输送层24的方式，遍布上述TFT基板10的显示区域整个面地均匀形成在电子输送层24上。
另外，电子输送层24和电子注入层25也可以作为上述那样相互独立的层形成，也可以相互一体化地设置。即，上述有机EL显示装置1也可以具备电子输送层兼电子注入层代替电子输送层24及电子注入层25。
第二电极26是具有向由上述那样的有机层结构的有机EL层注入电子的功能的层。第二电极26以覆盖电子注入层25的方式遍布上述TFT基板10的显示区域整个面地均匀形成在电子注入层25上。
另外，作为有机EL层，发光层23R、23G、23B以外的有机层不是必须的层，只要根据要求的有机EL元件20的特性适当形成即可。另外，根据需要，也可以在有机EL层上增加载流子阻挡层。例如，在发光层23R、23G、23B和电子输送层24之间增加空穴阻挡层作为载流子阻挡层，由此，能够阻止空穴进入电子输送层24，而提高发光效率。
作为上述有机EL元件20的结构，例如，可以采用下述（1）～（8）所示那样的层结构。
（1）第一电极／发光层／第二电极
（2）第一电极／空穴输送层／发光层／电子输送层／第二电极
（3）第一电极／空穴输送层／发光层／空穴阻挡层（载流子阻挡层）／电子输送层／第二电极
（4）第一电极／空穴输送层／发光层／空穴阻挡层／电子输送层／电子注入层／第二电极
（5）第一电极／空穴注入层／空穴输送层／发光层／电子输送层／电子注入层／第二电极
（6）第一电极／空穴注入层／空穴输送层／发光层／空穴阻挡层／电子输送层／第二电极
（7）第一电极／空穴注入层／空穴输送层／发光层／空穴阻挡层／电子输送层／电子注入层／第二电极
（8）第一电极／空穴注入层／空穴输送层／电子阻挡层（载流子阻挡层）／发光层／空穴阻挡层／电子输送层／电子注入层／第二电极
另外，如上述，例如空穴注入层和空穴输送层也可以一体化。此外，电子输送层和电子注入层也可以一体化。
另外，有机EL元件20的结构不限定于上述示例的层结构，如上述，可以根据要求的有机EL元件20的特性采用希望的层结构。
接着，下面对上述有机EL显示装置1的制造方法进行说明。
图9是按照工序顺序表示上述有机EL显示装置1的制造工序的流程图。
如图9所示，本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法例如包括：TFT基板和第一电极制作工序（S11）；空穴注入层和空穴输送层蒸镀构成（S12）；发光层蒸镀工序（S13）；电子输送层蒸镀工序（S14）；电子注入层蒸镀工序（S15）；第二电极蒸镀工序（S16）；和密封工序（S17）。
下面，根据图9所示的流程图，参照图6和图8对上述的各工序进行说明。
但是，本实施方式所记载的各结构要素的尺寸、材质、形状等始终只不过是一个实施方式，不应通过其限定解释本发明的范围。
另外，如上述，在本实施方式所记载的层叠顺序中，将第一电极21设为阳极、将第二电极26设为阴极，相反，在将第一电极21设为阴极、将第二电极26设为阳极的情况下，颠倒有机EL层的层叠顺序。同样，也颠倒构成第一电极21及第二电极26的材料。
首先，如图8所示，在以公知的技术形成有TFT12以及配线14等的玻璃等绝缘基板11上涂敷感光性树脂，并通过光刻技术进行图案化，由此，在绝缘基板11上形成层间膜13。
作为上述绝缘基板11，使用例如厚度为0.7～1.1mm，y轴方向的长度（纵长度）为400～500mm，x轴方向的长度（横长度）为300～400mm的玻璃基板或塑料基板。另外，在本实施方式中使用玻璃基板。
作为层间膜13，例如能够使用丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂等绝缘性材料。作为丙烯酸树脂，例如能够列举JSR株式会社制的OPTMER（オプトマー，产品系列的名称）系列。此外，作为聚酰亚胺树脂，例如能够列举东丽株式会社制的PHOTONEECE（フォトニース，产品系列的名称）系列。不过，聚酰亚胺树脂一般不透明，是有色的。因此，如图8所示，在制造底部发射型有机EL显示装置作为上述有机EL显示装置1的情况下，作为上述层间膜13，进一步优选使用丙烯酸树脂等透明树脂。
作为上述层间膜13的膜厚，只要可以补充TFT12的高度差即可，而没有特别限定。在本实施方式中，例如，设为约2μm。
接着，在层间膜13上形成用于将第一电极21与TFT12电连接的接触孔13a。
接着，作为导电膜（电极膜），例如通过溅射法等以100nm的厚度形成ITO（Indium Tin Oxide：铟锡氧化物）膜。
接着，在上述ITO膜上涂敷光致抗蚀剂，使用光刻技术进行图案化后，将三氯化铁作为蚀刻溶液，对上述ITO膜进行蚀刻。然后，使用抗蚀剂剥离液剥离光致抗蚀剂，再进行基板净洗。由此，在层间膜13上矩阵状地形成第一电极21。
另外，作为用于上述第一电极21的导电膜材料，例如可以使用ITO、IZO（Indium Zinc Oxide：铟锡氧化物）、镓掺杂氧化锌（GZO）等透明导电材料、金（Au）、镍（Ni）、铂（Pt）等金属材料。
另外，作为上述导电膜的层叠方法，除了溅射法之外，还可以使用真空蒸镀法、CVD（chemical vapor deposition，化学蒸镀）法、等离子CVD法、印刷法等。
作为上述第一电极21的厚度，没有特别限定，但如上述，例如，可以设为100nm厚度。
接着，与层间膜13同样地，将边缘覆盖物15以例如大约1μm的膜厚进行图案化。作为边缘覆盖物15的材料，可以使用与层间膜13同样的绝缘材料。
通过以上工序，制作TFT基板10和第一电极21（S11）。
接着，对于经由上述那样的工序的TFT基板10，为了脱水而实施低压烘焙处理，作为第一电极21的表面清洗而实施氧等离子体处理。
接着，使用现有的蒸镀装置，在上述TFT基板10上，将空穴注入层和空穴输送层（在本实施方式中，空穴注入层兼空穴输送层22）蒸镀到上述TFT基板10的显示区域整个面上（S12）。
具体而言，将显示区域整个面开口的开放式掩模在相对于TFT基板10进行校准调节后紧密贴合，一边使TFT基板10与开放式掩模一同旋转，一边使从蒸镀源飞散来的蒸镀颗粒通过开放式掩模的开口均匀地蒸镀在显示区域的整个面上。
在此，所谓对显示区域整个面的蒸镀是指，经过相邻的颜色不同的子像素之间地连续进行蒸镀。
作为空穴注入层和空穴输送层的材料，例如能够列举挥发油、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三唑、咪唑、噁二唑、聚芳基烷、苯二胺、芳香胺、恶唑、蒽、芴酮、腙、芪、苯并菲、氮杂苯并菲及它们的衍生物、聚硅烷类化合物、乙烯咔唑类化合物、噻吩类化合物、苯胺系化合物等链状式或杂环共轭类单体、低聚物或聚合物等。
空穴注入层和空穴输送层也可以如上述那样一体化，也可以作为独立的层形成。作为各自的膜厚，例如为10～100nm。
在本实施方式中，作为空穴注入层和空穴输送层，设置空穴注入层兼空穴输送层22，并且作为空穴注入层兼空穴输送层22的材料，使用4,4'-双[N-（1-萘基）-N-苯基氨基]联苯（α-NPD）。另外，空穴注入层兼空穴输送层22的膜厚设为30nm。
接着，在上述空穴注入层兼空穴输送层22上以覆盖边缘覆盖物15的开口部15R、15G、15B的方式，与子像素2R、2G、2B对应地分别分涂形成（图案形成）发光层23R、23G、23B（S13）。
如上述，发光层23R、23G、23B中使用低分子荧光色素、金属络合物等发光效率高的材料。
作为发光层23R、23G、23B的材料，例如能够列举蒽、萘、茚、菲、芘、并四苯、苯并菲、蒽、苝、二萘品苯、荧蒽、醋菲烯、五苯、并五苯、晕苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪及它们的衍生物、三（8-羟基喹啉）铝络合物、双（苯并羟基喹啉）铍络合物、三（二苯甲酰基甲基）菲咯啉铕络合物、二甲基苯甲酰基乙烯联苯等。
作为发光层23R、23G、23B的膜厚，例如为10～100nm。
本实施方式的蒸镀方法和蒸镀装置在这种发光层23R、23G、23B的分涂形成（图案形成）中特别优选使用。
以下对使用了本实施方式的蒸镀方法和蒸镀装置的发光层23R、23G、23B的分涂形成进行详细叙述。
接着，通过与上述的空穴注入层和空穴输送层蒸镀工序（S12）同样的方法，以覆盖上述空穴注入层兼空穴输送层22及发光层23R、23G、23B的方式在上述TFT基板10的显示区域整个面蒸镀电子输送层24（S14）。
接着，通过与上述的空穴注入层和空穴输送层蒸镀工序（S12）同样的方法，以覆盖上述电子输送层24的方式在上述TFT基板10的显示区域整个面蒸镀电子注入层25（S15）。
作为电子输送层24和电子注入层25的材料，例如能够列举三（8-羟基喹啉）铝络合物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯基喹喔啉衍生物、噻咯衍生物等。
具体而言，能够列举Alq（三（8-羟基喹啉）铝）、蒽、萘、菲、芘、蒽、苝、丁二烯、香豆素、吖啶、芪、1,10-菲咯啉及它们的衍生物或金属络合物、LiF等。
如上述，电子输送层24和电子注入层25也可以一体化，也可以作为独立的层形成。作为各自的膜厚为例如1～100nm。另外，电子输送层24和电子注入层25的合计膜厚为例如20～200nm。
在本实施方式中，电子输送层24的材料中使用了Alq，电子注入层25的材料中使用了LiF。另外，电子输送层24的膜厚设为30nm，电子注入层25的膜厚设为1nm。
接着，通过与上述的空穴注入层和空穴输送层蒸镀工序（S12）同样的方法，以覆盖上述电子注入层25的方式，在上述TFT基板10的显示区域整个面蒸镀第二电极26（S16）。
作为第二电极26的材料（电极材料），优选使用功函数小的金属等。作为这种电极材料，例如能够列举镁合金（MgAg等）、铝合金（AlLi、AlCa、AlMg等）、金属钙等。第二电极26的厚度为例如50～100nm。
在本实施方式中，作为第二电极26，以50nm膜厚形成铝。由此，在TFT基板10上形成由上述的有机EL层、第一电极21和第二电极26构成的有机EL元件20。
接着，如图6所示，通过粘接层30将形成有有机EL元件20的上述TFT基板10与密封基板40贴合，进行有机EL元件20的封入。
作为上述密封基板40，使用例如厚度为0.4～1.1mm的玻璃基板或塑料基板等绝缘基板。在本实施方式中还使用了玻璃基板。
另外，密封基板40的纵向长度和横向长度也可以根据作为目的的有机EL显示装置1的大小适当调节，也可以使用与TFT基板10的绝缘基板11大致相同的大小的绝缘基板，在密封有机EL元件20后，根据作为目的的有机EL显示装置1的大小进行分割。
另外，作为有机EL元件20的密封方法，不限定于上述的方法。作为其它密封方式，例如能够列举：将雕刻玻璃作为密封基板40使用，利用密封树脂或烧结玻璃等呈框状地进行密封的方法；和向TFT基板10与密封基板40之间填充树脂的方法等。上述有机EL显示装置1的制造方法不依赖于上述密封方法，可以应用所有的密封方法。
另外，为了覆盖该第二电极26，阻止氧或水分从外部浸入到有机EL元件20内，也可以在上述第二电极26上设置未图示的保护膜。
上述保护膜由绝缘性或导电性的材料形成。作为这种材料，例如能够列举氮化硅和氧化硅。另外，上述保护膜的厚度为例如100～1000nm。
通过上述工序，完成有机EL显示装置1。
在这种有机EL显示装置1中，当通过来自配线14的信号输入使TFT12成为导通时，从第一电极21向有机EL层注入空穴。另一方面，从第二电极26向有机EL层注入电子，空穴和电子在发光层23R、23G、23B内进行再结合。在再结合的空穴和电子使能量失活时，作为光射出。
在上述有机EL显示装置1中，通过控制各子像素2R、2G、2B的发光亮度，显示规定的图像。
接着，对本实施方式的蒸镀装置的结构进行说明。
图1是表示本实施方式的蒸镀装置50的结构的侧面图。蒸镀装置50是对被成膜基板60进行成膜的装置，其包括荫罩70、蒸镀源80、蒸镀源坩埚82（蒸镀颗粒供给单元）、配管83、防镀板84、齿轮85a～85c（射出量控制单元、排列选择单元、旋转单元）、旋转电动机86（射出量控制单元、排列选择单元、旋转单元）和齿轮可动机构87（射出量控制单元、排列选择单元、旋转单元）。
荫罩70、蒸镀源80、防镀板84和齿轮85a～85c配置于真空腔室90内，蒸镀源坩埚82固定于未图示的支承台上。另外，被成膜基板60、荫罩70和蒸镀源坩埚82的结构分别与图15所示的被成膜基板260、荫罩270和蒸镀源坩埚282相同。
蒸镀源80具有射出蒸镀颗粒的射出口81。射出口81沿蒸镀源80的一次元方向（蒸镀源80的长度方向）呈列状地配置多个，射出口81的排列（配列）相互并排地在蒸镀源80的侧面设有多列。蒸镀源80的进一步详细的结构进行后述。
在蒸镀源坩埚82中积存有固体或液体的蒸镀材料。另外，蒸镀源坩埚82配置于真空腔室90的外部。由此，每当向蒸镀源坩埚82供给蒸镀材料时，不需要将真空腔室90开放于大气，能够提高生产能力。另外，在真空腔室90内空间上宽裕，真空腔室90内的设计变得容易。
蒸镀材料在蒸镀源坩埚82内部加热而形成气体的蒸镀颗粒，通过配管83供给（导入）到蒸镀源80。配管83与蒸镀源80的射出口81的列的一个端侧的端面连接。供给到蒸镀源80的蒸镀颗粒从射出口81射出。另外，配管83的连接位置不限定于蒸镀源80端部。
被成膜基板60的蒸镀面与蒸镀源80相对配置。为了使蒸镀颗粒不附着于作为目的的蒸镀区域以外的区域，具有与蒸镀区域图案对应的开口部的荫罩70紧密固定于被成膜基板60的蒸镀面。而且，一边从射出口81射出蒸镀颗粒，一边通过未图示的扫描装置使被成膜基板60和荫罩70相对于蒸镀源80进行相对移动（扫描）。具体而言，在蒸镀源80对被成膜基板60射出蒸镀颗粒时，移动单元使被成膜基板60和荫罩70在与射出口81的排列方向垂直的方向（从图面进深侧朝向跟前侧的方向及其相反方向）上来回移动。由此，在被成膜基板60上形成规定的图案。
图2表示将被成膜基板60、荫罩70、蒸镀源80和防镀板84沿与射出口81的排列方向垂直的面切开的截面。图2中，在蒸镀时，被成膜基板60和荫罩70在左右方向上进行来回移动。
蒸镀源80为圆筒型，其中心部80a成为从蒸镀源坩埚82供给的蒸镀颗粒的通路。另外，在蒸镀源80的侧面上沿蒸镀源80的长度方向形成有由射出口81a构成的排列（图3的（a））、由射出口81b构成的排列（图3的（b））、由射出口81c构成的排列（图3的（c））。
图3是表示形成于蒸镀源80侧面的射出口的排列的例子的平面图。图3的（a）表示由射出口81a构成的排列A，图3的（b）表示由射出口81b构成的排列B，图3的（c）表示由射出口81c构成的排列C。另外，在图3的（a）～（c）中，从蒸镀源80的左侧端部供给蒸镀颗粒。
如图3的（a）所示，构成排列A的射出口81a的开口直径相互相等。另一方面，如图3的（b）所示，在排列B中，从蒸镀源80的左侧端部至右侧端部，射出口81b的开口直径逐渐变大。另外，如图3的（c）所示，在排列C中，从蒸镀源80的左侧端部至中间位置，射出口81c的开口直径逐渐变大，且从该中间位置至右侧端部相互相等。这样，在各排列A～C中，射出口的开口直径的分布相互不同。
图2中，由射出口81a构成的排列A与被成膜基板60相对。另一方面，由射出口81b构成的排列B和由射出口81c构成的排列C不与被成膜基板60相对。即，只有从射出口81a射出的蒸镀颗粒蒸镀到被成膜基板60上。
另外，为了使从射出口81b、81c射出的蒸镀颗粒不到达被成膜基板60上，优选在被成膜基板60与蒸镀源80之间设置防镀板84。在防镀板84上，沿射出口81a的排列方向形成狭缝状的开口84a，只有从射出口81a射出的蒸镀颗粒通过开口84a被蒸镀在被成膜基板60。由此，防镀板84作为防止从不与被成膜基板60相对的排列的射出口射出的蒸镀颗粒蒸镀至被成膜基板60的蒸镀防止单元发挥作用。因此，能够进行更均匀的成膜。
另外，为了使附着于防镀板84的蒸镀颗粒不再次脱离，优选将防镀板84冷却。
在此，在图15所示的蒸镀装置250中固定有蒸镀源280。另一方面，在图1所示的本实施方式的蒸镀装置50中，蒸镀源80可以以其旋转轴与蒸镀源80的长度方向平行的方式旋转。而且，通过旋转蒸镀源80，可以切换与被成膜基板60相对的射出口的排列。即，可以有选择地使形成于蒸镀源80的射出口的排列中的任一个与被成膜基板60相对。
作为使蒸镀源80旋转的机构（旋转单元），如图1所示，设有齿轮85a～85c、旋转电动机86和齿轮可动机构87。
齿轮85a安装于蒸镀源80的与供给蒸镀颗粒的一侧端部相反的一侧端部。齿轮85b安装于利用旋转电动机86进行旋转的旋转轴86a的前端部，且与齿轮85a隔开规定的距离。另外，齿轮85c安装于齿轮可动机构87的旋转轴87a的前端部。旋转轴87a可以通过齿轮可动机构87而在蒸镀源80的长度方向上伸缩。另外，齿轮85a～85c的旋转面相互平行。
在旋转蒸镀源80的情况下，在图1所示的状态下，利用齿轮可动机构87使齿轮85c向右方向移动并存在于齿轮85a与齿轮85b之间，从而驱动旋转电动机86。此时，由于齿轮85a与齿轮85b连动，因此旋转电动机86的驱动力传递到蒸镀源80。另一方面，在停止蒸镀源80的旋转的情况下，停止旋转电动机86，并利用齿轮可动机构87使齿轮85c向左方向移动，由此，恢复成图1所示的状态。
这样，通过使齿轮85c有选择地存在于齿轮85a与齿轮85b之间，可防止由于蒸镀颗粒的供给而成为高温的蒸镀源80的热传导至旋转电动机86而损坏旋转电动机86或者使蒸镀源80的温度降低。
另外，在从蒸镀源80向旋转电动机86的热传导的影响轻微的情况下，也可以省略齿轮85a～85c和齿轮可动机构87，而总是将蒸镀源80与旋转电动机86连接。
在本实施方式中，使与被成膜基板60相对的射出口的排列的切换与被成膜基板60的扫描方向的切换一致地进行。图4是表示对被成膜基板60的蒸镀顺序的流程图。
首先，使排列81A与被成膜基板60相对（S1，射出量控制工序）。一边向图1的进深方向（设为去路方向）扫描被成膜基板60，一边从射出口81a对被成膜基板60射出蒸镀颗粒（S2，射出工序）。
当结束被成膜基板60的去路方向的扫描时，使蒸镀源80旋转，使排列81B与被成膜基板60相对（S3，射出量控制工序）。在该状态下，一边向图1的跟前方向（设为回路方向）扫描被成膜基板60，一边从射出口81b对被成膜基板60射出蒸镀颗粒（S4，射出工序）。
当结束被成膜基板60的回路方向的扫描时，再次旋转蒸镀源80，使排列81C与被成膜基板60相对（S5，射出量控制工序）。在该状态下，一边向去路方向扫描被成膜基板60，一边从射出口81c对被成膜基板60射出蒸镀颗粒（S6，射出工序）。这样，反复进行多次射出量控制工序和射出工序（反复工序）。在本实施方式中，反复进行三次射出量控制工序和射出工序，而进行合计三次的蒸镀。
另外，蒸镀源80的旋转在被成膜基板60通过蒸镀源80上且处于蒸镀颗粒未到达被成膜基板60的位置时进行。另外，蒸镀源80的旋转中，存在向希望以外的空间射出蒸镀颗粒的情况，因此，优选利用阀门或闸门等停止蒸镀颗粒的射出。
在此，如图3所示，在各排列81A～81C中，射出口的开口直径的分布相互不同。因此，沿蒸镀源80的长度方向的蒸镀颗粒的射出量的分布在各排列81A～81C间相互不同。因此，S2、S4、S6蒸镀的被成膜基板60上的膜厚分布也相互不同。
图5是表示沿射出口的排列方向的被成膜基板60上的位置与蒸镀颗粒分布（厚度）的关系的图表。实线表示在使排列81A与被成膜基板60相对的状态下，向去路方向扫描被成膜基板60的情况下（第一次蒸镀）的蒸镀颗粒分布。虚线表示在使排列81B与被成膜基板60相对的状态下，向回路方向扫描被成膜基板60的情况下（第二次蒸镀）的蒸镀颗粒分布。点划线表示在使排列81C与被成膜基板60相对的状态下，向去路方向扫描被成膜基板60的情况下（第三次蒸镀）的蒸镀颗粒分布。另外，双点划线表示第三次蒸镀结束的时刻的蒸镀颗粒分布。
在各排列81A～81C中，射出口的开口直径的分布相互不同，因此，由实线、虚线和点划线表示的分布相互不同。另外，这些分布由于蒸镀颗粒种类、蒸镀源80内部的温度分布等各种主要原因而复杂地变化。因此，在一次蒸镀中，难以使膜厚分布均匀。
另一方面，通过使用沿射出口的排列方向的蒸镀颗粒的射出量的分布相互不同的排列进行多次蒸镀，能够使膜厚分布平均化。由此，如双点划线所示，能够得到均匀的膜厚分布。
另外，在图4所示的流程图中，进行了合计3次蒸镀，但蒸镀次数不限定于此。另外，该流程图中，在对被成膜基板的蒸镀中各排列81A～81C各使用一次，但也可以使各排列的使用比率不均等。通过适当变化各排列的使用比率，可任意改变被成膜基板的膜厚分布。
另外，在本实施方式中，在现有的蒸镀装置的基础上，仅在蒸镀源上形成多个射出口的排列并且添加使蒸镀源旋转的机构，因此，能够容易地调节膜厚分布。因此，为了形成射出口，不要求高精度的加工。
另外，在本实施方式中，通过在各排列间使射出口的开口直径的分布不同，从而使沿射出口的排列方向的蒸镀颗粒的射出量的分布不同，但使射出量的分布不同的结构不限定于此。例如，如图10的（a）表示的排列81D，也可以将各射出口81d的间隔设为不均匀，且如图10的（b）表示的排列81E，将各射出口81e的形成密度设为不均匀。这样，也可以通过使沿蒸镀源的长度方向的射出口的间隔分布及密度分布在各排列间相互不同，而使蒸镀颗粒的射出量的分布不同。
另外，在本实施方式中，被成膜基板与荫罩密接，但也可以在被成膜基板与荫罩之间设置空隙地进行蒸镀。另外，在本实施方式中，使用了覆盖被成膜基板的整个面的荫罩，但不限定于此。例如，如图11所示，作为荫罩，也可以使用面积比被成膜基板60的蒸镀区域小的荫罩170。
在该情况下，以将荫罩170与蒸镀源80的相对位置固定，荫罩170与被成膜基板以具有一定空隙的状态相对的方式进行校准。而且，使被成膜基板60相对于荫罩170和蒸镀源80进行相对移动，使蒸镀颗粒经由荫罩170的开口部171依次蒸镀在被成膜基板60的蒸镀区域。
另外，蒸镀源的形状也可以不是圆筒型。例如，也可以是截面为多角形的筒型。
另外，射出口的个数及排列数也不限定于上述。
另外，在本实施方式中，使蒸镀源整体旋转，但也可以是将蒸镀源沿其长度方向分割成多个部分，并可以旋转各个部分的结构。在该情况下，对应各射出口设置旋转用齿轮，并将该旋转用齿轮与旋转电动机逐次连接，从而使射出口独立地旋转。通过该结构，也能够使蒸镀颗粒的射出量的分布变化。
〔实施方式2〕
基于图12对本发明实施的其它方式进行如下说明。为了便于说明，对具有与上述实施方式1中说明的部件相同功能的部件标注相同的符号，并省略其说明。
图12是表示本实施方式的蒸镀装置51结构的一部分的剖面图。蒸镀装置51是代替图2所示的蒸镀装置50中的平板状防镀板84而具备热壁型防镀板184（射出防止单元）的结构。
防镀板184为圆筒型。另外，在防镀板184侧面的与被成膜基板60相对的位置，沿蒸镀源80的长度方向形成有狭缝状开口184a。
蒸镀源80可旋转地插入防镀板184的内部。而且，通过未图示的旋转单元，能够有选择地使形成于蒸镀源80的射出口的排列中的任一个与被成膜基板60相对。另一方面，防镀板184的开口184a固定在与被成膜基板60相对的位置。
在蒸镀时，蒸镀源80的射出口的排列中，与被成膜基板60相对的排列（图12中，由射出口81a构成的排列）经由开口184a而露出在外部，另一方面，其它排列（图12中，由射出口81b构成的排列及由射出口81c构成的排列）被防镀板184的内壁184b堵塞。由此，蒸镀颗粒从与被成膜基板60相对的射出口81a射出，而不从射出口81b、81c射出。
这样，防镀板184作为防止蒸镀颗粒从不与被成膜基板60相对的排列的射出口射出的射出防止单元发挥作用。由此，在蒸镀装置51中，蒸镀颗粒不从不与被成膜基板60相对的射出口射出，因此，能够防止不供于成膜的蒸镀颗粒的射出。因此，与图2所示的蒸镀装置50相比，能够更有效地使用蒸镀颗粒。
另外，为了使蒸镀颗粒不附着于防镀板184，优选将防镀板184加热到蒸镀颗粒的升华温度以上。
另外，旋转蒸镀源80的旋转单元与实施方式1的旋转单元同样。
〔实施方式3〕
基于图13和图14对本发明实施的又一其它方式进行如下说明。为了便于说明，对具有与上述实施方式1和2中说明的部件相同功能的部件标注相同的符号，并省略其说明。
图13是表示本实施方式的蒸镀装置52的结构的一部分的剖面图。蒸镀装置52是代替图12所示的蒸镀装置51中的蒸镀源80而具备蒸镀源180的结构。
与图2所示的蒸镀源80同样，蒸镀源180为圆筒形，通过未图示的旋转单元，可旋转地插入防镀板184的内侧。蒸镀源180的中心部180a成为从蒸镀源坩埚供给的蒸镀颗粒的通路。另外，在蒸镀源180的侧面，沿蒸镀源180的长度方向形成有狭缝状的射出口181。
在射出口181与防镀板184的开口184a不重叠的情况下，射出口181被防镀板184的内壁184b堵塞。因此，不从射出口181射出蒸镀颗粒。
在射出口181与防镀板184的开口184a的至少一部分重叠的情况下，蒸镀颗粒从该重复区域射出。即，该重复区域成为蒸镀颗粒的射出口。蒸镀颗粒的射出量根据射出口181与防镀板184的开口184a的重复区域的开口宽度而变化。
在此，防镀板184的开口184a形成为长方形状，而射出口181形成为长边是非直线的非矩形状。即，开口184a的长边与射出口181的长边不平行。
图14的（a）～（d）是表示从被成膜基板60一侧观察的开口184a与射出口181的相对位置的图。在各图中，上方向为蒸镀源180的旋转方向。
在图14的（a）中，射出口181与开口184a不重叠。因此，蒸镀颗粒不从射出口181射出。
图14的（b）表示开口184a的一部分与射出口181重叠的状态，蒸镀颗粒从重复区域射出。在此，开口184a的长边为直线，与此相对，射出口181的长边为非直线，因此，重复区域的开口宽度不是固定的。在图14的（b）中，重复区域的中间部分的开口宽度最大，从中间部分到两端部分，开口宽度逐渐变小。
图14的（c）表示开口184a的整体与射出口181重叠的状态。开口184a为长方形状，因此，重复区域的开口宽度是固定的。
图14的（d）表示开口184a的一部分与射出口181重叠的状态。在该图中，重复区域的中间部分的开口宽度最小，从中间部分到两端部分，开口宽度逐渐变大。
在图14的（b）～（d）中，沿蒸镀源180的长度方向的重复区域的开口宽度分别不同。因此，图14的（b）～（d）的各状态中的沿蒸镀源180的长度方向的蒸镀颗粒的射出量的分布也相互不同。
这样，在本实施方式中，通过在蒸镀中使蒸镀源180旋转，且使蒸镀源180的射出口181与防镀板184的开口184a的重叠程度变化，能够高精度地使沿蒸镀源180的长度方向的蒸镀颗粒的射出量的分布发生变化。即，利用使蒸镀源180旋转的旋转单元和开口184a，构成使蒸镀颗粒的射出口的开口宽度变化的开口宽度控制单元。因此，根据被成膜基板60的扫描方向的切换，使蒸镀颗粒的射出量的分布发生变化，进行多次蒸镀，由此，能够使膜厚分布平均化而得到均匀的膜厚分布。
另外，在图14中，蒸镀源的射出口形成得比防镀板的开口大，但也可以使防镀板的开口形成得比蒸镀源的射出口大。
另外，在本实施方式中，将防镀板的开口形成为长方形，将蒸镀源的射出口形成为非矩形，但两者的形状不限定于此。例如，也可以将防镀板的开口形成为非矩形，将蒸镀源的射出口形成为长方形。另外，也可以将防镀板的开口和蒸镀源的射出口双方形成为非矩形。
另外，也可以在蒸镀源上设置多个狭缝状射出口。由此，可以进行更自由的蒸镀颗粒的分布控制。
另外，旋转蒸镀源180的旋转单元与实施方式1的旋转单元同样。
另外，在本实施方式中，防镀板为圆筒形，但不限定于此，例如，也可以如实施方式1的防镀板那样，为平板状。
另外，在本实施方式中，通过使蒸镀源旋转，来使蒸镀源射出口与防镀板开口的相对位置发生变化，但不限定于此。例如，也可以在射出口与被成膜基板相对的状态下，向与蒸镀源的长度方向垂直的水平方向移动蒸镀源或防镀板，由此，使防镀板开口与蒸镀源射出口的相对位置变化，使两者的重复区域的开口宽度发生变化。
〔附记事项〕
在上述实施方式中，也可以在蒸镀源的射出面十分大且被成膜基板比较小的情况下，不使被成膜基板相对于蒸镀源相对移动地进行蒸镀。
另外，在上述实施方式中，蒸镀源的长度方向与被成膜基板的扫描方向垂直，但也可以稍微偏离与被成膜基板的扫描方向垂直的方向。但是，通过以蒸镀源的长度方向与被成膜基板的扫描方向垂直的方式构成，能够使蒸镀源尽可能小型化，进而使蒸镀装置小型化。
本发明也可以适用于一边使被成膜基板与荫罩密接，一边使被成膜基板滑动地蒸镀那样的密接型扫描蒸镀法。另外，本发明也可适用不使用荫罩而对被成膜基板的整个面进行蒸镀的情况。
另外，本发明不仅可适用于有机膜的蒸镀，而且还可适用于第二电极的蒸镀或密封膜的蒸镀。但是，由于有机膜的膜厚偏差更大地影响有机EL显示装置的特性，因此，本发明的应用效果明显。
另一方面，第二电极的膜厚偏差影响电阻的偏差，密封膜的偏差影响透湿度和氧透过量的偏差。如果这些偏差引起的对有机EL元件特性的影响轻微，则鉴于伴随蒸镀装置的构造的复杂化的设备成本的增加，本发明也可以只适用于有机膜的蒸镀。
＜要点概要＞
如上，本发明实施方式的蒸镀装置是对被成膜基板进行成膜的蒸镀装置，其包括：具有射出蒸镀颗粒的射出口的蒸镀源；向上述蒸镀源供给上述蒸镀颗粒的蒸镀颗粒供给单元；和使上述蒸镀颗粒的射出量的分布发生变化的射出量控制单元。
如上，本发明实施方式的蒸镀方法是对被成膜基板进行成膜的蒸镀方法，其具有：射出量控制工序，对具有射出蒸镀颗粒的射出口的蒸镀源的、上述蒸镀颗粒的射出量的分布进行控制；射出工序，一边向上述蒸镀源供给蒸镀颗粒，一边从上述射出口对上述被成膜基板射出上述蒸镀颗粒；和反复工序，将上述射出量控制工序和上述射出工序反复进行多次。
根据上述蒸镀装置和蒸镀方法，蒸镀颗粒从蒸镀颗粒供给单元供给到蒸镀源，并从射出口射出到被成膜基板上。在此，一次蒸镀的蒸镀颗粒的膜厚分布通常为不均匀，但通过一边使蒸镀颗粒的射出量的分布发生变化，一边向被成膜基板反复进行多次蒸镀，能够将膜厚分布平均化。因此，能够提供可在被成膜基板上以均匀的膜厚将蒸镀颗粒蒸镀的蒸镀装置和蒸镀方法。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，优选的是，上述射出口沿上述蒸镀源的长度方向（轴向）呈列状地配置有多个，上述射出口的排列相互并排地设置有多个，在各排列间，沿上述长度方向的上述蒸镀颗粒的射出量的分布相互不同，上述射出量控制单元是有选择地使上述射出口的排列中的任一个与上述被成膜基板相对的排列选择单元。
根据上述结构，通过排列选择单元，有选择地使射出口的排列中的任一个与被成膜基板相对，由此，能够使沿蒸镀源的长度方向的蒸镀颗粒的射出量的分布发生变化。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，优选的是，上述蒸镀源为筒型，上述射出口的各列配置于上述蒸镀源的侧面，上述排列选择单元是旋转单元，该旋转单元以其旋转轴与上述长度方向平行的方式使上述蒸镀源旋转。
根据上述结构，旋转单元使筒型的蒸镀源旋转，由此能够有选择地使射出口的排列中的任一个与被成膜基板相对。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，优选上述旋转单元具备：安装于上述蒸镀源的端部的第一齿轮；通过旋转电动机进行旋转的第二齿轮；和第三齿轮，通过有选择地存在于第一齿轮与第二齿轮之间而使第一齿轮与第二齿轮连动。
根据上述结构，通过使第三齿轮存在于第一齿轮与第二齿轮之间，能够使第一齿轮和第二齿轮连动，从而使蒸镀源旋转。另外，在第三齿轮不存在于第一齿轮与第二齿轮之间的情况下，蒸镀源与旋转电动机分开，由此，能够防止蒸镀源的热传导至旋转电动机。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，在各排列间，沿上述长度方向的上述射出口的开口直径的分布也可以相互不同。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，在各排列间，沿上述长度方向的上述射出口的间隔的分布也可以相互不同。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，在各排列间，沿上述长度方向的上述射出口的密度的分布也可以相互不同。
如上述，通过使射出口的开口直径、间隔和密度中的至少一项的分布在各排列间相互不同，能够使蒸镀颗粒的射出量的分布在各排列间相互不同。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，优选具备蒸镀防止单元，该蒸镀防止单元防止从不与上述被成膜基板相对的排列的射出口射出的上述蒸镀颗粒向被成膜基板蒸镀。
根据上述结构，能够防止来自不与被成膜基板相对的排列的射出口的蒸镀颗粒的蒸镀，因此能够进行更均匀的成膜。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，优选具备射出防止单元，该射出防止单元防止上述蒸镀颗粒从上述射出口的排列中的不与上述被成膜基板相对的排列的射出口射出。
根据上述结构，能够防止不供于成膜的蒸镀颗粒的射出，因此，能够有效利用蒸镀颗粒。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，优选的是，上述射出防止单元为筒型的防镀板，上述蒸镀源插入上述防镀板的内部，在上述防镀板的侧面的与上述被成膜基板相对的位置，沿上述蒸镀源的长度方向形成有狭缝状的开口。
根据上述结构，只有与被成膜基板相对的排列与狭缝状的开口重叠，因此，能够防止蒸镀颗粒从不与被成膜基板相对的排列的射出口射出。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，优选的是，上述射出口沿上述蒸镀源的长度方向形成为狭缝状，上述射出量控制单元是使上述射出口的开口宽度发生变化的开口宽度控制单元。
根据上述结构，射出量控制单元使射出口的开口宽度发生变化，由此，能够使蒸镀颗粒的射出量的分布发生变化。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，优选上述开口宽度控制单元具备：沿上述蒸镀源的长度方向形成有狭缝状开口，且该开口位于上述蒸镀源与上述被成膜基板之间的防镀板；和使上述射出口与上述开口的相对位置发生变化的移动单元。
根据上述结构，移动单元使蒸镀源射出口与防镀板开口的相对位置发生变化，由此，能够使射出口与开口的重复区域的宽度随着相对移动而发生变化，使射出蒸镀颗粒的射出口的开口宽度发生变化。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，优选的是，上述蒸镀源为筒型，上述移动单元是旋转单元，该旋转单元以其旋转轴与上述长度方向平行的方式使上述蒸镀源旋转。
根据上述结构，旋转单元使蒸镀源旋转，由此能够使蒸镀源的射出口与防镀板的开口的相对位置发生变化。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，优选的是，上述防镀板为筒型，上述蒸镀源插入上述防镀板的内部，上述狭缝状开口形成于上述防镀板的侧面的与上述被成膜基板相对的位置。
根据上述结构，通过使蒸镀源在防镀板内部旋转，射出口与开口的重复区域的宽度发生变化。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，优选上述开口宽度控制单元的开口的长边与上述射出口的长边不平行。
根据上述结构，射出口与开口的重复区域的开口宽度不是固定的，因此，能够高精度地使沿蒸镀源的长度方向的蒸镀颗粒的射出量的分布发生变化。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，优选具备使上述被成膜基板相对于上述蒸镀源相对移动的扫描装置。
根据上述结构，能够对蒸镀区域比蒸镀源的射出面大的被成膜基板容易地进行成膜。
在本发明实施方式的蒸镀装置中，上述蒸镀源的长度方向与上述被成膜基板相对移动的方向垂直。
根据上述结构，蒸镀源与被成膜基板的校准变得容易。另外，能够使蒸镀源和蒸镀装置小型化。
本发明实施方式的有机电致发光显示装置的制造方法具有：在TFT基板上制作第一电极的TFT基板和第一电极制作工序；在上述TFT基板上蒸镀至少包含发光层的有机层的有机层蒸镀工序；蒸镀第二电极的第二电极蒸镀工序；和通过密封部件对包含上述有机层和第二电极的有机电致发光元件进行密封的密封工序，上述有机层蒸镀工序、上述第二电极蒸镀工序和上述密封工序中的至少一个工序具有上述蒸镀方法中的上述射出工序、上述射出量控制工序和上述反复工序。
根据上述结构，通过本发明实施方式的蒸镀方法，能够以均匀的膜厚成膜有机层等，因此，能够提供显示不均少的有机电致发光显示装置。
本发明不限定于上述的各实施方式，在权利要求所示的范围中可以进行各种变更，使不同的实施方式所分别公开的技术性手段适当组合而得到的实施方式也包含于本发明的技术范围中。
产业上的可利用性
本发明不仅能够应用于制造有机EL显示装置中的蒸镀颗粒的蒸镀，而且还能够应用于所有的蒸镀颗粒向被成膜对象的蒸镀。
符号说明
1      有机EL显示装置（有机电致发光显示装置）
2      像素
2B     子像素
2G     子像素
2R     子像素
10     TFT基板
11     绝缘基板
12     TFT
13     层间膜
13a    接触孔
14     配线
15     边缘覆盖物
15R    开口部
15G    开口部
15B    开口部
20     有机EL元件
21     第一电极
22     空穴注入层兼空穴输送层
23R    发光层
23G    发光层
23B    发光层
24     电子输送层
25     电子注入层
26     第二电极
30     粘接层
40     密封基板
50     蒸镀装置
51     蒸镀装置
52     蒸镀装置
60     被成膜基板
70     荫罩
80     蒸镀源
80a    中心部
81     射出口
81A    排列
81B    排列
81C    排列
81D    排列
81E    排列
81a    射出口
81b    射出口
81c    射出口
81d    射出口
81e    射出口
82     蒸镀源坩埚（蒸镀颗粒供给单元）
83     配管
84     防镀板（蒸镀防止单元）
84a    开口
85a    齿轮（第一齿轮、射出量控制单元、排列选择单元、旋转单元）
85b    齿轮（第二齿轮、射出量控制单元、排列选择单元、旋转单元）
85c    齿轮（第三齿轮、射出量控制单元、排列选择单元、旋转单元）
86     旋转电动机（射出量控制单元、排列选择单元、旋转单元）
86a    旋转轴（射出量控制单元、排列选择单元、旋转单元）
87     齿轮可动机构（射出量控制单元、排列选择单元、旋转单元）
87a    旋转轴（射出量控制单元、排列选择单元、旋转单元）
90     真空腔室
170    荫罩
171    开口部
180    蒸镀源
180a   中心部
181    射出口
184    防镀板（射出防止单元）
184a   开口
184b   内壁
250    蒸镀装置
260    被成膜基板
270    荫罩
280    蒸镀源
281    射出口
282    蒸镀源坩埚
283    配管
290    真空腔室

Claims (16)

1.一种蒸镀装置，其对被成膜基板进行成膜，该蒸镀装置的特征在于，包括：
具有射出蒸镀颗粒的射出口的蒸镀源；
向所述蒸镀源供给所述蒸镀颗粒的蒸镀颗粒供给单元；和
使所述蒸镀颗粒的射出量的分布发生变化的射出量控制单元，
所述射出口沿所述蒸镀源的长度方向呈列状地配置有多个，
所述射出口的排列相互并排地设置有多个，
在各排列间，沿所述长度方向的所述蒸镀颗粒的射出量的分布相互不同，
所述射出量控制单元是有选择地使所述射出口的排列中的任一个与所述被成膜基板相对的排列选择单元，
所述蒸镀源为筒型，
所述射出口的各列配置于所述蒸镀源的侧面，
所述排列选择单元是旋转单元，该旋转单元以其旋转轴与所述长度方向平行的方式使所述蒸镀源旋转。
2.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述旋转单元包括：
安装于所述蒸镀源的端部的第一齿轮；
通过旋转电动机进行旋转的第二齿轮；和
第三齿轮，通过有选择地存在于第一齿轮与第二齿轮之间而使第一齿轮与第二齿轮连动。
3.如权利要求1或2所述的蒸镀装置，其特征在于：
在各排列间，沿所述长度方向的所述射出口的开口直径的分布相互不同。
4.如权利要求1或2所述的蒸镀装置，其特征在于：
在各排列间，沿所述长度方向的所述射出口的间隔的分布相互不同。
5.如权利要求1或2所述的蒸镀装置，其特征在于：
在各排列间，沿所述长度方向的所述射出口的密度的分布相互不同。
6.如权利要求1或2所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述蒸镀装置包括蒸镀防止单元，所述蒸镀防止单元防止从不与所述被成膜基板相对的排列的射出口射出的所述蒸镀颗粒向被成膜基板蒸镀。
7.如权利要求1或2所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述蒸镀装置包括射出防止单元，所述射出防止单元防止所述蒸镀颗粒从所述射出口的排列中的不与所述被成膜基板相对的排列的射出口射出。
8.如权利要求7所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述射出防止单元为筒型的防镀板，
所述蒸镀源插入所述防镀板的内部，
在所述防镀板的侧面的与所述被成膜基板相对的位置，沿所述蒸镀源的长度方向形成有狭缝状的开口。
9.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述射出口沿所述蒸镀源的长度方向形成为狭缝状，
所述射出量控制单元是使所述射出口的开口宽度发生变化的开口宽度控制单元。
10.如权利要求9所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述开口宽度控制单元包括：
沿所述蒸镀源的长度方向形成有狭缝状开口，且该开口位于所述蒸镀源与所述被成膜基板之间的防镀板；和
使所述射出口与所述开口的相对位置发生变化的移动单元。
11.如权利要求10所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述蒸镀源为筒型，
所述移动单元是旋转单元，该旋转单元以其旋转轴与所述长度方向平行的方式使所述蒸镀源旋转。
12.如权利要求11所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述防镀板为筒型，
所述蒸镀源插入所述防镀板的内部，
所述狭缝状开口形成于所述防镀板的侧面的与所述被成膜基板相对的位置。
13.如权利要求10至12中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述开口宽度控制单元的开口的长边与所述射出口的长边不平行。
14.如权利要求1、2、9至12中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述蒸镀装置包括使所述被成膜基板相对于所述蒸镀源相对移动的扫描装置。
15.如权利要求14所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述蒸镀源的长度方向与所述被成膜基板相对移动的方向垂直。
16.一种有机电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，具有：
在TFT基板上制作第一电极的TFT基板和第一电极制作工序；
在所述TFT基板上蒸镀至少包含发光层的有机层的有机层蒸镀工序；
蒸镀第二电极的第二电极蒸镀工序；和
通过密封部件对包含所述有机层和第二电极的有机电致发光元件进行密封的密封工序，
所述有机层蒸镀工序、所述第二电极蒸镀工序和所述密封工序中的至少一个工序具有下述蒸镀方法的射出工序、射出量控制工序及反复工序，
所述射出量控制工序，对具有射出蒸镀颗粒的射出口的蒸镀源的、所述蒸镀颗粒的射出量的分布进行控制；
所述射出工序，一边向所述蒸镀源供给蒸镀颗粒，一边从所述射出口对所述被成膜基板射出所述蒸镀颗粒；
所述反复工序，将所述射出量控制工序和所述射出工序反复进行多次。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101959975B1 (ko) * 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
CN102994958B (zh) * 2012-12-14 2014-12-24 深圳先进技术研究院 热蒸发镀膜设备的热蒸发源
US20150024538A1 (en) * 2013-07-19 2015-01-22 Tsmc Solar Ltd. Vapor dispensing apparatus and method for solar panel
EP3187618A1 (en) 2013-12-10 2017-07-05 Applied Materials, Inc. Evaporation source for organic material, deposition apparatus for depositing organic materials in a vacuum chamber having an evaporation source for organic material, and method for evaporating organic material
US11015244B2 (en) 2013-12-30 2021-05-25 Advanced Material Solutions, Llc Radiation shielding for a CVD reactor
CN104593731B (zh) * 2015-02-04 2017-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 蒸镀换料一体化设备及其使用方法
KR102488260B1 (ko) * 2016-03-07 2023-01-13 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 표시 장치의 제조 방법
EP3491161B1 (en) * 2016-08-01 2023-06-07 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus
CN107937869A (zh) * 2016-10-12 2018-04-20 上海和辉光电有限公司 一种镀膜装置及镀膜方法
JP6343036B2 (ja) * 2017-01-10 2018-06-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 有機材料用の蒸発源、有機材料用の蒸発源を有する真空チャンバにおいて有機材料を堆積するための堆積装置、及び有機材料を蒸発させるための方法
KR102049668B1 (ko) * 2018-05-28 2019-11-27 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 장치

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2402475A (en) * 1943-05-20 1946-06-18 Owens Illinois Glass Co Mold cooling apparatus
US5122389A (en) * 1990-03-02 1992-06-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Vacuum evaporation method and apparatus
JP3401356B2 (ja) 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US5532102A (en) * 1995-03-30 1996-07-02 Xerox Corporation Apparatus and process for preparation of migration imaging members
JP3901773B2 (ja) * 1996-11-26 2007-04-04 三菱重工業株式会社 真空蒸着装置
JP3019095B1 (ja) 1998-12-22 2000-03-13 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌデバイスの製造方法
US20050147753A1 (en) * 1999-10-22 2005-07-07 Kurt J. Lesker Company Material deposition system and a method for coating a substrate or thermally processing a material in a vacuum
JP4599727B2 (ja) * 2001-02-21 2010-12-15 株式会社デンソー 蒸着装置
KR100437768B1 (ko) * 2001-09-13 2004-06-30 엘지전자 주식회사 박막증착장치
KR100467805B1 (ko) * 2002-01-22 2005-01-24 학교법인연세대학교 박막두께분포를 조절 가능한 선형 및 평면형 증발원
US20030168013A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Eastman Kodak Company Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
KR100637180B1 (ko) 2004-11-05 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 증착 방법 및 이를 위한 증착 장치
JP5064810B2 (ja) 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 蒸着装置および蒸着方法
WO2007122203A2 (en) * 2006-04-20 2007-11-01 Shell Erneuerbare Energien Gmbh Thermal evaporation apparatus, use and method of depositing a material
JP2007332458A (ja) 2006-05-18 2007-12-27 Sony Corp 蒸着装置および蒸着源ならびに表示装置の製造方法
JP5013591B2 (ja) * 2006-12-15 2012-08-29 キヤノントッキ株式会社 真空蒸着装置
JP5506147B2 (ja) * 2007-10-18 2014-05-28 キヤノン株式会社 成膜装置及び成膜方法
EP2168643A1 (en) * 2008-09-29 2010-03-31 Applied Materials, Inc. Evaporator for organic materials
CN102292817A (zh) * 2008-11-25 2011-12-21 第一太阳能有限公司 包括铜铟镓硒的光伏器件

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