CN106784408B - 阵列基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板的制造方法，包括：利用现有的加工方法在一衬底基板上形成阳极和位于阳极上的有机膜层；由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量；根据得到的各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域的宽度和膜厚均一区域相对于阳极的偏移量，调整加工阳极的遮光罩上的开口位置及开口宽度，得到改进后的加工阳极膜层的遮光罩，使得利用该遮光罩加工出的阳极区域的中心与有机膜层膜厚均一区域的中心重合，从而避免了利用现有方法所造成的有机发光层的膜厚均一区域偏离阳极区域的问题。

Description

阵列基板的制造方法
技术领域
本发明涉及显示器的制造工艺，尤其涉及一种阵列基板的制造方法。
背景技术
阵列基板通常包括形成在基板上的栅线和数据线，以及由栅线和数据线限定的多个像素单元。每个像素单元划分为薄膜晶体管区域和发光区域。薄膜晶体管区域形成有至少一个薄膜晶体管。薄膜晶体管包括形成在基板之上的源漏电极层、有源层、栅绝缘层和栅极。在发光区域的基板上方形成有阳极，阳极连接源漏电极层的漏极，阳极上方依次形成有机发光层和阴极，阳极及阳极对应区域的有机发光层和阴极共同形成有机发光二极管。
在制造阵列基板时，阳极区通常设计为等间距排列，但是，在单个像素单元的内部，如图1所示，由于线源蒸镀角度α(线源蒸镀材料的蒸镀范围边界与水平线之间的夹角)和遮光罩锥角θ的影响，不同位置的喷嘴1喷出的蒸镀材料经过遮光罩2后到达阳极3的位置不同，使得不同位置的像素单元内膜厚均一区域a的宽度和位置发生变化(图中所示膜厚均一的区域即为各喷嘴1喷出的蒸镀材料到达阳极3时位置重叠的区域，各喷嘴1喷出的蒸镀材料到达阳极3时位置不重叠的区域因膜厚不均匀而形成分层)，导致部分位置的有机发光层的膜厚均一区域a偏离阳极区域，而有机发光层的膜厚均一区域a偏离阳极区域会造成显示器亮度的不均匀，即mura不良的问题，直接影响显示器的显示性能。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种阵列基板的制造方法，该阵列基板的制造方法可避免有机发光层的膜厚均一区域偏离阳极区域。
本发明提供的阵列基板的制造方法，包括如下步骤：利用现有的加工方法在一衬底基板上形成阳极和位于阳极上的有机膜层；由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量；根据得到的各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域的宽度和膜厚均一区域相对于阳极的偏移量，调整加工阳极的遮光罩上的开口位置及开口宽度，得到改进后的加工阳极膜层的遮光罩，使得利用该遮光罩加工出的阳极区域的中心与有机膜层膜厚均一区域的中心重合。
进一步地，该方法还包括：利用改进后的遮光罩制作具有新的阳极排布的阵列基板。
进一步地，利用现有的加工方法在一衬底基板上形成阳极和位于阳极上的有机膜层的步骤包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成阳极；以及在阳极上形成有机膜层。
进一步地，在衬底基板上形成薄膜晶体管的步骤包括：在衬底基板上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层上形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成源极和漏极；以及在源极和漏极上形成钝化层。
进一步地，由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量时采用量取、计算或者量取与计算相结合的方式。
进一步地，由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度的步骤包括：利用紫外光显微镜由加工好阳极和有机膜层的衬底基板上测量各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域的宽度。
进一步地，由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域相对于阳极的偏移量的步骤包括：利用紫外光显微镜由加工好阳极和有机膜层的衬底基板上测量各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域和阳极区域的中心坐标；计算出有机膜层膜厚均一区域的中心坐标和阳极区域的中心坐标的差值。
进一步地，在计算出有机膜层膜厚均一区域的中心坐标和阳极区域的中心坐标的差值的步骤中计算出的差值指有机膜层膜厚均一区域的中心坐标和阳极区域的中心坐标在膜厚均一区域宽度方向的差值。
本发明先利用现有方法在衬底基板上加工出阳极和位于阳极上的有机膜层，接着由加工好的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量，并根据得到的有机膜层膜厚均一区域的宽度和膜厚均一区域相对于阳极的偏移量，调整加工阳极的遮光罩上的开口位置及开口宽度，得到改进后的加工阳极膜层的遮光罩，使得利用改进后的遮光罩加工出的阳极区域的中心可以与有机膜层膜厚均一区域的中心重合，从而避免了利用现有方法所造成的有机发光层的膜厚均一区域偏离阳极区域的问题。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1所示为现有阵列基板制造工艺中造成有机发光层膜厚均一区域偏离阳极区域的原理示意图；
图2所示为本发明阵列基板的制造方法的流程示意图；
其中，1-喷嘴，2-遮光罩，3-阳极，a-有机发光层的膜厚均一区域，θ-遮光罩锥角，α－线源蒸镀角度。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本发明详细说明如下。
本发明的阵列基板的制造方法既可以用于制造AMOELD显示器的阵列基板，也可以用于制造其它显示器的阵列基板。
如图2所示，本发明的阵列基板的制造方法，包括如下步骤：
步骤S1：利用现有的加工方法在一衬底基板上形成阳极和位于阳极上的有机膜层。
在本步骤中，衬底基板通常为玻璃基板。现有的加工方法即为普通的阵列基板制造工艺，其通常包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成阳极；以及在阳极上形成有机膜层。这里的有机膜层即为有机发光层。
在衬底基板上形成薄膜晶体管的步骤包括：在衬底基板上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层上形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成源极和漏极；以及在源极和漏极上形成钝化层。
普通的阵列基板的制造过程涉及的工艺包括：沉积、曝光、显影、蚀刻等，这些工艺均为现有工艺，在此不再赘述。
步骤S2：由加工好阳极和有机膜层的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量。
本步骤中，获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量的方式可以是量取，也可以是计算，或者是二者的结合。
在本发明的一个实施例中，由加工好阳极和有机膜层的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量的步骤包括：
利用紫外光显微镜由加工好阳极和有机膜层的衬底基板上测量各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域的宽度；
利用紫外光显微镜由加工好阳极和有机膜层的衬底基板上测量各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域和阳极区域的中心坐标(X1，Y1)和(X2,Y2)；
计算出有机膜层膜厚均一区域的中心坐标和阳极区域的中心坐标在Y方向(即膜厚均一区域宽度方向)的偏移量(Y1-Y2)，即有机膜层膜厚均一区域的中心坐标和阳极区域的中心坐标在Y方向的差值。
步骤S3：根据得到的各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域的宽度和膜厚均一区域相对于阳极的偏移量，调整加工阳极的遮光罩上的开口位置及开口宽度，得到改进后的加工阳极膜层的遮光罩，使得利用该遮光罩加工出的阳极区域的中心与有机膜层膜厚均一区域的中心重合。
在本步骤中，在调整加工阳极的遮光罩上的开口位置及开口宽度时需考虑有机膜层膜厚均一区域的宽度以及有机膜层膜厚均一区域相对于阳极的偏移量。
步骤S4：利用改进后的遮光罩制作具有新的阳极排布的阵列基板。
综上所述，本发明先利用现有方法在衬底基板上加工出阳极和位于阳极上的有机膜层，接着由加工好的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量，并根据得到的有机膜层膜厚均一区域的宽度和膜厚均一区域相对于阳极的偏移量，调整加工阳极的遮光罩上的开口位置及开口宽度，得到改进后的加工阳极膜层的遮光罩，使得利用改进后的遮光罩加工出的阳极区域的中心可以与有机膜层膜厚均一区域的中心重合，从而避免了利用现有方法所造成的有机发光层的膜厚均一区域偏离阳极区域的问题。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (8)

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
利用现有的加工方法在一衬底基板上形成阳极和位于阳极上的有机膜层；
由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量；
根据得到的各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域的宽度和膜厚均一区域相对于阳极的偏移量，调整加工阳极的遮光罩上的开口位置及开口宽度，得到改进后的加工阳极膜层的遮光罩，使得利用该遮光罩加工出的阳极区域的中心与有机膜层膜厚均一区域的中心重合。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：该方法还包括：利用改进后的遮光罩制作具有新的阳极排布的阵列基板。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：利用现有的加工方法在一衬底基板上形成阳极和位于阳极上的有机膜层的步骤包括：
在衬底基板上形成薄膜晶体管；
在薄膜晶体管上形成阳极；以及
在阳极上形成有机膜层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：在衬底基板上形成薄膜晶体管的步骤包括：
在衬底基板上形成栅极金属层；
在栅极金属层上形成栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层；
在氧化物半导体层上形成刻蚀阻挡层；
在刻蚀阻挡层上形成源极和漏极；以及
在源极和漏极上形成钝化层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量时采用量取、计算或者量取与计算相结合的方式。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度的步骤包括：
利用紫外光显微镜由加工好阳极和有机膜层的衬底基板上测量各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域的宽度。
7.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域相对于阳极的偏移量的步骤包括：
利用紫外光显微镜由加工好阳极和有机膜层的衬底基板上测量各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域和阳极区域的中心坐标；
计算出有机膜层膜厚均一区域的中心坐标和阳极区域的中心坐标的差值。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：在计算出有机膜层膜厚均一区域的中心坐标和阳极区域的中心坐标的差值的步骤中计算出的差值指有机膜层膜厚均一区域的中心坐标和阳极区域的中心坐标在膜厚均一区域宽度方向的差值。
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Denomination of invention: Manufacturing method of array substrate

Effective date of registration: 20201221

Granted publication date: 20181012

Pledgee: Xin Xin Finance Leasing Co.,Ltd.

Pledgor: KunShan Go-Visionox Opto-Electronics Co.,Ltd.

Registration number: Y2020980009652