TWI506152B - 被成膜基板、有機ｅｌ顯示裝置 - Google Patents

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TWI506152B
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Description

被成膜基板、有機EL顯示裝置
本發明係關於一種於被成膜基板上進行特定圖案之成膜之蒸鍍技術領域。
近年來，平板顯示器被應用於各種商品或領域中，因而要求平板顯示器之進一步大型化、高畫質化、低耗電化。
於此種狀況下，包含利用有機材料之電場發光(Electroluminescence(電致發光)；以下，記作「EL」)之有機EL元件的有機EL顯示裝置作為以全固體型在低電壓驅動、高速回應性、自發光性等方面優異之平板顯示器，而受到較高的關注。
有機EL顯示裝置具有如下構成，即，例如於包含設置有TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)之玻璃基板等的基板上，設置有與TFT連接之有機EL元件。
有機EL元件係可藉由低電壓直流驅動而進行高亮度發光之發光元件，且具有依序積層第1電極、有機EL層及第2電極而成之構造。其中，第1電極與TFT連接。又，於第1電極與第2電極之間，設置有積層電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層、發光層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等而成之有機層來作為上述有機EL層。
全彩有機EL顯示裝置通常係將紅(R，Red)、綠(G，Green)、藍(B，Blue)之各色的有機EL元件作為子像素而排列形成於基板上，且使用TFT，使該等有機EL元件選擇 性地以所需之亮度發光，藉此進行圖像顯示。
於製造此種有機EL顯示裝置時，針對每一個作為發光元件之有機EL元件而圖案形成至少包含以各色發光之有機發光材料的發光層(例如參照專利文獻1、2)。
作為進行發光層之圖案形成之方法，已知有例如使用被稱為蔽蔭遮罩之蒸鍍用遮罩的真空蒸鍍法。
例如，於低分子型有機EL顯示器(OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極體))中，先前係藉由使用蔽蔭遮罩之蒸鍍法而分塗形成有機膜(有機層)。
於使用蔽蔭遮罩之真空蒸鍍法中，使用可於基板之整個蒸鍍區域內進行蒸鍍之尺寸之蔽蔭遮罩(密接型全面蔽蔭遮罩)。通常，使用與基板同等尺寸之遮罩作為蔽蔭遮罩。
圖20係表示使用蔽蔭遮罩之先前之蒸鍍裝置之概略構成的剖面圖。
於使用蔽蔭遮罩之真空蒸鍍法中，如圖20所示，使基板301與蒸鍍源302對向配置，且於蔽蔭遮罩303中設置與蒸鍍區域之一部分圖案相對應之開口部304，經由該開口部304使蒸鍍粒子蒸鍍至基板301上，以使蒸鍍粒子不附著於作為目標之蒸鍍區域以外之區域，藉此，進行圖案形成。
基板301係配置於未圖示之真空腔室內，於基板301之下方固定有蒸鍍源302。蔽蔭遮罩303係密接固定於基板301，或者，於將基板301及蒸鍍源302固定於真空腔室之內壁之狀態下，相對於基板301進行相對移動。
例如於專利文獻1中，揭示有使用承載式蒸鍍源，於將遮罩與基板之位置對準後，自基板之正下方真空蒸鍍第1發光材料，而形成形狀與遮罩之開口部大致相同之第1發光部之排列，其後使遮罩移動且自基板之正下方真空蒸鍍第2發光材料，而形成形狀與遮罩之開口部大致相同之第2發光部之排列。
例如，於專利文獻2中，揭示有在與基板同等尺寸之遮罩上，沿相對於遮罩之移動方向交叉之方向排列小徑或細長之狹縫孔，且一面使遮罩沿小徑或狹縫孔之排列方向移動一面使電極材料蒸鍍，藉此，形成電極圖案。
如此於使用蔽蔭遮罩之真空蒸鍍法中，蔽蔭遮罩係為了抑制彎曲或應變，而對其施加張力，從而固定(例如焊接)至遮罩框上。
於使用蔽蔭遮罩之真空蒸鍍法中，使此種蔽蔭遮罩與基板密接，且使蒸鍍粒子自蒸鍍源通過蔽蔭遮罩之開口部而蒸鍍(附著)於基板之所需位置，藉此，進行發光層或電極之圖案形成。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本公開專利公報「日本專利特開2000-188179號公報(公開日：2000年7月4日)(對應美國專利第6294892號(公告日：2001年9月25日))」
[專利文獻2]日本公開專利公報「日本專利特開平10-102237號公報(公開日：1998年4月21日)」
然而，若基板尺寸增大，則隨之蔽蔭遮罩303亦會大型化。
其結果，因蔽蔭遮罩303之自重彎曲或延伸而導致在基板301與蔽蔭遮罩303之間產生間隙。其結果，無法進行位置精度較高之圖案形成，且產生蒸鍍位置偏移或混色現象，而難以實現高精細化。
又，隨著基板尺寸之大型化，蔽蔭遮罩303及保持其之遮罩框會巨大化、超重化。其結果，使用此種蔽蔭遮罩303之裝置會巨大化、複雜化，從而不僅裝置之設計變得困難，而且於製造步驟或更換遮罩等步驟中，亦會產生使用安全性之問題。
因此，利用大型蔽蔭遮罩之大型基板之圖案化極為困難。於有機EL顯示裝置之製造製程中，可應用現行量產製程即使用密接型全面蔽蔭遮罩之蒸鍍方法之基板尺寸為1 m見方左右，而難以應對具有1 m見方以上之基板尺寸之大型基板。因此，與大型基板相對應之有機層分塗技術目前尚未確立，而無法大量生產60英吋等級以上之大型有機EL顯示裝置。
又，通常，基板尺寸越大則可由1片基板形成之面板數越多，且每一片面板之費用越低。因此，越是使用大型之基板，則越能以低成本製作有機EL顯示裝置。然而，如上 所述般先前由於受到基板尺寸之制約，而無法實現低成本之有機EL顯示裝置。
對於此種問題，認為只要使基板與蔽蔭遮罩303隔開一定間隙並且沿一方向進行相對移動而進行蒸鍍，則可使蔽蔭遮罩303之面積小型化。
然而，於以此方式構成之情形時，會產生如下問題。
即，基板中通常存在無需使蒸鍍粒子蒸鍍之區域、或應避開蒸鍍粒子之蒸鍍之區域(以下，將該等區域稱為無需蒸鍍區域)。例如，彙集著用以與外部電路連接之端子之連接部(端子部)，由於該端子與外部電路連接，故而不進行蒸鍍而露出。
此處，於以藉由如上所述之基板與蔽蔭遮罩之相對移動而自基板之移動方向一端部起遍及另一端部進行蒸鍍之方式而構成之情形時，若其蒸鍍區域內包含無需蒸鍍區域，則於形成電阻較大之有機膜來作為有機膜之情形時，無法進行上述連接部(端子部)與上述外部電路之良好的電性連接。
因此，認為若以使用擋閘來阻斷蒸鍍之方式構成，則可避免對無需蒸鍍區域之蒸鍍。
然而，於此情形時，根據蔽蔭遮罩之開口部之形狀等，而存在如下情形，即，於已阻斷蒸鍍之時間點時殘留有未實施蒸鍍之區域或尚未完全地完成蒸鍍之區域，對於該區域，會產生無法確保有機膜之適當的膜厚之問題。
又，作為另一種方法，考慮於以下步驟中利用有機溶劑 來擦拭有機膜之方法。然而，於該方法中，會產生如下問題，即，殘留上述有機溶劑之殘渣，或混入灰塵，而使製品之可靠性下降。又，步驟中增加有機膜之擦拭步驟，而導致製造時間或製造成本增大。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種可防止或抑制製品之可靠性下降，並且可避免對無需蒸鍍區域之蒸鍍的被成膜基板及有機EL裝置。
為解決上述課題，本發明之被成膜基板之特徵在於：其係形成有蒸鍍部者，該蒸鍍部係藉由包含具備用以射出蒸鍍粒子之射出口之蒸鍍源、及與上述蒸鍍源對向配置且具備供自上述射出口射出之蒸鍍粒子通過之複數個開口部之蒸鍍遮罩的蒸鍍裝置，經由上述開口部使上述蒸鍍粒子蒸鍍而成；且上述被成膜基板包含二維地排列於像素區域內之複數個像素、及與各像素電性連接之複數根配線；以上述像素區域通過與上述開口部對向之區域之方式，使該被成膜基板相對於上述蒸鍍遮罩沿一方向進行相對移動，並且自上述射出口射出上述蒸鍍粒子，藉此，複數個蒸鍍部相互介隔間隙而形成於包含上述像素區域之區域內；上述複數根配線之各端子係配置於上述間隙內。
根據本發明，由於藉由使該被成膜基板與蒸鍍遮罩沿一方向進行相對移動而形成蒸鍍膜，故而可利用面積較小之蒸鍍遮罩。如此藉由利用面積較小之蒸鍍遮罩，而不會伴隨著蒸鍍遮罩之大型化產生自重彎曲或延伸之問題，對於 大型之基板亦可進行蒸鍍層之圖案形成，並且可進行位置精度較高之圖案形成及高精細化。
又，由於可使用面積較小之蒸鍍遮罩，故而可抑制或避免產生因保持蒸鍍遮罩之框架伴隨著蒸鍍遮罩之大型化而巨大化、超重化所產生之問題。
此外，於本發明之被成膜基板中，於藉由在蒸鍍遮罩中設置上述複數個開口部而形成之複數個蒸鍍部間之間隙內配置有與上述像素區域之各像素電性連接之複數根配線之端子。
因此，於使該被成膜基板相對於上述蒸鍍遮罩沿一方向進行相對移動並且自上述射出口射出上述蒸鍍粒子時，於配置有上述複數根配線之端子之區域內不形成蒸鍍層。因此，可提供如下被成膜基板，即，可防止或抑制製品之可靠性下降，並且可避免對無需蒸鍍區域之蒸鍍。
如上所述，本發明之被成膜基板係形成有蒸鍍部者，該蒸鍍部係藉由包含具備用以射出蒸鍍粒子之射出口之蒸鍍源、及與上述蒸鍍源對向配置且具備供自上述射出口射出之蒸鍍粒子通過之複數個開口部之蒸鍍遮罩的蒸鍍裝置，經由上述開口部使上述蒸鍍粒子蒸鍍而成；且上述被成膜基板包含二維地排列於像素區域內之複數個像素、及與各像素電性連接之複數根配線；以上述像素區域通過與上述開口部對向之區域之方式，使該被成膜基板相對於上述蒸鍍遮罩沿一方向進行相對移動，並且自上述射出口射出上 述蒸鍍粒子，藉此，複數個蒸鍍部相互介隔間隙而形成於包含上述像素區域之區域內；上述複數根配線之各端子係配置於上述間隙內。
藉此，發揮如下效果，即，能夠提供一種可防止或抑制製品之可靠性下降，並且可避免對無需蒸鍍區域之蒸鍍的被成膜基板。
 [第1實施形態]
如下所述，基於圖1~圖19對本發明之第1實施形態進行說明。
於本實施形態中，作為使用本實施形態之蒸鍍裝置之蒸鍍方法之一例，以使光自TFT基板側出射之底部發光型且RGB全彩顯示之有機EL顯示裝置之製造方法為例進行列舉說明。
首先，以下對上述有機EL顯示裝置之整體構成進行說明。
圖6係表示RGB全彩顯示之有機EL顯示裝置之概略構成之剖面圖。又，圖7係表示構成圖6中所示之有機EL顯示裝置之像素之構成的俯視圖，圖8係圖7中所示之有機EL顯示裝置中之TFT基板之A-A線箭線剖面圖。
如圖6所示，本實施形態中所製造之有機EL顯示裝置1具有如下構成，即，於設置有TFT12(參照圖8)之TFT基板10上依序設置有與TFT12連接之有機EL元件20、接著層30、密封基板40。
如圖6所示，有機EL元件20係藉由使用接著層30將積層有該有機EL元件20之TFT基板10與密封基板40貼合，而封入至該等一對基板(TFT基板10、密封基板40)間。
上述有機EL顯示裝置1係藉由如此將有機EL元件20封入至TFT基板10與密封基板40之間，而防止氧或水分自外部滲入至有機EL元件20。
如圖8所示，TFT基板10包含例如玻璃基板等透明之絕緣基板11作為支撐基板。如圖7所示，於絕緣基板11上設置有包含沿水平方向鋪設之複數根閘極線14G(參照圖12)、沿垂直方向鋪設且與閘極線14G交叉之複數根源極線14S(參照圖12)及電源配線14V(參照圖12)之複數根配線14。驅動閘極線14G之未圖示之閘極線驅動電路與閘極線14G連接，驅動信號線之未圖示之信號線驅動電路與信號線連接。以下對本實施形態之TFT基板10之配線14之設計態樣進行敍述。
有機EL顯示裝置1為全彩之主動矩陣型有機EL顯示裝置，於絕緣基板11上，分別包含紅(R)、綠(G)、藍(B)各色之有機EL元件20之各色之子像素2R、2G、2B以矩陣狀排列於由該等配線14所包圍之區域。
即，由該等配線14所包圍之區域為1個子像素(點)，針對每一個子像素而形成有R、G、B之發光區域。
像素2(即，1個像素)係由使紅色之光穿透之紅色之子像素2R、使綠色之光穿透之綠色之子像素2G、以及使藍色之光穿透之藍色之子像素2B之3個子像素2R、2G、2B構 成。
於各子像素2R、2G、2B中，分別設置有由條紋狀之各色之發光層23R、23G、23B覆蓋之開口部15R、15G、15B，來作為承擔各子像素2R、2G、2B中之發光之各色之發光區域。
該等發光層23R、23G、23B係針對各色中之每一種顏色，藉由蒸鍍而形成圖案。再者，以下對開口部15R、15G、15B進行敍述。
於該等子像素2R、2G、2B中分別設置有與有機EL元件20中之第1電極21連接之TFT12。各子像素2R、2G、2B之發光強度係由利用配線14及TFT12之掃描及選擇決定。如此，有機EL顯示裝置1藉由使用TFT12使有機EL元件20選擇性地以所需之亮度發光，而實現圖像顯示。
其次，對上述有機EL顯示裝置1中之TFT基板10及有機EL元件20之構成進行詳細敍述。
首先，對TFT基板10進行說明。
如圖8所示，TFT基板10具有如下構成，即，於玻璃基板等透明之絕緣基板11上依序形成有TFT12(開關元件)、層間膜13(層間絕緣膜、平坦化膜)、配線14、及邊緣罩15。
於上述絕緣基板11上設置有配線14，並且與各子像素2R、2G、2B相對應而設置有分別包含TFT12之像素驅動電路。圖12係表示像素驅動電路之電路構成之一例之圖式。
如圖12所示，像素驅動電路包含控制用之電晶體Tr1、 驅動用之電晶體Tr2、及電容器C。
電晶體Tr1之源極端子與源極線14S相連接。電晶體Tr1之閘極端子與閘極線14G相連接。電晶體Tr1之汲極端子與電晶體Tr2之閘極端子相連接。
電晶體Tr2之源極端子與電源配線14V相連接。電晶體Tr2之汲極端子與有機EL元件20相連接。
電容器C係設置於電晶體Tr2之源極端子與電晶體Tr2之閘極端子之間。電容器C為電壓保持用之電容器。
具有此種構成之像素驅動電路中，於寫入資料時，藉由使閘極線14G變為H(高)而將電晶體Tr1接通。藉此，將來自源極線14S之資料電壓信號寫入電容器C中。繼而，藉由使閘極線14G變為L(低)，而將電晶體Tr1斷開。藉此，電容器C與源極線14S被阻斷，從而電容器C保持於資料寫入時所寫入之資料電壓信號。
電晶體Tr2之電流係由電容器C之兩端之電壓大小來決定。因此，對有機EL元件供給與資料電壓信號相對應之電流。
再者，各像素驅動電路之構成並不限定為上述者。例如，亦可追加用以補償電晶體Tr1、Tr2之特性變動或經年變化之電路等。隨之存在設置閘極線14G、源極線14S及電源配線14V以外之配線之情形。
層間膜13係以覆蓋各TFT12之方式，遍及上述絕緣基板11之整個區域而積層於上述絕緣基板11上。
於層間膜13上形成有有機EL元件20中之第1電極21。
又，於層間膜13中設置有用以使有機EL元件20中之第1電極21與TFT12電性連接之接觸孔13a。藉此，TFT12經由上述接觸孔13a而與有機EL元件20電性連接。
邊緣罩15係如下絕緣層，即，用以藉由在第1電極21之圖案端部使有機EL層變薄或產生靜電聚焦，而防止有機EL元件20中之第1電極21與第2電極26發生短路。
邊緣罩15係以被覆第1電極21之圖案端部之方式而形成於層間膜13上。
於邊緣罩15中，針對子像素2R、2G、2B之每一個而設置有開口部15R、15G、15B。該邊緣罩15之開口部15R、15G、15B成為各子像素2R、2G、2B之發光區域。
換言之，各子像素2R、2G、2B係藉由具有絕緣性之邊緣罩15而被隔開。邊緣罩15亦發揮元件分離膜之功能。
其次，對有機EL元件20進行說明。
有機EL元件20係可藉由低電壓直流驅動而實現高亮度發光之發光元件，且依序積層有第1電極21、有機EL層、第2電極26。
第1電極21係具有對上述有機EL層注入(供給)電洞之功能之層。第1電極21係如上所述般經由接觸孔13a而與TFT12連接。
在第1電極21與第2電極26之間，如圖8所示，作為有機EL層而具有如下構成，即，自第1電極21側起依序形成有電洞注入層兼電洞傳輸層22、發光層23R、23G、23B、電子傳輸層24、電子注入層25。
再者，上述積層順序係將第1電極21設為陽極，將第2電極26設為陰極，於將第1電極21設為陰極、且將第2電極26設為陽極之情形時，有機EL層之積層順序反轉。
電洞注入層係具有提高對發光層23R、23G、23B之電洞注入效率之功能之層。又，電洞傳輸層係具有提高對發光層23R、23G、23B之電洞傳輸效率之功能之層。電洞注入層兼電洞傳輸層22係以覆蓋第1電極21及邊緣罩15之方式，均勻地形成於上述TFT基板10中之整個顯示區域。
再者，於本實施形態中，如上所述，作為電洞注入層及電洞傳輸層，以設置使電洞注入層與電洞傳輸層一體化而成之電洞注入層兼電洞傳輸層22之情形為例進行列舉說明。然而，本實施形態並不限定於此。電洞注入層與電洞傳輸層亦可作為相互獨立之層而形成。
於電洞注入層兼電洞傳輸層22上，發光層23R、23G、23B以覆蓋邊緣罩15之開口部15R、15G、15B之方式，分別與子像素2R、2G、2B相對應而形成。
發光層23R、23G、23B係具有使自第1電極21側注入之電洞(hole)與自第2電極26側注入之電子再次結合而出射光之功能之層。發光層23R、23G、23B分別由低分子螢光色素、金屬錯合物等發光效率較高之材料形成。
電子傳輸層24係具有提高自第2電極26向發光層23R、23G、23B之電子傳輸效率之功能之層。又，電子注入層25係具有提高自第2電極26向電子傳輸層24之電子注入效率之功能之層。
電子傳輸層24係以覆蓋發光層23R、23G、23B及電洞注入層兼電洞傳輸層22之方式，遍及上述TFT基板10中之整個顯示區域而均勻地形成於該等發光層23R、23G、23B及電洞注入層兼電洞傳輸層22上。又，電子注入層25係以覆蓋電子傳輸層24之方式，遍及上述TFT基板10中之整個顯示區域而均勻地形成於電子傳輸層24上。
再者，電子傳輸層24與電子注入層25既可如上所述般作為相互獨立之層而形成，亦可相互一體化而設置。即，上述有機EL顯示裝置1亦可包含電子傳輸層兼電子注入層來代替電子傳輸層24及電子注入層25。
第2電極26係具有對由如上所述之有機層所構成之有機EL層注入電子之功能之層。第2電極26係以覆蓋電子注入層25之方式，遍及上述TFT基板10中之整個顯示區域而均勻地形成於電子注入層25上。
再者，發光層23R、23G、23B以外之有機層並非作為有機EL層所必需之層，只要根據所要求之有機EL元件20之特性而適當地形成即可。又，視需要亦可對有機EL層追加載子阻擋層。例如，藉由在發光層23R、23G、23B與電子傳輸層24之間追加作為載子阻擋層之電洞阻擋層，而可阻止電洞穿透至電子傳輸層24，從而提高發光效率。
作為上述有機EL元件20之構成，例如，可採用如下述(1)~(8)所示之層構成。
(1)第1電極/發光層/第2電極
(2)第1電極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/第2電極
(3)第1電極/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層(載子阻擋層)/電子傳輸層/第2電極
(4)第1電極/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極
(5)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極
(6)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/第2電極
(7)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極
(8)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/電子阻擋層(載子阻擋層)/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極
再者，如上所述，例如亦可使電洞注入層與電洞傳輸層一體化。又，亦可使電子傳輸層與電子注入層一體化。
又，有機EL元件20之構成並不限定為上述例示之層構成，如上所述，可根據所要求之有機EL元件20之特性而採用所需之層構成。
其次，以下對上述有機EL顯示裝置1之製造方法進行說明。
圖9係按照步驟順序表示上述有機EL顯示裝置1之製造步驟之流程圖。
如圖9所示，本實施形態之有機EL顯示裝置1之製造方法例如包括TFT基板．第1電極製作步驟(S1)、電洞注入層．電洞傳輸層蒸鍍步驟(S2)、發光層蒸鍍步驟(S3)、電子傳輸 層蒸鍍步驟(S4)、電子注入層蒸鍍步驟(S5)、第2電極蒸鍍步驟(S6)、及密封步驟(S7)。
以下，按照圖9中所示之流程圖，參照圖7及圖8對上述各步驟進行說明。
然而，本實施形態中所記載之各構成要素之尺寸、材質、形狀等只不過為一實施形態，不應藉此來對本發明之範圍進行限定解釋。
又，如上所述，本實施形態中所記載之積層順序係將第1電極21設為陽極，將第2電極26設為陰極，於相反地將第1電極21設為陰極、且將第2電極26設為陽極之情形時，有機EL層之積層順序反轉。同樣地，構成第1電極21及第2電極26之材料亦反轉。
首先，如圖8所示，利用公知之技術於形成有TFT12及配線14等之玻璃等絕緣基板11上塗佈感光性樹脂，且藉由光微影技術進行圖案化，藉此，於絕緣基板11上形成層間膜13。
作為上述絕緣基板11，可使用例如厚度為0.7~1.1 mm、y軸方向之長度(縱向長度)為400~500 mm、且x軸方向之長度(橫向長度)為300~400 mm之玻璃基板或塑膠基板。再者，於本實施形態中，使用玻璃基板。
作為層間膜13，例如，可使用丙烯酸系樹脂或聚醯亞胺樹脂等。作為丙烯酸系樹脂，例如，可列舉JSR股份有限公司製造之Optomer系列。又，作為聚醯亞胺樹脂，例如，可列舉Toray股份有限公司製造之Photoneese系列。然 而，聚醯亞胺樹脂通常不透明，且有色。因此，於如圖8所示般製造底部發光型之有機EL顯示裝置來作為上述有機EL顯示裝置1之情形時，更佳為使用丙烯酸系樹脂等透明性樹脂作為上述層間膜13。
作為上述層間膜13之膜厚，只要可補償由TFT12所引起之階差即可，並無特別限定。於本實施形態中，例如，設為約2 μm。
其次，於層間膜13中形成用以使第1電極21與TFT12電性連接之接觸孔13a。
其次，作為導電膜(電極膜)，例如藉由濺鍍法等，將ITO(Indium Tin Oxide：銦錫氧化物)膜以100 nm之厚度成膜。
繼之，於上述ITO膜上塗佈光阻劑，使用光微影技術進行圖案化後，將氯化鐵作為蝕刻液而對上述ITO膜進行蝕刻。其後，使用光阻劑剝離液將光阻劑剝離，進而清洗基板。藉此，於層間膜13上以矩陣狀形成第1電極21。
再者，作為上述第1電極21中所使用之導電膜材料，例如，可使用ITO、IZO(Indium Zinc Oxide：銦鋅氧化物)、摻鎵氧化鋅(GZO，Gallium-doped Zinc Oxide)等透明導電材料，及金(Au)、鎳(Ni)、鉑(Pt)等金屬材料。
又，作為上述導電膜之積層方法，除濺鍍法以外，亦可使用真空蒸鍍法、CVD(chemical vapor deposition(化學氣相沈積)，化學蒸鍍)法、電漿CVD法、印刷法等。
作為上述第1電極21之厚度，並無特別限定，如上所 述，例如，可設為100 nm之厚度。
其次，使邊緣罩15與層間膜13同樣地，以例如約1 μm之膜厚形成圖案。作為邊緣罩15之材料，可使用與層間膜13相同之絕緣材料。
藉由以上步驟，而製作TFT基板10及第1電極21(S1)。
其次，對經由如上所述之步驟後之TFT基板10實施用以脫水之減壓烘烤及作為第1電極21之表面清洗之氧電漿處理。
繼之，使用先前之蒸鍍裝置，於上述TFT基板10上，將電洞注入層及電洞傳輸層(於本實施形態中為電洞注入層兼電洞傳輸層22)蒸鍍至上述TFT基板10中之整個顯示區域(S2)。
具體而言，於使整個顯示區域開口之開放式遮罩相對於TFT基板10進行對準調整後緊密地貼合於TFT基板10，且一面使TFT基板10與開放式遮罩一併旋轉，一面使自蒸鍍源飛濺之蒸鍍粒子通過開放式遮罩之開口部而均勻地蒸鍍至整個顯示區域。
此處，所謂對整個顯示區域之蒸鍍，係指遍及鄰接之顏色不同之子像素間不間斷地進行蒸鍍。
作為電洞注入層及電洞傳輸層之材料，例如，可列舉石油精、苯乙烯基胺、三苯基胺、卟啉、三唑、咪唑、二唑、多芳基烷烴、苯二胺、芳基胺、唑、蒽、茀酮、腙、二苯乙烯、聯伸三苯、氮雜聯伸三苯、及該等之衍生物、聚矽烷系化合物、乙烯咔唑系化合物、噻吩系化合 物、苯胺系化合物等鏈狀式共軛系之單體、低聚物、或聚合物等。
電洞注入層與電洞傳輸層既可如上所述般被一體化，亦可作為獨立之層而形成。作為各者之膜厚，例如，為10~100 nm。
於本實施形態中，設置電洞注入層兼電洞傳輸層22作為電洞注入層及電洞傳輸層，並且使用4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(α-NPD)作為電洞注入層兼電洞傳輸層22之材料。又，電洞注入層兼電洞傳輸層22之膜厚係設為30 nm。
其次，於上述電洞注入層兼電洞傳輸層22上，以覆蓋邊緣罩15之開口部15R、15G、15B之方式，與子像素2R、2G、2B相對應而分別分塗形成(圖案形成)發光層23R、23G、23B(S3)。
如上所述，對於發光層23R、23G、23B，使用低分子螢光色素、金屬錯合物等發光效率較高之材料。
作為發光層23R、23G、23B之材料，例如，可列舉蒽、萘、茚、菲、芘、稠四苯、聯伸三苯、蒽、苝、苉、熒蒽、乙烯合菲、戊芬、稠五苯、蔻、丁二烯、香豆素、吖啶、二苯乙烯、及該等之衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁錯合物、雙(羥基苯并喹啉)鈹錯合物、三(二苯甲醯基甲基)二氮雜菲銪錯合物、二甲苯甲醯乙烯聯苯等。
作為發光層23R、23G、23B之膜厚，例如，為10~100 nm。
本實施形態之蒸鍍方法及蒸鍍裝置可特佳地使用於此種發光層23R、23G、23B之分塗形成(圖案形成)中。
關於使用本實施形態之蒸鍍方法及蒸鍍裝置之發光層23R、23G、23B之分塗形成，將於下文進行詳細敍述。
其次，藉由與上述電洞注入層．電洞傳輸層蒸鍍步驟(S2)相同之方法，以覆蓋上述電洞注入層兼電洞傳輸層22及發光層23R、23G、23B之方式，將電子傳輸層24蒸鍍至上述TFT基板10中之整個顯示區域(S4)。
繼之，藉由與上述電洞注入層．電洞傳輸層蒸鍍步驟(S2)相同之方法，以覆蓋上述電子傳輸層24之方式，將電子注入層25蒸鍍至上述TFT基板10中之整個顯示區域(S5)。
作為電子傳輸層24及電子注入層25之材料，例如，可列舉三(8-羥基喹啉)鋁錯合物、二唑衍生物、三唑衍生物、苯基喹啉衍生物、矽雜環戊二烯基衍生物等。
具體而言，可列舉Alq(三(8-羥基喹啉)鋁)、蒽、萘、菲、芘、蒽、苝、丁二烯、香豆素、吖啶、二苯乙烯、1,10-二氮雜菲、及該等之衍生物或金屬錯合物、LiF等。
如上所述般電子傳輸層24與電子注入層25既可一體化亦可作為獨立之層而形成。作為各者之膜厚，例如，為1~100 nm。又，電子傳輸層24及電子注入層25之合計膜厚為例如20~200 nm。
於本實施形態中，對於電子傳輸層24之材料使用Alq，對於電子注入層25之材料使用LiF。又，電子傳輸層24之膜厚係設為30 nm，電子注入層25之膜厚係設為1 nm。
其次，藉由與上述電洞注入層．電洞傳輸層蒸鍍步驟(S2)相同之方法，以覆蓋上述電子注入層25之方式，將第2電極26蒸鍍至上述TFT基板10中之整個顯示區域(S6)。
作為第2電極26之材料(電極材料)，較佳地使用功函數較小之金屬等。作為此種電極材料，例如，可列舉鎂合金(MgAg等)、鋁合金(AlLi、AlCa、AlMg等)、金屬鈣等。第2電極26之厚度為例如50~100 nm。
於本實施形態中，使鋁以50 nm之膜厚形成來作為第2電極26。藉此，於TFT基板10上形成包含上述有機EL層、第1電極21、及第2電極26之有機EL元件20。
繼之，如圖6所示，藉由接著層30將形成有有機EL元件20之上述TFT基板10與密封基板40貼合，而進行有機EL元件20之封入。
作為上述密封基板40，使用例如厚度為0.4~1.1 mm之玻璃基板或塑膠基板等絕緣基板。再者，於本實施形態中，使用玻璃基板。
再者，密封基板40之縱向長度及橫向長度既可根據作為目標之有機EL顯示裝置1之尺寸適當地進行調整，亦可使用與TFT基板10中之絕緣基板11大致相同之尺寸之絕緣基板，於將有機EL元件20密封後，按照作為目標之有機EL顯示裝置1之尺寸進行分割。
再者，作為有機EL元件20之密封方法，並不限定於上述方法。作為其他密封方式，例如，可列舉如下方法：使用刻蝕玻璃作為密封基板40，且藉由密封樹脂或燒結玻璃等 以框狀進行密封；或在TFT基板10與密封基板40之間填充樹脂等。上述有機EL顯示裝置1之製造方法並不依存於上述密封方法，可應用所有密封方法。
又，亦可於上述第2電極26上以覆蓋該第2電極26之方式設置阻止氧或水分自外部滲入至有機EL元件20內之未圖示的保護膜。
上述保護膜係由絕緣性或導電性之材料形成。作為此種材料，例如，可列舉氮化矽或氧化矽。又，上述保護膜之厚度為例如100~1000 nm。
藉由上述步驟而完成有機EL顯示裝置1。
此種有機EL顯示裝置1中，若藉由自配線14輸入信號而使TFT12接通(ON)(使電晶體Tr1、Tr2一併接通)，則自第1電極21向有機EL層注入電洞。另一方面，自第2電極26向有機EL層注入電子，電洞與電子在發光層23R、23G、23B內再次結合。經再次結合之電洞及電子於使能量失活時，作為光而出射。
於上述有機EL顯示裝置1中，藉由控制各子像素2R、2G、2B之發光亮度，而顯示特定之圖像。
其次，對本實施形態之蒸鍍裝置之構成進行說明。
圖1係自被成膜基板之背面側(亦即蒸鍍面之相反側)觀察本實施形態之蒸鍍裝置中之真空腔室內之被成膜基板與遮罩單元之俯視圖。再者，為方便圖示，而於圖1中以二點鏈線表示被成膜基板。又，圖2係本實施形態之蒸鍍裝置中之真空腔室內之主要構成要素之鳥瞰圖。圖3係模式 性地表示本實施形態之蒸鍍裝置中之主要部分之概略構成的剖面圖。再者，圖3相當於自圖1中所示之B-B線箭線剖面進行觀察時之蒸鍍裝置之剖面。圖4係表示本實施形態之蒸鍍裝置之構成之一部分的方塊圖。
如圖3所示，本實施形態之蒸鍍裝置50包括真空腔室60(成膜腔室)、基板移動機構70(基板移動機構、移動機構)、遮罩單元80、影像感測器90、及控制電路100(參照圖4)。
於上述真空腔室60內，如圖3所示，設置有基板移動機構70及遮罩單元80。
再者，於上述真空腔室60內設置有未圖示之真空泵，該真空泵係為於蒸鍍時使該真空腔室60內保持真空狀態，而經由設置於該真空腔室60內之未圖示之排氣口對真空腔室60內進行真空排氣。
上述基板移動機構70包括例如保持被成膜基板200(例如TFT基板10)之基板保持構件71(基板保持機構)、與馬達72(參照圖4)。
上述基板移動機構70藉由基板保持構件71來保持被成膜基板200，並且藉由下述馬達驅動控制部103(參照圖4)來驅動馬達72，藉此，保持被成膜基板200並使其沿水平方向移動。再者，上述基板移動機構70既可設置為可沿x軸方向及y軸方向之任一方向移動，亦可設置為可沿其中一方向移動。
於上述基板保持構件71中使用靜電吸盤。被成膜基板 200藉由上述靜電吸盤，以不因自重導致彎曲之狀態，與上述遮罩單元80中之下述蔽蔭遮罩81之間保持一定間隙g1(空隙、垂直間距離)。
上述被成膜基板200與蔽蔭遮罩81之間之間隙g1較佳為50 μm以上、3 mm以下之範圍內，更佳為200 μm左右。
於上述間隙g1未滿50 μm之情形時，被成膜基板200與蔽蔭遮罩81接觸之可能性升高。
另一方面，若上述間隙g1超過3 mm，則通過蔽蔭遮罩81之開口部82之蒸鍍粒子擴散，而使所形成之蒸鍍膜211之圖案寬度變得過寬。例如於上述蒸鍍膜211為發光層23R之情形時，若上述間隙g1超過3 mm，則有如下之虞，即，發光層23R之材料亦蒸鍍至作為鄰接子像素之子像素2G、2B之開口部15G、15B。
又，若上述間隙g1為200 μm左右，則不存在被成膜基板200與蔽蔭遮罩81接觸之虞，又，亦可使蒸鍍膜211之圖案寬度之擴展充分減小。
又，如圖3所示，遮罩單元80包括蔽蔭遮罩81(蒸鍍遮罩、遮罩)、蒸鍍源85、遮罩保持構件87(保持機構)、遮罩張緊機構88、及擋閘89(參照圖4)。
作為上述蔽蔭遮罩81，可使用例如金屬製之遮罩。
上述蔽蔭遮罩81之面積小於被成膜基板200之蒸鍍區域210，其至少1邊係形成為短於被成膜基板200之蒸鍍區域210之寬度。
於本實施形態中，使用具有以下大小之矩形(帶狀)之蔽 蔭遮罩作為上述蔽蔭遮罩81。如圖1所示，上述蔽蔭遮罩81係以其長度方向(長軸方向)之長度即長邊81a之寬度d1長於蒸鍍區域210中之與上述蔽蔭遮罩81之長邊81a對向之邊(於圖1所示之例中為蒸鍍區域210之長邊210a)之寬度d3之方式而形成。又，上述蔽蔭遮罩81係以其短邊方向(短軸方向)之長度即短邊81b之寬度d2較蒸鍍區域210中之與上述蔽蔭遮罩81之短邊81b對向之邊(於圖1所示之例中為蒸鍍區域210之短邊210b)之寬度d4更短之方式而形成。
於上述蔽蔭遮罩81中，如圖1及圖2所示，例如帶狀(條紋狀)之開口部82(貫通口)係沿一維方向排列複數個而設置。上述開口部82係於例如進行TFT基板10中之發光層23R、23G、23B之分塗形成作為向被成膜基板200之蒸鍍膜211(參照圖3)之圖案形成之情形時，與該等發光層23R、23G、23B之同色列之尺寸與間距相配合而形成。
又，如圖1所示，於上述蔽蔭遮罩81中例如沿被成膜基板200之掃描方向(基板掃描方向)而設置有對準標記部83，於該對準標記部83中設置有用以進行被成膜基板200與蔽蔭遮罩81之位置對準(對準)之對準標記84(參照圖3)。
於本實施形態中，如圖1所示，上述對準標記部83係沿上述蔽蔭遮罩81之短邊81b(短軸)而設置。
又，如上所述般藉由使用如下蔽蔭遮罩來作為蔽蔭遮罩81，而可於其長度方向兩側部(亦即，兩短邊81b、81b)形成對準標記部83，該蔽蔭遮罩係其長邊81a之寬度d1長於蒸鍍區域210中之對向之邊之寬度d3，且短邊81b之寬度d2 短於蒸鍍區域210中之對向之邊之寬度d4。因此，可容易且更精密地進行對準。
另一方面，如圖1所示，於被成膜基板200中，在蒸鍍區域210之外側沿被成膜基板200之掃描方向(基板掃描方向)而設置有對準標記部220，於該對準標記部220中設置有用以進行被成膜基板200與蔽蔭遮罩81之位置對準之對準標記221(參照圖3)。
於本實施形態中，如圖1所示，上述對準標記部220係沿被成膜基板200之蒸鍍區域210之短邊210b(短軸)而設置。
於本實施形態中，上述條紋狀之開口部82係沿基板掃描方向即蔽蔭遮罩81之短邊方向延伸設置，並且於與基板掃描方向正交之蔽蔭遮罩81之長邊方向上並列設置有複數個。
蒸鍍源85係例如於內部收容蒸鍍材料之容器，如圖1~圖3所示，與蔽蔭遮罩81之間具有一定間隙g2(空隙)(亦即，相隔一定距離)而對向配置。
再者，上述蒸鍍源85既可為於容器內部直接收容蒸鍍材料之容器，亦可為包含承載式之配管之容器。
上述蒸鍍源85包含例如朝向上方射出蒸鍍粒子之機構。
上述蒸鍍源85之與蔽蔭遮罩81對向之面上包含複數個使上述蒸鍍材料作為蒸鍍粒子而射出(飛濺)之射出口86。
於本實施形態中，如上所述般蒸鍍源85係配置於被成膜基板200之下方，且被成膜基板200係以上述蒸鍍區域210朝向下方之狀態由基板保持構件71保持。因此，於本實施 形態中，蒸鍍源85使蒸鍍粒子自下方經由蔽蔭遮罩81之開口部82朝向上方而蒸鍍至被成膜基板200(向上沈積，以下，記作「Depo up」)。
如圖1及圖2所示，上述射出口86係以於蔽蔭遮罩81之開口區域內開口之方式，分別與蔽蔭遮罩81之開口部82對向而設置。於本實施形態中，上述射出口86係與蔽蔭遮罩81之開口部82對向，沿蔽蔭遮罩81之開口部82之並排設置方向進行一維排列。
因此，如圖1及圖2所示，於自被成膜基板200之背面側進行觀察時(亦即於俯視時)，上述蒸鍍源85中之與蔽蔭遮罩81對向之面(即，射出口86之形成面)係與例如矩形(帶狀)之蔽蔭遮罩81之形狀相配合而形成為矩形(帶狀)。
於上述遮罩單元80中，上述蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之位置相對地固定。即，上述蔽蔭遮罩81與上述蒸鍍源85之射出口86之形成面之間之間隙g2係一直保持為一定，並且上述蔽蔭遮罩81之開口部82之位置與上述蒸鍍源85之射出口86之位置一直具有相同之位置關係。
再者，上述蒸鍍源85之射出口86係以於自上述被成膜基板200之背面觀察上述遮罩單元80時(亦即，於俯視時)，位於上述蔽蔭遮罩81之開口部82之中央之方式進行配置。
例如，如圖3所示，上述蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85係設置於經由遮罩張緊機構88來保持、固定上述蔽蔭遮罩81及蒸鍍源85之遮罩保持構件87(例如同一固持器)上，藉此而一體化，從而保持、固定其相對的位置。
又，蔽蔭遮罩81係藉由遮罩張緊機構88對其施加張力(tension)，而適當地進行調整以不產生由自重所導致之彎曲或延伸。
如上所述，於上述蒸鍍裝置50中，被成膜基板200係藉由利用基板保持構件71(靜電吸盤)將其吸附於吸附板上而防止由自重所導致之彎曲，且藉由利用遮罩張緊機構88對蔽蔭遮罩81施加張力，而遍及被成膜基板200與蔽蔭遮罩81於平面上重疊之整個區域，使被成膜基板200與蔽蔭遮罩81之距離保持為一定。
又，擋閘89係為控制蒸鍍粒子到達至蔽蔭遮罩81而視需要加以利用。擋閘89係基於來自下述蒸鍍接通/斷開控制部104(參照圖4)之蒸鍍斷開信號或蒸鍍接通信號而藉由擋閘驅動控制部105(參照圖4)使其封閉或開放。
上述擋閘89係設置為例如可在蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之間進退(可插入至蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之間)。擋閘89係藉由插入至蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之間而將蔽蔭遮罩81之開口部82封閉。
再者，於上述蒸鍍裝置50中，亦可設為如下構成，即，調整自蒸鍍源85飛濺之蒸鍍粒子以使其飛濺至蔽蔭遮罩81內，且以防護板(遮蔽板)等適當地去除飛濺至蔽蔭遮罩81外之蒸鍍粒子。
又，於上述真空腔室60之外側，設置有包含例如CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合器件)之影像感測器90(參照圖4)來作為攝像機構(圖像讀取機構)，並且設置 有與上述影像感測器90連接之控制電路100來作為控制機構。
上述影像感測器90發揮用以進行被成膜基板200與蔽蔭遮罩81之位置對準之位置檢測機構之功能。
又，控制電路100包括圖像檢測部101、運算部102、馬達驅動控制部103、蒸鍍接通/斷開控制部104、及擋閘驅動控制部105。
如上所述，於被成膜基板200中，如圖1所示，於蒸鍍區域210之外側沿例如基板掃描方向而設置有對準標記部220，於該對準標記部220中設置有對準標記221。
圖像檢測部101根據由影像感測器90所取得之圖像，進行設置於被成膜基板200之對準標記221及蔽蔭遮罩81之對準標記84之圖像檢測，並且根據設置於被成膜基板200之對準標記221中之表示蒸鍍區域210之始端之始端標記、及表示蒸鍍區域210之終端之終端標記，來檢測被成膜基板200之蒸鍍區域210之始端及終端。
再者，上述始端標記與終端標記亦可相同。於此情形時，利用基板掃描方向來判斷蒸鍍區域210之始端或終端。
又，上述運算部102根據由圖像檢測部101所檢測之圖像，而決定被成膜基板200與蔽蔭遮罩81之相對移動量(例如被成膜基板200相對於蔽蔭遮罩81之移動量)。例如，上述運算部102計算對準標記221與對準標記84之偏移量(x軸方向及y軸方向上之偏移成分、及xy平面上之旋轉成分)， 而運算並決定被成膜基板200之基板位置之修正值。亦即，上述修正值係藉由關於相對於基板掃描方向垂直之方向及被成膜基板200之旋轉方向進行運算而決定。
再者，此處，所謂被成膜基板之旋轉方向，係表示將被成膜基板200之被成膜面之中心上之z軸作為旋轉軸之xy平面內之旋轉方向。
上述修正值係作為修正信號而輸出至馬達驅動控制部103，馬達驅動控制部103基於來自上述運算部102之修正信號，而驅動與基板保持構件71連接之馬達72，藉此，修正被成膜基板200之基板位置。
再者，關於使用對準標記84、221之基板位置修正，對照對準標記84、221之形狀例於下文進行敍述。
馬達驅動控制部103藉由驅動馬達72，而使被成膜基板200如上所述般沿水平方向移動。
蒸鍍接通/斷開控制部104中，若由圖像檢測部101檢測蒸鍍區域210之終端，則產生蒸鍍斷開(OFF)信號，若由圖像檢測部101檢測蒸鍍區域210之始端，則產生蒸鍍接通(ON)信號。
擋閘驅動控制部105中，若自上述蒸鍍接通/斷開控制部104輸入蒸鍍斷開信號，則使擋閘89封閉，另一方面，若自上述蒸鍍接通/斷開控制部104輸入蒸鍍接通信號，則使擋閘89開放。
其次，對使用對準標記84、221之基板位置修正及對準標記84、221之形狀例進行說明。
於圖5之(a)~(c)中表示上述對準標記84、221之形狀之一例。再者，圖5之(b)、(c)中，為方便圖示，而分別僅抽取並列配置之對準標記84、221中之2個加以表示。
運算部102根據由圖像檢測部101所檢測出之對準標記84、221之圖像，而測定(算出)x軸方向上之對準標記84、221之端部(外緣部)間之距離r及y軸方向上之對準標記84、221之端部(外緣部)間之距離q，藉此，計算對準之偏移量而對基板位置之修正值進行運算。
例如，於基板掃描方向為x軸方向之情形時，圖5之(a)~(c)中，r為基板掃描方向上之上述端部間之距離，q為與基板掃描方向垂直之方向上之上述端部間之距離。運算部102藉由在例如被成膜基板200中之蒸鍍區域210之兩側測定(算出)距離r與距離q，而計算基板掃描時之對準之偏移量。
再者，於本實施形態中，如下所述，以一面對被成膜基板200進行掃描一面進行蔽蔭遮罩81與被成膜基板200之對準之情形為例進行列舉說明，但並不限定於此，亦可於基板掃描前進行充分之對準，而於基板掃描中不進行對準。
例如，如下述實施形態所示，考慮使被成膜基板200沿被成膜基板200之蒸鍍區域210之一邊(例如，圖5之(a)~(c)中之y軸方向)移動後，使其沿與上述邊正交之邊(例如，圖5之(a)~(c)中之x軸方向)移動。於此情形時，在圖5之(a)~(c)中，r表示與基板掃描方向垂直之方向上之上述端部間之距離，q表示被成膜基板200之移動方向(位移方向) 上之上述端部間之距離。
於此情形時，運算部102藉由測定四角之對準標記中之距離r與距離q，而計算開始掃描基板時之對準之偏移量與被成膜基板200之移動(位移)時之對準之偏移量。
再者，如圖5之(a)~(c)所示，對準標記84、221之形狀既可為帶狀，亦可為正方形等矩形，且亦可為框狀、十字形等。對準標記84、221之形狀並無特別限定。
又，如上所述，於在基板掃描前進行充分之對準，而在基板掃描中不進行對準之情形時，無需沿被成膜基板200之蒸鍍區域210之側面配置對準標記221，只要於被成膜基板200之四角等配置對準標記221即可。
其次，對將本實施形態之上述蒸鍍裝置50用作有機EL顯示裝置1之製造裝置，而圖案形成有機EL層之方法進行詳細敍述。
再者，於以下說明中，如上所述，以使用結束上述電洞注入層．電洞傳輸層蒸鍍步驟(S2)後之階段中之TFT基板10作為被成膜基板200，且於發光層蒸鍍步驟(S3)中進行發光層23R、23G、23B之分塗形成來作為有機EL層之圖案形成之情形為例進行列舉說明。
再者，於本實施形態中，將蒸鍍源85與蔽蔭遮罩81之間之間隙g2(即，蒸鍍源85之射出口86形成面與蔽蔭遮罩81之間之距離)設為100 mm，將作為被成膜基板200之上述TFT基板10與蔽蔭遮罩81之間之距離設為200 μm。
上述TFT基板10之基板尺寸係掃描方向設為320 mm，與 掃描方向垂直之方向設為400 mm，蒸鍍區域(顯示區域)之寬度係掃描方向之寬度(寬度d4)設為260 mm，與掃描方向垂直之方向之寬度(寬度d3)設為310 mm。
又，上述TFT基板10中之各子像素2R、2G、2B之開口部15R、15G、15B之寬度係設為360 μm(掃描方向)×80 μm(與掃描方向垂直之方向)。又，上述開口部15R、15G、15B間之間距係設為480 μm(掃描方向)×160 μm(與掃描方向垂直之方向)。再者，上述開口部15R、15G、15B間之間距(像素開口部間之間距)表示相鄰之子像素2R、2G、2B中之各個開口部15R、15G、15B間之間距，而並非同色子像素間之間距。
又，對於蔽蔭遮罩81，使用長邊81a(長軸方向)之寬度d1(與掃描方向垂直之方向之寬度)為600 mm、短邊81b(短軸方向)之寬度d2(掃描方向之寬度)為200 mm之蔽蔭遮罩。又，蔽蔭遮罩81之開口部82之開口寬度係設為150 mm(長軸方向之寬度d5；參照圖1)×110 μm(短軸方向之寬度d6；參照圖1)，相鄰之開口部82、82間之間隔d8(參照圖1)係設為370 μm，相鄰之開口部82、82之中心間之間距p(參照圖1)係設為480 μm。
再者，於本實施形態中，作為上述蔽蔭遮罩81之短邊81b之寬度d2(短邊長)，較佳為200 mm以上。其理由如下。
亦即，蒸鍍速率較佳為10 nm/s以下，若超過10 nm/s，則經蒸鍍之膜(蒸鍍膜)之均勻性會下降，且有機EL特性下 降。
又，蒸鍍膜之膜厚通常為100 nm以下。若為100 nm以上，則所需之施加電壓會升高，結果，所製造之有機EL顯示裝置之消耗電力會增加。因此，根據蒸鍍速率與蒸鍍膜之膜厚，估計所需之蒸鍍時間為10秒。
另一方面，根據處理能力(間歇時間)之限制，為了對於例如寬度2 m之玻璃基板以150秒完成蒸鍍，必需至少使掃描速度為13.3 mm/s以上。處理時間150秒係大體上每天可處理570片之間歇時間。
為了以上述掃描速度，如上所述般獲得10秒之蒸鍍時間，而必需使蔽蔭遮罩81之開口部82於掃描方向上開口至少133 mm以上。
於假定使開口部82之端至蔽蔭遮罩81之端為止之距離(邊緣寬度d7；參照圖1)為30 mm左右較為妥當之情形時，必需使蔽蔭遮罩81之掃描方向上之寬度為133+30+30≒200 mm。
因此，可謂蔽蔭遮罩81之短邊長(寬度d2)較佳為200 mm以上。然而，若蒸鍍速率或蒸鍍膜之膜厚、間歇時間之容許量產生變化則並不限定於此。
又，於本實施形態中，上述TFT基板10之掃描速度係設為30 mm/s。
圖9係表示使用本實施形態之蒸鍍裝置50於TFT基板10上成膜特定之圖案之方法之一例的流程圖。
以下，按照圖10中所示之流程對使用上述蒸鍍裝置50而 成膜圖8中所示之發光層23R、23G、23B之方法進行具體說明。
首先，如圖3所示，使用遮罩保持構件87，經由遮罩張緊機構88將蔽蔭遮罩81設置(固定)於真空腔室60內之蒸鍍源85上，且利用遮罩張緊機構88對蔽蔭遮罩81施加張力而水平地保持，以使其不因自重而產生彎曲或延伸。此時，以藉由遮罩保持構件87使蒸鍍源85與蔽蔭遮罩81之間之距離保持為一定，同時使基板掃描方向與形成於蔽蔭遮罩81之條紋狀之開口部82之長軸方向一致之方式，使用蔽蔭遮罩81之對準標記84進行位置對準，藉此組裝遮罩單元80(遮罩單元之準備)。
其次，將TFT基板10投入上述真空腔室60內，以該TFT基板10之同色子像素行之方向與基板掃描方向一致之方式，使用被成膜基板200的TFT基板10之對準標記221，如圖10所示般進行粗對準(S11)。TFT基板10係由基板保持構件71保持，以使其不因自重而產生彎曲。
繼而，以使TFT基板10與蔽蔭遮罩81之間之間隙g1(基板-遮罩間隙)成為一定之方式進行間隙調整而使TFT基板10與蔽蔭遮罩81對向配置，藉此，進行TFT基板10與蔽蔭遮罩81之位置對準(S13)。於本實施形態中，TFT基板10與蔽蔭遮罩81之間之間隙g1係以遍及TFT基板10整體大體上為200 μm之方式來調整間隙。
其次，一面以30 mm/s對上述TFT基板10進行掃描，一面使紅色之發光層23R之材料蒸鍍至該TFT基板10上。
此時，以上述TFT基板10通過上述蔽蔭遮罩81上之方式進行基板掃描。又，以蔽蔭遮罩81之開口部82與紅色之子像素2R行一致之方式，使用上述對準標記84、221，於掃描之同時進行精密的對準(S14)。
上述發光層23R係藉由如下方法而形成，即，於其材料使用3-苯基-4(1'-萘基)-5-苯基-1,2,4-三唑(TAZ)(主體材料)、及雙(2-(2'-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶根基-N,C3')銥(乙醯丙酮)(btp2Ir(acac))(紅色發光摻雜劑)，將各者之蒸鍍速度設為5.0 nm/s、0.53 nm/s，且使該等材料(紅色有機材料)共蒸鍍。
自蒸鍍源85射出之上述紅色有機材料之蒸鍍粒子係於上述TFT基板10通過蔽蔭遮罩81上時，通過蔽蔭遮罩81之開口部82而蒸鍍至與蔽蔭遮罩81之開口部82對向之位置。於本實施形態中，於上述TFT基板10完全通過蔽蔭遮罩81上後，使上述紅色有機材料以膜厚25 nm蒸鍍至上述TFT基板10上。
藉此，於TFT基板10上，自其移動方向上之一端部至另一端部形成條紋狀之蒸鍍膜(參照圖17)。
此處，以下，參照圖11對上述S14中之對準之調整方法進行說明。
圖11係表示對準調整方法之流程圖。對準之調整係按照圖11中所示之流程而進行。
首先，利用影像感測器90取得作為被成膜基板200之上述TFT基板10之基板位置(S21)。
其次，根據由上述影像感測器90所取得之圖像，利用圖像檢測部101進行上述TFT基板10之對準標記221及蔽蔭遮罩81之對準標記84之圖像檢測(S22)。
其後，根據由上述圖像檢測部101所檢測出之對準標記221、84之圖像，利用運算部102計算對準標記221與對準標記84之偏移量，從而運算並決定基板位置之修正值(S23)。
繼之，馬達驅動控制部103基於上述修正值驅動馬達72，藉此對基板位置進行修正(S24)。
繼之，再次以影像感測器90檢測修正後之基板位置而重複S21~S24之步驟(step)。
如此，根據本實施形態，藉由反覆以影像感測器90檢測基板位置並對基板位置進行修正，而可一面掃描基板一面對基板位置進行修正，且可一面使TFT基板10與蔽蔭遮罩81精密地對準一面成膜。
上述發光層23R之膜厚可根據往復掃描(亦即，TFT基板10之往復移動)及掃描速度進行調整。於本實施形態中，於S14之掃描後，使TFT基板10之掃描方向反轉，藉由與S14相同之方法，進而使上述紅色有機材料蒸鍍至S14中之上述紅色有機材料之蒸鍍位置。藉此，形成膜厚50nm之發光層23R。
於本實施形態中，於S14所示之步驟後，自上述真空腔室60中取出形成有上述發光層23R之TFT基板10(S15)，且使用用以形成綠色之發光層23G之遮罩單元80及真空腔室 60，以與上述發光層23R之成膜處理相同之方式使綠色之發光層23G成膜。
又，以如此之方式形成發光層23G後，使用用以形成藍色之發光層23B之遮罩單元80及真空腔室60，以與上述發光層23R、23G之成膜處理相同之方式使藍色之發光層23B成膜。
即，於上述發光層23G、23B之成膜處理中，分別準備於相當於該等發光層23G、23B之位置上具有開口部82之蔽蔭遮罩81。繼而，將各個蔽蔭遮罩81設置於用以形成發光層23G、23B之各真空腔室60內，且一面以各個蔽蔭遮罩81之開口部82與各子像素2G、2B行一致之方式進行對準，一面掃描TFT基板10而進行蒸鍍。
上述發光層23G係藉由如下方法而形成，即，於其材料中使用(TAZ)(主體材料)與Ir(ppy)3(綠色發光摻雜劑)，將各者之蒸鍍速度設為5.0 nm/s、0.67 nm/s，且使該等材料(綠色有機材料)共蒸鍍。
又，發光層23B係藉由如下方法而形成，即，於其材料中使用TAZ(主體材料)與2-(4'-第三丁基苯基)-5-(4"-聯苯基)-1,3,4-二唑(t-Bu PBD)(藍色發光摻雜劑)，將各者之蒸鍍速度設為5.0 nm/s、0.67 nm/s，且使該等材料(藍色有機材料)共蒸鍍。
再者，上述發光層23G、23B之膜厚係分別設為50 nm。
藉由以上步驟，而獲得將發光層23R、23G、23B圖案形成為紅(R)、綠(G)、藍(B)之TFT基板10。
然而，於藉由如上所述之蔽蔭遮罩81與TFT基板10之相對移動而形成蒸鍍層(此處為有機EL元件20之發光層23R、23G、23B)之情形時，考慮如下問題。圖13係表示形成發光層23R、23G、23B前之階段中之TFT基板10之概略構成之圖式。
如圖7所示，TFT基板10中，二維地(此處係設為矩陣狀)排列有上述複數個像素。將排列有上述複數個像素之區域設為像素區域AG 。
配線14係如上所述般沿像素之排列方向以網狀配設於像素區域AG 內，且引出至像素區域AG 之外側，以便可與外部電路電性連接。作為上述外部電路，例如有可撓性薄膜電纜FC(Film Cable)或IC(Integrated circuit，積體電路)等。
繼而，引出至像素區域AG 之外側之配線14之端子係於像素區域AG 之外側分複數個位置彙集。將彙集有配線14之端子之區域稱為端子部區域。
具體而言，設置有複數個上述端子部區域A1~A4，各端子部區域A1~A4係以包圍上述像素區域AG 之方式，與形成上述矩陣之上述矩形之各邊L1~L4之外側鄰接(於各邊L1~L4之外側沿該邊L1~L4)而設置。
再者，此處係如圖13所示般，將位於像素區域AG 之左側之端子部區域設為端子部區域A1，將位於像素區域AG 之右側之端子部區域設為端子部區域A2，將位於像素區域AG 之上側之端子部區域設為端子部區域A3，將位於像素 區域AG 之下側之端子部區域設為端子部區域A4。
繼而，各配線14之各端子(與第2電極26連接之端子除外)係彙集於與形成上述矩陣之矩形之4邊L1~L4中最近之邊鄰接的端子部區域。
再者，於圖13中若將左右方向設為TFT基板10之移動方向，則將端子部區域A1~A4中之靠近與上述TFT基板10之移動方向交叉之邊L1、L2之端子部區域A1、A2稱為交叉側端子部區域A1、A2，將靠近與TFT基板10之移動方向平行之邊之端子部區域A3、A4稱為平行側端子部區域A3、A4。
另一方面，與第2電極26連接之連接部係設置於與端子部區域A1~A4不同之區域。於本實施形態中，與第2電極26連接之連接部係設置於在上述矩形之上下邊之外側鄰接之區域。將設置有與第2電極26連接之連接部之區域稱為第2電極連接部，如圖13所示，將位於上側之第2電極連接部設為第2電極連接部A5，將位於下側之第2電極連接部設為第2電極連接部A6。
於圖13中，像素區域AG 及第2電極連接部A5、A6係由密封基板40密封，且不將端子部區域A1~A4密封而使其等露出至外部。
圖14係表示由密封基板40密封之TFT基板10將與作為外部電路之一例之上述可撓性薄膜電纜FC連接前之狀態之圖式。圖15係表示位於交叉側端子部區域A1之配線14之端子周邊之構成的圖式。
例如，如圖15所示，端子彙集於交叉側端子部區域A1之配線14之端子係於連接區域202內，經由各向異性導電接著膜(ACF，Anisotropic Conductive Film)等而與可撓性薄膜電纜FC之連接端子FCT 連接。關於端子彙集於交叉側端子部區域A2及平行側端子部區域A3、A4之配線14之端子亦同樣。
此處，於對端子部區域A1~A4露出至外部之TFT基板10進行發光層23R等有機膜之蒸鍍處理之情形時，設為藉由如上所述之蔽蔭遮罩81與TFT基板10之相對移動，自TFT基板10中之上述移動方向之一端部起至另一端部進行有機膜之蒸鍍處理。
此時，藉由在與上述移動方向交叉之方向上，適當地設定設置開口部82之範圍，而可使蒸鍍區域與像素區域AG 大致吻合，且可避免將有機膜蒸鍍至平行側端子部區域A3、A4。
然而，如圖15所示，對上述交叉側端子部區域A1、A2蒸鍍有機膜，且交叉側端子部區域A1、A2之端子中之上述連接區域202由有機膜覆蓋。如上所述，蔽蔭遮罩81中所形成之有機膜為條紋狀之圖案膜，若將1條圖案部分設為蒸鍍部Q，則考慮根據該蒸鍍部Q與配線14之位置關係，由蒸鍍部Q覆蓋交叉側端子部區域A1、A2之端子中之上述連接區域202。
於有機膜具有較高之電阻之情形時，會產生如下問題：對於端子彙集於交叉側端子部區域A1、A2之配線14，與 可撓性薄膜電纜FC之連接端子FCT 無法確立良好之電性連接。若無法使與可撓性薄膜電纜FC之連接端子FCT 之電性連接良好，則可撓性薄膜電纜FC會自TFT基板10剝離，或者，該有機EL顯示裝置1中產生顯示不良現象。
另一方面，於上述有機膜之電阻較低之情形時，會產生經由有機膜而產生電氣洩漏現象之問題。
因此，必需採取對彙集至上述交叉側端子部區域A1、A2內之端子避開有機膜之蒸鍍形成之方法。以下，將應避開有機膜之蒸鍍之區域稱為無需蒸鍍區域。
作為上述方法之一，考慮使用擋閘89來阻斷有機膜之蒸鍍而防止對上述無需蒸鍍區域之蒸鍍。即，考慮於上述無需蒸鍍區域到達至蔽蔭遮罩81之開口部82之時間點時將擋閘89封閉。
然而，於此情形時，存在如下可能性：由於上述開口部82於上述移動方向上具有固定之長度，故而TFT基板10中與開口部82對向之時間根據部位而產生差異，於將擋閘89封閉之時間點時應蒸鍍有機膜之區域殘留於蔽蔭遮罩81之開口部82上。若於該狀態下將擋閘89封閉，則存在如下問題：該應蒸鍍之一部分區域之蒸鍍量不足，而無法適當地確保該區域內之蒸鍍膜之膜厚。
另一方面，於在以下步驟中採用藉由有機溶劑擦拭有機膜之方法之情形時，會產生殘留上述有機溶劑之殘渣、或混入灰塵之問題。
因此，於本實施形態之TFT基板10中，避開使蒸鍍膜蒸 鍍之部分(以下，稱為蒸鍍部)而配置配線14之端子(與第2電極26連接之端子除外)。
圖16係表示1個TFT基板10中之複數根配線14之配線態樣之圖式。圖17係表示圖16中所示之配線14之端子周邊之構造之放大圖。再者，於圖16、圖17中，將配線14表述為配線L。
於本實施形態中，蔽蔭遮罩81(圖2)中所形成之複數個開口部82係沿與蔽蔭遮罩81及TFT基板10之相對移動之移動方向正交之方向上排列。因此，上述複數個蒸鍍部Q形成沿與上述移動方向相對應之方向即圖16中之左右方向延伸之直線狀，且整體上形成條紋狀。
此處，於本實施形態中，如圖16、圖17所示，將配置於交叉側端子部區域A1、A2之配線L之端子配置於相鄰之2個蒸鍍部Q間所形成之直線狀之間隙X中。
再者，於本實施形態中，在平行側端子部區域A3、A4與位於該等區域A3、A4之附近之上述邊之間，設置有第2電極連接部A5、A6。然而，設置第2電極連接部A5、A6之位置並不限定為此位置。
藉此，可避免對彙集至交叉側端子部區域A1、A2之配線L之端子進行有機膜之蒸鍍。其結果，可使配線L(閘極線14G)之端子與可撓性薄膜電纜FC之連接端子FCT 進行良好之電連接。
又，無需如先前般於以下步驟中利用有機溶劑擦拭形成於交叉側端子部區域A1、A2之有機膜之操作，與無需該 擦拭步驟相應地可實現製造時間之縮短或製造成本之削減。
又，可避免於如先前技術般以有機溶劑擦拭蒸鍍膜之情形時產生如下問題：因擦拭不充分而易於殘留殘渣；或於擦拭時產生異物，造成與外部電路之連接等不良而使有機EL顯示裝置之良率下降。進而，可避免產生如下問題：具有有機溶劑對密封基板40等造成損傷，而使有機EL顯示裝置1之可靠性下降之虞等。
又，無需僅因變更TFT基板10上之配線之設計而追加步驟或裝置。
於本實施形態中，除配置於交叉側端子部區域A1、A2之配線L之端子係配置於相鄰之2個蒸鍍部Q間所形成之直線狀之間隙X中之方面以外，亦針對每一根配線L(與配線L相對應地)設置間隙X，且自像素區域AG 引出至外部之配線L係延伸設置於與該配線L相對應之間隙X中。
另一方面，於各間隙X中配置有複數個端子T，且，配置於各間隙X之複數個端子T係沿該間隙X之延伸方向(圖16、圖17中之左右方向)排列。
繼而，一部分配線L係以自像素區域AG 橫穿蒸鍍部Q並且到達至該配線14之端子T之方式進行配設。再者，於本實施形態中，上述一部分配線L係位於上下方向上之中央部分之配線L以外之配線L，但並不限定於此。又，此處，自像素區域AG 橫穿蒸鍍部Q並且到達至該配線14之端子T之配線14雖然設為一部分配線14，但並不限定為一部分， 亦可將所有配線14設為如自像素區域AG 橫穿蒸鍍部Q並且到達至該配線14之端子T為止之配線設計。
例如，如圖17所示，於最上側之位置上自像素區域AG 引出之配線LP1 之端子T1、及位於該配線LP1 之下一行之配線LP2 之端子T2係配置於相同之間隙XP ，並且上述端子T1、T2係沿間隙XP 之延伸方向上排列。
配線LP1 、LP2 係自像素區域AG 引出至分別與該配線LP1 、LP2 相對應之間隙X1、X2，且於途中之位置被彎折。繼而，配線LP1 係以傾斜地橫穿蒸鍍部Q1~Q5(傾斜地交叉，並且)，並且到達至配置於間隙XP 之端子T1為止之方式進行配設，又，配線LP2 係以傾斜地橫穿蒸鍍部Q2~Q5(傾斜地交叉，並且)，並且到達至配置於間隙XP 之端子T2為止之方式進行配設。
如此，由於將複數個端子T配設於共通之間隙X，並且使上述複數個端子T沿上述間隙X之延伸方向(圖16、圖17中之左右方向)排列，故而關於交叉側端子部區域A1、A2之尺寸，可使與TFT基板10及蔽蔭遮罩81之相對移動之移動方向正交之方向上之長度H與在1個間隙X中配設1個端子T之情形相比而較短。其結果，可縮短與配置於交叉側端子部區域A1、A2之各端子T連接之可撓性薄膜電纜FC等之對應方向之長度。
再者，本實施形態中，各間隙X之寬度於為配設複數根配線14而長度不足之情形(為僅可配設1根配線14之寬度之情形)時尤其有效。
本發明之被成膜基板並不限定於本實施形態，亦可採用如下變形形態。
[第2實施形態]
其次，對本發明之第2實施形態進行說明。再者，於本實施形態中，主要對與上述第1實施形態之不同方面進行說明，對於具有與上述第1實施形態中所使用之構成要素相同之功能的構成要素附上相同之編號，而省略其說明。
圖18係表示1個TFT基板10中之複數根配線14之第2實施形態之配線態樣的圖式。圖19係表示圖18中所示之配線14之端子周邊之構造的放大圖。再者，於圖18、圖19中，將配線14表述為配線L。
本實施形態之TFT基板10中，配線之配設態樣與第1實施形態不同。
即，於本實施形態中，自像素區域AG 引出至外部之配線L係針對預先規定之複數根(於圖18、圖19中為2根)之每一根進行分組，且使各組與各間隙X分別建立關聯。繼而，於各間隙X中，屬於與該間隙建立關聯之組之複數根配線14係與該間隙X之延伸方向平行地延伸設置。
另一方面，與上述第1實施形態同樣地，於上述各間隙X中配置有複數個端子T，配置於各間隙X之複數個端子T於該間隙X中沿該間隙X延伸之方向(圖18、圖19中之左右方向)排列。此方面與上述第1實施形態相同。
繼而，於本實施形態中，若著眼於1個間隙X中所排列之複數個端子T，則具有距上述像素區域AG 較遠一方之端子 的配線L係以如下方式進行配設，即，於距上述像素區域AG 較近一方之端子之附近位置上，與上述蒸鍍部Q重疊並且避開上述較近一方之端子T。
例如，如圖19所示，於最上側之位置自像素區域AG 引出之配線LP1 '之端子T1'、及位於該配線LP1 '之下一行之配線LP2 '之端子T2'係設為屬於相同之組，且配置於相同之間隙XP '。此時，端子T1'、T2'係沿間隙XP '之延伸方向上排列。
配線LP1 '、LP2 '係自像素區域AG 引出至與該配線LP1 '、LP2 '相對應之共通之間隙XP '，且於該間隙XP '中延伸設置。又，配線LP1 '之端子T1'係配置於較配線LP2 '之端子T2'距像素區域AG 更遠之位置。
繼而，配線LP2 '係以直線(保持著直線狀)延伸設置至端子T2'之位置。另一方面，如以箭頭W所示，配線LP1 '僅於端子T2'之附近位置具有與上述蒸鍍部Q重疊並且避開端子T2'之避開部分。
如此，由於將複數個端子T配設於共通之間隙X，並且使上述複數個端子T沿上述間隙X之延伸方向(圖18、圖19中之左右方向)排列，故而關於交叉側端子部區域A1、A2之尺寸，可縮短與TFT基板10及蔽蔭遮罩81之相對移動之移動方向正交之方向上之長度H。其結果，可縮短與配置於交叉側端子部區域A1、A2之各端子連接之可撓性薄膜電纜FC等之對應方向之長度。
本實施形態中，雖然上述間隙X之數量少於配線14(端子 T)之數量，但間隙X之寬度於具有配設複數根配線14所需之寬度之情形時尤其有效。
本發明並不限定於上述各實施形態，可於申請專利範圍所示之範圍內進行各種變更，將於不同實施形態中分別揭示之技術性方法適當地組合而獲得之實施形態亦包含於本發明之技術性範圍。
例如，根據欲針對各色中之每一種顏色變更有機膜之總厚等理由，亦可於發光層以外，例如電洞傳輸層中，以如上所述般針對每一個像素分塗有機層之方式使用上述蔽蔭遮罩而進行蒸鍍形成。於此情形時，將要形成電洞傳輸層前之TFT基板10為本發明之被成膜基板之一例。
又，蒸鍍裝置50亦可代替基板移動機構70，而包含固定被成膜基板200之基板保持構件71(例如靜電吸盤)，並且包含使遮罩單元80保持著蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之相對位置而相對於被成膜基板200進行相對移動之遮罩單元移動機構。或者，亦可包含基板移動機構70及遮罩單元移動機構之兩者。
即，只要將被成膜基板200及遮罩單元80之至少一者設置為可進行相對移動即可，不論為使哪一者移動之情形，均可獲得本發明之效果。
然而，於如上所述般使被成膜基板200相對於遮罩單元80進行相對移動之情形時，蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85只要使位置相對地固定，則亦可不必一體化。
例如，上述遮罩單元80中，亦可將蒸鍍源85固定於真空 腔室60之內壁中之例如底壁，並且將遮罩保持構件87固定於上述真空腔室60之內壁之任一者，藉此固定上述蔽蔭遮罩81與蒸鍍源85之相對位置。
又，以上述蔽蔭遮罩81之開口部82與上述蒸鍍源85中之射出口86之配置相配合，各射出口86於俯視時位於任一開口部82內，並且開口部82與射出口86係1對1地對應而設置之情形為例進行了列舉說明。然而，本實施形態並不限定於此。開口部82與射出口86亦可不必對向配置，又，亦可不必1對1地對應。
又，於本實施形態中，以蔽蔭遮罩81之開口部82及蒸鍍源85之射出口86係一維地進行排列之情形為例進行了列舉說明。然而，本實施形態並不限定於此。蔽蔭遮罩81之開口部82與蒸鍍源85之射出口86只要分別相互對向地配置即可，亦可二維地進行排列。
又，於本實施形態中，以蔽蔭遮罩81之開口部82及蒸鍍源85之射出口86係分別設置有複數個之情形為例進行了列舉說明。然而，本實施形態並不限定於此。上述蔽蔭遮罩81只要包含至少1個開口部82即可，且蒸鍍源85只要包含至少1個射出口86即可。
亦即，蔽蔭遮罩81及蒸鍍源85亦可具有分別設置有1個開口部82及射出口86之構成。於此情形時，亦可藉由使遮罩單元80及被成膜基板200中之至少一者進行相對移動，且使蒸鍍粒子經由蔽蔭遮罩81之開口部82依序蒸鍍至被成膜基板200之蒸鍍區域210，而於被成膜基板200上進行特 定圖案之成膜。
又，於本實施形態中，關於如限制蒸鍍流之擴散之機構並未進行特別記載，但例如，亦可在蒸鍍源85與蔽蔭遮罩81之間插入如可將自射出口86射出之蒸鍍流之擴散限制為固定量之限制板。根據該構造，由於可限制通過開口部82而到達至被成膜基板200之蒸鍍區域210的蒸鍍粒子之入射角，故而可更加抑制被成膜基板上之圖案模糊。藉由該模糊之抑制，而可使間隙X進一步變寬。
又，於本實施形態中，以蔽蔭遮罩81具有狹縫狀之開口部82之情形為例進行了列舉說明。然而，上述開口部82之形狀只要適當地進行設定以便可獲得所需之蒸鍍圖案即可，並無特別限定。
又，於本實施形態中，如上所述，以使光自TFT基板10側出射之底部發光型之有機EL顯示裝置1之製造方法為例進行了列舉說明。然而，本實施形態並不限定於此。本發明亦可較佳地應用於使光自密封基板40側出射之頂部發光型之有機EL顯示裝置1。
又，於本實施形態中，以使用玻璃基板作為TFT基板10及密封基板40之支撐基板之情形為例進行了列舉說明，但本實施形態並不限定於此。
作為該等TFT基板10及密封基板40中之各支撐基板，於有機EL顯示裝置1為底部發光型之有機EL顯示裝置之情形時，除玻璃基板以外亦可使用例如塑膠基板等透明基板。另一方面，於上述有機EL顯示裝置1為頂部發光型之有機 EL顯示裝置之情形時，作為上述支撐基板，除如上所述之透明基板以外，例如，亦可使用陶瓷基板等不透明基板。
又，於本實施形態中，以陽極(於本實施形態中，為第1電極21)係形成為矩陣狀之情形為例進行了列舉說明。然而，作為上述陽極，只要具有對有機EL層供給電洞之電極的功能，則其形狀、材質、及大小並無特別限定，亦可形成為例如條紋狀。然而，就有機EL元件之性質而言，較佳為陽極及陰極中之至少一者透明。通常使用透明之陽極。
又，於本實施形態中，以各像素中包含TFT之主動矩陣方式之有機EL顯示裝置之製造方法為例進行了列舉說明。然而，並不限定於此，對於各像素中不包含TFT之被動矩陣方式之有機EL顯示裝置1，亦可較佳地應用本發明。
又，於本實施形態中宜適當地設定掃描速度或蒸鍍速度等。
又，可適當地設定作為被成膜基板200之TFT基板10與蔽蔭遮罩81之間之間隙g1、或上述蒸鍍源85與蔽蔭遮罩81之間之間隙g2。
TFT基板10與蔽蔭遮罩81之間之間隙g1係只要保持一定間隙，且於兩者不接觸之範圍內適當地調整即可。又，上述間隙g2只要鑒於蒸鍍粒子之空間性擴散之分佈或自蒸鍍源85放射之熱之影響而適當地調整即可。
又，本發明不僅於製造有機EL顯示裝置1之情形時，而且於藉由基板與蔽蔭遮罩之相對移動而進行蒸鍍之情形時，均可應用於存在蒸鍍膜形成於端子部區域內之問題之 其他裝置之製造中。
[要點概要]
如上所述，考慮於本發明之實施形態之被成膜基板中，使上述複數個開口部沿與上述被成膜基板之相對移動方向正交之方向上排列，使上述複數個蒸鍍部以形成沿與上述相對移動方向相對應之方向延伸之直線狀之方式形成，且將上述各端子配置於形成為直線狀之上述間隙內。
本發明之實施形態之被成膜基板係於上述各間隙內配置有複數個端子者。
根據該形態，由於在上述各間隙內配置有複數個端子，故而即便於複數根配線(端子)之數量多於上述間隙之數量之情形時，亦可避免對各端子進行蒸鍍。
本發明之實施形態之被成膜基板中，能以如下方式構成，即，上述各間隙內所配置之複數個端子係於該間隙內沿該間隙延伸之方向上排列，且上述配線之至少一部分自上述像素區域橫穿上述蒸鍍部並且到達至該配線之端子。該形態於上述間隙之寬度不具有相當於複數根配線之程度的寬度之情形時有效。
本發明之實施形態之被成膜基板中，能以如下方式構成，即，上述各間隙內所配置之複數個端子係於該間隙內沿該間隙延伸之方向上排列，於上述各間隙內平行地配設有複數根配線，該間隙內所配設之複數根配線中具有距上述像素區域較遠一方之端子的配線包含用以避開距上述像素區域較近一方之端子之避開部分，且使該避開部分之至 少一部分與上述蒸鍍部重疊。該形態於如下情形時特別有效，即，雖然上述間隙之數量少於上述配線(端子)之數量，但上述間隙之寬度具有配設複數根配線時所需之寬度。
本發明之實施形態之有機EL顯示裝置為如下有機EL顯示裝置，即，包含形成有蒸鍍部之上述任一形態之被成膜基板，且上述蒸鍍部包含藉由對其供給電流而發光之有機EL元件。
根據該形態，能實現可獲得上述任一形態之效果之有機EL顯示裝置。
[產業上之可利用性]
本發明之被成膜基板可較佳地使用於例如有機EL顯示裝置中之有機層之分塗形成等成膜製程中所使用的有機EL顯示裝置之製造裝置及製造方法等。
1‧‧‧有機EL顯示裝置
2‧‧‧像素
2R、2G、2B‧‧‧子像素
10‧‧‧TFT基板(被成膜基板)
11‧‧‧絕緣基板
12‧‧‧TFT(薄膜電晶體)
13‧‧‧層間膜(層間絕緣膜、平坦化膜)
13a‧‧‧接觸孔
14‧‧‧配線
14G‧‧‧閘極線
14S‧‧‧源極線
14V‧‧‧電源配線
15‧‧‧邊緣罩
15R、15G、15B‧‧‧開口部
20‧‧‧有機EL元件
21‧‧‧第1電極
22‧‧‧電洞注入層兼電洞傳輸層
23R、23G、23B‧‧‧發光層
24‧‧‧電子傳輸層
25‧‧‧電子注入層
26‧‧‧第2電極
30‧‧‧接著層
40‧‧‧密封基板
50‧‧‧蒸鍍裝置
60‧‧‧真空腔室(成膜腔室)
70‧‧‧基板移動機構
71‧‧‧基板保持構件(基板保持機構)
72‧‧‧馬達
80‧‧‧遮罩單元
81‧‧‧蔽蔭遮罩(蒸鍍遮罩)
81a‧‧‧蔽蔭遮罩81之長邊
81b‧‧‧蔽蔭遮罩81之短邊
82‧‧‧開口部
83‧‧‧對準標記部
84‧‧‧對準標記
85‧‧‧蒸鍍源
86‧‧‧射出口
87‧‧‧遮罩保持構件(保持機構)
88‧‧‧遮罩張緊機構
89‧‧‧擋閘
90‧‧‧影像感測器
100‧‧‧控制電路
101‧‧‧圖像檢測部
102‧‧‧運算部
103‧‧‧馬達驅動控制部
104‧‧‧蒸鍍接通/斷開控制部
105‧‧‧擋閘驅動控制部
200‧‧‧被成膜基板
202‧‧‧連接區域
210‧‧‧蒸鍍區域
210a‧‧‧蒸鍍區域210之長邊
210b‧‧‧蒸鍍區域210之短邊
211‧‧‧蒸鍍膜(蒸鍍部)
220‧‧‧對準標記部
221‧‧‧對準標記
301‧‧‧基板
302‧‧‧蒸鍍源
303‧‧‧蔽蔭遮罩
304‧‧‧開口部
A1‧‧‧端子部區域
A2‧‧‧端子部區域
A3‧‧‧端子部區域
A4‧‧‧端子部區域
A5‧‧‧第2電極連接部
A6‧‧‧第2電極連接部
AG ‧‧‧像素區域
C‧‧‧電容器
d1‧‧‧寬度
d2‧‧‧寬度
d3‧‧‧寬度
d4‧‧‧寬度
d5‧‧‧寬度
d6‧‧‧寬度
d7‧‧‧邊緣寬度
d8‧‧‧相鄰之開口部82、82間之間隔
FC‧‧‧可撓性薄膜電纜
FCT ‧‧‧可撓性薄膜電纜FC之連接端子
g1‧‧‧間隙
g2‧‧‧間隙
H‧‧‧長度
L‧‧‧配線
LP1 ‧‧‧配線
LP1 '‧‧‧配線
LP2 ‧‧‧配線
LP2 '‧‧‧配線
L1~L4‧‧‧矩形之邊
p‧‧‧相鄰之開口部82、82之中心間之間距
q‧‧‧距離
Q‧‧‧蒸鍍部
Q1‧‧‧蒸鍍部
Q2‧‧‧蒸鍍部
Q3‧‧‧蒸鍍部
Q4‧‧‧蒸鍍部
Q5‧‧‧蒸鍍部
r‧‧‧距離
S1~S7‧‧‧步驟
S11~S15‧‧‧步驟
S21~S24‧‧‧步驟
T‧‧‧端子
T1‧‧‧端子
T1'‧‧‧端子
T2‧‧‧端子
T2'‧‧‧端子
Tr1‧‧‧電晶體
Tr2‧‧‧電晶體
W‧‧‧箭頭
X‧‧‧間隙
x‧‧‧座標軸
X1‧‧‧間隙
X2‧‧‧間隙
XP ‧‧‧間隙
XP '‧‧‧間隙
y‧‧‧座標軸
z‧‧‧座標軸
圖1係自被成膜基板之背面側觀察本發明之一實施形態之蒸鍍裝置中的真空腔室內之被成膜基板與遮罩單元之俯視圖。
圖2係本發明之一實施形態之蒸鍍裝置中之真空腔室內之主要構成要素的鳥瞰圖。
圖3係模式性地表示本發明之一實施形態之蒸鍍裝置中之主要部分之概略構成的剖面圖。
圖4係表示本發明之一實施形態之蒸鍍裝置之構成之一部分的方塊圖。
圖5(a)~(c)係表示本發明之一實施形態之被成膜基板及蒸鍍遮罩之對準標記之形狀之一例的圖式。
圖6係表示RGB全彩顯示之有機EL顯示裝置之概略構成之剖面圖。
圖7係表示構成圖6中所示之有機EL顯示裝置之像素之構成的俯視圖。
圖8係圖7中所示之有機EL顯示裝置中之TFT基板之A-A線箭線剖面圖。
圖9係按照步驟順序表示本發明之一實施形態之有機EL顯示裝置之製造步驟的流程圖。
圖10係表示使用本發明之一實施形態之蒸鍍裝置而於TFT基板上成膜特定之圖案之方法之一例的流程圖。
圖11係表示對準調整方法之流程圖。
圖12係表示TFT之電路構成之圖式。
圖13係表示形成發光層前之階段中之TFT基板之概略構成的圖式。
圖14係表示由密封基板所密封之TFT基板將要與可撓性薄膜電纜連接之前之狀態的圖式。
圖15係表示位於交叉側端子部區域之配線之端子周邊之構成的圖式。
圖16係表示複數根配線之配線態樣之圖式。
圖17係表示本實施形態之TFT基板之構成之圖式。
圖18係表示第2實施形態之TFT基板(被成膜基板)之概略構成之圖式。
圖19係表示圖18中所示之配線之端子周邊之構造之放大圖。
圖20係表示使用蔽蔭遮罩之先前之蒸鍍裝置之概略構成之剖面圖。
A1‧‧‧端子部區域
A2‧‧‧端子部區域
A3‧‧‧端子部區域
A4‧‧‧端子部區域
A5‧‧‧第2電極連接部
A6‧‧‧第2電極連接部
AG ‧‧‧像素區域
H‧‧‧長度
L‧‧‧配線
LP1 ‧‧‧配線
LP2 ‧‧‧配線
Q‧‧‧蒸鍍部
Q1‧‧‧蒸鍍部
Q2‧‧‧蒸鍍部
Q3‧‧‧蒸鍍部
Q4‧‧‧蒸鍍部
Q5‧‧‧蒸鍍部
T‧‧‧端子
X‧‧‧間隙
X1‧‧‧間隙
X2‧‧‧間隙
XP ‧‧‧間隙

Claims (5)

  1. 一種被成膜基板，其特徵在於：其係形成有蒸鍍部者，該蒸鍍部係藉由包含具備用以射出蒸鍍粒子之射出口之蒸鍍源、及與上述蒸鍍源對向配置且具備供自上述射出口射出之蒸鍍粒子通過之複數個開口部之蒸鍍遮罩的蒸鍍裝置，經由上述開口部使上述蒸鍍粒子蒸鍍而成；上述被成膜基板包含二維地排列於像素區域內之複數個像素、及與各像素電性連接之複數根配線；一邊以上述像素區域通過與上述開口部對向之區域之方式，使該被成膜基板相對於上述蒸鍍遮罩沿一方向進行相對移動，一邊使上述蒸鍍粒子自上述射出口射出，藉此，複數個蒸鍍部相互介隔間隙而形成於包含上述像素區域之區域內；上述複數根配線之各端子係配置於上述間隙內；且上述複數個開口部係沿與上述被成膜基板之相對移動方向正交之方向上排列；上述複數個蒸鍍部形成為在與上述相對移動方向相對應之方向上延伸之直線狀；上述各端子係配置於形成為直線狀之上述間隙。
  2. 如請求項1之被成膜基板，其中於上述各間隙內配置有複數個端子。
  3. 如請求項2之被成膜基板，其中配置於上述各間隙之複數個端子係於該間隙內沿該間隙延伸之方向上排列；上述配線之至少一部分自上述像素區域橫穿上述蒸鍍 部，並且到達至該配線之端子。
  4. 如請求項2之被成膜基板，其中配置於上述各間隙之複數個端子係於該間隙內沿該間隙延伸之方向上排列；於上述各間隙內平行地配設有複數根配線；配設於該間隙之複數根配線中包含距上述像素區域較遠一方之端子之配線具有用以避開距上述像素區域較近一方之端子的避開部分，且該避開部分之至少一部分與上述蒸鍍部重疊。
  5. 一種有機電致發光(Electro-Luminescence，EL)顯示裝置，其包括形成有蒸鍍部之如請求項1至4中任一項之被成膜基板；且上述蒸鍍部包含藉由供給電流而發光之有機EL元件。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012099019A1 (ja) * 2011-01-19 2012-07-26 シャープ株式会社 被成膜基板、有機ｅｌ表示装置および蒸着方法
JP5842180B2 (ja) * 2011-03-24 2016-01-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 フレキシブル半導体装置及びその製造方法
KR102309620B1 (ko) 2014-11-18 2021-10-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105549321B (zh) * 2016-02-18 2020-01-31 京东方科技集团股份有限公司 一种掩模板罩及掩模板
WO2018003633A1 (ja) * 2016-06-28 2018-01-04 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、光シャッタ基板、表示装置、アクティブマトリクス基板の製造方法
CN107994117B (zh) * 2017-12-08 2021-01-12 京东方科技集团股份有限公司 制备oled显示器件的方法、oled显示器件和oled显示设备
US10950448B2 (en) * 2018-04-06 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Film quality control in a linear scan physical vapor deposition process

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10102237A (ja) * 1996-09-25 1998-04-21 Casio Comput Co Ltd 電極形成方法
JP2000188179A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Nec Corp 有機薄膜ｅｌデバイスの製造方法
US6366025B1 (en) * 1999-02-26 2002-04-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
JP2005166691A (ja) * 1999-02-26 2005-06-23 Sanyo Electric Co Ltd カラー有機ｅｌ表示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003223988A (ja) 2002-01-30 2003-08-08 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌパネル
JP2004349101A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Seiko Epson Corp 膜形成方法、膜形成装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置
KR101133754B1 (ko) * 2004-08-19 2012-04-09 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
JP5081516B2 (ja) * 2007-07-12 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 蒸着方法および蒸着装置
JP2009259510A (ja) 2008-04-15 2009-11-05 Seiko Epson Corp 固体装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、およびそれらの製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10102237A (ja) * 1996-09-25 1998-04-21 Casio Comput Co Ltd 電極形成方法
JP2000188179A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Nec Corp 有機薄膜ｅｌデバイスの製造方法
US6294892B1 (en) * 1998-12-22 2001-09-25 Nec Corporation Method of manufacturing organic thin-film EL device
US6366025B1 (en) * 1999-02-26 2002-04-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
JP2005166691A (ja) * 1999-02-26 2005-06-23 Sanyo Electric Co Ltd カラー有機ｅｌ表示装置

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KR20130098440A (ko) 2013-09-04
JP5313406B2 (ja) 2013-10-09

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