JP4782219B2 - 真空蒸着装置 - Google Patents
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Description
複数の放出孔を線状に配置すると共に、前記放出孔によるコンダクタンスを両端部側で大きくした蒸発容器を有し、
前記蒸発容器を加熱することにより、内部に収容した蒸発材料を蒸発又は昇華させて、前記複数の放出孔から前記蒸発材料の蒸気を放出させると共に、前記複数の放出孔の配置方向に垂直な方向に、基板及び前記蒸発容器を相対的に移動させて、前記基板全面に前記蒸発材料を蒸着させる真空蒸着装置において、
前記蒸発容器内部に前記蒸気が通過する複数の通過孔を有する整流板を設け、前記複数の放出孔の配置方向における単位長さあたりのコンダクタンスについて、前記通過孔によるコンダクタンスを、前記放出孔によるコンダクタンスと比例するようにしたことを特徴とする。
上記第1の発明に記載の真空蒸着装置において、
前記放出孔を全て同一面積とすると共に当該放出孔を前記蒸発容器の両端部側で密に配置すること、又は、前記複数の放出孔を同一間隔で配置すると共に当該放出孔の面積を前記蒸発容器の両端部側で大きくすることにより、前記放出孔によるコンダクタンスを前記蒸発容器の両端部側で大きくしたことを特徴とする。
上記第1、第2の発明に記載の真空蒸着装置において、
前記通過孔を全て同一面積とすると共に当該通過孔を前記蒸発容器の両端部側で密に配置すること、又は、前記複数の通過孔を同一間隔で配置すると共に当該通過孔の面積を前記蒸発容器の両端部側で大きくすることにより、前記通過孔によるコンダクタンスを、前記放出孔によるコンダクタンスと比例するようにしたことを特徴とする。
上記第1〜第3のいずれか1つの発明に記載の真空蒸着装置において、
前記放出孔によるコンダクタンスC1に対する前記通過孔によるコンダクタンスC2の比[C2/C1]を、5.0以下、好ましくは、2.0以下としたことを特徴とする。
上記第1〜第4のいずれか1つの発明に記載の真空蒸着装置において、
前記蒸発容器の内側の高さH1に対する前記放出孔から前記整流板までの距離H2の比[H2/H1]を、0.6以下、好ましくは、0.5以下としたことを特徴とする。
上記第1〜第5のいずれか1つの発明に記載の真空蒸着装置において、
前記蒸発材料の全ての表面から見て、前記放出孔と前記通過孔が直線上に並ばないように、前記通過孔を配置したことを特徴とする。
上記第1〜第6のいずれか1つの発明に記載の真空蒸着装置において、
前記蒸発容器を加熱する加熱手段を、前記蒸発容器の外側面を巻回する1つの系統のヒータと、前記ヒータに電力を供給する1つの加熱電源から構成すると共に、
前記加熱電源を制御する制御手段を、前記蒸発材料の蒸気の蒸発速度を検出する1つの蒸発速度検出器と、前記蒸発速度検出器で検出された蒸発速度に基づいて、前記蒸発材料の蒸気の蒸発速度が一定となるように、前記加熱電源への出力を制御する1つの蒸発速度制御器から構成したことを特徴とする。
上記第1〜第7のいずれか1つの発明に記載の真空蒸着装置において、
前記放出孔側の前記ヒータの間隔を、前記蒸発材料側のヒータの間隔より密に巻回したことを特徴とする。
図1は、本実施例の真空蒸着装置の構成を示す概略構成図であり、当該真空蒸着装置の基板の進行方向に垂直な面における断面を示している。本実施例の真空蒸着装置は、有機EL素子を形成するインライン装置の一部(真空蒸着装置部分)として組み込まれている。従って、以下、一例として、有機EL素子の有機薄膜の形成を例にとって説明するが、本実施例の真空蒸着装置は、これに限定されるものではなく、例えば、金属材料による金属薄膜、絶縁材料による絶縁薄膜等の形成にも適用可能である。更には、1つの蒸発材料を用いた蒸着だけでなく、複数の蒸発材料を用いた蒸着(共蒸着)等にも適用可能である。
実施例1においては、蒸発容器8における単位長さ当たりのコンダクタンスを変更するために、同一径の放出孔13の配置間隔を変えているが、図10に示すように、放出孔13同士の配置間隔を一定とし、代わりに、放出孔13の大きさを変えることで、単位長さ当たりのコンダクタンスを変更するようにしてもよい。
実施例1においては、整流板14における単位長さ当たりのコンダクタンスを変更するために、同一径の通過孔18の配置間隔を変えているが、図11に示すように、通過孔18同士の配置間隔を一定とし、代わりに、通過孔18の大きさを変えることで、単位長さ当たりのコンダクタンスを変更するようにしてもよい。
2 バルブ
3 真空ポンプ
4 基板
5 駆動源
6 搬送ローラ
7 蒸発材料
8 蒸発容器
9 ヒータ
10 蒸発速度検出器
11 蒸発速度制御器
12 加熱電源
13 放出孔
14 整流板
15 輻射防止板
16 水冷ジャケット
17 防熱板
18 通過孔
Claims (8)
- 複数の放出孔を線状に配置すると共に、前記放出孔によるコンダクタンスを両端部側で大きくした蒸発容器を有し、
前記蒸発容器を加熱することにより、内部に収容した蒸発材料を蒸発又は昇華させて、前記複数の放出孔から前記蒸発材料の蒸気を放出させると共に、前記複数の放出孔の配置方向に垂直な方向に、基板及び前記蒸発容器を相対的に移動させて、前記基板全面に前記蒸発材料を蒸着させる真空蒸着装置において、
前記蒸発容器内部に前記蒸気が通過する複数の通過孔を有する整流板を設け、前記複数の放出孔の配置方向における単位長さあたりのコンダクタンスについて、前記通過孔によるコンダクタンスを、前記放出孔によるコンダクタンスと比例するようにしたことを特徴とする真空蒸着装置。 - 請求項1に記載の真空蒸着装置において、
前記放出孔を全て同一面積とすると共に当該放出孔を前記蒸発容器の両端部側で密に配置すること、又は、前記複数の放出孔を同一間隔で配置すると共に当該放出孔の面積を前記蒸発容器の両端部側で大きくすることにより、前記放出孔によるコンダクタンスを前記蒸発容器の両端部側で大きくしたことを特徴とする真空蒸着装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の真空蒸着装置において、
前記通過孔を全て同一面積とすると共に当該通過孔を前記蒸発容器の両端部側で密に配置すること、又は、前記複数の通過孔を同一間隔で配置すると共に当該通過孔の面積を前記蒸発容器の両端部側で大きくすることにより、前記通過孔によるコンダクタンスを、前記放出孔によるコンダクタンスと比例するようにしたことを特徴とする真空蒸着装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の真空蒸着装置において、
前記放出孔によるコンダクタンスC1に対する前記通過孔によるコンダクタンスC2の比[C2/C1]を、5.0以下、好ましくは、2.0以下としたことを特徴とする真空蒸着装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか1つに記載の真空蒸着装置において、
前記蒸発容器の内側の高さH1に対する前記放出孔から前記整流板までの距離H2の比[H2/H1]を、0.6以下、好ましくは、0.5以下としたことを特徴とする真空蒸着装置。 - 請求項1から請求項5のいずれか1つに記載の真空蒸着装置において、
前記蒸発材料の全ての表面から見て、前記放出孔と前記通過孔が直線上に並ばないように、前記通過孔を配置したことを特徴とする真空蒸着装置。 - 請求項1から請求項6のいずれか1つに記載の真空蒸着装置において、
前記蒸発容器を加熱する加熱手段を、前記蒸発容器の外側面を巻回する1つの系統のヒータと、前記ヒータに電力を供給する1つの加熱電源から構成すると共に、
前記加熱電源を制御する制御手段を、前記蒸発材料の蒸気の蒸発速度を検出する1つの蒸発速度検出器と、前記蒸発速度検出器で検出された蒸発速度に基づいて、前記蒸発材料の蒸気の蒸発速度が一定となるように、前記加熱電源への出力を制御する1つの蒸発速度制御器から構成したことを特徴とする真空蒸着装置。 - 請求項7に記載の真空蒸着装置において、
前記放出孔側の前記ヒータの間隔を、前記蒸発材料側のヒータの間隔より密に巻回したことを特徴とする真空蒸着装置。
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US9909205B2 (en) * | 2014-03-11 | 2018-03-06 | Joled Inc. | Vapor deposition apparatus, vapor deposition method using vapor deposition apparatus, and device production method |
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AU2017359330B2 (en) | 2016-11-09 | 2022-03-10 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Department Of Health And Human Services | 3D vascularized human ocular tissue for cell therapy and drug discovery |
JP7141793B2 (ja) * | 2018-03-23 | 2022-09-26 | 株式会社アルバック | 真空蒸着装置用の蒸着源及び真空蒸着方法 |
CN108754429B (zh) * | 2018-08-28 | 2020-11-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸发源 |
CN109321884A (zh) * | 2018-10-17 | 2019-02-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀装置 |
CN112996946A (zh) * | 2018-12-04 | 2021-06-18 | 应用材料公司 | 用于蒸发材料的蒸发设备及使用蒸发设备蒸发材料的方法 |
CN109898058B (zh) * | 2019-04-02 | 2020-08-04 | 南京大学 | 一种利用饱和蒸汽压提高蒸发束流稳定性的组合坩埚和具有该坩埚的源炉 |
JP7409799B2 (ja) | 2019-07-29 | 2024-01-09 | キヤノントッキ株式会社 | ノズルユニット,坩堝,蒸発源及び蒸着装置 |
CN112553577A (zh) * | 2019-09-26 | 2021-03-26 | 宝山钢铁股份有限公司 | 一种提高真空镀膜收得率的真空镀膜装置 |
KR102221552B1 (ko) * | 2020-07-15 | 2021-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS55125269A (en) | 1979-03-22 | 1980-09-26 | Citizen Watch Co Ltd | Boat for metallizing |
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US20010005553A1 (en) * | 1999-11-10 | 2001-06-28 | Witzman Matthew R. | Linear aperture deposition apparatus and coating process |
US6237529B1 (en) | 2000-03-03 | 2001-05-29 | Eastman Kodak Company | Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers |
US20030015140A1 (en) * | 2001-04-26 | 2003-01-23 | Eastman Kodak Company | Physical vapor deposition of organic layers using tubular sources for making organic light-emitting devices |
US20030101937A1 (en) | 2001-11-28 | 2003-06-05 | Eastman Kodak Company | Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device |
KR100467805B1 (ko) * | 2002-01-22 | 2005-01-24 | 학교법인연세대학교 | 박막두께분포를 조절 가능한 선형 및 평면형 증발원 |
JP4026449B2 (ja) | 2002-08-30 | 2007-12-26 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子の製造装置 |
WO2004028214A1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication system and manufacturing method of light emitting device |
JP4139186B2 (ja) | 2002-10-21 | 2008-08-27 | 東北パイオニア株式会社 | 真空蒸着装置 |
US20040144321A1 (en) | 2003-01-28 | 2004-07-29 | Eastman Kodak Company | Method of designing a thermal physical vapor deposition system |
JP4463492B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2010-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置 |
US7339139B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-03-04 | Darly Custom Technology, Inc. | Multi-layered radiant thermal evaporator and method of use |
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