TWI535870B - 被成膜基板、有機ｅｌ顯示裝置 - Google Patents

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TWI535870B TW101102007A TW101102007A TWI535870B TW I535870 B TWI535870 B TW I535870B TW 101102007 A TW101102007 A TW 101102007A TW 101102007 A TW101102007 A TW 101102007A TW I535870 B TWI535870 B TW I535870B
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Description

被成膜基板、有機EL顯示裝置
本發明係關於一種於沿特定方向排列之複數個蒸鍍區域各者內形成有蒸鍍膜之被成膜基板、有機EL顯示裝置及蒸鍍方法。
近年來，於各類商品及領域中一直運用平板顯示器，並不斷謀求平板顯示器之進一步大型化、圖像高質量化、低耗電化。
於此種狀況下，具備利用有機材料之電場發光(Electroluminescence；以下，記作「EL」)之有機EL元件之有機EL顯示裝置作為全固體型且於低電壓驅動、高速反應性、自發光性等方面優異之平板顯示器，一直受到高度關注。
有機EL顯示裝置例如具有於包含設置有TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)之玻璃基板等之基板上，設置有連接於TFT之有機EL元件之構成。
有機EL元件係可藉由低電壓直流驅動進行高亮度發光之發光元件，具有依序積層有第1電極、有機EL層、及第2電極之構造。其中，第1電極與TFT連接。又，於第1電極與第2電極之間，作為上述有機EL層，設置有使電洞注入層、電洞輸送層、電子阻隔層、發光層、電洞阻隔層、電子輸送層、電子注入層等積層而成之有機層。
全彩之有機EL顯示裝置一般而言係於基板上排列形成紅(R，red)、綠(G，green)、藍(B，blue)各色有機EL元件作為子像素，利用TFT，使該等有機EL元件選擇性地以所期望之亮度發光藉此進行圖像顯示。
於此種有機EL顯示裝置之製造中，至少包含發出各色光之有機發光材料之發光層於每個發光元件即有機EL元件上形成圖案(例如參照專利文獻1~3)。
作為進行發光層之圖案形成之方法，例如已知有使用被稱作陰影遮罩之蒸鍍用之遮罩之真空蒸鍍法、噴墨法、雷射轉印法。
例如，於低分子型有機EL顯示器(OLED，Organic Light Emitting Diode，有機發光二極體)中，先前係藉由使用陰影遮罩之蒸鍍法，進行有機層之分塗形成。
於使用陰影遮罩之真空蒸鍍法中，使用可對基板之蒸鍍區域整體蒸鍍之尺寸之陰影遮罩(密接型整面陰影遮罩)。一般而言，作為陰影遮罩，可使用與基板同等尺寸之遮罩。
圖26係表示使用陰影遮罩之先前之蒸鍍裝置之概略構成之剖面圖。
於使用陰影遮罩之真空蒸鍍法中，如圖26所示，使基板301與蒸鍍源302對向配置，為了使蒸鍍粒子不附著於目標之蒸鍍區域以外之區域，於陰影遮罩303上，設置對應於蒸鍍區域之一部分圖案之開口部304，經由該開口部304使蒸鍍粒子蒸鍍於基板301上由此進行圖案形成。
基板301配置於未圖示之真空腔室內，於基板301之下方，固定蒸鍍源302。使陰影遮罩303相對於基板301接近(或密接)而固定，或於在真空腔室之內壁固定有基板301及蒸鍍源302之狀態下，使其相對於基板301而相對移動。
例如於專利文獻1中，揭示有：使用加載互鎖式之蒸鍍源，於進行遮罩與基板之位置對準之後，自基板之正下方真空蒸鍍第1發光材料，形成與遮罩之開口部大致相同形狀之第1發光部之排列，之後移動遮罩而自基板之正下方真空蒸鍍第2發光材料，形成與遮罩之開口部大致相同形狀之第2發光部之排列。
於專利文獻2中，揭示有：於設置有顯示電極之基板上，以包圍顯示電極之方式設置突出於基板上之間隔壁，於該間隔壁之上表面載置遮罩使有機EL媒體堆積於間隔壁內之顯示電極上，之後使遮罩以遮罩之開口部自1個顯示電極上移於鄰接之顯示電極上之方式移動，藉此依序形成與遮罩之開口部大致相同形狀之發光層。
又，使用陰影遮罩之真空蒸鍍法不僅可用於發光層，亦可用於電極之圖案形成。
例如，於專利文獻4中，揭示有：於與基板同等尺寸之遮罩上，將小徑或細長之狹縫孔沿相對於遮罩之移動方向交叉之方向排列，一面使遮罩沿小徑或狹縫孔之排列方向移動一面使電極材料蒸鍍由此形成電極圖案。
於以此方式使用陰影遮罩之真空蒸鍍法中，為了抑制陰影遮罩彎曲或變形，對其施加張力而使之固定(例如溶接)於遮罩框上。
於使用陰影遮罩之真空蒸鍍法中，使此種陰影遮罩接近(或密接)於基板，自蒸鍍源，通過陰影遮罩之開口部使蒸鍍粒子蒸鍍(附著)於基板之所期望之位置處，進行蒸鍍膜即發光層或電極之圖案形成。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本公開專利公報「日本專利特開2000-188179號公報(公開日：2000年7月4日)(對應美國專利第6294892號(公告日：2001年9月25日))」
[專利文獻2]日本公開專利公報「日本專利特開平8-227276號公報(公開日：1996年9月3日)(對應美國專利第5,742,129號(公告日：1998年4月21日))」
[專利文獻3]日本公開專利公報「日本專利特開平9-167684號公報(公開日：1997年6月24日)(對應美國專利第5,688,551號(公告日：1997年11月18日))」
[專利文獻4]日本公開專利公報「日本專利特開平10-102237號公報(公開日：1998年4月21日)」
然而，於先前之蒸鍍法中，有易於產生光之混色、或不發光之問題。如圖27(a)所示，於使基板301與遮罩303接近而形成蒸鍍膜305之先前之蒸鍍法中，如圖27(b)所示，有產生蒸鍍膜305之圖案偏移之情形。而且由於該蒸鍍膜305之圖案偏移，會產生(i)像素306a之發光區域307a上之蒸鍍膜305與鄰接像素306b之發光區域307b重疊所造成之混色(即顏色混雜、或未以本來之顏色發光)，或者(ii)該像素306a之發光區域307a上之蒸鍍膜305之一部分缺損所造成之不發光或短路。
更詳細而言，於先前之蒸鍍法中，如圖27(b)所示，蒸鍍膜305之端部305t變得陡峭。因此，當如上述(i)般蒸鍍膜305與鄰接像素306b之發光區域307b重疊時，蒸鍍膜305之整體膜厚與鄰接像素306b之發光區域307b重疊，另一方面，當如上述(ii)般該像素306a之發光區域307a上之蒸鍍膜305一部分缺損時，蒸鍍膜305完全地不存在。
即，於產生此種問題之情形時，蒸鍍膜305之整體膜厚對像素之發光特性造成影響，對圖像質量之影響較大。
因此，於上述(i)時，極大地阻礙鄰接像素306b之發光特性(即混色)，另一方面，於上述(ii)時，於該像素306a之發光區域307a內，形成不發光部而導致亮度降低，並且產生短路而發生亮度降低、元件之損傷及壽命劣化。
而且，由於此種問題有製作良率降低，製造成本上升之問題。
本發明係鑒於上述問題點而完成者，其目的在於提供一種即便產生蒸鍍膜之圖案偏移，亦可降低對圖像質量之影響之被成膜基板、有機EL顯示裝置及蒸鍍方法。
為了解決上述課題，本發明之被成膜基板之特徵在於：其係於沿特定方向排列之複數個蒸鍍區域之各者內形成有蒸鍍膜者，且上述蒸鍍膜於上述特定方向之兩側，具有相對於上述被成膜基板之法線方向傾斜的傾斜側面，上述蒸鍍膜之上述特定方向之寬度大於上述蒸鍍區域之上述特定方向的寬度與上述各蒸鍍區域間之區域之上述特定方向之寬度的和。
又，本發明之蒸鍍方法之特徵在於：其係於被成膜基板上於沿特定方向排列之複數個蒸鍍區域之各者內形成蒸鍍膜者，且包括：準備步驟，其係準備遮罩單元，該遮罩單元包括具有對應於上述蒸鍍區域之開口部之蒸鍍遮罩、及對向配置於上述蒸鍍遮罩之蒸鍍源；位置對準步驟，其係對準上述蒸鍍遮罩與上述被成膜基板之間之特定方向之相對位置關係；以及形成步驟，其係使來自上述蒸鍍源之蒸鍍粒子經由上述開口部蒸鍍於上述被成膜基板上，藉此於上述蒸鍍區域內形成上述蒸鍍膜；於上述形成步驟中，上述蒸鍍膜覆蓋其所對應之上述蒸鍍區域，且於其上述特定方向之兩側，具有相對於上述被成膜基板之法線方向傾斜之傾斜側面，上述蒸鍍膜之上述特定方向的寬度形成為大於上述蒸鍍區域之上述特定方向之寬度與上述各蒸鍍區域間的區域之上述特定方向之寬度的和。
根據上述被成膜基板及蒸鍍方法，蒸鍍膜之特定方向之寬度大於蒸鍍區域之特定方向之寬度與各蒸鍍區域間之區域之特定方向之寬度之和，故而即便於蒸鍍膜相對於被成膜沿基板特定方向而相對地偏移之情形時，偏移方向之相反側之傾斜側面亦覆蓋蒸鍍區域。從而，可防止於蒸鍍區域內產生蒸鍍膜之缺損及短路。
又蒸鍍膜於特定方向之兩側，具有相對於被成膜基板之法線方向傾斜之傾斜側面，故而即便蒸鍍膜相對於被成膜基板而相對地偏移且蒸鍍膜與相鄰之蒸鍍區域重疊，亦僅蒸鍍膜之傾斜側面與相鄰之蒸鍍區域重疊。因此，蒸鍍膜之整體膜厚(即蒸鍍膜之平坦部分之膜厚)不會與相鄰之蒸鍍區域重疊，故而可降低混色程度。
從而，即便蒸鍍膜相對於被成膜基板而相對地偏移，亦可兼顧膜之缺損及短路與混色程度之降低。藉此，可實現相對於蒸鍍膜相對於被成膜基板之相對偏移差值較高之蒸鍍，可提昇良率，可降低製造成本。因此，即便產生蒸鍍膜之圖案偏移亦可降低對圖像質量之影響。
如上所述，本發明之被成膜基板係於沿特定方向排列之複數個蒸鍍區域之各者內形成有蒸鍍膜之被成膜基板，且上述蒸鍍膜於上述特定方向之兩側，具有相對於上述被成膜基板之法線方向傾斜之傾斜側面，上述蒸鍍膜之上述特定方向之寬度大於上述蒸鍍區域之上述特定方向之寬度與上述各蒸鍍區域間之區域之上述特定方向之寬度之和。
又本發明之蒸鍍方法係在被成膜基板上於沿特定方向排列之複數個蒸鍍區域之各者內形成蒸鍍膜者，且包括：準備步驟，其係準備遮罩單元，該遮罩單元包括具有對應於上述蒸鍍區域之開口部之蒸鍍遮罩、及對向配置於上述蒸鍍遮罩之蒸鍍源；位置對準步驟，其係對準上述蒸鍍遮罩與上述被成膜基板之間之特定方向之相對位置關係；以及形成步驟，其係使來自上述蒸鍍源之蒸鍍粒子經由上述開口部蒸鍍於上述被成膜基板上，藉此於上述蒸鍍區域內形成上述蒸鍍膜；於上述形成步驟中，上述蒸鍍膜覆蓋其所對應之上述蒸鍍區域，且於該上述特定方向之兩側，具有相對於上述被成膜基板之法線方向傾斜之傾斜側面，上述蒸鍍膜之上述特定方向的寬度形成為大於上述蒸鍍區域之上述特定方向之寬度與上述各蒸鍍區域間的區域之上述特定方向之寬度之和。
因此，即便蒸鍍膜相對於被成膜基板而相對地偏移，亦可兼顧膜之缺損及短路與混色程度之降低。因此，即便產生蒸鍍膜之圖案偏移亦可降低對圖像質量之影響。
以下，對本發明之實施形態，詳細地進行說明。
[實施形態1]
若根據圖1~圖21對本發明之實施之一形態進行說明則如下所述。
於本實施形態中，作為使用本實施形態之蒸鍍裝置之蒸鍍方法之一例，列舉自TFT基板側掠出光之底部發光型且RGB全彩顯示之有機EL顯示裝置之製造方法為例進行說明。
首先，以下對上述有機EL顯示裝置之整體構成進行說明。
圖6係表示RGB全彩顯示之有機EL顯示裝置之概略構成之剖面圖。又，圖7係表示構成圖6所示之有機EL顯示裝置之像素之構成之平面圖，圖8係圖7所示之有機EL顯示裝置中之TFT基板之A-A線箭視剖面圖。
如圖6所示，以本實施形態製造之有機EL顯示裝置1具有於設置有TFT12(參照圖8)之TFT基板10上依序設置有連接於TFT12之有機EL元件20、黏接層30、及密封基板40之構成。
如圖6所示，利用黏接層30使積層有有機EL元件20之TFT基板10與密封基板40貼合，藉此該有機EL元件20封入至該等一對基板(TFT基板10、密封基板40)間。
上述有機EL顯示裝置1係以此方式將有機EL元件20封入至TFT基板10與密封基板40之間，藉此防止氧氣或水分自外部向有機EL元件20滲入。
如圖8所示，TFT基板10例如具備玻璃基板等透明之絕緣基板11，作為支持基板。如圖7所示，於絕緣基板11上，設置有複數根配線14，其包含沿水平方向鋪設之複數根閘極線、及沿垂直方向鋪設且與閘極線交叉之複數根信號線。於閘極線上，連接有驅動閘極線之未圖示之閘極線驅動電路，於信號線上，連接有驅動信號線之未圖示之信號線驅動電路。
有機EL顯示裝置1係全彩之主動矩陣型之有機EL顯示裝置，於絕緣基板11上，在由該等配線14所包圍之區域內，包含紅(R)、綠(G)、藍(B)各色有機EL元件20之各色子像素2R、2G、2B分別排列成矩陣狀。
即，由該等配線14所包圍之區域係1個子像素(點)，於每個子像素上形成有R、G、B之發光區域(蒸鍍區域)24R、24G、24B。
像素2(即，1個像素)係由透過紅色光之紅色子像素2R、透過綠色光之綠色子像素2G、透過藍色光之藍色子像素2B計3個子像素2R、2G、2B所構成。
於各子像素2R、2G、2B上，分別設置有藉由條紋狀之各色發光層(蒸鍍膜)23R、23G、23B而覆蓋之開口部15R、15G、15B，作為各子像素2R、2G、2B之負責發光之各色發光區域24R、24G、24B。再者，各發光區域24R、24G、24B形成為條紋狀，各發光層23R、23G、23B分別形成於其所對應之發光區域24R、24G、24B上，因此形成為條紋狀。
該等發光層23R、23G、23B逐個顏色地藉由蒸鍍而形成有圖案。再者，對開口部15R、15G、15B進行如下敍述。
於該等子像素2R、2G、2B上，分別設置有連接於有機EL元件20之第1電極21之TFT12。各子像素2R、2G、2B之發光強度度係由配線14及TFT12之掃描及選擇而決定。以此方式，有機EL顯示裝置1利用TFT12，使有機EL元件20選擇性地以所期望之亮度發光從而實現圖像顯示。
其次，對上述有機EL顯示裝置1中之TFT基板10及有機EL元件20之構成進行詳細敍述。
首先，對TFT基板10進行說明。
如圖8所示，TFT基板10具有於玻璃基板等透明之絕緣基板11上，依序形成有TFT12(開關元件)、層間膜13(層間絕緣膜、平坦化膜)、配線14、及邊緣罩15之構成。
於上述絕緣基板11上，設置有配線14，並且對應於各子像素2R、2G、2B，分別設置有TFT12。再者，TFT之構成為先前所熟知。因此，省略TFT12之各層之圖示及說明。
層間膜13以覆蓋各TFT12之方式，遍及上述絕緣基板11之整個區域地積層於上述絕緣基板11上。
於層間膜13上，形成有有機EL元件20之第1電極21。
又，於層間膜13上，設置有用以將有機EL元件20之第1電極21電性地連接於TFT12之接觸孔13a。從而，TFT12經由上述接觸孔13a，電性地連接於有機EL元件20。
邊緣罩15係用以防止因於第1電極21之圖案端部有機EL層變薄或產生電場集中之故，有機EL元件20之第1電極21與第2電極26短路之絕緣層。
邊緣罩15以覆蓋第1電極21之圖案端部之方式形成於層間膜13上。
於邊緣罩15上，針對每個子像素2R、2G、2B設置有開口部15R、15G、15B。該邊緣罩15之開口部15R、15G、15B成為各子像素2R、2G、2B之發光區域。
換而言之，各子像素2R、2G、2B藉由具有絕緣性之邊緣罩15而隔開。邊緣罩15亦作為元件分離膜而發揮功能。
再者，於圖8中，作為一例於邊緣罩15作為將各子像素2R、2G、2B隔開之元件分離膜而發揮功能之情形下進行圖示，但邊緣罩15不一定必須作為元件分離膜而發揮功能。以下，假設邊緣罩15形成地較薄以不作為元件分離膜而發揮功能之情形進行說明。再者，於該情形時，亦可省略邊緣罩15。
其次，對有機EL元件20進行說明。
有機EL元件20係可藉由低電壓直流驅動進行高亮度發光之發光元件，依序積層有第1電極21、有機EL層、及第2電極26。
第1電極21係具有向上述有機EL層注入(供給)電洞之功能之層。第1電極21如上所述經由接觸孔13a與TFT12連接。
如圖8所示，於第1電極21與第2電極26之間，作為有機EL層，具有自第1電極21側起，依序形成有電洞注入層兼電洞輸送層22、發光層23R、23G、23B、電子輸送層24、及電子注入層25之構成。
再者，上述積層順序係以第1電極21作為陽極，以第2電極26作為陰極，於以第1電極21作為陰極，以第2電極26作為陽極之情形時，有機EL層之積層順序反轉。
電洞注入層係具有提昇向發光層23R、23G、23B之電洞注入效率之功能之層。又，電洞輸送層係具有提昇向發光層23R、23G、23B之電洞輸送效率之功能之層。電洞注入層兼電洞輸送層22以覆蓋第1電極21及邊緣罩15之方式，同樣地形成於上述TFT基板10之顯示區域整個面上。
再者，於本實施形態中，如上所述，以設置有電洞注入層與電洞輸送層形成一體化之電洞注入層兼電洞輸送層22作為電洞注入層及電洞輸送層之情形為例進行說明。然而，本實施形態並不限定於此。電洞注入層與電洞輸送層亦可作為彼此獨立之層而形成。
於電洞注入層兼電洞輸送層22上，發光層23R、23G、23B以覆蓋邊緣罩15之開口部15R、15G、15B之方式，分別對應於子像素2R、2G、2B而形成。
發光層23R、23G、23B係具有使自第1電極21側注入之電洞(hole)與自第2電極26側注入之電子再結合而出射光之功能之層。發光層23R、23G、23B分別由低分子螢光色素、金屬錯合物等發光效率較高之材料所形成。
電子輸送層24係具有提昇自第2電極26向發光層23R、23G、23B之電子輸送效率之功能之層。又，電子注入層25係具有提昇自第2電極26向電子輸送層24之電子注入效率之功能之層。
電子輸送層24以覆蓋發光層23R、23G、23B及電洞注入層兼電洞輸送層22之方式，同樣地遍及上述TFT基板10之顯示區域整個面地形成於該等發光層23R、23G、23B及電洞注入層兼電洞輸送層22上。又，電子注入層25以覆蓋電子輸送層24之方式，同樣地遍及上述TFT基板10之顯示區域整個面地形成於電子輸送層24上。
再者，電子輸送層24與電子注入層25既可作為如上所述彼此獨立之層而形成，亦可彼此形成一體化而設置。即，上述有機EL顯示裝置1亦可具備電子輸送層兼電子注入層，取代電子輸送層24及電子注入層25。
第2電極26係具有向由如上所述之有機層構成之有機EL層注入電子之功能之層。第2電極26以覆蓋電子注入層25之方式，同樣地遍及上述TFT基板10之顯示區域整個面地形成於電子注入層25上。
再者，發光層23R、23G、23B以外之有機層並非作為有機EL層所必需之層，只要根據所要求之有機EL元件20之特性適當形成即可。又，於有機EL層上，根據需要，亦可追加載波阻隔層。例如，於發光層23R、23G、23B與電子輸送層24之間追加電洞阻隔層作為載波阻隔層，藉此可阻止電洞向電子輸送層24漏逸，提昇發光效率。
作為上述有機EL元件20之構成，例如，可採用如下述(1)~(8)所示之層構成。
(1)第1電極/發光層/第2電極
(2)第1電極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/第2電極
(3)第1電極/電洞輸送層/發光層/電洞阻隔層(載波阻隔層)/電子輸送層/第2電極
(4)第1電極/電洞輸送層/發光層/電洞阻隔層/電子輸送層/電子注入層/第2電極
(5)第1電極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層/第2電極
(6)第1電極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電洞阻隔層/電子輸送層/第2電極
(7)第1電極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電洞阻隔層/電子輸送層/電子注入層/第2電極
(8)第1電極/電洞注入層/電洞輸送層/電子阻隔層(載波阻隔層)/發光層/電洞阻隔層/電子輸送層/電子注入層/第2電極
再者，如上所述，例如電洞注入層與電洞輸送層亦可形成一體化。又，電子輸送層與電子注入層亦可形成一體化。
又，有機EL元件20之構成並不限定於上述例示之層構成，如上所述，可根據所要求之有機EL元件20之特性採用所需之層構成。
其次，以下對上述有機EL顯示裝置1之製造方法進行說明。
圖9係將上述有機EL顯示裝置1之製造步驟以步驟順序進行表示之流程圖。
如圖9所示，本實施形態之有機EL顯示裝置1之製造方法例如包括：TFT基板、第1電極製作步驟(S1)、電洞注入層、電洞輸送層蒸鍍構成(S2)、發光層蒸鍍步驟(S3)、電子輸送層蒸鍍步驟(S4)、電子注入層蒸鍍步驟(S5)、第2電極蒸鍍步驟(S6)、及密封步驟(S7)。
以下，依照圖9所示之流程圖，參照圖6及圖8對上述各步驟進行說明。
其中，本實施形態中所記載之各構成要素之尺寸、材質、形狀等終究不過係一實施形態，不應該理解為藉由其限定本發明之範圍。
又，如上所述，本實施形態中所記載之積層順序係以第1電極21作為陽極，以第2電極26作為陰極，相反地當以第1電極21作為陰極，以第2電極26作為陽極之情形時，有機EL層之積層順序反轉。同樣地，構成第1電極21及第2電極26之材料亦反轉。
首先，如圖8所示，利用公知之技術於形成有TFT12及配線14等之玻璃等絕緣基板11上塗佈感光性樹脂，藉由光微影技術進行圖案化，從而於絕緣基板11上形成層間膜13。
作為上述絕緣基板11，例如可使用厚度為0.7~1.1 mm、y軸方向之長度(縱向長度)為400~500 mm、x軸方向之長度(橫向長度)為300~400 mm之玻璃基板或塑膠基板。再者，於本實施形態中，使用玻璃基板。
作為層間膜13，例如可使用丙烯酸樹脂或聚醯亞胺樹脂等。作為丙烯酸樹脂，例如可列舉：JSR股份有限公司製造之Optomer系列。又，作為聚醯亞胺樹脂，例如可列舉：Toray股份有限公司製造之photness系列。其中，聚醯亞胺樹脂通常不透明，且有色。因此，於如圖8所示製造底部發光型之有機EL顯示裝置作為上述有機EL顯示裝置1之情形時，作為上述層間膜13，可更佳地使用丙烯酸樹脂等透明性樹脂。
作為上述層間膜13之膜厚，只要可彌補TFT12造成之階差即可，並無特別限定。於本實施形態中，例如設定為約2 μm。
其次，於層間膜13上，形成用以將第1電極21電性地連接於TFT12之接觸孔13a。
其次，作為導電膜(電極膜)，例如藉由濺鍍法等，將ITO(Indium Tin Oxide：銦錫氧化物)膜以100 nm之厚度成膜。
其次，在於上述ITO膜上塗佈光阻劑，利用光微影技術進行圖案化之後，以氯化鐵作為蝕刻液，對上述ITO膜進行蝕刻。其後，使用抗蝕劑剝離液將光阻劑剝離，進而進行基板清洗。藉此，於層間膜13上，以矩陣狀形成第1電極21。
再者，作為上述第1電極21中所使用之導電膜材料，例如可使用：ITO、IZO(Indium Zinc Oxide：銦鋅氧化物)、摻鎵氧化鋅(GZO，Gallium Zinc Oxide)等透明導電材料、金(Au)、鎳(Ni)、白金(Pt)等金屬材料。
又，作為上述導電膜之積層方法，除濺鍍法以外，可使用真空蒸鍍法、CVD(chemical vapor deposition，化學蒸鍍)法，電漿CVD法、印刷法等。
作為上述第1電極21之厚度並無特別限定，但如上所述，例如，可設定為100 nm之厚度。
其次，與層間膜13同樣地，例如以約1 μm之膜厚圖案化形成邊緣罩15。作為邊緣罩15之材料，可使用與層間膜13相同之絕緣材料。
藉由以上步驟，製作TFT基板10及第1電極21(S1)。
其次，對經過如上所述之步驟之TFT基板10，實施用以脫水之減壓烘烤及作為第1電極21之表面清洗之氧氣電漿處理。
繼而，使用先前之蒸鍍裝置，於上述TFT基板10上，將電洞注入層及電洞輸送層(於本實施形態中為電洞注入層兼電洞輸送層22)蒸鍍於上述TFT基板10之顯示區域整個面上(S2)。
具體而言，於進行對準調整之後，使顯示區域整個面開口之開放遮罩相對於TFT基板10而密接並貼合，一面使TFT基板10與開放遮罩一併旋轉，一面將自蒸鍍源飛散之蒸鍍粒子通過開放遮罩之開口部而均勻地蒸鍍於顯示區域整個面上。
此處向顯示區域整個面之蒸鍍係指跨及鄰接之顏色不同之子像素間不間斷地進行蒸鍍。
作為電洞注入層及電洞輸送層之材料，例如可列舉：聯苯醯、苯乙烯基胺、三苯基胺、卟啉、三唑、咪唑、噁二唑、多芳基烷、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、茀酮、腙、茋、聯伸三苯、氮雜聯伸三苯、及該等之衍生物、聚矽烷系化合物、乙烯咔唑系化合物、噻吩系化合物、苯胺系化合物等鎖狀式共軛系之單體、寡聚物、或聚合物等。
電洞注入層與電洞輸送層既可如上所述形成一體化，亦可作為獨立之層而形成。作為各者之膜厚，例如為10~100 nm。
於本實施形態中，設置電洞注入層兼電洞輸送層22作為電洞注入層及電洞輸送層，並且使用4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(α-NPD)作為電洞注入層兼電洞輸送層22之材料。又，電洞注入層兼電洞輸送層22之膜厚設定為30 nm。
其次，於上述電洞注入層兼電洞輸送層22上，以覆蓋邊緣罩15之開口部15R、15G、15B之方式，對應於子像素2R、2G、2B分別分塗形成(圖案形成)發光層23R、23G、23B(S3)。
如上所述，對於發光層23R、23G、23B，可使用低分子螢光色素、金屬錯合物等發光效率較高之材料。
作為發光層23R、23G、23B之材料，例如可列舉：蒽、萘、茚、菲、芘、稠四苯、聯伸三苯、蒽、苝、苉、熒蒽、乙烯合菲、五并苯、稠五苯、蔻、丁二烯、香豆素、吖啶、茋、及該等之衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁錯合物、雙(羥基苯并喹啉)鈹錯合物、三(二苯甲醯基甲基)啡啉銪錯合物、二甲苯甲醯基乙烯聯苯等。
作為發光層23R、23G、23B之膜厚，例如為10~100 nm。
本實施形態之蒸鍍方法及蒸鍍裝置可尤其較佳地使用此種發光層23R、23G、23B之分塗形成(圖案形成)。
關於使用本實施形態之蒸鍍方法及蒸鍍裝置之發光層23R、23G、23B之分塗形成下文會詳細敍述。
其次，藉由與上述電洞注入層、電洞輸送層蒸鍍步驟(S2)相同之方法，以覆蓋上述電洞注入層兼電洞輸送層22及發光層23R、23G、23B之方式，將電子輸送層24蒸鍍於上述TFT基板10之顯示區域整個面上(S4)。
繼而，藉由與上述電洞注入層、電洞輸送層蒸鍍步驟(S2)相同之方法，以覆蓋上述電子輸送層24之方式，將電子注入層25蒸鍍於上述TFT基板10之顯示區域整個面上(S5)。
作為電子輸送層24及電子注入層25之材料，例如可列舉：三(8-羥基喹啉)鋁錯合物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯基喹噁啉衍生物、矽雜環戊二烯基衍生物等。
具體而言，Alq(三(8-羥基喹啉)鋁)、蒽、萘、菲、芘、蒽、苝、丁二烯、香豆素、吖啶、茋、1,10-啡啉、及該等之衍生物或金屬錯合物、LiF等。
如上所述電子輸送層24與電子注入層25既可形成一體化亦可作為獨立之層而形成。作為各者之膜厚，例如為1~100 nm。又，電子輸送層24及電子注入層25之合計之膜厚例如為20~200 nm。
於本實施形態中，於電子輸送層24之材料中使用Alq，於電子注入層25之材料中使用LiF。又，電子輸送層24之膜厚設定為30 nm，電子注入層25之膜厚設定為1 nm。
其次，藉由與上述電洞注入層、電洞輸送層蒸鍍步驟(S2)相同之方法，以覆蓋上述電子注入層25之方式，將第2電極26蒸鍍於上述TFT基板10之顯示區域整個面上(S6)。
作為第2電極26之材料(電極材料)，可較佳地使用功函數較小之金屬等。作為此種電極材料，例如可列舉：鎂合金(MgAg等)、鋁合金(AlLi、AlCa、AlMg等)、金屬鈣等。第2電極26之厚度例如為50~100 nm。
於本實施形態中，作為第2電極26係將鋁以50 nm之膜厚形成。藉此，於TFT基板10上，形成有包含上述有機EL層、第1電極21、及第2電極26之有機EL元件20。
其次，如圖6所示，藉由黏接層30使形成有有機EL元件20之上述TFT基板10與密封基板40貼合，進行有機EL元件20之封入。
作為上述密封基板40，例如可使用厚度為0.4~1.1 mm之玻璃基板或塑膠基板等絕緣基板。再者，於本實施形態中，使用玻璃基板。
再者，密封基板40之縱向長度及橫向長度既可根據目標之有機EL顯示裝置1之尺寸適當調整，亦可使用與TFT基板10之絕緣基板11大致相同尺寸之絕緣基板，於將有機EL元件20密封之後，依據目標之有機EL顯示裝置1之尺寸進行分割。
再者，作為有機EL元件20之密封方法，並不限定於上述方法。作為其他密封方式，例如可列舉：使用內凹玻璃作為密封基板40，藉由密封樹脂或漿料玻璃等以框狀進行密封之方法、或於TFT基板10與密封基板40之間填充樹脂之方法等。上述有機EL顯示裝置1之製造方法並不依存於上述密封方法，可應用一切密封方法。
又，於上述第2電極26上，亦可以覆蓋該第2電極26之方式，設置有未圖示之保護膜，其阻止氧氣或水分自外部滲入至有機EL元件20內。
上述保護膜由絕緣性或導電性之材料所形成。作為此種材料，例如可列舉：氮化矽或氧化矽。又，上述保護膜之厚度例如為100~1000 nm。
藉由上述步驟，完成有機EL顯示裝置1。
於此種有機EL顯示裝置1中，若藉由來自配線14之信號輸入使TFT12 ON(接通)，則電洞自第1電極21向有機EL層注入。另一方面，電子自第2電極26注入至有機EL層，電洞與電子於發光層23R、23G、23B內再結合。再結合之電洞及電子於能量失去活性時，作為光出射。
於上述有機EL顯示裝置1中，藉由控制各子像素2R、2G、2B之發光亮度，而顯示特定之圖像。
其次，對本實施形態之蒸鍍裝置之構成進行說明。
圖1係自被成膜基板之背面側(即蒸鍍面之相反側)觀察本實施形態之蒸鍍裝置中之真空腔室內之被成膜基板及遮罩單元之平面圖。再者，為了便於圖示，於圖1中，以兩點鎖線表示被成膜基板。又，圖2係本實施形態之蒸鍍裝置中之真空腔室內之主要構成要素之俯視圖。圖3係模式性地表示本實施形態之蒸鍍裝置中之主要部分之概略構成之剖面圖。再者，圖3相當於自圖1所示之B-B線箭視剖面觀察時之蒸鍍裝置之剖面。圖4係表示本實施形態之蒸鍍裝置之構成之一部分之方塊圖。
如圖3所示，本實施形態之蒸鍍裝置50包括真空腔室60(成膜腔室)、基板移動機構70(基板移動機構、移動機構)、遮罩單元80、影像感測器90、及控制電路100(參照圖4)。
如圖3所示，於上述真空腔室60內，設置有基板移動機構70及遮罩單元80。
再者，於上述真空腔室60內，設置有未圖示之真空泵，其係為了於蒸鍍時將該真空腔室60內保持為真空狀態，經由設置於該真空腔室60內之未圖示之排氣口對真空腔室60內進行真空排氣者。
上述基板移動機構70例如包括：保持被成膜基板200(例如TFT基板10)之基板保持構件71(基板保持機構)、及馬達72(參照圖4)。
上述基板移動機構70藉由基板保持構件71保持被成膜基板200，並且藉由下述馬達驅動控制部103(參照圖4)使馬達72驅動，藉此保持被成膜基板200並使其沿水平方向移動。再者，上述基板移動機構70既可設置成沿x軸方向及y軸方向之任一者均能移動，亦可設置成能沿任意一個方向移動。
再者，如圖1所示，x軸方向係沿基板掃描方向之方向，y軸方向係沿正交於基板掃描方向之方向(以後，稱作掃描正交方向)之方向。
就上述基板保持構件71而言，使用靜電夾盤。被成膜基板200係利用上述靜電夾盤，於未因自重而彎曲之狀態下，上述遮罩單元80之下述陰影遮罩81之間之間隙g1(空隙、垂直間距離)保持為特定之間隔。
此處，如圖14(a)所示，間隙g1係以各發光層23R、23B、23G之掃描正交方向(特定方向)之兩側之側面分別相對於被成膜基板200之法線方向成為平緩之傾斜側面23s之方式，保持為特定之間隔(再者，於圖14中，為了便於作圖，僅圖示有發光層23R，但對於各發光層23G、23B亦相同)。即，於本實施形態中，利用自蒸鍍源85射出之蒸鍍粒子以某一幅度射出之情況，將間隙g1調整成特定之間隔，從而使得傾斜側面23s成為平緩之傾斜。
於該特定之間隙g1之下，傾斜側面23s之傾斜設定成如圖15所示。即，若將傾斜側面23s之掃描正交方向(y軸方向)之寬度設定為B，將發光層23R、23B、23G之除傾斜側面23s以外之平坦部分23t之最大膜厚設定為H，則傾斜側面23s之傾斜H/B之絕對值以成為1/200以下方式設定。再者，於圖15中，圖示有傾斜側面23s之傾斜均勻之H/B之情形。即該H/B表示取得傾斜側面23s之傾斜之範圍之上限。該上限於H=500 (MAX)且B=10 μm時，H/B=1/200。
再者，並不存在傾斜側面23s之傾斜之下限，但例如若將發光區域(例如24R)與相鄰之發光區域(例如24G)之間之不發光區域(非蒸鍍區域)29(參照圖14)之掃描正交方向(y軸方向)之寬度設定為C，則平均之傾斜之現實之下限由H/C決定。若平均之傾斜之下限超過此，則於相鄰之發光區域內必然形成蒸鍍膜。
再者，寬度B之長度例如設定為小於不發光區域29之寬度C(此處C=20 μm)(更詳細而言，此處寬度B之長度設定為大於寬度C之1/2倍且小於寬度C之長度(例如15 μm))。
上述被成膜基板200與陰影遮罩81之間之間隙g1較佳為50 μm以上、3 mm以下範圍內，更較佳為200 μm左右。
另一方面，若上述間隙g1超過3 mm，則通過陰影遮罩81之開口部82之蒸鍍粒子擴散，所形成之蒸鍍膜211之圖案寬度變得過寬。例如於上述蒸鍍膜211為發光層23R之情形時，若上述間隙g1超過3 mm，則有於為鄰接子像素之子像素2G、2B之開口部15G、15B亦會蒸鍍發光層23R之材料之虞。
又，若上述間隙g1為200 μm左右，則既無被成膜基板200與陰影遮罩81接觸之虞，又亦可充分地縮小蒸鍍膜211之圖案寬度之擴大。
又，如圖3所示，遮罩單元80包括陰影遮罩81(蒸鍍遮罩)、蒸鍍源85、遮罩保持構件87(保持機構)、遮罩拉力機構88、及擋閘89(參照圖4)。
作為上述陰影遮罩81，例如可使用金屬製之遮罩。
上述陰影遮罩81例如形成為面積小於被成膜基板200之顯示區域210，且其至少1邊短於被成膜基板200之顯示區域210之寬度。
於本實施形態中，作為上述陰影遮罩81，使用具有以下大小之矩形狀(帶狀)之陰影遮罩。如圖1所示，上述陰影遮罩81形成為其長邊方向(長軸方向)之長度即長邊81a之寬度d1長於顯示區域210之對向於上述陰影遮罩81之長邊81a之邊(於圖1所示之例中為顯示區域210之長邊210a)之寬度d3。又，上述陰影遮罩81形成為其短邊方向(短軸方向)之長度即短邊81b之寬度d2短於顯示區域210之對向於上述陰影遮罩81之短邊81b之邊(於圖1所示之例中為顯示區域210之短邊210b)之寬度d4。
如圖1及圖2所示，於上述陰影遮罩81上，例如沿一維方向排列複數個地設置有帶狀(條紋狀)之開口部82(貫通口)。上述開口部82係於例如進行TFT基板10之發光層23R、23G、23B之分塗形成作為向被成膜基板200之蒸鍍膜211(參照圖3)之圖案形成之情形時，使該等發光層23R、23G、23B之同色行之尺寸與間距吻合而形成。
即，開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之寬度形成為與形成發光層23R、23G、23B之發光區域24R、24G、24B之掃描正交方向之寬度相同之寬度。藉此，於本實施形態中，發光層23R、23G、23B之除傾斜側面23s以外之平坦部分23t之掃描正交方向之寬度形成為與發光區域24R、24G、24B之同方向之寬度相同大小(參照圖14)。
又，如圖1所示，於上述陰影遮罩81上，例如，沿被成膜基板200之掃描方向(基板掃描方向)，設置有對準標記部83，於該對準標記部83上，設置有用以進行被成膜基板200與陰影遮罩81之位置對準(alignment)之對準標記84(參照圖3)。
於本實施形態中，如圖1所示，上述對準標記部83係沿上述陰影遮罩81之短邊81b(短軸)而設置。
又，如上所述作為陰影遮罩81，使用其長邊81a之寬度d1長於顯示區域210之對向之邊之寬度d3且短邊81b之寬度d2短於顯示區域210之對向之邊之寬度d4之遮罩，藉此可於其長邊方向兩側部(即，兩短邊81b、81b)形成對準標記部83。從而，可容易且更精密地進行對準。
另一方面，於被成膜基板200上，如圖1所示，於顯示區域210之外側，沿被成膜基板200之掃描方向(基板掃描方向)，設置有對準標記部220，於該對準標記部220上，設置有用以進行被成膜基板200與陰影遮罩81之位置對準之對準標記221(參照圖3)。
於本實施形態中，如圖1所示，上述對準標記部220係沿被成膜基板200之顯示區域210之短邊210b(短軸)而設置。
再者，如下所述(即圖14)，藉由對準標記84、221，以各發光層23R、23G、23B之掃描正交方向(y軸方向)之寬度之中心與對應於各發光層23R、23G、23B之發光區域24R、24G、24B之掃描正交方向之寬度之中心大略致一致之方式，進行被成膜基板200與陰影遮罩81之相對位置對準。
於本實施形態中，上述條紋狀之開口部82沿基板掃描方向即陰影遮罩81之短邊方向延設，並且沿正交於基板掃描方向之陰影遮罩81之長邊方向排列複數個而設置。
蒸鍍源85例如係將蒸鍍材料收容於內部之容器，如圖1~圖3所示，於其與陰影遮罩81之間具有固定之間隙g2(空隙)(即，隔開固定距離)地對向配置。
再者，上述蒸鍍源85既可為直接將蒸鍍材料收容於容器內部之容器，亦可為加載互鎖式之具有配管之容器。
上述蒸鍍源85例如具有朝向上方射出蒸鍍粒子之機構。
上述蒸鍍源85於其與陰影遮罩81之對向面，具有使上述蒸鍍材料作為蒸鍍粒子射出(飛散)之複數個射出口86。
此處，射出口(即噴嘴開口)86之形狀係以發光層23R、23G、23B之傾斜側面23s成為平面之方式，如圖16所示，形成為一對邊沿掃描正交方向(y軸方向)之矩形狀。
即，如圖17所示，考慮到自蒸鍍源85到達顯示區域210上之各地點A、B之蒸鍍粒子。於各地點A、B處，由於陰影遮罩81蒸鍍粒子之入射角度αA、αB分別受到限制。因此，僅自蒸鍍源85以入射角度αA以上角度射出之蒸鍍粒子入射至地點A，僅自蒸鍍源85以入射角度αB以上角度射出之蒸鍍粒子入射至地點B。即，於圖17中，對於地點A，僅自較蒸鍍源85之地點A'更左側射出之蒸鍍粒子到達，對於地點B，僅自較地點B'更左側射出之蒸鍍粒子到達。
因此，如圖16(a)所示，蒸鍍源85之射出口86之形狀形成為矩形，當各地點A'、B'如圖16(a)位於射出口86上之情形(即，各地點A'、B'分別沿噴嘴開口長度86x之方向以直線狀延伸而配置，且以彼此沿噴嘴開口寬度86y之方向(即掃描正交方向(y軸方向))排放之方式排列之情形)時，可貢獻於地點A之發光層(例如23R)之成膜之射出口86之有效範圍為NA之範圍，僅自該有效範圍NA射出之蒸鍍粒子到達地點A。同樣地，對於地點B，僅自有效範圍NB射出之蒸鍍粒子到達地點B。
此處，噴嘴開口長度86x為固定，故而隨著地點自地點A向地點B地變化，相對於該地點之上述有效範圍之面積一律減少。其結果，如圖17所示，於顯示區域210內入射角度由於陰影遮罩81而受到限制之區域210s內，發光層23R、23G、23B之膜厚隨著自地點B側之端部210s1向地點A側之端部210s2推進而一律變薄。以此方式一律變薄之部分成為傾斜側面23s。因為此種理由，若將蒸鍍源85之射出口86之形狀設定為矩形狀，則傾斜側面23s成為平面狀之斜面。
再者，於本實施形態中，傾斜側面23s形成為平面狀之斜面(即傾斜側面23s之傾斜形狀形成為直線狀)，亦可形成為曲面狀之斜面(即傾斜側面23之傾斜形狀亦可形成為曲線狀)。例如圖16(b)所示，當將射出口86設定為將矩形之四角例如倒角成圓弧狀所成之形狀之情形時，於各有效範圍NA、NB內噴嘴開口寬度86y不固定，故而於地點自地點A向地點B變化時，該地點處之有效範圍之面積一律不減少(於該情形時，順著上述圓弧狀而減少)。因此，該情形時之傾斜側面23s之傾斜形狀成為曲線狀。
由此情況可知：藉由將射出口86之形狀設定為適當形狀，可將傾斜側面23s之傾斜形狀形成為所期望之形狀。再者，並不限定於此種方法，亦可使用其他方法將傾斜側面23s之傾斜形狀形成為所期望之形狀。
於本實施形態中，如上所述蒸鍍源85配置於被成膜基板200之下方，被成膜基板200於上述顯示區域210朝向下方之狀態下由基板保持構件71保持。因此，於本實施形態中，蒸鍍源85經由陰影遮罩81之開口部82使蒸鍍粒子自下方朝向上方蒸鍍於被成膜基板200上(向上沈積，以下記作「上沈」)。
如圖1及圖2所示，上述射出口86以於陰影遮罩81之開口區域內開口之方式，分別對向於陰影遮罩81之開口部82而設置。於本實施形態中，上述射出口86對向於陰影遮罩81之開口部82，沿陰影遮罩81之開口部82之並設方向排列成一維。
因此，如圖1及圖2所示，於自被成膜基板200之背面側觀察時(即平面箭視下)，其與上述蒸鍍源85之陰影遮罩81之對向面(即，射出口86之形成面)例如與矩形狀(帶狀)之陰影遮罩81之形狀相吻合，而形成為矩形狀(帶狀)。
於上述遮罩單元80中，上述陰影遮罩81與蒸鍍源85係相對地位置固定。即，上述陰影遮罩81與上述蒸鍍源85之射出口86之形成面之間之間隙g2恆常保持固定，並且上述陰影遮罩81之開口部82之位置與上述蒸鍍源85之射出口86之位置具有恆常相同之位置關係。
再者，於自上述被成膜基板200之背面觀察上述遮罩單元80時(即，平面箭視時)，上述蒸鍍源85之射出口86以位於上述陰影遮罩81之開口部82之中央之方式配置。例如，圖3所示，上述陰影遮罩81與蒸鍍源85包括經由遮罩拉力機構88而保持、固定上述陰影遮罩81及蒸鍍源85之遮罩保持構件87(例如相同個托架)，藉此形成一體化，故而其相對位置得到保持、固定。
又陰影遮罩81藉由遮罩拉力機構88，施加拉力(張力)，並適當調整以使得不會產生因自重而彎曲或延伸。
如上所述，於上述蒸鍍裝置50中，被成膜基板200由基板保持構件71(靜電夾盤)吸附於吸附板上藉此防止因自重而彎曲，藉由遮罩拉力機構88對陰影遮罩81施加拉力，由此跨及被成膜基板200與陰影遮罩81於平面上重疊之區域之整個面地，被成膜基板200與陰影遮罩81之距離保持為固定。
又，擋閘89係為了控制蒸鍍粒子向陰影遮罩81之到達，而根據需要使用。擋閘89根據來自下述蒸鍍ON/OFF控制部104(參照圖4)之蒸鍍OFF信號或蒸鍍ON信號藉由擋閘驅動控制部105(參照圖4)進行閉鎖或開放。
上述擋閘89係例如可於陰影遮罩81與蒸鍍源85之間進退(可插入)地設置。擋閘89藉由插入至陰影遮罩81與蒸鍍源85之間而將陰影遮罩81之開口部82閉鎖。從而，藉由將擋閘89適當插入夾持於陰影遮罩81與蒸鍍源85之間，可防止向多餘部分(非蒸鍍區域)之蒸鍍。
再者，於上述蒸鍍裝置50中，以於陰影遮罩81內飛散之方式調整自蒸鍍源85飛散之蒸鍍粒子，亦可形成藉由防附板(遮蔽板)等適當除去飛散至陰影遮罩81外之蒸鍍粒子之構成。
又，於上述真空腔室60之外側，設置有例如具備CCD作為攝影機構(圖像讀取機構)之影像感測器90(參照圖4)，並且設置有連接於上述影像感測器90之控制電路100作為控制機構。
上述影像感測器90作為位置檢測機構而發揮功能，其用以進行被成膜基板200與陰影遮罩81之位置對準(用以使陰影遮罩81之各開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之寬度之中心與被成膜基板200之各發光區域24R、24G、24B之掃描正交方向之寬度之中心一致之位置對準)。
又，控制電路100包括圖像檢測部101、演算部102、馬達驅動控制部103、蒸鍍ON/OFF控制部104、及擋閘驅動控制部105。
如上所述，於被成膜基板200上，如圖1所示，於顯示區域210之外側，例如沿基板掃描方向設置有對準標記部220，於該對準標記部220上，設置有對準標記221。
圖像檢測部101自藉由影像感測器90而獲取之圖像，進行設置於被成膜基板200上之對準標記221及陰影遮罩81之對準標記84之圖像檢測，並且自設置於被成膜基板200上之對準標記221之表示顯示區域210之始端之始端標記、及表示顯示區域210之終端之終端標記，檢測被成膜基板200之顯示區域210之始端及終端。
再者，上述始端標記與終端標記亦可相同。於該情形時，利用基板掃描方向，判斷其係顯示區域210之始端抑或終端。
又，上述演算部102自藉由圖像檢測部101測出之圖像，決定被成膜基板200與陰影遮罩81之相對之移動量(例如被成膜基板200相對於陰影遮罩81之移動量)。例如，上述演算部102計算對準標記221與對準標記84之偏移量(x軸方向及y軸方向上之偏移成分、及xy平面內之旋轉成分)，演算被成膜基板200之基板位置之修正值而決定。即，上述修正值係藉由關於相對於基板掃描方向垂直之方向及被成膜基板200之旋轉方向進行演算而決定。
再者，此處，被成膜基板之旋轉方向表示以被成膜基板200之被成膜面之中心所在之z軸(即正交於x軸及y軸兩者之軸)為旋轉軸之於xy平面內之旋轉之方向。
上述修正值作為修正信號輸出至馬達驅動控制部103，馬達驅動控制部103根據來自上述演算部102之修正信號，驅動連接於基板保持構件71之馬達72，藉此修正被成膜基板200之基板位置。
再者，關於使用對準標記84、221之基板位置修正，與對準標記84、221之形狀例一併進行敍述。
馬達驅動控制部103驅動馬達72，藉此於使陰影遮罩81之各開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之寬度之中心與各發光區域24R、24G、24B之掃描正交方向之寬度之中心一致之狀態下，使被成膜基板200如上所述沿水平方向(x軸方向)移動。
若藉由圖像檢測部101檢測顯示區域210之終端，則蒸鍍ON/OFF控制部104產生蒸鍍OFF(停止)信號，若藉由圖像檢測部101檢測顯示區域210之始端，則蒸鍍ON/OFF控制部104產生蒸鍍ON(進行)信號。
若自上述蒸鍍ON/OFF控制部104輸入蒸鍍OFF信號，則擋閘驅動控制部105將擋閘89閉鎖，另一方面若自上述蒸鍍ON/OFF控制部104輸入蒸鍍ON信號，則擋閘驅動控制部105將擋閘89開放。
其次，對使用對準標記84、221之基板位置修正及對準標記84、221之形狀例進行說明。
於圖5(a)~(c)中，表示上述對準標記84、221之形狀之一例。再者，圖5(b)、(c)分別為了便於圖示，自並列地配置之對準標記84、221中僅選取2個進行表示。
演算部102自藉由圖像檢測部101測出之對準標記84、221之圖像，測出(算出)x軸方向上之對準標記84、221之端部(外緣部)間之距離r及y軸方向上之對準標記84、221之端部(外緣部)間之距離q，藉此計算對準之偏移量而演算基板位置之修正值。
例如，於基板掃描方向為x軸方向之情形時，圖5(a)~(c)中，r係基板掃描方向上之上述端部間之距離，q係垂直於基板掃描方向之方向之上述端部間之距離。演算部102例如藉由於被成膜基板200之顯示區域210之兩側測出(算出)距離r與距離q，而計算基板掃描時之對準之偏移量。
再者，於本實施形態中，以一面掃描被成膜基板200一面進行陰影遮罩81與被成膜基板200之對準之情形為例進行說明，但並不限定於此，亦可於基板掃描前進行充分之對準，而於基板掃描中不進行對準。
例如，考慮如下情形：於使被成膜基板200沿被成膜基板200之顯示區域210之一邊(例如，圖5(a)~(c)中為y軸方向)移動之後，使其沿正交於上述邊之邊(例如，圖5(a)~(c)中為x軸方向)移動。於該情形時，在圖5(a)~(c)中，r係垂直於基板掃描方向之方向之上述端部間之距離，q表示被成膜基板200之移動方向(位移方向)之上述端部間之距離。
於該情形時，演算部102藉由測出四角之對準標記之距離r與距離q，而計算基板掃描開始時之對準之偏移量與被成膜基板200之移動(位移)時之對準之偏移量。
再者，如圖5(a)~(c)所示，對準標記84、221之形狀既可為帶狀，亦可為正方形等四角形狀，又可為框狀、十字狀等。對準標記84、221之形狀並無特別限定。
又，如上所述，當於基板掃描前進行充分之對準，而於基板掃描中不進行對準之情形時，無需沿被成膜基板200之顯示區域210之側面配置對準標記221，只要於被成膜基板200之四角等配置即可。
其次，對使用本實施形態之上述蒸鍍裝置50作為有機EL顯示裝置1之製造裝置，對有機EL層進行圖案形成之方法詳細地進行敍述。
再者，於以下說明中，以如上所述，使用上述電洞注入層、電洞輸送層蒸鍍步驟(S2)結束之階段時之TFT基板10作為被成膜基板200，於發光層蒸鍍步驟(S3)中進行發光層23R、23G、23B之分塗形成作為有機EL層之圖案形成之情形為例進行說明。
再者，於本實施形態中，將蒸鍍源85與陰影遮罩81之間之間隙g2(即，蒸鍍源85之射出口86形成面與陰影遮罩81之間之距離)設定為100 mm，將被成膜基板200即上述TFT基板10與陰影遮罩81之間之距離設定為200 μm。
上述TFT基板10之基板尺寸係掃描方向為320 mm，垂直於掃描方向之方向設定為400 mm，顯示區域之寬度係掃描方向之寬度(寬度d4)為260 mm，垂直於掃描方向之方向之寬度(寬度d3)設定為310 mm。
又，上述TFT基板10之各子像素2R、2G、2B之開口部15R、15G、15B之寬度設定為360 μm(掃描方向)×140 μm(垂直於掃描方向之方向)。又，上述開口部15R、15G、15B間之間距設定為480 μm(掃描方向)×160 μm(垂直於掃描方向之方向)。再者，上述開口部15R、15G、15B間之間距(像素開口部間間距)表示相鄰之子像素2R、2G、2B之各自之開口部15R、15G、15B間之間距，而並非同色子像素間之間距。
又，就陰影遮罩81而言，使用長邊81a(長軸方向)之寬度d1(垂直於掃描方向之方向之寬度)為600 mm、短邊81b(短軸方向)之寬度d2(掃描方向之寬度)為200 mm之遮罩。又，陰影遮罩81之開口部82之開口寬度設定為150 mm(長軸方向之寬度d5；參照圖1)×140 μm(短軸方向之寬度d6；參照圖1)，相鄰之開口部82、82間之間隔d8(參照圖1)設定為340 μm，相鄰之開口部82、82之中心間之間距p(參照圖1)設定為480 μm。
再者，本實施形態於中，作為上述陰影遮罩81之短邊81b之寬度d2(短邊長)，較佳為200 mm以上。其理由如下所述。
即，蒸鍍速度較佳為10 nm/s以下，若超過此速度，則經過蒸鍍之膜(蒸鍍膜)之均勻性降低，有機EL特性降低。
又，蒸鍍膜之膜厚一般為100 nm以下。若為100 nm以上，則必要之施加電壓變高，作為結果，所製造之有機EL顯示裝置之耗電增加。因此，由蒸鍍速度與蒸鍍膜之膜厚，可預計必要之蒸鍍時間為10秒。
另一方面，由於處理能力(節拍時間)之限制，例如為了以150秒鐘對寬度2 m之玻璃基板完成蒸鍍，至少需要將掃描速度設定為13.3 mm/s以上。處理時間150秒係大概每天可處理570片之節拍時間。
為了以上述掃描速度，如上所述獲得10秒蒸鍍時間，陰影遮罩81之開口部82必須沿掃描方向至少開口133 mm以上。
當假設自開口部82之端至陰影遮罩81之端之距離(相差寬度d7；參照圖1)宜為30 mm左右之情形時，陰影遮罩81之掃描方向之寬度必需為133+30+30≒200 mm。
因此，可以說陰影遮罩81之短邊長(寬度d2)較佳為200 mm以上。其中，只要蒸鍍速度或蒸鍍膜之膜厚、節拍時間之容許量變化便不限於此。
又，於本實施形態中，上述TFT基板10之掃描速度設定為30 mm/s。
圖10係表示使用本實施形態之蒸鍍裝置50於TFT基板10上成膜特定之圖案之方法之一例之流程圖。
以下，對使用上述蒸鍍裝置50成膜圖10所示之發光層23R、23G、23B之方法，依照圖10所示之流程具體地進行說明。
首先，如圖3所示，使用遮罩保持構件87，經由遮罩拉力機構88，將陰影遮罩81設置(固定)於真空腔室60內之蒸鍍源85上，以不會產生因自重而彎曲或延伸之方式，藉由遮罩拉力機構88施加拉力將其保持為水平。此時，藉由遮罩保持構件87將蒸鍍源85與陰影遮罩81之間之距離保持為固定，同時以基板掃描方向與形成於陰影遮罩81上之條紋狀之開口部82之長軸方向一致之方式，使用陰影遮罩81之對準標記84進行位置對準，由此組裝遮罩單元80(遮罩單元之準備)。
其次，將TFT基板10投入至上述真空腔室60內，以該TFT基板10之同色子像素行之方向與基板掃描方向一致之方式，使用被成膜基板200即TFT基板10之對準標記221，如圖10所示進行粗對準(S11)。TFT基板10係以不會產生因自重而彎曲之方式，由基板保持構件71保持。
繼而，進行TFT基板10與陰影遮罩81之粗對準(S12)，以TFT基板10與陰影遮罩81之間之間隙g1(基板-遮罩空隙)為固定之方式進行空隙調整，並且以TFT基板10上之發光區域24R之掃描正交方向(y軸方向)之寬度之中心與陰影遮罩81之開口部82之掃描正交方向之寬度之中心一致之方式，使TFT基板10與陰影遮罩81對向配置，藉此進行TFT基板10與陰影遮罩81之位置對準(S13)。於本實施形態中，TFT基板10與陰影遮罩81之間之間隙g1係以跨及TFT基板10整體為大約200 μm之方式進行空隙調整。
其次，一面以30 mm/s對上述TFT基板10進行掃描，一面使紅色發光層23R之材料蒸鍍於該TFT基板10上。
此時，上述TFT基板10以通過上述陰影遮罩81上之方式進行基板掃描。又，以陰影遮罩81之開口部82與紅色子像素2R行一致之方式(即開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之寬度之中心與子像素2R之發光區域24R之同方向之寬度之中心一致之方式)，使用上述對準標記84、221，於掃描之同時進行精密之對準(S14)。
上述發光層23R係使用3-苯基-4(1'-萘基)-5-苯基-1,2,4-三唑(TAZ)(主體材料)、及雙(2-(2'-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3')銥(乙醯丙酮酸)(btp2Ir(acac))(紅色發光摻雜物)作為其材料，將各者之蒸鍍速度設定為5.0 nm/s、0.53 nm/s，使該等材料(紅色有機材料)共蒸鍍而形成。
自蒸鍍源85射出之上述紅色有機材料之蒸鍍粒子於上述TFT基板10通過陰影遮罩81上時，通過陰影遮罩81之開口部82，蒸鍍在TFT基板10之對向於陰影遮罩81之開口部82之位置(即發光區域24R)處。於本實施形態中，在上述TFT基板10完全地通過陰影遮罩81上之後，上述紅色有機材料以膜厚25 nm蒸鍍於上述TFT基板10之發光區域24R上。
此處，參照圖11，對上述S14中之對準之調整方法進行以下說明。
圖11係表示對準調整方法之流程圖。對準之調整係依照圖11所示之流程進行。
首先，藉由影像感測器90獲取被成膜基板200即上述TFT基板10之基板位置(S21)。
其次，自藉由上述影像感測器90獲取之圖像，藉由圖像檢測部101，進行上述TFT基板10之對準標記221及陰影遮罩81之對準標記84之圖像檢測(S22)。
其後，自藉由上述圖像檢測部101檢測出之對準標記221、84之圖像，藉由演算部102，計算對準標記221與對準標記84之偏移量，演算並決定基板位置之修正值(S23)。
其次，馬達驅動控制部103根據上述修正值驅動馬達72，藉此修正基板位置(S24)。
其次，再次藉由影像感測器90檢測修正後之基板位置而反覆進行S21~S24之步驟(step)。
從而，根據本實施形態，反覆地藉由影像感測器90檢測基板位置而修正基板位置，藉此可一面掃描基板，一面以TFT基板10上之發光區域24R之掃描正交方向(y軸方向)之寬度之中心與陰影遮罩81之開口部82之掃描正交方向之寬度之中心一致之方式修正基板位置，可一面使TFT基板10與陰影遮罩81精密對準一面進行成膜。
上述發光層23R之膜厚可藉由往復掃描(即，TFT基板10之往復移動)及掃描速度而調整。於本實施形態中，如圖10所示，於S14之掃描後，使TFT基板10之掃描方向反轉，利用與S14相同之方法，進而使上述紅色有機材料蒸鍍於S14中之上述紅色有機材料之蒸鍍位置(S16)。藉此，形成膜厚50nm之發光層23R。
再者，於S14~S16中，當TFT基板10之非蒸鍍區域位於陰影遮罩81之開口部82上時(例如，於S14所示之步驟結束後，直至S16中反轉掃描方向之間)，將擋閘89插入至蒸鍍源85與陰影遮罩81之間，防止蒸鍍粒子附著於非蒸鍍區域(S15)。
此處，參照圖12及圖13，對上述S15中之使用擋閘89之蒸鍍控制進行以下說明。
圖12係表示蒸鍍OFF時之蒸鍍控制之流程之流程圖。又，圖13係表示蒸鍍ON時之蒸鍍控制之流程之流程圖。
首先，對蒸鍍OFF時之流程進行說明。
如圖12所示，被成膜基板200即上述TFT基板10之基板位置如圖11所說明，係於蒸鍍處理之間，藉由影像感測器90而不斷獲取(S31)。
如圖11所說明，圖像檢測部101自藉由上述影像感測器90獲取之圖像，進行TFT基板10之對準標記221及陰影遮罩81之對準標記84之圖像檢測。圖像檢測部101檢測表示顯示區域210之終端之終端標記，作為TFT基板10之對準標記221，從而如圖12所示，檢測顯示區域210之終端(S32)。
如上所述若藉由圖像檢測部101檢測顯示區域210之終端，則蒸鍍ON/OFF控制部104產生蒸鍍OFF信號(S33)。
若自蒸鍍ON/OFF控制部104輸入蒸鍍OFF信號，則擋閘驅動控制部105將擋閘89閉鎖(S34)。若擋閘89閉鎖，則蒸鍍粒子不會到達遮罩，而變成蒸鍍OFF(S35)。
其次，對蒸鍍ON時之流程進行說明。
如上所述，如圖13所示，被成膜基板200即上述TFT基板10之基板位置係於蒸鍍處理之間，藉由影像感測器90而不斷獲取(S41)。
圖像檢測部101檢測表示顯示區域之始端之始端標記作為TFT基板10之對準標記221，藉此檢測顯示區域210之始端(S42)。
若藉由圖像檢測部101檢測顯示區域210之始端，則蒸鍍ON/OFF控制部104產生蒸鍍ON信號(S43)。
若自蒸鍍ON/OFF控制部104輸入蒸鍍ON信號，則擋閘驅動控制部105將擋閘89開放(S44)。若擋閘89開放，則蒸鍍粒子會到達遮罩，而變成蒸鍍ON(S45)。
又，上述S16中之往復掃描係以如下方式進行。首先，於S21~S24所示之步驟中一面進行精密對準一面掃描TFT基板10，若藉由圖像檢測部101檢測顯示區域210之終端，則藉由馬達驅動控制部103驅動馬達72使TFT基板10反轉。其間，藉由S31~S35所示之步驟蒸鍍OFF，於S21~S24所示之步驟中進行TFT基板10之位置修正，藉由S41~S45所示之步驟於顯示區域210之始端蒸鍍ON。而且，於S21~S24所示之步驟中再次一面進行精密對準一面掃描TFT基板10。
以此方式，如圖14(a)所示，掃描正交方向(y軸方向)之兩側之側面為平緩之傾斜側面23s之發光層23R以完全地覆蓋發光區域24R之方式形成。更詳細而言，發光層23R形成為除其兩側之傾斜側面23s以外之平坦部分23t之掃描正交方向之寬度與發光區域24R之同方向之寬度為相同大小，且形成為其傾斜側面23s之同方向之寬度為該傾斜側面23s之同側之相鄰之發光區域(例如24G)與發光區域24R之間之不發光區域29之同方向之寬度C(例如C=20 μm)以下之寬度(例如寬度C以下之寬度且寬度C之1/2倍以上之寬度(例如15 μm))。再者，於圖14(a)中，為了便於作圖，僅圖示發光區域24R之一側之相鄰之發光區域24G，於發光區域24R之另一側亦存在相鄰之發光區域。
再者，於圖14(a)中，發光層23R以完全地覆蓋發光區域24R且其掃描正交方向(y軸方向)之寬度之中心與發光區域24R之同方向之中心一致之方式形成，但當陰影遮罩81之開口部82之掃描正交方向之中心相對於發光區域24R之同方向之中心沿同方向相對地偏移特定距離(具體而言，為假設之最大偏移量(例如15 μm)以下距離)之情形時，如圖14(b)，發光層23R係其掃描正交方向之寬度之中心自發光區域24R之同方向之中心於同方向上偏移上述特定距離而形成，且依然以完全地覆蓋發光區域24R之方式形成。
換而言之，如圖14(b)所示，即便當陰影遮罩81之開口部82之掃描正交方向之中心相對於發光區域24R之同方向之中心向同方向之一側相對地偏移且發光層23R之同方向之中心相對於發光區域24R之同方向之中心向上述一側偏移上述特定距離之情形時，發光層23R亦以覆蓋發光區域24R之整體之方式，其掃描正交方向之另一側之端部向上述另一側延伸。同樣地，發光層23R之掃描正交方向之上述一側之端部亦向上述一側延伸。又當陰影遮罩81之開口部82之掃描正交方向之中心相對於發光區域24R之同方向之中心向上述一側相對地偏移且發光層23R與相鄰之發光區域(例如24G)重疊之情形時，以僅發光層23R之上述一側之傾斜側面23s之部分與相鄰之發光區域24G重疊之方式，設定上述一側之傾斜側面23s之掃描正交方向之寬度B之長度。同樣地，亦設定上述另一側之傾斜側面23s之掃描正交方向之寬度B。
再者，作為此種設定之例，考慮設定為發光層23R之掃描正交方向之寬度大於發光區域24R之掃描正交方向之寬度與各發光區域24R、24G間之區域29之掃描正交方向之寬度之和之情形。
於本實施形態中，在S16所示之步驟後，將形成有上述發光層23R之TFT基板10自上述真空腔室60內取出(S17)，使用綠色之發光層23G形成用之遮罩單元80及真空腔室60，與上述發光層23R之成膜處理同樣地成膜綠色之發光層23G。
又，於以此方式形成發光層23G之後，使用藍色發光層23B形成用之遮罩單元80及真空腔室60，與上述發光層23R、23G之成膜處理同樣地成膜藍色發光層23B。
即，於上述發光層23G、23B之成膜處理中，分別準備在相當於該等發光層23G、23B之位置處具有開口部82之陰影遮罩81。然後，將各個陰影遮罩81設置於發光層23G、23B形成用之各真空腔室60內，一面以各個陰影遮罩81之開口部82於各子像素2G、2B行上一致之方式進行對準，一面掃描TFT基板10而進行蒸鍍。
上述發光層23G就其材料而言，使用TAZ(主體材料)、及Ir(ppy)3(綠色發光摻雜物)，將各自之蒸鍍速度設定為5.0 nm/s、0.67 nm/s，使該等材料(綠色有機材料)共蒸鍍從而形成。
又，發光層23B係使用(TAZ)(主體材料)、2-(4'-第三丁基苯基)-5-(4"-聯苯基)-1,3,4-噁二唑(t-BuPBD)(藍色發光摻雜物)作為其材料而言，將各者之蒸鍍速度設定為5.0 nm/s，0.67 nm/s，使該等材料(藍色有機材料)共蒸鍍從而形成。
再者，上述發光層23G、23B之膜厚分別設定為50 nm。
藉由以上步驟，獲得發光層23R、23G、23B形成紅(R)、綠(G)、藍(B)圖案之TFT基板10。
如上所述，根據本實施形態，藉由使用上述蒸鍍裝置50作為有機EL顯示裝置1之製造裝置，且利用上述蒸鍍方法製造有機EL顯示裝置1，可提供一種與先前比較而言既便於發光層23R、23G、23B與相鄰之發光區域重疊之情形時亦可減低混色程度，且即便於產生發光層23R、23G、23B之圖案偏移之情形時亦可防止膜(發光層)之缺損之有機EL顯示裝置1。
即，如圖14(a)所示，本實施形態之發光層(例如23R)形成為發光層23R之除其兩側之傾斜側面23s以外之平坦部分23t之掃描正交方向(y軸方向)之寬度與發光區域24R之同方向之寬度為相同之長度，且其兩側之側面形成為平緩之傾斜側面23s，該傾斜側面23s之掃描正交方向之寬度B形成為不發光區域29之同方向之寬度C(例如C=20 μm)以下之寬度(例如寬度C以下之寬度且寬度C之1/2倍以上之寬度(例如15 μm))。
因此，如圖14(a)所示，於陰影遮罩81之開口部82之中心與發光區域24R之中心一致之情形(即無發光層23R之圖案偏移之情形)時，發光層23R不會與相鄰之發光區域(例如24G)重疊，而係整體膜厚地完全地覆蓋發光區域24R。因此，不會產生混色及膜之缺損。
與此相對地，如圖14(b)所示，即便於開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之中心相對於發光區域24R之同方向之中心向同方向之一側偏移特定距離(例如12 μm)且發光層23R之圖案偏移之情形時，發光層23R亦完全地覆蓋發光區域24R，故而產生不完全混色區域F1及膜厚下降區域F2，但不會產生膜之缺損及完全混色。
再者，不完全混色區域F1係發光層23R之一側之傾斜側面23s之部分與相鄰之發光區域(例如24G)重疊之區域，於該區域F1內，傾斜側面23s處之膜厚較發光層23R、23G、23B之整體膜厚(即平坦部分23t之膜厚)薄，因此對混色之影響與先前之情形相比而言小。
又，膜厚下降區域F2係發光層23R之另一側之傾斜側面23s與發光區域24R重疊之區域，於該區域F2內，發光區域24R藉由發光層23R之傾斜側面23s而受到覆蓋，故而無法獲得與藉由發光層23R整體膜厚地受到覆蓋之情形時相同之特性(發光特性)，但並非膜之缺損，故而不會變成不發光，且亦不會產生漏電流。從而，於本實施形態中，即便產生發光層23R之圖案偏移，亦可降低混色程度且可防止膜之缺損。
再者，於本實施形態中，如上所述，對開口部82之掃描正交方向之寬度與發光區域24R之同方向之寬度為相同大小之情形(即發光層23R之掃描正交方向之寬度與發光區域24R之同方向之寬度為相同大小之情形)進行了說明，但並不如此限定。例如圖18(a)所示，亦可為開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之寬度大於發光區域之同方向之寬度之情形(即發光層23R之掃描正交方向之寬度大於發光區域24R之同方向之寬度之情形)。再者，於圖18(a)中，發光層23R之端相接於相鄰之發光區域24G。
此處，若陰影遮罩81之開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之中心相對於發光區域之同方向之中心向同方向之一側偏移特定距離(例如12 μm)且發光層23R之圖案偏移，則變成如圖18(b)所示。於該情形時，與圖14(b)相比而言，不完全混色區域F1之寬度增大，膜厚下降區域F2之寬度減少。即，藉由改變開口部82之寬度，使各區域F1、F2之比例變化，藉此，可選擇使發光層23R之特性之降低之影響最小之條件。
再者，於本實施形態中，發光層23R例如只要形成為如下，則可為任何尺寸。即，發光層23R之平坦部分23t之掃描正交方向之寬度形成為發光區域24R之同方向之寬度以上大小，發光層23R之傾斜側面23s之掃描正交方向之寬度B形成為小於該傾斜側面23s之同側之相鄰之發光區域(例如24G)與發光區域24R之間之不發光區域29之同方向之寬度C之寬度(例如小於寬度C之寬度且大於寬度C之一半之寬度)，發光層23R之掃描正交方向之寬度形成為將發光區域24R之同方向之寬度與發光區域24R之兩側之不發光區域29之同方向之寬度之各者相加所得之寬度以下。
再者，於上述說明中係於發光層23R之情形下進行了說明，對於發光層23G、23B亦相同。
與此相對地，於使用先前之蒸鍍方法而製造之有機EL顯示裝置中，發光層23R、23G、23B之掃描正交方向之端部形成得陡峭，故而無法同時實現膜之缺損之防止及混色程度之降低兩者。
即，例如圖19(a)所示，於陰影遮罩81之開口部82之掃描正交方向之寬度為標準之大小之情形(即開口部82之掃描正交方向之端位於不發光區域29之同方向之寬度之中心之情形)中，當開口部82之掃描正交方向之寬度之中心與發光區域(例如24R)之同方向之寬度之中心一致時，發光區域24R藉由發光層23R整體膜厚地受到覆蓋。再者，於該情形時，不發光區域29之掃描正交方向之寬度C為20 μm，故而發光層23R與相鄰之發光區域(例如24G)之間之差值為10 μm。
相對於該情形，開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之中心相對於發光區域24R之同方向之中心向同方向之一側偏移特定距離(例如12 μm)且發光層23R之圖案偏移之情形時，如圖19(b)所示，產生完全混色區域F3與完全缺損區域F4。完全混色區域F3係發光層23R與相鄰之發光區域(例如24G)整體膜厚地重疊之區域，完全缺損區域F4係發光層23R完全地缺損之區域。
於完全混色區域F3內，發光層23R與相鄰之發光區域24G整體膜厚地重疊，故而混色之影響顯現地較強烈。另一方面，於完全缺損區域F4內，不存在發光層23R，故而該區域F4內流過之電流成為漏電流。漏電流會使有助於發光之電流減少，亦會產生像素之亮度不斷降低、或由於電極間之短路或發熱使得像素之點亮不良。從而，有機EL顯示裝置之可靠性降低。
為了消除完全混色區域F3，如圖20(a)所示，考慮縮窄陰影遮罩81之開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之寬度之情形。於該情形使，開口部82之掃描正交方向之中心與發光區域24R之同方向之中心一致，與發光層23R相鄰之發光區域24G之間之差值例如為15 μm。
相對於該情形，如圖20(b)所示，若開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之中心相對於發光區域24R之同方向之中心向同方向之一側偏移特定距離(例如12 μm)且發光層23R之圖案偏移，則於發光層23R與相鄰之發光區域24G之間存在差值，故而不會產生完全混色區域F3，但於發光區域24R之另一側之部分，與圖19(b)相比而言，完全缺損區域F4擴大並惡化。
另一方面，為了消除完全缺損區域F4，如圖21(a)所示，考慮增大開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之寬度之情形。於該情形時，開口部82之掃描正交方向之中心與發光區域24R之同方向之中心一致，發光層23R與相鄰之發光區域24G之間之差值例如為5 μm。
相對於該情形，如圖21(b)所示，若開口部82之掃描正交方向(y軸方向)之中心相對於發光區域24R之同方向之中心向同方向之一側偏移特定距離(例如12 μm)且發光層23R之圖案偏移，則於發光區域24R內不會產生完全缺損區域F4，但於相鄰之發光區域24G內，與圖19(b)相比而言，完全混色區域F3之寬度擴大並惡化。再者，於上述說明中係於發光層23R之情形下進行了說明，對於發光層23G、23B亦相同。
如上所述，於使用先前之蒸鍍方法而製造之有機EL顯示裝置中，當開口部82相對於發光區域24R、24G、24B之相對偏移為不發光區域29之寬度C之1/2倍以上之情形時，無論如何調整開口部82之掃描正交方向之寬度，均會產生完全混色區域F3及完全缺損區域F4之不良狀況。然而於本實施形態中，如上所述，會產生不完全混色區域F1，但不會產生完全混色區域F3及完全缺損區域F4之不良狀況。
發光層23R、23G、23B之偏移量為對陰影遮罩81與被成膜基板200(TFT基板10)之位置對準精度及各者之尺寸精度共同造成者。即，為了改善上述不良狀況，可考慮(1)提昇上述精度、(2)增大不發光區域之寬度2個方法。然而，上述(1)之方法依存於製造裝置之性能，不易提昇。關於上述(2)之方法，可藉由縮小發光區域之寬度而應對，相應地，發光面積變小，因此為了獲得相同亮度，必需更大之電流密度。若電流密度變大則壽命變短(即發光強度度之經時劣化加快)，故而有機EL顯示裝置之可靠性降低。進而，由於發光區域間之距離擴大，故而會成為具有粒度感之顯示圖像(即並非均勻之面狀，而是看似顆粒之聚集之狀態)。從而，顯示品位降低。
於本實施形態中，並非如上述(1)般，依存於製造裝置之性能，故而可容易地進行，且並非如上述(2)般，增大不發光區域之寬度，故而不會導致顯示品位之降低。
再者，於本實施形態中，將發光層(蒸鍍膜)23R、23G、23B之側面定義為「自開口部82之掃描正交方向之一側之端(即發光層23R、23G、23B之平坦部分23t之一側之端)至同側之發光層23R、23G、23B之端(即膜厚為零之地點)之區域」進行了說明，但並不限定於此種定義。例如，既可定義為「發光層23R、23G、23B之端部之膜厚降低之區域」，進而亦可定義為「將X%膜厚降低之部位作為側面之始端」。再者，上述「始端」係指發光層23R、23G、23B之平坦部分23t與傾斜側面23s之邊界部分。
再者，於本實施形態中，藉由調整陰影遮罩81與被成膜基板200(TFT基板10)之間之間隙g1，將發光層23R、23G、23B之傾斜側面23s如上所述形成平緩之斜面，亦可藉由調整陰影遮罩81之厚度d81(參照圖3)，將發光層23R、23G、23B之傾斜側面23s如上所述形成平緩之斜面。即，若增大厚度d81，則於基板正交方向(y軸方向)上具有較大速度成分之蒸鍍粒子難以通過開口部82，故而傾斜側面23s之寬度B變小，若縮小厚度d81，則於基板正交方向(y軸方向)上具有較之速度成分之蒸鍍粒子易於通過開口部82，故而傾斜側面23s之寬度B變大。
再者，於本實施形態中，上述遮罩單元80形成為固定配置於真空腔室60內之構成，但本實施形態並不限定於此。
上述蒸鍍裝置50包括固定被成膜基板200之基板保持構件71(例如靜電夾盤)，取代上述基板移動機構70，並且亦包括遮罩單元移動機構(遮罩單元移動機構)，其保持上述陰影遮罩81與蒸鍍源85之相對位置地直接使上述遮罩單元80相對於被成膜基板200而相對移動。或亦可包括基板移動機構70及遮罩單元移動機構兩者。
即，上述被成膜基板200及遮罩單元80只要其至少一者可相對移動地設置即可，無論於使哪個移動之情形時，均可獲得本發明之效果。
當如上所述使遮罩單元80相對於被成膜基板200而相對移動之情形時，上述遮罩單元80例如包括遮罩保持構件87(例如同一個托架)在內，使陰影遮罩81及蒸鍍源85相對於被成膜基板200而相對移動。藉此，可保持上述陰影遮罩81與蒸鍍源85之相對位置地直接使上述遮罩單元80相對於被成膜基板200而相對移動。
如此，當使遮罩單元80相對於被成膜基板200而相對移動之情形時，上述陰影遮罩81與蒸鍍源85較佳為例如由同一個托架(保持構件、保持機構)保持，藉此形成一體化。
其中，當如上所述使被成膜基板200相對於遮罩單元80而相對移動之情形時，上述陰影遮罩81與蒸鍍源85只要相對地位置固定，則不一定必須形成一體化。
例如，上述遮罩單元80亦可為蒸鍍源85固定於真空腔室60之內壁之例如底壁，並且遮罩保持構件87固定於上述真空腔室60之內壁之任意處，藉此固定上述陰影遮罩81與蒸鍍源85之相對位置。
又，以上述陰影遮罩81之開口部82配合上述蒸鍍源85之射出口86之配置，各射出口86平面箭視時位於任意之開口部82內，並且開口部82與射出口86係1對1對應地設置之情形為例進行了說明，然而本實施形態並不限定於此。開口部82與射出口86不一定必須對向配置，又，亦可不一定一一對應。
具體而言，開口部82之間距p與射出口86之間距亦可不一致。又，開口部82之寬度d5或寬度d6與射出口86之開口寬度(開口徑)亦可不一致。例如，於圖1所示之例中，射出口86之開口徑既可大於亦可小於開口部82之寬度d6。又，既可相對於一個開口部82設置有複數個射出口86，亦可相對於複數個開口部82設置有一個射出口86。又，複數個射出口86中一部分(至少一個)射出口86、或射出口86之一部分區域亦可對向於非開口部(即，陰影遮罩81之開口部82以外之區域(例如開口部82、82間之區域))而設置。
又，自材料利用效率之提昇之觀點而言，開口部82與射出口86理想上係一一對應。
又，於本實施形態中，以陰影遮罩81之開口部82及蒸鍍源85之射出口86排列成一維之情形為例進行了說明。然而，本實施形態並不限定於此。陰影遮罩81之開口部82與蒸鍍源85之射出口86分別只要彼此對向而配置即可，亦可排列成二維。
又，於本實施形態中，以陰影遮罩81之開口部82及蒸鍍源85之射出口86分別設置有複數個之情形為例進行了說明。然而，本實施形態並不限定於此。上述陰影遮罩81只要至少包括1個開口部82即可，蒸鍍源85只要至少包括1個射出口86即可。
又，於本實施形態中，以陰影遮罩81具有狹縫狀之開口部82之情形為例進行了說明。然而，上述開口部82之形狀只要以獲得所期望之蒸鍍圖案之方式適當設定即可，並無特別限定。
又，於本實施形態中，以基板移動機構70具備靜電夾盤作為基板保持構件71之情形為例進行了說明。從而，被成膜基板200藉由靜電夾盤而受到保持，藉此可有效地防止因被成膜基板200之自重而產生彎曲。
然而，本實施形態並不限定於此，視被成膜基板200之大小，例如亦可使用對基板施加拉力機械性地夾持而保持之輥等保持構件，作為上述基板保持構件71。
又，於本實施形態中，以設置有可於陰影遮罩81與蒸鍍源85之間進退之擋閘作為擋閘89之情形為例進行了說明。然而，本實施形態並不限定於此，例如，當使用可切換ON/OFF之蒸鍍源85作為蒸鍍源85，被成膜基板200之無需蒸鍍之部分位於陰影遮罩81之開口區域(即，對向於開口部82之區域)之情形時，亦可將蒸鍍OFF，以使蒸鍍分子不飛散。
例如，作為擋閘89，亦可形成藉由將蒸鍍源85之射出口86閉鎖而阻止蒸鍍粒子之射出(放出)之擋閘89設置於蒸鍍源85上之構成。
或者，亦可形成根據蒸鍍ON信號或蒸鍍OFF信號，將蒸鍍源85之電源ON/OFF，從而使蒸鍍粒子之產生本身停止之構成，取代於上述射出口86處設置擋閘89。
又，於本實施形態中，如上所述，以自TFT基板10側掠出光之底部發光型之有機EL顯示裝置1之製造方法為例進行了說明。然而，本實施形態並不限定於此。本發明亦可較佳地應用於自密封基板40側掠出光之頂部發光型之有機EL顯示裝置1中。
又，於本實施形態中，以使用玻璃基板作為TFT基板10及密封基板40之支持基板之情形為例進行了說明，但本實施形態並不限定於此。
作為該等TFT基板10及密封基板40之各支持基板，當有機EL顯示裝置1為底部發光型之有機EL顯示裝置之情形時，除玻璃基板以外，例如，亦可使用塑膠基板等透明基板。另一方面，於上述有機EL顯示裝置1為頂部發光型之有機EL顯示裝置之情形時，作為上述支持基板，除如上所述之透明基板以外，例如亦可使用陶瓷基板等不透明之基板。
又，於本實施形態中，以陽極(於本實施形態中為第1電極21)形成為矩陣狀之情形為例進行了說明。然而，作為上述陽極，只要具有作為向有機EL層供給電洞之電極之功能，其形狀、材質、及大小便不特別限定，例如亦可形成為條紋狀。其中，就有機EL元件之性質上而言，較佳為陽極及陰極中至少一者為透明。一般而言，可使用透明之陽極。
[實施形態2]
若根據圖22及圖23對本發明之實施之另一形態進行說明則如下所述。
於實施形態1中，發光層23R、23G、23B之傾斜側面23s形成為均勻之斜面，於該實施形態中，傾斜側面23s形成為不均勻之斜面。
更詳細而言，本實施形態中之傾斜側面23s如圖22(a)所示，形成為其掃描正交方向(y軸方向)之兩端部23p、23r之傾斜成為更加平緩之傾斜，且其掃描正交方向之中央部23q之傾斜成為最大之傾斜。
於該傾斜側面23s上，如圖22(b)所示，兩端部23p、23r之傾斜更加平緩而至中央部23q傾斜變大，故而發光層23R之圖案偏移，即便產生不完全混色區域F1及膜厚下降區域F2，與實施形態1相比而言，亦可使該等各區域F1、F2之影響更加緩和。
即，如圖22(b)所示，於不完全混色區域F1內，形成於發光區域24R內之發光層23R之一側之傾斜側面23s之同側之端部23p與相鄰之發光區域(例如24G)重疊，於該端部23p，其傾斜較實施形態1之情形平緩，故而其膜厚變得更薄，更加緩和不完全混色之影響。另一方面，於膜厚下降區域F2內，在發光區域24R內，由於另一側之傾斜側面23s會產生膜厚降低，於該傾斜側面23s之一側之端部23r，其傾斜較實施形態1之情形更加平緩故而膜厚之降低變得更小，更加緩和膜厚降低之影響。
從而，根據本實施形態中之傾斜側面23s，可使因發光層23R之圖案偏移造成之影響較實施形態1小，從而可實現更高可靠性之有機EL顯示裝置。再者，於上述說明中係於發光層23R之情形下進行了說明，對於發光層23G、23B亦相同。
再者，作為如圖22(a)所示之傾斜側面23s之傾斜形狀，只要兩端部23p、23r之傾斜平緩且至中央部23q傾斜變大，便可選擇自由之形狀。作為一例有正弦函數形狀。
例如圖23所示，將發光層23R之平坦部分(即除傾斜側面23s以外之部分)23t之最大膜厚設為H0，將傾斜側面23s之掃描正交方向之寬度設為B，將自傾斜側面23s之始端T1側(平坦部分23t側)向終端T2側(平坦部分23t之相反側)地沿掃描正交方向(y軸方向)僅隔開x之位置處之發光層23R之膜厚設為H(x)，則H(x)係由式1所示。
於式1中，傾斜之絕對值之最大kmax為式2。
kmax與實施形態1之圖15中之傾斜側面23s之傾斜相比而言，為π/2倍。即，當使用本實施形態中之傾斜側面23s之傾斜形狀之情形時，傾斜側面23s之傾斜形狀可以說其傾斜之絕對值之最大為(π/2)×1/200以下。
[實施形態3]
若根據圖24及圖25對本發明之實施之另一形態進行說明則如下所述。
於實施形態1中，藉由調整陰影遮罩81與被成膜基板200之間之間隙g1，而調整傾斜側面23s之寬度B(因此傾斜(H/B))，於該實施形態中，進而使用限制板調整傾斜側面23s之寬度B。以下，使用圖24及圖25，對該實施形態之蒸鍍方法及蒸鍍裝置進行說明。
該實施形態之蒸鍍裝置150如圖24所示，於實施形態1之蒸鍍裝置50中，進而具備限制板300。限制板300於陰影遮罩81與蒸鍍源85之間，相對於陰影遮罩81平行地配置且相對於蒸鍍源85隔開特定間隔之間隙g3(參照圖25)地配置，相對於陰影遮罩81及蒸鍍源85而相對固定。
限制板300例如形成為俯視時呈矩形狀且特定之厚度d為300之板狀。限制板300之長邊300a之寬度d300a例如形成為與陰影遮罩81之長邊81a之寬度d1相同程度之大小，限制板300之短邊300b之寬度d300b例如形成為與陰影遮罩81之短邊81b之寬度d2相同程度之大小。再者，限制板300與陰影遮罩81之各者之長邊300a、81a彼此平行地配置，限制板300與陰影遮罩81之各者之短邊300b、81b彼此平行地配置。
於限制板300上，形成有複數個開口部300A。各開口部300A分別形成為俯視時呈沿限制板300之短邊300b延伸之矩形狀，以對向配置於蒸鍍源85之各射出口86之方式，沿限制板300之長邊300a以一定間隔配置。
於該蒸鍍裝置及蒸鍍方法中，如圖25所示，自蒸鍍源85之各射出口86射出之蒸鍍粒子通過對向配置於射出蒸鍍粒子之射出口86之開口部300A，進而通過陰影遮罩81之開口部82蒸鍍於被成膜基板200上而形成蒸鍍膜211(例如發光層23R)。再者，以形成蒸鍍膜211之蒸鍍粒子必須通過各開口部300A、82之方式，設計限制板300及陰影遮罩81。
此時，自蒸鍍源85之各射出口86射出之蒸鍍粒子具有一定幅度地射出，若該蒸鍍粒子入射至開口部300A，則掃描正交方向(y軸方向)之速度成分較大之蒸鍍粒子附著於限制板300上而無法到達開口部82。即限制板300限制入射至開口部82之蒸鍍粒子的沿掃描正交方向(y軸方向)觀察時之入射角度。此處，入射至開口部82之蒸鍍粒子之上述入射角度係藉由相對於蒸鍍粒子之飛散方向之z軸之角度而定義。
再者，限制板300之各開口部300A之基板掃描方向(x軸方向)之寬度d301b設定得充分大，故而對入射至開口部82之蒸鍍粒子的沿基板掃描方向(x軸方向)觀察時之入射角度無限制。
從而，於本實施形態中，藉由限制板300，限制以較大之入射角度(正確而言係沿掃描正交方向觀察時之入射角度)入射至開口部82之蒸鍍粒子。因此，藉由分別調整限制板300之各開口部300A之寬度d301a、限制板300之厚度d300、及蒸鍍源85與限制板300之間隙g3，可調整蒸鍍膜211(即發光層23R、23G、23B)之傾斜側面23s之寬度B(參照圖23)。即，若增大寬度d301a、或縮小厚度d300、或縮小間隙g3，則傾斜側面23s之寬度B變大，另一方面，若縮小寬度d301a、或增大厚度d300、或增大間隙g3，則傾斜側面23s之寬度B變小。
如上所述，根據本實施形態，藉由調整限制板300之開口部300A之寬度d301a、限制板300與蒸鍍源85之間隙g3、及限制板300之厚度d300之任一者，可簡單地以其側面成為平緩之傾斜側面23s之方式形成蒸鍍膜211。
再者，於上述實施形態中，將本發明之蒸鍍方法及蒸鍍裝置應用於發光層23R、23G、23B之形成中，亦可應用於第1電極21、第2電極26、電洞注入層兼電洞輸送層22、電子輸送層24、電子注入層25、電洞注入層27、電洞輸送層28R、28G、28B等之形成中。
[要點概要]
如上所述，本發明之實施形態之被成膜基板理想上而言除上述傾斜側面以外之上述蒸鍍膜之上述特定方向之寬度為上述蒸鍍區域之上述特定方向之寬度以上。
根據上述構成，除傾斜側面以外之蒸鍍膜(即蒸鍍膜之平坦部分)之特定方向之寬度為蒸鍍區域之特定方向之寬度以上，故而關於除傾斜側面以外之蒸鍍膜之特定方向之寬度，由於蒸鍍膜之整體膜厚與蒸鍍區域之特定方向之寬度之整體重疊因此可確保最低限必要之寬度。
又，本發明之實施形態之被成膜基板理想上而言上述傾斜側面之上述特定方向之寬度為上述各蒸鍍區域間之區域之上述特定方向之寬度以下。
根據上述構成，傾斜側面之特定方向之寬度為各蒸鍍區域間之區域之特定方向之寬度以下，故而即便產生蒸鍍膜相對於被成膜基板之相對偏移，亦可抑制蒸鍍膜之傾斜側面與相鄰之蒸鍍區域重疊。
又，就本發明之實施形態之被成膜基板而言，上述蒸鍍膜之上述特定方向之中心與上述蒸鍍區域之上述特定方向之中心之上述特定方向之最大偏移量為上述各蒸鍍區域間之區域之上述特定方向之寬度之1/2倍之長度以上。
根據上述構成，蒸鍍膜之特定方向之中心與蒸鍍區域之特定方向之中心之特定方向之最大偏移量為各蒸鍍區域間之區域之特定方向之寬度之1/2倍之長度以上。因此，即便於此種情形時，亦可防止於蒸鍍區域產生蒸鍍膜之缺損及短路且可降低混色程度。
又，本發明之實施形態之被成膜基板理想上若將上述傾斜側面之上述特定方向之寬度設為B，將上述蒸鍍膜之除上述傾斜側面以外之部分之膜厚設為H，則上述傾斜側面之傾斜H/B為1/200以下。
根據上述構成，傾斜側面之傾斜為1/200以下，故而於傾斜側面為平面之情形時，可有效地降低蒸鍍膜之傾斜側面之部分與相鄰之蒸鍍區域重疊時之混色。
又，本發明之實施形態之被成膜基板理想上傾斜側面之傾斜於其上述特定方向之中央變成最大，於其上述特定方向之兩端變得平緩。
根據上述構成，傾斜側面之傾斜於其特定方向之中央變成最大，於其特定方向之兩端變得平緩，故而於傾斜側面之特定方向之始端(即蒸鍍膜之平坦部分側之端部)側，蒸鍍膜之膜厚不會變得太薄，另一方面，於傾斜側面之特定方向之終端(即蒸鍍膜之平坦部分側之相反側之端部)側，蒸鍍膜之膜厚變得更薄。因此，於蒸鍍膜之傾斜側面之上述始端側與蒸鍍區域重疊時，可抑制該始端側之膜厚之減少，又於蒸鍍膜之傾斜側面之上述終端側與相鄰之蒸鍍區域重疊時，可更進一步降低該終端側之混色。
又，本發明之實施形態之被成膜基板理想上若將上述傾斜側面之上述特定方向之寬度設為B，將上述蒸鍍膜之除上述傾斜側面以外之部分之膜厚設為H，則上述傾斜側面之傾斜H/B為(π/2)×1/200以下。
根據上述構成，若將蒸鍍膜之傾斜側面之特定方向之寬度設為B，將蒸鍍膜之除傾斜側面以外之部分之膜厚設為H，則傾斜側面之傾斜為(π/2)×1/200以下，故而於傾斜側面為曲面之情形時，可有效地降低蒸鍍膜之傾斜側面與相鄰之蒸鍍區域重疊時之混色。
又，本發明之實施形態之被成膜基板理想上而言上述傾斜側面之傾斜藉由餘弦函數而規定。
根據上述構成，傾斜側面之傾斜係藉由餘弦函數而規定，故而可利用既知之函數。
又，本發明之實施形態之被成膜基板理想上若將上述蒸鍍膜之除上述傾斜側面以外之部分之最大膜厚設為H0，將上述傾斜側面之上述特定方向之寬度設為B，將自上述傾斜側面之上述部分側之端部朝向相反側向地沿上述特定方向隔開x之位置處之上述蒸鍍膜之膜厚設為H(x)，則H(x)係由式1所表示。
[數1]
根據上述構成，傾斜側面之傾斜係藉由大致餘弦函數而規定，故而可利用既知之函數。
又，本發明之實施形態之被成膜基板理想上至少1個上述蒸鍍膜其一個上述傾斜側面與上述一個蒸鍍區域之相鄰之蒸鍍區域重疊。
根據上述構成，蒸鍍膜相對於被成膜基板沿特定方向相對地偏移，從而蒸鍍膜其一側之傾斜側面與蒸鍍區域之相鄰之蒸鍍區域重疊，但由於傾斜側面混色程度得以降低。
又，本發明之實施形態之被成膜基板係上述蒸鍍膜覆蓋其所對應之上述蒸鍍區域之整體者。
根據上述構成，蒸鍍膜覆蓋其所對應之蒸鍍區域之整體，故而可防止於蒸鍍區域內產生蒸鍍膜之缺損及短路。
又，本發明之實施形態之有機EL顯示裝置理想上係使用上述任一項所記載之被成膜基板之有機EL顯示裝置，且於上述被成膜基板上，至少依序包括第1電極、含有發光層之有機層、及第2電極，上述有機層之至少1層為上述蒸鍍膜。
根據上述構成，可實現對於上述有機層之至少1層發揮上述被成膜基板之效果之有機EL顯示裝置。
[產業上之可利用性]
本發明之蒸鍍方法及蒸鍍裝置例如可較佳地使用在有機EL顯示裝置中之有機層之分塗形成等成膜製程中所使用之有機EL顯示裝置之製造裝置及製造方法等中。進而，即便於製造經過圖案形成之膜偏移由此對其他區域造成影響之被成膜基板之情形時，亦可應用本發明之蒸鍍方法及蒸鍍裝置。
1．．．有機EL顯示裝置
2．．．像素
2B．．．子像素
2G．．．子像素
2R．．．子像素
10．．．TFT基板(被成膜基板)
11．．．絕緣基板
12．．．TFT
13．．．層間膜(層間絕緣膜、平坦化膜)
13a．．．接觸孔
14．．．配線
15．．．邊緣罩
15B．．．開口部
15G．．．開口部
15R．．．開口部
20．．．有機EL元件
21．．．第1電極
22．．．電洞注入層兼電洞輸送層
23B．．．發光層(有機層、蒸鍍膜)
23G．．．發光層(有機層、蒸鍍膜)
23p．．．端部
23q．．．中央部
23R．．．發光層(有機層、蒸鍍膜)
23r．．．端部
23s．．．傾斜側面
23t．．．平坦部分
24．．．電子輸送層
24B．．．蒸鍍膜
24G．．．蒸鍍膜
24R．．．蒸鍍膜
25．．．電子注入層
26．．．第2電極
29．．．不發光區域
30．．．黏接層
40．．．密封基板
50．．．蒸鍍裝置
60．．．真空腔室
70．．．基板移動機構
71．．．基板保持構件
72．．．馬達
80．．．遮罩單元
81．．．陰影遮罩(蒸鍍遮罩)
81a．．．長邊
81b．．．短邊
82．．．開口部
83．．．對準標記部
84．．．對準標記
85．．．蒸鍍源
86．．．射出口
86x．．．噴嘴開口長度
86y．．．噴嘴開口寬度
87．．．遮罩保持構件(保持機構)
88．．．遮罩拉力機構
89．．．擋閘
90．．．影像感測器
100．．．控制電路
101．．．圖像檢測部
102．．．演算部
103．．．馬達驅動控制部
104．．．蒸鍍ON/OFF控制部
105．．．擋閘驅動控制部
150．．．蒸鍍裝置
200．．．被成膜基板
210．．．顯示區域
210a．．．長邊
210b．．．短邊
210s．．．入射角受到限制之區域
210s1．．．區域210s之端部
210s2．．．區域210s之端部
211．．．蒸鍍膜
220．．．對準標記部
221．．．對準標記
300．．．限制板
300A．．．開口部
300a．．．限制板之長邊
300b．．．限制板之短邊
301．．．基板
301a．．．基板之長邊
301b．．．基板之短邊
302．．．蒸鍍源對向
303．．．陰影遮罩
304．．．開口部
305．．．蒸鍍膜
305t．．．蒸鍍膜之端部
306a．．．像素
306b．．．像素
307a．．．發光區域
307b．．．發光區域
A．．．地點
A'．．．地點
B．．．地點
B．．．傾斜側面之掃描正交方向之寬度
B．．．傾斜側面之寬度
B'．．．地點
C．．．寬度
d1．．．寬度
d2．．．寬度
d3．．．寬度
d4．．．寬度
d5．．．寬度
d6．．．寬度
d7．．．寬度
d8．．．寬度
d81．．．陰影遮罩之厚度
d300．．．限制板之厚度
d300a．．．長邊之寬度
d300b．．．短邊之寬度
d301a．．．長邊之寬度
d301b．．．短邊之寬度
F1．．．不完全混色區域
F2．．．膜厚下降區域
F3．．．完全混色區域
F4．．．完全缺損區域
g1．．．間隙
g2．．．間隙
g3．．．間隙
H．．．平坦部分之膜厚
NA．．．有效範圍
NB．．．有效範圍
p．．．開口部之中心間之間距
q．．．距離
r．．．距離
T1．．．始端
T2．．．終端
x．．．沿基板掃描方向之方向
y．．．沿正交於基板掃描方向之方向之方向(特定方向)
z．．．正交於x及y之方向
αA．．．入射角度
αB．．．入射角度
圖1係自被成膜基板之背面側觀察本發明之實施形態1之蒸鍍裝置中之真空腔室內之被成膜基板與遮罩單元之平面圖。
圖2係本發明之實施形態1之蒸鍍裝置中之真空腔室內之主要構成要素之俯視圖。
圖3係模式性地表示本發明之實施形態1之蒸鍍裝置中之主要部分之概略構成之剖面圖。
圖4係表示本發明之實施形態1之蒸鍍裝置之構成之一部分之方塊圖。
圖5(a)~(c)係表示本發明之實施形態1之被成膜基板及蒸鍍遮罩之對準標記之形狀之一例之圖。
圖6係表示RGB全彩顯示之有機EL顯示裝置之概略構成之剖面圖。
圖7係表示構成圖6所示之有機EL顯示裝置之像素之構成之平面圖。
圖8係圖7所示之有機EL顯示裝置中之TFT基板之A-A線箭視剖面圖。
圖9係將本發明之實施形態1之有機EL顯示裝置之製造步驟以步驟順序表示之流程圖。
圖10係表示使用本發明之實施形態1之蒸鍍裝置於TFT基板上成膜特定之圖案之方法之一例之流程圖。
圖11係表示對準調整方法之流程圖。
圖12係表示蒸鍍OFF時之蒸鍍控制之流程之流程圖。
圖13係表示蒸鍍ON時之蒸鍍控制之流程之流程圖。
圖14係本發明之實施形態1之蒸鍍方法中之遮罩開口部之寬度與發光區域之寬度為相同大小之情形，(a)為無發光層之圖案偏移之狀態之剖面圖，(b)為有發光層之圖案偏移之狀態之剖面圖。
圖15係本發明之實施形態1之發光層之傾斜側面之上限及下限之說明圖。
圖16(a)係表示發光層之傾斜側面為平面之情形時之噴嘴開口之形狀之一例之圖，(b)係表示發光層之傾斜側面為曲面之情形時之噴嘴開口之形狀之一例之圖。
圖17係對噴嘴開口之形狀與傾斜側面之關係進行說明。
圖18係本發明之實施形態1之蒸鍍方法中之遮罩開口部之寬度大於發光區域之寬度之情形，(a)為無發光層之圖案偏移之狀態之剖面圖，(b)為有發光層之圖案偏移之狀態之剖面圖。
圖19係先前之蒸鍍方法中之遮罩開口部之寬度為標準之大小之情形，(a)為無發光層之圖案偏移之狀態之剖面圖，(b)為有發光層之圖案偏移之狀態之剖面圖。
圖20係先前之蒸鍍方法中之遮罩開口部之寬度縮小之情形，(a)為無發光層之圖案偏移之狀態之剖面圖，(b)為有發光層之圖案偏移之狀態之剖面圖。
圖21係先前之蒸鍍方法中之遮罩開口部之寬度增大之情形，(a)為無發光層之圖案偏移之狀態之剖面圖，(b)為有發光層之圖案偏移之狀態之剖面圖。
圖22係本發明之實施形態1之蒸鍍方法中之發光層之傾斜側面為曲面之情形，(a)為無發光層之圖案偏移之狀態之剖面圖，(b)為有發光層之圖案偏移之狀態之剖面圖。
圖23係對發光層之傾斜側面為餘弦函數之情形之發光層之膜厚與寬度之關係進行說明之圖。
圖24係本發明之實施形態2之蒸鍍裝置之構成概略圖。
圖25係圖24之XXV-XXV剖面圖。
圖26係表示使用遮罩之先前之蒸鍍裝置之概略構成之剖面圖。
圖27係先前之蒸鍍方法，(a)為無蒸鍍膜之圖案偏移之狀態之剖面圖，(b)為有蒸鍍膜之圖案偏移之狀態之剖面圖。
2R．．．子像素
2G．．．子像素
10．．．TFT基板(被成膜基板)
23R．．．發光層(有機層、蒸鍍膜)
23s．．．傾斜側面
23t．．．平坦部分
24G．．．蒸鍍膜
24R．．．蒸鍍膜
29．．．不發光區域
80．．．遮罩單元
82．．．開口部
200．．．被成膜基板
C．．．寬度
F1．．．不完全混色區域
F2．．．膜厚下降區域
g1．．．間隙
x．．．沿基板掃描方向之方向
y．．．沿正交於基板掃描方向之方向之方向(特定方向)

Claims (11)

  1. 一種被成膜基板，其特徵在於：其係於沿特定方向排列之複數個蒸鍍區域之各者內形成有蒸鍍膜者，且上述蒸鍍膜於上述特定方向之兩側，具有相對於上述被成膜基板之法線方向傾斜之傾斜側面，上述蒸鍍膜之上述特定方向之寬度大於上述蒸鍍區域之上述特定方向的寬度與上述各蒸鍍區域間之區域之上述特定方向之寬度的和，上述傾斜側面之傾斜於其上述特定方向之中央變成最大，於其上述特定方向之兩端較上述中央之傾斜平緩。
  2. 如請求項1之被成膜基板，其中若將上述傾斜側面之上述特定方向之寬度設為B，將上述蒸鍍膜之除上述傾斜側面以外之部分之最大膜厚設為H，則上述傾斜側面之傾斜H/B為(π/2)×1/200以下。
  3. 如請求項1之被成膜基板，其中上述傾斜側面之傾斜係藉由餘弦函數而規定。
  4. 如請求項3之被成膜基板，其中若將上述蒸鍍膜之除上述傾斜側面以外之部分之最大膜厚設為H0，將上述傾斜側面之上述特定方向之寬度設為B，將自上述傾斜側面之上述部分側之端部朝向相反側地沿上述特定方向隔開x之位置處之上述蒸鍍膜之膜厚設為H(x)，則H(x)係由式1所表示：
  5. 如請求項1至4中任一項之被成膜基板，其中除上述傾斜側面以外之上述蒸鍍膜之上述特定方向之寬度為上述蒸鍍區域之上述特定方向之寬度以上。
  6. 如請求項1至4中任一項之被成膜基板，其中上述傾斜側面之上述特定方向之寬度為上述各蒸鍍區域間之區域之上述特定方向之寬度以下。
  7. 如請求項1至4中任一項之被成膜基板，其中上述蒸鍍膜之上述特定方向之中心與上述蒸鍍區域之上述特定方向之中心之上述特定方向之最大偏移量為上述各蒸鍍區域間之區域之上述特定方向之寬度的1/2倍長度以上。
  8. 如請求項1至4中任一項之被成膜基板，其中若將上述傾斜側面之上述特定方向之寬度設為B，將上述蒸鍍膜之除上述傾斜側面以外之部分之最大膜厚設為H，則上述傾斜側面之傾斜H/B為1/200以下。
  9. 如請求項1至4中任一項之被成膜基板，其中至少1個上述蒸鍍膜其一個上述傾斜側面與形成有該蒸鍍膜之蒸鍍區域之相鄰之蒸鍍區域重疊。
  10. 如請求項1至4中任一項之被成膜基板，其中上述蒸鍍膜覆蓋其所對應之上述蒸鍍區域之整體。
  11. 一種有機EL顯示裝置，其特徵在於：其係使用如請求項1至10中任一項之被成膜基板者，且於上述被成膜基板上，至少依序包括第1電極、含有 發光層之有機層、及第2電極，上述有機層之至少1層為上述蒸鍍膜。
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