CN1422976A - 用于生产有机发光装置的热物理蒸汽沉积源 - Google Patents

用于生产有机发光装置的热物理蒸汽沉积源 Download PDF

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Abstract

一种形成有机发光装置时用于在一种结构上蒸发固体有机材料的热物理蒸汽沉积源,它包括一个偏置加热器,一个设置在该偏置加热器中的电绝缘容器,以及一个设置在该容器上的蒸发加热器。所述沉积源和所述结构之间可以相对运动,以便在所述结构上形成基本上均匀的有机层。

Description

用于生产有机发光装置的热物理蒸汽沉积源
技术领域
本发明总体上涉及用于在一种将要构成有机发光装置的一部分的结构上形成有机层的热物理蒸汽沉积源。
背景技术
有机发光装置,又被称为有机电致发光装置,可以通过将两个或两个以上有机层夹在第一个电极和第二个电极之间构成。
在具有传统结构的被动式基体有机发光装置中,在诸如玻璃基体的透光基体上形成多个横向分隔的透光阳极,例如,铟-锡-氧化物(ITO)阳极,作为第一个电极。然后在通常低于10-3Torr的负压条件下的容器中通过蒸汽沉积来自相应来源的相应的有机材料,连续形成两个或两个以上有机层。将多个横向分隔的阴极作为第二个电极,沉积在所述有机层的最上一层上面。所述阴极相对所述阳极的角度通常为直角。
所述传统被动式基体有机发光装置,通常是通过在合适的列(阳极)之间和循序地在每一行(阴极)之间施加一个电势(又被称为激励电压)而进行工作的。当所述阴极相对阳极偏向负的一方时,光线就从由所述阴极和阳极的重叠部分所限定的像素上发射出来,并且所发出的光线通过所述阳极和基体到达观测者。
在一种主动式基体有机发光装置中,通过薄膜晶体管(TFTs)提供一排阳极作为第一电极,这些阳极与相应的透光部分连接。用与构建上述被动式基体装置基本上相同的方法,通过蒸汽沉积,连续形成两个或两个以上有机层。在所述有机层的最上一层上面,沉积一个公用的阴极作为第二个电极。主动式基体有机发光装置的结构和功能披露于US-A-550066中,该专利的内容被收作本文参考。
例如,用于建造有机发光装置的有机材料、蒸汽沉积有机层的厚度和有机层的形状披露于以下文献中:US-A-4356429,US-A-4539507,US-A-4720432,和US-A-4769292。这些公开引入在这里作为参考。
Robert G.Spahn业已在2000年5月29日授权的普通转让的US-A-6237529中披露了在用于生产有机发光装置的结陶上形成有机层的热物理蒸汽沉积源。由Spahn所披露的源包括一个外壳,它限定了用于容纳可以蒸发的固体有机材料的闭合空间。所述外壳还包括一个顶板,由它形成一个蒸汽排出缝隙开口,蒸发的有机材料可以通过该缝隙到一种结构表面上。该壳体限定的闭合空间连接到顶板由Spahn所披露的沉积源还包括一个与所述顶板连接的传导性阻挡件。该阻挡件提供了覆盖所述顶板中的缝隙的视线,以便当对所述外壳施加一个电势从而导致对所述容器中的固体有机材料进行加热,导致所述固体有机材料蒸发时,蒸发的有机材料可以从所述阻挡件周围通过,并通过所述缝隙到达所述基体或结构,而有机材料颗粒不能通过所述缝隙。
在使用由Spahn所披露的热物理蒸汽沉积源,在多种基体或结构上形成特定有机材料的有机层时,业已发现留在所述闭合空间中的有机材料,或留在该容器中的有机材料残余物难于被除去,特别是难于从由所述外壳形成的闭合空间的内角上除去。在将新的有机材料装入所述闭合空间之前,特别是当新装入的有机材料与前面使用的有机材料不同时,需要进行反复的机械擦洗,以便有效清除前面使用的有机材料的痕迹。当所述闭合空间以前所装的固体有机材料是有机输送孔材料时,在将诸如有机发光材料的有机材料装入构成所述闭合空间的外壳之前,必须将所述有机输送孔材料的所有残余物彻底清除,以避免所述发光材料被哪怕是微量的前面所使用的输送孔材料所污染。
从表面上清除有机残余物的有效的和已知的方法,例如,将容器的闭合空间浸入酸性洗液(酸性清洗液)、或者用一种强的氧化剂处理容器的闭合空间或内表面的方法,不能用于清洗由Spahn所披露的有机材料源,因为用于生产所述闭合空间的金属可能受到这种清洗方法的负面影响。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种用于在将要构成有机发光装置的一部分的结构上形成有机层的热物理蒸汽沉积源。
本发明的另一个目的是提供一种用于在将要构成有机发光装置的一部分的结构上形成有机层的热物理蒸汽沉积源,所述沉积源包括一个偏置加热器,一个用于容纳可以被蒸发的固体有机材料的设置在所述偏置加热器中的电绝缘的容器,以及位于所述容器上的蒸发加热器。
本发明的另一个目的是提供一种用于在将要构成有机发光装置的一部分的结构上形成有机层的热物理蒸汽沉积源,并且包括用于相对所述结构的表面移动所述沉积源的装置,以便在该结构上形成基本上均匀的有机层。
上述目的和其他目的是这样实现的:采用一个用于蒸发固体有机材料,并且在一个负压室中将蒸发的有机材料作为一个有机层涂在一种结构的表面上,制成一种有机发光装置的热物理蒸汽沉积源,包括:
a)由侧壁和底壁构成的偏置加热器,所述侧壁的高度尺寸为HB
b)一个设置在所述偏置加热器中的电绝缘容器,该容器容纳可以蒸发的固体有机材料,该容器由侧壁和底壁构成,并且,容器侧壁的高度尺寸为HC,该高度大于所述偏置加热器侧壁的高度尺寸HB
c)一个设置在所述容器的顶部侧壁表面上的蒸发加热器,该蒸发加热器形成了一个延伸到容器内部的蒸汽排出缝隙开口,使得蒸发的有机材料能够通过该缝隙开口沉积在所述结构的表面上;
d)用于给所述偏置加热器施加电势的装置,导致对所述容器中的固体有机材料施加偏置热,由所述偏置热提供一种偏置温度,该温度不足以使固体有机材料蒸发;
e)用于给所述蒸发加热器施加电势的装置,导致在所述容器中的固体有机材料的最上部施加蒸发热量,使得所述最上部分蒸发,以便蒸发的有机材料通过所述排出缝隙开口在所述结构上,在该结构上形成一个有机层;和
f)用于在所述蒸发沉积源和结构之间提供相对运动的装置,以便在所述结构上形成基本上均匀的有机层。
本发明的特征是在偏置加热器中设置一个电绝缘的容器,由该加热器给装在所述容器中的固体有机材料提供偏置热,以便滞留在所述有机材料中的气体或挥发性化合物,在偏置加热器的温度下能够从里面释放出来,该温度不足以使所述有机材料蒸发。
本发明的另一个特征是装在所述容器中的固体有机材料通过所述偏置加热器加热到一个受控制的偏置温度,以便蒸发加热器可以在负压条件下,并且在足以蒸发所述容器中的固体有机材料的受控制的蒸发加热器温度下工作,从而减少所述容器中的有机材料的一部分发生分解的潜在可能。
本发明的另一个特征是所述电绝缘容器设置在一个偏置加热器中,由该加热器给装在所述容器中的固体有机材料提供偏置热,以便滞留在所述有机材料中的气体可以在偏置温度下从中释改出来,而该温度不足以使所述有机材料蒸发。
本发明的另一个特征是在所述蒸汽沉积源和结构之间可以实现相对运动,以便可以在该结构的表面上形成一个基本上均匀的有机层。
本发明的另一个特征是可以通过已知的和有效的清洗方法方便地清除用于容纳要蒸发的固体有机材料的电绝缘容器中的有机材料残余物。
附图说明
图1是被动式基体有机发光装置的示意性透视图,去掉了一部分元件,以便露出各个层;
图2是适用于生产较大数量的有机发光装置并且具有多个从轮毂上延伸的工作站的有机发光装置的示意性透视图;
图3是装有较大数量基体或结构的支架的示意性剖视图,所述基体或结构装载在图2所示装置的装载工作站上,所述工作站如图2中的剖线3-3所示;
图4是本发明的热物理蒸汽沉积源的分解的示意性透视图;
图5是根据本发明的一个方面的热物理蒸汽沉积源的示意性剖视图,其中,在一个容器中装有有机材料粉末,该容器设置在一个偏置加热器中,并且将一个蒸发加热器和与它连接的阻挡件设置在该容器上面;
图6是根据本发明的另一个方面的热物理蒸汽沉积源的示意性剖视图,其中,将有机材料的固体团装在一个容器中,该容器设置在一个偏置加热器中,并且将一个蒸发加热器设置在该容器上面;
图7是根据本发明的一个方面的,用于在图2所示装置上的结构上形成蒸汽沉积的有机传输电子层(ETL)的蒸汽沉积工作站的示意性剖视图,如图2中的剖线7-7所示,并且示出了通过一个导螺杆移动的蒸汽沉积源的端视图,以便在所述结构上形成均匀的蒸汽沉积的有机传输电子层;和
图8是图2所示ETL蒸汽沉积工作站的一部分的根据本发明的另一方面的示意性顶部视图,并且表示所述蒸汽沉积源相时一个停靠位置的向前和向后运动,其中,蒸汽沉积和偏置加热器温度是通过相应的传感装置监测的。
所述附图必然是示意性质的,因为有机发光装置的层的厚度尺寸通常在亚微米范围内,而表示侧向装置尺寸的特征可能在50-500毫米范围内。因此,对所述附图进行放大是为了便于观察,而不是为了尺寸上的精确性。
术语“基体”表示在它上面预制了多个侧向间隔的第一电极(阳极)的透光支持物,所述基体是被动式基体有机发光装置的前身。一旦基体接收了一部分蒸汽沉积的有机层术语“结构”被用于表示所述基体,并且表示与被动式基体前体不同的主动式基体排列。
参见图1,示出了一种被动式基体有机发光装置10的示意性透视图,去掉部分元件,以便显示各个层。
在一种透光基体11上,形成了若干侧向分隔的第一电极12(又称之为阳极),通过物理蒸汽沉积依次形成有机输送孔层(HTL)13、有机发光层(LEL)14,以及传输电子层(ETL)15,正如在下文所要更详细地说明的。在所述有机传输电子层15上形成多个侧向分隔的第二电极16(又称之为阴极),并且其方向大体上垂直于第一电极12的方向。用一个封套或覆盖物18密封所述结构的对环境敏感的部分,从而提供一个完整的有机发光装置10。
参见图2,示出了有机发光装置100的示意性透视图,该装置适用于采用自动化或机械化装置(未示出)生产较大数量的有机发光装置。所述自动化或机械化装置用于在从缓冲轮毂102和从传递轮毂104上延伸出来的多个工作站之间输送或传递基体或结构。由一台真空泵106通过一个泵送口107在轮毂102、104和由这些轮毂上延伸出来的每一个工作站内形成负压。用一个压力计108显示系统100中的负压。该压力通常低于10-3Torr。
所述工作站包括一个用于提供基体或结构装载的装载工作站110,一个用于形成有机输送孔层(HTL)的蒸汽沉积工作站130,一个用于形成有机发光层(LEL)的蒸汽沉积工作站140,一个用于形成有机传输电子层(ETL)的蒸汽沉积工作站150,一个用于形成多个第二电极(阴极)的蒸汽沉积工作站160,一个用于将结构从缓冲轮毂102传送到传递轮毂104上的卸载工作站103,并且,该传递轮毂提供储存工作站170,和通过连接口105与轮毂104连接的封装工作站180。上述每一个工作站具有一个分别通向轮毂102和104的开口,并且每一个工作站具有一个真空密封的进入口(未示出),以便提供进入工作站的通道,用于清洗、补充材料,并用于更换或维修部件。每一个工作站包括一个构成一个腔室的外壳。
在图5-8的详细说明中,有机传输电子材料是作为用于在图2所示的工作站150上形成有机传输电子层(ETL)15(参见图1)的有机材料的说明性例子。可以理解的是,根据本发明的有关方面,可以用热物理蒸汽沉积源在图2所示的工作站140上有效形成有机发光层(LEL)14(参见图1),或者在图2所示的工作站130形成有机输送孔层(HTL)13(参见图1)。
图3是沿图2中剖线3-3的装载工作站110的示意性剖视图。装载工作站110具有一个外壳110H,由它形成一个腔室110C。在该腔室内装有一个被设计用于携带多个在它上面具有预制的第一电极12的基体11的支架111(参见图1)。可以提供另一个支架111,用于支撑多个主动式基体结构。还可以在卸载工作站103和储存工作站170上提供支架111。
参见图4,示出了按照本发明制造的一种热物理蒸汽沉积源的分解的示意性透视图。所述沉积源包括一个偏置加热器20,它具有侧壁22、24,端板26、28,和底壁25。电连接凸缘21和23分别由端板28和26上延伸。偏置加热器20是由一种金属制成,该金属具有低的至中等的导电性,并且,在较高的“偏置”温度下反复使用时具有良好的机械强度和稳定性,以及便于成型成所需形状的能力。钽是满足上述要求的一种优选金属。所述偏置加热器的高度尺寸为HB
所述沉积源还包括电绝缘容器30,该容器具有侧壁32、34,端板36、38,和底壁35。侧壁32、34和端板36、38拥有一个共同的上表面39。所述电绝缘容器30优选由石英或陶瓷材料制成。所述材料明显地抗酸或强氧化剂,这种制剂通常被用于清除装有有机材料的容器上的有机材料或有机残余物,正如结合图5和图6更详细地说明的。所述容器的高度为HC,这一高度大于偏置加热器20的高度HB。沿着点划线的箭头,用于表示容器30向下放入偏置加热器20中,以便放置在该加热器中(参见图5和6)。
所述沉积源的一个上部元件是蒸发加热器40,该加热器优选也是由钽金属制成的。蒸发加热器40基本上是一个平面的结构,它包括电连接凸缘41、43,蒸汽排出缝隙开口42,以及定位或限制凸缘46,它在将蒸发加热器40按照沿点划线的箭头所示方向向下放到容器30上时,将蒸发加热器40对准并限制在容器30的公用上表面39上。然后所述蒸汽排出缝隙开口将会位于容器30的内部尺寸中央(在图4中未示出)。
同时参见图5和图6,示出了按照本发明有关方面制造的热物理蒸汽沉积源的示意性剖视图,它具有与容纳在或装入容器30中的有机材料的物理特性相关的区别特征。在图5和6中,为了表达清楚起见,保留了图4中所保留的编号,并且在图5和图6中所示的热物理蒸汽沉积源之间,用其他类似的编号表示类似的部件或类似的功能。例如,接线夹21c、23c和41c、43c是具有相同作用的相同的元件,它们分别将电连接凸缘21、23和41、43与相应的电导线21w、23w和41w、43w连接。
在图5中,电绝缘容器30业已容纳了粉末、薄片或颗粒形式的有机传输电子材料15a,填充到起始水平15b。在这种情况下,蒸发加热器40包括一个具有阻挡表面52的阻挡件50,该阻挡件基本上覆盖了蒸汽排出缝隙开口42,以便在蒸汽沉积到一种结构上期间,有机材料的蒸汽可以绕过阻挡件50,并通过缝隙开口42导向朝向用于接纳有机层的结构,同时,粉状颗粒或片状颗粒受到所述阻挡件的阻挡,不能到达缝隙开口42。阻挡件50通过阻挡件末端56和58与蒸发加热器40连接,所述末端还提供了对阻挡件50的机械支撑。因此,当容器30容纳一定量的粉末、薄片或颗粒形式的有机材料时,蒸发加热器40和与它连接的阻挡件50的结构与在上文所引用的由Spahn在US-A-6237529中所披露的顶板有关。
参见图7和8,为了便于识别,与蒸汽加热器40连接的电导线41w和43w用波浪形外形表示,而与偏置加热器20连接的电导线21w和23w用螺旋形轮廓线表示。
在图6中,容器30装有固体聚集团15p-1、15p-2、15p-3和15p-4形式的有机传输电子材料。
由于所述固体团是高度聚集的或者是压实的,它基本上不含疏松的颗粒。因此,蒸发加热器40可以制造成不具有参照图5所述的阻挡件50。
参见图7,示出了图2所示蒸汽沉积工作站150的示意性剖视图,该工作站被用于通过利用本发明的蒸汽沉积源在结构上形成蒸汽沉积的有机传输电子层(ETL)。工作站150具有一个外壳150H,由它形成一个腔室150C。具有一个蒸汽沉积的有机输送孔层13和一个蒸汽沉积的有机发光层14的结构11,被支撑在一个支架和/或掩模支架151中,该支架位于处在负压下的腔室150C中(参见图2),其压力通常低于10-3Torr。
包括偏置加热器20、容器30和蒸发加热器40的热物理蒸汽沉积源在该沉积源按照相应的箭头所示方向作正向运动“F”或反向运动“R”期间,示出了该沉积源在停靠位置“P”的实线剖视图(参见图8),在中间位置“I”和终止位置“II”的点划线外形。
所述沉积源放置在一个具有车轮285的热和电绝缘的滑车284上面,所述车轮由车轮槽286或设置在滑车轨287上的车轮槽导向。导螺杆282延伸通过滑车284的螺纹孔(未示出)。导螺杆282由导螺杆轴末端支座283支撑它的一端,并且作为通过外壳150延伸到马达280的导螺杆轴281。导螺杆轴281的这一部分通过真空密封件(未示出)穿过所述外壳。所述密封件通常被用于伸入真空系统或伸出真空系统的旋转件。
马达280通过一个开关288提供滑车284的向前运动“F”或向后运动“R”,开关288由一个输入端子289为所述马达提供控制信号。开关288可能具有一个中间或“中性”位置(未示出),此时,滑车保持在所述滑车和沉积源的的实线轮廓的“停靠”位置上。
在所述沉积源的“停靠”位置上,通过一个测定偏置加热器20的温度的测温装置产生第一个控制信号。该装置在图7中是作为光学高温计510示出的,它通过外壳150H上的窗口508收集一部分偏置加热器温度辐射506,并且它在输出端子512提供一个相应的偏置加热器控制信号。该控制信号还可以通过与偏置加热器20连接的热电偶产生,该控制信号通过一个导线514提供给偏置加热器电源520的输入端子516。该偏置加热器电源520具有输出端子524和527,它们通过相应的导线525和528与密封安装在外壳150H中的相应的电力输送通道526和529连接。螺旋电导线21W分别连接到电子引线526和529上并简示在偏置加热器20处终止。为了保留视觉的清楚性,在图7的附图中省略了图5和6中的电连接凸缘21和23,以及连线夹21c和23c。
选择由偏置加热器温度控制信号控制的,由偏置加热器电源520提供给偏置加热器20的电势,以便将偏置加热器保持在不足以使有机材料(在图7所示的容器30中以两个固体团15p的形式表示)在所述容器中蒸发的温度上。不过,该偏置加热器温度足以释放出装在所述容器中的有机材料中所滞留的气体和/或所滞留的水分或挥发性化合物。
在启动蒸汽加热器40以便蒸发所述有机材料的最上面的部分(图7中的上部团块的最上部分)时,在所述沉积源的“停靠”位置“P”产生第二个控制信号。蒸发的有机材料通过从蒸发加热器40延伸到容器30中的蒸汽排出缝隙开口42离开所述沉积源。由腔室150C中的有机传输电子材料的蒸汽形成沉积区15v。
在沉积源的“停靠”位置“P”(参见图8)上的沉积区15v中,示出了一个质量传感器组件300,该组件支撑至少两个晶体质量传感器301和303。晶体质量传感器301处在一个传感位置上,并且接收有机材料。传感器301通过一个传感器信号引线401和一个传感器信号引线410与沉积速度监测器420的输入端子416连接。由监测器420提供对理想蒸汽沉积速度的选择,该速度是物质在传感器301上堆积的理想速度,而所述监测器包括一个振荡电路(未示出),该电路包括晶体质量传感器301,这种技术是监测蒸汽沉积过程的技术领域中所公知的。由沉积速度监测器420向它的一个输出端子422提供输出信号,而该监测器输出信号通过位于输入端子426的导线424成为控制器或放大器430的输入信号。位于所述控制器或放大器430的输出端子432的输出信号通过导线434与蒸发加热器电源440的输入端子连接。蒸汽加热器电源440具有两个输出端子444和447,它们通过相应的导线445和448与设置在外壳150H中的相应的电力引线446和449连接。蒸发加热器40反过来又分别通过电线41w和43w与电力引线446、449连接,正如在所述沉积源的中间位置的点划线波浪形外形中所示意性地示出的。
因此,在沉积源的“停靠”位置“P”(参见图8)上,由偏置加热器温度控制信号控制偏置加热器电源520,以便提供偏置加热器20的受控制的偏置加热器温度,并由一个蒸汽沉积控制信号控制蒸发加热器电源440,以便提供蒸发加热器40的受控制的温度,使得装在容器30中的有机材料相应地受控制的蒸发。所述受控制的偏置加热器温度可以选择受控制的蒸发加热器温度,与蒸发加热器温度相比,该温度可以降低,在不对偏置加热器加热的情况下这种情况是需要的。业已证实,当装在容器中的有机材料要在过高的蒸发加热器温度下发生部分分解时,受控制的偏置加热器温度的这种“温度添加”效应是有利的。
在建立了上述受控制的条件之后,滑车284从“停靠”位置“P”通过一个中间位置“I向前运动或转运到达终点位置“II”,所述沉积源从这里沿反方向“R”返回,通过中间位置“I”到达停靠位置“P”,如图8所示。
蒸汽排出缝隙开口42和蒸发加热器40与所述结构间隔的距离为D,该距离是经过选择的,以便在沉积区15v提供需要的蒸汽流量,这样,在沉积源的正向运动“F”期间,在结构11上形成了一部分有机传输电子材料层15f,而在通过结构11作反向运动“R”,返回到沉积源的“停靠”位置“P”期间,形成了完整的有机传输电子层15(ETL),其中,再次提供了前面披露过的控制信号。
当热物理蒸汽沉积源处在停靠位置上时,结构11通过机械化装置(未示出)从腔室150中取出,并且通过缓冲轮毂102向前递送到另一个工作站上,例如图2所示有机发光装置100的工作站160上。将一个新的结构向前输送到腔室150C的支架或掩模支架151上,以便按上文所述方法蒸汽沉积一个有机传输电子层15。
质量传感器组件300包括一个传感器支架320,该支架可以通过转子轴323和转子325转动。在这里所示出的转子325是一个手动转子。可以理解的是,转子325可以是一台马达,以便选择性地转动传感器支架320。在传感器支架320上示意性地示出了第二个晶体质量传感器303,它位于一个净化位置,并且由一个挡板329遮挡。由一个净化辐射装置390R提供净化辐射,并且通过光导装置392引导至传感器303,光导装置可以是光学纤维束。
参见图8,示出了图2中的ETL蒸汽沉积工作站150的一部分的示意性顶部视图。为了保证该视图在视觉上的清楚性,在图8中省略了光学高温计510,偏置加热器电源520,沉积速度监测器420,控制器或放大器430,蒸发加热器电源440,以及净化辐射装置390R。
沉积源正向运动“F”的终点位置“II”,还可以是该沉积源反向运动“R”的起始位置,和在沉积源运动期间的中间位置“I”以及停靠位置“II”如图所示。还示出了与偏置加热器20连接的接线夹21c、23c(参见图5和6),以及与蒸发加热器41c、43c。所示出的电导线21w和23w(螺旋形)和电导线41w和43w(波浪形)终止于在腔室150C中的相应的电力引线526、529和446、449。在该附图中省略了支架或掩模支架151。
如图7和8所示,通过使沉积源相对固定安装在支架或掩模支架151中的结构运动,提供热物理蒸汽沉积源和结构11之间的相对运动。
还可以通过与适当改进过的支架或掩模支架151结合的导螺杆(未示出)使所述结构11相对固定安装的沉积源运动,提供热物理蒸汽沉积源和结构11之间的相对运动。在后一种设计中,质量传感器组件300可以相对沉积源固定安装,以便通过诸如晶体质量传感器301的晶体质量传感器连续监测沉积区15v的沉积区一部分的蒸汽流量。
如上文所述,附图2、5、6、7和8仅仅是出于说明的目的示出了有机传输电子材料和在工作站150上的结构上形成有机传输电子层,该工作站是用于图2所示有机发光装置的目的的。可以理解的是,可以利用按照本发明制造的一种或多种沉积源制备掺杂过的或未掺杂过的有机传输电子层15。类似地,可以在图2所示的有机发光装置100的相应的专用工作站上形成掺杂过的或未掺杂过的有机发光层14,并且在一种结构上沉积掺杂过的或未掺杂过的有机输送孔层13。另外,可以在一种结构上形成掺杂过的或未掺杂过的有机注射孔层(在附图中未示出)作为第一层。
例如,使用掺杂剂在一种结构上提供一种掺杂的层业已披露在上面提到过的US-A-4769292中,其中,将一种或多种掺杂剂掺入有机发光层中,以便提供颜色的偏移或发射光的色调。所述特定的颜色偏移或改变在制造多色或全彩色有机发光装置时是特别需要的。
所谓的中性颜色掺杂剂可有效用于与有机输送孔层结合和/或与有机传输电子层结合,以便提供具有改善了的工作稳定性或延长了的使用寿命或改善了的电致发光效率的有机发光装置。
业已结合本发明的某些优选实施方案对本发明进行了详细说明,不过,应当理解的是,在本发明构思和范围内可以进行改变和改进。
例如,本发明的一种改进包括使用所述热物理蒸汽沉积源,通过蒸汽沉积将一种或多种有机掺杂剂沉积在一种结构上,其中,所述掺杂剂装在电绝缘容器30中,掺杂剂是粉末、薄片或颗粒形式的,或者是聚集的团块形式的。
本发明的另一种改进包括使用所述热物理蒸汽沉积源,用于在一种结构上沉积均匀混合的有机主体层,其中,所述有机主体材料装在电绝缘容器30中,该材料是粉末、薄片或颗粒形式的,或者是聚集的团块形式的。
如下所述包括本发明的其他特征。
所述热物理蒸汽沉积源,其中,装在所述容器中的固体有机材料包括至少一个固体团块的所述有机材料。
所述热物理蒸汽沉积源,其中,所述用于在所述蒸汽沉积源和所述结构之间提供相对运动的装置包括适合使所述沉积源相对固定安装的结构运动,或者使所述结构相对固定安装的沉积源运动的导螺杆。
所述热物理蒸汽沉积源,其中,所述偏置加热器测温装置包括用于监测该偏置加热器在蒸汽沉积源的停靠位置上的温度的高温计,由该高温计提供一个相当于偏置加热器温度的控制信号,并且由该控制信号控制偏置加热器电源,以便可控制地为该偏置加热器提供电势。
所述热物理蒸汽沉积源,其中,所述偏置加热器测温装置包括一个与该偏置加热器连接的热电偶,用于测定偏置加热器至少在蒸汽沉积源的停靠位置上的温度,由所述热电偶提供一个相当于偏置加热器温度的控制信号,并且由该控制信号控制偏置加热器电源,以便可控制地为该偏置加热器提供电势。
所述热物理蒸汽沉积源,其中,装在所述容器中的固体有机材料包括一种或多种有机掺杂材料。
所述热物理蒸汽沉积源,其中,装在所述容器中的固体有机材料包括一种或多种有机掺杂材料。
所述热物理蒸汽沉积源,其中,装在所述容器中的固体有机材料包括一种或多种有机主体材料。
所述热物理蒸汽沉积源,其中,装在所述容器中的固体有机材料包括一种或多种有机主体材料。

Claims (10)

1.一种用于蒸发固体有机材料,并且在一个负压室中将蒸发的有机材料作为一个有机层涂在一种结构的表面上,制成一种有机发光装置的热物理蒸汽沉积源,包括:
a)由侧壁和底壁构成的偏置加热器,所述侧壁的高度尺寸为HB
b)一个设置在所述偏置加热器中的电绝缘容器,该容器容纳可以蒸发的固体有机材料,该容器由侧壁和底壁构成,并且,容器侧壁的高度尺寸为HC,该高度大于所述偏置加热器侧壁的高度尺寸HB
c)一个设置在所述容器的顶部侧壁表面上的蒸发加热器,该蒸发加热器形成了一个延伸到容器内部的蒸汽排出缝隙开口,使得蒸发的有机材料能够通过该缝隙开口沉积在所述结构的表面上;
d)用于给所述偏置加热器施加电势的装置,导致对所述容器中的固体有机材料施加偏置热,由所述偏置热提供一种偏置温度,该温度不足以使固体有机材料蒸发;
e)用于给所述蒸发加热器施加电势的装置,导致在所述容器中的固体有机材料的最上部施加蒸发热量,使得所述最上部分蒸发,以便蒸发的有机材料通过所述排出缝隙开口喷在所述结构上,在该结构上形成一个有机层;和
f)用于在所述蒸发沉积源和结构之间提供相对运动的装置,以便在所述结构上形成基本上均匀的有机层。
2.一种用于蒸发固体有机材料,并且在一个负压室中将蒸发的有机材料作为一个有机层涂在一种结构的表面上,制成一种有机发光装置的热物理蒸汽沉积源,包括:
a)由侧壁和底壁构成的偏置加热器,所述侧壁的高度尺寸为HB
b)一个设置在所述偏置加热器中的电绝缘容器,该容器容纳可以蒸发的固体有机材料,该容器由侧壁和底壁构成,并且,容器侧壁的高度尺寸为HC,该高度大于所述偏置加热器侧壁的高度尺寸HB
c)一个设置在所述容器的顶部侧壁表面上的蒸发加热器,该蒸发加热器形成了一个延伸到容器内部的蒸汽排出缝隙开口,使得蒸发的有机材料能够通过该缝隙开口沉积在所述结构的表面上;
d)用于根据由偏置加热器测温装置提供的控制信号可控制地给所述偏置加热器施加电势的装置,导致对所述容器中的固体有机材料施加偏置热,由所述受控的偏置热提供了一种偏置温度,该温度不足以使固体有机材料蒸发;
e)用于根据由沉积速度测定装置提供的控制信号可控制地给所述蒸发加热器施加电势的装置,导致在所述容器中的固体有机材料的最上部施加蒸发热量,使得所述最上部分可控制地蒸发,以便被蒸发的有机材料通过所述排出缝隙开口喷在所述结构上,在该结构上形成一个有机层;和
f)用于在所述蒸发沉积源和结构之间提供相对运动的装置,以便在所述结构上形成基本上均匀的有机层。
3.如权利要求1的热物理蒸汽沉积源,其中,装在所述容器中的固体有机材料包括掺杂过的或未掺杂过的注射孔材料,掺杂过的或未掺杂过的有机输送孔材料,掺杂过的或未掺杂过的有机发光材料,或掺杂过的或未掺杂过的有机传输电子材料。
4.如权利要求1的热物理蒸汽沉积源,其中,所述电绝缘容器是由石英或陶瓷材料制成的。
5.如权利要求3的热物理蒸汽沉积源,其中,装在所述容器中的固体有机材料包括粉末、薄片或颗粒,而所述蒸发加热器还包括一个与蒸发加热器连接并且沿朝向所述容器方向与之分离的阻挡件,该阻挡件基本上能阻止粉末、薄片或颗粒物的颗粒通过所述蒸汽排出缝隙开口喷出,但允许蒸发的有机材料通过该缝隙开口。
6.如权利要求3的热物理蒸汽沉积源,其中,装在所述容器中的固体有机材料包括至少一个固体团块的所述有机材料。
7.如权利要求1的热物理蒸汽沉积源,其中,所述用于在所述蒸汽沉积源和所述结构之间提供相对运动的装置,包括适合使所述沉积源相对固定安装的结构运动,或者使所述结构相对固定安装的沉积源运动的导螺杆。
8.如权利要求2的热物理蒸汽沉积源,其中,装在所述容器中的固体有机材料包括掺杂过的或未掺杂过的注射孔材料,掺杂过的或未掺杂过的有机输送孔材料,掺杂过的或未掺杂过的有机发光材料,或掺杂过的或未掺杂过的有机传输电子材料。
9.如权利要求2的热物理蒸汽沉积源,其中,所述电绝缘容器是由石英或陶瓷材料制成的。
10.如权利要求8的热物理蒸汽沉积源,其中,装在所述容器中的固体有机材料包括粉末、薄片或颗粒,而所述蒸发加热器还包括一个与蒸发加热器连接并且沿朝向所述容器方向与之分离的阻挡件,该阻挡件基本上能阻止粉末、薄片或颗粒物的颗粒通过所述蒸汽排出缝隙开口喷出,但允许蒸发的有机材料通过该缝隙开口。
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TW (1) TW574391B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1922339B (zh) * 2004-02-25 2010-08-25 全球Oled科技有限责任公司 冷凝效应最小化的蒸汽沉积源
CN102414339A (zh) * 2009-04-24 2012-04-11 东京毅力科创株式会社 蒸镀处理装置和蒸镀处理方法

Families Citing this family (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US20020011205A1 (en) 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
SG113448A1 (en) * 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
EP1490895A4 (en) * 2002-03-19 2007-10-10 Innovex Inc EVAPORATION SOURCE FOR A DEPOSITION PROCESS AND INSULATION FIXING PLATE AND HEATED WINDING PLATE AND METHOD FOR FIXING A HEATING WIRE
EP1369499A3 (en) * 2002-04-15 2004-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
TWI336905B (en) * 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
US20030221620A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
US20040007183A1 (en) * 2002-07-11 2004-01-15 Ulvac, Inc. Apparatus and method for the formation of thin films
DE60305246T2 (de) * 2002-07-19 2006-09-14 Lg Electronics Inc. Quelle zur thermischen PVD-Beschichtung für organische elektrolumineszente Schichten
KR100490537B1 (ko) * 2002-07-23 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 가열용기와 이를 이용한 증착장치
US20040040504A1 (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
CN100459220C (zh) 2002-09-20 2009-02-04 株式会社半导体能源研究所 制造系统以及发光元件的制作方法
JP2004353084A (ja) * 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置の固定部材
JP2004353082A (ja) * 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置
JP4447256B2 (ja) * 2003-06-27 2010-04-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6837939B1 (en) * 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
US20050022743A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation container and vapor deposition apparatus
US7364772B2 (en) * 2004-03-22 2008-04-29 Eastman Kodak Company Method for coating an organic layer onto a substrate in a vacuum chamber
US20050241585A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Eastman Kodak Company System for vaporizing materials onto a substrate surface
DE102005010930A1 (de) * 2004-11-10 2006-05-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zum Aufdampfen eines Beschichtungsmaterials
KR20060060994A (ko) * 2004-12-01 2006-06-07 삼성에스디아이 주식회사 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치
US7166169B2 (en) 2005-01-11 2007-01-23 Eastman Kodak Company Vaporization source with baffle
JP2006225757A (ja) * 2005-01-21 2006-08-31 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸着装置
JP4440837B2 (ja) * 2005-01-31 2010-03-24 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸発源及びこれを採用した蒸着装置
JP4317174B2 (ja) * 2005-09-21 2009-08-19 東京エレクトロン株式会社 原料供給装置および成膜装置
US20070178225A1 (en) * 2005-12-14 2007-08-02 Keiji Takanosu Vapor deposition crucible, thin-film forming apparatus comprising the same, and method of producing display device
EP1862788A1 (en) * 2006-06-03 2007-12-05 Applied Materials GmbH & Co. KG Evaporator for organic material, coating installation, and method for use thereof
US20090317547A1 (en) * 2008-06-18 2009-12-24 Honeywell International Inc. Chemical vapor deposition systems and methods for coating a substrate
TWI472639B (zh) * 2009-05-22 2015-02-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
JP5623786B2 (ja) * 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置
US8882920B2 (en) * 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) * 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8802200B2 (en) 2009-06-09 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
US9174250B2 (en) 2009-06-09 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
KR101074792B1 (ko) * 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) * 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101097311B1 (ko) * 2009-06-24 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치
KR101117720B1 (ko) * 2009-06-25 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법
JP4782219B2 (ja) * 2009-07-02 2011-09-28 三菱重工業株式会社 真空蒸着装置
KR20110014442A (ko) * 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US20110033621A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including deposition blade
KR101127575B1 (ko) * 2009-08-10 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
KR101127578B1 (ko) * 2009-08-24 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP5676175B2 (ja) 2009-08-24 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8486737B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5611718B2 (ja) * 2009-08-27 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) * 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101146982B1 (ko) 2009-11-20 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) * 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) * 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US20110195187A1 (en) * 2010-02-10 2011-08-11 Apple Inc. Direct liquid vaporization for oleophobic coatings
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101673017B1 (ko) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR101678056B1 (ko) 2010-09-16 2016-11-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120029166A (ko) 2010-09-16 2012-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101923174B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857992B1 (ko) 2011-05-25 2018-05-16 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
US8715779B2 (en) 2011-06-24 2014-05-06 Apple Inc. Enhanced glass impact durability through application of thin films
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20130010730A (ko) 2011-07-19 2013-01-29 삼성디스플레이 주식회사 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치
KR20130015144A (ko) 2011-08-02 2013-02-13 삼성디스플레이 주식회사 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
KR20130069037A (ko) 2011-12-16 2013-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
US20130269613A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for generating and delivering a process gas for processing a substrate
KR102015872B1 (ko) 2012-06-22 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
KR102013315B1 (ko) 2012-07-10 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101959974B1 (ko) 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9496524B2 (en) 2012-07-10 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
KR101632298B1 (ko) 2012-07-16 2016-06-22 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조방법
KR20140013471A (ko) * 2012-07-24 2014-02-05 주식회사 쎄코 진공증착용 발열조립체 및 이를 구비하는 진공증착장치
KR102013318B1 (ko) 2012-09-20 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101994838B1 (ko) 2012-09-24 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140050994A (ko) 2012-10-22 2014-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102052069B1 (ko) 2012-11-09 2019-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR102075525B1 (ko) 2013-03-20 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140118551A (ko) 2013-03-29 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102037376B1 (ko) 2013-04-18 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트, 이를 구비하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치
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KR102162797B1 (ko) 2013-12-23 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102334408B1 (ko) 2015-04-10 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1922339B (zh) * 2004-02-25 2010-08-25 全球Oled科技有限责任公司 冷凝效应最小化的蒸汽沉积源
CN102414339A (zh) * 2009-04-24 2012-04-11 东京毅力科创株式会社 蒸镀处理装置和蒸镀处理方法

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Publication number Publication date
US20030101937A1 (en) 2003-06-05
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