WO2012133458A1

WO2012133458A1 - 表示用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、およびそれらの製造方法

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Publication number: WO2012133458A1
Application number: PCT/JP2012/058009
Authority: WO
Inventors: 通園田; 伸一川戸; 井上　智; 智志橋本
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2011-03-31
Filing date: 2012-03-27
Publication date: 2012-10-04
Also published as: US9299946B2; CN103477713B; JPWO2012133458A1; TWI522005B; TW201251504A; CN103477713A; JP5826828B2; US20140014985A1

Abstract

　ＴＦＴ基板（１０）は、蒸着膜からなる発光層（２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂ）をそれぞれ有する少なくとも３色の発光領域を含む複数の画素領域を有し、隣り合う２つの発光領域は、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに最大の電流効率を有する色の発光層（２３Ｇ）の発光領域と最小の電流効率を有する色の発光層（２３Ｂ）の発光領域との組み合わせ以外の組み合わせである。

Description

表示用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、およびそれらの製造方法

　本発明は、表示用基板に所定パターンの蒸着膜を形成する蒸着技術に関するものであり、より詳しくは、そのような蒸着技術を用いた表示用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、およびそれらの製造方法に関するものである。

　近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。

　そのような状況下において、有機材料の電界発光（エレクトロルミネッセンス；以下、「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。

　有機ＥＬ表示装置は、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに接続された有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。

　有機ＥＬ素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極、有機ＥＬ層および第２電極が、この順に積層された構造を有している。そのうち、第１電極はＴＦＴと接続されている。

　また、第１電極と第２電極との間には、上記有機ＥＬ層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等を積層させた有機層が設けられている。

　図１９は、一般的なフルカラーの有機ＥＬ表示装置の各画素におけるサブ画素配列を模式的に示す図である。

　図１９に示すように、フルカラーの有機ＥＬ表示装置は、一般的に、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色の発光層を有する有機ＥＬ素子をサブ画素として、ＴＦＴ基板等の表示用の半導体基板上に配列形成してなり、ＴＦＴを用いて、これら有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行っている。

　このような有機ＥＬ表示装置の製造においては、少なくとも各色に発光する有機発光材料からなる発光層が、発光素子である有機ＥＬ素子ごとにパターン形成される（例えば特許文献１・２参照）。

　上記有機ＥＬ素子は、有機膜の積層蒸着によって構成されているが、発光層については、各色のサブ画素ごとに分けて蒸着する必要がある。

　例えば、低分子型有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）では、従来、蒸着用のマスクを用いた蒸着法により、有機膜（有機層）の塗り分け形成を行っている。

　発光層のパターン形成を行う方法としては、例えば、シャドウマスクと称される蒸着用のマスクを用いた真空蒸着法が知られている。さらに、上記真空蒸着法は、被成膜基板と蒸着用のマスクとを密着させて成膜する方法と、被成膜基板と蒸着用のマスクとを離間させて成膜するスキャン蒸着法とに大別される。

　このように蒸着用のマスクを用いた真空蒸着法では、被成膜基板と蒸着源とを対向配置させ、目的とする蒸着領域以外の領域に蒸着粒子が付着しないように、マスクに、蒸着領域の一部のパターンに対応した開口部を設け、該開口部を介して蒸着粒子を基板に蒸着させることによりパターン形成を行う。

日本国公開特許公報「特開２０００－１８８１７９号公報（公開日：２０００年７月４日）」日本国公開特許公報「特開平１０－１０２２３７号公報（公開日：１９９８年４月２１日）」

　しかしながら、上記したように、蒸着用のマスクを用いて蒸着を行う場合、蒸着用のマスクと被成膜基板との相対位置の位置ずれや、蒸着用のマスクに形成される開口の加工精度、被成膜基板上のパターン精度、スキャン蒸着時の基板の揺れなどの影響により、蒸着膜の位置ずれ（すなわち、発光層のパターンずれ）が発生する。

　勿論、蒸着膜のパターン形成位置にずれが発生していない場合には、図１９に示すように、塗分けられた蒸着膜同士が発光領域上で重なることはない。

　しかしながら、このためには、蒸着用のマスクに形成される開口の加工精度、被成膜基板上のパターン精度、スキャン蒸着時の基板の揺れなどの影響を無くす必要があり、高い技術が必要とされる。

　そして、上記したように蒸着膜の位置ずれが発生した場合、蒸着膜の位置ずれが許容範囲を超えると、図２０に示すように、隣り合うサブ画素のうち一方のサブ画素の領域で形成されるべき蒸着膜が他方のサブ画素の領域に侵入し、蒸着膜パターンが、隣接するサブ画素の発光領域上にも形成されてしまう。なお、図２０は、隣り合うＧ・Ｂのサブ画素のうちＧのサブ画素の領域で形成されるべき蒸着膜がＢのサブ画素の領域に侵入し、発光層（Ｇ）の蒸着膜パターンが、隣接するＢのサブ画素の発光領域上にも形成された例を示している。

　このように発光層がずれた場合、上記他方のサブ画素のうちの侵入を受けた領域において、上記一方のサブ画素の色の影響を受け、上記他方のサブ画素の色と上記一方のサブ画素の色とが混じり合う、いわゆる混色という現象が発生する。混色は表示品位の低下を招き、有機ＥＬ表示装置の歩留まりを低下させる。

　混色を抑制するためには、サブ画素間の非発光領域を広くすればよいが、そうすると、サブ画素の発光領域の面積が小さくなる。

　このようにサブ画素の発光領域の面積が小さくなると、同一の発光輝度を得るために流す電流密度が高くなるため、輝度の経時劣化が早くなる。すなわち、寿命が短くなる。

　さらには、表示画像の粒度感が増す。すなわち、パターンが均質的に見えずに、粒の集合体として視認される。

　したがって、サブ画素間の非発光領域を拡大することは、有機ＥＬ表示装置の信頼性や表示品位を低下させるとともに、高精細な有機ＥＬ表示装置を実現できなくなる。

　本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、非発光領域を拡大することなく、蒸着膜の位置ずれに起因する表示品質の低下を抑制することができる表示用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、およびそれらの製造方法を提供することを目的とする。

　本発明にかかる表示用基板は、上記課題を解決するために、蒸着膜からなる発光層をそれぞれ有する少なくとも３色の発光領域をサブ画素領域として含む複数の画素領域を有し、隣り合う２つの発光領域は、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに最大の電流効率を有する色の発光層の発光領域と最小の電流効率を有する色の発光層の発光領域との組み合わせ以外の組み合わせの発光領域であることを特徴としている。

　上記構成によれば、隣り合う２つの発光領域を、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに最大の電流効率を有する色の発光層の発光領域と最小の電流効率を有する色の発光層の発光領域との組み合わせ以外の組み合わせの発光領域としたので、最大の電流効率を有する色の発光層の発光領域と最小の電流効率を有する色の発光層の発光領域とが隣り合う従来構成に比して、隣り合う２つの発光領域の電流効率の差を小さくすることができる。

　したがって、上記表示用基板が、上記構成を有していることで、その製造過程において、たとえ隣り合う２つの発光領域のうち一方の発光領域の蒸着膜が他方の発光領域の蒸着膜の領域に侵入したとしても、その侵入による混色の程度（色の変化の度合い）を、前記従来構成に比して抑制することが可能となる。

　したがって、上記構成によれば、非発光領域を拡大することなく、蒸着膜の位置ずれに起因する表示品質の低下を抑制することができる。

　また、本発明にかかる表示用基板は、上記課題を解決するために、同一平面内に、膜厚が異なる蒸着膜パターンが少なくとも３列設けられており、隣り合う２つの蒸着膜パターンは、最大の膜厚を有する蒸着膜パターンと最小の膜厚を有する蒸着膜パターンとの組み合わせ以外の組み合わせの蒸着膜パターンであることを特徴としている。

　上記構成によれば、同一平面内に、膜厚が異なる蒸着膜パターンが少なくとも３列設け、隣り合う２つの蒸着膜パターンを、最大の膜厚を有する蒸着膜パターンと最小の膜厚を有する蒸着膜パターンとの組み合わせ以外の組み合わせの蒸着膜パターンとしたので、最大の膜厚を有する蒸着膜パターンと最小の膜厚を有する蒸着膜パターンとが隣り合う構成に比して、隣り合う２つの蒸着膜パターン同士の膜厚の差を小さくすることができる。

　その結果、膜厚を適宜設定することで、隣り合う２つの蒸着膜パターンのうち一方の蒸着膜パターンの蒸着膜が他方の蒸着膜パターンの蒸着膜の領域に侵入したとしても、その侵入による総厚のばらつきを抑制することが可能となる。

　したがって、非発光領域を拡大することなく、蒸着膜の位置ずれに起因する表示品質の低下を抑制することができる。

　本発明にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、本発明にかかる上記何れかの表示用基板を備えている。

　この構成によれば、上記いずれかの構成による効果が得られる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を実現することができる。

　本発明にかかる表示用基板の製造方法は、上記課題を解決するために、蒸着膜からなる発光層をそれぞれ有する少なくとも３色の発光領域をサブ画素領域として含む複数の画素領域を有する表示用基板の製造方法であって、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに電流効率が最も大きい色の発光層と電流効率が最も小さい色の発光層との間に、上記電流効率が最も大きい色の発光層の電流効率と電流効率が最も小さい色の発光層の電流効率との間の大きさの電流効率を有する色の発光層を少なくとも一つ形成することを特徴とするものである。

　上記製造方法によれば、隣り合う２つの発光領域のうち一方の発光領域における発光層が他方の発光領域に侵入した場合に、その侵入による混色の程度（色の変化の度合い）を最も抑制することができ、その結果、画質の低下を最も抑制することができる。

　本発明にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、陽極を形成する陽極形成工程と、陰極を形成する陰極形成工程とを備えるとともに、陽極形成工程と陰極形成工程との間に、蒸着膜からなる少なくとも３色の発光層を色ごとに順に形成する発光層形成工程とを備え、上記発光層形成工程では、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに電流効率が小さい色の発光層ほど陽極形成工程に近い順番で形成されることを特徴とするものである。

　一般的に、上記発光層は、陽極に近い領域で発光しやすい、換言すると、陽極に近いほど発光輝度が大きくなるという性質を有する。

　そこで、上記構成のように、発光層形成工程において、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに電流効率が小さい色の発光層ほど陽極形成工程に近い順番で形成することで、混色が生じたとしても、その影響を小さくすることができる。

　なお、侵入する側の発光層の方が陽極に近い場合、侵入する側の発光層が発光しやすくなるが、この場合、陽極側の発光層の電流効率が他方の発光層の電流効率よりも低いため、その効果が相殺される（打ち消される）。

　したがって、侵入する側の発光層の方が陽極に近い場合であっても、その逆の場合であっても、上記順番で発光層を形成することで、混色が生じたとしても、その影響を小さくすることができる。

　これにより、隣り合う２つの発光領域のうち一方の発光領域の蒸着膜が他方の発光領域の蒸着膜の領域に侵入した場合に、その侵入による混色の程度（色の変化の度合い）を抑制することができ、その結果、画質の低下を抑制することができる。

　以上のように、本発明にかかる表示用基板は、蒸着膜からなる発光層をそれぞれ有する少なくとも３色の発光領域をサブ画素領域として含む複数の画素領域を有し、隣り合う２つの発光領域は、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに最大の電流効率を有する色の発光層の発光領域と最小の電流効率を有する色の発光層の発光領域との組み合わせ以外の組み合わせの発光領域であることを特徴とするものである。

　また、本発明にかかる表示用基板の製造方法は、蒸着膜からなる発光層をそれぞれ有する少なくとも３色の発光領域をサブ画素領域として含む複数の画素領域を有する表示用基板の製造方法であって、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに電流効率が最も大きい色の発光層と電流効率が最も小さい色の発光層との間に、上記電流効率が最も大きい色の発光層の電流効率と電流効率が最も小さい色の発光層の電流効率との間の大きさの電流効率を有する色の発光層を少なくとも一つ形成することを特徴とするものである。

　上記の構成並びに製造方法によれば、その製造過程において、たとえ隣り合う２つの発光領域のうち一方の発光領域の蒸着膜が他方の発光領域の蒸着膜の領域に侵入したとしても、その侵入による混色の程度（色の変化の度合い）を、従来構成に比して抑制することができる。

　したがって、上記の構成並びに製造方法によれば、非発光領域を拡大することなく、蒸着膜の位置ずれに起因する表示品質の低下を抑制することができる。

　また、本発明にかかる表示用基板は、同一平面内に、膜厚が異なる蒸着膜パターンが少なくとも３列設けられており、隣り合う２つの蒸着膜パターンは、最大の膜厚を有する蒸着膜パターンと最小の膜厚を有する蒸着膜パターンとの組み合わせ以外の組み合わせの蒸着膜パターンであることを特徴とするものである。

　上記構成により、膜厚を適宜設定することで、隣り合う２つの蒸着膜パターンのうち一方の蒸着膜パターンの蒸着膜が他方の蒸着膜パターンの蒸着膜の領域に侵入したとしても、その侵入による総厚のばらつきを抑制することができる。

　したがって、上記の構成によれば、非発光領域を拡大することなく、蒸着膜の位置ずれに起因する表示品質の低下を抑制することができる。

　また、本発明にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、上記何れかの表示用基板を備えている。

　したがって、上記の構成によれば、非発光領域を拡大することなく、蒸着膜の位置ずれに起因する表示品質の低下を抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。

　また、本発明にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、陽極を形成する陽極形成工程と、陰極を形成する陰極形成工程とを備えるとともに、陽極形成工程と陰極形成工程との間に、蒸着膜からなる少なくとも３色の発光層を色ごとに順に形成する発光層形成工程とを備え、上記発光層形成工程では、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに電流効率が小さい色の発光層ほど陽極形成工程に近い順番で形成されることを特徴とするものである。

　上記製造方法によれば、隣り合う２つの発光領域のうち一方の発光領域の蒸着膜が他方の発光領域の蒸着膜の領域に侵入した場合に、その侵入による混色の程度（色の変化の度合い）を抑制することができ、その結果、画質の低下を抑制することができる。

　したがって、上記の製造方法によれば、非発光領域を拡大することなく、蒸着膜の位置ずれに起因する表示品質の低下を抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。

本発明の実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置における各画素を構成するサブ画素配列を、上記有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板の１画素領域におけるサブ画素領域の配列として模式的に示す図である。本発明の実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図である。図２に示す有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板のＡ－Ａ線矢視断面図である。本発明の実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の構成例を示す断面図である。各サブ画素を駆動するサブ画素駆動回路の回路構成を示す図である。本発明の実施の形態１で用いられる蒸着装置の要部の概略構成を示す斜視図である。本発明の実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。図７に示す蒸着装置を用いてＴＦＴ基板に所定のパターンを成膜する方法の一例を示すフローチャートである。（ａ）～（ｈ）は、隣り合う２つのサブ画素のうち一方のサブ画素の発光層が他方のサブ画素の発光領域に侵入するパターンを、ＴＦＴ基板の要部の構成を用いて模式的に示す図である。蒸着膜の電流効率が異なるＮ（Ｎは３以上の整数）種のサブ画素からなる画素が、一次元方向に配列されている例を模式的に示す図である。本発明の実施の形態２にかかるサブ画素配列の一例を模式的に示す図である。本発明の実施の形態２で用いられる蒸着方式の一例を模式的に示す図である。（ａ）・（ｂ）は、発光層あるいは発光層と発光領域との形状変更による、斜め方向に隣り合うサブ画素間の離間距離の拡大を示す図である。４色のサブ画素で１つの画素を構成する場合のサブ画素の配置例を示す図である。Ｍ種類のサブ画素で１つの画素を構成する場合のサブ画素の配置例を示す図である。（ａ）～（ｄ）は、本発明の実施の形態３にかかる有機ＥＬ表示装置における各画素を構成するサブ画素配列の変形例を模式的に示す図である。本発明の実施の形態４にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。図１７に示す有機ＥＬ表示装置の製造工程を、工程順に示すフローチャートである。一般的なフルカラーの有機ＥＬ表示装置の各画素におけるサブ画素配列を模式的に示す図である。従来のサブ画素配列における問題点を説明するための図である。

　以下、本発明について詳細に説明する。

　〔実施の形態１〕
　本実施の形態について図１～図１０に基づいて説明すれば、以下の通りである。

　＜有機ＥＬ表示装置の概略構成＞
　図４は、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の構成例を示す断面図である。

　図４に示す有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ基板１０と、有機ＥＬ素子２０と、接着層３０と、封止基板４０とを備えており、ＴＦＴ基板１０側から光を取り出すボトムエミッション型でＲＧＢフルカラー表示タイプの表示装置である。

　ＴＦＴ基板１０には、画素領域となる部分に、スイッチング素子としてのＴＦＴ等が形成されている。

　有機ＥＬ素子２０は、ＴＦＴ基板１０の表示領域においてマトリクス状に形成されている。

　有機ＥＬ素子２０が形成されたＴＦＴ基板１０は、接着層３０等により、封止基板４０と貼り合わされている。

　次に、有機ＥＬ表示装置１におけるＴＦＴ基板１０および有機ＥＬ素子２０の構成について詳述する。

　＜ＴＦＴ基板１０の構成＞
　図１は、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１における各画素を構成するサブ画素配列を、上記有機ＥＬ表示装置１におけるＴＦＴ基板１０の１画素領域におけるサブ画素領域の配列として模式的に示す図である。

　なお、ここで、ＴＦＴ基板１０の１画素領域とは、表示パネル化したとき（つまり、有機ＥＬ表示装置１を組み立てたとき）に、カラー表示を行うための最小構成単位の画素（本実施の形態では３原色用画素）に相当する領域を示す。

　また、ＴＦＴ基板１０のサブ画素領域とは、表示パネル化したとき（つまり、有機ＥＬ表示装置１を組み立てたとき）に、カラー表示を行うための最小構成単位となる１画素を構成する各サブ画素（ドット）に対応する領域を示す。

　また、図２は、上記有機ＥＬ表示装置１を構成する画素の構成を示す平面図である。図３は、図２に示す有機ＥＬ表示装置１におけるＴＦＴ基板１０のＡ－Ａ線矢視断面図である。

　なお、図１は、図３に示すＴＦＴ基板１０のＡ－Ａ線矢視断面をサブ画素の配列に着目して概略化した図に相当する。

　図３に示すように、ＴＦＴ基板１０は、ガラス基板等の透明な絶縁基板１１上に、ＴＦＴ１２（スイッチング素子）、層間絶縁膜１３、配線１４、エッジカバー１５等が形成された構成を有している。

　有機ＥＬ表示装置１は、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置である。図２および図３に示すように、絶縁基板１１上には、配線１４で囲まれた領域に、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子２０からなる各色のサブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂが、マトリクス状に配列されている。

　すなわち、配線１４で囲まれた領域が１つのサブ画素（ドット）であり、サブ画素ごとにＲ、Ｇ、Ｂの発光領域（発光部）が画成されている。

　画素２（すなわち、１画素）は、赤色の光を射出する赤色のサブ画素２Ｒ（１）・２Ｒ（２）、緑色の光を射出する緑色のサブ画素２Ｇ、青色の光を射出する青色のサブ画素２Ｂの、４つのサブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂによって構成されている。

　各サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂには、各サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂにおける発光を担う各色の発光領域として、ストライプ状の各色の発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２Ｒ（２）・２３Ｂによって覆われた露出部１５Ｒ（１）・１５Ｇ・１５Ｒ（２）・１５Ｂがそれぞれ設けられている。

　発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂは、各色ごとに、蒸着によりパターン形成されている。

　サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂには、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１に接続されたＴＦＴ１２がそれぞれ設けられている。各サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂの発光強度は、配線１４およびＴＦＴ１２による走査および選択により決定される。このように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて、有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を実現している。

　層間絶縁膜１３は、各ＴＦＴ１２および配線１４を覆うように、上記絶縁基板１１上に、上記絶縁基板１１の全領域に渡って積層されている。

　層間絶縁膜１３上には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１が形成されている。

　また、層間絶縁膜１３には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａが設けられている。これにより、ＴＦＴ１２は、上記コンタクトホール１３ａを介して、有機ＥＬ素子２０に電気的に接続されている。

　エッジカバー１５は、第１電極２１の端部で有機ＥＬ層が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１と第２電極２６とが短絡することを防止するための絶縁層である。

　エッジカバー１５は、層間絶縁膜１３上に、第１電極２１の端部を覆うように形成されている。

　各サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂの第１電極２１は、図２に示すように、エッジカバー１５のない部分でそれぞれ露出している。

　この露出部１５Ｒ（１）・１５Ｇ・１５Ｒ（２）・１５Ｂが、前記したように各サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂの発光領域（発光部）となる。

　言い換えれば、各サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂは、絶縁性を有するエッジカバー１５によって仕切られている。エッジカバー１５は、素子分離膜としても機能する。

　図１に示すように、各サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂは、各々、上記露出部１５Ｒ（１）・１５Ｇ・１５Ｒ（２）・１５Ｂにおける発光領域（発光部）と、各露出部１５Ｒ（１）・１５Ｇ・１５Ｒ（２）・１５Ｂ間の非発光領域１５ｒ（１）・１５ｇ・１５ｒ（２）・１５ｂ（非発光部）とで形成されている。

　このように、ＴＦＴ基板１０には、露出部１５Ｒ（１）・１５Ｇ・１５Ｒ（２）・１５Ｂにおける各色の発光領域が、有機ＥＬ表示装置１のサブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂを構成するサブ画素領域（すなわち、サブ画素領域の一部）として含まれている。

　＜有機ＥＬ素子２０の構成＞
　図３に示すように、有機ＥＬ素子２０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極２１、有機ＥＬ層、第２電極２６が、この順に積層されている。

　第１電極２１は、上記有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極２１は、上記したようにコンタクトホール１３ａを介してＴＦＴ１２と接続されている。

　第１電極２１と第２電極２６との間には、図３に示すように、有機ＥＬ層として、第１電極２１側から、正孔注入層兼正孔輸送層２２、発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂ、電子輸送層２４、電子注入層２５が、この順に形成された構成を有している。

　なお、図示してないが、必要に応じて正孔、電子といったキャリアの流れをせき止めるキャリアブロッキング層が挿入されていてもよい。また、一つの層が複数の機能を有していてもよく、例えば、正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた一つの層を形成してもよい。

　なお、上記積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極２６を陰極としたものである。第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。

　正孔注入層は、第１電極２１から有機ＥＬ層への正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層は、発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層２２は、第１電極２１およびエッジカバー１５を覆うように、ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に一様に形成されている。

　なお、本実施の形態では、上記したように、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けている。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、正孔注入層と正孔輸送層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。

　正孔注入層兼正孔輸送層２２上には、発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂが、それぞれ、サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂに対応して形成されている。

　発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂは、第１電極２１側から注入された正孔と第２電極２６側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂは、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、電流効率が高い材料で形成されている。

　ここで、電流効率とは、単位面積当たりに或る値の電流を流した時に放射される輝度の割合を示すものであり、その単位はｃｄ／Ａで示される。

　本実施の形態では、各色の発光領域の発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂで同一輝度の光を発生させた場合、発光層２３Ｇの電流効率が最も高い。次いで、発光層２３Ｒ（１）および発光層２３Ｒ（２）の電流効率が高く、発光層２３Ｂの電流効率が最も低い。

　電子輸送層２４は、第２電極２６から発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層２５は、第２電極２６から有機ＥＬ層への電子注入効率を高める機能を有する層である。

　電子輸送層２４は、発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２を覆うように、これら発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。

　また、電子注入層２５は、電子輸送層２４を覆うように、電子輸送層２４上に、ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。

　なお、電子輸送層２４と電子注入層２５とは、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよく、互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、有機ＥＬ表示装置１は、電子輸送層２４および電子注入層２５に代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。

　第２電極２６は、上記のような有機層で構成される有機ＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。第２電極２６は、電子注入層２５を覆うように、電子注入層２５上に、ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。

　なお、発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂ以外の有機層は有機ＥＬ層として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成すればよい。

　また、正孔注入層兼正孔輸送層２２および電子輸送層兼電子注入層のように、一つの層は、複数の機能を有していてもよい。

　また、有機ＥＬ層には、必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂと電子輸送層２４との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層２４に抜けるのを阻止し、各色の発光効率を向上することができる。

　上記構成において、第１電極２１（陽極）、第２電極２６（陰極）、および発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂ以外の層は、適宜挿入すればよい。

　＜サブ画素の構成＞
　従来は、有機ＥＬ表示装置１を構成する１つの画素が、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の配列パターンで配列されていた。

　これに対し、本実施の形態では、図１～図３に示すように、最大の電流効率を有する発光層２３Ｇを備えたサブ画素２Ｇと、最小の電流効率を有する発光層２３Ｂを備えたサブ画素２Ｂとの間に、これら発光層２３Ｇと発光層２３Ｂとの間の電流効率を有する発光層を備えたサブ画素２Ｒ（１）・２Ｒ（２）を配置している。これにより、１つの画素２におけるサブ画素の配列を、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）、青（Ｂ）としている。

　なお、本実施の形態では、従来構成においてＧのサブ画素と隣り合っていたＲのサブ画素と、本実施の形態においてＧのサブ画素とＢのサブ画素との間に新たに配置したＲのサブ画素とを区別するために、前者のＲのサブ画素をサブ画素２Ｒ（１）とし、後者のＲのサブ画素をサブ画素２Ｒ（２）としている。

　上記のように配置することで、隣り合う２つのサブ画素のうち一方のサブ画素の発光層が他方のサブ画素の発光領域に侵入したとしても、従来に比して発光層の位置ずれに起因する画質の低下を抑制することができる。この点については後述する。

　＜サブ画素駆動回路の回路構成＞
　絶縁基板１１上には、各サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂに対応して、それぞれＴＦＴ１２を含むサブ画素駆動回路が設けられている。

　図５は、各サブ画素を駆動するサブ画素駆動回路の回路構成を示す図である。

　図５に示すように、上記サブ画素駆動回路は、制御用のトランジスタＴｒ１、駆動用のトランジスタＴｒ２、およびコンデンサＣを備えている。

　トランジスタＴｒ１のソース端子は、ソース線１４Ｓに接続されている。トランジスタＴｒ１のゲート端子は、ゲート線１４Ｇに接続されている。トランジスタＴｒ１のドレイン端子は、トランジスタＴｒ２のゲート端子に接続されている。

　トランジスタＴｒ２のドレイン端子は電源配線１４Ｖと接続されている。トランジスタＴｒ２のソース端子は、有機ＥＬ素子２０に接続されている。

　コンデンサＣは、トランジスタＴｒ２のドレイン端子とトランジスタＴｒ２のゲート端子との間に設置されている。コンデンサＣは、電圧保持用のコンデンサである。

　このような構成を有するサブ画素駆動回路においては、データ書込み時に、ゲート線１４ＧがＨ（ハイ）になることによりトランジスタＴｒ１がオンとなる。これにより、ソース線１４Ｓからのデータ電圧信号がコンデンサＣに書き込まれる。続いて、ゲート線１４ＧがＬ（ロー）となることにより、トランジスタＴｒ１がオフとなる。これにより、コンデンサＣとソース線１４Ｓとが遮断され、コンデンサＣはデータ書込み時に書き込まれたデータ電圧信号を保持する。

　トランジスタＴｒ２の電流は、コンデンサＣの両端の電圧の大きさにより決定される。このため、データ電圧信号に応じた電流が有機ＥＬ素子に供給される。

　なお、各サブ画素駆動回路の構成は上記のものに限定されるものではない。例えば、トランジスタＴｒ１・Ｔｒ２の特性バラツキや経年変化を補償するための回路などが追加されることもある。それに伴って、ゲート線１４Ｇ、ソース線１４Ｓ、および電源配線１４Ｖ以外の配線が設けられる場合がある。

　＜蒸着装置の概略構成＞
　図６は、本実施の形態で用いられる蒸着装置１５０の要部の概略構成を示す斜視図である。

　図６に示すように、蒸着装置１５０は、真空チャンバ６００内に配置されたマスクユニット５００を有する。

　マスクユニット５００は、蒸着用のマスク１０２（蒸着マスク）と、蒸着源１０３と、これらマスク１０２と蒸着源１０３との間に配置された制限板３００とで構成されている。

　これらマスク１０２、蒸着源１０３、および制限板３００は、例えば同一のホルダ等の保持部材を用いて一体的に形成されており、互いに相対的な位置が固定されている。

　蒸着源１０３は、マスク１０２および制限板３００との間に一定の空隙を有して（つまり、一定距離離間して）対向配置されている。

　蒸着源１０３は、蒸着材料を加熱して蒸発（蒸着材料が液体材料である場合）または昇華（蒸着材料が固体材料である場合）させることで気体状の蒸着粒子を発生させる。

　蒸着源１０３は、制限板３００およびマスク１０２との対向面に、蒸着粒子を射出させる射出口１０３ａ（貫通口）を有しており、気体にした蒸着材料を、蒸着粒子として射出口１０３ａから射出させる。

　なお、図６では、蒸着源１０３が複数の射出口１０３ａを有している場合を例に挙げて図示しているが、射出口１０３ａの数は特に限定されるものではなく、少なくとも１つ形成されていればよい。

　また、射出口１０３ａは、図６に示すように一次元状（すなわち、ライン状）に配列されていてもよく、二次元状（すなわち、面状（タイル状））に配列されていても構わない。

　また、蒸着源１０３は、るつぼと称される、内部に蒸着材料を直接収容する加熱容器を備えた構成を有していてもよい。

　あるいは、別の構成として、上記蒸着源１０３は、ロードロック式の配管（図示せず）と、該配管に接続された蒸着粒子供給源（図示せず）とを備え、射出口１０３ａが設けられたノズル部に蒸着粒子を供給することで該射出口１０３ａから蒸着粒子を射出する構成を有していてもよい。

　マスク１０２には、所望の位置・形状に、開口部１０２ａ（貫通口）が形成されており、マスク１０２の開口部１０２ａを通過した蒸着粒子のみが、被成膜基板２００に到達して蒸着膜を形成する。

　これにより、開口部１０２ａに対応する、被成膜基板２００の所望の位置にのみ、所望の成膜パターンを有する有機膜が、蒸着膜として蒸着形成される。

　なお、図６では、一例として、マスク１０２に、走査方向と平行な方向に延設された帯状（ストライプ状、スリット状）の開口部１０２ａが、複数配列して設けられている場合を例に挙げて図示している。

　被成膜基板２００に、前記したようにサブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂごとに蒸着膜パターンを形成する場合には、マスク１０２として、サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂごとに開口部１０２ａが形成されたファインマスクを使用する。

　一方、被成膜基板２００における表示領域全面に蒸着膜パターンを形成する場合には、表示領域全面が開口したオープンマスクを使用する。

　サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂに成膜パターンを形成する例としては、例えば発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂが挙げられる。この場合、蒸着は、発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂの色ごと（つまり、Ｒ・Ｇ・Ｂごと）に行われる（これを「塗り分け蒸着」と言う）。

　開口部１０２ａは、被成膜基板２００への蒸着膜のパターン形成として、ＴＦＴ基板１０における発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂの塗り分け形成を行う場合、これら発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂの同色列のサイズとピッチとに合わせて形成される。

　例えば、赤色を表示するサブ画素２Ｒ（１）・２Ｒ（２）の発光層２３Ｒ（１）・２３Ｒ（２）の成膜を行う場合、赤色の発光材料を蒸着させる領域のみが開口したファインマスクを蒸着用のマスク１０２として用いて、成膜を行う。

　また、表示領域全面に蒸着膜パターンを形成する例としては、正孔注入層兼正孔輸送層２２（もしくは正孔注入層、正孔輸送層）、電子輸送層２４、電子注入層２５等がある。

　この場合、表示領域全面および成膜が必要な領域のみ開口しているオープンマスクを蒸着用のマスク１０２として用いて成膜を行う。なお、第２電極２６についても同様である。

　但し、有機膜を被成膜基板２００の被成膜面２００ａの全面に成膜する場合には、マスク１０２は必ずしも必要ではない。

　制限板３００には、上下方向に貫通する複数の開口部３０１（貫通口）が形成されている。

　蒸着源１０３の射出口１０３ａから射出された蒸着粒子は、制限板３００の開口部３０１およびマスク１０２の開口部１０２ａを通って被成膜基板２００に達する。

　蒸着源１０３の射出口１０３ａから射出された蒸着粒子は、ある程度の広がりを持って放射状に射出される。

　しかしながら、蒸着源１０３の射出口１０３ａから射出された蒸着粒子が制限板３００の開口部３０１を通ることで、被成膜基板２００に入射される蒸着粒子の角度は、一定の角度以下に制限される。

　すなわち、制限板３００を用いてスキャン蒸着を行う場合、制限板３００によって制限された蒸着粒子の広がり角度よりも大きい射出角度を有する蒸着粒子は、制限板３００によって全て遮蔽される。

　なお、制限板３００は、斜め成分の蒸着粒子をカットするため、加熱しないか、図示しない熱交換器により冷却される。このため、制限板３００は、蒸着源１０３の射出口１０３ａよりも低い温度になっている。

　また、被成膜基板２００の方向に蒸着粒子を飛来させないときには、図示しないシャッタを、制限板３００と蒸着源１０３との間に配置する必要がある。

　このため、被成膜基板２００の被成膜面２００ａに垂直な方向における制限板３００の位置は、制限板３００が、マスク１０２と蒸着源１０３との間に、蒸着源１０３から離間して設けられてさえいれば、特に限定されるものではない。制限板３００は、例えばマスク１０２に密着して設けられていてもよい。

　制限板３００の長辺の幅は、例えば、マスク１０２の長辺の幅と同程度の大きさに形成され、制限板３００の短辺の幅は、例えば、マスク１０２の短辺の幅と同程度の大きさに形成される。

　なお、図６では、マスク１０２と蒸着源１０３との間に上記したように制限板３００が設けられている場合を例に挙げて図示しているが、制限板３００は、必ずしも必須ではない。

　また、図６では、蒸着源１０３が被成膜基板２００の下方に配されており、被成膜基板２００が、その被成膜面２００ａが下方を向いている状態で、蒸着源１０３から蒸着粒子を上方に向かって射出して被成膜基板２００に蒸着（アップデポジション）させる場合を例に挙げて示している。

　しかしながら、上記蒸着方法はこれに限定されるものではなく、蒸着源１０３を、被成膜基板２００の上方に設け、蒸着源１０３から蒸着粒子を下方に向かって射出して被成膜基板２００に蒸着（ダウンデポジション）させてもよい。

　また、蒸着源１０３は、例えば、横方向に向けて蒸着粒子を射出する機構を有し、被成膜基板２００の被成膜面２００ａ側が蒸着源１０３側を向いて垂直方向に立てられている状態で、蒸着粒子を横方向に射出して被成膜基板２００に蒸着（サイドデポジション）させてもよい。

　＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
　図７は、有機ＥＬ表示装置１の製造工程を工程順に示すフローチャートである。

　図７に示すように、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、例えば、ＴＦＴ基板・第１電極作製工程（Ｓ１）、正孔注入層・正孔輸送層蒸着構成（Ｓ２）、発光層蒸着工程（Ｓ３）、電子輸送層蒸着工程（Ｓ４）、電子注入層蒸着工程（Ｓ５）、第２電極蒸着工程（Ｓ６）、封止工程（Ｓ７）を備えている。

　以下に、図７に示すフローチャートに従って、図２および図３を参照して上記した各工程について説明する。

　但し、本実施の形態に記載されている各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一実施形態に過ぎず、これによって本発明の範囲が限定解釈されるべきではない。

　また、上記したように、本実施形態に記載の積層順は、第１電極２１を陽極、第２電極２６を陰極としたものであり、反対に第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。同様に、第１電極２１および第２電極２６を構成する材料も反転する。

　まず、図３に示すように、公知の技術でＴＦＴ１２並びに配線１４等が形成されたガラス等の絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、絶縁基板１１上に層間絶縁膜１３を形成する。

　絶縁基板１１としては、例えば厚さが０．７～１．１ｍｍであり、ｙ軸方向の長さ（縦長さ）が４００～５００ｍｍであり、ｘ軸方向の長さ（横長さ）が３００～４００ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。

　層間絶縁膜１３としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。アクリル樹脂としては、例えば、ＪＳＲ株式会社製のオプトマーシリーズが挙げられる。また、ポリイミド樹脂としては、例えば、東レ株式会社製のフォトニースシリーズが挙げられる。但し、ポリイミド樹脂は一般に透明ではなく、有色である。このため、図３に示すように、有機ＥＬ表示装置１としてボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、層間絶縁膜１３としては、アクリル樹脂等の透明性樹脂が、より好適に用いられる。

　層間絶縁膜１３の膜厚としては、ＴＦＴ１２による段差を補償することができればよく、特に限定されるものではない。本実施の形態では、例えば、約２μｍとした。

　次に、層間絶縁膜１３に、第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａを形成する。

　次に、導電膜（電極膜）として、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）膜を、スパッタ法等により、１００ｎｍの厚さで成膜する。

　次いで、上記ＩＴＯ膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、塩化第二鉄をエッチング液として、上記ＩＴＯ膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間絶縁膜１３上に、第１電極２１をマトリクス状に形成する。

　なお、第１電極２１に用いられる導電膜材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料を用いることができる。

　また、上記導電膜の積層方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。

　第１電極２１の厚さとしては特に限定されるものではないが、上記したように、例えば、１００ｎｍの厚さとすることができる。

　次に、層間絶縁膜１３と同様にして、エッジカバー１５を、例えば約１μｍの膜厚でパターニング形成する。エッジカバー１５の材料としては、層間絶縁膜１３と同様の絶縁材料を使用することができる。

　以上の工程により、ＴＦＴ基板１０および第１電極２１が作製される（Ｓ１）。

　次に、上記のような工程を経たＴＦＴ基板１０に対し、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施す。

　次いで、従来の蒸着装置を用いて、ＴＦＴ基板１０上に、正孔注入層および正孔輸送層（本実施の形態では正孔注入層兼正孔輸送層２２）を、ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ２）。

　具体的には、表示領域全面が開口したオープンマスクを、ＴＦＴ基板１０に対しアライメント調整を行った後に密着して貼り合わせ、ＴＦＴ基板１０とオープンマスクとを共に回転させながら、蒸着源より飛散した蒸着粒子を、オープンマスクの開口部を通じて表示領域全面に均一に蒸着する。

　ここで表示領域全面への蒸着とは、隣接した色の異なるサブ画素間に渡って途切れなく蒸着することを意味する。

　正孔注入層と正孔輸送層とは、上記したように一体化されていてもよく、独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１０～１００ｎｍである。

　正孔注入層、正孔輸送層、あるいは正孔注入層兼正孔輸送層２２の材料としては、例えば、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、およびこれらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物等の鎖状式あるいは環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。

　本実施の形態では、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けるとともに、正孔注入層兼正孔輸送層２２の材料として、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）を使用した。また、正孔注入層兼正孔輸送層２２の膜厚は３０ｎｍとした。

　次に、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、エッジカバー１５の露出部１５Ｒ（１）・１５Ｇ・１５Ｒ（２）・１５Ｂを覆うように、サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂに対応して発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂをそれぞれ塗り分け形成（パターン形成）する（Ｓ３）。

　上記したように、発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂには、低分子蛍光色素、金属錯体等の電流効率が高い材料が用いられる。例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル等が挙げられる。

　発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂの膜厚としては、例えば、１０～１００ｎｍである。

　本実施の形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置を用いた発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂの塗り分け形成については、後で詳述する。

　次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、電子輸送層２４を、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２および発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂを覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ４）。

　続いて、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、電子注入層２５を、上記電子輸送層２４を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ５）。

　電子輸送層２４および電子注入層２５の材料としては、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。

　具体的には、Ａｌｑ（トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、１，１０－フェナントロリン、およびこれらの誘導体や金属錯体、ＬｉＦ等が挙げられる。

　上記したように電子輸送層２４と電子注入層２５とは、一体化されていても独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１～１００ｎｍである。また、電子輸送層２４および電子注入層２５の合計の膜厚は、例えば２０～２００ｎｍである。

　本実施の形態では、電子輸送層２４の材料にＡｌｑを使用し、電子注入層２５の材料には、ＬｉＦを使用した。また、電子輸送層２４の膜厚は３０ｎｍとし、電子注入層２５の膜厚は１ｎｍとした。

　次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、第２電極２６を、上記電子注入層２５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ６）。

　第２電極２６の材料（電極材料）としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウム等が挙げられる。第２電極２６の厚さは、例えば５０～１００ｎｍである。

　本実施の形態では、第２電極２６としてアルミニウムを５０ｎｍの膜厚で形成した。これにより、ＴＦＴ基板１０上に、上記した有機ＥＬ層、第１電極２１、および第２電極２６からなる有機ＥＬ素子２０を形成した。

　次いで、有機ＥＬ素子２０が形成されたＴＦＴ基板１０と、封止基板４０とを、接着層３０にて貼り合わせ、有機ＥＬ素子２０の封入を行った。

　封止基板４０としては、例えば厚さが０．４～１．１ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。

　なお、封止基板４０の縦長さおよび横長さは、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズにより適宜調整してもよく、ＴＦＴ基板１０における絶縁基板１１と略同一のサイズの絶縁基板を使用し、有機ＥＬ素子２０を封止した後で、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズに従って分断してもよい。

　なお、有機ＥＬ素子２０の封止方法としては、上記した方法に限定されない。他の封止方式としては、例えば、掘り込みガラスを封止基板４０として使用し、封止樹脂やフリットガラス等により枠状に封止を行う方法や、ＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に樹脂を充填する方法等が挙げられる。有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、上記封止方法に依存せず、あらゆる封止方法を適用することが可能である。

　また、第２電極２６上には、該第２電極２６を覆うように、酸素や水分が外部から有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止する、図示しない保護膜が設けられていてもよい。

　上記保護膜は、絶縁性や導電性の材料で形成される。このような材料としては、例えば、窒化シリコンや酸化シリコンが挙げられる。また、上記保護膜の厚さは、例えば１００～１０００ｎｍである。

　上記の工程により、有機ＥＬ表示装置１が完成される。

　このような有機ＥＬ表示装置１において、配線１４からの信号入力によりＴＦＴ１２をオン（トランジスタＴｒ１をオンしてコンデンサＣの電圧を決定した後にＴｒ２をオン）させると、第１電極２１から有機ＥＬ層へ正孔が注入される。一方で、第２電極２６から有機ＥＬ層に電子が注入され、正孔と電子とが発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂ内で再結合する。再結合した正孔および電子がエネルギーを失活する際に、光として出射される。

　有機ＥＬ表示装置１においては、各サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂの発光輝度を制御することで、所定の画像が表示される。

　＜発光層の塗り分け方法＞
　以下に、蒸着装置１５０を用いて発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂの塗り分け形成を行う方法について具体的に説明する。

　図８は、図７に示す蒸着装置１５０を用いて、被成膜基板２００としてＴＦＴ基板１０を使用し、該被成膜基板２００に所定のパターンを成膜する方法の一例を示すフローチャートである。

　まず、図６に示すように、蒸着源１０３、マスク１０２（ファインマスク）、制限板３００、被成膜基板２００をそれぞれ真空チャンバ６００内に投入し、これら蒸着源１０３、マスク１０２、制限板３００、被成膜基板２００のアライメントを行う（Ｓ１１）。

　なお、アライメントには、マスクホルダ等のホルダやアライメントマーカ等、常用の手段並びに方法を用いることができ、その順番も特に限定されない。

　マスク１０２および制限板３００は、蒸着源１０３とマスク１０２との間に制限板３００が位置するように、それぞれ蒸着源１０３上に設置（固定）される。

　マスク１０２、制限板３００、蒸着源１０３は、その相対的な位置が固定されるように、例えばマスクユニット５００として用いられる。

　これらマスクユニット５００および被成膜基板２００は、それぞれ、図示しないマスクユニット保持部材、被成膜基板保持部材等により保持される。

　なお、上記アライメントでは、蒸着源１０３とマスク１０２とが、これら蒸着源１０３とマスク１０２との間の距離が一定に保持されると同時に、基板走査方向とマスク１０２に形成されたストライプ状の開口部１０２ａの長軸方向とが一致するように位置合わせされる。

　また、被成膜基板２００は、該被成膜基板２００の同色サブ画素列の方向が基板走査方向に一致するように位置合わせされるとともに、被成膜基板２００とマスク１０２との間の隙間（基板－マスクギャップ）が一定になるようにギャップ調整される。

　次に、上記被成膜基板２００およびマスクユニット５００の少なくとも一方を走査しながら、被成膜基板２００であるＴＦＴ基板１０に、例えば青色の発光層２３Ｂの材料を蒸着させる（Ｓ１２）。

　このとき、被成膜基板２００が、マスク１０２上を通過するように基板走査を行う。

　発光層２３Ｂは、その材料に、３－フェニル－４（１’－ナフチル）－５－フェニル－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）（ホスト材料）と、２－（４’－ｔ－ブチルフェニル）－５－（４’’－ビフェニルイル）－１，３，４－オキサジアゾール（ｔ－Ｂｕ　ＰＢＤ）（青色発光ドーパント）とを使用し、それぞれの蒸着速度を５．０ｎｍ／ｓ、０．６７ｎｍ／ｓとして、これら材料（青色有機材料）を共蒸着させることにより形成した。

　蒸着源１０３から射出された青色有機材料の蒸着粒子は、被成膜基板２００がマスク１０２上を通過するときに、マスク１０２の開口部１０２ａを通じて、マスク１０２の開口部１０２ａに対向する位置に蒸着される。

　これにより、被成膜基板２００には、その移動方向における一端部から他端部に亘ってストライプ状の蒸着膜が形成される。

　なお、このときのマスク１０２には、被成膜基板２００に成膜される蒸着膜のパターンに応じて開口部１０２ａが形成されたファインマスクを使用した。すなわち、ここでは、発光層２３Ｂに相当する位置に開口部１０２ａを有するファインマスクを使用した。

　発光層の膜厚は、往復走査（つまり、被成膜基板２００の往復移動）並びに走査速度により調整することができる。

　本実施の形態では、図６に示すように一方向に被成膜基板２００を走査した後、該被成膜基板２００の走査方向を反転させ、先の一方向への蒸着と同様の方法を用いて、先の一方向への蒸着で形成した上記青色有機材料からなる蒸着膜上に、さらに上記青色有機材料を蒸着させた。これにより、膜厚５０ｎｍの発光層２３Ｂを形成した。

　その後、発光層２３Ｂが形成された被成膜基板２００を真空チャンバ６００から取り出した（Ｓ１３）。

　次に、赤色の発光層２３Ｒ（１）・２３Ｒ（２）形成用のマスクユニット５００並びに真空チャンバ６００を用いて、上記発光層２３Ｂが形成された被成膜基板２００に、上記発光層２３Ｂの成膜処理と同様にして、赤色の発光層２３Ｒ（１）・２３Ｒ（２）を成膜した。

　なお、発光層２３Ｒ（１）・２３Ｒ（２）の成膜処理では、マスク１０２として、これら発光層２３Ｒ（１）・２３Ｒ（２）に相当する位置に開口部１０２ａを有するファインマスクを準備した。

　そして、上記マスク１０２を、発光層２３Ｒ（１）・２３Ｒ（２）形成用の真空チャンバ６００に設置し、マスク１０２の開口部１０２ａが、各サブ画素２Ｒ（１）・２Ｒ（２）列に一致するようにアライメントして、蒸着を行った。

　発光層２３Ｒ（１）・２３Ｒ（２）は、その材料に、ＴＡＺ（ホスト材料）と、ビス（２－(２’－ベンゾ[４，５－α]チエニル)ピリジナト－Ｎ，Ｃ３’）イリジウム（アセチルアセトネート）(ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）)（赤色発光ドーパント）とを使用し、それぞれの蒸着速度を５．０ｎｍ／ｓ、０．５３ｎｍ／ｓとして、これら材料（赤色有機材料）を共蒸着させることにより形成した。

　なお、上記発光層２３Ｒ（１）・２３Ｒ（２）の膜厚は、それぞれ５０ｎｍとした。

　その後、発光層２３Ｒ（１）・２３Ｒ（２）が形成された被成膜基板２００を真空チャンバ６００から取り出した。

　また、このようにして発光層２３Ｒ（１）・２３Ｒ（２）を形成した後、緑色の発光層２３Ｇ形成用のマスクユニット５００並びに真空チャンバ６００を用いて、発光層２３Ｂ・２３Ｒ（１）・２３Ｒ（２）の成膜処理と同様にして、緑色の発光層２３Ｇを成膜した。

　なお、発光層２３Ｇの成膜処理では、マスク１０２として、発光層２３Ｇに相当する位置に開口部１０２ａを有するファインマスクを準備した。

　そして、上記マスク１０２を、発光層２３Ｇ形成用の各真空チャンバ６００に設置し、マスク１０２の開口部１０２ａが、各サブ画素２Ｇ列に一致するようにアライメントして、蒸着を行った。

　上記発光層２３Ｇは、その材料に、（ＴＡＺ）（ホスト材料）と、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（緑色発光ドーパント）とを使用し、それぞれの蒸着速度を５．０ｎｍ／ｓ、０．６７ｎｍ／ｓとして、これら材料（緑色有機材料）を共蒸着させることにより形成した。

　なお、上記発光層２３Ｇの膜厚は、それぞれ５０ｎｍとした。

　以上の工程によって、発光層２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂがパターン形成されたＴＦＴ基板１０を得た。

　＜サブ画素配列と混色との関係＞
　次に、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１におけるサブ画素配列による効果について、ＴＦＴ基板１０における各発光層２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂの蒸着膜パターンの位置ずれと混色との関係から説明する。

　図１～図３に示すように、有機ＥＬ表示装置１では、緑（Ｇ）色のサブ画素列と青（Ｂ）色のサブ画素列との間には、常に赤（Ｒ）色のサブ画素列が配置されている。

　この理由は、以下の通りである。

　各色のサブ画素は、前述したように電流効率が互いに異なり、一般的に、Ｇ、Ｒ、Ｂの順に大きい（Ｇが最も高い）。

　前記したように、Ｇ、Ｒ、Ｂのサブ画素ごとに塗り分けられた蒸着膜のパターン、特に、発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂのパターンに位置ずれが生じた場合、その位置ずれが許容範囲を超えると、隣り合う２つのサブ画素（以下、説明の便宜上、サブ画素（Ｐ１）・（Ｐ２）と記す）のうち、一方のサブ画素（Ｐ１）の領域で形成されるべき発光層が、他方のサブ画素（Ｐ２）の発光領域に侵入してしまう。

　このとき、侵入された側のサブ画素（Ｐ２）の発光領域における発光層の色が、侵入したサブ画素（Ｐ１）における発光層の色と異なる場合、サブ画素（Ｐ２）の発光領域では、サブ画素（Ｐ１）の発光層の色の影響を受ける。すなわち、隣り合うサブ画素（Ｐ１）・（Ｐ２）の色が混じりあう、いわゆる混色が発生する。

　混色の影響は、混色する色の発光層同士の電流効率の差に依存する。

　ここで、侵入される側のサブ画素（Ｐ２）の発光層の電流効率が、侵入する側のサブ画素（Ｐ１）の発光層の電流効率と比べて相対的に低いと仮定する。

　この場合、発光層の位置ずれにより、サブ画素（Ｐ２）の発光領域に、サブ画素（Ｐ１）の発光層が侵入して重なると、わずかな侵入であっても、放射される光度（光の強度）が大きくなる。

　すなわち、各色の発光層間の電流効率差が大きいほど、混色の影響が大きくなる。

　＜電流効率差と混色の影響との関係＞
　以下に、電流効率差と混色の影響との関係について、計算式を用いて説明する。

　ここで、上記サブ画素（Ｐ２）に侵入するサブ画素（Ｐ１）の発光層の割合をｋとする。なお、ここで、ｋは、サブ画素（Ｐ２）の発光領域に対する、サブ画素（Ｐ２）において発光層の重なっている領域（重畳領域）の面積比に等しい。

　また、サブ画素（Ｐ２）で発光層が重畳することにより総膜厚が増えて電気抵抗が増加する割合をＮ倍とする。

　このとき、或る電流値において、混色のない（侵入のない）状態での上記サブ画素（Ｐ２）における発光層の電気抵抗をＲｘとすると、混色が生じた場合の上記サブ画素（Ｐ２）における発光層の全抵抗は、抵抗値「Ｒｘ／（１－ｋ）」の抵抗と抵抗値「Ｎ×Ｒｘ／ｋ」の抵抗との並列回路と見なせる。

　有機ＥＬ素子２０が定電流密度iで駆動されている時、重畳領域での電流密度ｉｓと非重畳領域での電流密度ｉｍとは、それぞれ（式１）、（式２）で示される。

　ここで、ｋ＝０．１、Ｎ＝５とおけば、ｉｓ＝１／４６×ｉ、ｉｍ＝４５／４６×ｉとなる。つまり、この割合で電流が重畳領域と非重畳領域に振り分けられる。

　次に、重畳領域に流れた電流が、サブ画素（Ｐ２）における発光領域での発光に寄与する割合をξとする。

　すなわち、割合ξに相当する分の電流は、本来発光すべき、サブ画素（Ｐ２）の色の出力光に変換される。

　しかしながら、割合（１－ξ）に相当する分の電流は、サブ画素（Ｐ２）に隣接するサブ画素（Ｐ１）の色の出力光に変換される。

　したがって、サブ画素（Ｐ２）の発光層の電流効率をηとし、サブ画素（Ｐ２）に侵入する、隣りのサブ画素（Ｐ１）の発光層の電流効率をηｘとした時、サブ画素（Ｐ２）の発光色の発光輝度Ｅと、隣りのサブ画素（Ｐ１）の発光色の発光輝度Ｅｘとは、それぞれ（式３）、（式４）で示される。

　上述のｋとＮの値を用い、ξ＝０．５とすれば、Ｅ＝９１／９２×η×ｉ、Ｅｘ＝１／９２×ηｘ×ｉと表せる。

　ここで、サブ画素（Ｐ２）にサブ画素（Ｐ１）の発光層が侵入しない状態では、Ｅ＝η×ｉ、Ｅｘ＝０であるので、サブ画素（Ｐ２）では、本来の発光輝度が９１／９２に低下する一方で、１／９２×ηｘ×ｉの分だけサブ画素（Ｐ１）の色が混ざって現れる。

　（式４）から明らかなように、ηｘおよびｉが大きければ大きいほど、混色の影響（Ｅｘの値）は、強くなる。ηｘが最大となるのは、電流効率が最大の発光層であり、ｉが大きくなるのは電流効率が最小の発光層である。すなわち、最小の電流効率の発光層を形成するサブ画素の発光領域に、最大の電流効率の発光層が侵入する場合に、混色の影響が最も強くなる。

　なお、本実施の形態並びに後述する各実施の形態において、「電流効率」は、特に言及しない限り、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときの電流効率を示すものとする。

　サブ画素として、本実施の形態のようにＧ、Ｒ、Ｂの３色のサブ画素で１画素を構成する場合、Ｇのサブ画素は、Ｂのサブ画素に比して、電流効率（ｃｄ／Ａ）、つまり、単位電流当たりの発光輝度が非常に大きい。

　すなわち、同一の電流量ではＧのサブ画素の方がＢのサブ画素に比して発光輝度が高い（強く光る）。

　したがって、Ｂのサブ画素の発光領域にＧのサブ画素の発光層が侵入した場合、仮に混色が発生している領域の面積が小さくても、Ｇのサブ画素の方がＢのサブ画素に比して発光が強いため、混色発生領域では、Ｂと大きく異なる色が出力される。この結果、混色が明瞭に現れることとなる。

　このような混色の発生は、有機ＥＬ表示装置の表示品質の低下を招来する。

　そこで、本実施の形態では、従来構成において隣り合っていたサブ画素２Ｇとサブ画素２Ｂとの間に、図１～図３に示すようにサブ画素２Ｒ（２）を配置し、各画素２において、各色のサブ画素を、サブ画素２Ｒ（１）／サブ画素２Ｇ／サブ画素２Ｒ（２）／サブ画素２Ｂの順に一次元状に配列した。

　つまり、本実施の形態では、行方向に、赤（Ｒ）／緑（Ｇ）／赤（Ｒ）／青（Ｂ）の順にサブ画素を配列した。

　本実施の形態によれば、各色のサブ画素をこのように配列することで、隣り合う２つのサブ画素（Ｐ１）・（Ｐ２）のうち一方のサブ画素（Ｐ１）の発光層が他方のサブ画素（Ｐ２）の発光領域に侵入したとしても、従来に比して発光層の位置ずれに起因する画質の低下を抑制することができる。

　＜蒸着パターンの位置ずれが発生したときの各サブ画素での光の挙動＞
　次に、上記したように各サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂを配列したときに蒸着パターンの位置ずれが発生した場合の各サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂでの光の挙動について具体的に説明する。

　図９の（ａ）～（ｈ）は、有機ＥＬ表示装置１の画素２における、各サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂのうち、隣り合う一方のサブ画素の発光層が他方のサブ画素の発光領域に侵入するパターンを、ＴＦＴ基板１０の要部の構成を用いて模式的に示す図である。

　ここでは、図９の（ａ）～（ｈ）に示すように、各色の発光層に位置ずれが発生し、隣り合う２つのサブ画素のうち一方のサブ画素における発光層が他方のサブ画素における発光領域に侵入した状況を想定する。

　この場合、図９の（ａ）～（ｈ）に示す８つの侵入パターン（パターン（１）～（８））が想定される。

　パターン（１）：図９の（ａ）に示すように、露出部１５Ｒ（１）におけるサブ画素２Ｒ（１）の発光領域内に、サブ画素２Ｒ（１）の発光層２３Ｒ（１）を形成後に、サブ画素２Ｇの発光層２３Ｇが侵入するパターン。

　パターン（２）：図９の（ｂ）に示すように、露出部１５Ｒ（１）におけるサブ画素２Ｒ（１）の発光領域内に、サブ画素２Ｒ（１）の発光層２３Ｒ（１）を形成する前に、サブ画素２Ｇの発光層２３Ｇが侵入するパターン。

　パターン（３）：図９の（ｃ）に示すように、露出部１５Ｇにおけるサブ画素２Ｇの発光領域内に、サブ画素２Ｇの発光層２３Ｇを形成する前に、サブ画素２Ｒ（１）の発光層２３Ｒ（１）が侵入するパターン。

　パターン（４）：図９の（ｄ）に示すように、露出部１５Ｇにおけるサブ画素２Ｇの発光領域内に、サブ画素２Ｂの発光層２３Ｂを形成後に、サブ画素２Ｒ（２）の発光層２３Ｒ（２）が侵入するパターン。

　パターン（５）：図９の（ｅ）に示すように、露出部１５Ｂにおけるサブ画素２Ｂの発光領域内に、サブ画素２Ｂの発光層２３Ｂを形成後に、サブ画素２Ｒ（２）の発光層２３Ｒ（２）が侵入するパターン。

　パターン（６）：図９の（ｆ）に示すように、露出部１５Ｂにおけるサブ画素２Ｂの発光領域内に、サブ画素２Ｇの発光層２３Ｇを形成する前に、サブ画素２Ｒ（２）の発光層２３Ｒ（２）が侵入するパターン。

　パターン（７）：図９の（ｇ）に示すように、露出部１５Ｒ（１）におけるサブ画素２Ｒ（２）の発光領域内に、サブ画素２Ｒ（２）の発光層２３Ｒ（２）を形成する前に、サブ画素２Ｂの発光層２３Ｂが侵入するパターン。

　パターン（８）：図９の（ｈ）に示すように、露出部１５Ｒ（２）におけるサブ画素２Ｒ（２）の発光領域内に、サブ画素２Ｒ（２）の発光層２３Ｒ（２）を形成後に、サブ画素２Ｂの発光層２３Ｂが侵入するパターン。

　図９の（ａ）に示すパターン（１）の場合、サブ画素２Ｒ（１）の発光領域内で、Ｒ色の光（Ｒ光）にＧ色の光（Ｇ光）が混じる混色が発生する。

　しかし、発光層２３Ｒ（１）と発光層２３Ｇとの電流効率の差は、発光層２３Ｂと発光層２３Ｇとの電流効率の差よりも小さい。換言すれば、同一輝度の光を発光層２３Ｒ（１）と発光層２３Ｂとで発生させる場合、発光層２３Ｂよりも発光層２３Ｒ（１）の方が、電流効率が高く、必要とする電流が小さい。

　電流が小さければ、Ｇ光の発光輝度も小さくなる。したがって、サブ画素２Ｂの発光領域内にサブ画素２Ｇの発光層２３Ｇが侵入する場合よりも混色の影響は小さくなる。

　図９の（ｂ）に示すパターン（２）の場合も、パターン（１）と同様である。

　図９の（ｃ）に示すパターン（３）の場合、サブ画素２Ｇの発光領域内で、Ｇ光にＲ光が混じる混色が発生する。

　しかし、発光層２３Ｒ（１）と発光層２３Ｇとの電流効率の差は、発光層２３Ｂと発光層２３Ｇとの電流効率の差よりも小さい。換言すれば、同一輝度の光を発光層２３Ｒ（１）と発光層２３Ｂとで発生させる場合、発光層２３Ｂよりも発光層２Ｒ（１）の方が、電流効率が高く、必要とする電流が小さい。

　そのため、サブ画素２Ｇの発光領域内にサブ画素２Ｂの発光層２３Ｂが侵入する場合よりも発光層２３Ｒ（１）が侵入する場合の方が、混色の影響は大きくなる。但し、発光層２３Ｇの電流効率は最大であるため、発光層２３Ｇに必要とする電流は最も小さい。電流が小さければ、Ｒ光の発光輝度も小さくなる。

　したがって、サブ画素２Ｇの発光領域内にサブ画素２Ｒの発光層２３Ｒ（１）が侵入しても、混色の影響は重大な問題となり難い。

　図９の（ｄ）に示すパターン（４）の場合も、パターン（３）と同様である。

　図９の（ｅ）に示すパターン（５）の場合、サブ画素２Ｂの発光領域内でＢ色の光（Ｂ光）にＲ光が混じる混色が発生する。

　しかし、発光層２３Ｒ（２）と発光層２３Ｂとの電流効率の差は、発光層２３Ｇと発光層２３Ｂとの電流効率の差よりも小さい。換言すれば、発光層２３Ｒ（２）の電流効率は、発光層２３Ｇの電流効率よりも小さい。

　したがって、サブ画素２Ｂの発光領域内にサブ画素２Ｇの発光層２３Ｇが侵入する場合よりも混色の影響は小さくなる。

　図９の（ｆ）に示すパターン（６）の場合も、パターン（５）と同様である。

　図９の（ｇ）に示すパターン（７）の場合、サブ画素２Ｒ（２）の発光領域内で、Ｒ光にＢ光が混じる混色が発生する。

　しかし、発光層２３Ｂと発光層２３Ｒ（２）との電流効率の差は、発光層２３Ｇと発光層２３Ｒ（２）との電流効率の差よりも小さい。換言すれば、発光層２３Ｂの電流効率は、発光層２３Ｇの電流効率よりも小さい。

　したがって、サブ画素２Ｒ（２）の発光領域内にサブ画素２Ｇの発光層２３Ｇが侵入する場合よりも混色の影響は小さくなる。

　図９の（ｈ）に示すパターン（８）の場合も、パターン（７）と同様である。

　いずれの場合も、最大の電流効率を有する色の発光層（発光層２３Ｇ）と、最小の電流効率を有する色の発光層（発光層２３Ｂ）とにおいて、最小の電流効率を有する色の発光層の発光領域に、最大の電流効率を有する色の発光層が侵入するパターンよりも、混色の影響を小さくすることができる。

　以上、まとめると、（Ｉ）侵入する側のサブ画素（Ｐ１）の発光層の電流効率が、侵入される側のサブ画素（Ｐ２）の発光層の電流効率よりも高い場合（Ｐ１の発光層の電流効率＞Ｐ２の発光層の電流効率）には、Ｂの発光領域に発光層２３Ｇが侵入した場合よりも、混色の影響は小さくなる。

　また、（II）侵入された側のサブ画素（Ｐ２）の発光層の電流効率が、侵入した側のサブ画素（Ｐ１）の発光層の電流効率よりも高い場合（Ｐ２の発光層の電流効率＞Ｐ１の発光層の電流効率）には、侵入された側のサブ画素（Ｐ２）に流れる電流は小さくてよいので、侵入した側のサブ画素（Ｐ１）の発光層による発光色の発光輝度が小さくなる。このため、混色の影響が重大な問題となり難い。

　本実施の形態によれば、上記したように、同一の輝度を複数の色の発光層で発生させたときに、電流効率が最も大きい色の発光層と、電流効率が最も小さい色の発光層との間に、両電流効率の中間の大きさの電流効率を有する色の発光層が常に介在している。

　このため、上記電流効率が最も大きい色の発光層の発光色と、上記電流効率が最も小さい色の発光層の発光色とが混色するおそれがない。

　よって、上記サブ画素配列とすることで、最終的に得られた有機ＥＬ表示装置１において、発光層の位置ずれに起因してたとえ混色が生じたとしても、電流効率が最も大きい色の発光層と電流効率が最も小さい色の発光層とが混色する場合と比較して混色の影響を小さくすることができる。

　例えば、従来のようにＧのサブ画素とＢのサブ画素とが隣接して配列されている場合に、Ｇ光とＢ光とが混色する場合と比較して混色の影響を小さくすることができ、これによる画質低下を抑制することができる。

　したがって、本実施の形態によれば、サブ画素間の非発光領域を拡大することなく、上記した混色の影響を小さくすることができる。この結果、有機ＥＬ表示装置１の信頼性や表示品位を向上させることができる。

　＜サブ画素配列の変形例＞
　なお、本実施の形態においては、上記したように、カラー表示を行うための最小構成単位の画素がＲＧＢの３原色からなる３色のサブ画素からなり、１つの画素における各色のサブ画素の配列、言い換えれば、ＴＦＴ基板１０の１画素領域における各サブ画素領域における発光層の発光色の並び順を、Ｒ／Ｇ／Ｒ／Ｂとした場合について説明した。

　しかしながら、上記配列は、電流効率の順列に基づいて適宜配置すればよく、発光色の配列は前記配列に限定されるものではない。

　図１０は、蒸着膜の電流効率が異なるＮ（Ｎは３以上の整数）種のサブ画素からなる画素が、一次元方向（つまり、一方向）に配列されている例を模式的に示す図である。

　なお、隣り合う２つのサブ画素は、最大の電流効率を有する色の発光層（蒸着膜）を備えたサブ画素と、最小の電流効率を有する色の発光層（蒸着膜）を備えたサブ画素との組み合わせ以外の組み合わせのサブ画素とされている。

　図１０では、各色のサブ画素に対し、発光層の電流効率の大きいものから順に「１」から「Ｎ」まで番号を振っている。

　従来では、隣り合う２つのサブ画素の組み合わせとして、最大の電流効率を有する蒸着膜を備えたサブ画素と最小の電流効率を有する蒸着膜を備えたサブ画素とが隣り合っていた。

　これに対し、本実施の形態では、最大の電流効率を有する色の発光層を備えたサブ画素（図１０中、「１」のサブ画素）と、最小の電流効率を有する色の発光層を備えたサブ画素（図１０中、「Ｎ」のサブ画素）と間に、発光層の電流効率の大小順が「Ｋ（Ｋ＝２～（Ｎ－１）までの何れかの整数）」番目のサブ画素（最大または最小の電流効率を有する色の発光層を備えたサブ画素以外のサブ画素）を配置する。すなわち、左から（Ｎ－１）、（Ｎ－２）、・・・、２、１、２、・・・（Ｎ－１）、Ｎの順にサブ画素を配置する。

　これにより、隣り合う位置に配置された２つのサブ画素に着目した場合に、一方のサブ画素の発光層が他方のサブ画素の発光領域に侵入したとしても、その侵入による混色の程度（色の変化の度合い）を、従来構成に比して抑制することができる。その結果、従来構成に比して画質の低下を抑制することができる。

　なお、一般的には、前記したように、Ｇ色の発光層の電流効率が最も高く、Ｂ色の発光層の電流効率が最も低い。

　しかしながら、前記したように、発光層は、低分子蛍光色素等の蛍光色素や、金属錯体等、電流効率が高い材料で形成されており、ホスト材料や発光ドーパント等の材料を適宜変更し、組み合わせることで、電流効率が変わる。

　したがって、例えば、発光層の電流効率が〔Ｇ〕→〔Ｂ〕→〔Ｒ〕の順に小さくなるのであれば、上記サブ画素配列を、〔Ｂ〕／〔Ｇ〕／〔Ｂ〕／〔Ｒ〕の発光層順とすればよい。

　なお、ここで、電流効率の大きさを示す順番もしくは配列の順番として用いた〔Ｒ〕、〔Ｇ〕、〔Ｂ〕の表記は、それぞれ、Ｒ色の発光層、Ｇ色の発光層、Ｂ色の発光層を簡略化して示している。なお、以下の説明および後述する実施形態でも同様の表記とする。

　また、１つの画素におけるサブ画素の色数は、図１０に示すように、３色に限らず、４色以上でもよい。その際、隣接するサブ画素における発光層同士の電流効率差が最も小さくなるようにすればよい。

　具体的には、サブ画素を配列する際に、或るサブ画素に隣接するサブ画素は、電流効率の順列において隣り合っている発光層を選択すればよい。例えば、上記のＲ、Ｇ、ＢにＹ（イエロー）を加えた４色のサブ画素で１つの画素を形成する場合が考えられる。

　なお、以下では、Ｙ色の発光層を〔Ｒ〕、〔Ｇ〕、〔Ｂ〕と同様に〔Ｙ〕と略記する。

　このとき、Ｒ・Ｇ・Ｂ・Ｙの各色のサブ画素における各発光層の電流効率の大きさが、〔Ｇ〕→〔Ｙ〕→〔Ｒ〕→〔Ｂ〕の色順に小さくなる（つまり、Ｇ色の発光層の電流効率＞Ｙ色の発光層の電流効率＞Ｒ色の発光層の電流効率＞Ｂ色の発光層の電流効率）場合、各色のサブ画素の配列を、〔Ｒ〕／〔Ｙ〕／〔Ｇ〕／〔Ｙ〕／〔Ｒ〕／〔Ｂ〕の発光層順とし、この〔Ｒ〕／〔Ｙ〕／〔Ｇ〕／〔Ｙ〕／〔Ｒ〕／〔Ｂ〕の６つのサブ画素を、１つの画素を構成する最小構成単位（１単位）とすればよい。

　この場合、Ｙ色のサブ画素（Ｙサブ画素）に隣り合うサブ画素は、Ｒ色のサブ画素（Ｒサブ画素）およびＧ色のサブ画素（Ｇサブ画素）であり、これらＲサブ画素およびＧサブ画素は、電流効率の大小順においてＹサブ画素と隣り合っている。

　すなわち、上記したように各色の発光層の発光領域が一次元方向に配列されているとともに、隣り合う発光領域における発光層間の電流効率の差が最小となるように各サブ画素を配列するという制約のもとで１画素をＭ色のサブ画素により構成する場合、１画素は、最小で（Ｍ－１）×２個のサブ画素によって形成することができる。

　この場合、最大および最小の電流効率を有する発光層を備えたサブ画素は、それぞれ１つずつ設けられる。また、それ以外の電流効率を有する発光層を備えたサブ画素はそれぞれ２つずつ設けられる。

　＜駆動方式の変形例＞
　本実施の形態では、前記したように、各サブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂに対応して、それぞれ、ＴＦＴ１２を含むサブ画素駆動回路が設けられている場合を例に挙げて説明した。

　しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。すなわち、サブ画素２Ｒ（１）・２Ｒ（２）は、上記したように各サブ画素２Ｒ（１）・２Ｒ（２）に各々ＴＦＴ１２を設けることで個別に駆動されてもよく、２つのサブ画素２Ｒ（１）・２Ｒ（２）を１つのＴＦＴ１２で同時に駆動してもよい。

　上記したように２つのサブ画素２Ｒ（１）・２Ｒ（２）を個別に駆動する場合には、Ｒサブ画素のみ、図１～３中、横方向（すなわち、列方向）の表示精細度を２倍とすることができる。

　〔実施の形態２〕
　本実施の形態について主に図１１～図１５に基づいて説明すれば、以下の通りである。

　なお、本実施の形態では、主に、前記実施の形態１との相違点について説明するものとし、実施の形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

　＜概要＞
　図１１は、本実施の形態にかかるサブ画素配列の一例を模式的に示す図である。図１１は、３色のサブ画素で１つの画素２を構成する場合のサブ画素の配置例を示している。

　なお、図１１中、実線は、１つの画素２（図１１中、一点鎖線で示す）を構成するサブ画素を示し、該画素２の近傍の画素の一部を構成するサブ画素は、破線で示している。

　本実施の形態においては、１画素を構成するサブ画素の配列態様が実施の形態１と異なる。

　すなわち、前記実施の形態１では、１画素を構成するサブ画素が一次元方向に配列されている構成とした。

　これに対し、本実施の形態では、例えば図１１に示すように、各画素２、つまり、１画素を構成する各色のサブ画素が、二次元方向に、つまり、二次元状（マトリクス状、タイル状）に配列されている。

　なお、上記各色のサブ画素の配列については、後で詳述する。

　＜蒸着方式＞
　ここで、図１１に示すようにサブ画素を二次元的に配列して１画素を構成する場合の蒸着方式について説明する。

　図１２は、本実施の形態で用いられる蒸着方式の一例を模式的に示す図である。

　図１２に示すように、本実施の形態では、前記実施の形態１と異なり、各サブ画素に蒸着膜をパターン形成する方法として、蒸着用のマスク３０３を、被成膜基板２００に密着固定しながら蒸着する方法を用いる。

　具体的には、被成膜基板２００と蒸着源３０２とを対向配置させ、目的とする蒸着領域以外の領域に蒸着粒子が付着しないように、マスク３０３に、所望の蒸着膜パターンに対応した開口部３０４を設ける。これにより、該開口部３０４を介して蒸着粒子を被成膜基板２００に蒸着させることにより、パターン形成を行う。

　被成膜基板２００は、図示しない真空チャンバ内に配置され、被成膜基板２００の下方には蒸着源３０２が配置される。マスク３０３は、被成膜基板２００に密着固定して用いられる。

　なお、マスク３０３には、例えば被成膜基板２００と同等以上の大きさのマスク３０３が用いられる。或いは、被成膜基板２００よりも小さいマスク３０３を使用し、蒸着を必要としない非蒸着領域に防着板を配することで、マスク３０３外に飛散する蒸着粒子を、防着板（遮蔽板）等で適宜除去してもよい。

　蒸着源３０２は、固定されていてもよいし、或いは、蒸着動作中に可動してもよい。また、蒸着源３０２が可動する場合、蒸着源３０２として、例えば図６に示す蒸着源１０３のように帯状のライン型蒸着源を使用し、この蒸着源３０２と被成膜基板２００とを相対的に移動させながら蒸着してもよい。或いは、蒸着源３０２として、被成膜基板２００と同等の大きさをもつ面型蒸着源を使用し、被成膜基板２００の被成膜面全面に一括して蒸着してもよい。

　また、被成膜基板２００とマスク３０３とが一体的に回転等の移動を行うように構成してもよい。

　なお、本実施の形態では、上記蒸着方式を使用し、図１１に示すように実施の形態１とは異なる蒸着膜パターンにて蒸着膜を形成したことを除けば、実施の形態１と同様の工程にて有機ＥＬ表示装置１を製造した。

　＜サブ画素配列＞
　次に、本実施の形態におけるサブ画素配列について説明する。

　本実施の形態では、上記したように、複数のサブ画素を二次元的に配列して１画素が構成されている。

　本実施の形態における１画素のサブ画素配列は、図１１に示すように、実施の形態１と同じく〔Ｒ〕／〔Ｇ〕／〔Ｒ〕／〔Ｂ〕の発光層順である。但し、本実施の形態では、前記したように、実施の形態１と異なり、タイル状に配列（すなわち、二次元配列）されている。

　行方向には、〔Ｒ〕／〔Ｂ〕の配列と、〔Ｇ〕／〔Ｒ〕の配列との２行のサブ画素が配置されている。また、列方向にも同様に、〔Ｂ〕／〔Ｒ〕の配列と、〔Ｒ〕／〔Ｇ〕の配列との２列のサブ画素が配置されている。これにより、各画素２内では、時計回りまたは反時計回りで、〔Ｒ〕／〔Ｇ〕／〔Ｒ〕／〔Ｂ〕の順に、各色の発光層、つまり、各色のサブ画素が配列されている。

　これにより、〔Ｇ〕の四方および〔Ｂ〕の四方には、常に〔Ｒ〕が配置されるようになっている。

　なお、このように各色のサブ画素または発光層をタイル状に配列する場合、実施の形態１で用いたように被成膜基板２００よりも小さい蒸着用のマスク１０２を用いて走査しながら蒸着を行うスキャン蒸着法を用いることはできない。

　このため、図１２に示すようにマスク３０３を被成膜基板２００に密着させて蒸着を行う。

　なお、本実施の形態でも、実施の形態１と同じく、一例として、例えば、Ｂの発光層（発光層２３Ｂ）を形成した後、Ｒの発光層（発光層２３Ｒ（１）・２３Ｒ（２））、Ｇの発光層（発光層２３Ｇ）の順で発光層を形成した。

　なお、本実施の形態でも、電流効率の順列は、実施の例１と同じく、〔Ｇ〕→〔Ｒ〕→〔Ｂ〕の順に小さくなる。

　なお、本実施の形態でも、行方向、列方向共に、Ｇのサブ画素とＢのサブ画素とが隣接することはない。

　したがって、本実施の形態でも、前記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。但し、本実施の形態では、図１１に示すように、Ｇのサブ画素とＢのサブ画素との間の離間距離Ｄは、斜め方向の画素ピッチとなる。

　前記実施の形態１では、Ｇのサブ画素（サブ画素２Ｇ）とＢのサブ画素（サブ画素２Ｂ）とは、Ｒのサブ画素（サブ画素２Ｒ（２））を挟んで一次元方向にのみ配列していた。

　このため、Ｇのサブ画素とＢのサブ画素とは、「Ｒの発光領域の幅＋非発光領域の幅」だけ離間していた。

　より具体的には、Ｇの発光層２３Ｇと、Ｂの発光領域とは、図１に示すように、「Ｒの発光領域の幅１５Ｒ（２）＋非発光領域１５ｒ（２）の幅×２＋非発光領域１５ｂの幅」だけ離間していた。また、Ｂの発光層２３Ｂと、Ｇの発光領域とは、図１に示すように、「Ｒの発光領域の幅１５Ｒ（２）＋非発光領域１５ｒ（２）の幅×２＋非発光領域１５ｇの幅」だけ離間していた。

　さらに、Ｇの発光領域とＢの発光領域とは、図１に示すように、「Ｒの発光領域の幅１５Ｒ（２）＋非発光領域１５ｇの幅＋非発光領域１５ｒ（２）の幅×２＋非発光領域１５ｂの幅」だけ離間していた。

　したがって、実施の形態１と比較すると、本実施の形態では、最大の電流効率を有するＧの発光層２３Ｇが、斜め方向に隣り合う、最小の電流効率を有する発光層２３Ｂの発光領域に侵入するマージンは小さくなる。

　しかし、例えばタイル状の配置を正方形とし、非発光領域の幅がいずれのサブ画素同士間においても同一だとすると、Ｇのサブ画素とＢのサブ画素との間のマージンは、「非発光領域の幅×√２」となる。

　より具体的には、Ｇの発光層２３Ｇと、Ｂの発光領域との離間距離は、「非発光領域１５ｂの幅×√２」だけ離間し、Ｂの発光層２３Ｂと、Ｇの発光領域との離間距離は、「非発光領域１５ｇの幅×√２」だけ離間する。

　したがって、Ｇのサブ画素とＢのサブ画素とが列方向に隣り合う従来の構造よりも、マージンは向上する。

　また、本実施の形態においては、実施の形態例１と比べて、縦方向（行方向）にもＲの画素の表示精細度が２倍になるという利点がある。

　しかも、図１１に示す縦方向（行方向）および横方向（列方向）どちらの方向に発光層のパターン位置ずれが生じた場合でも、Ｇの発光層の蒸着膜パターンがＢの発光層の発光領域に侵入したり、Ｂの発光層の蒸着膜パターンがＧの発光層の発光領域に侵入したりすることはない。

　このように、本実施の形態では、１つの画素内においては、行方向および列方向のそれぞれの方向において、最大の電流効率を有するＧの発光層を有するサブ画素と、最小の電流効率を有するＢの発光層を有するサブ画素とが隣り合わないように、サブ画素２Ｇとサブ画素２Ｂとの間に、Ｇの発光層とＢの発光層の中間の大きさの電流効率を有するＲの発光層を有するＲのサブ画素が配置されている。

　これにより、発光層の行方向の位置ずれおよび列方向の位置ずれに起因する画質低下を抑制することができる。

　なお、行方向および列方向のいずれにも傾斜する方向（斜め方向）においても、最大の電流効率を有するＧの発光層を有するサブ画素と、最小の電流効率を有するＢの発光層を有するサブ画素とが隣り合わないように、Ｇのサブ画素とＢのサブ画素との間に、Ｇの発光層とＢの発光層の中間の大きさの電流効率を有するＲの発光層を有するＲのサブ画素を配置するのがより好ましい。

　但し、斜め方向に隣り合う２つのサブ画素同士の距離が十分確保されている場合には、上記Ｇのサブ画素およびＢのサブ画素における一方のサブ画素の発光層が他方のサブ画素の発光領域に侵入することは無いか、若しくは、その可能性が低い。

　したがって、このような場合には、Ｇのサブ画素とＢのサブ画素とが斜め方向に隣り合わないように、Ｇのサブ画素とＢのサブ画素との間に、上記したように例えばＲのサブ画素を配置する必要はない。

　一方、斜め方向に隣り合う２つのサブ画素同士の距離が十分確保されていない場合には、Ｇのサブ画素とＢのサブ画素とが隣り合わないように、Ｇのサブ画素とＢのサブ画素との間にＲのサブ画素を配置する形態に代えて、図１３の（ｂ）に示す形状の発光層あるいはサブ画素を形成してもよい。

　図１３の（ａ）・（ｂ）は、発光層あるいは発光層と発光領域との形状変更による、斜め方向に隣り合うサブ画素間の離間距離の拡大を示す図である。

　なお、図１３の（ａ）・（ｂ）は、それぞれ、図１１に示す画素２において斜め方向に隣り合うサブ画素間の離間距離を示している。

　また、図１３の（ａ）は、離間距離拡大前の斜め方向に隣り合うサブ画素間の離間距離Ｄを示し、図１３の（ｂ）は、離間距離拡大後の斜め方向に隣り合うサブ画素間の離間距離Ｄ’（Ｄ＜Ｄ’）を示す。

　図１３の（ｂ）に示すように、斜め方向に隣り合うサブ画素における発光層および発光領域のうち少なくとも一方を八角形状とすることで、図１３の（ａ）に示すように四角形状である場合と比べて、斜め方向において隣り合う２つのサブ画素間の離間距離（より厳密には、斜め方向において隣り合う２つの発光層の発光領域の離間距離）を広くすることができる。

　これによっても、一方のサブ画素の発光層が他方のサブ画素の発光領域に侵入するのを未然に防ぐことができ、これによる混色を無くすことができる。

　したがって、これによる画質低下を抑制することが可能となる。このため、表示品位に優れた有機ＥＬ表示装置１、あるいは、そのような有機ＥＬ表示装置１を提供するための表示用基板であるＴＦＴ基板１０を提供することができる。

　＜サブ画素配列の変形例＞
　なお、本実施の形態でも、１画素を３原色のサブ画素で構成する場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。すなわち、１つの画素におけるサブ画素の色数は、３色に限らず、４色以上でもよい。

　以下に、４色のサブ画素を二次元状に配置して１画素を構成する場合について説明する。

　図１４は、４色のサブ画素で１つの画素２を構成する場合のサブ画素の配置例を示す図である。

　なお、図１４でも、実線は、１つの画素２（図１４中、一点鎖線で示す）を構成するサブ画素を示し、該画素２の近傍の画素の一部を構成するサブ画素は、破線で示している。

　ここで、各色のサブ画素の発光層をそれぞれ〔Ｓ１〕～〔Ｓ４〕とし、各色のサブ画素における発光層の電流効率が、〔Ｓ１〕、〔Ｓ２〕、〔Ｓ３〕、〔Ｓ４〕の順に高い（〔Ｓ１〕が最大）ものとする。

　このとき、〔Ｓ１〕と〔Ｓ４〕とが隣り合わないように各色のサブ画素を配列し、かつ、できるだけ少ないサブ画素数で１画素を構成しようとすれば、図１４に示す配置パターンが考えられる。

　図１４に示すサブ画素の配置パターンは、列方向（図１４の横方向）に２つ、各列内、すなわち各列における行方向（図１４の縦方向）に４つのサブ画素が配置されている。

　具体的には、列方向に延びる２つのサブ画素列に着目し、左側のサブ画素列を第一列、右側のサブ画素列を第二列というものとすると、上記第一列においては、〔Ｓ１〕、〔Ｓ２〕、〔Ｓ３〕が、上方から〔Ｓ１〕→〔Ｓ２〕→〔Ｓ３〕→〔Ｓ２〕の順に配列されている。また、第二列においては、〔Ｓ２〕、〔Ｓ３〕、〔Ｓ４〕が、上方から〔Ｓ２〕→〔Ｓ３〕→〔Ｓ４〕→〔Ｓ３〕の順に配列されている。

　ところで、図１４に示すサブ画素の配置例は、最大の電流効率を有する発光層のサブ画素と最小の電流効率を有する発光層のサブ画素とが隣り合わないように、〔Ｓ１〕～〔Ｓ４〕の４色のサブ画素を配列し、かつ、できるだけ少ないサブ画素数で１画素を構成しようとする点以外に、次のような点が考慮されている。

　電流効率の差に起因する画質低下を可及的に抑制するためには、隣り合う２つのサブ画素における発光層同士の電流効率差が最小となるように配置すればよい。

　この観点から、図１４に示すサブ画素の配置例においては、各色のサブ画素に注目したときに、その注目色のサブ画素（注目サブ画素）における発光層と電流効率の順（電流効率の大きさ）が最も近い色の発光層を有するサブ画素を、上記注目サブ画素の隣の位置に配置している。

　例えば、図１４に示すように、〔Ｓ１〕の周囲には、〔Ｓ１〕の次に電流効率が大きい〔Ｓ２〕を配置し、〔Ｓ２〕の周囲には、〔Ｓ２〕と電流効率の大きさが近い〔Ｓ１〕および〔Ｓ３〕を配置し、〔Ｓ３〕の周囲には、〔Ｓ３〕と電流効率の大きさが近い〔Ｓ２〕および〔Ｓ４〕を配置し、〔Ｓ４〕の周囲には、〔Ｓ４〕の次に電流効率が小さい〔Ｓ３〕を配置している。

　このような配置態様においては、１画素に、最大および最小の電流効率の発光層を有するサブ画素が１つずつ、中間の電流効率の発光層を有するサブ画素が３つずつ設けられている。

　上記配置態様を採用することで、行方向・列方向共に隣り合うサブ画素の発光層は、電流効率の順において隣り合っている。すなわち、隣り合うサブ画素における発光層同士の電流効率差を最小としている。これにより、混色の影響を最も低減することができる。

　ここで、１画素に設けるサブ画素の色（種類）の数をＭ（Ｍ≧３）とした場合、最大の電流効率を有する発光層のサブ画素と最小の電流効率を有する発光層のサブ画素とが隣り合わないように各色のサブ画素を配列する（条件１）とともに、できるだけ少ないサブ画素数で１画素を構成し（条件２）、このとき、隣り合う２つのサブ画素における発光層同士の電流効率の差が最小となるようにする（条件３）という３つの条件を満たすようにＭ種類のサブ画素で１画素を構成する場合のサブ画素の配置例を、図１５に示す。

　図１５では、行方向（図１５の縦方向）に｛（Ｍ－２）×２｝行、列方向（図１５の横方向）に２列のサブ画素が配置されている例を示している。

　具体的には、各色のサブ画素の発光層をそれぞれ〔Ｓ１〕～〔Ｓｍ〕（ｍ≧３）とし、電流効率を、〔Ｓ１〕、〔Ｓ２〕、・・・、〔Ｓｍ－１〕、〔Ｓｍ〕の順列（〔Ｓ１〕が最大）とするとともに、行方向に延びる２つのサブ画素列に着目し、左側のサブ画素列を第一列、右側のサブ画素列を第二列というものとする。

　このとき、図１５に示すサブ画素の配置パターンは、第一列においては〔Ｓ１〕～〔Ｓｍ－１〕が昇順に配置される。そして、ｍ≧４の場合には、上記したように昇順に配置した後、次いで、〔Ｓｍ－２〕～〔Ｓ２〕が降順に配置される。

　また、第二列においては、〔Ｓ２〕～〔Ｓｍ〕が昇順に配置される。そして、ｍ≧４の場合には、上記したように昇順に配置した後、次いで、〔Ｓｍ－１〕～〔Ｓ３〕が降順に配置される。なお、以下、この配置態様を、説明の便宜上、「配置態様Ａ」と称する。

　この配置態様Ａでは、１つの画素につき、最大および最小の電流効率の発光層を有するサブ画素は１つずつ設けられている。また、最大および最小以外の電流効率の発光層を有するサブ画素は２つずつ備えられている。

　このように、Ｍ色のサブ画素で１つの画素を構成する場合に、上記条件１～３を満たす画素は、少なくとも（Ｍ－２）×４（個）（Ｍ≧３）のサブ画素によって形成される。

　なお、１画素に設けるサブ画素数につき、列方向と行方向とでサブ画素の数を同数とする場合には、行方向におけるサブ画素の数および列方向におけるサブ画素の数は、共に｛（Ｍ－２）×２｝となり、１画素当たりのサブ画素数は｛（Ｍ－２）×２｝^２となる。

　この際、列方向だけでなく、行方向においても、上記配置態様Ａに従い、隣接するサブ画素同士の電流効率差が最小となるように配置する。行方向・列方向共にサブ画素の数を増やすことで、個々のサブ画素の形状を特に調整することなく、１つの画素の形状を正方形とすることができる。

　〔実施の形態３〕
　本実施の形態について主に図９の（ａ）～（ｈ）および図１６の（ａ）～（ｄ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態では、主に前記実施の形態１、２との相違点（特に実施の形態１との相違点）について説明するものとし、実施の形態１・２で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

　前記実施の形態１・２では、各色の発光層の成膜順による効果については言及しなかったが、発光層の位置ずれに起因する画質低下を抑制する上で、上記成膜順も重要な要素となる。そこで、本実施の形態では、上記成膜順による効果について説明する。

　＜１画素をサブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂで構成する場合＞
　まず、最大の電流効率を有する発光層と最小の電流効率を有する発光層との間に、その中間の電流効率を有する発光層を形成する場合について、図９の（ａ）～（ｈ）に示すように、１画素がサブ画素２Ｒ（１）・２Ｇ・２Ｒ（２）・２Ｂで構成されている場合を例に挙げて説明する。

　図９の（ａ）に示すパターン（１）の場合、重畳領域（混色領域）に着目すると、発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇうち、発光層２３Ｒ（１）が下層であり、発光層２３Ｇが上層となっている。図９の（ｃ）に示すパターン（３）の場合も同様である。

　また、図９の（ｅ）に示すパターン（５）の場合、重畳領域（混色領域）に着目すると、発光層２３Ｒ（２）・２３Ｂのうち、発光層２３Ｂが下層であり、発光層２３Ｒ（２）が上層となっている。図９の（ｇ）に示すパターン（７）の場合も同様である。

　すなわち、図９の（ａ）・（ｃ）・（ｅ）・（ｇ）では、電流効率が低い発光層から順に、つまり、前記したステップＳ１で、陽極である第１電極２１を形成後に、ステップＳ３で、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを蒸着する際に、電流効率が低い発光層ほど先に蒸着を行う。

　有機ＥＬ素子の発光層は、一般的に、陽極側に近い領域で発光しやすいという性質を有している。

　したがって、図９の（ａ）に示すパターン（１）では、混色領域において、下層である、侵入される側の発光層２３Ｒ（１）の方が発光しやすくなる。

　同様に、図９の（ｅ）に示すパターン（５）では、混色領域において、下層である、侵入される側の発光層２３Ｂの方が発光しやすくなる。

　一方、図９の（ｃ）に示すパターン（３）では、混色領域において、下層である、侵入する側の発光層２３Ｒ（１）の方が発光しやすくなるが、下層の発光層２３Ｒ（１）の電流効率が上層の発光層２３Ｇの電流効率よりも低いために、その効果が相殺される（打ち消される）。

　一方、図９の（ｇ）に示すパターン（７）では、混色領域において、下層である、侵入する側の発光層２３Ｂの方が発光しやすくなるが、下層の発光層２３Ｂの電流効率が上層の発光層２３Ｒ（２）の電流効率よりも低いために、その効果が相殺される。

　なお、前記実施の形態１で説明したように、図９の（ａ）～（ｈ）に示すパターン（１）～（８）の場合には、最大の電流効率を有する発光層２３Ｇと最小の電流効率を有する発光層２３Ｂとの間に、その中間の電流効率を有する発光層２３Ｒ（２）が形成されていることで、混色による影響を小さくすることができる。

　しかしながら、このとき、上記したように、各発光層２３Ｒ（１）・２３Ｇ・２３Ｒ（２）・２３Ｂの成膜順を、電流効率が小さい順（すなわち、ここでは、〔Ｂ〕→〔Ｒ〕→〔Ｇ〕）とすることで、その効果をさらに向上させることができる。

　＜１画素を従来構成とする場合＞
　なお、本実施の形態は、上記したように最大の電流効率を有する発光層と最小の電流効率を有する発光層との間に、その中間の電流効率を有する発光層を形成する場合に限定されるものではない。

　例えば、各画素２が、Ｒのサブ画素、Ｂのサブ画素、Ｇのサブ画素の３つのサブ画素からなり、Ｇの発光層とＢの発光層とが隣り合う従来構成のサブ画素配列を有する場合についても、前記のような成膜順を規定することで、発光層の位置ずれに起因する画質低下を抑制することができる。

　図１６の（ａ）～（ｄ）は、有機ＥＬ表示装置１における各画素２を構成するサブ画素配列の変形例を模式的に示す図である。

　ここでは、図１６の（ａ）～（ｄ）に示すように、各画素２を構成する３つのサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおける発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂのいずれかに位置ずれが発生し、隣り合う２つのサブ画素のうち一方のサブ画素における発光層が他方のサブ画素における発光領域に侵入した状況を想定する。

　なお、図１６の（ａ）～（ｄ）において、Ｒ・Ｇ・Ｂの各色のサブ画素における各発光領域は、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂでのエッジカバー１５の露出部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂによって示される。

　従来構成のサブ画素配列の場合、図１６の（ａ）～（ｄ）に示す４つの侵入パターン（パターン（Ｉ）～（IV））が想定される。

　パターン（Ｉ）：図１６の（ａ）に示すように、露出部１５Ｒにおけるサブ画素２Ｒの発光領域内に、サブ画素２Ｒの発光層２３Ｒを形成後に、サブ画素２Ｇの発光層２３Ｇが侵入するパターン。

　パターン（II）：図１６の（ｂ）に示すように、露出部１５Ｇにおけるサブ画素２３Ｇの発光領域内に、サブ画素２Ｇの発光層２３Ｇを形成する前に、サブ画素２Ｒの発光層２３Ｒが侵入するパターン。

　パターン（III)：図１６の（ｃ）に示すように、露出部１５Ｂにおけるサブ画素２Ｂの発光領域内に、サブ画素２Ｂの発光層２３Ｂを形成後に、サブ画素２Ｇの発光層２３Ｇが侵入するパターン。

　パターン（IV）：図１６の（ｄ）に示すように、露出部１５Ｇにおけるサブ画素２Ｇの発光領域内に、サブ画素２Ｇの発光層２３Ｇを形成する前に、サブ画素２Ｂの発光層２３Ｂが侵入するパターン。

　ここで、例えば図１６の（ａ）に示すパターン（Ｉ）の場合、重畳領域に着目すると、発光層２３Ｒ・２３Ｇのうち、発光層２３Ｒが下層であり、発光層２３Ｇが上層となっている。図１６の（ｂ）に示すパターン（II）の場合も同様である。

　また、図１６の（ｃ）に示すパターン（III)の場合、重畳領域（混色領域）に着目すると、発光層２３Ｇ・２３Ｂのうち、発光層２３Ｂが下層であり、発光層２３Ｇが上層となっている。図１６の（ｄ）に示すパターン（IV）の場合も同様である。

　すなわち、図１６の（ａ）～（ｄ）でも、電流効率が低い発光層から順に、つまり、陽極である第１電極２１を形成した後に陰極である第２電極２６を形成する場合、電流効率が低い発光層ほど先に蒸着を行う。

　これにより、上記したように１画素に設けるサブ画素の種類（色）や数に関係なく、発光層の位置ずれに起因する画質低下を抑制することができる。

　なお、第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、発光層の積層順は反転し、第１電極２１を形成した後に、電流効率が大きい発光層ほど先に蒸着を行えばよい。

　すなわち、仮に異なる色の発光層同士が重畳した場合にその重畳領域において電流効率が小さい発光層ほど陽極側に位置するように、各色の発光層の電流効率の大小順にしたがって各色の発光層を形成するようにすればよい。

　〔実施の形態４〕
　本実施の形態について主に図１７および図１８に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態では、主に前記実施の形態１～３との相違点について説明するものとし、実施の形態１～３で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

　実施の形態１～３では、同一平面内に、電流効率が異なる蒸着膜パターンが少なくとも３列設けられており、隣り合う２つの蒸着膜パターンは、最大の電流効率を有する蒸着膜パターンと最小の電流効率を有する蒸着膜パターンとの組み合わせ以外の組み合わせの蒸着膜パターンである場合について説明した。

　しかしながら、電流効率が異なる蒸着膜パターンを、隣りのサブ画素領域に侵入すると何らかの問題が発生する蒸着膜パターンであり、そのような蒸着膜パターンの配列を、隣り合うサブ画素領域に侵入すると何らかの問題を発生させる要因となる特性に基づいて変更すると考えた場合、同様の思想を、隣りのサブ画素領域に侵入すると何らかの問題が発生する他の蒸着膜パターンの配列にも適用することができる。

　例えば、マイクロキャビティ効果を最適化するべく、各色のサブ画素において総膜厚を変化させる必要がある場合に、発光層以外の層（例えば正孔輸送層など）で調整することが考えられる。

　図１７は、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す断面図である。

　図１７に示すように、本実施の形態では、正孔輸送層の膜厚を、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色ごと、つまり、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂごとに、変化させて最適化している。

　本実施の形態では、図１７に示すように、各画素２が、青色の光を射出する青色のサブ画素２Ｂ（１）・２Ｂ（２）、赤色の光を射出する赤色のサブ画素２Ｒ、緑色の光を射出する緑色のサブ画素２Ｇの、４つのサブ画素２Ｂ（１）・２Ｒ・２Ｂ（２）・２Ｇによって構成されている。

　各サブ画素２Ｂ（１）・２Ｒ・２Ｂ（２）・２Ｇには、それぞれ、対応する発光層２３Ｂ（１）・２３Ｒ・２３Ｂ（２）・２３Ｇが設けられている。

　また、図１７に示す有機ＥＬ表示装置１は、図３に示す有機ＥＬ表示装置１における正孔注入層兼正孔輸送層２２に代えて、正孔注入層２２Ａと、正孔輸送層２８Ｂ（１）・２８Ｒ・２８Ｂ（２）・２８Ｇとを備えている。正孔輸送層２８Ｂ（１）・２８Ｒ・２８Ｂ（２）・２８Ｇは、それぞれ同一の材料からなり、その膜厚のみがそれぞれ異なっている。

　各サブ画素２Ｂ（１）・２Ｒ・２Ｂ（２）・２Ｇにおける各露出部１５Ｂ（１）・１５Ｒ・１５Ｂ（２）・１５Ｇ内には、正孔輸送層２８Ｂ（１）および発光層２３Ｂ（１）、正孔輸送層２８Ｒおよび発光層２３Ｒ、正孔輸送層２８Ｂ（２）および発光層２３Ｂ（２）、正孔輸送層２８Ｇおよび発光層２３Ｇが、それぞれ、正孔注入層２２Ａ側からこの順に隣接して積層されている。

　本実施の形態では、発光層２３Ｂ（１）・２３Ｒ・２３Ｂ（２）・２３Ｇに加え、上記正孔輸送層２８Ｂ（１）・２８Ｒ・２８Ｂ（２）・２８Ｇに対しても、塗り分け形成（パターン形成）を行う。

　図１８は、図１７に示す有機ＥＬ表示装置１の製造工程を、工程順に示すフローチャートである。

　本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、図１８に示すように、正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）に代えて、正孔注入層蒸着工程（Ｓ２１）と、正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２２）とを備えている。

　なお、ステップＳ２以外の工程については、各画素２をサブ画素２Ｂ（１）・２Ｒ・２Ｂ（２）・２Ｇで構成したことに伴う変更（すなわち、マスクパターンの変更）を除けば、基本的には、前記実施の形態１に記載の各ステップと同じである。したがって、本実施の形態では、正孔注入層蒸着工程（Ｓ２１）および正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２２）以外の各ステップについては、その説明を省略する。

　本実施の形態では、前記実施の形態１におけるＴＦＴ基板作製工程（Ｓ１）と同様にして作製されたＴＦＴ基板１０に対し、まず、前記実施の形態１と同様に、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施す。

　その後、従来の蒸着装置を用いて、前記実施の形態１と同様にして、正孔注入層２２Ａを、ＴＦＴ基板１０内の表示領域全面に対して蒸着する（Ｓ２１）。

　本実施の形態では、正孔注入層２２Ａの材料として、ｍ－ＭＴＤＡＴＡ（４、４’４”－トリス（Ｎ－３－メチルフェニル－Ｎ－フェニルアミノ）－トリフェニルアミン）を使用し、その膜厚は３０ｎｍとした。

　次に、前記実施の形態１に記載した蒸着装置１５０を用いて、正孔輸送層２８Ｂ（１）・２８Ｒ・２８Ｂ（２）・２８Ｇの塗り分け蒸着を行う（Ｓ２２）。

　つまり、まず、発光層２３Ｂ（１）・２３Ｒ・２３Ｂ（２）・２３Ｇとは材料が異なるだけで同様の蒸着方法を用いて、例えば、サブ画素２Ｒの正孔輸送層２８Ｒを形成する。

　次に、正孔輸送層２８Ｒが形成されたＴＦＴ基板１０を、基板走査方向と垂直の方向にずらし、正孔輸送層２８Ｒと同様にして、サブ画素２Ｂ（１）・２Ｂ（２）用の正孔輸送層２８Ｂ（１）・２８Ｂ（２）を形成する。

　その後、正孔輸送層２８Ｂ（１）・２８Ｒ・２８Ｂ（２）が形成されたＴＦＴ基板１０を、基板走査方向と垂直の方向にずらし、正孔輸送層２８Ｂ（１）・２８Ｒ・２８Ｂ（２）と同様にして、サブ画素２Ｇ用の正孔輸送層２８Ｇを形成する。

　これら正孔輸送層２８Ｂ（１）・２８Ｒ・２８Ｂ（２）・２８Ｇの各膜厚は、各サブ画素２Ｂ（１）・２Ｒ・２Ｂ（２）・２Ｇごとに、被成膜基板２００であるＴＦＴ基板１０の走査速度や往復回数を変えることで、変えることができる。

　本実施の形態では、サブ画素２Ｒ、サブ画素２Ｂ（１）・２Ｂ（２）、サブ画素２Ｇの順（つまり、正孔輸送層２８Ｒ、正孔輸送層２８Ｂ（１）・２８Ｂ（２）、正孔輸送層２８Ｇの順）に膜厚が厚くなるように各正孔輸送層２８Ｂ（１）・２８Ｒ・２８Ｂ（２）・２８Ｇの膜厚が設定されている。

　本実施の形態では、正孔輸送層２８Ｂ（１）・２８Ｒ・２８Ｂ（２）・２８Ｇの材料としてα―ＮＰＤを使用し、それぞれの膜厚は、順に、１００ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍとした。

　このように、正孔輸送層２８Ｂ（１）・２８Ｒ・２８Ｂ（２）・２８Ｇの膜厚を、各色のサブ画素（各サブ画素２Ｂ（１）・２Ｒ・２Ｂ（２）・２Ｇ）で可変させることで、マイクロキャビティ効果を、各色で最適化することができる。

　なお、マイクロキャビティ効果とは、各色（例えばＲ・Ｇ・Ｂ）のサブ画素に形成された光学的な共振構造により、第１電極２１と第２電極２６との間で発生した光が往復して共振し、その結果、発光スペクトルの先鋭化および色純度の向上が生じる現象である。

　最適なマイクロキャビティ効果が生じる光学的距離は各色の発光波長で異なるため、各色で光学的距離を調整する必要があり、その一つの方法として、上記したように、特定の有機層の膜厚を可変させる方法がある。

　このように正孔輸送層２８Ｂ（１）・２８Ｒ・２８Ｂ（２）・２８Ｇの膜厚を、各色（各サブ画素２Ｂ（１）・２Ｒ・２Ｂ（２）・２Ｇ）で可変させる場合、隣り合うサブ画素同士で正孔輸送層の膜厚が異なると、両サブ画素の境界部で総膜厚が変化する。特に、最大の膜厚を有するＧの正孔輸送層と最小の膜厚を有するＲの正孔輸送層とが隣り合う場合、隣り合うサブ画素同士で総膜厚が大きく変化することになる。

　そこで、本実施の形態では、総膜厚の変化をできるだけ抑制するために、サブ画素の配列パターンを決定するパラメータとして、上記発光層の電流効率に代えて正孔輸送層の膜厚とし、隣り合うサブ画素間で正孔輸送層の膜厚差が最小となるように、サブ画素の配列パターンを決めてもよい。

　この場合、発光層の電流効率差を、正孔輸送層の膜厚差と差し替えるだけで、サブ画素間の非発光領域を拡大することなく、上記した総膜厚の変化を抑制することができる。この結果、有機ＥＬ表示装置１の信頼性や表示品位を向上させることができる。

　なお、各画素２におけるサブ画素の配列パターンを図１７に示すように２Ｂ（１）・２Ｒ・２Ｂ（２）・２Ｇの順とした場合、サブ画素２Ｂ（２）とサブ画素２Ｇとが隣り合う。

　したがって、この場合には、前記したように発光層の電流効率が〔Ｇ〕→〔Ｂ〕→〔Ｒ〕の順に小さくなるか、もしくは、発光層の電流効率が〔Ｒ〕→〔Ｂ〕→〔Ｇ〕の順に小さくなるようにすればよい。

　あるいは、発光層２３Ｂ（１）・２３Ｒ・２３Ｂ（２）・２３Ｇを、前記したように電流効率が小さい順に形成すればよい。すなわち、例えば、発光層の電流効率が、〔Ｂ〕→〔Ｒ〕→〔Ｇ〕の順に大きくなる場合、発光層２３Ｂ（１）・２３Ｂ（２）、発光層２３Ｒ、発光層２３Ｇの順に、発光層２３Ｂ（１）・２３Ｒ・２３Ｂ（２）・２３Ｇを形成すればよい。

　各色の正孔輸送層の形成順と各色の発光層の形成順とは、必ずしも一致している必要はなく、上記したように、これら配列パターンを決定するパラメータに応じて、層ごとに、適宜変更してもよい。

　なお、本実施の形態では、上記したように、正孔輸送層２８Ｂ（１）・２８Ｒ・２８Ｂ（２）・２８Ｇの膜厚を、各色ごとに変更したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。正孔輸送層２８Ｂ（１）・２８Ｒ・２８Ｂ（２）・２８Ｇに限らず、正孔注入層２２Ａ、電子輸送層２４、電子注入層２５、あるいは、前記した図示しないキャリアブロッキング層等についても、各色ごとに膜厚を変えて形成してもよい。

　＜要点概要＞
　以上のように、上記各実施の形態にかかる表示用基板は、蒸着膜からなる発光層をそれぞれ有する少なくとも３色の発光領域をサブ画素領域として含む複数の画素領域を有し、隣り合う２つの発光領域は、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに最大の電流効率を有する色の発光層の発光領域と最小の電流効率を有する色の発光層の発光領域との組み合わせ以外の組み合わせの発光領域である。

　また、上記各実施の形態にかかる表示用基板の製造方法は、以上のように、蒸着膜からなる発光層をそれぞれ有する少なくとも３色の発光領域をサブ画素領域として含む複数の画素領域を有する表示用基板の製造方法であって、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに電流効率が最も大きい色の発光層と電流効率が最も小さい色の発光層との間に、上記電流効率が最も大きい色の発光層の電流効率と電流効率が最も小さい色の発光層の電流効率との間の大きさの電流効率を有する色の発光層を少なくとも一つ形成する方法である。

　上記構成および製造方法によれば、最大の電流効率を有する色の発光層の発光領域と最小の電流効率を有する色の発光層の発光領域とが隣り合う従来構成に比して、隣り合う２つの発光領域の電流効率の差を小さくすることができる。したがって、たとえ隣り合う２つの発光領域のうち一方の発光領域の発光層（蒸着膜）が他方の発光領域に侵入したとしても、その侵入による混色の程度（色の変化の度合い）を従来よりも抑制することができるので、非発光領域を拡大することなく、蒸着膜の位置ずれに起因する表示品質の低下を抑制することができる。

　また、上記表示用基板は、各色の発光層の発光領域が、一次元方向に配列されているとともに、隣り合う発光領域における発光層間の電流効率の差が最小となるように配列された構成を有していることが望ましい。

　また、上記表示用基板の製造方法は、上記各色の発光層の発光領域が、一次元方向に配列されており、隣り合う発光領域における発光層間の電流効率の差が最小となるように上記各色の発光層を形成する方法であることが望ましい。

　上記構成および製造方法によれば、上記一次元方向に隣り合う２つの発光領域のうち一方の発光領域における発光層が他方の発光領域に侵入した場合に、その侵入による混色の程度（色の変化の度合い）を最も抑制することができ、その結果、画質の低下を最も抑制することができる。

　また、上記表示用基板は、１つの画素領域が、Ｍ（Ｍ≧３）色の発光領域からなる少なくとも（Ｍ－１）×２のサブ画素領域を備え、１つの画素領域中に、最大の電流効率を有する色の発光層の発光領域と最小の電流効率を有する色の発光層の発光領域とをそれぞれ１つ含む構成を有していることが望ましい。

　上記構成によれば、最大の電流効率を有するサブ画素領域と最小の電流効率を有するサブ画素領域とが隣り合わないようにサブ画素領域を配列するとともに、できるだけ少ないサブ画素領域の数で１画素を構成することができる。

　また、上記表示用基板は、上記画素領域が、上記サブ画素領域として、緑色、赤色、青色の発光層をそれぞれ有する３色の発光領域を備え、緑色の発光層を有する発光領域と青色の発光層を有する発光領域との間に赤色の発光層を有する発光領域が設けられた構成を有していることが望ましい。

　上記構成によれば、最大の電流効率を有する緑色の発光層の発光領域と最小の電流効率を有する青色の発光層の発光領域とが隣り合う構成に比して、隣り合う２つの発光領域の電流効率の差を小さくすることができる。

　また、上記表示用基板は、上記画素領域が、上記サブ画素領域として、緑色、黄色、赤色、青色の発光層をそれぞれ有する４色の発光領域を備え、緑色の発光層を有する発光領域と青色の発光層を有する発光領域との間に、黄色の発光層を有する発光領域と赤色の発光層を有する発光領域とが設けられた構成を有していることが望ましい。

　また、上記表示用基板は、各色の発光層の発光領域が、二次元方向に配列されているとともに、一次元方向に隣り合う発光領域における発光層間の電流効率の差および上記一次元方向に直交する方向に隣り合う発光領域における発光層間の電流効率の差がそれぞれ最小となるように配列された構成を有していることが望ましい。

　また、上記表示用基板の製造方法は、各色の発光層の発光領域は、二次元方向に配列されており、一次元方向に隣り合う発光領域における発光層間の電流効率の差および上記一次元方向に直交する方向に隣り合う発光領域における発光層間の電流効率の差がそれぞれ最小となるように上記各色の発光層を形成する方法であることが望ましい。

　上記構成および製造方法によれば、上記一次元方向に隣り合う２つの発光領域のうち一方の発光領域における発光層が他方の発光領域に侵入した場合にも、上記一次元方向に直交する方向に隣り合う２つの発光領域のうち一方の発光領域における発光層が他方の発光領域に侵入した場合にも、その侵入による混色の程度（色の変化の度合い）を最も抑制することができる。その結果、画質の低下を最も抑制することができる。

　また、上記表示用基板は、１つの画素領域が、Ｍ（Ｍ≧３）色の発光領域からなる少なくとも（Ｍ－２）×４のサブ画素領域を備え、一画素領域中に、最大の電流効率を有する色の発光層の発光領域と最小の電流効率を有する色の発光層の発光領域とがそれぞれ１つ含まれた構成を有していることが望ましい。

　上記構成によれば、最大の電流効率を有するサブ画素領域と最小の電流効率を有するサブ画素領域とが隣り合わないようにサブ画素領域を配列するとともに、できるだけ少ないサブ画素領域の数で１画素を構成し、かつ、隣り合う２つのサブ画素領域同士の電流効率の差が最小となるようにした画素を構成することができる。

　また、上記表示用基板は、１つの画素領域が、Ｍ（Ｍ≧３）色の発光領域からなる｛（Ｍ－２）×２｝^２のサブ画素領域を備えた構成を有していることが望ましい。

　上記構成によれば、最大の電流効率を有するサブ画素領域と最小の電流効率を有するサブ画素領域とが隣り合わないようにサブ画素領域を配列するとともに、できるだけ少ないサブ画素領域の数で１画素を構成し、かつ、隣り合う２つのサブ画素領域同士の電流効率の差が最小となるようにした正方形状の画素を構成することができる。

　また、上記したように各色の発光層の発光領域を二次元方向に配列する場合、上記発光層および発光領域の少なくとも一方は八角形状であることが望ましい。

　これにより、斜め方向において隣り合う２つの発光層の発光領域の離間距離を広くすることができるので、隣り合う発光層のうち一方の発光層が他方の発光層の発光領域に侵入することを未然に防止し、これによる混色を無くすことができる。

　このため、画質の低下を抑制し、表示品位に優れた有機エレクトロルミネッセンス表示装置を得ることができる表示用基板を提供することができる。

　また、上記表示用基板は、各発光領域に薄膜トランジスタが設けられた構成を有していることが望ましい。

　上記したように各発光領域に薄膜トランジスタが設けられていることで、表示パネル化したとき、すなわち、上記表示用基板を用いて例えば有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造したとき、１画素内に形成された、同じ色の発光層のサブ画素の表示精細度を向上させることができる。

　また、以上のように、上記実施の形態の一例にかかる表示用基板は、同一平面内に、膜厚が異なる蒸着膜パターンが少なくとも３列設けられており、隣り合う２つの蒸着膜パターンは、最大の膜厚を有する蒸着膜パターンと最小の膜厚を有する蒸着膜パターンとの組み合わせ以外の組み合わせの蒸着膜パターンである。

　また、以上のように、上記各実施の形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、上記各実施の形態の何れかにかかる表示用基板を備えている。

　また、以上のように、上記各実施の形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、陽極を形成する陽極形成工程と、陰極を形成する陰極形成工程とを備えるとともに、陽極形成工程と陰極形成工程との間に、蒸着膜からなる少なくとも３色の発光層を色ごとに順に形成する発光層形成工程とを備え、上記発光層形成工程では、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに電流効率が小さい色の発光層ほど陽極形成工程に近い順番で形成される。

　上記の方法によれば、侵入する側の発光層の方が陽極に近い場合であっても、その逆の場合であっても、上記順番で発光層を形成することで、混色が生じたとしても、その影響を小さくすることができる。したがって、隣り合う２つの発光領域のうち一方の発光領域の蒸着膜が他方の発光領域の蒸着膜の領域に侵入した場合に、その侵入による混色の程度（色の変化の度合い）を抑制することができ、その結果、画質の低下を抑制することができる。

　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

　本発明は、例えば、有機ＥＬ表示装置における有機層の塗り分け形成等の成膜プロセスに用いられる表示用基板および有機ＥＬ表示装置並びにこれら表示用基板および有機ＥＬ表示装置の製造装方法等に好適に用いることができる。

　　１　　有機ＥＬ表示装置
　　２　　画素
　　２Ｒ・２Ｒ（１）・２Ｒ（２）・２Ｇ・２Ｂ・２Ｂ（１）・２Ｂ（２）　　サブ画素
　１０　　ＴＦＴ基板（表示用基板）
　１１　　絶縁基板
　１２　　ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
　１３　　層間絶縁膜
　１３ａ　コンタクトホール
　１４　　配線
　１４Ｇ　ゲート線
　１４Ｓ　ソース線
　１４Ｖ　電源配線
　１５　　エッジカバー
　１５Ｒ・１５Ｒ（１）・１５Ｒ（２）　　露出部
　１５Ｇ　露出部
　１５Ｂ・１５Ｂ（１）・１５Ｂ（２）　　露出部
　１５ｒ・１５ｇ・１５ｒ・１５ｂ　　非発光領域
　２０　　有機ＥＬ素子
　２１　　第１電極
　２２　　正孔注入層兼正孔輸送層
　２２Ａ　正孔注入層
　２３Ｒ・２３Ｒ（１）・２３Ｒ（２）　　発光層
　２３Ｇ　発光層
　２３Ｂ・２３Ｂ（１）・２３Ｂ（２）　　発光層
　２４　　電子輸送層
　２５　　電子注入層
　２６　　第２電極
　２８Ｂ（１）・２８Ｒ・２８Ｂ（２）・２８Ｇ　　正孔輸送層
　３０　　接着層
　４０　　封止基板
１０２　　マスク
１０２ａ　開口部
１０３　　蒸着源
１０３ａ　射出口
１５０　　蒸着装置
２００　　被成膜基板
３００　　制限板
３０１　　開口部
３０２　　蒸着源
３０３　　マスク
３０４　　開口部
５００　　マスクユニット
６００　　真空チャンバ

Claims

　蒸着膜からなる発光層をそれぞれ有する少なくとも３色の発光領域をサブ画素領域として含む複数の画素領域を有し、
　隣り合う２つの発光領域は、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに最大の電流効率を有する色の発光層の発光領域と最小の電流効率を有する色の発光層の発光領域との組み合わせ以外の組み合わせの発光領域であることを特徴とする表示用基板。
　各色の発光層の発光領域は、一次元方向に配列されているとともに、隣り合う発光領域における発光層間の電流効率の差が最小となるように配列されていることを特徴とする請求項１に記載の表示用基板。
　１つの画素領域は、Ｍ（Ｍ≧３）色の発光領域からなる少なくとも（Ｍ－１）×２のサブ画素領域を備え、１つの画素領域中に、最大の電流効率を有する色の発光層の発光領域と最小の電流効率を有する色の発光層の発光領域とがそれぞれ１つ含まれていることを特徴とする請求項２に記載の表示用基板。
　上記画素領域は、上記サブ画素領域として、緑色、赤色、青色の発光層をそれぞれ有する３色の発光領域を備え、
　緑色の発光層を有する発光領域と青色の発光層を有する発光領域との間に赤色の発光層を有する発光領域が設けられていることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の表示用基板。
　上記画素領域は、上記サブ画素領域として、緑色、黄色、赤色、青色の発光層をそれぞれ有する４色の発光領域を備え、
　緑色の発光層を有する発光領域と青色の発光層を有する発光領域との間に、黄色の発光層を有する発光領域と赤色の発光層を有する発光領域とが設けられていることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の表示用基板。
　各色の発光層の発光領域は、二次元方向に配列されているとともに、一次元方向に隣り合う発光領域における発光層間の電流効率の差および上記一次元方向に直交する方向に隣り合う発光領域における発光層間の電流効率の差がそれぞれ最小となるように配列されていることを特徴とする請求項１に記載の表示用基板。
　１つの画素領域は、Ｍ（Ｍ≧３）色の発光領域からなる少なくとも（Ｍ－２）×４のサブ画素領域を備え、一画素領域中に、最大の電流効率を有する色の発光層の発光領域と最小の電流効率を有する色の発光層の発光領域とがそれぞれ１つ含まれていることを特徴とする請求項６に記載の表示用基板。
　１つの画素領域は、Ｍ（Ｍ≧３）色の発光領域からなる｛（Ｍ－２）×２｝^２のサブ画素領域を備えていることを特徴とする請求項６に記載の表示用基板。
　上記発光層および発光領域の少なくとも一方は八角形状であることを特徴とする請求項６～８の何れか１項に記載の表示用基板。
　各発光領域に薄膜トランジスタが設けられていることを特徴とする請求項１～９の何れか１項に記載の表示用基板。
　同一平面内に、膜厚が異なる蒸着膜パターンが少なくとも３列設けられており、
　隣り合う２つの蒸着膜パターンは、最大の膜厚を有する蒸着膜パターンと最小の膜厚を有する蒸着膜パターンとの組み合わせ以外の組み合わせの蒸着膜パターンであることを特徴とする表示用基板。
　請求項１～１１の何れか１項に記載の表示用基板を備えていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
　蒸着膜からなる発光層をそれぞれ有する少なくとも３色の発光領域をサブ画素領域として含む複数の画素領域を有する表示用基板の製造方法であって、
　各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに電流効率が最も大きい色の発光層と電流効率が最も小さい色の発光層との間に、上記電流効率が最も大きい色の発光層の電流効率と電流効率が最も小さい色の発光層の電流効率との間の大きさの電流効率を有する色の発光層を少なくとも一つ形成することを特徴とする表示用基板の製造方法。
　上記各色の発光層の発光領域は、一次元方向に配列されており、隣り合う発光領域における発光層間の電流効率の差が最小となるように上記各色の発光層を形成することを特徴とする請求項１３に記載の表示用基板の製造方法。
　各色の発光層の発光領域は、二次元方向に配列されており、一次元方向に隣り合う発光領域における発光層間の電流効率の差および上記一次元方向に直交する方向に隣り合う発光領域における発光層間の電流効率の差がそれぞれ最小となるように上記各色の発光層を形成することを特徴とする請求項１３に記載の表示用基板の製造方法。
　陽極を形成する陽極形成工程と、陰極を形成する陰極形成工程とを備えるとともに、
　陽極形成工程と陰極形成工程との間に、蒸着膜からなる少なくとも３色の発光層を色ごとに順に形成する発光層形成工程とを備え、
　上記発光層形成工程では、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに電流効率が小さい色の発光層ほど陽極形成工程に近い順番で形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。