CN1314128C - 电光学装置及其制造方法、及电子设备 - Google Patents

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Abstract

一种电光学装置，在电路部内的象素显示部的下方，设置硅层和在其上夹持栅极绝缘层并由第1金属层形成的电容器电极。另外由第2金属层以覆盖象素显示部的宽度且以具有反射性的厚度形成与信号线平行的电源线。从有机EL层透过阳极发射的光通过电源线向上方反射，从象素显示部射出。在电源线以下的层中，由硅层、电容器电极、电源线等形成保持电容，由此有效利用电路部的空间。根据本发明可以以低成本提高将从发光层发出的光向基板和相反侧的电极侧反射的电光学装置的显示性能。

Description

电光学装置及其制造方法、及电子设备
技术领域
本发明涉及一种电光学装置及其制造方法、以及电子设备。
背景技术
以前，在电致发光(以下简称EL)显示装置等电光学装置中，具备在基板上层压多个电路元件、阳极、EL物质等电光学物质、阴极等，并使用密封基板将这些夹住并密封在与基板之间的结构。具体地讲，具有用阳极和阴极的电极层夹持含有发光物质的发光层的结构，在具有荧光能力的发光层内使从阳极侧注入的空穴和从阴极侧注入的电子再结合，利用从激发状态失活时发光的现象。
在这样的电光学装置中，有把阴极作成透光性，并通过阴极从与基板相反侧射出由发光层放射的光的类型的装置。在这种类型的装置中，利用了功函数大且作为阴极的性能好的ITO(Indium Tin Oxide)等，但是由于该材料是透明的，所以作为其基板侧的基底层设置了银(Ag)或者铝(Al)等具有反射性的金属层。
但是，在象这样的现有的电光学装置中，为了形成反射性的阳极必须将金属层作为基底层形成，所以制造工艺变得复杂。其结果，存在制造效率降低，制造成本高的问题。
另外，根据这样的结构，虽然不会向阳极的下方透过光线，但是为了赋予阳极具有良好的显示特性的反射性，必须确保阳极的平坦性，所以存在不能有效利用阳极下方的空间的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的是提供可以以低成本提高将从发光层放射的光反射到与基板相反侧的另一方的电极侧的电光学装置的显示性能的电光学装置及其制造方法、以及利用它的电子设备。
为了解决上述课题，本发明的电光学装置的特征在于，具有与开关元件相连的第1电极、与该第1电极对向配置的第2电极、设置在所述第1电极和所述第2电极之间的发光层、限制从该发光层向所述第2电极侧发射的光的象素显示部、设置在所述第1电极的下层且具有至少包含所述开关元件和驱动所述发光层的电源线的层压结构的电路层、和设置在该电路层内的与所述象素显示部在层压方向上重叠的位置上且反射从发光层发射的光的金属部。
根据这样的电光学装置，在从发光层向下方发射的光中，透过第1电极的光被设置在电路层中的金属部反射到上方，并经过发光层、象素显示部、第2电极向上方射出。因此，可以在第1电极中不设计反射性的情况下，将由发光层发出的光射到第2电极侧。另外，由于金属部的下方没有必要透过光线，所以可以有效利用其空间。
另外本发明的电光学装置是上述的任一种电光学装置，且所述金属部优选设置在各个所述象素显示部的几乎整个显示面积上各自重叠的位置上。
根据这样的电光学装置，由于透过第1电极并向下方发射的光在象素显示部的所有显示面积的范围内被反射，所以可以改进光利用效率和显示性能。
另外本发明的电光学装置是上述的任一种电光学装置，且所述金属部的上面优选在与所述象素显示部重叠的范围内平坦地形成。
根据这样的电光学装置，由于金属部的上面在与象素显示部重叠的范围内平坦地形成，所以可均匀反射光线。其结果，可以进一步改进光利用效率和显示性能。
另外本发明的电光学装置是上述的任一种电光学装置，在所述电路层中，所述金属部以下的层优选在与所述象素显示部重叠的范围内，分别作为规定层厚的全图案(ベタパタ一ン)形成。
根据这样的电光学装置，金属部以下的层在与象素显示部重叠的范围内分别作为规定层厚的全图案形成的任一层都是平坦的。由于在其上层作为全图案形成金属部，所以在象素显示部的范围内金属部的平坦性得到显著改进。其结果，光反射的不均匀可以被进一步抑制，并格外提高了光利用效率和显示性能。
还有，所谓规定范围的全图案，是指在规定范围内用单一的层材料形成一定厚度的层。
另外本发明的电光学装置是上述的任一种电光学装置，向所述开关元件供给电流的电源线优选兼作所述金属部。
根据这样的电光学装置，由于电源线被设置在与象素显示部重叠的范围内，所以可以使电源线的面积至少达到象素显示部的程度，进而可以在第2电极间形成比较大的静电电容。其结果，可以保持显示的稳定，提高显示特性。
另外本发明的电光学装置是上述的任一种电光学装置，所述电路层优选具有第1金属层和该第1金属层的上层侧的第2金属层，且由该第2金属层构成所述金属部。
根据这样的电光学装置，由于在电路层中，使用比第1金属层距离第1电极更近的上层侧的第2金属层形成金属部，所以可以使第1电极和金属部间的距离比以第1金属层为金属部时更短，进而可以降低由发光层发出的光在第1电极和金属部之间往返时引起的光损失。其结果，可以提高光利用效率。
另外，因使用第2金属层作为金属部而将从发光层发出的光向上方反射，所以第2金属层以下的电路层可成为不必透光的空间，与把第1金属层作为金属部时相比，能够在层压方向把可以有效利用的空间变得更厚。
另外本发明的电光学装置是上述的电光学装置，优选所述第2金属层构成向所述开关元件供给电流的电源线。
根据这样的电光学装置，由于金属部由构成向开关元件供给电流的电源线的第2金属层构成，所以可以使金属部的制造工序和形成电路层所必须的制造工序合并。其结果，可以降低制造成本。
另外本发明的电光学装置同样也是上述的电光学装置，优选在所述金属部的上层设置第1电极，并互相电连接。
根据这样的电光学装置，由于在金属部和第1电极之间不含有绝缘层等电路层，所以没有透过这样的电路层时所产生的光损失，可以提高光利用效率。
另外因为没有在第2金属层的上层设置与第1电极的绝缘层，所以可以使制造工艺简易化，降低制造成本，同时提高生产效率。
另外本发明的电光学装置是如上所述的、或者前一种电光学装置，优选所述第1金属层构成向上述开关元件供给电流的电源线。
根据这样的电光学装置，由于使用第1金属层构成电源线，所以可以确保宽幅的电源线，同时容易为电源线以外的各种目的使用第2金属层。
特别是，由第2金属层形成的金属部的电位可以自由设定，可以很容易地构成即使在没有绝缘层的情况下与第1电极连接时也不会引起短路的结构。
另外本发明的电光学装置是上述的任一种电光学装置，将所述开关元件优选配置在相邻的所述象素显示部之间的位置上。
根据这样的电光学装置，由于在电路层中将开关元件配置在相邻的象素显示部之间的位置上，所以象素显示部不会因为开关元件的立体形状而遭到平坦性的破坏。因此，可以容易地构成平坦的象素显示部。
另外本发明的电光学装置是上述的任一种电光学装置，在所述电路层中，在与所述象素显示部重叠的位置上，优选用所述金属部以下的层形成所述电源线和所述第2金属层之间的静电电容。
根据这样的电光学装置，由于在象素显示部下方的金属部以下的层中形成静电电容，所以可以通过有效利用象素显示部下方的空间形成静电电容。其结果，可以使形成静电电容的面积增大，从而可以保持显示的稳定，提高显示特性。
下面，本发明的电光学装置的制造方法是配备有具有层压结构的电路层、在该电路层上依次设置的第1电极、发光层、和第2电极，且使由所述发光层发射的光经过在所述发光层的上部限制的象素显示部，从第2电极侧射出的电光学装置的制造方法，其特征在于，具有在所述电路层中形成金属层的工序，在该工序中，同时在所述发光层的下层形成金属部。
根据这样的电光学装置的制造方法，可以制造上述的本发明的电光学装置。因此，具有与本发明的电光学装置相同的效果。
另外本发明的电光学装置的制造方法是上述的电光学装置的制造方法，形成所述金属层的工序优选具有：形成所述电路层的第1金属层的第1金属层形成工序、以及在形成所述第1金属层之后，形成第2金属层的第2金属层形成工序，在该第2金属层形成工序中，同时在所述发光层的下层形成金属部。
根据这样的电光学装置的制造方法，可以制造在电路层中具备第1金属层和第2金属层的上述的本发明的电光学装置。因此，具有与这样的本发明的电光学装置相同的效果。
下面，本发明的电子设备的特征在于具备了本发明的电光学装置。
作为这样的电子设备，可以举例为，例如，手提电话机、移动体信息末端、时钟、文字处理器、电脑等信息处理装置等。这样通过在电子设备的显示部分上采用本发明的电光学装置，可以提供以低成本提高显示性能的电子设备。
附图说明
图1是表示本发明的实施例1的EL显示装置的等效电路和配线结构的模式图。
图2是表示本发明的实施例1的EL显示装置的结构的俯视模式图。
图3是沿图2的A-B线的截面图。
图4是沿图2的C-D线的截面图。
图5是本发明的实施例1的实际显示区域中相邻的四个象素区域A的俯视模式图和截面图。
图6是图5的俯视部分放大图和截面图。
图7是用于说明本发明的实施例1的制造方法的说明图。
图8是表示本发明实施例1的变形例的EL显示装置结构的俯视模式图。
图9是本发明的实施例1的变形例的实际显示区域中相邻的四个象素区域A的俯视模式图和截面图。
图10是本发明的实施例2的实际显示区域中相邻的四个象素区域A的俯视模式图和截面图。
图11是图10的俯视部分放大图和截面图。
图12是用于说明本发明的实施例2的制造方法的说明图。
图13是本发明实施例2的变形例的实际显示区域中相邻的四个象素区域A的俯视模式图和截面图。
图14是表示本发明的实施例3的电子装置的立体图。
图中，A-象素区域，R、G、B-显示区域，1-EL显示装置(电光学装置)，11-电路部(电路层)，20-基板，23-阳极(第1电极)，26-象素显示部，50-阴极(第2电极)，60-有机EL层(发光层)，101-扫描线，102-信号线，103-电源线，110-功能层(发光层)，112-开关用TFT(开关元件)，113-保持电容(静电电容)，123-驱动用TFT(开关元件)，150-电容器电极，151-反射部。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的电光学装置及其制造方法、以及电子设备的实施例。还有，其中的实施例是表示本发明的一种形式，并不限制本发明，可在本发明技术思想范围内任意改变。而且，在以下所示的各图中，为了把各层和各构件作成在图面上可以辨认的程度的大小，所以各层和各构件的比例尺寸不同。
[实施例1]
作为本发明的电光学装置的实施例1，说明使用了电光学物质之一例即电场发光型物质中的有机电致发光(EL)材料的EL显示装置。图1是表示本实施例的EL显示装置的等效电路和配线结构的模式图。
图1中所示的EL显示装置1(电光学装置)是作为开关元件使用了薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下简称为TFT)的有源矩阵方式的EL显示装置。
如图1所示，EL显示装置1具有分别配线多个扫描线101…、相对于各扫描线在垂直交叉方向上延伸的多个信号线102…和、与各信号线并列延伸的多个电源线103…的结构，同时在扫描线101…和信号线102…的各交点附近，设置有象素区域A…。
在信号线102上，连接着配备了移位寄存器、电位移位器、视频线路和模拟开关的数据线驱动电路100。另外，在扫描线101上，连接着配备了移位寄存器和电位移位器的扫描线驱动电路80。
另外，在各个象素区域A中，配置了通过扫描线101向栅极电极供给扫描信号的开关用TFT112(开关元件)、通过该开关用TFT112保持由信号线102共享的象素信号的保持电容113(静电电容)、将通过该保持电容113保持的象素信号向栅极电极供给的驱动用TFT123(开关元件)、通过该驱动用TFT123与电源线103电连接时由电源线103流入驱动电流的阳极23(第1电极)、和夹持在该阳极23和阴极50(第2电极)之间的功能层110(发光层)。由阳极23、阴极50和功能层110组成发光元件。
根据该EL显示装置1，通过驱动扫描线101使开关用TFT112处于接通状态，那么那时的信号线102的电位被保持在保持电容113中，根据该保持电容113的状态，决定驱动用TFT123的接通、断开状态。而且，通过驱动用TFT123的通道，电流从电源线103流入阳极23，进而通过功能层110电流流入阴极50。功能层110根据流入的电流量进行、发光。因此，发光由各阳极23控制其接通断开，所以阳极23成为象素电极。
接着，参考图2-4说明本实施例的EL显示装置1的具体的形式。
图2是表示EL显示装置1的结构的俯视模式图。图3是沿图2的A-B线的截面图，图4是沿图2的C-D线的截面图。
图2中所示的本实施例的EL显示装置1的结构是具备：具有电绝缘性的基板20、与未图示的开关用TFT相连的象素电极在基板20上以矩阵状被配置而成的未图示的象素电极区、配置在象素电极区的周围的同时与各象素电极相连的电源线103…、以及至少位于象素电极区上的俯视大致呈矩形的象素部3(图中点划线范围内)。另外象素部3区分为中央部分的实际显示区域4(图中双点划线范围内)和布置在实际显示区域4周围的虚区域5(点划线和双点划线之间的区域)。
在实际显示区域4中，分别具有象素电极，且对应于红、绿、青三原色的显示区域R、G、B被配置成矩阵状。在A-B方向上，显示区域R、G、B相隔一定间隔重复排列，而在C-D方向上，对应于各自的同一颜色的显示区域相隔一定间隔重复排列。
另外，在实际显示区域4的图中两侧，配置了扫描线驱动电路80、80。该扫描线驱动电路80、80设置成位于虚区域5的下侧。
此外，在实际显示区域4的图中上侧，配置了检验电路90。该检验电路90设置成位于虚区域5的下侧。该检验电路90是用于检验EL显示装置1的工作状况的电路，其结构具有例如将检验结果向外部输出的没有图示的检验信息输出机构，以便可以进行制造过程中和出厂时的显示装置的质量、缺陷的检验。
扫描线驱动电路80和检验电路90的驱动电压可从规定的电源部通过驱动电压导通部310(参照图3)和驱动电压导通部340(参照图4)来施加。另外，向这些扫描线驱动电路80和检验电路90的驱动控制信号和驱动电压，可从掌管该EL显示装置1的工作控制的规定的主驱动器(main driver)等通过驱动控制信号导通部320(参照图3)和驱动电压导通部350(参照图4)进行发射和施加。而且，这时的所谓驱动控制信号是有关于扫描线驱动电路80和检验电路90输出信号时的控制的从主驱动器发出的指令信号。
如图3和图4所示，EL显示装置1是基板20和密封基板30通过密封树脂40贴合而成的。在由基板20、密封基板30和密封树脂40包围的范围内，插入有具有透光性的干燥剂45，同时形成有例如填充了氮气等惰性气体的惰性气体填充层46。
基板20只要是能在其上设置硅层等而形成电路的绝缘性的板状构件就可以采用，没有必要具备透光性。
密封基板30可以采用例如玻璃、石英、塑料等具有透光性和电绝缘性的板状构件。
另外，密封树脂40由例如热固化树脂或者紫外线固化树脂组成，特别优选由热固化树脂的一种即环氧树脂组成。
此外，在基板20上，形成了具有包含用于驱动阳极23…的驱动用TFT123…等的层压结构的电路部11(电路层)，在电路部11的上部与驱动用TFT123…相连的各自的阳极23…对应于图2的显示区域R、G、B的位置形成。在实际显示区域4内的各阳极23的上层形成有功能层110，在其上层，形成有使电子注入容易化的缓冲层222和进行电子注入的阴极50。在各自的阳极23之间，在图2的A-B方向和C-D方向上设置了无机物堤墙层(bank)221a和有机物堤墙层221b分别从基板20侧层压的堤墙层221，并划分功能层110，进而形成限制从功能层110发射的光的椭圆形状的象素显示部26。
而且在虚区域5中，形成为由无机物堤墙层221a覆盖各虚阳极23a，在其上层设置有功能层110。虚电极23a除了没有与电路部11内的配线连接之外，与阳极23具有相同的结构。
通过在实际显示区域4的周围配置虚区域5，可以使实际显示区域4的功能层110的厚度变得均匀，可以抑制显示不均匀。
即，通过配置虚区域5，可以在通过例如喷墨法形成显示元件时使输出的组合物的干燥条件在实际显示区域4内保持不变，在实际显示区域4的周边部分不会产生功能层110的厚度偏差。
另外在电路部11中，含有扫描线驱动电路80、检验电路90及用于将那些连接并进行驱动的驱动电压导通部310、340、350、驱动控制信号导通部320等。
阳极23由施加的电压具备有向功能层110注入空穴的功能。在阳极23中，可以采用功函数高、且具有良好的空穴注入性能的ITO(IndiumTin Oxide)等。
功能层110只要具有发光层，可以是任意的结构，可以采用例如，从阳极23侧依次具有具备了用于提高空穴注入效率的空穴注入层和用于提高空穴的输送效率的空穴输送层的空穴注入/输送层70(参照图5(b))、和有机EL层60(发光层，参照图5(b))的结构。通过在阳极23和有机EL层60之间设置这样的空穴注入/输送层70，可以提高有机EL层的发光效率、寿命等元件特性。而且，在有机EL层60中，形成有使从阳极23经过空穴注入/输送层70注入的空穴和从阴极50注入的电子结合产生荧光的结构。
作为形成空穴注入层的材料，可以采用例如聚噻吩衍生物、聚吡咯衍生物等，或者这些的掺杂体等。例如，在聚噻吩衍生物中，可以采用向PEDOT中掺杂PSS(聚苯乙烯磺酸)的PEDOT：PSS。如果列举更加具体的一个例子，则可以使用其中一种即バイトロン-p(Bytron-p：バイエル社制造)等。
形成空穴输送层的材料，只要能够输送空穴则可以是公知的任意的空穴输送材料。例如，作为这样的材料，已知的有被分类为胺类、腙类、茋类、树状分子(starburst molecule)类等的有机材料。
作为形成有机EL层60的材料，可以使用能够发出荧光或者磷光的公知的发光材料。具体地讲，可以使用(聚)芴衍生物(PF)、(聚)对苯撑乙撑衍生物(PPV)、聚苯撑衍生物(PP)、聚对苯撑衍生物(PPP)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等聚硅烷类等。
另外，在这些高分子材料中，可以掺杂使用苝类色素、香豆素类色素、若丹明类色素等高分子材料，或者，红荧烯、苝、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、喹吖啶酮等材料。
接着，形成堤墙层221的无机物堤墙层221a和有机物堤墙层221b均可以形成在阳极23的周边部分上。与有机物堤墙层221b相比，无机物堤墙层221a延伸形成在比阳极23更靠中央的一侧。而且，堤墙层221也可以由不使光透过的材料组成，也可以在无机物堤墙层221a和有机物堤墙层221b之间配置遮光层来限制光线。
无机物堤墙层221a可以采用例如SiO2、TiO2、SiN等无机材料。无机物堤墙层221a的膜厚优选为50～200nm的范围，特别适宜为150nm。如果膜厚不足50nm，则由于无机物堤墙层221a变得比空穴注入/输送层70薄，不能确保空穴注入/输送层70的平坦性，所以不优选。另外如果膜厚超过200nm，则由于由无机物堤墙层221a产生的段差变大，不能确保有机EL层60的平坦性，所以不优选。
有机物堤墙层221b由丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等通常的抗蚀剂形成。该有机物堤墙层221b的厚度优选为0.1-3.5μm的范围，特别适宜为约2μm。如果厚度不足0.1μm，则由于有机物堤墙层221b与功能层110相比其厚度更薄，所以不优选。
另外，如果厚度超过3.5μm，则由于由堤墙层221产生的段差变大，不能确保在有机物堤墙层221b上形成的阴极50的阶梯敷层，所以不优选。另外，如果有机物堤墙层221b的厚度变为2μm以上，则能够提高阴极50和阳极23的绝缘性，因此更优选。
这样，功能层110形成得比堤墙层221更薄。
另外，在堤墙层221的周边，形成显示亲液性的区域和显示疏液性的区域。
显示亲液性的区域是无机物堤墙层221a和阳极23，在这些区域中，通过把氧作为反应气体的等离子体的处理可以引入羟基等亲液基。另外，显示疏液的区域是有机物堤墙层221b，通过把四氟甲烷作为反应气体的等离子体处理可以引入氟等疏液基。
还有，在本发明实施例中的亲液性控制层的所谓“亲液性”是指至少与构成有机物堤墙层221的丙烯酸、聚酰亚胺等材料相比其亲液性更高。
如图3或者图4所示，阴极50具有比实际显示区域4和虚区域5的总面积还宽的面积，以便分别覆盖这些。阴极50作为阳极23的对向电极，具有向功能层110注入电子的功能。另外在本实施例中，由功能层发出的光从阴极侧50射出，所以必须具有透光性。因此，由具有透光性且功函数低的材料组成。
作为这样的材料，可以采用例如将氟化锂和钙的层压体设置在功能层110一侧并作为第1阴极层，在其上层由例如Al、Ag、Mg/Ag等层压体组成为第2阴极层的层压体。那时，可以通过使各自的层厚达到具有透光性的薄度来获得透光性。阴极50中，只有第2阴极层延伸至象素部3的外侧。
还有，设置第2阴极层的目的是，覆盖第1阴极层以防止与氧和水分等发生化学反应，并提高阴极50的导电性。因此，只要是化学性质稳定且功函数低、可获得透光性，则也可以是单层结构，也不限于金属材料。另外在第2阴极层上，也可以设计由例如SiO2、SiN等组成的防止氧化用保护层。
下面，参照图5、6对电路部11的层压结构进行说明。图5(a)是实际显示区域4中的相邻的4个象素区域A的俯视模式图。图5(b)是图5(a)中E-F方向的截面图。图6(a)是图5(a)中开关用TFT112和驱动用TFT123周围的放大图。另外图6(b)是图6(a)中沿G-H线的截面图。而且，各象素区域A中虽然根据任选的显示区域R、G、B功能层110的材质不同，但是由于作为层压结构是相同的，所以下面通过对一个象素区域A的说明来代替。另外，由于四个象素区域A的俯视配置也均相同，所以为了看图容易，对明显可以看出相同的部位省略了相应的符号。
如图5(a)所示，在象素区域A中，电源线103(金属部)以至少覆盖象素显示部26的面积的宽度，在阳极23的下层侧，在与扫描线101交叉的方向上被延伸设置。而且，与电源线103大致平行地设置信号线102。开关用TFT112与构成为信号线102的一部分而延伸的源电极侧配线102a相接，在开关用TFT112的漏极电极侧通过连接配线18连接有驱动用TFT123的栅极电极242。开关用TFT112的栅极电极252与扫描线101相连。在驱动用TFT123的源电极侧，通过构成为电源线103的一部分的电源配线103b连接有电源线103。在驱动用TFT123的漏极电极侧连接有阳极23。
开关用TFT112和驱动用TFT123均以夹在信号线102和象素显示部26之间的位置设置在堤墙层221的下层。与此相对，保持电容113(参照图1)如后所述形成在象素显示部26的下层。
下面，说明在电路部11的层压方向上的这些的位置关系和连接关系。如图5(b)所示，在基板20的表面上，将以SiO2为主体的基底保护层281作为基底，在其上层，在俯视图中与象素显示部26重叠的位置上，以比象素显示部26更大的面积形成有岛状的硅层261。在与硅层261相同的层上，形成了形成驱动用TFT123和开关用TFT112的岛状的硅层241、251。这些硅层261、241、251的表面分别被以SiO2或/和SiN为主体的栅极绝缘层282所覆盖。而且，在本说明书中，被称为“主体”的成分指组成成分中含有率最高的成分。
在栅极绝缘层282的上层，设有例如由铝膜或铬膜、钽膜等组成的第1金属层，通过该第1金属层，形成有栅极电极242、252、扫描线101、电容器电极150。在硅层261上，电容器电极150以与硅层261相同或稍窄的面积形成为相对向。
第1金属层的上层被以SiO2，为主体的第1层间绝缘层283所覆盖。
在第1层间绝缘层283的上层，利用例如由铝膜或铬膜、钽膜等组成的第2金属层，形成有电源线103和信号线102。
电源线103以具有光反射性的厚度形成。另外，通过从栅极绝缘层282开孔至第1层间绝缘层283的接触孔103a，连接于硅层261而变为相同电位。因此，电源线103和电容器电极150以及电容器电极150和硅层261，分别夹持绝缘体即第1层间绝缘层283和栅极绝缘层282而对向构成，并且分别形成静电电容。这些静电电容形成了保持电容113(参照图1)。即保持电容113形成在电路部11中的象素显示部26的下方、且反射光线的电源线103以下的层上。另外形成保持电容113的电源线103、电容器电极150、硅层261，均在至少覆盖象素显示部26的面积范围内形成为规定层厚的平坦的全图案。
第2金属层的上层，被例如以丙烯酸类的树脂成分为主体的第2层间绝缘层284所覆盖。该第2层间绝缘层284也可以使用丙烯酸类的绝缘膜以外的材料，例如SiN、SiO2等。
下面，参照图6，说明开关用TFT112和驱动用TFT123的结构。图6(a)是图5(a)中开关用TFT112和驱动用TFT123周围的放大图。图6(b)是沿图6(a)的G-H线的截面图。
在硅层251上，设置了源极区域251S、通道区域251a、漏极区域251D，另外，在源极区域251S和漏极区域251D上设有浓度梯度，即形成为所谓的LDD(Light Doped Drain)结构。源极区域251S上，通过经栅极绝缘层282和第1层间绝缘层283开孔的接触孔19a，连接有源电极侧配线102a。另一方面，漏极区域251D，通过经栅极绝缘层282和第1层间绝缘层283开孔的接触孔19b，与由第2金属层形成的连接配线18连接，并通过从连接配线18开孔至第1层问绝缘层283和栅极绝缘层282的接触孔19c，与栅极电极242连接。而且，在通道区域251a的上层，通过夹持栅极绝缘层282设置有栅极电极252。根据以上所述构成开关用TFT112。
在硅层241上，设置了源极区域241S、通道区域241a、漏极区域241D，另外，在源极区域241S和漏极区域241D上设有浓度梯度，即形成为所谓LDD结构。源极区域241S通过经过栅极绝缘层282和第1层间绝缘层283开孔的接触孔19d，连接于电源配线103a。另一方面，漏极区域241D通过经过栅极绝缘层282和第1层间绝缘层283开孔的接触孔19e，与由第2金属层形成的连接配线18连接，并通过从连接配线18经第2层间绝缘层284和无机物堤墙层221a开孔的接触孔19f与阳极23连接。而且，在通道区域241a的上层，通过夹持栅极绝缘层282设置有栅极电极242。根据以上所述构成驱动用TFT123。
从以上说明的基板20到第1层间绝缘层284的层构成了电路部11。
而且，在电路部11中，若要形成与扫描线101交叉的信号线102和电源线103，或者形成TFT，需要配置在不同层上的可以绝缘的至少两个金属层，所以必须设置第2金属层。
下面，参照图7对本实施例中的EL显示装置1的制造方法的一个例子进行说明。图7(a)～(d)中所示的各截面图对应于图5中的E-F线截面图，以各制造工序顺序表示。而且在以下的说明中，以与本发明特别相关的工序、即形成电路部11的工序为中心进行说明。
如图7(a)中所示，首先在基板20上，形成由硅氧化膜等组成的基底保护层281。接着，使用ICVD法、等离子体CVD法等形成无定形的硅层后，通过激光退火法或者急速加热法使结晶粒长大并作为聚硅层。通过光刻法将该聚硅层制作为布线图案并形成岛状的硅层241、251、261。进而，形成由硅氧化膜组成的栅极绝缘层282。
栅极绝缘层282的形成是通过采用等离子体CVD法、热氧化法等，形成覆盖各硅层241、251(图示均省略)、261和基底保护层281的厚度约30nm～200nm的硅氧化膜来进行的。
其中，利用热氧化法形成栅极绝缘层282时，硅层241、251也可以进行结晶化，并把这些硅层作为聚硅层。而且，通过在该时刻打进硼离子等杂质离子进行孔道掺杂(channel dope)。
接着，在硅层241、251的局部形成离子注入选择掩膜，并在该状态下注入磷离子等杂质离子。其结果，对于离子注入选择掩膜，自我匹配地引入了高浓度杂质，在硅层241和251中形成了高浓度的源极区域和漏极区域。
接着除去离子注入选择掩膜后，进行第1金属层形成工序。在栅极绝缘层282上形成了厚度约500nm的第1金属层，进而通过使该金属层形成图案，同时形成扫描线101、栅极电极242、252和电容器电极150等。
另外，把栅极电极242、252作为掩膜，对于硅层241和251注入低浓度的磷离子等杂质离子。其结果，对于栅极电极242和252自我匹配地引入了低浓度杂质，在硅层241和251中形成了低浓度的源极区域和漏极区域。
接着如图7(b)中所示，除去离子注入选择掩膜后，在基板20的全体表面上形成第2层间绝缘层283，进而通过光刻法使第2层间绝缘层283形成图案，并设置接触孔103a。此时，虽然图中没有显示，但是同时也形成了接触孔19a、19b、19c、19d、19e。
接着进行第2金属层形成工序。首先，通过形成由铝、铬、钽等金属组成的厚度约200nm-800nm的第2金属层，覆盖第2层间绝缘层283，由此在在先形成的接触孔103a、19a、19b、19c、19d、19e上装填第2金属层的金属。进而，在第2金属层上形成图案形成用掩膜。之后，用图案形成用掩膜使第2金属层形成图案，形成电源线103、信号线102、连接配线18等。
接着如图7(c)中所示，使用例如丙烯酸类等树脂材料形成覆盖第2层间绝缘层283的第1层间绝缘层284。该第1层间绝缘层284最好以约1～2μm左右的厚度形成。
接着通过在第1层间绝缘层284中，蚀刻除去对应于驱动用TFT123的漏极区域241D的连接配线18的部分，进而形成接触孔19f。这样，在基板20上形成了电路部11。
在以上的过程中，由于参照实际显示区域4的截面图进行说明，所以省略了虚区域5或者其周围部分中的制造工序，但是不用说也应当进行例如用于形成从栅极绝缘层282开始穿过电路部11并保持与阴极50接触的阴极配线和扫描线驱动电路80以及检验电路90等工序。
下面，参照图7(c)、(d)，对通过在电路部11上形成象素部3而得到显示装置1的次序进行简单说明。
首先如图7(c)中所示，形成由ITO等透明电极材料组成的薄膜，并覆盖电路部11的全部表面，通过形成该薄膜图案，填补设置在第1层间绝缘层284上的孔，进而形成接触孔19f，同时形成阳极23和虚电极23a。阳极23仅形成在驱动用TFT123的形成部分上，通过接触孔19f与驱动用TFT123连接。虚电极23a被配置成岛状。
接着，如图7(d)中所示，在第1层间绝缘层284和阳极23及虚电极23a上形成无机物堤墙层221a。无机物堤墙层221a在阳极23上以阳极23的局部开口的样子，而在虚电极23a上形成为完全覆盖虚电极23a。
无机物堤墙层221a可通过使用例如CVD法、TEOS法、溅射法、蒸镀法等在第1层间绝缘层284和阳极23的全部表面上形成SiO2、TiO2、SiN等无机质膜后，形成该无机质膜图案来形成。
进而，在无机物堤墙层221a上，形成有机物堤墙层221b。有机物堤墙层221b在阳极23、虚电极23a上均以构成开口规定大小的象素显示部26的形式形成。由无机物堤墙层221a和有机物堤墙层221b形成堤墙层221。
接着，在堤墙层221的表面，形成显示亲液性的区域和显示疏液性的区域。在本实施例中通过等离子体处理工序形成各区域。具体地讲，该等离子体处理工序至少具备使阳极23、无机物堤墙层221a变为亲液性的亲液化工序和使有机物堤墙层221b变为疏液性的疏液化工序。
即，将堤墙层112加热到规定温度(例如约70-80℃)，然后作为亲液化工序进行在大气氛围中把氧作为反应气体的等离子体处理(O2等离子体处理)。然后，进行疏液化工序即在大气氛围中把四氟甲烷作为反应气体的等离子体处理(CF4等离子体处理)，通过将在等离子体处理中被加热的堤墙层112冷却到室温，进而使规定地方具有亲液性和疏液性。
接着，在阳极23上和虚电极23a上的无机物堤墙层221a上分别使用喷墨法形成功能层110。功能层110可通过喷出、干燥含有构成空穴注入/输送层70的空穴注入/输送层材料的组合物油墨后，喷出、干燥含有构成有机EL层60的发光层材料的组合物油墨来形成。而且，在该功能层110的形成工序以后，为了防止空穴注入/输送层70和有机EL层60的氧化，优选在氮气气氛、氩气气氛等惰性气体气氛进行。
然后，形成覆盖堤墙层112和功能层110的阴极50。为此，在形成缓冲层222、第1阴极层后，覆盖第1阴极层而形成与基板20上未图示的阴极用配线连接的第2阴极层。
最后，在基板20上涂布环氧树脂等密封树脂40，通过密封树脂40在基板20上接合密封基板30。这样，获得了本发明实施例1中的EL显示装置1。
下面，对本实施例的EL显示装置1的作用进行说明。
根据本实施例的EL显示装置1，由于在与象素显示部26重叠的位置上在阳极23的下方配置了由第2金属层形成的电源线103，所以可以利用电源线103将从有机EL层60向下方发射并透过透明的阳极23的光向上方反射，可以高效率地向阴极50侧射出放射光。
而且，由于这样的反射面利用了形成电路部11所必需的第2金属层，并兼用电源线103形成的，所以即使使用电极特性优良的透明电极，也不必在透明电极上设置作为基底层的反射膜，可以节约材料和工艺，从而可以控制制造成本而廉价地形成。
另外，在本实施例中，由于在象素显示部26之间形成具有三维的层压结构的开关用TFT112、驱动用TFT123等开关元件，所以配置在象素显示部26下方的电源线103可以从基板20通过重叠平坦的全图案来形成。因此，可以形成平坦性优良的反射面，其结果，消除了反射不均匀等，可以提高光利用效率，进而提高显示质量。
另外，由于可通过利用这些平坦的全图案在电源线103以下的层上设置保持电容113，所以可以在广泛的象素显示部26的下层区域形成保持电容113，可以有效利用空间，从而可以使保持电容113变大。其结果，可以提高显示的保持特性，并进行稳定性优良的显示。
此外，根据本实施例，由于可以很粗地构成电源线103，所以具有可以降低电阻而可成为节能装置的优点。
还有，在本实施例中，由于使用在相对电路部11的上方且阳极23附近的第2金属层构成反射面，所以可以相对缩短反射光的透过光程，可以降低光损失，同时可以相对提高反射面下方的可以有效利用的空间。
下面，说明本实施例的变形例。
图8中所示的是表示本变形例的EL显示装置1的结构的俯视模式图。与图2中所示的装置相比，不同点仅在于实际显示区域4变成为实际显示区域400。以下，对于与上述相同的构件赋予同一符号并省略说明，以不同点为中心说明本变形例。
在实际显示区域4(参照图2)中显示区域R、G、B分别在图示的上下方向连续排列，与此相比实际显示区域400的不同点是在图示的左右方向连续构成。因此，在连续的四个象素区域A中，变为如图9中所示的结构。
图9(a)是实际显示区域400中相邻的四个象素区域A的俯视模式图。图9(b)是图9(a)中I-J方向的截面图。
与图5大不相同的点是，在图5中，电源线103与信号线102大致平行设置，而在图9中，电源线103与信号线102交叉并与扫描线101大致平行地延伸。由于每个颜色的有机EL层60都不同，且其驱动电压也随显示区域R、G、B而不同，所以构成为在同色的显示区域的并列方向上延长电源线103的结构。电源线103由第2金属层形成，其它也构成为大致相同的层压结构。但是，由于必须使信号线102和电源线103相交叉，所以在本变形例中，在与电源线103交叉的位置上利用第1金属层形成信号线102，在信号线102与由第1金属层形成的扫描线101交叉的位置上，利用第2金属层形成连接配线102b，且在扫描线101的附近，设置在第1层间绝缘层283上开孔的接触孔102c、102c，通过分别与信号线102、102连接，迂回构成与信号线102同层的扫描线101。主要通过改变对第1金属层和第2金属层进行蚀刻的图案形成很容易获得这样的结构。
另外，开关用TFT112和驱动用TFT123配置在扫描线101和电源线103之间。另一方面，硅层261和电容器电极150在象素显示部26和电源线103的下方以全图案被层压，电源线103和硅层261通过接触孔103a变为相同电位，构成保持电容113的结构，这与图5的情况相同。
根据本变形例，则具有与上述相同的作用效果，但是除了上述以外，特别是由于电源线103与扫描线101不交叉，所以在与电源线103之间形成的静电电容变小，可发挥开关动作变快的效果。
另外，由于在扫描线101和电源线103之间设置开关元件，所以通过使开关用TFT112和驱动用TFT123在象素显示部26的短边方向并列，可以更加紧凑地排列，可以减少如图5(a)所示的在象素显示部26的长边方向上分别排列时的空间浪费。另一方面，可以缩短象素显示部26的短边方向的间隔，可以格外提高开口率。
如果提高开口率，则由于有机EL层60的每单位面积的发光量变少，所以可以发挥能够使元件寿命提高的效果。
而且在上述的说明中，作为最优选的例子，说明了将作为反射面的电源线103配置成与象素显示部26的整个面积重叠的例子，但是如果减少反射量发光量也较充裕，则理所当然地电源线103不必覆盖象素显示部26的所有面积。
另外，同样地，如果发光量较充裕，则在一定程度上允许存在反射不均匀，所以即使电源线103的下方不是平坦的全图案，且电源线103的平坦性较差，也没有关系。例如，也可以在电源线103的下方设置保持电容113以外的电路元件。如果这样做，则具有可以更加有效利用电源线103的下层空间的优点。
[实施例2]
下面对作为本发明的电光学装置的实施例2的EL显示装置1进行说明。本实施例与实施例1相同也用第2金属层设置了反射面，不同点在于由第1金属层组成了电源线103。而且其它都具有相同的结构。因此，以下相同部分赋予同一符号并省略说明。
本实施例的EL显示装置1是图8中所示的类型的装置。为此与实施例1的变形例相同，电源线103设置在与扫描线101大致平行、与信号线102交叉的方向上。
参照图10，详细说明本实施例的实际显示区域400。图10(a)是在本实施例的EL显示装置1的实际显示区域400中相邻的四个象素区域A的俯视模式图。图10(b)是图10(a)中K-L方向的截面图。
各电源线103是通过使用第1金属层并以覆盖象素显示部26的所有面积的宽度，与同样由第1金属层形成的扫描线101大致平行地连续设置在栅极绝缘层282的上层。在其上层设置了第1层间绝缘层283，在其上层，利用第2金属层，形成了覆盖象素显示部26的各自面积的大小的反射部151(金属部)、信号线102、连接配线18等。在反射部151的上层设置了阳极23。开关用TFT112和驱动用TFT123在俯视图中形成在扫描线101和电源线103之间。
保持电容113主要是通过夹持绝缘层282而相对向的硅层261和电源线103，形成在反射部151的下方。
下面参照图11，说明开关用TFT112和驱动用TFT123的结构。图11(a)是图10(a)中开关用TFT112和驱动用TFT123的附近的放大图。图11(b)是沿图11(a)中M-N线的截面图。
开关用TFT112具有源极区域251S、通道区域251a、漏极区域251D。而且，在源极区域251S中，通过接触孔19a连接从信号线102延伸出的源电极侧配线102a。在通道区域251a的上层，设置了栅极绝缘层282和延伸扫描线101的一部分而构成的栅极电极252。另外在漏极区域251D上，连接着利用第1金属层设置的栅极电极242。如上所述，构成了开关用TFT112。
接着，驱动用TFT123具有源极区域241S、通道区域241a、漏极区域241D。而且，在源极区域241S上，连接着从栅极绝缘层282一直穿过第1层间绝缘层283开孔的接触孔19i，在接触孔19i上，连接着连接配线18。连接配线18通过从第1层间绝缘层283经栅极绝缘层282开孔的接触孔19i与电源线103连接。在通道区域241a的上层，设置了栅极绝缘层282和栅极电极242。栅极电极242也与硅层261连接。另外在漏极区域241D上，通过从栅极绝缘层282经第1层间绝缘层283开孔的接触孔19h，与从反射部151延伸出的反射部配线151a连接。如上所述，构成了驱动用TFT123。由于在反射部151的上层设置了阳极23，所以漏极区域241D与阳极23是电连接的。
下面，简单地参照图12对本实施例中EL显示装置1的制造方法的一个例子进行说明。图12(a)～(d)中所示的各截面图对应于沿图10中的K-L线的截面图，以各制造工序顺序表示。而且在以下的说明中，以与本发明特别相关的工序即形成电路部11的工序为中心进行说明，并省略对与实施例1相同部分的说明。
如图12(a)所示，首先在基板20上形成基底保护层281。然后形成硅层241、251、261。再形成栅极绝缘层282。在硅层241、251上分别形成具有浓度梯度的源极区域和漏极区域的方法与实施例1相同。
接着在栅极绝缘层282上形成厚度约500nm的第1金属层，进而通过使该金属层形成图案，同时形成扫描线101、栅极电极242、252和电源线103等(第1金属层形成工序)。
接着如图12(b)中所示，在基板20的全体表面上形成第2层间绝缘层283，进而通过光刻法使第2层间绝缘层283形成图案，形成没有图示的接触孔19a、19h、19i、19j等。
而且，通过形成可覆盖第2层间绝缘层283的第2金属层，在在先形成的接触孔19a、19h、19i、19j等上装填第2金属层的金属。进而，在第2金属层上形成图案形成用掩膜。之后，使用图案形成用掩膜使第2金属层形成图案，形成反射部151、信号线102、连接配线18等(第2金属层形成工序)。
接着如图12(c)中所示，在反射部151的上层形成阳极23。这样，在基板20上形成了电路部11。
在以上的过程中，由于参照实际显示区域400的截面图进行说明，所以省略了虚区域5或者其周围部分的制造工序的说明，但是不用说应当进行例如形成从栅极绝缘层282开始穿过电路部11并保持与阴极50接触的阴极配线、和扫描线驱动电路80以及检验电路90等的工序。
接着，在电路部11的上层形成空穴注入/输送层70、有机EL层60、阴极50等的工序和在基板20上粘结密封基板30的工序与实施例1相同，所以说明省略。
这样，获得了本发明实施例2中的EL显示装置1。
下面，对本实施例的EL显示装置1的作用进行说明。
根据本实施例的EL显示装置1，由于在与象素显示部26重叠的位置上在阳极23的下方配置了由第2金属层形成的反射部151，所以可以利用反射部151将从有机EL层60向下方发射并透过透明阳极23的光向上方反射，可以高效率地向阴极侧50射出放射光。
而且，这样的反射部151利用了形成电路部11所必须的第2金属层。为此即使使用电极特性优良的透明电极，也不必在透明电极上另设作为基底层的反射膜，可以节约材料和工艺，从而可以减少制造成本而廉价地形成。
另外与通常的工序或者实施例1不同，可以不设置使第2金属层与阳极23绝缘的第2层间绝缘层284，所以可以使制造工序简单化，可以抑制制造成本。
另外，在本实施例中，由于在象素显示部26之间形成了具有三维的层压结构的开关用TFT112、驱动用TFT123等开关元件，因此配置在象素显示部26下方的反射部151可以通过从基板20重叠平坦的全图案来形成。因此，可以形成平坦性优良的反射面，其结果，消除了反射不均匀等，可以提高光利用效率，进而提高显示质量。
另外，由于可利用这些平坦的全图案在电源线103以下的层上设置保持电容113，因此可以在广泛的象素显示部26的下层区域形成保持电容113，可有效利用空间，可以使保持电容113变大。其结果，可以提高显示的保持特性，并进行稳定性优良的显示。
进而，根据本实施例，由于可以很粗地构成电源线103，所以具有可以降低电阻而成为节能装置的优点。
另外，在本发明实施例中，由于在相对电路部11的上方，使用阳极23附近的第2金属层构成反射面，所以存在可以相对缩短反射光的透过光路，可以降低光损失，同时可以相对提高在反射面下方的有效利用空间的高度的优点。
还有，在本实施例中，由于利用位于电路部11的上方且接近于阳极23的第2金属层构成反射面，因此可使反射光的透过光程变得较短，从而减少光损失，同时可以相对提高反射面下方的有效利用空间的高度。
此外，根据本实施例，由于电源线103不与扫描线101交叉，所以形成在与电源线103之间的静电电容变小，可发挥开关动作变得快的效果。
另外，由于在扫描线101和电源线103之间设置开关元件，所以通过使开关用TFT112和驱动用TFT123在象素显示部26的短边方向并列，可以更加紧凑地排列。另一方面，可以缩短象素显示部26的短边方向的间隔。另外，由于没有必要使反射部151与电源线103等位于象素显示部26的下方的金属部接通，所以没有必要设置为此而形成的接触孔等，所以象素显示部26的面积不会因接触孔而受限制。其结果，可以格外提高开口率。
如果提高开口率，由于有机EL层60的每单位面积的发光量变少，所以可以发挥能够使元件寿命提高的效果。
下面，说明本实施例的变形例。
图13中所示的是表示本变形例的EL显示装置1的实际显示区域的结构的放大模式图。与上述的本实施例的不同点在于，本变形例是图2中所示类型的装置，实际显示区域400变成了实际显示区域4。以下，对于与上述相同的构件赋予同一符号并省略说明，以不同点为中心说明本变形例。
在实际显示区域400(参照图8)中显示区域R、G、B分别在图示的左右方向连续排列，相对与此，实际显示区域4的不同点是在图示的上下方向连续构成。为此，连续的四个象素区域A中，变为如图13中所示的结构。
图13(a)是实际显示区域400中相邻的四个象素区域A的俯视模式图。图8(b)是图13(a)中P-Q方向的截面图。
与图10大不相同的点是，在图10中，电源线103与扫描线101大致平行设置，而在图13中，电源线103与扫描线101交叉并与信号线102大致平行地延伸。相同点是电源线103由第1金属层形成，反射部151由第2金属层形成，其它也是大致相同的层结构，但是由于信号线102和扫描线101交叉，所以在本变形例中，扫描线101在与信号线102交叉的位置上由第1金属层形成，并在信号线102的附近，设置在第1层间绝缘层283上开孔的接触孔101a、101a，通过分别与扫描线101、101连接，迂回构成与扫描线101同层的信号线102。主要通过改变对第1金属层和第2金属层进行蚀刻时的图案形成很容易获得这样的结构。
另外，本变形例与实施例1不同，可以不设置接触孔103a，因此可以增大象素显示部26的面积，具有可以获得比较大的开口率的效果。
而且在上述的说明中，以在第2金属层和阳极之间没有设置绝缘层为例进行说明的，但是也可以是通过在反射部151的上层设置透明的绝缘层而阻止反射部151和驱动用TFT123的连接之后，设置阳极23，使阳极23和驱动用TFT123直接接通的结构。
还有，在上述的实施例1和实施例2的说明中，均为利用由第2金属层形成的反射面反射光线的结构，但是也可以由第1金属层形成反射面。由这种结构构成反射面时也不会增加制造工序，所以可以抑制制造成本。
在上述的实施例1和实施例2的说明中，由于形成有机EL层60等时利用了喷墨法，因此构成为无机物堤墙层221a、有机物堤墙层221b两层结构，以便容易地向堤墙层221赋予亲液性和疏液性，但是也可以为单层结构，特别是不使用喷墨法，而使用例如蒸镀法等制造时，把堤墙层221作为单层结构的方法可以更加廉价地制造。
在上述的实施例1和实施例2的说明中，对由两个晶体管形成开关元件的例子进行了说明，但是也可以是使用例如四个等2个以上数量的晶体管的电路结构。
[实施例3]
以下，根据图14对具有实施例1或者实施例2的EL显示装置的电子设备的具体例子进行说明。
图14(a)是表示手提电话的一个例子的立体图。图14(a)中，符号1000表示手提电话主体，符号1001表示使用上述EL显示装置的显示部分。
图14(b)是表示手表型电子设备的一个例子的立体图。图14(b)中，符号1100表示表主体，符号1101表示使用上述EL显示装置的显示部分。
图14(c)是表示文字处理器、电脑等便携型信息处理装置的一个例子的立体图。图14(c)中，符号1200表示信息处理装置，符号1201表示键盘等输入部分，符号1202表示使用上述EL显示装置的显示部分，符号1203表示信息处理装置主体。
图14(a)～(c)中分别表示的电子设备具有使用了上述实施例1、2或者3的EL显示装置的显示部分，由于具有上述的实施例1或者实施例2的EL显示装置的特征，所以成为了显示特性、可靠性得到了提高的同时制造成本降低了的电子设备。
要制造这些电子设备，可以通过在手提电话、便携型信息处理装置、手表型电子设备等各种电子设备的显示部分装入实施例1或者实施例2的EL显示装置1来制造。
如上所述，根据本发明的电光学装置，通过在电路层中设置金属部，可以将透过第1电极的光反射到第2电极侧，可以将来自发光层的光射到第2电极侧，而不必在第1电极上设置反射性，从而可以抑制制造成本，同时可以提高光利用效率，所以具有可以以低成本提高显示性能的效果。
另外根据本发明的电光学装置，在金属部的下方可以有效利用它的不必透过光的空间，例如可以构成大容量的保持电容来提高显示性能。
此外根据本发明的电光学装置的制造方法，因为由形成电路层所必须的金属部形成了用于反射光线的金属部，所以可以在没有增加制造工序的情况下制造具有用于反射光线的金属部的电光学装置。
还有，根据本发明的电子设备，由于具有本发明的电光学装置，所以可以成为具有与本发明的电光学装置相同的效果的电子设备。

Claims (14)

1.一种电光学装置，其特征在于，具有与开关元件相连的第1电极、与该第1电极对向配置的第2电极、设置在所述第1电极和所述第2电极之间的发光层、限制从该发光层向所述第2电极侧发射的光的象素显示部、设置在所述第1电极的下层且具有至少包含所述开关元件和驱动所述发光层的电源线的层压结构的电路层、和设置在该电路层内的与所述象素显示部在层压方向上重叠的位置上且反射从发光层发射的光的金属部。
2.如权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，所述金属部设置在各个所述象素显示部的整个显示面积上各自重叠的位置上。
3.如权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于，所述金属部的上面在与所述象素显示部重叠的范围内平坦地形成。
4.如权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于，在所述电路层中，所述金属部以下的层在与所述象素显示部重叠的范围内，分别作为规定层厚的全图案形成。
5.如权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于，向所述开关元件供给电流的电源线兼作所述金属部。
6.如权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于，所述电路层具有第1金属层和该第1金属层的上层侧的第2金属层，且由该第2金属层，构成所述金属部。
7.如权利要求6所述的电光学装置，其特征在于，所述第2金属层构成向所述开关元件供给电流的电源线。
8.如权利要求6所述的电光学装置，其特征在于，在所述金属部的上层设置第1电极，并互相电连接。
9.如权利要求6所述的电光学装置，其特征在于，所述第1金属层构成向所述开关元件供给电流的电源线。
10.如权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于，所述开关元件配置在相邻的所述象素显示部之间的位置上。
11.如权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于，在所述电路层中，在与所述象素显示部重叠的位置上，由所述金属部以下的层形成所述电源线和所述第2电极之间的静电电容。
12.一种电光学装置的制造方法，是配备有具有层压结构的电路层、在该电路层上依次设置的第1电极、发光层、和第2电极，且使由所述发光层发射的光经过在所述发光层的上部限制的象素显示部，从第2电极侧射出的电光学装置的制造方法，其特征在于，具有在所述电路层中形成金属层的工序，在该工序中，同时在所述发光层的下层形成金属部。
13.如权利要求12所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，形成所述金属层的工序具有：形成所述电路层的第1金属层的第1金属层形成工序、以及在形成所述第1金属层之后，形成第2金属层的第2金属层形成工序，在该第2金属层形成工序中，同时在所述发光层的下层形成金属部。
14.一种电子设备，其特征在于，具有权利要求1或2所述的电光学装置。
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Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4720069B2 (ja) 2002-04-18 2011-07-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2004191627A (ja) * 2002-12-11 2004-07-08 Hitachi Ltd 有機発光表示装置
JP3918770B2 (ja) * 2003-04-25 2007-05-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
JP4062171B2 (ja) * 2003-05-28 2008-03-19 ソニー株式会社 積層構造の製造方法
KR100970253B1 (ko) 2003-12-19 2010-07-16 삼성전자주식회사 발광소자의 제조 방법
JP2007518237A (ja) * 2004-01-08 2007-07-05 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 表示装置及びそれの製造方法
US8212474B2 (en) * 2004-01-08 2012-07-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device, and method of manufacturing the display device
KR100951914B1 (ko) * 2004-01-08 2010-04-09 삼성전자주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
JP4639662B2 (ja) * 2004-06-25 2011-02-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP4517804B2 (ja) * 2004-09-29 2010-08-04 カシオ計算機株式会社 ディスプレイパネル
KR100611660B1 (ko) * 2004-12-01 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 장치 및 동작 방법
US20090039563A1 (en) * 2005-08-30 2009-02-12 Riken Method of forming fine pattern
KR100719568B1 (ko) 2005-10-22 2007-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR100759558B1 (ko) * 2005-11-12 2007-09-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101209038B1 (ko) 2005-11-18 2012-12-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP4661557B2 (ja) 2005-11-30 2011-03-30 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP4939045B2 (ja) 2005-11-30 2012-05-23 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP2008107785A (ja) 2006-09-29 2008-05-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
CN101154348B (zh) * 2006-09-29 2012-09-05 精工爱普生株式会社 电光学装置和电子设备
KR100846592B1 (ko) * 2006-12-13 2008-07-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR20090010883A (ko) * 2007-07-23 2009-01-30 소니 가부시끼가이샤 유기 전계발광 소자 및 표시 장치
JP2010541168A (ja) * 2007-09-25 2010-12-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 溶液処理された電子デバイス用のバックプレーン構造体
TWI372576B (en) * 2008-01-04 2012-09-11 Chimei Innolux Corp Organic light-emitting device and method for forming the same
JP5125671B2 (ja) * 2008-03-26 2013-01-23 ソニー株式会社 画像表示装置、欠陥検出方法及び短絡事故の修復方法
JP4702395B2 (ja) * 2008-05-20 2011-06-15 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP4816686B2 (ja) 2008-06-06 2011-11-16 ソニー株式会社 走査駆動回路
JP5287100B2 (ja) * 2008-09-30 2013-09-11 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP5392545B2 (ja) 2009-03-13 2014-01-22 ソニー株式会社 表示装置
JP5117553B2 (ja) * 2010-08-05 2013-01-16 富士フイルム株式会社 表示装置の製造方法
JP5595392B2 (ja) * 2010-09-29 2014-09-24 パナソニック株式会社 Ｅｌ表示パネル、ｅｌ表示装置及びｅｌ表示パネルの製造方法
CN102891163B (zh) * 2011-07-19 2016-09-07 群创光电股份有限公司 有机电激发光显示装置
KR102327085B1 (ko) * 2014-10-20 2021-11-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6358078B2 (ja) 2014-12-25 2018-07-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP6784031B2 (ja) 2016-02-15 2020-11-11 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
US11038140B2 (en) * 2017-02-13 2021-06-15 Sony Corporation Display device, electronic device, and method of producing display device
CN108630143B (zh) * 2017-03-21 2020-07-07 群创光电股份有限公司 显示面板
KR102511048B1 (ko) * 2017-11-30 2023-03-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102546293B1 (ko) * 2017-12-28 2023-06-20 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
JP7264694B2 (ja) * 2019-03-29 2023-04-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN110828514B (zh) * 2019-10-25 2022-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2135891Y (zh) * 1992-07-07 1993-06-09 冯力 一种钢板电致发光体
CN2140125Y (zh) * 1992-10-31 1993-08-11 赵建生 两用平面光源
JPH11249132A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Sanyo Electric Co Ltd 反射型液晶表示装置
JP2001013524A (ja) * 1999-06-29 2001-01-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 反射型半導体表示装置
CN1307442A (zh) * 2000-02-03 2001-08-08 株式会社半导体能源研究所 发光器件及其制作方法
JP2001313173A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Seiko Epson Corp 面発光装置、液晶装置および電子機器

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0675237A (ja) * 1992-08-28 1994-03-18 Sharp Corp 反射型液晶表示装置
JP3281848B2 (ja) * 1996-11-29 2002-05-13 三洋電機株式会社 表示装置
KR100243297B1 (ko) * 1997-07-28 2000-02-01 윤종용 다결정실리콘 박막 트랜지스터-액정표시장치 및그 제조방법
KR100627091B1 (ko) * 1997-08-21 2006-09-22 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액티브 매트릭스형 표시장치
US6489952B1 (en) * 1998-11-17 2002-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type semiconductor display device
TW439387B (en) * 1998-12-01 2001-06-07 Sanyo Electric Co Display device
GB9901334D0 (en) * 1998-12-08 1999-03-10 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
JP3967081B2 (ja) 2000-02-03 2007-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
JP2001267086A (ja) 2000-03-23 2001-09-28 Fujitsu Ltd ディスプレイパネルおよびそのパネルを搭載した情報処理装置
US6989805B2 (en) * 2000-05-08 2006-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7019457B2 (en) 2000-08-03 2006-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having both electrodes formed on the insulating layer
US6956324B2 (en) 2000-08-04 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP4566475B2 (ja) 2000-08-04 2010-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2002108250A (ja) 2000-09-29 2002-04-10 Sharp Corp アクティブマトリックス駆動型自発光表示装置及びその製造方法
JP4127608B2 (ja) 2000-10-20 2008-07-30 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 自己発光表示パネル
TW522752B (en) * 2000-10-20 2003-03-01 Toshiba Corp Self-luminous display panel and method of manufacturing the same
JP3695308B2 (ja) * 2000-10-27 2005-09-14 日本電気株式会社 アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP4046948B2 (ja) 2001-02-26 2008-02-13 株式会社日立製作所 有機発光表示装置
JP4869497B2 (ja) * 2001-05-30 2012-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4050503B2 (ja) 2001-11-29 2008-02-20 株式会社日立製作所 表示装置
JP3995476B2 (ja) 2001-12-28 2007-10-24 三洋電機株式会社 表示装置及びその製造方法
JP4074099B2 (ja) 2002-02-04 2008-04-09 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 平面表示装置およびその製造方法
JP4310984B2 (ja) 2002-02-06 2009-08-12 株式会社日立製作所 有機発光表示装置
US7157784B2 (en) 2005-01-31 2007-01-02 Texas Instruments Incorporated Drain extended MOS transistors with multiple capacitors and methods of fabrication

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2135891Y (zh) * 1992-07-07 1993-06-09 冯力 一种钢板电致发光体
CN2140125Y (zh) * 1992-10-31 1993-08-11 赵建生 两用平面光源
JPH11249132A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Sanyo Electric Co Ltd 反射型液晶表示装置
JP2001013524A (ja) * 1999-06-29 2001-01-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 反射型半導体表示装置
CN1307442A (zh) * 2000-02-03 2001-08-08 株式会社半导体能源研究所 发光器件及其制作方法
JP2001313173A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Seiko Epson Corp 面発光装置、液晶装置および電子機器

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