CN1737653A - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种液晶显示装置，其包括：第一面板，包括第一部分和第二部分，其中第一部分的高度小于第二部分的高度；第二面板，与第一面板相对；间隔件，夹置在第一面板和第二面板之间，并且接触第一面板的第一部分；以及液晶层，夹置于第一面板和第二面板之间。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示装置。
背景技术
液晶显示装置(LCD)是目前最广泛使用的平面显示装置之一。LCD装置包括两个面板，其设置有场产生电极，例如，像素电极和共电极；以及夹置于其间的液晶层。LCD装置通过向场产生电极施加电压而在LC层产生电场，其决定了LC层上的LC分子的定向，以调整入射光的极性。
LCD装置还包括薄膜晶体管(TFT)以及多个用于将信号传送到TFT的信号线，其包括用于传送栅极信号的栅极线，用于传送数据信号的数据线，以及接收共电压并与像素电极重叠的存储电极线。
LCD装置还包括多个隔离件，其形成填充有LC层的缝隙。该隔离件包括不规则地铺展在面板上的珠状隔离件以及规则地设置在面板上的柱状间隔件或刚性间隔件。
柱状隔离件通常通过涂覆、曝光、显影由光刻胶膜形成。柱状间隔件通常设置在诸如信号线和薄膜晶体管等的不透明元件上。
LCD装置通常会遭受到压力或碰撞。而碰撞通常会使得柱状隔离件滑离其最初的位置，并且间隔件由于其本身的弹性会尽力回复其初始位置。
然而，如果在回复路径上具有诸如台阶的障碍物，则间隔件将不能返回到其初始原始而是保持在被扭曲的位置。
发明内容
本发明的目的在于提供一种液晶显示装置。
根据本发明第一方面的液晶显示装置，包括：第一面板，包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分的高度小于所述第二部分的高度；第二面板，与所述第一面板相对；间隔件，设置在所述第一面板和所述第二面板之间，并接触所述第一面板的第一部分；以及液晶层，夹置于所述第一面板和所述第二面板之间。
所述间隔件可形成于所述第二面板，也可接近所述第一面板的第二部分设置。
优选地，所述第二部分为不透明的，并且所述间隔件接近所述第一面板的第二部分设置。
优选地，所述第一面板的第二部分覆盖所述第一面板的第一部分。
其中，第一面板的第一部分包括像素电极，并且所述第一面板的第二部分包括信号线。所述第二面板包括共电极，其与所述像素电极一起产生电场。
优选地，所述第二面板包括阻光件，其与所述第一面板的第二部分相对，并且与所述第一面板的第一部分部分地相对。
优选地，所述间隔件与所述阻光件重叠。
优选地，所述像素电极和所述共电极中的至少一个是透明的。
优选地，还包括设置在所述第一面板和所述第二面板的其中一个上的滤色镜。所述滤色镜包括红色滤色镜、绿色滤色镜、和蓝色滤色镜。优选地，所述间隔件与所述蓝色滤色镜重叠。
优选地，所述第一面板的第一部分包括板状导体，所述第一面板的第二部分包括杆状导体。
根据本发明第二方面的液晶显示装置，包括：第一面板，包括第一基片、设置在所述第一基片上的多个信号线、连接到所述信号线的多个薄膜晶体管、以及连接到所述薄膜晶体管上的第一和第二像素电极；第二面板，与所述第一面板相对；间隔件，设置在所述第一面板和所述第二面板之间，并且接近所述信号线设置；以及液晶层，夹置在所述第一面板和所述第二面板之间，其中所述间隔件与所述第一像素电极相对，而不与所述第二像素电极相对。
其中，所述间隔件可形成于所述第二面板。
优选地，所述信号线包括多个栅极线以及多个横跨所述栅极线的数据线。所述信号线包括多个存储电极线，其与所述第一和第二像素电极重叠。
优选地，还包括设置在所述第一面板和所述第二面板的其中一个上的多个滤色镜。其中，滤色镜包括红色滤色镜、绿色滤色镜、以及蓝色滤色镜。优选地，所述间隔件与所述蓝色滤色镜重叠。
根据本发明第三方面的液晶显示装置，包括：第一面板，包括第一基片、设置在所述第一基片上的多个信号线、连接到所述信号线上的多个薄膜晶体管、以及连接到所述薄膜晶体管并具有相同形状的第一和第二像素电极；第二面板，与所述第一面板相对，并且包括阻光件，所述阻光件包括与所述第一像素电极相对的第一开口以及与所述第二像素电极相对的第二开口；设置在所述阻光件上的多个间隔件，接触所述第一面板，并与所述第二像素电极相对；以及液晶层，夹置在所述第一面板和所述第二面板之间。
优选地，所述间隔件接近所述信号线设置。
优选地，所述第二开口的区域小于所述第一开口的区域。
附图说明
通过以下结合附图对本发明的优选实施例的详细描述，可以更好地理解本发明，其中：
图1是根据本发明的一个实施例的TFT阵列面板的布局图；
图2是沿着图1中的II-II′线截取的TFT阵列面板的截面图；
图3是沿着图1中的III-III′-III″线截取的TFT阵列面板的截面图；
图4是根据本发明的另一个实施例的LCD的布局图；
图5是沿着图4中的V-V′线截取的LCD的截面图
图6是沿着图4中的VI-VI′-VI″线截取的截面图；以及
图7是沿着图1中的II-II′线截取的LCD的截面图。
具体实施方式
以下将参照附图对本发明进行更加详细地描述，其中附图示出了根据本发明的优选实施例。然而，本发明可具有各种不同的实施方式而并不局限于在此示出的实施例。
附图中，为清楚起见，扩大了层和区域的厚度。通篇说明书中，相同的标号指向相同的元件。可以理解，当诸如层、薄膜、区域、基片、或面板等的元件位于另一个元件“之上”时，是指可直接位于另一个元件之上，也可能在其间存在干涉元件。相反地，当元件“直接”位于另一个元件之上时，是指其间没有干涉元件。
下面参照附图1、2、和3描述根据本发明的一个实施例的LCD装置。
图1是根据本发明的一个实施例的LCD装置的布局图，图2及图3分别是沿图1中的II-II′线及III-III′-III″线的LCD的截面图。
参照图1-3，根据本发明一个实施例的LCD装置包括TFT阵列面板100、共电极面板200、以及夹置于TFT阵列面板100和共电极面板200之间的LC层3。
以下详细描述TFT阵列面板100。
在绝缘基片110上形成多个栅极线121和多个存储电极线131，其可以由透明的玻璃或塑料构成。
栅极线121传送栅极信号并基本在横向延伸。栅极线121包括向下突出的栅极电极124以及具有较大区域以与另一层或外部驱动电路接触的端部129。用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未示出)可安装在柔性印刷电路(FPC)薄膜(未示出)上，其可附着在基片110上、直接安装在基片110上、或与基片110集成。栅极线121可延伸到与驱动电路(未示出)连接，而该驱动电路可与基片110集成。
存储电极线131接收预定电压，并且每一个均包括茎杆，其余栅极线121基本平行地延伸；以及一对第一和第二存储电极133a和133b，其从茎杆在纵向延伸。存储电极线131设置在两个相邻的栅极线121之间，并且茎杆接近两个相邻的栅极线121中的下方的那一个。第一和第二存储电极133a和133b的形状均为直杆状，并具有连接到茎杆的固定端部以及相对设置在其上并接近栅极线121设置的自由端部。由于栅极电极124向下突出，第一存储电极133a的固定端部沿着横向面对栅极电极124，并且第二存储电极133b比第一存储电极133a更短。然而，可以理解，存储电极线131可具有各种的形状和排布。
在根据本发明的实施例中，制成栅极线121和存储电极线131的材料包括但不限于：诸如AI和AI合金的含AI金属、诸如Ag和Ag合金的含Ag金属、诸如Cu和Cu合金的含Cu金属、诸如Mo和Mo合金的含Mo金属、Cr、Ta、或Ti。然而，栅极线121和存储电极线131还可具有包括具有不同物理特性的两导电薄膜(未示出)的多层结构。制成两导电薄膜中的一个的材料包括但不限于：包括含AI金属、含Ag金属、以及含Cu金属的低阻抗金属，从而可以降低信号延迟或电压下降。制成另一个导电薄膜的材料包括但不限于：诸如含Mo金属、Cr、Ta、或Ti的金属，其与诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的其他材料相比具有更好的物理、化学、和电特性。两薄膜结合的示例可以是下部为Cr薄膜，上部为AI(合金)薄膜，以及下部为AI(合金)薄膜而上部为Mo(合金)薄膜。然而，可以理解，栅极线121和存储电极线131可以是各种金属或导体制成。
栅极线121以及存储电极线131的侧面相对基片110的表面倾斜，并且其倾斜角度为约30度到约80度。
制成栅极绝缘层140的材料包括但不限于：在栅极线121和存储电极线131上形成的氮化硅(SiNX)或氧化硅(SiOX)。然而，可以想到，绝缘层140也可由其他任意的合适材料制成。
制成多个半导体带151的材料包括但不限于：在栅极绝缘层140上形成的氢化的非晶硅(缩写为“a-Si”)或多晶硅。半导体带151在纵向延伸并且越接近栅极线121和存储电极线131越变宽，从而半导体带151覆盖了栅极线121和存储电极线131的较大区域。半导体带151包括朝向栅极电极124分叉的突起。
多个欧姆接触带和欧姆接触岛165形成于半导体带151上。形成欧姆接触带和岛165的材料包括但不限于：重掺杂n型杂质，例如磷的n+氢化a-Si，或其也可由硅化物制成。各个欧姆接触带包括突起163。各突起163和欧姆接触岛165成对地设置在半导体带151的突起154上。
半导体带151和欧姆接触带和岛165的侧面相对于基片110的表面倾斜，并且其倾斜角的范围包括但不限于约30度到约80度。
在欧姆接触带和岛165以及栅极绝缘层140上形成数据线171和漏极电极175。
数据线171传送数据信号并且在纵向延伸，以横跨(traverse)栅极线121和存储电极线131。数据线171也横跨存储电极线131并且在相邻的一对存储电极133a和133b之间延伸。数据线171包括多个源极电极173，每一个源极电极均朝向栅极电极124突起，以及具有较大区域以接触另一层或外部驱动电路的端部179。数据线171的形状可以是弯曲的，例如，在特定的实施例重，数据线171的形状与字母“J”相似。用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可安装在FPC(未示出)薄膜上，其可附着在基片110上，可直接安装在基片110上，或与基片110集成。数据线171可延伸连接到驱动电路，该驱动电路可与基片110集成。
漏极电极175与数据线171分离，并且相对于栅极电极124与源极电极173相对设置。漏极电极175包括宽的端部和窄的端部。该宽的端部与存储电极线131重叠，而窄的端部被源极电极173部分覆盖。
栅极电极124、源极电极173、以及漏极电极175与半导体带151的突起154形成具有沟槽的TFT，该沟槽形成于设置在源极电极173和漏极电极175之间的突起154上。
制成数据线171和漏极电极175的材料包括但不限于：诸如CR、Mo、Ta、Ti、或其合金的难熔金属。然而，数据线171和漏极电极175还可具有包括难熔金属薄膜(未示出)以及低阻抗薄膜(未示出)的多层结构。该多层结构的示例为双层结构，其包括底层的Cr/Mo(合金)薄膜以及上层的AI(合金)薄膜；以及三层结构，其包括底层的Mo(合金)薄膜、中间层的AI(合金)薄膜、以及上层的Mo(合金)薄膜。然而，可以理解，数据线171和漏极电极175可由各种金属或导体制成。
数据线171和漏极电极175具有倾斜边缘轮廓，并且其倾斜角的范围从约30度到约80度。
姆接触带和岛165夹置于下层半导体带151以及下层导体171和175之间，因此降低了其间的接触阻抗。尽管半导体带151通常比数据线171窄，但是，如上所述，半导体带151的宽度约接近数据线121和存储电极线131约大，从而使得表面轮廓平滑，因此防止数据线171的断开。半导体带151包括一些外露部分，其没有被数据线171和漏极电极175覆盖，例如位于源极电极173和漏极电极175之间的部分。
钝化层180形成于数据线171、漏极电极175、以及半导体带151的外露部分。形成钝化层180的材料包括但不限于：有机或无机绝缘体，其可具有平顶面。无机绝缘体的示例包括氮化硅和氧化硅。有机绝缘体可具有小于4.0的光敏性和介电常数。钝化层180还可包括由无机绝缘体制成的下部薄膜以及由有机绝缘体制成的上部薄膜，从而其具有极好的有机绝缘体的绝缘特性，从而防止半导体带151的外露部分被有机绝缘体损坏。
钝化层180具有分别露出数据线171的端部179以及漏极电极175的第一接触孔182和第二接触孔185。钝化层180以及栅极绝缘层140具有第三孔181，用于露出栅极线121的端部129；第四接触孔183a，用于露出接近存储电极133a的固定端部的存储电极线131的部分；以及第五接触孔183b，用于露出存储电极133a的自由端部。
多个像素电极191、多个架桥(overpass)83、多个第一接触辅助件(assistant)81、以第二接触辅助件82形成在钝化层180上。形成钝化层的材料包括但不限于：诸如ITO或IZO的透明导体或诸如Ag、AI、Cr、或其合金的发射导体。
像素电极191通过第二接触孔185物理和电性地连接到漏极电极175，从而像素电极191从漏极电极175接收数据电压。像素电极191接收数据电压并产生与共电极面板200的共电极270相对应的电场。共电极270接收共电压，其决定夹置于像素电极191和共电极270之间的液晶层3的液晶分子的定向。像素电极191和共电极270形成称为“液晶电容器”的电容器，其在TFT关闭之后存储供给电压。
像素电极191与存储电极线131重叠，该存储电极线包括一对第一和第二存储电极133a和133b，从而像素电极191完全覆盖存储电极线131的茎杆。像素电极191的左右边设置在一对第一和第二存储电极133a和133b上。像素电极191和漏极电极175连接到其上并形成另外的称为“存储电容器”的电容器，其具有存储电极线131，其可以提高液晶电容器的电压存储容量。
另外，像素电极191还与设置在邻近像素电极191的栅极线121重叠，从而可增加孔径比。像素电极191的上部边缘设置在栅极线121上，并且沿着栅极线121的下部边缘延伸。
架桥83横跨栅极线121，并连接到存储电极线131的露出部分上以及连接到分别通过第四接触孔183a和第五接触孔183b露出的第一存储电极133a的自由端部的线性分叉上(其相对于栅极线121彼此相对设置)。包括存储电极133a和133b的存储电极线131以及架桥83可用于修复有缺陷的栅极线121、数据线171、或TFT。
第一接触辅助件81和叠接触辅助件82分别通过第三接触孔181和第一接触孔182而连接到栅极线121的端部129以及数据线171的端部179。第一接触辅助件81和第二接触辅助件82保护端部129和179，并且提高端部129、179以及外部装置之间的粘接性。
在像素电极191和钝化层180上形成校直层11，其可以是均匀的或垂直(homeotropic)的。
以下参照附图2-附图4描述共电极200。
称为黑阵的、用于防止光泄漏的阻光件200形成于由透明玻璃或塑料制成的绝缘基片210上。阻光件220具有与像素电极191相对的第一开口225以及第二开口226。可以理解，阻光件200可具有多个第一和第二开口。第一开口225和第二开口226的边界设置在像素电极191并且沿着像素电极191的边界延伸。第一开口225的所有边缘接近像素电极191的边缘设置，以露出第一存储电极的固定端部和栅极电极124之间的区域。然而，第二开口226具有与像素电极191的上部边缘间隔的上部边缘，从而阻光件220覆盖第一存储电极和栅极电极124之间的固定端部。阻光件220还覆盖设置有像素电极191的显示区域的边界。
多个滤色镜230形成于基片210上，并基本设置在被阻光件220覆盖的区域，从而使得滤色镜230的边缘设置在阻光件220上。滤色镜230沿着像素电极191的纵向延伸。如图1所示，滤色镜230代表其中的一个原色，例如，红R、绿G、以及蓝B。
在滤色镜230以及阻光件220上形成涂层(overcoat)250。该涂层250例如可由绝缘体制成，并且其可以防止滤色镜230露出，并且形成平面。
共电极270形成在涂层250上。共电极270的材料包括但不限于：诸如ITO和IZO的透明导电材料。
多个柱状间隔件320形成在共电极270上并且与阻光件220相对设置。柱状间隔件320例如可由弹性绝缘材料制成，并具有接触部，该接触部接触TFT阵列面板100，以支撑TFT阵列面板100和共电极面板200。间隔件320面对共电极191，并且设置在被第一存储电极的固定端部、栅极线121、栅极电极124、以及第二开口226的上部边缘覆盖的区域上。
然而可以理解，在TFT阵列面板100上接触间隔件320的位置并不局限于上述。
在根据本发明的实施例重，间隔件320可以接触TFT阵列面板100的任意位置(与TFT阵列面板100的其他位置相比相对较低)，并可具有平面。在该结构中，尽管由于施加到面板100和200上的压力或碰撞使得间隔件320的接触部滑离正确位置，该接触部也可返回到正确的位置。相反，如果间隔件320设置在相对TFT阵列面板100的其他位置的较高位置，并且仅占据较小的区域，则如果间隔件320的接触部滑离较高位置而到达较低位置，由于较高位置和较低位置之间的台阶使得该接触部将不能够返回到初始位置。
在另一个实施例中，接触位置接近不透明件，例如栅极线121、存储电极131、数据线171等而设置，以便能够降低光的泄漏。
在另一个实施例中，如图1所示，间隔件320设置在蓝色滤色镜B上，这是由于与红色和绿色相比，人眼对蓝色的敏感性较低。
在共电极270和间隔件320上形成均匀的或垂直的校直层21。
在根据本发明的实施例中，一对偏光器12和22分别设置在面板100和200的外表面。然而，可以理解，当LCD装置是反射型LCD装置时，其中的一个偏光器12和22可以省略。
LCD装置还包括延迟薄膜(未示出)，用于补偿LC层3的延迟。该延迟薄膜具有双折射，并且提供与LC层3的延迟相对的延迟。
LCD装置还包括背光单元(未示出)，用于通过偏光器12和22、延迟薄膜、以及面板100和200向LC层3提供光。
LC层3可具有正的或负的介电各向异性，并且在没有电场时可进行水平校直或垂直校直。
以下将参照图4、图5、图6描述根据本发明另一实施例的LCD装置。
图4是根据本发明的另一个实施例的LCD的布局图；图5是沿着图4中的V-V′线截取的LCD的截面图；图6是沿着图4中的VI-VI′-VI″线截取的截面图。
参照图4-图6所示，根据本发明实施例的LCD装置包括TFT阵列面板100、共电极面板200、以及夹置于面板100和200之间的LC层。
对于TFT阵列面板100，包括栅极电极124和端部129的栅极先121、以及包括存储电极133a和133b的存储电极先131形成于基片110上。栅极绝缘层140、包括突起154的半导体带151、以及包括突起163的欧姆接触层161和165顺次形成在栅极线121和存储电极线131。包括源极电极173和端部179和漏极电极175的数据线171形成于欧姆接触层161和165。钝化层180形成于数据线171、漏极电极175、以及半导体154的露出部分。第三接触孔181、第一接触孔182、以及第二接触孔185设置在钝化层180和栅极绝缘层140上。像素电极191、架桥83、第一接触辅助件81、以及第二接触辅助件82形成于钝化层180，并且校直层11涂覆于其上。
对于共电极面板200，阻光件220、滤色镜230、涂层250、共电极270、柱状间隔件320、以及校直层21形成于绝缘基片210上。
在LCD的可选实施例中，半导体带151具有与数据线171和漏极电极175以及下层的欧姆接触层161和165相同形状的平面形。然而，半导体带151也可包括一些外露部分，其没有覆盖数据线171和漏极电极175，例如其可为源极电极173和漏极电极175之间的部分。
根据本发明实施例的TFT阵列面板的制造方法通过采用一个光刻步骤同时形成数据线171、漏极电极175、半导体带151、以及耦合接触层161和165。
在另一个实施例中，用于光刻工艺的光刻胶掩模具有取决于位置的厚度，并且特别地，其具有较厚的部分和较薄的部分。较厚的部分位于布线区域，该区域被数据线171和漏极电极175占据，并且较薄的部分位于TFT的沟槽区域。
获得光刻胶的取决于位置的厚度的几种方法包括但不限于：在曝光掩模以及透明区域形成半透明的区域以及形成阻光的不透明区域。半透明区域可为狭缝样式或格子样式。可选择地，半透明薄膜可以是具有中间透射比或中间厚度的薄膜。当采用狭缝样式的半透明区域时，狭缝的宽度或狭缝之间的距离可以小于用于光刻法的曝光器的分辨率。在另一个实施例中，可使用可回流的光刻胶。一旦由回流材料制成的光刻胶图样采用具有透明区域和不透明区域的曝光掩模形成，其将经历回流工艺，该回流工艺包括流到没有光刻胶的区域。回流工艺可用于形成较薄的部分。
在另一个实施例中，通过省略光刻步骤可简化制造工艺。图1-3所示的LCD装置的许多特征可应用到图4-6所示的LCD装置中。
以下参照详细地描述根据本发明另一个实施例所示的LCD装置。
图7是沿着图1中的II-II′线截取的LCD的截面图。
参照图7所示，LCD装置包括TFT阵列面板100、共电极面板200、夹置于面板100和200之间的LC层3、以及设置在面板100和200的外表面上的一对偏关器12和22。
对于TFT阵列面板100，包括栅极电极124的栅极线121、以及包括存储电极133a和133b的存储电极线131形成于基片110上。栅极绝缘层140、包括突起154的半导体带151、以及包括突起163的欧姆接触层161和165顺次形成在栅极线121和存储电极线131。包括源极电极173、端部179、以及漏极电极175的数据线171形成于欧姆接触层161和165以及栅极绝缘层140。钝化层180形成于数据线171、漏极电极175、以及半导体154的露出部分上。第三接触孔181、第一接触孔182、以及第二接触孔185设置在钝化层180和栅极绝缘层140上。像素电极191、架桥83、第一接触辅助件81、以及第二接触辅助件82形成在钝化层180上，并且在其上涂覆有校直层11。
在另一个实施例中，共电极面板200、阻光件220、滤色镜230、涂层250、共电极270、以及校直层21形成在绝缘基片210上。
在LCD装置的另一个实施例中，柱状间隔件320形成于像素电极191，而该像素电极形成于TFT阵列面板100上。可选择地，TFT阵列面板100可包括滤色镜230，其设置在钝化层180的下方，并且共电极面板200没有滤色镜230。在该实施例中，涂层250可从共电极面板200上移走。
滤色镜230可设置在相邻的两数据线171之间，并且具有通孔235，接触孔185穿过该通孔。滤色镜230没有设置在外围区域，该外围区域设置有信号线121和171的端部129和178。
滤色镜230可沿着纵向延伸以形成带，并且相邻的滤色镜230的边缘可彼此在数据线171上匹配。然而，可以想到，滤色镜230也可彼此重叠并且阻挡两像素电极191之间泄漏的光、此外，滤色镜也可彼此间隔。
在另一个实施例中，滤色镜230可设置在钝化层180上。然而，可以想到也可省略钝化层180。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
标号说明：
11、21：校直层
12、22：偏光器
81、82：接触辅助件
83：架桥
100、200：面板
110、210：绝缘基片
121、129：栅极线
124：栅极电极
131：存储电极线
133a、133b：存储电极
140：栅极绝缘层
151、154：半导体
161、163、165：欧姆接触层
171、179：数据线
173：源极电极
175：漏极电极
180：钝化层
181、182、183a、183b、185：接触孔
191：像素电极
220：阻光件
225、226：开口
230：滤色镜
250：涂层
270：共电极
320：柱状间隔件

Claims (24)

1.一种液晶显示装置，包括：
第一面板，包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分的高度小于所述第二部分的高度；
第二面板，与所述第一面板相对；
间隔件，设置在所述第一面板和所述第二面板之间，并接触所述第一面板的第一部分；以及
液晶层，夹置于所述第一面板和所述第二面板之间。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述间隔件形成于所述第二面板。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述间隔件接近所述第一面板的第二部分设置。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第二部分为不透明的，并且所述间隔件接近所述第一面板的第二部分设置。
5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其中，所述第一面板的第二部分覆盖所述第一面板的第一部分。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其中，所述第一面板的第一部分包括像素电极，并且所述第一面板的第二部分包括信号线。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其中，所述第二面板包括共电极，其与所述像素电极一起产生电场。
8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其中，所述第二面板包括阻光件，其与所述第一面板的第二部分相对，并且与所述第一面板的第一部分部分地相对。
9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中，所述间隔件与所述阻光件重叠。
10.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其中，所述像素电极和所述共电极中的至少一个是透明的。
11.根据权利要求7所述的液晶显示装置，还包括设置在所述第一面板和所述第二面板的其中一个上的滤色镜。
12.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中，所述滤色镜包括红色滤色镜、绿色滤色镜、和蓝色滤色镜。
13.根据权利要求12所述的液晶显示装置，其中，所述间隔件与所述蓝色滤色镜重叠。
14.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第一面板的第一部分包括板状导体，所述第一面板的第二部分包括杆状导体。
15.一种液晶显示装置，包括：
第一面板，包括第一基片、设置在所述第一基片上的多个信号线、连接到所述信号线的多个薄膜晶体管、以及连接到所述薄膜晶体管上的第一和第二像素电极；
第二面板，与所述第一面板相对；
间隔件，设置在所述第一面板和所述第二面板之间，并且接近所述信号线设置；以及
液晶层，夹置在所述第一面板和所述第二面板之间，
其中所述间隔件与所述第一像素电极相对，而不与所述第二像素电极相对。
16.根据权利要求15所述的液晶显示装置，其中，所述间隔件形成于所述第二面板。
17.根据权利要求15所述的液晶显示装置，其中，所述信号线包括多个栅极线以及多个横跨所述栅极线的数据线。
18.根据权利要求17所述的液晶显示装置，其中，所述信号线包括多个存储电极线，其与所述第一和第二像素电极重叠。
19.根据权利要求15所述的液晶显示装置，还包括设置在所述第一面板和所述第二面板的其中一个上的多个滤色镜。
20.根据权利要求19所述的液晶显示装置，其中，所述滤色镜包括红色滤色镜、绿色滤色镜、以及蓝色滤色镜。
21.根据权利要求20所述的液晶显示装置，其中，所述间隔件与所述蓝色滤色镜重叠。
22.一种液晶显示装置，包括：
第一面板，包括第一基片、设置在所述第一基片上的多个信号线、连接到所述信号线上的多个薄膜晶体管、以及连接到所述薄膜晶体管并具有相同形状的第一和第二像素电极；
第二面板，与所述第一面板相对，并且包括阻光件，所述阻光件包括与所述第一像素电极相对的第一开口以及与所述第二像素电极相对的第二开口；
设置在所述阻光件上的多个间隔件，接触所述第一面板，并与所述第二像素电极相对；以及
液晶层，夹置在所述第一面板和所述第二面板之间。
23.根据权利要求22所述的液晶显示装置，其中，所述间隔件接近所述信号线设置。
24.根据权利要求22所述的液晶显示装置，其中，所述第二开口的区域小于所述第一开口的区域。
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