CN103340012A - 被成膜基板、有机el显示装置 - Google Patents

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Abstract

在利用蒸镀装置（50）形成有蒸镀部的TFT基板（10）中，蒸镀装置（50）包括具有射出口（86）的蒸镀源（85）和具有开口部（82）的蒸镀掩模（81），蒸镀颗粒经开口部（82）被蒸镀而形成蒸镀部，TFT基板（10）具有在像素区域（AG）二维排列的像素和与各像素电连接的配线（14），相互隔着间隙（X）地形成有多个蒸镀部（Q），配线（14）的各端子配置于间隙（X）。

Description

被成膜基板、有机EL显示装置
技术领域
本发明涉及将在被成膜基板进行规定的图案的成膜的蒸镀技术的领域。
背景技术
近年，在多种多样的商品、领域中使用平板显示器，对平板显示器的进一步大型化、高画质化、低耗电化提出了要求。
在这样的状况下，具备利用有机材料的电致发光（Electroluminescence；以下记作“EL”）的有机EL元件的有机EL显示装置作为全固体型且在能够低电压驱动、高速响应性、自发光性等方面优异的平板面板显示器受到高度瞩目。
有机EL显示装置例如具有以下结构：在包括设置有TFT（薄膜晶体管）的玻璃基板等的基板上，设置有与TFT连接的有机EL元件。
有机EL元件为以低电压直流驱动的能够进行高亮度发光的发光元件，具有第一电极、有机EL层和第二电极依次层叠的构造。其中，第一电极与TFT连接。另外，在第一电极与第二电极之间，作为上述有机EL层，设置有将空穴注入层、空穴输送层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子输送层、电子注入层等叠层的有机层。
在全彩色的有机EL显示装置，一般而言，在基板上作为子像素排列形成有具备红色（R）、绿色（G）、蓝色（B）各色的发光层的有机EL元件。通过使用TFT使这些有机EL元件有选择地按所期望的亮度发光来进行彩色图像显示。
在这样的有机EL显示装置的制造中，至少发出各色光的包含有机发光材料的发光层在每个作为发光元件的有机EL元件被图案形成（例如参照专利文献1、2）。
作为发光层的图案形成的方法，例如使用被称作荫罩的蒸镀用掩模的真空蒸镀法是已知的。
例如，低分子型有机EL显示器（OLED）中，在现有技术中，通过使用荫罩的蒸镀法，进行有机膜（有机层）的分涂形成。
在使用荫罩的真空蒸镀法中，使用能够在基板的整个蒸镀区域进行蒸镀的尺寸的荫罩（密合型整面荫罩）。一般而言，作为荫罩，使用与基板同等尺寸的掩模。
图20是表示使用荫罩的现有技术的蒸镀装置的结构的截面图。
在使用荫罩的真空蒸镀法中，如图20所示，基板301与蒸镀源302相对配置，为了使蒸镀颗粒不附着在作为目标的蒸镀区域以外的区域，在荫罩303设置与蒸镀区域的一部分图案对应的开口部304，经由该开口部304使蒸镀颗粒蒸镀于基板301，由此进行图案形成。
基板301配置于未图示的真空腔室内，在基板301的下方固定有蒸镀源302。荫罩303密合固定于基板301，或者在基板301和蒸镀源302固定于真空腔室的内壁的状态下，相对于基板301进行相对移动。
例如在专利文献1中公开有：使用加载互锁式的蒸镀源进行掩模与基板的对位之后，从基板的正下面起真空蒸镀第一发光材料，形成与掩模的开口部几乎相同形状的第一发光部的排列后，移动掩模，对第二发光材料从基板的正下面起进行真空蒸镀而形成与掩模的开口部几乎相同形状的第二发光部的排列。
例如在专利文献2中公开有：在与基板同等尺寸的掩模，将直径小或细长的狭缝孔排列在与掩模的移动方向交叉的方向上，一边沿着直径小或狭缝孔的排列方向移动掩模一边蒸镀电极材料，由此形成电极图案。
在这样使用荫罩的真空蒸镀法中，为了抑制弯曲或变形，荫罩被施加张力而固定于掩模框（例如焊接）。
在使用荫罩的真空蒸镀法中，将这样的荫罩密合于基板，使蒸镀颗粒从蒸镀源通过荫罩的开口部蒸镀（附着）在基板的所期望的位置，由此形成发光层或电极的图案。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本公开专利公报“特开2000-188179号公报（公开日：2000年7月4日）（对应美国专利第6294892号（公开日：2001年9月25日））”
专利文献2：日本公开专利公报“特开平10-102237号公报（公开日：1998年4月21日）”
发明内容
发明要解决的技术问题
但是，当基板的尺寸增大时，伴随于此荫罩303也大型化。
其结果是，由于荫罩303的自重弯曲或伸长而容易在基板301与掩模303之间产生间隙。其结果是，不能够进行位置精度高的图案形成，发生蒸镀位置偏移或混色，从而难以实现高精细化。
另外，随着基板尺寸的大型化，荫罩303和对其进行保持的掩模框巨大化、超重量化。其结果是，对这样的荫罩303进行操作的装置巨大化、复杂化，装置的设计变得困难，并且在制造工序或掩模交换等的工序中也发生操作的安全性的问题。
因此，利用大型的荫罩的大型基板的图案化是极为困难的。
在有机EL显示装置的制造工艺中，能够应用作为现行的量产工艺的使用密合型整面荫罩的蒸镀方法的基板尺寸为1m见方左右，难以应对具有该尺寸以上的基板尺寸的大型基板。因此，在现有技术中未确立与大型基板对应的有机层分涂技术，60英寸级别以上的大型有机EL显示装置不能够量产。
另外，一般而言，基板尺寸越大，1片基板能够形成的面板数也就越多，1片面板相应的费用也越低。因此，使用越大型的基板，越能够以低价制造有机EL显示装置。但是，在现有技术中，由于上述这样的基板尺寸的制约，不能够实现低成本的有机EL显示装置。
基于这样的问题，考虑到在将基板与荫罩303隔着一定的间隙在一个方向上相对移动而进行蒸镀时，能够使荫罩303的面积小型化。
但是，这样的结构中，发生下面这样的问题。
即，通常，在基板存在无需蒸镀蒸镀颗粒的区域，或者应避免蒸镀蒸镀颗粒的区域（以下将这些区域称为无需蒸镀区域）。例如，用于与外部电路连接的端子是被汇集的连接部（端子部），该端子与外部电路连接，因此不进行蒸镀而使其露出。
在此，在构成为通过上述那样的基板与荫罩的相对移动，从基板的移动方向上的一个端部到另一个端部进行蒸镀的情况下，当该蒸镀区域包含无需蒸镀区域时，如果作为有机膜，形成有电阻大的有机膜，则不能够进行上述连接部（端子部）与上述外部电路的良好的电连接。
于是，考虑到当构成为使用闸门阻挡蒸镀时，能够避免向无需蒸镀区域的蒸镀。
但是，该情况下，根据荫罩的开口部的形状等，在阻挡蒸镀的时刻，还剩余有未实施蒸镀的区域和/或尚未完全蒸镀完成的区域，对于这些区域，产生不能够确保有机膜的适当的膜厚的问题。
另外，作为其他的方案，考虑到在以后的工序中进行通过有机溶剂进行的有机膜的擦取的方案。但是，在这样的方法中，产生以下问题：上述有机溶剂的残渣残留、或者混入灰尘，使得产品的可靠性下降。另外，工序增加有机膜的擦取工序的量，导致制造时间、制造成本的增大。
本发明鉴于上述问题点，其目的在于，提供一种能够防止或抑制产品的可靠性下降、避免向无需蒸镀区域的蒸镀的被成膜基板和有机EL装置。
用于解决课题的技术手段
为了解决上述的问题，本发明的被成膜基板利用蒸镀装置形成有蒸镀部，上述蒸镀装置具有：包括用于射出蒸镀颗粒的射出口的蒸镀源；和与上述蒸镀源相对配置、且包括从上述射出口射出的蒸镀颗粒通过的多个开口部的蒸镀掩模，上述蒸镀颗粒经上述开口部被蒸镀而形成上述蒸镀部，上述被成膜基板的特征在于：上述被成膜基板具有在像素区域二维地排列的多个像素和与各像素电连接的多个配线，以上述像素区域通过与上述开口部相对的区域的方式，使该被成膜基板相对于上述蒸镀掩模在一个方向上相对移动，并且从上述射出口射出上述蒸镀颗粒，由此，在包含上述像素区域的区域相互隔着间隙地形成多个蒸镀部，上述多个配线的各端子配置于上述间隙。
根据本发明，通过使该被成膜基板与蒸镀掩模在一个方向上相对移动而进行蒸镀掩模的形成，因此能够利用面积小的蒸镀掩模。通过利用这样的面积小的蒸镀掩模，不会发生伴随蒸镀掩模的大型化的自重弯曲或伸长的问题，即使对于大型的基板，也能够进行蒸镀层的图案形成，并且能够进行位置精度高的图案形成和高精细化。
另外，由于能够使用面积小的蒸镀掩模，因此能够抑制或避免随着蒸镀掩模的大型化而产生的保持蒸镀掩模的框的巨大化、超重量化引发的问题的发生。
并且，在本发明的被成膜基板中，在通过在蒸镀掩模设置有上述多个开口部而形成的多个蒸镀部间的间隙，配置有与上述像素区域的各像素电连接的多个配线的端子。
因此，该被成膜基板相对于上述蒸镀掩模在一个方向上相对移动，并且从上述射出口射出上述蒸镀颗粒时，在配置有上述多个配线的端子的区域不形成蒸镀层。由此，能够提供能抑制产品的可靠性下降并且避免向无需蒸镀区域的蒸镀的被成膜基板。
发明的效果
如上所述，本发明的被成膜基板利用蒸镀装置形成有蒸镀部，上述蒸镀装置具有：具备用于射出蒸镀颗粒的射出口的蒸镀源；和与上述蒸镀源相对配置、且具备从上述射出口射出的蒸镀颗粒通过的多个开口部的蒸镀掩模，上述蒸镀颗粒经上述开口部被蒸镀而形成上述蒸镀部，上述被成膜基板具有在像素区域二维地排列的多个像素和与各像素电连接的多个配线，以上述像素区域通过与上述开口部相对的区域的方式，使该被成膜基板相对于上述蒸镀掩模在一个方向上相对移动，并且从上述射出口射出上述蒸镀颗粒，由此，在包含上述像素区域的区域相互隔着间隙地形成多个蒸镀部，上述多个配线的各端子配置于上述间隙。
由此，实现以下效果，即，能够提供能抑制产品的可靠性下降并且避免向无需蒸镀区域的蒸镀的被成膜基板。
附图说明
图1是从被成膜基板的背面侧看时的本发明的一个实施方式的蒸镀装置的真空腔室内的被成膜基板和掩模单元的平面图。
图2是本发明的一个实施方式的蒸镀装置的真空腔室内的主要构成要素的俯视图（俯瞰图）。
图3是示意地表示本发明的一个实施方式的蒸镀装置的主要部分的概略结构的截面图。
图4是表示本发明的一个实施方式的蒸镀装置的结构的一部分的框图。
图5（a）～（c）是表示本发明的一个实施方式的被成膜基板和蒸镀掩模的对准标记的形状的一个例子的图。
图6是表示RGB全彩色显示的有机EL显示装置的概略结构的截面图。
图7是表示构成图6所示的有机EL显示装置的像素的平面图。
图8是图7所示的有机EL显示装置的TFT基板的A－A线向视截面图。
图9是按工序顺序表示本发明的一个实施方式的有机EL显示装置的制造工序的流程图。
图10是表示使用本发明的一个实施方式的蒸镀装置在TFT基板形成规定的图案的膜的方法的一个例子的流程图。
图11是表示对准调整方法的流程图。
图12是表示TFT电路结构的图。
图13是表示形成发光层前的阶段的TFT基板的概略结构的图。
图14是表示由密封基板密封的TFT基板连接到挠性膜配线（flexible film cable）前的状态的图。
图15是表示位于交叉侧端子部区域的配线的端子周边的结构的图。
图16是表示多个配线的配线状态的图。
图17是表示本实施方式的TFT基板的结构的图。
图18是表示第二实施方式的TFT基板（被成膜基板）的概略结构的图。
图19是表示图18所示的配线的端子周边的构造的放大图。
图20是表示使用荫罩的现有技术的蒸镀装置的结构的截面图。
具体实施方式
[第一实施方式]
基于图1～图19对本发明的第一实施方式进行下面的说明。
在本实施方式中，作为使用本实施方式的蒸镀装置的蒸镀方法的一个例子，以从TFT基板一侧取出光的底部发光型、RGB全彩色显示的有机EL显示装置的制造方法为例进行说明。
首先，针对上述有机EL显示装置的整体结构进行以下的说明。
图6是表示RGB全彩色显示的有机EL显示装置的概略结构的截面图。此外，图7是表示构成图6所示的有机EL显示装置的像素的结构的平面图，图8是图6所示的有机EL显示装置的TFT基板的A－A线向视截面图。
如图6所示，根据本实施方式制造的有机EL显示装置1，在设置有TFT12（参照图8）的TFT基板10上，按顺序设置有与TFT12连接的有机EL元件20、粘接层30、密封基板40。
如图6所示，使用粘接层30将层叠有该有机EL元件20的TFT基板10与密封基板40贴合，由此，将有机EL元件20封入这一对基板（TFT基板10、密封基板40）间。
上述有机EL显示装置1通过这样使得有机EL元件20被封入TFT基板10与密封基板40之间，防止来自外部的氧和水分浸入有机EL元件20。
如图8所示，TFT基板10作为支承基板例如具备玻璃基板等的透明的绝缘基板11。如图7所示，在绝缘基板11上设置有包括在水平方向铺设的多个栅极线14G（参照图12）和在垂直方向铺设的、与栅极线14G交叉的多个源极线14S（参照图12）以及电源配线14V（参照图12）的多个配线14。在栅极线14G连接有驱动栅极线14G的未图示的栅极线驱动电路，在信号线连接有驱动信号线的未图示的信号线驱动电路。本实施方式的TFT基板10的配线14的设计方式，在后面叙述。
有机EL显示装置1是全彩色的有源矩阵型的有机EL显示装置，在绝缘基板11上，在由这些配线14包围的各个区域，呈矩阵状排列有由红色（R）、绿色（G）、蓝色（B）各色的有机EL元件20构成的子像素2R、2G、2B。
即，由这些配线14围成的区域为1个子像素（点），按照子像素划分成R、G、B的发光区域。
像素2（即，一个像素）由使红色的光透过的红色的子像素2R、使绿色的光透过的绿色的子像素2G、使蓝色的光透过的蓝色的子像素2B这三个子像素2R、2G、2B构成。
在各子像素2R、2G、2B，作为担负各子像素2R、2G、2B的发光的各色的发光区域，分别设置有被条状的各色的发光层23R、23G、23B覆盖的开口部15R、15G、15B。
这些发光层23R、23G、23B按各色通过蒸镀进行图案形成。另外，关于开口部15R、15G、15B，在之后说明。
在这些子像素2R、2G、2B分别设置有与有机EL元件20的第一电极21连接的TFT12。各子像素2R、2G、2B的发光强度通过对配线14和TFT12进行的扫描和选择来决定。这样，有机EL显示装置1通过使用TFT12使有机EL元件20有选择地以期望的亮度发光来实现图像显示。
接着，对上述有机EL显示装置1中的TFT基板10和有机EL元件20的结构进行详细叙述。
首先对TFT基板10进行说明。
如图8所示，TFT基板10具有在玻璃基板等透明的绝缘基板11上具备依次形成有TFT12（开关元件）、层间膜13（层间绝缘膜，平坦化膜）、配线14、边缘覆盖物15的结构。
在上述绝缘基板11上设置有配线14，并且与各子像素2R、2G、2B对应地分别设置有包含TFT12的像素驱动电路。图12是表示像素驱动电路的电路结构的一例的图。
如图12所示，像素驱动电路具备控制用的晶体管Tr1、驱动用的晶体管Tr2和电容器C。
晶体管Tr1的源极端子与源极线14S连接。晶体管Tr1的栅极端子与栅极线14G连接。晶体管Tr1的漏极端子与晶体管Tr2的栅极端子连接。
晶体管Tr2的源极端子与电源配线14V连接。晶体管Tr2的漏极端子与有机EL元件20连接。
电容器C设置在晶体管Tr2的源极端子与晶体管Tr2的栅极端子之间。电容器C为电压保持用的电容器。
具有这样的结构的像素驱动电路中，在数据写入时，栅极线14G为H（高电平），由此使晶体管Tr1接通。由此，数据电压信号从源极线14S写入电容器C。接着，栅极线14G成为L（低电平），由此晶体管Tr1断开。由此，电容器C和源极线14S被断开，电容器C在数据写入时保持写入的数据电压信号。
晶体管Tr2的电流由电容器C的两端的电压的大小决定。因此，与数据电压信号对应的电流供给至有机EL元件。
此外，各像素驱动电路的结构不限定于上述的情况。例如，还可以追加用于补偿晶体管Tr1、Tr2的特性偏差、经年变化的电路等。与此相伴，也可以设置除栅极线14G、源极线14S和电源配线14V以外的配线。
层间膜13以覆盖TFT12的方式在上述绝缘基板11上遍及上述绝缘基板11的整个区域地层叠。
在层间膜13上，形成有有机EL元件20中的第一电极21。
另外，在层间膜13设置有用于将有机EL元件20中的第一电极21与TFT12电连接的接触孔13a。由此，TFT12经上述接触孔13a与有机EL元件20电连接。
边缘覆盖物15是用于防止由于在第一电极21的图案端部有机EL层变薄、发生电场集中等而产生有机EL元件20的第一电极21与第二电极26短路的情况的绝缘层。
边缘覆盖物15在层间膜13上以覆盖第一电极21的图案端部的方式形成。
在边缘覆盖物15中，在每个子像素2R、2G、2B设置有开口部15R、15G、15B。该边缘覆盖物15的开口部15R、15G、15B成为各子像素2R、2G、2B的发光区域。
换言之，各子像素2R、2G、2B被具有绝缘性的边缘覆盖物15分隔。边缘覆盖物15作为元件分离膜发挥作用。
接着，对有机EL元件20进行说明。
有机EL元件20是能够利用低电压直流驱动进行高亮度发光的发光元件，依次层叠有第一电极21、有机EL层、第二电极26。
第一电极21为具有对上述有机EL层注入（供给）空穴的功能的层。第一电极21如上那样经接触孔13a与TFT12连接。
如图8所示，在第一电极21与第二电极26之间，作为有机EL层，具有从第一电极21一侧起依次形成有空穴注入层兼空穴输送层22、发光层23R、23G、23B、电子输送层24、电子注入层25的结构。
此外，上述层叠顺序为令第一电极21为阳极、第二电极26为阴极的顺序，在令第一电极21为阴极、第二电极26为阳极时，有机EL层的层叠顺序颠倒。
空穴注入层是具有提高向发光层23R、23G、23B注入空穴的效率的功能的层。空穴输送层是具有提高向发光层23R、23G、23B输送空穴的效率的功能的层。空穴注入层兼空穴输送层22以覆盖第一电极21和边缘覆盖物15的方式遍及上述TFT基板10的显示区域的整个面均匀地形成。
另外，在本实施方式中，如上所述，以作为空穴注入层和空穴输送层设置有空穴注入层和空穴输送层被一体化而得到的空穴注入层兼空穴输送层22的情况为例进行说明。但是本实施方式并不仅限于此。空穴注入层和空穴输送层也可以作为相互独立的层形成。
在空穴注入层兼空穴输送层22上，发光层23R、23G、23B以覆盖边缘覆盖物15的开口部15R、15G、15B的方式分别与子像素2R、2G、2B对应地形成。
发光层23R、23G、23B是具有使从第一电极21一侧注入的空穴（hole）与从第二电极26一侧注入的电子再耦合而射出光的功能的层。发光层23R、23G、23B分别由低分子荧光色素、金属络合物等发光效率高的材料形成。
电子输送层24是具有提高从第二电极26向发光层23R、23G、23B输送电子的效率的功能的层。另外，电子注入层25是具有提高电子从第二电极26向电子输送层24的注入效率的功能的层。
电子输送层24以覆盖发光层23R、23G、23B和空穴注入层兼空穴输送层22的方式，在这些发光层23R、23G、23B和空穴注入层兼空穴输送层22上，遍及TFT基板10的显示区域的整个面均匀地形成。另外，电子注入层25以覆盖电子输送层24的方式，在电子输送层24上，遍及TFT基板10的显示区域的整个面均匀地形成。
另外，电子输送层24和电子注入层25既可以作为相互独立的层形成，也可以以一个整体设置。即，上述有机EL显示装置1也可以代替电子输送层24和电子注入层25具备电子输送层兼电子注入层。
第二电极26是具有向由上述那样的有机层构成的有机EL层注入电子的功能的层。第二电极26以覆盖电子注入层25的方式，在电子注入层25上，遍及TFT基板10的显示区域的整个面均匀地形成。
另外，发光层23R、23G、23B以外的有机层作为有机EL层并非必须，根据所要求的有机EL元件20的特性适当地形成即可。此外，有机EL层根据需要也能够追加载流子阻挡层。例如能够通过在发光层23R、23G、23B与电子输送层24之间作为载流子阻挡层追加空穴阻挡层，阻止空穴进入电子输送层24，提高发光效率。
作为上述有机EL元件20的结构，能够采用下述（1）～（8）所示那样的层结构。
（1）第一电极/发光层/第二电极
（2）第一电极/空穴输送层/发光层/电子输送层/第二电极
（3）第一电极/空穴输送层/发光层/空穴阻挡层（载流子阻挡层）电子输送层/第二电极
（4）第一电极/空穴输送层/发光层/空穴阻挡层/电子输送层/电子注入层/第二电极
（5）第一电极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层/第二电极
（6）第一电极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/空穴阻挡层/电子输送层/第二电极
（7）第一电极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/空穴阻挡层/电子输送层/电子注入层/第二电极
（8）第一电极/空穴注入层/空穴输送层/电子阻挡层（载流子阻挡层）/发光层/空穴阻挡层/电子输送层/电子注入层/第二电极
另外，如上所述，例如空穴注入层和空穴输送层也可以为一个整体。此外，电子输送层和电子注入层也可以为一个整体。
此外，有机EL元件20的结构并不限定于上述例示的层结构，能够如上述那样根据所要求的有机EL元件20的特性采用所期望的层结构。
接着，针对上述有机EL显示装置1的制造方法进行以下的说明。
图9是按工序顺序表示上述有机EL显示装置1的制造工序的流程图。
如图9所示，本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法例如包括TFT基板和第一电极制作工序（S1）、空穴注入层和空穴输送层蒸镀工序（S2）、发光层蒸镀工序（S3）、电子输送层蒸镀工序（S4）、电子注入层蒸镀工序（S5）、第二电极蒸镀工序（S6）、密封工序（S7）。
以下，根据图9所示的流程图，参照图7和图8对上述各工序进行说明。
但是，本实施方式记载的各构成要素的尺寸、材质、形状等都仅是一实施方式，并不应据此对本发明的范围进行限定解释。
此外，如上所述，本实施方式中记载的层叠顺序为以第一电极21为阳极、以第二电极26为阴极，在与此相反以第一电极21为阴极、以第二电极26为阳极的情况下，有机EL层的层叠顺序颠倒。同样，构成第一电极21和第二电极26的材料对调。
首先，如图8所示，以公知技术在TFT12和配线14等形成的玻璃等的绝缘基板11上涂敷感光性树脂，通过光刻技术进行图案化，由此在绝缘基板11上形成层间膜13。
作为上述绝缘基板11，例如使用厚度为0.7～1.1mm、y轴方向上的长度（纵向长度）为400～500mm、x轴方向上的长度（横向长度）为300～400mm的玻璃基板或塑料基板。此外，在本实施方式中，使用玻璃基板。
作为层间膜13，例如能够使用丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂等。作为丙烯酸树脂，例如能够列举JSR株式会社制的OPTOMER（オプトマー，正片型感光材料）系列。此外，作为聚酰亚胺树脂，例如能够列举东丽株式会社制的PHOTONEECE（フォトニース，光敏性聚酰亚胺涂敷剂）系列。不过，聚酰亚胺树脂一般不透明，是有色的。因此，在如图8所示那样作为上述有机EL显示装置1制造底栅型有机EL显示装置的情况下，作为上述层间膜13进一步优选使用丙烯酸树脂等透明性树脂。
作为上述层间膜13的膜厚，只要能够弥补由于TFT12引起的台阶差即可，并无特别限定。在一个实施例中，例如为2μm。
接着，在层间膜13形成用于将第一电极21与TFT12电连接的接触孔13a。
接着，作为导电膜（电极膜），例如利用溅射法等，形成100nm的厚度的ITO（Indium Tin Oxide：铟锡氧化物）膜。
接着，在上述ITO膜上涂敷光致抗蚀剂，使用光刻技术进行图案形成，之后以三氯化铁为蚀刻液，对上述ITO膜进行蚀刻。之后，使用抗蚀剂剥离液剥离光致抗蚀剂，并进一步进行基板清洗。由此，在层间膜13上呈矩阵状形成第一电极21。
另外，作为在上述第一电极21使用的导电膜材料，例如能够使用ITO、IZO（Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物）、镓添加氧化锌（GZO）等透明导电材料、金（Au）、镍（Ni）、铂（Pt）等金属材料。
另外，作为上述导电膜的层叠方法，除溅射法以外，还能够使用真空蒸镀法、CVD（chemical vapor deposition，化学蒸镀）法，等离子CVD法、印刷法等。
作为上述第一电极21的厚度，没有特别的限定，能够如上所述为例如100nm的厚度。
接着，与层间膜13同样以例如约1μm的膜厚图案形成边缘覆盖物15。作为边缘覆盖物15的材料，能够使用与层间膜13同样的绝缘材料。
通过以上的工序，制作TFT基板10和第一电极21（S1）。
接着，对于经过上述那样的工序形成的TFT基板10，为了脱水而进行减压烘焙处理，作为第一电极21的表面清洗进行氧等离子体处理。
接着，使用现有技术中的蒸镀装置，在上述TFT基板10上，将空穴注入层和空穴输送层（本实施方式中为空穴注入层兼空穴输送层22）在上述TFT基板10的显示区域整个面蒸镀（S2）。
具体而言，将显示区域整个面开口的开口掩模，相对于TFT基板10进行对准调整后密接粘合，一边使TFT基板10和开口掩模一起旋转，一边将从蒸镀源飞散的蒸镀颗粒通过开口掩模的开口部在显示区域整个面均匀蒸镀。
此处所谓的对显示区域的整个面的蒸镀是指在相邻的颜色不同的子像素间连续地蒸镀。
作为空穴注入层和空穴输送层的材料，例如能够列举苯炔（benzyne）、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三唑、咪唑、噁二唑、聚芳烷烃、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、芪、苯并菲、氮苯并菲及它们的衍生物、聚硅烷类化合物、乙烯基咔唑类化合物、噻吩类化合物、苯胺类化合物等的链式共轭类的单体、低聚体或聚合体等。
空穴注入层和空穴输送层既可以如上述那样形成为一个整体，也可以作为独立的层形成。作为各个层的膜厚，例如为10～100nm。
在本实施例中，作为空穴注入层和空穴输送层，使用空穴注入层兼空穴输送层22，作为空穴注入层兼空穴输送层22的材料，使用4,4’-双[N-（1-萘基）-N-苯胺]联苯（α-NPD）。另外，空穴注入层兼空穴输送层22的膜厚为30nm。
接着，在上述空穴注入层兼空穴输送层22上，以覆盖边缘覆盖物15的开口部15R、15G、15B的方式，与子像素2R、2G、2B对应地分别分涂形成（图案形成）发光层23R、23G、23B（S3）。
如上所述，在发光层23R、23G、23B使用低分子荧光色素、金属络合物等发光效率高的材料。
作为发光层23R、23G、23B的材料，使用低分子荧光色素、金属络合物等发光效率高的材料。例如可以列举蒽、萘、茚、菲、芘、并四苯、苯并菲、蒽、二萘嵌苯、苉、荧蒽、醋菲烯、戊芬、并五苯、晕苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪和它们的衍生物、三(8-羟基喹啉)铝络合物、双(羟基苯并喹啉)铍络合物、三(联苯甲酰甲基)菲啰啉铕络合物、二甲苯酰乙烯基联苯等。
作为发光层23R、23G、23B的膜厚，例如为10～100nm。
本实施方式的蒸镀方法和蒸镀装置特别能够优选用于这样的发光层23R、23G、23B的分涂形成（图案形成）。
关于使用本实施方式蒸镀方法和蒸镀装置的发光层23R、23G、23B的分涂形成，在之后进行详细说明。
接着，利用与上述的空穴注入层和空穴输送层蒸镀工序（S2）相同的方法，以覆盖上述空穴注入层兼空穴输送层22和发光层23R、23G、23B的方式，在TFT基板10的显示区域的整个面蒸镀电子输送层24（S4）。
接着，利用与上述的空穴注入层和空穴输送层蒸镀工序（S2）同样的方法，以覆盖上述电子输送层24的方式，在TFT基板10的显示区域的整个面蒸镀电子注入层25（S5）。
作为电子输送层24和电子注入层25的材料，例如能够使用三（8-羟基喹啉）铝络合物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯基喹恶啉衍生物、噻咯衍生物等。
具体而言，能够列举Alq（三（8-羟基喹啉）铝络合物）、蒽、萘、菲、芘、蒽、二萘嵌苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪、1,10-菲咯啉及它们的衍生物和金属络合物、LiF等。
如上所述，电子输送层24和电子注入层25既可以作为一个整体也可以作为独立的层形成。各个层的膜厚例如为1～100nm。此外，电子输送层24和电子注入层25的合计膜厚例如为20～200nm。
在本实施例中，能够使用Alq作为电子输送层24的材料，使用LiF作为电子注入层25的材料。此外，电子输送层24的膜厚为30nm，电子注入层25的膜厚为1nm。
接着，利用与上述的空穴注入层和空穴输送层蒸镀工序（S2）同样的方法，以覆盖上述电子注入层25的方式，在TFT基板10的显示区域的整个面蒸镀第二电极26（S6）。
作为第二电极26的材料（电极材料），优选使用功函数（workfunction）小的金属等。作为这样的电极材料，例如镁合金（MgAg等）、铝合金（AlLi、AlCa、AlMg等）、金属钙等。第二电极26的厚度例如为50～100nm。
在本实施方式中，作为第二电极26形成50nm的膜厚的铝。由此，在TFT基板10上形成包括上述有机EL层、第一电极21和第二电极26的有机EL元件20。
接着，如图6所示那样通过粘接层30贴合形成有有机EL元件20的上述TFT基板10与密封基板40，进行有机EL元件20的封入。
作为上述密封基板40，例如能够使用厚度为0.4～1.1mm的玻璃基板或塑料基板等绝缘基板。此外，在本实施方式中，使用玻璃基板。
另外，密封基板40的纵向长度和横向长度既可以通过目标的有机EL显示装置1的尺寸适当地调整，也可以使用与TFT基板10的绝缘基板11大致相同的尺寸的绝缘基板，在对有机EL元件20进行密封后，根据作为目标的有机EL显示装置1的尺寸进行分断。
此外，作为有机EL元件20的密封方法，并不限定于上述方法。作为其它的密封方式，例如能够列举作为密封基板40使用雕刻玻璃、通过密封树脂和多孔玻璃（粉末玻璃）等呈框状进行密封的方法和在TFT基板10与密封基板40之间填充树脂的方法等。上述有机EL显示装置1的制造方法，不依赖于上述密封方法，能够适用所有的密封方法。
此外，也可以在第二电极26上，以覆盖该第二电极26的方式设置阻止水分和氧从外部侵入有机EL元件20内的、未图示的保护膜。
上述保护膜由绝缘性或导电性的材料形成。作为这样的材料，例如能够列举氮化硅和氧化硅。此外，上述保护膜的厚度例如为100～1000nm。
通过上述工序，有机EL显示装置1完成。
在这样的有机EL显示装置1，当通过来自配线14的信号输入而使TFT12为接通（晶体管Tr1、Tr2也为接通）时，从第一电极21向有机EL层注入空穴。另一方面，从第二电极26向有机EL层注入电子，空穴与电子在发光层23R、23G、23B内再耦合。在使再耦合的空穴和电子的能量失活时作为光射出。
在上述有机EL显示装置1，通过控制各子像素2R、2G、2B的发光亮度，显示规定的图像。
接着，对本实施方式的蒸镀装置的结构进行说明。
附图说明图1是从被成膜基板背面侧（即蒸镀面的相反侧）看本实施方式的蒸镀装置的真空腔室内的被成膜基板和掩模单元时的平面图。此外，为了便于图示，在图1中，被成膜基板以两点划线表示。此外，图2是本实施方式的蒸镀装置的真空腔室内的主要构成要素的俯视图。图3是示意地表示本实施方式的蒸镀装置的主要部分的概略结构的截面图。另外，图3相当于从图1所示的B－B线向视截面看到的蒸镀装置的截面。图4是表示本实施方式的蒸镀装置的结构的一部分的框图。
如图3所示，本实施方式的蒸镀装置50包括真空腔室60（成膜腔室）、基板移动机构70（基板移动单元、移动单元）、掩模单元80、图像传感器90、控制电路100（参照图4）。
如图3所示，在上述真空腔室60内设置有基板移动机构70、掩模单元80。
另外，在上述真空腔室60，为了在蒸镀时将该真空腔室60内保持为真空状态，设置有通过设置在该真空腔室60的未图示的排气口对真空腔室60内进行真空排气的未图示的真空泵。
上述基板移动机构70例如包括保持被成膜基板200（例如TFT基板10）的基板保持部件71（基板保持单元）和电动机72（参照图4）。
上述基板移动机构70通过基板保持部件71保持被成膜基板200，并且通过后述的电动机驱动控制部103（参照图4）使电动机72驱动，由此保持被成膜基板200并使其在水平方向上移动。另外，上述基板移动机构70既可以设置为在x轴方向和y轴方向中的任一方向上均能移动，也可以设置为能够向其中一个方向移动。
上述基板保持部件71使用静电卡盘。被成膜基板200通过上述静电卡盘，以没有因自重引起的弯曲的状态下，将与上述掩模单元80的后述的荫罩81之间的间隙g1（空隙，垂直间距离）保持为一定。
上述被成膜基板200与荫罩81之间的间隙g1优选为50μm以上、3mm以下的范围内，更优选为200μm左右。
在上述间隙g1不到50μm的情况下，导致被成膜基板200与荫罩81接触的可能性变高。
另一方面，如果上述间隙g1超过3mm，则通过荫罩81的开口部82的蒸镀颗粒扩散，所形成的蒸镀膜211的图案宽度变得过大。例如在上述蒸镀膜211为发光层23R的情况下，如果上述间隙g1超过3mm，则存在发光层23R的材料也被蒸镀在作为相邻的子像素的子像素2G、2B的开口部15G、15B的问题。
此外，只要上述间隙g1为200μm左右，就不会导致被成膜基板200与荫罩81接触，此外，蒸镀膜211的图案宽度的扩大也能够充分地变小。
此外，如图3所示，掩模单元80包括荫罩81（蒸镀掩模、掩模）、蒸镀源85、掩模保持部件87（保持单元）、掩模张紧机构88和闸门89（参照图4）。
作为上述荫罩81，例如使用金属制的掩模。
上述荫罩81形成为其面积比被成膜基板200的蒸镀区域210的面积小，其至少一个边比被成膜基板200的蒸镀区域210的宽度短。
在本实施方式中，作为上述荫罩81，使用具有以下的大小的矩形状（带状）的荫罩。如图1所示，上述荫罩81形成为作为其长度方向（长轴方向）的长度的长边81a的宽度d1比蒸镀区域210的与上述荫罩81的长边81a相对的边（在图1所示的例子中为蒸镀区域210的长边210a）的宽度d3长。此外，上述荫罩81形成为作为其宽度方向（短轴方向）的长度的短边81b的宽度d2比蒸镀区域210的与上述荫罩81的短边81b相对的边（在图1所示的例子中为蒸镀区域210的短边210b）的宽度d4短。
如图1和图2所示，在上述荫罩81，例如在一维方向上排列多个地配置有带状（条状）的开口部82（贯通孔）。在作为对被成膜基板200的蒸镀膜211（参照图3）的图案形成，例如进行TFT基板10的发光层23R、23G、23B的分涂形成的情况下，上述开口部82与这些发光层23R、23G、23B的同色列的尺寸和间距一致地形成。
此外，如图1所示，在上述荫罩81，例如沿被成膜基板200的扫描方向（基板扫描方向）设置有对准标记部83，在该对准标记部83，设置有用于进行被成膜基板200与荫罩81的对位（对准）的对准标记84（参照图3）。
在本实施方式中，如图1所示，上述对准标记部83沿上述荫罩81的短边81b（短轴）设置。
此外，如上所述，作为荫罩81，使用其长边81a的宽度d1比蒸镀区域210中的相对的边的宽度d3长，短边81b的宽度d2比蒸镀区域210中的相对的边的宽度d4短的荫罩，由此，能够在其长度方向两侧部（即，两个短边81b、81b）形成对准标记部83。因此，能够容易且精密地进行对准。
另一方面，如图1所示，在被成膜基板200，在蒸镀区域210的外侧，沿被成膜基板200的扫描方向（基板扫描方向）设置有对准标记部220，在该对准标记部220设置有用于进行被成膜基板200与荫罩81的对位的对准标记221（参照图3）。
在本实施方式中，如图1所示，上述对准标记部220沿被成膜基板200的蒸镀区域210的短边210b（短轴）设置。
在本实施方式中，上述条状的开口部82在作为基板扫描方向的荫罩81的短边方向上延伸设置，并且在与基板扫描方向正交的荫罩81的长边方向并列设置多个。
蒸镀源85例如为在内部收容蒸镀材料的容器，如图1～图3所示，在与荫罩81之间具有一定的间隙g2（空隙）（即，离开一定距离）地相对配置。
另外，上述蒸镀源85既可以为直接在容器内部收容蒸镀材料的容器，也可以为具有加载互锁式的配管的容器。
上述蒸镀源85例如具有向上方射出蒸镀颗粒的机构。
上述蒸镀源85在与荫罩81相对的面具有使上述蒸镀材料作为蒸镀颗粒射出（飞散）的多个射出口86。
在本实施方式中，如上所述，蒸镀源85配置在被成膜基板200的下方，被成膜基板200以上述蒸镀区域210朝向下方的状态被基板保持部件71保持。因此，在本实施方式中，蒸镀源85通过荫罩81的开口部82使蒸镀颗粒从下方向上方地蒸镀（向上沉积，以下记作“上沉”）在被成膜基板200。
如图1和图2所示，上述射出口86以在荫罩81的开口区域开口的方式分别与荫罩81的开口部82相对地设置。在本实施方式中，上述射出口86与荫罩81的开口部82相对地、沿荫罩81的开口部82的并列设置方向一维地排列。
因此，如图1和图2所示，在从被成膜基板200的背面侧看时（即在平面视图中），上述蒸镀源85的与荫罩81相对的面（积，射出口86的形成面）例如与矩形状（带状）的荫罩81的形状一致地呈矩形状（带状）形成。
在上述掩模单元80，上述荫罩81与蒸镀源85被相对地固定位置。即上述荫罩81与上述蒸镀源85的射出口86的形成面之间的间隙g2总被保持为一定，并且上述荫罩81的开口部82的位置与上述蒸镀源85的射出口86的位置总具有相同的位置关系。
另外，上述蒸镀源85的射出口86以在从上述被成膜基板200的背面看上述掩模单元80时（即，在俯视图中）位于上述荫罩81的开口部82的中央的方式配置。
如图3所示，上述荫罩81与蒸镀源85例如被设置在通过掩模张紧机构88保持并固定上述荫罩81和蒸镀源85的掩模保持部件87（例如同一保持部（holder）），由此成为一个整体，由此，其相对的位置被保持并固定。
此外，荫罩81通过掩模张紧机构88被施加张紧力（张力），被适当地调整为不产生自重导致的变形和伸长。
如上所述，在上述蒸镀装置50，被成膜基板200通过被吸附板吸附在基板保持部件71（静电吸盘）而防止自重导致的弯曲，通过掩模张紧机构88向荫罩81施加张紧力，由此，遍及被成膜基板200与荫罩81在平面上重叠的区域的整个面，被成膜基板200与荫罩81的距离被保持为一定。
此外，为了控制蒸镀颗粒到达荫罩81的情况，根据需要使用闸门89。闸门89根据来自后述的蒸镀开始（ON）/停止（OFF）控制部104（参照图4）的蒸镀停止信号或蒸镀开始信号、通过闸门驱动控制部105（参照图4）被封闭或开放。
上述闸门89例如为，在荫罩81与蒸镀源85之间以能够进退（能够插入）的方式设置。闸门89通过被插入荫罩81与蒸镀源85之间而封闭荫罩81的开口部82。
另外，在上述蒸镀装置50，也可以采用如下结构：从蒸镀源85飞散的蒸镀颗粒以在荫罩81内飞散的方式被调整，飞散至荫罩81外的蒸镀颗粒通过防附着板（遮蔽板）等被适当地除去。
此外，在上述真空腔室60的外侧，作为摄像单元（图像读取单元）例如设置有具备CCD的图像传感器90（参照图4），并且，作为控制单元设置有与上述图像传感器90连接的控制电路100。
上述图像传感器90作为用于进行被成膜基板200与荫罩81的对位的位置检测单元发挥作用。
此外，控制电路100包括图像检测部101、运算部102、电动机驱动控制部103、蒸镀开始/停止控制部104和闸门驱动控制部105。
如上所述，在被成膜基板200，如图1所示，在蒸镀区域210的外侧，例如沿基板扫描方向设置有对准标记部220，在该对准标记部220设置有对准标记221。
图像检测部101根据由图像传感器90取入的图像，进行设置在被成膜基板200的对准标记221及荫罩81的对准标记84的图像检测，并且根据设置在被成膜基板200的对准标记221的、表示蒸镀区域210的始端的始端标记和表示蒸镀区域210的终端的终端标记，检测被成膜基板200的蒸镀区域210的始端和终端。
另外，上述始端标记与终端标记也可以为相同的标记。在这种情况下，通过基板扫描方向判断是蒸镀区域210的始端还是终端。
此外，上述运算部102根据由图像检测部101检测出的图像决定被成膜基板200与荫罩81的相对的移动量（例如被成膜基板200的相对于荫罩81的移动量）。例如，上述运算部102计算对准标记221与对准标记84的偏移量（x轴方向和y轴方向上的偏移成分和xy平面的旋转成分），对被成膜基板200的基板位置的修正值进行运算并决定。即，上述修正值通过对与基板扫描方向垂直的方向和被成膜基板200的旋转方向进行运算来决定。
另外，此处所谓的被成膜基板的旋转方向是指以被成膜基板200的被成膜面的中心的z轴为旋转轴的、xy平面内的旋转的方向。
上述修正值作为修正信号被输出至电动机驱动控制部103，电动机驱动控制部103根据来自上述运算部102的修正信号驱动与基板保持部件71连接的电动机72，由此修正被成膜基板200的基板位置。
另外，关于使用对准标记84、221的基板位置修正，在之后与对准标记84、221的形状例一起进行说明。
电动机驱动控制部103驱动电动机72，由此使被成膜基板200如上述那样在水平方向上移动。
蒸镀开始/停止控制部104在由图像检测部101检测到蒸镀区域210的终端时，使蒸镀停止（OFF）信号产生，在由图像检测部101检测到蒸镀区域210的始端时使蒸镀开始（ON）信号产生。
闸门驱动控制部105在从上述蒸镀开始/停止控制部104输入蒸镀停止信号时封闭闸门89，另一方面，在从上述蒸镀开始/停止控制部104输入蒸镀开始信号时开放闸门89。
接着，对使用对准标记84、221的基板位置修正及对准标记84、221的形状例进行说明。
图5（a）～（c）表示上述对准标记84、221的形状的一个例子。其中，图5（b）、（c）分别根据图示的情况从并列配置的对准标记84、221中仅选择两个进行表示。
运算部102根据由图像检测部101检测出的对准标记84、221的图像，测定（计算）x轴方向上的对准标记84、221的端部（外缘部）间的距离r和y轴方向上的对准标记84、221的端部（外缘部）间的距离q，由此，计算对准的偏移量，对基板位置的修正值进行运算。
例如，在基板扫描方向为x轴方向的情况下，图5（a）～（c）中，r是基板扫描方向上的上述端部间的距离，q是与基板扫描方向垂直的方向上的上述端部间的距离。运算部102通过例如在被成膜基板200的蒸镀区域210的两侧测定（计算）距离r和距离q，计算基板扫描时的对准的偏移量。
另外，在本实施方式中，如后所述，以在扫描被成膜基板200的同时进行荫罩81与被成膜基板200的对准的情况为例进行了说明，但是并不限定于此，也能够在基板扫描前进行充分的对准，而在基板扫描中不进行对准。
例如，如后述的实施方式所示，考虑在使被成膜基板200沿被成膜基板200的蒸镀区域210的一个边（例如，图5（a）～（c）中，y轴方向）移动后，使其沿与上述边正交的边（例如，图5（a）～（c）中，x轴方向）移动。在这种情况下，图5（a）～（c）中，r是与基板扫描方向垂直的方向上的上述端部间的距离，q表示被成膜基板200的移动方向（偏移方向）的上述端部间的距离。
在这种情况下，运算部102通过测定四角的对准标记的距离r和距离q，计算基板扫描开始时的对准的偏移量和被成膜基板200的移动（偏移）时的对准的偏移量。
另外，如图5（a）～（c）所示，对准标记84、221的形状既可以为带状，也可以为正方形等矩形形状，还可以为框状、十字状等。对准标记84、221的形状并无特别限定。
此外，在如上述那样在基板扫描前进行充分的对准、在基板扫描中不进行对准的情况下，对准标记221不需要沿被成膜基板200的蒸镀区域210的侧面配置，配置在被成膜基板200的四角等即可。
接着，对使用本实施方式的上述蒸镀装置50作为有机EL显示装置1的制造装置、图案形成有机EL层的方法进行详细说明。
另外，在以下的说明中，对以下情况为例进行说明：如上述那样使用完成上述空穴注入层和空穴输送层蒸镀工序（S2）的阶段的TFT基板10作为被成膜基板200，作为有机EL层的图案形成，在发光层蒸镀工序（S3）进行发光层23R、23G、23B的分涂形成。
另外，在本实施方式中，设蒸镀源85与荫罩81之间的间隙g2（即，蒸镀源85的射出口86形成面与荫罩81之间的距离）为100mm、且作为被成膜基板200的上述TFT基板10与荫罩81之间的距离为200μm。
上述TFT基板10的基板尺寸在扫描方向上为320mm、在与扫描方向垂直的方向上为400mm，蒸镀区域（显示区域）的宽度在扫描方向上的宽度（宽度d4）为260mm，在与扫描方向垂直的方向上的宽度（宽度d3）为310mm。
此外，上述TFT基板10的各子像素2R、2G、2B的开口部15R、15G、15B的宽度为360μm（扫描方向）×80μm（与扫描方向垂直的方向）。此外，上述开口部15R、15G、15B间的间距为480μm（扫描方向）×160μm（与扫描方向垂直的方向）。另外，上述开口部15R、15G、15B间的间距（像素开口部间间距）表示相邻的子像素2R、2G、2B的各个开口部15R、15G、15B间的间距，而不是同色子像素间的间距。
此外，在荫罩81，使用长边81a（长轴方向）的宽度d1（与扫描方向垂直的方向上的宽度）为600mm、短边81b（短轴方向）的宽度d2（扫描方向上的宽度）为200mm的荫罩。此外，荫罩81的开口部82的开口宽度为150mm（长轴方向上的宽度d5；参照图1）×110μm（短轴方向上的宽度d6；参照图1），相邻的开口部82、82间的间隔d8（参照图1）为370μm，相邻的开口部82、82的中心间的间距p（参照图1）为480μm。
另外，在本实施方式中，作为上述荫罩81的短边81b的宽度d2（短边长度），优选200mm以上。其理由如下。
即，蒸镀率优选10nm/s，如果超过这一数值，则所蒸镀膜（蒸镀膜）的均匀性下降，有机EL特性下降。
此外，蒸镀膜的膜厚一般为100nm以下。当成为100nm以上时，所需的施加电压变高，结果所制造的有机EL显示装置的消耗电力增加。因此，能够从蒸镀率和蒸镀膜的膜厚估算到所需的蒸镀时间为10秒。
另一方面，为了通过限制处理能力（节拍时间（tacttime，单件工时））以150秒完成对例如宽度2m的玻璃基板的蒸镀，至少需要令扫描速度为13.3mm/s以上。处理时间150秒是能够大约每日处理570片的节拍时间。
为了以上述扫描速度如上述那样得到10秒的蒸镀时间，荫罩81的开口部82需要在扫描方向上开口至少133mm以上。
在假定从开口部82的端部至荫罩81的端部为止的距离（裕度（margin）宽度d7；参照图1）为30mm左右是恰当的情况下，荫罩81的扫描方向上的宽度需要为133＋30＋30≈200mm。
因此可以认为荫罩81的短边长度（宽度d2）优选200mm以上。不过蒸镀率和蒸镀膜的膜厚、节拍时间的容许量如果发生变化则不限于此。
此外，在本实施方式中，上述TFT基板10的扫描速度为30mm/s。
图9是使用本实施方式的蒸镀装置50在TFT基板10形成规定图案的成膜方法的一例的流程图。
以下，按照图8所示的流程对使用上述蒸镀装置50形成图10所示的发光层23R、23G、23B的方法进行具体说明。
首先，如图3所示，使用掩模保持部件87，通过掩模张紧机构88，将荫罩81设置（固定）在真空腔室60内的蒸镀源85上，以不产生自重导致的弯曲和伸长的方式通过掩模张紧机构88施加张紧力而保持为水平。此时，以在通过掩模保持部件87将蒸镀源85与荫罩81之间的距离保持为一定的同时、使得基板扫描方向与在荫罩81形成的条状的开口部82的长轴方向一致的方式，使用荫罩81的对准标记84进行对位，由此组装掩模单元80（掩模单元的准备）。
接着，将TFT基板10投入上述真空腔室60，以该TFT基板10的同色子像素列的方向与基板扫描方向一致的方式，使用作为被成膜基板200的TFT基板10的对准标记221，如图10所示那样进行粗略对准（S11）。TFT基板10以不产生自重导致的弯曲的方式由基板保持部件71保持。
接着，以TFT基板10与荫罩81之间的间隙g1（基板－掩模缝隙）为一定的方式进行缝隙调整，使TFT基板10与荫罩81相对配置，由此进行TFT基板10与荫罩81的对位（S13）。在本实施方式中，TFT基板10与荫罩81之间的间隙g1以遍及TFT基板10整体均成为大致200μm的方式进行缝隙调整。
接着，一边以30mm/s扫描上述TFT基板10，一边使红色的发光层23R的材料蒸镀在该TFT基板10上。
此时，以上述TFT基板10通过上述荫罩81上的方式进行基板扫描。另外，使用上述对准标记84、221，在扫描的同时进行精密的对准，使得荫罩81的开口部82与红色的子像素2R列一致（S14）。
上述发光层23R在其材料中使用3-苯基-4(1’-萘基)-5-苯基-1,2,4-三唑（TAZ）（主体材料）、和双(2-(2’-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3’)铱（乙酰丙酮）（btp2Ir(acac)）（红色发光掺杂剂），通过令各自的蒸镀速度为5.0nm/s、0.53nm/s使这些材料（红色有机材料）共同蒸镀而形成。
从蒸镀源85射出的上述红色有机材料的蒸镀颗粒，在上述TFT基板10从荫罩81上通过时，通过荫罩81的开口部82，被蒸镀在与荫罩81的开口部82相对的位置。在本实施方式中，在上述TFT基板10从荫罩81上完全通过之后，上述红色有机材料以膜厚25nm被蒸镀在上述TFT基板10。
由此，在TFT基板10，从其移动方向的一端部到另一端部，形成条状的蒸镀膜（参照图17）。
此处，参照图11对上述S14的对准的调整方法说明如下。
图11是表示对准调整方法的流程图。对准的调整按照图11所示的流程进行。
首先，利用图像传感器90取得作为被成膜基板200的上述TFT基板10的基板位置（S21）。
接着，根据利用上述图像传感器90取得的图像，利用图像检测部101进行上述TFT基板10的对准标记221和荫罩81的对准标记221的图像检测（S22）。
之后，根据利用上述图像检测部101检测出的对准标记221、84的图像，利用运算部102计算对准标记221与对准标记84的偏移量，对基板位置的修正值进行运算并决定（S23）。
接着，电动机驱动控制部103根据上述修正值驱动电动机72，由此修正基板位置（S24）。
接着，再次利用图像传感器90检测修正后的基板位置，重复S21～S25的工序（步骤）。
这样，根据本实施方式，通过利用图像传感器90重复地检测基板位置，修正基板位置，能够一边进行基板扫描一边修正基板位置，由此，能够在一边对TFT基板10与荫罩81进行精密对准一边进行成膜。
上述发光层23R的膜厚，能够根据往返扫描（即TFT基板10的往返移动）和扫描速度进行调整。在本实施方式中，在S14的扫描后，使TFT基板10的扫描方向反转，利用与S14同样的方法，在S14的上述红色有机材料的蒸镀位置进一步蒸镀上述红色有机材料蒸镀。由此形成膜厚50nm的发光层23R。
在本实施方式中，在S14所示的步骤之后，从上述真空腔室60取出形成有上述发光层23R的TFT基板10（S15），使用绿色的发光层23G形成用的掩模单元80和真空腔室60，与上述发光层23R的成膜处理同样地形成绿色的发光层23G。
此外，在这样形成发光层23G之后，使用蓝色的发光层23B形成用的掩模单元80和真空腔室60，与上述发光层23R、23G的成膜处理同样地形成蓝色的发光层23B。
即，在上述发光层23G、23B的成膜处理中，分别准备在与这些发光层23G、23B相当的位置具有开口部82的荫罩81。然后，将各个荫罩81设置在发光层23G、23B形成用的各真空腔室60，一边进行对准，使得各个荫罩81的开口部82与各子像素2G、2B列一致，一边对TFT基板10进行扫描，从而进行蒸镀。
上述发光层23G在其材料中使用（TAZ）（主体材料）和Ir（ppy）3（绿色发光掺杂剂），通过令各自的蒸镀速度为5.0nm/s、0.67nm/s使这些材料（绿色有机材料）共同蒸镀而形成。
此外，发光层23B通过在其材料中使用TAZ（主体材料）、和2-（4’-t-苯基）-5-（4”-联苯基）-1,3,4-噁二唑（t-Bu PBD）（蓝色发光掺杂剂），通过令各自的蒸镀速度为5.0nm/s、0.67nm/s使这些材料（蓝色有机材料）共同蒸镀而形成。
另外，上述发光层23G、23B的膜厚分别为50nm。
通过以上的工序，得到发光层23R、23G、23B图案形成为红（R）、绿（G）、蓝（B）的TFT基板10。
但是，在通过上述这样的荫罩81和TFT基板10的相对移动来形成蒸镀层（在此为有机EL元件20的发光层23R、23G、23B）时，能够考虑到存在下面这样的问题。图13是表示形成发光层23R、23G、23B前的阶段的TFT基板10的概略结构的图。
如图7所示，TFT基板10中，上述多个像素二维（在此为矩阵状）地排列。假设上述排列有多个像素的区域称为像素区域AG。
如上所述，配线14在像素区域AG内沿像素的排列方向网状地配置，以能够与外部电路电连接的方式，引出至像素区域AG的外侧。作为上述外部电路，例如为挠性膜配线FC、IC(Integrated circuit，集成电路)等。
于是，引出至像素区域AG的外侧的配线14的端子在像素区域AG的外侧的多个位置分开汇集。汇集有配线14的端子的区域称为端子部区域。
具体而言，设置多个上述端子部区域A1～A4，各端子部区域A1～A4以包围上述像素区域AG的方式，与构成上述矩阵的上述矩形的各边L1～L4的外侧相邻地（在各边L1～L4的外侧沿该边L1～L4）设置。
此外，在此，如图13所示，设位于像素区域AG的左侧的端子部区域为端子部区域A1，位于像素区域AG的右侧的端子部区域为端子部区域A2，位于像素区域AG的上侧的端子部区域为端子部区域A3，且位于像素区域AG的下侧的端子部区域为端子部区域A4。
于是，各配线14的各端子（除与第二电极26连接的端子之外）在与构成上述矩阵的矩形的4边L1～L4之中的最近的边相邻的端子部区域汇集。
此外，在图13中，当设左右方向为TFT基板10的移动方向时，端子部区域A1～A4中，接近于与上述TFT基板10的移动方向交叉的边L1、L2的端子部区域A1、A2称为交叉侧端子部区域A1、A2，接近于与TFT基板10的移动方向平行的边的端子部区域A3、A4称为平行侧端子部区域A3、A4。
另一方面，与第二电极26连接的连接部设置于与端子部区域A1～A4不同的区域。在本实施方式中，与第二电极26连接的连接部，在上述矩形的上下的边的外侧设置于相邻的区域。将设置有与第二电极26连接的连接部的区域称为第二电极连接部，如图13所示，位于上侧的第二电极连接部为第二电极连接部A5，位于下侧的第二电极连接部为第二电极连接部A6。
如图13所示，像素区域AG和第二电极连接部A5、A6由密封基板40密封，端子部区域A1～A4不密封，而是露出至外部。
图14是表示由密封基板40密封的TFT基板10连接到作为外部电路的一例的上述挠性膜配线FC之前的状态的图。图15是表示位于交叉侧端子部区域A1的配线14的端子周边的结构的图。
端子汇集在交叉侧端子部区域A1的配线14的端子，例如图15所示，在连接区域202，经各向异性导电粘接膜（ACF）等与挠性膜配线FC的连接端子FCT连接。端子汇集在交叉侧端子部区域A2和平行侧端子部区域A3、A4的配线14的端子也是同样的。
在此，对端子部区域A1～A4露出至外部的TFT基板10进行发光层23R等的有机膜的蒸镀处理时，通过上述这样的荫罩81与TFT基板10的相对移动，从TFT基板10的上述移动方向上的一个端部到另一个端部进行有机膜的蒸镀处理。
此时，在与上述移动方向交叉的方向，能够通过适当设定设置有开口部82的范围，使蒸镀区域与像素区域AG大致一致，避免在平行侧端子部区域A3、A4蒸镀有机膜。
但是，如图15所示，对上述交叉侧端子部区域A1、A2蒸镀有有机膜，从而交叉侧端子部区域A1、A2的端子的上述连接区域202被有机膜覆盖。如上述所示，通过荫罩81形成的有机膜为条状的图案膜，当将1条图案部分称为蒸镀部Q时，根据该蒸镀部Q与配线14的位置关系，能够考虑为交叉侧端子部区域A1、A2的端子的上述连接区域202被蒸镀部Q覆盖。
在有机膜具有高的电阻时，端子汇集在交叉侧端子部区域A1、A2的配线14，存在不能够确立与挠性膜配线FC的连接端子FCT的良好的电连接的问题。当不能实现与挠性膜配线FC的连接端子FCT的良好的电连接时，导致挠性膜配线FC从TFT基板10剥离、或者在该有机EL显示装置1发生显示不良。
另一方面，当上述有机膜的电阻低时，产生经有机膜发生电泄漏的问题。
因此，对于汇集于上述交叉侧端子部区域A1、A2的端子，需要研究避免有机膜的蒸镀形成的方案。以下，将要避免有机膜的蒸镀的区域称为无需蒸镀区域。
作为上述方案之一，考虑使用闸门89阻挡有机膜的蒸镀而防止向上述无需蒸镀区域的蒸镀。即，考虑在上述无需蒸镀区域到达荫罩81的开口部82的时刻，关闭闸门89。
但是，此时，上述开口部82在上述移动方向上具有一定的长度，因此在TFT基板10中，与开口部82相对的时间因部位而产生差别，在关闭闸门89的时刻，要蒸镀有机膜的区域有可能残留在荫罩81的开口部82上。在该状态下关闭闸门82时，存在该要蒸镀的一部分的区域的蒸镀量不足、不能够适当地确保该区域的蒸镀膜的膜厚的问题。
另一方面，在之后的工序中，采用通过有机溶剂进行的有机膜的擦取的方案时，存在上述有机溶剂的残渣残留、混入灰尘的问题产生。
于是，本实施方式的TFT基板10中，使配线14的端子（除连接有第二电极26的端子以外）避开蒸镀有蒸镀膜的部分（以下称为蒸镀部）地配置。
图16是表示1个TFT基板10的多个配线14的配线状态的图。图17是表示图16所示的配线14的端子周边的构造的放大图。此外，在图16、图17中，配线14标记为配线L。
在本实施方式中，形成于荫罩81（图2）的多个开口部82在与荫罩81和TFT基板10的相对移动的移动方向正交的方向上排列。因此，上述多个蒸镀部Q形成为在与上述移动方向对应的方向即图16中的左右方向上延伸的直线状，作为整体形成为条状。
在此，在本实施方式中，如图16、图17所示，将配置在交叉侧端子部区域A1、A2的配线L的端子，配置于在相邻的2个蒸镀部Q间形成的直线状的间隙X。
此外，在本实施方式中，在平行侧端子部区域A3、A4与位于这些区域A3、A4附近的上述边之间，设置有第二电极连接部A5、A6。其中，设置第二电极连接部A5、A6的位置不限定于该位置。
由此，能够避免对汇集在交叉侧端子部区域A1、A2的配线L的端子进行有机膜的蒸镀。其结果是，能够将配线L（栅极配线14G）的端子与挠性膜配线FC的连接端子FCT良好地电连接。
另外，不再需要如现有技术中那样在之后的工序中通过有机溶剂擦取形成在交叉侧端子部区域A1、A2的有机膜的作业，能够实现由于无需该擦取工序而带来的制造时间缩短、制造成本的削减。
另外，能够避免如现有技术那样通过有机溶剂进行蒸镀膜的擦取时，擦取不充分而容易残留残渣的问题，或擦取时产生异物、造成与外部电路的连接等不良而使有机EL显示装置的成品率降低的问题。进而，能够避免有机溶剂对密封基板40等造成损伤、有可能降低有机EL显示装置1的可靠性等的问题的产生。
另外，仅需改变TFT基板10上的配线的设计，因此无需追加工序或装置。
在本实施方式中，配置于交叉侧端子部区域A1、A2的配线L的端子，配置于在相邻的2个蒸镀部Q间形成的直线状的间隙X，并且，按配线L（与配线L对应地）设置间隙X，从像素区域AG引出至外部的配线L延伸设置于与该配线L对应的间隙X。
另一方面，在各间隙X配置有多个端子T，而且配置于各间隙X的多个端子T在该间隙X的延伸方向（图16、图17中的左右方向）上排列。
于是，一部分的配线L，以从像素区域AG横穿蒸镀部Q到达该配线14的端子T的方式配置。此外，在本实施方式中，上述一部分的配线L为位于除上下方向上的中央部分的配线L以外的配线L，但并不限定于此。另外，在此，从像素区域AG横穿蒸镀部Q到达该配线14的端子T的配线14为一部分的配线14，但并不限定于一部分，也可以为所有的配线14从像素区域AG横穿蒸镀部Q到达该配线14的端子T这样的配线设计。
例如图17所示，在最上侧的位置从像素区域AG引出的配线LP1的端子T1，和与该配线LP1相比位于下方1列的配线LP2的端子T2，配置于相同间隙XP，并且上述端子T1、T2在间隙XP的延伸方向上排列。
配线LP1、LP2从像素区域AG引出至与该配线LP1、LP2分别对应的间隙X1、X2，在途中的位置弯曲。于是，配线LP1以倾斜地横穿蒸镀部Q1～Q5（与蒸镀部Q1～Q5倾斜地交叉）到达配置于间隙XP的端子T1的方式配置，另外，配线LP2以倾斜地横穿蒸镀部Q2～Q5（与蒸镀部Q2～Q5倾斜地交叉）到达配置于间隙XP的端子T2的方式配置。
这样，将多个端子T配置于共用的间隙X，并且将上述多个端子T排列在上述间隙X的延伸方向（图16、图17中的左右方向）上，因此，对于交叉侧端子部区域A1、A2的尺寸，能够使与TFT基板10和荫罩81的相对移动的移动方向正交的方向上的长度H，与1个间隙X配置1个端子T的情况相比缩短。其结果是，能够使与在交叉侧端子部区域A1、A2配置的各端子T连接的挠性膜配线FC等的对应方向上的长度缩短。
此外，本实施方式在各间隙X的宽度为不足以配置多个配线14的长度的情况下（宽度为只能够配置1个配线14的情况下）特别有效。
本发明的被成膜基板，不限于本实施方式，也能够采用下面那样的变形方式。
[第二实施方式]
接着，针对本发明的第二实施方式进行说明。此外，在本实施方式中，主要对与上述第一实施方式不同的点进行说明，对于具有与在上述第一实施方式中使用的构成要素相同的功能构成要素，附加相同的编号，省略其说明。
图18是表示1个TFT基板10的多个配线14的第二实施方式的配线状态的图。图19是表示图18所示的配线14的端子周边的构造的放大图。此外，在图18、图19中，配线14表示为配线L。
在本实施方式的TFT基板10中，配线的配置方式与第一实施方式不同。
即，在本实施方式中，从像素区域AG引出至外部的配线L，按预先确定的多条（图18、图19中为2条）进行分组，各组与各间隙X分别对应。并且，在各间隙X，属于与该间隙对应的组的多个配线14与该间隙X的延伸方向平行地延伸设置。
另一方面，与上述第一实施方式同样地，在上述各间隙X配置有多个端子T，配置于各间隙X的多个端子T在该间隙X中排列在该间隙X延伸的方向（图18、图19中的左右方向）上。该点与上述第一实施方式是同样的。
在本实施方式中，当着眼于配置于1个间隙X的多个端子T时，具有距上述像素区域AG远的端子的配线L，以在距上述像素区域AG近的端子的附近位置与上述蒸镀部Q重叠并且避开上述近的端子T的方式配置。
例如图19所示，在最上侧的位置从像素区域AG引出的配线LP1’的端子T1’，和与该配线LP1’相比位于下方一列的配线LP2’的端子T2’，属于相同的组，配置于相同的间隙XP’。此时，端子T1’、T2’排列在间隙XP’的延伸方向。
配线LP1’、LP2’从像素区域AG引出至与该配线LP1’、LP2’对应的共用的间隙XP’，并在该间隙XP’延伸设置。另外，配线LP1'的端子T1’配置于与配线LP2’的端子T2’相比距像素区域AG远的位置。
配线LP2’直线地（保持专线状的状态）延伸设置到端子T2’的位置。另一方面，如箭头W所示，配线LP1’仅在端子T2的附近位置具有与上述蒸镀部Q重叠并且避开端子T2’的避开部分。
这样，将多个端子T配置于共用的间隙X，并且将上述多个端子T排列在上述间隙X的延伸方向（图18、图19中的左右方向）上，因此，对于交叉侧端子部区域A1、A2的尺寸，能够使与TFT基板10和荫罩81的相对移动的移动方向正交的方向上的长度H缩短。其结果是，能够使与配置于交叉侧端子部区域A1、A2的各端子连接的挠性膜配线FC等的对应方向上的长度缩短。
本实施方式在上述间隙X的数量比配线14（端子T）的数量少，间隙X的宽度具有配置多个配线14所需的宽度的情况下特别有效。
本发明不限定于上述各实施方式，能够在权利要求所示的范围内进行各种各样的变更，对于将不同的实施方式中分别公开的技术方案适当组合而成的实施方式，也包含在本发明的技术范围内。
例如，根据按各色改变有机膜的总厚度等的理由，在发光层以外，例如在空穴输送层，也能够如上述所述以按像素分涂有机层的方式使用上述荫罩进行蒸镀形成。该情况下，形成空穴输送层前的TFT基板10为本发明的被成膜基板的一例。
另外，蒸镀装置50也可以取代基板移动机构70而具备固定被成膜基板200的基板保持部件71（例如静电吸盘），并且具备保持荫罩81与蒸镀源85的相对的位置地、使掩模单元80相对于被成膜基板200相对移动的掩模单元移动机构。或者，也可以具备基板移动机构70和掩模单元移动机构的双方。
即，被成膜基板200和掩模单元80以其至少一个能够相对地移动的方式设置即可，在无论使哪一个移动的情况下，均能够得到本发明的效果。
不过，在上述那样使被成膜基板200相对于掩模单元80相对地移动的情况下，荫罩81和蒸镀源85只要相对的位置被固定即可，不必一定成为一个整体。
例如，上述掩模单元80也可以通过将蒸镀源85固定在真空腔室60的内壁的例如底壁，并且将掩模保持部件87固定在上述真空腔室60的内壁的任一处，来固定上述荫罩81与蒸镀源85的相对的位置。
此外，以上述荫罩81的开口部82与上述蒸镀源85的射出口86的配置一致地、各射出口86在俯视时位于任一开口部82内且开口部82与射出口86一对一地对应设置的情况为例进行了说明。但是，本实施方式并不限定于此。开口部82和射出口86并不是必须相对配置，此外，也并不必须一对一地对应。
此外，在本实施方式中，以荫罩81的开口部82和蒸镀源85的射出口86一维地排列的情况为例进行了说明。但是，本实施方式并不限定于此。荫罩81的开口部82与蒸镀源85的射出口86分别彼此相对地配置即可，也可以二维地排列。
此外，在本实施方式中，以荫罩81的开口部82和蒸镀源85的射出口86分别设置多个的情况为例进行了说明。但是，本实施方式并不限定于此。上述荫罩81至少具备一个开口部82即可，蒸镀源85至少具备一个射出口86即可。
即，荫罩81和蒸镀源85也可以具有分别仅设置一个开口部82和射出口86的结构。在这种情况下，也能够通过使掩模单元80和被成膜基板200中的至少一个相对地移动而将蒸镀颗粒通过荫罩81的开口部82依次蒸镀在被成膜基板200的蒸镀区域210，从而在被成膜基板200进行规定图案的成膜。
此外，在本实施方式中，对限制蒸镀流的扩散程度那样的机构并无特别记载，但是例如也可以在蒸镀源85与荫罩81之间插入将从射出口86输出的蒸镀流的扩散程度限制为一定的量那样的限制板。根据该结构，能够限制通过开口部82到达被成膜基板200的蒸镀区域210的蒸镀颗粒的入射角，因此能够进一步抑制被成膜基板上的图案的模糊。通过抑制该模糊，能够使间隙X进一步拓宽。
此外，在本实施方式中，以荫罩81具有狭缝状的开口部82的情况为例进行了说明。但是，上述开口部82的形状以能够得到所期望的蒸镀图案的方式适当地设定即可，并无特别限定。
此外，在本实施方式中，如上所述，以从TFT基板10一侧取出光的底部发光型有机EL显示装置1的制造方法为例进行了说明。但是，本实施方式并不限定于此。本发明在从密封基板40一侧取出光的顶部发光型有机EL显示装置1中也能够优选使用。
此外，在本实施方式中，以使用玻璃基板作为TFT基板10和密封基板40的支承基板的情况为例进行了说明，但是本实施方式并不限定于此。
作为这些TFT基板10和密封基板40的各支承基板，在有机EL显示装置1为底部发光型有机EL显示装置的情况下，除玻璃基板以外例如还能够使用塑料基板等透明基板。另一方面，在上述有机EL显示装置1为顶部发光型有机EL显示装置的情况下，作为上述支承基板，除上述那样的透明基板以外例如还能够使用陶瓷基板等不透明的基板。
此外，在本实施方式中，以阳极（在本实施方式中为第一电极21）呈矩阵状形成的情况为例进行了说明。但是，作为上述阳极，只要具有向有机EL层供给空穴的电极的功能即可，其形状、材质和大小并无特别限定，例如也可以呈条状形成。不过，考虑到有机EL元件的性质，优选阳极和阴极中的至少一个透明。一般使用透明的阳极。
此外，在本实施方式中，以在各像素具有TFT的有源矩阵方式的有机EL显示装置的制造方法为例进行了说明。但是，并不限于此，对于在各像素不具有TFT的无源矩阵方式的有机EL显示装置1，也能够优选适用本发明。
另外，本实施方式中的扫描速度、蒸镀速度等，适当设定即可。
另外，作为被成膜基板200的TFT基板10与荫罩81之间的间隙g1、上述蒸镀源85与荫罩81之间的间隙g2能够适当设定。
TFT基板10与荫罩81之间的间隙g1，只需在能够将间隙保持为一定且两者不接触的范围内适当调整即可。另外，上述间隙g2，只需考虑蒸镀颗粒的空间的扩散的分布和/或从蒸镀源85放射的热的影响适当调整即可。
另外，本发明不仅在有机EL显示装置1的制造中，而且在通过基板与荫罩的相对移动进行蒸镀的情况下，在蒸镀膜向端子部区域的形成成为问题的其他装置的制造中也能够适用。
[要点概要]
如上所述，考虑在本发明的实施方式的被成膜基板中，在与上述被成膜基板的相对移动方向正交的方向上排列上述多个开口部，将上述多个蒸镀部形成为在与上述相对移动方向对应的方向上延伸的直线状，在呈直线状形成的上述间隙配置上述各端子。
本发明的实施方式的被成膜基板中，在上述各间隙配置有多个端子。
根据该方式，在上述各间隙配置多个端子，因此即使在多个配线（端子）的数量比上述间隙的数量多的情况下，也能够避免对各端子进行蒸镀。
本发明的实施方式的被成膜基板中，配置于上述各间隙的多个端子在该间隙中排列在该间隙延伸的方向上，上述配线的至少一部分从上述像素区域横穿上述蒸镀部到达该配线的端子。该方式在上述间隙的宽度不具有配置多个配线的量的宽度的情况下特别效果。
本发明的实施方式的被成膜基板中，配置于上述各间隙的多个端子在该间隙中排列在该间隙延伸的方向上，在上述各间隙平行配置有多个配线，在配置于该间隙的多个配线中，具有距上述像素区域远的端子的配线具有用于避开距上述像素区域近的端子的避开部分，该避开部分的至少一部分与上述蒸镀部重叠。该方式在上述间隙的数量比上述配线（端子）的数量少，上述间隙的宽度具有配置多个配线所需的宽度的情况下特别有效。
本发明的实施方式的有机EL显示装置，具备形成有蒸镀部的上述任一个实施方式的被成膜基板，上述蒸镀部包含通过被供给电流而发光的有机EL元件。
根据该实施方式，能够实现一种有机EL显示装置，其能得到通过上述任一实施方式而实现的效果。
产业上的可利用性
本发明的被成膜基板，例如能够优选用于有机EL显示装置的有机层的分涂形成等的成膜处理中使用的、有机EL显示装置的制造装置和制造方法等。
符号说明
1   有机EL显示装置
2   像素
10  TFT基板（被成膜基板）
26  第二电极
50  蒸镀装置
81  荫罩（蒸镀掩模）
82  开口部
85  蒸镀源
86  射出口
200 被成膜基板
210 蒸镀区域
211 蒸镀膜（蒸镀部）
14  配线
AG  像素区域

Claims (6)

1.一种被成膜基板，其利用蒸镀装置形成有蒸镀部，所述蒸镀装置具有：具备用于射出蒸镀颗粒的射出口的蒸镀源；和与所述蒸镀源相对配置、且具备从所述射出口射出的蒸镀颗粒通过的多个开口部的蒸镀掩模，所述蒸镀颗粒经所述开口部被蒸镀而形成所述蒸镀部，所述被成膜基板的特征在于：
所述被成膜基板具有在像素区域二维地排列的多个像素和与各像素电连接的多个配线，
以所述像素区域通过与所述开口部相对的区域的方式，使该被成膜基板相对于所述蒸镀掩模在一个方向上相对移动，并且从所述射出口射出所述蒸镀颗粒，由此，在包含所述像素区域的区域相互隔着间隙地形成多个蒸镀部，
所述多个配线的各端子配置于所述间隙。
2.如权利要求1所述的被成膜基板，其特征在于：
所述多个开口部在与所述被成膜基板的相对移动方向正交的方向上排列，
所述多个蒸镀部形成为在与所述相对移动方向对应的方向上延伸的直线状，
所述各端子配置于呈直线状形成的所述间隙。
3.如权利要求2所述的被成膜基板，其特征在于：
在所述各间隙配置有多个端子。
4.如权利要求3所述的被成膜基板，其特征在于：
配置于所述各间隙的多个端子在该间隙中排列在该间隙的延伸方向上，
所述配线的至少一部分从所述像素区域横穿所述蒸镀部到达该配线的端子。
5.如权利要求3所述的被成膜基板，其特征在于：
配置于所述各间隙的多个端子在该间隙中排列在该间隙的延伸方向上，
在所述各间隙平行配置有多个配线，
在配置于该间隙的多个配线中，具有距所述像素区域远的端子的配线具有用于避开距所述像素区域近的端子的避开部分，该避开部分的至少一部分与所述蒸镀部重叠。
6.一种有机EL显示装置，其特征在于：
包括形成有蒸镀部的权利要求1至5中任一项所述的被成膜基板，
所述蒸镀部包含通过被供给电流而发光的有机EL元件。
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