JP5350547B2 - 被成膜基板および有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置に利用可能な被成膜基板、上記被成膜基板の製造方法、および上記被成膜基板を用いた有機ＥＬ表示装置に関するものである。

近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。

そのような状況下、有機材料の電界発光（Electroluminescence；以下、「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。

有機ＥＬ表示装置は、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに接続された有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。

有機ＥＬ素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極、有機ＥＬ層、および第２電極が、この順に積層された構造を有している。そのうち、第１電極はＴＦＴと接続されている。また、第１電極と第２電極との間には、上記有機ＥＬ層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等を積層させた有機層が設けられている。

フルカラーの有機ＥＬ表示装置は、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子をサブ画素として基板上に配列形成してなり、ＴＦＴを用いて、これら有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行っている。

このような有機ＥＬ表示装置の製造においては、少なくとも各色に発光する有機発光材料からなる発光層が、発光素子である有機ＥＬ素子毎にパターン形成される（例えば特許文献１〜３参照）。

発光層のパターン形成を行う方法としては、例えば、シャドウマスクと称される蒸着用のマスクを用いた真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法が知られている。

例えば、低分子型有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）では、従来、シャドウマスクを用いた蒸着法により、有機層の塗り分け形成を行っている。

シャドウマスクを用いた真空蒸着法では、基板の蒸着領域全体に蒸着できるサイズのシャドウマスク（密着型全面シャドウマスク）が使用される。一般的には、シャドウマスクとしては、基板と同等サイズのマスクが用いられる。

図２４は、シャドウマスクを用いた従来の蒸着装置の概略構成を示す断面図である。

シャドウマスクを用いた真空蒸着法では、図２４に示すように、基板３０１と蒸着源３０２とを対向配置させ、目的とする蒸着領域以外の領域に蒸着粒子が付着しないように、シャドウマスク３０３に、蒸着領域の一部のパターンに対応した開口部３０４を設け、該開口部３０４を介して蒸着粒子を基板３０１に蒸着させることによりパターン形成を行う。

基板３０１は、図示しない真空チャンバ内に配置され、基板３０１の下方には、蒸着源３０２が固定される。シャドウマスク３０３は、基板３０１に対して空隙を空けて固定されるか、もしくは、真空チャンバの内壁に基板３０１および蒸着源３０２が固定された状態で、基板３０１に対して相対移動される。

例えば特許文献１には、ロードロック式の蒸着源を使用し、マスクと基板との位置合わせを行った後、第１の発光材料を基板の真下から真空蒸着して、マスクの開口部とほぼ同じ形状の第１発光部の配列を形成した後、マスクを移動して第２の発光材料を基板の真下から真空蒸着してマスクの開口部とほぼ同じ形状の第２発光部の配列を形成することが開示されている。

特許文献２には、表示電極が設けられた基板上に、表示電極を囲むように基板上に突出する隔壁を設け、この隔壁の上面にマスクを載置して隔壁内の表示電極上に有機ＥＬ媒体を堆積させた後、１つの表示電極上から隣接する表示電極上にマスクの開口部が位置するようにマスクを移動させることにより、マスクの開口部とほぼ同じ形状の発光層を順次形成することが開示されている。

また、シャドウマスクを用いた真空蒸着法は、発光層だけでなく、電極のパターン形成にも用いられている。

例えば、特許文献４には、基板と同等サイズのマスクに、小径または細長いスリット孔を、マスクの移動方向に対し交差する方向に配列し、小径またはスリット孔の配列方向に沿ってマスクを移動させながら電極材料を蒸着させることで電極パターンを形成することが開示されている。

このようにシャドウマスクを用いた真空蒸着法では、シャドウマスクは、撓みや歪みを抑制するために、張力をかけてマスクフレームに固定（例えば溶接）される。

このような従来の塗り分け蒸着法では、基板が大きくなればそれに伴ってマスクも大型化する必要がある。しかしながら、マスクを大きくすると、マスクの自重撓みや伸びにより、基板とマスクとの間に隙間が生じ易い。しかも、その隙間の大きさは、基板の被蒸着面の位置によって異なる。そのため、高精度なパターンニングを行うのが難しく、蒸着位置のズレや混色が発生して高精細化の実現が困難である。

また、マスクを大きくすると、マスクやこれを保持するフレーム等が巨大になってその重量も増加するため、取り扱いが困難になり、生産性や安全性に支障をきたすおそれがある。また、蒸着装置やそれに付随する装置も同様に巨大化、複雑化するため、装置設計が困難になり、設置コストも高額になる。

そのため、従来の塗り分け蒸着法では大型基板への対応が難しく、例えば、６０インチサイズを超えるような大型基板に対しては量産レベルで塗り分け蒸着できる方法が実現できていない。

上記の問題を解決する方法として、特許文献５には、基板よりも小さなシャドウマスクを用い、蒸着源とシャドウマスクを一体化した状態で、シャドウマスクと基板との隙間を一定に保ちながら、その一体化物あるいは基板のいずれかを走査しながら蒸着することで、所定の基板の位置に有機膜をパターン形成する方法（スキャン蒸着法）が提案されている。このスキャン蒸着法であれば、シャドウマスクは小さくて良いので、上記のような問題は発生しない。

日本国公開特許公報「特開２０００−１８８１７９号公報（（公開日：２０００年７月４日）（対応米国特許第６２９４８９２号（公告日：２００１年９月２５日））」 日本国公開特許公報「特開平８−２２７２７６号公報（（公開日：１９９６年９月３日）（対応米国特許第５，７４２１，２９号（公告日：１９９８年４月２１日））」 日本国公開特許公報「特開平９−１６７６８４号公報（（公開日：１９９７年６月２４日）（対応米国特許第５，６８８，５５１号（公告日：１９９７年１１月１８日））」 日本国公開特許公報「特開平１０−１０２２３７号公報（公開日：１９９８年４月２１日）」 日本国公開特許公報「特開２０１０−２７０３９６号公報（公開日：２０１０年１２月２日）」

しかしながら、シャドウマスクと基板との間に空隙を空けて成膜を行うスキャン蒸着法においては、蒸着膜の両側に膜厚が漸減する膜厚漸減部分（蒸着ボケ）が発生する。この蒸着ボケの幅が非発光領域（発光領域間の隙間）の幅以上になると、隣接画素まで蒸着膜が及んで、混色が発生していた。この混色を防止するために非発光領域の幅を広くしようとすると、表示画面の精細度が低下したり、発光領域面積の低下による表示品位の低下が発生していた。逆に、精細度および表示品位を上げるために、非発光領域をある下限以下にすると、上記の混色が発生していた。

より詳細には、スキャン蒸着法では、図２５の（ａ）のように、シャドウマスク８１のマスク開口部８２の幅（以後、マスク開口幅と呼ぶ）Ｂ８２に従って、蒸着膜（即ち発光層）２３Ｒの幅が決定される。マスク開口幅Ｂ８２とほぼ同一の大きさの略平坦部分２３ｔが形成され、この略平坦部分２３ｔが発光層２３Ｒの有効範囲となる。またマスク開口部８２の外側には、膜厚が漸減していく膜厚漸減部分２３ｓが形成され、この膜厚漸減部分２３ｓが蒸着ボケとなる（以後、蒸着ボケ２３ｓとも呼ぶ）。蒸着ボケ２３ｓは、シャドウマスク８１と基板２００との間に空隙を設けて蒸着する方法においては、蒸着源のノズル開口径や蒸着源−マスク間距離、マスク−基板間距離の影響によって、原理的に発生する。

スキャン蒸着法では、発光領域２４Ｒ内の発光層２３Ｒの膜厚を一定とするために、マスク開口幅Ｂ８２を発光領域２４Ｒの幅よりも広くし、蒸着ボケ２３ｓを非発光領域（発光領域２４Ｒ・２４Ｂ間領域）２９内に配置するようにしている。換言すれば、蒸着ボケ２３ｓの幅Ｂは少なくとも非発光領域２９の同方向の幅よりも小さくする必要がある。

さらに、シャドウマスク８１や基板２００の寸法精度や位置合わせ精度により、発光層２３Ｒのパターンが基板２００上の設計位置からずれた場合に、画素の発光特性に不具合が生じないように、各マージンが設定されている。すなわち、図２５の（ａ）のように、当該画素２Ｒの発光領域２４Ｒ内の膜厚が低下しないように発光領域２４Ｒ端−マスク開口部８２（または略平坦部分２３ｔ）端の間距離(膜厚低下防止マージン)Ａが設定され、隣接するサブ画素２Ｂの発光領域２４Ｂ上に当該発光層２３Ｒが形成されないように蒸着ボケ２３ｓ端−隣接画素発光領域２４Ｂの間距離（混色防止マージン）Ｃが設定される。したがって、式１の関係が成立する。

発光領域間領域（非発光領域）２９
＝膜厚低下防止マージンＡ＋蒸着ボケ２３ｓの幅Ｂ＋混色防止マージンＣ…式１
ここで、発光層２３Ｒのパターンずれ（発光領域２４Ｒの中心とマスク開口部８２の中心とのずれ量）がマージンＣよりも大きいと、図２５の（ｂ）のように、発光層２３Ｒの蒸着ボケ２３ｓが隣接するサブ画素２Ｂの発光領域２４Ｂに重なる不具合（即ち混色）が発生する。他方、発光層２３ＲのパターンずれがマージンＡよりも大きいと、図２５の（ｃ）のように、蒸着ボケ２３ｓが当該画素２Ｒの発光領域２４Ｒに重なる不具合（即ち膜厚低下）が発生する。有機ＥＬ素子は膜厚のバラツキや不純物の混入に極めて敏感であり、上記不具合は有機ＥＬ素子の特性（寿命や効率）に影響を与えやすく、結果として有機ＥＬ表示装置の表示品位や信頼性を低下させる。そのため、でき得る限り上記の不具合を解消するほうが望ましい。

上記マージンＡ・Ｃを大きくするためには、（１）発光領域２４Ｒ・２４Ｂ間領域２９を広くするか、（２）蒸着ボケ２３ｓの幅Ｂを小さくする必要がある。（１）を行うためには、発光領域２４Ｒ・２４Ｂを小さくする必要があるが、発光領域２４Ｒ・２４Ｂの面積が小さくなると同一輝度を得るためにより高い電流密度が必要となる。電流密度が増加すると有機ＥＬ素子の寿命（輝度の経時劣化）が短くなるため、有機ＥＬ表示装置の信頼性、表示品位が低下する。また、発光領域２４Ｒ・２４Ｂ間の領域２９が増えると、均一な面状の表示ではなく粒状の発光体の集合として視認される。したがって、表示品位が大きく低下する。

一方、（２）については上述したように、蒸着ボケ２３ｓの幅Ｂは、マスク８１と基板２００との間に空隙を設けて蒸着する方法において、蒸着源のノズル開口径や蒸着源−マスク間距離、マスク−基板間距離の影響によって、原理的に発生し、これを大幅に狭くすることは容易ではない。一例を挙げれば、ノズル開口径をＤ、蒸着源−マスク間距離をＨ_ＴＭ、マスク−基板間距離をＨ_ＭＳとすると、蒸着ボケＢはおおよそ、式２で表される。

Ｂ〜Ｄ×Ｈ_ＭＳ／Ｈ_ＴＭ・・・・式２
但し、マスク８１の板厚やマスク開口部８２の断面形状等の影響を無視している。この式２において、Ｂを小さくするためには、Ｄを小さくすればよいが、Ｄを小さくすると蒸着粒子を放出する面積が減り、十分な蒸着レートが得られなくなる。また加工精度も低下する。Ｈ_ＴＭを大きくすればよいが、そうすると、真空チャンバも比例して大きくする必要があり、また基板方向以外へ放出される蒸着材料の割合が増えて材料利用効率が低下し、さらに、それに付随して蒸着レートが低下する、などの点でコスト面、処理タクト面での問題が発生し、容易に実現できない。また、Ｈ_ＭＳを小さくすればよいが、そうすると、マスク８１と基板２００との衝突を十分に回避する必要があり、それにも限界がある。以上のような理由から蒸着ボケ２３ｓの幅Ｂを小さくするのも容易ではなく限界が存在する。

以上を鑑みると、従来の蒸着方法では、有機ＥＬ表示装置の表示品位や信頼性を犠牲にせずに、発光領域（成膜領域）間領域２９をある下限以下にすることは不可能であり、さらには、各マージンＡ・Ｃが少なくともゼロではないことを考慮すれば、式１より、発光領域間領域２９の幅以上に大きい幅Ｂの蒸着ボケ２３ｓが発生していた場合には、膜厚低下や混色の問題を発生させずに有機ＥＬ表示装置を作製することは不可能であった。従って、発光層２３Ｒのパターンずれの量が大きくなる大型基板を用いた有機ＥＬ表示装置の製造や、高精細（発光領域間領域２９がより狭い）の有機ＥＬ表示装置の製造が不可能であった。

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、大きなパターンずれに対して成膜領域での膜厚低下を抑制できる被成膜基板、製造方法、および有機ＥＬ表示装置を提供することを目的としている。

上記の課題を解決するために、本発明にかかる被成膜基板は、第１および第２成膜領域が所定方向に沿って互いに間隔を空けて交互に配置された基板と、それぞれ上記基板の上記第１および上記第２成膜領域に被覆形成された第１および第２膜と、を備え、上記第１膜は、上記所定方向の両側の部分にそれぞれ上記所定方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分を有し、上記第２膜は、上記所定方向の両側の部分にそれぞれ上記所定方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分を有し、当該膜厚漸減部分が上記第１膜の上記膜厚漸減部分に重なることを特徴としている。

上記の構成によれば、第２膜の膜厚漸減部分は第１膜の膜厚漸減部分に重なるので、第２膜の膜厚漸減部分により第１膜の膜厚漸減部分の膜厚の漸減分が補填される。したがって、第１膜の膜厚漸減部分での膜厚低下を低減できる。よって、大きなパターンずれに対して第１成膜領域での膜厚低下を抑制できる。

また本発明にかかる被成膜基板は、複数の成膜領域が所定方向に沿って互いに間隔を空けて配置した基板と、上記基板の上記成膜領域上に被覆形成された第１膜と、上記各成膜領域間の領域に形成された第２膜と、を備え、上記第１膜は、上記所定方向の両側の部分にそれぞれ上記所定方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分を有し、上記第２膜は、上記所定方向の両側の部分にそれぞれ上記所定方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分を有し、当該膜厚漸減部分が上記第１膜の上記膜厚漸減部分に重なることを特徴としている。

上記の構成によれば、第２膜の膜厚漸減部分は第１膜の膜厚漸減部分に重なるので、第２膜の膜厚漸減部分により第１膜の膜厚漸減部分の膜厚の漸減分が補填される。したがって、第１膜の膜厚漸減部分での膜厚低下を低減できる。よって、大きなパターンずれに対して成膜領域での膜厚低下を抑制できる。

また本発明にかかる製造方法は、第１および第２成膜領域が所定方向に沿って互いに間隔を空けて交互に配置された基板を準備する工程と、上記所定方向の幅が上記第１成膜領域の上記所定方向の幅よりも小さい第１開口部を有する第１蒸着マスクを、上記第１開口部の上記所定方向の中心と上記第１成膜領域の上記所定方向の中心とが略一致するように上記基板に対向配置させ、蒸着粒子を上記第１開口部を介して上記基板に蒸着させることで、上記第１成膜領域に、第１膜を上記所定方向の両側の部分にそれぞれ上記所定方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分を有するように形成する工程と、第２開口部を有する第２蒸着マスクを、上記第２開口部の上記所定方向の中心と上記第２成膜領域の上記所定方向の中心とが略一致するように上記基板に対向配置させ、蒸着粒子を上記第２開口部を介して上記基板に蒸着させることで、上記第２成膜領域に、第２膜を上記所定方向の両側の部分にそれぞれ上記所定方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分を有するように形成する工程と、を備え、上記第２膜の上記膜厚漸減部分が上記第１膜の上記膜厚漸減部分に重なることを特徴としている。

上記の構成によれば、上記被成膜基板の効果を有する有機ＥＬ表示装置を製造できる。

以上のように、本発明にかかる被成膜基板は、第１および第２成膜領域が所定方向に沿って互いに間隔を空けて交互に配置された基板と、それぞれ上記基板の上記第１および上記第２成膜領域に被覆形成された第１および第２膜と、を備え、上記第１膜は、上記所定方向の両側の部分にそれぞれ上記所定方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分を有し、上記第２膜は、上記所定方向の両側の部分にそれぞれ上記所定方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分を有し、当該膜厚漸減部分が上記第１膜の上記膜厚漸減部分に重なるものである。

また本発明にかかる被成膜基板は、複数の成膜領域が所定方向に沿って互いに間隔を空けて配置した基板と、上記基板の上記成膜領域上に被覆形成された第１膜と、上記各成膜領域間の領域に形成された第２膜と、を備え、上記第１膜は、上記所定方向の両側の部分にそれぞれ上記所定方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分を有し、上記第２膜は、上記所定方向の両側の部分にそれぞれ上記所定方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分を有し、当該膜厚漸減部分が上記第１膜の上記膜厚漸減部分に重なるものである。

また本発明にかかる製造方法は、第１および第２成膜領域が所定方向に沿って互いに間隔を空けて交互に配置された基板を準備する工程と、上記所定方向の幅が上記第１成膜領域の上記所定方向の幅よりも小さい第１開口部を有する第１蒸着マスクを、上記第１開口部の上記所定方向の中心と上記第１成膜領域の上記所定方向の中心とが略一致するように上記基板に対向配置させ、蒸着粒子を上記第１開口部を介して上記基板に蒸着させることで、上記第１成膜領域に、第１膜を上記所定方向の両側の部分にそれぞれ上記所定方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分を有するように形成する工程と、第２開口部を有する第２蒸着マスクを、上記第２開口部の上記所定方向の中心と上記第２成膜領域の上記所定方向の中心とが略一致するように上記基板に対向配置させ、蒸着粒子を上記第２開口部を介して上記基板に蒸着させることで、上記第２成膜領域に、第２膜を上記所定方向の両側の部分にそれぞれ上記所定方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分を有するように形成する工程と、を備え、上記第２膜の上記膜厚漸減部分が上記第１膜の上記膜厚漸減部分に重なるものである。

よって、大きなパターンずれに対して成膜領域での膜厚低下を抑制できるという効果を奏する。

本発明の実施の形態１にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の被成膜基板とマスクユニットとを被成膜基板の裏面側から見た平面図である。 本発明の実施の形態１にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の主要構成要素の鳥瞰図である。 本発明の実施の形態１にかかる蒸着装置における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。 本発明の実施の形態１にかかる蒸着装置の構成の一部を示すブロック図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１にかかる被成膜基板および蒸着マスクのアライメントマーカの形状の一例を示す図である。 ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。 図６に示す有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図である。 図７に示す有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板のＡ−Ａ線矢視断面図である。 本発明の実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。 本発明の実施の形態１にかかる蒸着装置を用いてＴＦＴ基板に所定のパターンを成膜する方法の一例を示すフローチャートである。 アライメント調整方法を示すフローチャートである。 蒸着ＯＦＦ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。 蒸着ＯＮ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。 本発明の実施の形態１におけるシャドウマスク、発光領域および発光層の関係の一例を示した図である。 本発明の実施の形態１の発光層の断面概略図である。 本発明の実施の形態２の発光層の断面概略図である。 本発明の実施の形態３の発光層の断面概略図である。 本発明の実施の形態４の各発光層の膜厚方向の抵抗の関係を説明する図である。 本発明の実施の形態５の発光層の断面概略図である。 本発明の実施の形態５にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。 本発明の実施の形態６の発光層の断面概略図である。 本発明の実施の形態７の発光層の断面概略図である。 本発明の実施の形態７におけるシャドウマスク、発光領域および発光層の関係の一例を示した図である。 従来の蒸着方法を説明する図である。 従来技術の問題点を説明する図であって、（ａ）は、パターンずれの無い状態を示した図であり、（ｂ）は、パターンずれによる混色防止マージン不足状態を示した図であり、（ｃ）は、パターンずれによる膜厚低下防止マージン不足状態を示した図である。

以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。

〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について図１〜図１５に基づいて説明すれば以下の通りである。

本実施の形態では、本実施の形態にかかる蒸着装置を用いた蒸着方法の一例として、ＴＦＴ基板側から光を取り出すボトムエミッション型でＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の製造方法を例に挙げて説明する。

まず、上記有機ＥＬ表示装置の全体構成について以下に説明する。

図６は、ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。また、図７は、図６に示す有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図であり、図８は、図７に示す有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板のＡ−Ａ線矢視断面図である。

図６に示すように、本実施の形態で製造される有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２（図８参照）が設けられたＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ１２に接続された有機ＥＬ素子２０、接着層３０、封止基板４０が、この順に設けられた構成を有している。

図６に示すように、有機ＥＬ素子２０は、該有機ＥＬ素子２０が積層されたＴＦＴ基板１０を、接着層３０を用いて封止基板４０と貼り合わせることで、これら一対の基板（ＴＦＴ基板１０、封止基板４０）間に封入されている。

上記有機ＥＬ表示装置１は、このように有機ＥＬ素子２０がＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に封入されていることで、有機ＥＬ素子２０への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。

ＴＦＴ基板１０は、図８に示すように、支持基板として、例えばガラス基板等の透明な絶縁基板１１を備えている。絶縁基板１１上には、図７に示すように、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる複数の配線１４が設けられている。ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。

有機ＥＬ表示装置１は、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、絶縁基板１１上には、これら配線１４で囲まれた領域に、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子２０からなる各色のサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂが、マトリクス状に配列されている。

すなわち、これら配線１４で囲まれた領域が１つのサブ画素（ドット）であり、サブ画素毎にＲ、Ｇ、Ｂの発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂが画成されている。

画素２（すなわち、１画素）は、赤色の光を透過する赤色のサブ画素２Ｒ、緑色の光を透過する緑色のサブ画素２Ｇ、青色の光を透過する青色のサブ画素２Ｂの、３つのサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂによって構成されている。

各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂには、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおける発光を担う各色の発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂとして、ストライプ状の各色の発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂによって覆われた開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂがそれぞれ設けられている。なお、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂは、ストライプ状に形成されており、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂはそれぞれ、その対応する発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂ上に形成されることで、ストライプ状に形成されている。

これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、各色毎に、蒸着によりパターン形成されている。なお、開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂについては後述する。

これらサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂには、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１に接続されたＴＦＴ１２がそれぞれ設けられている。各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光強度は、配線１４およびＴＦＴ１２による走査および選択により決定される。このように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて、有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を実現している。

次に、上記有機ＥＬ表示装置１におけるＴＦＴ基板１０および有機ＥＬ素子２０の構成について詳述する。

まず、ＴＦＴ基板１０について説明する。

ＴＦＴ基板１０は、図８に示すように、ガラス基板等の透明な絶縁基板１１上に、ＴＦＴ１２（スイッチング素子）、層間膜１３（層間絶縁膜、平坦化膜）、配線１４、エッジカバー１５がこの順に形成された構成を有している。

上記絶縁基板１１上には、配線１４が設けられているとともに、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して、それぞれＴＦＴ１２が設けられている。なお、ＴＦＴの構成は従来よく知られている。したがって、ＴＦＴ１２における各層の図示並びに説明は省略する。

層間膜１３は、各ＴＦＴ１２を覆うように、上記絶縁基板１１上に、上記絶縁基板１１の全領域に渡って積層されている。

層間膜１３上には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１が形成されている。

また、層間膜１３には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａが設けられている。これにより、ＴＦＴ１２は、上記コンタクトホール１３ａを介して、有機ＥＬ素子２０に電気的に接続されている。

エッジカバー１５は、第１電極２１のパターン端部で有機ＥＬ層が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１と第２電極２６とが短絡することを防止するための絶縁層である。

エッジカバー１５は、層間膜１３上に、第１電極２１のパターン端部を被覆するように形成されている。

エッジカバー１５には、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ毎に開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが設けられている。このエッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂとなる。

言い換えれば、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂは、絶縁性を有するエッジカバー１５によって仕切られている。エッジカバー１５は、素子分離膜としても機能する。

なお、図８では、一例としてエッジカバー１５が各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂを仕切る素子分離膜として機能する場合で図示されるが、必ずしも、エッジカバー１５が素子分離膜として機能する必要はない。以下では、エッジカバー１５が素子分離膜として機能しないように薄く形成される場合を想定して説明する。なお、この場合、エッジカバー１５を省略しても構わない。

次に、有機ＥＬ素子２０について説明する。

有機ＥＬ素子２０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極２１、有機ＥＬ層、第２電極２６が、この順に積層されている。

第１電極２１は、上記有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極２１は、前記したようにコンタクトホール１３ａを介してＴＦＴ１２と接続されている。

第１電極２１と第２電極２６との間には、図８に示すように、有機ＥＬ層として、第１電極２１側から、正孔注入層兼正孔輸送層２２、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ、電子輸送層２４、電子注入層２５が、この順に形成された構成を有している。

なお、上記積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極２６を陰極としたものであり、第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。

正孔注入層は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層２２は、第１電極２１およびエッジカバー１５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に一様に形成されている。

なお、本実施の形態では、上記したように、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けた場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。正孔注入層と正孔輸送層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。

正孔注入層兼正孔輸送層２２上には、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂを覆うように、それぞれ、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して形成されている。

発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、第１電極２１側から注入されたホール（正孔）と第２電極２６側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料で形成されている。

より詳細には、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、図１４のように形成されている。即ち赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、同図において例えば左側から２３Ｒ、２３Ｂ、２３Ｇ、２３Ｂの順に配列している。即ち本実施の形態では、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２ＢがＲ／Ｂ／Ｇ／Ｂの順で配列することで１画素を構成している。

発光層２３Ｒ（第１膜）は、ｙ軸方向（所定方向）の両側の部分にそれぞれｙ軸方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分２３ｓＲを有し、当該膜厚漸減部分２３ｓＲのｙ軸方向の基端側が発光領域（第１成膜領域）２４Ｒに重なるように形成されている。膜厚漸減部分２３ｓＲの上記先端ＰＲは、発光領域２４Ｒと当該膜厚漸減部分２３ｓＲ側の隣の発光領域２４Ｂとの間の領域（非発光領域）２９上に位置している。また、発光層２３Ｒと隣接するサブ画素２Ｂの発光領域２４Ｂとの距離（即ち混色防止マージン）Ｃ１は、発光層２３Ｒの許容されるパターンずれ量（即ち想定する最大ずれ量）よりも広くなっている。

同様に発光層２３Ｇ（第１膜）も、ｙ軸方向（所定方向）の両側の部分にそれぞれｙ軸方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分２３ｓＧを有し、当該膜厚漸減部分２３ｓＧのｙ軸方向の基端側が発光領域（第１成膜領域）２４Ｇに重なるように形成されている。当該膜厚漸減部分２３ｓＧの上記先端は、発光領域２４Ｇと当該膜厚漸減部分２３ｓＧ側の隣の発光領域２４Ｂとの間の領域（非発光領域）２９上に位置している。また発光層２３Ｇと隣接するサブ画素２Ｂの発光領域２４Ｂとの距離Ｃ２は、発光層２３Ｇの許容されるパターンずれの量（即ち想定する最大ずれ量）よりも広くなっている。

一方、発光層２３Ｂ（第２膜）は、ｙ軸方向の両側の部分にそれぞれｙ軸方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分２３ｓＢを有し、当該膜厚漸減部分２３ｓＢが、発光領域２４Ｂ（第２成膜領域）のｙ軸方向の外側に位置し且つ当該膜厚漸減部分２３ｓＢ側の発光層２３Ｒまたは２３Ｇの膜厚漸減部分２３ｓＲまたは２３ｓＧに重なって当該発光層２３Ｒまたは２３Ｇの当該膜厚漸減部分２３ｓＲまたは２３ｓＧの膜厚の漸減分を補填する様に形成されている。

なお、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの略平坦部分（即ち膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧ・２３ｓＢを除く部分）２３ｔＲ・２３ｔＧ・２３ｔＢの膜厚Ｔｒ・Ｔｇ・Ｔｂは互いに等しく、各膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧ・２３ｓＢのｙ軸方向の幅ＢＲ・ＢＧ・ＢＢも互いに等しい。したがって、各膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧ・２３ｓＢの傾きも互いに等しくなっている。

なお、発光層２３Ｒ・２３Ｇの各膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧの幅ＢＲ・ＢＧは、例えば、発光領域２４Ｒ・２４Ｇと当該膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧ側の隣の発光領域２４Ｂとの間の領域２９の同方向の幅よりも大きく形成されている。

電子輸送層２４は、第２電極２６から発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層２５は、第２電極２６から電子輸送層２４への電子注入効率を高める機能を有する層である。

電子輸送層２４は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２を覆うように、これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。また、電子注入層２５は、電子輸送層２４を覆うように、電子輸送層２４上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。

なお、電子輸送層２４と電子注入層２５とは、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよく、互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、上記有機ＥＬ表示装置１は、電子輸送層２４および電子注入層２５に代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。

第２電極２６は、上記のような有機層で構成される有機ＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。第２電極２６は、電子注入層２５を覆うように、電子注入層２５上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。

なお、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ以外の有機層は有機ＥＬ層として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成すればよい。また、有機ＥＬ層には、必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂと電子輸送層２４との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層２４に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。

上記有機ＥＬ素子２０の構成としては、例えば、下記（１）〜（８）に示すような層構成を採用することができる。
（１）第１電極／発光層／第２電極
（２）第１電極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極
（３）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層（キャリアブロッキング層）／電子輸送層／第２電極
（４）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（５）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（６）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／第２電極
（７）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（８）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層（キャリアブロッキング層）／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
なお、上記したように、例えば正孔注入層と正孔輸送層とは、一体化されていてもよい。また、電子輸送層と電子注入層とは一体化されていてもよい。

また、有機ＥＬ素子２０の構成は上記例示の層構成に限定されるものではなく、上記したように、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて所望の層構成を採用することができる。

次に、上記有機ＥＬ表示装置１の製造方法について以下に説明する。

図９は、上記有機ＥＬ表示装置１の製造工程を工程順に示すフローチャートである。

図９に示すように、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、例えば、ＴＦＴ基板・第１電極作製工程（Ｓ１）、正孔注入層・正孔輸送層蒸着構成（Ｓ２）、発光層蒸着工程（Ｓ３）、電子輸送層蒸着工程（Ｓ４）、電子注入層蒸着工程（Ｓ５）、第２電極蒸着工程（Ｓ６）、封止工程（Ｓ７）を備えている。

以下に、図９に示すフローチャートに従って、図６および図８を参照して上記した各工程について説明する。

但し、本実施の形態に記載されている各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一実施形態に過ぎず、これによって本発明の範囲が限定解釈されるべきではない。

また、前記したように、本実施形態に記載の積層順は、第１電極２１を陽極、第２電極２６を陰極としたものであり、反対に第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。同様に、第１電極２１および第２電極２６を構成する材料も反転する。

まず、図８に示すように、公知の技術でＴＦＴ１２並びに配線１４等が形成されたガラス等の絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、絶縁基板１１上に層間膜１３を形成する。

上記絶縁基板１１としては、例えば厚さが０．７〜１．１ｍｍであり、ｙ軸方向の長さ（縦長さ）が４００〜５００ｍｍであり、ｘ軸方向の長さ（横長さ）が３００〜４００ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。なお、図１に示すように、ｘ軸は、基板走査方向に沿った軸であり、ｙ軸は、基板走査方向に直交する軸である。

層間膜１３としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。アクリル樹脂としては、例えば、ＪＳＲ株式会社製のオプトマーシリーズが挙げられる。また、ポリイミド樹脂としては、例えば、東レ株式会社製のフォトニースシリーズが挙げられる。但し、ポリイミド樹脂は一般に透明ではなく、有色である。このため、図８に示すように上記有機ＥＬ表示装置１としてボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、上記層間膜１３としては、アクリル樹脂等の透明性樹脂が、より好適に用いられる。

上記層間膜１３の膜厚としては、ＴＦＴ１２による段差を補償することができればよく、特に限定されるものではない。本実施の形態では、例えば、約２μｍとした。

次に、層間膜１３に、第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａを形成する。

次に、導電膜（電極膜）として、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）膜を、スパッタ法等により、１００ｎｍの厚さで成膜する。

次いで、上記ＩＴＯ膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、塩化第二鉄をエッチング液として、上記ＩＴＯ膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間膜１３上に、第１電極２１をマトリクス状に形成する。

なお、上記第１電極２１に用いられる導電膜材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料を用いることができる。

また、上記導電膜の積層方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。

上記第１電極２１の厚さとしては特に限定されるものではないが、上記したように、例えば、１００ｎｍの厚さとすることができる。

次に、層間膜１３と同様にして、エッジカバー１５を、例えば約１μｍの膜厚でパターニング形成する。エッジカバー１５の材料としては、層間膜１３と同様の絶縁材料を使用することができる。

以上の工程により、ＴＦＴ基板１０および第１電極２１が作製される（Ｓ１）。

次に、上記のような工程を経たＴＦＴ基板１０に対し、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施す。

次いで、従来の蒸着装置を用いて、上記ＴＦＴ基板１０上に、正孔注入層および正孔輸送層（本実施の形態では正孔注入層兼正孔輸送層２２）を、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ２）。

具体的には、表示領域全面が開口したオープンマスクを、ＴＦＴ基板１０に対しアライメント調整を行った後に密着して貼り合わせ、ＴＦＴ基板１０とオープンマスクとを共に回転させながら、蒸着源より飛散した蒸着粒子を、オープンマスクの開口部を通じて表示領域全面に均一に蒸着する。

ここで表示領域全面への蒸着とは、隣接した色の異なるサブ画素間に渡って途切れなく蒸着することを意味する。

正孔注入層および正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、およびこれらの誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、鎖状式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。

正孔注入層と正孔輸送層とは、前記したように一体化されていてもよく、独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１０〜１００ｎｍである。

本実施の形態では、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けるとともに、正孔注入層兼正孔輸送層２２の材料として、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を使用した。また、正孔注入層兼正孔輸送層２２の膜厚は３０ｎｍとした。

次に、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂを覆うように、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂをそれぞれ塗り分け形成（パターン形成）する（Ｓ３）。

前記したように、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂには、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。

発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル等が挙げられる。

発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚としては、例えば、１０〜１００ｎｍである。

本実施の形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置は、このような発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成（パターン形成）に特に好適に使用することができる。

本実施の形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置を用いた発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成については、後で詳述する。

次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、電子輸送層２４を、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２および発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ４）。

続いて、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、電子注入層２５を、上記電子輸送層２４を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ５）。

電子輸送層２４および電子注入層２５の材料としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。

具体的には、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリン、およびこれらの誘導体や金属錯体、ＬｉＦ等が挙げられる。

前記したように電子輸送層２４と電子注入層２５とは、一体化されていても独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１〜１００ｎｍである。また、電子輸送層２４および電子注入層２５の合計の膜厚は、例えば２０〜２００ｎｍである。

本実施の形態では、電子輸送層２４の材料にＡｌｑを使用し、電子注入層２５の材料には、ＬｉＦを使用した。また、電子輸送層２４の膜厚は３０ｎｍとし、電子注入層２５の膜厚は１ｎｍとした。

次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、第２電極２６を、上記電子注入層２５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ６）。

第２電極２６の材料（電極材料）としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウム等が挙げられる。第２電極２６の厚さは、例えば５０〜１００ｎｍである。

本実施の形態では、第２電極２６としてアルミニウムを５０ｎｍの膜厚で形成した。これにより、ＴＦＴ基板１０上に、上記した有機ＥＬ層、第１電極２１、および第２電極２６からなる有機ＥＬ素子２０を形成した。

次いで、図６に示すように、有機ＥＬ素子２０が形成された上記ＴＦＴ基板１０と、封止基板４０とを、接着層３０にて貼り合わせ、有機ＥＬ素子２０の封入を行った。上記封止基板４０としては、例えば厚さが０．４〜１．１ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。

なお、封止基板４０の縦長さおよび横長さは、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズにより適宜調整してもよく、ＴＦＴ基板１０における絶縁基板１１と略同一のサイズの絶縁基板を使用し、有機ＥＬ素子２０を封止した後で、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズに従って分断してもよい。

なお、有機ＥＬ素子２０の封止方法としては、上記した方法に限定されない。他の封止方式としては、例えば、掘り込みガラスを封止基板４０として使用し、封止樹脂やフリットガラス等により枠状に封止を行う方法や、ＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に樹脂を充填する方法等が挙げられる。上記有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、上記封止方法に依存せず、あらゆる封止方法を適用することが可能である。

また、上記第２電極２６上には、該第２電極２６を覆うように、酸素や水分が外部から有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止する、図示しない保護膜が設けられていてもよい。

上記保護膜は、絶縁性や導電性の材料で形成される。このような材料としては、例えば、窒化シリコンや酸化シリコンが挙げられる。また、上記保護膜の厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍである。

上記の工程により、有機ＥＬ表示装置１が完成される。

このような有機ＥＬ表示装置１において、配線１４からの信号入力によりＴＦＴ１２をＯＮ（オン）させると、第１電極２１から有機ＥＬ層へ正孔が注入される。一方で、第２電極２６から有機ＥＬ層に電子が注入され、正孔と電子とが発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ内で再結合する。再結合した正孔および電子がエネルギーを失活する際に、光として出射される。

上記有機ＥＬ表示装置１においては、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光輝度を制御することで、所定の画像が表示される。

次に、本実施の形態にかかる蒸着装置の構成について説明する。

図１は、本実施の形態にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の被成膜基板とマスクユニットとを被成膜基板の裏面側（つまり蒸着面とは反対側）から見た平面図である。なお、図示の便宜上、図１において、被成膜基板は二点鎖線にて示している。また、図２は、本実施の形態にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の主要構成要素の鳥瞰図である。図３は、本実施の形態にかかる蒸着装置における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。なお、図３は、図１に示すＢ−Ｂ線矢視断面から見たときの蒸着装置の断面に相当する。図４は、本実施の形態にかかる蒸着装置の構成の一部を示すブロック図である。

図３に示すように、本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、真空チャンバ６０（成膜チャンバ）、基板移動機構７０（基板移動手段、移動手段）、マスクユニット８０、イメージセンサ９０、および制御回路１００（図４参照）を備えている。

上記真空チャンバ６０内には、図３に示すように、基板移動機構７０およびマスクユニット８０が設けられている。

なお、上記真空チャンバ６０には、蒸着時に該真空チャンバ６０内を真空状態に保つために、該真空チャンバ６０に設けられた図示しない排気口を介して真空チャンバ６０内を真空排気する図示しない真空ポンプが設けられている。

上記基板移動機構７０は、例えば、被成膜基板２００（例えばＴＦＴ基板１０）を保持する基板保持部材７１（基板保持手段）と、モータ７２（図４参照）とを備えている。

上記基板移動機構７０は、基板保持部材７１により被成膜基板２００を保持するとともに、後述するモータ駆動制御部１０３（図４参照）によってモータ７２を駆動させることで、被成膜基板２００を保持して水平方向に移動させる。なお、上記基板移動機構７０は、ｘ軸方向およびｙ軸方向の何れにも移動可能に設けられていてもよく、何れか一方向に移動可能に設けられていてもよい。なお、図１に示すように、ｘ軸方向は、基板走査方向に沿った方向であり、ｙ軸方向は、基板走査方向に直交する方向（以後、走査直交方向と呼ぶ）に沿った方向である。

上記基板保持部材７１には、静電チャックが使用される。被成膜基板２００は、上記静電チャックにより、自重による撓みがない状態で、上記マスクユニット８０における後述するシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１（空隙、垂直間距離）が所定の間隔に保持されている。ここでは、隙間ｇ１は、各発光層２３Ｒ・２３Ｂ・２３Ｇにおける走査直交方向（ｙ軸方向（所定方向））の両側の部分がそれぞれ膜厚漸減部分２３ｓとなるように、所定の間隔に保持されている。

上記被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１は、５０μｍ以上、３ｍｍ以下の範囲内であることが好ましく、より好ましくは５００μｍ程度である。

一方、上記隙間ｇ１が３ｍｍを越えると、シャドウマスク８１の開口部８２を通過した蒸着粒子が広がって、形成される蒸着膜２１１のパターン幅が広くなり過ぎる。例えば上記蒸着膜２１１が、発光層２３Ｒである場合、上記隙間ｇ１が３ｍｍを越えると、隣接サブ画素であるサブ画素２Ｇ・２Ｂの開口部１５Ｇ・１５Ｂにも発光層２３Ｒの材料が蒸着されてしまうおそれがある。

また、上記隙間ｇ１が５００μｍ程度であれば、被成膜基板２００がシャドウマスク８１に接触するおそれもなく、また、蒸着膜２１１のパターン幅の広がりも小さくすることができる。

また、マスクユニット８０は、図３に示すように、シャドウマスク８１（蒸着マスク）と、蒸着源８５と、マスク保持部材８７（保持手段）と、マスクテンション機構８８と、シャッタ８９（図４参照）とを備えている。

上記シャドウマスク８１としては、例えば金属製のマスクが用いられる。

上記シャドウマスク８１は、例えば、被成膜基板２００の表示領域２１０よりも面積が小さく、その少なくとも１辺が、被成膜基板２００の表示領域２１０の幅よりも短く形成されている。

本実施の形態では、上記シャドウマスク８１として、以下の大きさを有する矩形状（帯状）のシャドウマスクを使用する。上記シャドウマスク８１は、図１に示すように、その長手方向（長軸方向）の長さである長辺８１ａの幅ｄ１が、表示領域２１０における、上記シャドウマスク８１の長辺８１ａに対向する辺（図１に示す例では表示領域２１０の長辺２１０ａ）の幅ｄ３よりも長くなるように形成されている。また、上記シャドウマスク８１は、その短手方向（短軸方向）の長さである短辺８１ｂの幅ｄ２が、表示領域２１０における、上記シャドウマスク８１の短辺８１ｂに対向する辺（図１に示す例では表示領域２１０の短辺２１０ｂ）の幅ｄ４よりも短くなるように形成されている。

上記シャドウマスク８１には、図１および図２に示すように、例えば帯状（ストライプ状）の開口部８２（貫通口）が、一次元方向に複数配列して設けられている。上記開口部８２は、被成膜基板２００への蒸着膜２１１（図３参照）のパターン形成として、例えばＴＦＴ基板１０における発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成を行う場合、これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの同色列のサイズとピッチに合わせて形成されている。

より詳細には、図１５に示すように、発光層２３Ｒ用のシャドウマスク８１Ｒ（８１）（第１蒸着マスク）では、開口部８２（第１開口部）のピッチ方向（ｙ軸方向）の幅Ｂ８２Ｒは、発光領域２４Ｒのｙ軸方向の幅よりも小さく形成されている。同様に発光層２３Ｇ用のシャドウマスク８１Ｇ（８１）（図示省略：第１蒸着マスク）では、開口部８２（第１開口部）のピッチ方向の幅Ｂ８２Ｇ（図示省略）は、発光領域２４Ｇのｙ軸方向の幅よりも小さく形成されている。発光層２３Ｂ用のシャドウマスク８１Ｂ（８１）（第２蒸着マスク）では、開口部８２（第２開口部）のピッチ方向の幅Ｂ８２Ｂは、発光領域２４Ｂのｙ軸方向の幅よりも大きく形成されている。

なお、幅Ｂ８２Ｂは、例えば、発光領域２４Ｂのｙ軸方向の幅と発光層２３Ｂの想定するパターンずれ量の２倍の長さとを足した長さよりも大きく設定されている。これにより、後述のように、発光層２３Ｂがｙ軸方向にパターンずれしても、発光層２３Ｂの膜厚漸減部分２３ｓＢが発光領域２４Ｂに重なること（即ち発光領域２４Ｂに膜厚低下領域が発生すること）が防止される。

なお、図１５では、作図便宜上、シャドウマスク８１Ｂは、シャドウマスク８１Ｇよりも被成膜基板２００から離れて配置されているが、各シャドウマスク８１Ｒ・８１Ｇ・８１Ｂと被成膜基板２００との間隔は適宜設定される。

また、上記シャドウマスク８１には、図１に示すように、例えば、被成膜基板２００の走査方向（基板走査方向）に沿って、アライメントマーカ部８３が設けられており、該アライメントマーカ部８３に、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせ（アライメント）を行うためのアライメントマーカ８４（図３参照）が設けられている。

本実施の形態では、上記アライメントマーカ部８３は、図１に示すように、上記シャドウマスク８１の短辺８１ｂ（短軸）に沿って設けられている。

また、上記したようにシャドウマスク８１として、その長辺８１ａの幅ｄ１が、表示領域２１０における対向する辺の幅ｄ３よりも長く、短辺８１ｂの幅ｄ２が、表示領域２１０における対向する辺の幅ｄ４よりも短いシャドウマスクを使用することで、その長手方向両側部（つまり、両短辺８１ｂ・８１ｂ）にアライメントマーカ部８３を形成することができる。したがって、アライメントを容易かつより精密に行うことができる。

一方、被成膜基板２００には、図１に示すように、表示領域２１０の外側に、被成膜基板２００の走査方向（基板走査方向）に沿って、アライメントマーカ部２２０が設けられており、該アライメントマーカ部２２０に、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせを行うためのアライメントマーカ２２１（図３参照）が設けられている。

本実施の形態では、上記アライメントマーカ部２２０は、図１に示すように、被成膜基板２００の表示領域２１０の短辺２１０ｂ（短軸）に沿って設けられている。なお、後述のように、アライメントマーカ８４・２２１により、各シャドウマスク８１の開口部８２の走査直交方向（ｙ軸方向）の幅の中心と、各シャドウマスク８１に対応する発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂの走査直交方向の幅の中心とが略一致するように、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との相対的な位置合わせが行われる。

本実施の形態では、上記ストライプ状の開口部８２は、基板走査方向であるシャドウマスク８１の短辺方向に延設されているとともに、基板走査方向に直交するシャドウマスク８１の長辺方向に複数並んで設けられている。

蒸着源８５は、例えば、内部に蒸着材料を収容する容器であり、図１〜図３に示すように、シャドウマスク８１との間に一定の隙間ｇ２（空隙）を有して（つまり、一定距離離間して）対向配置されている。

なお、上記蒸着源８５は、容器内部に蒸着材料を直接収容する容器であってもよく、ロードロック式の配管を有する容器であってもよい。

上記蒸着源８５は、例えば、上方に向けて蒸着粒子を射出する機構を有している。

上記蒸着源８５は、シャドウマスク８１との対向面に、上記蒸着材料を蒸着粒子として射出（飛散）させる複数の射出口８６を有している。本実施の形態では、射出口８６の形状は、例えば、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚漸減部分２３ｓの斜面が平面になるように、一方の対辺が走査直交方向（ｙ軸方向）に沿った矩形状に形成されているが、このように限定されない。

本実施の形態では、上記したように蒸着源８５が被成膜基板２００の下方に配されており、被成膜基板２００が、上記表示領域２１０が下方を向いている状態で基板保持部材７１により保持される。このため、本実施の形態では、蒸着源８５は、シャドウマスク８１の開口部８２を介して蒸着粒子を下方から上方に向かって被成膜基板２００に蒸着（アップデポジション、以下、「デポアップ」と記す）させる。

上記射出口８６は、図１および図２に示すように、シャドウマスク８１の開口領域において開口するように、それぞれ、シャドウマスク８１の開口部８２に対向して設けられている。本実施の形態では、上記射出口８６は、シャドウマスク８１の開口部８２に対向して、シャドウマスク８１の開口部８２の並設方向に沿って一次元配列されている。

このため、図１および図２に示すように、被成膜基板２００の裏面側から見たときに（つまり平面視で）、上記蒸着源８５におけるシャドウマスク８１との対向面（すなわち、射出口８６の形成面）は、例えば、矩形状（帯状）のシャドウマスク８１の形状に合わせて、矩形状（帯状）に形成されている。

上記マスクユニット８０において、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、相対的に位置が固定されている。すなわち、上記シャドウマスク８１と上記蒸着源８５の射出口８６の形成面との間の隙間ｇ２は、常に一定に保たれているとともに、上記シャドウマスク８１の開口部８２の位置と上記蒸着源８５の射出口８６の位置とは、常に同じ位置関係を有している。

なお、上記蒸着源８５の射出口８６は、上記マスクユニット８０を上記被成膜基板２００の裏面から見たときに（つまり、平面視で）、上記シャドウマスク８１の開口部８２の中央に位置するように配置されている。

上記シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、例えば、図３に示すように、マスクテンション機構８８を介して上記シャドウマスク８１および蒸着源８５を保持・固定するマスク保持部材８７（例えば同一のホルダ）に備えられ、これにより一体化されることで、その相対的な位置が保持・固定されている。

またシャドウマスク８１は、マスクテンション機構８８により、テンション（張力）が加えられ、自重によるたわみや延びが発生しないように適宜調整されている。

上記したように、上記蒸着装置５０においては、被成膜基板２００が、基板保持部材７１（静電チャック）にて吸着板に吸着されることで自重による撓みが防止されており、マスクテンション機構８８によってシャドウマスク８１にテンションが加えられていることで、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とが平面上で重なる領域の全面に渡って、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との距離が一定に保持されている。

また、シャッタ８９は、蒸着粒子のシャドウマスク８１への到達を制御するために、必要に応じて用いられる。シャッタ８９は、後述する蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４（図４参照）からの蒸着ＯＦＦ信号もしくは蒸着ＯＮ信号に基づいてシャッタ駆動制御部１０５（図４参照）によって閉鎖もしくは開放される。

上記シャッタ８９は、例えば、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間に進退可能（挿入可能）に設けられている。シャッタ８９は、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間に挿入されることでシャドウマスク８１の開口部８２を閉鎖する。このように、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間にシャッタ８９を適宜差し挟むことで、余計な部分（非蒸着領域）への蒸着を防止することができる。

なお、上記蒸着装置５０において、蒸着源８５から飛散した蒸着粒子はシャドウマスク８１内に飛散するように調整されており、シャドウマスク８１外に飛散する蒸着粒子は、防着板（遮蔽板）等で適宜除去される構成としてもよい。

また、上記真空チャンバ６０の外側には、撮像手段（画像読取手段）として例えばＣＣＤを備えたイメージセンサ９０（図４参照）が設けられているとともに、制御手段として、上記イメージセンサ９０に接続された制御回路１００が設けられている。

上記イメージセンサ９０は、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせ（シャドウマスク８１の各開口部８２の走査直交方向（ｙ軸方向）の幅の中心と、被成膜基板２００の各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂの走査直交方向の幅の中心とを一致させるための位置合わせ）を行うための位置検出手段として機能する。

また、制御回路１００は、画像検出部１０１、演算部１０２、モータ駆動制御部１０３、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４、およびシャッタ駆動制御部１０５を備えている。

前記したように、被成膜基板２００には、図１に示すように、表示領域２１０の外側に、例えば基板走査方向に沿ってアライメントマーカ部２２０が設けられており、該アライメントマーカ部２２０に、アライメントマーカ２２１が設けられている。

画像検出部１０１は、イメージセンサ９０で取り込まれた画像から、被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２１並びにシャドウマスク８１のアライメントマーカ８４の画像検出を行うとともに、被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２１における、表示領域２１０の始端を示す始端マーカ、および、表示領域２１０の終端を示す終端マーカから、被成膜基板２００の表示領域２１０の始端および終端を検出する。

なお、上記始端マーカと終端マーカとは、同じものであってもよい。この場合、基板走査方向にて、表示領域２１０の始端か終端かを判断する。

また、上記演算部１０２は、画像検出部１０１で検出された画像より、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との相対的な移動量（例えばシャドウマスク８１に対する被成膜基板２００の移動量）を決定する。例えば、上記演算部１０２は、アライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４とのズレ量（ｘ軸方向およびｙ軸方向におけるズレ成分、並びに、ｘｙ平面における回転成分）を計算し、被成膜基板２００の基板位置の補正値を演算して決定する。つまり、上記補正値は、基板走査方向に対して垂直な方向および被成膜基板２００の回転方向に関して演算することで決定される。

なお、ここで、被成膜基板の回転方向とは、被成膜基板２００の被成膜面の中心におけるｚ軸（即ちｘ軸およびｙ軸の両方に直交する軸）を回転軸とした、ｘｙ平面内での回転の方向を示す。

上記補正値は、補正信号としてモータ駆動制御部１０３に出力され、モータ駆動制御部１０３は、上記演算部１０２からの補正信号に基づいて、基板保持部材７１に接続されたモータ７２を駆動することで、被成膜基板２００の基板位置を補正する。

なお、アライメントマーカ８４・２２１を用いた基板位置補正については、アライメントマーカ８４・２２１の形状例と併せて後述する。

モータ駆動制御部１０３は、モータ７２を駆動することで、シャドウマスク８１の各開口部８２の走査直交方向（ｙ軸方向）の幅の中心と、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂの走査直交方向の幅の中心とを略一致させた状態で、被成膜基板２００を、前記したように水平方向（ｘ軸方向）に移動させる。

蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４は、画像検出部１０１で表示領域２１０の終端が検出されると、蒸着ＯＦＦ（オフ）信号を発生させ、画像検出部１０１で表示領域２１０の始端が検出されると、蒸着ＯＮ（オン）信号を発生させる。

シャッタ駆動制御部１０５は、上記蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＦＦ信号が入力されると、シャッタ８９を閉鎖する一方、上記蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＮ信号が入力されると、シャッタ８９を開放する。

次に、アライメントマーカ８４・２２１を用いた基板位置補正並びにアライメントマーカ８４・２２１の形状例について説明する。

図５の（ａ）〜（ｃ）に、上記アライメントマーカ８４・２２１の形状の一例を示す。なお、図５の（ｂ）・（ｃ）は、それぞれ、図示の都合上、並列して配置されたアライメントマーカ８４・２２１のうち２つだけを抜粋して示している。

演算部１０２は、画像検出部１０１で検出したアライメントマーカ８４・２２１の画像から、ｘ軸方向におけるアライメントマーカ８４・２２１の端部（外縁部）間の距離ｒおよびｙ軸方向におけるアライメントマーカ８４・２２１の端部（外縁部）間の距離ｑを測定（算出）することで、アライメントのズレ量を計算して基板位置の補正値を演算する。

例えば、基板走査方向がｘ軸方向である場合、図５の（ａ）〜（ｃ）中、ｒが基板走査方向における上記端部間の距離であり、ｑが、基板走査方向に垂直な方向の上記端部間の距離である。演算部１０２は、距離ｒと距離ｑとを、例えば被成膜基板２００における表示領域２１０の両側で測定（算出）することで、基板走査時におけるアライメントのズレ量を計算する。

なお、本実施の形態では、被成膜基板２００を走査しながらシャドウマスク８１と被成膜基板２００とのアライメントを行う場合を例に挙げて説明するが、これに限らず、基板走査前に十分なアライメントを行い、基板走査中はアライメントを行わないことも可能である。

例えば、被成膜基板２００を被成膜基板２００の表示領域２１０の一辺（例えば、図５の（ａ）〜（ｃ）中、ｙ軸方向）に沿って移動させた後、上記辺に直交する辺（例えば、図５の（ａ）〜（ｃ）中、ｘ軸方向）に沿って移動させることが考えられる。この場合、図５の（ａ）〜（ｃ）中、ｒが、基板走査方向に垂直な方向の上記端部間の距離であり、ｑは、被成膜基板２００の移動方向（シフト方向）の上記端部間の距離を示す。

この場合、演算部１０２は、四隅のアライメントマーカにおける、距離ｒと距離ｑとを測定することで、基板走査開始時におけるアライメントのズレ量と被成膜基板２００の移動（シフト）時のアライメントのズレ量とを計算する。

なお、図５の（ａ）〜（ｃ）に示すように、アライメントマーカ８４・２２１の形状は、帯状であってもよく、正方形等の四角形状であってもよく、枠状、十字状等であってもよい。アライメントマーカ８４・２２１の形状は、特に限定されるものではない。

また、上記したように、基板走査前に十分なアライメントを行い、基板走査中はアライメントを行わない場合、被成膜基板２００の表示領域２１０の側面に沿ってアライメントマーカ２２１が配置されている必要はなく、被成膜基板２００の四隅等に配置されていればよい。

次に、本実施の形態にかかる上記蒸着装置５０を有機ＥＬ表示装置１の製造装置として用いて、有機ＥＬ層をパターン形成する方法について詳述する。

なお、以下の説明では、前記したように、被成膜基板２００として、前記正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）が終了した段階でのＴＦＴ基板１０を使用し、有機ＥＬ層のパターン形成として、発光層蒸着工程（Ｓ３）において発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成を行う場合を例に挙げて説明する。

なお、本実施の形態では、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ２（すなわち、蒸着源８５の射出口８６形成面とシャドウマスク８１との間の距離）を１００ｍｍとし、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の距離を５００μｍとした。

上記ＴＦＴ基板１０の基板サイズは、走査方向が３２０ｍｍ、走査方向に垂直な方向が４００ｍｍとし、表示領域の幅は、走査方向の幅（幅ｄ４）が２６０ｍｍ、走査方向に垂直な方向の幅（幅ｄ３）が３１０ｍｍとした。

また、上記ＴＦＴ基板１０における各サブ画素２Ｒ・２Ｂ・２Ｇ・２Ｂの開口部１５Ｒ・１５Ｂ・１５Ｇ・１５Ｂの幅は、１５Ｒおよび１５Ｇが３６０μｍ（走査方向）×１１０μｍ（走査方向に垂直な方向）、１５Ｂが３６０μｍ（走査方向）×５０μｍ（走査方向に垂直な方向）とした。また、上記開口部１５Ｒ・１５Ｂ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチは４８０μｍ（走査方向）×１２０μｍ（走査方向に垂直な方向）とした。なお、上記開口部１５Ｒ・１５Ｂ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチ（画素開口部間ピッチ）は、隣り合うサブ画素２Ｒ・２Ｂ・２Ｇ・２Ｂにおけるそれぞれの開口部１５Ｒ・１５Ｂ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチを示しており、同色サブ画素間のピッチではない。

また、シャドウマスク８１には、長辺８１ａ（長軸方向）の幅ｄ１（走査方向に垂直な方向の幅）が６００ｍｍ、短辺８１ｂ（短軸方向）の幅ｄ２（走査方向の幅）が２００ｍｍのシャドウマスクを用いた。また、シャドウマスク８１の開口部８２の開口幅は、１５０ｍｍ（長軸方向の幅ｄ５；図１参照）×７０μｍ（短軸方向の幅ｄ６；図１参照）とし、隣り合う開口部８２・８２間の間隔ｄ８（図１参照）は１５Ｒおよび１５Ｇに対しては４１０μｍ、１５Ｂに対しては１７０μｍとし、隣り合う開口部８２・８２の中心間のピッチｐ（図１参照）は１５Ｒおよび１５Ｇに対しては４８０μｍ、１５Ｂに対しては２４０μｍとした。

なお、本実施の形態において、上記シャドウマスク８１の短辺８１ｂの幅ｄ２（短辺長）としては、２００ｍｍ以上であることが好ましい。この理由は以下の通りである。

つまり、蒸着レートは１０ｎｍ／ｓ以下が好ましく、これを越えると、蒸着された膜（蒸着膜）の均一性が低下し、有機ＥＬ特性が低下する。

また、蒸着膜の膜厚は一般に１００ｎｍ以下である。１００ｎｍ以上となると、必要な印加電圧が高くなり、結果として、製造された有機ＥＬ表示装置の消費電力が増加する。したがって、蒸着レートと蒸着膜の膜厚とから、必要な蒸着時間は１０秒と見積もられる。

一方、処理能力（タクトタイム）の制限によって、例えば幅２ｍのガラス基板に対して蒸着を１５０秒で完了するためには、少なくとも、走査速度を１３．３ｍｍ／ｓ以上にする必要がある。処理時間１５０秒は、およそ一日当たり５７０枚を処理できるタクトタイムである。

上記走査速度で、上記したように１０秒の蒸着時間を得るためには、シャドウマスク８１の開口部８２は、走査方向に少なくとも１３３ｍｍ以上、開口している必要がある。

開口部８２の端からシャドウマスク８１の端までの距離（マージン幅ｄ７；図１参照）を３０ｍｍ程度が妥当と想定した場合、シャドウマスク８１の走査方向の幅は、１３３＋３０＋３０≒２００ｍｍが必要となる。

したがって、シャドウマスク８１の短辺長（幅ｄ２）は、２００ｍｍ以上であることが好ましいと言える。但し、蒸着レートや蒸着膜の膜厚、タクトタイムの許容量が変化すればこの限りではない。

また、本実施の形態において、上記ＴＦＴ基板１０の走査速度は３０ｍｍ／ｓとした。

図１０は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０を用いてＴＦＴ基板１０に所定のパターンを成膜する方法の一例を示すフローチャートである。

以下に、上記蒸着装置５０を用いて図８に示す発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを成膜する方法について、図１０に示すフローにしたがって具体的に説明する。

まず、図３に示すように、マスク保持部材８７を用いて、マスクテンション機構８８を介して、発光層２３Ｒ用のシャドウマスク８１（８１Ｒ）を真空チャンバ６０内の発光層２３Ｒ用の蒸着源８５上に設置（固定）し、自重による撓みや延びが発生しないように、マスクテンション機構８８にてテンションをかけて水平に保持する。このとき、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間の距離を、マスク保持部材８７によって一定に保持すると同時に、基板走査方向とシャドウマスク８１に形成されたストライプ状の開口部８２の長軸方向とが一致するように、シャドウマスク８１のアライメントマーカ８４を用いて位置合わせすることで、マスクユニット８０を組み立てる（マスクユニットの準備）。

次に、上記真空チャンバ６０にＴＦＴ基板１０を投入し、該ＴＦＴ基板１０の同色サブ画素列の方向が基板走査方向に一致するように、被成膜基板２００であるＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１を用いて、図１０に示すように粗アライメントを行う（Ｓ１１）。ＴＦＴ基板１０は、自重による撓みが発生しないように、基板保持部材７１により保持する。

続いて、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との粗アライメントを行い（Ｓ１２）、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１（基板−マスクギャップ）が一定になるようにギャップ調整を行うと共に、図１５に示すように、ＴＦＴ基板１０上の発光領域２４Ｒの走査直交方向（ｙ軸方向）の幅の中心とシャドウマスク８１（８１Ｒ）の開口部８２の走査直交方向の幅の中心とが略一致するように、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１とを対向配置させることにより、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との位置合わせを行う（Ｓ１３）。本実施の形態では、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１が、ＴＦＴ基板１０全体に渡って凡そ５００μｍとなるようにギャップ調整した。

次に、上記ＴＦＴ基板１０を、３０ｍｍ／ｓにて走査しながら、該ＴＦＴ基板１０に、赤色の発光層２３Ｒの材料を蒸着させた。

このとき、上記ＴＦＴ基板１０が、上記シャドウマスク８１上を通過するように基板走査を行った。また、シャドウマスク８１の開口部８２が、赤色のサブ画素２Ｒ列に一致するように（即ち開口部８２の走査直交方向（ｙ軸方向）の幅の中心が、サブ画素２Ｒの発光領域２４Ｒの同方向の幅の中心に略一致するように）、上記アライメントマーカ８４・２２１を用いて、走査と同時に精密なアライメントを行った（Ｓ１４）。

上記発光層２３Ｒは、その材料に、３−フェニル−４（１’−ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）（ホスト材料）と、ビス（２−(２’−ベンゾ[４，５−α]チエニル)ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’）イリジウム（アセチルアセトネート）(ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）)（赤色発光ドーパント）とを使用し、それぞれの蒸着速度を５．０ｎｍ／ｓ、０．５３ｎｍ／ｓとして、これら材料（赤色有機材料）を共蒸着させることにより形成した。

蒸着源８５から射出された上記赤色有機材料の蒸着粒子は、上記ＴＦＴ基板１０がシャドウマスク８１上を通過するときに、シャドウマスク８１の開口部８２を通じて、ＴＦＴ基板１０におけるシャドウマスク８１の開口部８２に対向する位置（即ち発光領域２４Ｒ）に蒸着される。本実施の形態においては、上記ＴＦＴ基板１０がシャドウマスク８１上を完全に通過した後には、上記赤色有機材料が、膜厚２５ｎｍにて上記ＴＦＴ基板１０の発光領域２４Ｒに蒸着された。

ここで、上記Ｓ１４におけるアライメントの調整方法について、図１１を参照して以下に説明する。

図１１は、アライメント調整方法を示すフローチャートである。アライメントの調整は、図１１に示すフローに従って行われる。

まず、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０の基板位置を、イメージセンサ９０にて取り込む（Ｓ２１）。

次に、上記イメージセンサ９０で取り込まれた画像から、画像検出部１０１にて、上記ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１およびシャドウマスク８１のアライメントマーカ８４の画像検出を行う（Ｓ２２）。

その後、上記画像検出部１０１にて検出されたアライメントマーカ２２１・８４の画像から、演算部１０２にて、アライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４とのズレ量を計算し、基板位置の補正値を演算して決定する（Ｓ２３）。

次いで、モータ駆動制御部１０３が、上記補正値に基づいてモータ７２を駆動することで、基板位置を補正する（Ｓ２４）。

次いで、補正後の基板位置を再びイメージセンサ９０で検出してＳ２１〜Ｓ２５の工程（ステップ）を繰り返す。

このように、本実施の形態によれば、繰り返し基板位置をイメージセンサ９０で検出して基板位置を補正することで、基板走査しながら、基板位置を、ＴＦＴ基板１０上の発光領域２４Ｒの走査直交方向（ｙ軸方向）の幅の中心とシャドウマスク８１の開口部８２の同方向の幅の中心とが略一致するように補正することが可能であり、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１とを精密アライメントしながら成膜することができる。

上記発光層２３Ｒの膜厚は、往復走査（つまり、ＴＦＴ基板１０の往復移動）並びに走査速度により調整することができる。本実施の形態では、図１０に示すように、Ｓ１４による走査後、ＴＦＴ基板１０の走査方向を反転させ、Ｓ１４と同様の方法にて、Ｓ１４における上記赤色有機材料の蒸着位置に、さらに上記赤色有機材料を蒸着させた（Ｓ１６）。これにより、膜厚５０ｎｍの発光層２３Ｒを形成した。

なお、Ｓ１４〜Ｓ１６において、ＴＦＴ基板１０における非蒸着領域がシャドウマスク８１の開口部８２上に位置するとき（例えば、Ｓ１４に示すステップ終了後、Ｓ１６で走査方向が反転されるまでの間）は、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間にシャッタ８９を挿入し、非蒸着領域に蒸着粒子が付着するのを防いだ（Ｓ１５）。

ここで、上記Ｓ１５における、シャッタ８９を用いた蒸着制御について、図１２および図１３を参照して以下に説明する。

図１２は、蒸着ＯＦＦ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。また、図１３は、蒸着ＯＮ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。

まず、蒸着ＯＦＦ時のフローについて説明する。

図１２に示すように、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０の基板位置は、図１１で説明したように、蒸着処理の間、イメージセンサ９０によって絶えず取り込まれている（Ｓ３１）。

図１１で説明したように、画像検出部１０１は、上記イメージセンサ９０で取り込まれた画像から、ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１およびシャドウマスク８１のアライメントマーカ８４の画像検出を行っている。画像検出部１０１は、ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１として、表示領域２１０の終端を示す終端マーカを検出することで、図１２に示すように、表示領域２１０の終端を検出する（Ｓ３２）。

上記したように画像検出部１０１で表示領域２１０の終端が検出されると、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４は、蒸着ＯＦＦ信号を発生させる（Ｓ３３）。

シャッタ駆動制御部１０５は、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＦＦ信号が入力されると、シャッタ８９を閉鎖する（Ｓ３４）。シャッタ８９が閉鎖されると、蒸着粒子がマスクに到達しなくなり、蒸着ＯＦＦとなる（Ｓ３５）。

次に、蒸着ＯＮ時のフローについて説明する。

図１３に示すように、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０の基板位置が、蒸着処理の間、イメージセンサ９０によって絶えず取り込まれていることは、前記した通りである（Ｓ４１）。

画像検出部１０１は、ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１として、表示領域の始端を示す始端マーカを検出することで、表示領域２１０の始端を検出する（Ｓ４２）。

画像検出部１０１で表示領域２１０の終端が検出されると、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４は、蒸着ＯＮ信号を発生させる（Ｓ４３）。

シャッタ駆動制御部１０５は、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＮ信号が入力されると、シャッタ８９を開放する（Ｓ４４）。シャッタ８９が開放されると、蒸着粒子がマスクに到達するようになり、蒸着ＯＮとなる（Ｓ４５）。

また、上記Ｓ１６における往復走査は、以下のようにして行われる。まず、Ｓ２１〜Ｓ２４に示すステップで精密アライメントを行いながらＴＦＴ基板１０を走査し、画像検出部１０１で表示領域２１０の終端が検出されると、モータ駆動制御部１０３によってモータ７２を駆動してＴＦＴ基板１０を反転させる。この間、Ｓ３１〜Ｓ３５に示すステップにより蒸着ＯＦＦし、Ｓ２１〜Ｓ２４に示すステップでＴＦＴ基板１０の位置補正を行い、Ｓ４１〜Ｓ４５に示すステップによって表示領域２１０の始端で蒸着ＯＮする。そして、Ｓ２１〜Ｓ２４に示すステップで再度、精密アライメントを行いながらＴＦＴ基板１０を走査する。

このようにして、図１４または図１５に示したように、走査直交方向（ｙ軸方向）の両側の部分が膜厚漸減部分２３ｓＲとなった発光層２３Ｒが、発光領域２４Ｒを完全に被覆するように形成される。

より詳細には、発光層２３Ｒは、膜厚Ｔｒが略一定である略平坦部分２３ｔＲと、その走査直交方向（ｙ軸方向）の両側に形成された膜厚漸減部分２３ｓＲとを有している。略平坦部分２３ｔＲは、その走査直交方向の幅が、シャドウマスク８１Ｒの開口部８２の幅Ｂ８２Ｒ（図１５参照）と同じ大きさになると共に発光領域２４Ｒの同方向の幅の内側に重なるように、発光領域２４Ｒ上に形成されている。各膜厚漸減部分２３ｓＲの斜面は、平面状に形成されている。また各膜厚漸減部分２３ｓＲはそれぞれ、上記発光領域２４Ｒと隣接し当該膜厚漸減部分２３ｓＲと同側にある非発光領域２９と上記発光領域２４Ｒとに跨ると共に、当該膜厚漸減部分２３ｓＲと同側の隣の発光領域２４Ｂに重ならないように、形成されている。

本実施の形態では、Ｓ１６に示すステップ後、上記発光層２３Ｒが形成されたＴＦＴ基板１０を上記真空チャンバ６０から取り出し（Ｓ１７）、緑色の発光層２３Ｇ形成用のマスクユニット８０（即ち発光層２３Ｇ用のシャドウマスク８１Ｇおよび蒸着源８５）並びに真空チャンバ６０を用いて、上記発光層２３Ｒの成膜処理と同様にして緑色の発光層２３Ｇを発光領域２４Ｇを完全に被覆するように形成した。

この発光層２３Ｇは、図１４に示すように、膜厚Ｔｇが略一定である略平坦部分２３ｔＧと、その走査直交方向（ｙ軸方向）の両側に形成された膜厚漸減部分２３ｓＧとを有している。略平坦部分２３ｔＧは、その走査直交方向の幅が、シャドウマスク８１Ｇの開口部８２の幅Ｂ８２Ｇと等しくなると共に発光領域２４Ｇの同方向の幅の内側に重なるように、発光領域２４Ｇ上に形成されている。各膜厚漸減部分２３ｓＧの斜面は、平面状に形成されている。また各膜厚漸減部分２３ｓＧはそれぞれ、上記発光領域２４Ｇと隣接し当該膜厚漸減部分２３ｓＧと同側にある非発光領域２９と上記発光領域２４Ｇとに跨ると共に、当該膜厚漸減部分２３ｓＧと同側の隣の発光領域２４Ｂに重ならないように、形成されている。また発光層２３Ｇの膜厚Ｔｇは、発光層２３Ｒの膜厚Ｔｒと等しい。

また、このようにして発光層２３Ｇを形成した後、青色の発光層２３Ｂ形成用のマスクユニット８０（即ち発光層２３Ｂ用のシャドウマスク８１Ｂおよび蒸着源８５）並びに真空チャンバ６０を用いて、上記発光層２３Ｒ・２３Ｇの成膜処理と同様にして青色の発光層２３Ｂを発光領域２４Ｂを完全に被覆するように形成した。

この発光層２３Ｂは、図１４に示すように、膜厚Ｔｂが略一定である略平坦部分２３ｔＢと、その走査直交方向（ｙ軸方向）の両側に形成された膜厚漸減部分２３ｓＢとを有している。略平坦部分２３ｔＢは、その走査直交方向の幅が、シャドウマスク８１Ｂの開口部８２の幅Ｂ８２Ｂ（図１５参照）と等しいと共に発光領域２４Ｂの同方向の幅を被覆するように、発光領域２４Ｂ上に形成されている。各膜厚漸減部分２３ｓＢの斜面は、平面状に形成されている。また発光領域２４Ｒ側の膜厚漸減部分２３ｓＢは、上記発光領域２４Ｂと上記発光領域２４Ｒとの間の非発光領域２９と上記発光領域２４Ｒとに跨るように形成されている。また発光領域２４Ｇ側の膜厚漸減部分２３ｓＢは、上記発光領域２４Ｂと上記発光領域２４Ｇとの間の非発光領域２９と上記発光領域２４Ｇとに跨るように形成されている。

また発光層２３Ｂの膜厚Ｔｂは、各発光層２３Ｒ・２３Ｇの各膜厚Ｔｒ・Ｔｂと等しく、発光領域２４Ｒ側の膜厚漸減部分２３ｓＢの走査直交方向（ｙ軸方向）の幅ＢＢは、発光層２３Ｒの膜厚漸減部分２３ｓＲの同方向の幅ＢＲと等しく、発光領域２４Ｇ側の膜厚漸減部分２３ｓＢの走査直交方向の幅ＢＢは、発光層２３Ｇの膜厚漸減部分２３ｓＧの同方向の幅ＢＧと等しい。

よって、各膜厚漸減部分２３ｓＢ・２３ｓＲの傾斜は互いに等しく、各膜厚漸減部分２３ｓＢ・２３ｓＧの傾斜は互いに等しい。なお、ここでは、両方の膜厚漸減部分２３ｓＢの幅ＢＢは同じ大きさであるので、各膜厚漸減部分２３ｓＢ・２３ｓＲ・２３ｓＧの傾斜は互いに等しい。

なお、各発光領域２４Ｒの走査直交方向（ｙ軸方向）の領域２４Ｒ１では、発光層２３Ｒの膜厚は各膜厚漸減部分２３ｓＲのために漸減するが、その漸減分が発光層２３Ｂの膜厚漸減部分２３ｓＢにより補填されるので、領域２４Ｒ１での膜厚は、略平坦部分２３ｔＲの膜厚Ｔｒと等しくなる。同様に、領域２４Ｇ１での膜厚も、略平坦部分２３ｔＧの膜厚Ｔｇと等しくなる。これにより、発光領域２４Ｒ端−略平坦部分２３ｔＲ端の間の距離（膜厚低下防止マージン）および発光領域２４Ｇ端−略平坦部分２３ｔＧ端の間の距離（膜厚低下防止マージン）を確保する必要がなくなる（即ち膜厚低下防止マージンを省略できる）。

また、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂでの膜厚は均一である。即ち各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂ内での膜厚はそれぞれ均一になり、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂ間でも膜厚は均一になっている。これにより有機ＥＬ特性の低下を防止できる。

なお、発光層２３Ｂは、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇにおいては、電子輸送層として機能するので、混色は発生しない。

なお、上記発光層２３Ｇ・２３Ｂの成膜処理では、これら発光層２３Ｇ・２３Ｂに相当する位置に開口部８２を有するシャドウマスク８１Ｇ・８１Ｂをそれぞれ準備した。そして、それぞれのシャドウマスク８１Ｇ・８１Ｂを、発光層２３Ｇ・２３Ｂ形成用の各真空チャンバ６０に設置し、それぞれのシャドウマスク８１Ｇ・８１Ｂの開口部８２が、各サブ画素２Ｇ・２Ｂ列に一致するようにアライメントを行いながら、ＴＦＴ基板１０を走査して蒸着を行った。

上記発光層２３Ｇは、その材料に、（ＴＡＺ）（ホスト材料）と、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（緑色発光ドーパント）とを使用し、それぞれの蒸着速度を５．０ｎｍ／ｓ、０．６７ｎｍ／ｓとして、これら材料（緑色有機材料）を共蒸着させることにより形成した。

また、発光層２３Ｂは、その材料に、ＴＡＺ（ホスト材料）と、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４’’−ビフェニルイル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔ−Ｂｕ ＰＢＤ）（青色発光ドーパント）とを使用し、それぞれの蒸着速度を５．０ｎｍ／ｓ、０．６７ｎｍ／ｓとして、これら材料（青色有機材料）を共蒸着させることにより形成した。

なお、上記発光層２３Ｇ・２３Ｂの膜厚は、それぞれ５０ｎｍとした。

以上の工程によって、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）にパターン形成されたＴＦＴ基板１０を得た。

このＴＦＴ基板１０では、各発光領域２４Ｒ・２４Ｂ間の非発光領域２９は、式３で表される。
各発光領域２４Ｒ・２４Ｂ間の非発光領域２９＝
（膜厚漸減部分２３ｓＲの幅ＢＲ−発光領域２４Ｒ上の膜厚漸減部分２３ｓＲの幅２４Ｒ１）＋発光層２３Ｒと発光領域２４Ｂの間の混色防止マージンＣ１ … 式３
同様に、各発光領域２４Ｇ・２４Ｂ間の非発光領域２９は、式４で表される。
各発光領域２４Ｇ・２４Ｂ間の非発光領域２９＝
（膜厚漸減部分２３ｓＧの幅ＢＧ−発光領域２４Ｇ上の膜厚漸減部分２３ｓＧの幅２４Ｇ１）＋発光層２３Ｇと発光領域２４Ｂの間の混色防止マージンＣ２ … 式４
式３および式４から、各発光領域２４Ｒ・２４Ｂ間および発光領域２４Ｇ・２４Ｂ間の各非発光領域２９の幅ＢＲ・ＢＧはそれぞれ、従来の場合の非発光領域２９の同方向の幅（式１参照）よりも小さくでき且つ各膜厚漸減部分（蒸着ボケ）２３ｓＲ・２３ｓＧよりも小さくできる。これにより、従来よりも表示画面を高精細にできる。

発光領域間領域２９を小さくすることで、発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂを広く確保することができ、画素の電流密度を低下させ、有機ＥＬ素子の寿命を改善することができる。そのため、有機ＥＬ表示装置の信頼性が向上する。

またこのＴＦＴ基板１０では、上述のように膜厚低下防止マージンを省略できるので、発光層２３Ｒ端−隣接画素発光領域２４Ｂ間の距離（混色防止マージン）Ｃ１を大きくできる。これにより、発光層２３Ｒの走査直交方向のパターンずれが発生しても、発光層２３Ｒが隣の発光領域２４Ｂに重なること（即ち混色の発生）を防止できる。同様に、発光層２３Ｇについても、混色防止マージンＣ２を大きくできるので、発光層２３Ｇの走査直交方向のパターンずれが発生しても、発光層２３Ｇ隣の発光領域２４Ｂに重なることを防止できる。よって、表示品位および信頼性を犠牲にせずに隣接画素への混色および当該画素での膜低下を防止できる。

しかも、発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４ＢはＲ／Ｂ／Ｇ／Ｂの順で配置されているので、発光層２３Ｒと２３Ｇが直接重なることがなく、発光領域２４Ｒと２４Ｇとの間の混色を防止することができる。

なお、本実施の形態では、基板１０とシャドウマスク８１との間に空隙を設けて蒸着を行うスキャン蒸着法にて、本発明の構造を適用したが、発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂ内に蒸着膜（即ち発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ）の膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧ・２３ｓＢを形成し得るものであれば、他の蒸着方法についても同様に適用することができる。例えば、シャドウマスク８１の板厚を厚くすることによって、シャドウ効果が発生するが、当効果を用いて、蒸着膜の側面に傾斜形状を与えると共に、発光領域内に膜厚漸減部分を形成することができる。

また、本実施の形態に対して、蒸着粒子の射出方向を制限するような制限板をシャドウマスク８１と蒸着源８５との間に別途設けることも可能である。制限板を追加し、蒸着粒子の射出方向を制限することにより、膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧ・２３ｓＢの幅を調整することができる。例えば、複数の開口部が配列しているような制限板をシャドウマスク８１と蒸着源８５との間に設け、被成膜基板のある領域の蒸着膜について、それを構成する蒸着粒子が射出される射出口を制限または特定することによって、膜厚漸減部分の幅を調整し得る。

なお、本実施の形態では、上記マスクユニット８０が、真空チャンバ６０内に固定配置された構成としたが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。

上記蒸着装置５０は、上記基板移動機構７０に代えて、被成膜基板２００を固定する基板保持部材７１（例えば静電チャック）を備えるとともに、上記マスクユニット８０を、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置を保ったまま被成膜基板２００に対して相対移動させるマスクユニット移動機構（マスクユニット移動手段）を備えていてもよい。あるいは、基板移動機構７０およびマスクユニット移動機構の両方を備えていてもよい。

すなわち、上記被成膜基板２００およびマスクユニット８０は、その少なくとも一方が相対移動可能に設けられていればよく、何れを移動させる場合であっても、本発明の効果を得ることができる。

上記したように被成膜基板２００に対してマスクユニット８０を相対移動させる場合、上記マスクユニット８０は、例えばマスク保持部材８７（例えば同一のホルダ）ごと、シャドウマスク８１および蒸着源８５を被成膜基板２００に対して相対移動させる。これにより、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置を保ったまま被成膜基板２００に対して上記マスクユニット８０を相対移動させることができる。

このように、被成膜基板２００に対してマスクユニット８０を相対移動させる場合には、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、例えば、同一のホルダ（保持部材、保持手段）にて保持されることで、一体化されていることが好ましい。

但し、上記したようにマスクユニット８０に対して被成膜基板２００を相対移動させる場合には、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、相対的に位置が固定されていれば、必ずしも一体化されている必要はない。

例えば、上記マスクユニット８０は、蒸着源８５が真空チャンバ６０の内壁における例えば底壁に固定されるとともに、マスク保持部材８７が、上記真空チャンバ６０の内壁の何れかに固定されることで、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置が固定されていても構わない。

また、上記シャドウマスク８１の開口部８２は、上記蒸着源８５における射出口８６の配置に合わせて、各射出口８６が、平面視で何れかの開口部８２内に位置するとともに、開口部８２と射出口８６とが１対１に対応して設けられている場合を例に挙げて説明したしかしながら、本実施の形態は、これに限定されるものではない。開口部８２と射出口８６とは、必ずしも対向配置されている必要はなく、また、必ずしも１対１に対応していなくてもよい。

具体的には、開口部８２のピッチｐと射出口８６のピッチとは一致しなくてもよい。また、開口部８２の幅ｄ５あるいは幅ｄ６と射出口８６の開口幅（開口径）とは一致していなくてもよい。例えば、図１に示す例において、射出口８６の開口径は、開口部８２の幅ｄ６よりも大きくても小さくても構わない。また、一つの開口部８２に対して複数の射出口８６が設けられていてもよく、複数の開口部８２に対して一つの射出口８６が設けられていてもよい。また、複数の射出口８６のうち一部（少なくとも一つ）の射出口８６、あるいは、射出口８６の一部の領域が、非開口部（つまり、シャドウマスク８１における開口部８２以外の領域（例えば開口部８２・８２間の領域））に対向して設けられていても構わない。

また、材料利用効率の向上の観点からは、開口部８２と射出口８６とが１対１に対応していることが望ましい。

また、本実施の形態では、シャドウマスク８１の開口部８２および蒸着源８５の射出口８６が、一次元に配列されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。シャドウマスク８１の開口部８２と蒸着源８５の射出口８６とは、それぞれ、互いに対向して配置されていればよく、二次元に配列されていても構わない。

また、本実施の形態では、シャドウマスク８１の開口部８２および蒸着源８５の射出口８６が、それぞれ複数設けられている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。上記シャドウマスク８１は、開口部８２を少なくとも１つ備えていればよく、蒸着源８５は、射出口８６を少なくとも１つ備えていればよい。

また、本実施の形態では、シャドウマスク８１が、スリット状の開口部８２を有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、上記開口部８２の形状は、所望の蒸着パターンが得られるように適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。

また、本実施の形態では、基板移動機構７０が、基板保持部材７１として静電チャックを備えている場合を例に挙げて説明した。このように、被成膜基板２００が静電チャックにより保持されていることで、被成膜基板２００の自重による撓みの発生を効果的に防止することができる。

しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、被成膜基板２００の大きさによっては、例えば、上記基板保持部材７１としては、基板にテンションを掛けて機械的に挟んで保持するローラ等の保持部材を用いても構わない。

また、本実施の形態では、シャッタ８９として、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間に進退可能なシャッタが設けられている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態は、これに限定されるものではなく、例えば、蒸着源８５として、ＯＮ／ＯＦＦ切り替えが可能な蒸着源８５を使用し、被成膜基板２００における、蒸着不要な部分がシャドウマスク８１の開口領域（つまり、開口部８２に対向する領域）に位置する場合には、蒸着をＯＦＦし、蒸着分子が飛翔しないようにしてもよい。

例えば、シャッタ８９として、蒸着源８５の射出口８６を閉鎖することで蒸着粒子の射出（放出）を止めるシャッタ８９が、蒸着源８５に設けられている構成としてもよい。

あるいは、上記射出口８６にシャッタ８９を設ける代わりに、蒸着ＯＮ信号あるいは蒸着ＯＦＦ信号に基づいて、蒸着源８５の電源をＯＮ／ＯＦＦすることで、蒸着粒子の発生そのものを停止させる構成としても構わない。

また、本実施の形態では、前記したように、ＴＦＴ基板１０側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置１の製造方法を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。本発明は、封止基板４０側から光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１にも好適に適用することができる。

また、本実施の形態では、ＴＦＴ基板１０および封止基板４０の支持基板としてガラス基板を用いる場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。

これらＴＦＴ基板１０並びに封止基板４０における各支持基板としては、有機ＥＬ表示装置１がボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合、ガラス基板以外に、例えば、プラスチック基板等の透明基板を用いることもできる。一方、上記有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合には、上記支持基板としては、上記したような透明基板以外に、例えば、セラミックス基板等の不透明な基板を用いることもできる。

また、本実施の形態では、陽極（本実施の形態では、第１電極２１）が、マトリクス状に形成されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、上記陽極としては、有機ＥＬ層に正孔を供給する電極としての機能を有していれば、その形状、材質、並びに大きさは、特に限定されるものではなく、例えばストライプ状に形成されていても構わない。但し、有機ＥＬ素子の性質上、陽極および陰極のうち少なくとも一方は透明であることが好ましい。一般的には、透明な陽極が用いられる。

〔実施の形態２〕
本発明の実施の他の形態について図１６に基づいて説明すれば以下の通りである。

実施の形態１では、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧ・２３ｔＢの膜厚Ｔｒ・Ｔｇ・Ｔｂは互いに同じ大きさに形成された。本実施の形態では、図１６に示すように、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ（第１膜）の略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧの膜厚Ｔｒ・Ｔｇは互いに同じ大きさに形成されるが、発光層２３Ｂ（第２膜）の略平坦部分２３ｔＢの膜厚Ｔｂは、各発光層２３Ｒ・２３Ｇの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧの膜厚Ｔｒ・Ｔｇよりも大きく形成される。

また本実施の形態では、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ上には、発光層２３Ｂと同色（即ち青色）の発光層２３Ｂ２（第３膜）が形成されることで、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂでの膜厚が均一化されている。

より詳細には、各発光層２３Ｒ・２３Ｇの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧの膜厚をＴｒｇ（＝Ｔｒ＝Ｔｇ）とし、発光層２３Ｂの略平坦部分２３ｔＢの膜厚をＴｂ１（＝Ｔｂ）とし、発光層２３Ｂ２の略平坦部分２３ｔＢ２の膜厚をＴｂ２とすると、膜厚Ｔｂ２は、式５で与えられる。

Ｔｂ２＝Ｔｂ１−Ｔｒｇ … 式５
なお、発光層２３Ｂ２には、発光層２３Ｂと同じ材料が使用できる。

本実施の形態での有機ＥＬ表示装置の製造方法は、実施の形態１において、発光層２３Ｂの形成工程において、発光層２３Ｂの略平坦部分２３ｔＢの膜厚Ｔｂ（＝Ｔｂ１）が各発光層２３Ｒ・２３Ｇの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧの膜厚Ｔｒｇよりも大きく形成される点が異なり、更に、発光層２３Ｂの形成工程後に、発光層２３Ｂ２の形成工程が追加される点が異なる以外は、実施の形態１と同様である。

なお、上記の発光層２３Ｂ２の形成工程では、青色の発光層２３Ｂ２形成用のマスクユニット８０（即ち、発光層２３Ｂ２用のシャドウマスク８１Ｂ２（図１６参照）および蒸着源８５）並びに真空チャンバ６０を用いて、上記発光層２３Ｒ・２３Ｇの成膜処理と同様にして発光層２３Ｂ２を上述のように形成する。

なお、シャドウマスク８１Ｂ２は、発光層２３Ｒ上に形成する発光層２３Ｂ２用の開口部８２ｒと、発光層２３Ｇ上に形成する発光層２３Ｂ２用の開口部８２ｇと有している。開口部８２ｒの走査直交方向（ｙ軸方向）の幅Ｂ８２ｒは、発光層２３Ｒの略平坦部分２３ｔＲの同方向の幅と同じ大きさに形成され、開口部８２ｇの走査直交方向（ｙ軸方向）の幅Ｂ８２ｇは、発光層２３Ｇの略平坦部分２３ｔＧの同方向の幅と同じ大きさに形成されている。

以上のように、本実施の形態によれば、発光層２３Ｂ（第２膜）の略平坦部分２３ｔＢの膜厚Ｔｂ１は、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ（第１膜）の略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧの膜厚Ｔｒ・Ｔｇよりも大きく形成され、各発光層２３Ｒ・２３Ｇの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧおよび発光層２３Ｂの膜厚漸減部分２３ｓＢにおいて発光層２３Ｂの略平坦部分２３ｔＢに対して略平坦になるように形成された発光層２３Ｂ２（第３膜）を更に備えるので、発光層２３Ｂの略平坦部分２３ｔＢの膜厚Ｔｂ１が各発光層２３Ｒ・２３Ｇの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧの膜厚Ｔｒ・Ｔｇよりも大きい場合において、発光層２３Ｂ２により、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂ（第１および第２成膜領域）での膜厚を均一化できる。

〔実施の形態３〕
本発明の実施の他の形態について図１７に基づいて説明すれば以下の通りである。

実施の形態２では、各発光層２３Ｒ・２３Ｇの膜厚Ｔｒ・Ｔｇは互いに同じ大きさに形成されたが、本実施の形態では、図１７に示すように、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ（第１膜）の膜厚Ｔｒ・Ｔｇは互いに異なる大きさに形成される。

本実施の形態では、発光層２３Ｒ上に形成される発光層２３Ｂ２（以後、発光層２３Ｂ２Ｒと呼ぶ：第３膜）の略平坦部分２３ｔＢ２Ｒの膜厚Ｔｂ２ｒ、および発光層２３Ｇ上に形成される発光層２３Ｂ２（以後、発光層２３Ｂ２Ｇと呼ぶ：第３膜）の略平坦部分２３ｔＢ２Ｇ膜厚Ｔｂ２ｒはそれぞれ式６および式７で与えられる。

Ｔｂ２ｒ＝Ｔｂ１−Ｔｒ … 式６
Ｔｂ２ｇ＝Ｔｂ１−Ｔｇ … 式７
なお、本実施の形態でも各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂでの膜厚は均一である。

本実施の形態での有機ＥＬ表示装置の製造方法は、実施の形態２の製造方法において、発光層２３Ｂの形成工程が、発光層２３Ｂ２Ｒの形成工程と、発光層２３Ｂ２Ｇの形成工程とに分離され、それら各形成工程が例えばその順番に行われる点が異なる以外は、実施の形態２と同様である。

なお、発光層２３Ｂ２Ｒの形成工程では、発光層２３Ｂ２Ｒ形成用のマスクユニット８０（即ち、発光層２３Ｂ２Ｒ用のシャドウマスク８１Ｂ２Ｒ（図示省略）および蒸着源８５）並びに真空チャンバ６０を用いて、実施の形態２での発光層２３Ｂ２の成膜処理と同様にして発光層２３Ｂ２Ｒを上述のように形成する。また発光層２３Ｂ２Ｇの形成工程では、発光層２３Ｂ２Ｇ形成用のマスクユニット８０（即ち、発光層２３Ｂ２Ｇ用のシャドウマスク８１Ｂ２Ｇ（図示省略）および蒸着源８５）並びに真空チャンバ６０を用いて、実施の形態２での発光層２３Ｂ２の成膜処理と同様にして発光層２３Ｂ２Ｇを上述のように形成する。

なお、発光層２３Ｂ２Ｒ用のシャドウマスク８１Ｂ２Ｒ（図示省略）は、発光層２３Ｒ用のシャドウマスク８１Ｒと同様に形成されたものが使用され、発光層２３Ｂ２Ｇ用のシャドウマスク８１Ｂ２Ｇ（図示省略）は、発光層２３Ｇ用のシャドウマスク８１Ｇと同様に形成されたものが使用される。

以上のように、本実施の形態によれば、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ（第１膜）の膜厚Ｔｒ・Ｔｇが互いに異なる大きさに形成された場合において、実施の形態２と同様の効果を得る。

〔実施の形態４〕
本発明の実施の他の形態について図１８に基づいて説明すれば以下の通りである。

実施の形態１では、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧ・２３ｔＢの膜厚Ｔｒ・Ｔｇ・Ｔｂは、互いに等しくなっていた（即ちＴｒ＝Ｔｇ＝Ｔｂ）が、本実施の形態では、各発光層２３Ｒ（第１膜）・２３Ｇ（第１膜）・２３Ｂ（第２膜）の膜厚Ｔｒ・Ｔｇ・Ｔｂは、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧ・２３ｔＢの膜厚方向の抵抗Ｒｒ・Ｒｇ・Ｒｂが互いに同じ等しくなる（即ちＲｒ＝Ｒｇ＝Ｒｂ）ように形成される。

換言すれば、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚方向の抵抗率をρｒ・ρｇ・ρｂとし、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧ・２３ｔＢの膜厚方向の抵抗をＲ（＝Ｒｒ＝Ｒｇ＝Ｒｂ）とすると、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚Ｔｒ・Ｔｇ・Ｔｂは、式８が成立するように決定される。

Ｒ＝ρｒ×Ｔｒ＝ρｇ×Ｔｇ＝ρｂ×Ｔｂ … 式８
本実施の形態では、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂでは、各膜厚Ｔｒ・Ｔｇ・Ｔｂは互いに等しくならないが、膜厚方向の各抵抗Ｒｒ・Ｒｇ・Ｒｂは、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが重なる領域（即ち各膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＢの重なる領域２４Ｒ１（図１４参照）および各膜厚漸減部分２３ｓＧ・２３ｓＢの重なる領域２４Ｇ１（図１４参照））を含めて同じ大きさになる。

これを発光層２３Ｒ・２３Ｂで検証する。図１８に示すように、各発光層２３Ｒ・２３Ｂの膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＢが重畳領域７７で互いに重なっているとする。

各発光層２３Ｒ・２３Ｂの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＢの膜厚方向の抵抗Ｒｒ・Ｒｂは、式８より互いに同一である。他方、重畳領域７７では、その走査直交方向の一端を原点Ｏとしその走査直交方向の他端側に向かってｕ軸を取り、重畳領域７７のｕ軸方向の幅をＢとすると、位置ｕでの膜厚方向の全抵抗Ｒｕは、位置ｕでの発光層２３Ｒでの抵抗（ρｒ×Ｔｒ×（ｕ／Ｂ））と、位置ｕでの発光層２３Ｂでの抵抗（ρｂ×Ｔｂ×｛（Ｂ−ｕ）／Ｂ｝）との和になり、式９で表される。なお、各膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＢの傾斜は平面と仮定している。

Ｒｕ＝ρｒ×Ｔｒ×（ｕ／Ｂ）＋ρｂ×Ｔｂ×｛（Ｂ−ｕ）／Ｂ｝ … 式９
そして式８および式９から、式１０を得る。

Ｒｕ＝ρｂ×Ｔｂ＝Ｒ … 式１０
式１０より、重畳領域７７（従って膜厚漸減部分２３ｓＲと重なる領域２４Ｒ１）でも、膜厚方向の抵抗Ｒｕは、略平坦部分２３ｔＲの膜厚方向の抵抗Ｒと同じになる。

以上のように本実施の形態によれば、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧ・２３ｔＢの膜厚方向の抵抗Ｒｒ・Ｒｇ・Ｒｂが同じ大きさになるように、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧ・２３ｔＢの膜厚Ｔｒ・Ｔｇ・Ｔｂが規定される。これにより、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂに膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧ・２３ｓＢが生じても、単純に各膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧ・２３ｓＢを重ね合わせることで、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂでの膜厚方向の抵抗の均一化を図る事ができる。

そして各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂでの膜厚の膜厚方向の抵抗が均一化することによって、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂ内での抵抗値の分布が無くなり、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂ内に均一に電流を流す事ができる。そのため、局所的な電流集中による有機ＥＬ素子の損傷や寿命のバラツキを抑制し、高信頼性の有機ＥＬ表示装置を実現できる。

〔実施の形態５〕
本発明の実施の他の形態について図１９および図２０に基づいて説明すれば以下の通りである。

実施の形態１では、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧ・２３ｔＢの膜厚Ｔｒ・Ｔｇ・Ｔｂは互いに同じ大きさに形成されたが、本実施の形態では、図１９に示すように、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ（第１膜）の略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧの膜厚Ｔｒ・Ｔｇは互いに同じ大きさに形成されるが、発光層２３Ｂ（第２膜）の略平坦部分２３ｔＢの膜厚Ｔｂは、各発光層２３Ｒ・２３Ｇの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧの膜厚Ｔｒ・Ｔｇよりも小さく形成される。

また本実施の形態では、発光層２３Ｂ上には、緩衝層２３Ｄ（第１緩衝層）が形成されることで、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂでの膜厚が均一化されている。より詳細には、各発光層２３Ｒ・２３Ｇの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧの膜厚をＴｒｇ（＝Ｔｒ＝Ｔｇ）とし、発光層２３Ｂの略平坦部分２３ｔＢの膜厚をＴｂとし、緩衝層２３Ｄの略平坦部分２３ｔＤの膜厚をＴｂｆｆとすると、膜厚Ｔｂｆｆは、式１１で与えられる。

Ｔｂｆｆ＝Ｔｒｇ−Ｔｂ … 式１１
緩衝層２３Ｄは、電子輸送層と同じ機能を有する層である。緩衝層２３Ｄの材料としては、例えば、発光層（例えば２３Ｂ）のホスト材料または電子輸送層と同じ材料を使用することができる。

本実施の形態での有機ＥＬ表示装置の製造方法は、図２０に示すように、実施の形態１における、ステップＳ３中の発光層２３Ｂの形成工程において、発光層２３Ｂの略平坦部分２３ｔＢの膜厚Ｔｂが各発光層２３Ｒ・２３Ｇの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧの膜厚Ｔｒｇよりも小さく形成される点が異なり、更に、発光層２３Ｂの形成工程後（即ち工程Ｓ３後）に、緩衝層２３Ｄを形成する緩衝層蒸着工程Ｓ３−２が追加される点が異なる以外は、実施の形態１と同様である。

なお、緩衝層蒸着工程Ｓ３−２では、緩衝層２３Ｄ形成用のマスクユニット８０（即ち、緩衝層２３Ｄ用のシャドウマスク８１Ｄ（図示省略）および蒸着源８５）並びに真空チャンバ６０を用いて、上記発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの成膜処理と同様にして、緩衝層２３Ｄを上述のように形成する。なお、緩衝層２３Ｄ用のシャドウマスク８１Ｄは、発光層２３Ｂ用のシャドウマスク８１Ｂと同じものを使用することができる。

以上のように、本実施の形態によれば、発光層２３Ｂ（第２膜）の略平坦部分２３ｔＢの膜厚Ｔｂは、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ（第１膜）の略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧの膜厚Ｔｒ・Ｔｇよりも小さく、発光層２３Ｂ上において、各発光層２３Ｒ・２３Ｇの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧに対して平坦になるように形成された緩衝層２３Ｄを更に備えるので、発光層２３Ｂの略平坦部分２３ｔＤの膜厚Ｔｂｆｆが各発光層２３Ｒ・２３Ｇの略平坦部分２３ｔＲ・２３ｔＧの膜厚Ｔｒ・Ｔｇよりも小さい場合において、緩衝層２３Ｄにより、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂ（第１および第２成膜領域）での膜厚を均一化できる。

〔実施の形態６〕
本発明の実施の他の形態について図２１に基づいて説明すれば以下の通りである。

実施の形態５では、各発光層２３Ｒ・２３Ｇの膜厚Ｔｒ・Ｔｇは互いに等しくなっていたが、本実施の形態では、図２１に示すように、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ（第１膜）の膜厚Ｔｒ・Ｔｇは互いに異なる（例えばＴｒ＞Ｔｇ）ように形成される。なお、本実施の形態でも、実施の形態５と同様に、発光層２３Ｂ（第２膜）の膜厚Ｔｂは、各発光層２３Ｒ・２３Ｇの膜厚Ｔｒ・Ｔｇよりも小さく形成される（従ってＴｒ＞Ｔｇ＞Ｔｂ）。

そして本実施の形態では、発光層２３Ｂ（第２膜）上に第１緩衝層２３Ｄ１（第１緩衝層）が形成されることで、発光領域２４Ｂでの膜厚が発光層２３Ｒの膜厚Ｔｒ（即ち各膜厚Ｔｒ・Ｔｇのうちの大きい方）と等しくなる。また発光層２３Ｇ（即ち各発光層２３Ｒ・２３Ｇのうちの膜厚Ｔｒ・Ｔｇの小さい方）（第１膜）上に第２緩衝層２３Ｄ２（第２緩衝層）が形成されることで、発光領域２４Ｇ（即ち各発光層２３Ｒ・２３Ｇのうちの膜厚Ｔｒ・Ｔｇの小さい方に対応する発光領域）での膜厚が発光層２３Ｒの膜厚Ｔｒと等しくなる。これにより各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂでの膜厚が均一化されている。

より詳細には、第１緩衝層２３Ｄ１の略平坦部分２３ｔＤ１の膜厚Ｔｂｆｆ１は、式１２で与えられる。また第２緩衝層２３Ｄ２の略平坦部分２３ｔＤ２の膜厚Ｔｂｆｆ２は、式１３で与えられる。

Ｔｂｆｆ１＝Ｔｒ−Ｔｂ … 式１２
Ｔｂｆｆ２＝Ｔｒ−Ｔｇ … 式１３
なお、第１緩衝層２３Ｄ１および第２緩衝層２３Ｄ２の材料としては、実施の形態５の緩衝層２３Ｄの材料と同じものが使用できる。

本実施の形態での有機ＥＬ表示装置の製造方法は、実施の形態５の製造方法において、緩衝層蒸着工程Ｓ３−２が、第１緩衝層２３Ｄ１の形成工程と、第２緩衝層２３Ｄ２の形成工程とに分離され、第１緩衝層２３Ｄ１の形成工程後に第２緩衝層２３Ｄ２の形成工程が行われる点が異なる以外は、実施の形態５と同様である。

より詳細には、第１緩衝層２３Ｄ１の形成工程では、第１緩衝層２３Ｄ１形成用のマスクユニット８０（即ち、第１緩衝層２３Ｄ１用のシャドウマスク（例えば発光層２３Ｂ用のシャドウマスク８１Ｂと同様に形成されたシャドウマスク）および蒸着源８５）並びに真空チャンバ６０を用いて、上記発光層２３Ｂの成膜処理と同様に、発光層２３Ｂ上に膜厚Ｔｂｆｆ１の第１緩衝層２３Ｄ１を形成する。

また第２緩衝層２３Ｄ２の形成工程では、第２緩衝層２３Ｄ２形成用のマスクユニット８０（即ち、第２緩衝層２３Ｄ２用のシャドウマスク（例えば発光層２３Ｇ用のシャドウマスク８１Ｇと同様に形成されたシャドウマスク）および蒸着源８５）並びに真空チャンバ６０を用いて、上記発光層２３Ｇの成膜処理と同様に、発光層２３Ｇ上に膜厚Ｔｂｆｆ２の第２緩衝層２３Ｄ２を形成する。

以上のように、本実施の形態によれば、発光層２３Ｂ（第２膜）の略平坦部分２３ｔＢの膜厚Ｔｂが各発光層２３Ｇ（第１膜）の略平坦部分２３ｔＧの膜厚Ｔｇよりも小さい場合において、各発光領域２４Ｇ・２４Ｂ（第１および第２成膜領域）での膜厚を、第１および第２緩衝層２３Ｄ１・２３Ｄ２により、発光層２３Ｇの略平坦部分２３ｔＧの膜厚Ｔｇよりも高い所定の大きさ（発光層２３Ｒの膜厚Ｔｒ）に均一化できる。

なお、本実施の形態では、Ｔｒ＞Ｔｇの場合で説明したが、Ｔｒ＜Ｔｇの場合も同様である。

〔実施の形態７〕
本発明の実施の他の形態について図２２および図２３に基づいて説明すれば以下の通りである。

実施の形態１では、各発光層２３Ｒ・２３Ｇだけがそれぞれ、ｙ軸方向（所定方向）の両側の部分にそれぞれｙ軸方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧを有し、当該膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧのｙ軸方向の基端側が発光領域２４Ｒ・２４Ｇに重なるように形成されたが、本実施の形態では、図２２に示すように、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ（第１膜）ともそれぞれ、そのｙ軸方向（所定方向）の両側の部分にそれぞれｙ軸方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧ・２３ｔＢを有し、当該膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧ・２３ｔＢのｙ軸方向の基端側が発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂ（成膜領域）に重なるように形成される。

なお、本実施の形態では、隣合う各発光層２３Ｒ・２３Ｇの膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧは、互いに重なり合わないように、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ間領域（非発光領域）２９の走査直交方向の中心に形成される。同様に、隣合う各発光層２３Ｇ・２３Ｂの膜厚漸減部分２３ｓＧ・２３ｓＢは、互いに重なり合わないように、各発光領域２４Ｇ・２４Ｂ間領域（非発光領域）２９の走査直交方向の中心に形成される。

なお、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚Ｔｒ・Ｔｇ・Ｔｂは、実施の形態１と同様に、互いに等しい（即ちＴｒ＝Ｔｇ＝Ｔｂ）。

また本実施の形態では、１画素は、従来同様、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２ＢがＲ／Ｂ／Ｇの順に配列して構成されている。

また本実施の形態では、各発光領域間領域（非発光領域）２９に、発光層２３Ｂ３（第２膜）が形成されている。発光層２３Ｂ３は、例えば発光層２３Ｂと同じ発光色（即ち青色）を有しており、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚Ｔｒ・Ｔｇ・Ｔｂと同じ膜厚に形成されている。

ここでは、ＴＦＴ基板１０における各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂの幅は、３６０μｍ（走査方向）×１１０μｍ（走査方向に垂直な方向）とした。また、上記開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチは４８０μｍ（走査方向）×１６０μｍ（走査方向に垂直な方向）とした。なお、上記開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチ（画素開口部間ピッチ）は、隣り合うサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおけるそれぞれの開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチを示しており、同色サブ画素間のピッチではない。

また各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ間領域２９上の発光層２３Ｂ３は、ｙ軸方向（所定方向）の両側の部分にそれぞれｙ軸方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分２３ｓＢ３を有し、当該膜厚漸減部分２３ｓＢ３が、当該膜厚漸減部分２３ｓＢ３と同側の発光層２３Ｒまたは２３Ｒの膜厚漸減部分２３ｓＲまたは２３ｓＲに重なって当該膜厚漸減部分２３ｓＲまたは２３ｓＲの膜厚の漸減分を補填する様に形成されている。このように発光層２３Ｂ３が形成されることで、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂでの膜厚が均一化されている。

なお、発光層２３Ｂ３の略平坦部分２３ｔＢ３のｙ軸方向の幅ＢｔＢ３は、発光層２３Ｂ３の両側の各発光層２３Ｒ・２３Ｇまたは２３Ｇ・２３Ｂの同方向の間隔ＢｒｇまたはＢｇｂと同じ大きさに形成されている。

また発光層２３Ｂ３の膜厚漸減部分２３ｓＢ３の走査直交方向の幅ＢｓＢ３は、当該膜厚漸減部分２３ｓＢ３と重なる膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧ・２３ｓＢの同方向の幅ＢＲ・ＢＧ・ＢＢと同じ大きさに形成されている。

本実施の形態での有機ＥＬ表示装置の製造方法は、実施の形態１の製造方法において、発光層蒸着工程Ｓ３で、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが上記のように形成された後に、発光層２３Ｂ２が上記のように形成される点が異なる以外は、実施の形態１と同様である。

なお、図２３に示すように、発光層２３Ｒ用のシャドウマスク８１Ｒは、その開口部８２のｙ軸方向の幅Ｂ８２Ｒが発光領域２４Ｒの同方向の幅よりも小さくなるように形成されている。そして発光層２３Ｒの形成工程では、シャドウマスク８１Ｂは、その開口部８２のｙ軸方向の中心が発光領域２４Ｒの同方向の中心に略一致され且つ被成膜基板２００に対して間隔を空けて配置されて使用される。同様に発光層２３Ｇ・２３Ｂ用のシャドウマスク８１Ｇ・８１Ｂ（図示省略）も、その開口部８２のｙ軸方向の幅Ｂ８２Ｇ・Ｂ８２Ｂ（図示省略）が発光領域２４Ｇ・２４Ｂの同方向の幅よりも小さくなるように形成されている。そして発光層２３Ｇ・２３Ｂの形成工程では、シャドウマスク８１Ｇ・８１Ｂは、その開口部８２のｙ軸方向の中心が発光領域２４Ｇ・２４Ｂの同方向の中心に略一致され且つ被成膜基板２００に対して間隔を空けて配置されて使用される。

ここでは、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ（第１膜）に対するシャドウマスク８１Ｒ・８１Ｇ・８１Ｂの開口部Ｂ８２Ｒ・Ｂ８２Ｇ・Ｂ８２Ｂの開口幅は、１５０ｍｍ（長軸方向の幅ｄ５；図１参照）×５０μｍ（短軸方向の幅ｄ６；図１参照）とし、隣り合う開口部８２・８２間の間隔ｄ８（図１参照）は４３０μｍとし、隣り合う開口部８２・８２の中心間のピッチｐ（図１参照）は４８０μｍとした。

また、発光層２３Ｂ３用のシャドウマスク８１Ｂ３は、開口部８２のｙ軸方向の幅Ｂ８２Ｂ３が各発光層２３Ｒ・２３Ｇ（または２３Ｇ・２３Ｂ）間の間隔Ｂ１００と同じ大きさに形成されている。そして発光層２３Ｂ３の形成工程では、シャドウマスク８１Ｂ３は、開口部８２のｙ軸方向の中心が各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ（または２４Ｇ・２４Ｂ）間領域（非発光領域）２９の同方向の中心に略一致され且つ被成膜基板２００に対して間隔を空けて配置されて使用される。

ここでは、発光層２３Ｂ３（第２膜）に対するシャドウマスク８１Ｂ３の開口部８２の開口幅Ｂ８２Ｂ３は、１５０ｍｍ（長軸方向の幅ｄ５；図１参照）×１０μｍ（短軸方向の幅ｄ６；図１参照）とし、隣り合う開口部８２・８２間の間隔ｄ８（図１参照）は１５０μｍとし、隣り合う開口部８２・８２の中心間のピッチｐ（図１参照）は１６０μｍとした。

以上のように本実施の形態によれば、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ（第１膜）はそれぞれ、膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧ・２３ｓＢの基端側が各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂ（成膜領域）に重なるように形成されるので、膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧ・２３ｓＢのｙ軸方向（所定方向）の幅を短くしなくても、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂと当該膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧ・２３ｓＢ側の隣の成膜領域（２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの何れか）との間の領域（即ち混色防止マージン）２９を広く確保でき、これにより，各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂがｙ軸方向に大きくパターンずれしても、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが当該膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧ・２３ｓＢ側の上記隣の成膜領域に重なることによる混色を防止できる。

また上記混色防止マージンを広くするために、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂと上記隣の成膜領域との間の領域２９を広くする必要がないので、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂ（即ち表示画面）を高精細に保てる。

また発光層２３Ｂ３（第２膜）は、その膜厚漸減部分２３ｓＢ３が、それと同側にある発光層２３Ｒ・２３Ｇまたは２３Ｂの膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧまたは２３ｓＢの基端側に重なって当該膜厚漸減部分２３ｓＲ・２３ｓＧまたは２３ｓＢの基端側の膜厚の漸減分を補填する様に形成されるので、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂでの膜厚低下を防止できる。

なお、本実施の形態では、第２膜を発光層としたが、これに限定されず、発光層を構成するホスト材料や電子輸送層とすることもできる。

〔要点概要〕
以上のように、また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第２膜の上記膜厚漸減部分が上記第１膜の上記膜厚漸減部分の基端側に重なることが望ましい。

上記の構成によれば、第２膜の膜厚漸減部分が第１膜の膜厚漸減部分の基端側に重なるので、第２膜の膜厚漸減部分により第１膜の膜厚漸減部分の基端側の膜厚の漸減分が完全に補填されて、第１成膜領域での膜厚低下を防止できる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第１膜の上記膜厚漸減部分の上記所定方向の基端側が上記第１成膜領域に重なることが望ましい。

上記の構成によれば、第１膜の膜厚漸減部分の所定方向の基端側は第１成膜領域に重なるので、第１膜の膜厚漸減部分の所定方向の幅を短くしなくても、第１膜と第２成膜領域との間の間隔（即ち混色防止マージン）を広く確保でき、これにより，第１膜が所定方向に大きくパターンずれしても、第１膜が第２成膜領域に重なることによる混色を防止できる。

また上記混色防止マージンを広くするために、第１および第２成膜領域の間の領域を広くする必要がないので、第１および第２成膜領域（即ち表示画面）を高精細にできる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第２膜の上記膜厚漸減部分は、上記第２成膜領域の上記所定方向の外側に配置されることが望ましい。

上記の構成によれば、第２膜の膜厚漸減部分は、第２成膜領域の所定方向の外側に配置される。即ち第２膜の膜厚漸減部分を除く略平坦部分は、第２成膜領域を十分に被覆する。よって、第２膜が所定方向に大きくパターンずれしても、第２成膜領域での第２膜の欠落を防止できる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第１膜は、赤色または緑色の発光層であり、上記第２膜は、青色の発光層であることが望ましい。

上記の構成によれば、第１膜は赤色または緑色の発光層であり、第２膜は青色の発光層であるので、第２膜が第１成膜領域に重なることによる混色を防止できる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記赤色、緑色および青色の発光層は、赤色、青色、緑色、青色の順に配列されていることが望ましい。

上記の構成によれば、赤色、緑色および青色の発光層は、赤色、青色、緑色、青色の順に配列されているので、１画素の画素配列が赤色、青色、緑色、青色の順に配列する表示装置に適用できる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第１および第２膜の各々の上記膜厚漸減部分を除く略平坦部分の膜厚はそれぞれ等しく、上記第１膜の上記膜厚漸減部分の膜厚と上記第２膜の上記膜厚漸減部分の膜厚との和は、上記第１および第２膜の各々の上記略平坦部分の膜厚と等しいが望ましい。

上記の構成によれば、上記第１および第２膜の各々の上記膜厚漸減部分を除く略平坦部分の膜厚はそれぞれ等しく、上記第１膜の上記膜厚漸減部分の膜厚と上記第２膜の上記膜厚漸減部分の膜厚との和は、上記第１および第２膜の各々の上記略平坦部分の膜厚と等しい。よって、第１および第２成膜領域での膜厚を均一化できる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第２膜の上記膜厚漸減部分を除く略平坦部分の膜厚は、上記第１膜の上記膜厚漸減部分を除く略平坦部分の膜厚よりも大きく、上記第１膜の上記略平坦部分上および上記第２膜の上記膜厚漸減部分上に第３膜を更に備えることが望ましい。

上記の構成によれば、第２膜の膜厚漸減部分を除く略平坦部分の膜厚は、第１膜の膜厚漸減部分を除く略平坦部分の膜厚よりも大きく、第２膜の略平坦部分の膜厚が第１膜の略平坦部分の膜厚よりも大きい場合において、第３膜により、第１成膜領域での膜厚と第２成膜領域での膜厚との差を小さくできる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第２膜の上記略平坦部分の表面と上記第３膜の表面とが、略平坦な平面を形成していることが望ましい。

上記の構成によれば、第２膜の略平坦部分の表面と第３膜の表面とが略平坦な平面を形成しているので、第１および第２成膜領域での膜厚を均一化できる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第３膜は、青色の発光層または電子輸送層であることが望ましい。

上記の構成によれば、第３の膜は、青色の発光層または電子輸送層であるので、第３膜が第１成膜領域に重なることによる混色を防止できる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第１および第２膜の各々の上記膜厚漸減部分を除く略平坦部分の膜厚方向の抵抗はそれぞれ等しいことが望ましい。

上記の構成によれば、第１および第２膜の略平坦部分の膜厚方向の抵抗はそれぞれ等しいので、第１および第２膜の各々の膜厚漸減部分においても、単純に第１および第２膜の各々の膜厚漸減部分を重ね合わせることで、第１および第２膜の各々の略平坦部分の膜厚方向の抵抗と同一にできる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第２膜の上記膜厚漸減部分を除く略平坦部分の膜厚は、上記第１膜の上記膜厚漸減部分を除く略平坦部分の膜厚よりも小さく、上記第２膜上に第１緩衝層を更に備えることが望ましい。

上記の構成によれば、第２膜の膜厚漸減部分を除く略平坦部分の膜厚は、第１膜の膜厚漸減部分を除く略平坦部分の膜厚よりも小さく形成され、第２膜上に第１緩衝層を更に備えるので、第２膜の略平坦部分の膜厚が第１膜の略平坦部分の膜厚よりも小さい場合において、第１緩衝層により、第１膜と第２膜との膜厚の差を低減できる。よって第１および第２成膜領域での膜厚を均一に近づけることができる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第１膜の上記略平坦部分の膜厚は、第１緩衝層と第２膜との膜厚の和に等しいことが望ましい。

上記の構成によれば、上記第１膜の略平坦部分の膜厚は、第１緩衝層と第２膜との膜厚の和に等しい、第１緩衝層により、第１および第２成膜領域での膜厚を均一化できる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、少なくとも一部の第１膜上に第２緩衝層を備えることが望ましい。

上記の構成によれば、少なくとも一部の第１膜上に第２緩衝層を備えるので、上記少なくとも一部の第１膜の略平坦部分の膜厚が上記少なくとも一部の第１膜以外の第１膜の略平坦部分の膜厚よりも小さい場合において、第２緩衝層により、上記少なくとも一部の第１膜の膜厚低下分を低減できる。よって、各第１成膜領域での膜厚を均一に近づけることができる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記少なくとも一部の第１膜の略平坦部分の膜厚と第２緩衝層との膜厚の和は、第１緩衝層と第２膜との膜厚の和に等しいことが望ましい。

上記の構成によれば、少なくとも一部の第１膜の略平坦部分の膜厚と第２緩衝層との膜厚の和は、第１緩衝層と第２膜との膜厚の和に等しいので、第１および第２成膜領域での膜厚を均一化できる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第１緩衝層は、青色の発光層を構成するホスト材料または電子輸送層であることが望ましい。

上記の構成によれば、第１緩衝層は、青色の発光層を構成するホスト材料または電子輸送層であるので、第１緩衝層が第１および第２成膜領域に重なることによる混色を防止できる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第２緩衝層はそれぞれ、青色の発光層を構成するホスト材料または電子輸送層であることが望ましい。

上記の構成によれば、第２緩衝層は、青色の発光層を構成するホスト材料または電子輸送層であるので、第１緩衝層が第１および第２成膜領域に重なることによる混色を防止できる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第１膜の上記膜厚漸減部分の上記所定方向の幅は、上記第１および上記第２成膜領域の間の領域の上記所定方向の幅よりも大きいことが望ましい。

上記の構成によれば、第１膜の膜厚漸減部分の所定方向の幅は、第１および第２成膜領域の間の領域の同方向の幅よりも大きい。即ち第１膜の膜厚漸減部分の傾斜を緩やかにできる。よって、第１膜の膜厚漸減部分が第２成膜領域に重なっても、混色の影響を低減できる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第２膜の上記膜厚漸減部分が上記第１膜の上記膜厚漸減部分の基端側に重なることが望ましい。

上記の構成によれば、第２膜の膜厚漸減部分が第１膜の膜厚漸減部分の基端側に重なるので、第２膜の膜厚漸減部分により第１膜の膜厚漸減部分の基端側の膜厚の漸減分が完全に補填されて、各成膜領域での膜厚低下を防止できる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第１膜の上記膜厚漸減部分の上記所定方向の基端側が上記成膜領域に重なることが望ましい。

上記の構成によれば、第１膜の膜厚漸減部分の所定方向の基端側は成膜領域に重なるので、第１膜の膜厚漸減部分の所定方向の幅を短くしなくても、第１膜と第２成膜領域との間の間隔（即ち混色防止マージン）を広く確保でき、これにより，第１膜が所定方向に大きくパターンずれしても、第１膜が隣の成膜領域に重なることによる混色を防止できる。

また上記混色防止マージンを広くするために、各成膜領域の間の領域を広くする必要がないので、各成膜領域（即ち表示画面）を高精細にできる。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記第１および第２膜の各々の上記膜厚漸減部分を除く略平坦部分の膜厚はそれぞれ等しく、上記第１膜の上記膜厚漸減部分の膜厚と上記第２膜の上記膜厚漸減部分の膜厚との和は、上記第１および第２膜の各々の上記略平坦部分の膜厚と等しいことが望ましい。

また本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、少なくとも一部の上記第１膜は、赤色の発光層であり、少なくとも一部の上記第１膜は、緑色の発光層であり、少なくとも一部の上記第１膜は、青色の発光層であり、上記第２膜は、青色の発光層、当該青色の発光層を構成するホスト材料、あるいは電子輸送層であることが望ましい。

上記の構成によれば、少なくとも一部の第１膜は、赤色の発光層であり、少なくとも一部の第１膜は、緑色の発光層であり、少なくとも一部の第１膜は、青色の発光層であり、第２膜は、青色の発光層、それを構成するホスト材料、あるいは電子輸送層であるので、第２膜が成膜領域に重なることによる混色を防止できる。

また本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記被成膜基板を用いたものである。

上記の構成によれば、上記被成膜基板の効果を有する有機ＥＬ表示装置を提供できる。

本発明の蒸着方法および蒸着装置は、例えば、有機ＥＬ表示装置における有機層の塗り分け形成等の成膜プロセスに用いられる、有機ＥＬ表示装置の製造装置並びに製造方法等に好適に用いることができる。さらに、本発明の蒸着方法および蒸着装置は、パターン形成された膜がずれることで他の領域に影響を与えるような被成膜基板を製造する場合においても、適用することができる。

１ 有機ＥＬ表示装置
２ 画素
２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ サブ画素
１０ ＴＦＴ基板（基板）
２０ 有機ＥＬ素子
２２ 正孔注入層兼正孔輸送層
２３Ｂ２ 発光層（第３膜）
２３Ｂ３ 発光層（第２膜）
２３Ｄ 緩衝層（第１緩衝層）
２３Ｄ１ 第１緩衝層（第１緩衝層）
２３Ｄ２ 第２緩衝層（第２緩衝層）
２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ 発光層（第１膜、第２膜）
２３ｓＲ・２３ｓＧ・２３ｓＢ 膜厚漸減部分
２３ｔＲ・２３ｔＧ・２３ｔＢ 略平坦部分
２４ 電子輸送層（有機層）
２５ 電子注入層（有機層）
５０ 蒸着装置
６０ 真空チャンバ
７０ 基板移動機構
７１ 基板保持部材
７２ モータ
８０ マスクユニット
８１・８１Ｒ・８１Ｇ・８１Ｂ シャドウマスク
８１ａ 長辺
８１ｂ 短辺
８２ 開口部
８３ アライメントマーカ部
８４ アライメントマーカ
８４Ｒ・８４Ｇ・８４Ｂ アライメントマーカ
８５ 蒸着源
８６ 射出口
８７ マスク保持部材
８８ マスクテンション機構
８９ シャッタ
９０ イメージセンサ
１００ 制御回路
１０１ 画像検出部
１０２ 演算部
１０３ モータ駆動制御部
１０４ 蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部
１０５ シャッタ駆動制御部
２００ 被成膜基板
２１０ 表示領域
２１０ａ 長辺
２１０ｂ 短辺
２１１ 蒸着膜
２２０ アライメントマーカ部
２２１ アライメントマーカ
２２１ 蒸着膜
ｘ 基板走査方向に沿った方向
ｙ 基板走査方向に直交した方向に沿った方向（所定方向）

Claims (5)

1. 複数の成膜領域が所定方向に沿って互いに間隔を空けて配置した基板と、
   上記基板の上記成膜領域上に被覆形成された第１膜と、
   上記各成膜領域間の領域に形成された第２膜と、
   を備え、
   上記第１膜は、上記所定方向の両側の部分にそれぞれ上記所定方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分を有し、
   上記第２膜は、上記所定方向の両側の部分にそれぞれ上記所定方向の先端側に向かって膜厚が漸減した膜厚漸減部分を有し、当該膜厚漸減部分が上記第１膜の上記膜厚漸減部分に重なるとともに、
   少なくとも一部の上記第１膜は、赤色の発光層であり、
   少なくとも一部の上記第１膜は、緑色の発光層であり、
   少なくとも一部の上記第１膜は、青色の発光層であり、
   上記第２膜は、青色の発光層、当該青色の発光層を構成するホスト材料、あるいは電子輸送層であることを特徴とする被成膜基板。
2. 上記第２膜の上記膜厚漸減部分が上記第１膜の上記膜厚漸減部分の基端側に重なることを特徴とする請求項１に記載の被成膜基板。
3. 上記第１膜の上記膜厚漸減部分の上記所定方向の基端側が上記成膜領域に重なることを特徴とする請求項１または２に記載の被成膜基板。
4. 上記第１および上記第２膜の各々の上記膜厚漸減部分を除く略平坦部分の膜厚はそれぞれ等しく、
   上記第１膜の上記膜厚漸減部分の膜厚と上記第２膜の上記膜厚漸減部分の膜厚との和は、上記第１および第２膜の各々の上記略平坦部分の膜厚と等しいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の被成膜基板。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の被成膜基板を用いた有機ＥＬ表示装置。

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