JP3823961B2 - 反射基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は反射基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法に係り、特に、表面凹凸形状を備えた樹脂層上に反射層を備えた反射基板及び電気光学装置の製造技術に関する。

一般に、電気光学装置の一種である液晶表示装置には、光を反射させるための反射層を形成する場合がある。この反射層は、通常、外光を反射することによって生じた反射光により、液晶の光学状態に応じて構成される画像を視認可能にした反射型の液晶表示装置を構成するために設けられる。また、反射層の一部に光透過部を設けることなどによって半透過反射層を形成し、透過型表示と反射型表示の双方を実現可能な半透過反射型の液晶表示装置も知られている。

ところで、上記の反射層を光学的に平坦な反射面を有するように構成すると、入射した外光が光学的に平坦な反射面で鏡面反射されることにより、観察者が照明光の反射により幻惑されたり、背景の写り込みなどにより表示画面の視認性が悪化したりするといった問題点のあることが知られている。

そこで、反射層の反射面を凹凸状（粗面状）に構成し、反射光を適度に散乱させることにより、上記の照明光による幻惑や背景の写り込みを低減乃至は防止する技術が種々提案されている。例えば、半透過反射型の液晶表示装置において、エッチングなどによってガラス表面を摺りガラス状に構成し、この上に金属アルミニウム薄膜等の反射層を設けることによって凹凸状の反射面を形成しているものがある（例えば、特許文献１参照。）。

また、上記の凹凸状の反射面を形成する別の方法としては、感光性樹脂をガラス基板上に塗布し、この感光性樹脂を所定のマスクパターンを用いて露光し現像することによって、凹凸形状を備えた樹脂層、或いは、離散的に設けられた樹脂層を形成し、この樹脂層を一端加熱して溶融させることにより、ある程度凹凸形状をなめらかにした後に、さらに有機樹脂を塗布することにより、比較的なだらかな表面凹凸形状を形成し、その後、その上に反射層を形成する方法がある（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００２−３１７９９号公報 特開２００２−９８９５５号公報（段落００８９乃至００９１、図１３）

しかしながら、上記従来の方法では、反射層の下地面に適度な凹凸形状を形成するために、基板ガラスのエッチング条件（エッチング液の組成及びエッチング時間）や樹脂層の加熱条件（加熱温度及び加熱時間）などを精密に管理し、調整する必要があるため、反射面の凹凸形状を正確かつ再現性よく得ることが難しいとともに、２段階のエッチング工程が必要になったり、２層構造の樹脂層を形成する必要があったりすることから、製造時間が長くなり、製造コストが増大するという問題点がある。

また、反射面の凹凸形状によって決定される散乱光の角度分布に偏りがあると、外光を有効に表示に利用することができずに表示が暗くなったり、特定の角度において明度が急激に変化したり、視野角特性が実質的に狭くなったりするなどの表示品位上の不具合が発生する可能性がある。

そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、従来よりも反射面の凹凸形状を迅速にかつ低コストで製造できる反射基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供することにある。また、反射面の散乱特性を改善することにより電気光学装置の反射型表示の表示品位を従来よりも高めることにある。

上記課題を解決するために本発明の反射基板の製造方法は、基板上に配置された感光性を有する樹脂を、光透過部及び光遮蔽部を備えたマスクパターンを用いて露光する露光工程と、露光された前記樹脂を現像する現像工程と、前記樹脂上に反射層を形成する反射層形成工程と、を具備する反射基板の製造方法であって、前記マスクパターンには複数の島状に構成された前記光透過部を分散配置し、前記光透過部の周囲を前記光遮蔽部とし、前記露光工程では、前記基板上の樹脂を当該基板に対して前記樹脂側から露光し、且つ前記樹脂の表面上の露光強度分布が該表面に沿って曲面状に増減変化する状態で露光されるように、露光波長λを３００〜４５０ｎｍの範囲内とし、前記マスクパターンの前記光透過部の直径を９〜１２μｍの範囲内とすることで光の回折角が設定され、前記マスクパターンと前記樹脂との間の露光ギャップを１５０〜２５０μｍの範囲内とすることで前記マスクパターンによる回折光の広がり量が設定され、前記現像工程において、前記樹脂に前記光透過部に対応する凹部を形成することにより、前記露光強度分布に対応した凹凸形状を備えた樹脂層を形成することを特徴とする。また、基板上に配置された感光性を有する樹脂を、光透過部及び光遮蔽部を備えたマスクパターンを用いて露光する露光工程と、露光された前記樹脂を現像する現像工程と、前記樹脂上に反射層を形成する反射層形成工程と、を具備する反射基板の製造方法であって、前記マスクパターンには複数の島状に構成された前記光遮蔽部を分散配置し、前記光遮蔽部の周囲を前記光透過部とし、前記露光工程では、前記基板上の樹脂を当該基板に対して前記樹脂側から露光し、且つ前記樹脂の表面上の露光強度分布が該表面に沿って曲面状に増減変化する状態で露光されるように、露光波長λを３００〜４５０ｎｍの範囲内とし、前記マスクパターンの前記光遮蔽部の直径を８〜１２μｍの範囲内とすることで光の回折角が設定され、前記マスクパターンと前記樹脂との間の露光ギャップを６０〜１００μｍの範囲内とすることで前記マスクパターンによる回折光の広がり量が設定され、前記現像工程において、前記樹脂に前記光遮蔽部に対応する凸部を形成することにより、前記露光強度分布に対応した凹凸形状を備えた樹脂層を形成することを特徴とする。

この発明によれば、露光工程において感光性を有する樹脂の表面上の露光強度分布を表面に沿って曲面上に増減変化するように構成し、その露光強度分布にて露光を行い、露光強度分布に対応した表面凹凸形状を備えた樹脂層を現像工程において形成するようにしたことにより、２段階のエッチング工程や２層構造の樹脂層を形成する必要がなくなり、１段階のパターニング工程で表面凹凸形状を形成することができるため、凹凸状の反射面を備えた反射基板を迅速かつ低コストで製造できる。

従来技術のうち、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングによって樹脂層に表面凹凸形状を形成する場合には、一般に、パターニングにより形成された凹凸形状が急峻すぎるため、加熱によって凹凸形状をなだらかにしたり、その上にさらに２層目の樹脂層を形成したりするようにしている。しかし、本発明においては、マスクパターンの光透過部若しくは光遮蔽部の大きさと、マスクパターンと感光性樹脂との間の露光ギャップとをそれぞれ適宜に設定することにより、マスクパターンの光透過部若しくは光遮蔽部の大きさにより光の回折角を調整し、露光ギャップＧによりマスクパターンによる回折光の広がり量を調整することにより、露光強度分布を曲面状に増減変化する状態とし、現像により形成された樹脂層の表面凹凸形状を所望の曲面状の凹凸形状とするものである。このように、光透過部若しくは光遮蔽部の大きさと露光ギャップとを調整することによって表面凹凸形状の急峻性或いはなだらかさを調整することができるため、１回の露光・現像工程によって適度な表面凹凸形状を備えた樹脂層を形成することが可能になる。

一般に、樹脂層の表面凹凸形状が急峻すぎると、その上に形成された反射層による反射光の散乱角が大きくなるために正反射率が低下し、画像が暗くなってしまう。逆に、樹脂層の表面凹凸形状がなだらか過ぎると、その上に形成された反射層による反射光の散乱角が小さくなるために、正反射率が高くなり、その結果、画像は明るくなるが、反射面が鏡面に近くなる分、照明による幻惑や背景の写り込みが顕著になる。したがって、樹脂層の表面凹凸形状を適度な曲率を備えた曲面状に形成することによって、所望の明るさと、視認性とを両立させる必要がある。この場合、マスクパターンの光透過部の直径と、露光ギャップのうちいずれか一方のみを調整するだけでは、露光強度分布の増減変化を適度な表面凹凸形状に対応したものとすることは困難である。例えば、光透過部の直径を、マスクパターンの凹凸周期及び開口率の制約の中で増減させるだけでは、露光波長λの回折度合にそれほど変化がないため、基本的に凹凸形状の周期が変化するだけで、凹凸形状の曲率を調整することは困難である。また、露光ギャップを増減させるだけでは、光透過部の直径によっては、露光範囲が増減するだけで凹凸形状の曲率を変えることが困難であったり、露光ギャップの変化によって凹凸形状の曲率が大きく変化しすぎてしまったりするため、やはり、適度な表面凹凸形状を備えた樹脂層を形成することは難しい。

なお、本発明は、光透過部若しくは光遮蔽部の境界領域に対応する樹脂層の表面領域における凹凸曲面形状を制御するものであり、当該表面領域から外れた樹脂層の一部に平坦部が形成されている場合を含む。また、前記表面領域から外れた位置に樹脂層が一部存在しないことにより下地面の一部が露出した状態となっている場合も包含する。樹脂層の表面は多くの部分が滑らかな凹凸曲面状に構成されていればよく、一部に平坦部や下地露出部が存在しても良好な光学特性を得ることは可能である。

本発明において、前記マスクパターンには複数の島状に構成された前記光透過部を分散配置し、前記光透過部の周囲を前記光遮蔽部とすることにより、前記樹脂層の表面に前記光透過部に対応する凹部を形成することが好ましい。この場合には、マスクパターンの光透過部を通過する光によって露光された部分が凹部となる。このとき、光透過部の大きさと上記ギャップとによって光透過部を通過する光の回折度合を変化させることができるため、凹部の表面形状を滑らかに構成することができる。

この場合において、前記露光工程における露光波長λを３００〜４５０ｎｍの範囲内とし、前記光透過部の直径を約９〜１２μｍの範囲内とし、前記露光ギャップを約１５０〜２５０μｍの範囲内とすることが好ましい。これによれば、光透過部の直径を上記範囲内に設定することにより光透過部を通過する光を適宜の角度に回折させることができるとともに、露光ギャップＧを上記範囲内に設定することによって回折光の広がり範囲を調整することができるため、感光性樹脂の表面上に、適度な曲率を備えた曲面状の露光強度分布を形成することができる。

本発明において、前記マスクパターンには複数の島状に構成された前記光遮蔽部を分散配置し、前記光遮蔽部の周囲を前記光透過部とすることにより、前記樹脂層の表面に前記光遮蔽部に対応する凸部を形成することが好ましい。この場合には、マスクパターンの光遮蔽部によって光が遮られた部分が凸部となる。このとき、光遮蔽部の大きさと上記ギャップとによって光遮蔽部によって光が遮られた部分への光の回折度合を変化させることができるため、凸部の表面形状を滑らかに構成することができる。

この場合において、前記露光工程における露光波長λを３００〜４５０ｎｍの範囲内とし、前記光遮蔽部の直径を約８〜１２μｍの範囲内とし、前記露光ギャップを約６０〜１００μｍの範囲内とすることが好ましい。島状の光遮蔽部を分散配置させたマスクパターンでは、通常、島状の光透過部を分散配置させたマスクパターンよりも光透過部の面積が大きくなり開口率が高くなるため、凸部の傾斜露光ギャップを小さくすることによって回折光を低減させる必要がある。また、一般的にはマスクパターンの開口率の増大に応じて露光強度も低減させる必要がある。例えば、島状の光透過部を分散配置させた開口率約３０％のマスクパターンを用いる場合に較べると、島状の光遮蔽部を分散配置させた遮光率約３０％（開口率約７０％）のマスクパターンを用いた場合には、前者の場合の約半分程度の露光強度に設定することが好ましい。

本発明において、前記反射層形成工程の後に、前記反射層の一部を除去して透過部を形成する透過部形成工程を有することが好ましい。これによって、透過部を備えた半透過反射型の反射基板を構成できる。

この場合において、前記透過部形成工程では、前記反射層の一部と共にその直下にある前記樹脂層の一部を除去することが好ましい。これによって、透過部において樹脂層が存在しないことにより、透過型表示の着色などを防止できる。

次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、電気光学物質と、前記電気光学物質と平面的に重なり凹凸形状を備えた樹脂層と、前記樹脂層上に前記凹凸形状を反映した反射面を備えた反射層とを有する電気光学装置の製造方法において、前記樹脂層を形成する工程として、光透過部及び光遮蔽部を備えたマスクパターンを用いて感光性を有する樹脂を露光する露光工程と、露光された前記樹脂を現像する現像工程とを有し、前記マスクパターンには複数の島状に構成された前記光透過部を分散配置し、前記光透過部の周囲を前記光遮蔽部とし、前記露光工程では、基板上に配置された前記樹脂を当該基板に対して前記樹脂側から露光し、且つ前記樹脂の表面上の露光強度分布が該表面に沿って曲面状に増減変化する状態で露光されるように、露光波長λを３００〜４５０ｎｍの範囲内とし、前記マスクパターンの前記光透過部の直径を９〜１２μｍの範囲内とすることで光の回折角が設定され、前記マスクパターンと前記樹脂との間の露光ギャップを１５０〜２５０μｍの範囲内とすることで前記マスクパターンによる回折光の広がり量が設定され、前記現像工程において、前記樹脂に前記光透過部に対応する凹部を形成することにより、前記露光強度分布に対応した前記凹凸形状を備えた前記樹脂層を形成することを特徴とする。また、電気光学物質と、前記電気光学物質と平面的に重なり凹凸形状を備えた樹脂層と、前記樹脂層上に前記凹凸形状を反映した反射面を備えた反射層とを有する電気光学装置の製造方法において、前記樹脂層を形成する工程として、光透過部及び光遮蔽部を備えたマスクパターンを用いて感光性を有する樹脂を露光する露光工程と、露光された前記樹脂を現像する現像工程とを有し、前記マスクパターンには複数の島状に構成された前記光遮蔽部を分散配置し、前記光遮蔽部の周囲を前記光透過部とし、前記露光工程では、基板上に配置された前記樹脂を当該基板に対して前記樹脂側から露光し、且つ前記樹脂の表面上の露光強度分布が該表面に沿って曲面状に増減変化する状態で露光されるように、露光波長λを３００〜４５０ｎｍの範囲内とし、前記マスクパターンの前記光遮蔽部の直径を８〜１２μｍの範囲内とすることで光の回折角が設定され、前記マスクパターンと前記樹脂との間の露光ギャップを６０〜１００μｍの範囲内とすることで前記マスクパターンによる回折光の広がり量が設定され、前記現像工程において、前記樹脂に前記光遮蔽部に対応する凸部を形成することにより、前記露光強度分布に対応した前記凹凸形状を備えた前記樹脂層を形成することを特徴とする。

本発明において、前記マスクパターンには複数の島状に構成された前記光透過部を分散配置し、前記光透過部の周囲を前記光遮蔽部とすることにより、前記樹脂層の表面に前記光透過部に対応する凹部を形成することが好ましい。この場合には、特前記露光工程における露光波長λを３００〜４５０ｎｍの範囲内とし、前記光透過部の直径Ｄを約９〜１２μｍの範囲内とし、前記露光ギャップＧを約１５０〜２５０μｍの範囲内とすることが好ましい。

本発明において、前記マスクパターンには複数の島状に構成された前記光遮蔽部を分散配置し、前記光遮蔽部の周囲を前記光透過部とすることにより、前記樹脂層の表面に前記光遮蔽部に対応する凸部を形成することが好ましい。また、この場合には、前記露光工程における露光波長λを３００〜４５０ｎｍの範囲内とし、前記光遮蔽部の直径を約８〜１２μｍの範囲内とし、前記露光ギャップを約６０〜１００μｍの範囲内とすることが好ましい。

本発明において、前記反射層の一部を除去して透過部を形成する透過部形成工程を有することが好ましい。この場合に、前記透過部形成工程では、前記反射層の一部と共にその直下にある前記樹脂層の一部を除去することが好ましい。

以上、説明したように本発明によれば、反射基板の製造に際して、従来よりも反射面の凹凸形状を迅速にかつ低コストで製造できる。

次に、添付図面を参照して本発明に係る反射基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法の実施形態について詳細に説明する。

［第１実施形態：反射基板］
最初に、本発明に係る第１実施形態として、反射基板の製造方法について図１及び図２を参照して説明する。図１は、本発明に係る反射基板の製造方法の実施形態を示す工程説明図（ａ）〜（ｄ）であり、図２は、同製造方法を示す工程説明図（ａ）〜（ｃ）である。

本実施形態では、図１（ａ）に示すように、最初に、ガラスやプラスチック等の透明材料で構成された基板１１１を洗浄し、基板１１１の表面上に、アクリル樹脂を基材とする感光性樹脂１０１を塗布などによって配置する。次に、図１（ｂ）に示すように、マスク１０２を用いて感光性樹脂１０１を露光する。ここで、マスク１０２は、ガラス等の透明基板１０２Ａの表面にＣｒ等の薄膜などで構成される遮光層１０２Ｂを形成したものである。このマスク１０２は、図４（Ａ）に示すように、単位領域Ｓ内において、多数の島状に構成された光透過部１０２ｘがランダムに分散配置されたものとなっている。光透過部１０２ｘの周囲は遮光層１０２Ｂによる光遮蔽部となっている。すなわち、この光透過部１０２ｘは上記遮光層１０２Ｂの開口によって構成される。光透過部１０２ｘの形状は円形、楕円形、長円形、多角形など特に限定されないが、特に、円形や正多角形（正方形、正五角形、正六角形、正八角形など）であることが好ましい。このような形状は特定の方位の偏りなどを持たないため、均等な光学特性が得られやすく、また、マスクの加工も容易になるためである。ただし、散乱特性の方位依存性を必要とする場合には、光透過部１０２ｘの形状を所定方向に延長された形状としてもよい。

この露光工程では、超高圧水銀ランプを光源として用いる。このランプの光は主に３種の波長（３６５ｎｍのｉ線、４０５ｎｍのｈ線、４３６ｎｍのｇ線）で構成されている。本実施形態では、感光性樹脂１０１の感度分布としては波長３６５ｎｍのｉ線に対する感度が最も高いため、この露光工程では、感光性樹脂１０１は実質的にｉ線（波長３６５ｎｍ）によって露光される。

次に、上記感光性樹脂１０１を所定の現像液により現像することにより、図１（ｃ）に示すように、上記マスク１０２の光透過部１０２ｘに対応する領域と、光遮蔽部に対応する領域との間に凹凸状の段差が形成される。本実施形態の場合には、上記光透過部１０２ｘの直径Ｄ、および、感光性樹脂１０１とマスク１０２との間の露光ギャップＧを調節することにより、感光性樹脂１０１の表面に沿った露光強度分布、特に光透過部１０２ｘ及びその周囲近傍に対応する表面領域の露光強度分布が滑らかに増減変化するように構成し、この状態で露光を行う。そして、現像工程においては、その露光強度分布に応じた量の樹脂が感光性樹脂１０１の表面から除去される。これにより、図示のように比較的なだらかな表面凹凸形状１１９ａを有する樹脂層１１９が得られる。この表面凹凸形状１１９ａは、島状の光透過部１０２ｘに対応する島状の凹部が分散配置された態様を有する。これらの点については後に詳述する。

次に、上記のように構成された樹脂層１１９の表面上にアルミニウム、銀、銀合金（ＡＰＣ合金など）、クロムなどの金属の薄膜を形成し、反射層１１２とする。反射層１１２は、その下地面となる樹脂層１１９の表面に表面凹凸形状１１９ａが形成されていることにより、その表面凹凸形状１１９ａを反映した凹凸形状を有する反射面を備えたものとなる。したがって、この反射層１１２の反射面は、上記表面凹凸形状１１９ａに対応する島状の凹部が分散配置された態様を有する。

次に、図２（ａ）に示すように、反射層１１２の表面上に、通常のフォトリソグラフィ法によってレジスト等で構成されるマスク１０３を形成する。マスク１０３は、反射層１１２が不要とされる領域に開口１０３ａが設けられたものである。そして、このマスク１０３を用いてエッチングを行うことにより、図２（ｂ）に示すように、開口部１１２ａを備えた反射層１１２を形成する。このようにして、半透過反射型の反射基板１１０が形成される。

なお、上記エッチング工程において、反射層１１２と樹脂層１１９とを共に除去することによって、図２（ｃ）に示すように反射層１１２の開口部１１２ａと、樹脂層１１９の開口部１１９ｂとが相互に平面的に重なる位置に設けられた反射基板１１０′を形成するようにしてもよい。また、樹脂層１１９の形成の段階において開口部１１９ｂを設けておき、この開口部１１９ｂに重なるように反射層１１２の開口部１１２ａを設けた反射基板１１０′を形成するようにしてもよい。この反射基板１１０′の場合には、樹脂層１１９に開口部１１９ｂが形成されていることにより、反射層１１２の開口部１１２ａを通過する透過光が樹脂層１１９を通過しないため、樹脂層１１９のわずかな着色や、樹脂層１１９の表面凹凸形状１１９ａによる散乱作用若しくは屈折作用による透過光への影響を回避することができる。

（実施例）
図３（Ａ）は、本実施形態の１実施例の露光工程における、基板１１１上の感光性樹脂１０１とマスク１０２との関係を示す拡大部分断面図である。また、図４（Ａ）は、当該マスク１０２のうち、単位領域Ｓのマスク形状を示す平面図であり、図５は、基板１１１全体における各単位領域Ｓの配列態様を、マスク１０２の遮光部１０２Ｂのパターン形状を基板１１１に重ねた状態で示す平面図である。本実施例においては、感光性樹脂１０１の厚さを２．０μｍとし、マスク１０２の光透過部１０２ｘの直径Ｄ_Ａを約１０μｍとし、感光性樹脂１０１の上面とマスク１０２の下面との間の距離、すなわち露光ギャップ（間隔）Ｇ_Ａを約１８０μｍとした。ここで、露光装置の露光量は８０ｍＪ／ｃｍ^２であり、露光波長λは３６５ｎｍ（ｉ線）である。また、マスク１０２の単位領域Ｓ内の光透過開口率は３０％とされ、光透過部１０２ｘはランダムに配置されている。図４（Ａ）に示す光透過部１０２ｘの平均間隔Ｐ_Ａは約１４μｍである。

本実施例では、マスク１０２の光透過部１０２ｘの直径Ｄ_Ａと露光ギャップＧ_Ａを上記値に設定することにより、感光性樹脂１０１の表面に沿って曲面状に増減変化する露光強度分布を構成することができ、その後、感光性樹脂１０１を現像することによって、図示点線で示すように、上記露光強度分布に対応したなめらかな曲面状の表面凹凸形状を形成することができる。このようにして形成された樹脂層１１９の正反射率を測定すると、約１．３〜３．０％であった。ここで、正反射率（鏡面反射率）は、可視光領域の光（例えば、波長λ＝６５０ｎｍ）を入射角４０度で入射させ、出射角４０度の方向に設置した光センサによって検出することによって測定した。また、この樹脂層１１９の表面上にアルミニウムで反射層１１２を形成すると、正反射率は約８〜２０％となった。ここで、樹脂層の表面を平坦に形成した場合の正反射率は約８．０％程度であり、上記表面凹凸形状によって反射光の反射角が広がる（すなわち反射光が散乱される）ことによって上記のように正反射率が低下する。なお、この平坦な樹脂層上にアルミニウムで構成した反射層を形成すると、約９５％の正反射率が得られる。また、本実施例は、感光性樹脂として、光感光部が現像液で除去されるポジ系のものを例としているが、光感光部が現像液で不溶化するネガ系樹脂についても同様に扱うことが可能である。この場合、マスクの光透過部に対応した凹凸は逆になる。

（比較例）
次に、上記実施例と対比すべき比較例の製造方法について説明する。図１６及び図１７は比較例の製造方法の工程説明図である。この比較例の製造方法においては、図１６（ａ）に示すように基板１１１上に厚さ１．６μｍの感光性樹脂１０１を塗布した後に、図１６（ｂ）に示すように、マスク１０４によって感光性樹脂１０１の露光を行う。ここで、マスク１０４は、透明基板１０４Ａ上に遮光層１０４Ｂを形成したものであり、上記マスク１０２と同様に光透過部１０４ｘがランダムに配置されている。これらの光透過部１０４ｘは、単位領域Ｓ内において図４（Ｂ）に示すように配置される。光透過部１０４ｘの直径Ｄ_Ｂは、上記実施例よりも小さく７．５μｍであるが、マスク１０４の単位領域Ｓにおける開口率は実施例と同じ３０％であり、その結果、光透過部１０４ｘの平均間隔Ｐ_Ｂは約１１μｍとなっている。

図３（Ｂ）は、この比較例における露光工程の様子を示し、図４（Ｂ）は比較例における単位領域Ｓのマスク１０４の平面形状を示す。この比較例では、厚さ１．６μｍの感光性樹脂１０１に対して、上記のように光透過部の直径Ｄ_Ｂを約７．５μｍとし、また、露光ギャップＧ_Ｂを約６０μｍとして露光を行った。ここで、露光波長λや露光強度は図３（Ａ）に示すものと同じである。この場合には、図３（Ｂ）に点線で示し、図１６（ｃ）にも示すように、現像後に形成された樹脂層１２９の表面凹凸形状が急峻になり、正反射率は約１．０％であった。この樹脂層１２９の表面凹凸形状は急峻すぎ、正反射率が低いので、実際に液晶表示装置に用いた場合に表示に寄与しうる光量が少なくなり、明るい表示を得ることができないなど、液晶表示装置の表示特性を満たす反射面を形成することができなかった。

そこで、図１６（ｄ）に示すように、樹脂層１２９の上にさらに感光性樹脂１３０を１．３μｍの厚さに塗布し、その後、図１７（ａ）に示すように、透明基板１０５Ａと遮光層１０５Ｂを有するマスク１０５を用いて、単位領域Ｓ以外の領域のみについて露光を行い、単位領域Ｓについては露光せずそのまま現像を行った。そして、樹脂層の焼成を行うことによって、図１７（ｂ）に示すように、樹脂層１２９と樹脂層１３０の２層構造により、上記実施例とほぼ同様のなめらかな表面凹凸形状が得られた。

その後、図１７（ｃ）に示すように、樹脂層１３０の表面上にアルミニウムなどによって反射層１１２を形成した。また、その上に開口部１０６ａを備えたレジスト１０６を形成してエッチングを行い、図１７（ｄ）に示すように、反射層１１２に開口部１１２ａを設けることによって、半透過反射型の反射基板を得た。

この比較例では、最終的に実施例とほぼ同様の凹凸形状を有する反射面を形成することができるものの、露光・現像工程によって一旦形成した樹脂層１２９の上にさらに樹脂層１３０を形成しなければ、所望の反射特性を有する反射面を構成することができないため、製造工数が増大し、製造時間が長くなるとともに製造コストが増大するという問題がある。

（露光条件）
次に、図６及び図７を参照して、本発明に係る実施形態の露光工程の条件と、その露光後に現像を行うことにより形成された樹脂層の光学特性との関係について説明する。図６は、樹脂層１１９の正反射率と、露光工程におけるマスクパターンの光透過部の直径Ｄ及び露光ギャップＧとの関係を示すグラフである。ここで、光透過部の直径Ｄを、７．５μｍ、１０．０μｍ、１２．０μｍとし、露光ギャップＧを１００〜２５０μｍの範囲で変化させて正反射率を測定した。なお、マスクの開口率（単位領域Ｓにおける開口面積の割合）は全ての場合について３０％とした。また、感光性樹脂の厚さは全ての場合について１．７μｍとした。

マスクの光透過部の直径Ｄが小さい場合（直径Ｄ＝７．５μｍの場合）には、露光ギャップＧが小さい範囲では正反射率が低くなるが、露光ギャップＧを大きくすると急速に正反射率が増大する。すなわち、直径Ｄが小さいと露光ギャップＧを変化させたときの正反射率の変化幅が大きくなる。

一方、直径Ｄが大きくなると（直径Ｄ＝１０μｍ、１２μｍの場合）、露光ギャップＧを変化させても正反射率の変化は少なく、特に、露光ギャップＧを小さくしたときには直径Ｄが小さい場合ほどの正反射率の低下は見られなかった。

上記のように光透過部の直径Ｄが小さくなると正反射率の変動率が大きくなることにより、所望の反射率を再現性良く、或いは、精度良く得ることが難しくなるため、直径Ｄは７．５μｍ程度ではなく、それ以上の値、例えば、９μｍ以上であることが好ましいものと考えられる。また、直径Ｄがさらに大きくなると、図６に示すように、正反射率の変動幅が小さくなることから、正反射率の調整範囲が狭くなるため、直径Ｄは１２μｍ以下であることが好ましいものと考えられる。

図６に示すように、露光ギャップＧが小さい領域では、露光ギャップＧの増加に対して正反射率の増加割合が小さいか、或いは逆に、正反射率が露光ギャップＧの増加とともに減少する。これは、露光ギャップＧを小さくするほど表面凹凸形状が急峻になることによって却って平坦部分が増大し、その結果、正反射が増えるからであると考えられる。したがって、照明光による幻惑や背景の写り込みを防止するとともに、正反射率を所定範囲（例えば、本実施例の場合には１．３〜３．０％程度、反射層の正反射率で８〜２０％程度）に調節するためには、露光ギャップＧを１５０μｍより大きくすることが好ましいことがわかる。

すなわち、露光ギャップＧが１５０μｍ未満になると、その正反射率が適度な正反射率の範囲（上記１．３〜３．０％程度）を下回り表示が暗くなる場合がある。また、その正反射率が上記範囲内に入っていても、それは表面凹凸形状がなだらかになったためではなく、平坦な部分と急峻な部分とが混在した凹凸形状となったことによるためであり、その結果、散乱光が少なく暗い表示となる。

ところで、図６に示すように、露光ギャップＧが大きい領域では、露光ギャップＧの増加に従って正反射率が単調に増大していく。これは、露光ギャップＧが大きくなるほど表面凹凸形状がなだらかになり、表面凹凸形状がなだらかになるほど正反射光が徐々に増加するからであると考えられる。この領域では、正反射率を適切な範囲に調整することで、液晶表示装置の反射面として好適な表面凹凸形状が得られるものと考えられる。

ところで、上記の露光ギャップが大きい領域であっても、正反射率が大きくなりすぎると、表示は明るくなるが、上記の照明光による幻惑や背景の写り込みが大きくなるので、視認性が低下する。したがって、上記のように、光透過部の直径Ｄが９〜１２μｍの範囲では、適度な正反射率を得るために、露光ギャップＧを２５０μｍ以下の範囲にすることが好ましい。

図７は、光透過部の直径Ｄを１０μｍとしたときの感光性樹脂の膜厚および露光ギャップＧと樹脂層の正反射率との関係を示すグラフである。ここで、感光性樹脂の膜厚を１．５μｍ、１．７μｍ、１．９μｍとし、露光ギャップＧを１００〜２５０μｍの範囲で変化させて正反射率を測定した。なお、マスクの開口率（単位領域Ｓにおける開口面積の割合）は全ての場合について３０％とした。

このグラフでは、感光性樹脂の膜厚を上記範囲で変化させても、正反射率の露光ギャップＧの変化に対する変化傾向は基本的にほとんど変わらず、感光性樹脂の膜厚が薄くなるほど正反射率が全体として増加する傾向にある。これは、樹脂層が薄い場合に露光によって形成される凹部の底部に下地面が露出して正反射を増大させているものと考えられる。いずれの膜厚についても、露光ギャップＧが１５０μｍを越えるあたりから正反射率が単調に増加していく。一方、露光ギャップＧが１５０μｍ未満の領域では、露光ギャップＧを小さくすると逆に正反射率がゆるやかに増加していく。この露光ギャップが１５０μｍ未満の領域は、上述のごとく、露光ギャップを小さくするにつれて表面凹凸形状が急峻になり、平坦な領域が増えるため、全体として正反射率が増加し、散乱光が少なく暗い表示となる。

上記のような検討の結果、本実施形態としては、露光工程に用いるマスクの光透過部の直径Ｄ_Ａは約９〜１２μｍの範囲内であればよく、露光ギャップＧ_Ａは約１５０〜２５０μｍの範囲内であることが好ましいことがわかった。これらの範囲内であれば、照明光の幻惑や背景の写り込みを抑制することができるとともに、表示の明るさも確保できる。すなわち、液晶表示装置の反射面として好適な表面凹凸形状が得られるものと考えられる。特に、直径Ｄ_Ａは９．５〜１１μｍの範囲であり、露光ギャップＧ_Ａは１６０〜２００μｍの範囲であることが、さらに良好な表面凹凸形状を設けることができる点で望ましい。

上記実施例におけるマスクの光透過部の直径及び露光ギャップの範囲は、露光工程における露光波長λ（＝３６５ｎｍ）を前提として得られたものである。しかしながら、一般に紫外線領域と呼ばれる、波長λが３００〜４５０ｎｍの範囲内の光を用いても、上記とほぼ同様の結果を得ることができる。すなわち、上記実施例における光透過部の直径Ｄ_Ａの範囲（９〜１２μｍ）は露光波長λ（＝３６５ｎｍ）の２５〜３３倍程度であるため、上記３００〜４５０ｎｍの波長範囲であれば、露光波長を変えてもその回折効果はほとんど変わらず、また、上記実施例における露光ギャップＧ_Ａの範囲（１５０〜２５０μｍ）は露光波長λの４００〜７００倍程度であるため、上記３００〜４５０ｎｍの波長範囲であれば、露光波長を変えても回折光の広がりの程度もほとんど変わらないからである。

また、マスクの開口率は、通常、２０〜４０％程度であることが好ましい。開口率が２０％未満では、島状の光透過部の間隔が大きくなるため、樹脂層の表面における平坦部の面積が増大し、正反射の多い反射面が形成されてしまう。また、開口率が４０％を越えると、隣接する島状の光透過部の間隔が小さくなるため、樹脂層の表面に形成される凹部同士がつながりやすくなり、その結果、やはり平坦部の面積が増大し、正反射の多い反射面が形成されてしまう。

さらに、露光量は、上記条件では７０〜９０ｍＪ程度が好ましい。この露光量は、光透過部の大きさと露光ギャップとによって決定される最大露光量（光透過部の中心位置の露光量）で感光性樹脂が全て除去されない程度（残膜量が５〜２０％程度）に調整されることが望ましい。上記最大露光量によって感光性樹脂が全て除去されてしまう場合には、樹脂層に形成された凹部の底に下地面が露出することとなり、この露出した下地面上に形成される反射面部分が平坦となって正反射を生ずるからである。

［第２実施形態：反射基板］
次に、図８乃至図１１を参照して、本発明に係る第２実施形態について説明する。上記第１実施形態では、上記マスク１０２には複数の島状に構成された光透過部１０２ｘが分散配置されていたが、本実施形態に用いるマスク１０６では、図８に示すように、複数の島状に構成された光遮蔽部１０６ｘが分散配置されている。そして、光遮蔽部１０６ｘの周囲は光透過部となっている。この光遮蔽部１０６ｘは、上記第１実施形態と同様の光透過性材料の表面上に形成された遮光層によって構成できる。単位領域Ｓ内には、光遮蔽部１０６ｘがランダムでかつほぼ均等な分布密度で分散配置されている。

このマスク１０６において、光遮蔽部１０６ｘの直径Ｄｃを９μｍ又は１０μｍとし、光遮蔽部１０６ｘの平均間隔Ｐｃ＝約１４μｍとした。このとき、開口率は約７０％となり、したがって、遮光率は約３０％となった。そして、第１実施形態と同じ感光性樹脂を厚さ２μｍに形成し、上記のマスク１０６を用いて、露光ギャップＧ＝７０μｍ、露光量３０〜４０ｍＪで露光した。この実施形態では、マスク１０６の開口率が第１実施形態の２〜２．５倍程度であるため、光遮蔽部１０６ｘに対応する樹脂層の表面部分に十分な散乱性能を備えた凸部を形成し、かつ、この凸部によって形成される表面凹凸形状を充分に滑らかなものとするために、露光ギャップを第１実施形態の４０〜５０％程度とし、また、露光量も第１実施形態の４０〜５０％程度とした。そして、他の条件は全て第１実施形態と同様として表面凹凸形状を有する樹脂層を形成した。

本実施形態においては、上記のように露光量を少なくしているため、図９に示すように、最初にマスク１０６で露光した後に、続けて、第２のマスク１０８にて比較的大きな露光量で２次露光を行う。この２次露光に用いる第２のマスク１０８は、上記のように表面凹凸形状を形成してある単位領域Ｓの部分を遮光層１０８ｘにより完全に遮光し、その他の部分、すなわち単位領域以外の部分では光を透過するように構成されている。したがって、２次露光によって単位領域Ｓ内の露光状態が影響を受けることはなく、単位領域Ｓから外れた部分の樹脂層のみが強く露光される。その後、現像処理を行うことによって、単位領域Ｓ内では上記マスク１０６による露光状態に応じた表面凹凸形状が形成され、単位領域Ｓ以外の部分ではほぼ完全に樹脂層が除去される。この実施形態では２回の露光処理を行っているが、樹脂層の表面凹凸形状を形成するための露光処理は第１実施形態と同様に１回のみである。

本実施形態により形成された表面凹凸形状は、上記マスク１０６の光遮蔽部１０６ｘに対応する島状の凸部が分散配置された態様となっている。すなわち、島状の凹部が分散配置されてなる第１実施形態にて形成された表面凹凸形状に較べると、概略凹凸が相互に逆の態様となっている。このため、第１実施形態の樹脂層上に形成された反射面と、この第２実施形態の樹脂層上に形成された反射面とでは、その散乱特性に違いが生ずる。

図１０は、第１実施形態及び第２実施形態の反射面についてそれぞれ測定した、散乱光強度の散乱角依存性を示すグラフである。図中のＡは第１実施形態によって形成された反射面のデータであり、Ｂは第２実施形態によって形成された反射面のデータである。第１実施形態の反射面では、散乱角が大きくなるに従って散乱光強度が大きく低下しているのに対して、第２実施形態の反射面では、散乱光強度の散乱角依存性が小さく、散乱角が大きくなっても散乱光強度の低下が少ない。したがって、より広い視野角範囲にて明るい表示を視認することが可能になる。

本実施形態の基本的製造方法により、図１１（ａ）に示すように、光遮蔽部１０６ｘの直径Ｄｃ（７．５μｍ、９μｍ、１０μｍ）別に樹脂層の正反射率の露光ギャップＧに対する依存性を調べた。ここで、樹脂層の初期厚さは全て２．０μｍとし、マスクの開口率は全て約７０％となるようにした。その結果、光遮蔽部１０６ｘの直径Ｄｃが小さいほど正反射率の露光ギャップに対する依存性が小さく、光遮蔽部１０６ｘの直径Ｄｃが増大するほど、露光ギャップを変化させたときの変化率が大きくなることがわかった。したがって、光遮蔽部１０６ｘの直径Ｄｃとしては、約８．０〜１２μｍの範囲であることが好ましい。直径Ｄｃが８μｍを下回ると凸部が形成されにくくなるため、露光ギャップによって正反射率を調整することが難しくなり、したがって、反射層の反射特性の調整が困難になる。逆に、直径Ｄｃが１２μｍを上回ると凸部の中央に平坦部が形成されやすくなり、露光ギャップの変化による正反射率の変動が大きくなり、反射層の反射特性の精度や再現性を得ることが難しくなる。

また、光遮蔽部１０６ｘの直径Ｄｃの如何に拘らず、露光ギャップＧが７０μｍ以上の範囲では、露光ギャップの増大に応じて正反射率が単調に増大するが、露光ギャップが７０μｍ未満の範囲では、露光ギャップが減少すると正反射率が増大するという結果が得られた。これは、第１実施形態と同様に、露光ギャップがある程度大きければ、光の回折現象によって露光ギャップが大きくなるほど樹脂層の表面凹凸形状がなだらかになるために正反射率が増大するが、露光ギャップが小さくなりすぎると、光の回折が生じにくくなるために滑らかな凹凸形状が得られにくくなり、露光ギャップが小さくなるほど平坦な部分と急峻な部分とが増大して両者が混在した状態となることによって正反射率が上昇するものと考えられる。

本実施形態では、基本的に第１実施形態よりも正反射率が低い領域でも散乱角の大きい領域で大きな散乱光強度が得られるため、正反射率の低い領域でも良好な表示特性を得ることができる。したがって、上記のデータからすると、露光ギャップＧとしては６０〜１００μｍの範囲が好ましい。この範囲を下回ると、上述のように表面凹凸形状中の平坦部と急峻部の割合が多くなるために、散乱角が少なくなり暗い表示となる。逆に、上記範囲を上回ると、光の回折度合が大きくなることによって凸部が形成されにくくなり、全体として反射面が平坦になることにより正反射光による不具合が増大する。

図１１（ｂ）は、樹脂層の初期厚さを１．４μｍ、１．７μｍ、２．０μｍと変化させたときの正反射率の露光ギャップ依存性を示すグラフである。ここで、マスクの光遮蔽部１０６ｘの直径Ｄｃは１０μｍ、開口率は全て７０％としてある。樹脂層の厚さが変化しても正反射率の露光ギャップに対する依存性はほとんど変化しないが、樹脂層の初期厚さが薄くなるほど正反射率は全体として上昇する。これは、樹脂層が薄い場合に露光によって形成される凸部以外の部分で下地面が露出して正反射を増大させているものと考えられる。また、本実施形態の場合、マスクの開口率が高いため、樹脂層が薄いと現像時などにおいて樹脂層が剥離しやすくなる。このため、本実施形態の場合、すなわち、島状の光遮蔽部を分散配置するようにマスクを構成し、その開口率が５０％を上回る場合には、樹脂層の厚さは、第１実施形態の場合、すなわち、島状の光透過部を分散配置するようにマスクを形成し、その開口率が５０％を下回る場合に較べてやや（例えば０．３μｍほど）厚く形成することが好ましい。

また、マスクの開口率は、通常、６０〜８０％程度であることが好ましい。開口率が８０％を越えると、島状の光遮蔽部の間隔が大きくなるため、樹脂層の表面における平坦部の面積が増大し、正反射の多い反射面が形成されてしまう。また、開口率が６０％未満では、隣接する島状の光遮蔽部の間隔が小さくなるため、樹脂層の表面に形成される凸部同士がつながりやすくなり、その結果、やはり平坦部の面積が増大し、正反射の多い反射面が形成されてしまう。

さらに、露光量は、上記条件では３０〜４０ｍＪ程度が好ましい。この露光量は、光遮蔽部の間隔と露光ギャップとによって決定される最大露光量（光遮蔽部間の中間位置の露光量）で感光性樹脂が全て除去されない程度（残膜量が５〜５０％程度）に調整されることが望ましい。上記最大露光量によって感光性樹脂が全て除去されてしまう場合には、樹脂層に形成された凹部の底に下地面が露出することとなり、この露出した下地面上に形成される反射面部分が平坦となって正反射を生ずるからである。

［第３実施形態：電気光学装置］
次に、上記の反射基板の製造方法によって形成された反射基板を用いた電気光学装置の構成及びその製造方法について、図１２に示す液晶表示装置２００を例にとり説明する。

図１２は、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態により形成した液晶表示装置２００の外観を示す概略斜視図であり、図１３（ａ）は、液晶表示装置２００の模式的な概略断面図、図１３（ｂ）は、液晶表示装置２００を構成する反射基板２１０の拡大部分平面図である。なお、図にはいわゆる反射半透過方式のパッシブマトリクス型構造を有する液晶パネル部分だけを示すが、実際に構成される液晶表示装置では、図示の部分に対して、必要に応じて図示しないバックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などが適宜に取付けられる。

図１２に示すように、液晶表示装置２００は、ガラス板や合成樹脂板等からなる透明な第１基板２１１を基体とする反射基板２１０と、これに対向する同様の第２基板２２１を基体とする対向基板２２０とがシール材２３０を介して貼り合わせられ、シール材２３０の内側に注入口２３０ａから液晶２３２が注入された後、封止材２３１にて封止されてセル構造が構成される。

第１基板２１１の内面（第２基板２２１に対向する表面）上には複数並列したストライプ状の透明電極２１６がスパッタリング法等により形成され、第２基板２２１の内面上には複数並列したストライプ状の透明電極２２２が同様の方法で形成されている。また、上記透明電極２１６は配線２１８Ａに導電接続され、上記透明電極２２２は配線２２８に導電接続されている。透明電極２１６と透明電極２２２とは相互に直交し、その交差領域はマトリクス状に配列された多数の画素を構成し、これらの画素配列が液晶表示領域Ａを構成している。

第１基板２１１は第２基板２２１の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部２１０Ｔを有し、この基板張出部２１０Ｔ上には、上記配線２１８Ａ、上記配線２２８に対してシール材２３０の一部で構成される上下導通部を介して導電接続された配線２１８Ｂ、及び、独立して形成された複数の配線パターンからなる入力端子部２１９が形成されている。また、基板張出部２１０Ｔ上には、これら配線２１８Ａ，２１８Ｂ及び入力端子部２１９に対して導電接続されるように、液晶駆動回路等を内蔵した半導体ＩＣ２６１が実装される。また、基板張出部２１０Ｔの端部には、上記入力端子部２１９に導電接続されるように、フレキシブル配線基板２６３が実装される。

この液晶表示装置２００において、図１３に示すように、第１基板２１１の外面には位相差板（１／４波長板）２４０及び偏光板２４１が配置され、第２基板２２１の外面には位相差板（１／４波長板）２５０及び偏光板２５１が配置される。

<反射基板２１０及び対向基板２２０の詳細構造>
次に、図１３（ａ）及び（ｂ）を参照して、反射基板２１０及び対向基板２２０の詳細構造について説明する。

反射基板２１０においては、第１基板２１１の表面に透明な樹脂層２１９が形成される。また、この樹脂層２１９の上に反射層２１２が形成され、上記画素毎に開口部２１２ａが設けられる。この反射層２１２のうち、開口部２１２ａ以外の部分が実質的に光を反射する反射部２１２ｂである。本実施形態の場合には画素毎に開口部２１２ａと反射部２１２ｂとを有する反射層２１２が形成される。もっとも、反射層２１２を液晶表示領域Ａ全体に一体に形成し、開口部２１２ａのみを画素毎に形成してもよい。

上記の樹脂層２１９及び反射層２１２は、上記反射基板の製造方法によって構成された樹脂層１１９及び反射層１１２に相当し、上記と同様の製造方法によって形成される。したがって、この部分の製造方法の説明は省略する。なお、図１３に示す反射基板２１０の構造は、上記反射基板１１０′に対応するものとなっている。すなわち、反射層２１２に開口部２１２ａが形成されているだけでなく、その下層の樹脂層２１９にも開口部２１２ａと重なる位置に開口部が設けられる。

反射層２１２の上には着色層２１４が形成され、その上に、透明樹脂等からなる表面保護層（オーバーコート層）２１５がさらに形成される。この着色層２１４と表面保護層２１５とによってカラーフィルタが構成される。

着色層２１４は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされる。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、補色系その他の種々の色調で形成できる。通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって不要部分を除去することによって、所定のカラーパターンを有する着色層を形成する。ここで、複数の色調の着色層を形成する場合には上記工程を繰り返す。

なお、着色層の配列パターンとして、図１３（ｂ）に示す図示例ではストライプ配列を採用しているが、このストライプ配列の他に、デルタ配列や斜めモザイク配列等の種々のパターン形状を採用することができる。また、上記ＲＧＢの各着色層の周囲には、着色層の一部として、画素間領域の遮光を行うための遮光膜（ブラックマトリクス或いはブラックマスク）を形成することができる。

表面保護層２１５の上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる透明電極２１６がスパッタリング法等で形成される。透明電極２１６は図１３（ｂ）の図示上下方向に伸びる帯状に形成され、複数の透明電極２１６が相互に並列してストライプ状に構成されている。透明電極２１６の上にはポリイミド樹脂等からなる配向膜２１７が形成される。

本実施形態においては、図１３（ｂ）に示すように、カラーフィルタを構成する着色層２１４が、各画素内において反射層２１２の開口部２１２ａを完全に覆うように平面的に重なっているとともに、開口部２１２ａと平面的に重なる領域から周囲へ向けて、開口部２１２ａの周囲の反射部２１２ｂ上に張り出すように一体に形成される。

また、着色層２１４は、各画素全体に形成されるのではなく、反射層２１２の一部にのみ重なるように形成される。すなわち、反射層２１２には、着色層２１４と平面的に重なる領域（図示例では開口部２１２ａに臨む内周領域）と、着色層２１４と平面的に重ならない領域（図示例では外周領域）とが存在する。

一方、上記液晶表示装置２００において、上記反射基板２１０と対向する対向基板２２０には、ガラス等からなる第２基板２２１上に、上記と同様の透明電極２２２が形成され、その上に、ＳｉＯ_２やＴｉＯ_２などからなる硬質保護膜２２３が形成される。さらにその上には上記と同様の配向膜２２４が積層される。

［第４実施形態：電気光学装置］
次に、上記とは異なる構造を有する別の電気光学装置について図１４及び図１５を参照して説明する。この実施形態の電気光学装置は、反射基板３１０を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置３００である。この液晶表示装置３００は、反射基板３１０と、これに対向する対向基板３２０とがシール材３３０によって貼り合わされ、両基板の間に液晶３３２が封入されてなるものである。

反射基板３１０において、基板３１１の内面上には、図１４に示すように、上述の樹脂層と同様に表面凹凸形状を備えた樹脂層３１２の上に反射層を兼ねる画素電極３１５が形成され、その上に配向膜３１６が形成されている。また、反射基板３１０の内面上には、図１５に点線で示す走査線３１３と、図１４及び図１５に断面を示すデータ線３１４とが相互に交差（直交）する方向に伸びる態様でそれぞれ複数形成されている。

画素電極３１５の下層には、図１５に示すようにＴＦＴ（薄膜トランジスタ）３１０Ｔが構成されている。このＴＦＴ３１０Ｔでは、チャネル領域３１０ｃ、ソース領域３１０ｓ及びドレイン領域３１０ｄを備えた半導体層が形成され、チャネル領域３１０ｃは絶縁膜を介して上記走査線３１３に導電接続されたゲート電極３１０ｇに対向配置され、ソース領域３１０ｓは上記データ線３１４に導電接続され、ドレイン領域３１０ｄは上記画素電極３１５に導電接続されている。なお、ＴＦＴ３１０Ｔは、逆スタガー構造を有する図示の構成に限られることなく、ゲート電極がチャネル層の上に配置された構造を備えていてもよく、また、公知のＬＤＤ（Light Doped Drain）構造を採用したものであってもよい。

図１４に示すように、対向基板３２０において、基板３２１の内面上には、ＩＴＯなどの透明導電体で構成された対向電極３２２が形成され、その上に、適宜の着色層３２３を所定の配列態様となるように形成した第３実施形態と同様のカラーフィルタが構成され、さらに、その上には配向膜３２４が形成されている。

このように構成された液晶表示装置３００においては、走査線３１３によって選択された画素においてデータ線３１４により供給された電位が画素電極３１５に供給され、この画素電極３１５と、対向電極３２２との間に形成される電界に応じて液晶３３２の配向状態が変化し、所望の画像が形成される。
ただし、アクティブマトリクス型の液晶表示装置としては、上記のようにＴＦＴをスイッチング素子として用いるものに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として用いるものにも本発明を同様に適用することができる。

なお、本発明の上記電気光学装置は、図示例のような液晶表示装置だけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。

本発明に係る第１実施形態の反射基板の製造方法の工程説明図（ａ）〜（ｄ）である。 同反射基板の製造方法の工程説明図（ａ）〜（ｃ）である。 同反射基板の製造方法における露光工程について、実施例（Ａ）と比較例（Ｂ）とを対比して示す説明図である。 同反射基板の製造方法における露光工程の単位領域Ｓのマスクパターンを、実施例（Ａ）と比較例（Ｂ）とを対比して示す説明図である。 同反射基板の製造方法における露光工程のマスクパターン全体の構成を示す概略平面図である。 同反射基板の製造方法の露光工程におけるマスクの光透過部の直径Ｄ及び露光ギャップＧと、形成された樹脂層の正反射率（平行線反射率）との関係を示すグラフである。 同反射基板の製造方法の露光工程における感光性樹脂の膜厚及び露光ギャップＧと、形成された樹脂層の正反射率（平行線反射率）との関係を示すグラフである。 本発明に係る第２実施形態の反射基板の製造方法に用いるマスクの単位領域Ｓのマスクパターンを示す説明図である。 第２実施形態の１次露光時のマスク及び２次露光時のマスクを重ねて示す説明図である。 第１実施形態及び第２実施形態の反射層の散乱光強度の散乱角依存性を示すグラフである。 第２実施形態のマスクの光透過部の直径Ｄ及び露光ギャップＧと、形成された樹脂層の正反射率（平行線反射率）との関係を示すグラフ（ａ）及び感光性樹脂の膜厚及び露光ギャップＧと、形成された樹脂層の正反射率（平行線反射率）との関係を示すグラフ（ｂ）である。 本発明に係る電気光学装置の製造方法によって形成された第３実施形態の液晶表示装置の概観を示す概略斜視図である。 同電気光学装置の製造方法によって形成された液晶表示装置の断面構造を模式的に示す概略部分断面図（ａ）及びその反射基板の平面構造を示す概略部分平面図（ｂ）である。 第４実施形態の液晶表示装置の概略構成を示す概略断面図である。 第４実施形態の液晶表示装置の一方の基板の拡大部分断面図である。 比較例の反射基板の製造方法の工程説明図（ａ）〜（ｄ）である。 同比較例の反射基板の製造方法の工程説明図（ａ）〜（ｄ）である。

符号の説明

１０１…感光性樹脂、１０２…マスク、１０２ｘ…光透過部、１０６…マスク、１０６ｘ…光遮蔽部、１１０，１１０′…反射基板、１１１…基板、１１２…反射層、１１９…樹脂層、２００…液晶表示装置、２１０…反射基板、２２０…対向基板、２３０…シール材、２３２…液晶、２１１…第１基板、２１２…反射層、２１９…樹脂層、３００…液晶表示装置、３１０…反射基板、３１０Ｔ…ＴＦＴ、３１２…樹脂層、３１５…画素電極（反射層を兼ねる）、３２０…対向基板

Claims (16)

1. 基板上に配置された感光性を有する樹脂を、光透過部及び光遮蔽部を備えたマスクパターンを用いて露光する露光工程と、露光された前記樹脂を現像する現像工程と、前記樹脂上に反射層を形成する反射層形成工程と、を具備する反射基板の製造方法であって、
   前記マスクパターンには複数の島状に構成された前記光透過部を分散配置し、前記光透過部の周囲を前記光遮蔽部とし、
   前記露光工程では、前記基板上の樹脂を当該基板に対して前記樹脂側から露光し、且つ前記樹脂の表面上の露光強度分布が該表面に沿って曲面状に増減変化する状態で露光されるように、露光波長λを３００〜４５０ｎｍの範囲内とし、前記マスクパターンの前記光透過部の直径を９〜１２μｍの範囲内とすることで光の回折角が設定され、前記マスクパターンと前記樹脂との間の露光ギャップを１５０〜２５０μｍの範囲内とすることで前記マスクパターンによる回折光の広がり量が設定され、
   前記現像工程において、前記樹脂に前記光透過部に対応する凹部を形成することにより、前記露光強度分布に対応した凹凸形状を備えた樹脂層を形成することを特徴とする反射基板の製造方法。
2. 前記マスクパターンの開口率を、２０〜４０％の範囲内とすることを特徴とする請求項１に記載の反射基板の製造方法。
3. 前記露光工程における露光量を、７０〜９０ｍＪの範囲内とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の反射基板の製造方法。
4. 基板上に配置された感光性を有する樹脂を、光透過部及び光遮蔽部を備えたマスクパターンを用いて露光する露光工程と、露光された前記樹脂を現像する現像工程と、前記樹脂上に反射層を形成する反射層形成工程と、を具備する反射基板の製造方法であって、
   前記マスクパターンには複数の島状に構成された前記光遮蔽部を分散配置し、前記光遮蔽部の周囲を前記光透過部とし、
   前記露光工程では、前記基板上の樹脂を当該基板に対して前記樹脂側から露光し、且つ前記樹脂の表面上の露光強度分布が該表面に沿って曲面状に増減変化する状態で露光されるように、露光波長λを３００〜４５０ｎｍの範囲内とし、前記マスクパターンの前記光遮蔽部の直径を８〜１２μｍの範囲内とすることで光の回折角が設定され、前記マスクパターンと前記樹脂との間の露光ギャップを６０〜１００μｍの範囲内とすることで前記マスクパターンによる回折光の広がり量が設定され、
   前記現像工程において、前記樹脂に前記光遮蔽部に対応する凸部を形成することにより、前記露光強度分布に対応した凹凸形状を備えた樹脂層を形成することを特徴とする反射基板の製造方法。
5. 前記マスクパターンの開口率を、６０〜８０％の範囲内とすることを特徴とする請求項４に記載の反射基板の製造方法。
6. 前記露光工程における露光量を、３０〜４０ｍＪの範囲内とすることを特徴とする請求項４又は５に記載の反射基板の製造方法。
7. 前記反射層形成工程の後に、前記反射層の一部を除去して透過部を形成する透過部形成工程を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の反射基板の製造方法。
8. 前記透過部形成工程では、前記反射層の一部と共にその直下にある前記樹脂層の一部を除去することを特徴とする請求項７に記載の反射基板の製造方法。
9. 電気光学物質と、前記電気光学物質と平面的に重なり凹凸形状を備えた樹脂層と、前記樹脂層上に前記凹凸形状を反映した反射面を備えた反射層とを有する電気光学装置の製造方法において、
   前記樹脂層を形成する工程として、光透過部及び光遮蔽部を備えたマスクパターンを用いて感光性を有する樹脂を露光する露光工程と、露光された前記樹脂を現像する現像工程とを有し、
   前記マスクパターンには複数の島状に構成された前記光透過部を分散配置し、前記光透過部の周囲を前記光遮蔽部とし、
   前記露光工程では、基板上に配置された前記樹脂を当該基板に対して前記樹脂側から露光し、且つ前記樹脂の表面上の露光強度分布が該表面に沿って曲面状に増減変化する状態で露光されるように、露光波長λを３００〜４５０ｎｍの範囲内とし、前記マスクパターンの前記光透過部の直径を９〜１２μｍの範囲内とすることで光の回折角が設定され、前記マスクパターンと前記樹脂との間の露光ギャップを１５０〜２５０μｍの範囲内とすることで前記マスクパターンによる回折光の広がり量が設定され、
   前記現像工程において、前記樹脂に前記光透過部に対応する凹部を形成することにより、前記露光強度分布に対応した前記凹凸形状を備えた前記樹脂層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 前記マスクパターンの開口率を、２０〜４０％の範囲内とすることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
11. 前記露光工程における露光量を、７０〜９０ｍＪの範囲内とすることを特徴とする請求項９又は１０に記載の電気光学装置の製造方法。
12. 電気光学物質と、前記電気光学物質と平面的に重なり凹凸形状を備えた樹脂層と、前記樹脂層上に前記凹凸形状を反映した反射面を備えた反射層とを有する電気光学装置の製造方法において、
    前記樹脂層を形成する工程として、光透過部及び光遮蔽部を備えたマスクパターンを用いて感光性を有する樹脂を露光する露光工程と、露光された前記樹脂を現像する現像工程とを有し、
    前記マスクパターンには複数の島状に構成された前記光遮蔽部を分散配置し、前記光遮蔽部の周囲を前記光透過部とし、
    前記露光工程では、基板上に配置された前記樹脂を当該基板に対して前記樹脂側から露光し、且つ前記樹脂の表面上の露光強度分布が該表面に沿って曲面状に増減変化する状態で露光されるように、露光波長λを３００〜４５０ｎｍの範囲内とし、前記マスクパターンの前記光遮蔽部の直径を８〜１２μｍの範囲内とすることで光の回折角が設定され、前記マスクパターンと前記樹脂との間の露光ギャップを６０〜１００μｍの範囲内とすることで前記マスクパターンによる回折光の広がり量が設定され、
    前記現像工程において、前記樹脂に前記光遮蔽部に対応する凸部を形成することにより、前記露光強度分布に対応した前記凹凸形状を備えた前記樹脂層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
13. 前記マスクパターンの開口率を、６０〜８０％の範囲内とすることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
14. 前記露光工程における露光量を、３０〜４０ｍＪの範囲内とすることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の電気光学装置の製造方法。
15. 前記反射層の一部を除去して透過部を形成する透過部形成工程を有することを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
16. 前記透過部形成工程では、前記反射層の一部と共にその直下にある前記樹脂層の一部を除去することを特徴とする請求項１５に記載の電気光学装置の製造方法。

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