CN1481204A - 组合物和使用该组合物的有机导电性膜以及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有粘度随时间变化小的组合物和利用该组合物的有机导电性膜。本发明的组合物，其特征在于，由有机导电性材料和至少一种以上的溶媒构成，粘度变化率在调合30天后为±5％以下。该溶媒优选含有二元醇系溶剂。本发明的有机导电性膜，其特征在于，由该构成的组合物形成。根据本发明可以获得以喷墨法形成的膜的表面形状的平整化以及特性的稳定性。

Description

组合物和使用该组合物的有机导电性膜以及其制造方法
技术领域
本发明涉及组合物和使用该组合物的有机导电性膜以及其制造方法、具有该有机导电性膜的有机EL元件以及其制造方法、具有该有机导电性膜的半导体元件以及制造方法、电子装置以及电子机器，具体地说，上述导电性薄膜在电子电路或集成电路中用作构成电极或布线的导电部位。本发明的组合物，可以用作各种涂布方法的原材料，其中，在由该组合物形成有机导电性膜时，优选使用喷墨法。
背景技术
以往，在电子电路或集成电路等中使用的布线结构的制造，例如使用光刻法。该光刻法，是指在预先涂布导电性膜的基板上涂布所谓的抗蚀剂，对电路图形进行照射并显影，根据抗蚀层图形通过蚀刻导电性膜形成布线的方法。该光刻法，必需真空装置等大型设备和复杂的工序，另外，材料利用率也在数％左右，所以不得不废弃其几乎所有材料，存在制造成本高、制造所需的能量效率变低的倾向。
在所述集成电路或薄膜晶体管中所用的导电性膜图形，多数通过铜、铝等的金属或铟锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)形成，半导体膜图形多数通过硅形成。以往，该图形形成，一般是通过热CVD法、等离子CVD法、光CVD法等在整个基板面上沉积导电性膜或半导体膜后，通过光刻法除去不要的部分而进行。
但是，在上述CVD法和光刻法组合而形成薄膜图形的方法中，在加工方面存在以下的技术课题。
(1)由于原料为气体状，所以在沉积薄膜的基板表面上例如存在凸凹时，在该基板上难以得到膜厚或膜质均匀的薄膜。
(2)由于膜的形成速度迟缓，所以生产率低。
(3)在等离子CVD法等情况下，必须复杂并且高价的高频发生装置或真空装置等，制造设备的引入以及维修管理需要很多费用。
(4)由于光刻法的工序复杂，并且原料的使用效率也低，所以制造成本变高，另外，由于在该工序中使用的抗蚀剂或蚀刻液等形成为大量废弃物，所以处理成本也很高。
另外，在用硅形成薄膜图形时，在材料方面存在以下技术课题。
(5)作为原料，由于使用毒性或反应性高的气体状的氢化硅，所以操作中存在难点。
(6)另外，由于原料为气体状，所以必须密封的真空装置或配管系统等。一般由这些真空装置或配管系统构成的设备变得很大，另外，这些设备由于在清洁室内工作，所以也需要其维修费用。
(7)所述真空装置或配管系统，其本身就高价，同时为了边维持其真空环境或等离子环境边形成所需的薄膜，由于消费太多的能量，所以导致成品的成本高。
与此相对，具有将分散导电性微粒子的液体(本申请中也称为组合物)通过喷沫法在基板上进行直接图形涂布，之后进行热处理或激光照射并变换为导电膜图形的方法(例如参照专利文献1)。另外，也报告有利用由银的毫微级微粒子构成的分散油墨，通过喷墨法形成等离子显示电极、地址电极的方法(例如参照非专利文献1)。根据这些方法，就不需要所述光刻法，形成导电膜的工序可以大幅度地简化，进而由于也可以降低原材料的使用量，所以作为所述电子电路或集成电路的制造方法是理想的，并且还有望消减制造成本。
但是，为了作为布线使用，导电性微粒子必须一定程度厚膜化形成。即，若导电性微粒子不重叠，导电性微粒子不相互接触的部分，就成为了断线等的原因。另外，若厚膜化不充分，电阻变高，导致形成传导性恶化的布线。
但是，对于将分散导电性微粒子的液体通过喷沫法在基板上进行直接图形涂布的方法，由于利用分散导电性微粒子的液体，所以在能够通过喷出一定量液体进行涂布的导电性微粒子的量中，由于喷出时的粘度等方面的原因而具有一定的限制。另一方面，若要一次喷出大量的液体，则不仅布线的形成位置难以控制，而且布线的线宽变粗并且有悖于电子电路的集成化要求。
对于与所述喷墨法相同的方法中使用的组合物的关系，在以下例子中，从多方面进行技术探讨。
(1)利用由极性溶剂和空穴注入输送材料构成的组合物，通过喷墨法形成空穴注入输送层的有机EL元件的制造方法的例子(例如参照专利文献2)。
(2)作为构成组合物的溶剂，在使用非质子性环状溶剂DMI、NMP等时，通过喷墨法喷出组合物的喷出稳定并且图形形成性、成膜性也提高的例子(参照专利文献3)。
(3)作为空穴注入输送层材料使用该PEDOT/PSS的例子(例如参照专利文献4)。
(4)组合物通过含有高沸点的二元醇系溶剂，可以防止堵塞的例子(例如参照专利文献5)。
(5)通过使用含有限定挥发性(蒸汽压)的溶剂的组合物，可以防止堵塞，进而若利用该组合物形成薄膜，在改善该膜的平整性的同时，可以防止界面形成的例子(例如参照专利文献6)。
与此相对，具有通过屏蔽印刷法进行导电性涂敷时利用浆糊(paste)的例子(例如参照专利文献7)。但是，浆糊一般由于粘性高，所以可以说是不适应于使用喷墨法的材料。
另一方面，川濑等，在Science杂志中报道了通过喷墨法制作有机PET时，作为形成源或漏极的材料利用所述的PEDOT/PSS的技术(例如参照专利文献2)。
[专利文献1]
美国专利第5132248号说明书
[专利文献2]
特愿平10-248816号公报
[专利文献3]
特愿平11-134320号公报
[专利文献4]
特开2000-91081号公报
[专利文献5]
特开2001-167878号公报
[专利文献6]
特开2001-52861号公报
[专利文献6]
特表2002-500408号公报
[非专利文献1]
Tech.Digest of SID’02，pp753(2002)
[非专利文献2]
Science 15 December 2000，Vo1290 pp2123-2126
但是，以往的所述导电性微粒子或导电性高分子等的分散导电性材料、半导体材料的液体，即组合物，在调配液体时具有一定的粘度，但是随着时间的推移，组合物的粘度逐渐变化，存在喷出组合物时的粘度与调配时的粘度相差甚大的倾向。
这种组合物的粘度若随时间产生很大的变化，不仅难以控制喷出液体的量，而且还存在有损堤墙(bank)之间膜的平整性的问题。另外，引起组合物随时间变化还有可能导致形成的导电性膜、半导体膜的特性也发生变化。
一旦通过这种方式形成不平整的表层部，之后无论怎样进行干燥处理，都难以改善其平整性。例如，具有该不平整性表面部的导电膜作为布线使用时，由于该不平整地方的存在，导致通过导电膜的电子或者空穴的流动杂乱，不能得到稳定的通电状态，因此有可能导致长期可靠性降低。
进而，在具有该不平整性表层部的导电膜上叠层何种膜时，则受到该导电膜的形状的影响，设置于其上的膜也失去平整性。具有这种膜和在其上叠层的膜的电子电路或集成电路，无论是工作时的稳定性，还是长期可靠性都缺乏。
因此，以往的组合物，由于很难具有稳定的粘度，所以对通过喷墨法形成膜图形以及由此得到的元件特性都有影响。
发明内容
本发明是鉴于所述事情而完成的，因此其目的在于为了使通过喷墨法形成的膜表面平整以及获得通过上述方法形成的功能膜的特性、元件特性的可靠性，而提供具备粘度随时间变化小的组合物和利用该组合物的有机导电性膜及其制造方法、具备该有机导电性膜的有机EL元件及其制造方法、具备该有机导电性膜的半导体元件及其制造方法、电子装置以及电子机器。
本发明为了解决上述课题，提供一种组合物，其特征在于，由有机导电性材料和至少一种以上的溶剂构成，粘度变化率在调配30日后为±5％以下。
上述构成的组合物，与以往的组合物相比，由于可以维持在极长时间内其粘度稳定，所以在利用该组合物形成涂膜时，能够显著抑制其厚度的随时间变化，并能够得到可靠性高的导电性膜、半导体膜以及半导体元件。
另外，上述构成的组合物，由于其粘度变化率小，因此长时间的保存性优良，同时由于通过大量生产有望降低成本，因此可以作为组合物单体而销售，有利于广泛的产业领域。
构成本发明的组合物的溶媒，通过含有二元醇系的溶剂，由于能够大幅度降低所述组合物的粘度变化率，所以是优先的。此时，该二元醇系的溶剂，在所述溶媒中占有的浓度，以重量％计，通过设在40以上55以下，可以改善通过喷墨法将该组合物从喷嘴喷出时的堵塞，同时喷出后不弯曲而是以直线喷出并形成膜，因此所制作的膜的平整性或表面外观被改善。因此，例如将该膜用作空穴注入输入层的有机EL元件，其象素内平整性得以大幅度改善。
作为所述二元醇系溶剂，优选的材料为二甘醇或者其混合物、单甘醇或其混合物、以及三甘醇或其混合物。
作为构成本发明组合物的有机导电性材料，优选的材料可以举出聚噻酚衍生物、聚二氧噻酚与聚苯乙烯磺酸的混合物、或者聚苯胺与聚苯乙烯磺酸的混合物。
另外，构成本发明组合物的溶媒，通过含有乙二醇系的表面活性剂，可以进一步改善上述材料的分散性。另外可以降低组合物的表面张力并使底层基板上的润湿性。所述表面活性剂也具有难以起泡的性质，由此可以防止气泡混入组合物内并形成均匀的没有缺陷的致密膜。尤其是在本发明的组合物中含有以重量％计浓度为0.01以上0.1以下的乙二醇系表面活性剂时，利用该组合物制造的膜，可以实现更优良的平整性。
另外，通过使所述乙二醇系表面活性剂的沸点和与该表面活性剂一起构成所述溶媒的溶剂的沸点相同或者在其之下，可以将喷出组合物而制膜时的干燥时间与溶媒结合起来，并可以防止在除去溶媒后残留表面活性剂。其结果，由所述构成的组合物制作的膜，通常可以具备优良的平整性、均匀性。在利用难以除去的、例如高沸点的表面活性剂时，有时残留的表面活性剂会有损于导电性膜、半导体膜的特性。其中，作为这种乙二醇系表面活性剂，优选3，5-二甲基-1-辛炔-3-醇。
另外，本发明的组合物，通过实施脱气处理，可以改善以喷墨法从喷嘴喷出该组合物时的喷出稳定性，并且可以进一步改善制作膜的平整性或表面外观。因此，例如将该膜用作空穴注入输送层的有机EL元件，其象素内平面性可以确实地被改善。
作为所述脱气处理，可以举出减压方式、超声波方式、膜分离方式、加热方式、气体置换方式等，但是尤其从不依赖粘度而能够连续脱气的观点来看，优选使用减压方式。另外，膜分离方式需要使用耐溶剂性优良的膜(气液分离膜)。
脱气处理容易伴随由于挥发成分的蒸发而引起的组合物成分比率的变化。尤其对于减压方式，一旦要进一步除去溶解气体，真空度变高，容易使其组分、挥发成分的蒸发引起组合物的组分比率变化。并且对于含有水等蒸汽压高的溶剂的组合物，这种倾向强。组分比率的变化不仅引起物性的变化或喷出稳定性降低，还与成膜性(平整性)的降低相关。因此，在所述脱气处理前，优选预先添加伴随脱气处理蒸发量的溶剂。由此可以防止伴随脱气处理的组合物的最适组分比率的变化。
本发明的有机导电性膜，其特征在于由所述组合物形成。
如前述，本发明的组合物，通过具备其粘度变化率在调合30日后为±5％以下的所谓极长期稳定性，在将该组合物作为原材料制作有机导电性膜时，在膜形成的初期阶段只要达到其平整性，就不会产生该平整性随着时间而损坏的不良现象。因此，上述构成的有机导电性膜，由于其膜自身可以大量生产并且形成后不必进行膜的平整性化处理等，所以可以消减制造成本。另外，由于该有机导电性膜具备优良的平整性，所以在其上无论层叠何种膜，可以不依赖于层叠膜的材质而容易使该层叠膜平整化，因此，该有机导电性膜适于层叠多层膜构成的电子装置用途。通过这种方式得到的有机半导体元件、电子装置可靠性变高。
本发明的有机导电性膜的制造方法，其特征在于，具有利用所述组合物以喷墨法对该组合物进行涂布分开而形成的涂布工序。
如上所述，本发明的组合物，由于具备其粘度变化率小的特征，所以在以喷墨法使该组合物从微细的喷嘴孔喷出时，该组合物不会产生由于粘度变化而引起的喷嘴孔堵塞的问题，由于通常能够从喷嘴孔稳定喷出，因此可以不依赖于喷出作业的时间而稳定地喷出所需的喷出量。尤其对于利用间歇地涂布分开并形成膜的涂布工序的有机导电性膜的制造方法，通过采用该组合物，由于能够高精度地控制其喷出量，因此可以使膜厚显著均匀化。
另外，具有用喷墨法把组合物间歇地涂布分开并形成膜的涂布工序的有机导电性膜的制造方法，通过逐渐地向喷嘴孔供给组成不同的组合物，并且向不同喷嘴供给不同组合物，由此可以形成特性不同的膜。因此根据该构成的制造方法，例如可以容易在基板上的所需位置形成传导性不同的部位。
所述有机导电性膜的制造方法，其特征在于，在所述涂布工序后，具备用于除去溶媒的干燥工序。
通过设有用于除去溶媒的干燥工序，可以从在涂布工序中形成的有机导电性膜上除去溶媒，可以稳定地获得平整且致密构造的膜。
尤其是上述干燥工序，通过在减压气氛下进行，在形成平整的膜的同时还可以提高从膜上除去溶媒的能力。另外，通过将该减压气氛设定为压力1.333×10-3Pa(10-5Torr)以下并且温度为大致室温，可以以更短的时间有效地形成平整的有机导电性膜。这里所谓室温是指例如15℃～27℃。
另外，本发明的有机导电性膜的制造方法，其特征在于，在所述干燥工序后，具备以100℃以上的温度进行热处理的加热工序。
对于通过干燥工序除去溶媒的有机导电性膜，通过实施以100℃以上的温度进行热处理的加热工序，不仅可以使有机导电性膜进一步致密，还可以提高与底层基板或者在上面层叠的层之间的粘接性。另外，该加热工序也具有更充分地从所得有机导电性膜上除去在使分散的组合物中添加的溶媒的作用。
作为所述加热工序中的热源，通过使用红外线，由于不用使热源与有机导电性膜接触而能够有效地对有机导电性膜进行加热处理，所以是优选的。
本发明的有机EL元件，其特征在于，作为空穴注入输送层使用所述有机导电性膜。
通过将具备所述特征即平整性、均匀性优良并且溶媒能够被充分除去的所谓特征的有机导电性膜用作空穴注入输送层，可以得到元件效率稳定并且元件寿命也长的有机EL元件。这里所谓元件效率是指每单位电流的发光亮度，所谓元件寿命，是指在元件中连续流入一定电流时，通电开始时的元件发光亮度减少一半所要的时间。
本发明的有机EL元件的制造方法，其特征在于，利用所述有机导电性膜形成空穴注入输送层的方法为喷墨法。
根据所述构成的有机EL元件的制造方法，可以以喷墨法容易地在具有凹状微小面积的平整区域上形成由具备优良平整性并且溶媒能够充分被除去的有机导电性膜构成的空穴注入输送层。
换言之，上述有机EL元件的制造方法，由于能够在所需区域利用可以高精度成膜的喷墨法简便地制作左右有机EL元件的元件效率或寿命并且材料不同的空穴注入输送层，因此与以往的真空工序中所用的制造法相比，可以大幅度消减元件制作的制造成本。因此，本发明的有机EL元件的制造方法，可以廉价提供具备稳定的元件特性的有机EL元件。
本发明的电子装置(也称为有机EL装置)，其特征在于，至少由所述有机EL元件和该有机EL元件的驱动电路构成。
该构成的电子装置，由于具备所述有机EL元件稳定的元件特性，通过添加该元件的驱动电路，可以使长期可靠性提高。
本发明的电子机器，其特征在于，具备所述电子装置。
该构成的电子机器，由于使用长期可靠性提高的电子装置，所以可以期望电子机器自身的长寿命化。
本发明的有机半导体元件，其特征在于，在构成集成电路的导电部位中的源极、漏极、栅极和/或布线为上述有机导电性膜。
只要是该构成的有机半导体元件，由于构成集成电路的导电部位中的源极、漏极、栅极和/或布线，如上述，可以以稳定性优良的有机导电性膜形成，因此就难以形成作为在源极、漏极、栅极和/或布线中移动的电子或空穴的主要阻碍因素的hirock等(由于制造过程中的热处理或作业中的时间经过而在布线膜的表面上产生的突起物)，由此可以长期维持稳定的通电状态。由此可以提供长期可靠性高的有机半导体元件。
本发明的有机半导体元件的制造方法，其特征在于，在利用上述有机导电性膜形成构成集成电路的导电部位中的源极、漏极、栅极和/或布线的方法为喷墨法。
只要是该构成的有机半导体元件的制造方法，由于通过所谓喷墨法的能够简便并且精度良好地配置并形成膜(图形化)的方法，能够形成所述的长期可靠性高的有机半导体元件，所以与以往的在膜形成中需要大规模真空工序的制造方法相比，可以大幅度降低有机半导体元件的制造成本。因此，本发明的有机半导体元件的制造方法，对提供廉价的有机半导体元件有贡献。
附图说明
图1是利用本发明实施方式的组合物A形成的有机导电性膜的模式剖面图。
图2是利用本发明实施方式的组合物B形成的有机导电性膜的模式剖面图。
图3是表示具有本发明实施方式的有机EL元件的一例电子装置的主要部位剖面图。
图4是表示构成本发明实施方式的有机EL元件的基板构造的模式剖面图。
图5是表示本发明实施方式的有机EL装置的制造方法的一工序的模式剖面图。
图6是表示本发明实施方式的有机EL装置的制造方法的另一工序的模式剖面图。
图7是表示本发明实施方式的有机EL装置的制造方法的又一工序的模式剖面图。
图8是表示本发明实施方式的有机EL装置的制造方法的又一工序的模式剖面图。
图9是表示本发明实施方式的有机半导体元件的一例简要构成的侧剖面图。
图10是表示具备本实施方式的电子装置的一例电子机器的立体图。
图11是表示具备本实施方式的电子装置的另一例的电子机器的立体图。
图12是表示具备本实施方式的电子装置的又一例的电子机器的立体图。
图中：1基板，2 TFT，3阳极，4、24SiO2堤墙，6空穴注入输送层，6a空穴注入输送层用的组合物，7发光层，7a发光层用的组合物，8、28有机堤墙(隔壁)，9阴极，10保护层，11粘接层，12密封基板，13密封层，14喷墨头，15喷嘴口，21基板，26a组合物A，26b、26c组合物B，901基板，902栅极，903栅极绝缘膜，904通道，905源极，906漏极，1000携带电话主体，1001、1101、1206利用电子装置的显示部，1100手表主体，1200信息处理装置，1202输入部，1204信息处理装置主体。
具体实施方式
以下对本发明的组合物进行详细说明。
本发明的组合物，其特征在于，由有机导电性材料和至少一种以上的溶媒构成，粘度的变化率在调合30日后为±5％以下。
构成所述组合物的有机导电性材料和溶媒的组合，不依赖于有机导电性材料的分子量等，只要所得组合物具备导电性，可以是任意组合。
作为用于所述有机导电性或者有机半导体材料的高分子系材料，例如可以举出聚二氧噻酚和聚苯乙烯磺酸的混合系、或聚苯胺和聚磺酸的混合系、聚亚苯基亚乙烯基前体、聚吡咯、以及它们的衍生物等。另外作为低分子系材料，例如可以举出酞箐铜(CuPc)、1，1-双(4-N，N-二甲苯基氨基苯基)环己烷、三(8-羟基喹啉)铝等。
在溶媒中与上述有机导电性或有机半导体混合存在，具有形成构成液体的组合物的作用。作为这种溶媒，从为了使有机导电性或有机半导体均匀地混合存在等的理由来看，可以根据材料使用各种溶剂。其中在显示高导电性的高分子材料的聚二氧噻酚和聚苯乙烯磺酸的混和系、或聚苯胺和聚磺酸的混合系中优选使用极性溶媒。作为极性溶媒，例如可以举出水、异丙醇、正丁醇、γ-丁内酯、N-甲基吡咯烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑啉二酮及其衍生物、二甘醇、单甘醇、三甘醇等的二元醇类、以及它们的二元醇醚类等。
本发明人着眼于组合物的保存稳定性而对上述组合进行了研究，结果发现在调合有机导电性材料和至少一种以上的溶媒而制作的组合物的情况下，在组合物具备的各种特性中，抑制粘度的变化率有利于其保存的稳定性。尤其上述构成的组合物，已知由于作为制膜的原材料使用，所以调合后的保存稳定性对制作的膜质或膜形状等的膜特性、进而对由这些膜构成的元件的特性有很大的影响。
但是，目前为止，关于由上述组合构成的组合物的粘度变化率对该膜特性有什么样的影响，还没有进行过详细的探讨。因此，本发明人制作了表1所示的2种组合物A和组合物B来研究其粘度变化率。
                   [表1]
溶媒的成分 分量
组合物A PEDOT-PSS分散液水二甘醇3，5-二甲基-1-辛炔-3-醇 28g22g50g100mg
组合物B PEDOT-PSS分散液N-甲基吡咯烷酮1，3-二甲基-2-咪唑啉二酮 28g22g50g
所谓PEDOT-PSS分散液为3，4-聚二氧噻酚/聚苯乙烯磺酸(Baytron(p)P、BAYERN社制)。作为二甘醇(简称为DEG)使用关东化学社制的特级级别(grade)，作为3，5-二甲基-1-辛炔-3-醇使用AIRPRODUCTS社制的SF61。
作为N-甲基吡咯烷酮(简称为NMP)使用关东化学社制的特级grade，作为1，3-二甲基-2-咪唑啉二酮(简称为DMI)使用ALDRITH社制的特级级别。
这里表1所示的组合物的组分比率是脱气处理后的组分比率。脱气处理是通过将放置组合物的空间减压至大致160Pa以下的真空压而进行的。在该减压脱气的情况下，可知有大致4％的溶媒蒸发。另外，蒸汽压比较高的溶剂(例如水等)蒸发，蒸汽压比较低的溶剂(例如DEG、NMP、DMI等)几乎不蒸发。因此，作为脱气前的组合物使用预先添加最适组成总重量的大致4％的溶剂(这里为水)的组合物。例如，组合物A的组分比率，在脱气处理前PEDOT-PSS分散液：28g、水：26g、二甘醇：50g、3，5-二甲基-1-辛炔-3-醇：100mg。该组成的脱气后的粘度为17.1mPa·s，与水22％的组成中不脱气测定的粘度值17.1mPa·s相同。粘度的测定是在20℃进行的。
表2是研究上述2种组合物A、B的粘度变化率的结果。在表2的经过天数中，所谓0天是表示调合后立即测定，所谓经过天数1天是表示调合后24小时进行测定。
                                   [表2]
调合组合物后经过的天数
 0  1  2  5  10  15  20  25
组合物A  0.0  0.2  0.1  0.1  0.3  1.0  1.5  1.0
组合物B  0.0  0.1  0.4  2.7  6.8  14.4  18.3  22.0
由表2可知组合物A在调合30天后其粘度的变化率停留在±2％的范围内。另一方面，在公知组合物B的情况下，其粘度变化率在调合后5天之前停留在5％以下的范围内，但是一旦经过10天以上就急剧增加，在调合20天后达到20％。
由该结果可知，组合物A的粘度稳定性极高，调合30天后的长时间内长期保存性优良。与此相反，以往的组合物B，由于在调合20天后其粘度变化率远远超过±5％，因此不得不说组合物B与组合物A相比为保存性显著差的组合物。
以往，对于在利用粘度变化率不同的组合物并通过喷墨法在由微小面积构成的凹部内制作薄膜时，组合物的粘度变化(率)对形成的膜的表面形状(膜的截面外观)究竟有怎样的影响没有详细的探讨。因此，本发明人利用调合30天后粘度变化率不同的组合物制膜，并研究了组合物的粘度变化(率)对形成薄膜表面形状的影响。
图1和图2是表示在构成凹部的微小区域中利用粘度变化率不同的3种组合物通过喷墨法形成膜(厚度50nm)26的状态的模式剖面图。
在图1和图2中，作为具有由微小面积构成凹部的基体，使用了在预先形成ITO的基板21上设置由SiO2膜构成的SiO2堤墙(bank)(厚度约为100nm)24，并通过实施规定的蚀刻处理形成直径40μm的圆形凹部的微小区域的基体。因此，凹部的侧面形成大致垂直(高度约100nm)并且凹部底面呈由ITO构成的基板21的表面露出的状态。另外，进而仅在SiO2堤墙24的表面上设置由丙烯基构成的有机物堤墙(隔壁，厚度约为2μm)28。
图1是使用本发明的组合物A、即粘度变化率在调合30天后为±2％以下的组合物的情况，图2是使用作为比较例的组合物B、即粘度变化率在调合后超过±5％的组合物的情况。
由图1可知，以本发明的组合物A形成的膜26a的表面的中央部平整，同时在与SiO2堤墙24的壁面接触的膜26a的周边部也能够制作出与中央部大致相同的平整形状。
与此相反，以粘度变化率在调合30天后超过±5％的组合物B形成的膜26b的表面，形成为如图2所示的2种截面形状。在以调合10天后粘度变化率超过±5％的组合物B形成时的情况如图2(a)所示。在膜26b的中央部的表面形成平整状，但是随着靠近与SiO2堤墙24的壁面接触的膜26b的周边部，膜26b的表面形成下凹形状。在以调合30天后粘度变化率超过±2％的组合物B形成时的情况如图2(b)所示。在膜26c的中央部的表面形成平整状，但是随着靠近与壁面接触的膜26c的周边部，膜26c的表面形成上凸形状。
根据图1和图2的结果本发明人发现，若为调合30天后粘度变化率取±5％以下的组合物A，利用该组合物A形成的膜26a就具有优良的平整性。尤其是本发明人根据试验确认了，只要利用调合30天后粘度变化率取±5％以下的组合物A并且在周围具有壁面的微小区域内形成均匀的薄膜26a，则制作的膜26a的中央部形成平整状的同时，在与壁面接触的膜26a的周边部也能够维持与中央部相同的平整形状。
作为构成适于形成这种粘度变化率小并且平整性优良的膜的组合物A的溶媒，可以举出含有二元醇系的溶剂。
通过将在所述溶媒中该二元醇系溶剂的占有浓度以重量％计设定在40以上55以下的范围，可以将所述膜的平整性控制在±20％以内。其中，作为所述二元醇系的溶剂，优选二甘醇或三甘醇。
另外，作为构成粘度变化率小并且能够在上述溶媒中溶解或分散的、适于形成平整性优良的导电性膜的组合物的有机导电性材料，优选聚噻酚衍生物、聚二氧噻酚和聚苯乙烯磺酸的混合物、或聚苯胺和聚苯乙烯磺酸的混合物。
构成所述组合物的溶媒，通过含有炔醇系的表面活性剂，可以提高与该溶媒一起构成组合物的有机导电性材料的分散性，并且可以调整作为组合物的表面张力。该分散性的提高，可以在利用喷墨法由组合物形成膜时防止在喷墨用的喷嘴中组合物的固形成分粘附而引起喷嘴口的堵塞，同时还可以使形成的膜均匀。另外，对于能够调节表面张力，由于这有利于将喷嘴口中的组合物的接触角保持为适度的值，并由此降低从喷嘴口喷出的组合物的飞行弯曲，因此可以使喷出的组合物稳定地呈直线飞行。进而通过保持在基板上喷出的组合物的适度表面张力，可以控制基板上的润湿性并且能够提高膜的平整性。
通过将所述炔醇系的表面活性剂的浓度以重量％计设定在0.01以上0.1以下，由于在由所述凹部构成的微小区域上形成薄膜时可以使形成的膜的平整性控制在±20％以内，所以是更优选的。
另外，该炔醇系表面活性剂，其沸点和与该表面活性剂一起构成所述溶媒的溶剂的沸点相同或更低，具有维持将由含有该表面活性剂的组合物形成的膜设置为空穴注入输送层的有机EL元件的高效率并且延长元件寿命的作用。
尤其是作为上述作用高的炔醇系表面活性剂，可以举出3，5-二甲基-1-辛炔-3-醇。
(有机导电性膜及其制造方法)
本发明的有机导电性膜，由于是由具备所述粘度变化率在调合30天后为±5％以下的所谓极长期稳定性的组合物形成，因此不依赖于组合物的保存时间而具备膜的平整性。因此，只要是上述构成的有机导电性膜，除了膜自身的大量生产性优良外，由于在形成后无需设有对多余的膜进行平整化处理等的工序，所以可以大幅度减少制造成本。
另外，所述构成的有机导电性膜，由于不依赖于组合物的保存时间而具备优良的表面平整性，所以在该有机导电性膜上进而层叠何种膜而制作如后述的有机EL元件或有机半导体元件等的电子装置时，不依赖于层叠的膜的材质而容易地使层叠膜平整化。因此，本发明的有机导电性膜适于层叠多层膜而构成电子装置的用途。
本发明的有机导电性膜的制造方法，其特征在于，利用所述组合物以喷墨法将该组合物涂布分开形成的涂布工序。
如上述，本发明的组合物由于具备其粘度变化率小的特征，所以在以喷墨法使该组合物通过微细的喷嘴孔喷出时，该组合物不产生由于粘度变化而引起的喷嘴孔堵塞的不良现象，由于通常可以稳定地从喷嘴孔喷出，可以不依赖于喷出作业的时间、该组合物的保存期间而稳定地喷出所需的量。尤其在利用间歇地涂布分开并形成膜的涂布工序的有机导电性膜的制造方法中，通过采用该组合物，由于可以高精度地控制其喷出量，所以能够使膜厚非常均匀化。
另外，具备以喷墨法将组合物涂布分开形成的涂布工序的有机导电性或者有机半导体膜的制造方法，通过逐渐地将组成不同的组合物向喷嘴孔供给，或者每一喷出材料(组合物)使用不同的喷墨头，从而能够形成特性不同的膜。因此根据该构成的制造方法，例如可以容易地将导电性不同的部位形成在基板上的所需位置上。
另外，所述导电性膜的制造方法，其特征在于，在所述涂布工序后具备用于除去溶媒的干燥工序。
通过设置用于除去溶媒的干燥工序，可以从涂布的液体上除去溶媒，稳定地获得平整并且结构致密的膜。
特别是上述干燥工序，通过在减压气氛下进行，能够提高从形成的膜上除去溶媒的能力。并且通过将该减压气氛设定在压力1.333×10-3Pa(10-5Torr)以下，并且温度为大致室温，可以以更短的时间有效地形成平整的有机导电性膜。
另外，该有机导电性膜的制造方法，其特征在于，在所述干燥工序后具备以100℃以上的温度进行热处理的加热工序。
对于通过干燥工序除去溶媒的有机导电性膜，通过实施以100℃以上的温度热处理的加热工序，可以使构成有机导电性膜的组合物中含有的导电性有机材料之间更致密，并且可以提高与底层基板(底层)或在其上层叠的层之间的粘接性。另外，该加热工序也具有更充分地从所得有机导电性膜上除去在使分散的组合物中添加的溶媒的作用。
作为所述加热工序中的热源，通过使用红外线，可以不用使热源与有机导电性膜接触而能够有效地对有机导电性膜进行加热处理。
(有机EL元件以及具备该有机EL元件的电子装置)
以下参照图3对本发明实施方式中的有机EL元件和通称为具备该有机EL元件的有机EL装置的电子装置进行详细说明。
图3是表示具备将所述本发明的有机导电性膜用作空穴注入输送层的有机EL元件的一例电子装置的主要部位剖面图。图3的有机EL装置，是设置使光从基板1侧发出的构成的基板侧发光型有机EL元件的情况。另外，虽然未图示，但即使在使光从基板12侧射出的构成的密封侧发光型有机EL元件中，不用说将本发明的有机导电性膜用作空穴注入输送层的技术也适用。
本发明的有机EL装置具有基板1、由被设置于基板1一面侧的一对阳极(第1电极)3和阴极(第2电极)9夹持的有机EL材料构成的发光层(EL层)7、空穴注入输送层6和密封基板12。
这里阳极3为透明电极，阴极9为反射电极。另外，阳极3形成为在构成象素的各发光象素上设置的象素电极。另外，本发明的有机EL元件由上述阴极9、发光层7、空穴注入输送层6以及阳极3构成。
另外，空穴注入输送层6、发光层7，被多个隔壁(堤墙)隔开，被分割成多个并水平分散配置，各自构成象素。在隔壁8的下面形成SiO2(氧化硅)4。另外，密封基板12和基板1被粘接层11粘接。并且通过密封基板12和粘接层11密封由阴极9、发光层7、空穴注入输送层6以及阳极3构成的有机EL元件。另外，阴极9的密封基板12侧被保护层10包覆。此外，在基板1上作为有机EL元件的驱动电路设置控制在阳极3中流入电流的TFT(Tin Film Transistor：薄膜晶体管)2。
内设图3的电子装置的有机EL元件，其特征在于，作为构成该元件的空穴注入输送层6使用本发明的有机导电性膜。空穴注入输送层6，在以隔壁8包围周围的区域上形成，可以由具备平整性表面形状的膜构成。但是只要以本发明的有机导电性膜形成空穴注入输送层，则不仅有机导电性膜的膜表面变得平整，而且在与隔壁8接触的膜表面的周边部也可以保持与该中央部相同的平整性。然后，即使在空穴注入输送层6上叠层各发光层7，由于作为底层发挥作用的有机导电性膜即使在其周边部也维持平整性，所以各发光层7也能够具备从中央部到周边部的极其平整的表面形状。其结果，从各发光层7发出的光可以通过一定的光学设计进入有机EL元件中。
进而，将表面平整性优良且长期可靠性高的有机导电性膜用作空穴在其中移动的空穴注入输送层6的有机EL元件，由于其本身可靠性优良，所以可以提供长期可靠性高的电子装置。
作为基板1的形成材料，由于该有机EL装置是基板侧发光型，因此必须是能够透过光的透明或高透过性材料，例如可以举出透明玻璃、石英、蓝宝石、或聚酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚醚酮等的透明合成树脂等。此时，作为密封基板12的材料可以使用金属的层压薄膜。
另一方面，有机EL装置为密封侧发光型时，可以使用氧化铝等的陶瓷、在不锈钢等的金属薄片上实施表面氧化等的绝缘处理的物质、热固化性树脂、热塑性树脂等。若要在阳极的后面设置由高反射率的材质构成的层，也可以使用与基板发光型的情况相同材质的基板。作为密封基板12的材料，使用能够透过光的或者透明的高透过性材料。
作为阳极3，是由铟锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)等构成的高透过性材料，优选使用功函数大的材料。作为空穴注入输送层6，如上述，优选由本发明的组合物、即其粘度变化率在调合30日后为±5％以下的组合物形成的有机导电性膜。
作为发光层7的形成材料，可以使用荧光性高分子或低分子的有机发光色素、或将低分子色素分散在高分子中物质，即各种荧光物质或磷光物质等的发光物质。在作为荧光物质的共轭类高分子中，特别优选含有芳烯基亚乙烯基或芴结构的物质等。在低分子荧光体中，例如可以使用萘衍生物、蒽衍生物、苝衍生物、聚甲炔系、呫吨系、香豆素系、酞箐系等的色素类、8-羟基喹啉及其衍生物的金属螯合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯衍生物等、或特开昭57-51781、同59-194393号公报等中记载的公知物质。作为阴极9，优选由锂(Li)、钙(Ca)、镁(Mg)或它们的氟化物、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)等构成的金属电极。
另外，在阴极9和发光层7之间，根据需要可以设置电子输送层和电子注入层。
另外，虽然未图示，但本实施方式的有机EL装置为有源矩阵型，实际上是多条数据线和多条扫描线在基板上配置成格子状。该有机EL元件，在每个配置为划分成数据线或扫描线的矩阵状的各个象素中，通过开关晶体管或驱动晶体管等的驱动用TFT连接。并且一旦通过该数据线或扫描线供给驱动信号，则在电极间流入电流，有机EL元件的发光层7发光并且该象素闪烁。
(有机EL元件和具备该有机EL元件的电子装置的制造方法)
以下参照图3对本发明的实施方式的有机EL装置的制造方法进行说明。图3是表示本发明实施方式的有机EL装置的主要部位剖面图。
首先在设有作为有机EL元件的驱动电路发挥作用的TFT2的基板1上，形成铟锡氧化物(ITO)等并设置阳极3。然后再该基板1上设置SiO2堤墙4。
接着在SiO2堤墙4上设置由树脂构成的隔壁8。并且在被SiO2堤墙4包围并且成为阳极3的上面的区域上设置膜厚比SiO2堤墙4薄的空穴注入输送层6。进而在被隔壁8包围并且成为SiO2堤墙4和空穴注入输送层6的上面的区域上设置发光层7。
然后，设置阴极9以便覆盖由有机物堤墙构成的隔壁8和发光层7的上面。
通过上述工序制造构成有机EL元件的阴极9、发光层7、空穴注入输送层6和阳极3。
接着在构成有机EL元件的阴极9上面设置保护层10。进而在保护层10的上面以及有机EL元件的上面涂布粘接剂，在该粘接剂的上面压接密封基板12，在形成粘接层11的同时安装密封基板12。
通过以上工序制造具有本发明的有机EL元件和该驱动电路的电子装置(有机EL装置)。
作为在所述制造工序中使用的各层的制作方法，可以使用各种薄膜的制作方法，但是至少空穴注入层6和发光层7优选通过喷墨法制膜。
图4是表示以喷墨法制作空穴注入输送层6之前的基板结构的模式剖面图。在图4中1为基板、3为阳极、4为SiO2堤墙、8为有机物构成的隔壁堤墙。因此包围在阳极、堤墙中的区域对应于象素区域。
图5～图8是表示本发明的实施方式的有机EL装置的制造方法一工序的模式剖面图。这里详细表示了以喷墨法制作空穴注入输送层6和发光层7时顺序。
图5是表示制作空穴注入输送层6之前的基板状态的模式剖面图。表示了用于形成空穴注入输送层6的组合物6a从喷墨头14的喷嘴口15向被SiO2堤墙4和有机物的隔壁堤墙8包围周围的阳极3的表面喷出的状态。作为喷出前的工序，实施表面处理以便使阳极3的表面以及SiO2堤墙表面成为亲油性、有机物隔壁堤墙8表面成为疏油性。作为该表面处理法可以大气压下连续进行02等离子处理和CF4等离子处理。
图6是表示在一个象素内涂布组合物6a、干燥后形成空穴注入输送层6的状态的模式剖面图。组合物6a由有机导电性材料和至少一种以上的溶媒构成，粘度变化率在调合30天后为±5％以下，从这一点来看，不依赖于调合后的经过时间而形成的空穴注入输送层6，即使在该膜表面的周边部接触的SiO2堤墙4的附近也形成与膜表面中央部相同的平整状态。
图7是表示用于在空穴注入输送层6上叠层并形成发光层7的组合物7a被涂布在象素内状态的模式剖面图。
图8是表示通过干燥涂布在空穴注入输送层6上的发光层用组合物7a、形成发光层7并设置阴极9以便覆盖发光层7和有机物堤墙(隔壁)8、进而在该阴极9上设置密封层13的状态的模式剖面图。这里所谓密封层13是在包括图3所示的保护层10、粘接层11以及密封基板12时的名称。
如图6所示，一旦用保存性优良的空穴注入输送用组合物以喷墨法制作空穴注入输送层6时，可以在堤墙4、8包围的微小区域上精度良好地形成平整性优良的薄膜。另外，具有以喷墨法制作的空穴注入输送层6的有机EL元件，也具有元件寿命大大增长的作用效果。
将利用表1所示的2种组合物A和B形成的空穴注入输送层6作为发光层制作不叠层的由阴极和阳极夹持结构的元件，作为随时间的变化，调查了该元件的电阻值。表3表示对利用调合后当天、10天后、20天后、30天后的组合物制作的元件的电阻值进行测定的结果。
所述元件的构成，由下向上的顺序依次为由ITO构成的阳极、由组合物A和B构成的空穴注入输送层、由Al构成的阴极。此时，作为基板使用与图4所示相同的基板。
作为由组合物A和组合物B形成空穴注入输送层的方法，使用了喷墨法。
在表3中所谓元件A是指以组合物A形成空穴注入输送层6的元件，元件B是指以组合物B形成空穴注入输送层6的元件。另外在表3的经过天数中，所谓0天是指利用油墨调合当天的组合物制作元件并测定电阻的结果。
                              [表3]
调合油墨后经过的天数
     0      10      20      30
元件A  1.5×10-5  1.6×10-5  1.9×10-5  1.5×10-5
元件B  1.5×10-5  3.0×10-5  1.2×10-6  4.5×10-7
由表3可以确认，具备由本发明组合物A构成的空穴注入输送层6的元件A，即使在组合物调合20天后显示了与刚调合(0天)的电阻值几乎大致相同的数值，该倾向即使在元件制作30天后也可以维持。
另一方面，具备由以往的组合物B构成的空穴注入输送层6的元件B，组合物调合10天后的电阻值就已经增加到刚制作后(0天)的2倍。并且组合物调合20天后的电阻值变为10倍，30天后超过了100倍。
从以上结果可以看出，具备由本发明组合物A构成的空穴注入输送层6的元件A，与利用以往的组合物B的元件B相比，电阻值的长期稳定性优良。因此，在空穴注入输送层6中使用本发明的组合物A的元件A，与元件B相比，不依赖于组合物的保存时间，能够具有稳定的导电特性。
另外，本发明人进而在由组合物A形成的空穴注入输送层6以及由组合物B形成的空穴注入输送层6上分别通过喷墨法叠层蓝色发光层7，制作有机EL元件A’和B’，探讨该2个元件A’，B’的元件寿命。这里所述的元件寿命是指在元件中持续通入一定的电流时，元件的发光亮度减少到一般所需的时间。其结果表面元件A’与元件B’相比具有2.5倍的元件寿命。该元件A的显著长寿命化，可以认为是能够实现所述组合物的长期稳定性的组成所产生的效果。
构成本发明的组合物的溶媒，通过含有二元醇系溶剂，可以大幅度降低所述组合物的粘度变化率，从而形成稳定的组合物。以下对于探讨该二元醇系溶剂在所述溶媒中占有的浓度多大为最适值的结果进行阐述。
首先，作为二元醇系溶剂使用二甘醇(沸点245℃)，以重量％计，预先准备将由二甘醇构成的溶剂在溶媒中所占浓度设为0、15、30、40、45、50、55、60的组合物A。然后，分别制作多个具有由这些浓度不同的组合物A构成的空穴注入输送层6的元件A。在这里，例如由二甘醇构成的溶剂在溶媒中所占浓度以重量％计取45时的元件A标记为元件A(45)。括号内的数字为0时，表示溶媒中不含二甘醇的情况。
在表4中集中表示了探讨改变二甘醇浓度(单位为重量％)制作的元件A中的象素内平整性、膜外观以及组合物的喷出性的结果。
这里所谓象素内平整性是表示构成空穴注入输送层6的膜的表面中最高点(最厚)与最低点(最薄)之间的距离占构成空穴注入输送层6的膜的厚度的比例(单位为±％)。象素内平整性不能评价时以×表示。所谓膜外观，以记号表示从剖面观察膜时膜表面是是凸型、平整还是凹型。实际膜厚(剖面外观)测定，利用触针式阶差计测定。所谓喷出性是表示以喷墨法将组合物A从喷嘴口喷出时是否产生堵塞以及喷出的组合物是否不弯曲而呈直线飞行的指标。在两项均良好时以○表示，仅一项良好时以△表示，两项均不好时以×表示。
                                            [表4]
   二甘醇浓度   0   15   30   40   45   50   55   60
   象素内平整性   ×   ＞50   40   20   18   15   15   25
    膜外观   凸   凸   凸   稍凸   稍凸   平整   平整   凹
    喷出性   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○
从表4的结果可以看出通过将由二甘醇构成的溶剂在溶媒中所占的浓度以重量％计设定为40以上55以下的范围时，可以将象素内平整性抑制在±20以内，可以得到膜外观大致平整的膜，另外喷出性也变得良好。
另外，构成本发明的组合物溶媒，除了含有二元醇系溶剂外还可以通过含有炔醇系表面活性剂，可以进一步改善其分散性以及降低表面张力。以下对于探讨该炔醇系表面活性剂的浓度(重量％)多大为最适值的结果进行阐述。
在表5中集中表示了作为炔醇系的表面活性剂的一例使用3，5-二甲基-1-辛炔-3-醇(AIRPRODUCTS制、商品名SF61、沸点为160℃，以下称为SF61)制作的蓝色发光元件A’的元件效率、元件寿命以及象素内平整性的探讨结果。
另外，作为二元醇系溶剂使用二甘醇，其浓度固定在50重量％。
所谓元件效率是指每单位电流的亮度(坎德拉/安培)，但是这里以将SF61的浓度为0时所得的数值设为1时的相对值来表示。所谓元件寿命是指在元件中持续通入一定电流时元件的发光亮度减少到一半时所需的时间，但是这里是以将SF61的浓度为0时所得的数值设为1时的相对值来表示。所谓象素内平整性是表示构成空穴注入输送层6的膜表面中最高点(最厚)与最低点(最薄)之间的距离在构成空穴注入输送层6的膜中所占地比例(单位为％)。在不能评价象素内平整性时以×表示。
                              [表5]
SF61的浓度    0    0.01     0.05     0.1     0.5
元件效率    1.0    1.0     1.2     1.05     1.2
元件寿命    1.0    1.0     1.0     1.1     0.8
象素内平整性    ＞50    20     15     15     25
由表5可知通过将SF61的浓度设定在0.01以上0.1以下，可以将象素内平整性控制在±20以内，由此可以得到具备良好元件效率和元件寿命的元件特性。
以下在表6中集中表示了作为炔醇系的表面活性剂的另一例使用3，5-二甲基-4-辛炔-3，6-二硫醇(AIRPRODUCTS制、商品名SF82W、沸点为220℃，以下称为SF82W)制作的蓝色发光元件A’的元件效率、元件寿命以及象素内平整性的探讨结果。其它的制作条件与表5相同。
                                [表6]
SF82W的浓度     0     0.01     0.05     0.1     0.5
元件效率     1.0     1.1     1.0     0.9     0.7
元件寿命     1.0     0.9     0.95     0.9     0.7
象素内平整性     ＞50     20     15     10     10
由表6可知通过将SF82W的浓度设定在0.01以上0.1以下，可以在具备良好元件效率与元件寿命的情况下，将象素内平整性控制在±20以内。在SF82的情况下，若升高浓度，虽然平整性良好但是元件特性变差。
从上述表5和表6的两个结果可以发现，构成本发明组合物的溶媒除了含有二元醇系溶剂外，通过再含有其炔醇系的表面活性剂，可以使其分散性变得良好，通过将其炔醇系的表面活性剂的浓度(重量％)设定在0.01以上0.1以下，元件效率和元件寿命在能够保持不加表面活性剂时的状态的同时，还能够大幅度改善制作的象素内平整性。
另外取代SF61(沸点160℃)或SF82W(沸点220℃)，利用具有沸点高于二甘醇(沸点245℃)的表面活性剂S104(AIRPRODUCTS社制)的有机EL元件C，与上述元件A’相比，元件效率降低20％，元件寿命也变短30％。
根据该结果，本发明人可以判断出所述炔醇系的表面活性剂的沸点优选与和该表面活性剂一起构成所述溶媒的溶剂的沸点相同或在其以下。
(有机半导体元件)
图9是表示本发明有机半导体元件一例的模式剖面图。
图9所示构成的有机半导体元件，在基板901上形成有栅极902。另外，在基板901上以覆盖栅极902的状态形成由高介电常数的绝缘体构成的栅绝缘膜903，在该栅绝缘膜903上形成通道(channel)904。并且通过在通道904上形成源极905和漏极906，可以得到作为薄膜晶体管的有机半导体元件。在本实施例中，三个电极，即栅极902、源极905以及漏极906是由本发明的组合物通过喷墨法制造的。
如上所述，本发明的电极由于具备优良的平整性，因此在以该有机导电性膜形成的电极中移动的电子或空穴，能够极其稳定地进行移动。即，从在所述三个电极中稳定的通电状态能够长期保持的观点来看，可以提供长期可靠性高的有机半导体元件。
另外，在图9中，使用了由本发明组合物制作在构成集成电路导电部位中的栅极902、源极905以及漏极906的有机导电性膜，但在通道904中也可以使用本发明的有机半导体膜。另外虽然未图示，作为在这种薄膜晶体管之间连接的布线当然也可以使用该有机导电性膜。
本发明的有机半导体元件的制造方法，其特征在于，利用上述有机导电性膜形成构成集成电路的导电部位中的源极、漏极、栅极和/或布线的方法为喷墨法。
只要是该构成的有机半导体元件的制造方法，由于是所谓喷墨法的简便方法并且对功能性膜能够进行图形制膜，因此在形成所述的长期可靠性高的有机半导体元件时，不需要使用在以往的制造方法中形成膜而必不可少的大规模真空工序、光刻工序。
因此，本发明的有机半导体元件的制造方法，由于能够大幅度缩减有机半导体元件的制造成本，因此对提供廉价的有机半导体元件是非常有利的。
(电子机器)
以下对于具有由所述有机EL装置构成的电子装置的电子机器进行说明。
图10是表示一例携带电话的立体图。在图10中，其100表示携带电话主体，1001表示使用上述有机EL装置(电子装置)的显示部。
图11是表示一例手表型电子机器的立体图。在图11中1100表示手表的主体，1101表示利用上述有机EL装置(电子装置)的显示部。
图12是表示文字处理机、电脑等的携带型信息处理装置的一例立体图。在图12中1200表示信息处理装置，1202表示键盘等的输入部，1204表示信息处理装置主体，1206表示利用上述有机EL装置(电子装置)的显示部。
图10至图12所示的电子机器，由于具备所述实施方式的有机EL装置(电子装置)，因此从显示部的亮度能够保持长期稳定的观点来看，可以提供长期可靠性高的电子机器。另外，这些电子机器，通过也搭载上述的有机半导体元件，可以使电子机器的制造成本降低。
另外，本发明的技术范围，并不限于所述实施方式限定的技术范围，只要在不脱离本发明宗旨的范围内可以进行各种变化，在实施方式中举出的具体材料或构成只不过是其中一例，可以进行适当的变化。
例如，在所述实施方式的有机EL装置中，可以是将阳极3作为象素电极、阴极9作为对向电极的构成，也可以是将阴极9作为象素电极、阳极3作为对向电极的构成。
通过以上说明可以看出，本发明的组合物由有机导电性材料和至少一种以上的溶媒构成，由于具有使粘度变化率在调合30天后为±5％以下的构成，因此在调合组合物后不依赖于经过的时间，可以由该组合物形成经常表面平整性、稳定性优良的有机导电性膜。
上述构成的组合物，由于其粘度变化率小，因此在长期保存性优良的同时，有望通过大量生产而使其低成本化，由此可以作为组合物的单体而出售，并且能够对很多产业领域作出贡献。
由于即使通过不需高价真空工序用的装置的喷墨法由所述组成的组合物形成有机导电性膜，也能够稳定地制造上述平整性的膜，因此通过本发明的有机导电性膜的制造方法，可以廉价提供有机导电性膜。
尤其在本发明的有机导电性膜的制造方法中，通过采用利用所述粘度随时间变化小的组合物以喷墨法将组合物涂布分开形成的涂布工序，即使在以壁面包围周围的微小区域形成膜的情况下，所形成膜的表面形状即使在与壁面接触的周边部上也能够容易地制作与膜的中央部相同的平整面。
因此，若利用该有机导电性膜制作构成有机EL元件的空穴注入输送层时，可以提供亮度减少至一半为止时的元件寿命长的有机EL装置(电子装置)。
另外，通过利用所述的有机导电性膜形成构成集成电路的导电部位中的源极、漏极、栅极和/或布线，由于能够使电子或空穴在这些导电部位中更加稳定的移动，因此可以提供长期可靠性优良的有机半导体元件。
另外，只要是具备所述有机EL装置或有机半导体元件的电子机器，由于其机能能够长期持续，所以电子机器只要搭载该电子装置就可以大幅度改善长期可靠性。

Claims (29)

1.一种组合物，其特征在于，由有机导电性材料和至少一种以上的溶媒构成，而粘度变化率在调合30天后为±5％以下。
2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，含有二元醇系溶剂。
3.根据权利要求2所述的组合物，其特征在于，所述二元醇系溶剂在所述溶媒中所占的浓度以重量％计在40以上55以下。
4.根据权利要求2所述的组合物，其特征在于，所述二元醇系溶剂是二甘醇或其混合物。
5.根据权利要求2所述的组合物，其特征在于，所述二元醇系溶剂是单乙二醇或其混合物。
6.根据权利要求2所述的组合物，其特征在于，所述二元醇系溶剂是三甘醇或其混合物。
7.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述有机导电性材料是聚噻酚衍生物。
8.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述有机导电性材料是聚二氧噻酚和聚乙烯磺酸的混合物。
9.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述有机导电性材料是聚苯胺和聚乙烯磺酸的混合物。
10.根据权利要求2所述的组合物，其特征在于，所述溶媒含有炔醇系的表面活性剂。
11.根据权利要求10所述的组合物，其特征在于，所述炔醇系的表面活性剂的浓度，以重量％计在0.01以上0.1以下。
12.根据权利要求10所述的组合物，其特征在于，所述炔醇系的表面活性剂的沸点，与和该表面活性剂一起构成所述溶媒的溶剂的沸点相同或比其低。
13.根据权利要求10所述的组合物，其特征在于，所述炔醇系的表面活性剂为3，5-二甲基-1-辛炔-3-醇。
14.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，实施脱气处理。
15.根据权利要求14所述的组合物，其特征在于，所述脱气处理是在水的饱和蒸汽压以下的真空下进行。
16.根据权利要求14所述的组合物，其特征在于，在所述脱气处理前，预先添加伴随所述脱气处理而蒸发量的溶剂。
17.一种有机半导体膜，其特征在于，由权利要求1至16中任一项所述的组合物形成。
18.一种有机导电性膜的制造方法，其特征在于，具备利用权利要求1至16中任一项所述的组合物以喷墨法将该组合物涂布分开形成的涂布工序。
19.根据权利要求18所述的有机导电性膜的制造方法，在所述涂布工序之后，具备用于除去溶媒的干燥工序。
20.根据权利要求19所述的有机导电性膜的制备方法，其特征在于，所述干燥工序是在减压气氛下进行。
21.根据权利要求20所述的有机导电性膜的制造方法，其特征在于，所述减压气氛是压力在1.333×10-3Pa以下并且温度为大致室温。
22.根据权利要求19所述的有机导电性膜的制造方法，其特征在于，在所述干燥工序之后，具备在100℃以上的温度进行热处理的工序。
23.根据权利要求22所述的有机导电性膜的制造方法，其特征在于，作为所述加热工序中的热源使用红外线。
24.一种有机EL元件，其特征在于，空穴注入输送层为权利要求17所述的有机导电性膜。
25.一种有机EL元件的制造方法，其特征在于，利用权利要求17所述的有机导电性膜形成空穴注入输送层的方法为喷墨法。
26.一种电子装置，其特征在于，至少由权利要求24所述的有机EL元件和该有机EL元件的驱动电路构成。
27.一种电子机器，其特征在于，具备权利要求26所述的电子装置。
28.一种有机半导体元件，其特征在于，构成集成电路的导电部位中的源极、漏极、栅极或布线是权利要求17所述的有机导电性膜。
29.一种有机半导体元件的制造方法，其特征在于，利用权利要求17中所述的有机导电性膜形成构成集成电路的导电部位中的源极、漏极、栅极或布线的方法是喷墨法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102318040A (zh) * 2009-03-06 2012-01-11 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
CN102347455A (zh) * 2010-07-30 2012-02-08 株式会社东芝 制造有机发光装置的方法和用于有机发光装置的溶液
TWI399415B (zh) * 2004-04-30 2013-06-21 Nissan Chemical Ind Ltd Contains good solvent and weak solvent varnish
US8778785B2 (en) 2008-05-15 2014-07-15 E I Du Pont De Nemours And Company Process for forming an electroactive layer
US9209397B2 (en) 2009-03-09 2015-12-08 Dupont Displays Inc Process for forming an electroactive layer
US9209398B2 (en) 2009-03-09 2015-12-08 E I Du Pont De Nemours And Company Dupont Displays Inc Process for forming an electroactive layer

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA008967B1 (ru) 2002-11-07 2007-10-26 Ниссан Кемикал Индастриз, Лтд. Лак, переносящий заряд
US20050151129A1 (en) * 2004-01-14 2005-07-14 Rahul Gupta Deposition of conducting polymers
JP2005259523A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び有機溶液
KR100586659B1 (ko) * 2004-04-01 2006-06-07 주식회사 디피아이 솔루션스 유기 전극 코팅용 조성물 및 이를 이용한 고투명성 유기전극의 제조방법
JP2005353682A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Seiko Epson Corp 回路素子の製造方法、電子素子の製造方法、回路基板、電子機器、および電気光学装置
JP5374819B2 (ja) * 2004-07-09 2013-12-25 日産化学工業株式会社 オリゴアニリン化合物の精製方法およびオリゴアニリン化合物
KR101090250B1 (ko) 2004-10-15 2011-12-06 삼성전자주식회사 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
KR20060035052A (ko) * 2004-10-20 2006-04-26 삼성전자주식회사 전극 형성 방법, 표시 장치 및 이의 제조 방법
US7374984B2 (en) * 2004-10-29 2008-05-20 Randy Hoffman Method of forming a thin film component
JP4636495B2 (ja) * 2004-12-10 2011-02-23 大日本スクリーン製造株式会社 有機ｅｌ表示装置を製造するための塗布装置
US7166860B2 (en) * 2004-12-30 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device and process for forming same
KR100681133B1 (ko) * 2004-12-31 2007-02-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US20060214577A1 (en) * 2005-03-26 2006-09-28 Lorraine Byrne Depositing of powdered luminescent material onto substrate of electroluminescent lamp
JP2006286309A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ表示装置とその製造方法
CN101180370B (zh) * 2005-05-20 2011-12-07 住友化学株式会社 聚合物组合物和使用该聚合物组合物的高分子发光器件
US7645497B2 (en) * 2005-06-02 2010-01-12 Eastman Kodak Company Multi-layer conductor with carbon nanotubes
JP2007103349A (ja) * 2005-09-08 2007-04-19 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、有機ｅｌ装置の製造方法、カラーフィルタ基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法
JP4848708B2 (ja) * 2005-09-08 2011-12-28 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法
JP4396607B2 (ja) 2005-09-28 2010-01-13 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
WO2007049631A1 (ja) * 2005-10-28 2007-05-03 Nissan Chemical Industries, Ltd. スプレー又はインクジェット塗布用電荷輸送性ワニス
JP2007188862A (ja) * 2005-12-13 2007-07-26 Canon Inc 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
US20070153371A1 (en) 2005-12-30 2007-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device, method of manufacturing the same, and composition for use in manufacturing the same
ATE470957T1 (de) * 2006-03-24 2010-06-15 Merck Patent Gmbh Organische halbleiterformulierung
JP2008300612A (ja) 2007-05-31 2008-12-11 Panasonic Corp 表示装置及びその製造方法
US7754542B2 (en) * 2007-12-19 2010-07-13 Palo Alto Research Center Incorporated Printed TFT array
JP5186967B2 (ja) * 2008-03-21 2013-04-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 塗布方法
GB2462653B (en) * 2008-08-15 2013-03-20 Cambridge Display Tech Ltd Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
GB0814971D0 (en) * 2008-08-15 2008-09-24 Cambridge Display Tech Ltd Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
JP2012250229A (ja) * 2011-06-02 2012-12-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置及び塗布方法
JP5842532B2 (ja) * 2011-10-25 2016-01-13 コニカミノルタ株式会社 機能性インクジェットインク及び機能性塗膜の形成方法
JP5899531B2 (ja) * 2012-01-12 2016-04-06 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子の製造方法
JP6432347B2 (ja) * 2012-05-28 2018-12-05 三菱ケミカル株式会社 導電性薄膜積層体の製造方法
JP2014027174A (ja) * 2012-07-27 2014-02-06 Mitsubishi Chemicals Corp 光電変換素子、太陽電池モジュール、及び光電変換素子の製造方法
US9614191B2 (en) 2013-01-17 2017-04-04 Kateeva, Inc. High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related methods
JP6494525B2 (ja) * 2013-01-17 2019-04-03 カティーバ， インコーポレイテッド 高解像度有機発光ダイオードデバイス、ディスプレイ、および関連方法
US9444050B2 (en) * 2013-01-17 2016-09-13 Kateeva, Inc. High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related method
CN103709161B (zh) * 2013-12-17 2015-05-20 中国科学院化学研究所 对有机胺类气体具有荧光和光电导双响应的一维有机半导体纳米线及其制备方法和应用
KR20180019148A (ko) * 2015-06-22 2018-02-23 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 유기 전자 소자의 제조 방법 및 정공 주입층의 형성 방법
JPWO2016208597A1 (ja) * 2015-06-22 2018-04-05 住友化学株式会社 有機電子素子の製造方法及び有機薄膜の形成方法
CN105118846B (zh) * 2015-07-28 2020-06-23 广东聚华印刷显示技术有限公司 一种印刷型发光二极管显示器件及其制作方法
US20230276685A9 (en) * 2016-08-26 2023-08-31 Najing Technology Corporation Limited Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device
JP6440802B1 (ja) * 2017-11-08 2018-12-19 住友化学株式会社 有機デバイスの製造方法
CN110620133B (zh) * 2019-09-25 2022-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示面板及其制备方法和显示装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US5132248A (en) 1988-05-31 1992-07-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Direct write with microelectronic circuit fabrication
DE4202337A1 (de) * 1992-01-29 1993-08-05 Bayer Ag Verfahren zur durchkontaktierung von zweilagigen leiterplatten und multilayern
DE19507413A1 (de) * 1994-05-06 1995-11-09 Bayer Ag Leitfähige Beschichtungen
JP3477338B2 (ja) 1997-03-06 2003-12-10 サンスター技研株式会社 有機分散型エレクトロルミネッセンス素子およびその発光層用組成物
JPH10248816A (ja) 1997-03-14 1998-09-22 Nippon Koden Corp 患者位置検出システム
JP3911775B2 (ja) 1997-07-30 2007-05-09 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JPH1154272A (ja) 1997-07-31 1999-02-26 Seiko Epson Corp 発光ディスプレイの製造方法
JP2000106278A (ja) 1997-09-02 2000-04-11 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子
JPH11134320A (ja) 1997-10-28 1999-05-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 時系列データ予測方法および装置と時系列データ予測プログラムを記録した記録媒体
DE19757542A1 (de) 1997-12-23 1999-06-24 Bayer Ag Siebdruckpaste zur Herstellung elektrisch leitfähiger Beschichtungen
DE19841803A1 (de) 1998-09-12 2000-03-16 Bayer Ag Hilfsschichten für elektrolumineszierende Anordnungen
TW406518B (en) 1998-10-29 2000-09-21 Ind Tech Res Inst The fabrication method of the organic electroluminescent (OEL) device pattern and character display
JP3394938B2 (ja) * 1999-03-25 2003-04-07 株式会社村田製作所 感光性導体ペースト
CN1310930A (zh) 1999-03-29 2001-08-29 精工爱普生株式会社 组合物及膜的制造方法以及功能元件及其制造方法
JP2000323276A (ja) 1999-05-14 2000-11-24 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子およびインク組成物
JP4226159B2 (ja) 1999-08-06 2009-02-18 シャープ株式会社 有機ｌｅｄディスプレイの製造方法
JP4477726B2 (ja) 1999-12-09 2010-06-09 シャープ株式会社 有機ｌｅｄ素子の製造方法
KR100744306B1 (ko) 2000-04-17 2007-07-30 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 표시패널용 잉크와 이것을 이용한 플라즈마 디스플레이패널의 제조방법
JP2001302953A (ja) 2000-04-21 2001-10-31 Seiko Epson Corp インクジェット記録用水溶性インク及びインクジェット記録方法
DE10058116A1 (de) * 2000-11-22 2002-05-23 Bayer Ag Polythiophene
US6692663B2 (en) * 2001-02-16 2004-02-17 Elecon, Inc. Compositions produced by solvent exchange methods and uses thereof
KR100978825B1 (ko) * 2001-12-04 2010-08-30 아그파-게바에르트 엔.브이. 3,4-디알콕시티오펜의 중합체 또는 공중합체 및 비수계용매를 포함하는 조성물
JP4052005B2 (ja) * 2001-12-20 2008-02-27 住友化学株式会社 高分子電解質膜の製造法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI399415B (zh) * 2004-04-30 2013-06-21 Nissan Chemical Ind Ltd Contains good solvent and weak solvent varnish
US8778785B2 (en) 2008-05-15 2014-07-15 E I Du Pont De Nemours And Company Process for forming an electroactive layer
US8907353B2 (en) 2008-05-15 2014-12-09 E I Du Pont De Nemours And Company Process for forming an electroactive layer
CN102318040A (zh) * 2009-03-06 2012-01-11 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
US8778708B2 (en) 2009-03-06 2014-07-15 E I Du Pont De Nemours And Company Process for forming an electroactive layer
CN102318040B (zh) * 2009-03-06 2014-09-17 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
US9209397B2 (en) 2009-03-09 2015-12-08 Dupont Displays Inc Process for forming an electroactive layer
US9209398B2 (en) 2009-03-09 2015-12-08 E I Du Pont De Nemours And Company Dupont Displays Inc Process for forming an electroactive layer
CN102347455A (zh) * 2010-07-30 2012-02-08 株式会社东芝 制造有机发光装置的方法和用于有机发光装置的溶液

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