JP2576765B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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- pixel
- electrode
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133753—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- Liquid Crystal (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関するも
のである。
のである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置はＸ、Ｙ電極が付いた２枚
のガラス板の間に５ｕｍ厚程度の液晶を挟み込み、上記
Ｘ−Ｙ電極に印加するに電圧によって液晶分子の動きを
制御することにより画像表示を行なう方式である。
のガラス板の間に５ｕｍ厚程度の液晶を挟み込み、上記
Ｘ−Ｙ電極に印加するに電圧によって液晶分子の動きを
制御することにより画像表示を行なう方式である。
【０００３】液晶をＸＹマトリクス駆動（時分割駆動）
する場合、例えばパーソナルコンピュータやワードプロ
セッサのように走査線の本数が多くなると、表示させた
い画素（選択画素）を表示させない画素（非選択画素）
にかかる実効電圧の差が小さくなる。このため、表示画
像のコントラストが低下する問題が生じる。このコント
ラスト低下の問題を防ぎ、高走査線（大容量）ディスプ
レイを実現する方式として薄膜トランジスタを用いたア
クティブマトリクス駆動法が研究されている。
する場合、例えばパーソナルコンピュータやワードプロ
セッサのように走査線の本数が多くなると、表示させた
い画素（選択画素）を表示させない画素（非選択画素）
にかかる実効電圧の差が小さくなる。このため、表示画
像のコントラストが低下する問題が生じる。このコント
ラスト低下の問題を防ぎ、高走査線（大容量）ディスプ
レイを実現する方式として薄膜トランジスタを用いたア
クティブマトリクス駆動法が研究されている。
【０００４】薄膜トランジスタを液晶表示装置に応用す
る場合、歩留まり良くかつ低コストに薄膜トランジスタ
アレイを形成する必要がある。一方大画面の表示装置や
車載用表示装置等へ応用する場合には特にあらゆる視野
から見て、視角依存性の無い表示装置の出現が望まれて
いる。しかし、液晶表示装置の場合には図２５に示され
るような固有の視角依存性がある。特に、上下方向の視
角特性がせまく、階調反転が起こらずコントラスト５：
１以上が確保できる視角範囲は３０度しかなく、液晶表
示装置の応用拡大を妨げている原因になっていた。した
がって、歩留まりよく、低コストで視角依存性の少ない
表示装置の出現が望まれている。特に、近年液晶表示装
置の大型化や車載などの用途拡大に伴い、この視角依存
性は大きな課題となりつつある。
る場合、歩留まり良くかつ低コストに薄膜トランジスタ
アレイを形成する必要がある。一方大画面の表示装置や
車載用表示装置等へ応用する場合には特にあらゆる視野
から見て、視角依存性の無い表示装置の出現が望まれて
いる。しかし、液晶表示装置の場合には図２５に示され
るような固有の視角依存性がある。特に、上下方向の視
角特性がせまく、階調反転が起こらずコントラスト５：
１以上が確保できる視角範囲は３０度しかなく、液晶表
示装置の応用拡大を妨げている原因になっていた。した
がって、歩留まりよく、低コストで視角依存性の少ない
表示装置の出現が望まれている。特に、近年液晶表示装
置の大型化や車載などの用途拡大に伴い、この視角依存
性は大きな課題となりつつある。
【０００５】そこで、画素を３分割し、それぞれの領域
の液晶に異なる電圧を印加する方法が提案された。（”
アクティブ−マトリクス ＬＣＤｓ ユージング グレ
イ−スケール イン ハーフトーン メソッド”，Ｋ．
サーマ，Ｈ．フランクリン，Ｍ．ジョンソン，Ｋ．フロ
スト，Ａ．バーノ，１９８９ ＳＩＤ インターナショ
ナル シンポジウム ダイジェスト オブ テクニカル
ペイパーズ（”ａｃｔｉｖｅ−ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ
ｓ ｕｓｉｎｇ ｇｒａｙ−ｓｃａｌｅ ｉｎｈａｌｆ
ｔｏｎｅ ｍｅｔｈｏｄ”１９８９ ＳＩＤ Ｉｎｔｅ
ｒｎａｔｉｏｎａｌ ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｄｉｇｅｓ
ｔ ｏｆ ｔｅｃｈｎｉｃａｌ ｐａｐｅｒｓ）２０巻
１４８ページあるいは特開平２−１２号公報、特開平
３−１２２６２１号公報参照）これは図２６に示すよう
に、コンデンサＣC 2 ，ＣC 3 を挿入することにより、
各分割領域の液晶容量ＣL C 1 ，ＣL C 2 ，ＣL C 3 に
異なる電圧が印加される構造となっている。
の液晶に異なる電圧を印加する方法が提案された。（”
アクティブ−マトリクス ＬＣＤｓ ユージング グレ
イ−スケール イン ハーフトーン メソッド”，Ｋ．
サーマ，Ｈ．フランクリン，Ｍ．ジョンソン，Ｋ．フロ
スト，Ａ．バーノ，１９８９ ＳＩＤ インターナショ
ナル シンポジウム ダイジェスト オブ テクニカル
ペイパーズ（”ａｃｔｉｖｅ−ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ
ｓ ｕｓｉｎｇ ｇｒａｙ−ｓｃａｌｅ ｉｎｈａｌｆ
ｔｏｎｅ ｍｅｔｈｏｄ”１９８９ ＳＩＤ Ｉｎｔｅ
ｒｎａｔｉｏｎａｌ ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｄｉｇｅｓ
ｔ ｏｆ ｔｅｃｈｎｉｃａｌ ｐａｐｅｒｓ）２０巻
１４８ページあるいは特開平２−１２号公報、特開平
３−１２２６２１号公報参照）これは図２６に示すよう
に、コンデンサＣC 2 ，ＣC 3 を挿入することにより、
各分割領域の液晶容量ＣL C 1 ，ＣL C 2 ，ＣL C 3 に
異なる電圧が印加される構造となっている。
【０００６】以下では、この構造で視角が広がる原因に
ついて述べる。この構造では、ツイステッドネマチック
（ＴＮ）と言われる液晶表示モードが用いられている。
図２７にＴＮモードの電圧−透過率特性を示す。この電
圧−透過率特性において視角依存性が比較的緩やかなの
は、電圧範囲ＸとＹである。もし、図２８に示すように
画素電極２８１を領域Ａ，Ｂ，Ｃに３分割して、コンデ
ンサにより電圧分割すれば、各領域の電圧−透過率特性
は図２９のようになる。もし、図２９に示すように電圧
Ｖ１が印加されれば、領域Ａは視角依存性は劣化する
が、領域Ｂ，Ｃはまだ視角依存性の緩やかな状態にあ
り、画素全体としては視角依存性は緩やかである。さら
に、電圧Ｖ２が印加されれば、領域Ｂの視角依存性は劣
化するが、領域Ａ，Ｃの視角依存性は緩やかであり、画
素全体としれば視角依存性は緩やかである。同様な過程
が、電圧Ｖ３の場合にも生じる。このように、図２７に
おける視角依存性の緩やかな電圧範囲を用いることによ
り、視角範囲を広げることができる。
ついて述べる。この構造では、ツイステッドネマチック
（ＴＮ）と言われる液晶表示モードが用いられている。
図２７にＴＮモードの電圧−透過率特性を示す。この電
圧−透過率特性において視角依存性が比較的緩やかなの
は、電圧範囲ＸとＹである。もし、図２８に示すように
画素電極２８１を領域Ａ，Ｂ，Ｃに３分割して、コンデ
ンサにより電圧分割すれば、各領域の電圧−透過率特性
は図２９のようになる。もし、図２９に示すように電圧
Ｖ１が印加されれば、領域Ａは視角依存性は劣化する
が、領域Ｂ，Ｃはまだ視角依存性の緩やかな状態にあ
り、画素全体としては視角依存性は緩やかである。さら
に、電圧Ｖ２が印加されれば、領域Ｂの視角依存性は劣
化するが、領域Ａ，Ｃの視角依存性は緩やかであり、画
素全体としれば視角依存性は緩やかである。同様な過程
が、電圧Ｖ３の場合にも生じる。このように、図２７に
おける視角依存性の緩やかな電圧範囲を用いることによ
り、視角範囲を広げることができる。
【０００７】また、画素内でのＴＮ液晶の配向方向を１
８０°違う２つの領域に分割することも行われている。
（例えば、Ｋ．Ｈ．ヤン，インターナショナル ディス
プレイ リサーチ コンファレンス ６８ページ １９
９１年，Ｋ．Ｈ．ＹａｎｇＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ
Ｄｉｓｐｌａｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｎｆｅｒｅ
ｎｃｅ ｐ６８ １９９１，ｙ．コイケら，ソサイエテ
ィ フォ インフォメーション ディスプレイ ７９８
ページ １９９２年，Ｙ．Ｋｏｉｋｅ ｅｔａｌ Ｓｏ
ｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓ
ｐｌａｙｐ７９８ １９９２，Ｋ．タカトリら，ジャパ
ン ディスプレイ ５９１ページ１９９２年，Ｋ．Ｔａ
ｋａｔｏｒｉ ｅｔ ａｌ Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐｌａ
ｙｐ５９１ １９９２あるいは特開昭６３−１０６６２
４号公報、特開平１−８８５２０号公報、特開平１−２
４５２２３号公報参照）この原理を図３０、図３１を用
いて説明する。表示面正面を向いた場合、液晶表示装置
の最も視角依存性の大きい方位角方向は、電圧印加時の
液晶の立ち上がり方向への視角変化である。通常、表示
面左右方向の視角範囲が大きくなるように液晶の配向方
向を決めるため、この視角依存性の大きい方位角方位を
上下方向としている。図３０の左右方向が表示面の上下
方向に対応している。図３０の左方向に視線が傾けば液
晶の屈折率異方性は小さく、図３０の右方向に視線が傾
けば液晶の屈折率異方性は大きくなる。このため、図３
０の左右方向に視線を振った場合の光学特性が異なる。
そこで、図３１に示すように画素の液晶配向方向を２分
割し、各領域（ａ，ｂ）で電圧印加時に反対方向から液
晶を立ち上がるように配置する。このとき、左に視線を
振れば、領域ａ３１１の液晶の屈折率異方性は小さくな
るが領域ｂ３１２の液晶の屈折率異方性は大きくなる。
右に視線を振れば、領域ａ３１１の液晶の屈折率異方性
は大きくなるが領域ｂ３１２の液晶の屈折率異方性は小
さくなる。以上のように、画素全体として平均すれば図
３１の左右方向（表示面の上下方向）どちらに視線を振
っても、屈折率異方性の変化は小さくなり、視角依存性
は緩和される。以上のようにして、画素内で配向方向を
分割することにより、表示面の上下方向視角依存性を緩
和することができる。
８０°違う２つの領域に分割することも行われている。
（例えば、Ｋ．Ｈ．ヤン，インターナショナル ディス
プレイ リサーチ コンファレンス ６８ページ １９
９１年，Ｋ．Ｈ．ＹａｎｇＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ
Ｄｉｓｐｌａｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｎｆｅｒｅ
ｎｃｅ ｐ６８ １９９１，ｙ．コイケら，ソサイエテ
ィ フォ インフォメーション ディスプレイ ７９８
ページ １９９２年，Ｙ．Ｋｏｉｋｅ ｅｔａｌ Ｓｏ
ｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓ
ｐｌａｙｐ７９８ １９９２，Ｋ．タカトリら，ジャパ
ン ディスプレイ ５９１ページ１９９２年，Ｋ．Ｔａ
ｋａｔｏｒｉ ｅｔ ａｌ Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐｌａ
ｙｐ５９１ １９９２あるいは特開昭６３−１０６６２
４号公報、特開平１−８８５２０号公報、特開平１−２
４５２２３号公報参照）この原理を図３０、図３１を用
いて説明する。表示面正面を向いた場合、液晶表示装置
の最も視角依存性の大きい方位角方向は、電圧印加時の
液晶の立ち上がり方向への視角変化である。通常、表示
面左右方向の視角範囲が大きくなるように液晶の配向方
向を決めるため、この視角依存性の大きい方位角方位を
上下方向としている。図３０の左右方向が表示面の上下
方向に対応している。図３０の左方向に視線が傾けば液
晶の屈折率異方性は小さく、図３０の右方向に視線が傾
けば液晶の屈折率異方性は大きくなる。このため、図３
０の左右方向に視線を振った場合の光学特性が異なる。
そこで、図３１に示すように画素の液晶配向方向を２分
割し、各領域（ａ，ｂ）で電圧印加時に反対方向から液
晶を立ち上がるように配置する。このとき、左に視線を
振れば、領域ａ３１１の液晶の屈折率異方性は小さくな
るが領域ｂ３１２の液晶の屈折率異方性は大きくなる。
右に視線を振れば、領域ａ３１１の液晶の屈折率異方性
は大きくなるが領域ｂ３１２の液晶の屈折率異方性は小
さくなる。以上のように、画素全体として平均すれば図
３１の左右方向（表示面の上下方向）どちらに視線を振
っても、屈折率異方性の変化は小さくなり、視角依存性
は緩和される。以上のようにして、画素内で配向方向を
分割することにより、表示面の上下方向視角依存性を緩
和することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、以上述べた
第１の従来方法は、二値表示時に有効であるが、階調表
示時には十分な効果をあげることができない。図３
２（”ア ワイド−ビューイング−アングル １０イン
チ−ダイアゴナル フルカラー アクティブ−マトリク
ス ＬＣＤ ユージング ア ハーフトーン−グレイス
ケール メソッド”１９９１ アイディアールシー”Ａ
Ｗｉｄｅ−ｖｉｅｗｉｎｇ−ａｎｇｌｅ １０ ｉｎ
ｃｈ−ｄｉａｇｏｎａｌ ｆｕｌｃｏｌｏｒ ａｃｔｉ
ｖｅ−ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ ｕｓｉｎｇ ａ ｈａｌ
ｆｔｏｎｅ−ｇｒａｙｓｃａｌｅ ｍｅｔｈｏｄ”１９
９１ ＩＤＲＣ ２５５〜２５７より転載）は、透過率
５０％のときの視角変化に対する透過率変化であり、こ
の透過率は階調表示時に対応する。図３２に示すように
この方式のＴＮの透過率は、表示面上下方向の変化に対
して大きく変化する。これは、比較的緩やかとはいいな
がらも図２７の電圧範囲Ｙが視角依存性をもっているた
めである。そこで、図２７の電圧範囲Ｙの視角依存性を
さらに緩やかにするためには、より大きな電圧を印加し
なければならないという課題を有していた。さらに、図
３２から分かるように、視角変化に対して各色毎に透過
率が異なる変化をする。このため、例えば正面で白表示
をしていても、視線が傾くと着色してしまうという課題
を有していた。
第１の従来方法は、二値表示時に有効であるが、階調表
示時には十分な効果をあげることができない。図３
２（”ア ワイド−ビューイング−アングル １０イン
チ−ダイアゴナル フルカラー アクティブ−マトリク
ス ＬＣＤ ユージング ア ハーフトーン−グレイス
ケール メソッド”１９９１ アイディアールシー”Ａ
Ｗｉｄｅ−ｖｉｅｗｉｎｇ−ａｎｇｌｅ １０ ｉｎ
ｃｈ−ｄｉａｇｏｎａｌ ｆｕｌｃｏｌｏｒ ａｃｔｉ
ｖｅ−ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ ｕｓｉｎｇ ａ ｈａｌ
ｆｔｏｎｅ−ｇｒａｙｓｃａｌｅ ｍｅｔｈｏｄ”１９
９１ ＩＤＲＣ ２５５〜２５７より転載）は、透過率
５０％のときの視角変化に対する透過率変化であり、こ
の透過率は階調表示時に対応する。図３２に示すように
この方式のＴＮの透過率は、表示面上下方向の変化に対
して大きく変化する。これは、比較的緩やかとはいいな
がらも図２７の電圧範囲Ｙが視角依存性をもっているた
めである。そこで、図２７の電圧範囲Ｙの視角依存性を
さらに緩やかにするためには、より大きな電圧を印加し
なければならないという課題を有していた。さらに、図
３２から分かるように、視角変化に対して各色毎に透過
率が異なる変化をする。このため、例えば正面で白表示
をしていても、視線が傾くと着色してしまうという課題
を有していた。
【０００９】更に図３３に示すように、８階調表示時の
視角−透過率特性より、１０°程度の視角変化で第１階
調と第２階調の透過率が反転してしまうという課題を有
していた。
視角−透過率特性より、１０°程度の視角変化で第１階
調と第２階調の透過率が反転してしまうという課題を有
していた。
【００１０】また、第２の従来方法では、上下方向の視
角変化に対して階調の反転を抑制することはできるが、
視線が傾くに従って視認性が低下してしまうという課題
を有している。これを視角に対する透過率変化を示した
図３４を用いて説明する．図３４に示すように、上下方
向どちらに視線が傾いても、低階調表示の透過率は増加
する傾向にあるが、高階調表示の透過率は減少する傾向
にある。このため、正面（視角０°）での階調間の透過
率比が、視線が傾くと減少することになり、視認性が劣
化する。このように、第２の従来方法では、視線が傾く
と視認性が劣化するという課題を有していた。
角変化に対して階調の反転を抑制することはできるが、
視線が傾くに従って視認性が低下してしまうという課題
を有している。これを視角に対する透過率変化を示した
図３４を用いて説明する．図３４に示すように、上下方
向どちらに視線が傾いても、低階調表示の透過率は増加
する傾向にあるが、高階調表示の透過率は減少する傾向
にある。このため、正面（視角０°）での階調間の透過
率比が、視線が傾くと減少することになり、視認性が劣
化する。このように、第２の従来方法では、視線が傾く
と視認性が劣化するという課題を有していた。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、一つの
表示画素が、液晶に印加する電圧が相異なる２個の領域
であって電圧の大きい領域と小さい領域の面積比が４：
６〜３：７の２つの領域と、液晶の配向方向が異なるｎ
個（ｎは２以上の自然数）の領域と、の組合せからなる
２ｎ個の領域からなることから構成される。
表示画素が、液晶に印加する電圧が相異なる２個の領域
であって電圧の大きい領域と小さい領域の面積比が４：
６〜３：７の２つの領域と、液晶の配向方向が異なるｎ
個（ｎは２以上の自然数）の領域と、の組合せからなる
２ｎ個の領域からなることから構成される。
【００１２】第２の本発明は、一つの表示画素が液晶に
印加する電圧が相異なる２個の領域であって電圧の大き
い領域と小さい領域の面積比が４：６〜３：７の２つの
領域からなり、表示基板全体が液晶の配向方向が異なる
ｎ種類（ｎは２以上の自然数）の領域からなることから
構成される。
印加する電圧が相異なる２個の領域であって電圧の大き
い領域と小さい領域の面積比が４：６〜３：７の２つの
領域からなり、表示基板全体が液晶の配向方向が異なる
ｎ種類（ｎは２以上の自然数）の領域からなることから
構成される。
【００１３】
【作用】第１の本発明について、説明の簡略を考えて一
つの表示画素が１８０°配向方向が異なるＴＮの２つの
領域（ａ，ｂ）に分割されており、液晶に印加する電圧
が異なる２つ領域（Ａ，Ｂ）に分割されている場合を例
にとり説明する。しかし、以下の説明は、画素が３種類
以上の配向方向に分割されている場合や３つ以上の印加
電圧が異なる領域に分割されている場合にも適用でき
る。
つの表示画素が１８０°配向方向が異なるＴＮの２つの
領域（ａ，ｂ）に分割されており、液晶に印加する電圧
が異なる２つ領域（Ａ，Ｂ）に分割されている場合を例
にとり説明する。しかし、以下の説明は、画素が３種類
以上の配向方向に分割されている場合や３つ以上の印加
電圧が異なる領域に分割されている場合にも適用でき
る。
【００１４】この場合、一つの画素は２×２＝４種類の
領域に分割されていることになり、例えば図１に示す平
面図のように分割されている。このとき、領域Ａ１１、
領域Ｂ１２の液晶にはそれぞれ異なる電圧が印加される
ため、図２に示すように各領域で画素印加電圧に対する
透過率が異なる。また、領域Ａ１１、領域Ｂ１２は１８
０°配向方向が異なる領域ａ１３、領域ｂ１４をそれぞ
れ含むため、視線を変化させた場合の透過率変化は図３
のようになる。これから、液晶に電圧を印加していくと
視角変化を示さない透過率Ｔ３があることが分かる。図
２では、透過率Ｔ３は、領域Ａでは電圧Ｖ２に領域Ｂで
は電圧Ｖ３に対応する。そこで、領域Ａ１１、領域Ｂ１
２の面積比を適当に調整し、画素全体としての階調表示
時の透過率が領域Ａ１１のＴ３より少し大きいＴ４の透
過率から主に構成されるようにする。この例では、領域
Ｂ１２に対して領域Ａ１１の面積を小さくとればこのよ
うにすることができる。以上のように設定すれば、最も
暗い第１階調表示時には、領域Ａ，Ｂ共に視角依存性の
少ない図３のＴ１状態にあり、画素全体として視角依存
性が少ない。また、第２階調表示時には、領域Ａは透過
率Ｔ４の状態にあり領域Ｂは透過率Ｔ２の状態にある。
このとき透過率は、視線が傾くと領域Ａでは増加する
が、領域Ｂでは減少する。このため、面積比で平均すれ
ば、画素全体として透過率の視角依存性は少ないものと
なる。図４に模式的な透過率の視角依存性を示す。この
ように、低階調表示透過率の視角依存性を大幅に小さく
することができる。これにより、視線が傾いても階調間
の透過率変化比を小さくでき、大幅に視認性を向上する
ことができる。
領域に分割されていることになり、例えば図１に示す平
面図のように分割されている。このとき、領域Ａ１１、
領域Ｂ１２の液晶にはそれぞれ異なる電圧が印加される
ため、図２に示すように各領域で画素印加電圧に対する
透過率が異なる。また、領域Ａ１１、領域Ｂ１２は１８
０°配向方向が異なる領域ａ１３、領域ｂ１４をそれぞ
れ含むため、視線を変化させた場合の透過率変化は図３
のようになる。これから、液晶に電圧を印加していくと
視角変化を示さない透過率Ｔ３があることが分かる。図
２では、透過率Ｔ３は、領域Ａでは電圧Ｖ２に領域Ｂで
は電圧Ｖ３に対応する。そこで、領域Ａ１１、領域Ｂ１
２の面積比を適当に調整し、画素全体としての階調表示
時の透過率が領域Ａ１１のＴ３より少し大きいＴ４の透
過率から主に構成されるようにする。この例では、領域
Ｂ１２に対して領域Ａ１１の面積を小さくとればこのよ
うにすることができる。以上のように設定すれば、最も
暗い第１階調表示時には、領域Ａ，Ｂ共に視角依存性の
少ない図３のＴ１状態にあり、画素全体として視角依存
性が少ない。また、第２階調表示時には、領域Ａは透過
率Ｔ４の状態にあり領域Ｂは透過率Ｔ２の状態にある。
このとき透過率は、視線が傾くと領域Ａでは増加する
が、領域Ｂでは減少する。このため、面積比で平均すれ
ば、画素全体として透過率の視角依存性は少ないものと
なる。図４に模式的な透過率の視角依存性を示す。この
ように、低階調表示透過率の視角依存性を大幅に小さく
することができる。これにより、視線が傾いても階調間
の透過率変化比を小さくでき、大幅に視認性を向上する
ことができる。
【００１５】以上の第１の本発明は、単純に見ると第１
の従来方法と第２の従来方法を組み合わせた結果のよう
に思われるが、そうではない。第１の従来方法では図２
７に示す視角依存性の少ない電圧範囲Ｘ，Ｙを用いてい
る。一方、本発明では配向方向を領域毎に変えることに
よって、新たな視角依存性の少ない状態（図３での透過
率Ｔ３）を作り出し、これを有効に活用することによっ
て実現している。これにより、第１の従来方法でも第２
の従来方法でも得られない非常に広い視認性を実現でき
る。
の従来方法と第２の従来方法を組み合わせた結果のよう
に思われるが、そうではない。第１の従来方法では図２
７に示す視角依存性の少ない電圧範囲Ｘ，Ｙを用いてい
る。一方、本発明では配向方向を領域毎に変えることに
よって、新たな視角依存性の少ない状態（図３での透過
率Ｔ３）を作り出し、これを有効に活用することによっ
て実現している。これにより、第１の従来方法でも第２
の従来方法でも得られない非常に広い視認性を実現でき
る。
【００１６】次に第２の本発明について図５を用いて説
明する。自然画などを表示する場合は、必ずしも画素内
で配向方向を分割する必要はない。自然画の場合，一画
素自身が表示の単位になることは少なく、いくつかの画
素の集合が像を形成していることが多い。このため、一
画素が必ずしも上下方向で対称な光学特性を持たなくと
も、ある画素とその隣接画素の合計で上下方向で対称な
光学特性をもっていれば、表示画像としては認識できる
ためである。そこで例えば、図５に示すように画素内を
液晶に相異なる電圧が印加される２種類の領域（Ａ，
Ｂ）に分割し、２画素単位毎に配向方向を変化させる。
この場合でも表示画像としては、第１の発明と同様な効
果が得られる。以上の説明は最も簡単な場合についての
み述べたが、配向方向の異なる領域数と異なる電圧が印
加される領域数を増やしても同様な効果が得られる。
明する。自然画などを表示する場合は、必ずしも画素内
で配向方向を分割する必要はない。自然画の場合，一画
素自身が表示の単位になることは少なく、いくつかの画
素の集合が像を形成していることが多い。このため、一
画素が必ずしも上下方向で対称な光学特性を持たなくと
も、ある画素とその隣接画素の合計で上下方向で対称な
光学特性をもっていれば、表示画像としては認識できる
ためである。そこで例えば、図５に示すように画素内を
液晶に相異なる電圧が印加される２種類の領域（Ａ，
Ｂ）に分割し、２画素単位毎に配向方向を変化させる。
この場合でも表示画像としては、第１の発明と同様な効
果が得られる。以上の説明は最も簡単な場合についての
み述べたが、配向方向の異なる領域数と異なる電圧が印
加される領域数を増やしても同様な効果が得られる。
【００１７】以上の説明ではＴＮモードについて述べた
が、これに限定されることにはならない。配向方向を領
域毎に分けることによって、図３のＴ３のような視角依
存性が殆どない透過率が現れる場合すべてに適用でき
る。他の液晶モードでも同様の効果が得られる。
が、これに限定されることにはならない。配向方向を領
域毎に分けることによって、図３のＴ３のような視角依
存性が殆どない透過率が現れる場合すべてに適用でき
る。他の液晶モードでも同様の効果が得られる。
【００１８】
【実施例】以下では、第１の本発明の第１の実施例につ
いて説明する。本実施例においては、アモルファスシリ
コン薄膜トランジスタアレイ基板を用いた。この薄膜ト
ランジスタ基板（ＴＦＴ基板）の画素サイズは１００μ
ｍ×１５０μｍのものを用いた。図６にＴＦＴ基板の平
面図を示す。但し、対向基板の対向電極を２つに分割し
ており、それぞれの対向電極（Ａ，Ｂ）に異なる電圧が
印加されるようにした。この断面図を図８に示す。対向
電極の形状は、領域Ａ６１と領域Ｂ６２の面積比が４：
６となるように決めた。ＴＦＴ基板と組み合わせた場
合、平面図図６に示すように、対向電極は縦方向に分割
されることとなる。
いて説明する。本実施例においては、アモルファスシリ
コン薄膜トランジスタアレイ基板を用いた。この薄膜ト
ランジスタ基板（ＴＦＴ基板）の画素サイズは１００μ
ｍ×１５０μｍのものを用いた。図６にＴＦＴ基板の平
面図を示す。但し、対向基板の対向電極を２つに分割し
ており、それぞれの対向電極（Ａ，Ｂ）に異なる電圧が
印加されるようにした。この断面図を図８に示す。対向
電極の形状は、領域Ａ６１と領域Ｂ６２の面積比が４：
６となるように決めた。ＴＦＴ基板と組み合わせた場
合、平面図図６に示すように、対向電極は縦方向に分割
されることとなる。
【００１９】一方、各画素を縦に二分割し、ラビング方
向が逆向きの領域が横に連なるように配置した。このラ
ビング方向の区分けは、図７の工程図に示す工程によっ
て実現した。図７（ａ）に示すようにＴＦＴ基板上にポ
リイミド溶液を塗布焼成し配向膜７２を形成した。この
後、図７（ｂ）に示すように基板全面をラビング法で配
向処理した。さらに、図７（ｃ）のようにフォトレジス
ト工程により領域ａにフォトレジスト７４でマスクを施
し、図７（ｄ）のように領域ｂ表面を前回とは逆方向に
ラビングを行い配向処理を施した。この時、領域ａとｂ
の面積は等しくなるようにした。この後、フォトレジス
ト７４を剥離し図７（ｅ）の基板を得ることができた。
同様の領域分割をカラーフィルタを有する対向基板側に
対しても行った。両基板を６．２μｍのスペーサを介し
て張り合わせた。この際、ツイスト方向が整合するよう
な領域同士が相対するように張り合わせた。この後、ネ
マチック液晶を両基板の間隙に注入しＴＮ構造を得た。
用いた液晶はメルク社製のＺＬＩ−４７９２にカイラル
ドーパントを混入したものである。次に、２枚の偏光板
を互いの偏光透過軸が直交するように液晶セルに張り付
けた。
向が逆向きの領域が横に連なるように配置した。このラ
ビング方向の区分けは、図７の工程図に示す工程によっ
て実現した。図７（ａ）に示すようにＴＦＴ基板上にポ
リイミド溶液を塗布焼成し配向膜７２を形成した。この
後、図７（ｂ）に示すように基板全面をラビング法で配
向処理した。さらに、図７（ｃ）のようにフォトレジス
ト工程により領域ａにフォトレジスト７４でマスクを施
し、図７（ｄ）のように領域ｂ表面を前回とは逆方向に
ラビングを行い配向処理を施した。この時、領域ａとｂ
の面積は等しくなるようにした。この後、フォトレジス
ト７４を剥離し図７（ｅ）の基板を得ることができた。
同様の領域分割をカラーフィルタを有する対向基板側に
対しても行った。両基板を６．２μｍのスペーサを介し
て張り合わせた。この際、ツイスト方向が整合するよう
な領域同士が相対するように張り合わせた。この後、ネ
マチック液晶を両基板の間隙に注入しＴＮ構造を得た。
用いた液晶はメルク社製のＺＬＩ−４７９２にカイラル
ドーパントを混入したものである。次に、２枚の偏光板
を互いの偏光透過軸が直交するように液晶セルに張り付
けた。
【００２０】次に、実際に薄膜トランジスタを駆動させ
ることにより各階調の透過率の角度依存性を測定した。
この際、２つの対向電極にはフレーム周期と同じ周波数
の矩形波を印加し、但し、矩形波の振幅が１．４Ｖの差
を持つように設定した。このときの透過率の視角依存性
の測定結果を、図９に示す。比較のために、２つの対向
電極間の電圧差を０Ｖとした時の測定結果を図１０に示
す。これから分かるように、領域Ａ，Ｂの液晶にかかる
電圧の差を１．４Ｖに設定することにより、第２階調の
視角依存性が大幅に改善することが認識された。
ることにより各階調の透過率の角度依存性を測定した。
この際、２つの対向電極にはフレーム周期と同じ周波数
の矩形波を印加し、但し、矩形波の振幅が１．４Ｖの差
を持つように設定した。このときの透過率の視角依存性
の測定結果を、図９に示す。比較のために、２つの対向
電極間の電圧差を０Ｖとした時の測定結果を図１０に示
す。これから分かるように、領域Ａ，Ｂの液晶にかかる
電圧の差を１．４Ｖに設定することにより、第２階調の
視角依存性が大幅に改善することが認識された。
【００２１】第１の発明の第２の実施例について説明す
る。本実施例においては、断面図図１１に示すようにＴ
ＦＴ基板側の画素電極１１２上の一部に酸化膜１１３を
形成し、これをコンデサとして領域Ａ１１９と領域Ｂ１
１１０の液晶に印加される電圧が異なるようにした。領
域Ａ，Ｂの面積比は４：６に設定した。領域Ａの液晶に
印加される電圧を、領域Ｂの液晶に印加される電圧の
１．６倍となるように酸化膜１１３の厚さを２．２μｍ
とした。斜視図図１２を用いて以下説明する。第１の実
施例に述べた方法によりラビング方向が１８０°異なる
領域ａ，ｂを作成した。この時両領域ａ，ｂの面積を等
しくなるように設定した。この際、用いた液晶として屈
折率異方性Δｎ＝０．０９４のＺＬＩ−４７９２（メル
ク社製）に左カイラルのドーパントを混入した液晶を用
いた。この後、第１の実施例と同様にしてＴＮ構造を作
成したが、この時セルギャップを５．１μｍとした。こ
れは、平行偏光板間における５５０ｎｍの波長に対する
透過率が最小になるように選んだ値である。ところが、
これだけでは他の波長の光が漏れてくるために完全な黒
が得られない。そこで、ＺＬＩ−４９７２に右カイラル
ドーパントを混入した同一のギャップ値の補償用ＴＮ液
晶セル１２２を用意し、２つを積層して配置した。
る。本実施例においては、断面図図１１に示すようにＴ
ＦＴ基板側の画素電極１１２上の一部に酸化膜１１３を
形成し、これをコンデサとして領域Ａ１１９と領域Ｂ１
１１０の液晶に印加される電圧が異なるようにした。領
域Ａ，Ｂの面積比は４：６に設定した。領域Ａの液晶に
印加される電圧を、領域Ｂの液晶に印加される電圧の
１．６倍となるように酸化膜１１３の厚さを２．２μｍ
とした。斜視図図１２を用いて以下説明する。第１の実
施例に述べた方法によりラビング方向が１８０°異なる
領域ａ，ｂを作成した。この時両領域ａ，ｂの面積を等
しくなるように設定した。この際、用いた液晶として屈
折率異方性Δｎ＝０．０９４のＺＬＩ−４７９２（メル
ク社製）に左カイラルのドーパントを混入した液晶を用
いた。この後、第１の実施例と同様にしてＴＮ構造を作
成したが、この時セルギャップを５．１μｍとした。こ
れは、平行偏光板間における５５０ｎｍの波長に対する
透過率が最小になるように選んだ値である。ところが、
これだけでは他の波長の光が漏れてくるために完全な黒
が得られない。そこで、ＺＬＩ−４９７２に右カイラル
ドーパントを混入した同一のギャップ値の補償用ＴＮ液
晶セル１２２を用意し、２つを積層して配置した。
【００２２】第１の液晶セルの薄膜トランジスタに駆動
電圧を供給して、各階調時の透過率の視角依存性を測定
した。測定結果を図１３に示す。図１３と図１０を比較
して分かるように、第２、３階調の透過率の視角依存性
が大幅に改善されていることが分かる。
電圧を供給して、各階調時の透過率の視角依存性を測定
した。測定結果を図１３に示す。図１３と図１０を比較
して分かるように、第２、３階調の透過率の視角依存性
が大幅に改善されていることが分かる。
【００２３】第１の発明の第３の実施例について説明す
る。本実施例においては、上述の第２の実施例と同様な
手段を用いて各領域の液晶に印加される電圧が異なるよ
うにした。すなわち、アモルファスシリコン薄膜トラン
ジスタ基板の表示電極上に一部酸化膜を形成しコンデン
サとした。この薄膜トランジスタ基板とカラーフィルタ
を有する対向基板上に、ポリミイド溶液を塗布焼成する
ことにより配向膜を形成した。本実施例においては、こ
の配向膜にラビング処理を施すことなく、この薄膜トラ
ンジスタ基板と対向基板を張り合わせた。スペーサの大
きさを調整して、セルギャップを６．３μｍに調整し
た。ネマチック液晶ＺＬＩ−４７９２にカイラルドーパ
ントを混入し、このセルギャップの４倍のピッチになる
ように調整した。この液晶と張り合わせた液晶セルを加
熱し、等方相で液晶セル中に液晶を注入した。液晶注入
完了後、液晶セルを徐冷した。これを偏光顕微鏡で観察
すると一画素内の液晶層が概略数μｍ径の多数の微細領
域に分かれているのが確認された。これは、各微細領域
内では液晶が９０°ツイストしているが、領域間では液
晶の配向方向が異なるためである。この９０°ツイスト
は、ネマチック液晶中のカイラルドーパントによって引
き起こされている。
る。本実施例においては、上述の第２の実施例と同様な
手段を用いて各領域の液晶に印加される電圧が異なるよ
うにした。すなわち、アモルファスシリコン薄膜トラン
ジスタ基板の表示電極上に一部酸化膜を形成しコンデン
サとした。この薄膜トランジスタ基板とカラーフィルタ
を有する対向基板上に、ポリミイド溶液を塗布焼成する
ことにより配向膜を形成した。本実施例においては、こ
の配向膜にラビング処理を施すことなく、この薄膜トラ
ンジスタ基板と対向基板を張り合わせた。スペーサの大
きさを調整して、セルギャップを６．３μｍに調整し
た。ネマチック液晶ＺＬＩ−４７９２にカイラルドーパ
ントを混入し、このセルギャップの４倍のピッチになる
ように調整した。この液晶と張り合わせた液晶セルを加
熱し、等方相で液晶セル中に液晶を注入した。液晶注入
完了後、液晶セルを徐冷した。これを偏光顕微鏡で観察
すると一画素内の液晶層が概略数μｍ径の多数の微細領
域に分かれているのが確認された。これは、各微細領域
内では液晶が９０°ツイストしているが、領域間では液
晶の配向方向が異なるためである。この９０°ツイスト
は、ネマチック液晶中のカイラルドーパントによって引
き起こされている。
【００２４】次に、薄膜トランジスタに駆動電圧を供給
して、各階調の透過率の視角依存性を測定した。測定結
果を図１４に示す。図１４と図１０に比較して分かるよ
うに、第２、３階調の透過率の視角依存性が大幅に改善
されていることが分かる。
して、各階調の透過率の視角依存性を測定した。測定結
果を図１４に示す。図１４と図１０に比較して分かるよ
うに、第２、３階調の透過率の視角依存性が大幅に改善
されていることが分かる。
【００２５】第１の発明の第４の実施例について図１５
を用いて説明する。本実施例においては、第２及び第３
の実施例と同様な方法で電気容量を酸化膜により形成
し、この結果領域毎に印加される電圧が異なるようにし
た。ＴＦＴ基板１５５及び対向基板１５３上にポリイミ
ド溶液を塗布焼成後ラビング処理を行った。この後、ラ
ビング方向が反平行となるように両基板を張り合わせホ
モジニアス配向が得られるように配置した。このとき、
スペーサ径を調整することによって、セルギャップを
４．１μｍに調整した。この後、カイラルドーパントを
混ぜていないネマチック液晶を注入し、ホモジニアスセ
ルを作成した。このとき、屈折率異方性Δｎ＝０．０９
４のネマチック液晶（ＺＬＩ−４７９２）を用いた。次
に、ポリスチレンフィルムを一軸延伸した補償板１５２
を用意し、この一軸延伸方向がラビング方向と平行にな
るように液晶セルに張り付けた。補償板１５２のリター
デイションはΔｎｄ＝−０．３８５、ホモジニアスセル
と同じ大きさのリターデイションではあるが、符号が異
なるようになっている。このホモジニアスセルと補償板
の組み合わせにより、電圧無印加時には広い視角範囲で
黒表示が得られる。
を用いて説明する。本実施例においては、第２及び第３
の実施例と同様な方法で電気容量を酸化膜により形成
し、この結果領域毎に印加される電圧が異なるようにし
た。ＴＦＴ基板１５５及び対向基板１５３上にポリイミ
ド溶液を塗布焼成後ラビング処理を行った。この後、ラ
ビング方向が反平行となるように両基板を張り合わせホ
モジニアス配向が得られるように配置した。このとき、
スペーサ径を調整することによって、セルギャップを
４．１μｍに調整した。この後、カイラルドーパントを
混ぜていないネマチック液晶を注入し、ホモジニアスセ
ルを作成した。このとき、屈折率異方性Δｎ＝０．０９
４のネマチック液晶（ＺＬＩ−４７９２）を用いた。次
に、ポリスチレンフィルムを一軸延伸した補償板１５２
を用意し、この一軸延伸方向がラビング方向と平行にな
るように液晶セルに張り付けた。補償板１５２のリター
デイションはΔｎｄ＝−０．３８５、ホモジニアスセル
と同じ大きさのリターデイションではあるが、符号が異
なるようになっている。このホモジニアスセルと補償板
の組み合わせにより、電圧無印加時には広い視角範囲で
黒表示が得られる。
【００２６】次に、駆動電圧を薄膜トランジスタに供給
し、各階調電圧における透過率の視角依存性を調べた。
領域Ａの液晶に印加される電圧を、領域Ｂの液晶に印加
される電圧の１．５倍となるように設定した。領域Ａ，
Ｂの面積比は３：７に設定した。この測定結果を図１６
に示す。比較のために、酸化膜の電気容量になる電圧分
割を行わない場合の測定結果を図１７に示す。これか
ら、本発明を用いることにより、低階調表示の視角依存
性が小さくなっており視認性が向上していることが分か
る。このように本発明は、液晶モードとしてＴＮに限る
ことなく、他の液晶モードでも適用可能である。また、
光学補償板を用いたような従来の液晶モードにも適用可
能である。
し、各階調電圧における透過率の視角依存性を調べた。
領域Ａの液晶に印加される電圧を、領域Ｂの液晶に印加
される電圧の１．５倍となるように設定した。領域Ａ，
Ｂの面積比は３：７に設定した。この測定結果を図１６
に示す。比較のために、酸化膜の電気容量になる電圧分
割を行わない場合の測定結果を図１７に示す。これか
ら、本発明を用いることにより、低階調表示の視角依存
性が小さくなっており視認性が向上していることが分か
る。このように本発明は、液晶モードとしてＴＮに限る
ことなく、他の液晶モードでも適用可能である。また、
光学補償板を用いたような従来の液晶モードにも適用可
能である。
【００２７】次に第２の本発明の実施例について述べ
る。平面図図１８を用いて説明する。以前の実施例と同
様に、表示電極上の一部に酸化膜を形成し、一画素を領
域Ａ１８１、領域Ｂ１８２に二分割した。このとき領域
Ａ１８１、領域Ｂ１８２は４：６の面積比になるように
した。領域Ａの液晶に印加される電圧を、領域Ｂの液晶
に印加される電圧の１．６倍になるように設定した。ま
た以前の実施例と同様の手段を用いて、図１８に示すよ
うに縦二画素毎にラビング方向が逆向きの領域ａ１８
３、領域ｂ１８４を作成した。表示面全体としては、領
域ａ１８３、領域ｂ１８４の面積は等しい。対向基板
も、ＴＦＴ基板の領域ａ，ｂと対応するようにラビング
方向の区分けをし、各領域がＴＮ構造を取るように張り
合わせた。
る。平面図図１８を用いて説明する。以前の実施例と同
様に、表示電極上の一部に酸化膜を形成し、一画素を領
域Ａ１８１、領域Ｂ１８２に二分割した。このとき領域
Ａ１８１、領域Ｂ１８２は４：６の面積比になるように
した。領域Ａの液晶に印加される電圧を、領域Ｂの液晶
に印加される電圧の１．６倍になるように設定した。ま
た以前の実施例と同様の手段を用いて、図１８に示すよ
うに縦二画素毎にラビング方向が逆向きの領域ａ１８
３、領域ｂ１８４を作成した。表示面全体としては、領
域ａ１８３、領域ｂ１８４の面積は等しい。対向基板
も、ＴＦＴ基板の領域ａ，ｂと対応するようにラビング
方向の区分けをし、各領域がＴＮ構造を取るように張り
合わせた。
【００２８】次に、薄膜トランジスタに駆動電圧を供給
して、各階調における透過率の視角依存性を測定した。
領域Ａの液晶に印加される電圧を、領域Ｂの液晶に印加
される電圧の１．６倍に設定した。測定結果を図１９に
示す。図１９と図１０を比較して分かるように、第２、
３階調の透過率の視角依存性が大幅に改善されているこ
とが分かる。
して、各階調における透過率の視角依存性を測定した。
領域Ａの液晶に印加される電圧を、領域Ｂの液晶に印加
される電圧の１．６倍に設定した。測定結果を図１９に
示す。図１９と図１０を比較して分かるように、第２、
３階調の透過率の視角依存性が大幅に改善されているこ
とが分かる。
【００２９】次に表示電極を分割する他の方法について
説明する。図２０は第１の発明の第５の実施例を示す液
晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の平面図と断面図であ
る。まず透明ガラス基板２００上に例えばＣｒを１５０
０Ａの厚さでスパッタ成膜し走査電極、ゲート電極２０
１と接続容量電極２０５、蓄積容量電極２０７を島状に
形成する。この時の金属電極はＣｒの他にＴａ，Ａｌ等
の金属や合金、積層膜が知られているがいずれの場合で
も本発明は有効である。また、蓄積容量電極を用いない
場合も考えられるがこの場合においても本発明の有効性
は損なわない。続いてゲート絶縁膜２０８を５０００
Ａ、非晶質Ｓｉ膜２０９を３０００ＡをプラズマＣＶＤ
法で形成する。非晶質Ｓｉ膜をゲート電極２０１上に島
状に形成し、続いて透明電極である酸化インジウム錫を
５００Ａスパッタ成膜して第１の画素電極２０４と第２
の画素電極２０６を同時に島状に形成する。この時、第
１の画素電極と第２の画素電極面積は液晶の表示モード
により異なる。ノーマリブラックモードでは第１の画素
電極を第２の画素電極に対し同等から２倍程度大きく設
定し、ノーマリホワイトモードではほぼ同等から半分程
度小さく設定した。続いてＣｒを１５００Ａスパッタ成
膜して信号電極、ソース電極２０２とドレイン電極２０
３を島状に形成する。非晶質Ｓｉ中のオーミック層を部
分的にエッチングして薄膜トランジスタを完成させ、最
後に保護膜である窒化Ｓｉを２０００Ａ形成してＴＦＴ
アレイ基板を完成させる。本実施例ではチャネルエッチ
型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタで形成したが、チャネル
保護膜型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタ等のトランジスタ
構造、他材料のトランジスタ構造でも本発明は有効であ
る。この後、図２２の２２１の方向にガラス基板全体に
配向処理を行い、続いて２２３の領域にレジストを被覆
し、さらにガラス基板全体を２２２の方向に配向処理を
行なう。その後、レジストを剥離すると２２３の領域に
は２２１の方向に配向処理がなされ、２２４の領域には
２２２の方向の配向処理がなされる。この時液晶注入後
の液晶のプレティルト角が３度以上になるように配向膜
を選択した。一方カラーフィルタ基板の配向処理には２
２２の方向と直交するように配向処理をほどこした。こ
の時の液晶のプレティルト角は１度程度になるように配
向膜を選択した。また、カラーフィルタ基板の配向処理
において、ＴＦＴの設置された基板の配向処理と同様
に、画素に対応する部分を２つの領域に分け、それぞれ
２２１の方向、２２２の方向と９０度ねじれた方向に配
向処理することも可能である。その後、ＴＦＴの基板と
カラーフィルタの基板を張り合わせ、液晶を注入、封止
した後、硝子基板を切断、駆動回路、バックライトを接
続し液晶表示装置を完成させた。
説明する。図２０は第１の発明の第５の実施例を示す液
晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の平面図と断面図であ
る。まず透明ガラス基板２００上に例えばＣｒを１５０
０Ａの厚さでスパッタ成膜し走査電極、ゲート電極２０
１と接続容量電極２０５、蓄積容量電極２０７を島状に
形成する。この時の金属電極はＣｒの他にＴａ，Ａｌ等
の金属や合金、積層膜が知られているがいずれの場合で
も本発明は有効である。また、蓄積容量電極を用いない
場合も考えられるがこの場合においても本発明の有効性
は損なわない。続いてゲート絶縁膜２０８を５０００
Ａ、非晶質Ｓｉ膜２０９を３０００ＡをプラズマＣＶＤ
法で形成する。非晶質Ｓｉ膜をゲート電極２０１上に島
状に形成し、続いて透明電極である酸化インジウム錫を
５００Ａスパッタ成膜して第１の画素電極２０４と第２
の画素電極２０６を同時に島状に形成する。この時、第
１の画素電極と第２の画素電極面積は液晶の表示モード
により異なる。ノーマリブラックモードでは第１の画素
電極を第２の画素電極に対し同等から２倍程度大きく設
定し、ノーマリホワイトモードではほぼ同等から半分程
度小さく設定した。続いてＣｒを１５００Ａスパッタ成
膜して信号電極、ソース電極２０２とドレイン電極２０
３を島状に形成する。非晶質Ｓｉ中のオーミック層を部
分的にエッチングして薄膜トランジスタを完成させ、最
後に保護膜である窒化Ｓｉを２０００Ａ形成してＴＦＴ
アレイ基板を完成させる。本実施例ではチャネルエッチ
型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタで形成したが、チャネル
保護膜型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタ等のトランジスタ
構造、他材料のトランジスタ構造でも本発明は有効であ
る。この後、図２２の２２１の方向にガラス基板全体に
配向処理を行い、続いて２２３の領域にレジストを被覆
し、さらにガラス基板全体を２２２の方向に配向処理を
行なう。その後、レジストを剥離すると２２３の領域に
は２２１の方向に配向処理がなされ、２２４の領域には
２２２の方向の配向処理がなされる。この時液晶注入後
の液晶のプレティルト角が３度以上になるように配向膜
を選択した。一方カラーフィルタ基板の配向処理には２
２２の方向と直交するように配向処理をほどこした。こ
の時の液晶のプレティルト角は１度程度になるように配
向膜を選択した。また、カラーフィルタ基板の配向処理
において、ＴＦＴの設置された基板の配向処理と同様
に、画素に対応する部分を２つの領域に分け、それぞれ
２２１の方向、２２２の方向と９０度ねじれた方向に配
向処理することも可能である。その後、ＴＦＴの基板と
カラーフィルタの基板を張り合わせ、液晶を注入、封止
した後、硝子基板を切断、駆動回路、バックライトを接
続し液晶表示装置を完成させた。
【００３０】得られた液晶表示装置の視角特性を図２１
に示すが、図３３、図３４に示された従来構造の液晶表
示装置の視角特性に比べて中間調表示領域の視角特性が
大幅に改善されていることがわかる。
に示すが、図３３、図３４に示された従来構造の液晶表
示装置の視角特性に比べて中間調表示領域の視角特性が
大幅に改善されていることがわかる。
【００３１】このような構成にすると、走査電極２０１
と接続容量電極２０５は同層に形成され、しかも第１の
画素電極２０４と第２の画素電極２０６は接続容量電極
２０５と容量接続されるため第１の画素電極電位と第２
の画素電極電位には異なった電圧を印加することが可能
となり、従来の画素分割型液晶表示装置の構造（例えば
図３５）に比べ、構造が簡単な液晶表示装置を提供する
ことが可能となる。さらに、それぞれの画素電極上には
配向方向の異なる液晶配向領域があるため、異なる画素
電極電位で駆動したときの液晶表示装置の視角特性で問
題になっていた図３３で示されるような階調反転が起こ
らない。また、画素内での配向方向の異なる液晶表示領
域だけ有する図３４で示されるような従来の配向分割型
の液晶表示素子の視角を増加したときに起こっていたコ
ントラストの低下が起こらない。この結果、図２１で示
されるように、上下方向で視角特性の大幅な改善をする
ことが出来る。
と接続容量電極２０５は同層に形成され、しかも第１の
画素電極２０４と第２の画素電極２０６は接続容量電極
２０５と容量接続されるため第１の画素電極電位と第２
の画素電極電位には異なった電圧を印加することが可能
となり、従来の画素分割型液晶表示装置の構造（例えば
図３５）に比べ、構造が簡単な液晶表示装置を提供する
ことが可能となる。さらに、それぞれの画素電極上には
配向方向の異なる液晶配向領域があるため、異なる画素
電極電位で駆動したときの液晶表示装置の視角特性で問
題になっていた図３３で示されるような階調反転が起こ
らない。また、画素内での配向方向の異なる液晶表示領
域だけ有する図３４で示されるような従来の配向分割型
の液晶表示素子の視角を増加したときに起こっていたコ
ントラストの低下が起こらない。この結果、図２１で示
されるように、上下方向で視角特性の大幅な改善をする
ことが出来る。
【００３２】図２３は表示電極を３つに分割した液晶表
示装置のＴＦＴアレイの平面図と断面図である。まず透
明ガラス基板２３０上に例えばＴａを２０００Ａの厚さ
でスパッタ成膜し走査電極、ゲート電極２３１と接続容
量電極２３５を島状に形成する。この時の金属電極はＴ
ａの他にＡｌ，ＴａＮ，Ｃｒ等の金属や合金、積層膜が
知られているがいずれの場合でも本発明は有効である。
続いてゲート絶縁膜を２３８を５００Ａ、非晶質Ｓｉ膜
２３９を３０００ＡをプラズマＣＶＤ法で形成する。非
晶質Ｓｉ膜を島状に形成し、続いて透明電極である酸化
インジウム錫を５０００Ａスパッタ成膜して第１の画素
電極２３４と第２の画素電極２３６及び第３の画素電極
２３７を同時に島状に形成する。この時、第１から第３
の画素電極はそれぞれ接続容量電極に空間的に重なるよ
うに接続容量電極と第１から第３の画素電極を設計す
る。さらに第１から第３のが画素電極を前段の走査電極
に空間的に重なるように第１から第３の画素電極を設計
することにより液晶表示動作の安定性を向上させる。こ
の時走査電極のへの重なりは全ての画素電極が重ならな
くとも良い。また、第１の画素電極と第２の画素電極面
積は液晶の表示モードにより異なる。続いてＣｒを１５
００Ａスパッタ成膜して信号電極、ソース電極２３２と
ドレイン電極２３３を島状に形成する。非晶質Ｓｉ中の
オーミック層を部分的にエッチングして薄膜トランジス
タを完成させ、最後に保護膜である窒化Ｓｉを２０００
Ａ形成してＴＦＴアレイ基板を完成させる。本実施例で
はチャネルエッチ型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタで形成
したが、チャネル保護膜型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタ
構造、他材料のトランジスタでも本発明は有効である。
この後、さらに２３１０の領域に液晶注入後の液晶プレ
ティルト角が１度以下の配向膜を形成し、２３１１の領
域に液晶注入後の液晶のプレティルト角が３度以上の配
向膜をパターン形成する。その後２３１２の方向に配向
処理を行なう。一方、カラーフィルタ基板の配向膜の形
成は２３１０の領域に対応するカラー基板の領域では液
晶注入後の液晶のプレティルト角が３度以上の配向膜
を、２３１１の領域に対応するカラーフィルタ基板側の
領域では液晶注入後の液晶のプレティルト角が１度以下
になるように配向膜を選びパターン形成する。さらにＴ
ＦＴ側の配向方向とほぼ９０度捻れるように配向方向を
選択し、配向処理を行なう。続いて、ＴＦＴアレイ基板
とカラーフィルタ基板を張り合わせ、液晶を注入、封止
した後、硝子基板を切断、駆動回路、バックライトを接
続し液晶表示装置を完成させた。
示装置のＴＦＴアレイの平面図と断面図である。まず透
明ガラス基板２３０上に例えばＴａを２０００Ａの厚さ
でスパッタ成膜し走査電極、ゲート電極２３１と接続容
量電極２３５を島状に形成する。この時の金属電極はＴ
ａの他にＡｌ，ＴａＮ，Ｃｒ等の金属や合金、積層膜が
知られているがいずれの場合でも本発明は有効である。
続いてゲート絶縁膜を２３８を５００Ａ、非晶質Ｓｉ膜
２３９を３０００ＡをプラズマＣＶＤ法で形成する。非
晶質Ｓｉ膜を島状に形成し、続いて透明電極である酸化
インジウム錫を５０００Ａスパッタ成膜して第１の画素
電極２３４と第２の画素電極２３６及び第３の画素電極
２３７を同時に島状に形成する。この時、第１から第３
の画素電極はそれぞれ接続容量電極に空間的に重なるよ
うに接続容量電極と第１から第３の画素電極を設計す
る。さらに第１から第３のが画素電極を前段の走査電極
に空間的に重なるように第１から第３の画素電極を設計
することにより液晶表示動作の安定性を向上させる。こ
の時走査電極のへの重なりは全ての画素電極が重ならな
くとも良い。また、第１の画素電極と第２の画素電極面
積は液晶の表示モードにより異なる。続いてＣｒを１５
００Ａスパッタ成膜して信号電極、ソース電極２３２と
ドレイン電極２３３を島状に形成する。非晶質Ｓｉ中の
オーミック層を部分的にエッチングして薄膜トランジス
タを完成させ、最後に保護膜である窒化Ｓｉを２０００
Ａ形成してＴＦＴアレイ基板を完成させる。本実施例で
はチャネルエッチ型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタで形成
したが、チャネル保護膜型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタ
構造、他材料のトランジスタでも本発明は有効である。
この後、さらに２３１０の領域に液晶注入後の液晶プレ
ティルト角が１度以下の配向膜を形成し、２３１１の領
域に液晶注入後の液晶のプレティルト角が３度以上の配
向膜をパターン形成する。その後２３１２の方向に配向
処理を行なう。一方、カラーフィルタ基板の配向膜の形
成は２３１０の領域に対応するカラー基板の領域では液
晶注入後の液晶のプレティルト角が３度以上の配向膜
を、２３１１の領域に対応するカラーフィルタ基板側の
領域では液晶注入後の液晶のプレティルト角が１度以下
になるように配向膜を選びパターン形成する。さらにＴ
ＦＴ側の配向方向とほぼ９０度捻れるように配向方向を
選択し、配向処理を行なう。続いて、ＴＦＴアレイ基板
とカラーフィルタ基板を張り合わせ、液晶を注入、封止
した後、硝子基板を切断、駆動回路、バックライトを接
続し液晶表示装置を完成させた。
【００３３】図２４は表示電極を他の方法で分割した液
晶表示装置のＴＦＴアレイの平面図と断面図を示す。ま
ず透明ガラス基板２４０上に例えばＣｒを１０００Ａの
厚さでスパッタ成膜し走査電極、ゲート電極２４１と続
いて酸化インジウム錫を５００Ａスパッタ成膜し、接続
容量電極兼第２の画素電極を２４６を島状に形成する。
この時の金属電極はＣｒの他にＡｌ，ＴａＮ，Ｃｒ等の
金属や合金、積層膜が知られているがいずれの場合でも
本発明は有効である。また、接続容量電極の一部に金属
膜を使用したり、走査電極やゲート電極に透明電極を積
層しても本発明は有効である。続いてゲート絶縁膜２４
８を４０００Ａ、非晶質Ｓｉ膜２４９を３０００Ａをプ
ラズマＣＶＤ法で形成する。非晶質Ｓｉ膜を島状に形成
し、続いて透明電極である酸化インジウム錫を５００Ａ
スパッタ成膜して第１の画素電極を島状に形成する。こ
の時、第１と第３の画素電極は空間的に重なるように画
素電極を設計する。さらに第１と第２の画素電極を前段
の走査電極に空間的に重なるように第１、第２の画素電
極を設計することにより液晶表示動作の安定性を向上さ
せることもできる。この時走査電極のへの重なりは全て
の画素電極が重ならなくとも良い。また、第１の画素電
極と第２の画素電極面積は液晶の表示モードにより異な
る。続いてＣｒを１５００Ａスパッタ成膜して信号電
極、ソース電極２４２とドレイン電極２４３を島状に形
成する。非晶質Ｓｉ中のオーミック層を部分的にエッチ
ングして薄膜トランジスタを完成させ、最後に保護膜で
ある窒化Ｓｉを２０００Ａ形成してＴＦＴアレイ基板を
完成させる。本実施例ではチャネルエッチ型非晶質Ｓｉ
薄膜トランジスタで形成したが、チャネル保護膜型非晶
質Ｓｉ薄膜トランジスタ等のトランジスタ構造、他材料
のトランジスタでも本発明は有効である。この後、配向
処理を行なわずに、カラーフィルタ基板を張り合わせ、
液晶を注入、封止した後、硝子基板を切断、駆動回路、
バックライトを接続し液晶表示装置を完成させた。この
場合には画素内の２つの画素電極上には液晶配向方向の
異なる多くの配向領域が得られた。この場合には視角特
性は改善されたが、コントラストの低下が観測された。
この画素電極構造においては、第１の発明のようなそれ
ぞれの画素電極上で液晶配向分割方法を行った場合には
コントラストの低下は起こらず、視角特性は大幅に改善
された。
晶表示装置のＴＦＴアレイの平面図と断面図を示す。ま
ず透明ガラス基板２４０上に例えばＣｒを１０００Ａの
厚さでスパッタ成膜し走査電極、ゲート電極２４１と続
いて酸化インジウム錫を５００Ａスパッタ成膜し、接続
容量電極兼第２の画素電極を２４６を島状に形成する。
この時の金属電極はＣｒの他にＡｌ，ＴａＮ，Ｃｒ等の
金属や合金、積層膜が知られているがいずれの場合でも
本発明は有効である。また、接続容量電極の一部に金属
膜を使用したり、走査電極やゲート電極に透明電極を積
層しても本発明は有効である。続いてゲート絶縁膜２４
８を４０００Ａ、非晶質Ｓｉ膜２４９を３０００Ａをプ
ラズマＣＶＤ法で形成する。非晶質Ｓｉ膜を島状に形成
し、続いて透明電極である酸化インジウム錫を５００Ａ
スパッタ成膜して第１の画素電極を島状に形成する。こ
の時、第１と第３の画素電極は空間的に重なるように画
素電極を設計する。さらに第１と第２の画素電極を前段
の走査電極に空間的に重なるように第１、第２の画素電
極を設計することにより液晶表示動作の安定性を向上さ
せることもできる。この時走査電極のへの重なりは全て
の画素電極が重ならなくとも良い。また、第１の画素電
極と第２の画素電極面積は液晶の表示モードにより異な
る。続いてＣｒを１５００Ａスパッタ成膜して信号電
極、ソース電極２４２とドレイン電極２４３を島状に形
成する。非晶質Ｓｉ中のオーミック層を部分的にエッチ
ングして薄膜トランジスタを完成させ、最後に保護膜で
ある窒化Ｓｉを２０００Ａ形成してＴＦＴアレイ基板を
完成させる。本実施例ではチャネルエッチ型非晶質Ｓｉ
薄膜トランジスタで形成したが、チャネル保護膜型非晶
質Ｓｉ薄膜トランジスタ等のトランジスタ構造、他材料
のトランジスタでも本発明は有効である。この後、配向
処理を行なわずに、カラーフィルタ基板を張り合わせ、
液晶を注入、封止した後、硝子基板を切断、駆動回路、
バックライトを接続し液晶表示装置を完成させた。この
場合には画素内の２つの画素電極上には液晶配向方向の
異なる多くの配向領域が得られた。この場合には視角特
性は改善されたが、コントラストの低下が観測された。
この画素電極構造においては、第１の発明のようなそれ
ぞれの画素電極上で液晶配向分割方法を行った場合には
コントラストの低下は起こらず、視角特性は大幅に改善
された。
【００３４】
【発明の効果】以上のように、第１及び第２の本発明を
用いることにより視認性の高い広い視角依存性の液晶表
示装置を得ることができる。また、実施例で述べたよう
に用いるＴＮ以外の液晶モードに適用して、十分な効果
を得ることができる。さらに、光学補償板などを適用し
た液晶パネルに対しても十分な効果を得ることができ
る。
用いることにより視認性の高い広い視角依存性の液晶表
示装置を得ることができる。また、実施例で述べたよう
に用いるＴＮ以外の液晶モードに適用して、十分な効果
を得ることができる。さらに、光学補償板などを適用し
た液晶パネルに対しても十分な効果を得ることができ
る。
【図１】第１の発明を説明するための平面図。
【図２】第１の発明を説明するための電圧−透過率特性
図。
図。
【図３】第１の発明を説明するための視角−透過率特性
図。
図。
【図４】第１の発明を説明するための視角−透過率特性
図。
図。
【図５】第２の発明を説明するための平面図。
【図６】第１の発明の第１の実施例を説明するための平
面図。
面図。
【図７】第１の発明の第１の実施例を説明するための工
程図。
程図。
【図８】第１の発明の第１の実施例を説明するための断
面図。
面図。
【図９】第１の発明の第１の実施例の視角−透過率特性
図。
図。
【図１０】第１の発明の第１の実施例の視角−透過率特
性図。
性図。
【図１１】第１の発明の第２の実施例を説明するための
断面図。
断面図。
【図１２】第１の発明の第２の実施例を説明するための
斜視図。
斜視図。
【図１３】第１の発明の第２の実施例の視角−透過率特
性図。
性図。
【図１４】第１の発明の第３の実施例の視角−透過率特
性図。
性図。
【図１５】第１の発明の第４の実施例の斜視図。
【図１６】第１の発明の第４の実施例の視角−透過率特
性図。
性図。
【図１７】第１の発明の第４の実施例の視角−透過率特
性図。
性図。
【図１８】第２の発明の実施例を説明するための平面
図。
図。
【図１９】第２の発明の実施例の視角−透過率特性図。
【図２０】第１の発明の第５の実施例を説明するための
平面図と断面図。
平面図と断面図。
【図２１】第１の発明の第５の実施例の視角−透過率特
性。
性。
【図２２】第１の発明の第５の実施例を説明するための
斜視図。
斜視図。
【図２３】第１の発明の第６の実施例を説明するための
平面図と断面図。
平面図と断面図。
【図２４】第１の発明の第７の実施例を説明するための
平面図と断面図。
平面図と断面図。
【図２５】従来技術を説明するための視角−透過率特性
図。
図。
【図２６】従来技術を説明するための一画素の回路図。
【図２７】従来技術を説明するための電圧−透過率特性
図。
図。
【図２８】従来技術を説明するための一画素の模式図。
【図２９】従来技術を説明するための電圧−透過率特性
図。
図。
【図３０】従来技術を説明するための断面図。
【図３１】従来技術を説明するための断面図。
【図３２】従来技術を説明するための視角−透過率特性
図。
図。
【図３３】従来技術を説明するための視角−透過率特性
図。
図。
【図３４】従来技術を説明するための視角−透過率特性
図。
図。
【図３５】従来技術を説明するための斜視図。
１１，５１，６１，８８，１１９，１２９，１５９，１
８１ 領域Ａ １２，５２，６２，８９，１１１０，１２１０，１５１
０，１８２ 領域Ｂ １３，５３，６３，７５，１２７，１５７，１８３，３
１１ 領域ａ １４，５４，６４，７６，１２８，１５８，１８４，３
１２ 領域ｂ １５，５５ 画素 ６５，１２４，１２６，１５４，１５６，１８５ 各領
域のラビング方向 ７１ 基板 ７２ 配向膜 ７３ ラビングローラー ７４ フォトレジスト ８１，１１１，１２５，１５５，３５３ ＴＦＴ基板 ８２，１１８，２６０，２８０，３５２ 薄膜トランジ
スタ ８３，１１２，２８１ 画素電極 ８４，１１５，１２３，１５３，３５５ 対向基板 ８５，１１７ カラーフィルタ層 ８６，１１６ 遮光膜 ８７，１１４ 対向電極 １１３ 酸化膜 １２１，１５１ 偏光板 １２２ 補償用ＴＮ液晶 １５２ 補償板 ２００，２２０，２３０，２４０，６０ ガラス基板 ２０１，２３１，２４１，３５６ 走査電極またはゲー
ト電極 ２０２，２０３，２３２，２３３，２４２，２４３，３
５７ ソース電極またはドレイン電極または信号電極 ２０４，２２７，２３４，２４４，３５４ 第１の画素
電極 ２０５，２２１０，２３５ 接続容量電極 ２０６，２２８，２３６，２４６，３５８ 第２の画素
電極 ２０７，２２９ 蓄積容量電極 ２０８，２３８，２４８ ゲート絶縁膜 ２０９，２３９，２４９ 半導体膜 ２３７ 第３の画素電極 ２２１，２２２，２２１１，２３１２，２３９ 配向処
理方向 ２２６ 配向膜 ２０１０，２２３，２３１０ 液晶配向領域Ａ ２０１１，２２４，２３１１ 液晶配向領域Ｂ ３００ ＴＮ液晶層 ３０１，３１３ 視線 ３５１ 接続容量用絶縁膜
８１ 領域Ａ １２，５２，６２，８９，１１１０，１２１０，１５１
０，１８２ 領域Ｂ １３，５３，６３，７５，１２７，１５７，１８３，３
１１ 領域ａ １４，５４，６４，７６，１２８，１５８，１８４，３
１２ 領域ｂ １５，５５ 画素 ６５，１２４，１２６，１５４，１５６，１８５ 各領
域のラビング方向 ７１ 基板 ７２ 配向膜 ７３ ラビングローラー ７４ フォトレジスト ８１，１１１，１２５，１５５，３５３ ＴＦＴ基板 ８２，１１８，２６０，２８０，３５２ 薄膜トランジ
スタ ８３，１１２，２８１ 画素電極 ８４，１１５，１２３，１５３，３５５ 対向基板 ８５，１１７ カラーフィルタ層 ８６，１１６ 遮光膜 ８７，１１４ 対向電極 １１３ 酸化膜 １２１，１５１ 偏光板 １２２ 補償用ＴＮ液晶 １５２ 補償板 ２００，２２０，２３０，２４０，６０ ガラス基板 ２０１，２３１，２４１，３５６ 走査電極またはゲー
ト電極 ２０２，２０３，２３２，２３３，２４２，２４３，３
５７ ソース電極またはドレイン電極または信号電極 ２０４，２２７，２３４，２４４，３５４ 第１の画素
電極 ２０５，２２１０，２３５ 接続容量電極 ２０６，２２８，２３６，２４６，３５８ 第２の画素
電極 ２０７，２２９ 蓄積容量電極 ２０８，２３８，２４８ ゲート絶縁膜 ２０９，２３９，２４９ 半導体膜 ２３７ 第３の画素電極 ２２１，２２２，２２１１，２３１２，２３９ 配向処
理方向 ２２６ 配向膜 ２０１０，２２３，２３１０ 液晶配向領域Ａ ２０１１，２２４，２３１１ 液晶配向領域Ｂ ３００ ＴＮ液晶層 ３０１，３１３ 視線 ３５１ 接続容量用絶縁膜
Claims (2)
- 【請求項１】 一つの表示画素が、液晶に印加する電
圧が相異なる２個の領域であって電圧の大きい領域と小
さい領域の面積比が４：６〜３：７の２つの領域と、液
晶の配向方向が異なるｎ個（ｎは２以上の自然数）の領
域と、の組合せからなる２ｎ個の領域からなる液晶表示
装置。 - 【請求項２】 一つの表示画素が液晶に印加する電圧が
相異なる２個の領域であって電圧の大きい領域と小さい
領域の面積比が４：６〜３：７の２つの領域からなり、
表示基板全体が液晶の配向方向が異なるｎ種類（ｎは２
以上の自然数）の領域からなる液晶表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17453193A JP2576765B2 (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 液晶表示装置 |
| US08/696,100 US5777700A (en) | 1993-07-14 | 1996-08-14 | Liquid crystal display with improved viewing angle dependence |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17453193A JP2576765B2 (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0728065A JPH0728065A (ja) | 1995-01-31 |
| JP2576765B2 true JP2576765B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=15980163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17453193A Expired - Lifetime JP2576765B2 (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2576765B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2790083B2 (ja) * | 1995-07-14 | 1998-08-27 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100304915B1 (ko) * | 1998-04-09 | 2001-09-24 | 구본준, 론 위라하디락사 | 복합전계방식 액정표시소자 |
| KR20010053976A (ko) * | 1999-12-02 | 2001-07-02 | 윤종용 | 다중 영역 액정 표시 장치 |
| JP4342200B2 (ja) | 2002-06-06 | 2009-10-14 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| CN101308270B (zh) * | 2002-06-06 | 2010-12-08 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
| JP4248306B2 (ja) | 2002-06-17 | 2009-04-02 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100890024B1 (ko) | 2002-09-18 | 2009-03-25 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| JP2005283612A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 液晶表示装置 |
| KR101189266B1 (ko) | 2004-09-24 | 2012-10-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| JP5317804B2 (ja) * | 2009-04-03 | 2013-10-16 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 液晶表示装置及び電子機器 |
| KR101230317B1 (ko) * | 2011-11-21 | 2013-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| GB2508845A (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-18 | Sharp Kk | Analogue multi-pixel drive |
Family Cites Families (3)
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-
1993
- 1993-07-14 JP JP17453193A patent/JP2576765B2/ja not_active Expired - Lifetime
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