TWI522005B - 顯示用基板、有機電致發光顯示裝置及該等之製造方法 - Google Patents

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TWI522005B
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Description

顯示用基板、有機電致發光顯示裝置及該等之製造方法
本發明係關於一種於顯示用基板形成特定圖案之蒸鍍膜之蒸鍍技術，更詳細而言，係關於使用此種蒸鍍技術之顯示用基板、有機電致發光顯示裝置及該等之製造方法。
近年來，於各種商品或領域中有效利用平板顯示器(flat panel display)，從而要求平板顯示器之更大型化、高畫質化、低消耗電力化。
於此種狀況下，具備利用了有機材料之電場發光(電致發光；以下記作「EL」)之有機EL元件的有機EL顯示裝置作為全固態型且在低電壓驅動、高速應答性、自發光性等方面優異之平板顯示器，而正受到高度關注。
有機EL顯示裝置例如具有如下構成，即，於包含設置有TFT(thin film transistor，薄膜電晶體)之玻璃基板等之基板上，設置有與TFT連接之有機EL元件。
有機EL元件為藉由低電壓直流驅動而可進行高亮度發光之發光元件，具有將第1電極、有機EL層及第2電極依該順序積層之構造。其中，第1電極與TFT連接。
又，於第1電極與第2電極之間，作為上述有機EL層，設置有使電洞注入層、電洞輸送層、電子阻斷層、發光層、電洞阻斷層、電子輸送層、電子注入層等積層而成之有機層。
圖19係模式性地表示普通之全彩有機EL顯示裝置之各像 素中之子像素排列之圖。
如圖19所示，全彩之有機EL顯示裝置中，一般而言將具有R(紅)、G(綠)、B(藍)之各色之發光層之有機EL元件作為子像素，於TFT基板等顯示用之半導體基板上排列形成而成，使用TFT選擇性地使該等有機EL元件以所期望之亮度發光，藉此進行圖像顯示。
此種有機EL顯示裝置之製造中，將至少包含於各色中發光之有機發光材料之發光層於每個作為發光元件之有機EL元件中圖案形成(例如參照專利文獻1、2)。
上述有機EL元件藉由有機膜之積層蒸鍍構成，但對於發光層而言，必需按照各色之子像素分開蒸鍍。
例如，低分子型有機EL顯示器(OLED(有機發光二極體，organic light emitting diode))中，先前，藉由使用了蒸鍍用之遮罩之蒸鍍法進行有機膜(有機層)之分塗形成。
作為進行發光層之圖案形成之方法，例如眾所周知有使用被稱作陰影遮罩(shadow mask)之蒸鍍用之遮罩的真空蒸鍍法。進而，上述真空蒸鍍法被大致分為使被成膜基板與蒸鍍用之遮罩密接而成膜之方法，與使被成膜基板與蒸鍍用之遮罩隔開而成膜之掃描蒸鍍法。
於如此使用蒸鍍用之遮罩之真空蒸鍍法中，使被成膜基板與蒸鍍源對向配置，以蒸鍍粒子不會附著於目標蒸鍍區域以外之區域之方式，於遮罩上設置與蒸鍍區域之一部分圖案相對應之開口部，經由該開口部使蒸鍍粒子蒸鍍於基板上，藉此進行圖案形成。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本國公開專利公報「日本專利特開2000-188179號公報(公開日：2000年7月4日)」[專利文獻2]日本國公開專利公報「日本專利特開平10-102237號公報(公開日：1998年4月21日)」
然而，如上述般於使用蒸鍍用之遮罩進行蒸鍍之情形時，因蒸鍍用之遮罩與被成膜基板之相對位置之位置偏移、或形成於蒸鍍用之遮罩之開口之加工精度、被成膜基板上之圖案精度、掃描蒸鍍時之基板之晃動等影響，會發生蒸鍍膜之位置偏移(即，發光層之圖案偏移)。
當然，於蒸鍍膜之圖案形成位置未發生偏移之情形時，如圖19所示，分開塗佈之蒸鍍膜彼此於發光區域上不重疊。
然而，為此，必需消除形成於蒸鍍用之遮罩之開口之加工精度、被成膜基板上之圖案精度、掃描蒸鍍時之基板之晃動等之影響，從而需要高技術。
而且，於如上述般發生蒸鍍膜之位置偏移之情形時，若蒸鍍膜之位置偏移超過容許範圍，則如圖20所示，於相鄰之子像素中一子像素之區域中應形成之蒸鍍膜會侵入另一子像素之區域，蒸鍍膜圖案亦形成於鄰接之子像素之發光區域上。再者，圖20表示如下示例：於相鄰之G、B之子 像素中G之子像素之區域中應形成之蒸鍍膜侵入B之子像素之區域，發光層(G)之蒸鍍膜圖案亦形成於鄰接之B之子像素之發光區域上。
於如此發光層發生偏移之情形時，於上述另一子像素中之受到侵入之區域中，受到上述一子像素之顏色之影響，會發生上述另一子像素之顏色與上述一子像素之顏色混合之所謂混色之現象。混色會導致顯示品質之降低，從而使有機EL顯示裝置之良率降低。
為了抑制混色，擴大子像素間之非發光區域即可，但若擴大非發光區域則子像素之發光區域之面積會減小。
若如此子像素之發光區域之面積減小，則為了獲得相同發光亮度而流動之電流密度會增高，因而亮度之經時劣化提前。即，壽命縮短。
進而，顯示圖像之粒度感增加。即，無法均質地看見圖案，而被視認作粒之集合體。
因此，擴大子像素間之非發光區域會使有機EL顯示裝置之可靠性及顯示品質降低，從而無法實現高精細之有機EL顯示裝置。
本發明係鑒於上述問題點而完成者，本發明之目標在於提供一種無需擴大非發光區域便可抑制由蒸鍍膜之位置偏移而引起之顯示品質之降低的顯示用基板、有機電致發光顯示裝置、及該等之製造方法。
為了解決上述課題，本發明之顯示用基板之特徵在於： 包括包含至少3色之發光區域作為子像素區域之複數個像素區域，該至少3色之發光區域分別具備包含蒸鍍膜之發光層；相鄰之2個發光區域係於在各色之發光區域之發光層中產生同一亮度之光時具有最大電流效率之顏色之發光層的發光區域與具有最小電流效率之顏色之發光層的發光區域之組合以外之組合之發光區域。
根據上述構成，因將相鄰之2個發光區域設為，於在各色之發光區域之發光層中產生同一亮度之光時具有最大電流效率之顏色之發光層之發光區域與具有最小電流效率之顏色之發光層之發光區域之組合以外之組合的發光區域，故比起具有最大電流效率之顏色之發光層之發光區域與具有最小電流效率之顏色之發光層之發光區域相鄰之先前構成，可減小相鄰之2個發光區域之電流效率之差。
因此，上述顯示用基板藉由具有上述構成，而於其製造過程中，即便相鄰之2個發光區域中之一發光區域之蒸鍍膜侵入另一發光區域之蒸鍍膜之區域，亦比上述先前構成更能夠抑制該侵入而引起之混色之程度(顏色之變化之程度)。
因此，根據上述構成，無需擴大非發光區域便可抑制蒸鍍膜之位置偏移而引起之顯示品質之降低。
又，本發明之顯示用基板為了解決上述課題，其特徵在於：於同一平面內設置至少3行膜厚不同之蒸鍍膜圖案；相鄰之2個蒸鍍膜圖案係具有最大膜厚之蒸鍍膜圖案與具有最小膜厚之蒸鍍膜圖案之組合以外之組合的蒸鍍膜圖 案。
根據上述構成，因於同一平面內至少設置3行膜厚不同之蒸鍍膜圖案，且將相鄰之2個蒸鍍膜圖案設為具有最大膜厚之蒸鍍膜圖案與具有最小膜厚之蒸鍍膜圖案之組合以外之組合的蒸鍍膜圖案，故比起具有最大膜厚之蒸鍍膜圖案與具有最小膜厚之蒸鍍膜圖案相鄰之構成，可減小相鄰之2個蒸鍍膜圖案彼此之膜厚之差。
其結果，藉由適當設定膜厚，即便相鄰之2個蒸鍍膜圖案中之一蒸鍍膜圖案之蒸鍍膜侵入另一蒸鍍膜圖案之蒸鍍膜之區域，亦可抑制由該侵入引起之總厚之差異。
因此，無需擴大非發光區域，便可抑制蒸鍍膜之位置偏移而引起之顯示品質之降低。
本發明之有機電致發光顯示裝置具備本發明之上述任一顯示用基板。
根據該構成，可實現獲得上述任一構成達成之效果之有機電致發光顯示裝置。
為了解決上述課題，本發明之顯示用基板之製造方法之特徵在於：該顯示用基板包括包含至少3色之發光區域作為子像素區域之複數個像素區域，該至少3色之發光區域分別具備包含蒸鍍膜之發光層；上述顯示用基板之製造方法係於在各色之發光區域之發光層中產生同一亮度之光時電流效率最大之顏色之發光層與電流效率最小之顏色之發光層之間，至少形成一個具有上述電流效率最大之顏色之發光層之電流效率與電流效率最小之顏色之發光層之電流 效率之間之大小的電流效率之顏色之發光層。
根據上述製造方法，於相鄰之2個發光區域中之一發光區域之發光層侵入另一發光區域之情形時，可最大程度地抑制由該侵入引起之混色之程度(顏色之變化之程度)，其結果，可最大程度地抑制畫質之下降。
本發明之有機電致發光顯示裝置之製造方法之特徵在於：包括形成陽極之陽極形成步驟、及形成陰極之陰極形成步驟，並且於陽極形成步驟與陰極形成步驟之間，包括按照顏色依序形成包含蒸鍍膜之至少3色之發光層之發光層形成步驟；上述發光層形成步驟中，以於在各色之發光區域之發光層中產生同一亮度之光時電流效率越小之顏色之發光層越靠近陽極形成步驟之順序形成。
一般而言，上述發光層具有如下性質：離陽極越近之區域越容易發光，換言之，離陽極越近則發光亮度越大。
因此，如上述構成般，於發光層形成步驟中，於在各色之發光區域之發光層中產生同一亮度之光時電流效率越小之顏色之發光層，以越靠近陽極形成步驟之順序形成，則即便產生混色，亦可減小其影響。
再者，於侵入之側之發光層離陽極更近之情形時，侵入之側之發光層容易發光，該情形時，陽極側之發光層之電流效率比其他發光層之電流效率低，因此該效果相抵消(消除)。
因此，無論於侵入之側之發光層離陽極更近之情形時，還是其相反之情形時，藉由按照上述順序形成發光層，則 即便產生混色，亦可減小其影響。
藉此，於相鄰之2個發光區域中之一發光區域之蒸鍍膜侵入另一發光區域之蒸鍍膜之區域之情形時，可抑制由該侵入引起之混色之程度(顏色之變化之程度)，其結果，可抑制畫質之下降。
如以上般，本發明之顯示用基板之特徵在於：包括包含至少3色之發光區域作為子像素區域之複數個像素區域，該至少3色之發光區域分別具有包含蒸鍍膜之發光層；相鄰之2個發光區域為，於在各色之發光區域之發光層中產生同一亮度之光時具有最大電流效率之顏色之發光層的發光區域與具有最小電流效率之顏色之發光層的發光區域之組合以外之組合之發光區域。
又，本發明之顯示用基板之製造方法之特徵在於：該顯示用基板包括包含至少3色之發光區域作為子像素區域之複數個像素區域，該至少3色之發光區域分別具有包含蒸鍍膜之發光層；上述顯示用基板之製造方法係於在各色之發光區域之發光層中產生同一亮度之光時電流效率最大之顏色之發光層與電流效率最小之顏色之發光層之間，至少形成一個具有上述電流效率最大之顏色之發光層之電流效率與電流效率最小之顏色之發光層之電流效率之間之大小的電流效率之顏色之發光層。
根據上述構成以及製造方法，於上述製造過程中，即便相鄰之2個發光區域中之一發光區域之蒸鍍膜侵入另一發 光區域之蒸鍍膜之區域，亦比先前構成更能夠抑制由該侵入引起之混色之程度(顏色之變化之程度)。
因此，根據上述構成以及製造方法，無需擴大非發光區域，便可抑制蒸鍍膜之位置偏移而引起之顯示品質之降低。
又，本發明之顯示用基板之特徵在於：於同一平面內至少設置3行膜厚不同之蒸鍍膜圖案；相鄰之2個蒸鍍膜圖案為具有最大膜厚之蒸鍍膜圖案與具有最小膜厚之蒸鍍膜圖案之組合以外之組合之蒸鍍膜圖案。
根據上述構成，藉由適當設定膜厚，即便相鄰之2個蒸鍍膜圖案中之一蒸鍍膜圖案之蒸鍍膜侵入另一蒸鍍膜圖案之蒸鍍膜之區域，亦可抑制由該侵入引起之總厚之差異。
因此，根據上述構成，無需擴大非發光區域，便可抑制蒸鍍膜之位置偏移而引起之顯示品質之降低。
又，本發明之有機電致發光顯示裝置包括上述任一顯示用基板。
因此，根據上述構成，可提供一種無需擴大非發光區域，便可抑制蒸鍍膜之位置偏移而引起之顯示品質之降低之有機電致發光顯示裝置。
又，本發明之有機電致發光顯示裝置之製造方法之特徵在於：包括形成陽極之陽極形成步驟、及形成陰極之陰極形成步驟，並且於陽極形成步驟與陰極形成步驟之間，包括按照顏色依序形成包含蒸鍍膜之至少3色之發光層之發光層形成步驟；上述發光層形成步驟中，於在各色之發光 區域之發光層中產生同一亮度之光時電流效率越小之顏色之發光層，以越靠近陽極形成步驟之順序形成。
根據上述製造方法，於相鄰之2個發光區域中之一發光區域之蒸鍍膜侵入另一發光區域之蒸鍍膜之區域之情形時，可抑制由該侵入引起之混色之程度(顏色之變化之程度)，其結果，可抑制畫質之下降。
因此，根據上述製造方法，可提供一種無需擴大非發光區域便可抑制蒸鍍膜之位置偏移而引起之顯示品質之降低之有機電致發光顯示裝置。
以下，對本發明進行詳細說明。
[實施形態1]
關於本實施形態，若根據圖1~圖10進行說明，則為以下所示。
<有機EL顯示裝置之概略構成>
圖4係表示本實施形態之有機EL顯示裝置1之構成例之剖面圖。
圖4所示之有機EL顯示裝置1包括TFT基板10、有機EL元件20、接著層30、及密封基板40，該有機EL顯示裝置1為自TFT基板10側提取光之底部發光(bottom emission)型且RGB全彩顯示型之顯示裝置。
於TFT基板10中之成為像素區域之部分，形成有作為開關元件之TFT等。
有機EL元件20於TFT基板10之顯示區域矩陣狀地形成。
形成有有機EL元件20之TFT基板10藉由接著層30等而與密封基板40貼合。
其次，對有機EL顯示裝置1中之TFT基板10及有機EL元件20之構成進行詳述。
<TFT基板10之構成>
圖1係模式性地表示將本實施形態之有機EL顯示裝置1中之構成各像素之子像素排列設為上述有機EL顯示裝置1中之TFT基板10之1像素區域中之子像素區域之排列之圖。
再者，此處，所謂TFT基板10之1像素區域，係表示相當於在顯示面板化時(即，組裝有機EL顯示裝置1時)用以進行彩色顯示之最小構成單位之像素(本實施形態中為3原色用像素)之區域。
又，所謂TFT基板10之子像素區域，係表示對應於構成在顯示面板化時(即，組裝有機EL顯示裝置1時)用以進行彩色顯示之成為最小構成單位之1像素之各子像素(點)之區域。
又，圖2係表示構成上述有機EL顯示裝置1之像素之構成之平面圖。圖3係表示圖2所示之有機EL顯示裝置1中之TFT基板10之A-A線箭視剖面圖。
再者，圖1係相當於著眼於子像素之排列而將圖3所示之TFT基板10之A-A線箭視剖面概略化而成之圖。
如圖3所示，TFT基板10具有如下構成：於玻璃基板等之透明絕緣基板11上，形成有TFT12(開關元件)、層間絕緣膜13、配線14、邊緣蓋15等。
有機EL顯示裝置1係全彩之主動矩陣型(active matrix)之有機EL顯示裝置。如圖2及圖3所示，於絕緣基板11上之由配線14所包圍之區域，分別矩陣狀地排列有包含紅(R)、綠(G)、藍(B)之各色之有機EL元件20之各色之子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B。
即，由配線14所包圍之區域為一個子像素(點)，於各子像素中劃分R、G、B之發光區域(發光部)。
像素2(即，1像素)包含：射出紅色之光之紅色之子像素2R(1)、2R(2)、射出綠色之光之綠色之子像素2G、及射出藍色之光之藍色之子像素2B此4個子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B。
於各子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B中，作為各子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B中之承擔發光之各色之發光區域，分別設置有由條紋狀之各色之發光層23R(1)、23G、2R(2)、23B覆蓋之露出部15R(1)、15G、15R(2)、15B。
發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B針對各色藉由蒸鍍而圖案形成。
於子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B中，分別設置有與有機EL元件20中之第1電極21連接之TFT12。各子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B之發光強度藉由配線14及TFT12之掃描及選擇而決定。如此，有機EL顯示裝置1使用TFT12並藉由使有機EL元件20選擇性地以所期望之亮度發光而實現圖像顯示。
層間絕緣膜13以覆蓋各TFT12及配線14之方式，於上述 絕緣基板11上跨及上述絕緣基板11之整個區域而積層。
於層間絕緣膜13上形成有有機EL元件20之第1電極21。
又，於層間絕緣膜13，設置有用以將有機EL元件20之第1電極21與TFT12電性連接之接觸孔13a。藉此，TFT12經由上述接觸孔13a而與有機EL元件20電性連接。
邊緣蓋15為如下之絕緣層，即，該絕緣層係用以防止藉由於第1電極21之端部有機EL層變薄或者引起電場集中，而有機EL元件20之第1電極21與第2電極26短路。
邊緣蓋15於層間絕緣膜13上以覆蓋第1電極21之端部之方式形成。
各子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B之第1電極21如圖2所示，於不存在邊緣蓋15之部分分別露出。
該露出部15R(1)、15G、15R(2)、15B如上述般成為各子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B之發光區域(發光部)。
換言之，各子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B藉由具有絕緣性之邊緣蓋15而隔開。邊緣蓋15亦作為元件分離膜而發揮功能。
如圖1所示，各子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B分別由上述露出部15R(1)、15G、15R(2)、15B中之發光區域(發光部)、及各露出部15R(1)、15G、15R(2)、15B間之非發光區域15r(1)、15g、15r(2)、15b(非發光部)而形成。
如此，於TFT基板10中，露出部15R(1)、15G、15R(2)、15B中之各色之發光區域作為有機EL顯示裝置1之構成子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B之子像素區域(即，子像素區 域之一部分)而包含。
<有機EL元件20之構成>
如圖3所示，有機EL元件20為可藉由低電壓直流驅動進行高亮度發光之發光元件，依序積層有第1電極21、有機EL層、及第2電極26。
第1電極21為具有向上述有機EL層注入(供給)電洞之功能之層。第1電極21如上述般經由接觸孔13a而與TFT12連接。
於第1電極21與第2電極26之間，如圖3所示，具有如下構成：作為有機EL層，自第1電極21側起依序形成有電洞注入層兼電洞輸送層22、發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B、電子輸送層24、及電子注入層25。
再者，雖未圖示，亦可視需要插入阻止電洞、電子等載子之流動之載子阻斷層。又，一個層可具有複數個功能，亦可例如形成兼作電洞注入層與電洞輸送層之一個層。
再者，上述積層順序係將第1電極21設為陽極、將第2電極26設為陰極者。於將第1電極21設為陰極、將第2電極26設為陽極之情形時，有機EL層之積層順序反轉。
電洞注入層為具有提高自第1電極21向有機EL層之電洞注入效率之功能之層。又，電洞輸送層為具有提高向發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B之電洞輸送效率之功能之層。電洞注入層兼電洞輸送層22以覆蓋第1電極21及邊緣蓋15之方式，均勻地形成於TFT基板10中之顯示區域整個面。
再者，本實施形態中，如上述般，作為電洞注入層及電洞輸送層，而設置有將電洞注入層與電洞輸送層一體化之電洞注入層兼電洞輸送層22。然而，本實施形態並不限定於此，亦可作為電洞注入層與電洞輸送層相互獨立之層而形成。
於電洞注入層兼電洞輸送層22上，發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B分別與子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B相對應地形成。
發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B為具有使自第1電極21側注入之電洞與自第2電極26側注入之電子重新結合而出射光之功能之層。發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B分別由低分子螢光色素、金屬錯合物等電流效率較高之材料而形成。
此處，所謂電流效率，表示每單位面積中流動某值之電流時所放射之亮度之比例，其單位由cd/A表示。
本實施形態中，於使各色之發光區域之發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B中產生同一亮度之光之情形時，發光層23G之電流效率最高。其次，發光層23R(1)及發光層23R(2)之電流效率較高，發光層23B之電流效率最低。
電子輸送層24為具有提高自第2電極26向發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B之電子輸送效率之功能之層。又，電子注入層25為具有提高自第2電極26向有機EL層之電子注入效率之功能之層。
電子輸送層24以覆蓋發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B 及電洞注入層兼電洞輸送層22之方式，於該等發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B及電洞注入層兼電洞輸送層22上，跨及TFT基板10中之顯示區域整個面而均勻地形成。
又，電子注入層25以覆蓋電子輸送層24之方式，於電子輸送層24上跨及TFT基板10中之顯示區域整個面而均勻地形成。
再者，電子輸送層24與電子注入層25可如上述般作為相互獨立之層而形成，亦可相互一體化地設置。即，有機EL顯示裝置1亦可代替電子輸送層24及電子注入層25，而具備電子輸送層兼電子注入層。
第2電極26為具有向包含如上述般之有機層之有機EL層注入電子之功能之層。第2電極26以覆蓋電子注入層25之方式，於電子注入層25上，跨及TFT基板10中之顯示區域整個面而均勻地形成。
再者，發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B以外之有機層無需作為有機EL層之層，根據所要求之有機EL元件20之特性而適當形成即可。
又，可如電洞注入層兼電洞輸送層22及電子輸送層兼電子注入層般，一個層具有複數個功能。
又，有機EL層中亦可視需要而追加載子阻斷層。例如，藉由於發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B與電子輸送層24之間追加作為載子阻斷層之電洞阻斷層，而可阻止電洞向電子輸送層24逃逸，從而提高各色之發光效率。
上述構成中，第1電極21(陽極)、第2電極26(陰極)、及 發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B以外之層適當插入即可。
<子像素之構成>
先前，構成有機EL顯示裝置1之一個像素按照紅(R)、綠(G)、藍(B)之排列圖案而排列。
與此相對，本實施形態中，如圖1~圖3所示，於包含具有最大電流效率之發光層23G之子像素2G、與包含具有最小電流效率之發光層23B之子像素2B之間，配置包含具有該等發光層23G與發光層23B之間之電流效率之發光層之子像素2R(1)、2R(2)。藉此，將一個像素2中之子像素之排列設為紅(R)、綠(G)、紅(R)、藍(B)。
再者，本實施形態中，為了將先前構成中與G之子像素相鄰之R之子像素，與本實施形態中新配置於G之子像素與B之子像素之間之R之子像素加以區別，而將前者之R之子像素設為子像素2R(1)，將後者之R之子像素作為子像素2R(2)。
藉由如上述般進行配置，即便相鄰之2個子像素中之一子像素之發光層侵入另一子像素之發光區域，亦比先前更能夠抑制發光層之位置偏移而引起之畫質之下降。關於該點以後將加以敍述。
<子像素驅動電路之電路構成>
於絕緣基板11上，與各子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B相對應地，分別設置有包含TFT12之子像素驅動電路。
圖5係表示驅動各子像素之子像素驅動電路之電路構成 之圖。
如圖5所示，上述子像素驅動電路包含控制用之電晶體Tr1、驅動用之電晶體Tr2、及電容器C。
電晶體Tr1之源極端子與源極線14S連接。電晶體Tr1之閘極端子與閘極線14G連接。電晶體Tr1之汲極端子與電晶體Tr2之閘極端子連接。
電晶體Tr2之汲極端子與電源配線14V連接。電晶體Tr2之源極端子與有機EL元件20連接。
電容器C設置於電晶體Tr2之汲極端子與電晶體Tr2之閘極端子之間。電容器C為電壓保持用之電容器。
於具有此種構成之子像素驅動電路中，於資料寫入時，藉由閘極線14G成為H(高)而電晶體Tr1導通。藉此，來自源極線14S之資料電壓信號寫入至電容器C中。繼而，藉由閘極線14G成為L(低)，而電晶體Tr1斷開。藉此，電容器C與源極線14S被遮斷，從而電容器C保持資料寫入時所寫入之資料電壓信號。
電晶體Tr2之電流藉由電容器C之兩端之電壓之大小而決定。因此，與資料電壓信號相應之電流被供給至有機EL元件。
再者，各子像素驅動電路之構成並不限定於上述者。例如，亦可追加用以補償電晶體Tr1、Tr2之特性差異或經年變化之電路等。伴隨此，有時設置閘極線14G、源極線14S、及電源配線14V以外之配線。
<蒸鍍裝置之概略構成>
圖6係表示本實施形態中所使用之蒸鍍裝置150之主要部分之概略構成之立體圖。
如圖6所示，蒸鍍裝置150包括配置於真空腔室600內之遮罩單元500。
遮罩單元500包含：蒸鍍用之遮罩102(蒸鍍遮罩)，蒸鍍源103，及配置於該等遮罩102與蒸鍍源103之間之限制板300。
該等遮罩102、蒸鍍源103、及限制板300例如使用同一托架等保持構件一體地形成，且彼此相對之位置被固定。
蒸鍍源103於與遮罩102及限制板300之間具有固定之空隙(即隔開固定距離)而對向配置。
蒸鍍源103加熱蒸鍍材料而使其蒸發(蒸鍍材料為液體材料之情形時)或昇華(蒸鍍材料為固體材料之情形時)，藉此產生氣體狀之蒸鍍粒子。
蒸鍍源103於與限制板300及遮罩102之對向面，具有射出蒸鍍粒子之射出口103a(貫通口)，使成為氣體之蒸鍍材料作為蒸鍍粒子而自射出口103a射出。
再者，圖6中列舉蒸鍍源103具有複數個射出口103a之情形為例而進行了圖示，但射出口103a之數未作特別限定，至少形成1個即可。
又，射出口103a如圖6所示以一維狀(即，線狀)排列即可，亦可以二維狀(即，面狀(磚狀))排列。
又，蒸鍍源103可具有包括被稱作坩堝之內部直接收容蒸鍍材料之加熱容器之構成。
或者，作為另一構成，上述蒸鍍源103亦可具有如下構成：包括加載互鎖(load lock)式之配管(未圖示)、及連接於該配管之蒸鍍粒子供給源(未圖示)，藉由對設置有射出口103a之噴嘴部供給蒸鍍粒子而自該射出口103a射出蒸鍍粒子出。
於遮罩102中，在所期望之位置且以所期望之形狀形成有開口部102a(貫通口)，僅通過了遮罩102之開口部102a之蒸鍍粒子到達被成膜基板200而形成蒸鍍膜。
藉此，僅於與開口部102a相對應之被成膜基板200之所期望之位置，將具有所期望之成膜圖案之有機膜作為蒸鍍膜而蒸鍍形成。
再者，圖6中，作為一例，列舉如下情形為例進行了圖示，即，於遮罩102上，將沿與掃描方向平行之方向延設之帶狀(條紋狀、狹縫狀)之開口部102a排列複數個而設置。
於在被成膜基板200上，如上述般在針對每個子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B形成蒸鍍膜圖案時，使用針對每個子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B形成有開口部102a之精細遮罩(fine mask)作為遮罩102。
另一方面，於在被成膜基板200中之顯示區域整個面形成蒸鍍膜圖案時，使用顯示區域整個面開口之開放遮罩(fine mask)。
作為於子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B形成成膜圖案之例，例如可列舉發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B。該情 形時，蒸鍍係針對每個發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B之顏色(即，針對R、G、B)來進行(將其稱作「分塗蒸鍍」)。
開口部102a於作為對被成膜基板200之蒸鍍膜之圖案形成，而進行TFT基板10中之發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B之分塗形成之情形時，根據該等發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B之同色行之尺寸與間距而形成。
例如，於進行顯示紅色之子像素2R(1)、2R(2)之發光層23R(1)、23R(2)之成膜之情形時，將僅使紅色之發光材料蒸鍍之區域開口之精細遮罩用作蒸鍍用之遮罩102而進行成膜。
又，作為於顯示區域整個面形成蒸鍍膜圖案之例，有電洞注入層兼電洞輸送層22(或者電洞注入層、電洞輸送層)、電子輸送層24、電子注入層25等。
於該情形時，將顯示區域整個面及僅必需成膜之區域開口之開放遮罩用作蒸鍍用之遮罩102而進行成膜。再者，對於第2電極26而言亦同樣。
然而，於將有機膜成膜於被成膜基板200之被成膜面200a之整個面之情形時，遮罩102並非為必需。
限制板300中形成有於上下方向上貫通之複數個開口部301(貫通口)。
自蒸鍍源103之射出口103a射出之蒸鍍粒子通過限制板300之開口部301及遮罩102之開口部102a而到達被成膜基板200。
自蒸鍍源103之射出口103a射出之蒸鍍粒子具有一定程度之擴展而呈放射狀射出。
然而，自蒸鍍源103之射出口103a射出之蒸鍍粒子通過限制板300之開口部301，藉此入射至被成膜基板200之蒸鍍粒子之角度被限制為固定之角度以下。
即，於使用限制板300進行掃描蒸鍍之情形時，具有比由限制板300限制之蒸鍍粒子之擴展角度更大之射出角度之蒸鍍粒子全部被限制板300所遮蔽。
再者，限制板300為了截斷傾斜成分之蒸鍍粒子，故不進行加熱，或藉由未圖示之熱交換器予以冷卻。因此，限制板300成為比蒸鍍源103之射出口103a低之溫度。
又，若要不使蒸鍍粒子不會向被成膜基板200之方向飛來時，必需將未圖示之檔閘(shutter)配置於限制板300與蒸鍍源103之間。
因此，就與被成膜基板200之被成膜面200a垂直之方向上之限制板300之位置而言，只要於遮罩102與蒸鍍源103之間將限制板300與蒸鍍源103隔開而設置即可，未作特別限定。限制板300例如可與遮罩102密接地設置。
限制板300之長邊之寬度例如形成為與遮罩102之長邊之寬度同程度之大小，限制板300之短邊之寬度例如形成為與遮罩102之短邊之寬度同程度之大小。
再者，圖6中，列舉於遮罩102與蒸鍍源103之間如上述般設置有限制板300之情形為例進行了圖示，但限制板300並非為必需。
又，圖6中列舉如下情形為例而顯示：蒸鍍源103配置於被成膜基板200之下方，被成膜基板200以其被成膜面200a朝向下方之狀態，使蒸鍍粒子自蒸鍍源103朝向上方射出從而蒸鍍(上方沈積(up deposition))於被成膜基板200上。
然而，上述蒸鍍方法並不限定於此，亦可將蒸鍍源103設置於被成膜基板200之上方，使蒸鍍粒子自蒸鍍源103朝向下方射出而蒸鍍(下方沈積(down deposition))於被成膜基板200上。
又，蒸鍍源103亦可例如具有朝向橫方向射出蒸鍍粒子之機構，於被成膜基板200之被成膜面200a側朝向蒸鍍源103側而在垂直方向上豎立之狀態下，使蒸鍍粒子向橫方向射出而蒸鍍(側面沈積(side deposition))於被成膜基板200上。
<有機EL顯示裝置1之製造方法>
圖7係按步驟順序表示有機EL顯示裝置1之製造步驟之流程圖。
如圖7所示，本實施形態之有機EL顯示裝置1之製造方法例如包括：TFT基板/第1電極製作步驟(S1)、電洞注入層/電洞輸送層蒸鍍構成(S2)、發光層蒸鍍步驟(S3)、電子輸送層蒸鍍步驟(S4)、電子注入層蒸鍍步驟(S5)、第2電極蒸鍍步驟(S6)，及密封步驟(S7)。
以下，依照圖7所示之流程圖且參照圖2及圖3對上述各步驟進行說明。
惟本實施形態記載之各構成要素之尺寸、材質、形狀等 僅為一實施形態，由此不應限定解釋本發明之範圍。
又，如上述般，本實施形態記載之積層順序為將第1電極21設為陽極、將第2電極26設為陰極者，反之，於將第1電極21設為陰極、將第2電極26設為陽極之情形時，有機EL層之積層順序顛倒。同樣地，構成第1電極21及第2電極26之材料亦顛倒。
首先，如圖3所示，利用公知之技術而於形成有TFT12以及配線14等之玻璃等之絕緣基板11上塗佈感光性樹脂，藉由光微影技術進行圖案化，藉此於絕緣基板11上形成層間絕緣膜13。
作為絕緣基板11，例如使用厚度為0.7~1.1 mm、y軸方向之長度(縱長)為400~500 mm、x軸方向之長度(橫長)為300~400 mm之玻璃基板或者塑膠基板。再者，本實施形態中使用玻璃基板。
作為層間絕緣膜13，例如可使用丙烯酸系樹脂或聚醯亞胺樹脂等。作為丙烯酸系樹脂，例如可列舉JSR股份有限公司製造之Optomer series。又，作為聚醯亞胺樹脂，例如可列舉Toray股份有限公司製造之Photoneece series。其中，聚醯亞胺樹脂一般不透明，而為有色。因此，如圖3所示，於製造作為有機EL顯示裝置1之底部發光型之有機EL顯示裝置之情形時，更適合使用丙烯酸系樹脂等透明性樹脂來作為層間絕緣膜13。
作為層間絕緣膜13之膜厚，只要可補償TFT12之階差即可，未作特別限定。本實施形態中，例如約為2 μm。
其次，於層間絕緣膜13，形成用以將第1電極21與TFT12電性連接之接觸孔13a。
其次，作為導電膜(電極膜)，例如藉由濺鍍法等將ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)膜以100 nm之厚度成膜。
其次，於上述ITO膜上塗佈光阻劑，使用光微影技術進行圖案化後，將氯化鐵作為蝕刻液而對上述ITO膜進行蝕刻。其後，使用光阻劑剝離液將光阻劑剝離，進而進行基板清洗。藉此，於層間絕緣膜13上矩陣狀地形成第1電極21。
再者，作為第1電極21中使用之導電膜材料，例如可使用ITO、IZO(Indium Zinc Oxide：氧化銦鋅)、添加鎵之氧化鋅(GZO)等透明導電材料，金(Au)、鎳(Ni)、鉑(Pt)等金屬材料。
又，作為上述導電膜之積層方法，除濺鍍法以外，亦可使用真空蒸鍍法、CVD(chemical vapor deposition(化學氣相蒸鍍))法、電漿CVD法、印刷法等。
作為第1電極21之厚度，未作特別限定，如上述般例如可設為100 nm之厚度。
其次，與層間絕緣膜13同樣地，將邊緣蓋15以例如約1 μm之膜厚圖案化形成。作為邊緣蓋15之材料，可使用與層間絕緣膜13相同之絕緣材料。
藉由以上之步驟，製作TFT基板10及第1電極21(S1)。
其次，對經過如上述般之步驟之TFT基板10，實施用於脫水之減壓烘烤及作為第1電極21之表面清洗之氧電漿處 理。
其次，使用先前之蒸鍍裝置，於TFT基板10上，將電洞注入層及電洞輸送層(本實施形態中為電洞注入層兼電洞輸送層22)蒸鍍於TFT基板10中之顯示區域整個面(S2)。
具體而言，將顯示區域整個面開口之開放遮罩，於對TFT基板10進行對準調整後密接地貼合，一邊使TFT基板10與開放遮罩一併旋轉，一邊將自蒸鍍源飛散之蒸鍍粒子通過開放遮罩之開口部而於顯示區域整個面均一地蒸鍍。
此處所謂對顯示區域整個面之蒸鍍，係指跨及鄰接之顏色不同之子像素間而不間斷地蒸鍍之含義。
所謂電洞注入層與電洞輸送層，可如上述般一體化，亦可作為獨立層形成。作為各自之膜厚，例如為10~100 nm。
作為電洞注入層、電洞輸送層、或者電洞注入層兼電洞輸送層22之材料，例如可列舉蒽、氮雜聯伸三苯、茀酮、腙、茋、聯伸三苯、苯炔、苯乙烯基胺、三苯基胺、卟啉、三唑、咪唑、噁二唑、噁唑、聚芳基烷烴、苯二胺、芳基胺、及該等之衍生物、噻吩系化合物、聚矽烷系化合物、乙烯咔唑系化合物、苯胺系化合物等鏈狀式或者環式共軛系之單體、寡聚物、或聚合物等。
本實施形態中，作為電洞注入層及電洞輸送層，設置有電洞注入層兼電洞輸送層22，作為電洞注入層兼電洞輸送層22之材料，而使用4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(α-NPD)。又，電洞注入層兼電洞輸送層22之膜厚設為30 nm。
其次，於上述電洞注入層兼電洞輸送層22上，以覆蓋邊緣蓋15之露出部15R(1)、15G、15R(2)、15B之方式，與子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B相對應地分別分塗形成(圖案形成)發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B(S3)(S3)。
如上述般，於發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B中，使用低分子螢光色素、金屬錯合物等電流效率高之材料。例如可列舉蒽、萘、茚、菲、芘、稠四苯、聯伸三苯、蒽、苝、苉、、乙烯合菲、戊芬、稠五苯、蔻、丁二烯、香豆素、吖啶、茋、及該等之衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁錯合物、雙(苯并羥基喹啉)鈹錯合物、三(二苯甲醯基甲基)啡啉銪錯合物、二甲苯甲醯基乙烯基聯苯等。
作為發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B之膜厚，例如為10~100 nm。
對於使用了本實施形態中之蒸鍍方法以及蒸鍍裝置之發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B之分塗形成，將於以後進行詳述。
其次，藉由與上述電洞注入層．電洞輸送層蒸鍍步驟(S2)相同之方法，將電子輸送層24以覆蓋上述電洞注入層兼電洞輸送層22及發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B之方式，蒸鍍於上述TFT基板10中之顯示區域整個面(S4)。
繼而，藉由與上述電洞注入層．電洞輸送層蒸鍍步驟(S2)相同之方法，將電子注入層25以覆蓋上述電子輸送層24之方式，蒸鍍於上述TFT基板10中之顯示區域整個面(S5)。
作為電子輸送層24及電子注入層25之材料，例如可列舉三(8-羥基喹啉)鋁錯合物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯基喹噁啉衍生物、矽雜環戊二烯衍生物等。
具體而言，可列舉Alq(三(8-羥基喹啉)鋁)、蒽、萘、菲、芘、蒽、苝、丁二烯、香豆素、吖啶、茋、1,10-啡啉、及該等之衍生物或金屬錯合物、LiF等。
如上述般電子輸送層24與電子注入層25即便一體化亦可作為獨立層而形成。作為各自之膜厚，例如為1~100 nm。又，電子輸送層24及電子注入層25之合計膜厚例如為20~200 nm。
本實施形態中，於電子輸送層24之材料中使用Alq，於電子注入層25之材料中使用LiF。又，電子輸送層24之膜厚設為30 nm，電子注入層25之膜厚設為1 nm。
其次，藉由與上述電洞注入層．電洞輸送層蒸鍍步驟(S2)相同之方法，將第2電極26以覆蓋上述電子注入層25之方式，蒸鍍於上述TFT基板10中之顯示區域整個面(S6)。
作為第2電極26之材料(電極材料)，適合使用功函數小之金屬等。作為此種電極材料，例如可列舉鎂合金(MgAg等)、鋁合金(AlLi、AlCa、AlMg等)、金屬鈣等。第2電極26之厚度例如為50~100 nm。
本實施形態中，將鋁以50 nm之膜厚形成而作為第2電極26。藉此，於TFT基板10上，形成包含上述有機EL層、第1電極21、及第2電極26之有機EL元件20。
其次，將形成有有機EL元件20之TFT基板10與密封基板 40藉由接著層30而貼合，進行有機EL元件20之封入。
作為密封基板40，例如使用厚度為0.4~1.1 mm之玻璃基板或者塑膠基板等絕緣基板。再者，本實施形態中，使用玻璃基板。
再者，密封基板40之縱長及橫長可藉由目標有機EL顯示裝置1之尺寸適當調整，使用與TFT基板10中之絕緣基板11大致相同尺寸之絕緣基板而密封有機EL元件20後，根據目標有機EL顯示裝置1之尺寸進行分斷即可。
再者，作為有機EL元件20之密封方法，並不限定於上述方法。作為其他密封方式，例如可列舉：將刻蝕玻璃用作密封基板40，藉由密封樹脂或玻璃料等以框狀進行密封之方法，或於TFT基板10與密封基板40之間填充樹脂之方法等。有機EL顯示裝置1之製造方法不依存於上述密封方法，而可適用所有密封方法。
又，亦可於第2電極26上，以覆蓋該第2電極26之方式設置阻止氧或水分自外部侵入有機EL元件20內之未圖示之保護膜。
上述保護膜由絕緣性或導電性之材料形成。作為此種材料，例如可列舉氮化矽或氧化矽。又，上述保護膜之厚度例如為100~1000 nm。
藉由上述之步驟，完成有機EL顯示裝置1。
於此種有機EL顯示裝置1中，若藉由來自配線14之信號輸入使TFT12導通(使電晶體Tr1導通而決定電容器C之電壓後使Tr2導通)，則自第1電極21向有機EL層注入電洞。另 一方面，自第2電極26向有機EL層注入電子，電洞與電子於發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B內重新結合。重新結合之電洞及電子於能量失活時，作為光而出射。
有機EL顯示裝置1中，藉由控制各子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B之發光亮度，顯示特定之圖像。
<發光層之分塗方法>
以下，對使用蒸鍍裝置150進行發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B之分塗形成之方法進行具體說明。
圖8係表示使用圖7所示之蒸鍍裝置150，並使用作為被成膜基板200之TFT基板10，而於該被成膜基板200上成膜特定之圖案之方法之一例之流程圖。
首先，如圖6所示，將蒸鍍源103、遮罩102(精細遮罩)、限制板300、被成膜基板200分別放入真空腔室600內，進行該等蒸鍍源103、遮罩102、限制板300、被成膜基板200之對準(S11)。
再者，對準中可使用遮罩托架等之托架或對準標記等常用之機構以及方法，其順序亦未作特別限定。
遮罩102及限制板300以限制板300位於蒸鍍源103與遮罩102之間之方式，分別設置(固定)於蒸鍍源103上。
遮罩102、限制板300、蒸鍍源103以其相對位置固定之方式，例如作為遮罩單元500而使用。
該等遮罩單元500及被成膜基板200分別藉由未圖示之遮罩單元保持構件、被成膜基板保持構件等保持。
再者，上述對準中，蒸鍍源103與遮罩102於將該等蒸鍍 源103與遮罩102之間之距離保持為固定之同時，以基板掃描方向與形成於遮罩102之條紋狀之開口部102a之長軸方向一致之方式位置對準。
又，被成膜基板200使該被成膜基板200之同色子像素行之方向與基板掃描方向一致之方式位置對準，並且以被成膜基板200與遮罩102之間之間隙(基板-遮罩間隙)為固定之方式調整間隙。
其次，一邊對上述被成膜基板200及遮罩單元500之至少一者進行掃描，一邊使例如藍色之發光層23B之材料蒸鍍於作為被成膜基板200之TFT基板10上(S12)。
此時，以被成膜基板200通過遮罩102上之方式進行基板掃描。
發光層23B係藉由於其材料中使用3-苯基-4-(1'-萘基)-5-苯基-1,2,4-三唑(TAZ)(主材料)，及2-(4'-第三丁基苯基)-5-(4"-聯苯基)-1,3,4-噁二唑(t-Bu PBD)(藍色發光摻雜劑)，藉由將各自之蒸鍍速度設為5.0 nm/s、0.67 nm/s，並使該等材料(藍色有機材料)共蒸鍍而形成。
自蒸鍍源103射出之藍色有機材料之蒸鍍粒子於被成膜基板200通過遮罩102上時，通過遮罩102之開口部102a，而蒸鍍於與遮罩102之開口部102a對向之位置。
藉此，被成膜基板200中，自其移動方向之一端部至另一端部形成有條紋狀之蒸鍍膜。
再者，就此時之遮罩102而言，使用與成膜於被成膜基板200之蒸鍍膜之圖案相應地形成有開口部102a之精細遮 罩。即，此處，使用於與發光層23B相當之位置具有開口部102a之精細遮罩。
發光層之膜厚可藉由來回掃描(即，被成膜基板200之來回移動)以及掃描速度而調整。
本實施形態中，於在圖6所示一方向上掃描被成膜基板200後，使該被成膜基板200之掃描方向反轉，而使用與朝向先前之一方向之蒸鍍相同之方法，於利用朝向先前之一方向之蒸鍍形成之包含上述藍色有機材料之蒸鍍膜上，進而蒸鍍上述藍色有機材料。藉此，形成膜厚50nm之發光層23B。
其後，自真空腔室600中取出形成有發光層23B之被成膜基板200(S13)。
其次，使用紅色之發光層23R(1)、23R(2)形成用之遮罩單元500以及真空腔室600，於形成有上述發光層23B之被成膜基板200，與上述發光層23B之成膜處理同樣地成膜紅色之發光層23R(1)、23R(2)。
再者，發光層23R(1)、23R(2)之成膜處理中，作為遮罩102，準備於與該等發光層23R(1)、23R(2)相當之位置具有開口部102a之精細遮罩。
而且，將上述遮罩102設置於發光層23R(1)、23R(2)形成用之真空腔室600，以遮罩102之開口部102a與各子像素2R(1)、2R(2)行一致之方式進行對準，並進行蒸鍍。
發光層23R(1)、23R(2)係於其材料中使用TAZ(主材料)、及雙(2-(2'-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3')銥(乙醯丙 酮酸鹽)(btp2Ir(acac))(紅色發光摻雜劑)，將各自之蒸鍍速度設為5.0 nm/s、0.53 nm/s，並使該等材料(紅色有機材料)共蒸鍍而形成。
再者，上述發光層23R(1)、23R(2)之膜厚分別設為50 nm。
其後，自真空腔室600中取出形成有發光層23R(1)、23R(2)之被成膜基板200。
又，於如此形成發光層23R(1)、23R(2)後，使用綠色之發光層23G形成用之遮罩單元500以及真空腔室600，與發光層23B、23R(1)、23R(2)之成膜處理同樣地，成膜綠色之發光層23G。
再者，於發光層23G之成膜處理中，作為遮罩102，而準備於與發光層23G相當之位置具有開口部102a之精細遮罩。
而且，將上述遮罩102設置於發光層23G形成用之各真空腔室600，以遮罩102之開口部102a與各子像素2G行一致之方式對準，並進行蒸鍍。
上述發光層23G係藉由於其材料中使用(TAZ)(主材料)、及Ir(ppy)3(綠色發光摻雜劑)，將各自之蒸鍍速度設為5.0 nm/s、0.67 nm/s，並使該等材料(綠色有機材料)共蒸鍍而形成。
再者，上述發光層23G之膜厚分別設為50 nm。
藉由以上之步驟，獲得圖案形成有發光層2R(1)、2G、2R(2)、2B之TFT基板10。
<子像素排列與混色之關係>
其次，根據TFT基板10中之各發光層2R(1)、2G、2R(2)、2B之蒸鍍膜圖案之位置偏移與混色之關係，說明本實施形態之有機EL顯示裝置1中之子像素排列之效果。
如圖1~圖3所示，有機EL顯示裝置1中，於綠(G)色之子像素行與藍(B)色之子像素行之間一直配置有紅(R)色之子像素行。
該理由為以下所示。
各色之子像素如上述般電流效率彼此不同，一般而言，按照G、R、B之順序由大至小(G為最高)。
如上述般，於針對各G、R、B之子像素分塗之蒸鍍膜之圖案，尤其發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B之圖案中發生位置偏移之情形時，若該位置偏移超出容許範圍，則應形成於相鄰之2個子像素(以下，為方便說明而記作子像素(P1)、(P2))中之一子像素(P1)之區域中的發光層會侵入另一子像素(P2)之發光區域。
此時，當被侵入之側之子像素(P2)之發光區域中之發光層之顏色與侵入之子像素(P1)中之發光層之顏色不同時，子像素(P2)之發光區域中會受到子像素(P1)之發光層之顏色之影響。即，發生相鄰之子像素(P1)、(P2)之顏色混合之所謂混色之現象。
混色之影響依存於混色之顏色之發光層彼此之電流效率之差。
此處，假定被侵入之側之子像素(P2)之發光層之電流效 率相比於侵入之側之子像素(P1)之發光層之電流效率相對較低。
於該情形時，若藉由發光層之位置偏移，而子像素(P1)之發光層侵入並重疊於子像素(P2)之發光區域，則即便為少量侵入，放射之光度(光之強度)亦會增大。
即，各色之發光層間之電流效率差越大，則混色之影響越大。
<電流效率差與混色之影響之關係>
以下，利用計算式對電流效率差與混色之影響之關係進行說明。
此處，將侵入至上述子像素(P2)之子像素(P1)之發光層之比例設為k。再者，此處，k等於子像素(P2)中發光層重疊之區域(重疊區域)相對於子像素(P2)之發光區域之面積比。
又，將藉由子像素(P2)中發光層重疊而總膜厚增加從而電阻增加之比例設為N倍。
此時，某電流值中，若將無混色(未侵入)之狀態下之上述子像素(P2)中之發光層之電阻設為Rx，則產生混色時之上述子像素(P2)中之發光層之總電阻會被視作電阻值「Rx/(1-k)」之電阻與電阻值「N×Rx/k」之電阻之並列電路。
於有機EL元件20以定電流密度i受到驅動時，重疊區域中之電流密度is與非重疊區域中之電流密度im分別由(式1)、(式2)表示。
此處，若設為k=0.1，N=5，則is=1/46×i，im=45/46×i。即，以該比例將電流分配於重疊區域與非重疊區域。
其次，將重疊區域中流動之電流有助於子像素(P2)之發光區域中之發光之比例設為ξ。
即，與比例ξ相當之量之電流被轉換為本來應發光之子像素(P2)之顏色之輸出光。
然而，與比例(1-ξ)相當之量之電流被轉換為與子像素(P2)鄰接之子像素(P1)之顏色之輸出光。
因此，於將子像素(P2)之發光層之電流效率設為η，將侵入至子像素(P2)之相鄰之子像素(P1)之發光層之電流效率設為ηx時，子像素(P2)之發光色之發光亮度E、與相鄰之子像素(P1)之發光色之發光亮度Ex分別由(式3)、(式4)表示。
若使用上述之k與N之值，設為ξ=0.5，則表示為 E=91/92×η×i，Ex=1/92×ηx×i。
此處，於子像素(P1)之發光層未侵入子像素(P2)之狀態下，因E=η×i，Ex=0，故於子像素(P2)中，本來之發光亮度降低至91/92，另一方面，1/92×ηx×i之量之子像素(P1)之顏色出現混合。
根據(式4)可知，ηx及i越大，則混色之影響(Ex之值)越強。ηx最大者為電流效率最大之發光層，i增大者為電流效率最小之發光層。即，當於形成最小電流效率之發光層之子像素之發光區域中侵入最大電流效率之發光層時，混色之影響最強。
再者，本實施形態以及後述各實施形態中，只要「電流效率」未作特別提及，則表示於在各色之發光區域之發光層中產生同一亮度之光時之電流效率。
於作為子像素，而如本實施形態般由G、R、B之3色之子像素構成1像素之情形時，G之子像素相比於B之子像素，電流效率(cd/A)，即，每單位電流之發光亮度非常大。
即，同一電流量中G之子像素相比於B之子像素，發光亮度高(發出強光)。
因此，當於B之子像素之發光區域中侵入G之子像素之發光層時，即便假如發生混色之區域之面積小，因G之子像素之發光比B之子像素強，故於發生混色之區域中，輸出與B大不同之顏色。其結果，混色表現得明顯。
此種混色之發生會導致有機EL顯示裝置之顯示品質之降 低。
因此，本實施形態中，於先前構成中相鄰之子像素2G與子像素2B之間，如圖1~圖3所示配置子像素2R(2)，各像素2中，將各色之子像素按照子像素2R(1)/子像素2G/子像素2R(2)/子像素2B之順序一維狀地排列。
即，本實施形態中，於列方向上按照紅(R)/綠(G)/紅(R)/藍(B)之順序排列子像素。
根據本實施形態，藉由如上述般排列各色之子像素，即便相鄰之2個子像素(P1)、(P2)中之一子像素(P1)之發光層侵入另一子像素(P2)之發光區域，亦比先前更能夠抑制發光層之位置偏移而引起之畫質之下降。
<發生蒸鍍圖案之位置偏移時之各子像素中之光之行為>
其次，對如上述般排列各子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B時發生蒸鍍圖案之位置偏移之情形時的各子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B中之光之行為進行具體說明。
圖9之(a)~(h)係使用TFT基板10之主要部分之構成，模式性地表示有機EL顯示裝置1之像素2的各子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B中之相鄰之一子像素之發光層侵入另一子像素之發光區域之圖案的圖。
此處，如圖9之(a)~(h)所示，設想於各色之發光層發生位置偏移，而相鄰之2個子像素中之一子像素之發光層侵入另一子像素中之發光區域之狀況。
於該情形時，設想圖9之(a)~(h)所示之8個侵入圖案(圖案(1)~(8))。
圖案(1)：如圖9之(a)所示，於露出部15R(1)中之子像素2R(1)之發光區域內，於形成子像素2R(1)之發光層23R(1)後，侵入子像素2G之發光層23G之圖案。
圖案(2)：如圖9之(b)所示，於露出部15R(1)中之子像素2R(1)之發光區域內，於形成子像素2R(1)之發光層23R(1)前，侵入子像素2G之發光層23G之圖案。
圖案(3)：如圖9之(c)所示，於露出部15G中之子像素2G之發光區域內，於形成子像素2G之發光層23G前，侵入子像素2R(1)之發光層23R(1)之圖案。
圖案(4)：如圖9之(d)所示，於露出部15G中之子像素2G之發光區域內，於形成子像素2B之發光層23B後，侵入子像素2R(2)之發光層23R(2)之圖案。
圖案(5)：如圖9之(e)所示，於露出部15B中之子像素2B之發光區域內，於形成子像素2B之發光層23B後，侵入子像素2R(2)之發光層23R(2)之圖案。
圖案(6)：如圖9之(f)所示，於露出部15B中之子像素2B之發光區域內，於形成子像素2G之發光層23G前，侵入子像素2R(2)之發光層23R(2)之圖案。
圖案(7)：如圖9之(g)所示，於露出部15R(1)中之子像素2R(2)之發光區域內，於形成子像素2R(2)之發光層23R(2)前，侵入子像素2B之發光層23B之圖案。
圖案(8)：如圖9之(h)所示，於露出部15R(2)中之子像素2R(2)之發光區域內，於形成子像素2R(2)之發光層23R(2)後，侵入子像素2B之發光層23B之圖案。
於圖9之(a)所示之圖案(1)之情形時，於子像素2R(1)之發光區域內，發生於R色之光(R光)中混合G色之光(G光)之混色。
然而，發光層23R(1)與發光層23G之電流效率之差比發光層23B與發光層23G之電流效率之差小。換言之，於在發光層23R(1)與發光層23B中產生同一亮度之光之情形時，比起發光層23B，發光層23R(1)之電流效率較高，且必要之電流較小。
若電流小，則G光之發光亮度亦減小。因此，相比於在子像素2B之發光區域內侵入子像素2G之發光層23G之情形，混色之影響減小。
圖9之(b)所示之圖案(2)之情形亦與圖案(1)相同。
於圖9之(c)所示之圖案(3)之情形時，於子像素2G之發光區域內，發生於G光中混合R光之混色。
然而，發光層23R(1)與發光層23G之電流效率之差比發光層23B與發光層23G之電流效率之差小。換言之，於在發光層23R(1)與發光層23B中產生同一亮度之光之情形時，比起發光層23B，發光層2R(1)之電流效率較高，且必要之電流較小。
因此，相比於在子像素2G之發光區域內侵入子像素2B之發光層23B之情形，侵入發光層23R(1)之情形時混色之影響較大。然而，因發光層23G之電流效率最大，故發光層23G中必要之電流最小。若電流小，則R光之發光亮度亦減小。
因此，即便於子像素2G之發光區域內侵入子像素2R之發光層23R(1)，混色之影響亦不易成為重大之問題。
圖9之(d)所示之圖案(4)之情形亦與圖案(3)相同。
於圖9之(e)所示之圖案(5)之情形時，於子像素2B之發光區域內，發生於B色之光(B光)中混合R光之混色。
然而，發光層23R(2)與發光層23B之電流效率之差比發光層23G與發光層23B之電流效率之差小。換言之，發光層23R(2)之電流效率比發光層23G之電流效率小。
因此，相比於在子像素2B之發光區域內侵入子像素2G之發光層23G之情形，混色之影響減小。
圖9之(f)所示之圖案(6)之情形亦與圖案(5)相同。
於圖9之(g)所示之圖案(7)之情形時，於子像素2R(2)之發光區域內，發生於R光中混合B光之混色。
然而，發光層23B與發光層23R(2)之電流效率之差比發光層23G與發光層23R(2)之電流效率之差小。換言之，發光層23B之電流效率比發光層23G之電流效率小。
因此，相比於在子像素2R(2)之發光區域內侵入子像素2G之發光層23G之情形，混色之影響減小。
圖9之(h)所示之圖案(8)之情形亦與圖案(7)相同。
於任一情形時，於具有最大電流效率之顏色之發光層(發光層23G)與具有最小電流效率之顏色之發光層(發光層23B)中，相比於在具有最小電流效率之顏色之發光層之發光區域中侵入具有最大電流效率之顏色之發光層之圖案，可減小混色之影響。
以上，若進行總結則為：(I)於侵入之側之子像素(P1)之發光層之電流效率比被侵入之側之子像素(P2)之發光層之電流效率高之情形時(P1之發光層之電流效率>P2之發光層之電流效率)，相比於在B之發光區域侵入發光層23G之情形，混色之影響減小。
又，(II)於被侵入之側之子像素(P2)之發光層之電流效率比侵入之側之子像素(P1)之發光層之電流效率高之情形時(P2之發光層之電流效率>P1之發光層之電流效率)，因被侵入之側之子像素(P2)中流動之電流小即可，故侵入之側之子像素(P1)之發光層之發光色之發光亮度減小。因此，混色之影響不易成為重大之問題。
根據本實施形態，如上述般，於複數個顏色之發光層中產生同一亮度時，在電流效率最大之顏色之發光層與電流效率最小之顏色之發光層之間，一直插入具有兩電流效率之中間之大小之電流效率之顏色的發光層。
因此，並無上述電流效率最大之顏色之發光層之發光色與上述電流效率最小之顏色之發光層之發光色混色之擔心。
藉此，藉由設為上述子像素排列，而於最終獲得之有機EL顯示裝置1中，即便因發光層之位置偏移而產生混色，相比於電流效率最大之顏色之發光層與電流效率最小之顏色之發光層混色之情形，可減小混色之影響。
例如，於如先前般G之子像素與B之子像素鄰接排列之情形時，比起G光與B光混色之情形，可減小混色之影 響，可抑制由此引起的畫質降低。
因此，根據本實施形態，無需擴大子像素間之非發光區域，便可減小上述混色之影響。其結果，可提高有機EL顯示裝置1之可靠性及顯示品質。
<子像素排列之變形例>
再者，本實施形態中，已如上述般對如下情形進行了說明，即，用以進行彩色顯示之最小構成單位之像素包含由RGB之3原色構成之3色之子像素，一個像素中之各色之子像素之排列，換言之，TFT基板10之1像素區域中之各子像素區域之發光層之發光色之排列順序設為R/G/R/B。
然而，上述排列可根據電流效率之順序適當配置，發光色之排列並不限定於上述排列。
圖10係模式性地表示包含蒸鍍膜之電流效率不同之N(N為3以上之整數)種子像素之像素於一維方向(即，一方向)上排列之例之圖。
再者，相鄰之2個子像素設為，包含具有最大電流效率之顏色之發光層(蒸鍍膜)之子像素、與包含具有最小電流效率之顏色之發光層(蒸鍍膜)之子像素之組合以外之組合的子像素。
圖10中，對各色之子像素，按照發光層之電流效率之大小依序標上「1」至「N」之編號。
先前，作為相鄰之2個子像素之組合，包含具有最大電流效率之蒸鍍膜之子像素與包含具有最小電流效率之蒸鍍膜之子像素相鄰接。
與此相對，本實施形態中，於包含具有最大電流效率之顏色之發光層之子像素(圖10中，「1」之子像素)、與包含具有最小電流效率之顏色之發光層之子像素(圖10中，「N」之子像素)之間，配置發光層之電流效率之大小順序為第「K(K=2~(N-1)為止之任一整數)」個子像素(包含具有最大或最小電流效率之顏色之發光層之子像素以外之子像素)。即，自左起按照(N-1)、(N-2)、...、2、1、2、...(N-1)、N之順序配置子像素。
藉此，於著眼於配置在相鄰之位置之2個子像素之情形時，即便一子像素之發光層侵入至另一子像素之發光區域，亦比先前構成更能夠抑制由該侵入引起之混色之程度(顏色之變化之程度)。其結果，與先前構成相比，能夠抑制畫質之下降。
再者，一般而言，如上述般，G色之發光層之電流效率最高，B色之發光層之電流效率最低。
然而，如上述般，發光層由低分子螢光色素等螢光色素或金屬錯合物等電流效率高之材料形成，藉由對主材料或發光摻雜劑等材料加以適當變更、組合，而改變電流效率。
因此，例如，若發光層之電流效率按照[G]→[B]→[R]之順序減小，則可將上述子像素排列設為[B]/[G]/[B]/[R]之發光層順序。
再者，此處，作為表示電流效率之大小之順序或者排列之順序而使用之[R]、[G]、[B]之表述，分別簡化表示R色 之發光層、G色之發光層、B色之發光層。再者，以下之說明及後述之實施形態均為相同之表述。
又，一個像素中之子像素之顏色數並不限於如圖10所示之3色，亦可為4色以上。此時，鄰接之子像素之發光層彼此之電流效率差為最小即可。
具體而言，於排列子像素時，與某子像素鄰接之子像素可選擇電流效率之順序中為相鄰之發光層。例如，考慮由在上述之R、G、B中添加Y(黃色)之4色子像素形成一個像素之情形。
再者，以下，將Y色之發光層與[R]、[G]、[B]同樣地簡記作[Y]。
此時，於R、G、B、Y之各色之子像素中之各發光層之電流效率之大小按照[G]→[Y]→[R]→[B]之顏色順序減小(即，G色之發光層之電流效率>Y色之發光層之電流效率>R色之發光層之電流效率>B色之發光層之電流效率)之情形時，將各色之子像素之排列設為[R]/[Y]/[G]/[Y]/[R]/[B]之發光層順序，可將該[R]/[Y]/[G]/[Y]/[R]/[B]之6個子像素設為構成一個像素之最小構成單位(1單位)。
於該情形時，與Y色之子像素(Y子像素)相鄰之子像素為R色之子像素(R子像素)及G色之子像素(G子像素)，該等R子像素及G子像素按照電流效率之大小順序與Y子像素相鄰。
即，根據如上述般各色之發光層之發光區域於一維方向上排列，並且以相鄰之發光區域中之發光層間之電流效率 之差為最小之方式排列各子像素之制約，於由M色之子像素構成1像素之情形時，1像素最小可由(M-1)×2個之子像素形成。
於該情形時，包含具有最大及最小電流效率之發光層之子像素分別各設置一個。又，包含具有其以外之電流效率之發光層之子像素分別各設置2個。
<驅動方式之變形例>
本實施形態中，如上述般，列舉如下情形為例進行了說明：與各子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B對應地，分別設置包含TFT12之子像素驅動電路。
然而，本實施形態並不限定於此。即，子像素2R(1)、2R(2)可如上述般藉由於各子像素2R(1)、2R(2)中分別設置TFT12而個別地驅動，亦可利用一個TFT12同時驅動2個子像素2R(1)、2R(2)。
於如上述般個別地驅動2個子像素2R(1)、2R(2)之情形時，可僅將R子像素之圖1~3中之橫方向(即，行方向)之顯示精細度設為2倍。
[實施形態2]
關於本實施形態，若主要根據圖11~圖15進行說明，則為以下所示。
再者，本實施形態中，主要就與上述實施形態1之不同點進行說明，對與實施形態1中使用之構成要素具有相同功能之構成要素附上相同符號，並省略其說明。
<概要>
圖11係模式性地表示本實施形態之子像素排列之一例之圖。圖11表示由3色之子像素構成一個像素2之情形時之子像素之配置例。
再者，圖11中，實線表示構成一個像素2(圖11中，由一點鏈線表示)之子像素，構成該像素2之附近之像素之一部分之子像素由虛線表示。
本實施形態中，構成1像素之子像素之排列態樣與實施形態1不同。
即，上述實施形態1中，設為構成1像素之子像素於一維方向上排列之構成。
與此相對，本實施形態中，例如圖11所示，構成各像素2即1像素之各色之子像素於二維方向上，即二維狀(矩陣狀、磚狀)地排列。
再者，對於上述各色之子像素之排列將於以後進行詳述。
<蒸鍍方式>
此處，如圖11所示，對將子像素二維排列而構成1像素之情形時之蒸鍍方式進行說明。
圖12係模式性地表示本實施形態中所使用之蒸鍍方式之一例之圖。
如圖12所示，本實施形態中，與上述實施形態1不同，作為於各子像素中圖案形成蒸鍍膜之方法，使用將蒸鍍用之遮罩303一邊密接固定於被成膜基板200上一邊進行蒸鍍之方法。
具體而言，使被成膜基板200與蒸鍍源302對向配置，為了使目標蒸鍍區域以外之區域不會附著蒸鍍粒子，而於遮罩303上設置與所期望之蒸鍍膜圖案相對應之開口部304。藉此，經由該開口部304而使蒸鍍粒子蒸鍍於被成膜基板200上，從而進行圖案形成。
被成膜基板200配置於未圖示之真空腔室內，於被成膜基板200之下方配置有蒸鍍源302。遮罩303密接固定於被成膜基板200而使用。
再者，遮罩303中使用例如與被成膜基板200同等以上之大小之遮罩303。或者，亦可使用比被成膜基板200小之遮罩303，藉由將防著板配置在無需蒸鍍之非蒸鍍區域，而將向遮罩303外飛散之蒸鍍粒子利用防著板(遮蔽板)等適當除去。
蒸鍍源302可為固定，或者於蒸鍍動作中亦可動。又，於蒸鍍源302可動之情形時，可使用例如圖6所示之蒸鍍源103般之帶狀之線型蒸鍍源作為蒸鍍源302，一邊使該蒸鍍源302與被成膜基板200相對移動一邊進行蒸鍍。或者，亦可使用具有與被成膜基板200同等之大小之面型蒸鍍源作為蒸鍍源302，一次性蒸鍍於被成膜基板200之被成膜面整個面。
又，可構成為被成膜基板200與遮罩303一體地進行旋轉等移動。
再者，本實施形態中，除使用上述蒸鍍方式，藉由與圖11所示實施形態1不同之蒸鍍膜圖案形成蒸鍍膜外，藉由 與實施形態1相同之步驟製造有機EL顯示裝置1。
<子像素排列>
其次，對本實施形態中之子像素排列進行說明。
本實施形態中，如上述般，將複數個子像素二維排列而構成1像素。
本實施形態中之1像素之子像素排列如圖11所示，為與實施形態1相同之[R]/[G]/[R]/[B]之發光層順序。然而，本實施形態中，如上述般，與實施形態1不同，而呈磚狀排列(即，二維排列)。
於列方向上配置[R]/[B]之排列、與[G]/[R]之排列此2列子像素。又，於行方向上亦同樣地配置[B]/[R]之排列、與[R]/[G]之排列此2行子像素。藉此，各像素2內，以順時針或逆時針順序並按照[R]/[G]/[R]/[B]之順序，排列各色之發光層，即各色之子像素。
藉此，於[G]之四方及[B]之四方一直配置有[R]。
再者，於如此將各色之子像素或發光層以磚狀排列之情形時，無法如實施形態1中所使用般使用比被成膜基板200小之蒸鍍用之遮罩102一邊進行掃描一邊進行蒸鍍之掃描蒸鍍法。
因此，如圖12所示，使遮罩303密接於被成膜基板200而進行蒸鍍。
再者，本實施形態中，亦與實施形態1同樣地，作為一例，例如於形成B之發光層(發光層23B)後，按照R之發光層(發光層23R(1)、23R(2))、G之發光層(發光層23G)之順 序形成發光層。
再者，本實施形態中，電流效率之順序亦與實施之例1同樣地按照[G]→[R]→[B]之順序減小。
再者，本實施形態中，在列方向、行方向上G之子像素與B之子像素均不鄰接。
因此，本實施形態中亦可獲得與上述實施形態1相同之效果。其中，本實施形態中，如圖11所示，G之子像素與B之子像素之間之隔開距離D成為斜方向之像素間距。
上述實施形態1中，G之子像素(子像素2G)與B之子像素(子像素2B)隔著R之子像素(子像素2R(2))而僅於一維方向上排列。
因此，G之子像素與B之子像素隔開「R之發光區域之寬度+非發光區域之寬度」。
更具體而言，G之發光層23G與B之發光區域如圖1所示，隔開「R之發光區域之寬度15R(2)+非發光區域15r(2)之寬度×2+非發光區域15b之寬度」。又，B之發光層23B與G之發光區域如圖1所示，隔開「R之發光區域之寬度15R(2)+非發光區域15r(2)之寬度×2+非發光區域15g之寬度」。
進而，G之發光區域與B之發光區域如圖1所示，隔開「R之發光區域之寬度15R(2)+非發光區域15g之寬度+非發光區域15r(2)之寬度×2+非發光區域15b之寬度」。
因此，若與實施形態1相比，本實施形態中，具有最大電流效率之G之發光層23G侵入至斜方向上相鄰之具有最小電流效率之發光層23B之發光區域之裕度(margin)減小。
然而，例如將磚狀之配置設為正方形，若非發光區域之寬度於任一子像素彼此間為相同，則G之子像素與B之子像素之間之裕度成為「非發光區域之寬度×」。
更具體而言，G之發光層23G與B之發光區域之隔開距離隔開「非發光區域15b之寬度×」，B之發光層23B與G之發光區域之隔開距離隔開「非發光區域15g之寬度×」。
因此，比起G之子像素與B之子像素於行方向上相鄰之先前之構造，裕度提高。
又，本實施形態中，與實施形態例1相比，具有縱方向(列方向)上R之像素之顯示精細度亦為2倍之優點。
並且，無論於圖11所示之縱方向(列方向)及橫方向(行方向)之哪一方向上發生發光層之圖案位置偏移之情形時，均不會發生如下情況：G之發光層之蒸鍍膜圖案侵入至B之發光層之發光區域，或B之發光層之蒸鍍膜圖案侵入至G之發光層之發光區域。
如此，本實施形態中，一個像素內，於列方向及行方向之各方向上，以包含具有最大電流效率之G之發光層之子像素、與包含具有最小電流效率之B之發光層之子像素不相鄰之方式，於子像素2G與子像素2B之間，配置包含具有G之發光層與B之發光層之中間之大小之電流效率之R之發光層之R之子像素。
藉此，可抑制發光層之列方向之位置偏移及行方向之位置偏移所引起之畫質降低。
再者，更佳為於列方向及行方向之任一方向上傾斜之方 向(斜方向)上，以包含具有最大電流效率之G之發光層之子像素、與包含具有最小電流效率之B之發光層之子像素不相鄰之方式，於G之子像素與B之子像素之間配置包含具有G之發光層與B之發光層之中間之大小之電流效率之R之發光層的R之子像素。
帷於充分確保斜方向上相鄰之2個子像素彼此之距離之情形時，上述G之子像素及B之子像素中之一子像素之發光層不會侵入另一子像素之發光區域，或者其可能性較低。
因此，於此情形時，無需以G之子像素與B之子像素在斜方向上不相鄰之方式，於G之子像素與B之子像素之間如上述般配置例如R之子像素。
另一方面，於斜方向上相鄰之2個子像素彼此之距離未充分確保之情形時，亦可不以G之子像素與B之子像素相鄰之方式、而取代為於G之子像素與B之子像素之間配置R之子像素之形態，而形成圖13之(b)所示之形狀之發光層或者子像素。
圖13之(a)、(b)係表示發光層或者發光層與發光區域之形狀變更所引起之斜方向上相鄰之子像素間之隔開距離之擴大之圖。
再者，圖13之(a)、(b)分別表示於圖11所示之像素2中於斜方向上相鄰之子像素間之隔開距離。
又，圖13之(a)表示隔開距離擴大前之斜方向上相鄰之子像素間之隔開距離D，圖13之(b)表示隔開距離擴大後之斜 方向上相鄰之子像素間之隔開距離D'(D<D')。
如圖13之(b)所示，藉由將斜方向上相鄰之子像素之發光層及發光區域中至少一者設為八邊形狀，而與如圖13之(a)所示為四邊形狀之情形相比，可擴大斜方向上相鄰之2個子像素間之隔開距離(更嚴格來說，斜方向上相鄰之2個發光層之發光區域之隔開距離)。
藉此，可事先防止一子像素之發光層侵入另一子像素之發光區域，從而可消除由其引起之混色。
因此，可抑制由此所引起之畫質降低。因此，可提供顯示品質優異之有機EL顯示裝置1，或者用於提供此種有機EL顯示裝置1之顯示用基板即TFT基板10。
<子像素排列之變形例>
再者，本實施形態中已列舉由3原色之子像素構成1像素之情形為例進行了說明，但本實施形態並不限定於此。即，一個像素中之子像素之顏色數並不限於3色，亦可為4色以上。
以下對將4色之子像素二維狀配置而構成1像素之情形進行說明。
圖14係表示由4色之子像素構成一個像素2之情形時之子像素之配置例之圖。
再者，圖14中亦為，實線表示構成一個像素2(圖14中，由一點鏈線表示)之子像素，構成該像素2之附近之像素之一部分之子像素由虛線表示。
此處，將各色之子像素之發光層分別設為[S1]~[S4]，各 色之子像素之發光層之電流效率按照[S1]、[S2]、[S3]、[S4]之順序([S1]為最大)。
此時，若以[S1]與[S4]不相鄰之方式排列各色之子像素，且由儘可能少之子像素數構成1像素，則可考慮圖14所示之配置圖案。
圖14所示之子像素之配置圖案係於行方向(圖14之橫方向)上配置2個子像素，於各行內、即各行之列方向(圖14之縱方向)上配置4個子像素。
具體而言，若著眼於沿行方向延伸之2個子像素行，將左側之子像素行設為第一行，右側之子像素行設為第二行，則上述第一行中，[S1]、[S2]、[S3]自上方起按照[S1]→[S2]→[S3]→[S2]之順序排列。又，第二行中，[S2]、[S3]、[S4]自上方起按照[S2]→[S3]→[S4]→[S3]之順序排列。
然而，圖14所示之子像素之配置例，除以具有最大電流效率之發光層之子像素與具有最小電流效率之發光層之子像素不相鄰之方式，而排列[S1]~[S4]之4色子像素，且由儘可能少之子像素數構成1像素此方面之外，考慮如下之方面。
為了儘可能地抑制電流效率之差而引起之畫質降低，以相鄰之2個子像素之發光層彼此之電流效率差為最小之方式配置即可。
自該觀點考慮，於圖14所示之子像素之配置例中，當注目於各色之子像素時，將包含該注目色之子像素(注目子 像素)中之發光層與電流效率之順序(電流效率之大小)為最近之顏色之發光層之子像素，配置於上述注目子像素之相鄰之位置上。
例如，如圖14所示，於[S1]之周圍配置繼[S1]之後電流效率較大之[S2]，於[S2]之周圍配置電流效率之大小與[S2]接近之[S1]及[S3]，於[S3]之周圍配置電流效率之大小與[S3]接近之[S2]及[S4]，於[S4]之周圍配置繼[S4]之後電流效率較小之[S3]。
於此配置態樣中，於1像素中分別各設置一個包含最大及最小電流效率之發光層之子像素，且各設置有三個包含中間之電流效率之發光層之子像素。
藉由採用上述配置態樣，列方向．行方向上均相鄰之子像素之發光層按照電流效率之順序相鄰。即，相鄰之子像素之發光層彼此之電流效率差設為最小。藉此，可將混色之影響降低至最低程度。
此處，將於將設置於1像素中之子像素之顏色(種類)之數設為M(M≧3)之情形時，以滿足如下三個條件之方式由M種子像素構成1像素時之子像素之配置例表示於圖15中，上述三個條件為：以具有最大電流效率之發光層之子像素與具有最小電流效率之發光層之子像素不相鄰之方式排列各色之子像素(條件1)，並且由儘可能少之子像素數構成1像素(條件2)，且此時相鄰之2個子像素之發光層彼此之電流效率之差為最小(條件3)。
圖15中，表示於列方向(圖15之縱方向)上配置有{(M- 2)×2}列子像素，於行方向(圖15之橫方向)配置有2行子像素。
具體而言，將各色之子像素之發光層分別設為[S1]~[Sm](m≧3)，將電流效率設為[S1]、[S2]、...、[Sm-1]、[Sm]之順序([S1]為最大)，著眼於沿列方向延伸之2個子像素行，將左側之子像素行設為第一行，右側之子像素行設為第二行。
此時，圖15所示之子像素之配置圖案於第一行中[S1]~[Sm-1]按照升順配置。而且，於m≧4之情形時，如上述般按照升順配置後，繼而將[Sm-2]~[S2]按照降順配置。
又，第二行中，[S2]~[Sm]按照升順配置。而且，於m≧4之情形時，如上述般按照升順配置後，繼而將[Sm-1]~[S3]按照降順配置。再者，以下，為了方便說明，將該配置態樣稱作「配置態樣A」。
該配置態樣A中，每一個像素中各設置一個包含最大及最小電流效率之發光層之子像素。又，包含最大及最小以外之電流效率之發光層之子像素各設置2個。
如此，於由M色之子像素構成一個像素之情形時，滿足上述條件1~3之像素至少由(M-2)×4(個)(M≧3)之子像素形成。
再者，於針對每個設置於1像素之子像素數，行方向與列方向上使子像素之數相同之情形時，列方向上之子像素之數及行方向上之子像素之數均為{(M-2)×2}，每1像素之 子像素數為{(M-2)×2}2。
此時，不僅行方向上，列方向上亦依據上述配置態樣A，以鄰接之子像素彼此之電流效率差為最小之方式配置。藉由列方向．行方向上均增加子像素之數，從而無需特別調整各個子像素之形狀，可將一個像素之形狀設為正方形。
[實施形態3]
關於本實施形態，若主要根據圖9之(a)~(h)及圖16之(a)~(d)進行說明，則為以下所示。再者，本實施形態中，主要就與上述實施形態1、2之不同點(尤其與實施形態1之不同點)進行說明，對與實施形態1、2中使用之構成要素具有相同功能之構成要素附上相同符號，並省略其說明。
上述實施形態1、2中，並未提及各色之發光層之成膜順序之效果，而關於抑制發光層之位置偏移而引起之畫質降低方面，上述成膜順序亦成為重要之要素。因此，本實施形態中，對上述成膜順序之效果進行說明。
<由子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B構成1像素之情形>
首先，關於在具有最大電流效率之發光層與具有最小電流效率之發光層之間，形成具有其中間之電流效率之發光層之情形，如圖9之(a)~(h)所示，列舉1像素由子像素2R(1)、2G、2R(2)、2B構成之情形為例進行說明。
於圖9之(a)所示之圖案(1)之情形時，若著眼於重疊區域(混色區域)，則發光層23R(1)、23G中，發光層23R(1)為下層，發光層23G為上層。圖9之(c)所示之圖案(3)之情形亦 同樣。
又，於圖9之(e)所示之圖案(5)之情形時，若著眼於重疊區域(混色區域)，則發光層23R(2)、23B中，發光層23B為下層，發光層23R(2)為上層。圖9之(g)所示之圖案(7)之情形亦同樣。
即，圖9之(a)、(c)、(e)、(g)中，自電流效率較低之發光層起依序，即，利用上述步驟S1形成作為陽極之第1電極21後，利用步驟S3蒸鍍發光層23R、23G、23B時，電流效率越低之發光層則越先進行蒸鍍。
有機EL元件之發光層一般而言，具有於離陽極側近之區域容易發光之性質。
因此，圖9之(a)所示之圖案(1)中，在混色區域中，作為下層之被侵入之側之發光層23R(1)更容易發光。
同樣地，圖9之(e)所示之圖案(5)中，於混色區域中，作為下層之被侵入之側之發光層23B更容易發光。
另一方面，圖9之(c)所示之圖案(3)中，於混色區域中，作為下層之侵入之側之發光層23R(1)更容易發光，但因下層之發光層23R(1)之電流效率比上層之發光層23G之電流效率低，故該效果相抵(消除)。
另一方面，圖9之(g)所示之圖案(7)中，於混色區域中，作為下層之侵入之側之發光層23B更容易發光，但因下層之發光層23B之電流效率比上層之發光層23R(2)之電流效率低，故該效果相抵。
再者，如上述實施形態1中所說明般，於圖9之(a)~(h)所 示之圖案(1)~(8)之情形時，於具有最大電流效率之發光層23G與具有最小電流效率之發光層23B之間，形成具有其中間之電流效率之發光層23R(2)，藉此可減小混色引起之影響。
然而，此時，如上述般，藉由將各發光層23R(1)、23G、23R(2)、23B之成膜順序設為按照電流效率自小至大之順序(即，此處為[B]→[R]→[G])，而可進一步提高該效果。
<先前構成1像素之情形>
再者，本實施形態並不限定於在如上述般具有最大電流效率之發光層與具有最小電流效率之發光層之間，形成具有其中間之電流效率之發光層之情形。
例如，各像素2包含R之子像素、B之子像素、G之子像素之3個子像素，即便於具有G之發光層與B之發光層相鄰之先前構成之子像素排列之情形時，藉由規定如上述般之成膜順序，亦可抑制發光層之位置偏移而引起之畫質降低。
圖16之(a)~(d)係模式性地表示有機EL顯示裝置1中之構成各像素2之子像素排列之變形例之圖。
此處，如圖16之(a)~(d)所示，設想於構成各像素2之3個子像素2R、2G、2B之發光層23R、23G、23B之任一者中發生位置偏移，相鄰之2個子像素中一子像素之發光層侵入至另一子像素之發光區域之狀況。
再者，圖16之(a)~(d)中，R、G、B之各色之子像素中之 各發光區域由各子像素2R、2G、2B中之邊緣蓋15之露出部15R、15G、15B表示。
於先前構成之子像素排列之情形時，設想圖16之(a)~(d)所示之4個侵入圖案(圖案(I)~(IV))。
圖案(I)：如圖16之(a)所示，於露出部15R中之子像素2R之發光區域內，於形成子像素2R之發光層23R後，侵入子像素2G之發光層23G之圖案。
圖案(II)：如圖16之(b)所示，於露出部15G中之子像素23G之發光區域內，於形成子像素2G之發光層23G前，侵入子像素2R之發光層23R之圖案。
圖案(III)：如圖16之(c)所示，於露出部15B中之子像素2B之發光區域內，於形成子像素2B之發光層23B後，侵入子像素2G之發光層23G之圖案。
圖案(IV)：如圖16之(d)所示，於露出部15G中之子像素2G之發光區域內，於形成子像素2G之發光層23G前，侵入子像素2B之發光層23B之圖案。
此處，於例如圖16之(a)所示之圖案(I)之情形時，若著眼於重疊區域，則發光層23R、23G中，發光層23R為下層，發光層23G為上層。圖16之(b)所示之圖案(II)之情形時亦同樣。
又，圖16之(c)所示之圖案(III)之情形時，若著眼於重疊區域(混色區域)，則發光層23G、23B中，發光層23B為下層，發光層23G為上層。圖16之(d)所示之圖案(IV)之情形時亦同樣。
即，圖16之(a)~(d)中，以自電流效率較低之發光層起依序，即，於形成作為陽極之第1電極21後形成作為陰極之第2電極26之情形時，電流效率越低之發光層則越先進行蒸鍍。
藉此，可如上述般無關於設置於1像素之子像素之種類(顏色)或數，而可抑制發光層之位置偏移而引起之畫質降低。
再者，於將第1電極21設為陰極、將第2電極26設為陽極之情形時，亦可將發光層之積層順序反轉，於形成第1電極21後，電流效率越大之發光層越先進行蒸鍍。
即，以於假設不同顏色之發光層彼此重疊之情形時於該重疊區域中電流效率越小之發光層則越位於陽極側之方式，按照各色之發光層之電流效率之大小順序形成各色之發光層即可。
[實施形態4]
關於本實施形態，若主要根據圖17及圖18進行說明，則為以下所示。再者，本實施形態中，主要就與上述實施形態1~3之不同點進行說明，對與實施形態1~3中使用之構成要素具有相同功能之構成要素附上相同符號，並省略其說明。
實施形態1~3中，已對如下情形進行了說明：於同一平面內，至少設置3行電流效率不同之蒸鍍膜圖案，相鄰之2個蒸鍍膜圖案為具有最大電流效率之蒸鍍膜圖案與具有最小電流效率之蒸鍍膜圖案之組合以外之組合的蒸鍍膜圖 案。
然而，使電流效率不同之蒸鍍膜圖案為若侵入至相鄰之子像素區域則會產生某些問題之蒸鍍膜圖案，於考慮到基於成為若侵入至相鄰之子像素區域則產生某些問題之主要原因之特性，變更此種蒸鍍膜圖案之排列之情形時，可將相同之思想適用於若侵入至相鄰之子像素區域則產生某些問題之其他蒸鍍膜圖案之排列中。
例如，於為了將微模腔效應最佳化，而必需於各色之子像素中改變總膜厚之情形時，考慮於發光層以外之層(例如電洞輸送層等)進行調整。
圖17係表示本實施形態之有機EL顯示裝置1之概略構成之剖面圖。
如圖17所示，本實施形態中，使電洞輸送層之膜厚針對R、G、B之各色，即，針對子像素2R、2G、2B改變從而最佳化。
本實施形態中，如圖17所示，各像素2包含射出藍色之光之藍色之子像素2B(1)、2B(2)、射出紅色之光之紅色之子像素2R、射出綠色之光之綠色之子像素2G此4個子像素2B(1)、2R、2B(2)、2G。
於各子像素2B(1)、2R、2B(2)、2G中分別設置對應之發光層23B(1)、23R、23B(2)、23G。
又，圖17所示之有機EL顯示裝置1中，代替圖3所示之有機EL顯示裝置1中之電洞注入層兼電洞輸送層22，而包括電洞注入層22A、電洞輸送層28B(1)、28R、28B(2)、 28G。電洞輸送層28B(1)、28R、28B(2)、28G分別包含同一材料，僅其膜厚分別各異。
於各子像素2B(1)、2R、2B(2)、2G之各露出部15B(1)、15R、15B(2)、15G內，電洞輸送層28B(1)及發光層23B(1)、電洞輸送層28R及發光層23R、電洞輸送層28B(2)及發光層23B(2)、電洞輸送層28G及發光層23G分別自電洞注入層22A側起依該順序鄰接而積層。
本實施形態中，除發光層23B(1)、23R、23B(2)、23G外，亦對上述電洞輸送層28B(1)、28R、28B(2)、28G進行分塗形成(圖案形成)。
圖18係按步驟順序表示圖17所示之有機EL顯示裝置1之製造步驟之流程圖。
本實施形態之有機EL顯示裝置1之製造方法如圖18所示，代替電洞注入層/電洞輸送層蒸鍍步驟(S2)，而包括電洞注入層蒸鍍步驟(S21)、電洞輸送層蒸鍍步驟(S22)。
再者，關於步驟S2以外之步驟，除伴隨由子像素2B(1)、2R、2B(2)、2G構成各像素2之變更(即，遮罩圖案之變更)外，基本上與上述實施形態1中所記載之各步驟相同。因此，本實施形態中，關於電洞注入層蒸鍍步驟(S21)及電洞輸送層蒸鍍步驟(S22)以外之各步驟，省略其說明。
本實施形態中，對與上述實施形態1中之TFT基板製作步驟(S1)同樣地製作之TFT基板10，首先，與上述實施形態1同樣地，實施氧電漿處理作為用於脫水之減壓烘烤及 第1電極21之表面清洗。
其後，使用先前之蒸鍍裝置，與上述實施形態1同樣地，對TFT基板10內之顯示區域整個面蒸鍍電洞注入層22A(S21)。
本實施形態中，作為電洞注入層22A之材料，使用m-MTDATA(4,4'4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基胺基)-三苯基胺)，其膜厚設為30 nm。
其次，使用上述實施形態1中所記載之蒸鍍裝置150，進行電洞輸送層28B(1)、28R、28B(2)、28G之分塗蒸鍍(S22)。
即，首先，使用僅材料與發光層23B(1)、23R、23B(2)、23G不同之相同之蒸鍍方法，例如形成子像素2R之電洞輸送層28R。
其次，將形成有電洞輸送層28R之TFT基板10朝與基板掃描方向垂直之方向偏移，與電洞輸送層28R同樣地形成子像素2B(1)、2B(2)用之電洞輸送層28B(1)、28B(2)。
其後，將形成有電洞輸送層28B(1)、28R、28B(2)之TFT基板10朝向與基板掃描方向垂直之方向偏移，與電洞輸送層28B(1)、28R、28B(2)同樣地，形成子像素2G用之電洞輸送層28G。
該等電洞輸送層28B(1)、28R、28B(2)、28G之各膜厚係藉由如下而可改變，即，針對各子像素2B(1)、2R、2B(2)、2G，而改變作為被成膜基板200之TFT基板10之掃描速度或來回次數。
本實施形態中，以按照子像素2R、子像素2B(1)、2B(2)、子像素2G之順序(即，電洞輸送層28R、電洞輸送層28B(1)、28B(2)、電洞輸送層28G之順序)而膜厚增厚之方式設定各電洞輸送層28B(1)、28R、28B(2)、28G之膜厚。
本實施形態中，使用α-NPD作為電洞輸送層28B(1)、28R、28B(2)、28G之材料，各自之膜厚依順設為100 nm、50 nm、100 nm、150 nm。
如此，使電洞輸送層28B(1)、28R、28B(2)、28G之膜厚於各色之子像素(各子像素2B(1)、2R、2B(2)、2G)中可變，藉此可使微模腔效應於各色中最佳化。
再者，所謂微模腔效應，係如下現象：藉由形成於各色(例如R、G、B)之子像素之光學共振構造，於第1電極21與第2電極26之間產生之光來回共振，其結果，產生發光光譜之尖銳化及色純度之提高。
產生最佳微模腔效應之光學距離於各色之發光波長中不同，因此必需於各色中調整光學距離，作為其一個方法，如上述般有使特定之有機層之膜厚可變之方法。
於如此使電洞輸送層28B(1)、28R、28B(2)、28G之膜厚於各色(各子像素2B(1)、2R、2B(2)、2G)中可變之情形時，若相鄰之子像素彼此中電洞輸送層之膜厚不同，則於兩子像素之邊界部總膜厚變化。尤其於具有最大膜厚之G之電洞輸送層與具有最小膜厚之R之電洞輸送層相鄰之情形時，相鄰之子像素彼此間總膜厚較大地發生變化。
因此，本實施形態中，為了儘可能地抑制總膜厚之變 化，作為決定子像素之排列圖案之參數，可代替上述發光層之電流效率而設為電洞輸送層之膜厚，以於相鄰之子像素間電洞輸送層之膜厚差為最小之方式決定子像素之排列圖案。
於該情形時，只要將發光層之電流效率差與電洞輸送層之膜厚差替換，則無需擴大子像素間之非發光區域，便可抑制上述總膜厚之變化。其結果，可提高有機EL顯示裝置1之可靠性及顯示品質。
再者，於將各像素2中之子像素之排列圖案設為圖17所示2B(1)、2R、2B(2)、2G之順序之情形時，子像素2B(2)與子像素2G相鄰。
因此，於該情形時，如上述般發光層之電流效率按照[G]→[B]→[R]之順序減小，或者，發光層之電流效率按照[R]→[B]→[G]之順序減小即可。
或者，亦可使發光層23B(1)、23R、23B(2)、23G如上述般按照電流效率由小至大之順序形成。即，例如，發光層之電流效率按照[B]→[R]→[G]之順序增大之情形時，按照發光層23B(1)、23B(2)、發光層23R、發光層23G之順序，形成發光層23B(1)、23R、23B(2)、23G即可。
各色之電洞輸送層之形成順序與各色之發光層之形成順序未必一致，如上述般根據決定該等排列圖案之參數且針對各層適當變更即可。
再者，本實施形態中，如上述般，將電洞輸送層28B(1)、28R、28B(2)、28G之膜厚針對各色進行了變更，但 本實施形態並不限定於此。不限於電洞輸送層28B(1)、28R、28B(2)、28G，關於電洞注入層22A、電子輸送層24、電子注入層25、或者上述未圖示之載子阻斷層等，亦可針對各色改變膜厚而形成。
<要點概要>
如以上般，上述各實施形態之顯示用基板，包括包含至少3色之發光區域作為子像素區域之複數個像素區域，該至少3色之發光區域分別具有包含蒸鍍膜之發光層；相鄰之2個發光區域為，於在各色之發光區域之發光層中產生同一亮度之光時具有最大電流效率之顏色之發光層的發光區域與具有最小電流效率之顏色之發光層的發光區域之組合以外之組合的發光區域。
又，上述各實施形態之顯示用基板之製造方法，如以上般，該顯示用基板包括包含至少3色之發光區域作為子像素區域之複數個像素區域，該至少3色之發光區域分別具有包含蒸鍍膜之發光層；上述顯示用基板之製造方法係於在各色之發光區域之發光層中產生同一亮度之光時電流效率最大之顏色之發光層與電流效率最小之顏色之發光層之間，至少形成一個具有上述電流效率最大之顏色之發光層之電流效率與電流效率最小之顏色之發光層之電流效率之間之大小的電流效率之顏色之發光層。
根據上述構成及製造方法，相比於具有最大電流效率之顏色之發光層之發光區域與具有最小電流效率之顏色之發光層之發光區域相鄰之先前構成，可減小相鄰之2個發光 區域之電流效率之差。因此，即便相鄰之2個發光區域中之一發光區域之發光層(蒸鍍膜)侵入另一發光區域，亦比先前更能夠抑制由該侵入引起之混色之程度(顏色之變化之程度)，因而無需擴大非發光區域，便可抑制蒸鍍膜之位置偏移而引起之顯示品質之降低。
又，上述顯示用基板較理想的是具有如下構成：各色之發光層之發光區域於一維方向上排列，並且以相鄰之發光區域中之發光層間之電流效率之差為最小之方式排列。
又，上述顯示用基板之製造方法較理想的是為如下方法：上述各色之發光層之發光區域係於一維方向上排列，且以相鄰之發光區域中之發光層間之電流效率之差為最小之方式形成上述各色之發光層。
根據上述構成及製造方法，於上述一維方向上相鄰之2個發光區域中之一發光區域之發光層侵入另一發光區域之情形時，能夠最大程度地抑制由該侵入引起之混色之程度(顏色之變化之程度)，其結果，能夠最大程度地抑制畫質之下降。
又，上述顯示用基板較理想的是具有如下構成：一個像素區域包括包含M(M≧3)色之發光區域之至少(M-1)×2個子像素區域，於一個像素區域中分別包含一個具有最大電流效率之顏色之發光層之發光區域與具有最小電流效率之顏色之發光層之發光區域。
根據上述構成，以具有最大電流效率之子像素區域與具有最小電流效率之子像素區域不相鄰之方式排列子像素區 域，並且可由儘可能少之子像素區域之數構成1像素。
又，上述顯示用基板較理想的是具有如下構成：上述像素區域包括分別具有綠色、紅色、藍色之發光層之3色之發光區域作為上述子像素區域；於具有綠色之發光層之發光區域與具有藍色之發光層之發光區域之間設置具有紅色之發光層之發光區域。
根據上述構成，比起具有最大電流效率之綠色之發光層之發光區域與具有最小電流效率之藍色之發光層之發光區域相鄰之構成，能夠減小相鄰之2個發光區域之電流效率之差。
又，上述顯示用基板較理想的是具有如下構成：上述像素區域包括分別具有綠色、黃色、紅色、藍色之發光層之4色之發光區域作為上述子像素區域；於具有綠色之發光層之發光區域與具有藍色之發光層之發光區域之間，設置具有黃色之發光層之發光區域與具有紅色之發光層之發光區域。
根據上述構成，比起具有最大電流效率之綠色之發光層之發光區域與具有最小電流效率之藍色之發光層之發光區域相鄰之構成，可減小相鄰之2個發光區域之電流效率之差。
又，上述顯示用基板較理想的是具有如下構成：各色之發光層之發光區域係於二維方向上排列，並且以一維方向上相鄰之發光區域中之發光層間之電流效率之差及與上述一維方向正交之方向上相鄰之發光區域中之發光層間之電 流效率之差分別為最小之方式排列。
又，上述顯示用基板之製造方法較理想的是為如下方法：各色之發光層之發光區域係於二維方向上排列，且以一維方向上相鄰之發光區域中之發光層間之電流效率之差及與上述一維方向正交之方向上相鄰之發光區域中之發光層間之電流效率之差分別為最小之方式形成上述各色之發光層。
根據上述構成及製造方法，無論於上述一維方向上相鄰之2個發光區域中之一發光區域之發光層侵入另一發光區域之情形時，還是於與上述一維方向正交之方向上相鄰之2個發光區域中之一發光區域之發光層侵入另一發光區域之情形時，均能夠最大程度地抑制由該侵入引起之混色之程度(顏色之變化之程度)。其結果，能夠最大程度地抑畫質之下降。
又，上述顯示用基板較理想的是具有如下構成：一個像素區域包括包含M(M≧3)色之發光區域之至少(M-2)×4個子像素區域，於一像素區域中分別包含一個具有最大電流效率之顏色之發光層之發光區域與具有最小電流效率之顏色之發光層之發光區域。
根據上述構成，能夠以具有最大電流效率之子像素區域與具有最小電流效率之子像素區域不相鄰之方式排列子像素區域，並且由儘可能少之子像素區域之數構成1像素，且，可構成相鄰之2個子像素區域彼此之電流效率之差為最小之像素。
又，上述顯示用基板較理想的是具有如下構成：一個像素區域包括包含M(M≧3)色之發光區域之{(M-2)×2}2個子像素區域。
根據上述構成，能給以具有最大電流效率之子像素區域與具有最小電流效率之子像素區域不相鄰之方式排列子像素區域，並且由儘可能少之子像素區域之數構成1像素，且，可構成相鄰之2個子像素區域彼此之電流效率之差為最小之之正方形狀之像素。
又，於如上述般將各色之發光層之發光區域於二維方向上排列之情形時，較理想的是上述發光層及發光區域之至少一者為八邊形狀。
藉此，因可擴大斜方向上相鄰之2個發光層之發光區域之隔開距離，故可事先防止相鄰之發光層中一發光層侵入另一發光層之發光區域，從而可消除由其引起之混色。
因此，可提供一種可獲得抑制畫質之下降且顯示品質優異之有機電致發光顯示裝置之顯示用基板。
又，上述顯示用基板較理想的是具有於各發光區域設置有薄膜電晶體之構成。
藉由如上述般於各發光區域設置薄膜電晶體，而於顯示面板化時，即，使用上述顯示用基板製造例如有機電致發光顯示裝置時，可提高形成於1像素內之相同顏色之發光層之子像素之顯示精細度。
又，如以上般，上述實施形態之一例之顯示用基板係於同一平面內，將膜厚不同之蒸鍍膜圖案至少設置3行，相 鄰之2個蒸鍍膜圖案為具有最大膜厚之蒸鍍膜圖案與具有最小膜厚之蒸鍍膜圖案之組合以外之組合的蒸鍍膜圖案。
根據上述構成，於同一平面內，膜厚不同之蒸鍍膜圖案至少設置3行，將相鄰之2個蒸鍍膜圖案設為具有最大膜厚之蒸鍍膜圖案與具有最小膜厚之蒸鍍膜圖案之組合以外之組合的蒸鍍膜圖案，因而比起具有最大膜厚之蒸鍍膜圖案與具有最小膜厚之蒸鍍膜圖案相鄰之構成，可減小相鄰之2個蒸鍍膜圖案彼此之膜厚之差。
其結果，藉由適當設定膜厚，即便相鄰之2個蒸鍍膜圖案中之一蒸鍍膜圖案之蒸鍍膜侵入另一蒸鍍膜圖案之蒸鍍膜之區域，亦可抑制由該侵入引起之總厚之差異。
因此，無需擴大非發光區域，便可抑制蒸鍍膜之位置偏移而引起之顯示品質之降低。
又，如以上般，上述各實施形態之有機電致發光顯示裝置包括上述各實施形態之任一形態之顯示用基板。
根據該構成，可實現獲得上述任一構成之效果之有機電致發光顯示裝置。
又，如以上般，上述各實施形態之有機電致發光顯示裝置之製造方法包括形成陽極之陽極形成步驟、及形成陰極之陰極形成步驟，並且於陽極形成步驟與陰極形成步驟之間，包括按照顏色依序形成包含蒸鍍膜之至少3色之發光層之發光層形成步驟；上述發光層形成步驟中，於在各色之發光區域之發光層中產生同一亮度之光時電流效率越小之顏色之發光層，以越靠近陽極形成步驟之順序形成。
根據上述方法，無論於侵入之側之發光層更接近陽極之情形時，還是其相反之情形時，均按照上述順序形成發光層，藉此即便產生混色，亦可減小其影響。因此，於相鄰之2個發光區域中之一發光區域之蒸鍍膜侵入另一發光區域之蒸鍍膜之區域之情形時，可抑制由該侵入引起之混色之程度(顏色之變化之程度)，其結果，可抑制畫質之下降。
本發明並不限定於上述各實施形態，於申請專利所示之範圍內可進行各種變更，關於將不同實施形態中分別揭示之技術性手段適當組合而獲得之實施形態，亦包含於本發明之技術性範圍內。
[產業上之可利用性]
本發明例如可較佳地用於有機EL顯示裝置中之有機層之分塗形成等之成膜製程中所使用的顯示用基板及有機EL顯示裝置以及該等顯示用基板及有機EL顯示裝置之製造裝方法等。
1‧‧‧有機EL顯示裝置
2‧‧‧像素
2R、2R(1)、2R(2)、2G、2B、2B(1)、2B(2)‧‧‧子像素
10‧‧‧TFT基板(顯示用基板)
11‧‧‧絕緣基板
12‧‧‧TFT(薄膜電晶體)
13‧‧‧層間絕緣膜
13a‧‧‧接觸孔
14‧‧‧配線
14G‧‧‧閘極線
14S‧‧‧源極線
14V‧‧‧電源配線
15‧‧‧邊緣蓋
15R、15R(1)、15R(2)‧‧‧露出部
15G‧‧‧露出部
15B、15B(1)、15B(2)‧‧‧露出部
15r(1)、15r(2)、15r、15g、15r、15b‧‧‧非發光區域
20‧‧‧有機EL元件
21‧‧‧第1電極
22‧‧‧電洞注入層兼電洞輸送層
22A‧‧‧電洞注入層
23R、23R(1)、23R(2)‧‧‧發光層
23G‧‧‧發光層
23B、23B(1)、23B(2)‧‧‧發光層
24‧‧‧電子輸送層
25‧‧‧電子注入層
26‧‧‧第2電極
28B(1)、28R、28B(2)、28G‧‧‧電洞輸送層
30‧‧‧接著層
40‧‧‧密封基板
102‧‧‧遮罩
102a‧‧‧開口部
103‧‧‧蒸鍍源
103a‧‧‧射出口
150‧‧‧蒸鍍裝置
200‧‧‧被成膜基板
300‧‧‧限制板
301‧‧‧開口部
302‧‧‧蒸鍍源
303‧‧‧遮罩
304‧‧‧開口部
500‧‧‧遮罩單元
600‧‧‧真空腔室
圖1係模式性地表示將本發明之實施形態1之有機EL顯示裝置中之構成各像素之子像素排列設為上述有機EL顯示裝置中之TFT基板之1像素區域中之子像素區域之排列之圖。
圖2係表示構成本發明之實施形態1之有機EL顯示裝置之像素之構成之平面圖。
圖3係表示圖2所示之有機EL顯示裝置中之TFT基板之A-A線箭視剖面圖。
圖4係表示本發明之實施形態1之有機EL顯示裝置之構成例之剖面圖。
圖5係表示驅動各子像素之子像素驅動電路之電路構成之圖。
圖6係表示本發明之實施形態1中所使用之蒸鍍裝置之主要部分之概略構成之立體圖。
圖7係按步驟順序表示本發明之實施形態1之有機EL顯示裝置之製造步驟之流程圖。
圖8係表示使用圖7所示之蒸鍍裝置於TFT基板成膜特定之圖案之方法之一例的流程圖。
圖9(a)~(h)係使用TFT基板之主要部分之構成模式性地表示相鄰之2個子像素中之一子像素之發光層侵入另一子像素之發光區域之圖案之圖。
圖10係模式性地表示將包含蒸鍍膜之電流效率不同之N(N為3以上之整數)種子像素之像素於一維方向上排列之例之圖。
圖11係模式性地表示本發明之實施形態2之子像素排列之一例之圖。
圖12係模式性地表示本發明之實施形態2中所使用之蒸鍍方式之一例之圖。
圖13(a)、(b)係表示發光層或者發光層與發光區域之形狀變更所引起的斜方向上相鄰之子像素間之隔開距離之擴大之圖。
圖14係表示由4色之子像素構成一個像素之情形時之子 像素之配置例之圖。
圖15係表示由M種子像素構成1個像素之情形時之子像素之配置例之圖。
圖16(a)~(d)係模式性地表示本發明之實施形態3之有機EL顯示裝置中之構成各像素之子像素排列之變形例之圖。
圖17係表示本發明之實施形態4之有機EL顯示裝置之概略構成之剖面圖。
圖18係按步驟順序表示圖17所示之有機EL顯示裝置之製造步驟之流程圖。
圖19係模式性地表示普通全彩之有機EL顯示裝置之各像素中之子像素排列之圖。
圖20係用於說明先前之子像素排列中之問題之圖。
2‧‧‧像素
2R(1)、2R(2)、2G、2B‧‧‧子像素
10‧‧‧TFT基板(顯示用基板)
15R(1)、15R(2)、15G、15B‧‧‧露出部
15r(1)、15r(2)、15g、15b‧‧‧非發光區域
23R(1)、23R(2)、23G、23B‧‧‧發光層

Claims (7)

  1. 一種有機電致發光顯示裝置之製造方法，其特徵在於：該有機電致發光顯示裝置係包括複數之像素區域，該複數之像素區域包含至少3色之發光區域作為子像素區域，該至少3色之發光區域分別具有包含蒸鍍膜之至少3色之發光層；該製造方法係：包括圖案化形成陽極之陽極形成步驟、及形成陰極之陰極形成步驟，並且於陽極形成步驟與陰極形成步驟之間，包括於同一平面內按照顏色依序形成包含蒸鍍膜之至少3色之發光層之發光層形成步驟；且相鄰之2個發光區域中之一者之上述發光區域之上述蒸鍍膜之一部分係形成於另一者之上述發光區域之上述蒸鍍膜之區域之一部分，且於上述蒸鍍膜之重疊處，於各色之發光區域之發光層中產生同一亮度之光時電流效率較小之顏色之發光層較靠近上述陽極側；於上述發光層形成步驟，以如下之方式，形成上述至少3色之發光層：至少一個發光層位於在各色之發光區域之發光層中產生同一亮度之光時電流效率最大之顏色之發光層與電流效率最小之顏色之發光層之間，且該至少一個發光層係具有上述電流效率最大之顏色之發光層之電流效率與電流效率最小之顏色之發光層之電流效率之間之大小的電流效率之顏色之發光層； 以上述至少3色之上述發光層之發光區域係排列於一維方向，且相鄰之發光區域中之各發光層成為依上述至少3色之上述發光層之電流效率之順序之相鄰之各發光層之方式，形成上述至少3色之上述發光層；且同色之上述蒸鍍膜係：於蒸鍍上述蒸鍍膜之顯示用基板之移動方向上，自上述顯示用基板之一端部跨至另一端部而條紋狀地形成。
  2. 如請求項1之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中上述至少3色之發光層係依較大之上述電流效率而排順序的綠、紅、藍之發光層，且相鄰之各發光層係以紅、綠、紅、藍之發光層之順序地排列。
  3. 一種顯示用基板，其特徵在於：包括包含至少3色之發光區域作為子像素區域之複數個像素區域，該至少3色之發光區域分別具備包含蒸鍍膜之至少3色之發光層；相鄰之2個發光區域係於在各色之發光區域之發光層中產生同一亮度之光時具有最大電流效率之顏色之發光層的發光區域與具有最小電流效率之顏色之發光層的發光區域之組合以外之組合之發光區域；各色之發光層之發光區域係於二維方向上排列，並且以一維方向上相鄰之發光區域中之發光層間之電流效率之差及與上述一維方向正交之方向上相鄰之發光區域中之發光層間之電流效率之差各自成為最小之方式排列；上述發光層及發光區域之至少一者為八角形狀；相鄰之2個上述發光區域中之一者之上述發光區域之 上述蒸鍍膜之一部分係形成於另一者之上述發光區域之上述蒸鍍膜之區域之一部分；且上述至少3色之發光層係依較大之上述電流效率而排順序之綠、紅、藍之發光層。
  4. 如請求項3之顯示用基板，其中於各發光區域設置有薄膜電晶體。
  5. 一種顯示用基板，其特徵在於：包括包含至少3色之發光區域作為子像素區域之複數個像素區域，該至少3色之發光區域分別具有包含蒸鍍膜之至少3色之發光層；於同一平面內設置至少3行與上述發光區域對應之膜厚不同之蒸鍍膜圖案；於同一平面內相鄰之2個蒸鍍膜圖案係具有最大膜厚之蒸鍍膜圖案與具有最小膜厚之蒸鍍膜圖案之組合以外之組合之蒸鍍膜圖案；且相鄰之2個上述發光區域中之一者之上述發光區域之上述蒸鍍膜之一部分係形成於另一者之上述發光區域之上述蒸鍍膜之區域之一部分。
  6. 一種有機電致發光顯示裝置，其特徵在於具備如請求項3至5中任一項之顯示用基板。
  7. 一種顯示用基板之製造方法，其特徵在於：該顯示用基板包括包含至少3色之發光區域作為子像素區域之複數個像素區域，該至少3色之發光區域分別具備包含蒸鍍膜之至少3色之發光層； 上述顯示用基板之製造方法係於在各色之發光區域之發光層中產生同一亮度之光時最大電流效率之顏色之發光層與最小電流效率之顏色之發光層之間，至少形成一個具有上述最大電流效率之顏色之發光層之電流效率與最小電流效率之顏色之發光層之電流效率之間之大小的電流效率之顏色之發光層；相鄰之2個上述發光區域中之一者之上述發光區域之上述蒸鍍膜之一部分係形成於另一者之上述發光區域之上述蒸鍍膜之區域之一部分；以上述至少3色之發光層之發光區域排列於二維方向，且一維方向上相鄰之發光區域中之各發光層及正交於上述一維方向之方向上相鄰之發光區域中之各發光層分別成為依上述至少3色之上述發光層之電流效率之順序而相鄰之各發光層之方式，形成上述至少3色之發光層；且上述至少3色之發光層係依較大之上述電流效率而排順序之綠、紅、藍之發光層。
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