CN101075663A - 发光装置、发光装置的制造方法及电子设备 - Google Patents
发光装置、发光装置的制造方法及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101075663A CN101075663A CNA2007101041189A CN200710104118A CN101075663A CN 101075663 A CN101075663 A CN 101075663A CN A2007101041189 A CNA2007101041189 A CN A2007101041189A CN 200710104118 A CN200710104118 A CN 200710104118A CN 101075663 A CN101075663 A CN 101075663A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- organic
- light
- layer
- directive property
- waveform configuration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 10
- -1 silicon alkoxide Chemical class 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 230
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 95
- 239000000463 material Substances 0.000 description 44
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 41
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 27
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 13
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 8
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 1,2-dioctyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(CCCCCCCC)C(CCCCCCCC)=C3CC2=C1 PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005571 horizontal transmission Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- JAXLHKGQYFBYIG-UHFFFAOYSA-N S1N=NC=C1.C1=CC=CC=C1 Chemical compound S1N=NC=C1.C1=CC=CC=C1 JAXLHKGQYFBYIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- HPNSNYBUADCFDR-UHFFFAOYSA-N chromafenozide Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C(=O)N(NC(=O)C=2C(=C3CCCOC3=CC=2)C)C(C)(C)C)=C1 HPNSNYBUADCFDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- VDGJOQCBCPGFFD-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-) silicon(4+) titanium(4+) Chemical compound [Si+4].[O-2].[O-2].[Ti+4] VDGJOQCBCPGFFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- WZMPOCLULGAHJR-UHFFFAOYSA-N thiophen-2-ol Chemical compound OC1=CC=CS1 WZMPOCLULGAHJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种能够用更简便的结构获得同等的散射效果等的发光装置。本发明的发光装置通过叠层包括发光层(60)的多个薄膜(20、21、22、23、70、60、55、50、33、43、42、41)而构成,其特征在于,在所述薄膜中任一界面具备波形结构(31),所述波形结构(31)产生具有指向性的散射功能。
Description
技术领域
本发明涉及发光装置、发光装置的制造方法及电子设备。
背景技术
作为便携式电话机、个人计算机或PDA(Personal Digital Assistants)等电子设备所使用的显示装置、或者数字复印机或打印机等图像形成装置中的曝光用头,有机场致发光装置(以下称为有机EL装置)等发光装置受到注目。作为该种发光装置,公知的是具有通过叠层多个包括发光层的各种折射率的薄膜而构成的多层结构的发光装置。
发光层的折射率因材料而不同,但是在大致550nm时是1.55~2.3左右,通常比空气(n=1.0)或玻璃(n=1.5)大。因而,高折射率层所发出的光在到达有辨认人的空气层(n=1.0)之前,一次以上通过从折射率高的层向低的层入射的界面,于是,大部分的光在界面的全反射作用下变成沿基板横向传播的波导模式,从而有时无法有助于显示。
因此,一直以来,公知的是如下的技术:在所叠层的薄膜中的任一界面形成凹凸结构或微细的周期结构,产生散射效果、衍射效果、光子结晶效果,抑制所发出的光的全反射量,增加变成放射模式的光。
专利文献1:日本专利文献特开2001-76864号公报;
专利文献2:日本专利文献特开2004-22438号公报。
发明内容
在专利文献1公开的技术中,在玻璃基板上形成凹凸,避免光的封闭,从而提高光取出效率。具体地,由牺牲氧化膜形成凹凸。另外,在专利文献2公开的技术中,在顶部发射结构中,下侧基板的反射层具有凹凸,且凹凸平坦化了的层的折射率大于发光层的折射率。在这样的现有技术中,为了形成微细结构或使结构物的上部平坦化,需要繁杂的工序。本发明的目的在于提供一种能够用更简便的结构获得同等的散射效果等的结构,另外,本发明的目的在于提供一种能够用简便的工序获得同等的散射效果等的方法。
为了解决所述问题,本发明提供一种发光装置,其通过叠层包括发光层的多个薄膜而形成,其特征在于,在所述薄膜中任一界面具备波形结构,所述波形结构产生具有指向性的散射功能。
根据这样的发光装置,通过在发光装置的任一层界面形成具有指向性散射的波形结构,能够减少如现有所述在折射率高的层和低的层的界面被全反射的光,增加向空气中放射的光。
所述波形结构能够由随机配置的多个凹凸构成,该凹凸具备光滑的表面(即没有角的凹凸结构)。
通过采用这样的波形结构,能够进一步可靠地实现指向性散射。
所述波形结构的相邻接的凸部间距离在300nm~1200nm的范围。
通过这样以可见光的波长程度构成邻接凸部间距离,能够使各色的光适当散射。邻接凸部间距离不足300nm时,形成为使紫外线的指向性散射最强,但不具有指向性散射可见光的功能的结构,从而有时无法获得所述效果,若超过1200nm,则形成为使红外线的指向性散射最强,但不具有指向性散射可见光的功能的结构,从而有时无法获得所述效果。
所述波形结构的相邻接的凸部间距离在所述发光层的发光色的谱峰波长的-250nm~+250nm的范围。
若如此在发光色的谱峰波长的-250nm~+250nm的范围内构成邻接凸部间距离,则能够使该色光适当地散射。当邻接凸部间距离不足发光色的谱峰波长的-250nm时,即使是所发出的光谱的任意波长,也不产生指向性散射,从而有时无法获得所述效果,若超过+250nm,则同样即使是所发出的光谱的任意波长,也不产生指向性散射,从而有时无法获得所述效果。
所述波形结构的凸顶部和凹底部之间的高度在50nm~500nm的范围。
当凸顶部和凹底部之间的高度不足50nm时,有时无法实现充分的散射,若超过500nm,例如有时难以进行形成其他构件的平坦化膜等之类的平坦化处理。
所述波形结构能够占所述薄膜界面的整个面积的30%以上。
通过采用这样的波形结构,能够进一步可靠地实现指向性散射。当波形结构的占有面积不足薄膜界面的整个面积的30%时,有时无法使光充分散射。
接着,为了解决所述问题,本发明提供一种发光装置的制造方法,所述发光装置通过叠层包括发光层的多个薄膜而形成,且在所述薄膜中任一界面具备波形结构,所述波形结构产生具有指向性的散射功能,所述发光装置的制造方法的特征在于,包括波形结构形成工序,所述波形结构形成工序通过旋涂法对介孔二氧化硅进行成膜,形成所述波形结构。
根据这样的制造方法,能够简便地形成由介孔二氧化硅膜构成的波形结构,进而能够简便地实现指向性散射结构。
在所述波形结构形成工序中,能够设计成膜条件,使得由所述介孔二氧化硅构成的膜成为10nm~300nm。
通过设计成这样的膜厚,所形成的波形结构,其凸顶部和凹底部之间的高度处于50nm~500nm的范围,从而能够适当地实现所述本发明的效果。
所述波形结构形成工序的特征在于,包括:以1500rpm~4000rpm的转速旋涂固态量浓度是3wt%~8wt%的硅醇盐溶液的工序;在真空中以300℃~400℃烧成0.5小时~5小时的工序。
通过采用这样的工序,能够简便且可靠地形成波形结构。即,在本发明的波形结构的形成工序中,通过使以旋涂法供给的溶液的浓度、成膜时的转速及烧成条件处于所述范围,能够可靠地形成所希望的波形结构。
接着,为了解决所述问题,本发明提供一种电子设备,其特征在于,具备所述发光装置。这样的电子设备能够通过该发光装置实现辨认性优越的显示。
附图说明
图1是表示本发明的有机EL装置的有机EL面板的配线结构的示意图;
图2是示意地表示本发明的有机EL装置的有机EL面板的结构的俯视图;
图3是示意地表示本发明的第一实施方式的有机EL元件的结构的剖面图;
图4是示意地表示第一实施方式的有机EL元件所具备的波形结构的结构俯视图;
图5是示意地表示第一实施方式的有机EL元件所具备的波形结构的结构侧视图;
图6是表示第一实施方式的指向性散射层的透射时的指向性散射光(450nm)的检测结果的图;
图7是表示第一实施方式的指向性散射层的反射时的指向性散射光(450nm)的检测结果的图;
图8是表示450nm时的波形结构的深度和指向性散射的角度的关系的表;
图9是表示第一实施方式的指向性散射层的透射时的指向性散射光(550nm)的检测结果的图;
图10是表示第一实施方式的指向性散射层的反射时的指向性散射光(550nm)的检测结果的图;
图11是表示第一实施方式的指向性散射层的透射时的指向性散射光(650nm)的检测结果的图;
图12是表示第一实施方式的指向性散射层的反射时的指向性散射光(650nm)的检测结果的图;
图13是示意地表示本发明的第二实施方式的有机EL元件的结构的剖面图;
图14是示意地表示本发明的第三实施方式的有机EL元件的结构的剖面图;
图15是示意地表示本发明的第四实施方式的有机EL元件的结构的剖面图;
图16是在第一实施方式的有机EL元件中,向辨认者侧的空气中放射的能量相对显示白色时的电流密度的图表;
图17是表示在第一实施方式的有机EL元件中,只点亮蓝色的像素XB,测定从0°方向和45°方向观察的色度的结果的表;
图18是表示在第一实施方式的有机EL元件中,对显示白色时从0°方向和45°方向观察的色度进行测定的结果的表;
图19是示意地表示本发明的第五实施方式的有机EL元件的结构的剖面图;
图20是示意地表示本发明的第六实施方式的有机EL元件的结构的剖面图;
图21是示意地表示本发明的第七实施方式的有机EL元件的结构的剖面图;
图22是示意地表示本发明的第八实施方式的有机EL元件的结构的剖面图;
图23是表示有机EL层的发光色的谱峰的图表;
图24是表示第九实施方式的指向性散射层的透射(a)及反射(b)时的指向性散射光(650nm)的检测结果的图;
图25是表示针对不同入射光波长,使波形的周期变化时的透射特性(a)及反射特性(b)的图;
图26是示意地表示本发明的第九实施方式的有机EL元件的结构的剖面图;
图27是示意地表示本发明的第十实施方式的有机EL元件的结构的剖面图;
图28是示意地表示本发明的第十一实施方式的有机EL元件的结构的剖面图;
图29是示意地表示有机EL元件的其他变形例的结构的剖面图;
图30是示意地表示有机EL元件的其他变形例的结构的剖面图;
图31是示意地表示本发明的第十二实施方式的有机EL元件的结构的剖面图;
图32是示意地表示有机EL元件的其他变形例的结构的剖面图;
图33是示意地表示有机EL元件的其他变形例的结构的剖面图;
图34是示意地表示有机EL元件的其他变形例的结构的剖面图;
图35是具备本发明的有机EL装置的电子设备的图。
图中:20-基板;21-反射层;22-保护层;23-阳极(像素电极);31-波形结构;33-填充剂;35-指向性散射层;40-滤色器基板;41-基板;42-滤色器层;43-覆盖(overcoat)层;50-阴极(对置电极);55-电子输送层;60-发光层;70-空穴输送层。
具体实施方式
以下,详细地说明本发明。
该实施方式表示本发明的部分方式,并不限定本发明,能够在本发明的技术思想的范围内任意地变更。另外,在以下所示的各图中,为了形成能在附图上识别各层或各构件的大小,而使各层或各构件的比例不同。
(有机EL面板)
首先,说明本发明的发光装置的有机EL面板的实施方式。
图1是表示有机EL面板1的配线结构的示意图。
本实施方式的有机EL面板1是采用了薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,以下称为TFT)作为开关元件的有源矩阵式的有机EL面板,具有由多个扫描线101……、沿相对各扫描线101直角交叉的方向延伸的多个信号线102、与各信号线102并列延伸的多个电源线103构成的配线结构,且在扫描线101……和信号线102……的各交点附近形成有像素X。
当然,根据本发明的技术思想,采用TFT等的有源矩阵并不是必须的,即使采用用于简单矩阵的基板来实施本发明,进行简单矩阵驱动,也能够获得完全相同的效果。
在信号线102上连接有具备移位寄存器、电平移动二极管、视频线路及模拟开关的数据线驱动电路100。另外,在扫描线101上连接有具备移位寄存器及电平移动二极管的扫描线驱动电路80。
进而,在像素X上分别设有经由扫描线101向栅电极供给扫描信号的开关用TFT(开关元件)112、保持经由该开关用TFT112从信号线102供给的像素信号的保持电容113、向栅电极供给由该保持电容113保持的像素信号的驱动用TFT(开关元件)123、经由该驱动用TFT123与电源线103电连接时从电源线103流入驱动电流的像素电极(第一电极)23、夹在该像素电极23和阴极(第二电极)50之间的发光功能层110。
接着,参照图2及图3说明本实施方式的有机EL面板1的具体方式。在此,图2是示意性表示有机EL面板1的结构的俯视图。图3是示意性表示构成有机EL面板1的有机EL元件的单位像素组的剖面图。
首先,参照图2说明有机EL面板1的结构。
图2是表示通过在基板20上形成的各种配线、TFT、像素电极、各种电路,使发光功能层110发光的有机EL面板1的图。
如图2所示,有机EL面板1具备:基板20,其具备电绝缘性;像素X(参照图1),其通过与开关用TFT112连接的像素电极23矩阵状配置在基板20上而构成;平面上大致呈矩形的像素部3(图2中单点划线框内),其至少位于像素X上。
还有,在本实施方式中,像素部3被划分为中央部分的实显示区域4(图中双点划线框内)和配置在实显示区域4周围的虚区域5(单点划线和双点划线之间的区域)。
在实显示区域4中,以红色发光(R)、绿色发光(G)及蓝色发光(B)分别发光的、红色像素XR、绿色像素XG及蓝色像素XB沿纸面左右方向规则地配置。另外,各色像素XR、XG、XB分别在纸面纵向以同一色排列,构成了所谓条纹配置。另外,各色像素XR、XG、XB分别构成为具备发光功能层110,该发光功能层110伴随着所述的TFT112、123的动作,以RGB的各色进行发光。而且,各色像素XR、XG、XB成为一个整体,构成了单位像素组Px(后述),该单位像素组Px对RGB的发光进行混色从而进行全色显示。因而,在通过单位像素组Px配置成为矩阵状而构成的实显示区域4中,显示全色的图像。
另外,在实显示区域4的图2中两侧配置有扫描线驱动电路80、80。该扫描线驱动电路80、80位于虚区域5的下层侧来进行设置。
另外,在实显示区域4的图2中上方侧配置有检查电路90,该检查电路90配置在虚区域5的下层侧而进行设置。该检查电路90是用于检查有机EL面板1的工作状况的电路,例如,具备向外部输出检查结果的检查信息输出机构(未图示),从而能够检查制造过程中或出厂时的有机EL面板1的质量、缺陷。
扫描线驱动电路80及检查电路90的驱动电压从规定的电源部经由驱动电压导通部(未图示)而被施加。另外,向这些扫描线驱动电路80及检查电路90供给的驱动控制信号及驱动电压是从进行有机EL面板1的工作控制的规定主驱动器等经由驱动控制信号导通部(未图示)及驱动电压导通部(未图示)被发送及施加。还有,此时所谓的驱动控制信号是指来自与扫描线驱动电路80及检查电路90输出信号时的控制相关联的主驱动器等的指令信号。
(有机EL元件的第一实施方式)
接着,参照图3,在构成有机EL面板1的有机EL元件的第一实施方式中,说明该有机EL元件的单位像素组的结构。
还有,在图3中,详述构成有机EL元件的像素电极23、发光功能层110及阴极50,在像素电极23上连接有驱动用TFT123。另外,像素电极23分别形成在红色像素XR、绿色像素XG、蓝色像素XG上,如图1所示,在驱动用TFT123的作用下使每个像素发光。
如图3所示,有机EL元件(有机EL装置)1A的单位像素组Px在基板20上具备由像素电极23及阴极50夹持的发光功能层110。另外,设有与基板20对置配置的滤色器基板40,各电极23、50及发光功能层110配置在基板20和滤色器基板40之间。该基板20和滤色器基板40之间形成为在由密封材料32围成的区域中填充有填充剂33的区域。
另外,发光功能层110针对于红色像素XR、绿色像素XG及蓝色像素XB分别具有不同的发光材料,从而发出红色R、绿色G、蓝色B各种颜色。另外,从发光功能层110发出的光透射滤色器基板40而射出。因而,本实施方式的有机EL元件1A(有机EL面板1)构成了顶部发射型。
基板20是透明基板,在本实施方式中采用玻璃基板。玻璃基板材料相对于550nm波长的光具有1.54的折射率。另外,在基板20上形成有由薄膜的氧化铝层构成的反射层21,使从发光功能层110发出的光向滤色器基板40侧反射。还有,在反射层21上形成有保护层22,在该保护层22上形成有作为阳极的像素电极23。
像素电极23是ITO(Indium-Tin Oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)、或者氧化锡、氧化铟和氧化锌的复合氧化物等的透明导电膜。在本实施方式中采用了ITO膜。该ITO膜相对550nm波长的光具有1.82的折射率。
作为这样的像素电极23的形成方法,通过溅射法在基板20上的整个面(实际上隔着保护层22而在整个面)上制造透明导电膜,然后隔着抗蚀剂掩模进行湿式蚀刻,由此,分别与红色像素XR、绿色像素XG及蓝色像素XB对应而图案形成像素电极23。
发光功能层110通过叠层体构成,所述叠层体包括:在像素电极23上形成的空穴输送层(发光功能层)70;在该空穴输送层70上形成的有机EL层(发光功能层)60;在该有机EL层60上形成的电子输送层(发光功能层)55。
空穴输送层70是具有向有机EL层60输送/注入空穴的功能的层膜。作为这样的空穴输送层70的形成材料,在高分子材料中尤其优选使用3,4-聚乙烯二氢氧基噻吩/聚苯乙烯砜酸(PEDOT/PSS)的分散液、即、通过在作为分散剂的聚苯乙烯砜酸中分散3,4-聚乙烯二氢氧基噻吩,进而在其中分散水而得到的分散液。
还有,作为空穴输送层70的形成材料,并不限定为所述材料,可以使用各种材料。例如,可以使用通过在适当的分散剂例如所述聚苯乙烯砜酸中分散聚苯乙烯、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔或其衍生物等而得到的材料。在低分子材料中,可以用蒸镀法采用铜酞菁、m-MTDATA、TPD、α-NPD等通常的空穴注入材料。
作为用于形成有机EL层60的材料,采用能够发出荧光或磷光的公知的发光材料。另外,通过在红色像素XR、绿色像素XG及蓝色像素XB上分别设置有机EL层60R、60G、60B,形成能够进行全色显示的有机EL元件1A。
作为有机EL层60(60R、60G、60B)的形成材料,具体来说,作为高分子材料可优选使用(聚)芴衍生物(PF)、(聚)对亚苯基乙烯撑衍生物(PPV)、聚亚苯基衍生物(PP)、聚对亚苯基衍生物(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等聚硅烷系等。另外,也可以在这些高分子材料中掺杂二萘嵌苯系色素、香豆素系色素、玫瑰精系色素等高分子系材料、或者红荧烯、二萘嵌苯、9,10-联苯蒽、四苯基丁二烯、尼罗红(nile red)、香豆素6、喹吖酮等低分子材料。作为低分子材料,可以以蒸镀法使用在Alq3、DPVBi等主材料中掺杂尼罗红、DCM、红荧烯、二萘嵌苯、玫瑰精等而得到的材料,或者以蒸镀法单独使用主材料。另外,作为红色的有机EL层60R的形成材料,例如有时使用MEHPPV(聚(3-甲氧基6-(3-己基)对亚苯基乙烯撑),作为绿色的有机EL层60G的形成材料,例如有时使用聚二辛基芴和F8BT(二辛基芴和苯噻重氮的交联共聚物)的混合溶液,作为蓝色的有机EL层60B的形成材料,例如有时使用聚二辛基芴。
电子输送层55是具有向有机EL层60输送/注入电子的功能的层膜。作为这样的电子输送层55的形成材料,例如,采用LiF或SrF2等碱土类金属或碱金属的化合物。
阴极50是与像素电极23对置的对置电极。该阴极50由第一阴极和第二阴极构成,所述第一阴极由在有机EL层60上设置的低功函数的金属构成,所述第二阴极设置在该第一阴极上并保护该第一阴极。作为形成第一阴极的低功函数的金属,尤其优选是功函数为3.0eV以下的金属,更具体地,优选采用Ca(功函数:2.6eV)、Sr(功函数:2.1eV)、Ba(功函数:2.5eV)。第二阴极覆盖第一阴极并保护其不受氧或水分等的侵害,并且为了提高阴极50整体的导电性而设置。本实施方式的有机EL元件1A由于是取出从滤色器基板40一侧所发出的光的顶部发射型,因此,阴极50具有透光性。
接着,在像素电极23和阴极50之间包括各色的发光功能层110的有机EL元件1A被薄膜密封层51密封。另外,在该薄膜密封层51上,在由密封材料32围住的区域经由填充剂33形成有滤色器基板40。滤色器基板40具有在该有机EL装置1的辨认侧配置的基板41、在该基板41上配置的指向性散射层35、在该指向性散射层35上配置的滤色器层42、和覆盖滤色器层42的覆盖层43。
基板41是透明性基板,在本实施方式中采用玻璃基板。玻璃基板材料相对于具有550nm的波长的光具有1.54的折射率。另外,指向性散射层35由介孔二氧化硅膜构成,在表层形成有波形结构31。波形结构31形成为能够产生具有指向性的散射功能,如图4及图5所示,由随机配置的多个凹凸(凸部31a、凹部31b)构成,该凹凸具备光滑的表面。
在此,在波形结构31中,如图4所示,邻接的凸部31a、31a间的距离在300nm~1200nm的范围内构成,另外,如图5所示,凸部31a的顶部和凹部31b的底部之间的高度在50nm~500nm的范围内构成。通过具有如此范围的凸部间距离及高度的波形结构31,能够适当地产生具备指向性的散射功能。还有,波形结构31占指向性散射层35的整个面积的30%以上。
通过具备这样的指向性散射层35,在可见光区域产生指向性散射功能,当所述波形结构31不足指向性散射层35的整个面积的30%时,有时在可见光区域不能产生充分的指向性散射。另外,若凸部31a的顶部和凹部31b的底部之间的高度超过500nm,则在平坦化该波形结构31时,在平坦化层中产生裂纹,从而有时对面板的可靠性造成缺陷。
在指向性散射层35上形成有红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各色滤色器层42,进而,形成有覆盖滤色器层42的覆盖层43。由以上的基板41、指向性散射层35、滤色器层42、覆盖层43构成滤色器基板40。
还有,在具有所述结构的单位像素组Px中,也可以在红色像素XR、绿色像素XG及蓝色像素XB的相互间形成堤(bank)(隔壁)。此时,可以通过液滴喷出法形成由高分子材料构成的发光功能层。另外,堤优选由无机材料的堤和有机材料的有机堤来构成。另外,优选对无机堤的表面赋予亲液性,对有机堤的表面赋予疏液性。由此,通过液滴喷出法形成发光功能层110时,能够在堤间留住液滴。另外,所述发光功能层110也可以由低分子材料构成。此时,发光功能层采用掩模蒸镀法形成,因此不需要形成堤。另外,作为低分子系的发光功能层,优选含有空穴输送层或电子注入缓冲层。
在如此构成的有机EL元件1A中,若在像素电极23和阴极50之间通以电流,则有机EL层60(60B、60G、60R)发光,所发出的光经由阴极50从滤色器基板40侧射出,或者在基板20侧形成的反射层21反射,然后经由阴极50从滤色器基板40侧射出。此时,由于在滤色器基板40上形成有指向性散射层35,因此,所发出的光适当地散射,从而能够拓宽视角。
图6是表示相对指向性散射层35从各种角度(0°、15°、30°、60°)入射光(450nm),并检测所透射的指向性散射光的结果的图。横轴表示受光角度(°),纵轴表示检测强度(a.u.)。另外,图7是表示相对指向性散射层35从各种角度(0°、15°、30°、60°)入射光(450nm),并检测所反射的指向性散射光的结果的图。横轴表示受光角度(°),纵轴表示检测强度(a.u.)。还有,在图6及图7中,透射时以入射方向的检测强度为1而标准化,反射时以正反射方向的强度为1而标准化。
这样,根据在本实施方式中采用的指向性散射层35,在蓝色的波长附近,在透射及反射时分别相对于入射光或反射光方向在±25°确认了指向性散射所产生的检测波峰。通过波形结构31,实现这样的指向性散射,与形成具备规则周期的凹凸结构时的衍射效果不同,即使入射光角度变化,入射光的一部分也能够以相同的指向性散射为大致相同的角度。
还有,在本实施方式中,指向性散射所产生的检测波峰相对于入射光或反射光方向形成为±25°,但是,通过使波形深度的平均值变化,能够控制指向性散射光的角度。图8是表示450nm时的波形结构31的深度和指向性散射的角度的关系的图。通过如此使波形结构31的深度的平均值变化,能够获得各种指向性散射角度。
另一方面,图9是表示相对指向性散射层35从各种角度(0°、15°、30°、60°)入射光(550nm),并检测所透射的指向性散射光的结果的图。横轴表示受光角度(°),纵轴表示检测强度(a.u.)。另外,图10是表示相对指向性散射层35从各种角度(0°、15°、30°、60°)入射光(550nm),并检测所反射的指向性散射光的结果的图。横轴表示受光角度(°),纵轴表示检测强度(a.u.)。还有,在图9及图10中,透射时以入射方向的检测强度为1而标准化,反射时以正反射方向的强度为1而标准化。
这样,根据在本实施方式中采用的指向性散射层35,在绿色的波长附近,在透射及反射时也分别确认了指向性散射所产生的检测波峰,从而能够获得指向性散射。但是,若与绿色的波长附近比较,则可知在蓝色的波长附近能够获得更高的指向性散射。
另外,图11是表示相对指向性散射层35从各种角度(0°、15°、30°、60°)入射光(650nm),并检测所透射的指向性散射光的结果的图。横轴表示受光角度(°),纵轴表示检测强度(a.u.)。另外,图12是表示相对指向性散射层35从各种角度(0°、15°、30°、60°)入射光(650nm),并检测所反射的指向性散射光的结果的图。横轴表示受光角度(°),纵轴表示检测强度(a.u.)。还有,在图11及图12中,透射时以入射方向的检测强度为1而标准化,反射时以正反射方向的强度为1而标准化。
这样,根据在本实施方式中采用的指向性散射层35,在红色的波长附近,在透射及反射时也分别确认了指向性散射所产生的检测波峰,从而能够获得指向性散射。但是,若与红色的波长附近比较,则可知在蓝色的波长附近能够获得更高的指向性散射。
即,在本实施方式中采用的指向性散射层35在蓝色、绿色、红色中能够获得指向性散射,在红的像素XR、绿的像素XG、蓝的像素XB中能够降低光取出效率的问题。另外,在所述波长短的蓝色区域中指向性散射的效果大,能够获得尤其高的指向性散射效果,能够较大改善蓝色的光取出效率,因此能够提高面板的色温度。
另外,具体的比较将在后述的第四实施方式中叙述,不过,在指向性散射层35中,由于以各种角度射出的光的方向变化,因此,与不具备指向性散射层35的有机EL装置相比,也能够获得在各色下从正面和斜面观察时的色移变少的效果。尤其,指向性散射功能由于波长越短越能够获得大的效果,因此,当从广角观察时,在色变化容易作为亮度变化而被辨认的蓝色中,能够较大地降低色移。因此,也能够改善从广角观察时的白平衡。
(有机EL元件的第二实施方式)
接着,参照图13,说明构成有机EL面板1的有机EL元件的第二实施方式的该有机EL元件的单位像素组的结构。
还有,图13是与表示有机EL元件的第一实施方式的图3对应的图,就与在图3中表示的符号相同的符号而言,如没有特别的说明,则为由相同结构、相同构件构成的。
在第二实施方式的有机EL元件1B中,滤色器基板40的结构与第一实施方式的有机EL元件1A不同。具体地,滤色器基板40具备由玻璃材料等透光性构件构成的基板41、在基板41上形成的滤色器层42(42B、42G、42R)、以覆盖该滤色器层42的方式形成的指向性散射层35、以及在该指向性散射层35上形成的覆盖层43而构成。
此时,指向性散射层35具备波形结构31,实现了适当的指向散射性,能够降低光取出效率和面板的色温度的问题。
(有机EL元件的第三实施方式)
接着,参照图14,说明构成有机EL面板1的有机EL元件的第三实施方式的该有机EL元件的单位像素组的结构。
图14是与表示有机EL元件的第一实施方式的图3对应的图,就与在图3中表示的符号相同的符号而言,如没有特别的说明,则由相同结构、相同构件构成。
在第三实施方式的有机EL元件1C中,滤色器基板40的结构与第一实施方式的有机EL元件1A不同。具体地,滤色器基板40具备由玻璃材料等透光性构件构成的基板41、在基板41上形成的滤色器层42(42B、42G、42R)、以覆盖该滤色器层42的方式形成的覆盖层43、在该覆盖层43上形成的指向性散射层35而构成。
此时,指向性散射层35也具备波形结构31,实现了适当的指向散射性,能够降低光取出效率、视角及面板的色温度的问题。
(有机EL元件的第四实施方式)
接着,参照图15,说明构成有机EL面板1的有机EL元件的第四实施方式的该有机EL元件的单位像素组的结构。
还有,图15是与表示有机EL元件的第一实施方式的图3对应的图,就与在图3中表示的符号相同的符号而言,如没有特别的说明,则由相同结构、相同构件构成。
在第四实施方式的有机EL元件1D中,滤色器基板40的结构与第一实施方式的有机EL元件1A不同。具体地,滤色器基板40除了具备由玻璃材料等透光性构件构成的基板41、在基板41上形成的滤色器层42(42B、42G、42R)、以覆盖该滤色器层42的方式形成的覆盖层43之外,还在与基板41的滤色器层42不同的面侧(另一面侧)具备指向性散射层35。
此时,指向性散射层35具备波形结构31,实现了适当的指向散射性,能够降低光取出效率、视角及面板的色温度的问题。
还有,在第一实施方式至第四实施方式中,滤色器层42、覆盖层43都利用涂敷法(旋涂法等)、或真空薄膜作成法(溅射法、蒸镀法等)而形成。
当如现有那样不具备指向散射层35、或具备周期性形成有凹凸结构的散射层时,从发光功能层发出的光在全反射条件下在玻璃基板内进行波导,从而光取出效率下降。但是,在具备指向性散射层35的本实施方式的有机EL装置1中,横向传播的光的一部分以指向性散射为全反射以下的角度,因此,向基板外部放射,取出效率上升,从而能够增加以相同电流密度驱动时的向空气中放射的能量的总量。图16是使红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的所有颜色点亮而显示白色时向辨认者侧的空气中放射的能量相对于电流密度的图表。从该图表可知,本实施方式的有机EL装置1(实施例),与不具备指向性散射层35的比较例比较,能够以相同的电流密度使能量的取出效率上升。
另外,由于以各种角度射出的光的方向变化,因此,具备指向性散射层35的本实施方式的有机EL装置1(实施例),与不具备指向性散射层35的比较例比较,也能够获得在各色下的从正面和斜面观察时的色移变少的效果。尤其,指向性散射功能由于波长越短越能够获得大的效果,因此,在从广角观察时,在色变化容易作为亮度变化而被辨认的蓝色中,能够进一步获得所述那样的效果,能够较大地降低蓝色的色移。因此,也能够改善从广角观察时的白平衡。
图17是表示只使蓝色的像素电极XB点亮,测定从0°方向和45°方向观察的色度的结果的表。具备指向性散射层35的本实施方式的有机EL装置1(实施例)与不具备指向性散射层35的比较例比较,能够较大地降低色移。
另外,图18是表示全部点亮红色、绿色、蓝色而显示白色时,测定从0°方向和45°方向观察的色度的结果的表。具备指向性散射层35的本实施方式的有机EL装置1(实施例)即使在白色显示的情况下,与不具备指向性散射层35的比较例比较,也能够较大地降低色移。
在所述各实施方式中,在滤色器基板40的任一层形成有具有波形结构31的指向性散射层35,但是也可以在形成有像素电极23的基板20侧(即形成有发光功能层110的基板侧)中任一层,形成具备相同波形结构31的指向性散射层35。
(有机EL元件的第五实施方式)
接着,参照图19,说明构成有机EL面板1的有机EL元件的第五实施方式的该有机EL元件的单位像素组的结构。
还有,图19是与表示有机EL元件的第一实施方式的图3对应的图,就与在图3中表示的符号相同的符号而言,如没有特别的说明,则由相同结构、相同构件构成。
第五实施方式的有机EL元件1E是由发光功能层110发出的光从具备像素电极23的基板20侧射出的底部发射型的有机EL元件。
有机EL元件1E在由玻璃等透光性材料构成的基板20上具备指向性散射层35,且在该指向性散射层35上隔着保护层22以规定的图案按像素XB、XG、XR形成有像素电极23。指向性散射层35具有与所述各实施方式相同的波形结构31,具备指向性散射功能。
在像素电极23上形成有包括空穴输送层70、有机EL层60、电子输送层55的发光功能层110、阴极50,且将从这些像素电极23至阴极50的叠层体覆盖的密封层51形成在保护层22上。还有,有机EL层60通过分别按各像素XB、XG、XR图案形成蓝色有机EL层60B、绿色有机EL层60G、红色有机EL层60R而构成。
在此,有机EL元件1E是底部发射型,因此,像素电极23由具有透光性的导电材料例如ITO(铟锡氧化物)构成,另一方面,阴极50由具有光反射性的导电材料例如铝构成。
在这样的本实施方式的有机EL元件1E中,指向性散射层35具备波形结构31,实现了适当的指向性散射,从而能够减轻光取出效率和面板的色温度的问题及视角的问题。
(有机EL元件的第六实施方式)
接着,参照图20,说明构成有机EL面板1的有机EL元件的第六实施方式的该有机EL元件的单位像素组的结构。
还有,图20是与表示有机EL元件的第一实施方式的图3对应的图,就与在图3中表示的符号相同的符号而言,如没有特别的说明,则由相同结构、相同构件构成。
第六实施方式的有机EL元件1F是由发光功能层110发出的光从具备像素电极23的基板20侧射出的底部发射型的有机EL元件。
有机EL元件1F在由玻璃等透光性材料构成的基板20上具备保护层22,并在该保护层22上具备指向性散射层35而构成。而且,在指向性散射层35上形成有由像素电极23、发光功能层110、阴极50构成的叠层体、及密封剂51。指向性散射层35具有与所述各实施方式相同的波形结构31,具备指向性散射功能。在此,有机EL元件1F是底部发射型,因此,像素电极23由具有透光性的导电材料例如ITO(铟锡氧化物)构成,另一方面,阴极50由具有光反射性的导电材料例如铝构成。
在这样的本实施方式的有机EL元件1F中,指向性散射层35具备波形结构31,实现了适当的指向性散射,从而能够减轻光取出效率和面板的色温度的问题及视角的问题。
(有机EL元件的第七实施方式)
接着,参照图21,说明构成有机EL面板1的有机EL元件的第七实施方式的该有机EL元件的单位像素组的结构。
还有,图21是与表示有机EL元件的第一实施方式的图3对应的图,就与在图3中表示的符号相同的符号而言,如没有特别的说明,则由相同结构、相同构件构成。
第七实施方式的有机EL元件1G是由发光功能层110发出的光从具备像素电极23的基板20侧射出的底部发射型的有机EL元件。
有机EL元件1G在由玻璃等透光性材料构成的基板20上具备保护层22,另一方面,在与基板20的形成有保护层22的面相反侧(基板20的另一面侧)具备指向性散射层35而构成。而且,保护层22上形成有由像素电极23、发光功能层110、阴极50构成的叠层体、及密封剂51。指向性散射层35具有与所述各实施方式相同的波形结构31,具备指向性散射功能。在此,有机EL元件1G是底部发射型,因此,像素电极23由具有透光性的导电材料例如ITO(铟锡氧化物)构成,另一方面,阴极50由具有光反射性的导电材料例如铝构成。
在这样的本实施方式的有机EL元件1G中,指向性散射层35具备波形结构31,实现了适当的指向性散射,从而能够减轻光取出效率和面板的色温度的问题及视角的问题。
(指向性散射层35的形成方法)
在所述各实施方式中使用的指向性散射层35能够通过以下的方法形成。具体地,通过将由介孔二氧化硅构成的薄膜形成为10nm~230nm(例如150nm)的厚度,能够获得波形结构31。在此,将固态量浓度约5%的硅醇盐溶液以2500rpm的转速旋涂30秒钟,然后,在真空中经过350℃、1小时的烧成处理,最终获得介孔二氧化硅膜。用这样的方法形成的介孔二氧化硅膜具备波形结构31,产生指向性散射功能。
还有,为了将波形结构31的凸部间距离、凸顶部及凹底部间高度设计为所述范围,优选将硅醇盐溶液的固态量浓度设计为3wt%~8wt%,将旋涂的转速设计为1500rpm~4000rpm。另外,优选烧成温度优选是300℃~400℃,烧成时间优选是0.3小时~5小时。
除了所述那样的方法,例如也可以对由有机材料、无机材料、有机无机混合材料形成的涂敷膜实施规定时间(例如数十秒)的等离子体处理,由此,对该涂敷膜赋予波形结构。
另外,采用悬浊了0.1μm~10μm的浆料的溶液,对所形成的涂敷膜进行研磨,由此,也能够对该涂敷膜赋予波形结构。
进而,也可以通过蒸镀法或溅射法赋予波形结构。若在使成膜率大致为100nm/s的快速率下,用真空成膜方法作成膜,则由于产生群,因此能够产生所述那样的波形结构。
此外,也可以通过埋入纳米级尺寸的树脂、或埋入后涂敷具有相同折射率的涂敷剂、等方法来赋予波形结构。
其中,在采用了介孔二氧化硅材料时,只经过旋涂等涂敷处理和烧成处理,工序的负担比较少,因此是尤其优选的。
(有机EL元件的第八实施方式)
所述实施方式的有机EL面板1为了能够进行全色显示而包括蓝色像素XB、绿色像素XG、红色像素XR,但是例如图22所示,即使是单色底部发射方式的有机EL面板也能够采用本发明的结构。图22是表示单色底部发射方式的有机EL元件1H的剖面结构的示意图。还有,图22是与表示有机EL元件的第一实施方式的图3对应的图,就与在图3中表示的符号相同的符号而言,如没有特别的说明,则由相同结构、相同构件构成。
第八实施方式的有机EL元件1H是由包括单一的有机EL层60、且能够发出单色(在此是蓝色)光的发光功能层110发出的光从具备像素电极23的基板20侧射出的单色底部发射型的有机EL元件。
有机EL元件1H在由玻璃等透光性材料构成的基板20上具备指向性散射层35,在该指向性散射层35上隔着保护层22形成有阳极23。指向性散射层35具有与所述各实施方式相同的波形结构31,具备指向性散射功能。
在阳极23上形成有包括空穴输送层70、有机EL层60、电子输送层55的发光功能层110、及阴极50,将从这些阳极23至阴极50的叠层体覆盖的密封层51形成在保护层22上。还有,有机EL层60由能够发出蓝色光的有机EL材料构成。在此,有机EL元件1H是底部发射型,因此,像素电极23由具有透光性的导电材料例如ITO(铟锡氧化物)构成,另一方面,阴极50由具有光反射性的导电材料例如铝构成。在这样的本实施方式的有机EL元件1H中,指向性散射层35具备波形结构31,实现了适当的指向性散射,从而能够减轻光取出效率和视角的问题。
在此,该第八实施方式的有机EL元件1H的指向性散射层35所具备的波形结构31构成为在发光色的发光波长范围内产生最强的指向性散射。图23是表示有机EL层60的发光色的谱峰的图表。在本实施方式中,波形结构31具有随机的凹凸结构,波形周期的平均值大致形成在发光色的谱峰波长的±250nm的范围内。即,本实施方式的有机EL层60的发光波峰波长是420nm,因此,波形周期的平均值设计为170nm~670nm。
在如此构成的有机EL元件1H中,若在像素电极23和阴极50之间通以电流,则有机EL层60发光,所发出的光(蓝色光)经由阳极23从基板20侧射出,或由阴极50反射后经由阳极23从基板20侧射出。此时,由于在基板20上形成有指向性散射层35,因此,所发出的光适当地散射,从而能够拓宽视角。
图24(a)是表示相对指向性散射层35从各种角度(0°、15°、30°、60°)入射光(420nm),并检测所透射的指向性散射光的结果的图。横轴表示受光角度(°),纵轴表示检测强度(a.u.)。另外,图24(b)是表示相对指向性散射层35从各种角度(0°、15°、30°、60°)入射光(420nm),并检测所反射的指向性散射光的结果的图。横轴表示受光角度(°),纵轴表示检测强度(a.u.)。还有,在图24(a)及图24(b)中,透射时以入射方向的检测强度为1而标准化,反射时以正反射方向的强度为1而标准化。
根据如此在本实施方式中采用的指向性散射层35,在蓝色的波长附近,在透射及反射时分别相对于入射光或反射光方向在±25°确认了指向性散射所产生的检测波峰,波形周期的平均大致与波长一致时,出现强烈的指向性散射。通过这样的波形结构31,实现指向性散射,与形成具备规则周期的凹凸结构时的衍射效果不同,即使入射光角度变化,入射光的一部分也能够以相同的指向性散射为大致相同的角度。
另外,图25(a)是表示入射光波长分别是420nm、550nm、680nm时,使波形的周期变化时的透射特性的图,图25(b)是表示入射光波长同样分别是420nm、550nm、680nm时,使波形的周期变化时的反射特性的图。在图25(a)及(b)中,横轴表示波形周期的平均值,纵轴表示所检测的指向性散射的光的绝对强度。
还有,波形周期的不同形状可以通过使介孔二氧化硅的形成膜厚变化至80nm~200nm来形成。例如,若以大致膜厚130nm形成介孔二氧化硅层,则波形的周期成为500nm~1050nm,能够将周期的平均形成为约650nm。
当入射光波长是420nm、550nm、680nm时,能够检测指向性散射光的波形周期的平均值分别是170nm~670nm、300nm~800nm、430nm~930nm,相对于入射光波长,是-250nm~+250nm的范围。还有,在所述实施方式中,指向性散射所产生的检测波峰相对于入射光或反射光方向形成为±25°,但是,可以通过使波形的深度的平均值变化来控制指向性散射光的角度。
(有机EL元件的第九实施方式)
接着,参照图26,说明构成有机EL面板的有机EL元件的第九实施方式的该有机EL元件的剖面结构。
还有,图26是与表示有机EL元件的第一实施方式的图3对应的图,就与在图3中表示的符号相同的符号而言,如没有特别的说明,则由相同结构、相同构件构成。
第九实施方式的有机EL元件1I是由发光功能层110发出的光从具备像素电极23的基板20侧射出的底部发射型的有机EL元件。
有机EL元件1I在由玻璃等透光性材料构成的基板20上具备保护层22,并在该保护层22上具备指向性散射层35而构成。而且,在指向性散射层35上形成有像素电极23、由单色(蓝色)的发光功能层110、阴极50构成的叠层体、及密封剂51。指向性散射层35具有与所述各实施方式相同的波形结构31,具备指向性散射功能。在此,有机EL元件1I是底部发射型,因此,像素电极23由具有透光性的导电材料例如ITO(铟锡氧化物)构成,另一方面,阴极50由具有光反射性的导电材料例如铝构成。
在这样的本实施方式的有机EL元件1I中,指向性散射层35具备波形结构31,实现了适当的指向性散射,从而能够减轻光取出效率和视角的问题。
(有机EL元件的第十实施方式)
接着,参照图27,说明构成有机EL面板的有机EL元件的第十实施方式的该有机EL元件的剖面结构。
图27是与表示有机EL元件的第一实施方式的图3对应的图,就与在图3中表示的符号相同的符号而言,如没有特别的说明,则由相同结构、相同构件构成。
第十实施方式的有机EL元件1J是由发光功能层110发出的光从具备像素电极23的基板20侧射出的底部发射型的有机EL元件。
有机EL元件1J在由玻璃等透光性材料构成的基板20上具备保护层22,另一方面,在与基板20的形成有保护层22的面相反侧(基板20的另一面侧)具备指向性散射层35而构成。而且,保护层22上形成有由像素电极23、发光功能层110、阴极50构成的叠层体、及密封剂51。指向性散射层35具有与所述各实施方式相同的波形结构31,具备指向性散射功能。在此,有机EL元件1J是底部发射型,因此,像素电极23由具有透光性的导电材料例如ITO(铟锡氧化物)构成,另一方面,阴极50由具有光反射性的导电材料例如铝构成。
在这样的本实施方式的有机EL元件1J中,指向性散射层35具备波形结构31,实现了适当的指向性散射,从而尤其在蓝色的像素XB中能够降低光取出效率和视角的问题。
还有,如所述第八实施方式及第九实施方式所述,当在波形结构31上形成保护层22或阳极23时,由于波形的深度非常小,因此,能够在不引起裂纹产生等的情况下在其上部形成层结构。另外,能够在辨认者侧的表面(即,密封件51上)形成具备波形结构31的指向性散射层35。还有,各第八至第十实施方式的有机EL元件所具备的指向性散射层35也可以通过用薄膜形成所述那样的介孔二氧化硅膜来成膜。
(有机EL元件的第十一实施方式)
接着,参照图28,说明构成有机EL面板的有机EL元件的第十一实施方式的该有机EL元件的单位像素组的结构。
图28是与表示有机EL元件的第一实施方式的图3对应的图,就与在图3中表示的符号相同的符号而言,如没有特别的说明,则由相同结构、相同构件构成。
第十一实施方式的有机EL元件1K是由发光功能层110发出的光从具备像素电极23的基板20侧射出的底部发射型的有机EL元件。另外,发光功能层110通过按各像素图案形成有蓝色有机EL层60B、绿色有机EL层60G、红色有机EL层60R而构成,能够进行全色显示。还有,蓝色的发光谱峰波长是440nm、绿色的发光谱峰波长是520nm、红色的发光谱峰波长是630nm。
有机EL元件1K在由玻璃等透光性材料构成的基板20上具备指向性散射层35,并在包括该指向性散射层35的基板20上形成有保护层22。另外,在保护层22上形成有由像素电极23、发光功能层110、阴极50构成的叠层体、及密封剂51。还有,有机EL元件1K是底部发射型,因此,像素电极23由具有透光性的导电材料例如ITO(铟锡氧化物)构成,另一方面,阴极50由具有光反射性的导电材料例如铝构成。
在此,指向性散射层35按各色的像素分别图案形成蓝色指向性散射曾35B、绿色指向性散射层35G、红色指向性散射层35R,各指向性散射层35B、35G、35R具备各不相同的波形结构31B、31G、31R。具体地,在蓝色像素的蓝色指向性散射层35B中,波形结构31B的波形周期大致是200nm~690nm,波形周期的平均值大致是450nm。在绿色像素的绿色指向性散射层35G中,波形结构31G的波形周期大致是270nm~770nm,波形周期的平均值大致是510nm。在红色像素的红色指向性散射层35R中,波形结构31R的波形周期大致是400nm~980nm,波形周期的平均值大致是650nm。
上述各指向性散乱层35B、35G、35R例如通过分几次旋转苯胺印刷硅醇盐溶液、或用喷墨法等来形成,使得分别形成膜厚为175nm、155nm、135nm的介孔二氧化硅膜。
在这样的本实施方式的有机EL元件1K中,图案形成的指向性散射层35B、35G、35R具备波形结构31B、31G、31R,实现了适当的指向性散射,从而能够减轻光取出效率和视角的问题。具体地,与不具备指向性散射层35的有机EL元件相比,当点亮R、G、B的各色而显示白色时,能够在辨认者所在的空气层取出1.5倍的能量。
还有,在本实施方式中,在所有的各色像素上形成了具备与色的波长对应的波形结构的指向性散射层,但是,在为了改善面板的色调,而有特别想要提高取出效率的色时,也可以只在与该像素对应的部分选择性地形成指向性散射层35。
另外,当在全色有机EL面板中,特别想要提高取出效率的色是一色时,即使在基板整个面上形成有具备与该色对应的波形结构的指向性散射层35的情况下,也能够选择性地提高该色的取出效率。
另外,作为形成各色的指向性散射层35B、35G、35R的界面,并不限定于图28那样的基板20和保护层22的界面,例如也可以如图29所示在保护层22和阳极23的界面形成各指向性散射层35B、35G、35R,也可以如图30所示在基板20的外面(与保护层22的形成面不同的面)形成各指向性散射层35B、35G、35R。
(有机EL元件的第十二实施方式)
接着,参照图31,说明构成有机EL面板的有机EL元件的第十二实施方式的该有机EL元件的剖面结构。
还有,图31是与表示有机EL元件的第一实施方式的图3对应的图,就与在图3中表示的符号相同的符号而言,如没有特别的说明,则由相同结构、相同构件构成。
第十二实施方式的有机EL元件1N是由发光功能层110发出的光从在阴极50侧形成的滤色器基板40侧射出的顶部发射型的有机EL元件。尤其,发光功能层110由蓝色的单色有机EL层60构成,该有机EL元件1N形成为单色的顶部发射方式。即,是由包括单一的有机EL层60、且能够发出单色(在此是蓝色)光的发光功能层110发出的光从具备蓝色的滤色器层42B的基板40侧射出的单色顶部发射型的有机EL元件。
有机EL元件1N在由玻璃等透光性材料构成的基板20上具备反射层21,在该反射层21上经由保护层22形成有阳极23。在阳极23上形成有包括空穴输送层70、有机EL层60、电子输送层55的发光功能层110、及阴极50,将从这些阳极23至阴极50的叠层体覆盖的密封层51形成在保护层22上。在密封层51上配置有填充在由密封剂32围成的区域中的填充剂33,在其上方形成有滤色器基板40。
滤色器基板40具备基板41、在该基板41的内面侧(填充剂33侧)配置的指向性散射层35、在指向性散射层35的内面侧配置的蓝色滤色器层42B、在包括滤色器层42B的指向性散射层35的内面侧配置的覆盖层43而构成。
在这样的本实施方式的有机EL元件1N中,指向性散射层35具备波形结构,实现了适当的指向性散射,从而能够减轻光取出效率和视角的问题。本实施方式的情况下,由于波形的深度非常小,因此,能够在不引起裂纹产生的情况下,在其上部形成层结构。
另外,在滤色器基板40中作为形成指向性散射层35的界面,并不限定于图31所示的基板40和滤色器层42B的界面,例如也可以如图32所示的有机EL元件1O所述配置在覆盖层43和填充剂33的界面,或如图33所示的有机EL元件1P所述配置在基板40的外面侧(与填充剂33不同的面侧)。或者也可以如图34所示的有机EL元件1Q所述,配置在滤色器层42B和覆盖层43的界面。
以上,说明了几个本发明的发光装置的实施方式,但是本发明并不限定于这样的方式。
例如,所述实施方式的发光装置在基板41和滤色器层42的界面具备具有波形结构31的指向性散射层35,但是,该指向性散射层35可以配置在其他各薄膜的界面。具体地,可以配置在基板20、反射层21、保护层22、阳极23、空穴输送层70、发光层60、电子输送层55、阴极50、填充剂33、覆盖层43、滤色器层42、基板41中任一的界面。
例如,在使有机EL层(发光层)进行低分子有机EL的白色显示,并叠层了2层以上的发光层的情况下,也能够适用本发明的结构。此时形成指向性散射层的界面与所述实施方式同样,并不特别地限定。
在此,当发光谱峰是2以上时,通过重叠2层以上具备具有与各自的波峰波长一致的结构的波形结构(即,波形的周期是各波峰波长的±250nm)的指向性散射层,能够提高光取出效率,从而能够适当地拓宽视角。另外,即使设有具备只与任意一方的谱峰波长对应的波形结构(即,波形的周期是该波峰波长的±250nm)的指向性散射层时,也能够在辨认者侧的空气层取出约1.2倍~1.5倍的能量。
另外,3波峰的情况也同样,分别形成具备具有与各自的波峰波长一致的结构的波形结构(即,波形的周期是各波峰波长的±250nm)的指向性散射层,或者分别形成具备具有与任意2个波峰波长一致的结构的波形结构(即,波形的周期是各波峰波长的±250nm)的指向性散射层,或者形成具备具有与任意1个波峰波长一致的结构的波形结构(即,波形的周期是该波峰波长的±250nm)的指向性散射层,由此,也能够产生本发明的效果。
还有,在2波峰的所发出的光谱中,尤其绿色的发光强度原本少,从而有时面板的演色功能不足。此时,形成与发光强度的弱色的波长对应的波形结构(即,波形的周期是该波峰波长的±250nm),由此,能够选择性地高效地在空气层取出发光强度少的色的发光,从而也能够以提高面板的演色性的方式加以利用。
另外,相对于图3所示的顶部发射全色的有机EL元件,也能够形成与发光谱峰波长对应的波形结构(即,波形的周期是该波峰波长的±250nm)。在矩阵状配置的像素中,通过掩模蒸镀来分开涂敷发光材料从而形成,或者使用微腔而产生白色发光,或者分开涂敷发光材料且一并使用微腔,都能够获得相同的散射效果。具体地,可以使用蓝色的发光谱峰465nm、绿色的发光谱峰525nm、红色的发光谱峰630nm,在与各像素电极对应的矩阵位置形成波形结构。在此,可以形成波形结构,使得蓝色部分的波形周期大致是200nm~730nm,波形周期的平均值大致是450nm,另外绿色部分的波形周期大致是300nm~775nm,波形周期的平均值大致是550nm,另外红色部分的波形周期大致是400nm~980nm,波形周期的平均值大致是650nm。此时,在分别点亮红色、绿色、蓝色像素,显示白色的情况下,能够在辨认者所在的空气层取出不具备波形结构时的1.62倍的能量。
还有,为了中性孔硅膜成为170nm、140nm、135nm的厚度而形成,通过数次分开旋涂烷氧基硅烷或者采用快速印刷或喷墨法来形成这样的结构。此时,作为例以大致40nm~200nm左右的膜厚形成中性孔硅,由此,能够形成在可见光区域产生指向性散射的结构。例如,在膜厚110nm~140nm中,能够形成产生红的波长区域的指向性散射的波形结构,在膜厚140nm~159nm中,能够形成产生绿的波长区域的指向性散射的波形结构,在膜厚160nm~230nm中,能够形成产生蓝的波长区域的指向性散射的波形结构。
另外,除了在所有各色的像素形成与色的波长对应的结构外,为了改善面板的色调,而有特别想要提高取出效率的色时,也可以只在与其像素对应的部分选择性地形成波形结构。另外,即使是全色显示器当特别想要提高取出效率的色是一色时,也可以在基板整个面上形成具有与该色的谱峰波长对应的波形周期的波形结构。
(电子设备)
接着,说明本发明的电子设备。
电子设备具有所述有机EL面板1作为显示部,具体地,可以列举图35所示的电子设备。
图35(a)是表示便携式电话的一例的立体图。在图35(a)中,便携式电话1000具备采用了所述有机EL面板1的显示部1001。
图35(b)是表示手表型电子设备的一例的立体图。在图35(b)中,时钟1100具备采用了所述有机EL面板1的显示部1101。
图35(c)是表示文字处理机、个人计算机等便携式信息处理装置的一例的立体图。在图35(c)中,信息处理装置1200具备键盘等输入部1201、采用了所述有机EL面板1的显示部1202、信息处理装置主体(筐体)1203。
图35(a)~图35(c)所示的各自的电子设备具备具有所述有机EL面板(有机EL装置)1的显示部1001、1101、1202,因此,可实现构成显示部的有机EL装置的高亮度化,并且可抑制色移。
Claims (10)
1.一种发光装置,其通过叠层包括发光层的多个薄膜而形成,其特征在于,
在所述薄膜的任一界面具备波形结构,所述波形结构产生具有指向性的散射功能。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述波形结构由随机配置的多个凹凸构成,该凹凸具备光滑的表面。
3.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于,
所述波形结构的相邻接的凸部间距离在300nm~1200nm的范围。
4.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于,
所述波形结构的相邻接的凸部间距离在所述发光层的发光色的谱峰波长的-250nm~+250nm的范围。
5.如权利要求2至4中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述波形结构的凸顶部和凹底部之间的高度在50nm~500nm的范围。
6.如权利要求1至4中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述波形结构占所述薄膜界面的整个面积的30%以上。
7.一种发光装置的制造方法,所述发光装置通过叠层包括发光层的多个薄膜而形成,且在所述薄膜的任一界面具备波形结构,所述波形结构产生具有指向性的散射功能,所述发光装置的制造方法的特征在于,
包括波形结构形成工序,所述波形结构形成工序通过旋涂法对介孔二氧化硅进行成膜,形成所述波形结构。
8.如权利要求7所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
在所述波形结构形成工序中,设计成膜条件,使得由所述介孔二氧化硅构成的膜成为10nm~300nm。
9.如权利要求7或8所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
所述波形结构形成工序包括:以1500rpm~4000rpm的转速旋涂固态量浓度为3wt%~8wt%的硅醇盐溶液的工序;在真空中以300℃~400℃烧成0.5小时~5小时的工序。
10.一种电子设备,其特征在于,
具备如权利要求1至6中任一项所述的发光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006136168A JP2007311046A (ja) | 2006-05-16 | 2006-05-16 | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2006136168 | 2006-05-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101075663A true CN101075663A (zh) | 2007-11-21 |
Family
ID=38843746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2007101041189A Pending CN101075663A (zh) | 2006-05-16 | 2007-05-16 | 发光装置、发光装置的制造方法及电子设备 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080042154A1 (zh) |
JP (1) | JP2007311046A (zh) |
KR (1) | KR20070111349A (zh) |
CN (1) | CN101075663A (zh) |
TW (1) | TW200746893A (zh) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102173217A (zh) * | 2010-12-21 | 2011-09-07 | 杭州和昇塑料制品有限公司 | 一种防止盖内文字信息被辨识的饮料瓶瓶盖的制造方法 |
CN102931208A (zh) * | 2011-08-09 | 2013-02-13 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN103594482A (zh) * | 2012-08-14 | 2014-02-19 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备 |
CN103824946A (zh) * | 2012-11-19 | 2014-05-28 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种聚合物太阳能电池及其制备方法 |
CN103928489A (zh) * | 2013-08-02 | 2014-07-16 | 厦门天马微电子有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其形成方法 |
CN104303327A (zh) * | 2011-10-17 | 2015-01-21 | 株式会社Lg化学 | 用于有机电子器件的基板 |
CN106104841A (zh) * | 2014-03-19 | 2016-11-09 | 3M创新有限公司 | 用于白光成色oled装置的纳米结构 |
CN106556949A (zh) * | 2015-09-30 | 2017-04-05 | 三星显示有限公司 | 颜色转换面板和包括该颜色转换面板的显示装置 |
CN110034238A (zh) * | 2017-12-08 | 2019-07-19 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示装置 |
CN111492271A (zh) * | 2017-12-29 | 2020-08-04 | 索尼半导体解决方案公司 | 发光模块、显示装置以及制造发光模块和显示装置的方法 |
WO2020238480A1 (zh) * | 2019-05-27 | 2020-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光单元及其制造方法、显示装置 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI289708B (en) * | 2002-12-25 | 2007-11-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Optical interference type color display |
US7342705B2 (en) | 2004-02-03 | 2008-03-11 | Idc, Llc | Spatial light modulator with integrated optical compensation structure |
EP2366945A1 (en) * | 2006-10-06 | 2011-09-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Optical loss layer integrated in an illumination apparatus of a display |
EP1943551A2 (en) | 2006-10-06 | 2008-07-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light guide |
EP1958010A2 (en) * | 2006-10-10 | 2008-08-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | Display device with diffractive optics |
US7977695B2 (en) * | 2007-09-21 | 2011-07-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
TWI364855B (en) * | 2007-12-04 | 2012-05-21 | Young Lighting Technology Corp | Light-emitting device |
US8068710B2 (en) * | 2007-12-07 | 2011-11-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Decoupled holographic film and diffuser |
WO2009098793A1 (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-13 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
EP2278852A4 (en) * | 2008-03-18 | 2011-08-03 | Asahi Glass Co Ltd | ELECTRONIC DEVICE SUBSTRATE, LAYERED BODY FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODE ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
JP5090227B2 (ja) | 2008-03-26 | 2012-12-05 | 学校法人金沢工業大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置および表示装置 |
KR100932938B1 (ko) | 2008-04-24 | 2009-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 제조방법 및 상기 기판을 구비하는 유기 발광디스플레이 장치 |
US8193695B2 (en) | 2008-07-17 | 2012-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting device and manufacturing method thereof |
KR101147421B1 (ko) * | 2009-11-26 | 2012-05-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101671515B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2016-11-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 |
CN101794867B (zh) * | 2010-03-15 | 2011-10-05 | 彩虹集团公司 | 一种平面光源器件的制备方法 |
US8902484B2 (en) | 2010-12-15 | 2014-12-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Holographic brightness enhancement film |
EP2477249A1 (en) * | 2011-01-13 | 2012-07-18 | Moser Baer India Ltd. | Method of manufacturing lacquer using inkjet printing |
JP6242121B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2017-12-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 発光素子表示装置及び発光素子表示装置の製造方法 |
US9829617B2 (en) | 2014-11-10 | 2017-11-28 | Light Polymers Holding | Polymer-small molecule film or coating having reverse or flat dispersion of retardation |
US9856172B2 (en) | 2015-08-25 | 2018-01-02 | Light Polymers Holding | Concrete formulation and methods of making |
KR101747268B1 (ko) * | 2015-11-30 | 2017-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치와 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이 |
US10962696B2 (en) | 2018-01-31 | 2021-03-30 | Light Polymers Holding | Coatable grey polarizer |
US11370914B2 (en) | 2018-07-24 | 2022-06-28 | Light Polymers Holding | Methods of forming polymeric polarizers from lyotropic liquid crystals and polymeric polarizers formed thereby |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100437886B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2004-06-30 | 한국과학기술원 | 고발광효율 광결정 유기발광소자 |
JP4226835B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2009-02-18 | 三星エスディアイ株式会社 | 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置 |
JP3823961B2 (ja) * | 2002-10-11 | 2006-09-20 | セイコーエプソン株式会社 | 反射基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法 |
TWI256269B (en) * | 2004-03-05 | 2006-06-01 | Toshiba Matsushita Display Tec | Method of manufacturing display device |
US7602118B2 (en) * | 2005-02-24 | 2009-10-13 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
US7960908B2 (en) * | 2005-07-15 | 2011-06-14 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Organic EL display |
US7402951B2 (en) * | 2005-09-27 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved contrast |
KR20070047609A (ko) * | 2005-11-02 | 2007-05-07 | 삼성전자주식회사 | 몰드와 이를 이용한 표시장치의 제조방법 |
KR20070104158A (ko) * | 2006-04-21 | 2007-10-25 | 삼성전자주식회사 | 전자소자용 보호막 및 그 제조방법 |
-
2006
- 2006-05-16 JP JP2006136168A patent/JP2007311046A/ja not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-05-09 US US11/746,133 patent/US20080042154A1/en not_active Abandoned
- 2007-05-14 KR KR1020070046556A patent/KR20070111349A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-05-15 TW TW096117246A patent/TW200746893A/zh unknown
- 2007-05-16 CN CNA2007101041189A patent/CN101075663A/zh active Pending
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102173217A (zh) * | 2010-12-21 | 2011-09-07 | 杭州和昇塑料制品有限公司 | 一种防止盖内文字信息被辨识的饮料瓶瓶盖的制造方法 |
TWI562426B (en) * | 2011-08-09 | 2016-12-11 | Samsung Display Co Ltd | Organic light-emitting display and method of manufacturing the same |
CN102931208A (zh) * | 2011-08-09 | 2013-02-13 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN102931208B (zh) * | 2011-08-09 | 2017-03-01 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN104303327B (zh) * | 2011-10-17 | 2018-03-16 | 乐金显示有限公司 | 用于有机电子器件的基板 |
CN104303327A (zh) * | 2011-10-17 | 2015-01-21 | 株式会社Lg化学 | 用于有机电子器件的基板 |
CN103594482A (zh) * | 2012-08-14 | 2014-02-19 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备 |
US9991470B2 (en) | 2012-08-14 | 2018-06-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
CN103594482B (zh) * | 2012-08-14 | 2018-09-21 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备 |
CN103824946A (zh) * | 2012-11-19 | 2014-05-28 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种聚合物太阳能电池及其制备方法 |
CN103928489A (zh) * | 2013-08-02 | 2014-07-16 | 厦门天马微电子有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其形成方法 |
CN106104841B (zh) * | 2014-03-19 | 2019-01-15 | 3M创新有限公司 | 用于白光成色oled装置的纳米结构 |
CN106104841A (zh) * | 2014-03-19 | 2016-11-09 | 3M创新有限公司 | 用于白光成色oled装置的纳米结构 |
CN106556949A (zh) * | 2015-09-30 | 2017-04-05 | 三星显示有限公司 | 颜色转换面板和包括该颜色转换面板的显示装置 |
CN106556949B (zh) * | 2015-09-30 | 2021-11-23 | 三星显示有限公司 | 颜色转换面板和包括该颜色转换面板的显示装置 |
US11187942B2 (en) | 2015-09-30 | 2021-11-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Color conversion panel and display device including the same |
CN110034238A (zh) * | 2017-12-08 | 2019-07-19 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示装置 |
US10896640B2 (en) | 2017-12-08 | 2021-01-19 | Lg Display Co., Ltd. | Electroluminescence display device having buffer layer |
CN110034238B (zh) * | 2017-12-08 | 2021-06-22 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示装置 |
CN111492271A (zh) * | 2017-12-29 | 2020-08-04 | 索尼半导体解决方案公司 | 发光模块、显示装置以及制造发光模块和显示装置的方法 |
CN111492271B (zh) * | 2017-12-29 | 2022-06-14 | 索尼半导体解决方案公司 | 发光模块、显示装置以及制造发光模块和显示装置的方法 |
US11437603B2 (en) | 2017-12-29 | 2022-09-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Light-emitting module, display device, and methods for manufacturing with color changing members disposed at non-white pixels |
WO2020238480A1 (zh) * | 2019-05-27 | 2020-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光单元及其制造方法、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080042154A1 (en) | 2008-02-21 |
TW200746893A (en) | 2007-12-16 |
KR20070111349A (ko) | 2007-11-21 |
JP2007311046A (ja) | 2007-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101075663A (zh) | 发光装置、发光装置的制造方法及电子设备 | |
US10109817B2 (en) | Organic light emitting device | |
CN1278295C (zh) | 有机发光显示器 | |
KR102642369B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
CN1138458C (zh) | 有机电致发光元件及其制造方法和有机电致发光显示装置 | |
CN1181708C (zh) | 采用电致发光的发光设备和显示设备 | |
CN1578555A (zh) | 发光型显示装置 | |
CN1463172A (zh) | 电光学装置及其制造方法、及电子设备 | |
CN1604696A (zh) | 发光器件 | |
CN1849719A (zh) | 稳定的有机发光二极管装置 | |
CN1615060A (zh) | 发光装置、发光装置的制造方法及电子机器 | |
CN1372434A (zh) | 有机光发射装置及采用该有机光发射装置的显示装置 | |
CN1805161A (zh) | 具有光学谐振层的发光装置 | |
CN1706226A (zh) | 有机场致发光显示装置及其制造方法 | |
CN1656852A (zh) | 有机el显示器 | |
CN1700826A (zh) | 发光元件和显示器件 | |
CN1845648A (zh) | 发光装置,电子设备和电视装置 | |
CN1645978A (zh) | 有机电致发光设备及其制造方法 | |
CN1864283A (zh) | 发白光的微腔室oled设备 | |
CN1913194A (zh) | 白色电致发光器件及其制备方法 | |
CN1929706A (zh) | 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备 | |
CN1368656A (zh) | 光发射器件与光发射显示器 | |
CN1499908A (zh) | 电光学装置及电子机器 | |
CN1713792A (zh) | 显示器件 | |
CN1428869A (zh) | 发光装置、制造发光装置的方法、及其制造设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20071121 |