CN103189542B - 蒸镀方法、蒸镀装置和有机el显示装置 - Google Patents

蒸镀方法、蒸镀装置和有机el显示装置 Download PDF

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Abstract

在使基板(10)相对于蒸镀掩模(70)以隔开固定间隔的状态相对移动的同时,使从蒸镀源(60)的蒸镀源开口(61)放出的蒸镀颗粒(91)依次通过控制板单元(80)具有的多个控制板(81)间的空间和蒸镀掩模的掩模开口(71)并附着在基板上形成覆膜(90)。检测蒸镀源和控制板单元间的热膨胀量差并对该热膨胀量差进行校正。由此,能够在大型基板上的期望位置形成抑制了端缘的模糊及其偏差的覆膜。

Description

蒸镀方法、蒸镀装置和有机EL显示装置
技术领域
本发明涉及用于在基板上形成规定图案的覆膜的蒸镀方法和蒸镀装置。另外,本发明涉及具备通过蒸镀形成的发光层的有机EL(ElectroLuminescence:电致发光)显示装置。
背景技术
近年来,在各种各样的商品和领域中使用平板显示器,要求平板显示器的进一步大型化、高画质化和低耗电化。
在那样的状况下,具备利用有机材料的电场发光(ElectroLuminescence)的有机EL元件的有机EL显示装置,作为全固体型、且在低电压可驱动、高速响应性、自发光性等方面优异的平板显示器,受到高度关注。
在例如有源矩阵方式的有机EL显示装置中,在设置有TFT(薄膜晶体管)的基板上设置有薄膜状的有机EL元件。在有机EL元件中,在一对电极间叠层有包含发光层的有机EL层。TFT与一对电极中的一个电极连接。通过向一对电极间施加电压使发光层发光来进行图像显示。
在全彩色的有机EL显示装置中,通常,具备红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)各种颜色的发光层的有机EL元件作为子像素排列形成在基板上。通过使用TFT使这些有机EL元件有选择地以期望的亮度发光来进行彩色图像显示。
为了制造有机EL显示装置,需要在每个有机EL元件以规定图案形成包含发出各种颜色的光的有机发光材料的发光层。
作为以规定图案形成发光层的方法,例如已知有真空蒸镀法、喷墨法、激光转印法。例如,在低分子型有机EL显示装置(OLED)中,多使用真空蒸镀法。
在真空蒸镀法中,使用形成有规定图案的开口的掩模(也被称为荫罩)。使密合固定有掩模的基板的被蒸镀面朝向蒸镀源。然后,使来自蒸镀源的蒸镀颗粒(成膜颗粒)通过掩模的开口蒸镀在被蒸镀面上,由此形成规定图案的薄膜。蒸镀按每个发光层的颜色进行(将此称为分涂蒸镀)。
在例如专利文献1、2中,记载有使掩模相对于基板依次移动来进行各种颜色的发光层的分涂蒸镀的方法。在这样的方法中,使用与基板同等大小的掩模,在蒸镀时掩模以覆盖基板的被蒸镀面的方式被固定。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平8-227276号公报
专利文献2:日本特开2000-188179号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在这样的以往的分涂蒸镀法中,如果基板变大,则与其相伴,掩模也需要大型化。但是,当使掩模变大时,由于掩模的自重弯曲和伸长,容易在基板与掩模之间产生间隙。而且,其间隙的大小根据基板的被蒸镀面的位置的不同而不同。因此,难以进行高精度的图案化,会发生蒸镀位置的偏移和混色,难以实现高精细化。
另外,当使掩模变大时,掩模和保持掩模的框架等变得巨大,其重量也增加,因此,处理变得困难,有可能给生产率和安全性带来障碍。另外,蒸镀装置和附设于该蒸镀装置的装置也同样巨大化、复杂化,因此,装置设计变得困难,设置成本也变得高昂。
因此,在以往的分涂蒸镀法中,难以应对大型基板,例如,对于超过60英寸大小的那样的大型基板,没有实现能够以量产水平进行分涂蒸镀的方法。
另一方面,在蒸镀法中,当在基板与掩模之间产生间隙时,有由于蒸镀材料超出已形成的覆膜的端缘而在覆膜的端缘产生模糊(扩散、晕染、毛边)的情况。
在有机EL显示装置中,当在通过分涂蒸镀形成的发光层的端缘产生模糊时,蒸镀材料会附着在相邻的不同颜色的发光层而产生混色。为了使得不产生混色,需要使像素的开口宽度变窄、或者通过使像素间距增大来使非发光区域增大。但是,当使像素的开口宽度变窄时,亮度会下降。当为了得到需要的亮度而提高电流密度时,有机EL元件会寿命变短,或变得容易损伤,从而可靠性降低。另一方面,当使像素间距增大时,不能实现高精细显示,显示品质降低。
因此,希望抑制覆膜端缘的模糊。
另外,在蒸镀法中,蒸镀装置的各部温度上升,尺寸根据各自的热膨胀系数而发生变化。当由于这样的尺寸变化,在基板上形成的覆膜的位置偏离期望位置时,在相邻的不同颜色的发光层会附着蒸镀材料而产生混色。
本发明的目的是提供能够在基板的期望位置形成抑制了端缘的模糊的覆膜的、也能够适用于大型基板的蒸镀方法和蒸镀装置。
另外,本发明的目的是提供可靠性和显示品质优异的大型有机EL显示装置。
解决技术问题的技术手段
本发明的蒸镀方法是在基板上形成规定图案的覆膜的蒸镀方法,具有使蒸镀颗粒附着在上述基板上形成上述覆膜的蒸镀工序。上述蒸镀工序是使用蒸镀单元使上述蒸镀颗粒附着在上述基板上的工序,上述蒸镀单元具备:具备放出上述蒸镀颗粒的多个蒸镀源开口的蒸镀源;配置在上述多个蒸镀源开口与上述基板之间的蒸镀掩模;和包括沿与上述基板的法线方向正交的第一方向配置的多个控制板,配置在上述蒸镀源与上述蒸镀掩模之间的控制板单元,在上述蒸镀工序中,使用上述蒸镀单元,在使上述基板与上述蒸镀掩模隔开固定间隔的状态下,使上述基板和上述蒸镀单元中的一者,沿与上述基板的法线方向和上述第一方向正交的第二方向,相对于上述基板和上述蒸镀单元中的另一者相对移动,同时使通过在上述第一方向相邻的上述控制板间的空间和在上述蒸镀掩模形成的多个掩模开口的上述蒸镀颗粒附着在上述基板上。上述蒸镀方法还具有:检测上述蒸镀源和上述控制板单元间的在上述第一方向的热膨胀量差的工序;和对上述热膨胀量差进行校正的工序。
本发明的有机EL显示装置具备使用上述本发明的蒸镀方法形成的发光层。
本发明的蒸镀装置是在基板上形成规定图案的覆膜的蒸镀装置,具备蒸镀单元、移动机构、检测热膨胀量差的单元和对上述热膨胀量差进行校正的单元,其中,上述蒸镀单元具备:具备放出用于形成上述覆膜的蒸镀颗粒的多个蒸镀源开口的蒸镀源;配置在上述多个蒸镀源开口与上述基板之间的蒸镀掩模;和包括沿与上述基板的法线方向正交的第一方向配置的多个控制板,配置在上述蒸镀源与上述蒸镀掩模之间的控制板单元,上述移动机构在使上述基板与上述蒸镀掩模隔开固定间隔的状态下,使上述基板和上述蒸镀单元中的一者,沿与上述基板的法线方向和上述第一方向正交的第二方向,相对于上述基板和上述蒸镀单元中的另一者相对移动,上述检测热膨胀量差的单元,检测上述蒸镀源和上述控制板单元间的在上述第一方向的热膨胀量差。
发明效果
根据本发明的蒸镀方法和蒸镀装置,在使基板和蒸镀单元中的一者相对于另一者相对移动的同时,使通过在蒸镀掩模上形成的掩模开口的蒸镀颗粒附着在基板上,因此,能够使用比基板小的蒸镀掩模。因此,即使对于大型基板也能够通过蒸镀形成覆膜。
在蒸镀源开口与蒸镀掩模之间设置的多个控制板,将入射到在第一方向相邻的控制板间的空间的蒸镀颗粒,根据其入射角度有选择地捕捉,因此,仅规定入射角度以下的蒸镀颗粒向掩模开口入射。由此,蒸镀颗粒相对于基板的最大入射角度变小,因此,能够抑制在基板上形成的覆膜的端缘产生的模糊。
另外,检测蒸镀源和控制板单元间的在第一方向的热膨胀量差,并对其进行校正。由此,即使蒸镀源和控制板单元的由温度变化引起的热膨胀量不同,也能够抑制在基板上形成的覆膜的在第一方向的位置偏移。
本发明的有机EL显示装置,具备使用上述蒸镀方法形成的发光层,因此,发光层的位置偏移和发光层的端缘的模糊得到抑制。因此,能够提供可靠性和显示品质优异,还能够大型化的有机EL显示装置。
附图说明
图1是表示有机EL显示装置的概略结构的截面图。
图2是表示构成图1所示的有机EL显示装置的像素的结构的平面图。
图3是沿图2的3-3线的构成有机EL显示装置的TFT基板的剖视截面图。
图4是按工序顺序表示有机EL显示装置的制造工序的流程图。
图5是表示新蒸镀法的基本概念的立体图。
图6是沿与基板的行走方向平行的方向观看图5所示的蒸镀装置的正面截面图。
图7是对在图5的新蒸镀法中在覆膜的端缘产生模糊的原因进行说明的截面图。
图8是表示新型蒸镀法的基本概念的立体图。
图9是沿与基板的行走方向平行的方向观看图8所示的蒸镀装置的正面截面图。
图10A是表示在新型蒸镀法中在理想状态下在基板上形成的覆膜的截面图,图10B是表示在新型蒸镀法中在蒸镀源与控制板单元之间产生热膨胀量差的状态下在基板上形成的覆膜的截面图。
图11是表示本发明的实施方式1的蒸镀装置的主要部分的立体图。
图12是本发明的实施方式1的蒸镀装置的、沿基板的扫描方向观看的正面截面图。
图13是使用本发明的实施方式1的蒸镀装置的蒸镀方法的流程图。
图14是本发明的实施方式2的蒸镀装置的、沿基板的扫描方向观看的正面截面图。
图15是本发明的实施方式3的蒸镀装置的、沿基板的扫描方向观看的正面截面图。
图16是使用本发明的实施方式4的蒸镀装置的蒸镀方法的流程图。
具体实施方式
本发明的蒸镀方法是在基板上形成规定图案的覆膜的蒸镀方法,具有使蒸镀颗粒附着在上述基板上形成上述覆膜的蒸镀工序。上述蒸镀工序是使用蒸镀单元使上述蒸镀颗粒附着在上述基板上的工序,上述蒸镀单元具备:具备放出上述蒸镀颗粒的多个蒸镀源开口的蒸镀源;配置在上述多个蒸镀源开口与上述基板之间的蒸镀掩模;和包括沿与上述基板的法线方向正交的第一方向配置的多个控制板,配置在上述蒸镀源与上述蒸镀掩模之间的控制板单元,在上述蒸镀工序中,使用上述蒸镀单元,在使上述基板与上述蒸镀掩模隔开固定间隔的状态下,使上述基板和上述蒸镀单元中的一者,沿与上述基板的法线方向和上述第一方向正交的第二方向,相对于上述基板和上述蒸镀单元中的另一者相对移动,同时使通过在上述第一方向相邻的上述控制板间的空间和在上述蒸镀掩模形成的多个掩模开口的上述蒸镀颗粒附着在上述基板上。上述蒸镀方法还具有:检测上述蒸镀源和上述控制板单元间的在上述第一方向的热膨胀量差的工序;和对上述热膨胀量差进行校正的工序。
在上述的本发明的蒸镀方法中,优选通过使上述蒸镀源在与上述第一方向和上述第二方向平行的面内旋转,对上述热膨胀量差进行校正。由此,能够用简便的方法对由蒸镀源和控制板单元间的热膨胀差引起的蒸镀源开口与控制板的在第一方向的位置偏移进行校正。
在上述中,优选使上述蒸镀源围绕通过上述蒸镀源的在上述第一方向的中心位置的旋转中心轴旋转。由此,对于全部的蒸镀源开口,能够以小的旋转角度对蒸镀源开口与控制板的在第一方向的位置偏移进行校正。
优选在上述基板上形成上述覆膜之前进行:检测上述热膨胀量差的工序;和对上述热膨胀量差进行校正的工序。由此,能够对由从常温升温至蒸镀温度的过程中产生的蒸镀源和控制板单元间的热膨胀差引起的蒸镀源开口与控制板的在第一方向的位置偏移进行校正。
可以一边在上述基板上形成上述覆膜,一边进行:检测上述热膨胀量差的工序;和对上述热膨胀量差进行校正的工序。由此,能够对由蒸镀中的温度变化产生的蒸镀源和控制板单元间的热膨胀差引起的蒸镀源开口与控制板的在第一方向的位置偏移进行校正。
可以从上述蒸镀源和上述控制板单元以外的不同地点分别观察上述蒸镀源和上述控制板单元,检测上述热膨胀量差。
或者,可以从上述蒸镀源和上述控制板单元以外的共同地点同时观察上述蒸镀源和上述控制板单元,检测上述热膨胀量差。由此,能够以更高精度检测出热膨胀量差。另外,能够减少用于检测热膨胀量差的装置的数量。
或者,可以从上述蒸镀源和上述控制板单元中的一者观察另一者,检测上述热膨胀量差。由此,能够使热膨胀差的运算处理简化。另外,能够减少用于检测热膨胀量差的装置的数量。
上述的本发明的蒸镀方法,优选还具有:检测上述蒸镀源和上述控制板单元间的在上述第一方向的位置偏移量的工序;和对上述位置偏移量进行校正的工序。由此,能够使蒸镀源开口与控制板的在第一方向的位置偏移量进一步减少。
在上述中,优选通过使上述蒸镀源在上述第一方向移动,对上述位置偏移量进行校正。由此,能够用简便的方法对蒸镀源和控制板单元间的在第一方向的位置偏移进行校正。
优选在对上述热膨胀量差进行校正之前,对上述位置偏移量进行校正。由此,对于全部的蒸镀源开口,能够以小的旋转角度对蒸镀源开口与控制板的在第一方向的位置偏移进行校正。
优选在上述基板上形成上述覆膜之前进行:检测上述位置偏移量的工序;和对上述位置偏移量进行校正的工序。由此,能够对在从常温升温至蒸镀温度的过程中产生的蒸镀源和控制板单元间的位置偏移进行校正。
可以一边在上述基板上形成上述覆膜,一边进行:检测上述位置偏移量的工序;和对上述位置偏移量进行校正的工序。由此,能够对由蒸镀中的温度变化产生的蒸镀源和控制板单元间的位置偏移进行校正。
可以从上述蒸镀源和上述控制板单元以外的不同地点分别观察上述蒸镀源和上述控制板单元,检测上述位置偏移量。
或者,可以从上述蒸镀源和上述控制板单元以外的共同地点同时观察上述蒸镀源和上述控制板单元,检测上述位置偏移量。由此,能够以更高精度检测出位置偏移量。另外,能够减少用于检测位置偏移量的装置的数量。
或者,可以从上述蒸镀源和上述控制板单元中的一者观察另一者,检测上述位置偏移量。由此,能够使位置偏移量的运算处理简化。另外,能够减少用于检测位置偏移量的装置的数量。
优选上述覆膜是有机EL元件的发光层。由此,能够提供可靠性和显示品质优异、且能够大型化的有机EL显示装置。
本发明的蒸镀装置是在基板上形成规定图案的覆膜的蒸镀装置,具备蒸镀单元、移动机构、检测热膨胀量差的单元和对上述热膨胀量差进行校正的单元,其中,上述蒸镀单元具备:具备放出用于形成上述覆膜的蒸镀颗粒的多个蒸镀源开口的蒸镀源;配置在上述多个蒸镀源开口与上述基板之间的蒸镀掩模;和包括沿与上述基板的法线方向正交的第一方向配置的多个控制板,配置在上述蒸镀源与上述蒸镀掩模之间的控制板单元,上述移动机构在使上述基板与上述蒸镀掩模隔开固定间隔的状态下,在使上述基板和上述蒸镀单元中的一者,沿与上述基板的法线方向和上述第一方向正交的第二方向,相对于上述基板和上述蒸镀单元中的另一者相对移动,上述检测热膨胀量差的单元检测上述蒸镀源和上述控制板单元间的在上述第一方向的热膨胀量差。
在上述的本发明的蒸镀装置中,优选对上述热膨胀量差进行校正的单元包括使上述蒸镀源在与上述第一方向和上述第二方向平行的面内旋转的旋转驱动机构。由此,能够用简便的方法对由蒸镀源和控制板单元间的热膨胀差引起的蒸镀源开口与控制板的在第一方向的位置偏移进行校正。
优选上述本发明的蒸镀装置还具备:检测上述蒸镀源和上述控制板单元间的在上述第一方向的位置偏移量的单元;和对上述位置偏移量进行校正的单元。由此,能够使蒸镀源开口与控制板的在第一方向的位置偏移量进一步减少。
在上述中,优选对上述位置偏移量进行校正的单元包括使上述蒸镀源在上述第一方向移动的直线驱动机构。由此,能够用简便的方法对蒸镀源和控制板单元间的在第一方向的位置偏移进行校正。
优选检测上述位置偏移量的单元包括与对上述热膨胀量差进行校正的单元共用的部件。由此,能够削减部件数量,因此,能够使蒸镀装置的结构简化,另外,能够使其成本降低。
以下,给出优选的实施方式和实施例对本发明详细地进行说明。但是,本发明并不限定于以下的实施方式,这是不言而喻的。在以下的说明中参照的各图,为说明方便起见,仅简化表示了本发明的实施方式和实施例的构成部件中用于说明本发明所需要的主要部件。因此,本发明能够具备在以下的各图中没有表示的任意的构成部件。另外,以下各图中的部件的尺寸,并没有忠实地表示出实际的构成部件的尺寸和各部件的尺寸比率等。
(有机EL显示装置的结构)
对能够应用本发明制造的有机EL显示装置的一个例子进行说明。本例的有机EL显示装置,是从TFT基板侧取出光的底部发射型的,通过控制包括红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)各种颜色的像素(子像素)的发光来进行彩色的图像显示的有机EL显示装置。
首先,以下对上述有机EL显示装置的整体结构进行说明。
图1是表示有机EL显示装置的概略结构的截面图。图2是表示构成图1所示的有机EL显示装置的像素的结构的平面图。图3是沿图2的3-3线的构成有机EL显示装置的TFT基板的剖视截面图。
如图1所示,有机EL显示装置1具有在设置有TFT12(参照图3)的TFT基板10上依次设置有与TFT12连接的有机EL元件20、粘接层30和密封基板40的结构。有机EL显示装置1的中央是进行图像显示的显示区域19,有机EL元件20配置在该显示区域19内。
有机EL元件20,通过将叠层有该有机EL元件20的TFT基板10使用粘接层30与密封基板40贴合,被封入在这一对基板10、40之间。这样有机EL元件20被封入在TFT基板10与密封基板40之间,由此,防止氧气和水分从外部浸入有机EL元件20。
TFT基板10,如图3所示,具备例如玻璃基板等透明的绝缘基板11作为支撑基板。但是,在顶部发射型的有机EL显示装置中,绝缘基板11不需要是透明的。
在绝缘基板11上,如图2所示,设置有多个配线14,该多个配线14包括在水平方向敷设的多个栅极线和在垂直方向敷设的与栅极线交叉的多个信号线。驱动栅极线的未图示的栅极线驱动电路与栅极线连接,驱动信号线的未图示的信号线驱动电路与信号线连接。在绝缘基板11上,在由这些配线14包围的各区域,呈矩阵状配置有包括红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的有机EL元件20的子像素2R、2G、2B。
子像素2R发射红色光,子像素2G发射绿色光,子像素2B发射蓝色光。在列方向(图2的上下方向)上配置有相同颜色的子像素,在行方向(图2的左右方向)上重复配置有包括子像素2R、2G、2B的重复单元。构成行方向的重复单元的子像素2R、2G、2B构成像素2(即1个像素)。
各子像素2R、2G、2B具备承担各种颜色的发光的发光层23R、23G、23B。发光层23R、23G、23B在列方向(图2的上下方向)上呈条状(stripe)延伸设置。
对TFT基板10的结构进行说明。
TFT基板10,如图3所示,在玻璃基板等透明的绝缘基板11上具备TFT12(开关元件)、配线14、层间膜13(层间绝缘膜、平坦化膜)、边缘覆盖物15等。
TFT12作为控制子像素2R、2G、2B的发光的开关元件发挥作用,按每个子像素2R、2G、2B设置。TFT12与配线14连接。
层间膜13也作为平坦化膜发挥作用,以覆盖TFT12和配线14的方式叠层在绝缘基板11上的显示区域19的整个面上。
在层间膜13上形成有第一电极21。第一电极21通过在层间膜13中形成的接触孔13a与TFT12电连接。
边缘覆盖物15以覆盖第一电极21的图案端部的方式形成在层间膜13上。边缘覆盖物15是用于防止由于在第一电极21的图案端部有机EL层27变薄或发生电场集中而导致构成有机EL元件20的第一电极21与第二电极26短路的绝缘层。
在边缘覆盖物15,按每个子像素2R、2G、2B设置有开口15R、15G、15B。该边缘覆盖物15的开口15R、15G、15B成为各子像素2R、2G、2B的发光区域。换言之,各子像素2R、2G、2B由具有绝缘性的边缘覆盖物15隔开。边缘覆盖物15也作为元件分离膜发挥作用。
对有机EL元件20进行说明。
有机EL元件20是能够通过低电压直流驱动进行高亮度发光的发光元件,依次具备第一电极21、有机EL层27和第二电极26。
第一电极21是具有向有机EL层27注入(供给)空穴的功能的层。第一电极21如上述那样通过接触孔13a与TFT12连接。
有机EL层27,如图3所示,在第一电极21与第二电极26之间,从第一电极21侧起依次具备空穴注入层兼空穴输送层22、发光层23R、23G、23B、电子输送层24和电子注入层25。
在本实施方式中,将第一电极21设为阳极,将第二电极26设为阴极,但也可以将第一电极21设为阴极,将第二电极26设为阳极,在此情况下,构成有机EL层27的各层的顺序相反。
空穴注入层兼空穴输送层22,兼具作为空穴注入层的功能和作为空穴输送层的功能。空穴注入层是具有提高空穴向有机EL层27的注入效率的功能的层。空穴输送层是具有提高空穴向发光层23R、23G、23B的输送效率的功能的层。空穴注入层兼空穴输送层22以覆盖第一电极21和边缘覆盖物15的方式均匀地形成在TFT基板10的显示区域19的整个面上。
在本实施方式中,设置有空穴注入层与空穴输送层一体化的空穴注入层兼空穴输送层22,但本发明并不限定于此,空穴注入层与空穴输送层可以形成为相互独立的层。
在空穴注入层兼空穴输送层22上,发光层23R、23G、23B以覆盖边缘覆盖物15的开口15R、15G、15B的方式,分别与子像素2R、2G、2B的列对应地形成。发光层23R、23G、23B是具有使从第一电极21侧注入的空穴与从第二电极26侧注入的电子复合而射出光的功能的层。发光层23R、23G、23B分别包含低分子荧光色素或金属络合物等发光效率高的材料层。
电子输送层24是具有提高从第二电极26向发光层23R、23G、23B的电子输送效率的功能的层。
电子注入层25是具有提高从第二电极26向有机EL层27的电子注入效率的功能的层。
电子输送层24,以覆盖发光层23R、23G、23B和空穴注入层兼空穴输送层22的方式,在发光层23R、23G、23B和空穴注入层兼空穴输送层22上,遍及TFT基板10的显示区域19的整个面均匀地形成。另外,电子注入层25,以覆盖电子输送层24的方式,在电子输送层24上,遍及TFT基板10的显示区域19的整个面均匀地形成。
在本实施方式中,电子输送层24与电子注入层25作为相互独立的层设置,但本发明并不限定于此,也可以设置为两者一体化的单一的层(即电子输送层兼电子注入层)。
第二电极26是具有向有机EL层27注入电子的功能的层。第二电极26,以覆盖电子注入层25的方式,在电子注入层25上,遍及TFT基板10的显示区域19的整个面均匀地形成。。
此外,发光层23R、23G、23B以外的有机层,作为有机EL层27不是必须的,只要根据要求的有机EL元件20的特性来取舍选择即可。另外,有机EL层27,根据需要还可以具有载流子阻挡层。例如,通过在发光层23R、23G、23B与电子输送层24之间追加空穴阻挡层作为载流子阻挡层,能够阻止空穴漏到电子输送层24,提高发光效率。
(有机EL显示装置的制造方法)
接着,以下对有机EL显示装置1的制造方法进行说明。
图4是按工序顺序表示上述有机EL显示装置1的制造工序的流程图。
如图4所示,本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法,例如依次包括:TFT基板和第一电极的制作工序S1、空穴注入层和空穴输送层的形成工序S2、发光层的形成工序S3、电子输送层的形成工序S4、电子注入层的形成工序S5、第二电极的形成工序S6和密封工序S7。
以下,对图4的各工序进行说明。但是,以下所示的各构成要素的尺寸、材质、形状等只不过是一个例子,本发明并不限定于此。另外,在本实施方式中,将第一电极21设为阳极,将第二电极26设为阴极,在与此相反将第一电极21设为阴极、将第二电极26设为阳极的情况下,有机EL层的叠层顺序与以下说明的顺序相反。同样,构成第一电极21和第二电极26的材料也与以下的说明相反。
首先,用公知的方法在绝缘基板上形成TFT12和配线14等。作为绝缘基板11,能够使用例如透明的玻璃基板或塑料基板等。在一个实施例中,作为绝缘基板11,能够使用厚度约为1mm、纵横尺寸为500×400mm的矩形形状的玻璃板。
接着,以覆盖TFT12和配线14的方式在绝缘基板11上涂敷感光性树脂,利用光刻技术进行图案化,由此形成层间膜13。作为层间膜13的材料,能够使用例如丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂等绝缘性材料。但是,聚酰亚胺树脂一般不透明,是有色的。因此,在制造图3所示的那样的底部发射型的有机EL显示装置1的情况下,作为层间膜13,优选使用丙烯酸酯树脂透明性树脂。层间膜13的厚度,只要能够将TFT12的上表面的台阶消除即可,没有特别限定。在一个实施例中,能够使用丙烯酸酯树脂形成厚度约为2μm的层间膜13。
接着,在层间膜13中形成用于将第一电极21与TFT12电连接的接触孔13a。
接着,在层间膜13上形成第一电极21。即,在层间膜13上形成导电膜(电极膜)。接着,在导电膜上涂敷光致抗蚀剂,使用光刻技术进行图案化后,将氯化铁作为蚀刻液,对导电膜进行蚀刻。然后,使用抗蚀剂剥离液将光致抗蚀剂剥离,再进行基板清洗。由此,在层间膜13上得到矩阵状的第一电极21。
作为在第一电极21中使用的导电膜材料,也能够使用:ITO(IndiumTin Oxide:铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide:铟锌氧化物)、添加镓的氧化锌(GZO)等透明导电材料;和金(Au)、镍(Ni)、铂(Pt)等金属材料。
作为导电膜的叠层方法,能够使用溅射法、真空蒸镀法、CVD(chemical vapor deposition(化学气相沉积)、化学蒸镀)法、等离子体CVD法、印刷法等。
在一个实施例中,能够通过溅射法,使用ITO形成厚度约为100nm的第一电极21。
接着,形成规定图案的边缘覆盖物15。边缘覆盖物15能够使用例如与层间膜13同样的绝缘材料,能够用与层间膜13同样的方法进行图案化。在一个实施例中,能够使用丙烯酸酯树脂形成厚度约为1μm的边缘覆盖物15。
通过以上工序,制作TFT基板10和第一电极21(工序S1)。
接着,对经过工序S1的TFT基板10,进行减压烘焙处理以脱水,再进行氧等离子体处理以洗净第一电极21的表面。
接着,在上述TFT基板10上,通过蒸镀法在TFT基板10的显示区域19的整个面上形成空穴注入层和空穴输送层(在本实施方式中为空穴注入层兼空穴输送层22)(S2)。
具体而言,将显示区域19的整个面开口的开放掩模(open mask)密合固定在TFT基板10上,在使TFT基板10与开放掩模一起旋转的同时,通过开放掩模的开口向TFT基板10的显示区域19的整个面上蒸镀空穴注入层和空穴输送层的材料。
空穴注入层和空穴输送层,如上述那样可以一体化,也可以是相互独立的层。层的厚度,每一层例如为10~100nm。
作为空穴注入层和空穴输送层的材料,例如可以列举挥发油、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三唑、咪唑、噁二唑、聚芳基烷、苯二胺、芳基胺、噁唑、葸、芴酮、腙、芪、苯并菲、氮杂苯并菲、和它们的衍生物、聚硅烷类化合物、乙烯基咔唑类化合物、噻吩类化合物、苯胺类化合物等杂环式或链状式共轭类的单体、低聚物或聚合物等。
在一个实施例中,能够使用4,4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]联苯(α-NPD)形成厚度30nm的空穴注入层兼空穴输送层22。
接着,在空穴注入层兼空穴输送层22上,以覆盖边缘覆盖物15的开口15R、15G、15B的方式,呈条状形成发光层23R、23G、23B(S3)。发光层23R、23G、23B以按红色、绿色、蓝色的各颜色分涂规定区域的方式被蒸镀(分涂蒸镀)。
作为发光层23R、23G、23B的材料,使用低分子荧光色素、金属络合物等发光效率高的材料。例如可以列举葸、萘、茚、菲、芘、苯并萘、苯并菲、葸、二萘嵌苯、苉、荧葸、醋菲烯、戊芬、并五苯、晕苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪、和它们的衍生物、三(8-羟基喹啉)铝络合物、二(羟基苯并喹啉)铍络合物、三(联苯甲酰甲基)菲罗啉铕络合物、二甲苯基乙烯基联苯等。
发光层23R、23G、23B的厚度,能够设为例如10~100nm。
本发明的蒸镀方法和蒸镀装置,能够特别适合用于该发光层23R、23G、23B的分涂蒸镀。使用本发明的发光层23R、23G、23B的形成方法的详细情况将在后面说明。
接着,以覆盖空穴注入层兼空穴输送层22和发光层23R、23G、23B的方式,在TFT基板10的显示区域19的整个面上,通过蒸镀法形成电子输送层24(S4)。电子输送层24能够通过与上述的空穴注入层和空穴输送层的形成工序S2同样的方法来形成。
接着,以覆盖电子输送层24的方式,在TFT基板10的显示区域19的整个面上,通过蒸镀法形成电子注入层25(S5)。电子注入层25能够通过与上述的空穴注入层和空穴输送层的形成工序S2同样的方法来形成。
作为电子输送层24和电子注入层25的材料,例如能够使用喹啉、二萘嵌苯、菲罗啉、联苯乙烯、吡嗪、三唑、噁唑、噁二唑、芴酮、和它们的衍生物或金属络合物、LiF(氟化锂)等。
如上述那样电子输送层24和电子注入层25可以形成为一体化的单一层,或者也可以形成为独立的层。各层的厚度例如为1~100nm。另外,电子输送层24和电子注入层25的合计厚度例如为20~200nm。
在一个实施例中,能够使用Alq(三(8-羟基喹啉)铝)形成厚度30nm的电子输送层24,使用LiF(氟化锂)形成厚度1nm的电子注入层25。
接着,以覆盖电子注入层25的方式,在TFT基板10的显示区域19的整个面上,通过蒸镀法形成第二电极26(S6)。第二电极26能够通过与上述的空穴注入层和空穴输送层的形成工序S2同样的方法来形成。作为第二电极26的材料(电极材料),适合使用功函数小的金属等。作为这样的电极材料,例如可以列举镁合金(MgAg等)、铝合金(AlLi、AlCa、AlMg等)、金属钙等。第二电极26的厚度例如为50~100nm。在一个实施例中,能够使用铝形成厚度50nm的第二电极26。
在第二电极26上,可以以覆盖第二电极26的方式,进一步设置保护膜,以防止氧气和水分从外部浸入到有机EL元件20内。作为保护膜的材料,能够使用具有绝缘性或导电性的材料,例如可以列举氮化硅和氧化硅。保护膜的厚度例如为100~1000nm。
通过以上工序,能够在TFT基板10上形成包括第一电极21、有机EL层27和第二电极26的有机EL元件20。
接着,如图1所示,将形成有有机EL元件20的TFT基板10和密封基板40用粘接层30贴合,将有机EL元件20密封。作为密封基板40,能够使用例如厚度为0.4~1.1mm的玻璃基板或塑料基板等绝缘基板。
这样,得到有机EL显示装置1。
在这样的有机EL显示装置1中,当通过来自配线14的信号输入使TFT12导通(ON)时,从第一电极21向有机EL层27注入空穴。另一方面,从第二电极26向有机EL层27注入电子。空穴和电子在发光层23R、23G、23B内复合能量失活时射出规定颜色的光。通过控制各子像素2R、2G、2B的发光亮度,能够在显示区域19显示规定的图像。
以下,对通过分涂蒸镀形成发光层23R、23G、23B的工序S3进行说明。
(新蒸镀法)
作为分涂蒸镀发光层23R、23G、23B的方法,本发明人代替专利文献1、2那样的在蒸镀时将与基板同等大小的掩模固定在基板上的蒸镀方法,研究了在使基板相对于蒸镀源和蒸镀掩模移动的同时进行蒸镀的新的蒸镀方法(以下称为“新蒸镀法”)。
图5是表示新蒸镀法的基本概念的立体图。
由蒸镀源960和蒸镀掩模970构成蒸镀单元950。蒸镀源960与蒸镀掩模970的相对位置是固定的。基板10在相对于蒸镀掩模970与蒸镀源960相反的一侧以固定速度在一个方向10a上移动。在蒸镀源960的上表面,形成有各自放出蒸镀颗粒991的多个蒸镀源开口961,在蒸镀掩模970上形成有多个掩模开口971。从蒸镀源开口961放出的蒸镀颗粒991,通过掩模开口971附着在基板10上。通过按发光层23R、23G、23B的各颜色反复进行蒸镀,能够进行发光层23R、23G、23B的分涂蒸镀。
根据这样的新蒸镀方法,能够与基板10的在基板10的移动方向10a的尺寸无关地设定蒸镀掩模970的在基板10的移动方向10a的尺寸Lm。因此,能够使用比基板10小的蒸镀掩模970。因此,即使使基板10大型化也不需要使蒸镀掩模970大型化,因此,不会发生蒸镀掩模970的自重弯曲和伸长的问题。另外,蒸镀掩模970和保持该蒸镀掩模970的框架等也不会巨大化和重型化。因此,解决了专利文献1、2中记载的以往的蒸镀法的问题,能够对大型基板进行分涂蒸镀。
但是,本发明人进一步研究的结果判明:图5所示的新蒸镀法,与专利文献1、2的蒸镀法相比,有容易在形成的覆膜(蒸镀膜)的端缘产生模糊的问题。以下对该问题的产生原因进行说明。
图6是沿与基板10的移动方向10a平行的方向观看的、图5的蒸镀装置的正面图。多个蒸镀源开口961和多个掩模开口971在图6的纸面的左右方向排列。蒸镀颗粒991从各蒸镀源开口961具有某一展宽(指向性)地被放出。即,在图6中,从蒸镀源开口961放出的蒸镀颗粒991的数量,在蒸镀源开口961的正上方向最多,随着与正上方向成的角度(出射角度)增大而逐渐减少。从蒸镀源开口961放出的各蒸镀颗粒991,向各自的放出方向直线行进。在图6中,用箭头概念性地表示出了从蒸镀源开口961放出的蒸镀颗粒991的路径。因此,在各掩模开口971,从位于其正下方的蒸镀源开口961放出的蒸镀颗粒991飞来得最多,但并不限定于此,从位于斜下方的蒸镀源开口961放出的蒸镀颗粒991也飞来。
图7是由通过某个掩模开口971的蒸镀颗粒991在基板10上形成的覆膜990的、与图6同样沿与基板10的移动方向10a平行的方向观看的截面图。如上述那样,从各个方向飞来的蒸镀颗粒991通过掩模开口971。到达基板10的被蒸镀面10e的蒸镀颗粒991的数量,在掩模开口971的正上方的区域最多,随着远离该区域而逐渐减少。因此,如图7所示,在基板10的被蒸镀面10e,在将掩模开口971向正上方向投影到基板10上的区域,形成厚并且具有大致固定厚度的覆膜主要部分990c,在其两侧形成随着远离覆膜主要部分990c而逐渐变薄的模糊部分990e。于是,该模糊部分990e使得产生覆膜990的端缘的模糊。
为了使模糊部分990e的宽度We减小,只要使蒸镀掩模970与基板10的间隔减小即可。但是,在新蒸镀法中,需要使基板10相对于蒸镀掩模970相对移动,因此,不能使蒸镀掩模970与基板10的间隔为零。
当模糊部分990e的宽度We变大、模糊部分990e达到相邻的不同颜色的发光层区域时,会产生“混色”,有机EL元件的特性会劣化。为了使得模糊部分990e不达到相邻的不同颜色的发光层区域以使得不产生混色,需要使像素(是指图2的子像素2R、2G、2B)的开口宽度变窄,或者通过使像素的间距增大来使非发光区域增大。然而,当使像素的开口宽度变窄时,发光区域变小,因此亮度降低。当为了得到需要的亮度而提高电流密度时,有机EL元件会寿命变短,或者会变得容易损伤,由此可靠性降低。另一方面,当使像素间距增大时,不能实现高精细显示,显示品质降低。
像以上那样,图5所示的新蒸镀法,虽然具有能够对大型基板进行分涂蒸镀的特长,但是,容易在覆膜(蒸镀膜)的端缘产生模糊部分990e,而且难以使该模糊部分990e的宽度We减小。
(新型蒸镀法)
作为解决图5和图6所示的新蒸镀法的上述问题的分涂蒸镀方法,本发明人对在蒸镀源与蒸镀掩模之间配置多个控制板的蒸镀方法(以下称为“新型蒸镀法”)进行了研究。
图8是表示新型蒸镀法的基本概念的立体图。图9是沿与基板的行走方向平行的方向观看图8所示的蒸镀装置的正面截面图。在这些图中,对与图5、图6所示的部件相同的部件标注相同的符号,并省略它们的说明。为以下说明方便起见,设定以沿基板10的宽度方向的水平方向轴为X轴、以与X轴垂直的水平方向轴为Y轴、以与X轴和Y轴垂直的上下方向轴为Z轴的XYZ正交坐标系。Y轴与基板10的移动方向10a平行,Z轴与基板10的被蒸镀面10e的法线方向平行。
在蒸镀源960与蒸镀掩模970之间配置有具有多个控制板981的控制板单元980。各控制板981的主面(面积最大的面)与YZ面平行。多个控制板981与多个蒸镀源开口961的配置方向(即X轴方向)平行地以固定间距配置。
多个控制板981与框状的保持体985通过例如焊接等方法保持为一体,该框状的保持体985包括与X轴方向平行的一对第一保持部件986和与Y轴方向平行的一对第二保持部件987。
对控制板981的作用进行说明。
从各蒸镀源开口961具有某一展宽(指向性)地放出的蒸镀颗粒991,入射到相邻的控制板981之间的空间(以下称为“控制空间982”)。蒸镀颗粒991中速度矢量的X轴方向成分大的蒸镀颗粒991,与控制板981碰撞并附着于其上,从而不能到达掩模开口971。即,控制板981对入射到掩模开口971的蒸镀颗粒991的入射角度进行限制。在此,对掩模开口971的“入射角度”,由在向XZ面的投影图中,蒸镀颗粒991的飞翔方向相对于Z轴所成的角度来定义。
这样,根据新型蒸镀法,通过使用多个控制板981,能够使X轴方向的蒸镀颗粒991的指向性提高。因此,能够使模糊部分990e的宽度We减小。
另一方面,多个控制板981与YZ面平行,因此,即使是速度矢量的Y轴方向成分大的蒸镀颗粒991,也不会被控制板981捕捉。因此,由使用多个控制板981引起的蒸镀材料的利用效率和蒸镀速率的降低是非常小的。
在图8和图9所示的新型蒸镀法中,为了使蒸镀颗粒991从蒸镀源开口961放出,在蒸镀时需要将蒸镀源960维持为规定的高温。因此,蒸镀源960在从蒸镀开始前的常温升温至蒸镀时的高温的过程中会热膨胀。
另外,由于来自蒸镀源960的辐射热等,配置在蒸镀源960附近的控制板单元980和蒸镀掩模970等也升温并热膨胀。
因此,当在蒸镀源960与其周边部件之间存在热膨胀率差或温度差(例如升温速度差)时,在两者间会产生热膨胀量差。
图10A是表示在蒸镀源960与其周边部件之间没有产生热膨胀量差的理想状态下,在基板10形成的覆膜990的截面图。在本例中,相对于1个控制空间982配置有1个蒸镀源开口961,在X轴方向,蒸镀源开口961配置在一对控制板981的中央位置。从蒸镀源开口961放出的蒸镀颗粒991中依次通过控制空间982、掩模开口971的蒸镀颗粒991,附着于基板10形成覆膜990。
图10B是表示在蒸镀源960与控制板单元980和蒸镀掩模970之间产生了热膨胀量差的状态下,在基板10形成的覆膜990的截面图。在本例中,蒸镀源960发生了热膨胀,而控制板单元980和蒸镀掩模970实质上没有发生热膨胀。其结果,相对于控制板981和蒸镀掩模970,蒸镀源开口961向右方向发生了位置偏移。961’表示图10A所示的理想状态下的蒸镀源开口的位置。由于蒸镀源开口961相对于控制板981和蒸镀掩模970相对地发生位置偏移,在基板10形成的覆膜990的位置,相对于图10A所示的理想状态下的位置990’向左方向发生位置偏移。
在新型蒸镀法中,如图10B所示,由于蒸镀源开口61的相对的位置偏移,覆膜990发生位置偏移,这是因为放出向各掩模开口971入射的蒸镀颗粒991的蒸镀源开口961已由控制板981进行了选择。
为了使图10B所示的覆膜990的位置偏移量减小,只要使蒸镀掩模970与基板10的间隔减小即可。但是,在新型蒸镀法中,需要使基板10相对于蒸镀掩模970相对移动,因此,不能使蒸镀掩模970与基板10的间隔为零。
当覆膜990的位置偏移量大时,蒸镀材料会附着在相邻的不同颜色的发光层而产生混色。为了使得不产生混色,需要使像素(是指图2的子像素2R、2G、2B)的开口宽度变窄,或者通过使像素的间距增大,使非发光区域增大。然而,当使像素的开口宽度变窄时,发光区域变小,因此亮度降低。当为了得到需要的亮度而提高电流密度时,有机EL元件会寿命变短,或者会变得容易损伤,由此可靠性降低。另一方面,当使像素间距增大时,不能实现高精细显示,显示品质降低。
本发明人为了解决新型蒸镀法的上述问题进行了深入研究,完成了本发明。以下,对本发明的优选实施方式进行说明。
(实施方式1)
图11是表示本发明的实施方式1的蒸镀装置的主要部分的立体图。为以下说明方便起见,设定以沿基板10的宽度方向(第一方向)的水平方向轴为X轴、以与X轴垂直的水平方向轴为Y轴、以与X轴和Y轴垂直的上下方向轴为Z轴的XYZ正交坐标系。Z轴与基板10的被蒸镀面的法线方向平行。为说明方便起见,将Z轴方向的箭头侧(图11的纸面的上侧)称为“上侧”。
与蒸镀源60在Z轴方向相对地配置有蒸镀掩模70。
蒸镀源60在其上表面(即与蒸镀掩模70相对的表面)具备多个蒸镀源开口61。多个蒸镀源开口61沿与X轴方向大致平行的直线以固定间距配置。各蒸镀源开口61具有与Z轴平行地向上方开口的喷嘴形状,向蒸镀掩模70放出作为发光层的材料的蒸镀颗粒91。
蒸镀掩模70是其主面(面积最大的面)与XY面平行的板状物,沿X轴方向在X轴方向的不同位置形成有多个掩模开口71。在本实施方式中,各掩模开口71的开口形状具有与Y轴平行的隙缝形状,但本发明并不限定于此。全部掩模开口71的形状和尺寸可以相同,也可以不同。掩模开口71的X轴方向间距可以固定,也可以不同。
在蒸镀源开口61与蒸镀掩模70之间配置有控制板单元80。控制板单元80包括沿X轴方向以固定间距配置的多个控制板81。多个控制板81是相同尺寸的薄板,其主面(面积最大的面)与Y轴和Z轴平行。在X轴方向相邻的控制板81间的空间,为蒸镀颗粒91通过的控制空间82。
在图11中,蒸镀源开口61和控制空间82的数量是4个,但本发明并不限定于此,可以比该数量多也可以比该数量少。另外,蒸镀源开口61和控制空间82不需要为相同数量,可以任一者比另一者多。
在本实施方式中,控制板单元80通过在大致长方体状物中在X轴方向以固定间距形成在Z轴方向贯通的长方体状的贯通孔而形成。各贯通孔成为控制空间82,相邻的贯通孔间的间隔壁成为控制板81。但是,控制单元80的制造方法并不限定于此。例如,可以与图8的控制单元980同样,将分别制作的相同尺寸的多个控制板81通过焊接等以固定间距固定在大致矩形框状的保持体上。
在蒸镀源60与控制板单元80之间,以主面与XY面平行的方式配置有包括薄板的闸门(shutter)95。闸门95能够在蒸镀源60和控制板单元80之间的位置与从该位置退避的位置之间往返移动。将闸门95位于蒸镀源60与控制板单元80之间的状态称为闸门95关闭的状态,在该状态下,从蒸镀源开口61放出的蒸镀颗粒91不能入射到控制空间82。将闸门95从蒸镀源60与控制板单元80之间退避的状态称为闸门95打开的状态,在该状态下,从蒸镀源开口61放出的蒸镀颗粒91入射到控制空间82。
蒸镀源开口61与多个控制板81在Z轴方向分离,并且多个控制板81与蒸镀掩模70在Z轴方向分离。蒸镀源60、控制板单元80和蒸镀掩模70的相对位置,除了后述的用于进行校正的蒸镀源60的位置调整以外,至少在进行分涂蒸镀的期间中是固定的。蒸镀源60、闸门95、控制板单元80和蒸镀掩模70构成蒸镀单元50。
基板10,通过未图示的移动机构,在蒸镀掩模70的与蒸镀源60相反的一侧,在距离蒸镀掩模70固定间隔的状态下,以固定速度沿Y轴方向(第二方向)10a扫描(移动)。
当在已从蒸镀源开口61放出蒸镀颗粒91的状态下打开闸门95时,蒸镀颗粒91依次通过控制板单元80的控制空间82、蒸镀掩模70的掩模开口71。蒸镀颗粒91附着于在Y轴方向上行走的基板10的被蒸镀面(即基板10的与蒸镀掩模70相对的一侧的面)10e形成覆膜90(参照后述的图12)。覆膜90成为在Y轴方向延伸的条状。
形成覆膜90的蒸镀颗粒91,一定通过控制空间82和掩模开口71。可以将控制板单元80和蒸镀掩模70设计成使得从蒸镀源开口61放出的蒸镀颗粒91不会不通过控制空间82和掩模开口71就到达基板10的被蒸镀面10e,并进一步根据需要设置妨碍蒸镀颗粒91飞翔的防着板等(未图示)。
通过按红色、绿色、蓝色的各颜色改变蒸镀材料91进行3次蒸镀(分涂蒸镀),能够在基板10的被蒸镀面10e形成与红色、绿色、蓝色的各颜色对应的条状的覆膜90(即发光层23R、23G、23B)。
控制板81,与图8和图9所示的新型蒸镀法中的控制板981同样,通过使速度矢量的X轴方向成分大的蒸镀颗粒91碰撞并附着,来限制在向XZ面的投影图中,入射到掩模开口71的蒸镀颗粒91的入射角度。在此,对掩模开口71的“入射角度”,由在向XZ面的投影图中,蒸镀颗粒91的飞翔方向相对于Z轴所成的角度来定义。其结果,以大的入射角度通过掩模开口71的蒸镀颗粒91减少。因此,图7所示的模糊部分990e的宽度We减小,优选实质上不产生厚度逐渐减少的部分990e,因此,条状的覆膜90两侧的端缘的模糊的产生被大幅抑制。其结果,在有机EL显示装置中,不再需要使发光区域间的非发光区域的宽度增大以使得不产生混色。因此,能够以高亮度实现高精细的显示。另外,不再需要为了提高亮度而提高发光层的电流密度。因此,能够实现长寿命,可靠性提高。
图12是沿与基板10的宽度方向垂直的方向观看本实施方式1的蒸镀装置的正面截面图。使用图12对本实施方式1的蒸镀装置的详细结构进行说明。
在框架底板111上,隔着直线驱动机构121和旋转驱动机构125设置有蒸镀源60。
直线驱动机构121使搭载在其上的旋转驱动机构125和蒸镀源60在X轴方向移动,对它们的X轴方向位置进行调整。直线驱动机构121的结构没有特别限制,例如能够使用直线电动机等公知的单轴方向定位装置。
旋转驱动机构125使搭载在其上的蒸镀源60在与XY面平行的面内旋转,对蒸镀源60在该面内的旋转位置进行调整。旋转驱动机构125的旋转中心轴125a与Z轴平行,优选通过在蒸镀源60形成的多个蒸镀源开口61中的X轴方向的两端的蒸镀源开口61间的中央位置(将该位置称为蒸镀源60的X轴方向的中心位置)。在本例中,旋转驱动机构125包括:能够围绕上述旋转中心轴125a旋转的大齿轮126;与该大齿轮126啮合的小齿轮127;和使该小齿轮127旋转的步进电动机128。蒸镀源60搭载在大齿轮126上。但是,旋转驱动机构125的结构并不限定于此,能够使用公知的旋转定位装置。
为了将蒸镀源60加热至规定温度且维持在规定温度、并且防止蒸镀颗粒91附着于蒸镀源60,在蒸镀源60的周围安装有加热器63。蒸镀时的蒸镀源60的温度,根据蒸镀颗粒91的种类等适当设定,例如为400℃左右。
在腔室101的外侧配置有蒸镀颗粒发生装置65。蒸镀颗粒发生装置65对蒸镀材料进行加热使其蒸发,将产生的蒸镀材料的蒸气通过配管输送至腔室101内的蒸镀源60。在配管的中途设置有用于容许蒸镀源60的位置变化的挠性接头67。蒸镀材料的蒸气从蒸镀源60的蒸镀源开口61作为蒸镀颗粒91放出。蒸镀颗粒发生装置65可以具有将2种以上的蒸镀材料分别加热使其蒸发,将它们的蒸气混合后输送至蒸镀源60的功能。
闸门95被能够使闸门95在Y轴方向往返移动的未图示的直线驱动机构保持在框架侧板112。
控制板单元80被从框架侧板112延伸的臂保持。
在蒸镀源60的X轴方向的两端形成有第一对准标记201。识别第一对准标记201的位置的第一识别部211与各对准标记201在Z轴方向相对。同样,在控制板单元80的X轴方向的两端形成有第二对准标记202。识别第二对准标记202的位置的第二识别部212与各对准标记202相对。第一识别部和第二识别部211、212被从框架侧板112延伸的臂保持,其XY坐标位置不变。第一识别部和第二识别部211、212的结构,只要能够分别识别第一对准标记和第二对准标记201、202即可,没有特别限制,例如能够使用公知的CCD摄像机。在此情况下,第一对准标记和第二对准标记201、202可以包括能够通过使用CCD摄像机的图像识别进行识别的任意的图形或形状或者它们的组合。
为了使得配置在蒸镀源60附近的第一识别部211不会被蒸镀源60或加热器63加热,在第一识别部211与它们之间配置有遮热板69。遮热板69的结构没有特别限制,能够包括例如内置有水冷配管等的冷却板。
第一对准标记和第二对准标记201、202以及第一识别部和第二识别部211、212,优选配置在不能从蒸镀源开口61直接看到的位置,使得从蒸镀源开口61放出的蒸镀颗粒91难以附着。根据需要,可以设置用于防止蒸镀颗粒91附着于第一对准标记和第二对准标记201、202以及第一识别部和第二识别部211、212的防着板(或遮蔽板)。
可以与本例相反,将第一识别部211设置在蒸镀源60的X轴方向的两端,将第一对准标记201设置在从框架侧板112延伸的臂上。同样,可以将第二识别部212设置在控制板单元80的X轴方向的两端,将第二对准标记202设置在从框架侧板112延伸的臂上。在此情况下,优选根据需要,在第一识别部211与蒸镀源60之间设置遮热板(例如内置有水冷配管等的冷却板)等,以使得特别是第一识别部211不会暴露于高温。
蒸镀掩模70被保持在从框架侧板112延伸的臂上。优选蒸镀掩模70相对于控制板单元80特别在X轴方向被准确地定位。为了防止蒸镀掩模70发生由自重引起的弯曲或伸长,优选蒸镀掩模70通过在与蒸镀掩模70的主面平行的方向施加张力的张紧机构(未图示)被保持。
基板10由设置在框架侧板112的直线输送机构115沿Y轴方向输送。直线输送机构115的结构没有特别限制,例如,能够使用利用步进电动机经减速齿轮机构对搭载基板10的辊进行驱动的输送机构。为了减少基板10的由自重引起的弯曲,可以在基板10的与被蒸镀面10e相反一侧的面安装保持装置,由直线输送机构115输送该保持装置。作为保持装置,例如能够使用利用静电力保持基板10的静电吸盘。
优选在蒸镀时,基板10相对于蒸镀掩模70在X轴方向的相对位置是正确的。为此,可以在蒸镀掩模70和基板10形成与第一对准标记和第二对准标记201、202同样的对准标记,通过未图示的CCD摄像机等对其进行图像识别,来控制基板10和蒸镀掩模70在X轴方向的相对位置。
上述的各种装置被收纳在真空腔室101内。真空腔室101是密闭的容器,其内部空间由真空泵102进行减压而维持在规定的低压力状态(或真空状态)。
在本实施方式1的蒸镀装置中,使用第一对准标记和第二对准标记201、202与第一识别部和第二识别部211、212来检测蒸镀源60与控制板单元80之间的X轴方向的热膨胀量差,接着,使用旋转驱动机构125对上述热膨胀量差进行校正。以下对此进行说明。
当蒸镀源60存在温度不均匀时,从多个蒸镀源开口61放出的蒸镀颗粒91的量等会产生不均匀。因此,为了减少温度不均匀,蒸镀源60一般使用以热传导率优异的铜作为基材、在其表面涂敷有镍等的材料。铜的热膨胀系数为16.8×10-6℃。蒸镀时的蒸镀源60的温度一般为约400℃。因此,例如在蒸镀源60的X轴方向尺寸为1m的情况下,在为了进行蒸镀而使蒸镀源60从室温(20℃)升温至400℃的过程中,蒸镀源60的X轴方向尺寸增加6.4mm。
另一方面,当控制板单元80的形状变化时,会产生多个条状覆膜90的厚度不均匀和位置偏移。因此,为了减少由温度变化引起的形状变化,控制板单元80一般使用热膨胀系数小的殷钢材料。殷钢材料的热膨胀系数为1~2×10-6℃。在蒸镀时,有控制板单元80受到来自蒸镀源60的辐射热等而被加热,升温至例如220℃左右的情况。因此,例如在控制板单元80的X轴方向尺寸为1m的情况下,在进行蒸镀时在控制板单元80从室温(20℃)升温至220℃的过程中,控制板单元80的X轴方向尺寸增加0.4mm。
因此,就从蒸镀前(室温)到蒸镀时的X轴方向的热膨胀量而言,蒸镀源60比控制板单元80大约大6mm。当像这样在蒸镀源60与控制板单元80之间产生热膨胀量差时,蒸镀源开口61相对于控制板81的相对位置会发生变化。其结果,如已用图10B说明的那样,覆膜90会在X轴方向发生位置偏移。
在本实施方式中,蒸镀源60的X轴方向的热膨胀量使用第一对准标记201和第一识别部211来测定。控制板单元80的X轴方向的热膨胀量使用第二对准标记202和第二识别部212来测定(详细情况将在后面说明)。然后,根据它们的热膨胀量求出蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的热膨胀量差。
接着,驱动旋转驱动机构125使蒸镀源60围绕旋转中心轴125a旋转,对求出的热膨胀量差进行校正。例如,为了将蒸镀时伸长至1.0064m的蒸镀源60的X轴方向尺寸校正(减少)0.6mm以使其与控制板单元80的X轴方向尺寸1.0004m一致,只要使蒸镀源60旋转角度θ=6.3°(θ=cos-1(1.0004/1.0064))即可。由此,能够使由蒸镀源60与控制板单元80之间的热膨胀量差引起的、蒸镀源开口61相对于控制板81在X轴方向的位置偏移量减少。其结果,能够使在基板10形成的覆膜90的X轴方向的位置偏移量减少。
优选通过使蒸镀源60旋转,使多个蒸镀源开口61的全部蒸镀源开口相对于控制板81的位置偏移量为零,但是实际上这可能是困难的。一般而言,只要对于全部的蒸镀源开口61使蒸镀源开口61与控制板81的X轴方向的位置偏移量为0.1mm以下,就能够使覆膜90的X轴方向的位置偏移量在实质上没有问题的范围。
通过使蒸镀源60围绕旋转中心轴125a旋转,各蒸镀源开口61的Y轴方向位置发生变化。在本实施方式中,蒸镀源开口61的在Y轴方向要求的位置精度,与X轴方向要求的位置精度相比极其宽松,因此,由蒸镀源60的旋转引起的蒸镀源开口61的Y轴方向位置的变化实质上不会成为问题。
蒸镀源60的旋转的方向,在从上方观看时可以是顺时针方向和逆时针方向中的任一种。
有在蒸镀源60和控制板单元80分别热膨胀的过程中,两者在X轴方向的相对位置关系发生变化的情况。例如,有蒸镀源60的X轴方向的中心位置与控制板单元80的X轴方向的中心位置在蒸镀前的常温下是一致的,但当升温至蒸镀温度时变得不一致的情况。蒸镀源开口61相对于控制板81的相对位置也会由于这样的蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的位置偏移而发生变化。在本实施方式中,该位置偏移能够使用直线驱动机构121进行校正。例如,可以驱动直线驱动机构121对旋转驱动机构122和蒸镀源60的X轴方向位置进行调整,使得蒸镀源60的X轴方向的中心位置(该中心位置优选与旋转中心轴125a一致)与控制板单元80的X轴方向的中心位置一致。由直线驱动机构121进行的X轴方向的位置调整,优选在通过旋转驱动机构125使蒸镀源60旋转之前进行。由此,能够对于全部的蒸镀源开口61,以小的旋转角度θ容易地对蒸镀源开口61与控制板81的X轴方向的位置偏移量进行校正。
图13是使用本实施方式1的蒸镀装置的蒸镀方法的流程图。使用图13对本实施方式1的蒸镀方法进行说明。
首先,在常温下检测对准标记的初始位置(步骤S11)。即,用第一识别部211对第一对准标记201进行识别,并且,用第二识别部212对第二对准标记202进行识别,检测识别出的第一对准标记和第二对准标记201、202各自的在XY坐标内的绝对位置。根据需要,可以使用旋转驱动机构125使蒸镀源60旋转,以使得蒸镀源60的多个蒸镀源开口61的配置方向与控制板单元80的多个控制板81的配置方向(即X轴方向)一致。另外,可以使用直线驱动机构121使蒸镀源60在X轴方向移动,以使得旋转中心轴125a与控制板单元80的X轴方向的中心位置一致。此外,优选蒸镀源60以旋转中心轴125a通过该蒸镀源60的X轴方向的中心位置的方式设置在旋转驱动机构125上。
接着,将闸门95关闭(步骤S12)。此外,步骤S11与步骤S12的顺序可以颠倒。
接着,用加热器63对蒸镀源60进行加热。同时,在蒸镀颗粒发生装置65内对蒸镀材料进行加热使其蒸发,将蒸镀材料蒸气导入到蒸镀源60(步骤S13)。由此,开始从蒸镀源开口61放出蒸镀颗粒91。
对蒸镀源60的温度和从蒸镀源开口61放出的蒸镀颗粒91的放出量等进行监视,判断是否已达到能够蒸镀的状态(步骤S14)。
当判断为已达到能够蒸镀的状态时,测定蒸镀源60相对于控制板单元80的X轴方向的位置偏移量(步骤S15)。即,用第一识别部211检测第一对准标记201的位置,并将其与在步骤S11中检测出的位置进行比较,由此,求出蒸镀源60的X轴方向的中心位置的位移量。另外,用第二识别部212检测第二对准标记202的位置,并将其与在步骤S11中检测出的位置进行比较,由此,求出控制板单元80的X轴方向的中心位置的位移量。然后,根据蒸镀源60和控制板单元80的各中心位置的位移量,求出蒸镀源60相对于控制板单元80的X轴方向的位置偏移量。
接着,判断在步骤S15中测定的X轴方向的位置偏移量是否为预先设定的阈值以下(步骤S16)。阈值例如能够考虑蒸镀源开口61相对于控制板81的X轴方向的位置偏移量的容许范围来设定。
在位置偏移量超过阈值的情况下,计算需要的校正量(步骤S17)。即,计算使上述位置偏移量减少至阈值以下所需要的蒸镀源60的X轴方向的移动量。
接着,根据在步骤S17中求出的校正量,使用直线驱动机构121使蒸镀源60在X轴方向移动(步骤S18)。
然后,返回到上述步骤S15,测定蒸镀源60相对于控制板单元80的X轴方向的位置偏移量。
当在步骤S16中判断为在步骤S15中测定的位置偏移量为阈值以下的情况下,测定蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的热膨胀量差(步骤S19)。即,用第一识别部211检测第一对准标记201的位置,并将其与在步骤S11中检测出的位置进行比较,由此,求出蒸镀源60的X轴方向的热膨胀量。另外,用第二识别部212检测第二对准标记202的位置,并将其与在步骤S11中检测出的位置进行比较,由此,求出控制板单元80的X轴方向的热膨胀量。然后,根据蒸镀源60和控制板单元80的各热膨胀量,求出蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的热膨胀量差。
接着,判断在步骤S19中测定的热膨胀量差是否为预先设定的阈值以下(步骤S20)。阈值例如能够考虑蒸镀源开口61相对于控制板81的在X轴方向的位置偏移量的容许范围来设定。
在热膨胀量差超过阈值的情况下,计算需要的校正量(步骤S21)。即,计算使上述热膨胀量差减少至阈值以下所需要的蒸镀源60围绕旋转中心轴125a的旋转角度。
接着,根据在步骤S21中求出的校正量,使用旋转驱动机构125使蒸镀源60旋转(步骤S22)。
然后,返回到上述步骤S19,测定蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的热膨胀量差。
当在步骤S20中判断为在步骤S19中测定的热膨胀量差为阈值以下的情况下,将闸门95打开(步骤S23),输送基板10(步骤S24),在基板10的被蒸镀面10e形成覆膜90(参照图12)。
如以上那样,根据本实施方式1,在形成覆膜90之前,检测在从常温升温至蒸镀时温度的过程中产生的、蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的热膨胀量差并对该热膨胀量差进行校正,因此,能够使由热膨胀量差引起的蒸镀源开口61相对于控制板81的X轴方向的位置偏移量减少。其结果,能够消除由于在蒸镀源960与控制板单元980之间产生热膨胀量差而导致在基板10形成的覆膜990在X轴方向发生位置偏移的新型蒸镀法的问题(参照图10B)。即,根据本实施方式1,能够减少在基板10上形成的覆膜90在X轴方向上的位置偏移量。
另外,在形成覆膜90之前,检测在从常温升温至蒸镀时温度的过程中产生的、蒸镀源60相对于控制板单元80的X轴方向的位置偏移量并对该位置偏移量进行校正,因此,能够使蒸镀源开口61相对于控制板81的X轴方向的位置偏移量进一步减少。其结果,能够使在基板10上形成的覆膜90的X轴方向的位置偏移量进一步减少。
另外,通过还考虑例如蒸镀源60和控制板单元80的加工精度地设定在步骤S16和步骤S20中使用的阈值和在步骤S17、S21中计算的校正值,能够缓和蒸镀源60和控制板单元80的加工精度。由此,能够使蒸镀源60和控制板单元80的制作成本降低,能够使有机EL显示装置的生产成本降低。
此外,在本实施方式中,在能够通过在设计上想办法等,使在从常温升温至蒸镀时温度的过程中,蒸镀源60相对于控制板单元80的X轴方向的位置偏移量减小至能够容许的程度的情况下,可以省略图13所示的步骤S15~S18和图12所示的直线驱动机构121。
(实施方式2)
图14是本发明的实施方式2的蒸镀装置的沿基板10的扫描方向观看的正面截面图。在图14中,对于与图12所示的部件相同的部件标注相同的符号,并省略对它们的重复说明。以下,以与实施方式1的不同点为中心对本实施方式2进行说明。
在本实施方式2中,代替实施方式1的第一对准标记和第二对准标记201、202以及第一识别部和第二识别部211、212,使用一对对准标记221和一对识别部222。
对准标记221形成在控制板单元80的X轴方向的两端。识别部222设置在蒸镀源60的X轴方向的两端。各识别部222与对应的对准标记221在Z轴方向相对,使得能够识别对准标记221的位置。识别部222设置于在蒸镀源60或加热器63设置的遮热板69上,使得识别部222不会被蒸镀源60或加热器63加热。遮热板69,与实施方式1的遮热板69同样,例如能够包括内置有水冷配管等的冷却板。
对准标记221和识别部222优选配置在不能从蒸镀源开口61直接看到的位置,以使得从蒸镀源开口61放出的蒸镀颗粒91难以附着。根据需要,可以设置用于防止蒸镀颗粒91附着于对准标记221和识别部222的防着板(或遮蔽板)。
对准标记221和识别部222的结构,可以与在实施方式1中说明的第一对准标记和第二对准标记201、202以及第一识别部和第二识别部211、212相同。
可以与本例相反,将对准标记221形成在蒸镀源60的X轴方向的两端,将识别部222设置在控制板单元80的X轴方向的两端。在此情况下,识别部222暴露于高温的可能性减少,因此,有能够省略遮热板69的可能。
使用本实施方式2的蒸镀装置的蒸镀,能够与在实施方式1中说明的图13同样地进行。但是,步骤S11、S15、S19变更为以下那样。
即,在实施方式1中,在图13的步骤S11中,检测第一对准标记和第二对准标记201、202各自的在XY坐标内的绝对位置。与此相对,在本实施方式2中,在步骤S11中,只用识别部222识别对准标记221即可。
在本实施方式2的步骤S15中,用识别部222识别对准标记221,并将其位置与在步骤S11中识别出的对准标记221的位置进行比较,由此,求出蒸镀源60相对于控制板单元80的X轴方向的位置偏移量。
另外,在本实施方式2的步骤S19中,用识别部222识别对准标记221,并将其位置与在步骤S11中识别出的对准标记221的位置进行比较,由此,求出蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的热膨胀量差。
除上述以外,能够与在实施方式1中说明的图13同样地进行蒸镀。
根据本实施方式2,将识别部222和对准标记221设置于蒸镀源60和控制板单元80,因此,不需要在实施方式1的图13的步骤S11中进行的、第一对准标记和第二对准标记的在XY坐标内的绝对位置的测定。即,能够通过在识别部222拍摄的图像内,将常温时对准标记221的位置和升温时对准标记221的位置进行比较,来求出蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的热膨胀量差和X轴方向的位置偏移量。因此,能够使运算简化。
另外,与实施方式1相比能够减少需要的识别部和对准标记的数量,因此,能够降低装置成本。
本实施方式2除了上述以外与实施方式1相同,能得到与在实施方式1中说明的效果同样的效果。
(实施方式3)
图15是本发明的实施方式3的蒸镀装置的沿基板10的扫描方向观看的正面截面图。在图15中,对于与图12所示的部件相同的部件标注相同的符号,并省略对它们的重复说明。以下,以与实施方式1的不同点为中心对本实施方式3进行说明。
在本实施方式3中,使用一对识别部232代替实施方式1的第一识别部和第二识别部211、212。一对识别部232被从框架侧板112延伸的保持控制板单元80的臂保持。
在控制板单元80的形成有多个控制空间82的区域的X轴方向的两外侧,形成有一对伪控制空间82d。优选伪控制空间82d形成在从蒸镀源开口61放出的蒸镀颗粒91几乎不会入射的位置。另外,即使假设蒸镀颗粒91入射到伪控制空间82d,该蒸镀颗粒91也不会有助于形成覆膜90。
在蒸镀源60的形成有多个蒸镀源开口61的区域的X轴方向的两外侧,形成有一对伪蒸镀源开口61d。从伪蒸镀源开口61d不放出蒸镀颗粒91。
识别部232、伪控制空间82d和伪蒸镀源开口61d,大致沿与Z轴平行的一直线从上侧向下侧依次配置。识别部232在一个视野内识别伪控制空间82d的下侧的开口端缘和伪蒸镀源开口61d。在本实施方式3中,伪控制空间82d的开口端缘和伪蒸镀源开口61d作为对准标记发挥功能。因此,在本实施方式3中,不使用实施方式1的第一对准标记和第二对准标记201、202。
识别部232配置在伪控制空间82d的上方,因此,蒸镀颗粒91难以附着。但是,根据需要,可以设置用于防止蒸镀颗粒91附着于识别部232的防着板(或遮蔽板)。
识别部232的结构与在实施方式1中说明的第一识别部和第二识别部211、212相同。
使用本实施方式3的蒸镀装置的蒸镀,能够与在实施方式1中说明的图13同样地进行。但是,步骤S11、S15、S19变更为以下那样。
即,在实施方式1中,在图13的步骤S11中,检测第一对准标记和第二对准标记201、202各自的在XY坐标内的绝对位置。与此相对,在本实施方式3中,在步骤S11中,用共用的识别部232同时检测伪控制空间82d的开口端缘和伪蒸镀源开口61d的在XY坐标内的绝对位置。
在本实施方式3的步骤S15中,如以下那样测定蒸镀源60相对于控制板单元80的X轴方向的位置偏移量。即,用识别部232检测伪蒸镀源开口61d的位置,并将其与在步骤S11中检测出的伪蒸镀源开口61d的位置进行比较,由此,求出蒸镀源60的X轴方向的中心位置的位移量。另外,用识别部232检测伪控制空间82d的开口端缘的位置,并将其与在步骤S11中检测出的伪控制空间82d的开口端缘的位置进行比较,由此,求出控制板单元80的X轴方向的中心位置的位移量。然后,根据蒸镀源60和控制板单元80的各中心位置的位移量,求出蒸镀源60相对于控制板单元80的X轴方向的位置偏移量。
另外,在本实施方式3的步骤S19中,如以下那样测定蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的热膨胀量差。即,用识别部232检测伪蒸镀源开口61d的位置,并将其与在步骤S11中检测出的伪蒸镀源开口61d的位置进行比较,由此,求出蒸镀源60的X轴方向的热膨胀量。另外,用识别部232检测伪控制空间82d的开口端缘的位置,并将其与在步骤S11中检测出的伪控制空间82d的开口端缘的位置进行比较,由此,求出控制板单元80的X轴方向的热膨胀量。然后,根据蒸镀源60和控制板单元80的各热膨胀量,求出蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的热膨胀量差。
除上述以外,能够与在实施方式1中说明的图13同样地进行蒸镀。
根据本实施方式3,用共用的识别部232检测作为对准标记发挥功能的伪控制空间82d的开口端缘和伪蒸镀源开口61d。因此,与分别用单独的识别部识别设置于控制板单元80的第一对准标记201和设置于蒸镀源60的第二对准标记202的实施方式1相比,能够精度更高地求出蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的位置偏移量和X轴方向的热膨胀量差。其结果,能够使在基板10上形成的覆膜90的X轴方向的位置偏移量进一步减少。
另外,与实施方式1相比能够减少识别部的数量,因此,能够降低装置成本。
另外,伪控制空间82和伪蒸镀源开口61d能够通过与控制空间82和蒸镀源开口61同样的方法形成,因此,不需要用于形成它们的新工序。因此,在本实施方式3中,与形成对准标记201、202的实施方式1相比,装置的制作容易,能够降低其成本。
本实施方式3除了上述以外与实施方式1相同,能得到与在实施方式1中说明的效果同样的效果。
(实施方式4)
在实施方式1中,如用图13说明的那样,在对基板的蒸镀开始前,对在从常温升温至蒸镀时温度的过程中产生的、蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的热膨胀量差和X轴方向的位置偏移量进行校正。与此相对,在本实施方式4中,进一步,在开始对基板的蒸镀之后,对在到蒸镀结束为止的期间中产生的、蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的热膨胀量差和X轴方向的位置偏移量进行校正。以下,以与实施方式1的不同点为中心对本实施方式4进行说明。
图16是使用本发明的实施方式4的蒸镀装置的蒸镀方法的流程图。在图16中,从“开始”起至步骤S24为止的步骤与图13相同,因此,省略图示。使用图16对步骤S24以后的、即蒸镀开始后的本实施方式4的蒸镀方法进行说明。
在步骤S30中,判断是否已经过规定时间。所谓规定时间,是对热膨胀量差和位置偏移量进行校正的时间间隔,能够任意设定。
当在步骤S30中确认已经过规定时间时,在步骤21中判断对基板的蒸镀是否在继续。
在对基板的蒸镀在继续的情况下,测定蒸镀源60相对于控制板单元80的X轴方向的位置偏移量(步骤S31)。位置偏移量的测定能够与图13的步骤S15同样地进行。
接着,判断在步骤S31中测定的X轴方向的位置偏移量是否为预先设定的阈值以下(步骤S32)。阈值例如能够考虑蒸镀源开口61相对于控制板81的X轴方向的位置偏移量的容许范围来设定。例如,能够使用在图13的步骤S16中使用的值。
在位置偏移量超过阈值的情况下,计算需要的校正量(步骤S34)。校正量的计算能够与图13的步骤S17同样地进行。
接着,根据在步骤S34中求出的校正量,使用直线驱动机构121使蒸镀源60在X轴方向移动(步骤S35)。
然后,返回到步骤S32,测定蒸镀源60相对于控制板单元80的X轴方向的位置偏移量。
当在步骤S33中判断为在步骤S32中测定的位置偏移量为阈值以下的情况下,测定蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的热膨胀量差(步骤S36)。热膨胀量差的测定能够与图13的步骤S19同样地进行。
接着,判断在步骤S36中测定的热膨胀量差是否为预先设定的阈值以下(步骤S37)。阈值例如能够考虑蒸镀源开口61相对于控制板81的X轴方向的位置偏移量的容许范围来设定。例如,能够使用在图13的步骤S20中使用的值。
在热膨胀量差超过阈值的情况下,计算需要的校正量(步骤S38)。校正量的计算能够与图13的步骤S21同样地进行。
接着,根据在步骤S38中求出的校正量,使用旋转驱动机构125使蒸镀源60旋转(步骤S39)。
然后,返回到上述步骤S36,测定蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的热膨胀量差。
当在步骤S37中判断为在步骤S36中测定的热膨胀量差为阈值以下的情况下,返回到上述步骤S30。
当在上述步骤S31中对基板的蒸镀没有在继续的情况下,将闸门95关闭,蒸镀工序结束。
如以上所述,根据本实施方式4,在开始蒸镀后,以规定时间间隔检测蒸镀源60和控制板单元80间的X轴方向的热膨胀量差并对该热膨胀量差进行校正,因此,能够使由热膨胀量差引起的蒸镀源开口61相对于控制板81的X轴方向的位置偏移量减少。其结果,能够消除由于在蒸镀源960与控制板单元980之间产生热膨胀量差而导致在基板10形成的覆膜990在X轴方向发生位置偏移的新型蒸镀法的问题(参照图10B)。即,根据本实施方式4,能够使在基板10上形成的覆膜90的X轴方向的位置偏移量进一步减少。
另外,在开始蒸镀后,以规定时间间隔检测蒸镀源60相对于控制板单元80的X轴方向的位置偏移量并对该位置偏移量进行校正,因此,能够使蒸镀源开口61相对于控制板81的X轴方向的位置偏移量进一步减少。其结果,能够使在基板10上形成的覆膜90的X轴方向的位置偏移量进一步减少。
这样,本实施方式4即使在蒸镀源60和控制板单元80的温度在蒸镀开始后也发生变化的情况下,也能够抑制由那样的温度变化引起的覆膜90的X轴方向的位置偏移。
在图16中,能够将步骤S30省略。在此情况下,总是检测X轴方向的热膨胀量差和X轴方向的位置偏移量并对该热膨胀量差和该位置偏移量进行校正,因此,能够使覆膜90的X轴方向的位置偏移量进一步减少。另一方面,通过设置步骤S30,能够减轻运算处理所需要的负荷。
在本实施方式4中,在能够通过在设计上想办法等,使在开始蒸镀后的蒸镀工序中,蒸镀源60相对于控制板单元80的X轴方向的位置偏移量减小至能够容许的程度的情况下,可以省略图16所示的步骤S32~S35。
在上述的说明中,说明了将在蒸镀开始后对热膨胀量差和位置偏移量进行校正的方式应用于实施方式1的情况,但也能够应用于实施方式2、3。在此情况下,步骤S32、S36与在实施方式2、3中说明的步骤S15、S19的变更同样地进行变更。
上述的实施方式1~4是例示,本发明并不限定于这些实施方式,能够适当变更。
例如,在基板10的X轴方向尺寸大的情况下,可以使X轴方向位置和Y轴方向位置不同来配置图11所示的多个蒸镀单元50。
在上述的实施方式1~4中,基板10相对于不动的蒸镀单元50移动,但本发明并不限定于此,只要使蒸镀单元50和基板10中的一者相对于另一者相对移动即可。例如,可以使基板10的位置固定,使蒸镀单元50移动,或者,可以使蒸镀单元50和基板10两者移动。
在上述的实施方式1~4中,将基板10配置在蒸镀单元50的上方,但是,蒸镀单元50与基板10的相对位置关系并不限定于此。例如,可以将基板10配置在蒸镀单元50的下方,或者,可以将蒸镀单元50和基板10在水平方向相对配置。
产业上的可利用性
本发明的蒸镀装置和蒸镀方法的利用领域没有特别限制,能够优选利用于形成有机EL显示装置的发光层。
符号说明
10 基板
10e 被蒸镀面
20 有机EL元件
23R、23G、23B 发光层
50 蒸镀单元
60 蒸镀源
61 蒸镀源开口
70 蒸镀掩模
71 掩模开口
80 控制板单元
81 控制板
82 控制空间
90 覆膜
91 蒸镀颗粒
95 闸门
115 直线输送机构(移动机构)
121 直线驱动机构
125 旋转驱动机构
201、202、221 对准标记
211、212、222、232 识别部

Claims (22)

1.一种蒸镀方法,其特征在于:
该蒸镀方法是在基板上形成规定图案的覆膜的蒸镀方法,
所述蒸镀方法具有使蒸镀颗粒附着在所述基板上形成所述覆膜的蒸镀工序,
所述蒸镀工序是使用蒸镀单元使所述蒸镀颗粒附着在所述基板上的工序,所述蒸镀单元具备:具备放出所述蒸镀颗粒的多个蒸镀源开口的蒸镀源;配置在所述多个蒸镀源开口与所述基板之间的蒸镀掩模;和包括沿与所述基板的法线方向正交的第一方向配置的多个控制板,配置在所述蒸镀源与所述蒸镀掩模之间的控制板单元,在所述蒸镀工序中,使用所述蒸镀单元,在使所述基板与所述蒸镀掩模隔开固定间隔的状态下,使所述基板和所述蒸镀单元中的一者,沿与所述基板的法线方向和所述第一方向正交的第二方向,相对于所述基板和所述蒸镀单元中的另一者相对移动,同时使通过在所述第一方向相邻的所述控制板间的空间和在所述蒸镀掩模形成的多个掩模开口的所述蒸镀颗粒附着在所述基板上,
所述蒸镀方法还具有:
检测所述蒸镀源和所述控制板单元间的在所述第一方向的热膨胀量差的工序;和
对所述热膨胀量差进行校正的工序。
2.如权利要求1所述的蒸镀方法,其特征在于:
通过使所述蒸镀源在与所述第一方向和所述第二方向平行的面内旋转,对所述热膨胀量差进行校正。
3.如权利要求2所述的蒸镀方法,其特征在于:
使所述蒸镀源围绕通过所述蒸镀源的在所述第一方向的中心位置的旋转中心轴旋转。
4.如权利要求1~3中任一项所述的蒸镀方法,其特征在于:
在所述基板上形成所述覆膜之前进行:检测所述热膨胀量差的工序;和对所述热膨胀量差进行校正的工序。
5.如权利要求1~3中任一项所述的蒸镀方法,其特征在于:
一边在所述基板上形成所述覆膜,一边进行:检测所述热膨胀量差的工序;和对所述热膨胀量差进行校正的工序。
6.如权利要求1~3中任一项所述的蒸镀方法,其特征在于:
从所述蒸镀源和所述控制板单元以外的不同地点分别观察所述蒸镀源和所述控制板单元,检测所述热膨胀量差。
7.如权利要求1~3中任一项所述的蒸镀方法,其特征在于:
从所述蒸镀源和所述控制板单元以外的共同地点同时观察所述蒸镀源和所述控制板单元,检测所述热膨胀量差。
8.如权利要求1~3中任一项所述的蒸镀方法,其特征在于:
从所述蒸镀源和所述控制板单元中的一者观察另一者,检测所述热膨胀量差。
9.如权利要求1~3中任一项所述的蒸镀方法,其特征在于,还具有:
检测所述蒸镀源和所述控制板单元间的在所述第一方向的位置偏移量的工序;和
对所述位置偏移量进行校正的工序。
10.如权利要求9所述的蒸镀方法,其特征在于:
通过使所述蒸镀源在所述第一方向移动,对所述位置偏移量进行校正。
11.如权利要求9所述的蒸镀方法,其特征在于:
在对所述热膨胀量差进行校正之前,对所述位置偏移量进行校正。
12.如权利要求9所述的蒸镀方法,其特征在于:
在所述基板上形成所述覆膜之前进行:检测所述位置偏移量的工序;和对所述位置偏移量进行校正的工序。
13.如权利要求9所述的蒸镀方法,其特征在于:
一边在所述基板上形成所述覆膜,一边进行:检测所述位置偏移量的工序;和对所述位置偏移量进行校正的工序。
14.如权利要求9所述的蒸镀方法,其特征在于:
从所述蒸镀源和所述控制板单元以外的不同地点分别观察所述蒸镀源和所述控制板单元,检测所述位置偏移量。
15.如权利要求9所述的蒸镀方法,其特征在于:
从所述蒸镀源和所述控制板单元以外的共同地点同时观察所述蒸镀源和所述控制板单元,检测所述位置偏移量。
16.如权利要求9所述的蒸镀方法,其特征在于:
从所述蒸镀源和所述控制板单元中的一者观察另一者,检测所述位置偏移量。
17.如权利要求1~3中任一项所述的蒸镀方法,其特征在于:
所述覆膜是有机EL元件的发光层。
18.一种蒸镀装置,其特征在于:
该蒸镀装置是在基板上形成规定图案的覆膜的蒸镀装置,
所述蒸镀装置具备蒸镀单元、移动机构、检测热膨胀量差的单元和对所述热膨胀量差进行校正的单元,其中,
所述蒸镀单元具备:具备放出用于形成所述覆膜的蒸镀颗粒的多个蒸镀源开口的蒸镀源;配置在所述多个蒸镀源开口与所述基板之间的蒸镀掩模;和包括沿与所述基板的法线方向正交的第一方向配置的多个控制板,配置在所述蒸镀源与所述蒸镀掩模之间的控制板单元,
所述移动机构在使所述基板与所述蒸镀掩模隔开固定间隔的状态下,使所述基板和所述蒸镀单元中的一者,沿与所述基板的法线方向和所述第一方向正交的第二方向,相对于所述基板和所述蒸镀单元中的另一者相对移动,
所述检测热膨胀量差的单元检测所述蒸镀源和所述控制板单元间的在所述第一方向的热膨胀量差。
19.如权利要求18所述的蒸镀装置,其特征在于:
对所述热膨胀量差进行校正的单元包括使所述蒸镀源在与所述第一方向和所述第二方向平行的面内旋转的旋转驱动机构。
20.如权利要求18或19所述的蒸镀装置,其特征在于,还具备:
检测所述蒸镀源和所述控制板单元间的在所述第一方向的位置偏移量的单元;和
对所述位置偏移量进行校正的单元。
21.如权利要求20所述的蒸镀装置,其特征在于:
对所述位置偏移量进行校正的单元包括使所述蒸镀源在所述第一方向移动的直线驱动机构。
22.如权利要求20所述的蒸镀装置,其特征在于:
检测所述位置偏移量的单元包括与对所述热膨胀量差进行校正的单元共用的部件。
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