TW201301601A - 被成膜基板、製造方法、及有機ｅｌ顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之被成膜基板(200)中，第1膜(23R)之膜厚遞減部分(23sR)之y軸方向之基端側係以與第1成膜區域(24R)重疊之方式形成，第2膜(23B)之膜厚遞減部分(23sB)係以位於第2成膜區域(24B)之y軸方向之外側且與第1膜(23R)之膜厚遞減部分(23sR)重疊而填補膜厚遞減部分(23sR)之膜厚之遞減量的方式形成。

Description

被成膜基板、製造方法、及有機EL顯示裝置
本發明係關於一種可利用於有機EL顯示裝置之被成膜基板、上述被成膜基板之製造方法、及使用上述被成膜基板之有機EL顯示裝置。
近年來，平板顯示器被應用於各種商品或領域中，因而要求平板顯示器之進一步大型化、高畫質化、低耗電化。
於此種狀況下，包含利用有機材料之電場發光(Electroluminescence(電致發光)；以下，記作「EL」)之有機EL元件的有機EL顯示裝置作為以全固體型在低電壓驅動、高速回應性、自發光性等方面優異之平板顯示器，而受到較高的關注。
有機EL顯示裝置具有如下構成，即，例如於包含設置有TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)之玻璃基板等的基板上，設置有與TFT連接之有機EL元件。
有機EL元件係可藉由低電壓直流驅動而進行高亮度發光之發光元件，且具有依序積層第1電極、有機EL層、及第2電極而成之構造。其中，第1電極與TFT連接。又，於第1電極與第2電極之間，設置有積層電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層、發光層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等而成之有機層來作為上述有機EL層。
全彩有機EL顯示裝置通常係將紅(R，Red)、綠(G，Green)、藍(B，Blue)之各色的有機EL元件作為子像素而 排列形成於基板上，且使用TFT，使該等有機EL元件選擇性地以所需之亮度發光，藉此進行圖像顯示。
於製造此種有機EL顯示裝置時，針對每一個作為發光元件之有機EL元件而圖案形成至少包含以各色發光之有機發光材料的發光層(例如參照專利文獻1~3)。
作為進行發光層之圖案形成之方法，已知有例如使用被稱為蔽蔭遮罩之蒸鍍用遮罩之真空蒸鍍法、噴墨法、雷射轉印法。
例如，於低分子型有機EL顯示器(OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極體))中，先前係藉由使用蔽蔭遮罩之蒸鍍法而分塗形成有機層。
於使用蔽蔭遮罩之真空蒸鍍法中，使用可於基板之整個蒸鍍區域內進行蒸鍍之尺寸之蔽蔭遮罩(密接型全面蔽蔭遮罩)。通常，使用與基板同等尺寸之遮罩作為蔽蔭遮罩。
圖24係表示使用蔽蔭遮罩之先前之蒸鍍裝置之概略構成的剖面圖。
於使用蔽蔭遮罩之真空蒸鍍法中，如圖24所示，使基板301與蒸鍍源302對向配置，且於蔽蔭遮罩303中設置與蒸鍍區域之一部分圖案相對應之開口部304，經由該開口部304使蒸鍍粒子蒸鍍至基板301上，以使蒸鍍粒子不附著於作為目標之蒸鍍區域以外之區域，藉此，進行圖案形成。
基板301係配置於未圖示之真空腔室內，於基板301之下方固定有蒸鍍源302。蔽蔭遮罩303係相對於基板301隔開 空隙而固定，或者，於將基板301及蒸鍍源302固定於真空腔室之內壁之狀態下，相對於基板301進行相對移動。
例如於專利文獻1中，揭示有使用承載式蒸鍍源，於將遮罩與基板之位置對準後，自基板之正下方真空蒸鍍第1發光材料，而形成形狀與遮罩之開口部大致相同之第1發光部之排列，其後使遮罩移動且自基板之正下方真空蒸鍍第2發光材料，而形成形狀與遮罩之開口部大致相同之第2發光部之排列。
於專利文獻2中，揭示有於設置有顯示電極之基板上設置以包圍顯示電極之方式突出至基板上之隔板，於該隔板之上表面載置遮罩並於使有機EL介質沈積於隔板內之顯示電極上後，使遮罩自1個顯示電極上移動以使遮罩之開口部位於鄰接之顯示電極上，藉此，依序形成與遮罩之開口部大致相同形狀之發光層。
又，使用蔽蔭遮罩之真空蒸鍍法不僅可使用於發光層之圖案形成，而且可使用於電極之圖案形成。
例如，於專利文獻4中，揭示有在與基板同等尺寸之遮罩上，沿相對於遮罩之移動方向交叉之方向排列小徑或細長之狹縫孔，且一面使遮罩沿小徑或狹縫孔之排列方向移動一面使電極材料蒸鍍，藉此，形成電極圖案。
如此於使用蔽蔭遮罩之真空蒸鍍法中，蔽蔭遮罩係為了抑制彎曲或應變，而對其施加張力，從而固定(例如焊接)至遮罩框上。
於此種先前之分塗蒸鍍法中，若基板變大則隨之必需使 遮罩亦大型化。然而，若使遮罩變大，則因遮罩之自重彎曲或延伸而導致在基板與遮罩之間易於產生間隙。而且，該間隙之大小根據基板之被蒸鍍面之位置而不同。因此，難以進行高精度之圖案化，且產生蒸鍍位置之偏移或混色現象而難以實現高精細化。
又，若使遮罩變大，則具有如下之虞：遮罩或保持其之框架等變得巨大而使其重量亦增加，故而變得難以使用，而對生產率或安全性帶來阻礙。又，由於蒸鍍裝置或隨附其之裝置亦同樣地巨大化、複雜化，故而裝置設計變得困難，且設置成本亦升高。
因此，於先前之分塗蒸鍍法中難以應對大型基板，而無法實現可對例如尺寸超過60英吋般的大型基板實施量產水平之分塗蒸鍍之方法。
作為解決上述問題之方法，於專利文獻5中，提出有如下方法(掃描蒸鍍法)：使用小於基板之蔽蔭遮罩，以使蒸鍍源與蔽蔭遮罩一體化之狀態，使蔽蔭遮罩與基板之間隙保持為一定，並且一面掃描該一體化物或基板之任一者一面進行蒸鍍，藉此，於特定之基板位置上圖案形成有機膜。若為該掃描蒸鍍法，則由於可使蔽蔭遮罩縮小，故而不會產生如上所述之問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本公開專利公報「日本專利特開2000-188179號公報(公開日：2000年7月4日)(對應美國專利第6294892 號(公告日：2001年9月25日))」
[專利文獻2]日本公開專利公報「日本專利特開平8-227276號公報(公開日：1996年9月3日)(對應美國專利第5,742,129號(公告日：1998年4月21日))」
[專利文獻3]日本公開專利公報「日本專利特開平9-167684號公報(公開日：1997年6月24日)(對應美國專利第5,688,551號(公告日：1997年11月18日))」
[專利文獻4]日本公開專利公報「日本專利特開平10-102237號公報(公開日：1998年4月21日)」
[專利文獻5]日本公開專利公報「日本專利特開2010-270396號公報(公開日：2010年12月2日)」
然而，於在蔽蔭遮罩與基板之間隔開空隙而進行成膜之掃描蒸鍍法中，會產生膜厚於蒸鍍膜之兩側遞減之膜厚遞減部分(蒸鍍模糊)。若該蒸鍍模糊之寬度達到非發光區域(發光區域間之間隙)之寬度以上，則蒸鍍膜會擴及至鄰接像素，而產生混色。若為了防止該混色而欲使非發光區域之寬度變寬，則顯示畫面之精細度會下降，或因發光區域面積之下降而導致顯示品位之下降。相反地，若為了提高精細度及顯示品位而使非發光區域為某一下限以下，則會產生上述混色。
更詳細而言，於掃描蒸鍍法中，如圖25之(a)所示，按照蔽蔭遮罩81之遮罩開口部82之寬度(以下，稱為遮罩開口 寬度)B82，而決定蒸鍍膜(即發光層)23R之寬度。形成與遮罩開口寬度B82大致相同之大小之大致平坦部分23t，該大致平坦部分23t成為發光層23R之有效範圍。又，於遮罩開口部82之外側形成膜厚遞減之膜厚遞減部分23s，該膜厚遞減部分23s成為蒸鍍模糊(以下，亦稱為蒸鍍模糊23s)。理論上蒸鍍模糊23s係於在蔽蔭遮罩81與基板200之間設置空隙而進行蒸鍍之方法中，由蒸鍍源之噴嘴開口徑或蒸鍍源-遮罩間距離、遮罩-基板間距離之影響而導致其產生。
於掃描蒸鍍法中，為使發光區域24R內之發光層23R之膜厚固定，而使遮罩開口寬度B82較發光區域24R之寬度更寬，且將蒸鍍模糊23s配置於非發光區域(發光區域24R、24B間區域)29內。換言之，必需使蒸鍍模糊23s之寬度B至少小於非發光區域29之相同方向之寬度。
進而，於發光層23R之圖案根據蔽蔭遮罩81或基板200之尺寸精度或位置對準精度而自基板200上之設計位置發生偏移之情形時，設定各範圍，以便像素之發光特性不會產生異常。即，如圖25之(a)所示，設定發光區域24R端-遮罩開口部82(或大致平坦部分23t)端之間之距離(膜厚下降防止範圍)A以使該像素2R之發光區域24R內之膜厚不下降，且設定蒸鍍模糊23s端-鄰接像素發光區域24B之間之距離(混色防止範圍)C以使該發光層23R不形成於鄰接之子像素2B之發光區域24B上。因此，式1之關係成立。
發光區域間區域(非發光區域)29 =膜厚下降防止範圍A+蒸鍍模糊23s之寬度B+混色防止範圍C………式1此處，若發光層23R之圖案偏移(發光區域24R之中心與遮罩開口部82之中心之偏移量)大於範圍C，則如圖25之(b)所示，產生發光層23R之蒸鍍模糊23s與鄰接之子像素2B之發光區域24B重疊之異常(即混色)。另一方面，若發光層23R之圖案偏移大於範圍A，則如圖25之(c)所示，產生蒸鍍模糊23s與該像素2R之發光區域24R重疊之異常(即膜厚下降)。有機EL元件對膜厚之不均或雜質之混入極為敏感，上述異常易對有機EL元件之特性(壽命或效率)造成影響，結果會使有機EL顯示裝置之顯示品位或可靠性下降。因此，較為理想的是儘量消除上述異常。
為使上述範圍A、C變大，必需(1)擴大發光區域24R、24B間區域29，或(2)使蒸鍍模糊23s之寬度B縮小。為進行(1)，必需使發光區域24R、24B縮小，但若發光區域24R、24B之面積減小，則為獲得相同亮度而必需更高之電流密度。若電流密度增加則有機EL元件之壽命(亮度之經時劣化)會變短，故而有機EL顯示裝置之可靠性、顯示品位會下降。又，若增加發光區域24R、24B間之區域29，則並非均勻之平面狀之顯示，而係作為粒狀之發光體之集合被視認。因此，顯示品位大幅度下降。
另一方面，關於(2)，如上所述，蒸鍍模糊23s之寬度B係於在遮罩81與基板200之間設置空隙而進行蒸鍍之方法中，理論上由蒸鍍源之噴嘴開口徑或蒸鍍源-遮罩間距 離、遮罩-基板間距離之影響而導致其產生，難以使其大幅度地變窄。若列舉一例，則將噴嘴開口徑設為D，將蒸鍍源-遮罩間距離設為HTM，將遮罩-基板間距離設為HMS時，蒸鍍模糊之寬度B大體上由式2表示。
B~D×HMS/HTM………式2其中，忽視了遮罩81之板厚或遮罩開口部82之剖面形狀等之影響。於該式2中，為使B減小，只要使D減小即可，但若使D減小則釋放蒸鍍粒子之面積會減小，而變得無法獲得充分之蒸鍍速率。又，加工精度亦會下降。雖然只要使HTM增大即可，但若如此，則會在如下方面產生成本、處理間歇方面之問題，而無法容易地實現，即，必需使真空腔室亦成比例地增大，又，向基板方向以外釋放之蒸鍍材料之比例增加而使材料利用效率下降，進而，隨之蒸鍍速率下降等。又，雖然只要使HMS減小即可，但若如此，則必需充分地避免遮罩81與基板200之碰撞，且其亦具有極限。根據如上所述之理由，使蒸鍍模糊23s之寬度B減小亦並非易事且存在極限。
鑒於以上內容，於先前之蒸鍍方法中，無法不犧牲有機EL顯示裝置之顯示品位或可靠性，而使發光區域(成膜區域)間區域29為某一下限以下，進而，若考慮使各範圍A、C至少不為零，則根據式1，於產生有發光區域間區域29之寬度以上之較大之寬度B的蒸鍍模糊23s之情形時，無法不產生膜厚下降或混色之問題而製作有機EL顯示裝置。因此，無法製造使用發光層23R之圖案偏移量變大之大型基 板之有機EL顯示裝置，或無法製造高精細(發光區域間區域29更窄)之有機EL顯示裝置。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種可對較大之圖案偏移抑制成膜區域內之膜厚下降的被成膜基板、製造方法、及有機EL顯示裝置。
為解決上述課題，本發明之被成膜基板之特徵在於包括：基板，其係第1及第2成膜區域沿特定方向相互隔開間隔交替地配置而成；以及第1及第2膜，其係分別被覆形成於上述基板之上述第1及上述第2成膜區域；上述第1膜包含膜厚遞減部分，該膜厚遞減部分係於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側而遞減；上述第2膜包含膜厚遞減部分，該膜厚遞減部分係於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側而遞減，且該膜厚遞減部分與上述第1膜之上述膜厚遞減部分重疊。
根據上述構成，由於第2膜之膜厚遞減部分與第1膜之膜厚遞減部分重疊，故而由第2膜之膜厚遞減部分填補第1膜之膜厚遞減部分之膜厚的遞減量。因此，可降低第1膜之膜厚遞減部分中之膜厚下降。由此，可對較大之圖案偏移抑制第1成膜區域內之膜厚下降。
又，本發明之被成膜基板之特徵在於包括：基板，其係複數個成膜區域沿特定方向相互隔開間隔進行配置而成；第1膜，其係被覆形成於上述基板之上述成膜區域上；以 及第2膜，其係形成於上述各成膜區域間之區域；上述第1膜包含膜厚遞減部分，該膜厚遞減部分係於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側而遞減；上述第2膜包含膜厚遞減部分，該膜厚遞減部分係於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側而遞減，且該膜厚遞減部分與上述第1膜之上述膜厚遞減部分重疊。
根據上述構成，由於第2膜之膜厚遞減部分與第1膜之膜厚遞減部分重疊，故而由第2膜之膜厚遞減部分填補第1膜之膜厚遞減部分之膜厚的遞減量。因此，可降低第1膜之膜厚遞減部分中之膜厚下降。由此，可對較大之圖案偏移抑制成膜區域內之膜厚下降。
又，本發明之製造方法之特徵在於包括如下步驟：準備第1及第2成膜區域沿特定方向相互隔開間隔交替地配置而成之基板；使具有上述特定方向之寬度小於上述第1成膜區域之上述特定方向之寬度之第1開口部的第1蒸鍍遮罩以上述第1開口部之上述特定方向之中心與上述第1成膜區域之上述特定方向之中心大致一致之方式與上述基板對向配置，且使蒸鍍粒子經由上述第1開口部蒸鍍至上述基板上，藉此於上述第1成膜區域內，使第1膜以包含於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側遞減之膜厚遞減部分之方式而形成；以及使具有第2開口部之第2蒸鍍遮罩以上述第2開口部之上述特定方向之中心與上述第2成膜區域之上述特定方向之中心大致一致之方式 與上述基板對向配置，且使蒸鍍粒子經由上述第2開口部蒸鍍至上述基板上，藉此於上述第2成膜區域內，使第2膜以包含於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側遞減之膜厚遞減部分之方式而形成；且上述第2膜之上述膜厚遞減部分與上述第1膜之上述膜厚遞減部分重疊。
根據上述構成，可製造具有上述被成膜基板之效果之有機EL顯示裝置。
如上所述，本發明之被成膜基板包括：基板，其係第1及第2成膜區域沿特定方向相互隔開間隔交替地配置而成；以及第1及第2膜，其係分別被覆形成於上述基板之上述第1及上述第2成膜區域；上述第1膜包含膜厚遞減部分，該膜厚遞減部分係於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側而遞減；上述第2膜包含膜厚遞減部分，該膜厚遞減部分係於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側而遞減，且該膜厚遞減部分與上述第1膜之上述膜厚遞減部分重疊。
又，本發明之被成膜基板包括：基板，其係複數個成膜區域沿特定方向相互隔開間隔進行配置而成；第1膜，其係被覆形成於上述基板之上述成膜區域上；以及第2膜，其係形成於上述各成膜區域間之區域；上述第1膜包含膜厚遞減部分，該膜厚遞減部分係於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側而遞減；上述第2 膜包含膜厚遞減部分，該膜厚遞減部分係於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側而遞減，且該膜厚遞減部分與上述第1膜之上述膜厚遞減部分重疊。
又，本發明之製造方法包括如下步驟：準備第1及第2成膜區域沿特定方向相互隔開間隔交替地配置而成之基板；使具有上述特定方向之寬度小於上述第1成膜區域之上述特定方向之寬度之第1開口部的第1蒸鍍遮罩以上述第1開口部之上述特定方向之中心與上述第1成膜區域之上述特定方向之中心大致一致之方式與上述基板對向配置，且使蒸鍍粒子經由上述第1開口部蒸鍍至上述基板上，藉此於上述第1成膜區域內，使第1膜以包含於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側遞減之膜厚遞減部分之方式而形成；以及使具有第2開口部之第2蒸鍍遮罩以上述第2開口部之上述特定方向之中心與上述第2成膜區域之上述特定方向之中心大致一致之方式與上述基板對向配置，且使蒸鍍粒子經由上述第2開口部蒸鍍至上述基板上，藉此於上述第2成膜區域內，使第2膜以包含於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側遞減之膜厚遞減部分之方式而形成；且上述第2膜之上述膜厚遞減部分與上述第1膜之上述膜厚遞減部分重疊。
由此，發揮可對較大之圖案偏移抑制成膜區域內之膜厚下降之效果。
以下，對本發明之實施形態進行詳細說明。
[實施形態1]
如下所述，基於圖1~圖15對本發明之一實施形態進行說明。
於本實施形態中，作為使用本實施形態之蒸鍍裝置之蒸鍍方法之一例，以使光自TFT基板側出射之底部發光型且RGB全彩顯示之有機EL顯示裝置之製造方法為例進行列舉說明。
首先，以下對上述有機EL顯示裝置之整體構成進行說明。
圖6係表示RGB全彩顯示之有機EL顯示裝置之概略構成之剖面圖。又，圖7係表示構成圖6中所示之有機EL顯示裝置之像素之構成的俯視圖，圖8係圖7中所示之有機EL顯示裝置中之TFT基板之A-A線箭線剖面圖。
如圖6所示，本實施形態中所製造之有機EL顯示裝置1具有如下構成，即，於設置有TFT12(參照圖8)之TFT基板10上依序設置有與TFT12連接之有機EL元件20、接著層30、密封基板40。
如圖6所示，有機EL元件20係藉由使用接著層30將積層有該有機EL元件20之TFT基板10與密封基板40貼合，而封入至該等一對基板(TFT基板10、密封基板40)間。
上述有機EL顯示裝置1係藉由如此將有機EL元件20封入至TFT基板10與密封基板40之間，而防止氧或水分自外部滲入至有機EL元件20。
如圖8所示，TFT基板10包含例如玻璃基板等透明之絕緣基板11作為支撐基板。如圖7所示，於絕緣基板11上設置有包含沿水平方向鋪設之複數根閘極線、沿垂直方向鋪設且與閘極線交叉之複數根信號線之複數根配線14。驅動閘極線之未圖示之閘極線驅動電路與閘極線連接，驅動信號線之未圖示之信號線驅動電路與信號線連接。
有機EL顯示裝置1為全彩之主動矩陣型之有機EL顯示裝置，於絕緣基板11上，分別包含紅(R)、綠(G)、藍(B)各色之有機EL元件20之各色之子像素2R、2G、2B以矩陣狀排列於由該等配線14所包圍之區域。
即，由該等配線14所包圍之區域為1個子像素(點)，針對每一個子像素而形成有R、G、B之發光區域24R、24G、24B。
像素2(即，1個像素)係由使紅色之光穿透之紅色之子像素2R、使綠色之光穿透之綠色之子像素2G、以及使藍色之光穿透之藍色之子像素2B之3個子像素2R、2G、2B構成。
於各子像素2R、2G、2B中，分別設置有由條紋狀之各色之發光層23R、23G、23B覆蓋之開口部15R、15G、15B，來作為承擔各子像素2R、2G、2B中之發光之各色之發光區域24R、24G、24B。再者，各發光區域24R、24G、24B係形成為條紋狀，各發光層23R、23G、23B係分別形成於其對應之發光區域24R、24G、24B上，藉此而形成為條紋狀。
該等發光層23R、23G、23B係針對各色中之每一種顏色，藉由蒸鍍而形成圖案。再者，以下對開口部15R、15G、15B進行敍述。
於該等子像素2R、2G、2B中分別設置有與有機EL元件20中之第1電極21連接之TFT12。各子像素2R、2G、2B之發光強度係由利用配線14及TFT12之掃描及選擇決定。如此，有機EL顯示裝置1藉由使用TFT12使有機EL元件20選擇性地以所需之亮度發光，而實現圖像顯示。
其次，對上述有機EL顯示裝置1中之TFT基板10及有機EL元件20之構成進行詳細敍述。
首先，對TFT基板10進行說明。
如圖8所示，TFT基板10具有如下構成，即，於玻璃基板等透明之絕緣基板11上依序形成有TFT12(開關元件)、層間膜13(層間絕緣膜、平坦化膜)、配線14、邊緣罩15。
於上述絕緣基板11上設置有配線14，並且與各子像素2R、2G、2B相對應而分別設置有TFT12。再者，TFT之構成先前已被人們熟知。因此，省略TFT12中之各層之圖示及說明。
層間膜13係以覆蓋各TFT12之方式，遍及上述絕緣基板11之整個區域而積層於上述絕緣基板11上。
於層間膜13上形成有有機EL元件20中之第1電極21。
又，於層間膜13中設置有用以使有機EL元件20中之第1電極21與TFT12電性連接之接觸孔13a。藉此，TFT12經由上述接觸孔13a而與有機EL元件20電性連接。
邊緣罩15係如下絕緣層，即，用以藉由在第1電極21之圖案端部使有機EL層變薄或產生靜電聚焦，而防止有機EL元件20中之第1電極21與第2電極26發生短路。
邊緣罩15係以被覆第1電極21之圖案端部之方式而形成於層間膜13上。
於邊緣罩15中，針對子像素2R、2G、2B之每一個而設置有開口部15R、15G、15B。該邊緣罩15之開口部15R、15G、15B成為各子像素2R、2G、2B之發光區域24R、24G、24B。
換言之，各子像素2R、2G、2B係藉由具有絕緣性之邊緣罩15而被隔開。邊緣罩15亦發揮元件分離膜之功能。
再者，於圖8中，作為一例對邊緣罩15發揮隔開各子像素2R、2G、2B之元件分離膜之功能之情形進行圖示，但邊緣罩15亦可不必發揮元件分離膜之功能。以下，假定邊緣罩15以不發揮元件分離膜之功能之方式較薄地形成之情形而進行說明。再者，於此情形時，亦可省略邊緣罩15。
其次，對有機EL元件20進行說明。
有機EL元件20係可藉由低電壓直流驅動而實現高亮度發光之發光元件，且依序積層有第1電極21、有機EL層、第2電極26。
第1電極21係具有對上述有機EL層注入(供給)電洞之功能之層。第1電極21係如上所述般經由接觸孔13a而與TFT12連接。
在第1電極21與第2電極26之間，如圖8所示，作為有機 EL層而具有如下構成，即，自第1電極21側起依序形成有電洞注入層兼電洞傳輸層22、發光層23R、23G、23B、電子傳輸層24、電子注入層25。
再者，上述積層順序係將第1電極21設為陽極，將第2電極26設為陰極，於將第1電極21設為陰極、且將第2電極26設為陽極之情形時，有機EL層之積層順序反轉。
電洞注入層係具有提高對發光層23R、23G、23B之電洞注入效率之功能之層。又，電洞傳輸層係具有提高對發光層23R、23G、23B之電洞傳輸效率之功能之層。電洞注入層兼電洞傳輸層22係以覆蓋第1電極21及邊緣罩15之方式，均勻地形成於上述TFT基板10中之整個顯示區域。
再者，於本實施形態中，如上所述，作為電洞注入層及電洞傳輸層，以設置使電洞注入層與電洞傳輸層一體化而成之電洞注入層兼電洞傳輸層22之情形為例進行列舉說明。然而，本實施形態並不限定於此。電洞注入層與電洞傳輸層亦可作為相互獨立之層而形成。
於電洞注入層兼電洞傳輸層22上，發光層23R、23G、23B以覆蓋邊緣罩15之開口部15R、15G、15B之方式，分別與子像素2R、2G、2B相對應而形成。
發光層23R、23G、23B係具有使自第1電極21側注入之電洞(hole)與自第2電極26側注入之電子再次結合而出射光之功能之層。發光層23R、23G、23B分別由低分子螢光色素、金屬錯合物等發光效率較高之材料形成。
更詳細而言，發光層23R、23G、23B係如圖14所示般而 形成。即，紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之各發光層23R、23G、23B於同圖中例如自左側起按照23R、23B、23G、23B之順序進行排列。即，於本實施形態中，各子像素2R、2G、2B係藉由以R/B/G/B之順序進行排列而構成1像素。
發光層23R(第1膜)係以如下方式形成，即，包含於y軸方向(特定方向)之兩側部分膜厚分別朝向y軸方向之前端側遞減之膜厚遞減部分23sR，且該膜厚遞減部分23sR之y軸方向之基端側與發光區域(第1成膜區域)24R重疊。膜厚遞減部分23sR之上述前端PR位於發光區域24R與該膜厚遞減部分23sR側之鄰接之發光區域24B之間之區域(非發光區域)29上。又，與鄰接於發光層23R之子像素2B之發光區域24B之距離(即混色防止範圍)C1較發光層23R所容許之圖案偏移量(即假定之最大偏移量)更寬。
同樣地，發光層23G(第1膜)亦係以如下方式形成，即，包含於y軸方向(特定方向)之兩側部分膜厚分別朝向y軸方向之前端側遞減之膜厚遞減部分23sG，且該膜厚遞減部分23sG之y軸方向之基端側與發光區域(第1成膜區域)24G重疊。該膜厚遞減部分23sG之上述前端位於發光區域24G與該膜厚遞減部分23sG側之鄰接之發光區域24B之間之區域(非發光區域)29上。又，與鄰接於發光層23G之子像素2B之發光區域24B之距離C2較發光層23G所容許之圖案偏移量(即假定之最大偏移量)更寬。
另一方面，發光層23B(第2膜)係以如下方式形成，即， 包含於y軸方向之兩側部分膜厚分別朝向y軸方向之前端側遞減之膜厚遞減部分23sB，該膜厚遞減部分23sB位於發光區域24B(第2成膜區域)之y軸方向之外側且與該膜厚遞減部分23sB側之發光層23R或23G之膜厚遞減部分23sR或23sG重疊而填補該發光層23R或23G之該膜厚遞減部分23sR或23sG之膜厚之遞減量。
再者，各發光層23R、23G、23B之大致平坦部分(即除膜厚遞減部分23sR、23sG、23sB以外之部分)23tR、23tG、23tB之膜厚Tr、Tg、Tb相互相等，各膜厚遞減部分23sR、23sG、23sB之y軸方向之寬度BR、BG、BB亦相互相等。因此，各膜厚遞減部分23sR、23SG、23sB之斜度亦相互相等。
再者，發光層23R、23G之各膜厚遞減部分23sR、23sG之寬度BR、BG係形成為大於例如發光區域24R、24G與該膜厚遞減部分23sR、23sG側之鄰接之發光區域24B之間之區域29之同一方向上的寬度。
電子傳輸層24係具有提高自第2電極26向發光層23R、23G、23B之電子傳輸效率之功能之層。又，電子注入層25係具有提高自第2電極26向電子傳輸層24之電子注入效率之功能之層。
電子傳輸層24係以覆蓋發光層23R、23G、23B及電洞注入層兼電洞傳輸層22之方式，遍及上述TFT基板10中之整個顯示區域而均勻地形成於該等發光層23R、23G、23B及電洞注入層兼電洞傳輸層22上。又，電子注入層25係以覆 蓋電子傳輸層24之方式，遍及上述TFT基板10中之整個顯示區域而均勻地形成於電子傳輸層24上。
再者，電子傳輸層24與電子注入層25既可如上所述般作為相互獨立之層而形成，亦可相互一體化而設置。即，上述有機EL顯示裝置1亦可包含電子傳輸層兼電子注入層來代替電子傳輸層24及電子注入層25。
第2電極26係具有對由如上所述之有機層所構成之有機EL層注入電子之功能之層。第2電極26係以覆蓋電子注入層25之方式，遍及上述TFT基板10中之整個顯示區域而均勻地形成於電子注入層25上。
再者，發光層23R、23G、23B以外之有機層並非作為有機EL層所必需之層，只要根據所要求之有機EL元件20之特性而適當地形成即可。又，視需要亦可對有機EL層追加載子阻擋層。例如，藉由在發光層23R、23G、23B與電子傳輸層24之間追加作為載子阻擋層之電洞阻擋層，而可阻止電洞穿透至電子傳輸層24，從而提高發光效率。
作為上述有機EL元件20之構成，例如，可採用如下述(1)~(8)所示之層構成。
(1)第1電極/發光層/第2電極
(2)第1電極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/第2電極
(3)第1電極/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層(載子阻擋層)/電子傳輸層/第2電極
(4)第1電極/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極
(5)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極
(6)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/第2電極
(7)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極
(8)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/電子阻擋層(載子阻擋層)/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極
再者，如上所述，例如亦可使電洞注入層與電洞傳輸層一體化。又，亦可使電子傳輸層與電子注入層一體化。
又，有機EL元件20之構成並不限定為上述例示之層構成，如上所述，可根據所要求之有機EL元件20之特性而採用所需之層構成。
其次，以下對上述有機EL顯示裝置1之製造方法進行說明。
圖9係按照步驟順序表示上述有機EL顯示裝置1之製造步驟之流程圖。
如圖9所示，本實施形態之有機EL顯示裝置1之製造方法例如包括TFT基板．第1電極製作步驟(S1)、電洞注入層．電洞傳輸層蒸鍍步驟(S2)、發光層蒸鍍步驟(S3)、電子傳輸層蒸鍍步驟(S4)、電子注入層蒸鍍步驟(S5)、第2電極蒸鍍步驟(S6)、及密封步驟(S7)。
以下，按照圖9中所示之流程圖，參照圖6及圖8對上述各步驟進行說明。
然而，本實施形態中所記載之各構成要素之尺寸、材質、形狀等終歸僅為一實施形態，不應藉此來對本發明之範圍進行限定解釋。
又，如上所述，本實施形態中所記載之積層順序係將第1電極21設為陽極，將第2電極26設為陰極，相反地於將第1電極21設為陰極、且將第2電極26設為陽極之情形時，有機EL層之積層順序反轉。同樣地，構成第1電極21及第2電極26之材料亦反轉。
首先，如圖8所示，利用公知之技術於形成有TFT12及配線14等之玻璃等絕緣基板11上塗佈感光性樹脂，且藉由光微影技術進行圖案化，藉此，於絕緣基板11上形成層間膜13。
作為上述絕緣基板11，可使用例如厚度為0.7~1.1 mm、y軸方向之長度(縱向長度)為400~500 mm、且x軸方向之長度(橫向長度)為300~400 mm之玻璃基板或塑膠基板。再者，於本實施形態中，使用玻璃基板。再者，如圖1所示，x軸係沿基板掃描方向之軸，y軸係與基板掃描方向正交之軸。
作為層間膜13，例如，可使用丙烯酸系樹脂或聚醯亞胺樹脂等。作為丙烯酸系樹脂，例如，可列舉JSR股份有限公司製造之Optomer Series。又，作為聚醯亞胺樹脂，例如，可列舉Toray股份有限公司製造之Photoneese Series。然而，聚醯亞胺樹脂通常不透明，且有色。因此，於如圖8所示般製造底部發光型之有機EL顯示裝置來作為上述有 機EL顯示裝置1之情形時，更佳為使用丙烯酸系樹脂等透明性樹脂作為上述層間膜13。
作為上述層間膜13之膜厚，只要可補償由TFT12所引起之階差即可，並無特別限定。於本實施形態中，例如，設為約2 μm。
其次，於層間膜13中形成用以使第1電極21與TFT12電性連接之接觸孔13a。
其次，作為導電膜(電極膜)，例如藉由濺鍍法等，將ITO(Indium Tin Oxide：銦錫氧化物)膜以100 nm之厚度成膜。
繼之，於上述ITO膜上塗佈光阻劑，使用光微影技術進行圖案化後，將氯化鐵作為蝕刻液而對上述ITO膜進行蝕刻。其後，使用光阻劑剝離液將光阻劑剝離，進而清洗基板。藉此，於層間膜13上以矩陣狀形成第1電極21。
再者，作為上述第1電極21中所使用之導電膜材料，例如，可使用ITO、IZO(Indium Zinc Oxide：銦鋅氧化物)、摻鎵氧化鋅(GZO，Gallium-doped Zinc Oxide)等透明導電材料，及金(Au)、鎳(Ni)、鉑(Pt)等金屬材料。
又，作為上述導電膜之積層方法，除濺鍍法以外，亦可使用真空蒸鍍法、CVD(chemical vapor deposition(化學氣相沈積)，化學蒸鍍)法、電漿CVD法、印刷法等。
作為上述第1電極21之厚度，並無特別限定，如上所述，例如，可設為100 nm之厚度。
其次，使邊緣罩15與層間膜13同樣地，以例如約1 μm之 膜厚形成圖案。作為邊緣罩15之材料，可使用與層間膜13相同之絕緣材料。
藉由以上步驟，而製作TFT基板10及第1電極21(S1)。
其次，對經由如上所述之步驟後之TFT基板10實施用以脫水之減壓烘烤及作為第1電極21之表面清洗之氧電漿處理。
繼之，使用先前之蒸鍍裝置，於上述TFT基板10上，將電洞注入層及電洞傳輸層(於本實施形態中為電洞注入層兼電洞傳輸層22)蒸鍍至上述TFT基板10中之整個顯示區域(S2)。
具體而言，於使整個顯示區域開口之開放式遮罩相對於TFT基板10進行對準調整後緊密地貼合於TFT基板10，且一面使TFT基板10與開放式遮罩一併旋轉，一面使自蒸鍍源飛濺之蒸鍍粒子通過開放式遮罩之開口部而均勻地蒸鍍至整個顯示區域。
此處，所謂對整個顯示區域之蒸鍍，係指遍及鄰接之顏色不同之子像素間不間斷地進行蒸鍍。
作為電洞注入層及電洞傳輸層之材料，例如，可列舉石油精、苯乙烯基胺、三苯基胺、卟啉、三唑、咪唑、二唑、多芳基烷烴、苯二胺、芳基胺、唑、蒽、茀酮、腙、二苯乙烯、聯伸三苯、氮雜聯伸三苯、及該等之衍生物、聚矽烷系化合物、乙烯咔唑系化合物、噻吩系化合物、苯胺系化合物等鏈狀式共軛系之單體、低聚物、或聚合物等。
電洞注入層與電洞傳輸層既可如上所述般被一體化，亦可作為獨立之層而形成。作為各者之膜厚，例如，為10~100 nm。
於本實施形態中，設置電洞注入層兼電洞傳輸層22作為電洞注入層及電洞傳輸層，並且使用4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(α-NPD)作為電洞注入層兼電洞傳輸層22之材料。又，電洞注入層兼電洞傳輸層22之膜厚係設為30 nm。
其次，於上述電洞注入層兼電洞傳輸層22上，以覆蓋邊緣罩15之開口部15R、15G、15B之方式，與子像素2R、2G、2B相對應而分別分塗形成(圖案形成)發光層23R、23G、23B(S3)。
如上所述，對於發光層23R、23G、23B，使用低分子螢光色素、金屬錯合物等發光效率較高之材料。
作為發光層23R、23G、23B之材料，例如，可列舉蒽、萘、茚、菲、芘、稠四苯、聯伸三苯、蒽、苝、苉、熒蒽、乙烯合菲、戊芬、稠五苯、蔻、丁二烯、香豆素、吖啶、二苯乙烯、及該等之衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁錯合物、雙(羥基苯并喹啉)鈹錯合物、三(二苯甲醯基甲基)二氮雜菲銪錯合物、二甲苯甲醯乙烯聯苯等。
作為發光層23R、23G、23B之膜厚，例如，為10~100 nm。
本實施形態之蒸鍍方法及蒸鍍裝置可特佳地使用於此種發光層23R、23G、23B之分塗形成(圖案形成)中。
關於使用本實施形態之蒸鍍方法及蒸鍍裝置之發光層23R、23G、23B之分塗形成，將於下文進行詳細敍述。
其次，藉由與上述電洞注入層．電洞傳輸層蒸鍍步驟(S2)相同之方法，以覆蓋上述電洞注入層兼電洞傳輸層22及發光層23R、23G、23B之方式，將電子傳輸層24蒸鍍至上述TFT基板10中之整個顯示區域(S4)。
繼之，藉由與上述電洞注入層．電洞傳輸層蒸鍍步驟(S2)相同之方法，以覆蓋上述電子傳輸層24之方式，將電子注入層25蒸鍍至上述TFT基板10中之整個顯示區域(S5)。
作為電子傳輸層24及電子注入層25之材料，例如，可列舉三(8-羥基喹啉)鋁錯合物、二唑衍生物、三唑衍生物、苯基喹啉衍生物、矽雜環戊二烯基衍生物等。
具體而言，可列舉Alq(三(8-羥基喹啉)鋁)、蒽、萘、菲、芘、蒽、苝、丁二烯、香豆素、吖啶、二苯乙烯、1,10-二氮雜菲、及該等之衍生物或金屬錯合物、LiF等。
如上所述般電子傳輸層24與電子注入層25既可一體化亦可作為獨立之層而形成。作為各者之膜厚，例如，為1~100 nm。又，電子傳輸層24及電子注入層25之合計膜厚為例如20~200 nm。
於本實施形態中，對於電子傳輸層24之材料使用Alq，對於電子注入層25之材料使用LiF。又，電子傳輸層24之膜厚係設為30 nm，電子注入層25之膜厚係設為1 nm。
其次，藉由與上述電洞注入層．電洞傳輸層蒸鍍步驟(S2)相同之方法，以覆蓋上述電子注入層25之方式，將第2電 極26蒸鍍至上述TFT基板10中之整個顯示區域(S6)。
作為第2電極26之材料(電極材料)，較佳地使用功函數較小之金屬等。作為此種電極材料，例如，可列舉鎂合金(MgAg等)、鋁合金(AlLi、AlCa、AlMg等)、金屬鈣等。第2電極26之厚度為例如50~100 nm。
於本實施形態中，使鋁以50 nm之膜厚形成來作為第2電極26。藉此，於TFT基板10上形成包含上述有機EL層、第1電極21、及第2電極26之有機EL元件20。
繼之，如圖6所示，藉由接著層30將形成有有機EL元件20之上述TFT基板10與密封基板40貼合，而進行有機EL元件20之封入。作為上述密封基板40，使用例如厚度為0.4~1.1 mm之玻璃基板或塑膠基板等絕緣基板。再者，於本實施形態中，使用玻璃基板。
再者，密封基板40之縱向長度及橫向長度既可根據作為目標之有機EL顯示裝置1之尺寸適當地進行調整，亦可使用與TFT基板10中之絕緣基板11大致相同之尺寸之絕緣基板，於將有機EL元件20密封後，按照作為目標之有機EL顯示裝置1之尺寸進行分割。
再者，作為有機EL元件20之密封方法，並不限定於上述方法。作為其他密封方式，例如，可列舉如下方法：使用刻蝕玻璃作為密封基板40，且藉由密封樹脂或燒結玻璃等以框狀進行密封；或在TFT基板10與密封基板40之間填充樹脂等。上述有機EL顯示裝置1之製造方法並不依存於上述密封方法，可應用所有密封方法。
又，亦可於上述第2電極26上以覆蓋該第2電極26之方式設置阻止氧或水分自外部滲入至有機EL元件20內之未圖示的保護膜。
上述保護膜係由絕緣性或導電性之材料形成。作為此種材料，例如，可列舉氮化矽或氧化矽。又，上述保護膜之厚度為例如100~1000 nm。
藉由上述步驟而完成有機EL顯示裝置1。
此種有機EL顯示裝置1中，若藉由自配線14輸入信號而使TFT12接通(ON)，則自第1電極21向有機EL層注入電洞。另一方面，自第2電極26向有機EL層注入電子，電洞與電子在發光層23R、23G、23B內再次結合。經再次結合之電洞及電子於使能量失活時，作為光而出射。
於上述有機EL顯示裝置1中，藉由控制各子像素2R、2G、2B之發光亮度，而顯示特定之圖像。
其次，對本實施形態之蒸鍍裝置之構成進行說明。
圖1係自被成膜基板之背面側(亦即蒸鍍面之相反側)觀察本實施形態之蒸鍍裝置中之真空腔室內之被成膜基板與遮罩單元之俯視圖。再者，為方便圖示，而於圖1中以二點鏈線表示被成膜基板。又，圖2係本實施形態之蒸鍍裝置中之真空腔室內之主要構成要素之鳥瞰圖。圖3係模式性地表示本實施形態之蒸鍍裝置中之主要部分之概略構成的剖面圖。再者，圖3相當於自圖1中所示之B-B線箭線剖面進行觀察時之蒸鍍裝置之剖面。圖4係表示本實施形態之蒸鍍裝置之構成之一部分的方塊圖。
如圖3所示，本實施形態之蒸鍍裝置50包括真空腔室60(成膜腔室)、基板移動機構70(基板移動機構、移動機構)、遮罩單元80、影像感測器90、及控制電路100(參照圖4)。
於上述真空腔室60內，如圖3所示，設置有基板移動機構70及遮罩單元80。
再者，於上述真空腔室60內設置有未圖示之真空泵，該真空泵係為於蒸鍍時使該真空腔室60內保持真空狀態，而經由設置於該真空腔室60內之未圖示之排氣口對真空腔室60內進行真空排氣。
上述基板移動機構70包括例如保持被成膜基板200(例如TFT基板10)之基板保持構件71(基板保持機構)、與馬達72(參照圖4)。
上述基板移動機構70藉由基板保持構件71來保持被成膜基板200，並且藉由下述馬達驅動控制部103(參照圖4)來驅動馬達72，藉此，保持被成膜基板200並使其沿水平方向移動。再者，上述基板移動機構70既可設置為可沿x軸方向及y軸方向之任一方向移動，亦可設置為可沿其中一方向移動。再者，如圖1所示，x軸方向係沿基板掃描方向之方向，y軸方向係沿與基板掃描方向正交之方向(以下，稱為掃描正交方向)的方向。
於上述基板保持構件71中使用靜電吸盤。被成膜基板200藉由上述靜電吸盤，以不因自重導致彎曲之狀態，以特定之間隔保持與上述遮罩單元80中之下述蔽蔭遮罩81之 間之間隙g1(空隙、垂直間距離)。此處，間隙g1係以各發光層23R、23B、23G中之掃描正交方向(y軸方向(特定方向))之兩側部分分別成為膜厚遞減部分23s之方式，而保持為特定之間隔。
上述被成膜基板200與蔽蔭遮罩81之間之間隙g1較佳為50 μm以上、3 mm以下之範圍內，更佳為500 μm左右。
另一方面，若上述間隙g1超過3 mm，則通過蔽蔭遮罩81之開口部82之蒸鍍粒子擴散，而使所形成之蒸鍍膜211之圖案寬度變得過寬。例如於上述蒸鍍膜211為發光層23R之情形時，若上述間隙g1超過3 mm，則有如下之虞，即，發光層23R之材料亦蒸鍍至作為鄰接子像素之子像素2G、2B之開口部15G、15B。
又，若上述間隙g1為500 μm左右，則不存在被成膜基板200與蔽蔭遮罩81接觸之虞，又，亦可使蒸鍍膜211之圖案寬度之擴展減小。
又，如圖3所示，遮罩單元80包括蔽蔭遮罩81(蒸鍍遮罩)、蒸鍍源85、遮罩保持構件87(保持機構)、遮罩張緊機構88、及擋閘89(參照圖4)。
作為上述蔽蔭遮罩81，可使用例如金屬製之遮罩。
上述蔽蔭遮罩81係例如面積小於被成膜基板200之顯示區域210，且其至少1邊係形成為短於被成膜基板200之顯示區域210之寬度。
於本實施形態中，使用具有以下大小之矩形(帶狀)之蔽蔭遮罩作為上述蔽蔭遮罩81。如圖1所示，上述蔽蔭遮罩 81係以其長度方向(長軸方向)之長度即長邊81a之寬度d1長於顯示區域210中之與上述蔽蔭遮罩81之長邊81a對向之邊(於圖1所示之例中為顯示區域210之長邊210a)之寬度d3之方式而形成。又，上述蔽蔭遮罩81係以其短邊方向(短軸方向)之長度即短邊81b之寬度d2較顯示區域210中之與上述蔽蔭遮罩81之短邊81b對向之邊(於圖1所示之例中為顯示區域210之短邊210b)之寬度d4更短之方式而形成。
於上述蔽蔭遮罩81中，如圖1及圖2所示，例如帶狀(條紋狀)之開口部82(貫通口)係沿一維方向排列複數個而設置。上述開口部82係於例如進行TFT基板10中之發光層23R、23G、23B之分塗形成作為向被成膜基板200之蒸鍍膜211(參照圖3)之圖案形成之情形時，與該等發光層23R、23G、23B之同色列之尺寸與間距相配合而形成。
更詳細而言，如圖15所示，於發光層23R用之蔽蔭遮罩81R(81)(第1蒸鍍遮罩)中，開口部82(第1開口部)之間距方向(y軸方向)之寬度B82R係形成為小於發光區域24R之y軸方向之寬度。同樣地，於發光層23G用之蔽蔭遮罩81G(81)(省略圖示：第1蒸鍍遮罩)中，開口部82(第1開口部)之間距方向之寬度B82G(省略圖示)係形成為小於發光區域24G之y軸方向之寬度。於發光層23B用之蔽蔭遮罩81B(81)(第2蒸鍍遮罩)中，開口部82(第2開口部)之間距方向之寬度B82B係形成為大於發光區域24B之y軸方向之寬度。
再者，寬度B82B係例如設定為大於發光區域24B之y軸 方向之寬度與發光層23B之假定之圖案偏移量之2倍之長度相加所得的長度。藉此，如下所述，即便發光層23B於y軸方向上產生圖案偏移，亦可防止發光層23B之膜厚遞減部分23sB與發光區域24B重疊(即於發光區域24B內產生膜厚下降區域)。
再者，於圖15中，為方便作圖，而將蔽蔭遮罩81B配置得較蔽蔭遮罩81G距被成膜基板200更遠，但各蔽蔭遮罩81R、81G、81B與被成膜基板200之間隔可適當地進行設定。
又，如圖1所示，於上述蔽蔭遮罩81中例如沿被成膜基板200之掃描方向(基板掃描方向)而設置有對準標記部83，於該對準標記部83中設置有用以進行被成膜基板200與蔽蔭遮罩81之位置對準(對準)之對準標記84(參照圖3)。
於本實施形態中，如圖1所示，上述對準標記部83係沿上述蔽蔭遮罩81之短邊81b(短軸)而設置。
又，如上所述般藉由使用如下蔽蔭遮罩來作為蔽蔭遮罩81，而可於其長度方向兩側部(亦即，兩短邊81b、81b)形成對準標記部83，該蔽蔭遮罩係其長邊81a之寬度d1長於顯示區域210中之對向之邊之寬度d3，且短邊81b之寬度d2短於顯示區域210中之對向之邊之寬度d4。因此，可容易且更精密地進行對準。
另一方面，如圖1所示，於被成膜基板200中，在顯示區域210之外側沿被成膜基板200之掃描方向(基板掃描方向)而設置有對準標記部220，於該對準標記部220中設置有用 以進行被成膜基板200與蔽蔭遮罩81之位置對準之對準標記221(參照圖3)。
於本實施形態中，如圖1所示，上述對準標記部220係沿被成膜基板200之顯示區域210之短邊210b(短軸)而設置。再者，如下所述，藉由對準標記84、221，以各蔽蔭遮罩81之開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之寬度的中心、及與各蔽蔭遮罩81相對應之發光區域24R、24G、24B之掃描正交方向之寬度的中心大致一致之方式，進行被成膜基板200與蔽蔭遮罩81之相對之位置對準。
於本實施形態中，上述條紋狀之開口部82係沿基板掃描方向即蔽蔭遮罩81之短邊方向延伸設置，並且於與基板掃描方向正交之蔽蔭遮罩81之長邊方向上並列設置有複數個。
蒸鍍源85係例如於內部收容蒸鍍材料之容器，如圖1~圖3所示，與蔽蔭遮罩81之間具有一定間隙g2(空隙)(亦即，相隔一定距離)而對向配置。
再者，上述蒸鍍源85既可為於容器內部直接收容蒸鍍材料之容器，亦可為包含承載式之配管之容器。
上述蒸鍍源85包含例如朝向上方射出蒸鍍粒子之機構。
上述蒸鍍源85之與蔽蔭遮罩81對向之面上包含複數個使上述蒸鍍材料作為蒸鍍粒子而射出(飛濺)之射出口86。於本實施形態中，射出口86之形狀係例如以發光層23R、23G、23B之膜厚遞減部分23s之斜面為平面之方式，而形成為一方之對邊沿掃描正交方向(y軸方向)之矩形狀，但並 非以此方式對其進行限定。
於本實施形態中，如上所述般蒸鍍源85係配置於被成膜基板200之下方，且被成膜基板200係以上述顯示區域210朝向下方之狀態由基板保持構件71保持。因此，於本實施形態中，蒸鍍源85使蒸鍍粒子自下方經由蔽蔭遮罩81之開口部82朝向上方而蒸鍍至被成膜基板200(向上沈積，以下，記作「Depo up」)。
如圖1及圖2所示，上述射出口86係以於蔽蔭遮罩81之開口區域內開口之方式，分別與蔽蔭遮罩81之開口部82對向而設置。於本實施形態中，上述射出口86係與蔽蔭遮罩81之開口部82對向，沿蔽蔭遮罩81之開口部82之並排設置方向進行一維排列。
因此，如圖1及圖2所示，於自被成膜基板200之背面側進行觀察時(亦即於俯視時)，上述蒸鍍源85中之與蔽蔭遮罩81對向之面(即，射出口86之形成面)係與例如矩形(帶狀)之蔽蔭遮罩81之形狀相配合而形成為矩形(帶狀)。
於上述遮罩單元80中，上述蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之位置相對地固定。即，上述蔽蔭遮罩81與上述蒸鍍源85之射出口86之形成面之間之間隙g2係一直保持一定，並且上述蔽蔭遮罩81之開口部82之位置與上述蒸鍍源85之射出口86之位置一直具有相同之位置關係。
再者，上述蒸鍍源85之射出口86係以於自上述被成膜基板200之背面觀察上述遮罩單元80時(亦即，於俯視時)，位於上述蔽蔭遮罩81之開口部82之中央之方式進行配置。
例如，如圖3所示，上述蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85係設置於經由遮罩張緊機構88來保持、固定上述蔽蔭遮罩81及蒸鍍源85之遮罩保持構件87(例如同一固持器)上，藉此而一體化，從而保持、固定其相對的位置。
又，蔽蔭遮罩81係藉由遮罩張緊機構88對其施加張力(tension)，而適當地進行調整以不產生由自重所導致之彎曲或延伸。
如上所述，於上述蒸鍍裝置50中，被成膜基板200係藉由利用基板保持構件71(靜電吸盤)將其吸附於吸附板上而防止由自重所導致之彎曲，且藉由利用遮罩張緊機構88對蔽蔭遮罩81施加張力，而遍及被成膜基板200與蔽蔭遮罩81於平面上重疊之整個區域，使被成膜基板200與蔽蔭遮罩81之距離保持為一定。
又，擋閘89係為控制蒸鍍粒子到達至蔽蔭遮罩81而視需要加以利用。擋閘89係基於來自下述蒸鍍接通/斷開控制部104(參照圖4)之蒸鍍斷開信號或蒸鍍接通信號而藉由擋閘驅動控制部105(參照圖4)使其封閉或開放。
上述擋閘89係設置為例如可在蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之間進退(可插入至蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之間)。擋閘89係藉由插入至蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之間而將蔽蔭遮罩81之開口部82封閉。如此，藉由將擋閘89適當地插入至蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之間，而可防止對多餘之部分(非蒸鍍區域)進行蒸鍍。
再者，於上述蒸鍍裝置50中，亦可設為如下構成，即， 調整自蒸鍍源85飛濺之蒸鍍粒子以使其飛濺至蔽蔭遮罩81內，且以防護板(遮蔽板)等適當地去除飛濺至蔽蔭遮罩81外之蒸鍍粒子。
又，於上述真空腔室60之外側，設置有包含例如CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合器件)之影像感測器90(參照圖4)來作為攝像機構(圖像讀取機構)，並且設置有與上述影像感測器90連接之控制電路100來作為控制機構。
上述影像感測器90發揮用以進行被成膜基板200與蔽蔭遮罩81之位置對準(用以使蔽蔭遮罩81之各開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之寬度之中心與被成膜基板200之各發光區域24R、24G、24B之掃描正交方向之寬度之中心一致的位置對準)之位置檢測機構之功能。
又，控制電路100包括圖像檢測部101、運算部102、馬達驅動控制部103、蒸鍍接通/斷開控制部104、及擋閘驅動控制部105。
如上所述，於被成膜基板200中，如圖1所示，於顯示區域210之外側沿例如基板掃描方向而設置有對準標記部220，於該對準標記部220中設置有對準標記221。
圖像檢測部101根據由影像感測器90所取得之圖像，進行設置於被成膜基板200之對準標記221及蔽蔭遮罩81之對準標記84之圖像檢測，並且根據設置於被成膜基板200之對準標記221中之表示顯示區域210之始端之始端標記物、及表示顯示區域210之終端之終端標記物，來檢測被成膜 基板200之顯示區域210之始端及終端。
再者，上述始端標記物與終端標記物亦可相同。於此情形時，沿基板掃描方向判斷顯示區域210之始端或終端。
又，上述運算部102根據由圖像檢測部101所檢測之圖像，而決定被成膜基板200與蔽蔭遮罩81之相對移動量(例如被成膜基板200相對於蔽蔭遮罩81之移動量)。例如，上述運算部102計算對準標記221與對準標記84之偏移量(x軸方向及y軸方向上之偏移成分、及xy平面上之旋轉成分)，而運算並決定被成膜基板200之基板位置之修正值。亦即，上述修正值係藉由關於相對於基板掃描方向垂直之方向及被成膜基板200之旋轉方向進行運算而決定。
再者，此處，所謂被成膜基板之旋轉方向，係表示將被成膜基板200之被成膜面之中心上之z軸(即與x軸及y軸之兩者正交之軸)作為旋轉軸之xy平面內之旋轉方向。
上述修正值係作為修正信號而輸出至馬達驅動控制部103，馬達驅動控制部103基於來自上述運算部102之修正信號，而驅動與基板保持構件71連接之馬達72，藉此，修正被成膜基板200之基板位置。
再者，關於使用對準標記84、221之基板位置修正，對照對準標記84、221之形狀例於下文進行敍述。
馬達驅動控制部103藉由驅動馬達72，而以使蔽蔭遮罩81之各開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之寬度的中心與各發光區域24R、24G、24B之掃描正交方向之寬度的中心大致一致之狀態，使被成膜基板200如上所述般沿水平方 向(x軸方向)移動。
蒸鍍接通/斷開控制部104中，若由圖像檢測部101檢測顯示區域210之終端，則產生蒸鍍斷開(OFF)信號，若由圖像檢測部101檢測顯示區域210之始端，則產生蒸鍍接通(ON)信號。
擋閘驅動控制部105中，若自上述蒸鍍接通/斷開控制部104輸入蒸鍍斷開信號，則使擋閘89封閉，另一方面，若自上述蒸鍍接通/斷開控制部104輸入蒸鍍接通信號，則使擋閘89開放。
其次，對使用對準標記84、221之基板位置修正及對準標記84、221之形狀例進行說明。
於圖5之(a)~(c)中表示上述對準標記84、221之形狀之一例。再者，圖5之(b)、(c)中，為方便圖示，而分別僅抽取並列配置之對準標記84、221中之2個加以表示。
運算部102根據由圖像檢測部101所檢測出之對準標記84、221之圖像，而測定(算出)x軸方向上之對準標記84、221之端部(外緣部)間之距離r及y軸方向上之對準標記84、221之端部(外緣部)間之距離q，藉此，計算對準之偏移量而對基板位置之修正值進行運算。
例如，於基板掃描方向為x軸方向之情形時，圖5之(a)~(c)中，r為基板掃描方向上之上述端部間之距離，q為與基板掃描方向垂直之方向上之上述端部間之距離。運算部102藉由在例如被成膜基板200中之顯示區域210之兩側測定(算出)距離r與距離q，而計算基板掃描時之對準之偏 移量。
再者，於本實施形態中，以一面對被成膜基板200進行掃描一面進行蔽蔭遮罩81與被成膜基板200之對準之情形為例進行列舉說明，但並不限定於此，亦可於基板掃描前進行充分之對準，而於基板掃描中不進行對準。
例如，考慮使被成膜基板200沿被成膜基板200之顯示區域210之一邊(例如，圖5之(a)~(c)中之y軸方向)移動後，使其沿與上述邊正交之邊(例如，圖5之(a)~(c)中之x軸方向)移動。於此情形時，在圖5之(a)~(c)中，r表示與基板掃描方向垂直之方向上之上述端部間之距離，q表示被成膜基板200之移動方向(位移方向)上之上述端部間之距離。
於此情形時，運算部102藉由測定四角之對準標記中之距離r與距離q，而計算開始掃描基板時之對準之偏移量與被成膜基板200之移動(位移)時之對準之偏移量。
再者，如圖5之(a)~(c)所示，對準標記84、221之形狀既可為帶狀，亦可為正方形等四邊形狀，且亦可為框狀、十字形等。對準標記84、221之形狀並無特別限定。
又，如上所述，於在基板掃描前進行充分之對準，而在基板掃描中不進行對準之情形時，無需沿被成膜基板200之顯示區域210之側面配置對準標記221，只要於被成膜基板200之四角等配置對準標記221即可。
其次，對將本實施形態之上述蒸鍍裝置50用作有機EL顯示裝置1之製造裝置，而圖案形成有機EL層之方法進行詳細敍述。
再者，於以下說明中，如上所述，以使用結束上述電洞注入層．電洞傳輸層蒸鍍步驟(S2)後之階段中之TFT基板10作為被成膜基板200，且於發光層蒸鍍步驟(S3)中進行發光層23R、23G、23B之分塗形成來作為有機EL層之圖案形成之情形為例進行列舉說明。
再者，於本實施形態中，將蒸鍍源85與蔽蔭遮罩81之間之間隙g2(即，蒸鍍源85之射出口86形成面與蔽蔭遮罩81之間之距離)設為100 mm，將作為被成膜基板200之上述TFT基板10與蔽蔭遮罩81之間之距離設為500 μm。
上述TFT基板10之基板尺寸係掃描方向設為320 mm，與掃描方向垂直之方向設為400 mm，顯示區域之寬度係掃描方向之寬度(寬度d4)設為260 mm，與掃描方向垂直之方向之寬度(寬度d3)設為310 mm。
又，關於上述TFT基板10中之各子像素2R、2B、2G、2B之開口部15R、15B、15G、15B之寬度，15R及15G係設為360 μm(掃描方向)×110 μm(與掃描方向垂直之方向)，15B係設為360 μm(掃描方向)×50 μm(與掃描方向垂直之方向)。又，上述開口部15R、15B、15G、15B間之間距係設為480 μm(掃描方向)×120 μm(與掃描方向垂直之方向)。再者，上述開口部15R、15B、15G、15B間之間距(像素開口部間之間距)表示相鄰之子像素2R、2B、2G、2B中之各個開口部15R、15B、15G、15B間之間距，而並非同色子像素間之間距。
又，對於蔽蔭遮罩81，使用長邊81a(長軸方向)之寬度 d1(與掃描方向垂直之方向之寬度)為600 mm、短邊81b(短軸方向)之寬度d2(掃描方向之寬度)為200 mm之蔽蔭遮罩。又，蔽蔭遮罩81之開口部82之開口寬度係設為150 mm(長軸方向之寬度d5；參照圖1)×70 μm(短軸方向之寬度d6；參照圖1)，相鄰之開口部82、82間之間隔d8(參照圖1)係對於15R及15G設為410 μm，對於15B設為170 μm，相鄰之開口部82、82之中心間之間距p(參照圖1)係對於15R及15G設為480 μm，對於15B設為240 μm。
再者，於本實施形態中，作為上述蔽蔭遮罩81之短邊81b之寬度d2(短邊長)，較佳為200 mm以上。其理由如下。
亦即，蒸鍍速率較佳為10 nm/s以下，若超過10 nm/s，則經蒸鍍之膜(蒸鍍膜)之均勻性會下降，且有機EL特性下降。
又，蒸鍍膜之膜厚通常為100 nm以下。若為100 nm以上，則所需之施加電壓會升高，結果，所製造之有機EL顯示裝置之消耗電力會增加。因此，根據蒸鍍速率與蒸鍍膜之膜厚，估計所需之蒸鍍時間為10秒。
另一方面，根據處理能力(間歇時間)之限制，為了對於例如寬度2 m之玻璃基板以150秒完成蒸鍍，必需至少使掃描速度為13.3 mm/s以上。處理時間150秒係大體上每天可處理570片之間歇時間。
為了以上述掃描速度，如上所述般獲得10秒之蒸鍍時間，而必需使蔽蔭遮罩81之開口部82於掃描方向上開口至 少133 mm以上。
於假定使開口部82之端至蔽蔭遮罩81之端為止之距離(範圍寬度d7；參照圖1)為30 mm左右較為妥當之情形時，必需使蔽蔭遮罩81之掃描方向上之寬度為133+30+30≒200 mm。
因此，可以說蔽蔭遮罩81之短邊長(寬度d2)較佳為200 mm以上。然而，若蒸鍍速率或蒸鍍膜之膜厚、間歇時間之容許量產生變化則並不限定於此。
又，於本實施形態中，上述TFT基板10之掃描速度係設為30 mm/s。
圖10係表示使用本實施形態之蒸鍍裝置50於TFT基板10上成膜特定之圖案之方法之一例的流程圖。
以下，按照圖10中所示之流程對使用上述蒸鍍裝置50而成膜圖8中所示之發光層23R、23G、23B之方法進行具體說明。
首先，如圖3所示，使用遮罩保持構件87，經由遮罩張緊機構88將發光層23R用之蔽蔭遮罩81(81R)設置(固定)於真空腔室60內之發光層23R用之蒸鍍源85上，且利用遮罩張緊機構88對蔽蔭遮罩81施加張力而水平地保持，以使其不因自重而產生彎曲或延伸。此時，以藉由遮罩保持構件87使蒸鍍源85與蔽蔭遮罩81之間之距離保持為一定，同時使基板掃描方向與形成於蔽蔭遮罩81之條紋狀之開口部82之長軸方向一致之方式，使用蔽蔭遮罩81之對準標記84進行位置對準，藉此組裝遮罩單元80(遮罩單元之準備)。
其次，將TFT基板10投入上述真空腔室60內，以該TFT基板10之同色子像素行之方向與基板掃描方向一致之方式，使用被成膜基板200的TFT基板10之對準標記221，如圖10所示般進行粗對準(S11)。TFT基板10係由基板保持構件71保持，以使其不因自重而產生彎曲。
繼之，進行TFT基板10與蔽蔭遮罩81之粗對準(S12)，以使TFT基板10與蔽蔭遮罩81之間之間隙g1(基板-遮罩間隙)一定之方式進行間隙調整，並且如圖15所示，以使TFT基板10上之發光區域24R之掃描正交方向(y軸方向)之寬度的中心與蔽蔭遮罩81(81R)之開口部82之掃描正交方向之寬度的中心大致一致之方式，使TFT基板10與蔽蔭遮罩81對向配置，藉此進行TFT基板10與蔽蔭遮罩81之位置對準(S13)。於本實施形態中，TFT基板10與蔽蔭遮罩81之間之間隙g1係以遍及TFT基板10整體大體上為500 μm之方式來調整間隙。
其次，一面以30 mm/s對上述TFT基板10進行掃描，一面使紅色之發光層23R之材料蒸鍍至該TFT基板10上。
此時，以上述TFT基板10通過上述蔽蔭遮罩81上之方式進行基板掃描。又，以蔽蔭遮罩81之開口部82與紅色之子像素2R行一致之方式(即，以開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之寬度的中心與子像素2R之發光區域24R之同一方向之寬度的中心大致一致之方式)，上述對準標記84、221，於掃描之同時進行精密的對準(S14)。
上述發光層23R係藉由如下方法而形成，即，於其材料 中使用3-苯基-4(1'-萘基)-5-苯基-1,2,4-三唑(TAZ)(主體材料)、及雙(2-(2'-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶根基-N,C3')銥(乙醯丙酮)(btp2Ir(acac))(紅色發光摻雜劑)，將各者之蒸鍍速度設為5.0 nm/s、0.53 nm/s，且使該等材料(紅色有機材料)共蒸鍍。
自蒸鍍源85射出之上述紅色有機材料之蒸鍍粒子係於上述TFT基板10通過蔽蔭遮罩81上時，通過蔽蔭遮罩81之開口部82而蒸鍍至與TFT基板10中之蔽蔭遮罩81之開口部82對向之位置(即，發光區域24R)。於本實施形態中，於上述TFT基板10完全通過蔽蔭遮罩81上後，使上述紅色有機材料以膜厚25 nm蒸鍍至上述TFT基板10之發光區域24R。
此處，以下，參照圖11對上述S14中之對準之調整方法進行說明。
圖11係表示對準調整方法之流程圖。對準之調整係按照圖11中所示之流程而進行。
首先，利用影像感測器90取得作為被成膜基板200之上述TFT基板10之基板位置(S21)。
其次，根據由上述影像感測器90所取得之圖像，利用圖像檢測部101進行上述TFT基板10之對準標記221及蔽蔭遮罩81之對準標記84之圖像檢測(S22)。
其後，根據由上述圖像檢測部101所檢測出之對準標記221、84之圖像，利用運算部102計算對準標記221與對準標記84之偏移量，從而運算並決定基板位置之修正值(S23)。
繼之，馬達驅動控制部103基於上述修正值驅動馬達72，藉此對基板位置進行修正(S24)。
繼之，再次以影像感測器90檢測修正後之基板位置而重複S21~S25之步驟(step)。
如此，根據本實施形態，藉由反覆以影像感測器90檢測基板位置並對基板位置進行修正，而可一面掃描基板，一面以TFT基板10上之發光區域24R之掃描正交方向(y軸方向)之寬度的中心與蔽蔭遮罩81之開口部82之同一方向之寬度的中心大致一致之方式對基板位置進行修正，且可一面使TFT基板10與蔽蔭遮罩81精密地對準一面成膜。
上述發光層23R之膜厚可根據往復掃描(亦即，TFT基板10之往復移動)及掃描速度進行調整。於本實施形態中，如圖10所示，於S14之掃描後，使TFT基板10之掃描方向反轉，藉由與S14相同之方法，進而使上述紅色有機材料蒸鍍至S14中之上述紅色有機材料之蒸鍍位置(S16)。藉此，形成膜厚50 nm之發光層23R。
再者，於S14~S16中，於TFT基板10中之非蒸鍍區域位於蔽蔭遮罩81之開口部82上時(例如，於S14中所示之步驟結束後，至S16中使掃描方向反轉為止期間)，將擋閘89插入至蒸鍍源85與蔽蔭遮罩81之間，而防止蒸鍍粒子附著於非蒸鍍區域(S15)。
此處，以下，參照圖12及圖13對上述S15中之使用擋閘89之蒸鍍控制進行說明。
圖12係表示蒸鍍斷開時之蒸鍍控制之流程的流程圖。 又，圖13係表示蒸鍍接通時之蒸鍍控制之流程的流程圖。
首先，對蒸鍍斷開時之流程進行說明。
如圖12所示，作為被成膜基板200之上述TFT基板10之基板位置係如圖11中所說明般，於蒸鍍處理期間，藉由影像感測器90不斷取得(S31)。
如圖11中所說明般，圖像檢測部101根據由上述影像感測器90所取得之圖像，而進行TFT基板10之對準標記221及蔽蔭遮罩81之對準標記84之圖像檢測。圖像檢測部101藉由檢測作為TFT基板10之對準標記221之表示顯示區域210之終端之終端標記，而如圖12所示般檢測顯示區域210之終端(S32)。
若如上所述般由圖像檢測部101檢測顯示區域210之終端，則蒸鍍接通/斷開控制部104產生蒸鍍斷開信號(S33)。
若自蒸鍍接通/斷開控制部104輸入蒸鍍斷開信號，則擋閘驅動控制部105使擋閘89封閉(S34)。若將擋閘89封閉，則蒸鍍粒子不會到達至遮罩，而成為蒸鍍斷開狀態(S35)。
其次，對蒸鍍接通時之流程進行說明。
如圖13所示，如上所述，作為被成膜基板200之上述TFT基板10之基板位置係於蒸鍍處理期間，藉由影像感測器90而不斷取得(S41)。
圖像檢測部101藉由檢測作為TFT基板10之對準標記221之表示顯示區域之始端之始端標記，而檢測顯示區域210之始端(S42)。
若由圖像檢測部101檢測顯示區域210之始端，則蒸鍍接通/斷開控制部104產生蒸鍍接通信號(S43)。
若自蒸鍍接通/斷開控制部104輸入蒸鍍接通信號，則擋閘驅動控制部105使擋閘89開放(S44)。若使擋閘89開放，則蒸鍍粒子到達至遮罩，而成為蒸鍍接通狀態(S45)。
又，上述S16中之往復掃描係以如下方式進行。首先，於S21~S24所示之步驟中一面進行精密對準一面對TFT基板10進行掃描，若由圖像檢測部101檢測顯示區域210之終端，則由馬達驅動控制部103驅動馬達72而使TFT基板10反轉。在此期間，藉由S31~S35所示之步驟使蒸鍍斷開，於S21~S24所示之步驟中進行TFT基板10之位置修正，且藉由S41~S45所示之步驟於顯示區域210之始端使蒸鍍接通。繼而，於S21~S24所示之步驟中再次一面進行精密對準一面對TFT基板10進行掃描。
如此，如圖14或圖15所示，掃描正交方向(y軸方向)之兩側部分成為膜厚遞減部分23sR之發光層23R係以完全被覆發光區域24R之方式而形成。
更詳細而言，發光層23R包含膜厚Tr大致固定之大致平坦部分23tR、與形成於其掃描正交方向(y軸方向)之兩側之膜厚遞減部分23sR。大致平坦部分23tR係以其掃描正交方向之寬度為與蔽蔭遮罩81R之開口部82之寬度B82R(參照圖15)相同之大小並且與發光區域24R之同一方向之寬度之內側重疊之方式，而形成於發光區域24R上。各膜厚遞減部分23sR之斜面係形成為平面狀。又，各膜厚遞減部分 23sR係以如下方式形成，即，分別與上述發光區域24R鄰接且跨越位於該膜厚遞減部分23sR之同側之非發光區域29與上述發光區域24R，並且不與該膜厚遞減部分23sR之同側之鄰接之發光區域24B重疊。
於本實施形態中，於S16所示之步驟後，自上述真空腔室60中取出形成有上述發光層23R之TFT基板10(S17)，且使用用以形成綠色之發光層23G之遮罩單元80(即，發光層23G用之蔽蔭遮罩81G及蒸鍍源85)及真空腔室60，以與上述發光層23R之成膜處理相同之方式使綠色之發光層23G以完全被覆發光區域24G之方式而形成。
如圖14所示，該發光層23G包含膜厚Tg大致固定之大致平坦部分23tG、與形成於其掃描正交方向(y軸方向)之兩側之膜厚遞減部分23sG。大致平坦部分23tG係以其掃描正交方向之寬度與蔽蔭遮罩81G之開口部82之寬度B82G相等並且與發光區域24G之同一方向之寬度之內側重疊之方式，而形成於發光區域24G上。各膜厚遞減部分23sG之斜面係形成為平面狀。又，各膜厚遞減部分23sG係以如下方式形成，即，分別與上述發光區域24G鄰接且跨越位於該膜厚遞減部分23sG之同側之非發光區域29與上述發光區域24G，並且不與該膜厚遞減部分23sG之同側之鄰接之發光區域24B重疊。又，發光層23G之膜厚Tg與發光層23R之膜厚Tr相等。
又，以如此之方式形成發光層23G後，使用用以形成藍色之發光層23B之遮罩單元80(即，發光層23B用之蔽蔭遮 罩81B及蒸鍍源85)及真空腔室60，以與上述發光層23R、23G之成膜處理相同之方式使藍色之發光層23B以完全被覆發光區域24B之方式而形成。
如圖14所示，該發光層23B包含膜厚Tb大致固定之大致平坦部分23tB、與形成於其掃描正交方向(y軸方向)之兩側之膜厚遞減部分23sB。大致平坦部分23tB係以其掃描正交方向之寬度與蔽蔭遮罩81B之開口部82之寬度B82B(參照圖15)相等並且被覆發光區域24B之同一方向之寬度之方式，而形成於發光區域24B上。各膜厚遞減部分23sB之斜面係形成為平面狀。又，發光區域24R側之膜厚遞減部分23sB係以跨越上述發光區域24B與上述發光區域24R之間之非發光區域29及上述發光區域24R之方式而形成。又，發光區域24G側之膜厚遞減部分23sB係以跨越上述發光區域24B與上述發光區域24G之間之非發光區域29及上述發光區域24G之方式而形成。
又，發光層23B之膜厚Tb與各發光層23R、23G之各膜厚Tr、Tb相等，發光區域24R側之膜厚遞減部分23sB之掃描正交方向(y軸方向)之寬度BB與發光層23R之膜厚遞減部分23sR之同一方向之寬度BR相等，且發光區域24G側之膜厚遞減部分23sB之掃描正交方向之寬度BB與發光層23G之膜厚遞減部分23sG之同一方向之寬度BG相等。
由此，各膜厚遞減部分23sB、23sR之傾斜度相互相等，各膜厚遞減部分23sB、23sG之傾斜度相互相等。再者，此處，由於兩者之膜厚遞減部分23sB之寬度BB為相同之大 小，故而各膜厚遞減部分23sB、23sR、23sG之傾斜度相互相等。
再者，於各發光區域24R之掃描正交方向(y軸方向)之區域24R1內，發光層23R之膜厚因各膜厚遞減部分23sR之存在而遞減，但其遞減量由發光層23B之膜厚遞減部分23sB填補，故而區域24R1中之膜厚與大致平坦部分23tR之膜厚Tr相等。同樣地，區域24G1中之膜厚亦與大致平坦部分23tG之膜厚Tg相等。藉此，無需確保發光區域24R端-大致平坦部分23tR端之間之距離(膜厚下降防止範圍)及發光區域24G端-大致平坦部分23tG端之間之距離(膜厚下降防止範圍)(即，可省略膜厚下降防止範圍)。
又，各發光區域24R、24G、24B中之膜厚均勻。即，各發光區域24R、24G、24B內之膜厚分別均勻，且於各發光區域24R、24G、24B間膜厚亦均勻。藉此可防止有機EL特性之下降。
再者，由於發光層23B於各發光區域24R、24G內發揮電子傳輸層之功能，故而不會產生混色。
再者，於上述發光層23G、23B之成膜處理中，分別準備於相當於該等發光層23G、23B之位置上具有開口部82之蔽蔭遮罩81G、81B。繼而，將各個蔽蔭遮罩81G、81B設置於用以形成發光層23G、23B之各真空腔室60內，且一面以各個蔽蔭遮罩81G、81B之開口部82與各子像素2G、2B行一致之方式進行對準，一面掃描TFT基板10而進行蒸鍍。
上述發光層23G係藉由如下方法而形成，即，於其材料中使用(TAZ)(主體材料)與Ir(ppy)3(綠色發光摻雜劑)，將各者之蒸鍍速度設為5.0 nm/s、0.67 nm/s，且使該等材料(綠色有機材料)共蒸鍍。
又，發光層23B係藉由如下方法而形成，即，於其材料中使用TAZ(主體材料)與2-(4'-第三丁基苯基)-5-(4"-聯苯基)-1,3,4-二唑(t-Bu PBD)(藍色發光摻雜劑)，將各者之蒸鍍速度設為5.0 nm/s、0.67 nm/s，且使該等材料(藍色有機材料)共蒸鍍。
再者，上述發光層23G、23B之膜厚係分別設為50 nm。
藉由以上步驟，而獲得將發光層23R、23G、23B圖案形成為紅(R)、綠(G)、藍(B)之TFT基板10。
於該TFT基板10中，各發光區域24R、24B間之非發光區域29係由式3表示。
各發光區域24R、24B間之非發光區域29=(膜厚遞減部分23sR之寬度BR-發光區域24R上之膜厚遞減部分23sR之寬度24R1)+發光層23R與發光區域24B之間之混色防止範圍C1………式3
同樣地，各發光區域24G、24B間之非發光區域29係由式4表示。
各發光區域24G、24B間之非發光區域29=(膜厚遞減部分23sG之寬度BG-發光區域24G上之膜厚遞減部分23sG之寬度24G1)+發光層23G與發光區域24B之間之混色防止範圍C2………式4 根據式3及式4，可使各發光區域24R、24B間及發光區域24G、24B間之各非發光區域29之寬度BR、BG分別小於先前之情形之非發光區域29之同一方向之寬度(參照式1)且小於各膜厚遞減部分(蒸鍍模糊)23sR、23sG。藉此，可使顯示畫面較先前更高精細。
藉由使發光區域間區域29減小，而可確保發光區域24R、24G、24B較寬，且可使像素之電流密度下降，從而改善有機EL元件之壽命。因此，使有機EL顯示裝置之可靠性提高。
又，於該TFT基板10中，由於如上所述般可省略膜厚下降防止範圍，故而可使發光層23R端-鄰接像素發光區域24B間之距離(混色防止範圍)C1變大。藉此，即便產生發光層23R之掃描正交方向之圖案偏移，亦可防止發光層23R與鄰接之發光區域24B重疊(即，混色之產生)。同樣地，對於發光層23G，由於亦可使混色防止範圍C2變大，故而即便產生發光層23G之掃描正交方向之圖案偏移，亦可防止發光層23G與鄰接之發光區域24B重疊。由此，可不犧牲顯示品位及可靠性而防止對鄰接像素之混色及該像素中之膜下降。
而且，由於發光區域24R、24G、24B係以R/B/G/B之順序進行配置，故而發光層23R與23G不會直接重疊，而可防止發光區域24R與24G之間之混色。
再者，於本實施形態中，利用在基板10與蔽蔭遮罩81之間設置空隙而進行蒸鍍之掃描蒸鍍法，而應用本發明之構 造，但只要為可於發光區域24R、24G、24B內形成蒸鍍膜(即，發光層23R、23G、23B)之膜厚遞減部分23sR、23sG、23sB者，則對於其他蒸鍍方法亦可同樣地應用。例如，藉由使蔽蔭遮罩81之板厚增厚，而產生蔽蔭效果，使用該效果，可對蒸鍍膜之側面賦予傾斜形狀，並且可於發光區域內形成膜厚遞減部分。
又，對於本實施形態，亦可在蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之間另外設置如限制蒸鍍粒子之射出方向之限制板。藉由追加限制板，來限制蒸鍍粒子之射出方向，而可調整膜厚遞減部分23sR、23sG、23sB之寬度。例如，在蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之間設置如排列有複數個開口部之限制板，且對於被成膜基板之某個區域之蒸鍍膜，限制或指定射出構成蒸鍍膜之蒸鍍粒子之射出口，藉此可調整膜厚遞減部分之寬度。
再者，於本實施形態中，設為將上述遮罩單元80固定配置於真空腔室60內之構成，但本實施形態並不限定於此。
上述蒸鍍裝置50亦可包含固定被成膜基板200之基板保持構件71(例如靜電吸盤)而代替上述基板移動機構70，並且包含使上述遮罩單元80保持著上述蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之相對位置而相對於被成膜基板200進行相對移動之遮罩單元移動機構(遮罩單元移動手段)。或者，亦可包含基板移動機構70及遮罩單元移動機構之兩者。
即，只要將上述被成膜基板200及遮罩單元80之至少一者設置為可進行相對移動即可，不論為使哪一者移動之情 形，均可獲得本發明之效果。
於如上所述般使遮罩單元80相對於被成膜基板200進行相對移動之情形時，上述遮罩單元80包括例如遮罩保持構件87(例如同一固持器)在內，使蔽蔭遮罩81及蒸鍍源85相對於被成膜基板200進行相對移動。藉此，可使上述遮罩單元80保持著上述蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之相對位置而相對於被成膜基板200進行相對移動。
如此，於使遮罩單元80相對於被成膜基板200進行相對移動之情形時，較佳為藉由例如利用同一固持器(保持構件、保持機構)保持上述蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85，而使其等一體化。
然而，於如上所述般使被成膜基板200相對於遮罩單元80進行相對移動之情形時，上述蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85只要使位置相對地固定，則亦可不必一體化。
例如，上述遮罩單元80中，亦可將蒸鍍源85固定於真空腔室60之內壁中之例如底壁，並且將遮罩保持構件87固定於上述真空腔室60之內壁之任一者，藉此固定上述蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之相對位置。
又，以上述蔽蔭遮罩81之開口部82與上述蒸鍍源85中之射出口86之配置相配合，各射出口86於俯視時位於任一開口部82內，並且開口部82與射出口86係1對1地對應而設置之情形為例進行了列舉說明。然而，本實施形態並不限定於此。開口部82與射出口86亦可不必對向配置，又，亦可不必1對1地對應。
具體而言，開口部82之間距p與射出口86之間距亦可不一致。又，開口部82之寬度d5或寬度d6與射出口86之開口寬度(開口徑)亦可不一致。例如，於圖1所示之例中，射出口86之開口徑既可大於開口部82之寬度d6，亦可小於開口部82之寬度d6。又，亦可對一個開口部82設置複數個射出口86，且亦可對複數個開口部82設置一個射出口86。又，複數個射出口86中之一部分(至少一個)之射出口86、或射出口86之一部分之區域亦可與非開口部(亦即，蔽蔭遮罩81中之開口部82以外之區域(例如開口部82、82間之區域))對向而設置。
又，就提高材料利用效率之觀點而言，較為理想的是開口部82與射出口86係1對1地對應。
又，於本實施形態中，以蔽蔭遮罩81之開口部82及蒸鍍源85之射出口86係一維地進行排列之情形為例進行了列舉說明。然而，本實施形態並不限定於此。蔽蔭遮罩81之開口部82與蒸鍍源85之射出口86只要分別相互對向地配置即可，亦可二維地進行排列。
又，於本實施形態中，以蔽蔭遮罩81之開口部82及蒸鍍源85之射出口86係分別設置有複數個之情形為例進行了列舉說明。然而，本實施形態並不限定於此。上述蔽蔭遮罩81只要包含至少1個開口部82即可，且蒸鍍源85只要包含至少1個射出口86即可。
又，於本實施形態中，以蔽蔭遮罩81具有狹縫狀之開口部82之情形為例進行了列舉說明。然而，上述開口部82之 形狀只要適當地進行設定以便可獲得所需之蒸鍍圖案即可，並無特別限定。
又，於本實施形態中，以基板移動機構70包含靜電吸盤來作為基板保持構件71之情形為例進行了列舉說明。如此，藉由利用靜電吸盤保持被成膜基板200，而可有效地防止由被成膜基板200之自重所導致之彎曲之產生。
然而，本實施形態並不限定於此，亦可根據被成膜基板200之大小，而使用例如對基板施加張力而機械性地夾持並保持基板之輥等保持構件，來作為上述基板保持構件71。
又，於本實施形態中，以設置有可於蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之間進退之擋閘作為擋閘89之情形為例進行了列舉說明。然而，本實施形態並不限定於此，例如，於作為蒸鍍源85而使用可切換接通/斷開之蒸鍍源85，且被成膜基板200中之無需蒸鍍之部分位於蔽蔭遮罩81之開口區域(亦即，與開口部82對向之區域)之情形時，亦可使蒸鍍斷開，而不使蒸鍍分子飛翔。
例如，亦可設為如下構成，即，作為擋閘89，於蒸鍍源85中設置藉由使蒸鍍源85之射出口86封閉而阻止蒸鍍粒子之射出(釋放)的擋閘89。
或者，亦可設為如下構成，即，代替於上述射出口86中設置擋閘89，而基於蒸鍍接通信號或蒸鍍斷開信號，使蒸鍍源85之電源接通/斷開，藉此使蒸鍍粒子本身停止產生。
又，於本實施形態中，如上所述，以使光自TFT基板10側出射之底部發光型之有機EL顯示裝置1之製造方法為例進行了列舉說明。然而，本實施形態並不限定於此。本發明亦可較佳地應用於使光自密封基板40側出射之頂部發光型之有機EL顯示裝置1。
又，於本實施形態中，以使用玻璃基板作為TFT基板10及密封基板40之支撐基板之情形為例進行了列舉說明，但本實施形態並不限定於此。
作為該等TFT基板10及密封基板40中之各支撐基板，於有機EL顯示裝置1為底部發光型之有機EL顯示裝置之情形時，除玻璃基板以外亦可使用例如塑膠基板等透明基板。 另一方面，於上述有機EL顯示裝置1為頂部發光型之有機EL顯示裝置之情形時，作為上述支撐基板，除如上所述之透明基板以外，例如，亦可使用陶瓷基板等不透明基板。
又，於本實施形態中，以陽極(於本實施形態中，為第1電極21)係形成為矩陣狀之情形為例進行了列舉說明。然而，作為上述陽極，只要具有對有機EL層供給電洞之電極的功能，則其形狀、材質、及大小並無特別限定，亦可形成為例如條紋狀。然而，就有機EL元件之性質而言，較佳為陽極及陰極中之至少一者透明。通常使用透明之陽極。
[實施形態2]
如下所述，基於圖16對本發明之另一實施形態進行說明。
於實施形態1中，各發光層23R、23G、23B之大致平坦 部分23tR、23tG、23tB之膜厚Tr、Tg、Tb係形成為相互相同之大小。於本實施形態中，如圖16所示，各發光層23R、23G(第1膜)之大致平坦部分23tR、23tG之膜厚Tr、Tg係形成為相互相同之大小，但發光層23B(第2膜)之大致平坦部分23tB之膜厚Tb係形成為大於各發光層23R、23G之大致平坦部分23tR、23tG之膜厚Tr、Tg。
又，於本實施形態中，藉由在各發光層23R、23G上形成與發光層23B同色(即藍色)之發光層2B2(第3膜)，而使各發光區域24R、24G、24B中之膜厚均勻化。
更詳細而言，若將各發光層23R、23G之大致平坦部分23tR、23tG之膜厚設為Trg(=Tr=Tg)，將發光層23B之大致平坦部分23tB之膜厚設為Tb1(=Tb)，且將發光層23B2之大致平坦部分23tB2之膜厚設為Tb2，則膜厚Tb2係由式5給出。
Tb2=Tb1-Trg………式5再者，發光層23B2中可使用與發光層23B相同之材料。
本實施形態中之有機EL顯示裝置之製造方法除如下方面與實施形態1不同以外，其他方面與實施形態1相同，即，於實施形態1中，在發光層23B之形成步驟中，發光層23B之大致平坦部分23tB之膜厚Tb(=Tb1)係形成為大於各發光層23R、23G之大致平坦部分23tR、23tG之膜厚Trg，進而，於發光層23B之形成步驟後，追加發光層23B2之形成步驟。
再者，於上述發光層23B2之形成步驟中，使用用以形成 藍色之發光層23B2之遮罩單元80(即，發光層23B2用之蔽蔭遮罩81B2(參照圖16)及蒸鍍源85)及真空腔室60，以與上述發光層23R、23G之成膜處理相同之方式如上所述般形成發光層23B2。
再者，蔽蔭遮罩81B2包含形成於發光層23R上之發光層23B2用之開口部82r、及形成於發光層23G上之發光層23B2用之開口部82g。開口部82r之掃描正交方向(y軸方向)之寬度B82r係形成為與發光層23R之大致平坦部分23tR之同一方向之寬度相同之大小，開口部82g之掃描正交方向(y軸方向)之寬度B82g係形成為與發光層23G之大致平坦部分23tG之同一方向之寬度相同之大小。
如上所述，根據本實施形態，發光層23B(第2膜)之大致平坦部分23tB之膜厚Tb1係形成為大於各發光層23R、23G(第1膜)之大致平坦部分23tR、23tG之膜厚Tr、Tg，且更包含在各發光層23R、23G之大致平坦部分23tR、23tG及發光層23B之膜厚遞減部分23sB中以相對於發光層23B之大致平坦部分23tB大致平坦之方式而形成之發光層23B2(第3膜)，故而於發光層23B之大致平坦部分23tB之膜厚Tb1大於各發光層23R、23G之大致平坦部分23tR、23tG之膜厚Tr、Tg之情形時，可藉由發光層23B2而使各發光區域24R、24G、24B(第1及第2成膜區域)中之膜厚均勻化。
[實施形態3]
如下所述，基於圖17對本發明之另一實施形態進行說明。
於實施形態2中，各發光層23R、23G之膜厚Tr、Tg係形成為相互相同之大小，但於本實施形態中，如圖17所示，各發光層23R、23G(第1膜)之膜厚Tr、Tg係形成為相互不同之大小。
於本實施形態中，形成於發光層23R上之發光層23B2(以下，稱為發光層23B2R：第3膜)之大致平坦部分23tB2R之膜厚Tb2r、及形成於發光層23G上之發光層23B2(以下，稱為發光層23B2G：第3膜)之大致平坦部分23tB2G之膜厚Tb2g係分別由式6及式7給出。
Tb2r=Tb1-Tr………式6
Tb2g=Tb1-Tg………式7再者，於本實施形態中各發光層23R、23G、23B中之膜厚亦均勻。
本實施形態中之有機EL顯示裝置之製造方法除如下方面與實施形態2不同以外，其他方面與實施形態2相同，即，於實施形態2之製造方法中，將發光層23B之形成步驟分離為發光層23B2R之形成步驟、與發光層23B2G之形成步驟，且例如按照該順序進行該等各形成步驟。
再者，於發光層23B2R之形成步驟中，使用用以形成發光層23B2R之遮罩單元80(即，發光層23B2R用之蔽蔭遮罩81B2R(省略圖示)及蒸鍍源85)及真空腔室60，以與實施形態2中之發光層23B2之成膜處理相同之方式如上所述般形成發光層23B2R。又，於發光層23B2G之形成步驟中，使用用以形成發光層23B2G之遮罩單元80(即，發光層23B2G 用之蔽蔭遮罩81B2G(省略圖示)及蒸鍍源85)及真空腔室60，以與實施形態2中之發光層23B2之成膜處理相同之方式如上所訴般形成發光層23B2G。
再者，發光層23B2R用之蔽蔭遮罩81B2R(省略圖示)係使用以與發光層23R用之蔽蔭遮罩81R相同之方式而形成者，發光層23B2G用之蔽蔭遮罩81B2G(省略圖示)係使用以與發光層23G用之蔽蔭遮罩81G相同之方式而形成者。
如上所述，根據本實施形態，於各發光層23R、23G(第1膜)之膜厚Tr、Tg係形成為相互不同之大小之情形時，獲得與實施形態2相同之效果。
[實施形態4]
如下所述，基於圖18對本發明之另一實施形態進行說明。
於實施形態1中，各發光層23R、23G、23B之大致平坦部分23tR、23tG、23tB之膜厚Tr、Tg、Tb相互相等(即Tr=Tg=Tb)，但於本實施形態中，各發光層23R(第1膜)、23G(第1膜)、23B(第2膜)之膜厚Tr、Tg、Tb係以各發光層23R、23G、23B之大致平坦部分23tR、23tG、23tB之膜厚方向之電阻Rr、Rg、Rb相互相等(即Rr=Rg=Rb)之方式而形成。
換言之，若將各發光層23R、23G、23B之膜厚方向之電阻率設為ρr、ρg、ρb，將各發光層23R、23G、23B之大致平坦部分23tR、23tG、23tB之膜厚方向之電阻設為R(=Rr=Rg=Rb)，則各發光層23R、23G、23B之膜厚Tr、 Tg、Tb係以式8成立之方式而決定。
R=ρr×Tr=ρg×Tg=ρb×Tb………式8於本實施形態中，在各發光區域24R、24G、24B中，雖然各膜厚Tr、Tg、Tb相互不相等，但膜厚方向之各電阻Rr、Rg、Rb係包含各發光層23R、23G、23B重疊之區域(即，各膜厚遞減部分23sR、23sB重疊之區域24R1(參照圖14)及各膜厚遞減部分23sG、23sB重疊之區域24G1(參照圖14))而變成相同之大小。
以發光層23R、23B對此進行驗證。如圖18所示，各發光層23R、23B之膜厚遞減部分23sR、23sB於重疊區域77內相互重疊。
根據式8，各發光層23R、23B之大致平坦部分23tR、23tB之膜厚方向之電阻Rr、Rb彼此相同。另一方面，於重疊區域77內，若將其掃描正交方向之一端設為原點O而朝向其掃描正交方向之另一端側取u軸，且將重疊區域77之u軸方向之寬度設為B，則位置u上之膜厚方向之總電阻Ru為位置u上之發光層23R中之電阻(ρr×Tr×(u/B))與位置u上之發光層23B中之電阻(ρb×Tb×{(B-u)/B})之和，且由式9表示。再者，假定各膜厚遞減部分23sR、23sB之傾斜為平面。
Ru=ρr×Tr×(u/B)+ρb×Tb×{(B-u)/B}………式9繼而，由式8及式9而獲得式10。
Ru=ρb×Tb=R………式10根據式10，於重疊區域77(隨之，與膜厚遞減部分23sR重 疊之區域24R1)內，膜厚方向之電阻Ru亦與大致平坦部分23tR之膜厚方向之電阻R相同。
如上所述，根據本實施形態，以各發光層23R、23G、23B之大致平坦部分23tR、23tG、23tB之膜厚方向之電阻Rr、Rg、Rb為相同之大小之方式，規定各發光層23R、23G、23B之大致平坦部分23tR、23tG、23tB之膜厚Tr、Tg、Tb。藉此，即便各發光層23R、23G、23B中產生膜厚遞減部分23sR、23sG、23sB，亦可藉由單純地使各膜厚遞減部分23sR、23sG、23sB重合，而實現各發光區域24R、24G、24B中之膜厚方向之電阻之均勻化。
繼而，藉由使各發光區域24R、24G、24B中之膜厚之膜厚方向之電阻均勻化，而可使各發光區域24R、24G、24B內之電阻值之分佈消失，從而使電流於各發光區域24R、24G、24B內均勻地流通。因此，可抑制由局部之電流集中所導致之有機EL元件之損傷或壽命之不均，從而可實現高可靠性之有機EL顯示裝置。
[實施形態5]
如下所述，基於圖19及圖20對本發明之另一實施形態進行說明。
於實施形態1中，各發光層23R、23G、23B之大致平坦部分23tR、23tG、23tB之膜厚Tr、Tg、Tb係形成為相互相同之大小，但於本實施形態中，如圖19所示，雖然各發光層23R、23G(第1膜)之大致平坦部分23tR、23tG之膜厚Tr、Tg係形成為相互相同之大小，但發光層23B(第2膜)之 大致平坦部分23tB之膜厚Tb係形成為小於各發光層23R、23G之大致平坦部分23tR、23tG之膜厚Tr、Tg。
又，於本實施形態中，藉由在發光層23B上形成緩衝層23D(第1緩衝層)，而使各發光區域24R、24G、24B中之膜厚均勻化。更詳細而言，若將各發光層23R、23G之大致平坦部分23tR、23tG之膜厚設為Trg(=Tr=Tg)，將發光層23B之大致平坦部分23tB之膜厚設為Tb，且將緩衝層23D之大致平坦部分23tD之膜厚設為Tbff，則膜厚Tbff係由式11給出。
Tbff=Trg-Tb………式11緩衝層23D為具有與電子傳輸層相同之功能之層。作為緩衝層23D之材料，例如，可使用與發光層(例如23B)之主體材料或電子傳輸層相同之材料。
本實施形態中之有機EL顯示裝置之製造方法除如下方面與實施形態1不同以外，其他方面與實施形態1相同，即，如圖20所示，於實施形態1中之步驟S3中之發光層23B之形成步驟中，發光層23B之大致平坦部分23tB之膜厚Tb係形成為小於各發光層23R、23G之大致平坦部分23tR、23tG之膜厚Trg，進而，於發光層23B之形成步驟後(即步驟S3後)，追加形成緩衝層23D之緩衝層蒸鍍步驟S3-2。
再者，於緩衝層蒸鍍步驟S3-2中，使用用以形成緩衝層23D之遮罩單元80(即，緩衝層23D用之蔽蔭遮罩81D(省略圖示)及蒸鍍源85)及真空腔室60，以與上述發光層23R、23G、23B之成膜處理相同之方式，如上所述般形成緩衝 層23D。再者，緩衝層23D用之蔽蔭遮罩81D可使用與發光層23B用之蔽蔭遮罩81B相同者。
如上所述，根據本實施形態，由於發光層23B(第2膜)之大致平坦部分23tB之膜厚Tb小於各發光層23R、23G(第1膜)之大致平坦部分23tR、23tG之膜厚Tr、Tg，且於發光層23B上更包含以相對於各發光層23R、23G之大致平坦部分23tR、23tG平坦之方式而形成之緩衝層23D，故而於發光層23B之大致平坦部分23tD之膜厚Tbff小於各發光層23R、23G之大致平坦部分23tR、23tG之膜厚Tr、Tg之情形時，可藉由緩衝層23D使各發光區域24R、24G、24B(第1及第2成膜區域)中之膜厚均勻化。
[實施形態6]
如下所述，基於圖21對本發明之另一實施形態進行說明。
於實施形態5中，各發光層23R、23G之膜厚Tr、Tg相互相等，但於本實施形態中，如圖21所示，各發光層23R、23G(第1膜)之膜厚Tr、Tg係以相互不同(例如Tr>Tg)之方式而形成。再者，於本實施形態中，亦與實施形態5同樣地，發光層23B(第2膜)之膜厚Tb係形成為小於各發光層23R、23G之膜厚Tr、Tg(因此Tr>Tg>Tb)。
繼而，於本實施形態中，藉由在發光層23B(第2膜)上形成第1緩衝層23D1(第1緩衝層)，而使發光區域24B中之膜厚變得與發光層23R之膜厚Tr(即，各膜厚Tr、Tg中之較大者)相等。又，藉由在發光層23G(即，各發光層23R、23G 中之膜厚Tr、Tg較小者)(第1膜)上形成第2緩衝層23D2(第2緩衝層)，而使發光區域24G(即，與各發光層23R、23G中之膜厚Tr、Tg較小者相對應之發光區域)中之膜厚變得與發光層23R之膜厚Tr相等。藉此使各發光區域24R、24G、24B中之膜厚均勻化。
更詳細而言，第1緩衝層23D1之大致平坦部分23tD1之膜厚Tbff1係以式12給出。又，第2緩衝層23D2之大致平坦部分23tD2之膜厚Tbff2係以式13給出。
Tbff1=Tr-Tb………式12
Tbff2=Tr-Tg………式13再者，作為第1緩衝層23D1及第2緩衝層23D2之材料，可使用與實施形態5之緩衝層23D之材料相同者。
本實施形態中之有機EL顯示裝置之製造方法除如下方面與實施形態5不同以外，其他方面與實施形態5相同，即，於實施形態5之製造方法中，將緩衝層蒸鍍步驟S3-2分離為第1緩衝層23D1之形成步驟與第2緩衝層23D2之形成步驟，且於第1緩衝層23D1之形成步驟後進行第2緩衝層23D2之形成步驟。
更詳細而言，於第1緩衝層23D1之形成步驟中，使用用以形成第1緩衝層23D1之遮罩單元80(即，第1緩衝層23D1用之蔽蔭遮罩(例如以與發光層23B用之蔽蔭遮罩81B相同之方式而形成之蔽蔭遮罩)及蒸鍍源85)及真空腔室60，以與上述發光層23B之成膜處理相同之方式，於發光層23B上形成膜厚Tbff1之第1緩衝層23D1。
又，於第2緩衝層23D2之形成步驟中，使用用以形成第2緩衝層23D2之遮罩單元80(即，第2緩衝層23D2用之蔽蔭遮罩(例如以與發光層23G用之蔽蔭遮罩81G相同之方式而形成之蔽蔭遮罩)及蒸鍍源85)及真空腔室60，以與上述發光層23G之成膜處理相同之方式，於發光層23G上形成膜厚Tbff2之第2緩衝層23D2。
如上所述，根據本實施形態，於發光層23B(第2膜)之大致平坦部分23tB之膜厚Tb小於各發光層23G(第1膜)之大致平坦部分23tG之膜厚Tg之情形時，藉由第1及第2緩衝層23D1、23D2，而使各發光區域24G、24B(第1及第2成膜區域)中之膜厚均勻化為高於發光層23G之大致平坦部分23tG之膜厚Tg的特定之大小(發光層23R之膜厚Tr)。
再者，於本實施形態中，對Tr>Tg之情形進行了說明，但Tr<Tg之情形時亦同樣。
[實施形態7]
如下所述，基於圖22及圖23對本發明之另一實施形態進行說明。
於實施形態1中，僅各發光層23R、23G分別包含於y軸方向(特定方向)之兩側部分膜厚分別朝向y軸方向之前端側遞減之膜厚遞減部分23sR、23sG，且該膜厚遞減部分23sR、23sG之y軸方向之基端側係以與發光區域24R、24G重疊之方式而形成，但於本實施形態中，如圖22所示，各發光層23R、23G、23B(第1膜)均分別包含於其y軸方向(特定方向)之兩側部分膜厚分別朝向y軸方向之前端側遞減之 膜厚遞減部分23sR、23sG、23tB，且該膜厚遞減部分23sR、23sG．23tB之y軸方向之基端側係以與發光區域24R、24G、24B(成膜區域)重疊之方式而形成。
再者，於本實施形態中，相鄰之各發光層23R、23G之膜厚遞減部分23sR、23sG係以相互不重合之方式，而形成於各發光區域24R、24G間之區域(非發光區域)29之掃描正交方向之中心。同樣地，相鄰之各發光層23G、23B之膜厚遞減部分23sG、23sB係以相互不重合之方式，而形成於各發光區域24G、24B間之區域(非發光區域)29之掃描正交方向之中心。
再者，各發光層23R、23G、23B之膜厚Tr、Tg、Tb係與實施形態1同樣地，相互相等(即Tr=Tg=Tb)。
又，於本實施形態中，1個像素係與先前同樣地，使各子像素2R、2G、2B按照R/B/G之順序進行排列而構成。
又，於本實施形態中，於各發光區域間之區域(非發光區域)29中形成有發光層23B3(第2膜)。發光層23B3具有與例如發光層23B相同之發光色(即藍色)，且形成為與各發光層23R、23G、23B之膜厚Tr、Tg、Tb相同之膜厚。
此處，TFT基板10中之各子像素2R、2G、2B之開口部15R、15G、15B之寬度係設為360 μm(掃描方向)×110 μm(與掃描方向垂直之方向)。又，上述開口部15R、15G、15B間之間距係設為480 μm(掃描方向)×160 μm(與掃描方向垂直之方向)。再者，上述開口部15R、15G、15B間之間距(像素開口部間之間距)表示相鄰之子像素2R、 2G、2B中之各個開口部15R、15G、15B間之間距，而並非同色子像素間之間距。
又，各發光區域24R、24G間之區域29上之發光層23B3包含於y軸方向(特定方向)之兩側部分膜厚分別朝向y軸方向之前端側遞減之膜厚遞減部分23sB3，該膜厚遞減部分23sB3係以與該膜厚遞減部分23sB3之同側之發光層23R或23R之膜厚遞減部分23sR或23sG重疊而填補該膜厚遞減部分23sR或23sG之膜厚之遞減量之方式形成。如此，藉由形成發光層23B3，而使各發光區域24R、24G、24B中之膜厚均勻化。
再者，發光層23B3之大致平坦部分23tB3之y軸方向之寬度BtB3係形成為與發光層23B3之兩側之各發光層23R、23G或23G、23B之同一方向之間隔Brg或Bgb相同之大小。
又，發光層23B3之膜厚遞減部分23sB3之掃描正交方向之寬度BsB3係形成為與重疊於該膜厚遞減部分23sB3之膜厚遞減部分23sR、23sG、23sB之同一方向之寬度BR、BG、BB相同之大小。
本實施形態中之有機EL顯示裝置之製造方法除如下方面與實施形態1不同以外，其他方面與實施形態1相同，即，於實施形態1之製造方法中，在發光層蒸鍍步驟S3中如上所述般形成各發光層23R、23G、23B後，如上所述般而形成發光層23B3。
再者，如圖23所示，發光層23R用之蔽蔭遮罩81R係以其開口部82之y軸方向之寬度B82R小於發光區域24R之同 一方向之寬度之方式而形成。繼而，於發光層23R之形成步驟中，蔽蔭遮罩81B係使其開口部82之y軸方向之中心與發光區域24R之同一方向之中心大致一致且相對於被成膜基板200隔開間隔進行配置而使用。同樣地，發光層23G、23B用之蔽蔭遮罩81G、81B(省略圖示)亦係以其開口部82之y軸方向之寬度B82G、B82B(省略圖示)小於發光區域24G、24B之同一方向之寬度之方式而形成。繼而，於發光層23G、23B之形成步驟中，蔽蔭遮罩81G、81B係使其開口部82之y軸方向之中心與發光區域24G、24B之同一方向之中心大致一致且相對於被成膜基板200隔開間隔進行配置而使用。
此處，蔽蔭遮罩81R、81G、81B之開口部B82R、B82G、B82B相對於各發光層23R、23G、23B(第1膜)之開口寬度係設為150 mm(長軸方向之寬度d5；參照圖1)×50 μm(短軸方向之寬度d6；參照圖1)，相鄰之開口部82、82間之間隔d8(參照圖1)係設為430 μm，且相鄰之開口部82、82之中心間之間距p(參照圖1)係設為480 μm。
又，發光層23B3用之蔽蔭遮罩81B3中，開口部82之y軸方向之寬度B82B3係形成為與各發光層23R、23G(或23G、23B)間之間隔B100相同之大小。繼而，於發光層23B3之形成步驟中，蔽蔭遮罩81B3係使開口部82之y軸方向之中心與各發光區域24R、24G(或24G、24B)間之區域(非發光區域)29之同一方向之中心大致一致且相對於被成膜基板200隔開間隔進行配置而使用。
此處，蔽蔭遮罩81B3之開口部82相對於發光層23B3(第2膜)之開口寬度B82B3係設為150 mm(長軸方向之寬度d5；參照圖1)×10 μm(短軸方向之寬度d6；參照圖1)，相鄰之開口部82、82間之間隔d8(參照圖1)係設為150 μm，相鄰之開口部82、82之中心間之間距p(參照圖1)係設為160 μm。
如上所述，根據本實施形態，由於各發光層23R、23G、23B(第1膜)係分別以膜厚遞減部分23sR、23sG、23sB之基端側與各發光區域24R、24G、24B(成膜區域)重疊之方式而形成，故而即便不使膜厚遞減部分23sR、23sG、23sB之y軸方向(特定方向)之寬度變短，亦可確保使各發光層23R、23G、23B與該膜厚遞減部分23sR、23sG、23sB側之鄰接之成膜區域(23R、23G、23B之任一者)之間之區域(即混色防止範圍)29較寬，藉此，即便各發光層23R、23G、23B於y軸方向上產生較大之圖案偏移，亦可防止因各發光層23R、23G、23B與該膜厚遞減部分23sR、23sG、23sB側之上述鄰接之成膜區域重疊而導致之混色。
又，由於為使上述混色防止範圍變寬，而無需使各發光區域24R、24G、24B與上述鄰接之成膜區域之間之區域29變寬，故而可使各發光區域24R、24G、24B(即顯示畫面)保持高精細。
又，由於發光層23B3(第2膜)係以其膜厚遞減部分23sB3與位於其同側之發光層23R、23G或23B之膜厚遞減部分23sR、23sG或23sB之基端側重疊而填補該膜厚遞減部分 23sR、23sG或23sB之基端側之膜厚之遞減量之方式形成，故而可防止各發光區域24R、24G、24B中之膜厚下降。
再者，於本實施形態中，將第2膜設為發光層，但並不限定於此，亦可設為構成發光層之主體材料或電子傳輸層。
[要點概要]
如上所述，又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第2膜之上述膜厚遞減部分與述第1膜之上述膜厚遞減部分之基端側重疊。
根據上述構成，由於第2膜之膜厚遞減部分與第1膜之膜厚遞減部分之基端側重疊，故而藉由第2膜之膜厚遞減部分完全地填補第1膜之膜厚遞減部分之基端側之膜厚的遞減量，從而可防止第1成膜區域中之膜厚下降。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第1膜之上述膜厚遞減部分之上述特定方向之基端側與上述第1成膜區域重疊。
根據上述構成，由於第1膜之膜厚遞減部分之特定方向之基端側與第1成膜區域重疊，故而即便不使第1膜之膜厚遞減部分之特定方向之寬度變短，亦可確保使第1膜與第2成膜區域之間之間隔(即混色防止範圍)較寬，藉此，即便第1膜於特定方向上產生較大之圖案偏移，亦可防止因第1膜與第2成膜區域重疊而導致之混色。
又，由於為使上述混色防止範圍變寬，而無需使第1及第2成膜區域之間之區域變寬，故而可使第1及第2成膜區 域(即顯示畫面)為高精細。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第2膜之上述膜厚遞減部分係配置於上述第2成膜區域之上述特定方向之外側。
根據上述構成，第2膜之膜厚遞減部分係配置於第2成膜區域之特定方向之外側。即，第2膜之除膜厚遞減部分以外之大致平坦部分充分地被覆第2成膜區域。由此，即便第2膜於特定方向上產生較大之圖案偏移，亦可防止第2成膜區域中之第2膜之缺損。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第1膜為紅色或綠色之發光層，上述第2膜為藍色之發光層。
根據上述構成，由於第1膜為紅色或綠色之發光層，第2膜為藍色之發光層，故而可防止因第2膜與第1成膜區域重疊而導致之混色。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述紅色、綠色及藍色之發光層係按照紅色、藍色、綠色、藍色之順序進行排列。
根據上述構成，由於紅色、綠色及藍色之發光層係按照紅色、藍色、綠色、藍色之順序進行排列，故而可應用於1個像素之像素排列係按照紅色、藍色、綠色、藍色之順序進行排列之顯示裝置。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第1及第2膜之各者之除上述膜厚遞減部分以外之大致平坦 部分之膜厚分別相等，且上述第1膜之上述膜厚遞減部分之膜厚及上述第2膜之上述膜厚遞減部分之膜厚之和與上述第1及第2膜之各者之上述大致平坦部分之膜厚相等。
根據上述構成，上述第1及第2膜之各者之除上述膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚分別相等，上述第1膜之上述膜厚遞減部分之膜厚及上述第2膜之上述膜厚遞減部分之膜厚之和與上述第1及第2膜之各者之上述大致平坦部分之膜厚相等。由此，可使第1及第2成膜區域中之膜厚均勻化。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第2膜之除上述膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚大於上述第1膜之除上述膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚，且於上述第1膜之上述大致平坦部分上及上述第2膜之上述膜厚遞減部分上更包含第3膜。
根據上述構成，於第2膜之除膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚大於第1膜之除膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚，且第2膜之大致平坦部分之膜厚大於第1膜之大致平坦部分之膜厚之情形時，可藉由第3膜使第1成膜區域中之膜厚與第2成膜區域中之膜厚之差較小。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第2膜之上述大致平坦部分之表面與上述第3膜之表面形成大致平坦的平面。
根據上述構成，由於第2膜之大致平坦部分之表面與第3膜之表面形成大致平坦的平面，故而可使第1及第2成膜區 域中之膜厚均勻化。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第3膜為藍色之發光層或電子傳輸層。
根據上述構成，由於第3膜為藍色之發光層或電子傳輸層，故而可防止因第3膜與第1成膜區域重疊而導致之混色。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第1及第2膜之各者之除上述膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚方向的電阻分別相等。
根據上述構成，由於第1及第2膜之大致平坦部分之膜厚方向之電阻分別相等，故而於第1及第2膜之各者之膜厚遞減部分中，藉由單純地使第1及第2膜之各者之膜厚遞減部分重合，亦可使第1及第2膜之各者之大致平坦部分之膜厚方向之電阻相同。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第2膜之除上述膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚小於上述第1膜之除上述膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚，且於上述第2膜上更包含第1緩衝層。
根據上述構成，由於第2膜之除膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚係形成為小於第1膜之除膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚，且於第2膜上更包含第1緩衝層，故而於第2膜之大致平坦部分之膜厚小於第1膜之大致平坦部分之膜厚之情形時，可藉由第1緩衝層而降低第1膜與第2膜之膜厚之差。由此，可使第1及第2成膜區域中之 膜厚均勻地接近。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第1膜之上述大致平坦部分之膜厚與第1緩衝層及第2膜之膜厚之和相等。
根據上述構成，上述第1膜之大致平坦部分之膜厚與第1緩衝層及第2膜之膜厚之和相等，可藉由第1緩衝層使第1及第2成膜區域中之膜厚均勻化。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是於至少一部分之第1膜上包含第2緩衝層。
根據上述構成，由於在至少一部分之第1膜上包含第2緩衝層，故而於上述至少一部分之第1膜之大致平坦部分之膜厚小於上述至少一部分之第1膜以外之第1膜之大致平坦部分之膜厚之情形時，可藉由第2緩衝層來降低上述至少一部分之第1膜之膜厚下降量。由此，可使各第1成膜區域中之膜厚均勻地接近。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述至少一部分之第1膜之大致平坦部分之膜厚及第2緩衝層之膜厚之和與第1緩衝層及第2膜之膜厚之和相等。
根據上述構成，由於至少一部分之第1膜之大致平坦部分之膜厚及第2緩衝層之膜厚之和與第1緩衝層及第2膜之膜厚之和相等，故而可使第1及第2成膜區域中之膜厚均勻化。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第1緩衝層為構成藍色發光層之主體材料或電子傳輸層。
根據上述構成，由於第1緩衝層為構成藍色發光層之主體材料或電子傳輸層，故而可防止因第1緩衝層與第1及第2成膜區域重疊而導致之混色。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第2緩衝層分別為構成藍色發光層之主體材料或電子傳輸層。
根據上述構成，由於第2緩衝層為構成藍色發光層之主體材料或電子傳輸層，故而可防止因第1緩衝層與第1及第2成膜區域重疊而導致之混色。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第1膜之上述膜厚遞減部分之上述特定方向之寬度大於上述第1及上述第2成膜區域之間之區域之上述特定方向之寬度。
根據上述構成，第1膜之膜厚遞減部分之特定方向之寬度大於第1及第2成膜區域之間之區域之同一方向之寬度。 即，可使第1膜之膜厚遞減部分之傾斜較平緩。由此，即便第1膜之膜厚遞減部分與第2成膜區域重疊，亦可降低混色之影響。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第2膜之上述膜厚遞減部分與上述第1膜之上述膜厚遞減部分之基端側重疊。
根據上述構成，由於第2膜之膜厚遞減部分與第1膜之膜厚遞減部分之基端側重疊，故而可藉由第2膜之膜厚遞減部分來完全地填補第1膜之膜厚遞減部分之基端側之膜厚 的遞減量，從而可防止各成膜區域中之膜厚下降。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第1膜之上述膜厚遞減部分之上述特定方向之基端側與上述成膜區域重疊。
根據上述構成，由於第1膜之膜厚遞減部分之特定方向之基端側與成膜區域重疊，故而即便不使第1膜之膜厚遞減部分之特定方向之寬度變短，亦可確保第1膜與第2成膜區域之間之間隔(即混色防止範圍)較寬，藉此，即便第1膜於特定方向上產生較大之圖案偏移，亦可防止因第1膜與鄰接之成膜區域重疊而導致之混色。
又，由於為使上述混色防止範圍變寬，而無需使各成膜區域之間之區域變寬，故而可使各成膜區域(即顯示畫面)為高精細。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是上述第1及第2膜之各者之除上述膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚分別相等，且上述第1膜之上述膜厚遞減部分之膜厚及上述第2膜之上述膜厚遞減部分之膜厚之和與上述第1及第2膜之各者之上述大致平坦部分之膜厚相等。
又，本發明之實施形態之被成膜基板較為理想的是至少一部分之上述第1膜為紅色之發光層，至少一部分之上述第1膜為綠色之發光層，至少一部分之上述第1膜為藍色之發光層，且上述第2膜為藍色之發光層、構成該藍色之發光層之主體材料、或電子傳輸層。
根據上述構成，由於至少一部分之第1膜為紅色之發光 層，至少一部分之第1膜為綠色之發光層，至少一部分之第1膜為藍色之發光層，且第2膜為藍色之發光層、構成其之主體材料、或電子傳輸層，故而可防止因第2膜與成膜區域重疊而導致之混色。
又，本發明之實施形態之有機EL顯示裝置係使用上述被成膜基板者。
根據上述構成，可提供具有上述被成膜基板之效果之有機EL顯示裝置。
[產業上之可利用性]
本發明之蒸鍍方法及蒸鍍裝置可較佳地使用於例如有機EL顯示裝置中之有機層之分塗形成等成膜製程中所使用的有機EL顯示裝置之製造裝置及製造方法等。進而，本發明之蒸鍍方法及蒸鍍裝置亦可應用於製造如因經圖案形成之膜發生偏移而對其他區域造成影響之被成膜基板之情形。
1‧‧‧有機EL顯示裝置
2‧‧‧像素
2R、2G、2B‧‧‧子像素
10‧‧‧TFT基板(基板)
20‧‧‧有機EL元件
22‧‧‧電洞注入層兼電洞傳輸層
23B2‧‧‧發光層(第3膜)
23B3‧‧‧發光層(第2膜)
23D‧‧‧緩衝層(第1緩衝層)
23D1‧‧‧第1緩衝層(第1緩衝層)
23D2‧‧‧第2緩衝層(第2緩衝層)
23R、23G、23B‧‧‧發光層(第1膜、第2膜)
23sR、23sG、23sB‧‧‧膜厚遞減部分
23tR、23tG、23tB‧‧‧大致平坦部分
24‧‧‧電子傳輸層(有機層)
24G1‧‧‧各發光區域24G之掃描正交方向(y軸方向)之區域
24R、24G、24B‧‧‧發光區域
24R1‧‧‧各發光區域24R之掃描正交方向(y軸方向)之區域
25‧‧‧電子注入層(有機層)
29‧‧‧非發光區域
50‧‧‧蒸鍍裝置
60‧‧‧真空腔室
70‧‧‧基板移動機構
71‧‧‧基板保持構件
72‧‧‧馬達
80‧‧‧遮罩單元
81、81R、81G、81B‧‧‧蔽蔭遮罩
81a‧‧‧長邊
81b‧‧‧短邊
82‧‧‧開口部
83‧‧‧對準標記部
84‧‧‧對準標記
84R、84G、84B‧‧‧對準標記
85‧‧‧蒸鍍源
86‧‧‧射出口
87‧‧‧遮罩保持構件
88‧‧‧遮罩張緊機構
89‧‧‧擋閘
90‧‧‧影像傳感器
100‧‧‧控制電路
101‧‧‧圖像檢測部
102‧‧‧運算部
103‧‧‧馬達驅動控制部
104‧‧‧蒸鍍接通/斷開控制部
105‧‧‧擋閘驅動控制部
200‧‧‧被成膜基板
210‧‧‧顯示區域
210a‧‧‧長邊
210b‧‧‧短邊
211‧‧‧蒸鍍膜
220‧‧‧對準標記部
221‧‧‧對準標記
BR、BG、BB‧‧‧各膜厚遞減部分23sR、23sG、23sB之y軸方向之寬度
C1‧‧‧發光層23R與發光區域24B之間之混色防止範圍
C2‧‧‧發光層23G與發光區域24B之間之混色防止範圍
PR‧‧‧膜厚遞減部分23sR之前端
Tr、Tg、Tb‧‧‧各發光層23R、23G、23B之大致平坦部分23tR、23tG、23tB之膜厚
x‧‧‧沿基板掃描方向之方向
y‧‧‧沿與基板掃描方向正交之方向的 方向(特定方向)
圖1係自被成膜基板之背面側觀察本發明之實施形態1之蒸鍍裝置中之真空腔室內之被成膜基板與遮罩單元的俯視圖。
圖2係本發明之實施形態1之蒸鍍裝置中之真空腔室內之主要構成要素的鳥瞰圖。
圖3係模式性地表示本發明之實施形態1之蒸鍍裝置中之主要部分之概略構成的剖面圖。
圖4係表示本發明之實施形態1之蒸鍍裝置之構成之一部分的方塊圖。
圖5(a)~(c)係表示本發明之實施形態1之被成膜基板及蒸鍍遮罩之對準標記之形狀之一例的圖式。
圖6係表示RGB全彩顯示之有機EL顯示裝置之概略構成之剖面圖。
圖7係表示構成圖6中所示之有機EL顯示裝置之像素之構成的俯視圖。
圖8係圖7中所示之有機EL顯示裝置中之TFT基板之A-A線箭線剖面圖。
圖9係按照步驟順序表示本發明之實施形態1之有機EL顯示裝置之製造步驟的流程圖。
圖10係表示使用本發明之實施形態1之蒸鍍裝置而於TFT基板上成膜特定之圖案之方法之一例的流程圖。
圖11係表示對準調整方法之流程圖。
圖12係表示蒸鍍斷開時之蒸鍍控制之流程之流程圖。
圖13係表示蒸鍍接通時之蒸鍍控制之流程之流程圖。
圖14係表示本發明之實施形態1中之蔽蔭遮罩、發光區域及發光層之關係之一例的圖式。
圖15係本發明之實施形態1之發光層之剖面概略圖。
圖16係本發明之實施形態2之發光層之剖面概略圖。
圖17係本發明之實施形態3之發光層之剖面概略圖。
圖18係說明本發明之實施形態4之各發光層之膜厚方向之電阻之關係的圖式。
圖19係本發明之實施形態5之發光層之剖面概略圖。
圖20係按照步驟順序表示本發明之實施形態5之有機EL 顯示裝置之製造步驟的流程圖。
圖21係本發明之實施形態6之發光層之剖面概略圖。
圖22係本發明之實施形態7之發光層之剖面概略圖。
圖23係表示本發明之實施形態7中之蔽蔭遮罩、發光區域及發光層之關係之一例的圖式。
圖24係說明先前之蒸鍍方法之圖式。
圖25係說明先前技術之問題之圖式，且(a)係表示無圖案偏移之狀態之圖式，(b)係表示由圖案偏移所導致之混色防止範圍不足狀態之圖式，(c)係表示由圖案偏移所導致之膜厚下降防止範圍不足狀態之圖式。
2R、2G、2B‧‧‧子像素
10‧‧‧TFT基板
23R、23G、23B‧‧‧發光層
23sR、23sG、23sB‧‧‧膜厚遞減部分
23tR、23tG、23tB‧‧‧大致平坦部分
24G1‧‧‧各發光區域24G之掃描正交方向(y軸方向)之區域
24R、24G、24B‧‧‧發光區域
24R1‧‧‧各發光區域24R之掃描正交方向(y軸方向)之區域
29‧‧‧非發光區域
200‧‧‧被成膜基板
BR、BG、BB‧‧‧各膜厚遞減部分23sR、23sG、23sB之y軸方向之寬度
C1‧‧‧發光層23R與發光區域24B之間之混色防止範圍
C2‧‧‧發光層23G與發光區域24B之間之混色防止範圍
PR‧‧‧膜厚遞減部分23sR之前端
Tr、Tg、Tb‧‧‧各發光層23R、23G、23B之大致平坦部分23tR、23tG、23tB 之膜厚
x‧‧‧沿基板掃描方向之方向
y‧‧‧沿與基板掃描方向正交之方向的方向(特定方向)

Claims (25)

  1. 一種被成膜基板，其特徵在於包括：基板，其係第1及第2成膜區域沿特定方向相互隔開間隔交替地配置而成；以及第1及第2膜，其係分別被覆形成於上述基板之上述第1及上述第2成膜區域；上述第1膜包含膜厚遞減部分，該膜厚遞減部分係於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側而遞減；上述第2膜包含膜厚遞減部分，該膜厚遞減部分係於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側而遞減，且該膜厚遞減部分與上述第1膜之上述膜厚遞減部分重疊。
  2. 如請求項1之被成膜基板，其中上述第2膜之上述膜厚遞減部分與上述第1膜之上述膜厚遞減部分之基端側重疊。
  3. 如請求項1或2之被成膜基板，其中上述第1膜之上述膜厚遞減部分之上述特定方向之基端側與上述第1成膜區域重疊。
  4. 如請求項1至3中任一項之被成膜基板，其中上述第2膜之上述膜厚遞減部分係配置於上述第2成膜區域之上述特定方向之外側。
  5. 如請求項1至4中任一項之被成膜基板，其中上述第1膜為紅色或綠色之發光層； 上述第2膜為藍色之發光層。
  6. 如請求項5之被成膜基板，其中上述紅色、綠色及藍色之發光層係以紅色、藍色、綠色、藍色之順序進行排列。
  7. 如請求項1至6中任一項之被成膜基板，其中上述第1及第2膜之各者之除上述膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚分別相等；上述第1膜之上述膜厚遞減部分之膜厚與上述第2膜之上述膜厚遞減部分之膜厚之和與上述第1及第2膜之各者之上述大致平坦部分之膜厚相等。
  8. 如請求項1至6中任一項之被成膜基板，其中上述第2膜之除上述膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚大於上述第1膜之除上述膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚；於上述第1膜之上述大致平坦部分上及上述第2膜之上述膜厚遞減部分上更包含第3膜。
  9. 如請求項8之被成膜基板，其中上述第2膜之上述大致平坦部分之表面與上述第3膜之表面形成大致平坦的平面。
  10. 如請求項8或9之被成膜基板，其中上述第3膜為藍色之發光層或電子傳輸層。
  11. 如請求項1至10中任一項之被成膜基板，其中上述第1及第2膜之各者之除上述膜厚遞減部分以外的大致平坦部分之膜厚方向之電阻分別相等。
  12. 如請求項1至6中任一項之被成膜基板，其中上述第2膜之除上述膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚小於上述第1膜之除上述膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚；於上述第2膜上更包含第1緩衝層。
  13. 如請求項12之被成膜基板，其中上述第1膜之上述大致平坦部分之膜厚與第1緩衝層及第2膜之膜厚之和相等。
  14. 如請求項12之被成膜基板，其中於至少一部分之第1膜上包含第2緩衝層。
  15. 如請求項14之被成膜基板，其中上述至少一部分之第1膜之大致平坦部分之膜厚及第2緩衝層之膜厚之和與第1緩衝層及第2膜之膜厚之和相等。
  16. 如請求項12或13之被成膜基板，其中上述第1緩衝層為構成藍色之發光層之主體材料或電子傳輸層。
  17. 如請求項14或15之被成膜基板，其中上述第2緩衝層分別為構成藍色之發光層之主體材料或電子傳輸層。
  18. 如請求項1至17中任一項之被成膜基板，其中上述第1膜之上述膜厚遞減部分之上述特定方向之寬度大於上述第1及上述第2成膜區域之間之區域之上述特定方向之寬度。
  19. 一種被成膜基板，其特徵在於包括：基板，其係複數個成膜區域沿特定方向相互隔開間隔進行配置而成；第1膜，其係被覆形成於上述基板之上述成膜區域 上；以及第2膜，其係形成於上述各成膜區域間之區域；上述第1膜包含膜厚遞減部分，該膜厚遞減部分係於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側而遞減；上述第2膜包含膜厚遞減部分，該膜厚遞減部分係於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側而遞減，且該膜厚遞減部分與上述第1膜之上述膜厚遞減部分重疊。
  20. 如請求項19之被成膜基板，其中上述第2膜之上述膜厚遞減部分與上述第1膜之上述膜厚遞減部分之基端側重疊。
  21. 如請求項19或20之被成膜基板，其中上述第1膜之上述膜厚遞減部分之上述特定方向之基端側與上述成膜區域重疊。
  22. 如請求項19至21中任一項之被成膜基板，其中上述第1及上述第2膜之各者之除上述膜厚遞減部分以外之大致平坦部分之膜厚分別相等；上述第1膜之上述膜厚遞減部分之膜厚與上述第2膜之上述膜厚遞減部分之膜厚之和與上述第1及第2膜之各者之上述大致平坦部分之膜厚相等。
  23. 如請求項19至22中任一項之被成膜基板，其中至少一部分之上述第1膜為紅色之發光層；至少一部分之上述第1膜為綠色之發光層； 至少一部分之上述第1膜為藍色之發光層；上述第2膜為藍色之發光層、構成該藍色之發光層之主體材料、或電子傳輸層。
  24. 一種有機EL顯示裝置，其使用如請求項1至23中任一項之被成膜基板。
  25. 一種製造方法，其特徵在於包括如下步驟：準備由第1及第2成膜區域沿特定方向相互隔開間隔交替地配置而成之基板；使具有上述特定方向之寬度小於上述第1成膜區域之上述特定方向之寬度的第1開口部的第1蒸鍍遮罩，以上述第1開口部之上述特定方向之中心與上述第1成膜區域之上述特定方向之中心大致一致的方式與上述基板對向配置，且使蒸鍍粒子經由上述第1開口部蒸鍍至上述基板上，藉此於上述第1成膜區域內，使第1膜以包含於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側遞減之膜厚遞減部分的方式形成；以及使具有第2開口部之第2蒸鍍遮罩以上述第2開口部之上述特定方向的中心與上述第2成膜區域之上述特定方向之中心大致一致的方式與上述基板對向配置，且使蒸鍍粒子經由上述第2開口部蒸鍍至上述基板上，藉此於上述第2成膜區域內，使第2膜以包含於上述特定方向之兩側部分膜厚分別朝向上述特定方向之前端側遞減之膜厚遞減部分的方式形成；且上述第2膜之上述膜厚遞減部分與上述第1膜之上述膜厚遞減部分重疊。
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