CN1699619A - 成膜源、真空成膜装置、有机el元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种真空成膜装置的成膜源(10)，具有：收容成膜材料的材料收容部(11)；加热材料收容部(11)内的成膜材料的加热单元(12)；设在材料收容部的喷出口(11a)上的整流部(13)，整流部(13)具有被分隔成多个细微开口(13a)的流路(13b)，并具有根据整流部(13)的各开口(13a)的截面面积Sa、从整流部(13)的喷出端到被成膜面的距离L、整流部(13)的中心正上方的被成膜面中的成膜材料的成膜速率R所设定的高指向性。由此，可进行指向性高的成膜。

Description

成膜源、真空成膜装置、有机EL元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及成膜源、真空成膜装置、有机EL元件的制造方法和有机EL元件。
背景技术
作为在基板上形成薄膜的技术，公知有真空成膜法(包括真空蒸镀、分子线外延法)。该真空成膜法通过将成膜材料加热使其升华或蒸发而生成成膜材料的原子流或分子流，并使该原子流或分子流朝向配置在真空成膜室(真空容器)内的基板的被成膜面喷射，由此使成膜材料附着在该被成膜面上并形成薄膜。实施这种真空成膜法的真空成膜装置，一般基本上由成膜源和所述真空成膜室构成，成膜源至少具有：收容被称为坩埚或单元的成膜材料的成膜材料容器；和加热该成膜材料的加热单元。
这种真空成膜被用于各种电致部件的薄膜形成。特别是在作为自发光型扁平面板显示器的显示要素近年来备受瞩目的有机EL元件的制造中，被用于在基板上形成的电极或包括发光功能层的有机材料层的成膜。
作为该真空成膜的成膜源所要求的性能之一是高指向性。此处所说高指向性是指使将成膜材料加热使其升华或蒸发所生成的成膜材料的原子流或分子流向所期望的方向喷射，并且不在周围扩散的性能，是指可以定量地减小所成膜的薄膜的膜厚分布中的半值宽度的性能。
如果使用具有高指向性的成膜源，成膜材料就不会随意飞散，所以能够提高成膜材料的使用效率，并且能够在所期望的部位进行集中成膜，只要以合适速率成膜，即可提高成膜的作业效率。
特别是在有机EL元件的制造方法中，通过提高高价的有机材料的使用效率并且提高成膜的作业效率，可以提高生产性，所以能够降低产品成本，并且通过提高成膜精度，可以提高产品的质量。
作为用于获得高指向性的成膜源结构，以往提出了各种提案。例如有下述专利文献1所记载的技术，该技术是在真空蒸镀装置的蒸镀源的上部设置喷出蒸镀流的喷嘴，使喷嘴喷出口的形状对应被蒸镀物的蒸镀范围而变形。另外，下述专利文献2所记载的技术是，作为薄膜形成装置的蒸镀源，具有收容蒸发材料的长尺寸的容器主体，沿着该容器主体的长度方向设置孔形状的蒸发孔，使各蒸发孔的长度与直径比(孔的深度L/孔的直径D)大于等于1。
专利文献1特开平6-228740号公报
专利文献2特开2003-293120号公报
但是，在实际的真空成膜中，仅依靠设定成膜源的喷嘴喷出口的形状和蒸发孔的长度与直径比，不能有效提高指向性。图1表示在成膜源的喷出口设置圆筒状喷嘴，以成膜速率一定为条件，求出该喷嘴的长度与直径比(喷嘴的长度L/孔的直径D)和半值宽度ha的关系的曲线图。图2是表示该半值宽度ha的定义的说明图。如该图(a)所示，对基板M，朝向成膜源S的喷出口进行成膜，此时的膜厚分布如该图(b)所示，半值宽度ha的值为在基板M上从喷出口正上方的点O到基板表面膜厚分布的最高膜厚to的一半(to/2)的点的距离的2倍。
根据图1的曲线图判明，即使单纯使喷嘴的长度与直径比大于等于1，在超过某一定值后，不能提高指向性(不能减小半值宽度ha)。并且，在提高了长度与直径比的情况下，虽然如果使成膜速率降低可以提高指向性，但如果成膜速率变低，则花费成膜时间，恶化成膜的作业效率，所以产生缺乏实用性的问题。
发明内容
本发明把解决这种问题作为一个课题。即，本发明的目的在于，通过查找控制成膜源的指向性的本质原因，提出不降低成膜速率即可获得更高指向性的成膜源的设计指标，由此获得能够以合适速率进行高指向性的成膜的真空成膜装置，或者通过进行指向性高并且作业效率高的成膜，实现有机EL元件的制造成本的降低或产品质量的提高等。
为了达到上述目的，本发明至少具备以下各独立权利要求的构成。
(本发明之1)
一种真空成膜装置的成膜源，将成膜材料加热使其升华或蒸发，把所生成的成膜材料的原子流或分子流朝向被成膜面喷射，由此在该被成膜面上形成薄膜，其特征在于，具有：收容所述成膜材料的材料收容部；加热该材料收容部内的成膜材料的加热单元；设在所述材料收容部的喷出口上的整流部，所述整流部具有被分隔成多个细微开口的流路，并具有根据所述整流部的各开口的截面面积Sa、从所述整流部的喷出端到被成膜面的距离L、所述整流部的中心正上方的被成膜面中的所述成膜材料的成膜速率R所设定的指向性。
附图说明
图1是说明本发明的课题的说明图(长度与直径比和半值宽度的关系)。
图2是说明本发明的课题的说明图(半值宽度的定义说明图)。
图3是表示本发明的实施方式的成膜源的基本构成例的说明图。
图4是表示本发明的实施方式的成膜源的优选设定范围的曲线图。
图5是在图4的曲线图中绘制本发明的实施例和比较例得到的曲线图。
图6是表示本发明的实施方式的成膜源的变形例的说明图。
图7是表示使用本发明的实施方式的成膜源的真空成膜装置的构成例的说明图。
图8是表示使用本发明的实施方式的真空成膜装置制造的有机EL面板的示例的说明图。
图中：10成膜源；11、11A、11B、11C材料收容部；11a喷出口；12加热单元；13、130、131、132整流部；13a开口；13b流路；20真空成膜室
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。图3是表示本发明的实施方式的成膜源的基本构成例的说明图。本发明的实施方式的成膜源10至少具有：收容成膜材料的材料收容部11；加热材料收容部11内的成膜材料的加热单元12；设在材料收容部11的喷出口11a上的整流部13，整流部13具有被分隔成细微的开口13a的流路13b。
此处，所述整流部13对应现有技术中的喷嘴，具有将成膜材料加热使其升华或蒸发，并且限制所生成的成膜材料的原子流或分子流的喷射方向的功能。并且，本发明的实施方式的特征是，在设计该整流部13时，导入了分子流密度(或原子流密度，以下把它们总称为分子流密度)与半值宽度的关系。
为了提高成膜源10的指向性，需要形成在整流部13的流路13b内分子之间难以产生冲击的状态。即，需要形成使在分子运动中评价分子间冲击的影响的准数、即诺森数Ku(＝λ/d，λ：分子的平均自由行程[m]，d：流路13b的内径)充分大于1的状态。但是，如前面所述，即使降低成膜速率，形成诺森数Ku较高的状态，也不能进行实用的成膜作业，并且导致成膜时间变长。
因此，本发明的实施方式着重于整流部13内的分子流密度。即，着重于使整流部13内的分子流密度与半值宽度的关系，具有与整流部13的状态和成膜源10的工作状态相应的相关关系，提出本发明的实施方式。具体讲，本发明的实施方式着重于使分子流密度的常用对数和被归一化化的半值宽度的关系，具有与整流部13的状态和成膜源10的工作状态相应的正倾斜的线性关系，从指向性和成膜速率两方面特定能够获得合适的整流部13的状态及成膜源10的工作状态的设计范围。
具体讲，作为成膜源10的设计指标，用下述公式(a)表示分子流密度X。
公式1
X＝log(R·L2/Sa)[/sec]  ……(a)
Sa：整流部13的各开口13a的截面面积，L：从整流部13的喷出端到被成膜面的距离，R：整流部13的中心正上方的被成膜面中的成膜材料的成膜速率。
并且，用下述公式(b)表示被归一化的半值宽度Y。
公式2
Y＝ha/L……(b)
ha：在被成膜面成膜时的半值宽度，L：从整流部13的喷出端到被成膜面的距离。
该公式(a)、(b)中的参数是根据成膜源10的工作状态和整流部13的状态而特定的，根据该整流部13的各开口13a的截面面积Sa、从整流部13的喷出端到被成膜面的距离L、整流部13的中心正上方的被成膜面中的成膜材料的成膜速率R，可以对成膜源10设定所期望的指向性。
图4表示本发明的实施方式的成膜源10的优选设定范围，把用公式(a)表示的分子流密度X作为X轴，把用公式(b)表示的被归一化的半值宽度Y作为Y轴，表示设定范围。在图中，直线p1是Y＝0.21·X-0.2的直线，直线p2是Y＝0.22·X-0.39的直线。图中的Y＞0.21·X-0.2的区域III是如现有技术那样在整流部13内不形成细微开口时的X-Y的关系区域。
本发明的实施方式从该区域III实验性地求出同一分子流密度X时的指向性较高(半值宽度狭小)的范围，作为可以实现的设定区域，特定区域I[1≤X≤10，0.01≤Y≤0.21·X-0.2]，作为在该区域内更优选的区域，特定区域II[2≤X≤9，0.05≤Y≤0.22·X-0.39](确定该区域的依据是基于后述的实施例和比较例的测定结果的比较)。
此处的特征点是，作为设定参数采用X＝log(R·L2/Sa)，Y＝ha/L。通过采用这种设定参数，可以根据作为本质要素的分子流密度设定成膜源10的指向性，与现有技术相比，能够确保充足的成膜速率，并且获得高指向性。
以下，说明本发明的实施例。本发明的一实施例涉及的成膜源10为图3所示结构，使材料收容部11的直径Do大于整流部13的直径D1，在整流部13内设置细微的开口13a，作为整流部13的实施例，采用在直径D1＝8mm、长20mm的圆筒体内安装1600个内径为0.1mm、长20mm的管的结构(实施例1)，或者采用在相同直径D1＝8mm、长20mm的圆筒体内安装220个内径为0.4mm、长20mm的管的结构(实施例2)。
并且，作为相对该实施例的比较例，采用外观和整流部13相同但设置没有细微开口的喷嘴的结构(比较例1)，或者采用相对材料收容部11卸下整流部13、使喷出口11a的直径为3.5mm的结构(比较例2)。
使用这些实施例1、2和比较例1、2，设定L(从整流部13的喷出端、喷出口、喷嘴的喷出端到被成膜面的距离)＝300mm，一面改变速率一面进行成膜，测定半值宽度的测定结果用下述表1表示。
表1
喷出口直径(mm)  开口截面面积Sa(mm2)    速率R(/sec) X(log)分子流密度   半值宽度ha(mm)  Y(ha/L)归一半值宽度
实施例1内径0.1mm/1600个     8   0.00785     8.5   7.99     145     0.48
    1.5   7.24     69     0.23
    0.33   6.58     48     0.16
实施例2内径0.4mm/220个     8   0.1253     24   7.24     318     1.06
    9.1   6.81     249     0.83
    0.48   5.54     49     0.16
比较例1没有细微开口     8   50.27     24   4.64     320     1.07
    0.22   2.60     145     0.49
    10   4.27     300     1
    1.2   3.34     218     0.73
    6.9   5.90     327     1.09
比较例2没有整流部     3.5   9.621     12   5.30     300     1
    0.24   3.36     181     0.61
    -   -     -     -
图5表示在图4的曲线图上绘制该测定结果的图。在图5中，可以说Y的值越小，指向性越高，可以说X的值越大，成膜速率越高。与比较例1、2相比，实施例1、2能够以较高的成膜速率实现较高的指向性。
在上述的本发明的实施例中，表示使整流部13形成为圆筒状，在其中安装多个管，由此形成圆形断面的细微开口13a的示例，但本发明的实施方式不限于此，整流部13也可以是多边形的柱状体等，微小开口13a的断面形状也可以是多边形等。另外，如果微小开口的隔离壁的厚度增大，将成为蒸气通过的障碍，引发材料分解等问题，所以优选在保持结构的范围内比较薄。并且，整流部13a也可以把材料收容部11的喷出口11a分割成网眼状来形成细微的流路。总之，本发明的实施方式具有下述特征，不仅简单地特定整流部13的形状，而且在仅提高长度/直径比不能增强指向性的区域，使用着重于分子流密度的设计参数，实现成膜源10的指向性改善。图3所示的成膜源10的状态只不过示出实施本发明时的最佳状态。
图6表示图3所示的成膜源10的变形例。在该图(a)中，把与图3所示的实施方式相同的整流部131相对一个材料收容部11排列成多条线状，在该图(b)中，在一个材料收容部11设置具有细微的开口、并且形成具有方向性的横长喷出口的整流部132。在这些示例中，形成为有效进行在一个方向具有较高指向性、在与其正交的方向具有线性扩展的成膜的成膜源。并且，整流部形成为存在于材料收容部内的一体式结构。
形成本发明的实施方式的材料收容部11和整流部13的材料等没有特别限定。例如，可以列举镍、铁、不锈物质、钴-镍合金、不锈钢、石墨、SiC、Al2O3、BN、氮化钛等磁性陶瓷体等。
并且，关于加热单元12，可以使用以往公知的各种方式。例如，可以列举电阻加热法、高频加热法、激光加热法、电子束加热法等。作为优选实施例可以采用下述加热单元，使用电阻加热法，在利用氧化铝(Al2O3)、氧化铍(BeO)等高熔点氧化物形成的材料收容部11周围，缠绕钽(Ta)、钼(Mo)、钨(W)等高熔点金属的加热丝或船状加热线圈，通过向该加热线圈流过电流来进行加热。更优选利用相同材料形成整流部13，在其周围也同样缠绕加热线圈并加热，由此可以进行防止成膜材料附着在整流部13上的理想成膜。
图7是表示使用上述本发明的实施方式的成膜源的真空成膜装置的构成例的图。该图(a)～(d)所示的真空成膜装置具有：上述本发明的实施方式的成膜源10；利用未图示的保持单元保持具有被成膜面m的基板M的真空成膜室20，使从成膜源10射出的成膜材料的分子流朝向基板M喷射。真空成膜室20通过阀门21连接排气管22，可以把室内设定为高真空(10-4Pa以下)状态。在该高真空状态下加热成膜源10，使成膜材料的分子流向室内喷出，在基板M上形成成膜材料的薄膜。由此，可以获得能够以合适速率进行高指向性的成膜的真空成膜装置。
该图(a)、(b)所示的构成例把成膜源10配置在真空成膜室20的室内。如该图(a)所示，可以形成配置单个成膜源10的结构，也可以如图(b)所示形成配置多个成膜源10的结构。并且，图(c)、(d)所示的构成例把整流部130配置在真空成膜室20内，把材料收容部11A、11B、11C配置在真空成膜室20的外面。此处，表示在基板的一个方向排列具有多个喷出口的柱状整流部130，在该整流部130连接由多个容器构成的材料收容部11A、11B、11C的示例。如该图(c)所示，可以形成为在垂直方向喷出分子流的结构，也可以形成为如图(d)所示在水平方向喷出分子流的结构。
采用所述成膜源10的真空成膜装置可以适用于以有机EL元件为显示要素的有机EL面板的制造方法。有机EL面板在第1电极和第2电极之间夹持着包括有机发光功能层的有机材料层，在基板上形成有机EL元件，但在基板上成膜形成电极或有机材料层的至少一种成膜材料时，也可以使用上述的真空成膜装置。
这样，能够以合适速率进行高指向性的成膜，所以不会浪费有机材料，减轻成膜材料的回收作业，能够进行作业效率较高的成膜，实现有机EL元件(或有机EL面板)的制造成本的降低或产品质量的提高。并且，不限于有机EL，对包括分子线诺森的真空蒸镀第的真空薄膜形成装置，当然也可以期望相同的效果。
图8是表示使用上述真空成膜装置制造的有机EL面板的示例说明图。
有机EL面板100的基本构成是在第1电极131和第2电极132之间夹持着包括有机发光功能层的有机材料层133，在基板110上形成多个有机EL元件130。在图示例中，在基板110上形成硅被覆层110a，把在其上形成的第1电极131设定为由ITO等透明电极构成的阳极，把第2电极132设定为由AL等金属材料构成的阴极，构成从基板110侧射出光的底部放射方式。并且，作为有机材料层133，表示空穴输送层133A、发光层133B、电子输送层133C的三层结构的示例。另外，通过粘接层141粘贴基板110和密封部件140，在基板110上形成密封空间，在该密封空间内形成由有机EL元件130构成的显示部。
由有机EL元件130构成的显示部在图示例中，利用绝缘层134划分第1电极131，在所划分的第1电极131之下形成使用有机EL元件130的各个单位显示区域(130R、130G、130B)。并且，在形成密封空间的密封部件140的内面安装干燥单元142，防止因潮气造成的有机EL元件130的劣化。
并且，在基板110的端部，利用和第1电极131相同的材料、并且在相同工序形成的第1电极层120A，在通过绝缘层134与第1电极131绝缘的状态下进行图案加工。在第1电极层120A的引出部分形成第2电极层120B，第2电极层120B形成包括Ag、Cr、Al等的金属或其合金、例如银钯(Ag-Pd)合金的低电阻布线部分，在第2电极层120B上再根据需要形成IZO等保护膜120C，形成由第1电极层120A、第2电极层120B和保护膜120C构成的引出电极120。并且，在密封空间内端部，第2电极132的端部132a连接引出电极120。
虽然省略图示，但是第1电极131的引出电极可以通过使第1电极131延伸并伸出到密封空间外面来形成。在该引出电极也和上述第2电极132相同形成电极层，该电极层形成包括Ag、Cr、Al等的金属或其合金的低电阻布线部分。
以下，更加具体地说明本发明的实施方式的有机EL面板100及其制造方法的详细内容。
a.电极
第1电极131、第2电极132把一方设为阴极，把另一方设为阳极。阳极由功函数高于阴极的材料构成，可以使用铬(Cr)、钼(Mo)、镍(Ni)、白金(Pt)等金属膜或ITO、IZO等氧化金属膜等的透明导电膜。与此相反，阴极由功函数低于阳极的材料构成，可以使用碱金属(Li、Na、K、Rb、Cs)、碱土类金属(Be、Mg、Ca、Sr、Ba)、稀土类金属等功函数低的金属，其化合物或包括它们的合金，已掺杂的聚苯胺或已掺杂的聚苯乙炔等非晶质半导体、Cr2O3、NiO、Mn2O5等氧化物。另外，在第1电极131、第2电极132均由透明材料构成的情况下，在与光的放出侧相反的电极侧设置反射膜。
引出电极120连接驱动有机EL面板100的驱动电路部件和挠性布线基板，但优选尽量形成为低电阻，如前面所述，可以通过层叠Ag-Pd合金或Ag、Cr、Al等金属或其合金等低电阻金属电极层形成，或者单独利用它们的低电阻金属电极形成。
b.有机材料层
有机材料层133至少由包括有机EL发光功能层的单层或多层有机化合物材料层构成，但是层结构可以形成为任何方式。一般如图8所示，可以使用从阳极朝向层叠阴极空穴输送层133A、发光层133B、电子输送层133C的组合结构，也可以设置各自不只一层的多层层叠的发光层133B、空穴输送层133A、电子输送层133C，还可以省略空穴输送层133A和电子输送层133C之中的任何一层，也可以两层均省略。另外，可以根据用途插入空穴注入层、电子注入层等的有机材料层。空穴输送层133A、发光层133B、电子输送层133C可以适当选择以往使用的材料(可以是高分子材料或低分子材料)。
另外，作为形成发光层133B的发光材料，可以是呈现从单态激子状态返回基底状态时的发光(荧光)的材料，也可以是呈现从三态激子状态返回基底状态时的发光(磷光)的材料。
c.密封部件(密封膜)
在有机EL面板100中，作为气密密封有机EL元件130的密封部件140，可以使用金属制、玻璃制、塑料制等板状部件或容器状部件。可以使用通过在玻璃制密封基板上进行冲压成形、蚀刻、喷砂处理等加工来形成密封用凹部(一级凹入或两级凹入)的部件，或者使用平板状玻璃并利用玻璃(塑料也可以)制隔离物在与基板110之间形成密封空间。
为了气密密封有机EL元件130，不使用密封部件140，也可以利用密封膜来密封有机EL元件130。该密封膜可以通过层叠单层膜或多个保护膜来形成。作为所使用的材料，可以是无机物、有机物等任一种。作为无机物，可以列举SiN、AlN、GaN等的氮化物，SiO、Al2O3、Ta2O5、ZnO、GeO等的氧化物，SiON等的氧化氮化物，SiCN等的碳化氮化物，金属氟化物、金属膜等。作为有机物，可以列举环氧树脂、丙稀树脂、聚对二甲苯、全氟稀烃、全氟醚等的氟类高分子、CH3OM、C2H5OM等的金属醇盐、聚酰亚胺前体、二萘嵌苯类化合物等。层叠厚度和材料可以根据有机EL元件的设计适当选择。
d.粘接剂
形成粘接层141的粘接剂可以使用热固型、化学固化型(双溶剂混合)、光(紫外线)固化型等粘接剂，其材料可以使用丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酯、聚烯烃等。特别优选使用不需要加热处理、即固化性高的紫外线固化型环氧树脂粘接剂。
e.干燥单元
干燥单元142可以使用以下干燥剂来形成：沸石、硅胶、碳、碳纳米管等物理干燥剂；碱金属氧化物、金属卤化物、过氧化氯等化学干燥剂；在甲苯、二甲苯、脂肪族有机溶剂等石油类溶剂中溶解了有机金属络合物的干燥剂；把干燥剂颗粒分散在具有透明性的聚乙烯、聚异戊二烯、聚肉硅酸乙烯酯等粘合剂中的干燥剂。
f.有机EL显示面板的各种方式等
作为本发明的实施方式的有机EL面板100，在不脱离本发明宗旨的范围内可以进行各种设计变更。例如，有机EL元件130的发光方式，可以是上述实施例所示的从基板110侧射出光的底部放射方式，也可以是从基板110的相反侧射出光的顶部放射方式。并且，有机EL面板100可以是单色显示也可以是多色显示，但为了实现多色显示，当然包括分涂方式，还可以采用以下方式：将滤色器或由荧光材料形成的色变换层组合到白色或蓝色等单色发光功能层的方式(CF方式、CCM方式)、通过向单色发光功能层的发光区域喷射电磁波等实现多色发光的方式(光致褪色方式)、将2色或多于2色的单位显示区域纵向层叠形成一个单位显示区域的方式(SOLED(transparent stacked OLED)方式)等。
根据以上说明的本发明的实施方式，作为真空成膜装置的成膜源，将成膜材料加热使其升华或蒸发，把所生成的成膜材料的分子流朝向被成膜面喷射，由此在该被成膜面上形成薄膜，该成膜源具有：收容所述成膜材料的材料收容部；加热该材料收容部内的成膜材料的加热单元；设在所述材料收容部的喷出口上的整流部，所述整流部具有被细微的开口隔开的流路，根据所述整流部的各开口的截面面积Sa、从所述整流部的喷出端到被成膜面的距离L、所述整流部的中心正上方的被成膜面中的所述成膜材料的成膜速率R，可以获得所设定的指向性。
因此，可以设定基于控制成膜源的指向性的本质要素即分子流密度的指向性，设计不降低成膜速率即可获得更高指向性的成膜源。由此获得能够以合适速率进行高指向性的成膜的真空成膜装置。并且，通过进行高指向性且作业效率高的成膜，实现有机EL元件的制造成本的降低或产品质量的提高等。

Claims (8)

1.一种真空成膜装置的成膜源，将成膜材料加热使其升华或蒸发，把所生成的成膜材料的原子流或分子流朝向被成膜面喷射，由此在该被成膜面上形成薄膜，其特征在于，具有：
收容所述成膜材料的材料收容部；
加热该材料收容部内的成膜材料的加热单元；
设在所述材料收容部的喷出口上的整流部，
所述整流部具有被分隔成多个细微开口的流路，
并具有根据所述整流部的各开口的截面面积Sa、从所述整流部的喷出端到被成膜面的距离L、所述整流部的中心正上方的被成膜面中的所述成膜材料的成膜速率R所设定的指向性。
2.根据权利要求1所述的成膜源，其特征在于，所述整流部的各开口的截面面积Sa、从所述整流部的喷出端到被成膜面的距离L、所述整流部的中心正上方的被成膜面中的所述成膜材料的成膜速率R、成膜时的半值宽度ha的关系，可以用下述公式(1)表示。
1≤X≤10，0.01≤Y≤0.21·X-0.2……    (1)
其中，X＝log(R·L2/Sa)[/sec]
Y＝ha/L。
3.一种成膜源，其特征在于，所述整流部的各开口的截面面积Sa、从所述整流部的喷出端到被成膜面的距离L、所述整流部的中心正上方的被成膜面中的所述成膜材料的成膜速率R、成膜时的半值宽度ha的关系，可以用下述公式(2)表示。
2≤X≤9，0.05≤Y≤0.22·X-0.39……    (2)
其中，X＝log(R·L2/Sa)[/sec]
Y＝ha/L。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的成膜源，其特征在于，所述整流部设在直径小于所述材料收容部的直径的所述喷出口中。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜源，其特征在于，所述整流部通过向圆筒体内填充具有细微直径的管而形成所述开口。
6.一种真空成膜装置，其特征在于，具有：权利要求1～5中任一项所述的成膜源；和保持具有所述被成膜面的基板的真空成膜室，使从所述成膜源喷出的所述成膜材料的原子流或分子流朝向所述基板喷射。
7.一种有机EL元件的制造方法，其特征在于，使用权利要求6所述的真空成膜装置，在所述基板上形成电极层或有机材料层。
8.一种利用权利要求7所述的制造方法制造的有机EL元件。
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