WO2015083586A1

WO2015083586A1 - 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び、その製造方法

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Publication number: WO2015083586A1
Application number: PCT/JP2014/081162
Authority: WO
Inventors: 井上　智; 菊池　克浩; 伸一川戸; 越智　貴志; 勇毅小林; 和樹松永
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2013-12-04
Filing date: 2014-11-26
Publication date: 2015-06-11
Also published as: US20160358980A1; US9685485B2

Abstract

本発明は、混色の発生を抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス装置、及び、その製造方法を提供する。本発明は、基板と、前記基板上に設けられた複数の有機ＥＬ素子とを備える有機ＥＬ装置であって、前記複数の有機ＥＬ素子は各々、発光材料を含む発光層を備え、前記複数の発光材料は、互いに異なる色で発光可能であり、前記複数の有機ＥＬ素子の一つは、他の有機ＥＬ素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第一の膜であって当該有機ＥＬ素子の発光層の上面に接する第一の膜を含み、かつ、他の有機ＥＬ素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第二の膜であって当該有機ＥＬ素子の発光層の下面に接する第二の膜を含まず、前記第一の膜が接する前記発光層は、前記上面から離れた部分で発光する有機ＥＬ装置である。

Description

有機エレクトロルミネッセンス装置、及び、その製造方法

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置とも言う。）、及び、その製造方法に関する。より詳しくは、大型のフラットパネルディスプレイに好適な有機ＥＬ装置、及び、その製造方法に関するものである。

近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化及び低消費電力化が求められている。

そのような状況下、有機材料の電界発光（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子とも言う。）を備えた有機ＥＬ装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイ用の表示装置として高い注目を浴びている。

有機ＥＬ装置は、例えば、ガラス基板等の基板上に、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）と、ＴＦＴに接続された有機ＥＬ素子とを有している。有機ＥＬ素子は、第１電極、有機エレクトロルミネッセンス層（以下、有機ＥＬ層とも言う。）を及び第２電極が、この順に積層された構造を有している。そのうち、第１電極は、ＴＦＴと接続されている。有機ＥＬ層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等の層が積層された構造を有している。

フルカラー表示のディスプレイ用の有機ＥＬ装置は、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色の有機ＥＬ素子をサブ画素として備え、これらのサブ画素はマトリクス状に配列され、３色のサブ画素から画素が構成されている。そして、これらの有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることによって画像表示が行われる。

例えば、反射電極と透明電極との間に発光層を含む有機化合物層を有する有機ＥＬ素子を複数備え、前記複数の有機ＥＬ素子は、二色以上の異なる発光スペクトルを有するものを含み、異なる発光スペクトルを有する有機ＥＬ素子の発光層内での発光領域が、前記異なる発光スペクトルに対応して膜厚方向で異なる位置にある多色発光素子が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。

また、特許文献１の［００４９］に記載の内容、すなわち発光層内において発光ゲスト材料をドープする領域を任意の場所のみとする方法が開示されている。

このような有機ＥＬ装置の製造においては、各色の有機ＥＬ素子（サブ画素）に対応させて、発光材料から発光層のパターンが形成される。

発光層のパターンの形成方法としては、基板に基板と同程度の大きさの蒸着マスクを接触させた状態で蒸着を行う方法（以下、コンタクト成膜法とも言う。）や、基板よりも小型の蒸着マスクを使用し、基板をマスク及び蒸着源に対して相対的に移動させながら基板全体に蒸着を行う方法（以下、ギャップ成膜法とも言う。）等の方法が提案されている。

特開２００４－１３４１０１号公報

しかしながら、ギャップ成膜法を用いて有機ＥＬ素子の発光層を塗り分けて有機ＥＬ装置を形成した場合、この装置を発光させると、本来の発光色に他の色が混じる混色現象がみられ、色純度が低下することがあった。

図２７の上段は、本発明者らが検討を行った有機ＥＬ装置の拡大写真を示し、図２７の下段は、上段に示された有機ＥＬ装置の断面模式図である。
図２７の上段に示すように、この有機ＥＬ装置は、遮光部１８０で分離された赤、緑及び青の有機ＥＬ素子１２０Ｒ、１２０Ｇ及び１２０Ｂを含む。図２７の上段は、赤の有機ＥＬ素子１２０Ｒのみを点灯させた場合を示しているが、他の素子領域に発光領域が広がっていることが分かる。これは、図２７の下段に示すように、所定の発光層以外の発光層の領域にも蒸着粒子が飛来し、発光層の上、及び／又は、下に他の発光層の発光材料が付着し、不要なパターンが形成されていることが原因と考えられる。

この現象は、基板と蒸着マスクを接触させるコンタクト成膜法を用いて発光層の塗り分けを行った場合でも部分的に発生することがあった。これは、蒸着マスクの自重による撓み、蒸着マスクの歪み等に起因して蒸着マスクと基板との間に部分的に隙間が生じるためと考えられる。

このように、基板と蒸着マスクとの間に隙間が存在する場合に、所定領域外にも発光材料が付着するのは、蒸着粒子同士の散乱、蒸着装置に付着した蒸着粒子の再蒸発等により、蒸着粒子が想定外の方向から基板に飛来することが原因と考えられる。

なお、特許文献１は、発光スペクトルに対応して発光層内での発光位置を変えているが、この手法では、上述の不要なパターンの影響を必ずしも排除しきれず、混色が発生する場合がある。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、混色の発生を抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス装置、及び、その製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明の一態様は、基板と、前記基板上に設けられた複数の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光材料を含む発光層を備え、
前記複数の発光材料は、互いに異なる色で発光可能であり、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の一つ（以下、有機エレクトロルミネッセンス素子Ｉとも言う。）は、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第一の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子Ｉの発光層（以下、発光層ｉとも言う。）の上面に接する第一の膜を含み、かつ、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第二の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子Ｉの発光層ｉの下面に接する第二の膜を含まず、
前記第一の膜が接する前記発光層ｉは、前記上面から離れた部分で発光する有機エレクトロルミネッセンス装置であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第１態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とも言う。

第１態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における好ましい実施形態について以下に説明する。なお、以下の好ましい実施形態は、適宜、互いに組み合わされてもよく、以下の２以上の好ましい実施形態を互いに組み合わせた実施形態もまた、好ましい実施形態の一つである。

前記第一の膜は、前記同じ発光材料を含有する前記発光層よりも薄くてもよい。

前記第一の膜は、前記第一の膜が接する前記発光層ｉよりも薄くてもよい。

前記第一の膜は、前記上面の全部に接してもよいし、前記上面の一部のみに接してもよい。

前記第一の膜は、複数（例えば、２以上、３以下）であり、
前記複数の第一の膜に含有される複数の発光材料は、互いに異なってもよい。

前記上面から離れた前記部分は、前記発光層ｉを厚さ方向で３等分したときの一部であって前記下面を含む部分であってもよい。

前記第一の膜が接する前記発光層ｉは、前記下面で発光してもよい。

前記第一の膜は、前記同じ発光材料を含有する前記発光層とひと続きにつながっていてもよいし、ひと続きにつながっていなくてもよい。

前記第一の膜を含む前記有機エレクトロルミネッセンス素子Ｉは、第１電極及び第２電極を備え、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子Ｉの前記第１電極、前記発光層ｉ、前記第一の膜、及び、前記第２電極は、この順に配置され、
前記第一の膜が接する前記発光層ｉは、前記第２電極から注入される電荷と同じ極性の電荷輸送性の発光層であってもよい。

前記第一の膜を含む前記有機エレクトロルミネッセンス素子Ｉは、第１電極、第２電極及び電荷ブロッキングを備え、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子Ｉの前記第１電極、前記電荷ブロッキング層、前記発光層ｉ、前記第一の膜、及び、前記第２電極は、この順に配置され、
前記電荷ブロッキング層は、前記第２電極から注入される電荷をブロックしてもよい。

前記基板は、ＴＦＴ基板又は絶縁基板であってもよい。

本発明の他の態様は、基板と、前記基板上に設けられた複数の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光材料を含む発光層を備え、
前記複数の発光材料は、互いに異なる色で発光可能であり、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の一つ（以下、有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＩとも言う。）は、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有し、かつ、当該有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＩの発光層（以下、発光層ｉｉとも言う。）の上面に接する第一の膜と、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有し、かつ、当該有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＩの発光層ｉｉの下面に接する第二の膜とを含み、
前記第一及び第二の膜が接する前記発光層ｉｉは、前記上面及び前記下面から離れた部分で発光する有機エレクトロルミネッセンス装置であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第２態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とも言う。

第２態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における好ましい実施形態について以下に説明する。なお、以下の好ましい実施形態は、適宜、互いに組み合わされてもよく、以下の２以上の好ましい実施形態を互いに組み合わせた実施形態もまた、好ましい実施形態の一つである。

前記第二の膜は、前記同じ発光材料を含有する前記発光層よりも薄くてもよい。

前記第一及び第二の膜は、各々、前記第一及び第二の膜が接する前記発光層ｉｉよりも薄くてもよい。

前記第二の膜は、前記下面の全部に接してもよいし、前記下面の一部のみに接してもよい。

前記第一及び第二の膜に含有される前記発光材料は、互いに異なってもよい。

前記第二の膜は、複数（例えば、２以上、３以下）であり、
前記複数の第二の膜に含有される複数の発光材料は、互いに異なってもよい。

前記上面及び前記下面から離れた前記部分は、前記発光層ｉｉを厚さ方向で３等分したときの中央の部分であってもよい。

前記第一及び第二の膜が接する前記発光層ｉｉは、厚さ方向における中心で発光してもよい。

前記第二の膜は、前記同じ発光材料を含有する前記発光層とひと続きにつながっていてもよいし、ひと続きにつながっていなくてもよい。

前記第一及び第二の膜が接する前記発光層ｉｉは、両極性の電荷輸送性の発光層であってもよい。

前記第一及び第二の膜が接する前記発光層ｉｉの前記発光材料は、電子輸送性のホスト材及び正孔輸送性のアシスト材を含み、
前記アシスト材のＨＯＭＯ（Highest Occupied Molecular Orbital）準位は、前記ホスト材のＨＯＭＯ準位よりも高くてもよい。

前記第一及び第二の膜が接する前記発光層ｉｉの前記発光材料は、正孔輸送性のホスト材及び電子輸送性のアシスト材を含み、
前記アシスト材のＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital）準位は、前記ホスト材のＬＵＭＯ準位よりも低くてもよい。

前記基板は、ＴＦＴ基板又は絶縁基板であってもよい。

本発明の他の態様は、基板と、前記基板上に設けられた複数の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光材料を含む発光層を備え、
前記複数の発光材料は、互いに異なる色で発光可能であり、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の一つ（以下、有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＩＩとも言う。）は、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第一の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＩＩの発光層（以下、発光層ｉｉｉとも言う。）の下面に接する第一の膜を含み、かつ、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第二の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＩＩの発光層ｉｉｉの上面に接する第二の膜を含まず、
前記第一の膜が接する前記発光層ｉｉｉは、前記下面から離れた部分で発光する有機エレクトロルミネッセンス装置であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第３態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とも言う。

第３態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における好ましい実施形態について以下に説明する。なお、以下の好ましい実施形態は、適宜、互いに組み合わされてもよく、以下の２以上の好ましい実施形態を互いに組み合わせた実施形態もまた、好ましい実施形態の一つである。

前記第一の膜は、前記第一の膜が接する前記発光層ｉｉｉよりも薄くてもよい。

前記第一の膜は、前記下面の全部に接してもよいし、前記下面の一部のみに接してもよい。

前記下面から離れた前記部分は、前記発光層ｉｉｉを厚さ方向で３等分したときの一部であって前記上面を含む部分であってもよい。

前記第一の膜が接する前記発光層ｉｉｉは、前記上面で発光してもよい。

前記第一の膜を含む前記有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＩＩは、第１電極及び第２電極を備え、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＩＩの前記第１電極、前記第一の膜、前記発光層ｉｉｉ、及び、前記第２電極は、この順に配置され、
前記第一の膜が接する前記発光層ｉｉｉは、前記第１電極から注入される電荷と同じ極性の電荷輸送性の発光層であってもよい。

前記第一の膜を含む前記有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＩＩは、第１電極、第２電極及び電荷ブロッキングを備え、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＩＩの前記第１電極、前記第一の膜、前記発光層ｉｉｉ、及び、前記電荷ブロッキング層、前記第２電極は、この順に配置され、
前記電荷ブロッキング層は、前記第１電極から注入される電荷をブロックしてもよい。

前記基板は、ＴＦＴ基板又は絶縁基板であってもよい。

本発明の他の態様は、基板と、前記基板上に設けられた複数の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、第１電極と、第２電極と、発光材料を含む発光層とを備え、
前記複数の発光材料は、互いに異なる色で発光可能であり、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の一つ（以下、有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＶとも言う。）は、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第一の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＶの発光層（以下、発光層ｉｖとも言う。）の上面に接する第一の膜を含み、かつ、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第二の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＶの発光層ｉｖの下面に接する第二の膜を含まず、
前記第一の膜を含む前記有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＶの前記第１電極、前記発光層ｉｖ、前記第一の膜、及び、前記第２電極は、この順に配置され、
前記第一の膜が接する前記発光層ｉｖは、前記第２電極から注入される電荷と同じ極性の電荷輸送性の発光層である有機エレクトロルミネッセンス装置であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第４態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とも言う。

本発明の他の態様は、基板と、前記基板上に設けられた複数の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、第１電極と、第２電極と、発光材料を含む発光層とを備え、
前記複数の発光材料は、互いに異なる色で発光可能であり、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の一つ（以下、有機エレクトロルミネッセンス素子Ｖとも言う。）は、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第一の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子Ｖの発光層（以下、発光層ｖとも言う。）の上面に接する第一の膜を含み、かつ、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第二の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子Ｖの発光層ｖの下面に接する第二の膜を含まず、
前記第一の膜を含む前記有機エレクトロルミネッセンス素子Ｖは、電荷ブロッキング層を更に備え、
前記第一の膜を含む前記有機エレクトロルミネッセンス素子Ｖの前記第１電極、前記電荷ブロッキング層、前記発光層ｖ、前記第一の膜、及び、前記第２電極は、この順に配置され、
前記電荷ブロッキング層は、前記第２電極から注入される電荷をブロックする有機エレクトロルミネッセンス装置であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第５態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とも言う。

本発明の他の態様は、基板と、前記基板上に設けられた複数の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光材料を含む発光層を備え、
前記複数の発光材料は、互いに異なる色で発光可能であり、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の一つ（以下、有機エレクトロルミネッセンス素子ＶＩとも言う。）は、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有し、かつ、当該有機エレクトロルミネッセンス素子ＶＩの発光層（以下、発光層ｖｉとも言う。）の上面に接する第一の膜と、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有し、かつ、当該有機エレクトロルミネッセンス素子ＶＩの発光層ｖｉの下面に接する第二の膜とを含み、
前記第一及び第二の膜が接する前記発光層ｖｉは、両極性の電荷輸送性の発光層である有機エレクトロルミネッセンス装置であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第６態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とも言う。

本発明の他の態様は、基板と、前記基板上に設けられた複数の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光材料を含む発光層を備え、
前記複数の発光材料は、互いに異なる色で発光可能であり、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の一つ（以下、有機エレクトロルミネッセンス素子ＶＩＩとも言う。）は、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有し、かつ、当該有機エレクトロルミネッセンス素子ＶＩＩの発光層（以下、発光層ｖｉｉとも言う。）の上面に接する第一の膜と、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有し、かつ、当該有機エレクトロルミネッセンス素子ＶＩＩの発光層ｖｉｉの下面に接する第二の膜とを含み、
前記第一及び第二の膜が接する前記発光層ｖｉｉの前記発光材料は、電子輸送性のホスト材及び正孔輸送性のアシスト材を含み、
前記アシスト材のＨＯＭＯ準位は、前記ホスト材のＨＯＭＯ準位よりも高い有機エレクトロルミネッセンス装置であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第７態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とも言う。

本発明の他の態様は、基板と、前記基板上に設けられた複数の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光材料を含む発光層を備え、
前記複数の発光材料は、互いに異なる色で発光可能であり、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の一つ（以下、有機エレクトロルミネッセンス素子ＶＩＩＩとも言う。）は、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有し、かつ、当該有機エレクトロルミネッセンス素子ＶＩＩＩの発光層（以下、発光層ｖｉｉｉとも言う。）の上面に接する第一の膜と、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有し、かつ、当該有機エレクトロルミネッセンス素子ＶＩＩＩの発光層ｖｉｉｉの下面に接する第二の膜とを含み、
前記第一及び第二の膜が接する前記発光層ｖｉｉｉの前記発光材料は、正孔輸送性のホスト材及び電子輸送性のアシスト材を含み、
前記アシスト材のＬＵＭＯ準位は、前記ホスト材のＬＵＭＯ準位よりも低い有機エレクトロルミネッセンス装置であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第８態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とも言う。

本発明の他の態様は、基板と、前記基板上に設けられた複数の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、第１電極と、第２電極と、発光材料を含む発光層とを備え、
前記複数の発光材料は、互いに異なる色で発光可能であり、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の一つ（以下、有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＸとも言う。）は、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第一の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＸの発光層（以下、発光層ｉｘとも言う。）の下面に接する第一の膜を含み、かつ、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第二の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＸの発光層ｉｘの上面に接する第二の膜を含まず、
前記第一の膜を含む前記有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＸの前記第１電極、前記第一の膜、前記発光層ｉｘ、及び、前記第２電極は、この順に配置され、
前記第一の膜が接する前記発光層ｉｘは、前記第１電極から注入される電荷と同じ極性の電荷輸送性の発光層である有機エレクトロルミネッセンス装置であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第９態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とも言う。

本発明の他の態様は、基板と、前記基板上に設けられた複数の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、第１電極と、第２電極と、発光材料を含む発光層とを備え、
前記複数の発光材料は、互いに異なる色で発光可能であり、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の一つ（以下、有機エレクトロルミネッセンス素子Ｘとも言う。）は、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第一の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子Ｘの発光層（以下、発光層ｘとも言う。）の下面に接する第一の膜を含み、かつ、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第二の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子Ｘの発光層ｘの上面に接する第二の膜を含まず、
前記第一の膜を含む前記有機エレクトロルミネッセンス素子Ｘは、電荷ブロッキング層を更に備え、
前記第一の膜を含む前記有機エレクトロルミネッセンス素子Ｘの前記第１電極、前記第一の膜、前記発光層ｘ、及び、前記電荷ブロッキング層、前記第２電極は、この順に配置され、
前記電荷ブロッキング層は、前記第１電極から注入される電荷をブロックする有機エレクトロルミネッセンス装置であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第１０態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とも言う。

本発明の他の態様は、基板と、前記基板上に設けられた複数の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光層を備え、
前記複数の発光層は、互いに異なる色で発光し、かつ、互いに隣接し、
前記複数の発光層の各々の少なくとも一部は、異なる色で発光する発光層と重畳しており、
前記重畳し合う複数の発光層のうち、下層となる発光層の少なくとも一つは、電子輸送性の発光材料を含み、
前記重畳し合う複数の発光層のうち、上層となる発光層の少なくとも一つは、正孔輸送性の発光材料を含む有機エレクトロルミネッセンス装置であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第１１態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とも言う。

本発明の他の態様は、基板と、前記基板上に設けられた複数の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光層を備え、
前記複数の発光層は、互いに異なる色で発光し、かつ、互いに隣接し、
前記複数の発光層の各々の少なくとも一部は、異なる色で発光する発光層と重畳しており、
前記重畳し合う複数の発光層のうち、下層となる発光層の少なくとも一つの下面の下には、電子ブロッキング層が設けられ、
前記重畳し合う複数の発光層のうち、上層となる発光層の少なくとも一つの上面の上には、正孔ブロッキング層が設けられる有機エレクトロルミネッセンス装置であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第１２態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とも言う。

第１～第１２態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、適宜組み合わされてもよく、そのような態様も本発明に含まれる。

例えば、第１～第３態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、互いに組み合わされてもよい。すなわち、本発明の他の態様は、基板と、前記基板上に設けられた第一、第二及び第三の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第一、第二及び第三の有機エレクトロルミネッセンス素子は、それぞれ、第一、第二及び第三の発光層を備え、
前記第一、第二及び第三の発光層は、それぞれ、第一、第二及び第三の発光材料を含み、
前記第一、第二及び第三の発光材料は、互いに異なる色で発光可能であり、
前記第一の有機エレクトロルミネッセンス素子は、
前記第二又は第三の発光材料と同じ発光材料を含有する第一の膜であって前記第一の発光層の上面に接する第一の膜を含み、かつ、
前記第二又は第三の発光材料と同じ発光材料を含有する第二の膜であって前記第一の発光層の下面に接する第二の膜を含まず、
前記第一の発光層は、前記第一の膜が接する前記上面から離れた部分で発光し、
前記第二の有機エレクトロルミネッセンス素子は、
前記第一又は第三の発光材料と同じ発光材料を含有し、かつ、前記第二の発光層の上面に接する第三の膜と、
前記第一又は第三の発光材料と同じ発光材料を含有し、かつ、前記第二の発光層の下面に接する第四の膜とを含み、
前記第二の発光層は、前記第三及び第四の膜がそれぞれ接する前記上面及び前記下面から離れた部分で発光し、
前記第三の有機エレクトロルミネッセンス素子は、
前記第一又は第二の発光材料と同じ発光材料を含有する第五の膜であって前記第三の発光層の下面に接する第五の膜を含み、かつ、
前記第一又は第二の発光材料と同じ発光材料を含有する第六の膜であって前記第三の発光層の上面に接する第六の膜を含まず、
前記第三の前記発光層は、前記第五の膜が接する前記下面から離れた部分で発光する有機エレクトロルミネッセンス装置であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第１３態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とも言う。

第１～第３態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における好ましい実施形態は、第４～第１３態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置に適宜適用されてもよい。なかでも、第１態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における好ましい実施形態は、第４及び第５態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置に好適であり、第２態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における好ましい実施形態は、第６～第８態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置に好適であり、第３態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における好ましい実施形態は、第９及び第１０態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置に好適である。

なお、第１３態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の第一及び第二の膜は、それぞれ、第１態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の第一及び第二の膜に対応し、第１３態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の第三及び第四の膜は、それぞれ、第２態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の第一及び第二の膜に対応し、第１３態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の第五及び第六の膜は、それぞれ、第３態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の第一及び第二の膜に対応する。

本発明の他の態様は、互いに異なる色で発光可能な複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光層を備え、
前記製造方法は、前記複数の発光層を順に形成する発光層蒸着工程を含み、
前記複数の発光層のうち、最初に形成された発光層は、当該発光層の上面から離れた部分で発光する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第１４態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法とも言う。

第１４態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法における好ましい実施形態について以下に説明する。

前記発光層蒸着工程において、互いに異なる場所に蒸着マスクの開口を配置した状態で、互いに異なる色で発光可能な複数の発光材料を基板に順に蒸着して前記複数の発光層を形成してもよい。

本発明の他の態様は、互いに異なる色で発光可能な３以上の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記３以上の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光層を備え、
前記製造方法は、前記３以上の発光層を順に形成する発光層蒸着工程を含み、
前記３以上の発光層のうち、最初又は最後に形成された発光層以外の発光層は、当該発光層の上面及び下面から離れた部分で発光する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第１５態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法とも言う。

第１５態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法における好ましい実施形態について以下に説明する。

前記発光層蒸着工程において、互いに異なる場所に蒸着マスクの開口を配置した状態で、互いに異なる色で発光可能な３以上の発光材料を基板に順に蒸着して前記３以上の発光層を形成してもよい。

本発明の他の態様は、互いに異なる色で発光可能な複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光層を備え、
前記製造方法は、前記複数の発光層を順に形成する発光層蒸着工程を含み、
前記複数の発光層のうち、最後に形成された発光層は、当該発光層の下面から離れた部分で発光する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第１６態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法とも言う。

第１６態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法における好ましい実施形態について以下に説明する。

本発明の他の態様は、基板上に、互いに異なる色で発光可能な複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、前記基板側から順に、前記第１電極、前記発光層、及び、前記第２電極を備え、
前記製造方法は、前記複数の発光層を順に形成する発光層蒸着工程を含み、
前記複数の発光層のうち、最初に形成された発光層は、前記第２電極から注入される電荷と同じ極性の電荷輸送性の発光層である有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第１７態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法とも言う。

本発明の他の態様は、基板上に、互いに異なる色で発光可能な複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、前記基板側から順に、前記第１電極、前記発光層、及び、前記第２電極を備え、
前記製造方法は、前記複数の発光層を順に形成する発光層蒸着工程と、
前記複数の発光層のうちの最初に形成された発光層と、前記第１電極との間に、前記第２電極から注入される電荷をブロックする電荷ブロッキング層を選択的に形成する工程とを含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第１８態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法とも言う。

本発明の他の態様は、互いに異なる色で発光可能な３以上の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記３以上の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光層を備え、
前記製造方法は、前記３以上の発光層を順に形成する発光層蒸着工程を含み、
前記３以上の発光層のうち、最初又は最後に形成された発光層以外の発光層は、電子輸送性のホスト材及び正孔輸送性のアシスト材を含み、
前記アシスト材のＨＯＭＯ準位は、前記ホスト材のＨＯＭＯ準位よりも高い有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第１９態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法とも言う。

本発明の他の態様は、互いに異なる色で発光可能な３以上の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記３以上の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光層を備え、
前記製造方法は、前記３以上の発光層を順に形成する発光層蒸着工程を含み、
前記３以上の発光層のうち、最初又は最後に形成された発光層以外の発光層は、正孔輸送性のホスト材及び電子輸送性のアシスト材を含み、
前記アシスト材のＬＵＭＯ準位は、前記ホスト材のＬＵＭＯ準位よりも低い有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第２０態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法とも言う。

本発明の他の態様は、互いに異なる色で発光可能な複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、前記基板側から順に、前記第１電極、前記発光層、及び、前記第２電極を備え、
前記製造方法は、前記複数の発光層を順に形成する発光層蒸着工程を含み、
前記複数の発光層のうち、最後に形成された発光層は、前記第１電極から注入される電荷と同じ極性の電荷輸送性の発光層である有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第２１態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法とも言う。

本発明の他の態様は、基板上に、互いに異なる色で発光可能な複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、前記基板側から順に、前記第１電極、前記発光層、及び、前記第２電極を備え、
前記製造方法は、前記複数の発光層を順に形成する発光層蒸着工程と、
前記複数の発光層のうちの最後に形成された発光層と、前記第２電極との間に、前記第１電極から注入される電荷をブロックする電荷ブロッキング層を選択的に形成する工程とを含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第２２態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法とも言う。

第１４～第２２態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、適宜組み合わされてもよく、そのような態様も本発明に含まれる。

例えば、第１４～第１６態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、互いに組み合わされてもよい。すなわち、本発明の他の態様は、互いに異なる色で発光可能な３以上の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記３以上の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光層を備え、
前記製造方法は、前記３以上の発光層を順に形成する発光層蒸着工程を含み、
前記３以上の発光層のうち、最初に形成された発光層は、当該発光層の上面から離れた部分で発光し、
前記３以上の発光層のうち、最初又は最後に形成された発光層以外の発光層は、当該発光層の上面及び下面から離れた部分で発光し、
前記３以上の発光層のうち、最後に形成された発光層は、当該発光層の下面から離れた部分で発光する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であってもよい。
以下、この有機エレクトロルミネッセンス装置を第２３態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法とも言う。

第１４～第１６態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法における好ましい実施形態は、第１７～第２３態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に適宜適用されてもよい。

本発明によれば、混色の発生を抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス装置、及び、その製造方法を実現することができる。

実施形態１の有機ＥＬ装置の断面模式図である。実施形態１の有機ＥＬ装置の平面模式図である。実施形態１の有機ＥＬ装置の断面模式図である。実施形態１の有機ＥＬ装置の平面模式図である。実施形態１の有機ＥＬ装置の断面模式図である。実施形態１の有機ＥＬ装置の断面模式図である。実施形態１の有機ＥＬ装置の断面模式図である。実施形態１の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の断面模式図である。実施形態１の有機ＥＬ装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。実施形態１の有機ＥＬ装置の発光層蒸着工程を説明するための斜視模式図である。実施形態１の有機ＥＬ装置の発光層蒸着工程を説明するための断面模式図である。実施例１の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。実施例２の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。実施例１及び２の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。実施例１及び２の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。実施形態２の有機ＥＬ装置の断面模式図である。実施形態２の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の断面模式図である。実施例２及び３の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。実施例２及び３の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。実施形態３の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の断面模式図である。実施例２及び４の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。実施形態４の有機ＥＬ装置の断面模式図である。実施例５及び６の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。実施例５及び６の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。実施例５の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。実施例６の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。上段は、本発明者らが検討を行った有機ＥＬ装置の拡大写真を示し、下段は、上段に示された有機ＥＬ装置の断面模式図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明を図面に参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

なお、本明細書において、下面とは、基板（例えばＴＦＴ基板、絶縁基板等）側の表面、すなわち基板に対向する表面を意味し、上面とは、下面の反対側の表面を意味する。

また、発光層の発光位置とは、発光層において発光源が存在する領域、すなわち、発光層において光が発生する領域を意味するものとする。

また、ある色の発光層又は発光材料とは、その色で発光可能な発光層又は発光材料を意味するものとする。

また、ＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位の高低については、真空準位との差がより小さいことを「高い」と記述し、真空準位との差がより大きいことを「低い」と記述する。

（実施形態１）
本実施形態では、ＲＧＢフルカラー表示のディスプレイ用のボトムエミッション型の有機ＥＬ装置と、その製造方法とについて主に説明するが、本実施形態は、他のタイプ、例えばトップエミッション型の有機ＥＬ素子と、その製造方法にも適用可能である。

なお、ボトムエミッション型とは、ＴＦＴ基板側から光を取り出すタイプの有機ＥＬ装置であり、トップエミッション型とは、ＴＦＴ基板とは反対側から光を取り出すタイプの有機ＥＬ装置である。

まず、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体の構成について説明する。
図１は、実施形態１の有機ＥＬ装置の断面模式図である。図２は、実施形態１の有機ＥＬ装置の平面模式図である。

図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１は、複数のＴＦＴ１２が設けられたＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０上に設けられ、対応するＴＦＴ１２に各々接続された複数の有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂと、これらの有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂを覆う封止部材４０とを備えている。

有機ＥＬ装置１は、封止部材４０として、封止樹脂４１及び封止基板４２を備えており、封止基板４２と、有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂが積層されたＴＦＴ基板１０とを封止樹脂４１を用いて貼り合わせることで、これら一対のＴＦＴ基板１０及び封止基板４２の間に有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂを封止している。また、有機ＥＬ装置１は、封止基板４０の表面であって有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂに対向する表面に貼付された乾燥剤４３を備えている。このような構造により、酸素及び水分が外部から各有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂへ浸入することを防止している。

ＴＦＴ基板１０は、支持基板として、透明な絶縁基板１１を有している。図２に示すように、絶縁基板１１上には、複数の配線１４が形成されており、複数の配線１４は、水平方向に設けられた複数のゲート線と、垂直方向に設けられ、ゲート線と交差する複数の信号線及び複数の電源供給線とを含んでいる。ゲート線には、ゲート線を駆動するゲート線駆動回路（図示せず）が接続され、信号線には、信号線を駆動する信号線駆動回路（図示せず）が接続されている。

有機ＥＬ装置１は、ＲＧＢフルカラー表示のアクティブマトリクス型ディスプレイとして機能し、画像表示が可能な表示領域を含んでいる。表示領域には、複数の画素２がマトリクス状に配列されている。配線１４で区画された各領域には、赤、緑又は青のサブ画素（ドット）２Ｒ、２Ｇ又は２Ｂが配置されている。サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂは、マトリクス状に配列されている。サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂの配列は、ストライプ配列であり、垂直方向には同じ色のサブ画素２Ｒ、２Ｇ又は２Ｂが配置され、水平方向には赤、緑及び青のサブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂが順番に配置されている。３つのサブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂから１つの画素２が構成されている。

有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂは、それぞれ、赤色、緑色及び青色に発光可能であり、対応する色のサブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂを構成している。

有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂは、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、各有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂは、対応するＴＦＴ１２に接続されている。対応するＴＦＴ１２がゲート信号の走査によって選択されてオン状態となると、有機ＥＬ素子には画像信号に応じた電流が流れる。このようにして有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの発光強度が個別に制御される。その結果、複数の画素２の色及び明るさが個別に制御され、表示領域に画像が表示される。

次に、ＴＦＴ基板１０と、有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂとの構成について詳述する。

図１に示すように、ＴＦＴ基板１０は、上述の絶縁基板１１、ＴＦＴ１２、配線１４等の構成部材に加えて、ＴＦＴ１２及び配線１４を覆う層間絶縁膜（平坦化膜）１３と、層間絶縁膜１３上に形成された絶縁層であるエッジカバー１５とを有している。なお、ＴＦＴ１２の構成は、一般的なものでよいので、ＴＦＴ１２に含まれる各層の図示及び説明は省略する。

各有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂは、層間絶縁膜１３上に設けられた第１電極２１と、第１電極２１上に設けられた有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に設けられた第２電極２６とを含んでいる。

層間絶縁膜１３は、絶縁基板１１上に、絶縁基板１１のほぼ全領域に渡って形成されている。層間絶縁膜１３には、複数のコンタクトホール１３ａが設けられており、各第１電極２１は、コンタクトホール１３ａを介して対応するＴＦＴ１２に電気的に接続されている。これにより、各ＴＦＴ１２は、対応する有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ又は２０Ｂに電気的に接続されている。

エッジカバー１５は、第１電極２１の端部で有機ＥＬ層が薄くなったり電界集中が起こったりすることによって第１電極２１と第２電極２６とが短絡することを防止するために形成されている。そのため、エッジカバー１５は、第１電極２１の周縁部を被覆するように形成されている。

エッジカバー１５には、第１電極２１の周縁部以外の部分が露出するように、開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂが設けられている。開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂがそれぞれ、有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂ（サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂ）の発光領域３Ｒ、３Ｇ及び３Ｂとなる。言い換えれば、絶縁性を有するエッジカバー１５によって表示領域が複数の領域に仕切られ、この仕切られた各領域に有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ又は２０Ｂ（サブ画素２Ｒ、２Ｇ又は２Ｂ）が設けられている。このように、エッジカバー１５は、素子分離膜としても機能している。

発光領域３Ｒ、３Ｇ及び３Ｂは、互いに重ならないようにマトリクス状に配列されている。

第１電極２１は、有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する陽極として機能する。第１電極２１は、サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂに対応してマトリクス状に設けられており、各第１電極２１は、対応する発光領域３Ｒ、３Ｇ又は３Ｂ（開口部１５Ｒ、１５Ｇ又は１５Ｂ）の全体に重なるように形成されている。

各有機ＥＬ層は、正孔注入層２２と、正孔輸送層２３と、発光層２４Ｒ、２４Ｇ又は２４Ｂと、電子輸送層２５とを含んでおり、これらは、絶縁基板１１側からこの順に積層されている。電子輸送層２５及び第２電極２６の間には、電子注入層が設けられてもよい。

正孔注入層２２は、各発光層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂへの正孔注入効率を高める機能を有する層である。正孔輸送層２３は、各発光層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層２２及び正孔輸送層２３は、表示領域全体に途切れることなく広がっており、第１電極２１を全て覆っている。

各発光層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂは、第１電極２１側から注入された正孔（ホール）と第２電極２６側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂは、互いに異なる発光材料を含んでいる。各発光層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂに注入された正孔及び電子は、各発光層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ内で再結合する。正孔及び電子の再結合によるエネルギーにより発光材料が励起されて励起子が生じ、その励起状態が基底状態に戻る際に励起エネルギーに応じた波長の光が出射される。発光層２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂに含まれる発光材料は、互いに異なる励起エネルギーを有するため、発光層２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂは、互いに異なる色で発光可能となる。発光層２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂに含まれる発光材料の発光スペクトルは、それぞれ、赤領域、緑領域及び青領域にピークを有するため、発光層２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂは、それぞれ、赤色、緑色及び青色に発光することが可能である。

発光層２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂは、サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂのストライプ配列に対応して、垂直方向にストライプ状に形成されている。発光層２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂは、それぞれ、開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂを覆っており、垂直方向に並んでいる発光領域３Ｒ、３Ｇ及び３Ｂの全体には、それぞれ、発光層２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂが途切れることなく広がっている。各発光層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂは、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料から形成されている。

電子輸送層２５は、第２電極２６から各発光層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。電子注入層は、第２電極２６から各発光層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂへの電子注入効率を高める機能を有する層である。

電子輸送層２５は、表示領域全体に途切れることなく広がっており、発光層２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂと正孔輸送層２３とを覆っている。電子注入層もまた、表示領域全体に途切れることなく広がるように形成され、電子輸送層２５を覆う。

第２電極２６は、有機ＥＬ層に電子を注入（供給）する陰極として機能する。第２電極２６は、表示領域全体に途切れることなく広がっており、電子輸送層２５又は電子注入層を覆っている。第２電極２６は、配線１４に電気的に接続されている。

なお、発光層２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂ以外の層は、有機ＥＬ層として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの特性に応じて適宜形成することができる。

有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの積層構造としては、例えば、下記（１）～（９）に示すようなものを採用することができる。
（１）第１電極／発光層／第２電極
（２）第１電極／正孔輸送層／発光層／第２電極
（３）第１電極／発光層／電子輸送層／第２電極
（４）第１電極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極
（５）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／第２電極
（６）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極
（７）第１電極／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（８）第１電極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（９）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極

なお、正孔注入層及び正孔輸送層は、互いに一体化されていてもよい。すなわち、正孔注入層及び正孔輸送層は、正孔注入層としての機能と正孔輸送層としの機能とを併せ持つ層（正孔注入層兼正孔輸送層）として形成されてもよい。

同様に、電子輸送層及び電子注入層は、互いに一体化されていてもよく、電子注入層及び電子輸送層は、電子注入層としての機能と電子輸送層としの機能とを併せ持つ層（電子注入層兼電子輸送層）として形成されてもよい。

また、有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの積層構造は、上記（１）～（９）のものに特に限定されず、各々、要求される特性に応じて所望の積層構造を採用することができる。

以下、有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの構造について、より詳細に説明する。
図３は、実施形態１の有機ＥＬ装置の断面模式図である。図４は、実施形態１の有機ＥＬ装置の平面模式図である。図５は、実施形態１の有機ＥＬ装置の断面模式図である。

図３に示すように、３色の発光層２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂのうち、最初に形成される発光層、例えば赤色の発光層２４Ｒを第１発光層２４（１）とし、２番目に形成される発光層、例えば緑色の発光層２４Ｇを第２発光層２４（２）とし、最後に形成される発光層、例えば青色の発光層２４Ｂを第３発光層２４（３）とする。また、第１、第２及び第３発光層２４（１）、２４（２）及び２４（３）を含む有機ＥＬ素子をそれぞれ第１、第２及び第３有機ＥＬ素子２０（１）、２０（２）及び２０（３）とする。第１有機ＥＬ素子２０（１）は、上述の有機エレクトロルミネッセンス素子Ｉ、ＩＶに対応し得る。第２有機ＥＬ素子２０（２）は、上述の有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＩ、ＶＩに対応し得る。第３有機ＥＬ素子２０（３）は、上述の有機エレクトロルミネッセンス素子ＩＩＩ、ＩＸに対応し得る。本実施形態の有機ＥＬ装置は、上述の第１１態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置に対応し得る。なお、３色の発光層２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂの形成順序は特に限定されず、適宜、決定することができる。

蒸着法によって複数の発光材料をパターン状に塗り分ける場合、理想的には、各発光材料は、所定のサブ画素の領域のみに蒸着され、他のサブ画素の領域には蒸着されず、異なる発光材料は互いに重ならない。しかしながら、ギャップ成膜法又はコンタクト成膜法では、基板と蒸着マスクとの間に隙間が生じるため、所定の領域外にも発光材料が蒸着される可能性がある。

そして、本実施形態では、図３及び４に示すように、各発光層２４（１）、２４（２）、２４（３）の発光材料は、対応するサブ画素の領域のみならず、その周辺領域にも蒸着されている。その結果、第１、第２及び第３発光層２４（１）、２４（２）及び２４（３）と同じ発光材料をそれぞれ含む第１、第２及び第３膜（以下、異物膜とも言う。）３１、３２及び３３が形成されている。第１、第２及び第３異物膜３１、３２及び３３は、所定の領域外の領域に発光材料が蒸着されることによって意図せず形成された膜であり、それぞれ、第１、第２及び第３発光層２４（１）、２４（２）及び２４（３）と同時に形成される。第１、第２及び第３異物膜３１、３２及び３３は、それぞれ、第１、第２及び第３発光層２４（１）、２４（２）及び２４（３）の周辺に形成されており、同じ発光材料を含む発光層及び異物膜は、互いに、ひと続きにつながっている。そして、各異物膜は、同じ発光材料を含む発光層の端部から、その発光層の周辺へ広がっている。

そのため、第１発光層２４（１）の上には、第２発光層２４（２）と同じ発光材料を含む第２異物膜３２と、第３発光層２４（３）と同じ発光材料を含む第３異物膜３３とが配置されている。第２発光層２４（２）の下には、第１発光層２４（１）と同じ発光材料を含む第１異物膜３１が配置されており、第２発光層２４（２）の上には、第３発光層２４（３）と同じ発光材料を含む第３異物膜３３が配置されている。第３発光層２４（３）の下には、第１発光層２４（１）と同じ発光材料を含む第１異物膜３１と、第２発光層２４（２）と同じ発光材料を含む第２異物膜３２が配置されている。

その結果、第１有機ＥＬ素子２０（１）は、第２電極２６及び第１発光層２４（１）の間に第２及び第３異物膜３２及び３３を含むことになり、第２有機ＥＬ素子２０（２）は、第１電極２１及び第２発光層２４（２）の間に第１異物膜３１を含むとともに、第２電極２６及び第２発光層２４（２）の間に第３異物膜３３を含むことになり、第３有機ＥＬ素子２０（３）は、第１電極２１及び第３発光層２４（３）の間に第１及び第２異物膜３１及び３２を含むことになる。

また、第１有機ＥＬ素子２０（１）において、第１発光層２４（１）の下面３５（１）の下には異物膜は存在しないが、第２及び第３異物膜３２及び３３が各々、第１発光層２４（１）の上面３４（１）の一部に接している。第２有機ＥＬ素子２０（２）において、第１異物膜３１が第２発光層２４（２）の下面３５（２）の一部に接しており、第３異物膜３３が第２発光層２４（２）の上面３４（２）の一部に接している。第３有機ＥＬ素子２０（３）において、第３発光層２４（３）の上面３４（３）の上には異物膜は存在しないが、第１及び第２異物膜３１及び３２が各々、第３発光層２４（３）の下面３５（３）の一部に接している。したがって、各有機ＥＬ素子において、第１、第２又は第３異物膜３１、３２又は３３の発光に起因して混色が生じることが懸念される。

しかしながら、本実施形態においては、第１電極２１及び第２電極２６にしきい値以上の電圧が印加され、第１電極２１及び第２電極２６の間に所定値以上の電流が流れると、第１発光層２４（１）は、上面３４（１）から離れた部分で発光し、第２発光層２４（２）は、下面３５（２）及び上面３４（２）から離れた部分で発光し、第３発光層２４（３）は、下面３５（３）から離れた部分で発光する。このため、第１、第２及び第３異物膜３１、３２及び３３が発光することを抑制でき、各有機ＥＬ素子において混色の発生を抑制することができる。また、下面３５（１）の下には他の異物膜は存在しないため、下面３５（１）側で混色が発生することを防止することができる。更に、上面３４（３）の上には他の異物膜は存在しないため、上面３４（３）側で混色が発生することを防止することができる。以上より、色純度が良く、表示品位が高いディスプレイを実現することができる。

より詳細には、第１発光層２４（１）内では、第１発光層２４（１）に注入された正孔と、第１発光層２４（１）に注入された電子とが、上面３４（１）から離れた部分で再結合して励起子が生成される。第２発光層２４（２）内では、第２発光層２４（２）に注入された正孔と、第２発光層２４（２）に注入された電子とが、下面３５（２）及び上面３４（２）から離れた部分で再結合して励起子が生成される。第３発光層２４（３）内では、第３発光層２４（３）に注入された正孔と、第３発光層２４（３）に注入された電子とが、下面３５（３）から離れた部分で再結合して励起子が生成される。したがって、各異物膜において励起子の生成を抑制することができる。また、各発光層内で生成された励起エネルギーが、その発光層と隣り合う異物膜へ移動することを抑制することができる。その結果、各異物膜の発光を抑制することができる。

混色の発生をより効果的に抑制する観点からは、図３に示すように、第１発光層２４（１）の発光位置４（１）は、下面３５（１）側に設定されることが好ましく、下面３５（１）に設定されることがより好ましい。また、第１発光層２４（１）の発光位置４（１）は、第１発光層２４（１）を厚さ方向で３等分したときの一部であって下面３５（１）を含む部分に設定されてもよい。

同様の観点からは、図３に示すように、第２発光層２４（２）の発光位置４（２）は、中央部に設定されることが好ましく、第２発光層２４（２）の厚さ方向のちょうど真ん中に設定されることがより好ましい。また、第２発光層２４（２）の発光位置４（２）は、第２発光層２４（２）を厚さ方向で３等分したときの中央の部分に設定されてもよい。

同様の観点からは、図３に示すように、第３発光層２４（３）の発光位置４（３）は、上面３４（３）側に設定されることが好ましく、上面３４（３）に設定されることがより好ましい。また、第３発光層２４（３）の発光位置４（３）は、第３発光層２４（３）を厚さ方向で３等分したときの一部であって上面３４（３）を含む部分に設定されてもよい。

なお、発光層の発光位置は、その発光層を含む有機ＥＬ素子の各層の材料のＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ及び電荷輸送性に基づいて、シミュレーションを行うことによって調べることができる。また、発光層がドープ材（ゲスト材）を含む場合は、ドープ位置が異なるサンプルを用いた検証実験から判断することも可能である。

各発光層２４（１）、２４（２）、２４（３）が１種類の材料、すなわち成分のみからなる場合、第１、第２及び第３異物膜の成分は、それぞれ、第１、第２及び第３発光層の成分と実質的に同じになる。

他方、各発光層２４（１）、２４（２）、２４（３）が２種類以上の材料、すなわち成分を含む場合は、第１、第２及び第３異物膜の組成は、それぞれ、通常、第１、第２及び第３発光層の組成と異なることになる。ただし、第１、第２及び第３異物膜は、それぞれ、通常、第１、第２及び第３発光層の成分以外の成分を含まない。すなわち、第１、第２及び第３異物膜は、それぞれ、通常、第１、第２及び第３発光層の２種類以上の成分から選択される少なくとも１種類の成分を含む。例えば、第１、第２及び第３異物膜は、それぞれ、第１、第２及び第３発光層の全種類の成分を含んでもよく、第１、第２及び第３異物膜の組成比は、それぞれ、第１、第２及び第３発光層の組成比と異なってもよい。

第１、第２及び第３異物膜３１、３２及び３３の平面形状は、特に限定されず、例えば、図４に示すように、帯状等の長手形状であってもよく、第１、第２及び第３異物膜３１、３２及び３３は、それぞれ、第１、第２及び第３発光層２４（１）、２４（２）及び２４（３）に沿って形成されていてもよい。また、第１、第２及び第３異物膜は、意図せず形成されたものであるため、不定形であってもよい。また、第１、第２及び第３異物膜は、表示領域全体にわたって配置されていてもよいし、表示領域の一部にのみ配置されていてもよい。

図５～７は、実施形態１の有機ＥＬ装置の断面模式図である。
図５に示すように、第１、第２及び第３異物膜３１、３２及び３３の少なくとも一つは、それと同じ発光材料を含む発光層の間の領域全体に広がっていてもよい。この場合、第１有機ＥＬ素子２０（１）では、第２異物膜３２は、第１発光層２４（１）の上面３４（１）の全体に接してもよく、第３異物膜３３は、第２異物膜３２上に配置されてもよい。第２有機ＥＬ素子２０（２）では、第１異物膜３１は、第２発光層２４（２）の下面３５（２）全体に接してもよく、第３異物膜３３は、第２発光層２４（２）の上面３４（２）全体に接してもよい。第３有機ＥＬ素子２０（３）では、第２異物膜３２は、第３発光層２４（３）の下面３５（３）全体に接してもよく、第１異物膜３１は、第２異物膜３２の下に配置されてもよい。

図６に示すように、第１、第２及び第３異物膜３１、３２及び３３は、それぞれ、第１、第２及び第３発光層２４（１）、２４（２）及び２４（３）と離れて配置されてもよい、すなわち、ひと続きにつながっていなくてもよい。また、図７に示すように、第１、第２及び第３異物膜３１、３２及び３３は各々、上面３４（１）～３４（３）の上、及び／又は、下面３４（１）～３５（１）の下のみに配置されてもよい。

第１、第２及び第３異物膜の膜厚は、特に限定されないが、第１、第２及び第３異物膜は、それぞれ、通常、第１、第２及び第３発光層よりも薄い。また、第１、第２及び第３異物膜は、各々、当該異物膜が接する発光層よりも薄い。より詳細には、各異物膜の膜厚は、当該異物膜が接する発光層の上面の上、又は、下面の下の領域において、０．０１ｎｍ～５ｎｍであることが好ましく、０．０１ｎｍ～２ｎｍであることがより好ましく、０．０１ｎｍ～１ｎｍであることが更に好ましい。

各発光層の発光位置を上述の場所に設定する具体的な手法は特に限定されないが、本実施形態では、第１、第２及び第３発光層の成膜順序に合わせて、それらの発光材料の電荷輸送性を適切に調整している。発光材料の電荷輸送性、すなわち電子輸送性及び正孔輸送性を調整することによって発光層内において電子及び正孔が再結合する位置を調整することができるため、各発光層の発光位置を上述の場所に適宜設定することができる。
図８は、実施形態１の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の断面模式図である。

具体的には、図８に示すように、第１発光層２４（１）の発光材料として、電子輸送性の発光材料を用いる。これにより、陰極として機能する第２電極２６から流れてくる電子と、陽極として機能する第１電極２１から流れてくる正孔とを正孔輸送層２３と第１発光層２４（１）との界面及び／又はその付近で再結合させることができる。そして、再結合によって生じた励起子が基底状態に戻るときに失うエネルギーが光として放出されるため、第１発光層２４（１）は、正孔輸送層２３と第１発光層２４（１）との界面及び／又はその付近で発光することができる。

第２発光層２４（２）の発光材料としては、両極性の電荷輸送性（以下、バイポーラ性とも言う。）の発光材料を用いる。これにより、電子と正孔とを第２発光層２４（２）の中央付近で再結合させることができ、そこで第２発光層２４（２）を発光させることができる。

第３発光層２４（３）の発光材料としては、正孔輸送性の発光材料を用いる。これにより、電子と正孔とを電子輸送層２５と第３発光層２４（３）との界面及び／又はその付近で再結合させることができ、そこで第３発光層２４（３）を発光させることができる。

このように、第１発光層２４（１）の発光材料が第２電極２６から注入される電荷と同じ極性の電荷輸送性を有していると、第１発光層２４（１）上に第２及び／又は第３異物膜が存在したとしても、第１発光層２４（１）の下面３５（１）に発光位置を設定することができる。

また、第２発光層２４（２）の発光材料が両極性の電荷輸送性を有していると、第２発光層２４（２）の上及び／又は下にそれぞれ第２及び／又は第３異物膜が存在したとしても、第２発光層２４（２）の中央付近に発光位置を設定することができる。

更に、第３発光層２４（３）の発光材料が第１電極２１から注入される電荷と同じ極性の電荷輸送性を有していると、第３発光層２４（３）の下に第１及び／又は第２異物膜が存在したとしても、第３発光層２４（３）の上面３４（３）に発光位置を設定することができる。

なお、本明細書において、電子輸送性とは、電子移動度が１×１０^－７ｍ／Ｖ・ｓ以上であり、かつ、正孔移動度が電子移動度よりも２桁以上小さいことを表してもよく、正孔輸送性とは、電子移動度が正孔移動度よりも２桁以上小さく、かつ、正孔移動度が１×１０^－７ｍ／Ｖ・ｓ以上であることを表してもよく、バイポーラ性とは、電子移動度が１×１０^－８ｃｍ／Ｖ・ｓ以上であり、正孔移動度が１×１０^－８ｃｍ／Ｖ・ｓ以上であり、かつ、両者の差が２桁未満であることを表してもよい。

また、上述のように異物膜を発光層と区別するのではなく、同じ発光材料を含有する層全体を１つの発光層として見ると、本実施形態においては、互いに異なる色で発光し、かつ、互いに隣接する複数の発光層の各々の少なくとも一部（例えば、端部）が、異なる色で発光する発光層と重畳しており、重畳し合う複数の発光層のうち、下層となる発光層が電子輸送性の発光材料を含み、重畳し合う複数の発光層のうち、上層となる発光層が正孔輸送性の発光材料を含んでいる。下層となる発光層上には他の発光層が重畳することになるが、下層となる発光層が電子輸送性の発光材料を含むため、下層となる発光層に重畳した部分の発光を抑制することができる。また、上層となる発光層の下には他の発光層が存在することになるが、下層となる発光層が正孔輸送性の発光材料を含むため、下層となる発光層の下に存在する部分の発光を抑制することができる。

次に、有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。
図９は、実施形態１の有機ＥＬ装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。

図９に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法は、ＴＦＴ基板・第１電極の作製工程Ｓ１、正孔注入層蒸着工程Ｓ２、正孔輸送層蒸着工程Ｓ３、発光層蒸着工程Ｓ４、電子輸送層蒸着工程Ｓ５、電子注入層蒸着工程Ｓ６、第２電極蒸着工程Ｓ７、及び、封止工程Ｓ８を含み得る。

なお、正孔注入層蒸着工程Ｓ２、正孔輸送層蒸着工程Ｓ３、電子輸送層蒸着工程Ｓ５、及び、電子注入層蒸着工程Ｓ６は、有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの積層構造に合わせて適宜、省略することができる。

まず、一般的な方法により、絶縁基板１１上にＴＦＴ１２、配線１４、層間絶縁膜１３等のＴＦＴ基板１０の構成部材を形成する。

絶縁基板１１としては、例えば、透明なガラス基板又は透明なプラスチック基板が挙げられる。

次に、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等の方法により、層間絶縁膜１３上に透明導電膜を形成する。

次に、透明導電膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを行った後、透明導電膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間絶縁膜１３上に第１電極２１が形成される。

第１電極２１用の透明導電膜の材料としては、仕事関数の大きい導電材料が好適に用いられる。具体的には、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料を用いることができる。有機ＥＬ装置１をトップエミッション型とする場合には、第１電極２１の材料として、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料を用いてもよい。

第１電極２１の厚さは特に限定されず、一般的な有機ＥＬ素子のものと同様の膜厚に設定してもよい。具体的には、５ｎｍ～５００ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍ～４００ｎｍであることがより好ましく、２０ｎｍ～２００ｎｍであることが更に好ましい。

次に、第１電極２１を覆うように絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行い、開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂが設けられたエッジカバー１５を形成する。

エッジカバー１５の材料としては、例えば、感光性アクリル樹脂や感光性ポリイミド樹脂等の感光性樹脂を用いることができる。

以上の工程により、ＴＦＴ基板１０及び第１電極２１が作製される（ＴＦＴ基板・第１電極の作製工程Ｓ１）。

次に、上記工程を経たＴＦＴ基板１０を洗浄した後、脱ガスのための減圧ベークと、第１電極２１の表面洗浄のための酸素プラズマ処理とを施す。

次いで、一般的な蒸着装置を用いて、エッジカバー１５及び第１電極２１を覆うように、表示領域全体に正孔注入層２２の材料を蒸着し、正孔注入層２２を形成する（正孔注入層蒸着工程Ｓ２）。

より具体的には、少なくとも表示領域全体が露出するように開口部が形成されたオープンマスクを、ＴＦＴ基板１０に対しアライメント調整を行った後にＴＦＴ基板１０に貼り合わせる。そして、ＴＦＴ基板１０及びオープンマスクを共に回転させながら、蒸着源より飛散した蒸着粒子を、オープンマスクの開口部を通じて表示領域全体に均一に蒸着する。

なお、本明細書において、表示領域全体へ蒸着又は形成するとは、少なくとも全表示領域を含む領域全体に途切れることなく蒸着又は形成することを意味する。したがって、隣接したサブ画素の間の領域も蒸着又は形成される。

次に、正孔注入層蒸着工程Ｓ２と同様の方法により、正孔注入層２２を覆うように、表示領域全体に正孔輸送層２３の材料を蒸着し、正孔輸送層２３を形成する（正孔輸送層蒸着工程Ｓ３）。

正孔注入層２２及び正孔輸送層２３の材料は特に限定されず、一般的な有機ＥＬ素子のものと同様の材料を使用してもよい。具体的には、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、及び、これらの誘導体；ポリシラン系化合物；ビニルカルバゾール系化合物；チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、又は、ポリマー；等が挙げられる。

正孔注入層２２及び正孔輸送層２３の厚さは特に限定されず、一般的な有機ＥＬ素子のものと同様の膜厚に設定してもよい。具体的には、各々の厚さは、０．１ｎｍ～５００ｎｍであることが好ましく、０．３ｎｍ～３００ｎｍであることがより好ましく、０．５ｎｍ～２００ｎｍであることが更に好ましい。

正孔注入層２２と正孔輸送層２３とは、上述のように一体化されていてもよいし、独立した層として形成されてもよい。

次に、ギャップ成膜法又はコンタクト成膜法により、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂを覆うように、サブ画素２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂに対応して発光層２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂをそれぞれ形成（パターン形成）する（発光層蒸着工程Ｓ４）。発光層２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂは、任意の順番で別々に形成される。

図１０は、実施形態１の有機ＥＬ装置の発光層蒸着工程を説明するための斜視模式図である。

ギャップ成膜法を用いる場合、図１０に示すように、所定の方向（図１０中、白抜き矢印の方向。以下、走査方向とも言う。）に一定速度で、基板（被成膜基板）９０を蒸着源６０及び蒸着マスク６５を含む蒸着ユニットに対して相対的に移動（走査）させながら蒸着を行う。

基板９０は、上記工程Ｓ１、Ｓ２及びＳ３を経て作製された基板であり、上述のように、絶縁基板１１上に正孔輸送層２３までが形成されたものである。

蒸着源６０及び蒸着マスク６５は、一つの蒸着ユニットとして一体化されている。蒸着マスク６５は、蒸着源６０及び基板９０の間に配置され、蒸着マスク６５は、蒸着源６０から離れて配置されている。蒸着中、蒸着マスク６５と蒸着源６０との間の間隔は所定の大きさに保たれている。なお、この間隔は特に限定されず、一般的なギャップ成膜法において採用されるものと同程度に設定されさてもよい。

また、基板９０の走査中に基板９０が損傷するのを防止するために、基板９０は、蒸着マスク６５との間に所定の間隔を空けた状態で走査される。この間隔の大きさは特に限定されず、一般的なギャップ成膜法において採用されるものと同程度に設定されてもよい。具体的には、０．０１ｍｍ～１０ｍｍであることが好ましく、０．０５ｍｍ～５ｍｍであることがより好ましく、０．１ｍｍ～２ｍｍであることが更に好ましい。

蒸着源６０は、走査方向に直交する方向に長い箱状の容器であり、内部には発光材料が収められている。蒸着源６０の上部には、複数の射出口（開口）６１が周期的に設けられている。蒸着源６０を加熱することによって発光材料が蒸気となり、この蒸気が蒸着源６０内を拡散し、そして、射出口６１から上方に向かって噴き出す。その結果、各射出口６１からは、蒸着粒子の流れである蒸着流が発生する。

蒸着マスク６５には、複数の開口６６が形成されている。各開口６６は、走査方向に長く、走査方向に直交する方向に短い形状（例えば、スリット状）に形成されており、走査方向と略平行に配置されている。蒸着マスク６５に飛来した蒸着流の一部は開口６６を通過して基板９０に到達し、残りは蒸着マスク６５によって遮蔽される。そのため、蒸着マスク６５の開口６６に対応したパターンで基板９０に蒸着粒子が堆積する。

蒸着マスク６５は、基板９０より小さいため、蒸着マスク６５を容易に製造することが可能となり、また、蒸着マスク６５自身の自重による撓みの発生を抑制することができる。また、蒸着マスク６５の走査方向における幅６５Ｗを最小化することができる。

そして、発光層蒸着工程Ｓ４では、蒸着を３回行う。また、蒸着毎に、基板９０に対する蒸着マスク６５の相対的な位置を水平面内で変化させる。このようにして、第１、第２及び第３発光層をこの順番に形成する。

各蒸着では、蒸着源６０等を含む蒸着ユニットに対して基板９０を相対的に移動（走査）させながら基板９０に蒸着粒子を付着させて、ストライプ状のパターン、すなわち第１、第２又は第３発光層を形成する。このとき、上述したように、発光材料が所定領域以外に広がってしまい、第１、第２及び第３発光層の形成と同時に、それぞれ、第１、第２及び第３異物膜が形成される。

しかしながら、最初に形成される第１発光層は、上面から離れた部分で発光するように形成され、２番目に形成される第２発光層は、下面及び上面から離れた部分で発光するように形成され、最後に形成される第３発光層は、下面から離れた部分で発光するように形成される。このため、異物膜が発光することを抑制でき、混色の発生を抑制することができる。

なお、ギャップ成膜法においては、第１、第２及び第３異物膜は、（１）蒸着マスク６５及び基板９０の間の間隔、（２）蒸着流の広がる範囲（角度）、（３）成膜レート、（４）サブ画素のピッチ、及び、（５）蒸着マスク６５の剛性を調整することで容易に形成することができる。上記（１）～（３）については大きくすると、上記（４）及び（５）については小さくすると、異物膜がより発生しやすくなる。

上記（１）に関しては、蒸着マスク６５及び基板９０の距離が広がると、蒸着マスク６５の法線（マスク６５の主面に垂直な線）に対してある角度で斜め方向から飛来した蒸着粒子は、蒸着マスク６５の開口部を通過した後、所定の場所から外れた所に堆積し、結果的に、所定のパターンより広がったパターンで基板９０に成膜される。したがって、蒸着マスク６５が基板９０から遠いほど、異物膜は発生しやすく、逆に、蒸着マスク６５が基板９０に近づくほど、異物膜の発生は抑制される。上記（２）については、蒸着流の広がる範囲（角度）が大きくなると、所定のサブ画素外の場所に蒸着粒子が堆積し、異物膜が形成される範囲が大きくなる。上記（３）については、成膜レートが大きくなると、蒸着粒子が増え、蒸着粒子の散乱の度合いが強くなるため、異物膜がより発生しやすくなる。上記（４）に関しては、サブ画素ピッチが小さくなると、所定のサブ画素に隣のサブ画素が近づくため、隣のサブ画素で異物膜が発生しやすくなる。上記（５）では、蒸着マスク６５の剛性が小さいと、蒸着マスク６５のたわみが大きくなるため、蒸着マスク６５の法線に対して斜めに飛来する蒸着粒子は、より広い領域に堆積し、より広い範囲で異物膜が形成される。したがって、異物膜がより発生しやすくなる。

より具体的には、上記（１）に関して、蒸着マスク６５及び基板９０の距離が１ｍｍ以下であれば、異物膜の発生は少ないが、それよりも大きいと異物膜は発生しやすくなり、特に２ｍｍ以上では明らかに発生する。上記（２）については、２０度以上の角度で蒸着流が広がると、原理的に、異物膜発生の回避が困難となる。上記（３）については、成膜レートが５Å／ｓｅｃ．以下では異物膜はあまり発生しないが、５Å／ｓｅｃ．よりも高レートになるとかなりの割合で異物膜が発生する。上記（４）については、解像度が１００ｐｐｉ以下であれば画素サイズに余裕があるため異物膜はあまり問題にならないが、１００ｐｐｉより大きいと問題となる。上記（５）に関しては、一般的に、蒸着マスク６５の剛性率が１０ＧＰａ未満であれば異常膜が問題となるが、１０ＧＰａ以上であればほとんど問題とならない。

なお、蒸着中、基板９０と、蒸着源６０及び蒸着マスク６５を含む蒸着ユニットとは、いずれか一方を固定し、他方のみを移動させてもよし、両者を移動させてもよい。

図１１は、実施形態１の有機ＥＬ装置の発光層蒸着工程を説明するための断面模式図である。

コンタクト成膜法を用いる場合、図１１に示すように、蒸着源７０の上方に配置された基板９０及び蒸着マスク７５を水平面内で回転させながら蒸着を行う。

蒸着マスク７５は、蒸着源７０及び基板９０の間に配置され、蒸着マスク７５は、蒸着源７０から離れて配置されている。蒸着中、蒸着マスク７５と蒸着源７０との間の間隔は所定の大きさに保たれている。なお、この間隔は特に限定されず、一般的なコンタクト成膜法において採用されるものと同程度に設定されさてもよい。

蒸着マスク７５の少なくとも一部は、基板９０に接触して配置されているが、蒸着マスク７５の自重による撓み、蒸着マスク７５の歪み等に起因して蒸着マスク７５と基板９０との間には部分的に隙間が生じている。

蒸着源７０は、上部が開放された容器であり、内部には発光材料が収められている。蒸着源７０を加熱することによって発光材料が蒸気となり、この蒸気は上方に向かっていき、その結果、蒸着粒子の流れである蒸着流が発生する。

蒸着マスク７５には、発光層２４Ｒ、２４Ｇ又は２４Ｂと同様のパターン、すなわちスリット状のパターンで複数の開口（図示せず）が形成されている。蒸着マスク７５に飛来した蒸着流の一部は開口を通過して基板９０に到達し、残りは蒸着マスク７５によって遮蔽される。そのため、蒸着マスク７５の開口に対応したパターンで基板９０に蒸着粒子が堆積する。

蒸着マスク７５は、基板９０と実質的に同じ大きさであり、小型化が困難であるため、上述のように、蒸着マスク７５の自重による撓み、及び、蒸着マスク７５の歪みが発生しやすい。

そして、発光層蒸着工程Ｓ４では、蒸着を３回行う。また、蒸着毎に、基板９０に対する蒸着マスク７５の相対的な位置を水平面内で変化させる。このようにして、３色の発光層２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂを順番に形成していく。

各蒸着では、基板９０及び蒸着マスク７５を水平面内で回転させながら基板９０に蒸着粒子を付着させて、ストライプ状のパターン、すなわち発光層２４Ｒ、２４Ｇ又は２４Ｂを形成する。このとき、蒸着マスク７５と基板９０との間には部分的に隙間が生じているため、上述したように、発光材料が所定領域以外に広がってしまい、第１、第２及び第３異物膜が同時に形成される。

なお、コンタクト成膜法においては、第１、第２及び第３異物膜は、（１）蒸着マスク７５のサイズ、（２）蒸着マスク７５の重量、（３）蒸着流の広がる範囲（角度）、（４）成膜レート、（５）サブ画素のピッチ、及び、（６）蒸着マスク７５の剛性を調整することで容易に形成することができる。上記（１）～（４）については大きくすると、上記（５）及び（６）については小さくすると、異物膜がより発生しやすくなる。

各発光層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの材料としては、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い発光材料が好適である。

また、第１、第２及び第３発光層の材料としては、それぞれ、電子輸送性の発光材料、バイポーラ性の発光材料、及び、正孔輸送性の発光材料を用いる。

電子輸送性の発光材料、バイポーラ性の発光材料、及び、正孔輸送性の発光材料は特に限定されず、一般的な有機ＥＬ素子のものと同様の材料を使用してもよい。具体的には、電子輸送性の発光材料としては、例えば、Ａｌｑ_３（トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム、緑色発光）等が挙げられ、バイポーラ性の発光材料としては、例えば、ＣＢＰ（４，４’－Ｎ，Ｎ’－ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｅ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ）にＩｒ（ｐｐｙ）_３をドープしたもの（緑色発光）等が挙げられる。正孔輸送性の発光材料としては、例えば、ＰＶＫ（ポリ（ビニルカルバゾール）、青色発光）、ＰＶＫにＴＰＢ（１，１，４，４－テトラフェニル－１、３－ブタジエン）をドープしたもの（青色発光）、ＰＶＫにクマリン６をドープしたもの（緑色発光）、ＰＶＫにＤＣＭ１（４－（ジシアノメチレン）－２－メチル－６－（４－ジメチルアミノスチリル）－４Ｈ－ピラン）をドープしたもの（赤色発光）等が挙げられる。

各発光層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの厚さは特に限定されず、一般的な有機ＥＬ素子のものと同様の膜厚に設定してもよい。具体的には、各々の厚さは、５ｎｍ～２００ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍ～１００ｎｍであることがより好ましく、２０ｎｍ～６０ｎｍであることが更に好ましい。

次に、正孔注入層蒸着工程Ｓ２と同様の方法により、正孔輸送層２３と第１、第２及び第３発光層を覆うように、表示領域全体に電子輸送層２５の材料を蒸着し、電子輸送層２５を形成する（電子輸送層蒸着工程Ｓ５）。

電子輸送層２５の材料は特に限定されず、一般的な有機ＥＬ素子のものと同様の材料を使用してもよい。具体的には、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、及び、これらの誘導体又は金属錯体等が挙げられる。

より具体的には、例えば、Ａｌｑ_３（トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、１，１０－フェナントロリン、及び、これらの誘導体又は金属錯体等が挙げられる。

電子輸送層２５の厚さは特に限定されず、一般的な有機ＥＬ素子のものと同様の膜厚に設定してもよい。具体的には、１ｎｍ～５００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ～１００ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ～５０ｎｍであることが更に好ましい。

次に、正孔注入層蒸着工程Ｓ２と同様の方法により、電子輸送層２５を覆うように、表示領域全体に電子注入層の材料を蒸着し、電子注入層を形成する（電子注入層蒸着工程Ｓ６）。

電子注入層の材料は特に限定されず、一般的な有機ＥＬ素子のものと同様の材料を使用してもよい。具体的には、例えば、アルカリ金属の酸化物又はフッ化物、アルカリ土類金属の酸化物又はフッ化物等が挙げられる。より具体的には、例えば、ＬｉＦ等が挙げられる。

電子注入層の厚さは特に限定されず、一般的な有機ＥＬ素子のものと同様の膜厚に設定してもよい。具体的には、各々の厚さは、０．１ｎｍ～５０ｎｍであることが好ましく、０．１ｎｍ～２０ｎｍであることがより好ましく、０．３ｎｍ～１０ｎｍであることが更に好ましい。

電子輸送層２５と電子注入層とは、上述のように一体化されていてもよいし、独立した層として形成されてもよい。

次に、正孔注入層蒸着工程Ｓ２と同様の方法により、電子注入層を覆うように、表示領域全体に第２電極２６の材料を蒸着し、第２電極２６を形成する（第２電極蒸着工程Ｓ７）。この結果、ＴＦＴ基板１０上に有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂが形成される。

第２電極２６の材料としては、仕事関数の小さい金属が好適に用いられる。具体的には、例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金；ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金；金属カルシウム；等が挙げられる。

第２電極２６の厚さは特に限定されず、一般的な有機ＥＬ素子のものと同様の膜厚に設定してもよい。具体的には、１ｎｍ～５００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ～２００ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ～１００ｎｍであることが更に好ましい。

次に、有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂが形成されたＴＦＴ基板１０と、乾燥剤４３が貼付された封止基板４２とを封止樹脂４１を用いて貼り合わせ、有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの封入を行う。

封止基板４２としては、彫り込みガラスを使用し、封止樹脂４１は、彫り込みガラスの周縁部に接するように枠状に設けられる。

なお、有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの封止方法は、上述の方法に特に限定されず、他のあらゆる封止方法を採用することが可能である。他の封止方式としては、例えば、ＴＦＴ基板１０と、平板状の封止基板４２との間に樹脂を充填する方法等が挙げられる。

また、酸素及び水分が外部から有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂ内に浸入することをより効果的に阻止するために、第２電極２６を覆うように保護膜（図示せず）を形成してもよい。

保護膜は、絶縁性又は導電性の材料から形成することができる。このような材料としては、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン等が挙げられる。

上記工程の結果、有機ＥＬ装置１が完成する。本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、混色の発生を抑制することができる有機ＥＬ装置、すなわち、色純度が良く、表示品位が高いディスプレイを実現することができる。また、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法として好適である。

なお、本実施形態においては、第１、第２及び第３発光層の少なくとも一つが上述の場所で発光していれば、その発光層を含む有機ＥＬ素子において混色の発生を抑制することができる。したがって、必ずしも全ての発光層が上述の場所で発光する必要はない。ただし、混色を特に効果的に抑制する観点からは、第１、第２及び第３発光層が上述の場所で発光することが好ましい。

また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、トップエミッション型であってもよい。

以下、本実施形態の有機ＥＬ装置を実際に作製し、その特性を評価した結果を示す。

（実施例１）
まず、公知の手法でガラス基板上にエッジカバーまで形成した。陽極として機能する第１電極は、膜厚７０ｎｍのインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜をパターニングして形成した。

次に、エッジカバーが形成された基板を洗浄した後、２００℃、大気圧下の窒素雰囲気のオーブンに１時間投入し、その後、真空中、２００℃で２時間加熱した。

次に、ＵＶ／Ｏ_３（紫外線／オゾン）によって基板の表面を処理した。

その後、有機ＥＬ層の構成部材を形成した。全て、１０^－３Ｐａ以下の高真空中で蒸着法により形成した。

まず、ＬＧ－１０１（ＬＧ化学社製）を表示領域全体に蒸着し、表示領域の全域を少なくとも含む領域全体に膜厚３０ｎｍの正孔注入層をベタパターンで形成した（すなわち途切れることなく形成した）。成膜レートは１Å／ｓｅｃ．に固定し、るつぼの温度は２００℃～４００℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

次に、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ－ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ－１－ｙｌ）－Ｎ，Ｎ－ｄｉｐｈｅｎｙｌ－ｂｅｎｚｉｄｅｎｅ）を表示領域全体に蒸着し、表示領域の全域を少なくとも含む領域全体に膜厚１０ｎｍの正孔輸送層をベタパターンで形成した。成膜レートは１Å／ｓｅｃ．に固定し、るつぼの温度は２００℃～４００℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

次に、発光層の形成方法について説明する。発光層は全て、ストライプ状の複数の開口が形成された蒸着マスクを用いて形成した。

まず、ホスト材として電子輸送性のＡｌｑ_３（トリス（８－キノリノラト）アルミニウム）、ドーピング材としてＤＣＭ２を用い、これらの材料を基板上に共蒸着し、第１発光層として、膜厚４０ｎｍの電子輸送性発光層（赤）を形成した。いずれの材料も市販品であった。ドーパント濃度は発光層の総膜厚の５％とした。ホスト材の成膜レートは１Å／ｓｅｃ．に固定し、ドーパントの成膜レートは０．０５Å／ｓｅｃ．に固定した。各材料のるつぼの温度は２００℃～４００℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

次に、ホスト材として電荷輸送性がパイポーラ性であるＣＢＰ、ドーピング材としてＩｒ（ｐｐｙ）_３を用い、これらの材料を基板上に共蒸着し、第２発光層として、膜厚４０ｎｍの電荷輸送性がパイポーラ性の発光層（緑）を形成した。いずれの材料も市販品であった。ドーパント濃度は発光層の総膜厚の５％とした。ホスト材の成膜レートは１Å／ｓｅｃ．に固定し、ドーパントの成膜レートは０．０５Å／ｓｅｃ．に固定した。各材料のるつぼの温度は２００℃～４００℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

そして、ホスト材としてジフェニルアミノベンゾジフラン（ＤＰＡＢＤＦ）、アクセプターとしてテトラフルオロテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱＦ４）、発光性ドーパントとしてトリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）を用い、これらの材料を基板上に共蒸着し、第３発光層として、膜厚３５ｎｍの正孔輸送性発光層（青）を形成した。アクセプター濃度は発光層の総膜厚の２０％とし、ドーパント濃度は発光層の総膜厚の５％とした。ホスト材の成膜レートは１Å／ｓｅｃ．に固定し、アクセプターの成膜レートは０．２７Å／ｓｅｃ．に固定し、ドーパントの成膜レートは０．０７Å／ｓｅｃ．に固定した。各材料のるつぼの温度は２００℃～４００℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

次に、ＴＲ－Ｅ３１４（東レ社製）を表示領域全体に蒸着し、表示領域の全域を少なくとも含む領域全体に膜厚２０ｎｍの電子輸送層をベタパターンで形成した。成膜レートは１Å／ｓｅｃ．に固定し、るつぼの温度は２００℃～４００℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

次に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を表示領域全体に蒸着し、表示領域の全域を少なくとも含む領域全体に膜厚０．５ｎｍの電子注入層をベタパターンで形成した。成膜レートは０．０１Å／ｓｅｃ．に固定し、るつぼの温度は２００℃～４００℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

次に、陰極として機能する第２電極として、アルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍの厚みで表示領域全面に形成した。

最後に、公知の手法によって有機ＥＬ素子の封止を行った。

本実施例では、発光をガラス基板側から光を取り出すボトムエミッション構造とした。

（実施例２）

第１発光層、第２発光層及び第３発光層が異なることを除いて、実施例１と同様にして本実施例の有機ＥＬ装置を作製した。本実施例では、全ての発光層を電子輸送性材料を用いて形成した。

ホスト材として電子輸送性のＮＳ６０（新日鐵化学社製）、ドーパントとしてＲＤ２６（ＵＤＣ社製）を用い、これらの材料を基板上に共蒸着し、第１発光層として、膜厚２５ｎｍの電子輸送性発光層（赤）を形成した。ドーパント濃度は発光層の総膜厚の４％とした。ホスト材の成膜レートは１Å／ｓｅｃ．に固定し、ドーパントの成膜レートは０．０４Å／ｓｅｃ．に固定した。各材料のるつぼの温度は２５０℃～３５０℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

次に、ホスト材として電子輸送性のＮＳ６０（新日鐵化学社製）、ドーパントとしてＧＤ４８（ＵＤＣ社製）を用い、これらの材料を基板上に共蒸着し、第２発光層として、膜厚３０ｎｍの電子輸送性発光層（緑）を形成した。ドーパント濃度は発光層の総膜厚の２０％とした。ホスト材の成膜レートは０．８Å／ｓｅｃ．に固定し、ドーパントの成膜レートは０．２Å／ｓｅｃ．に固定した。各材料のるつぼの温度は２５０℃～３５０℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

そして、ホスト材として電子輸送性のＢＨ２３２（出光興産社製）、ドーパントとしてＢＤ３１０（出光興産社製）を用い、これらの材料を基板上に共蒸着し、第３発光層として、膜厚３０ｎｍの電子輸送性発光層（青）を形成した。ドーパント濃度は発光層の総膜厚の７．５％とした。ホスト材の成膜レートは１Å／ｓｅｃ．に固定し、ドーパントの成膜レートは０．０７５Å／ｓｅｃ．に固定した。各材料のるつぼの温度は２５０℃～３５０℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

以下、実施例１及び２の特性について説明する。

図１２及び１３は、それぞれ、実施例１及び２の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。
図１２及び１３に示すように、第１発光層については、実施例１及び２のいずれにおいても、第１発光層が電子輸送性を有しているため、混色は生じず、本来の発光色を呈することができた。これは、実施例１及び２において、発光位置が第１発光層と正孔輸送層との界面に存在し、第２及び第３異物膜が存在し得る第１発光層の上面から離れた場所で第１発光層が発光するためであると考えられる。

図１４及び１５は、実施例１及び２の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。

図１４に示すように、第２発光層については、実施例２では、本来の発光色以外のスペクトル成分（赤）が存在するが、実施例１では、そのような成分が存在せず、混色の発生を防止することができ、本来の発光色を呈することができた。この結果から、実施例２では、赤色の発光材料を含む第１異物膜が第２発光層の下に存在すると考えられ、また、第２発光層が電子輸送性を有するため、発光位置が第２発光層の下面付近に存在すると考えられる。他方、実施例１では、発光位置が第２発光層の上面及び下面から離れた場所に存在すると考えられ、第１及び第３異物膜がそれぞれ存在し得る第２発光層の上面及び下面から離れた場所で第２発光層が発光していると考えられる。これは、第２発光層がパイポーラ性の電荷輸送性を有するためである。

第３発光層については、図１５に示すように、実施例２では、本来の発光色以外のスペクトル成分（赤及び青）が存在するが、実施例１では、そのような成分が存在せず、混色の発生を防止することができ、本来の発光色を呈することができた。この結果から、実施例２では、赤色及び緑色の発光材料をそれぞれ含む第１及び第２異物膜が第３発光層の下に存在すると考えられ、また、第３発光層が電子輸送性を有するため、発光位置が第３発光層の下面付近に存在すると考えられる。他方、実施例１では、発光位置が第３発光層と電子輸送層との界面に存在し、第１及び第２異物膜が存在し得る第３発光層の下面から離れた場所で第３発光層が発光していると考えられる。これは、第３発光層が正孔輸送性を有するためである。

なお、実施例１と実施例２では、発光材料が互いに異なることから発光スペクトルのピーク位置は互いに異なる。

（実施形態２）
本実施形態は、有機ＥＬ素子の層構造が異なることを除いて、実施形態１と実質的に同じである。したがって、本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については説明を省略する。また、本実施形態と実施形態１とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一の符号を付し、本実施形態において、その部材の説明は省略する。

図１６は、実施形態２の有機ＥＬ装置の断面模式図である。本実施形態の有機ＥＬ装置は、上述の第１２態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置に対応し得る。

本実施形態では、発光層の発光位置を調整する手法として、電荷ブロッキング層を追加する手法を採用している。具体的には、図１６に示すように、第１発光層２４（１）を含む第１有機ＥＬ素子２０（１）は、電子ブロッキング層２７を更に含んでいる。電子ブロッキング層２７は、電子ブロック性及び正孔輸送性を有する層である。電子ブロッキング層２７は、第１有機ＥＬ素子２０（１）に対して選択的に形成されており、他の第２及び第３発光層２４（２）及び２４（３）をそれぞれ含む第２及び第３有機ＥＬ素子２０（２）及び２０（３）は、電子ブロッキング層を含んでいない。電子ブロッキング層２７を含む第１有機ＥＬ素子２０（１）は、上述の有機エレクトロルミネッセンス素子Ｖに対応し得る。

また、第３発光層２４（３）を含む第３有機ＥＬ素子２０（３）は、正孔ブロッキング層２８を更に含んでいる。正孔ブロッキング層２８は、正孔ブロック性及び電子輸送性を有する層である。正孔ブロッキング層２８は、第３有機ＥＬ素子２０（３）に対して選択的に形成されており、他の第１及び第２有機ＥＬ素子２０（１）及び２０（２）は、正孔ブロッキング層を含んでいない。正孔ブロッキング層２８を含む第３有機ＥＬ素子２０（３）は、上述の有機エレクトロルミネッセンス素子Ｘに対応し得る。

なお、電子ブロッキング層２７及び正孔ブロッキング層２８の他に、実施形態１と同様、第１有機ＥＬ素子２０（１）は、正孔輸送層２３を含み、第３有機ＥＬ素子２０（３）は、電子輸送層２５を含んでいる。電子ブロッキング層２７及び正孔ブロッキング層２８以外のこれらの電荷輸送層は、電荷ブロッキング性能を有しておらず、正孔輸送層２３及び電子輸送層２５は、それぞれ、電子ブロッキング性能及び正孔ブロッキング性能を有していない。

図１７は、実施形態２の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の断面模式図である。
図１７に示すように、第１有機ＥＬ素子２０（１）では、陰極として機能する第２電極２６から流れてくる電子は、電子ブロッキング層２７によってせき止められ、電子ブロッキング層２７と第１発光層２４（１）との界面及び／又はその付近に集中する。そのため、電子と正孔とを電子ブロッキング層２７と第１発光層との界面及び／又はその付近で再結合させることができ、そこで第１発光層２４（１）を発光させることができる。このため、第２及び第３異物膜３２及び３３が発光することを抑制でき、混色の発生を抑制することができる。

第３有機ＥＬ素子２０（３）では、陽極として機能する第１電極２１から流れてくる正孔は、正孔ブロッキング層２８によってせき止められ、正孔ブロッキング層２８と第３発光層２４（３）との界面及び／又はその付近に集中する。そのため、電子と正孔とを正孔ブロッキング層２８と第３発光層２４（３）との界面及び／又はその付近で再結合させることができ、そこで第３発光層２４（３）を発光させることができる。このため、第１及び第２異物膜３１及び３２が発光することを抑制でき、混色の発生を抑制することができる。

また、第１有機ＥＬ素子２０（１）において、電子が正孔と再結合することなく第１発光層２４（１）を通過することを防止でき、第３有機ＥＬ素子２０（３）において、正孔が電子と再結合することなく第３発光層２４（３）を通過することを防止できる。そのため、電子及び正孔の再結合を効率的に発生させることができ、輝度の向上が可能である。

第１及び第３発光層２４（１）及び２４（３）の電荷輸送性は特に限定されず、電子輸送性でもよいし、正孔輸送性でもよいし、バイポーラ性でもよい。電子輸送性及び正孔輸送性の発光層は、それぞれ、正孔及び電子を全く流さないわけではなく、電子輸送性発光層は、正孔よりも電子をよく流す発光層であり、正孔輸送性発光層は、電子よりも正孔をよく流す発光層である。また、発光層を流れる電荷が全て発光に寄与するわけではなく、発光層を単に通過してしまう電荷も存在する。したがって、第１発光層２４（１）がどのような電荷輸送性を有していても、第１発光層２４（１）を流れる電子は電子ブロッキング層２７によってせき止められ、電子ブロッキング層２７と第１発光層２４（１）との界面及び／又はその付近に集中し、ここで再結合が生じることになる。また、第３発光層２４（３）がどのような電荷輸送性を有していても、第３発光層２４（３）を流れる正孔は正孔ブロッキング層２８によってせき止められ、正孔ブロッキング層２８と第３発光層２４（３）との界面及び／又はその付近に集中し、ここで再結合が生じることになる。

なお、第２発光層２４（２）を含む有機ＥＬ素子２０（２）については、実施形態１と同様に、第２発光層２４（２）がバイポーラ性の発光材料を含有することによって混色の発生を抑制することが可能である。

また、異物膜を発光層と区別するのではなく、同じ発光材料を含有する層全体を１つの発光層として見ると、本実施形態においては、互いに異なる色で発光し、かつ、互いに隣接する複数の発光層の各々の少なくとも一部（例えば、端部）が、異なる色で発光する発光層と重畳しており、重畳し合う複数の発光層のうち、下層となる発光層の下面の下には、電子ブロッキング層が設けられ、重畳し合う複数の発光層のうち、上層となる発光層の上面の上には、正孔ブロッキング層が設けられている。下層となる発光層上には他の発光層が重畳することになるが、下層となる発光層の下面の下には電子ブロッキング層が設けられているため、下層となる発光層に重畳した部分の発光を抑制することができる。また、上層となる発光層の下には他の発光層が存在することになるが、上層となる発光層の上面の上には正孔ブロッキング層が設けられているため、下層となる発光層の下に存在する部分の発光を抑制することができる。

本実施形態の有機ＥＬ装置は、電子ブロッキング層２７及び正孔ブロッキング層２８の蒸着工程を追加することを除いて、実施形態１の有機ＥＬ装置と同様にして作製することができる。

電子ブロッキング層２７及び正孔ブロッキング層２８は、それぞれ、第１及び第３発光層形成用の蒸着マスクを用いて形成することができ、これにより、第１及び第３発光層と同様のパターンに電子ブロッキング層２７及び正孔ブロッキング層２８をそれぞれ形成することができる。

（実施例３）
電子ブロッキング層及び正孔ブロッキング層を追加で形成したことを除いて、実施例２と同様にして本実施例の有機ＥＬ装置を作製した。すなわち、本実施例では、全ての発光層を電子輸送性材料を用いて形成した。

まず、実施例１と同様にして、正孔輸送層の蒸着工程までを行った。ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ－ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ－１－ｙｌ）－Ｎ，Ｎ－ｄｉｐｈｅｎｙｌ－ｂｅｎｚｉｄｅｎｅ）を表示領域全体に蒸着し、表示領域の全域を少なくとも含む領域全体に膜厚１０ｎｍの正孔輸送層をベタパターンで形成した。ＮＰＢは、正孔輸送性を有するが、電子ブロッキング性能を有さない。

次に、第１発光層用の蒸着マスクを用いて、電子ブロッキング層の蒸着工程を行った。具体的には、電子ブロック性を有するトリフェニルジアミン（ＴＰＤ）を基板上に蒸着し、膜厚１０ｎｍの電子ブロッキング層を形成した。成膜レートは１Å／ｓｅｃ．に固定し、るつぼの温度は１２５℃～１５０℃の範囲内であった。

次に、実施例２と同様にして、第１、第２及び第３発光層を形成した。

次に、第３発光層用の蒸着マスクを用いて、正孔ブロッキング層の蒸着工程を行った。具体的には、正孔ブロック性を有するＮＳ６０（新日鐵化学社製）を基板上に蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔ブロッキング層を形成した。成膜レートは１Å／ｓｅｃ．に固定し、るつぼの温度は２５０℃～３００℃の範囲内であった。

なお、実施例２では、ＮＳ６０を第１及び第２発光層のホスト材として用いた。他方、本実施例では、第３発光層へのゲスト材のドーピングにより、第３発光層と正孔ブロッキング層との界面では、見かけ上、ＨＯＭＯ準位がホスト材のＨＯＭＯ順位より高くなる。そのため、第３発光層上に、ゲスト材がドーピングされていないホスト材のみから層を形成することによって、その層に正孔ブロック性を出現させ、その層を正孔ブロッキング層として機能させることが可能である。

その後、実施例１と同様の工程を行って、本実施例の有機ＥＬ装置を完成した。

このように、本実施例では、第１発光層の下のみに電子ブロッキング層を形成した。ただし、電子ブロッキング層の下には、他の有機ＥＬ素子と共通の電子輸送層を形成した。また、第３発光層上のみに正孔ブロッキング層を形成し、他の発光層上には正孔ブロッキング層を形成しなかった。

本実施例では、第１発光層と電子ブロッキング層の界面及びその付近に電子が集中することとなり、そこで電子ブロッキング層から運ばれる正孔と再結合する。これにより、励起子が形成され、その励起エネルギーが第１発光層のドーパントに伝わり所定の発光色を呈する。このように、第１発光層を含む第１有機ＥＬ素子において、発光位置は第１発光層の下面に存在するため、第１発光層の上面上に存在し得る第２及び第３異物膜の影響を低減することが可能となる。

また、第３発光層と正孔ブロッキング層の界面及びその付近に正孔が集中することとなり、そこで正孔ブロッキング層から運ばれる電子と再結合する。これにより、励起子が形成され、その励起エネルギーが第３発光層のドーパントに伝わり所定の発光色を呈する。このように、第３発光層を含む第３有機ＥＬ素子において、発光位置は第３発光層の上面に存在するため、第３発光層の下面の下に存在し得る第１及び第２異物膜の影響を低減することが可能となる。

図１８は、実施例２及び３の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。図１８に示すように、第１発光層については、実施例２及び３のいずれにおいても、本来の発光色以外のスペクトル成分（青及び緑）がほとんど存在せず、混色の発生を防止することができ、本来の発光色を呈することができた。この結果から、実施例２及び３では、第１及び第２異物膜が存在し得る発光層の上面から離れた場所で発光層が発光していると考えられる。

図１８に示したように、第１発光層について、実施例３の発光スペクトルは、実施例２のものと同様であるが、実施例３は、実施例２よりも高い輝度を得ることができる。これは、実施例２では再結合しなかった電子は第１発光層を通過するが、実施例３では電子を第１発光層と電子ブロッキング層の界面でせき止めることが可能であり、該界面及びその付近でより効率的に電子を正孔と再結合させることができるためである。

図１９は、実施例２及び３の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。図１９に示すように、第３発光層については、実施例２では、本来の発光色以外のスペクトル成分（赤及び青）が存在するが、実施例３では、そのような成分が存在せず、混色の発生を防止することができ、本来の発光色を呈することができた。この結果から、実施例３では、第１及び第２異物膜が存在し得る発光層の下面から離れた場所で発光層が発光していると考えられる。

（実施形態３）
本実施形態は、第２発光層の材料が異なることを除いて、実施形態１と実質的に同じである。したがって、本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については説明を省略する。また、本実施形態と実施形態１とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一の符号を付し、本実施形態において、その部材の説明は省略する。
図２０は、実施形態３の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の断面模式図である。

図２０に示すように、第２発光層２４（２）は、（１）電子輸送性のホスト材と、ホスト材よりもＨＯＭＯが高い正孔輸送性のアシスト材と、ドーパント（ドープ材、ゲスト材）とを含んでいるか、又は、（２）正孔輸送性のホスト材と、ホスト材よりもＬＵＭＯが低い電子輸送性のアシスト材と、ドーパントとを含んでいる。この第２発光層２４（２）を含む第２有機ＥＬ素子２０（２）は、上述の有機エレクトロルミネッセンス素子ＶＩＩ、ＶＩＩＩに対応し得る。

上記（１）の場合、電子輸送性のホスト材では、正孔輸送性が電子輸送性よりも低くなっている。正孔輸送性は、ＨＯＭＯ準位が低いと、すなわち真空準位との差が大きいと、低くなる。このホスト材にＨＯＭＯ準位が高いアシスト材を混ぜると、アシスト材に正孔が引き込まれる結果、第２発光層２４（２）へ正孔が入りやすくなる。これにより、第２発光層２４（２）の正孔輸送性が高まり、バイポーラ性に近づく。また、ホスト材は、電子輸送性であるため、第２発光層２４（２）の上面３４（２）及びその付近では電子と正孔の再結合は生じにくい。したがって、第２発光層２４（２）における電子と正孔の再結合領域を第２発光層２４（２）の厚さ方向における中心部付近にすることが可能である。その結果として、発光位置を第２発光層２４（２）の下面３５（２）から離すことが可能となる。

上記（２）の場合、正孔輸送性のホスト材では、電子輸送性が正孔輸送性よりも低くなっている。電子輸送性は、ＬＵＭＯ準位が高いと、すなわち真空準位との差が小さいと、低くなる。このホスト材にＬＵＭＯ準位が低いアシスト材を混ぜると、アシスト材に電子が引き込まれる結果、第２発光層２４（２）へ電子が入りやすくなる。これにより、第２発光層２４（２）の電子輸送性が高まり、バイポーラ性に近づく。また、ホスト材は、正孔輸送性であるため、第２発光層２４（２）の下面３５（２）及びその付近では電子と正孔の再結合は生じにくい。したがって、第２発光層２４（２）における電子と正孔の再結合領域を第２発光層２４（２）の厚さ方向における中心部付近にすることが可能である。その結果として、発光位置を第２発光層２４（２）の上面３４（２）から離すことが可能となる。

以上より、第２発光層２４（２）の上及び下にそれぞれ第１及び第３異物膜３１及び３３が存在したとしても、第２発光層２４（２）を含む第２有機ＥＬ素子２０（２）は、それらの影響を受けにくくなるため、第２有機ＥＬ素子２０（２）の発光色の悪化を防止することができる。

ホスト材及びアシスト材の具体的なＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位は各々、特に限定されず、適宜設定することができるが、例えば、ホスト材のＨＯＭＯ準位は、５ｅＶ～６．５ｅＶであってもよく、ホスト材のＬＵＭＯ準位は２ｅＶ～３ｅＶであってもよく、アシスト材のＨＯＭＯ準位は、５ｅＶ～６ｅＶであってもよく、アシスト材のＬＵＭＯ準位は２．５ｅＶ～３ｅＶであってもよい。

また、ホスト材とアシスト材とドーパントの割合（組成比）は、特に限定されず、適宜設定することができるが、例えば、ホスト材、アシスト材及びドーパントを含む発光層の総膜厚に対して、アシスト材、及び、ドーパントの組成比率は、それぞれ、０．１～０．５、及び、０．０１～０．３であってもよい。

なお、ドーパントは、主に、ホスト材又はアシスト材で電子及び正孔が再結合して生じた励起エネルギーがホスト材又はアシスト材からドーパントに移動することで発光する。そのため、電荷の移動機構は、ホスト材及びアシスト材のエネルギー準位に主に基づいて決定される。したがって、ドーパントのＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位は特に限定されず、一般的な設計指針に基づいて適宜設定することができる。

（実施例４）
第２発光層の蒸着工程が異なることを除いて、実施例１と同様にして実施例４の有機ＥＬ装置を作製した。

まず、実施例１と同様にして、第１発光層の蒸着工程までを行った。

次に、ホスト材として電子輸送性のＮＳ６０（新日鐵化学社製）、アシスト材として、ＳＤ０３（ＵＤＣ社製）、ドーパントとしてＧＤ４８（ＵＤＣ社製）を用い、これらの材料を基板上に共蒸着し、第２発光層として、膜厚６０ｎｍの電子輸送性発光層（緑）を形成した。蒸着マスクとして、ストライプ状の複数の開口が形成されたものを用いた。アシスト材濃度は発光層の総膜厚の４０％とし、ドーパント濃度は発光層の総膜厚の２０％とした。ホスト材の成膜レートは０．４Å／ｓｅｃ．に固定し、アシスト材の成膜レートは０．４Å／ｓｅｃ．に固定し、ドーパントの成膜レートは０．２Å／ｓｅｃ．に固定した。各材料のるつぼの温度は２５０℃～４００℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。ＮＳ６０のＨＯＭＯ準位は、５．８ｅＶであり、ＳＤ０３のＨＯＭＯ準位は、５．６ｅＶである。

図２１は、実施例２及び４の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。図２１に示すように、第２発光層については、実施例２では、本来の発光色以外のスペクトル成分（赤）が存在するが、実施例４では、そのような成分が存在せず、混色の発生を防止することができ、本来の発光色を呈することができた。実施例４では、発光位置が第２発光層の上面及び下面から離れた場所に存在し、第１及び第３異物膜がそれぞれ存在し得る発光層の上面及び下面から離れた場所で第２発光層が発光していると考えられる。

（実施形態４）
本実施形態は、有機ＥＬ素子の構造が上下反転していることを除いて、実施形態１と実質的に同じである。したがって、本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については説明を省略する。また、本実施形態と実施形態１とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一の符号を付し、本実施形態において、その部材の説明は省略する。
図２２は、実施形態４の有機ＥＬ装置の断面模式図である。

図２２に示すように、各有機ＥＬ素子２０（１）、２０（２）、２０（３）は、第１電極２１、有機ＥＬ層及び第２電極２６を含み、これらは、絶縁基板１１側からこの順に積層されている。

第１電極２１は、有機ＥＬ層に電子を注入（供給）する陰極として機能し、ＴＦＴ（図示せず）と接続されている。各第１電極２１は、対応するサブ画素の領域内に形成されている。

第１電極２１と第２電極２６との間には、有機ＥＬ層として、電子注入層２９、電子輸送層２５、発光層２４（１）、２４（２）又は２４（３）、正孔輸送層２３、及び、正孔注入層２２が、絶縁基板１１側からこの順に積層されている。

第２電極２６は、有機ＥＬ層に正孔を注入する陽極として機能する。第２電極２６は、表示領域全体に途切れることなく広がっており、正孔注入層２２を覆っている。第２電極２６は、配線（図示せず）に電気的に接続されている。

なお、発光層２４（１）、２４（２）及び２４（３）以外の層は、有機ＥＬ層として必須の層ではなく、要求される第１、第２及び第３有機ＥＬ素子２０（１）、２０（２）及び２０（３）の特性に応じて適宜形成することができる。

第１、第２及び第３有機ＥＬ素子の積層構造としては、例えば、下記（１）～（９）に示すようなものを採用することができる。
（１）第１電極／発光層／第２電極
（２）第１電極／発光層／正孔輸送層／第２電極
（３）第１電極／電子輸送層／発光層／第２電極
（４）第１電極／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／第２電極
（５）第１電極／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／第２電極
（６）第１電極／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／第２電極
（７）第１電極／電子注入層／電子輸送層／発光層／第２電極
（８）第１電極／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／第２電極
（９）第１電極／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／第２電極

なお、実施形態１と同様に、正孔注入層と正孔輸送層とは、互いに一体化されていてもよい。また、電子輸送層と電子注入層とは、互いに一体化されていてもよい。

また、第１、第２及び第３有機ＥＬ素子の積層構造は、上記（１）～（９）のものに特に限定されず、各々、要求される特性に応じて所望の積層構造を採用することができる。

実施形態１に対して有機ＥＬ素子の構造が上下反転している本実施形態によっても、実施形態１と同様に、混色の発生を抑制することができ、色純度が良く、表示品位が高いディスプレイを実現することができる。

なお、本実施形態において各発光層の発光位置を調節する具体的な手法は特に限定されず、実施形態１～３において説明した手法を適宜採用することができる。

また、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法は、実施形態１の有機ＥＬ装置の製造方法と同様の工程を含み得るが、ただし、有機ＥＬ層の蒸着工程の順序は、実施形態１の場合と逆になる。

（実施例５）
実施例５の有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。

まず、市販の無アルカリガラス基板を公知の方法で洗浄し、その後、このガラス基板上に公知の方法でＴＦＴ及び配線を形成した。

次に、ＴＦＴ及び配線上に、ＣＶＤ法等の方法により無機絶縁膜を形成し、その後、無機絶縁膜に公知のフォトリソグラフィ法によりコンタクトホールを形成した。エッチングは、ドライエッチングを行った。

次に、無機絶縁膜上に、スピンコート法により市販のアクリル樹脂材を３μｍの厚みとなるように塗布した後、１４０℃で５分間、該樹脂材が塗布された基板を仮焼成（プリベーク）して平坦化膜を形成した。その後、露光及び現像を含む公知のフォトプロセスにより、第１電極をＴＦＴに接続するためのコンタクトホールを平坦化膜に形成した。そして、この基板をオーブンを用いて２００℃で１時間、大気中で焼成した。この結果、無機絶縁膜及び平坦化膜を含む層間絶縁膜が形成された。

次に、焼成された基板の全面上に、スパッタ法により、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）膜を形成し、その後、公知のフォトリソグラフィ法によりパターン形成を行った。

次に、ＩＺＯのパターンが形成された基板の全面上に、スパッタ法により、Ａｌ（アルミニウム）膜を１００ｎｍの厚みで形成し、その後、公知のフォトリソグラフィ法によりパターン形成を行った。このようにして、陰極として機能する第１電極を形成した。

次に、Ａｌのパターンが形成された基板上に、市販のアクリル樹脂を２μｍの厚みとなるように塗布した後、１４０℃で３分間、該樹脂が塗布された基板を仮焼成（プリベーク）して樹脂膜を形成した。その後、露光及び現像を含む公知のフォトプロセスにより、第１電極の一部であって周縁部を除く部分が露出するように開口部を樹脂膜に形成し、第１電極の周縁部を覆うエッジカバーを形成した。

次に、エッジカバーが形成された基板を７０℃の純水で１５分間、超音波洗浄した後、窒素ブローにより、基板に付着した水滴を飛ばした。その後、この基板を２００℃、窒素雰囲気のオーブンに１時間投入し、水分を飛ばした。

次に、この基板を１０^－３Ｐａ以下の高真空チャンバーに投入し、２００℃で１時間加熱し、脱ガスさせた。

次に、この基板に対して、１０^－３Ｐａ以下の高真空チャンバーで酸素プラズマによる公知の表面改質処理を行った。

次に、有機ＥＬ層の構成部材を形成した。全て、１０^－３Ｐａ以下の高真空中で蒸着法により形成した。

まず、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を表示領域全体に蒸着し、表示領域を少なくとも含む領域全体に膜厚０．５ｎｍの電子注入層をベタパターンで形成した（すなわち途切れることなく形成した）。成膜レートは０．１Å／ｓｅｃ．に固定し、るつぼの温度は７５０℃～８００℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

次に、東レ株式会社製のＴＲ－Ｅ３１４を表示領域全体に蒸着し、表示領域の全域を少なくとも含む領域全体に膜厚１５ｎｍの電子輸送層をベタパターンで形成した。成膜レートは１Å／ｓｅｃ．に固定し、るつぼの温度は３８０℃～４００℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

次に、発光層の形成方法について説明する。発光層は全て、ストライプ状の複数の開口が形成された蒸着マスクを用いて実施例１と同様の手法で形成した。

まず、ホスト材としてジフェニルアミノベンゾジフラン（ＤＰＡＢＤＦ）、アクセプターとしてテトラフルオロテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱＦ４）、発光性ドーパントとしてトリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）を用い、これらの材料を基板上に共蒸着し、第１発光層として、膜厚３５ｎｍの正孔輸送性発光層（青）を形成した。アクセプター濃度は発光層の総膜厚の２０％とし、ドーパント濃度は発光層の総膜厚の５％とした。ホスト材の成膜レートは０．８Å／ｓｅｃ．に固定し、アクセプターの成膜レートは０．２Å／ｓｅｃ．に固定し、ドーパントの成膜レートは０．０５Å／ｓｅｃ．に固定した。各材料のるつぼの温度は２００℃～４００℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

そして、ホスト材として電子輸送性のＡｌｑ_３（トリス（８－キノリノラト）アルミニウム）、ドーピング材としてＤＣＭ２を用い、これらの材料を基板上に共蒸着し、第３発光層として、膜厚４０ｎｍの電子輸送性発光層（赤）を形成した。いずれの材料も市販品であった。ドーパント濃度は発光層の総膜厚の５％とした。ホスト材の成膜レートは１Å／ｓｅｃ．に固定し、ドーパントの成膜レートは０．０５Å／ｓｅｃ．に固定した。各材料のるつぼの温度は２００℃～４００℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

次に、ＬＧ－１０１（ＬＧ化学社製）を表示領域全体に蒸着し、表示領域の全域を少なくとも含む領域全体に膜厚３０ｎｍの正孔注入層をベタパターンで形成した。成膜レートは１Å／ｓｅｃ．に固定し、るつぼの温度は３５０℃～４００℃の範囲内であった。なお、同様の実験を複数行ったが、実験によって材料の仕込み量等の条件が異なっていたため、るつぼの温度も実験によって上記範囲内でばらついた。

次に、陽極として機能する第２電極として、イオンビームスパッタ法によりＩＴＯ膜を１００ｎｍの厚みで表示領域全体に形成した。イオンビームの加速電圧は５０Ｖ～７５０Ｖ、イオンビーム電流は５０ｍＡ～５００ｍＡ、イオン源はＫｒ^＋とし、イオンビーム照射前の到達真空度は０．０１Ｐａ以下とした。

最後に、周縁部を枠状に残した彫り込みガラスとシール樹脂とを用いて、有機ＥＬ素子の封止を行った。彫り込みガラスとしては、ケミカルエッチングによって形成され、表示領域において透明なものを用いた。

本実施例では、発光を基板の有機ＥＬ素子形成面から取り出すトップエミッション構造とした。ただし、実施形態４の有機ＥＬ装置は、ボトムエミッション型であってもよい。

（実施例６）

第１発光層、第２発光層及び第３発光層が異なることを除いて、実施例４と同様にして実施例６の有機ＥＬ装置を作製した。実施例６では、全ての発光層を電子輸送性材料を用いて形成した。

図２３は、実施例５及び６の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。図２３に示すように、発光層（赤）については、実施例６では、本来の発光色以外のスペクトル成分（青及び緑）が存在するが、実施例５では、そのような成分が存在せず、混色の発生を防止することができ、本来の発光色を呈することができた。この結果から、実施例６では、青色及び緑色の発光材料をそれぞれ含む第２及び第３異物膜が第１発光層（赤）の上に存在すると考えられ、また、第１発光層（赤）が電子輸送性を有するため、発光位置が第１発光層（赤）の上面付近に存在すると考えられる。他方、実施例５では、発光位置が第３発光層（赤）と正孔輸送層との界面に存在し、第１及び第２異物膜が存在し得る第３発光層（赤）の下面から離れた場所で第３発光層（赤）が発光していると考えられる。これは、第３発光層（赤）が電子輸送性を有するためである。

図２４は、実施例５及び６の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。図２４に示すように、第２発光層（緑）については、実施例６では、本来の発光色以外のスペクトル成分（青）が存在するが、実施例５では、そのような成分が存在せず、混色の発生を防止することができ、本来の発光色を呈することができた。この結果から、実施例６では、青色の発光材料を含む第３異物膜が第２発光層の上に存在すると考えられ、また、第２発光層が電子輸送性を有するため、発光位置が第２発光層の上面付近に存在すると考えられる。他方、実施例５では、発光位置が第２発光層の上面及び下面から離れた場所に存在すると考えられ、第１及び第３異物膜がそれぞれ存在し得る第２発光層の上面及び下面から離れた場所で第２発光層が発光していると考えられる。これは、第２発光層がパイポーラ性の電荷輸送性を有するためである。

図２５及び２６は、それぞれ、実施例５及び６の有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。
図２５及び２６に示すように、発光層（青）については、実施例５及び６のいずれにおいても、混色は生じず、本来の発光色を呈することができた。実施例５では、第１発光層（青）が正孔輸送性を有している。そのため、発光位置が第１発光層（青）と電子輸送層との界面に存在し、第２及び第３異物膜が存在し得る第１発光層（青）の上面から離れた場所で第１発光層（青）が発光したと考えられる。実施例６については、第３発光層（青）が電子輸送性を有している。そのため、発光位置が第３発光層（青）と正孔輸送層との界面に存在し、第１及び第２異物膜が存在し得る第３発光層（青）の下面から離れた場所で第３発光（青）層が発光したと考えられる。

以上、実施形態１～４では、ＲＧＢフルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置について説明したが、発光色の組み合わせ及び数は、ＲＧＢの３色に特に限定されず、ＲＧＢ以外の色を含んでいてもよいし、３色以外、例えば４色であってもよい。具体的には、ＲＧＢＷ（Ｗは白）又はＲＧＢＹ（Ｙは黄色）の４色であってもよい。

実施形態１～４の有機ＥＬ装置の用途は、ディスプレイに特に限定されず、例えば、照明用であってもよい。

上述した実施形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、適宜組み合わされてもよい。また、各実施形態の変形例は、他の実施形態に組み合わされてもよい。

１：有機ＥＬ装置
２：画素
２Ｒ、２Ｇ、２Ｂ：サブ画素
３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ：発光領域
４（１）、４（２）、４（３）：発光位置
１０：ＴＦＴ基板
１１：絶縁基板
１２：ＴＦＴ
１３：層間絶縁膜
１３ａ：コンタクトホール
１４：配線
１５：エッジカバー
１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ：開口部
２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ、２０（１）、２０（２）、２０（３）：有機ＥＬ素子
２１：第１電極
２２：正孔注入層
２３：正孔輸送層
２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ、２４（１）、２４（２）、２４（３）：発光層
２５：電子輸送層
２６：第２電極
２７：電子ブロッキング層
２８：正孔ブロッキング層
３１、３２、３３：膜（異物膜）
３４（１）、３４（２）、３４（３）：上面
３５（１）、３５（２）、３５（３）：下面
４０：封止部材
４１：封止樹脂
４２：封止基板
４３：乾燥剤

Claims

基板と、前記基板上に設けられた複数の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光材料を含む発光層を備え、
前記複数の発光材料は、互いに異なる色で発光可能であり、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の一つは、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第一の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層の上面に接する第一の膜を含み、かつ、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第二の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層の下面に接する第二の膜を含まず、
前記第一の膜が接する前記発光層は、前記上面から離れた部分で発光する有機エレクトロルミネッセンス装置。
前記第一の膜を含む前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、第１電極及び第２電極を備え、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第１電極、前記発光層、前記第一の膜、及び、前記第２電極は、この順に配置され、
前記第一の膜が接する前記発光層は、前記第２電極から注入される電荷と同じ極性の電荷輸送性の発光層である請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
前記第一の膜を含む前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、第１電極、第２電極及び電荷ブロッキングを備え、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第１電極、前記電荷ブロッキング層、前記発光層、前記第一の膜、及び、前記第２電極は、この順に配置され、
前記電荷ブロッキング層は、前記第２電極から注入される電荷をブロックする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
基板と、前記基板上に設けられた複数の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光材料を含む発光層を備え、
前記複数の発光材料は、互いに異なる色で発光可能であり、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の一つは、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有し、かつ、当該有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層の上面に接する第一の膜と、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有し、かつ、当該有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層の下面に接する第二の膜とを含み、
前記第一及び第二の膜が接する前記発光層は、前記上面及び前記下面から離れた部分で発光する有機エレクトロルミネッセンス装置。
前記第一及び第二の膜に含有される前記発光材料は、互いに異なる請求項４記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
前記第一及び第二の膜が接する前記発光層は、両極性の電荷輸送性の発光層である請求項４又は５記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
前記第一及び第二の膜が接する前記発光層の前記発光材料は、電子輸送性のホスト材及び正孔輸送性のアシスト材を含み、
前記アシスト材のＨＯＭＯ準位は、前記ホスト材のＨＯＭＯ準位よりも高い請求項４又は５記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
前記第一及び第二の膜が接する前記発光層の前記発光材料は、正孔輸送性のホスト材及び電子輸送性のアシスト材を含み、
前記アシスト材のＬＵＭＯ準位は、前記ホスト材のＬＵＭＯ準位よりも低い請求項４又は５記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
基板と、前記基板上に設けられた複数の有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光材料を含む発光層を備え、
前記複数の発光材料は、互いに異なる色で発光可能であり、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の一つは、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第一の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層の下面に接する第一の膜を含み、かつ、
他の有機エレクトロルミネッセンス素子のいずれかの発光層と同じ発光材料を含有する第二の膜であって当該有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層の上面に接する第二の膜を含まず、
前記第一の膜が接する前記発光層は、前記下面から離れた部分で発光する有機エレクトロルミネッセンス装置。
前記第一の膜を含む前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、第１電極及び第２電極を備え、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第１電極、前記第一の膜、前記発光層、及び、前記第２電極は、この順に配置され、
前記第一の膜が接する前記発光層は、前記第１電極から注入される電荷と同じ極性の電荷輸送性の発光層である請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
前記第一の膜を含む前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、第１電極、第２電極及び電荷ブロッキングを備え、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第１電極、前記第一の膜、前記発光層、及び、前記電荷ブロッキング層、前記第２電極は、この順に配置され、
前記電荷ブロッキング層は、前記第１電極から注入される電荷をブロックする請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
互いに異なる色で発光可能な複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光層を備え、
前記製造方法は、前記複数の発光層を順に形成する発光層蒸着工程を含み、
前記複数の発光層のうち、最初に形成された発光層は、当該発光層の上面から離れた部分で発光する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
互いに異なる色で発光可能な３以上の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記３以上の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光層を備え、
前記製造方法は、前記３以上の発光層を順に形成する発光層蒸着工程を含み、
前記３以上の発光層のうち、最初又は最後に形成された発光層以外の発光層は、当該発光層の上面及び下面から離れた部分で発光する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
互いに異なる色で発光可能な複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は各々、発光層を備え、
前記製造方法は、前記複数の発光層を順に形成する発光層蒸着工程を含み、
前記複数の発光層のうち、最後に形成された発光層は、当該発光層の下面から離れた部分で発光する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。