CN1752804A - 各个彩色像素均具有子像素的液晶显示器 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示器，包括：第一基片；栅极线，设置于第一基片上；数据线，与栅极线交叉；薄膜晶体管，连接至栅极线和数据线；耦合电极，连接至薄膜晶体管；第一子像素电极，连接至薄膜晶体管；第二子像素电极，电容性地耦合到耦合电极；第二基片，面向第一基片；共电极，设置于第二基片上；以及偏光器，设置于第一基片或第二基片上，并具有偏振轴。耦合电极大致平行于偏振轴伸长，并具有大致平行于或大致垂直于偏振轴的第一边。

Description

各个彩色像素均具有 子像素的液晶显示器
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器，更具体地，涉及一种各个彩色像素均具有两个子像素的液晶显示器，其中，两个子像素具有两个不同的LC分子倾斜方向以及两个不同的亮度。
背景技术
液晶显示器(LCD)是最普遍使用的平面显示器之一。LCD包括其之间夹置有偏振滤光器和液晶层(LC)的两个面板(例如，具有诸如像素电极和共电极的场产生电极的两个基片)。LCD通过向场产生电极施加电压以产生穿过LC层的电场来显示图像，该电场决定LC层中的LC分子的方向以调整入射光的偏振。液晶扭转进入一个滤光器的光的偏振以允许其穿过另一滤光器。
LCD进一步包括多个连接到像素电极的薄膜晶体管(TFT)，以及多条连接到TFT并将信号传输到TFT的信号线。
在各种类型的LCD显示器中，有一种将LC分子对准使得LC分子的长轴在没有电场时垂直于面板的垂直对准(VA)模式的LCD，由于其高对比度和宽基准视角而受欢迎。
VA模式的LCD的宽视角可以通过在场产生电极中设置断流器以及在场产生电极上设置突出部来实现。由于断流器和突出部可以确定LC分子的倾斜方向，因此可以通过设计断流器和突出部将LC分子的倾斜方向分成几个方向，从而加宽了基准视角。
然而，同正面能见度相比，VA模式的LCD具有不良的侧面能见度。例如，侧面灰度系数曲线不同于正面灰度系数曲线。
另外，LC分子的排列可能由于由信号线引起的高度差而失真，导致漏光，从而降低对比度。
发明内容
根据本发明的实施例的液晶显示器，包括：第一基片；栅极线，设置于第一基片上；数据线，与栅极线交叉；薄膜晶体管，连接到栅极线和数据线；(耦合电容器的)耦合电极，连接到薄膜晶体管；第一子像素电极，连接到薄膜晶体管；第二子像素电极，电容性地耦合到耦合电极；第二基片，面向第一基片；共电极，设置于第二基片上；以及偏光器，设置于第一基片或第二基片上，并具有偏振轴，其中，(耦合电容器的)耦合电极大致平行于偏振轴而伸长并具有大致平行或大致垂直于偏光器轴的第一边。
LC分子的倾斜度(“倾斜角”)决定LC层上的入射光的偏振的变化，并且光偏振的变化引起穿过偏光器的光透射率的变化。LCD通过这种方式显示图像。LC分子的倾斜角取决于电场的强度(例如，产生于LC层中并垂直于面板的表面)。由于第一子像素LC电容器的电压与第二子像素LC电容器的电压彼此不同，所以第一子像素中的LC分子的倾斜方向与第二子像素中的LC分子的倾斜方向不同，因此两个子像素的亮度不同。两个子像素的平均亮度是目标亮度，并且可以调整第一和第二子像素的LC电容器的电压，因此从侧面看到的图像与从正面看到的图像最相似，从而提高了侧面能见度。
可以通过改变耦合电容器的电容调整第一和第二子像素LC电容器电压的比率，并且可以通过改变耦合电极的重叠区域和/或通过改变耦合电极与第二子像素电极之间的距离改变耦合电容。
薄膜晶体管可以包括连接到栅极线的第一电极，连接到数据线的第二电极，以及连接到第一子像素电极和耦合电极的第三电极。
第三电极可以具有大致平行于或大致垂直于偏光器的偏振轴的边。
该液晶显示器可以进一步包括连接第三电极和耦合电极的互连件。
互连件可以包括大致平行于或大致垂直于偏光器的偏振轴而延伸的边或部。可选地，互连件可以包括相对于偏光器的偏振轴倾斜(既不平行也不大致垂直)延伸的边或部。
液晶显示器可以进一步包括与第一和第二像素电极中的至少一个重叠的储能电极。该储能电极可以具有大致平行于或大致垂直于偏光器的偏振轴的边。
耦合电极可以具有倾斜于偏光器的偏振轴第二边，并且储能电极可以具有设置为靠近耦合电极的第二边的边。
该液晶显示器可以进一步包括用于将第一和第二子像素电极中的至少一个分区成多个子区域的分隔件(例如，断流器)。
该分隔件(例如，断流器)可以具有关于直线(例如，横向中心线)的镜象对称。
该分隔件(例如，断流器)可以在成约45度角的方向上延伸。
该分隔件可以包括设置在第一子像素电极、第二子像素电极、或共电极上的断流器。
该液晶显示器可以进一步包括与分隔件重叠的储能电极。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的实施例，本发明的以上和其他特征对于本领域的技术人员来说将更加明显。然而，本发明可以多种不同的形式实现，而不应认为局限于文中提出的实施例。
在附图中，为了清楚起见，扩大了层、薄膜的厚度以及区域。相同的标号始终表示相同的元件。应当理解，当提到诸如层、薄膜、区域、或基片的元件“在”另一个元件上时，是指其直接位于另一个元件上，或者也可能存在居间元件。相反，当某个元件被提到“直接在”另一个元件上时，则不存在居间元件。
在附图中：
图1是根据本发明的实施例的LCD的TFT阵列面板100的布局图；
图2是根据本发明的实施例的LCD的共电极面板200的布局图；
图3是包括图1中示出的TFT阵列面板100以及图2中示出的共电极面板200的LCD的布局图；
图4是沿着图3中的截线IV-IV′截取的LCD的截面图；
图5是图1-4中示出的LCD的等效电路图；
图6是根据本发明的另一实施例的LCD的布局图；
图7是沿着图6中的截线VII-VII′截取的LCD的截面图；
图8是根据本发明的另一实施例的LCD的布局图。
具体实施方式
图1-5描述了根据本发明的实施例的LCD。
图1是根据本发明的实施例的LCD的TFT阵列面板的布局图，图2是根据本发明的实施例的LCD的共电极的布局图，图3是包括图1中示出的TFT阵列面板以及图2中示出的共电极面板的LCD的布局图，图4是沿着图3中的截线IV-IV′截取的LCD的截面图，以及图5是图1-4中示出的LCD的等效电路图。
参照图1-4，根据本发明的实施例的LCD包括TFT阵列面板(基片)100、共电极面板(基片)200、以及夹置于面板100和200之间的LC层3。
下面将参照图1、图3和图4详细描述TFT阵列面板(基片)100。
包括多个栅极线121(图1和3)和多个储能电极线131(图1和3)的多个栅极导体形成在诸如透明玻璃或塑料的绝缘基片100(图4)上。
栅极线121(图1和3)传输栅极信号并大致在横向上延伸。各栅极线121(图1和3)包括多个向上和向下突起的栅电极124(图1、3和4)以及端部129(图1和3)，该端部具有用于与另一个层或(栅极)驱动电路接触的大面积。用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未示出)可以安装在柔性印刷电路(FPC)薄膜(未示出)上，该柔性印刷电路薄膜可以附着到基片110、直接安装到基片110、或集成到基片110上。栅极线121可以延伸以连接到可集成到基片110的(栅极)驱动电路。
储能电极线131(图1和3)被施加有预定的电压，并且每个储能电极线131包括：大致平行于栅极线121延伸的杆(图1和3)，多组从杆分出的第一、第二、第三和第四储能电极133a、133b、133c、和133d，以及多个储能连接件(storage connections)133e(图1、3和4)。各储能电极线131设置于两条相邻的栅极线121和之间，并且储能电极线131的杆靠近两条相邻的栅极线121中的一条(例如，上面的一条)。
第一和第二储能电极133a和133b从杆在纵向上延伸并且彼此平行。第三储能电极133c从第一储能电极133a的端部在横向上朝向栅电极124延伸。第四储能电极133d的大部分从第一储能电极133a、第二储能电极133b或第三储能电极133c倾斜地向储能电极线131的杆延伸。然而，第四储能电极133d中的一个从第二储能电极133b倾斜地延伸，改变方向，并倾斜地返回到第二储能电极133b。储能连接件133e中的每个连接到相邻的储能电极133a-133d的组之间。然而，储能电极线131和储能电极可以有多种其他形状和排列。
优选地，栅极导体121和131由诸如Al或Al合金的含Al金属、诸如Ag或Ag合金的含Ag金属、诸如Cu或Cu合金的含Cu金属、诸如Mo或Mo合金的含Mo金属、Cr、Ta或Ti制成。然而，它们可以具有包括两个具有不同化学特性的导电薄膜(未示出)的多层结构。两个薄膜中的一个优选地由包括含Al金属、含Ag金属、和含Cu金属的低电阻率金属制成，用于降低信号延迟或电压降。另一薄膜优选地由诸如含Mo金属、Cr、Ta或Ti的具有良好的物理、化学特性和与其他金属(诸如氧化锡铟(ITO)或氧化锌铟(IZO))的电接触特性的材料制成。两个薄膜的结合的实例有：下层为Cr薄膜并且上层为Al(合金)薄膜；以及下层为Al(合金)薄膜并且上层为Mo(合金)薄膜。然而，栅极导体121和131可以由不同的其他金属或导体制成。
如图4所示，栅极导体121和131的侧面(边)相对于基片110的表面倾斜，并且其倾斜角的范围约为30-80度。
优选地由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的栅极绝缘层140(图4)形成在栅极导体121和131上。
多个半导体带151(优选地由氢化非晶硅(缩写为“a-Si”)制成)形成于栅极绝缘层140上。每个半导体带151大致在纵向延伸，并具有多个朝向(例如，越过)栅电极124扩展的突起154(图1、3&4)。
半导体带151(154)(图4)上形成有多个欧姆接触(带和岛)161(163)和165(图4)。欧姆接触层161和165优选地由诸如磷的重掺杂n型杂质的n+氢化a-Si制成，或者由硅化物制成。每个欧姆接触带161具有多个突起163，并且突起163和欧姆接触岛165成对位于半导体带151的突起154上(见图4)。
半导体带151和欧姆接触层161(163)和165的侧面相对于基片110倾斜，并且其倾角优选地在约30度到80度的范围内。
在欧姆接触层163和165(图4)以及栅极绝缘层140上形成多个数据导体，该数据导体包括多条数据线171、多个漏电极175以及多个分离的金属互连件172。
数据线171传输数据并大致在纵向延伸，以与栅极线121、储能电极线131的杆以及储能连接件133e交叉。每条数据线171包括多个朝向栅电极124突起并像阿尔法字体“C”一样弯曲的源电极173，以及具有用于与另一层或(外部的，数据)驱动电路接触的大面积的端部。用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可以安装在FPC薄膜(未示出)上，该FPC薄膜可附着到基片110、直接安装到基片110、或集成到基片110上。数据线171可以延伸，以连接到可集成到基片110上的数据驱动电路。
每个漏电极175从数据线171电分离，并包括窄部和连接到窄部的第一扩展部177。在栅电极124的上方对着源电极173设定漏电极175的窄部的末端，并且其部分地由源电极173(的“C”)围绕。
每个漏电极175进一步包括第二扩展部176和互连件(interconnection)178(178a、178b、178c)。第二扩展部176称为(“耦合电容器”Ccp的)耦合电极并且近似于梯形，该梯形的平行(左和右)边平行于数据线171，并且一对斜边设置为靠近第四储能电极133d。本文中，“倾斜”是指以某角倾斜，既不是垂直(纵向)也不是水平(横向)。互连件178(178a、178b、178c)(图1、3和4)连接第一扩展部177和第二扩展部176，并包括纵向部(178b)和一对倾斜部(178a和178c)。
金属互连件172设置于靠近储能电极线131的栅电极121上，储能电极线131靠近第一储能电极133a。栅电极124、源电极173、和漏电极175连同半导体带151的突起154形成薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管具有形成于设置在源电极173和漏电极175之间的半导体(突起154)上的通道。
数据导体171、172和175优选地由诸如Cr、Mo、Ta、Ti或其合金的难熔金属制成。然后，其可以具有包括难熔金属薄膜(未示出)和低电阻率薄膜(未示出)的多层结构。该多层结构的良好实例有：包括下Cr/Mo(合金)薄膜和上Al(合金)薄膜的双层结构，以及具有下Mo(合金)薄膜、中间Al(合金)薄膜、和上Mo(合金)薄膜的三层结构。然而，数据导体171、172和175可以由多种其它金属或导体制成。
数据导体171、172和175具有倾斜边的特征，并且其倾斜角的范围为约30-80度。(数据导体171、172和175的侧面相对于基片110的表面倾斜，并且其倾斜角的范围为约30-80度。)
欧姆接触层161(163)和165仅夹置于底层半导体带151(154)和其上的上覆数据导体171(173)以及175之间，并降低其间的接触阻抗。半导体带151包括若干外露部分，其未由数据导体171和175覆盖，例如位于源电极173和漏电极175之间的晶体管通道部分。
钝化层180形成于数据导体171、172和175以及半导体带151(154)的外露部分上。钝化层180优选地由无机或有机绝缘体制成并且其可以具有平形表面。无机绝缘体的实例包括氮化硅和氧化硅。有机绝缘体可具有光敏性并且优选地，其介电常数小于约4.0。钝化层180可以包括无机绝缘体的下薄膜和有机绝缘体的上薄膜，这样使得其具有有机绝缘体的优异的绝缘特性，同时防止半导体带151(154)的外露部分被有机绝缘体损坏。
钝化层180具有多个分别露出数据线171的端部179和漏电极175的第一扩展部177的接触孔182和185。钝化层180和栅级绝缘层140具有：多个接触孔181，露出栅极线121的端部129；多个接触孔183a，露出储能电极线131的靠近与第一储能电极133a的连接点的部分；以及多个接触孔183b，露出靠近与第一储能电极133a的连接点的第三储能电极133c。
在钝化层180上形成多个像素电极190、多个跨桥83、和多个接触辅助件81和82。它们优选的由诸如ITO或IZO的透射导体或诸如Ag、Al、Cr或其合金的反射导体制成。
各像素电极190(190a和190b)近似于具有斜削的左角的长方形，并且像素电极190的削边与栅极线121成约45度角。
像素电极190中的每个都具有间隙93，其将像素电极190分成外部子像素电极190a和内部子像素电极190b。
间隙93包括下部和上部倾斜部以及将其连接的纵向部。间隙93的下部和上部从像素电极190的左边延伸至右边，与纵向栅极线121形成约45度的(倾斜)角。间隙93的纵向部连接下部和上部(倾斜部)的左末端，并与第一储能电极133a重叠。间隙93的纵向部短于下部和上部(倾斜部)的每个。因此，内部子像素电极190b是等腰梯形并且外部子像素电极190a包括一对直角梯形。纵向部连接该一对直角梯形。
如图1、图3和图4所示，外部子像素电极190a通过接触孔185连接到漏电极175的第一扩展部177。
内部子像素电极190b与(“耦合电容器”的)耦合电极176以及互连件178重叠。内部子像素电极190b和耦合电极176以及互连件178(被介电钝化层180分开)形成“耦合电容器”
内部子像素电极190b具有中央断流器(cutout)91和92；外部子像素电极190a的下半部具有下断流器94a；并且外部子像素电极190a的上半部具有上断流器94b。断流器91、92、94a和94b将子像素电极190b和190a分区成多个分区。具有断流器91、92、94a和94b以及间隔93的像素电极190大致具有关于平分像素电极190的虚横线的镜象对称。在下文中，间隙93的单独部分也称为断流器。
上部和下部断流器94a和94b中的每个近似地从像素电极190的下边或上边向像素电极190的左边倾斜延伸。(倾斜的)下部和上部断流器94a和94b以相对于栅极线121成约45度角设置，并且其大致彼此垂直的延伸。
中心断流器91沿着虚横线延伸并具有从像素电极191的右边的入口，像素电极191具有一对分别大致平行于下断流器94a和上断流器94b的倾斜边。
中心断流器92包括一对倾斜部，该对倾斜部彼此连接并从其间的连接点分别平行于下部和上部断流器94a和94b朝向像素电极190的左边延伸。
断流器的数量或分区的数量可以根据像素电极190的设计要素(例如，大小)、像素电极190的横边和纵边的比值、以及液晶层3的类型和特性而改变。
同时，耦合电极176设置于断流器92和93之间，并且耦合电解176的斜边设置为靠近间隙(断流器)93的下部和上部。第四储能电极133d与断流器91、92、93、94a和94b重叠。
跨桥83横过栅极线121，并分别通过设置于栅极线121对面的接触孔183a和183b与储能电极线131的杆的外露部分以及第三储能电极133c的外露部分连接。包括储能电极133a-133d以及跨桥83的储能电极线131，可以用于修理栅极线121、数据线171以及TFT中的缺陷。
接触辅助件81和82分别通过接触孔181和182连接到栅极线121的端部129和数据线171的端部179。接触辅助件81和82可以保护端部129和179并提高端部129和179以及外部装置之间的粘附度。
下面将参照图2-4描述共电极面板200。
用于防止漏光的称为黑阵的阻光件220(图4)形成于诸如透明玻璃或塑料的绝缘基片210上。阻光件220(图4)具有多个面向(越过)(矩形的)像素电极191的(矩形的)开口225(图2)，并且其可以具有与像素电极191大致相同的平面形状(例如，矩形)。另外，阻光件220可以包括多个面向TFT阵列面板100上的数据线171的直线部以及多个面向TFT阵列面板100上的TFT的加宽部。
多个滤色器230(图4)也形成在基片210上，并且其大致设置于在由阻光件220(图4)封闭的区域中的开口225(图2)中。滤色器230可以沿着像素电极190大致在纵向延伸。滤色器230可以表示诸如红色、绿色和蓝色的基色中的一种。
涂层250形成在滤色器230和阻光件220上。涂层250优选地由(有机)绝缘体制成，并且其可以防止滤色器230曝光，同时具有平形表面。
共电极270形成在涂层250上。共电极270优选地由诸如ITO或IZO的透明导电材料制成，并(特别地如图2所示)具有多组断流器71、72、73a、73b、74a和74b。
共电极270的一组断流器71-74b(71、72、73a、73b、74a和74b)面向像素电极190，并包括中心断流器71和72、下断流器73a和74a以及上断流器73b和74b。共电极270的断流器71-74b中的每个均设置于像素电极190的相邻断流器91、92、93、94a和94b之间，或设置于像素电极190的断流器94a或94b与削边之间。共电极270的断流器71-74b中的每个均具有至少一个平行于像素电极190的下断流器94a或上断流器94b延伸的倾斜部。共电极270的断流器71-74b具有大致关于上述的平分像素电极190的虚横线的镜象对称。
共电极270的下和上断流器73a-74b中的每个均包括倾斜部以及横向和纵向部对或者纵向部和扩展部对。倾斜部近似地从像素电极190的下边、上边、或右角延伸至像素电极190的左边。横向和纵向部从倾斜部的各个末端沿着(矩形的)像素电极190的边延伸，与像素电极190的边重叠，并且与倾斜部成钝角。在共电极270的下和上断流器73a-74b的每个中的扩展部设置为靠近像素电极190的(右)角(见图2)。
共电极270的中心断流器71和72中的每个包括中央横向部、一对倾斜部以及一对终端纵向部。中央横向部设置为靠近像素电极190的左边或中心，并沿着虚横平分线延伸。共电极270的断流器71和72的倾斜部从中央横向部的末端近似地向像素电极的右边延伸。共电极270的断流器71和72的倾斜部与中央横向部成倾角。终端纵向部从各个倾斜部的末端沿着像素电极190的右边延伸，与像素电极190的右边重叠，并与各倾斜部成钝角。
共电极270的断流器72和73与互连件178的倾斜部重叠。
共电极270的断流器71-74b的数量可以根据设计要素改变，并且阻光件220可以与共电极270的断流器71-74b重叠以阻挡通过断流器71-74b漏光。
可以垂直排列的对准层11和21涂在面板100和200的内表面上，并且偏光器12和22设置于面板100和200的外表面上，从而面板100和200的偏振轴POL可以是交叉的，并且该偏振轴POL可以是横向的和纵向的，以与栅极线121或数据线171平行。当LCD是反射LCD时可以省略偏光器12和22中的一个。
LCD可以进一步包括至少一个用于补偿LC层3的延迟的延迟薄膜(未示出)。该延迟薄膜具有双折射并产生与由LC层3产生的延迟相对的延迟。
LCD可以进一步包括背光单元(未示出)，用于通过偏光器12和22、延迟薄膜、以及面板100和200向(和通过)LC层3提供光。
优选地，LC层3具有负介电各向异性，并且垂直对准，这样使得在没有施加电场时LC层3中的LC分子是对准的，从而LC分子的长轴大致垂直(正交)于面板100和200的表面。同时，在没有施加电场时入射光不能穿过交叉的偏振系统12和22。
图5是图1-4示出的LCD的等效电路图。
参照图5，LCD的像素PX包括：TFT晶体管Q；第一子像素PXa，包括第一LC电容器Clca和第一储能电容器Csta；第二子像素PXb，包括第二LC电容器Clcb和第二储能电容器Cstb；以及耦合电容器Ccp。
第一LC电容器Clca包括：外部子像素电极190a作为一个终端，共电极270的与之对应的部分作为另一终端，并且LC层3(图4)的设置于其间的部分作为电介质。类似地，第二LC电容器Clcb包括：内部子像素电极190b作为一个终端，共电极270的与之对应的部分作为另一终端，并且LC层3的设置于其间的部分作为电介质。
第一储能电容器Csta包括：外部子像素电极190a作为一个终端，储能电极线131的与外部子像素电极190a重叠的部分作为另一终端，并且钝化层180和栅极绝缘层140(图4)的设置于其间的部分作为电介质。同样地，第二储能电容器Cstb包括：内部子像素电极190b作为一个终端，储能电极线131的与内部子像素电极190b重叠的部分作为另一终端，并且钝化层180和栅极绝缘层140(图4)的设置于其间的部分作为电介质。
耦合电容器Ccp包括：内部子像素电极190b作为一个终端，耦合电极176(和互连件178的部分)作为另一终端，并且钝化层180的设置于其间的部分作为电介质。
第一LC电容器Clca和第一储能电容器Csta与TFT晶体管Q的漏极(经185、177和175)并联，并且第二LC电容器Clcb和第二储能电容器Cstb与耦合电容器并联。耦合电容器Ccp连接于TFT晶体管Q的漏极与第二LC电容器Clcb之间。共电极270(图4)被供给共电压Vcom，并且储能电极线131也可以被供给共电压Vcom。
TFT晶体管Q响应于来自栅极驱动器(经栅极线121)的栅极信号，从数据线171(经173)向第一LC电容器Clca和耦合电容器Ccp施加数据电压，并且耦合电容器Ccp将具有(由耦合电容器Ccp)修正的强度的数据电压传输到第二LC电容器Clcb。
如果储能电极线131被供给共电压Vcom，并且电容器Clca、Csta、Clcb、Cstb以及Ccp中的每个及其电容表示为相同的基准字符(Clca、Csta、Clcb、Cstb和Ccp)，则穿过第二LC电容器Clcb的电压Vb等于：
Vb＝Va×[Ccp/(Ccp+Clcb+Cstb)]，其中Va表示第一LC电容器Clca的电压。
由于项Ccp/(Ccp+Clcb+Cstb)小于1，因此第二LC电容器Clcb的电压Vb小于第一LC电容器Clca的电压Va。该电压的不等式在储能电极线131的电压不等于共电压Vcom的情况下同样成立。然而，第二LC电容器Clcb的电压Vb可以小于第一LC电容器Clca的电压，例如，通过对第二LC电容器Clcb预先施加预定电压(例如，共电压Vcom)。
当产生穿过第一LC电容器Clca或第二LC电容器Clcb的电势差时，在LC层3中产生大致垂直于面板100和200的表面的电场，并且在下文中，像素电极190和共电极270通常都称为场产生电极。然后，LC层3中的LC分子响应于电场倾斜，这样使得它们的长轴变得垂直于场方向。LC分子的倾斜度(倾斜角)决定了LC层3上的入射光的偏振的变化，并且光偏振的变化引起穿过偏光器12和22的光透射率的变化。通过这种方式，LCD显示图像。
LC分子的倾斜角取决于电场(产生于LC层3中，垂直于面板100和200的表面)的强度。由于第一LC电容器Clca的电压Va和第二LC电容器Clcb的电压Vb彼此不同，所以第一子像素中的LC分子的倾斜方向不同于第二子像素中的LC分子的倾斜方向，并且因此两个子像素的亮度不同。同时，两个子像素的平均亮度是目标亮度，并且第一和第二子像素的电压Va和Vb可以调整，因此从侧面看到的图像与从正面看到的图像最相似，从而提高了侧面能见度。
可以通过改变耦合电容器Ccp的电容调整电压Va和Vb的比值，并且可以通过改变耦合电极176的重叠面积和/或通过改变耦合电极176与中央子像素电极190b之间的距离改变耦合电容器Ccp。优选地，第二LC电容器Clcb的电压Vb是第一LC电容器Clca的电压Va的0.6至0.8倍。
第二LC电容器Clcb中的电压Vb可以大于第一LC电容器Clca的电压Va。这可以通过对第二LC电容器Clcb预先施加预定电压(例如，共电压Vcom)来实现。
第一子像素的上和下子像素电极190a1和190a2与第二子像素的中央子像素电极190b的比值优选地从1∶0.85至1∶1.15，并且在LC电容器Clca和Clcb的每个中的子像素电极的数量可以改变。
LC分子的倾斜方向由场产生电极190和270的断流器91-94b和71-74b产生的水平分量决定，并且像素电极190的倾斜边干扰电场，该电场大致垂直于断流器91-94b和71-74b的边并垂直于像素电极190的倾斜边。参照图3，一组断流器91-94b和71-74b将像素电极190分成多个子区域，并且每个子区域具有两条主边。由于各子区域上的LC分子倾斜垂直于主边，因此倾斜方向的方位分布被定为到四个方向，从而增大了LCD的基准视角。
用于确定LC分子的倾斜方向的断流器91-94b和71-74b的形状和排列可以更改，并且断流器91-94b和71-74b的至少一个可以由突出部(未示出)或压缩件(未示出)代替。突出部优选地由有机或无机材料制成，并设置于场产生电极190或270上或场产生电极190或270下面。
由于层次差，LC分子的定向在靠近诸如耦合电极176和互连件178的底层构件处可能失真。然而，由于耦合电极176的两条边是纵向的，使得该边平行于偏振器12和22的偏振轴，LC分子可以在平行于另一偏振轴的方向上预先倾斜，并且因此分子定向的失真可以引起最小的漏光。类似地，互连件178的纵向部不能引起有效漏光。
另外，第四储能电极133d和场产生电极190和270的断流器93、72和73b可以阻挡可以由耦合电极176的倾斜边和互连件178(178a和178c)的倾斜边引起的漏光。
与像素电极190重叠并产生层次差的其他构件也具有横向或纵向边，使得层次差不能引起有效漏光。此外，阻光件220的开口225也具有横向或纵向边，使得层次差不能引起有效漏光。
下面将参照图6和图7详细描述根据本发明的另一实施例的LCD。
图6时根据本发明的另一实施例的LCD的布局图，图7是沿着图6中的截线VII-VII′截取的LCD的截面图。
参照图6和图7，根据本实施例的LCD类似地包括：TFT阵列面板100；共电极面板200；LC层3，夹置于面板100和200之间；一对偏光器12和22，附着到面板100和200的外表面上，并具有横向和纵向的偏振轴POL。
根据本实施例的面板100和200的分层结构与图1-4中示出的分层结构几乎相同，除了在下述的特征中的指出的不同：
就TFT阵列面板100而言，包括栅电极124和端部129的多条栅极线121，以及多条储能电极线131(包括储能电极133a-133d和连接器133e)形成在基片110上。栅极绝缘层140、多个半导体带151、以及多个欧姆接触层161和165顺次形成于栅极线121和储能电极线131上。包括源电极173和端部179的多条数据线171、包括扩展部177和176以及互连件178的多个漏电极175、以及多个金属互连件172形成于欧姆接触层161和165上。钝化层180形成于数据线171、漏电极175(和互连件178)、金属互连件172、以及半导体带151的外露部分上。多个接触孔181、182、183a、183b和185设置于(通过)钝化层180和栅极绝缘层140上。包括子像素电极190a和190b并具有断流器91-94b(91、92、93、94a和94b)的多个像素电极190、以及多个接触辅助件81和82形成于钝化层180上；并且对准层11涂在其上。
就共电极面板200而言，阻光件220、多个滤色器230、涂层250、具有断流器71-74b(71、72、73、74a和74b)的共电极270、以及对准层21形成于绝缘基片210上。
与图1-4中示出的LCD不同，互连件178中的每个仅包括一个纵向部178d和横向部178e(并且没有倾斜部)，以减少由层次差引起的漏光。
此外，半导体带151具有与数据线171和漏电极175以及底层欧姆接触层161(163)和165几乎相同的平面形状。然而，半导体带151(在半导体岛154上)包括若干外露部分，其没有整个被数据线171和漏电极175覆盖，诸如位于源电极173和漏电极175之间的部分(见图7中的154、173和175)。
另外，TFT阵列面板进一步包括设置于隔离金属互连件172下面，并具有与隔离金属互连件172大致相同的平面形状的多个半导体岛(未示出)和多个欧姆接触岛(未示出)。
钝化层180(图7)形成于数据线171(源电极173)、漏电极175、金属互连件172、以及半导体带151的外露部分(例如，半导体岛154)上。钝化层180和栅极绝缘层140具有多个接触孔182、185。
根据本实施例的TFT阵列面板的制造方法同时使用光刻步骤形成数据线171、漏电极175、金属互连件172、半导体151(154)、以及欧姆接触层161(163)和165。
用于光刻处理的光刻胶掩膜图样具有由位置决定的厚度，并且特别地，其具有较厚部和较薄部。较厚部位于将由数据线171、漏电极175以及金属互连件172占据的导线(金属)区域，同时较薄部位于TFT的半导体(154)通道区域。
光刻胶的由位置决定的厚度可以通过几个工艺而获得，例如，通过在曝光掩膜上设置半透明区域、透明区域、以及阻光不透明区域。半透明区域可以具有切口图样、格栅图样、具有中间透射率或中间厚度的薄膜。当使用切口图样时，优选地，切口的宽度或切口之间的距离小于用于光刻的曝光器的分辨率。另一实例是使用可回流光刻胶。在该工艺中，一旦通过使用标准曝光掩模(仅具有透明区域和不透明区域)形成由可回流材料制成的光刻胶图样，其将进行回流处理以流到没有光刻胶的区域，从而形成薄部。
结果，通过省略光刻步骤简化了制造步骤。
图1-4中示出的根据本发明的第一实施例的LCD的上述特征中的多个，可以适用于图6和7中示出的根据本发明的另一实施例的LCD。
下面将参照图8详细描述根据本发明的另一实施例的LCD。
图8是根据本发明的另一实施例的LCD的布局图。
图8中示出的截面图与图4中示出的截面图几乎相同，因此图4的大部分描述同样可用于图8。
参照图4和8，根据该实施例的LCD同样包括：TFT阵列面板100；共电极面板200；LC层3，夹置于面板100和200之间；以及一对偏光器12和22，附着到面板100和200的外表面并具有横向和纵向的偏振轴POL。
根据该实施例的面板100和200的分层结构(图8)与图4中示出的分层结构几乎相同，除了在下述的特征中的指出的不同：
就TFT阵列面板100而言，包括栅电极124和端部129的多条栅极线121，以及包括储能电极133a-133d和连接器133e的多条储能电极线131形成在基片110上。栅极绝缘层140、多个半导体带151(154)、以及多个欧姆接触层161和165顺次形成于栅极线121和储能电极线131上。包括源电极173和端部179的多条数据线171、包括扩展部177和176的多个漏电极175、以及多个金属互连件172形成于欧姆接触层161(163)和165上。钝化层180形成于数据线171、漏电极175、金属互连件172、以及半导体带151的外露部分上。
多个接触孔181、182、183a、183b和185(例如，见图4)设置于(或通过)钝化层180和栅极绝缘层140上(例如，露出漏电极175、扩展部177、以及数据线171的端部179)。包括子像素电极190a和190b(图1、3和4)并具有断流器91、92、93、94a和94b(图1、3和4)的多个像素电极190、多个跨桥83、以及多个接触辅助件81和82形成于钝化层180上；并且对准层11涂在其上。
就共电极面板200而言，阻光件220、多个滤色器230、涂层250、具有断流器71-74b(见图2)的共电极270、以及对准层21形成于绝缘基片210上。
与图1-4中示出的LCD不同，耦合电极176在纵向上直线延伸，并且不存在可区别的互连件(同图1的互连件178相比)。由于耦合电极176仅具有纵向边和横向边，由层次差引起的漏光是可以忽略的。
耦合电极176可以与储能电极133b重叠。
图1-4中示出的LCD的上述特征中的多个可以适用于图8中示出的LCD。
根据本发明的另一实施例，TFT阵列面板100包括滤色器，而共电极面板200不具有滤色器。
本发明公开的构件的边位于像素电极下面以平行或垂直于偏光器的偏振轴的布置，可以应用于诸如扭转向列(TN)模式的LCD和平面内转换(IPS)模式的LCD。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本发明的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种液晶显示器，包括：
第一基片；
栅极线，设置于所述第一基片上；
数据线，与所述栅极线交叉；
薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线；
耦合电极，连接至所述薄膜晶体管；
第一子像素电极，连接至所述薄膜晶体管；
第二子像素电极，电容性地耦合到所述耦合电极；
第二基片，面对所述第一基片；
共电极，设置于所述第二基片上；以及
偏光器，具有偏振轴，设置于所述第一基片和所述第二基片的其中之一上；
其中，所述耦合电极大致平行于所述偏振轴而伸长，并具有大致平行于或大致垂直于所述偏振轴的第一边。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述薄膜晶体管包括连接至所述栅极线的第一电极、连接至所述数据线的第二电极、以及连接至所述第一子像素电极和所述耦合电极的第三电极。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，所述第三电极具有大致平行于或大致垂直于所述偏光器的所述偏振轴的边。
4.根据权利要求2所述的液晶显示器，进一步包括与所述第三电极和所述耦合电极连接的互连件。
5.根据权利要求4所述的液晶显示器，其中，所述互连件具有大致平行于或大致垂直于所述偏光器的所述偏振轴的边。
6.根据权利要求4所述的液晶显示器，其中，所述互连件包括大致平行于或大致垂直于所述偏光器的所述偏振轴而延伸的部分。
7.根据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括储能电极，与所述第一和第二子像素电极中的至少一个重叠。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中，所述储能电极具有大致平行于或大致垂直于所述偏光器的所述偏振轴的边。
9.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中，所述耦合电极具有倾斜于所述偏光器的所述偏振轴的第二边，并且所述储能电极具有设置为靠近所述耦合电极的所述第二边的边。
10.根据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括：
分隔件，将所述第一和第二子像素电极中的至少一个分隔为多个子区域。
11.根据权利要求10所述的液晶显示器，其中，所属分隔件具有关于直线的镜象对称。
12.根据权利要求10所述的液晶显示器，其中，所述分隔件在成约45度角的方向上延伸。
13.根据权利要求10所述的液晶显示器，其中，所述分隔件包括设置于所述第一子像素电极、第二子像素电极、或共电极上的断流器。
14.根据权利要求10所述的液晶显示器，进一步包括与所述分隔件重叠的储能电极。
15.一种液晶显示器，包括：
第一基片；
栅极线，设置于所述第一基片上；
数据线，与所述栅极线交叉；
薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线；
耦合电极，通过所述薄膜晶体管可转换地连接至所述栅极线；
第一子像素电极，通过所述薄膜晶体管可转换地连接至所述栅极线；
第二子像素电极，电容性地耦合到所述耦合电极；
第二基片，面对所述第一基片；
共电极，设置于所述第二基片上；以及
偏光器，具有偏振轴，设置于所述第一基片和所述第二基片的其中之一上。
16.根据权利要求10所述的液晶显示器，其中，所述耦合电极大致平行于所述偏振轴而伸长，并且具有大致平行于或大致垂直于所述偏振轴的第一边。
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CN101118358B (zh) * 2006-08-03 2011-01-26 三星电子株式会社 液晶显示器和平板显示器

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101189267B1 (ko) * 2004-12-03 2012-10-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 액정 표시 장치
US7221413B2 (en) * 2004-08-05 2007-05-22 Au Optronics Corporation Thin film transistor array substrate and repairing method thereof
US7453086B2 (en) * 2005-01-14 2008-11-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor panel
US8049699B2 (en) * 2005-02-07 2011-11-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display apparatus having storage electrodes overlapping only some sub-pixels
KR101257380B1 (ko) * 2006-04-04 2013-04-23 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR101358827B1 (ko) * 2006-07-24 2014-02-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
TWI342975B (en) 2006-08-08 2011-06-01 Au Optronics Corp Polymer stabilized alignment lcd panel
KR101309552B1 (ko) * 2006-11-01 2013-09-23 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널
US7781784B2 (en) * 2007-05-07 2010-08-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus with color pixels
JP5542296B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP5542297B2 (ja) * 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
KR101504750B1 (ko) * 2007-06-13 2015-03-25 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR101469032B1 (ko) * 2007-06-27 2014-12-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101394434B1 (ko) * 2007-06-29 2014-05-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 구동 방법
KR101487738B1 (ko) * 2007-07-13 2015-01-29 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 구동 방법
KR101381348B1 (ko) * 2008-02-14 2014-04-17 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101502836B1 (ko) * 2008-03-21 2015-03-16 삼성디스플레이 주식회사 액정표시패널
WO2010052963A1 (ja) * 2008-11-05 2010-05-14 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機
WO2010052962A1 (ja) * 2008-11-05 2010-05-14 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機
US8411239B2 (en) 2009-02-13 2013-04-02 Sharp Kabushiki Kaisha Array substrate, liquid crystal display device, electronic device
US20120287028A1 (en) * 2010-01-15 2012-11-15 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
KR20120091886A (ko) * 2011-02-10 2012-08-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR20140021749A (ko) 2012-08-09 2014-02-20 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20160116121A (ko) * 2015-03-25 2016-10-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102307814B1 (ko) * 2015-04-16 2021-10-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20170055609A (ko) * 2015-11-11 2017-05-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI629546B (zh) * 2016-02-05 2018-07-11 瀚宇彩晶股份有限公司 液晶顯示裝置與其畫素結構
CN109755258B (zh) * 2017-11-08 2021-02-19 元太科技工业股份有限公司 画素阵列基板与显示装置
KR102509111B1 (ko) * 2018-05-17 2023-03-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02285326A (ja) 1989-04-27 1990-11-22 Toshiba Corp アクティブマトリックス型液晶表示素子
JP2576765B2 (ja) 1993-07-14 1997-01-29 日本電気株式会社 液晶表示装置
JPH08160455A (ja) * 1994-12-02 1996-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JP3658849B2 (ja) 1996-03-29 2005-06-08 セイコーエプソン株式会社 液晶表示素子及びその製造方法
JPH11119223A (ja) * 1997-10-20 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JP3683463B2 (ja) * 1999-03-11 2005-08-17 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び、該基板を用いたイメージセンサ
JP2002333870A (ja) 2000-10-31 2002-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置、ｅｌ表示装置及びその駆動方法、並びに副画素の表示パターン評価方法
TW513604B (en) 2001-02-14 2002-12-11 Au Optronics Corp A thin film transistor liquid crystal display
CN2483741Y (zh) 2001-05-22 2002-03-27 凌巨科技股份有限公司 彩色液晶显示器
JP4264217B2 (ja) 2001-09-25 2009-05-13 シャープ株式会社 着色層付き基板
KR20030042221A (ko) * 2001-11-22 2003-05-28 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
US6759360B2 (en) * 2002-03-29 2004-07-06 Exxonmobil Chemical Patent Inc. Interior surface modifications of molecular sieves with organometallic reagents and the use thereof for the conversion of oxygenates to olefins
KR100857133B1 (ko) * 2002-06-28 2008-09-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
KR100840326B1 (ko) 2002-06-28 2008-06-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 박막 트랜지스터 기판
TW544942B (en) * 2002-09-30 2003-08-01 Hannstar Display Corp Thin film transistor array substrate
JP3943000B2 (ja) * 2002-10-04 2007-07-11 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 液晶表示装置
KR100870700B1 (ko) * 2002-12-09 2008-11-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100961941B1 (ko) * 2003-01-03 2010-06-08 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
KR100925463B1 (ko) * 2003-02-17 2009-11-06 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR100920348B1 (ko) * 2003-02-27 2009-10-07 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
TWI262344B (en) * 2004-02-27 2006-09-21 Au Optronics Corp Pixel structure and fabricating method thereof
KR101112537B1 (ko) * 2004-06-03 2012-02-29 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판
KR101112539B1 (ko) * 2004-07-27 2012-02-15 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판
TW200620675A (en) * 2004-08-04 2006-06-16 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panel and liquid crystal display

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101118358B (zh) * 2006-08-03 2011-01-26 三星电子株式会社 液晶显示器和平板显示器

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Publication number Publication date
US20110187979A1 (en) 2011-08-04
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JP4953416B2 (ja) 2012-06-13

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